TWI784118B - 膜製造裝置及雙面積層膜之製造方法 - Google Patents

膜製造裝置及雙面積層膜之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之膜製造裝置製造長條之雙面積層膜。該膜製造裝置具備：積層單元，其於長條之基材膜之厚度方向一側積層第1層而製作單面積層膜，於單面積層膜之厚度方向另一側積層第2層而製作雙面積層膜；搬送單元，其沿搬送方向搬送單面積層膜及雙面積層膜；標記單元，其對單面積層膜賦予標記；測定單元，其測定積層膜及雙面積層膜之物性；檢測單元，其配置於測定單元之搬送方向上游側，且檢測標記；及運算單元，其基於單面積層膜之第1位置之物性與雙面積層膜之第2位置之物性，求出第1層及第2層之物性。運算單元以標記為基準，將厚度方向上與第1位置大致相同之位置設為第2位置。

Description

膜製造裝置及雙面積層膜之製造方法
本發明係關於一種膜製造裝置及雙面積層膜之製造方法。
先前以來，藉由輥對輥方式於基材膜之雙面積層導電膜製造雙面導電性膜。由於雙面導電性膜要求其電阻值(薄片電阻)為期望之範圍內，故必須測定雙面導電膜之電阻值之各者來發現品質不良。作為該方法，已知有一種於捲取雙面導電性膜之前，使用渦電流線圈感測器等非接觸式電阻測定裝置，測定雙面導電性膜的電阻值(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1之測定方法具備以下步驟：於將導體層蒸鍍於膜之正面後，藉由渦電流式線圈感測器測定正面側導體層之電壓V1 ，並計算正面電阻值R1 ；於將導體層蒸鍍於膜之背面後，藉由渦電流線圈感測器測定雙面導體層之合成電壓V1+2 ，計算雙面合成電阻值R1+2 ；自表面電阻值R1 及雙面合成電阻值R1+2 使用特定之式計算背面電阻值R2 。
當對雙面導電性膜使用非接觸式電阻測定方法時，檢測到之渦電流之電壓(進而電阻值)為正面側導體層之電壓V1 與背面側導體層之電壓V2 之合成值V1+2 ，因而無法分別測定各個電壓(進而電阻值)。因此，以專利文獻1之方法，實測正面電壓V1 及雙面合成電壓V1+2 之各者，接著，基於V1 及V1+2 之各者計算正面電阻值R1 及雙面合成電阻值R1+2 之各者，接著，基於R1 及R1+2 計算背面電阻值R2 。
[先前技術] [專利文獻] 專利文獻1：日本專利特開2001-3167號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，以專利文獻1之測定方法，為了正確地求出正面電阻值R1 及背面電阻值R2 之各者，必須正確地特定各者之測定位置，並使各者之測定位置在厚度方向上一致。
且，於專利文獻1之測定方法所使用之裝置中，於正面側之積層體積層之搬送方向下游側，與正面導電性膜對向配置第1渦電流式線圈感測器，於背面之導體層積層之搬送方向下游側，與雙面導電性膜對向配置第2渦電流式線圈感測器。
然而，於該裝置中，第1渦電流式線圈感測器及第2渦電流式線圈感測器之各者只能與膜對向配置。因此，於以第2渦電流式線圈感測器測定雙面導電性膜時，無法特定出以第1渦電流式線圈感測器測定之位置(例如搬送方向位置)，無法使以第1渦電流式線圈感測器測定之測定值與以第2渦電流式線圈感測器測定之測定值匹配。因此，難以正確地求出兩側導體層之電阻值R1 、R2 之各者，而發生無法掌握兩側導體層之電阻值是否分別為期望之範圍的缺點。
本發明係提供一種可將雙面積層膜之兩側之物性設定為期望之範圍內的膜製造裝置及雙面積層膜之製造方法。
[解決問題之技術手段] 本發明[1]包含一種膜製造裝置，其係製造長條之雙面積層膜者，且具備：積層單元，其於長條之基材膜之厚度方向一側積層第1層而製作單面積層膜，於上述單面積層膜之厚度方向另一側積層第2層而製作雙面積層膜；搬送單元，其沿搬送方向搬送上述單面積層膜及上述雙面積層膜；標記單元，其對上述單面積層膜賦予標記；測定單元，其測定上述單面積層膜及上述雙面積層膜之物性；檢測單元，其配置於上述測定單元之搬送方向上游側，且檢測上述標記；及運算單元，其基於上述單面積層膜之第1位置之上述物性與上述雙面積層膜之第2位置之上述物性，求出上述第1層及上述第2層之上述物性；上述運算單元以上述標記為基準，將厚度方向上與上述第1位置大致相同之位置設為上述第2位置。
於該膜製造裝置具備：標記單元、檢測單元、及運算單元，運算單元以標記為基準將與第1位置大致相同之位置設為第2位置。
因此，可使於單面積層膜測定之第1位置、於雙面積層膜測定之第2位置一致。從而可正確地計算特定位置之第1層之物性及與其大致相同位置之第2層之物性，可精度良好地檢測第1層及第2層各者之物性值不良。其結果，可確實地製造兩層各自具備期望物性之雙面積層膜。
本發明[2]包含[1]記載之膜製造裝置，其中上述第1層為第1導電層，上述第2層為第2導電層，且上述物性為薄片電阻。
以該膜製造裝置，可製造兩側之導電層各自具備期望之薄片電阻的雙面積層膜。
本發明[3]包含[1]或[2]記載之膜製造裝置，其中上述測定單元進而具備：探針單元，其與上述單面積層膜及上述雙面積層膜對向配置；及掃描單元，其使上述探針單元沿與上述搬送方向交差之交差方向掃描。
該膜製造裝置具備使探針單元沿交差方向掃描之掃描單元。因此，膜製造裝置除可測定雙面積層膜之搬送方向之任意部位以外，亦可測定交差方向之任意部位。從而可確實地製造在膜之交差方向上亦具備期望物性的雙面積層膜。
