TWI805675B - 電阻測定裝置、膜製造裝置、及導電性膜之製造方法 - Google Patents

電阻測定裝置、膜製造裝置、及導電性膜之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之電阻測定裝置係測定於一方向上呈長條之導電性膜之薄片電阻者，且具備：2個探針，其等以不與導電性膜接觸而可介隔導電性膜之方式隔開間隔對向配置；掃描單元，其使2個探針沿與一方向交叉之交叉方向掃描；及運算單元，其基於由2個探針測定之電壓計算導電性膜之薄片電阻。運算單元具有：記憶體，其記憶不介隔導電性膜而使2個探針沿交叉方向掃描而測定之參考電壓。基於參考電壓，修正介隔導電性膜而使2個探針沿交叉方向掃描而測定之實際電壓。

Description

電阻測定裝置、膜製造裝置、及導電性膜之製造方法
本發明係關於一種電阻測定裝置、膜製造裝置及導電性膜之製造方法。
先前以來，藉由輥對輥方式於基材膜上積層導電膜而製造導電性膜。由於製造之導電性膜要求其表面電阻(薄片電阻)為期望之範圍內，故必須測定表面電阻以發現表面電阻之品質不良。作為該方法，已知一種於捲取導電性膜之前，使用非接觸式電阻測定裝置測定導電性膜的表面電阻(例如參照下述專利文獻1)。
專利文獻1之非接觸式表面電阻測定裝置具備：渦電流感測器，其包含渦電流產生部及渦電流檢測部；及間隔距離感測器，其檢測渦電流感測器及導電膜之距離。
於專利文獻1之裝置中，間隔距離感測器檢測渦電流感測器與導電膜之距離，考慮對應於該檢測結果之修正值，計算導電性膜之表面電阻。因此，可降低於導電性膜之搬送中因渦電流感測器與導電性膜之距離差異引起之測定誤差。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2003-197034號公報
然而，對於非接觸式電阻測定裝置，基於探針之觀點而言，有雙面探針類型及單面探針類型2種。雙面探針類型(探針對向型)於導電性膜之兩側(上側及下側)具備以不與導電性膜接觸之方式隔開間隔對向配置之2個探針。另一方面，單面探針類型僅於導電性膜之一側(上側)具備以不與導電性膜接觸之方式隔開間隔配置之1根探針。一般而言，單面探針類型與雙面探針類型相比，必須將探針配置於相當接近導電性膜之位置。因此，有因搬送導電性膜時之上下方向晃動引起探針接觸於導電性膜之虞。因此，研究採用雙面探針類型。
又，對於電阻測定裝置，基於測定位置可變之觀點而言，有固定式及橫向式2種。固定式係固定探針之位置，測定導電性膜。橫向式係使探針一面沿導電性膜之寬度方向(與搬送方向交叉之正交方向)移動，一面測定導電性膜。於橫向方式中，除可測定導電性膜之搬送方向之任意部位以外，亦可測定寬度方向之任意部位，故而較優異。
綜合考慮該等方面，研究以雙面探針類型且橫向式之電阻測定裝置測定導電性膜之方法。
然而，以該方法，於使對向配置之2個探針各自以導件等移動器具沿寬度方向移動時，發生2個探針之上下距離稍微偏離之缺點。移動器具設計為使彼此之上下方向距離固定，但非接觸式電阻測定裝置對移送器具之公差(例如未達0.1mm)以內之極其微小之上下方向距離之差異亦敏感地作出反應。因此，獲得之表面電阻產生誤差，且測定精度降低。
對於該點，研究使用專利文獻1記載之間隔距離感測器之方法。然而，以該方法，雖可測定導電膜與一側探針之距離，但由於無法測定2個探針間之距離，故無法消除上述缺點。
本發明係提供一種於使用探針對向型非接觸式表面測定裝置，一面沿導電性膜之寬度方向移動一面測定薄片電阻時，可提高測定精度的電阻測定裝置、膜製造裝置及導電性膜之製造方法。
