201022463 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於抗反射膜之成膜方法及抗反射膜與成媒裝 置，詳細言之，係關於適宜用於平面顯示器（fpd : Flat Panel Display)之顯示面、觸控面板等之操作面、太陽能電 池之受光面等之抗反射膜之成膜方法及抗反射膜與成膜裝 置。 本申請案基於2008年10月17曰，主張於曰本申請之申請 案2008-268769號之優先權，此處援用其内容。 【先前技術】 近年來，平面顯示器（FPD)、觸控面板、太陽能電池等 中’已使用種種抗反射用之抗反射膜。 作為先前所使用之抗反射膜，提案有於透明基板上依次 積層高折射率層或低折射率層之多層構造之抗反射膜。 如此之抗反射膜，於高折射率層，係使用如Ti〇2(折射 率：2.3〜2.55)或ΖΓ〇2(折射率：2.〇5〜215)等，另，作為低折 射率層，則使用如Si〇2(折射率：145〜146)等（專利文獻i、 2)。 如此之抗反射膜，藉由改變高折射率層或低折射率層之 膜厚或材質，可得到期望的抗反射性能。 如此之抗反射膜可如下獲得：於透明基板上，藉由使用 Si〇2等低折射率材料之鈀材進行濺鍍，而形成低折射率 層’接著，於該低折射層上，藉由使用丁丨〇2或&〇2等之高 折射率材料之靶材進行濺鍍’而形成高折射率層。 143863.doc 201022463 [專利文獻1]曰本特開平7-130307號公報 [專利文獻1]日本特開平8-75902號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 但，為了以濺鍍形成先前之多層構造之抗反射膜，有必 要準備母層不同之乾材進行成膜。即，有必要依次濺鍵 Ti〇2靶材與Si〇2靶材並進行成膜，或有必要一面導入氧氣
等反應性氣體，一面依次濺鍍Ti靶材與81靶材進行成膜。 另一方面，一面導入氧氣等反應性氣體，一面濺鍍Ti靶 材與Si靶材進行成膜時，由於有必要導入大量氧氣，因此 右在與使包含金屬氧化物之透明導電膜成膜之氣體環境相 同之氣體環境下，則有無法成膜之問題。 本發明係為解決前述問題而完成者，其目的係提供一種 抗反射膜之成膜方法’該方法不伴隨向進行濺鑛之成膜室 之基板搬人及從相同成膜室之基板搬出，而藉由在同一成 膜至進订漱鍵’可獲得具有期望的抗反射性能，且亦具有 作為透明導電膜機能之氧化銦系之抗反射膜。 另八目的係提供一種具有期望的抗反射性能且亦具有 作為透明導電膜機能之氧化銦系抗反射膜。 另’目的亦係提供-種成膜裝置，其可於-個裝置成膜 中吏積層有折射率互不相同之複數個折射率層之抗反射 、，成再者，目的係提供一種成膜裝置，其可使用相同 #、系之靶材’藉由調整導入之氧氣、氫氣或水蒸氣 刀壓b而濺鍍，而使積層有折射率互不相同之複數個折 143863.doc 201022463 射率層之抗反射膜形成。 [解決問題之技術手段] 本發明者等，就使用氧化銦系之透明導電膜之抗反射膜 之成膜方法，進行積極研討，結果發現使用包含氧化姻之 靶材，利用濺鍍法使積層折射率不同之複數個折射率層所 成之氧化銦系抗反射膜形成時，若改變包含從氧氣、氫 氣、水蒸氣之群所選擇之！種、2種或3種之反應性氣體中 之各氣體之比例，進行減鑛，則可有效率地於第】氧化姻 系薄膜上積層折射率不同之第2氧化銦系薄膜而形成具有 期望反射性能之抗反射膜，因而完成本發明。 即，本發明之一樣態之抗反射膜之成膜方法，其係形成 具有第1氧化銦系薄臈及積層於該第】氧化姻系薄膜上之第 2氧化銦'系薄膜之抗反射膜者，肖方法具備：^成膜步 /、係於包含從氧氣、氫氣、水蒸氣之群所選擇之】 種、2種或3種之第！反應性氣體中，藉由利用第^氧化姻系 進行錢鑛’使第1氧化銦系薄膜形成，·及第2成膜步 其係於包含從氧氣、氫氣、水蒸氣之群所選擇之1 >種或3種、且與前述第〗反應性氣體不同成分之第2反 f性氣體中’藉由利用第2氧化錮系乾材進行㈣，而於 别^第1氧化銦系薄膜上形成第2氧化_系薄膜。 