JP2000161923A - 成膜装置の膜厚観測装置 - Google Patents
成膜装置の膜厚観測装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光源から導出され、透明フィルムの透明膜に
入射させる出射光の光量が変動しても、透明フィルム上
に形成される透明膜の膜厚を正確に観測することのでき
る成膜装置の膜厚観測装置を得る。 【解決手段】 鏡面上の透明フィルム３上に透明膜を形
成する成膜装置の膜厚観測装置において、光源６と、光
源６から導出された出射光を透明膜に入射せしめ、その
透明膜から出射する、鏡面２からの反射光を導出するセ
ンサ５と、そのセンサ５から導出された反射光が入射さ
れて、光検出信号が得られる第１の光検出器９と、光源
６から導出された出射光が入射されて、光検出信号が得
られる第２の光検出器１０とを有し、第２の光検出器か
らの光検出信号のレベルを考慮して、第１の光検出器か
らの光検出信号のレベルから、透明膜の膜厚を観測する
ようにする。
入射させる出射光の光量が変動しても、透明フィルム上
に形成される透明膜の膜厚を正確に観測することのでき
る成膜装置の膜厚観測装置を得る。 【解決手段】 鏡面上の透明フィルム３上に透明膜を形
成する成膜装置の膜厚観測装置において、光源６と、光
源６から導出された出射光を透明膜に入射せしめ、その
透明膜から出射する、鏡面２からの反射光を導出するセ
ンサ５と、そのセンサ５から導出された反射光が入射さ
れて、光検出信号が得られる第１の光検出器９と、光源
６から導出された出射光が入射されて、光検出信号が得
られる第２の光検出器１０とを有し、第２の光検出器か
らの光検出信号のレベルを考慮して、第１の光検出器か
らの光検出信号のレベルから、透明膜の膜厚を観測する
ようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は成膜装置の膜厚観測
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に、図４を参照して、スパッタ装置
の膜厚観測装置の従来例を説明する。ＳＰはＳｉＯ
X （ここで、ｘは２≧ｘ＞０の範囲の値である）を得る
ためのスパッタ装置を示し、以下これについて説明す
る。真空のチャンバ１内には、下記のものが収納されて
いる。陽極としてのキャン（表面が鏡面の回転ドラム）
２が設けられ、そのキャン２の鏡面に透明フィルム３が
巻付けられる。キャン２の周面の近傍には一対の陰極と
してのターゲット４Ａ、４Ｂが設けられている。このタ
ーゲット４Ａ、４ＢはシリコンＳｉからなる。チャンバ
１内には、ＳｉＯX 層の原料となる反応ガスである酸素
ガスと、アルゴン等の希ガスとが注入される。
の膜厚観測装置の従来例を説明する。ＳＰはＳｉＯ
X （ここで、ｘは２≧ｘ＞０の範囲の値である）を得る
ためのスパッタ装置を示し、以下これについて説明す
る。真空のチャンバ１内には、下記のものが収納されて
いる。陽極としてのキャン（表面が鏡面の回転ドラム）
２が設けられ、そのキャン２の鏡面に透明フィルム３が
巻付けられる。キャン２の周面の近傍には一対の陰極と
してのターゲット４Ａ、４Ｂが設けられている。このタ
ーゲット４Ａ、４ＢはシリコンＳｉからなる。チャンバ
１内には、ＳｉＯX 層の原料となる反応ガスである酸素
ガスと、アルゴン等の希ガスとが注入される。
【０００３】チャンバ１内では、酸素ガスがプラズマ化
されており、その酸素イオンがターゲット４Ａ、４Ｂを
スパッタする。そして、ターゲット４Ａ、４Ｂ上、プラ
ズマ内又はフィルム３上で、シリコン及び酸素が反応し
てＳｉＯX が得られ、そのＳｉＯX がフィルム３上に被
着形成される。
されており、その酸素イオンがターゲット４Ａ、４Ｂを
スパッタする。そして、ターゲット４Ａ、４Ｂ上、プラ
ズマ内又はフィルム３上で、シリコン及び酸素が反応し
てＳｉＯX が得られ、そのＳｉＯX がフィルム３上に被
着形成される。
【０００４】又、チャンバ１内において、ターゲット４
Ａ、４Ｂの中間で、キャン２上の透明フィルム３に対向
する如く光センサ５が設けられる。この光センサ５は、
光ファイバ及び集光レンズ系からなり、同軸上で光信号
を発信及び受信する。６は光源で、例えば、ハロゲンラ
ンプである。光源６よりの出射光が、光ファイバ（光伝
導路）７によって、センサ５の所まで導出されて、フィ
ルム３上のＳｉＯX 膜（図示せず）に入射せしめられ、
そのＳｉＯX 膜から出射した、キャン２の鏡面からの反
射光がセンサ５によって抽出され、光ファイバ（光伝導
路）７によって光検出器９に導出されて入射される。
