JPH022946B2 - - Google Patents

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JPH022946B2
JPH022946B2 JP12816683A JP12816683A JPH022946B2 JP H022946 B2 JPH022946 B2 JP H022946B2 JP 12816683 A JP12816683 A JP 12816683A JP 12816683 A JP12816683 A JP 12816683A JP H022946 B2 JPH022946 B2 JP H022946B2
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JP
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transparent thin
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reflected
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JP12816683A
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English (en)
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JPS6020106A (ja
Inventor
Shiro Fukushima
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Canon Anelva Corp
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Anelva Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Mechanical Engineering (AREA)
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は透明薄膜作成装置に於ける膜厚制御
用干渉モニタの同期信号発生装置の改良に関する
ものである。
従来、真空室と基板ホルダーと蒸着源を有する
透明薄膜作成装置の膜厚モニターとしては第1図
に示す如く所定波長の光2を光源1より被測定基
板5の面上に投光し基板5の上面で反射した光1
5と透明薄膜4の上面で反射した光14の間の光
路差により干渉が起り、光15と光14の合成反
射光3の光強度が第2図の如く透明薄膜の膜厚の
成長に従つて周期的な明暗を生ずるのを利用する
方法が周知されている。
しかしこの方法は、当該基板5が静止している
場合は問題を生じないが、基板が移動、又は回転
している場合には、基板5以外の周辺の反射面か
らも、同様な干渉光が発生し、その干渉光が、条
件によつては該基板5からの干渉光にまぎらわし
いものとなり、正しいモニタができなくなるとい
う欠点があつた。
その為、当該基板5から反射される光のみを選
択的検出する手段が必要とされ、例えば第3図の
回転式基板ボルダーの場合のように、基板ホルダ
ー55の回転軸10に取付けられた穴あき板1
1、投光器12、受光器13を使うフオトセンサ
ー式などの同期検出器を設けて、その検出信号に
同期して光源1から出る光の反射光を光センサ6
で受け、その電気信号中基板51,52,53,
…の反射光に関するもののみを同期信号で選択的
にピツクアツプする方法が採用されている。
しかしかかる同期検出器を別設する方法には、
その取付にスペースを必要とすること、同期調整
が必要となることなどかなり面倒な問題を生む。
この問題を解決するものに、後述するような、基
板ホルダーに向けて投光される光干渉モニタ用の
光ビームの反射光を直接そのまま同期検出に使う
方法がある。
この光干渉モニタ用の光ビームの反射光を利用
する場合は、例えば回転する基板ホルダー55で
はその上の基板51,52…の間の隙間に第4図
のようにミラー41,42,…を設けるが、これ
らミラーの取付位置が透明薄膜が付着成長する部
分にある場合は上記と同様その反射光に強弱が生
じ、従つてこれを同期用の検定光として用いるこ
とができない。従つて透明薄膜の付着しない部分
にミラーを取付けこのミラー位置にまで光ビーム
を導き、かつその反射光を所定位置に導いて、そ
れを受光する必要があり、あらかじめ光路設計を
考慮しておく必要があつた。
さて本発明の第1の目的は真空槽内の測定光を
直接同期検出に利用することにより、装置内外に
別段の同期信号発生装置を取付けることを不要と
することである。
本発明の第2の目的は同期測定用反射光に強弱
の変化を生ずることのない同期信号発生方法を提
供することである。
また、本発明の第3の目的は、膜付着によつて
同期信号に不安定を生ずることがなく、しかも頻
繁なミラー等の交換操作などを必要としない同期
検出方法を提供することである。
第4図に本発明の実施例を示す。第4図はレー
ザ光源1から投射された光干渉モニタ用の単色光
が、軸10のまわりに回転する基板ホルダー55
上の複数の基板51,52,…間に設けられたミ
ラー41,42,…で反射し同期信号検出用セン
サー64に到る光の径路の概略を実線で示してい
る。正規の光干渉モニタ用センサー6に到る光路
は基板51等の表面で反射する測定光の径路であ
り図には点線3で示してある。
第5図は第4図のミラー41部の拡大側断面
図、及び光の径路の模式図である。90は真空槽
の壁、91はシール材、7はのぞき窓である。