本發明[1]包含一種電阻測定裝置，其係測定於一方向上呈長條之導電性膜之薄片電阻者，且具備：2個探針，其等可以不與上述導電性膜接觸而介隔上述導電性膜之方式隔開間隔對向配置；掃描單元，其使上述2個探針沿與上述一方向交叉之交叉方向掃描；及運算單元，其基於由上述2個探針測定之電壓計算上述導電性膜之薄片電阻；且上述運算單元具有：記憶體，其記憶不介隔上述導電性膜而使上述2個探針沿上述交叉方向掃描而測定之參考電壓；基於上述參考電壓，修正介隔上述導電性膜而使上述2個探針沿上述交叉方向掃描而測定之實際電壓。
該電阻測定裝置中，首先，記憶不介隔導電性膜而使2個探針沿交叉方向掃描而測定之參考電壓。即，於掃描時，將因探針間之上下方向距離之偏移而發生之電壓變化作為參考電壓並記憶。接著，基於記憶之參考電壓修正導電性膜之實際電壓，計算薄片電阻。
因此，可計算考慮到探針間之上下方向距離之偏移之影響的導電性膜之薄片電阻，可使導電性膜之薄片電阻之測定精度(測定之正確度)提高。
本發明[2]包含[1]或[2]記載之電阻測定裝置，其中上述2個探針間之距離可變。
該電阻測定裝置，由於可使探針間之距離變化，故可根據導電性膜之厚度，將探針間之上下方向距離調整為最適當之距離。因此，易於調整電阻測定裝置之設定。又，即便變更探針間之距離，亦由於基於參考電壓修正實際電壓，故可與探針間之距離無關地，獲得正確之薄片電阻。
本發明[3]包含一種膜製造裝置，其係製造於一方向上呈長條之導電性膜者，且具備：積層單元，其將導電層積層於上述於一方向上呈長條之基材膜，而製作導電性膜；搬送單元，其搬送上述導電性膜；及[1]或[2]記載之電阻測定裝置，其測定由上述搬送單元搬送之上述導電性膜之薄片電阻。
於該膜製造裝置中，由於具備上述電阻測定裝置，故可正確地檢測薄片電阻之不良。從而可確實地考慮具備不良薄片電阻之導電性膜。因此，可製造具備更均一薄片電阻之導電性膜。
本發明[4]包含一種導電性膜之製造方法，其係製造於一方向上呈長條之導電性膜者，且具備：積層步驟，其將導電層積層於上述於一方向上呈長條之基材膜，而製作導電性膜；及電阻測定步驟，其一面沿上述一方向搬送上述導電性膜一面測定上述導電性膜之薄片電阻；且上述電阻測定步驟具備：參考電壓測定步驟，其於隔開間隔對向配置之2個探針間不介隔上述導電性膜而使上述2個探針沿與上述一方向交叉之交叉方向掃描而測定參考電壓；實際電壓測定步驟，其於上述2個探針間，使上述導電性膜與上述2個探針不接觸地介隔上述導電性膜而使上述2個探針一面沿上述交叉 方向掃描，一面測定上述導電性膜之實際電壓；及計算步驟，其基於上述參考電壓修正上述實際電壓，並計算上述導電性膜之薄片電阻。
以該導電性膜之製造方法，首先，不介隔導電性膜而使2個探針沿交叉方向掃描而測定參考電壓。即，於掃描時，將因探針間之上下方向距離之偏移而發生之電壓變化作為參考電壓並測定。接著，基於測定之參考電壓，修正導電性膜之實際電壓，並計算薄片電阻。
因此，可計算考慮到探針間之上下方向距離偏移之影響的導電性膜之薄片電阻，可使導電性膜之薄片電阻之測定精度(測定之正確度)提高。因此，可正確地檢測導電性膜之薄片電阻之不良，可確實地考慮具備不良薄片電阻之導電性膜。其結果，可製造具備均一薄片電阻之導電性膜。
根據本發明之電阻測定裝置，可使導電性膜之薄片電阻之測定精度提高。
根據本發明之膜製造裝置及導電性膜之製造方法，可製造具備均一薄片電阻之導電性膜。
1:膜製造裝置
2:導電性膜
3:積層搬送裝置
4:電阻測定裝置
5:送出單元
6:濺鍍單元
7:捲取單元
8:搬送單元
10:基材膜
11:送出輥
12:第1導輥
13:送出腔室
14:第2導輥
15:成膜輥
16:靶
17:第3導輥
18:成膜腔室
19:第4導輥
20:捲取輥
21:捲取腔室
22:導電層
25:搬送區域
26:寬度方向一端部
27:寬度方向另一端部
29:測定點
31:非接觸型電阻測定單元(測定單元)
32:掃描單元
32a:上側掃描單元
32b:下側掃描單元
33:運算單元
34:探針
34a:上側探針
34b:下側探針
35:測定電路單元