本發明[4]包含一種雙面積層膜之製造方法，其係製造長條之雙面積層膜者，且具備以下步驟：第1積層步驟，其於長條之基材膜之厚度方向一側積層第1層而製作單面積層膜；第1測定步驟，其一面沿搬送方向搬送上述單面積層膜，一面測定上述單面積層膜之物性；標記步驟，其對上述單面積層膜賦予標記；第2積層步驟，其於上述單面積層膜之厚度方向另一側積層第2層而製作雙面積層膜；檢測步驟，其檢測上述標記；第2測定步驟，其一面沿上述搬送方向搬送上述雙面積層膜，一面測定上述雙面積層膜之上述物性；及運算步驟，其以上述標記為基準，將厚度方向上與上述單面積層膜之第1位置大致相同之位置設為上述雙面積層膜之第2位置，且基於上述單面積層膜之上述第1位置之上述物性及上述雙面積層膜之上述第2位置之上述物性，求出上述第1層及上述第2層之上述物性。
該雙面積層膜之製造方法具備：標記步驟，其對單面積層膜賦予標記；及運算步驟，其以該標記為基準，將與單面積層膜之第1位置大致相同之位置設為雙面積層膜之第2位置。
因此，可使於單面積層膜測定之第1位置與於雙面積層膜測定之第2位置一致。從而可正確地計算特定位置之第1層之物性及與其大致相同位置之第2層之物性，可精度良好地檢測第1層及第2層各者之物性值不良。其結果，可確實地製造兩層各自具備期望物性之雙面積層膜。
本發明[5]包含[4]記載之雙面積層膜之製造方法，其中上述第1層為第1導電層，上述第2層為第2導電層，上述物性為薄片電阻。
以該製造方法，可製造兩側之導電層各自具備期望薄片電阻之兩面積層膜。
本發明[6]包含[4]或[5]記載之雙面積層膜之製造方法，其中上述第1測定步驟為一面使探針單元沿與上述單面積層膜之上述搬送方向交差的交差方向掃描一面測定上述單面積層膜之上述物性的步驟，上述第2測定步驟為一面使上述探針單元沿上述雙面積層膜之上述交差方向掃描，一面測定上述雙面積層膜之上述物性的步驟，於第2測定步驟中，基於上述標記，以成為與上述第1測定步驟中上述探針單元掃描之上述單面積層膜之位置大致相同之位置之方式，使上述探針單元對上述雙面積層膜掃描。
以該製造方法，一面使探針單元沿交差方向掃描，一面測定單面積層膜及雙面積層膜之物性。又，基於標記，以成為與第1測定步驟中掃描之單面積層膜之位置大致相同之位置之方式，使探針單元對雙面積層膜掃描。
因此，膜製造裝置除可測定雙面積層膜之搬送方向之任意部位以外，亦可測定交差方向之任意部位。從而可確實地製造膜之交差方向上亦具備期望物性的雙面積層膜。
[發明之效果] 根據本發明之膜製造裝置及雙面積層膜之製造方法，可製造積層於基材膜兩側之第1層及第2層各自具備期望物性的雙面積層膜。
於圖1中，紙面左右方向為搬送方向(第1方向、長邊方向、一方向)，紙面右側為搬送方向下游側(第1方向一側、長邊方向一側)、紙面左側為搬送方向上游側(第1方向另一側、長邊方向另一側)。紙厚方向為寬度方向(正交於第1方向之第2方向)，紙面近前側為寬度方向一側(第2方向一側)，紙面裏側為寬度方向另一側(第2方向另一側)。紙面上下方向為上下方向(正交於第1方向及第2方向之第3方向，即厚度方向)，紙面上側為上側(第3方向一側、厚度方向一側)，紙面下側為下側(第3方向另一側，厚度方向另一側)。關於圖1以外之圖式亦以圖1之方向為基準。
＜一實施形態＞ 1.膜製造裝置 參照圖1～圖3，說明本發明一實施形態之膜製造裝置1。圖1所示之膜製造裝置1為用以製造搬送方向(一方向)長條之雙面積層膜2之裝置，且具備：積層搬送裝置3、電阻測定裝置4、標記單元5、檢測單元6、及控制單元7。
[積層搬送裝置] 如圖1所示，積層搬送裝置3具備送出單元8、作為積層單元之一例之濺鍍單元9、及捲取單元10。
送出單元8具備：送出輥11、第1導輥12、及送出腔室13。
送出輥11為具有用以送出後述之基材膜40或單面積層膜50之旋轉軸的圓柱構件。送出輥11配置於積層搬送裝置3之搬送方向最上游。送出輥11連接有用以使送出輥11旋轉之馬達(未圖示)。
第1導輥12為將自送出輥11送出之基材膜40或單面積層膜50引導至濺鍍單元9之旋轉構件。第1導輥12配置於送出輥11之搬送方向下游側且第2導輥14(後述)之搬送方向上游側。
送出腔室13為收納送出輥11及第1導輥12之殼體。於送出腔室13連接有可將內部設為真空之真空單元。
濺鍍單元9藉由濺鍍法將第1導電層41(後述)積層於基材膜40，並將第2導電層51(後述)積層於單面積層膜50。濺鍍單元9於送出單元8之搬送方向下游側且捲取單元10之搬送方向上游側，與該等相鄰配置。濺鍍單元9具備：第2導輥14、成膜輥15、靶16、第3導輥17、及成膜腔室18。
第2導輥14為將自送出單元8搬送來之基材膜40或單面積層膜50引導至成膜輥15之旋轉構件。第2導輥14配置於第1導輥12之搬送方向下游側且成膜輥15之搬送方向上游側。
成膜輥15為具有用以將第1導電層41或第2導電層51積層於基材膜40或單面積層膜50之旋轉軸的圓柱構件。成膜輥15使基材膜40或單面積層膜50沿成膜輥15之周面於其周向搬送。成膜輥15配置於第2導輥14之搬送方向下游側且第3導輥17之搬送方向上游側。
靶16由第1導電層41或第2導電層51之材料形成。靶16配置於成膜輥15之附近。具體而言，靶16於成膜輥15之下側，與成膜輥15隔開間隔對向配置。