Ａ、４Ｂの中間で、キャン２上の透明フィルム３に対向
する如く光センサ５が設けられる。この光センサ５は、
光ファイバ及び集光レンズ系からなり、同軸上で光信号
を発信及び受信する。６は光源で、例えば、ハロゲンラ
ンプである。光源６よりの出射光が、光ファイバ（光伝
導路）７によって、センサ５の所まで導出されて、フィ
ルム３上のＳｉＯX 膜（図示せず）に入射せしめられ、
そのＳｉＯX 膜から出射した、キャン２の鏡面からの反
射光がセンサ５によって抽出され、光ファイバ（光伝導
路）７によって光検出器９に導出されて入射される。
【０００５】光検出器９は光電子像倍管等に代表される
光信号を電気信号に変換するデバイスである。光検出器
９は、その入射光の強さに応じたレベルの光検出出力を
出力し、その出力がモニタ受像機８に供給されて、時間
の経過に対するフィルム３の移動に応じた光検出出力の
レベルの変化を示すグラフがモニタ受像機８の画面に表
示される。
光信号を電気信号に変換するデバイスである。光検出器
９は、その入射光の強さに応じたレベルの光検出出力を
出力し、その出力がモニタ受像機８に供給されて、時間
の経過に対するフィルム３の移動に応じた光検出出力の
レベルの変化を示すグラフがモニタ受像機８の画面に表
示される。
【０００６】この場合、透明フィルム３上に５層の薄膜
を積層して、反射防止フィルムを作成する際の第１層の
薄膜を構成するＳｉＯX 膜の膜厚を、光検出器９よりの
検出出力によって観測する。このＳｉＯX 膜の膜厚が大
きい程、ＳｉＯX 膜から出射する反射光の光量が減少す
るので、光検出器９の検出出力のレベルが低下する。
又、ＳｉＯX 膜の厚みは、反応ガスである酸素ガスのチ
ェンバ１内への注入流量によって制御し、ＳｉＯX 膜の
厚みが所定値に達したら、その所定値を一定に保つよう
に制御する。ＳｉＯX 膜の厚みは、光透過度を所望の値
にするためと、透明フィルム３に対する密着性を良くす
るためとに、略１〜２０ｎｍ程度の値、望ましくは７〜
１２ｎｍ程度の値にする。
を積層して、反射防止フィルムを作成する際の第１層の
薄膜を構成するＳｉＯX 膜の膜厚を、光検出器９よりの
検出出力によって観測する。このＳｉＯX 膜の膜厚が大
きい程、ＳｉＯX 膜から出射する反射光の光量が減少す
るので、光検出器９の検出出力のレベルが低下する。
又、ＳｉＯX 膜の厚みは、反応ガスである酸素ガスのチ
ェンバ１内への注入流量によって制御し、ＳｉＯX 膜の
厚みが所定値に達したら、その所定値を一定に保つよう
に制御する。ＳｉＯX 膜の厚みは、光透過度を所望の値
にするためと、透明フィルム３に対する密着性を良くす
るためとに、略１〜２０ｎｍ程度の値、望ましくは７〜
１２ｎｍ程度の値にする。
【０００７】フィルム３上に形成される積層された５層
の薄膜からなる反射防止膜の第２層〜第５層は次の通り
である。第２層はインジウム酸化膜＋スズ酸化膜、第３
層はシリコン酸化膜、第４層はインジウム酸化膜＋スズ
酸化膜、第５層はシリコン酸化膜である。
の薄膜からなる反射防止膜の第２層〜第５層は次の通り
である。第２層はインジウム酸化膜＋スズ酸化膜、第３
層はシリコン酸化膜、第４層はインジウム酸化膜＋スズ
酸化膜、第５層はシリコン酸化膜である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図４について説明した
スパッタ装置の膜厚観測装置では、光検出器９の検出出
力のレベルにより、透明フィルム３上に形成されるＳｉ
ＯX 膜の膜厚を観測できるが、光源６から光ファイバ７
を通じてセンサ５に導出され、透明フィルム３上のＳｉ
ＯX 膜に入射する入射光の光量が変化したときには、光
検出器９の検出出力のレベルから、透明フィルム３上の
ＳｉＯX 膜の厚さを正しく観測することはできない。
スパッタ装置の膜厚観測装置では、光検出器９の検出出
力のレベルにより、透明フィルム３上に形成されるＳｉ
ＯX 膜の膜厚を観測できるが、光源６から光ファイバ７
を通じてセンサ５に導出され、透明フィルム３上のＳｉ
ＯX 膜に入射する入射光の光量が変化したときには、光
検出器９の検出出力のレベルから、透明フィルム３上の
ＳｉＯX 膜の厚さを正しく観測することはできない。
【０００９】かかる点に鑑み、本発明は、鏡面上の透明
フィルム上に透明膜を形成する成膜装置の膜厚観測装置
であって、光源と、光源から導出された出射光を透明膜
に入射せしめ、その透明膜から出射する反射光を導出す
るセンサと、そのセンサから導出された反射光が入射さ
れて、光検出信号が得られる光検出器とを有し、その光
検出器の光検出出力のレベルから、透明膜の膜厚を観測
するようにした成膜装置の膜厚観測装置において、光源