36:線圈
37:記憶體
38:CPU
39:滑塊
40:導軸
D:上下方向距離
圖1係顯示本發明之膜製造裝置之一實施形態。
圖2係顯示圖1所示之膜製造裝置所含之電阻測定裝置之前視圖。
圖3A及圖3B係搬送導電性膜時圖2所示之電阻測定裝置之動作說明圖，圖3A係顯示前視圖，圖3B係顯示俯視圖。
圖4係顯示本發明之導電性膜之製造方法之一實施形態之電阻測定步驟的流程圖。
圖5係顯示將參考電壓與寬度方向位置之關係、及探針間隙位移與寬度方向位置之關係重疊的圖表。
於圖1中，紙面左右方向為搬送方向(第1方向、長邊方向、一方向)，紙面右側為搬送方向下游側(第1方向一側、長邊方向一側)、紙面左側為搬送方向上游側(第1方向另一側、長邊方向另一側)。紙厚方向為寬度方向(正交於第1方向之第2方向)，紙面近前側為寬度方向一側(第2方向一側)，紙面裏側為寬度方向另一側(第2方向另一側)。紙面上下方向為上下方向(正交於第1方向及第2方向之第3方向，厚度方向)，紙面上側為上側(第3方向一側、厚度方向一側)，紙面下側為下側(第3方向另一側，厚度方向另一側)。關於圖1以外之圖式亦以圖1之方向為基準。
<一實施形態>
1.膜製造裝置
參照圖1~圖3，說明本發明一實施形態之膜製造裝置1。圖1所示之膜製造裝置1為用以製造搬送方向(一方向)長條之導電性膜2之裝置，且具備：積層搬送裝置3與電阻測定裝置4。
[積層搬送裝置]
如圖1所示，積層搬送裝置3具備送出單元5、作為積層單元之一例之濺鍍單元6、及捲取單元7。
送出單元5具備：送出輥11、第1導輥12、及送出腔室13。
送出輥11為具有用以送出基材膜10之旋轉軸之圓柱構件。送出輥11配置於積層搬送裝置3之搬送方向最上游。送出輥11連接有用以使送出輥11旋轉之馬達(未圖示)。
第1導輥12為將自送出輥11送出之基材膜10引導至濺鍍單元6之旋轉構件。第1導輥12配置於送出輥11之搬送方向下游側且第2導輥14(後述)之搬送方向上游側。
送出腔室13為收納送出輥11及第1導輥12之殼體。於送出腔室13連接有可將內部設為真空之真空單元。
濺鍍單元6藉由濺鍍法將導電層22(後述)積層於自送出單元5搬送來之基材膜10。濺鍍單元6於送出單元5之搬送方向下游側且捲取單元7之搬送方向上游側，與該等相鄰配置。濺鍍單元6具備：第2導輥14、成膜輥15、靶16、第3導輥17、及成膜腔室18。
第2導輥14為將自送出單元5搬送來之基材膜10引導至成膜輥15之旋轉構件。第2導輥14配置於第1導輥12之搬送方向下游側且成膜輥15之搬送方向上游側。
成膜輥15為具有用以將導電層22積層於基材膜10之旋轉軸的圓柱構件。成膜輥15使基材膜10沿成膜輥15之周面於其周向搬送。成膜輥15配置於第2導輥14之搬送方向下游側且第3導輥17之搬送方向上游側。
靶16由導電層22之材料形成。靶16配置於成膜輥15之附近。具體而言，靶16於成膜輥15之下側，與成膜輥15隔開間隔對向配置。
第3導輥17為將自成膜輥15搬送來之導電性膜2經由電阻測定裝置4引導至捲取單元7的旋轉構件。第3導輥17配置於第2導輥14之搬送方向下游側且第4導輥19(後述)之搬送方向上游側。
成膜腔室18為收納第2導輥14、成膜輥15、靶16、第3導輥17及電阻測定裝置4(後述)之殼體。於成膜腔室18設置有可將內部設為真空之真空單元。
捲取單元7具備：第4導輥19、捲取輥20、及捲取腔室21。捲取單元7於濺鍍單元6之搬送方向下游側與濺鍍單元6相鄰配置。
第4導輥19為將自濺鍍單元6搬送來之導電性膜2引導至捲取輥20的旋轉構件。第4導輥19配置於第3導輥17之搬送方向下游側且捲取輥20之搬送方向上游側。
捲取輥20為具有用以捲取導電性膜2之旋轉軸之圓柱構件。捲取輥20配置於基材膜10之搬送方向最下游。捲取輥20連接有用以使捲取輥20旋轉之馬達(未圖示)。