第3導輥17為將自成膜輥15搬送來之單面積層膜50或雙面積層膜2經由電阻測定裝置4引導至捲取單元10的旋轉構件。第3導輥17配置於第2導輥14之搬送方向下游側且第4導輥19(後述)之搬送方向上游側。
成膜腔室18為收納第2導輥14、成膜輥15、靶16、第3導輥17及電阻測定裝置4(後述)之殼體。於成膜腔室18設置有可將內部設為真空之真空單元。
捲取單元10具備：第4導輥19、捲取輥20、及捲取腔室21。捲取單元10於濺鍍單元9之搬送方向下游側與濺鍍單元9相鄰配置。
第4導輥19為將自濺鍍單元9搬送來之單面積層膜50或雙面積層膜2引導至捲取輥20的旋轉構件。第4導輥19配置於第3導輥17之搬送方向下游側且捲取輥20之搬送方向上游側。
捲取輥20為具有用以捲取單面積層膜50或雙面積層膜2之旋轉軸的圓柱構件。捲取輥20配置於基材膜40之搬送方向最下游。捲取輥20連接有用以使捲取輥20旋轉之馬達(未圖示)。
捲取腔室21為收納捲取輥20及第4導輥19之殼體。於捲取腔室21設置有可將內部設為真空之真空單元。
送出輥11及捲取輥20構成搬送單元10之一例。
[電阻測定裝置] 如圖1所示，電阻測定裝置4配置於濺鍍單元9內部。具體而言，配置於成膜輥15及第3導輥17之搬送下游側及第4導輥19及捲取輥20之搬送方向上游側。
如圖2A～B所示，電阻測定裝置4具備：非接觸型電阻測定單元31(以下亦簡稱為測定單元31)、掃描單元32、及運算單元33。
測定單元31為以不與測定對象(單面積層膜50或雙面積層膜2)接觸之狀態，測定測定對象之薄片電阻的單元，具體而言係渦電流式測定單元。測定單元31藉由對測定對象施加磁場而使測定對象內發生渦電流，並利用線圈36中流通之電流因渦電流之影響發生之變化，測定導電性膜2之薄片電阻。
測定單元31具備：探針單元34、及測定電路單元35。
探針單元34為接收來自測定對象之資訊(磁場等)之單元。具體而言，探針單元34對測定對象施加磁場，且將測定對象之渦電流引起之反磁場轉換成電流。
探針單元34為雙面探針類型之單元，且具備隔開間隔對向配置之2個探針(34a、34b)。即，探針單元34具備：上側探針34a，其與測定對象隔開間隔配置於測定對象之上側；及下側探針34b，其與測定對象隔開間隔配置於測定對象之下側。2個探針(34a、34b)之上下方向距離可變。即，後述之上側掃描單元32a及下側掃描單元32b之至少一者可沿上下方向移動及固定。
上側探針34a及下側探針34b各自具備線圈36。配置於上側探針34a內之線圈36、與配置於下側探針34b內之線圈36設置成於沿上下方向投影時，成大致同一形狀。
線圈36各自之直徑為例如100 mm以下，較佳為80 mm以下，更佳為40 mm以下，又，例如為10 mm以上。只要線圈36之直徑為上述上限以下，則可將探針單元34能檢測薄片電阻之測定位置(43、53)之最小面積減小，可提高寬度方向之感度(解析度)。
探針單元34間之上下方向距離D(探針間隙)為例如5 mm以上，較佳為10 mm以上，又，例如為30 mm以下，較佳為15 mm以下。
測定電路單元35為具備與2個線圈36電性連接之電氣電路的單元。測定電路單元35例如具備：高頻振盪器、電容器、電壓計、電流計、I/V轉換電路等之用以驅動測定單元31所需之元件。
掃描單元32為使探針單元34沿寬度方向(正交方向：交叉方向之一例)移動之單元。掃描單元32一面維持上側探針34a及下側探針34b之相對配置(對向配置)，一面於搬送區域25(後述)之寬度方向一端部至寬度方向另一端部間往復移動。
掃描單元32具備：上側掃描單元32a及下側掃描單元32b。
上側掃描單元32a於其下表面(厚度方向另一面)具備：滑塊45，其保持上側探針34a；及直線狀之導軸(橫向軸)46，其於寬度方向跨及搬送區域25之兩端緣。於上側掃描單元32a中，滑塊45可滑動地嵌合於導軸46，並藉由來自未圖示之馬達之驅動力，使滑塊45沿導軸46於搬送區域25以橫越寬度方向之方式直線移動。
下側掃描單元32b於其上表面(厚度方向一面)具備：滑塊45，其保持下側探針34b；及直線狀之導軸(橫向軸)46，其於寬度方向跨及搬送區域25之兩端緣。其等與上側掃描單元32a之滑塊45及導軸46同樣。
運算單元33具備記憶體37及CPU38。
記憶體37記憶測定位置、薄片電阻及標記位置之資料。具體而言，記憶體37記憶表示第1測定位置43與單面薄片電阻R1 之關係的第1測定資料、表示第2測定位置53與雙面合成薄片電阻R1+2 之關係的第2測定資料及表示標記23與第1測定位置43之關係的標記資料。
又，記憶體37記憶對照程式及計算程式。
對照程式以標記23為基準，將雙面積層膜2中與第1測定位置43大致相同之位置特定為第2測定位置53。具體而言，對照程式以標記23之位置為基準，特定出與單面積層膜50中之複數個第1測定位置43之各者大致相同之位置即雙面積層膜2中之複數個第2測定位置53之各者。
計算程式基於單面積層膜50之薄片電阻(單面薄片電阻R1 )、與雙面積層膜2之薄片電阻(雙面合成薄片電阻R1+2 )計算第1導電層41之薄片電阻(第1層薄片電阻)及第2導電層51之薄片電阻(第2層薄片電阻)。
CPU38執行上述之對照程式及計算程式，並基於第1測定位置43之單面薄片電阻R1 及以對照程式特定之第2測定位置53之雙面合成薄片電阻R1+2 求出第1層薄片電阻及第2層薄片電阻。