述製1^方法中，第1成膜步驟係於包含從氧氣、氫 ^，水蒸轨之群所選擇之！種、2種或3種之第】反應性氣體 如么“由使用第1氧化姻系乾材進行減鑛’而形成第1氧化 、薄臈再者’第2形成步驟係於包含從氧氣、氫氣、 143863.doc 201022463 水蒸氣之群所選擇之1種、2種或3種、且與前述第1反應性 氣體不同成分之第2反應性氣體中，藉由使用第2氧化銦系 靶材進行濺鍍，而形成第2氧化銦系薄膜。 從而，根據前述製造方法’使用氧化銦系靶材，可積層 折射率不同之複數個折射率層，其結果，可有效地形成具 有期望的抗反射性之抗反射膜。 較佳為’前述第2反應性氣體之氫氣含有比例與前述第丄 反應性氣體不同。 ❹ 較佳為，前述第2反應性氣體之水蒸氣含有比例與前述 第1反應性氣體不同。 較佳為，前述第2氧化銦系靶材與前述第丨氧化銦系靶材 相同。 較佳為，剛述第2成膜步驟係在與前述第1成膜步驟相同 之真二槽内，將則述第1反應性氣體置換為前述第2反應性 氣體而進行。 • 較佳為，前述第1氧化銦系靶材及前述第2氧化銦系靶材 為添加錫之氧化銦系靶材、添加鈦之氧化銦系靶材或添加 辞之氧化銦系靶材。 本發月之一樣態之抗反射膜，其係藉由前述抗反射膜之 成膜方法所得者，該抗反射膜具備：第1氧化銦系薄膜； 第2氧化㈣、薄膜，其係積層於該第i氧化銦系薄膜上，該 薄膜之折射率與該第1氧化銦系薄膜不同。 根據前述抗反射媒’由於設有第i氧化姻系薄膜，及積 層於該第1氧化銦系薄膜上、且折射率與該第i氧化铜系薄 143863.doc 201022463 膜不同之第2氧化銦系薄膜，因此積層有折射率不同之複 數個折射率層，而可提供具有期望的抗反射性能之氧化銦 系之抗反射膜。 較佳為前述第i氧化銦系薄膜及前述第2氧化鋼系薄膜中 之至少一者之比電阻為5xl02pQ.cm以下。 本發明之-樣態之成膜裝置，其係利用於前述抗反射媒 之成膜方法者，該成膜裝置具備：真空容器；於該真空容 器内之保㈣材之Μ保持機構；對前絲材印加濺鐘電 壓之電源’前述真空容器具備：氫氣導入機構、氧氣導入 機構、水蒸氣導入機構中之2個以上。 根據別述成膜裝置，由於前述真空容器具備氫氣導入機 構氧氣導入機構、水蒸氣導入機構中之2個以上，因此 利用包含氧化銦系材料之乾材，可使藉由㈣法於基板上 積層折射率不同之複數個折射率層時之氣體環境，成為阻 礙1^2〇3之晶格結合之水蒸氣（ho)環境。據此，可利用包 含氧化姻系材料之乾材，藉由1個裝置使具有期望的抗反 射性能之抗反射膜形成。 另’使用包含氧化銦系材料之-種㈣，僅調整導入之 氧氣、氫氣或水蒸氣之分壓比，即可料地使積層有折射 :不同之複數個折射率層之抗反射膜形成，再者，可以先 刖之成膜速度以上之速度進行成膜。 較佳為，前述無材保持機才冓，設有在前述把材之表面產 生強度最大值為600高斯以上之水平磁場之磁場產生機 構0 143863.doc 201022463 再者，於前述真空容㈣，設有以軸騎心旋轉、同時 於其外周面上可裝卸地支撐複數個基材之旋轉體，及與支 撐於該旋轉體上之前述複數個基材中之〗個以上之各基材 對向之複數個前述靶材保持機構’藉由使前述旋轉體：复 軸為中心旋轉，同時使用保持於前餘材保持機構之乾材 進行濺锻’亦可於前述各基材均成成分不同之複數種 膜。 [發明之效果] 9 I據本發明之—樣態之抗反射膜之成膜方法，由於具 有：第1成膜步驟，係於包含從氧氣、氯氣、水蒸氣之群 所選擇之1種、2種或3種第！反應性氣體中，藉由利用第工 氧化銦系㈣進行韻，而形成第i氧化㈣薄膜；及第2 成膜v驟係於包含從氧氣、氫氣、水蒸氣之群所選擇之 1種、2種或3種且與前述第丨反應性氣體不同成分之第2反 應性氣體中，藉由利用第2氧化銦系靶材進行濺鍍，而於 Φ 別述第1氧化銦系薄膜上形成第2氧化銦系薄膜，因此可使 用氧化銦系靶材，容易地積層折射率不同之複數個折射率 層°其結果’可有效率地形成具有期望的抗反射性之抗反 射膜。 