捲取腔室21為收納捲取輥20及第4導輥19之殼體。於捲取腔室21設置有可將內部設為真空之真空單元。
送出輥11及捲取輥20構成搬送單元8之一例。
[電阻測定裝置]
如圖1所示，電阻測定裝置4配置於濺鍍單元6內部。具體而言，配置於成膜輥15及第3導輥17之搬送下游側且第4導輥19及捲取輥20之搬送方向上游側。
如圖2及圖3A~圖3B所示，電阻測定裝置4具備：探針對 向型之非接觸型電阻測定單元31(以下亦簡稱為測定單元31)、掃描單元32、及運算單元33。
測定單元31為以不與導電性膜2(測定對象)接觸之狀態，測定導電性膜2之薄片電阻的單元，具體而言係渦電流式測定單元。測定單元31藉由對導電性膜2施加磁場而使導電性膜2內發生渦電流，並利用於線圈36流通之電流因渦電流之影響而發生之變化，測定導電性膜2之薄片電阻。
測定單元31具備：2個探針34、及測定電路單元35。
2個探針34為接收來自導電性膜2之資訊(磁場等)之單元。具體而言，2個探針34對導電性膜2施加磁場，且將導電性膜2之渦電流引起之反磁場轉換成電流。
2個探針34隔開間隔對向配置。2個探針34具備：上側探針34a，其與導電性膜2隔開間隔配置於導電性膜2之上側；及下側探針34b，其與導電性膜2隔開間隔配置於導電性膜2之下側。2個探針34之上下方向距離可變。即，後述之上側掃描單元32a及下側掃描單元32b之至少一者可沿上下方向移動及固定。
2個探針34各自具備線圈36。配置於上側探針34a內之線圈36、與配置於下側探針34b內之線圈36設置成於沿上下方向投影時，成大致同一形狀。
線圈36各自於俯視時具有大致圓環狀，且其直徑為例如100mm以下，較佳為80mm以下，更佳為40mm以下，又，例如為10mm以上。只要線圈36之直徑為上述上限以下，則可將能由探針34檢測薄片電阻之測定點29(後述)之最小面積減小，可提高寬度方向之感度(解析 度)。
2個探針34之上下方向距離D(探針間隙)為例如5mm以上，較佳為10mm以上，又，例如為30mm以下，較佳為15mm以下。
測定電路單元35為具備與2個線圈36電性連接之電氣電路的單元。測定電路單元35例如具備：高頻振盪器、電容器、電壓計、電流計、I/V轉換電路等之為了驅動測定單元31所需之元件。
掃描單元32為使2個探針34於寬度方向(正交方向：交叉方向之一例)移動之單元。掃描單元32一面維持2個探針34之相對配置(對向配置)，一面使其等於搬送區域25(後述)之寬度方向一端部26至寬度方向另一端部27間往復移動。
掃描單元32具備：上側掃描單元32a及下側掃描單元32b。
上側掃描單元32a於其下表面(厚度方向另一面)具備：滑塊39，其保持上側探針34a；及直線狀之導軸(橫向軸)40，其於寬度方向跨及搬送區域25之兩端緣。於上側掃描單元32a中，滑塊39可滑動地嵌合於導軸40，並藉由來自未圖示之馬達之驅動力，使滑塊39沿導軸40於搬送區域25以橫越寬度方向之方式直線移動。
下側掃描單元32b於其上表面(厚度方向一面)具備：滑塊39，其保持下側探針34b；及直線狀之導軸(橫向軸)40，其於寬度方向跨及搬送區域25之兩端緣。其等與上側掃描單元32a之滑塊39及導軸40同樣。
運算單元33具備記憶體37及CPU38。
記憶體37記憶由測定單元31測定之參考電壓之資料。具體而言，記憶體37記憶表示參考電壓與測定參考電壓之探針34之寬度方向 位置之關係的分佈。
又，記憶體37記憶由測定單元31測定之導電性膜2之實際電壓資料、或基於實際電壓資料及參考電壓資料運算導電性膜2之薄片電阻的運算程式等。
CPU38執行上述之運算程式，基於參考電壓修正實際電壓，並使用該修正後之實際電壓(修正電壓)藉由習知之計算式計算薄片電阻。
2.膜之製造方法
說明使用膜製造裝置1製造導電性膜2之方法之一實施形態。導電性膜2之製造方法具備：積層步驟、電阻測定步驟及分選步驟。