から導出され、透明フィルムの透明膜に入射させる出射
光の光量が変動しても、透明フィルム上に形成される透
明膜の膜厚を正確に観測することのできる成膜装置の膜
厚観測装置を提案しようとするものである。
フィルム上に透明膜を形成する成膜装置の膜厚観測装置
であって、光源と、光源から導出された出射光を透明膜
に入射せしめ、その透明膜から出射する反射光を導出す
るセンサと、そのセンサから導出された反射光が入射さ
れて、光検出信号が得られる光検出器とを有し、その光
検出器の光検出出力のレベルから、透明膜の膜厚を観測
するようにした成膜装置の膜厚観測装置において、光源
から導出され、透明フィルムの透明膜に入射させる出射
光の光量が変動しても、透明フィルム上に形成される透
明膜の膜厚を正確に観測することのできる成膜装置の膜
厚観測装置を提案しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による成膜装置の
膜厚観測装置は、鏡面上の透明フィルム上に透明膜を形
成する成膜装置の膜厚観測装置において、光源と、光源
から導出された出射光を透明膜に入射せしめ、その透明
膜から出射する、鏡面からの反射光を導出するセンサ
と、そのセンサから導出された反射光が入射されて、光
検出信号が得られる第１の光検出器と、光源から導出さ
れた出射光が入射されて、光検出信号が得られる第２の
光検出器とを有し、第２の光検出器からの光検出信号の
レベルを考慮して、第１の光検出器からの光検出信号の
レベルから、透明膜の膜厚を観測するようにする。
膜厚観測装置は、鏡面上の透明フィルム上に透明膜を形
成する成膜装置の膜厚観測装置において、光源と、光源
から導出された出射光を透明膜に入射せしめ、その透明
膜から出射する、鏡面からの反射光を導出するセンサ
と、そのセンサから導出された反射光が入射されて、光
検出信号が得られる第１の光検出器と、光源から導出さ
れた出射光が入射されて、光検出信号が得られる第２の
光検出器とを有し、第２の光検出器からの光検出信号の
レベルを考慮して、第１の光検出器からの光検出信号の
レベルから、透明膜の膜厚を観測するようにする。
【００１１】かかる本発明によれば、センサによって、
光源から導出された出射光を透明膜に入射せしめ、その
透明膜から出射する、鏡面からの反射光を導出し、その
センサから導出された反射光を第１の光検出器に入射せ
しめると共に、光源から導出された出射光を第２の光検
出器に入射せしめ、第２の光検出器からの光検出信号の
レベルを考慮して、第１の光検出器からの光検出信号の
レベルから、透明膜の膜厚を観測するようにする。
光源から導出された出射光を透明膜に入射せしめ、その
透明膜から出射する、鏡面からの反射光を導出し、その
センサから導出された反射光を第１の光検出器に入射せ
しめると共に、光源から導出された出射光を第２の光検
出器に入射せしめ、第２の光検出器からの光検出信号の
レベルを考慮して、第１の光検出器からの光検出信号の
レベルから、透明膜の膜厚を観測するようにする。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、鏡面上の透明フィルム
上に透明膜を形成する成膜装置の膜厚観測装置におい
て、光源と、光源から導出された出射光を透明膜に入射
せしめ、その透明膜から出射する、鏡面からの反射光を
導出するセンサと、そのセンサから導出された反射光が
入射されて、光検出信号が得られる第１の光検出器と、
光源から導出された出射光が入射されて、光検出信号が
得られる第２の光検出器とを有し、第２の光検出器から
の光検出信号のレベルを考慮して、第１の光検出器から
の光検出信号のレベルから、透明膜の膜厚を観測するよ
うにする。
上に透明膜を形成する成膜装置の膜厚観測装置におい
て、光源と、光源から導出された出射光を透明膜に入射
せしめ、その透明膜から出射する、鏡面からの反射光を
導出するセンサと、そのセンサから導出された反射光が
入射されて、光検出信号が得られる第１の光検出器と、
光源から導出された出射光が入射されて、光検出信号が
得られる第２の光検出器とを有し、第２の光検出器から
の光検出信号のレベルを考慮して、第１の光検出器から
の光検出信号のレベルから、透明膜の膜厚を観測するよ
うにする。
【００１３】第２の本発明は、第１の本発明の成膜装置
の膜厚観測装置において、成膜装置を、スパッタ装置に
て構成したものである。
の膜厚観測装置において、成膜装置を、スパッタ装置に
て構成したものである。
【００１４】第３の本発明は、第１の本発明の成膜装置
の膜厚観測装置において、透明膜をＳｉＯX 膜にて構成