根據本發明之一樣態之抗反射膜，由於具備有第1氧化 姻系薄膜’及積層於該第1氧化銦系薄膜上、且折射率與 α亥第1氧化銦系薄膜不同之第2氧化銦系薄膜，因此可提供 積層有折射率不同之複數個折射率層且具有期望的抗反射 性能之氧化銦列之抗反射膜。 143863.doc 201022463 根據本發明之-樣態之成膜裝置，由於具備：真空容 器；於該真空容器内保持㈣之乾材保持機構；對前㈣ 材施加濺鍵電塵之電源’且前述真空容器具備氫氣導入機 構、氧氣導入機構、水蒸氣導入機構中之2個以上者，因 此可變更利用包含氧化銦系材料之乾材，藉由㈣法而於 基板上積層折射率不同之複數折射率層時之氣體環境。從 而，可利用包含氧化銦系材料之_，藉由i個裝置而使 具有期望的抗反射性能之抗反射膜形成。 另，使用包含氧化㈣材料之_餘材，僅調整導入之 氧氣、、氫氣或水蒸氣之分壓比’可容易地使積層折射率不 同之複數個折射率層所成之抗反射膜形成。再者，可以先 刖之成膜速度以上之速度進行成媒。 【實施方式】 就本發明之抗反射膜之成膜方法及抗反射膜與成膜裝置 之實施形態進行說明。 再者，本實施形態，係為更良好地理解發明之主旨而具 體說明者，若未特別指定，則非用以限定本發明者。八 <第1實施形態> 圖1顯示本發明之第1實施形態之抗反射膜之剖面圖。該 抗反射膜1，形成於透明基板2之表面2&上，具有積層構 造。抗反射膜1，從透明基板2之表面2&側向外方，以折射 率依-人變小之方式，積層折射率不同之複數個氧化銦系薄 膜，例如高折射率之透明膜u及低折射率之透明膜Η。 作為該等氧化銦系薄膜，較好使用例如以In2〇”Sn〇、 143863.doc •10· 201022463 喊3咖2、Ιη2(νζη〇 #為主要成份之氧化銦系材料。 例如，使用添加錫之氧化銦（1丁0)之積層構造時，折射 率為例如㈣等之低折射率之透明媒12，係藉由以添加錫 之氧化銦（ITO)作為靶材，於氬（Ar)氣環境或含有氧之氬 ‘ （Ar+02)氣環境下成膜而得到。 另，折射率為例如2.25等之高折射率透明膜u，係藉由 以前述之添加錫之氧化銦（ITO)作為靶材，在氫氣（112)與氧 ^ 氣（〇2)環境或水蒸氣（Η〇2)環境下成膜而得到。 較佳為，該等氧化銦系薄膜中至少一方，如高折射率之 透明膜11及低折射率之透明膜12中至少一者之比電阻為 5·0χ102 μΩ·ς：ηι以下 如此，藉由使透明膜11、12中至少一者之比電阻為5 〇χ ΙΟ2 μΩγιη以下，可對該透明膜賦與作為透明導電膜之機 能。 圖2係顯示本實施形態之抗反射膜之變形例之剖面圖， φ 命折射率之透明膜11或低折射率之透明膜12之比電阻較高 時，藉由使透明膜11、12之膜厚加厚之AR設計，而可低 電阻化。藉由作如此之構成’可對抗反射膜1賦與透明導 電膜之機能》 圖3係顯示用於本實施形態之抗反射膜之成膜之濺鑛裝 置（成膜裝置）之一例之概略構成圖，圖4係顯示相同濺鑛裝 置之成膜室之主要部份之剖面圖。 該減鑛裝置21 ’係疊加式（interback)濺鑛裝置，例如具 備：將玻璃基板（未圖示）等之基板搬入/搬出之裝入/取出 ·η· 143863.doc 201022463 室22、於前述基板上形成氧化銦系抗反射膜之成膜室（真 空容器)23。於裝入/取出室22，設有將該室内大致抽真空 之旋轉泵等之簡略排氣機構24。另，裝入/取出室22之室 内，可移動地配置有用以保持、搬送基板之基板粍盤乃。 於成膜室23之一方之側面23a，縱型地設置加熱基板％ 之加熱器31，於另一方之側面23b，設有保持氧化銦系材 料之靶材27並施加期望的濺鍍電壓之陰極32(靶材保持機 構）。再者，於成膜室23，設有將該室内抽吸為高真空之 渦輪式分子泵等之高真空排氣機構33，對靶材27施加濺鍍 電壓之電源34’及導入氣體於該室内之氣體導入機構35。 