[積層步驟]
於積層步驟中，一面搬送基材膜10一面將導電層22積層於基材膜10。具體而言，一面搬送基材膜10一面藉由濺鍍法於基材膜10之表面形成導電層22(參照圖1之放大圖)。
首先，將搬送方向長條之基材膜10配置於送出輥11。即，將長條之基材膜10捲繞成輥狀之輥體安裝於送出輥11。
作為基材膜10，舉出例如高分子膜。作為高分子膜之材料，舉出例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂，例如聚甲基丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸樹脂，例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物等烯烴樹脂，例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹 脂、聚苯乙烯樹脂等。
基材膜10之寬度方向長度(即，搬送區域25之寬度方向長度)為例如100mm以上，較佳為200mm以上，又，例如為5000mm以下，較佳為2000mm以下。
接著，藉由馬達使送出輥11及捲取輥20旋轉驅動，而將基材膜10自送出輥11送出，依序搬送至第1導輥12、第2導輥14、成膜輥15、第3導輥17及第4導輥19，並由捲取輥20捲取。
基材膜10之搬送速度(導電性膜2之搬送速度)為例如10mm/秒以上，較佳為100mm/秒以上，又，例如為500mm/秒以下，較佳為300mm/秒以下。
藉此，基材膜10以輥對輥方式自送出輥11沿搬送方向搬送至捲取輥20(搬送步驟)。
接著，實施濺鍍。即，使濺鍍單元6作動，而於基材膜10形成導電層22。
具體而言，對真空下之成膜腔室18之內部供給氣體(氬氣等)，且施加電壓，使氣體碰撞於靶16。其結果，於成膜輥15之下方，於自搬送方向上游側搬送而來之基材膜10之下表面，附著有自靶16彈出之靶材料，而形成導電層22。
靶16之材料，即導電層22之材料舉出例如銦錫複合氧化物、銻錫複合氧化物等之金屬氧化物，例如氮化鋁、氮化鈦、氮化鉭、氮化鉻、氮化鎵及該等之複合氮化物等之金屬氮化物，例如金、銀、銅、鎳及該等之合金等之金屬等。
藉此，於成膜輥15之下側製作具備基材膜10及積層於其下 表面之導電層22的導電性膜2(導電層形成步驟)。
隨後，於成膜輥15之下側製作之導電性膜2由成膜輥15及第3導輥17朝搬送方向下游側之電阻測定裝置4搬送。
[電阻測定步驟]
於電阻測定步驟中，一面沿搬送方向搬送導電性膜2，一面測定導電性膜2之薄片電阻。電阻測定步驟如圖4之流程圖所示具備參考電壓測定步驟、實際電壓測定步驟及計算步驟。
(參考電壓測定步驟)
於參考電壓測定步驟中，如圖2所示，於2個探針34間不介隔導電性膜2之狀態，使2個探針34一面沿寬度方向掃描，一面測定電壓。
參考電壓測定係於搬送導電性膜2之前實施。於搬送基材膜10之前，即對空氣空間實施。或，於使濺鍍單元6作動之前，即對未積層導電層22之基材膜10實施。
2個探針34自掃描單元32之寬度方向一端部掃描至寬度方向另一端部。即，2個探針34於搬送區域25之寬度方向一端部26移動至寬度方向另一端部27。
搬送區域25為沿上下方向(厚度方向)投影時，與搬送之導電性膜2重疊之區域，且其寬度方向長度與導電性膜2之寬度方向長度一致。
電壓之測定藉由使測定單元31作動而實施。即，對2個探針34間施加磁場，檢測於測定電路單元35流通之電流之電壓。
藉此，測定無導電性膜2之狀態(空態)之電壓資料，即參考電壓資料。具體而言，獲得表示探針34之寬度方向位置(橫軸)與該寬度方向位置之空電壓(縱軸)之關係的分佈(圖表)(參照圖5)。
接著，根據參考電壓資料使用習知之方法製作近似式(參照圖5)。
包含分佈及近似式之參考電壓資料由運算單元33記憶於記憶體37。