レーザ光源1から投射された光2は半透ガラス
板17を通過したのち真空槽ののぞき窓7を通過
して真空槽内に入り、回転軸10を中心として回
転する基板ホルダー55の支柱9に取付けられた
透明薄膜付着防止ガラス板18を通過したのち、
前記の基板51等の表面50(50は基板51等
がこののぞき窓7の位置に到着したとき占める位
置を示す。)に対して角αだけわずかに傾けて取
付けられた反射板40に当つて反射し光路19を
経てフオトセンサー64に入つて電気的同期信号
となる。このような本発明の構成によると、作成
中の透明薄膜付着ガラス板18に付着し、反射板
40には付着しない。
従つてその反射光には透明薄膜付着によつて生
ずる干渉光の強弱の変化は殆んど生じない。又、
透明薄膜付着防止ガラス板18では、入射光2と
反射板40で反射された反射光19の光路は互に
離れているため、両者の間に干渉は起きない。
透明薄膜付着防止ガラス板18と透明薄膜との
屈折率を同一、又は近いものとしておくと、光学
理論に示されるように透明薄膜が付着付着成長し
てもこの部分の透過光は極端に弱くなるという事
態を生じない。
またかかる構成にすると同期信号検出用装置は
極めて小さい空間内に収納される。透明薄膜付着
防止ガラス18、反射板40はその交換を頻繁に
行う必要はなく長期に亘つて強度がほぼ一定の同
期検出光を得ることが可能である。
第6図は本発明の他の実施例を示す。この実施
例は直線移動する基板ホルダーの場合であつて水
平に移動する基板ホルダー9上の基板51,5
2,…間の隙間に同期信号発生用の本発明のミラ
ー41,42,…を取付けている。
本発明の光干渉式モニタ付薄膜作成装置の同期
信号検出構造は上記の通りであつて単純な構造で
ありながら、極めて明瞭な同期信号の検出を可能
にする。しかも長期に亘つて交換、清拭等を必要
とせず、その実用性は高い。回転、移動しながら
透明薄膜を作成する装置に於いて、その工業的効
果は著しいものである。
なお、本発明は図示の実施例に限定されるもの
ではない。例えば光路は自由に設計しうるもので
ある。また広く、移動式基板ホルダー全般に適用
しうるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明の原理及び干渉光の強
弱状態を示す説明図である。第3図は蒸発源、円
筒基板ホルダーを有する薄膜作成装置に干渉モニ
ターを取付けた従来例を示す図である。第4図は
本発明による同期信号発生機の実施例であり、第
5図にその詳細断面図を示す。第6図は本発明の
第2の実施例を示す。図において、 1…レーザ光源、4…該透明薄膜、5…基板、
18…付着防止ガラス板、18′…反射板である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 真空槽と基板ホルダーと蒸着源を有する透明
    薄膜作成装置の該基板ホルダー上に配置された複
    数基板間の隙間に、基板面とは傾角を異にする反
    射板、及びこの反射板の前面ににあつてこの反射
    板に該透明薄膜が付着成長するのを防止する透光
    板を配置し、光源から投光された光が該透光板を
    透過して該反射板で反射されて来る反射光を光干
    渉モニタの同期信号検出に使用したことを特徴と
    する光干渉式膜厚モニタ付薄膜作成装置。
JP12816683A 1983-07-14 1983-07-14 光干渉式膜厚モニタ付薄膜作成装置 Granted JPS6020106A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12816683A JPS6020106A (ja) 1983-07-14 1983-07-14 光干渉式膜厚モニタ付薄膜作成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12816683A JPS6020106A (ja) 1983-07-14 1983-07-14 光干渉式膜厚モニタ付薄膜作成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6020106A JPS6020106A (ja) 1985-02-01
JPH022946B2 true JPH022946B2 (ja) 1990-01-19

Family

ID=14978024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12816683A Granted JPS6020106A (ja) 1983-07-14 1983-07-14 光干渉式膜厚モニタ付薄膜作成装置

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6390503U (ja) * 1986-11-27 1988-06-11
JPH0630289B2 (ja) * 1987-12-10 1994-04-20 株式会社村田製作所 可変抵抗器
JPH01287274A (ja) * 1988-05-12 1989-11-17 Nec Corp 成膜装置および方法
US7573000B2 (en) 2003-07-11 2009-08-11 Lincoln Global, Inc. Power source for plasma device

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JPS6020106A (ja) 1985-02-01

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