陰極32為包含板狀之金屬板者，以焊材藉由黏合（固定） 使把材27加以固定。 電源34對靶材27施加濺鍍電壓。作為該電源34，並無特 別限定’可適宜地使用直流（DC)電源、交流（AC)電源、高 頻（RF)電源、DC電源+RF電源等。此處使用直流（Dc)電源 (未圖示）作為電源34。 氣體導入機構35，具備：導入Ar等濺鍍氣體之濺鍍氣體 導入機構35a、導入氫氣之氫氣導入機構35b、導入氧氣之 氧氣導入機構35c、及導入水蒸氣之水蒸氣導入機構35d。 再者，該氣體導入機構35中，氫氣導入機構35b'氧氣 導入機構3 5c、及水蒸氣導入機構3 5d，較好依據需要而選 擇使用。例如，亦可如藉由氫氣導入機構35b與氧氣導入 機構35c所構成之氣體導入機構35，或藉由氫氣導入機構 35b與水蒸氣導入機構35d所構成之氣體導入機構35般，由 143863.doc •12· 201022463 2個機構構成氣體導入機構35。 接著，就使用前述濺鍍裝置21，於透明基板2上依次形 成氧化銦系之抗反射膜1及透明導電膜3之方法進行說明。 此處’就作為透明基板2，係使用無鹼玻璃基板，作為 抗反射膜 1 ’ 係使用包含 In203-Sn02、In2〇3-Ti02、ιη2〇3_ - Ζη0等之氧化銦系材料之2層構造者之情形進行說明。 <抗反射膜之成膜> (a)高折射率透明膜之成膜 φ 為形成高折射率之透明膜11，將氧化銦系之靶材27以焊 材等壓焊固定於陰極32上。作為此處所使用之靶材，舉例 有氧化銦系材料’例如添加氧化錫（Sn〇2)丨〇〜4〇 〇 wt%之添 加錫之氧化銦（ιτο)、添加氧化鈦（Ti〇2) 01〜10 〇 wt%之添 加欽之氧化銦、添加氧化鋅（Zn0) 1〇〜2〇 〇 wt%之添加鋅 之氧化銦等。 接著’以基板26收納於裝入/取出室22之基板托盤25之 φ 狀態下，以簡略排氣機構24，使裝入/取出室22及成膜室 23大致抽真空》裝入/取出室22及及成膜室23成為特定真 - 空度，例如0.27 Pa (2.〇xl〇·3 Torr)後，將基板26從裝入/取 出室22搬入成膜室23。將該基板％配置於設定為關閉狀態 下之加熱器31之前，使該基板26對向於靶材27。藉由加熱 器31自常溫加熱該基板26至6〇〇。(：溫度範圍内。 接著，以高真空排氣機構33高真空抽吸成膜室23 ^成膜 室23成為特定的高真空度後，例如2.7XUT4 pa (2.0χ1〇-6 後’朝該成膜室23内，依據以下⑴〜⑺任一者導入氣 143863.doc -13- 201022463
(1) 由水蒸氣導入機構35d導入H2〇氣體（水蒸氣）[導入氣 體：1種P (2) 由氫氣導入機構35b導入H2氣體[導入氣體：1種]。 (3) 由水蒸氣導入機構35d導入H20氣體（水蒸氣），及由氫 氣導入機構35b導入H2氣體[導入氣體：2種]。 (4) 由水蒸氣導入機構35d導入H2〇氣體（水蒸氣），及由氧 氣導入機構35c導入〇2氣體[導入氣體：2種]。
(5) 由水蒸氣導入機構35d導入HaO氣體（水蒸氣），由氫氣 導入機構35b導入Hz氣體，及藉由氧氣導入機構35c導入〇2 氣體[導入氣體：3種]。 由前述之氣體導入可使成膜室23内成為5種氣體環境之 任一種，即，HaO氣體環境、Η:氣體環境、H20氣體與h2 氣體環境、HaO氣體與〇2氣體環境、及HzO氣體舆h2氣體 與〇2氣體環境之任一種。 接著’由電源34對乾材27施加滅鑛電壓。