[標記單元] 標記單元5為對單面積層膜50(後述)賦予標記23之單元。
標記單元5配置於濺鍍單元9內部。標記單元5配置於測定單元31之搬送方向下游側且第4導輥19及捲取輥20之搬送方向上游側。
作為標記單元5，舉出例如壓紋機、穿孔機、雷射標記機、噴墨印表機等。
[檢測單元] 檢測單元6係檢測以標記單元5賦予之標記23之單元。
檢測單元6配置於濺鍍單元9內部。檢測單元6配置於成膜輥15及第3導輥17之搬送方向下游側、且測定單元31之搬送方向上游側。
作為檢測單元6，舉出例如檢測單面積層膜50之凹凸或貫通孔等之形狀的光學感測器、檢測墨水等之光學圖案之光學感測器等。 [控制單元] 控制單元7電性連接於積層搬送裝置3、電阻測定裝置4、標記單元5及檢測單元6之各者(未圖示)。控制單元7使其等連動或獨立地進行控制及作動。
具體而言，控制單元7使標記單元5作動，並對由積層搬送裝置3搬送來之單面積層膜50之特定位置賦予標記23。又，控制單元6基於自檢測單元6發送之資訊(標記位置)，使電阻測定裝置4之運算單元33作動，而測定由積層搬送裝置3搬送來之雙面積層膜2之特定位置(第2測定位置53)之薄片電阻。
2.膜之製造方法 說明使用膜製造裝置1製造雙面積層膜2之方法之一實施形態。如圖3所示，雙面積層膜2之製造方法具備：第1積層步驟、第1測定步驟、標記步驟、第2積層測定步驟、檢測步驟、第2測定步驟、第2運算步驟及分選步驟。
[第1積層步驟] 於第1積層步驟中，如圖1所示，一面搬送基材膜40一面將作為第1層之一例之第1導電層41積層於基材膜40。具體而言，一面搬送基材膜40一面藉由濺鍍法於基材膜40之一面(厚度方向一側之表面)形成第1導電層41。
首先，將搬送方向較長之基材膜40配置於送出輥11。即，將長條之基材膜40捲繞成輥狀之第1輥體42安裝於送出輥11。
作為基材膜40，舉出例如高分子膜。作為高分子膜之材料，舉出例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯樹脂，例如聚甲基丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸樹脂，例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物等之烯烴樹脂，例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂等。
基材膜40之寬度方向長度(即，搬送方向25之寬度方向長度)為例如100 mm以上，較佳為200 mm以上，又，例如為5000 mm以下，較佳為2000 mm以下。
接著，藉由馬達使送出輥11及捲取輥20旋轉驅動，而將基材膜40自送出輥11送出，依序搬送至第1導輥12、第2導輥14、成膜輥15、第3導輥17及第4導輥19，並由捲取輥20捲取。
基材膜40之搬送速度(單面積層膜50之搬送速度)為例如10 mm/秒以上，較佳為100 mm/秒以上，又，例如為500 mm/秒以下，較佳為300 mm/秒以下。
藉此，基材膜40以輥對輥方式自送出輥11沿搬送方向搬送至捲取輥20(第1搬送步驟)。
接著，實施濺鍍。即，使濺鍍單元9作動，而於基材膜40之一面形成第1導電層41。
具體而言，對真空下之成膜腔室18之內部供給氣體(氬氣等)，且施加電壓，使氣體碰撞於靶16。其結果，於成膜輥15之下方，於自搬送方向上游側搬送而來之基材膜40之下表面，附著有自靶16彈出之靶材料，而形成第1導電層41。
靶16之材料，即第1導電層41之材料舉出例如銦錫複合氧化物、銻錫複合氧化物等之金屬氧化物，例如氮化鋁、氮化鈦、氮化鉭、氮化鉻、氮化鎵及該等之複合氮化物等之金屬氮化物，例如金、銀、銅、鎳及該等之合金等之金屬等。
藉此，於成膜輥15之下側製作具備基材膜40、及積層於其一面之第1導電層41的單面積層膜50(第1層形成步驟)。
隨後，於成膜輥15之下側製作之單面積層膜50由成膜輥15及第3導輥17朝搬送方向下游側之電阻測定裝置4搬送。
[第1測定步驟] 於第1測定步驟中，如圖2A～B所示，一面沿搬送方向搬送單面積層膜50，一面測定單面積層膜50之薄片電阻(單面薄片電阻R1 )。
具體而言，使測定單元31作動。即，自探針單元34對搬送來之單面積層膜50施加磁場，並檢測因單面積層膜50發生之渦電流而產生之測定電路單元35之電流變化，且根據其電壓計算薄片電阻。
於第1測定步驟中，一面使探針單元34沿寬度方向掃描，一面實施薄片電阻之測定。具體而言，一面使探針單元34於搬送區域25之寬度方向一端部至寬度方向另一端部往復移動，一面實施複數次測定。藉此，於單面積層膜50中，於複數個第1測定位置43(複數個第1位置)進行測定。
搬送區域25為沿上下方向(厚度方向)投影時，與搬送來之單面積層膜50或雙面積層膜2重疊之區域，且其寬度方向長度與該等之寬度方向長度一致。
於單面積層膜50中，複數個第1測定位置43之各區域具有俯視時大於線圈36之大致圓形狀。即，第1測定位置之各區域之直徑大於線圈36之直徑。包含複數個第1測定位置43之集合體之圖案(第1測定圖案)具有朝搬送方向行進之波形狀。
探針單元34之掃描速度為例如10 mm/秒以上，較佳為100 mm/秒以上，又，例如為500 mm/秒以下，較佳為300 mm/秒以下。