(實際電壓測定步驟)
於實際電壓測定步驟中，如圖3A及圖3B所示，使2個探針34一面沿寬度方向掃描，一面測定導電性膜2之實際電壓(實際電壓)。
具體而言，於2個探針34間，在導電性膜2與2個探針34不接觸而介隔導電性膜2之狀態下，實施測定。即，於搬送來之導電性膜2通過2個探針34之間時測定其電壓。
2個探針34之寬度方向之掃描於實施測定之期間仍繼續。2個探針34於搬送區域25之寬度方向一端部26至寬度方向另一端部27往復移動。
由探針34測定之導電性膜2之測定點29各自具有俯視時大於線圈36之大致圓形狀。即，測定點29之直徑大於線圈36。
如圖3B所示，包含複數個測定點29之集合體之圖案(測定圖案)於俯視時具有朝搬送方向行進之波形狀。複數個測定點29中配置於最靠近寬度方向一側之測定點29之寬度方向一端緣與搬送區域25之寬度方向一端緣一致，配置於最靠近寬度方向另一側之測定點29之寬度方向另 一端緣與搬送區域25之寬度方向另一端緣一致。
探針34之掃描速度為例如10mm/秒以上，較佳為100mm/秒以上，又，例如為500mm/秒以下，較佳為300mm/秒以下。
藉此，測定實際電壓並將實際電壓資料記憶於記憶體37。具體而言，獲得表示測定時間(或測定位置)(橫軸)與該時間之實際電壓(縱軸)之關係的分佈。
另，藉由就測定時間考慮導電性膜2之搬送速度及掃描單元32之掃描速度而計算導電性膜2之測定位置。
(計算步驟)
計算步驟基於參考電壓修正實際電壓，並計算導電性膜2之薄片電阻。
即，藉由基於參考電壓進行加減乘除等修正實際電壓，並使用習知之計算方法計算薄片電阻。例如，使用下述計算式計算薄片電阻。
[數1]
Figure 108100962-A0305-02-0018-1
式中，Pc表示高頻電力值，Et表示高頻電壓值，Io表示不存在測定對象(導電性膜2)時之電流值，Ie表示渦電流檢測電流值，ρs表示薄片電阻，K表示線圈耦合係數，R表示I/V轉換電路之電阻值，Ve表示渦電流檢測電壓值，Vo表示不存在測定對象(導電性膜2)時之電壓值，Vα表示參考電壓值。
另，上述高頻電壓值Et因發生渦電流而變化，但控制為與供給電壓之誤差為固定。Ie及Io由I/V轉換電路(電阻R)轉換成電壓值(實際電壓)Ve及Vo。又，於測定導電性膜2之前實施校正以使Vo成為0[V]，並僅根據Ve實施薄片電阻之計算。藉由參考電壓值Vα修正該Vo而計算薄片電阻。
亦可根據需要考慮參考電壓以外之電壓(例如因測定單元31之機器特性引起之固定電壓、線圈溫度引起之電壓變化量等)進一步修正實際電壓。
此時，於計算某測定時間(或某測定位置)之薄片電阻時，基於實際電壓資料及測定位置(掃描速度、搬送速度等)相關之資料，特定出該測定時間(或該測定位置)之實際電壓值及寬度方向位置。接著，基於 參考電壓資料(或近似式)，選擇該寬度方向位置之參考電壓值Vα並計算薄片電阻。
藉此，獲得薄片電阻資料。具體而言，獲得表示測定時間(或測定位置)與該測定時間之薄片電阻之關係的分佈。
[分選步驟]
於分選步驟中，基於薄片電阻之分佈，分選導電性膜2。
具體而言，基於分佈檢測到表示偏離特定範圍之薄片電阻值(不良值)之曲線之情形時，特定出表示不良值之測定位置。接著，對該位置之導電性膜2實施期望之處置(排除導電性膜2、加工導電層22、氣體或電力等成膜製程參數之反饋控制等)。
藉此，製造薄片電阻為期望範圍內之均一導電性膜2。
3.作用效果
電阻測定裝置4具備：2個探針34，其等以不與導電性膜2接觸而可介隔導電性膜2之方式隔開間隔對向配置；掃描單元32，其使2個探針34沿寬度方向掃描；及運算單元33，其基於由2個探針34測定之電壓，計算導電性膜2之薄片電阻。又，運算單元33具有：記憶體37，其記憶不介隔導電性膜2而使2個探針34沿寬度方向掃描而測定之參考電壓。又，運算單元33基於參考電壓修正介隔導電性膜2而使2個探針34沿寬度方向掃描而測定之實際電壓。