該藏鍍電壓較好為250 V以下。藉由降低放電電壓，可 製作反應性較高之高密度電漿，可刻意使氣體與濺鍍粒子 結合。 於前述，亦可使用對直流電壓重疊高頻電壓之濺鍍^ 壓。藉由對直流電壓重疊高頻電壓，可更降低放電電壓。 藉由濺鍍電壓施加，於基板26上產生電漿，由該電漿为 激發之Ar等濺鍍氣體之離子朝靶材27碰撞。藉由該碰撞， 使 In2〇3-Sn〇2、In2〇3-Ti〇2、Ιη2〇3·Ζη〇 等之構成氧化銦筹 143863.doc 14 201022463 材料之原子自輕材27飛出，於基板26上形成包含氧化姻系 材料之透明膜。 該成膜過程中，成膜室23内成為前述5種氣體環境之任 一種，即，h2〇氣體環境、h2氣體環境、H2〇氣體與仏氣 體環境、H2〇氣體與A氣體環境、及Η"氣體與H2氣體與 • 〇2氣體環境之任一種。從而，若在如前述之氣體環境下進 行濺鍍，則可獲得氧化銦結晶中氧空孔數量受到控制，並 ❹移動至高折射率側之具有期望的高折射率（如23左右）及期 望的比電阻（導電率）之透明膜U。 此時，以滿足出氣體分壓為〇.5χ1〇·5 T〇rr以上，〇2氣體 分壓為0.5X10·5 Ton*以上之條件，可得到折射率2 3左右之 透明膜11。 另，以滿足H2氣體分壓為0.5xl0-5T〇rr以上，H2〇氣體分 壓為0.5X10·5 Torr以上之條件，可得到折射率2 3左右之透 明膜11。 Φ 以滿足出〇氣體分壓為l.OxlO·5 Ton·以上之條件，可得到 折射率2.3左右之透明膜11。 如此，藉由將成膜室23内成為前述5種氣體環境之任一 種，即，HA氣體環境、％氣體環境、Η"氣體與％氣體 環境、H2〇氣體與〇2氣體環境、及H2〇氣體與氣體與仏 氣體環境中任一種，亦可使所得之透明膜丨丨之比電阻（導 電率）產生變化。藉調整H2〇氣體之分壓、&氣體與〇2氣體 之分壓、％氣體與Η"氣體之分壓、〇2氣體與h2〇氣體之 分壓、或〇2氣體與％氣體與Ηβ氣體之分壓，可獲得氧空 143863.doc -15- 201022463 孔最適化且具有導電性之透明膜〗〗。無需導電性之情形 中’滿足其他條件之任一種均可。 如此，在HW氣體、&氣體+〇2氣體、Η:氣體+Η2〇氣 體、〇2氣體+Η2〇氣體、或ο:氣體+出氣體+^0氣體之環境 下形成之尚折射率之透明膜u，由於比電阻低而可兼備透 明導電性膜。此時，無需透明導電膜3。 (b)低折射率透明膜之成膜 於將氧化銦系之靶材27直接留在成膜室23内之狀態，於 該成膜室23内，由濺鍍氣體導入機構35a導入Ar氣體，或❹ 由濺鍍氣體導入機構35a及氧氣導入機構35e導入Ar氣體及 〇2氣體，藉此使該成膜室23内為心氣體環境或包含〇2氣體 之Ar氣體（Ar+02)環境。 形成低折射率透明膜時，使用與高折射率透明膜相同之 氧化銦系之靶材27，使成膜時之氣體環境為^氣體環境或 包含〇2氣體之Ar氣體（Ar+〇2)環境。據此，形成期望的低 折射率透明膜。 該成膜過程中，成膜室23内之氣體環境變成^氣體環境 © 或包含〇2氣體之Ar氣體（Ar+〇2)環境。若於該氣體環境下 進行濺鍍，則可獲得氧化銦結晶中之氧空孔之數量受到控 - 制且具有期望的低折射率（例如2 〇左右）及期望的比電阻 (導電率）之透明膜12。 再者，改變該透明膜12之折射率時，可將成膜時之氣體 環境，從Ar氣體環境或包含〇2氣體之Ar氣體（Αγ+〇2)環 境’改成於Ar氣體或包含〇2氣體之Ar氣體中，加入氣體 J43863.doc "16- 201022463 及/或H2〇氣體（水蒸氣）之環境即可。 此可藉由向成膜室23内，由氫氣導入機構35b導入h2氣 體，及由水蒸氣導入機構35d導入Η"氣體（水蒸氣）之之任 一者或兩者而實現。 再者’由於該成膜室23内亦包含^氣體及/或h20氣體， 故藉由控制H2氣體、ho氣體（水蒸氣）、Ar+〇2氣體之各分 壓，可控制所得之透明膜之折射率或比電阻（導電率）。 φ 接著’就於高比電阻且低折射率之透明膜12上形成透明 導電膜3之方法進行說明。 <透明導電膜之成膜> 透明導電膜3之成膜中，使用前述氧化銦系之靶材27， 與别述抗反射膜同樣，使基板26之溫度設在i〇〇°c〜600。〇 之溫度範圍内。另，於成膜室23内，由濺鍍氣體導入機構 15a’導入Ar等濺鍍氣體’且使用氫氣導入機構15b、氧氣 導入機構15c、水蒸氣導入機構15d中任意1個、2個或3 φ 個’導入從氫氣、氧氣、水蒸氣之群所選擇之1種、2種或 3種氣體。 