藉此，測定單面薄片電阻R1 之資料，並記憶於記憶體37。具體而言，獲得表示測定位置(複數個第1測定位置43)與該位置之單面薄片電阻R1 之關係的第1測定資料。
另，以測定單元31，獲得表示測定時間(橫軸)與該時間之單面薄片電阻R1 (縱軸)之關係的圖表資料，但可藉由就測定時間考慮單面積層膜50之搬送速度及掃描單元32之掃描速度而計算測定位置。其結果，可獲得表示測定位置與該位置之單面薄片電阻R1 之關係的第1測定資料。此針對第2測定步驟之第2測定資料亦同樣。
[標記步驟] 於標記步驟中，對單面積層膜50賦予標記23。具體而言，對單面積層膜50之第1導電層41賦予標記23。
標記23藉由標記單元5之作動，基於記憶於記憶體37之標記資料，被賦予至預先明確出標記23與第1測定位置43之位置關係的特定位置(例如，第1測定圖案之開始位置或結束位置等)。
作為標記23舉出例如凹部、貫通孔、墨水等。
作為標記23之圖案，舉出例如多角形狀(三角形、四角形等)、圓形狀(點形狀、水珠形狀等)、條碼、記號(文字、數字等)等。
作為標記23之賦予方法舉出例如打痕、劃痕、雷射標記、印刷(噴墨、塗布)等。
標記23之賦予次數(即，賦予至單面積層膜50之標記23之數量)可為1次，亦可為複數次。
作為標記位置，具體而言，可為單面積層膜50之搬送方向最下端部(即，第1輥體42之最內側部)、單面積層膜50之搬送方向最上端部(即，第1輥體42之最外側部)、單面積層膜50之搬送方向中間部之任一者。
隨後，經賦予標記23之單面積層膜50於捲取腔室21由捲取輥20捲取。藉此，可獲得將長條之單面積層膜50捲繞成輥狀之第2輥體52。
[第2積層步驟] 於第2積層步驟中，一面搬送單面積層膜50一面將作為第2層之一例之第2導電層51積層於單面積層膜50。具體而言，一面搬送單面積層膜50一面藉由濺鍍法於單面積層膜50之另一面(厚度方向另一側之表面)形成第2導電層51。
首先，將第2輥體52配置於送出輥11。具體而言，將第2輥體52自捲取輥20卸下，並安裝於送出輥11。
此時，以於單面積層膜50之另一面積層第2導電層51之方式安裝第2輥體52。即，將第2輥體52重新捲繞於另一輥體，並使單面積層膜50之一面與另一面反轉。
接著，藉由馬達使送出輥11及捲取輥20旋轉驅動，並將單面積層膜50自送出輥11送出，依序搬送至第1導輥12、第2導輥14、成膜輥15、第3導輥17及第4導輥19，且由捲取輥20捲取。
單面積層膜50之搬送速度(雙面積層膜2之搬送速度)與第1積層步驟同樣。
藉此，單面積層膜50以輥對輥方式自送出輥11沿搬送方向搬送至捲取輥20(第2搬送步驟)。
接著，實施濺鍍。即，使濺鍍單元9作動，而於單面積層膜50之另一面形成第2導電層51。
濺鍍之方法及材料與第1層積層步驟同樣。
藉此，於成膜輥15之下側，製作具備基材膜40、積層於其一面之第1導電層41、及積層於另一面之第2導電層51的雙面積層膜2(雙面導電性膜)(第2層形成步驟)。
隨後，於成膜輥15之下側所製作之雙面積層膜2藉由成膜輥15及第3導輥17朝搬送方向下游側搬送。
[檢測步驟] 於檢測步驟中，檢測賦予至雙面積層膜2之標記23。
檢測單元6於檢測到標記23時，將該檢測信號發送至控制單元7。
[第2測定步驟] 第2測定步驟係一面沿搬送方向搬送雙面積層膜2，一面測定雙面積層膜2之薄片電阻(雙面合成薄片電阻R1+2 )。
具體而言，與第1測定步驟同樣地，使測定單元31作動。藉此，計算所搬送之雙面積層膜2之薄片電阻。
於第2測定步驟中，與第1測定步驟同樣地，一面使探針單元34沿寬度方向掃描，一面實施薄片電阻之測定。具體而言，一面使探針單元34於搬送區域25之寬度方向一端部至寬度方向另一端部往復移動，一面實施複數次測定。藉此，於雙面積層膜2中，於複數個第2測定位置53(複數個第2位置)進行測定。
此時，基於標記23，以掃描與第1測定步驟中探針單元34掃描之單面積層膜50之位置大致相同之位置之方式，使探針單元34對雙面積層膜2進行掃描。
即，於檢測單元6檢測到標記23之情形時，將該檢測信號發送至控制單元7。接著，控制單元7控制運算單元33，並基於記憶於記憶體37之複數個第1測定位置43及標記位置之資料，以掃描與複數個第1測定位置43一致之位置之方式使掃描單元32作動，而使探針單元34對雙面積層膜2進行掃描。又，以複數個第2測定位置53與複數個第1測定位置43一致之方式使測定單元31作動而實施測定。
包含複數個第2測定位置53之集合體之圖案(第2測定圖案)亦與第1測定圖案大致相同。第1測定步驟中測定之位置、與第2測定步驟中測定之位置在厚度方向上(即，俯視時)大致相同。
單面積層膜50之掃描位置與雙面積層膜2之掃描位置大致相同意指2個掃描位置之距離為例如200 mm以下，較佳為100 mm以下，更佳為10 mm以下，進而更佳為1 mm以下。
第2測定步驟中之探針單元34之掃描速度為與第1測定步驟相同之速度。
藉此，測定雙面合成薄片電阻R1+2 之資料，並記憶於記憶體37。具體而言，獲得表示測定位置(複數個第2測定位置53)與該位置之雙面合成薄片電阻R1+2 之關係的第2測定資料。另，雙面合成薄片電阻R1+2 為將第1導電層41之薄片電阻(第1層薄片電阻)與第2導電層51之薄片電阻(第2層薄片電阻)合成之薄片電阻。