したものである。
の膜厚観測装置において、透明膜をＳｉＯX 膜にて構成
したものである。
【００１５】第４の本発明は、第１の本発明の成膜装置
の膜厚観測装置において、成膜装置をスパッタ装置にて
構成すると共に、透明膜をＳｉＯX 膜にて構成したもの
である。
の膜厚観測装置において、成膜装置をスパッタ装置にて
構成すると共に、透明膜をＳｉＯX 膜にて構成したもの
である。
【００１６】〔発明の実施の形態の具体例〕以下に、本
発明の実施の形態の具体例の成膜装置の膜厚観測装置
を、図１を参照して説明する。ＳＰはＳｉＯX （ここ
で、ｘは２≧ｘ＞０の範囲の値である）を得るためのス
パッタ装置を示し、以下これについて説明する。真空の
チャンバ１内には、下記のものが収納されている。陽極
としてのキャン（表面が鏡面の回転ドラム）２が設けら
れ、そのキャン２の鏡面に透明フィルム３が巻付けられ
る。キャン２の周面の近傍には一対の陰極としてのター
ゲット４Ａ、４Ｂが設けられている。このターゲット４
Ａ、４ＢはシリコンＳｉからなる。チャンバ１内には、
ＳｉＯX 層の原料となる反応ガスである酸素と、アルゴ
ン等の希ガスとが注入される。
発明の実施の形態の具体例の成膜装置の膜厚観測装置
を、図１を参照して説明する。ＳＰはＳｉＯX （ここ
で、ｘは２≧ｘ＞０の範囲の値である）を得るためのス
パッタ装置を示し、以下これについて説明する。真空の
チャンバ１内には、下記のものが収納されている。陽極
としてのキャン（表面が鏡面の回転ドラム）２が設けら
れ、そのキャン２の鏡面に透明フィルム３が巻付けられ
る。キャン２の周面の近傍には一対の陰極としてのター
ゲット４Ａ、４Ｂが設けられている。このターゲット４
Ａ、４ＢはシリコンＳｉからなる。チャンバ１内には、
ＳｉＯX 層の原料となる反応ガスである酸素と、アルゴ
ン等の希ガスとが注入される。
【００１７】チャンバ１内では、酸素ガスがプラズマ化
されており、その酸素イオンがターゲット４Ａ、４Ｂを
スパッタする。そして、ターゲット４Ａ、４Ｂ上、プラ
ズマ内又はフィルム３上で、シリコン及び酸素が反応し
てＳｉＯX が得られ、そのＳｉＯX がフィルム３上に被
着形成される。
されており、その酸素イオンがターゲット４Ａ、４Ｂを
スパッタする。そして、ターゲット４Ａ、４Ｂ上、プラ
ズマ内又はフィルム３上で、シリコン及び酸素が反応し
てＳｉＯX が得られ、そのＳｉＯX がフィルム３上に被
着形成される。
【００１８】又、チャンバ１内において、ターゲット４
Ａ、４Ｂの中間で、キャン２上の透明フィルム３に対向
する如く光センサ５が設けられる。この光センサ５は、
光ファイバ及び集光レンズ系からなり、同軸上で光信号
を発信及び受信する。６は光源で、例えば、ハロゲンラ
ンプである。６は光源で、例えば、ハロゲンランプであ
る。この光源６よりの出射光が、光ファイバ（光伝導
路）７によって、センサ５の所まで導出されて、フィル
ム３上のＳｉＯX 膜（図示せず）に入射せしめられ、そ
のＳｉＯX 膜から出射した、キャン２の鏡面からの反射
光がセンサ５によって抽出され、光ファイバ（光伝導
路）７によって光検出器（第１の光検出器）９に導出さ
れて入射される。
Ａ、４Ｂの中間で、キャン２上の透明フィルム３に対向
する如く光センサ５が設けられる。この光センサ５は、
光ファイバ及び集光レンズ系からなり、同軸上で光信号
を発信及び受信する。６は光源で、例えば、ハロゲンラ
ンプである。６は光源で、例えば、ハロゲンランプであ
る。この光源６よりの出射光が、光ファイバ（光伝導
路）７によって、センサ５の所まで導出されて、フィル
ム３上のＳｉＯX 膜（図示せず）に入射せしめられ、そ
のＳｉＯX 膜から出射した、キャン２の鏡面からの反射
光がセンサ５によって抽出され、光ファイバ（光伝導
路）７によって光検出器（第１の光検出器）９に導出さ
れて入射される。
【００１９】更に、光源６よりの出射光が、光ファイバ
７によって、第２の光検出器１０に導出されて入射され
る。
７によって、第２の光検出器１０に導出されて入射され
る。
【００２０】第１及び第２の光検出器９、１０は、光電
子像倍管等に代表される光信号を電気信号に変換するデ
バイスである。第１及び第２の光検出器９、１０は、そ
の各入射光の強さに応じたレベルの光検出出力を出力
し、その各出力がモニタ受像機８に供給されて、時間の
経過に対するフィルム３の移動に応じた光検出出力のレ
ベルの変化を示すグラフがモニタ受像機８の画面に表示
される。
子像倍管等に代表される光信号を電気信号に変換するデ
バイスである。第１及び第２の光検出器９、１０は、そ
の各入射光の強さに応じたレベルの光検出出力を出力