如此’可得到形成有比電阻低且對可視光線之透明性良 好之氧化銦系之透明導電膜3之基板26。 接著’就本實施形態之氧化銦系之透明導電膜及抗反射 膜之製造方法’就本發明者等進行之實驗結果進行說明。 將5英寸χΐ6英寸大小之in2〇3_i〇 wt% Sn〇2 (IT〇)靶材， 以焊材固定於施加直流（DC)電壓之平行平板型之陰極32 上’接著’將無鹼玻璃基板放入裝入/取出室22，以簡略 143863.doc -17- 201022463 排氣機構24使裝入/取出室22内大致抽真空。接著將該無 鹼玻璃基板搬入以高真空排氣機構33高真空抽吸之成膜室 23内，與ITO靶材對向配置。 接著，由氣體導入機構35，於成膜室23内，以成為5 mTorr之壓力之方式導入Ar氣體後，導入H20氣體使分壓成 為5xl0_5 Torr。另，於其他例，於成膜室23中，以成為5 mTorr之壓力之方式導入Ar氣體後，導入〇2氣體使分壓成 為2xl0_5 Torr。關於導入前述H20氣體及導入〇2氣體之各 情形，藉由對陰極32由電源34施加1 kW電力，對安裝於陰 極32之ITO靶材進行濺鍍’使ΠΌ膜堆積於無鹼玻璃基板 上。 圖5顯示以無加熱成膜後在大氣退火（2401 xl hr)之氧化 銦系透明導電膜中’仏0氣體（水蒸氣）之效果之圖表。該 圖表中’ A係顯示以HaO之分壓成為5xl〇·5 Torr之方式導入 時之氧化銦系透明導電膜之透過率，B顯示以〇2氣體之分 壓成為2x1 0·5 Torr之方式導入時之氧化銦系透明導電膜之 透過率。 導入仏0氣體時，透明導電膜之膜厚為100 〇 nm，比電 阻為 1400 μΩοιη。 另，導入〇2氣體時，透明導電膜之膜厚為99.丨nm，比 電阻為 200 μΩ(：ιη。 根據圖5，可知藉由導入水蒸氣（Η2〇)，可在不改變膜厚 下改變透過率之峰值波長。 另’大量地導入水蒸氣時，可知比電阻變高，電阻劣化 143863.doc -18· 201022463 變大， 但可適用於如抗反射膜等之不要求低電 阻之光學構 再者，可知，
不同之複數層之構造之光學裝置。 水蒸氣之無導入與導入，或使導入量變化 圖6係顯示利用從圖5中之八及3之光譜算出之折射率 之折射率，
為膜厚’ λ為波長，η為折射率，m為整數）中以㈣算出 之低折射率透明膜之折射率（η)為1.96。 進行光學設計之抗反射膜之反射率之模擬結果之圖表。 此處’將從圖5中之R夕虫古ϋ * π ^ 。. 另一方面，將從圖5中之八之光譜求得之峰值波長（λ) 450 ㈣’與媒厚⑷100·0 nm之各值，簡易代入式「2 nd=na」 (式中d為膜厚，λ為波長，n為折射率，m為整數），以 算出之高折射率透明膜之折射率（11)為2 25。 ❹ 接著’於玻璃基板上，將折射率（η)為1.96之低折射率之 透月膜，形成為膜厚（句74.9 nm，於該折射率之透明膜上 以膜厚（d) 55.2 nm形成折射率（n)為2.25之高折射率之透明 膜。 根據圖6 ’可知於波長（λ) 550 nm之抗反射膜之反射率變 為0.532/。’可知使用1片把材，可連續地形成具有積層構 造之抗反射膜。 接著’同前述，於無鹼玻璃基板上使IT0膜堆積。 圖7係顯示Η2氣體之效果之圖表。該圖中，Α係顯示以 143863.doc •19· 201022463