[運算步驟] 於運算步驟中，以標記23為基準，將與單面積層膜50之第1測定位置43大致相同之位置設為雙面積層膜2之第2測定位置53(對照步驟)。接著， 基於第1測定位置之單面薄片電阻R1 與第2測定位置53之雙面合成薄片電阻R1+2 求出第1層薄片電阻及第2層薄片電阻(計算步驟)。
於對照步驟中，自記憶體37取得表示標記23與複數個第1測定位置43之位置關係的標記資料，並與標記23與複數個第2測定位置53之位置關係進行對照。藉此，特定出與複數個第1測定位置43之各者大致相同之複數個第2測定位置53之各者。
接著，特定出於第1測定位置43測定之單面薄片電阻R1 、及與此對應之於第2測定位置53測定之雙面合成薄片電阻R1+2 。
作為具體之一例，如圖4所示，特定出與複數個第1測定位置43中之一個第1測定位置43a中之該一個第1測定位置43a大致相同位置之一個第2測定位置53a。接著，特定出該一個第1測定位置43a之單面薄片電阻R1 及該一個第2測定位置53a之雙面合成薄片電阻R1+2 。
另，第1測定位置43與第2測定位置53大致相同意指2個測定位置之距離為例如200 mm以下，較佳為100 mm以下，更佳為10 mm以下，進而更佳為1 mm以下。
於計算步驟中， 基於第1測定位置43之單面薄片電阻R1 求出第1層薄片電阻。即，將第1測定位置43之單面薄片電阻R1 設為第1測定位置43之第1層薄片電阻。
又，基於第1測定位置43之單面薄片電阻R1 與第2測定位置53之雙面合成薄片電阻R1+2 求出第2層薄片電阻。即，使用第1測定位置43之單面薄片電阻R1 及第2測定位置53之雙面合成薄片電阻R1+2 ，基於下式計算第2測定位置53之第2層薄片電阻。
[數1]
Figure 02_image001
另，上述R2 表示第2層薄片電阻。
此時，對於第1測定位置43之單面薄片電阻R1 ，使用自複數個第2測定位置53之雙面合成薄片R1+2 中，於對照步驟中特定出之第2測定位置53之雙面合成薄片電阻R1+2 。
藉此，求出第2層薄片電阻之資料。其結果，可獲得雙面積層膜2中，於大致相同之位置測定之第1層薄片電阻及第2層薄片電阻。
[分選步驟] 於分選步驟中，基於獲得之第1層薄片電阻及第2層薄片電阻，分選雙面積層膜2。
具體而言，基於第1層薄片電阻及第2層薄片電阻之各者，檢測到表示偏離特定範圍之薄片電阻值(不良值)之曲線之情形時，特定出表示不良值之測定位置。接著，對該位置之雙面積層膜2實施期望之處置(排除雙面積層膜2；加工第1導電層41及第2導電層52；反饋第1導電層41及第2導電層52中之氣體或電力等成膜製程參數之控制等)。
藉此，製造兩側之薄片電阻為期望範圍內之雙面積層膜2。
隨後，雙面積層膜2於捲取腔室21由捲取輥20捲取。藉此，獲得將長條之雙面積層膜2捲繞成輥狀之第3輥體54。
3.作用效果 且，膜製造裝置1具備：濺鍍單元9，其於長條之基材膜40之一側積層第1導電層41製作單面積層膜50，且於單面積層膜50之另一側積層第2導電層51製作雙面積層膜2；搬送單元10，其沿搬送方向搬送單面積層膜50及雙面積層膜2；標記單元5，其對單面積層膜50賦予標記23；測定單元31，其測定單面薄片電阻R1 及雙面合成薄片電阻R1+2 ；檢測單元6，其配置於測定單元31之搬送方向上游側，並檢測標記23；及運算單元33，其基於第1測定位置43之單面薄片電阻R1 與第2測定位置53之雙面合成薄片電阻R1+2 ，求出第1層薄片電阻及第2層薄片電阻。且，運算單元33以標記23為基準，將與第1測定位置43大致相同之位置設為第2測定位置53。
因此，可使於單面積層膜50測定之第1測定位置43與於雙面積層膜2測定之第2測定位置53一致。從而可正確地特定出特定位置之單面薄片電阻R1 及與其大致相同位置之雙面合成薄片電阻R1+2 。因此，可正確地計算特定位置之第1層薄片電阻及與其大致相同位置之第2層薄片電阻，可精度良好地檢測第1層薄片電阻與第2層薄片電阻各者之不良。其結果，可確實地製造兩層各自具備期望之薄片電阻之雙面積層膜2。
又，於該膜製造裝置1中，測定單元31進而具備：探針單元34，其與單面積層膜50及雙面積層膜2對向配置；及掃描單元32，其使探針單元34沿寬度方向掃描。
因此，膜製造裝置1除可測定雙面積層膜2之搬送方向之任意部位以外，亦可測定寬度方向之任意部位。從而可確實地製造在膜之寬度亦具備期望之薄片電阻的雙面積層膜2。
又，於該膜製造方法中具備以下步驟：第1積層步驟，其於長條之基材膜40之一側積層第1導電層41而製作單面積層膜50；第1測定步驟，其一面沿搬送方向搬送單面積層膜50，一面測定單面薄片電阻R1 ；標記步驟，其對單面積層膜50賦予標記23；第2積層步驟，其於單面積層膜50之另一側積層第2導電層51而製作雙面積層膜2；檢測步驟，其檢測標記23；第2測定步驟，其一面沿搬送方向搬送雙面積層膜2，一面測定雙面合成薄片電阻R1+2 ；及運算步驟，其以標記23為基準，將與單面積層膜50之第1測定位置43大致相同之位置設為雙面積層膜2之第2測定位置53，且基於第1測定位置43之單面薄片電阻R1 及第2測定位置53之雙面合成薄片電阻R1+2 ，求出第1層薄片電阻及第2層薄片電阻。
因此，可使於單面積層膜50測定之第1測定位置43與於雙面積層膜2測定之第2測定位置53一致。從而可正確地特定出特定位置之單面薄片電阻R1 及與其大致相同位置之雙面合成薄片電阻R1+2 。因此，可正確地計算特定位置之第1層薄片電阻及與其大致相同位置之第2層薄片電阻，可精度良好地檢測第1層薄片電阻與第2層薄片電阻各者之不良。其結果，可確實地製造兩層各自具備期望之薄片電阻之雙面積層膜2。