し、その各出力がモニタ受像機８に供給されて、時間の
経過に対するフィルム３の移動に応じた光検出出力のレ
ベルの変化を示すグラフがモニタ受像機８の画面に表示
される。
【００２１】この場合、透明フィルム３上に５層の薄膜
を積層して、反射防止フィルムを作成する際の第１層の
薄膜を構成するＳｉＯX 膜の膜厚を、光検出器９よりの
検出出力によって観測する。このＳｉＯX 膜の膜厚が大
きい程、ＳｉＯX 膜から出射する反射光の光量が減少す
るので、光検出器９の検出出力のレベルが低下する。
又、ＳｉＯX 膜の厚みは、反応ガスである酸素ガスのチ
ェンバ１内への注入流量によって制御し、ＳｉＯX 膜の
厚みが所定値に達したら、その所定値を一定に保つよう
に制御される。ＳｉＯX 膜の厚みは、光透過度を所望の
値にするためと、透明フィルム３に対する密着性を良く
するためとに、略１〜２０ｎｍ程度の値、望ましくは７
〜１２ｎｍ程度の値にする。
を積層して、反射防止フィルムを作成する際の第１層の
薄膜を構成するＳｉＯX 膜の膜厚を、光検出器９よりの
検出出力によって観測する。このＳｉＯX 膜の膜厚が大
きい程、ＳｉＯX 膜から出射する反射光の光量が減少す
るので、光検出器９の検出出力のレベルが低下する。
又、ＳｉＯX 膜の厚みは、反応ガスである酸素ガスのチ
ェンバ１内への注入流量によって制御し、ＳｉＯX 膜の
厚みが所定値に達したら、その所定値を一定に保つよう
に制御される。ＳｉＯX 膜の厚みは、光透過度を所望の
値にするためと、透明フィルム３に対する密着性を良く
するためとに、略１〜２０ｎｍ程度の値、望ましくは７
〜１２ｎｍ程度の値にする。
【００２２】フィルム３上に形成される積層された５層
の薄膜からなる反射防止膜の第２層〜第５層は次の通り
である。第２層はインジウム酸化膜＋スズ酸化膜、第３
層はシリコン酸化膜、第４層はインジウム酸化膜＋スズ
酸化膜、第５層はシリコン酸化膜である。
の薄膜からなる反射防止膜の第２層〜第５層は次の通り
である。第２層はインジウム酸化膜＋スズ酸化膜、第３
層はシリコン酸化膜、第４層はインジウム酸化膜＋スズ
酸化膜、第５層はシリコン酸化膜である。
【００２３】第２の光検出器１０からの光検出出力のレ
ベルが変動せず、一定のときは、このＳｉＯX 膜の膜厚
が大きい程、ＳｉＯX 膜から出射する反射光の光量が減
少するので、光検出器９の検出出力のレベルが低下す
る。又、ＳｉＯX 膜の厚みは、反応ガスである酸素ガス
のチェンバ１内への注入流量によって制御し、ＳｉＯX
膜の厚みが所定値に達したら、その所定値を一定に保つ
ように制御される。
ベルが変動せず、一定のときは、このＳｉＯX 膜の膜厚
が大きい程、ＳｉＯX 膜から出射する反射光の光量が減
少するので、光検出器９の検出出力のレベルが低下す
る。又、ＳｉＯX 膜の厚みは、反応ガスである酸素ガス
のチェンバ１内への注入流量によって制御し、ＳｉＯX
膜の厚みが所定値に達したら、その所定値を一定に保つ
ように制御される。
【００２４】第２の光検出器１０からの光検出出力のレ
ベルが変動したときは、光源６の駆動電圧を調節して、
第２の光検出器１０の光検出出力のレベルが所定値にな
るようにしてから、第１の光検出器９の光検出出力のレ
ベルを観測して、透明フィルム３上のＳｉＯX の膜厚を
観測することになる。そして、この場合も、ＳｉＯX膜
の厚みが所定値に達したら、その所定値を一定に保つよ
うに制御される。
ベルが変動したときは、光源６の駆動電圧を調節して、
第２の光検出器１０の光検出出力のレベルが所定値にな
るようにしてから、第１の光検出器９の光検出出力のレ
ベルを観測して、透明フィルム３上のＳｉＯX の膜厚を
観測することになる。そして、この場合も、ＳｉＯX膜
の厚みが所定値に達したら、その所定値を一定に保つよ
うに制御される。
【００２５】図２は、第１及び第２の光検出器９、１０
の各光検出出力のレベル、即ち、電圧（Ｖ）を表にして
示したものである。透明フィルム３上にＳｉＯX 膜が全
く形成されていないときの第１の光検出器９よりの光検
出出力の電圧をａ（Ｖ）とする。このとき、第２の光検
出器１０よりの光検出出力の電圧もａ（Ｖ）に設定す
る。そして、透明フィルム３上のＳｉＯX 膜の膜厚が所
定の厚さになったときの第１の光検出器９の光検出出力
の電圧を、例えば、０．９４ａ（Ｖ）とする。
の各光検出出力のレベル、即ち、電圧（Ｖ）を表にして
示したものである。透明フィルム３上にＳｉＯX 膜が全
く形成されていないときの第１の光検出器９よりの光検
出出力の電圧をａ（Ｖ）とする。このとき、第２の光検
出器１０よりの光検出出力の電圧もａ（Ｖ）に設定す
る。そして、透明フィルム３上のＳｉＯX 膜の膜厚が所