Hz氣體成為2xl〇-5 T〇rr、ο,氣體成為5χ1〇-5 τ〇η^方式導 入時之氧化銦系導電膜之透過率，8係顯示以〇2氣體之分 壓成為2χ10-5 T〇rr之方式導入時之氧化銦系導電膜之透過 率，再者，如述中，使用施加直流（DC)電壓之平行平板型 之陰極。 導入％氣體+〇2氣體時，透明導電膜之膜厚為75〇 nm， 比電阻為1700 pQcm。 另，導入〇2氣體時，透明導電膜之膜厚為74 9 ηιη，比 電阻為240 μΩειη。 根據圖7，可知’即使在Hz氣體+〇2氣體導入中，亦可得 到與Η20氣體導入之情形相同之效果。 根據本實施形態之抗反射膜之成膜方法，由於包含從氫 氣、氧氣、水祭氣之群選擇之1種、2種或3種反應性氣體 環境中進行濺鍍，因此可容易地形成對可視光線透明性優 良之氧化銦系之抗反射膜。 根據本實施形態之成膜裝置，由於氣體導入機構35具 備.導入Ar等滅锻風體之減鑛·氣體導入機構35a、導入氫 氣之氫氣導入機構35b、導入氧氣之氧氣導入機構35c、導 入水蒸氣之水蒸氣導入機構35d，因此藉由控制該等減鑛 氣體導入機構35a、氫氣導入機構35b、氧氣導入機構 3 5c、及水蒸氣導入機構35d ’可製造使氧化銦系抗反射膜 1形成時之阻礙〗n2〇3晶格結合之水蒸氣環境。 從而，只改良先前之成膜裝置之一部份，即可形成氧化 銦系之抗反射膜。 143863.doc -20· 201022463 再者，本實施形態之抗反射膜1，雖於透明基板2之表面 2a上，依序形成高折射率之透明膜η及低折射率之透明膜 12而作成2層構造之抗反射膜，但抗反射膜1之積層構造不 限於前述之2層構造。亦可設為滿足所要求之抗反射膜之 - 抗反射性能之3層構造以上之多層構造《例如，亦可以係 - 複數次重複形成高折射率之透明膜11及低折射率之透明膜 12之多層構造。 <第2實施形態> 參 圖8係顯示用於本發明之第2實施形態之抗反射膜之形成 之疊加式（interback)之磁控濺鍍裝置（成膜裝置）之成膜室 之主要部份之剖面圖。 該磁控濺鍍裝置41與前述濺鍍裝置21不同之處，係於成 膜室23之一方之侧面23b上，縱型設有保持氧化銦系材料 之靶材27並產生期望的磁場之濺鍍陰極機構（靶材保持機 構）42。 φ 濺鍵陰極機構42具備：以焊材等黏合（固定）乾材27之背 板43，沿著背板43之内面配置之磁場電路（磁場產生機 構）44。磁場電路44可於靶材27表面產生水平磁場，且複 數個磁場電路單元（於圖8中為2個）44a、44b藉由托架45連 結而一體化。磁場電路單元44a、44b，分別具備使背板43 側之表面極性互為不同之第！磁石46及第2磁石47以及安裝 有該等之磁軛48。 該磁場電路44，藉由使背板43側之極性互為不同之第i 磁石46及第2磁石產生以磁力線49表示之磁場。據 143863.doc -21- 201022463 此，於第1磁石46與第2磁石47間之靶材27表面，產生垂直 磁場變為0(水平磁場最大）之位置50。於該位置5〇產生高密 度電漿，因而可提高成臈速度。 靶材27表面之水平磁場之強度之最大值’較佳為6〇〇高 斯以上。使水平磁場之強度最大值成為6〇〇高斯以上，可 降低放電電壓。 即使本實施形態之磁控賤鑛裝置41，亦可得到與第1實 施形態之濺鍍裝置21相同之效果。 但，由於在成膜室23之一方之側面23b，縱型設置產生 期望的磁場之滅鍵陰極機構42’因此藉由使減鍵電壓為 250 V以下，使靶材27表面之水平磁場強度之最大值為6〇〇 高斯以上’可製造反應性較高之高密度電漿。其結果，使 氣體對於滅鍵粒子刻意結合，可形成氧化銦系之抗反射 膜。 <第3實施形態> 圖9係顯示本發明之第3實施形態之圓盤傳送帶式之濺鍍 裝置（成膜裝置）之概略構成圖。 濺鍍裝置51之成膜室（真空容器）52内，設有以該成膜室 52之中心轴為中心而旋轉之旋轉體54。於旋轉體54之外周 面，設有可裝拆地支撐複數個基板26之基板支架53(圖9中 為4個）。再者’於成膜室52之内側面，設有保持氧化銦系 材料之靶材27並施加期望的濺鍍電壓之複數個陰極32(圖9 中為2個）。使旋轉體54以其軸為中心旋轉，使基板支架53 在面對陰極32之位置停止時，支撐於旋轉體54之基板支架 143863.doc -22- 201022463 53上之基板26，變成與保持於陰極32之靶材27對向。 於成膜室52，設有將該成膜室劃分為2個濺鍍區域&、 S2之間隔板55。