又，於該膜製造方法中，第1測定步驟為一面使探針單元34沿單面積層膜50之寬度方向掃描一面測定單面薄片電阻的步驟，第2測定步驟為一面使探針單元34沿雙面積層膜2之寬度方向掃描，一面測定雙面合成薄片電阻的步驟。又，於第2測定步驟中，基於標記23，以成為與第1測定步驟中探針單元34掃描之單面積層膜50之位置大致相同之位置之方式，使探針單元34對雙面積層膜2掃描。
因此，膜製造裝置1除可測定雙面積層膜2之搬送方向之任意部位以外，亦可測定寬度方向之任意部位。從而可確實地製造膜的寬度方向上亦具備期望之薄片電阻的雙面積層膜2。
4.變化例 於以下之各變化例中，關於與上述之一實施形態同樣之構件及步驟標註同一參照符號，而省略其詳細之說明。又，可適當地組合各變化例。再者，各變化例除特別記述者之外亦可發揮與一實施形態同樣之作用效果。
(第1變化例) 於使用圖1所示之膜製造裝置1製造雙面積層膜2之一實施形態中，使用同一濺鍍單元9，積層第1導電層41及第2導電層51，但例如如圖5所示，亦可使用不同之濺鍍單元，積層第1導電層41及第2導電層51。
圖5所示之膜製造裝置1具備：積層搬送裝置3、電阻測定裝置4、標記單元5、及檢測單元6。積層搬送裝置3具備：送出單元8、第1濺鍍單元61、第2濺鍍單元62及捲取單元10。
第1濺鍍單元61配置於送出單元8之搬送方向下游側及第2濺鍍單元62之搬送方向上游側，且具備：第2導輥14、成膜輥15、靶16、第3導輥17、第5導輥63及成膜腔室18。
第2濺鍍單元62配置於第1濺鍍單元61之搬送方向下游側及捲取單元10之搬送方向上游側，且具備：第6導輥64、第2導輥14、成膜輥15、靶16、第3導輥17及成膜腔室18。
電阻測定裝置4具備：第1非接觸型電阻測定單元71(以下亦簡稱為第1測定單元)、第1掃描單元72、第2非接觸型電阻測定單元73(以下亦簡稱為第2測定單元)、第2掃描單元74及運算單元33。
第1測定單元71及第1掃描單元72配置於第1濺鍍單元61內部。
第1測定單元71與圖1所示之測定單元31同樣。第1掃描單元72與圖1所示之掃描單元32同樣，且使第1測定單元71之探針單元34移動。
第2測定單元73及第2掃描單元74配置於第2濺鍍單元62內部。
第2測定單元73與圖1所示之測定單元31同樣。第2掃描單元74與圖1所示之掃描單元32同樣，且使第2測定單元73之探針單元34移動。
運算單元33連接於第1測定單元71及第2測定單元73之兩者。
標記單元5配置於第1濺鍍單元61之內部，且配置於第1測定單元71之搬送方向下游側。
檢測單元6配置於第2濺鍍單元62之內部，並配置於成膜輥15之搬送方向下游側且第2測定單元73之搬送方向上游側。
於使用圖5所示之膜製造裝置1製造雙面積層膜2之情形時，首先，自送出單元8朝搬送方向下游側送出基材膜40(第1輥體42)，接著，以第1濺鍍單元61積層第1導電層41形成單面積層膜50。接著，單面積層膜50由第1測定單元71測定第1測定位置43之單面薄片電阻R1 ，並由標記單元5賦予標記23。接著，以第2濺鍍單元62形成第2導電層51而形成雙面積層膜2。接著，雙面積層膜2由檢測單元6檢測標記23，並由第2測定單元73測定第2測定位置53之雙面合成電阻值R1+2 。隨後，由捲取單元10捲取而獲得第3輥體54。
(第2變化例) 於圖1所示之實施形態中，標記單元5配置於測定單元31之搬送方向下游側，但例如如圖1之假想線所示，標記單元5亦可配置於測定單元31之搬送方向上游側，例如成膜輥15之搬送方向上游側。
於該情形時，於第1測定步驟之前實施標記步驟。又，由於對基材膜40實施標記，故對單面積層膜50之基材膜40賦予標記23。
(第3變化例) 於圖1所示之實施形態中，作為第1導電層41及第2導電層51之物性，測定薄片電阻，但亦可測定例如表面粗糙度、膜厚等物性。
於測定表面粗糙度之情形時，探針單元34及測定電路單元35可使用習知或市售之表面粗糙度測定器。
又，將第1導電層41之表面粗糙度設為單面積層膜50之第1導電層側之第1測定位置43之表面粗糙度，第2導電層51之表面粗糙度設為雙面積層膜2之第2導電層側之第2測定位置53之表面粗糙度而求出。
(第4變化例) 於圖1所示之實施形態中，製造具備第1導電層41作為第1層及第2導電層51作為第2層的雙面積層膜2，但例如作為第1層及第2層，亦可設為導電層以外之層，例如熱傳導層、光學調整層等。
於該情形時，作為測定之物性舉出熱傳導度、折射率、表面粗糙度、膜厚等。
(第5變化例) 於圖1所示之實施形態中，作為積層單元配備濺鍍單元，但亦可取代此而配備例如真空蒸鍍單元、化學蒸鍍單元等作為積層單元。於該情形時，積層單元具備包含導電層(41、51)之材料之蒸鍍源來代替靶16。又，積層單元亦可為塗布單元、印刷單元等。
另，上述發明係作為本發明例示之實施形態而提供，但其係僅為例示，並非限定性之解釋者。由該技術領域之熟知本技藝者明瞭之本發明之變化例皆包含於後述之申請專利範圍。
[產業上之可利用性] 本發明之膜製造裝置可應用於各種工業製品，可較佳地用於例如雙面導電性膜等雙面積層膜之製造等。