於該電阻測定裝置中，記憶不介隔導電性膜2而使2個探針34沿寬度方向掃描而測定之參考電壓。即，掃描時，將因2個探針34間之 上下方向距離(探針間隙)之偏移而發生之電壓變化作為參考電壓測定及記憶。接著，基於記憶之參考電壓修正導電性膜2之實際電壓並計算薄片電阻。
因此，可計算考慮到探針34間之上下方向距離之偏移之影響的導電性膜2之薄片電阻，可使導電性膜2之薄片電阻之測定精度(測定之正確度)提高。
又，電阻測定裝置4具備不與導電性膜2接觸而對向配置之2個探針34。即，電阻測定裝置4為探針對向型(雙面探針類型)。因此，與單面探針類型相比，電阻測定裝置4可將導電性膜2與探針34之距離設定為更寬。從而可抑制因搬送時導電性膜2之晃動而與探針34之接觸。
又，電阻測定裝置4可使2個探針34一面沿寬度方向掃描一面測定薄片電阻。即，電阻測定裝置4為橫向式。因此，電阻測定裝置4除了可測定導電性膜2之搬送方向之任意部位以外，亦可測定寬度方向之任意部位。
又，於電阻測定裝置4中，2個探針34間之上下方向距離可變。
因此，可根據導電性膜2之厚度，將探針34間之上下方向距離調整為最適當之距離。因此，易於調整電阻測定裝置4之設定。又，即便變更探針34間之距離，亦由於基於參考電壓修正實際電壓，故與探針34間之距離無關，而可獲得正確之薄片電阻。
又，膜製造裝置1具備：濺鍍單元6，其將導電層22積層於搬送方向長條之基材膜10；搬送單元8，其搬送導電性膜2；及上述電阻測定裝置4。
因此，可正確地檢測薄片電阻之不良。從而可確實地考慮或排除具備不良薄片電阻之導電性膜2。因此，可製造具備更均一薄片電阻的導電性膜2。
該導電性膜2之製造方法具備：積層步驟，其將導電層22積層於長條之基材膜10而製作導電性膜2；及電阻測定步驟，其一面沿搬送方向搬送導電性膜2，一面測定導電性膜2之薄片電阻。又，電阻測定步驟具備：參考電壓測定步驟，其於2個探針34間不介隔導電性膜22而使2個探針沿寬度方向掃描而測定參考電壓；實際電壓測定步驟，其於2個探針34間使導電性膜2與2個探針34不接觸地介隔導電性膜2而使2個探針34一面沿寬度方向掃描，一面測定導電性膜2之實際電壓；及計算步驟，其基於參考電壓修正實際電壓，並計算導電性膜2之薄片電阻。
以該導電性膜2之製造方法，於測定實施電壓之前，測定參考電壓。即，於掃描時，將因探針34間之上下方向距離而發生之電壓變化作為參考電壓予以測定。接著，基於測定之參考電壓，修正導電性膜之實際電壓，並計算薄片電阻。
因此，可計算考慮到探針34間之上下方向距離之偏移之影響的導電性膜2之薄片電阻，可使導電性膜2之薄片電阻之測定精度(測定之正確度)提高。因此，可正確地檢測導電性膜2之薄片電阻之不良，可確實地考慮或排除具備不良薄片電阻之導電性膜2。其結果，可製造具備均一薄片電阻的導電性膜2。
4.變化例
於圖1所示之實施形態中，作為積層單元配備濺鍍單元，但亦可取代 此而配備例如真空蒸鍍單元、化學蒸鍍單元等作為積層單元。於該情形時，積層單元具備包含導電層22之材料之蒸鍍源來代替靶16。又，積層單元亦可為塗布單元、印刷單元等。
於圖1所示之實施形態中，線圈36俯視時為大致圓環狀，但例如雖未圖示，亦可設為俯視時大致矩形框狀。於該情形時，其一邊之長度與上述之直徑同樣。
5.驗證
使用圖1~圖3B所示之裝置實施測定。具體而言，使用非接觸式薄片電阻測定模組(雙面探針類型，Napson公司製作，製品編號「NC-700V」作為測定單元31，且將探針34間之距離D設定為10mm，將線圈直徑設定為35mm，將基材膜10之寬度設定為400mm，將基材膜10之搬送速度設定為170mm/秒，將掃描單元32之掃描速度設定為100mm/秒。