定の厚さになったときの第１の光検出器９の光検出出力
の電圧を、例えば、０．９４ａ（Ｖ）とする。
【００２６】そして、図２の表のＡの場合のように、第
１の光検出器９の光検出出力の電圧が０．９４ａ（Ｖ）
になったとき、第２の光検出器１０の光検出出力の電圧
がａ（Ｖ）であれば何ら問題はない。
１の光検出器９の光検出出力の電圧が０．９４ａ（Ｖ）
になったとき、第２の光検出器１０の光検出出力の電圧
がａ（Ｖ）であれば何ら問題はない。
【００２７】しかし、図２の表のＢの場合は、第２の光
検出器１０の検出出力の電圧がａ（Ｖ）のままで、第１
の光検出器９の光検出出力の電圧が、０．９４ａ（Ｖ）
より低いのであるから、透明フィルム３上のＳｉＯX 膜
の膜厚は所定値を越えてしまったことが分かる。又、図
２の表のＣの場合は、第２の光検出器１０の検出出力の
電圧がａ（Ｖ）のままで、第１の光検出器９の光検出出
力の電圧が、０．９４ａ（Ｖ）より高いのであるから、
透明フィルム３上のＳｉＯX 膜の膜厚は未だ所定値に達
していないことが分かる。
検出器１０の検出出力の電圧がａ（Ｖ）のままで、第１
の光検出器９の光検出出力の電圧が、０．９４ａ（Ｖ）
より低いのであるから、透明フィルム３上のＳｉＯX 膜
の膜厚は所定値を越えてしまったことが分かる。又、図
２の表のＣの場合は、第２の光検出器１０の検出出力の
電圧がａ（Ｖ）のままで、第１の光検出器９の光検出出
力の電圧が、０．９４ａ（Ｖ）より高いのであるから、
透明フィルム３上のＳｉＯX 膜の膜厚は未だ所定値に達
していないことが分かる。
【００２８】図２の表のＤ、Ｅの場合は、第１の光検出
器９の光検出出力の電圧は、共に０．９４ａ（Ｖ）であ
るが、第２の光検出器１０の光検出出力の電圧がａ
（Ｖ）より低い場合と、高い場合である。これらの場合
には、第２の光検出器１０の光検出出力の電圧がａ
（Ｖ）になるように、光源６を駆動する電源の電圧を調
整してから、第１の光検出器９の光検出出力の電圧を観
測する必要がある。
器９の光検出出力の電圧は、共に０．９４ａ（Ｖ）であ
るが、第２の光検出器１０の光検出出力の電圧がａ
（Ｖ）より低い場合と、高い場合である。これらの場合
には、第２の光検出器１０の光検出出力の電圧がａ
（Ｖ）になるように、光源６を駆動する電源の電圧を調
整してから、第１の光検出器９の光検出出力の電圧を観
測する必要がある。
【００２９】この場合、第２の光検出器１０の光検出出
力の電圧がａ（Ｖ）になるように、光源６を駆動する電
源の電圧にフィードバックを掛けるようにしても良い。
力の電圧がａ（Ｖ）になるように、光源６を駆動する電
源の電圧にフィードバックを掛けるようにしても良い。
【００３０】図３にモニタ画面の例を示し、αは、第２
の光検出器１０の検出出力の時間の経過に対する電圧の
変化を示し、ここでは一定の値ａ（Ｖ）を保っている。
β１及びβ２は、第１の光検出器９の光検出出力のフィ
ルム３の移動に応じた時間の経過に対する電圧の変化を
示す。β１は、電圧が０．９４ａ（Ｖ）から徐々に上が
って行く場合を示し、β２は、電圧が０．９４ａ（Ｖ）
から徐々に下がって行く場合を示すが、いずれの場合
も、チャンバ１内に注入する酸素ガスの流量を制御し
て、その電圧が０．９４（Ｖ）になるように自動制御さ
れる。尚、このモニタ画面の内容は、所定時間毎に切り
換えられる。この場合、ａ（Ｖ）、０．９４ａ（Ｖ）、
０．９０（Ｖ）の目盛り線と、第２の光検出器１０の光
検出出力の電圧の変化を示す曲線αと、第１の光検出器
９の光検出出力の電圧の変化を示す曲線（β１又はβ
２）とを、互いに色を変えて表示する。
の光検出器１０の検出出力の時間の経過に対する電圧の
変化を示し、ここでは一定の値ａ（Ｖ）を保っている。
β１及びβ２は、第１の光検出器９の光検出出力のフィ
ルム３の移動に応じた時間の経過に対する電圧の変化を
示す。β１は、電圧が０．９４ａ（Ｖ）から徐々に上が
って行く場合を示し、β２は、電圧が０．９４ａ（Ｖ）
から徐々に下がって行く場合を示すが、いずれの場合
も、チャンバ１内に注入する酸素ガスの流量を制御し
て、その電圧が０．９４（Ｖ）になるように自動制御さ
れる。尚、このモニタ画面の内容は、所定時間毎に切り
換えられる。この場合、ａ（Ｖ）、０．９４ａ（Ｖ）、
０．９０（Ｖ）の目盛り線と、第２の光検出器１０の光
検出出力の電圧の変化を示す曲線αと、第１の光検出器
９の光検出出力の電圧の変化を示す曲線（β１又はβ
２）とを、互いに色を変えて表示する。
【００３１】因みに、図４の従来例では、モニタ受像機
８の画面には、目盛り線と、第１の光検出器９の光検出
出力の電圧の変化を示す曲線（β１又はβ２）とが表示