該2個濺鑛區域心、S2各設有簡略排氣機構 24及高真空排氣機構33。再者’於2個濺鍍區域s〗、S2各 設有氣體導入機構35，其具備：濺鍍氣體導入機構35a、 氫氣導入機構35b、氧氣導入機構35c、及導入水蒸氣之水 蒸氣導入機構35d。 $ 於成膜至52，於喷射區域si中，藉由進行以氣體導入機 構35之H2〇氣體（水蒸氣）之導入、包含氣體之％氣體之 (H2+〇2)之導入之任一者或兩者，使該濺鍵區域§1内成為 包含ΗζΟ氣體之Ha氣體（HdHaO)環境。藉由在該氣體環境 下進行濺鍍，於基板26上形成具有期望的高折射率之高折 射率透明膜11。 接著’使旋轉體5 4以其轴為中心旋轉，將形成有該高折 射率透明膜11之基板26移動至濺鍍區域S2。於該濺鑛區域 φ S2中，藉由以氣體導入機構35進行〇2氣體之導入，使該、濺 鍵區域S2内成為〇2氣體環境。藉由在該氣體環境下進行賤 鍍，於高折射率之透明膜11上形成具有期望的低折射率之 低折射率透明膜12。 根據以上’利用前述之濺鍍裝置51，可形成前述第1實 施形態之氧化銦系之抗反射膜1。 再者’於自玻璃面入射光之裝置之情形中，亦可於高折 射率透明膜11上形成具有期望的低折射率之低折射率透明 膜12。 143863.doc •23· 201022463 另’該成膜室52,於濺鍍區域S1、S2全體，由氣體導入 機構35進行H20氣體之導入、包含〇2氣體之H2氣體 (H2+〇2)之導入之任意一者或兩者，藉由在該氣體環境下 使基板26旋轉進行濺鍍，於基板26上形成高折射率之透明 膜11，接著，於濺鍍區域S〗、S2全體，由氣體導入機構35 進行〇2氣體之導入，在該變更之氣體環境下藉由使基板26 旋轉進行濺鍍，形成低折射率之透明膜12，由此，亦可形 成第1實施形態之氧化銦系之抗反射膜1。 利用本實施形態之濺鍍裝置5 1，亦可得到與第丨實施形 態之濺鍍裝置21相同之效果。 但’成膜室52内’設有以該成膜室52之中心轴為中心旋 轉之可裝卸地支撐複數基板26之基板支架63之旋轉體64。 再者，於該成膜室52内側面，設有保持氧化銦系材料之靶 材27之複數陰極32。從而，基板26藉由使安裝之旋轉體54 以其轴為中心旋轉’可在不同氣體環境下形成多層構造之 膜。從而可適於重複形成多層膜之情形。 [產業上之可利用性] 根據本發明，可提供一種抗反射膜之成膜方法，其不伴 隨向進行濺鍍之成膜室之基板之搬入，及從相同成膜室之 基板之搬出，而藉由於同一成膜室進行濺鍍，可得到具有 期望之抗反射性且亦具有作為透明導電膜之機能之氧化銦 系之抗反射膜。另，可提供一種具有期望的抗反射性且亦 具有作為透明導電膜機能之氧化銦系抗反射膜。 再者，提供一種成膜裝置，可於一個裝置中，使積層有 143863.doc 201022463 折射率互不相同之複數個折射率層之抗反射膜形成。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示本發明之第1實施形態之抗反射膜之—例之剖 面圖； 圖2係顯示相同實施形態之抗反射膜之變形例之刊 圖； 圖3係顯示相同實施形態之抗反射膜之形成所使用之賤 鍍裝置之一例之概略構成圖； 圖4係顯示構成圖3之濺鍍裝置之成膜室之主要部份之剖 面圖； 圖5係顯示無加熱成膜之HA氣體（水蒸氣）之效果之 表； 圖6係顯示抗反射膜之反射率之模擬結果之圖表； 圖7係顯示加熱成膜之H2氣體之效果之圖表； 圖8係顯示構成本發明之第2實施形態之抗反射膜之形成 φ 所使用之減鍍裝置之成膜室之主要部份之剖面圖；及 圖9係顯示本發明之第3實施形態之濺鍍裝置之概略構成 圖。 【主要元件符號說明】 1 抗反射膜 2 透明基板 2a 表面 3 透明導電膜 11 高折射率之透明膜 143863.doc •25· 低折射率之透明膜 濺鍍裝置 裝入/取出裝置室 成膜室 簡略排氣機構 基板托盤 基板 靶材 加熱器 陰極 高真空排氣機構 -26-