使探針34一面沿寬度方向掃描，一面於不介隔導電性膜2之狀態下測定電壓(空電壓)，取得表示探針34之寬度方向位置與該位置之電壓之關係的參考電壓資料。此時，電壓係採用使探針34沿寬度方向往復一次，去程之電壓與返程之電壓之平均值。將該資料設為第1曲線顯示於圖5之圖表。又，關於參考電壓資料，使用測定單元內之程式，製作近似式(例如1次式以上且6次式以下)，並顯示於圖5之圖表。圖5中之式表示近似式(5次式)。
又，使用針盤指示器，以寬度方向一端部26之探針間之距離為基準，沿寬度方向測定上下方向距離之位移(探針間隙位移)，並取得探針34之寬度方向位置與探針間隙位移之資料。將該資料作為第2曲線顯 示於圖5之圖表。
根據圖5，可知參考電壓資料(第1曲線)與探針間隙位移之資料(第2曲線)顯示出彼此近似之舉動，而存在相關性。即，可藉由基於參考電壓值修正電壓值，而修正因探針間隙位移之差異引起之電壓差異，其結果，可知能降低探針間隙位移之差異之影響。
另，上述發明係作為本發明例示之實施形態提供，但其係僅為例示，並非限定性之解釋者。由該技術領域之熟知本技藝者明瞭之本發明之變化例皆包含於稍後敘述之申請專利範圍。
[產業上之可利用性]
本發明之電阻測定裝置及膜製造裝置可應用於各種工業製品，可較佳地用於例如導電性膜之製造等。
1:膜製造裝置
2:導電性膜
3:積層搬送裝置
4:電阻測定裝置
5:送出單元
6:濺鍍單元
7:捲取單元
8:搬送單元
10:基材膜
11:送出輥
12:第1導輥
13:送出腔室
14:第2導輥
15:成膜輥
16:靶
17:第3導輥
18:成膜腔室
19:第4導輥
20:捲取輥
21:捲取腔室
22:導電層
32:掃描單元
32a:上側掃描單元
32b:下側掃描單元
33:運算單元
34:探針
34a:上側探針
34b:下側探針
35:測定電路單元
36:線圈
37:記憶體
38:CPU

Claims (4)

  1. 一種電阻測定裝置，其特徵在於：其係測定導電性膜之薄片電阻者，該導電性膜係於一方向上呈長條且以輥對輥方式沿上述一方向被搬送，且上述電阻測定裝置具備：2個探針，其等以不與上述導電性膜接觸而可介隔上述導電性膜之方式隔開間隔對向配置；掃描單元，其使上述2個探針沿與上述2個探針之對向配置方向交叉且與上述一方向交叉之交叉方向掃描；及運算單元，其基於由上述2個探針測定之電壓計算上述導電性膜之薄片電阻；且上述運算單元具有：記憶體，其記憶不介隔上述導電性膜而使上述2個探針沿上述交叉方向掃描而測定之參考電壓；基於上述參考電壓，修正介隔導電性膜而使上述2個探針沿上述交叉方向掃描而測定之實際電壓。
  2. 如請求項1之電阻測定裝置，其中上述2個探針間之距離為可變。
  3. 一種膜製造裝置，其係製造於一方向上呈長條之導電性膜者，且具備：積層單元，其將導電層積層於上述於一方向上呈長條之基材膜，而製作導電性膜；搬送單元，其以輥對輥方式搬送上述導電性膜；及 如請求項1或2之電阻測定裝置，其測定由上述搬送單元搬送之上述導電性膜之薄片電阻。
  4. 一種導電性膜之製造方法，其特徵在於：其係製造於一方向上呈長條之導電性膜者，且具備：積層步驟，其將導電層積層於上述於一方向上呈長條之基材膜，而製作導電性膜；及電阻測定步驟，其一面以輥對輥方式沿上述一方向搬送上述導電性膜一面測定上述導電性膜之薄片電阻；且上述電阻測定步驟具備：參考電壓測定步驟，其於隔開間隔對向配置之2個探針間不介隔上述導電性膜而使上述2個探針沿與上述2個探針之對向配置方向交叉且與上述一方向交叉之交叉方向掃描而測定參考電壓；實際電壓測定步驟，其於上述2個探針間，使上述導電性膜與上述2個探針不接觸地介隔上述導電性膜而使上述2個探針一面沿上述交叉方向掃描，一面測定上述導電性膜之實際電壓；及計算步驟，其基於上述參考電壓修正上述實際電壓，並計算上述導電性膜之薄片電阻。
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