され、第２の光検出器１０の光検出出力の電圧の変化を
示す曲線αは表示されない。
８の画面には、目盛り線と、第１の光検出器９の光検出
出力の電圧の変化を示す曲線（β１又はβ２）とが表示
され、第２の光検出器１０の光検出出力の電圧の変化を
示す曲線αは表示されない。
【００３２】
【発明の効果】上述せる本発明によれば、鏡面上の透明
フィルム上に透明膜を形成する成膜装置の膜厚観測装置
において、光源と、光源から導出された出射光を透明膜
に入射せしめ、その透明膜から出射する、鏡面からの反
射光を導出するセンサと、そのセンサから導出された反
射光が入射されて、光検出信号が得られる第１の光検出
器と、光源から導出された出射光が入射されて、光検出
信号が得られる第２の光検出器とを有し、第２の光検出
器からの光検出信号のレベルを考慮して、第１の光検出
器からの光検出信号のレベルから、透明膜の膜厚を観測
するようにしたので、透明フィルム上に形成される透明
膜の膜厚を正確に観測することのできる成膜装置の膜厚
観測装置を得ることができる。
フィルム上に透明膜を形成する成膜装置の膜厚観測装置
において、光源と、光源から導出された出射光を透明膜
に入射せしめ、その透明膜から出射する、鏡面からの反
射光を導出するセンサと、そのセンサから導出された反
射光が入射されて、光検出信号が得られる第１の光検出
器と、光源から導出された出射光が入射されて、光検出
信号が得られる第２の光検出器とを有し、第２の光検出
器からの光検出信号のレベルを考慮して、第１の光検出
器からの光検出信号のレベルから、透明膜の膜厚を観測
するようにしたので、透明フィルム上に形成される透明
膜の膜厚を正確に観測することのできる成膜装置の膜厚
観測装置を得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態の具体例の成膜装置の膜厚
観測装置を示すブロック線図である。
観測装置を示すブロック線図である。
【図２】具体例の成膜装置の膜厚観測装置の動作説明に
供する透過側電圧及び光源観測用電圧を示す表図であ
る。
供する透過側電圧及び光源観測用電圧を示す表図であ
る。
【図３】具体例のモニタ画面を示す図である。
【図４】成膜装置の膜厚観測装置の従来例を示すブロッ
ク線図である。
ク線図である。
１ チャンバ、２ キャン、３ 透明フィルム、４Ａ、
４Ｂ ターゲット、５光センサ、６ 光源、７ 光ファ
イバ、８ モニタ受像機、９、１０ 第１及び第２の光
検出器。
４Ｂ ターゲット、５光センサ、６ 光源、７ 光ファ
イバ、８ モニタ受像機、９、１０ 第１及び第２の光
検出器。
フロントページの続き (72)発明者 長瀬 克己 岐阜県瑞浪市小田町1905番地 ソニー瑞浪 株式会社内 Ｆターム(参考） 2F065 AA30 BB13 BB15 BB17 BB22 CC02 CC31 FF41 GG02 JJ05 JJ17 KK01 LL02 MM02 PP16 SS13 4K029 AA11 AA25 BA46 CA05 EA00 EA01 4M106 AA12 AA13 BA04 CA48 DH03 DH12 DH31 DH37 DJ23
Claims (4)
- 【請求項１】 鏡面上の透明フィルム上に透明膜を形成
する成膜装置の膜厚観測装置において、 光源と、 上記光源から導出された出射光を上記透明膜に入射せし
め、該透明膜から出射する、上記鏡面からの反射光を導
出するセンサと、 該センサから導出された反射光が入射されて、光検出信
号が得られる第１の光検出器と、 上記光源から導出された出射光が入射されて、光検出信
号が得られる第２の光検出器とを有し、 上記第２の光検出器からの光検出信号のレベルを考慮し
て、上記第１の光検出器からの光検出信号のレベルか
ら、上記透明膜の膜厚を観測するようにしたことを特徴
とする成膜装置の膜厚観測装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の成膜装置の膜厚観測装
置において、 上記成膜装置は、スパッタ装置であることを特徴とする
成膜装置の膜厚観測装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の成膜装置の膜厚観測装
置において、 上記透明膜は、ＳｉＯX 膜であることを特徴とする成膜
装置の膜厚観測装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の成膜装置の膜厚観測装
置において、 上記成膜装置は、スパッタ装置であると共に、 上記透明膜は、ＳｉＯX 膜であることを特徴とする成膜