1‧‧‧膜製造裝置 2‧‧‧雙面積層膜 3‧‧‧積層搬送裝置 4‧‧‧電阻測定裝置 5‧‧‧標記單元 6‧‧‧檢測單元 7‧‧‧控制單元 8‧‧‧送出單元 9‧‧‧濺鍍單元 10‧‧‧捲取單元 11‧‧‧送出輥 12‧‧‧第1導輥 13‧‧‧送出腔室 14‧‧‧第2導輥 15‧‧‧成膜輥 16‧‧‧靶 17‧‧‧第3導輥 18‧‧‧成膜腔室 19‧‧‧第4導輥 20‧‧‧捲取單元 21‧‧‧捲取腔室 23‧‧‧標記 25‧‧‧搬送區域 30‧‧‧搬送單元 31‧‧‧測定單元 32‧‧‧掃描單元 32a‧‧‧上側掃描單元 32b‧‧‧下側掃描單元 33‧‧‧運算單元 34‧‧‧探針單元 34a‧‧‧探針 34b‧‧‧探針 35‧‧‧測定電路單元 36‧‧‧線圈 37‧‧‧記憶體 38‧‧‧CPU 40‧‧‧基材膜 41‧‧‧第1導電層 42‧‧‧第1輥體 43‧‧‧第1測定位置 43a‧‧‧第1測定位置 45‧‧‧滑塊 46‧‧‧導軸 50‧‧‧單面積層膜 51‧‧‧第2導電層 52‧‧‧第2輥體 53‧‧‧第2測定位置 53a‧‧‧第2測定位置 54‧‧‧第3輥體 61‧‧‧第1濺鍍單元 62‧‧‧第2濺鍍單元 63‧‧‧第5導輥 64‧‧‧第6導輥 71‧‧‧第1非接觸型電阻測定單元 72‧‧‧第1掃描單元 74‧‧‧第2掃描單元 D‧‧‧上下方向距離
圖1係顯示本發明之膜製造裝置之一實施形態。 圖2A及圖2B係圖1所示之膜製造裝置所含之電阻測定裝置，且圖2A係顯示前視圖，圖2B係顯示俯視圖。 圖3係顯示本發明之雙面積層膜之製造方法之一實施形態的流程圖。 圖4係顯示本發明之雙面積層膜及其分解立體圖。 圖5係顯示本發明之膜製造裝置之變化例(具備第1濺鍍單元及第2濺鍍裝置之形態)。
1‧‧‧膜製造裝置
2‧‧‧雙面積層膜
3‧‧‧積層搬送裝置
4‧‧‧電阻測定裝置
5‧‧‧標記單元
6‧‧‧檢測單元
7‧‧‧控制單元
8‧‧‧送出單元
9‧‧‧濺鍍單元
10‧‧‧捲取單元
11‧‧‧送出輥
12‧‧‧第1導輥
13‧‧‧送出腔室
14‧‧‧第2導輥
15‧‧‧成膜輥
16‧‧‧靶
17‧‧‧第3導輥
18‧‧‧成膜腔室
19‧‧‧第4導輥
20‧‧‧捲取單元
21‧‧‧捲取腔室
30‧‧‧搬送單元
31‧‧‧測定單元
32‧‧‧掃描單元
32a‧‧‧上側掃描單元
32b‧‧‧下側掃描單元
33‧‧‧運算單元
34‧‧‧探針單元
34a‧‧‧探針
34b‧‧‧探針
35‧‧‧測定電路單元
36‧‧‧線圈
37‧‧‧記憶體
38‧‧‧CPU
40‧‧‧基材膜
42‧‧‧第1輥體
50‧‧‧單面積層膜
52‧‧‧第2輥體
54‧‧‧第3輥體

Claims (6)

  1. 一種膜製造裝置，其特徵在於其係製造長條之雙面積層膜者，且具備： 積層單元，其於長條之基材膜之厚度方向一側積層第1層而製作單面積層膜，於上述單面積層膜之厚度方向另一側積層第2層而製作雙面積層膜； 搬送單元，其沿搬送方向搬送上述單面積層膜及上述雙面積層膜； 標記單元，其對上述單面積層膜賦予標記； 測定單元，其測定上述單面積層膜及上述雙面積層膜之物性； 檢測單元，其配置於上述測定單元之搬送方向上游側，且檢測上述標記；及 運算單元，其基於上述單面積層膜之第1位置之上述物性與上述雙面積層膜之第2位置之上述物性，求出上述第1層及上述第2層之上述物性；且 上述運算單元以上述標記為基準，將厚度方向上與上述第1位置大致相同之位置設為上述第2位置。
  2. 如請求項1之膜製造裝置，其中上述第1層為第1導電層， 上述第2層為第2導電層，且 上述物性為薄片電阻。
  3. 如請求項1之膜製造裝置，其中上述測定單元進而具備： 探針單元，其與上述單面積層膜及上述雙面積層膜對向配置；及 掃描單元，其使上述探針單元沿與上述搬送方向交差之交差方向掃描。
  4. 一種雙面積層膜之製造方法，其係製造長條之雙面積層膜者，且具備以下步驟： 第1積層步驟，其於長條之基材膜之厚度方向一側積層第1層而製作單面積層膜； 第1測定步驟，其一面沿搬送方向搬送上述單面積層膜，一面測定上述單面積層膜之物性； 標記步驟，其對上述單面積層膜賦予標記； 第2積層步驟，其於上述單面積層膜之厚度方向另一側積層第2層而製作雙面積層膜； 檢測步驟，其檢測上述標記； 第2測定步驟，其一面沿上述搬送方向搬送上述雙面積層膜，一面測定上述雙面積層膜之上述物性；及 運算步驟，其以上述標記為基準，將厚度方向上與上述單面積層膜之第1位置大致相同之位置設為上述雙面積層膜之第2位置，且 基於上述單面積層膜之上述第1位置之上述物性及上述雙面積層膜之上述第2位置之上述物性，求出上述第1層及上述第2層之上述物性。
  5. 如請求項4之雙面積層膜之製造方法，其中上述第1層為第1導電層， 上述第2層為第2導電層，且 上述物性為薄片電阻。
  6. 如請求項4之雙面積層膜之製造方法，其中上述第1測定步驟為一面使探針單元沿與上述單面積層膜之上述搬送方向交差的交差方向掃描一面測定上述單面積層膜之上述物性的步驟， 上述第2測定步驟為一面使上述探針單元沿上述雙面積層膜之上述交差方向掃描，一面測定上述雙面積層膜之上述物性的步驟，且 於第2測定步驟中，基於上述標記，以成為與上述第1測定步驟中上述探針單元掃描之上述單面積層膜之位置大致相同之位置之方式使上述探針單元對上述雙面積層膜掃描。
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