装置の膜厚観測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10332887A JP2000161923A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 成膜装置の膜厚観測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10332887A JP2000161923A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 成膜装置の膜厚観測装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000161923A true JP2000161923A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18259919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10332887A Pending JP2000161923A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 成膜装置の膜厚観測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000161923A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100409090B1 (ko) * | 2000-11-27 | 2003-12-11 | 케이맥(주) | 미세패턴 박막두께 측정장치. |
| CN104152855A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-11-19 | 苏州诺耀光电科技有限公司 | 一种薄膜厚度检测机构 |
| WO2019187394A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | 日東電工株式会社 | フィルム製造装置および両面積層フィルムの製造方法 |
-
1998
- 1998-11-24 JP JP10332887A patent/JP2000161923A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100409090B1 (ko) * | 2000-11-27 | 2003-12-11 | 케이맥(주) | 미세패턴 박막두께 측정장치. |
| CN104152855A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-11-19 | 苏州诺耀光电科技有限公司 | 一种薄膜厚度检测机构 |
| WO2019187394A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | 日東電工株式会社 | フィルム製造装置および両面積層フィルムの製造方法 |
| JP2019173061A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 日東電工株式会社 | フィルム製造装置および両面積層フィルムの製造方法 |
| CN111936662A (zh) * | 2018-03-27 | 2020-11-13 | 日东电工株式会社 | 膜制造装置和双面层叠膜的制造方法 |
| KR20200135362A (ko) * | 2018-03-27 | 2020-12-02 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 필름 제조 장치 및 양면 적층 필름의 제조 방법 |
| KR102414971B1 (ko) | 2018-03-27 | 2022-07-01 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 필름 제조 장치 및 양면 적층 필름의 제조 방법 |
| US11384424B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-12 | Nitto Denko Corporation | Film manufacturing apparatus and manufacturing method of double-sided laminated film |
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