JPH01318975A

JPH01318975A - 薄層のオーム抵抗の非破壊的測定装置

Info

Publication number: JPH01318975A
Application number: JP1111925A
Authority: JP
Inventors: Gernot Thorn; トーン、ガーノット
Original assignee: Leybold AG
Current assignee: Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Priority date: 1988-04-30
Filing date: 1989-04-28
Publication date: 1989-12-25
Also published as: IT8920335A0; DE3815011C2; IT1229314B; US4968947A; GB8909485D0; GB2217858A; GB2217858B; DE3815011A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、薄い層のオーム抵抗を非破壊的に測定するた
めの装置に関するものである。

（従来の技術）薄層の特性の測定においては、接触あるいは当接するこ
とによる測定過程中に薄層が損傷を受けたり、破壊され
ることがあるという問題があった。

特に、薄層の電気抵抗の測定中に、この層が押し通され
たり、ひっかかれたり或いは汚されることがあった。

このような欠点を回避するため、いくつかの測定装置が
非接触手段としてのセンサを用いて既に開発されている
。例えば、西独国実用新案第６８゜１０３６２号におけ
る装置が、絶縁ウェブ上の金属コーティングの層厚を測
定するものとして知られており、このコーティングの導
電率が機械的接触なしに測定される。この装置において
、回転可能なローラは絶縁材料からなるウェブをガイド
すると同時にその金属コーティングの導電率を測定し、
このローラが抵抗計の容量結合のためのキャパシタプレ
ートとして作用している。このようにこの装置は、非接
触、容量型測定装置に関するものである。

また、他の公知の容量型測定装置において、ガイドロー
ラと測定レンジが局部的に限定された複数のセンサとを
、真空コーティング設備における走行ストリップ上の層
厚の電気的測定に使用したものがある（西独国出願公開
第３３３５７６６号、第３図）。ここで、このセンサは
ガイドローラの表面−面に分配配列されており、伝送器
を解して分析回路に接続されている。付は加えると、全
てのセンサは、電極と測定される薄層のひとつとの間の
変位電流を発生する共通の発振器に接続されている。

さらにまた、交流電圧をテスト信号として使用し、電流
がテスト物を通るとゆっくりと予め決められた値まで上
昇することを利用した電流およびまたは電圧測定手段に
よる電気構造の試験のための公知の処理がある（西独国
出願公開第３４４３９６７号）。ここで、電圧は、テス
ト物を横切ること、及び又は電流に関する位相、及び又
はテスト物の測定のための各半波電圧と電流の一方との
関係において、下降する。この公知の工程は、エンファ
シスが交流電圧の振幅変化におけるものであり、容量変
化による薄層の測定をするものではない。さらに、現実
の移相が所望の移相にフィードバックされてはいない。

誘電半導体の調査のための他の公知の処理において、２
つの電極間に測定子が入れられ、かつ正弦高周波にさら
されるものがある。この測定子は。

さらに例えば熱、光あるいは粒子の放射などのかき乱す
影響にさらされる（米国特許第４２０８６２４号）、そ
のアドミタンスは、電流−電圧の関係から測定される。

キャパシタとしての測定子と適当な誘電体により共振回
路が形成され、かつその乱れがその共振回路に同期して
律動的である限りにおいて、出力信号中の信号−ノイズ
率は改善されている。しかしながら、予め決められた移
相値に調整する手段はない。

最後に、非金属材料からなる形成体の測定で公知のもの
として、非金属材料の形成体が金属と交流磁界を発生す
る測定子との間にセットされる装置がある（西独国出願
公開第３７２０１６０号）。

ここでは、交流磁界のエネルギー損失が測定され、この
エネルギー損失は非金属材料の形成体の厚さに従って変
化する。しかしながら、この装置は、交流電界を伴う発
振器を有していない。

（発明が解決しようとする課題）上記従来例においては、何れも測定時における変動を完
全に補償する手段を有していなかったので、正確な測定
を行なうことができなかった。従来このような測定時の
誤差を補償するには、高価な分析回路等が必要であった
。

本発明の目的は、高価な分析回路を使用することなく測
定時における容量変動を補償することが可能な非接触容
量性測定のための装置を提供することにある。

（課題を解決するための手段）本発明の装置は、高周波交流電圧が印加される電極に対
して予め決められた間隔をもって薄層を導き、かつ該薄
層は前記電極とあいまってキャパシタを形成し、前記交
流電圧における前記薄層に起因する変化が分析回路に印
加される薄層のオーム抵抗の非破壊的測定装置において
。

前記電極３を通って流れる電流Ｉ）ＩＦと前記高周波交
流電圧ＵＨＦとの間の移相を測定して該移相を予め決め
られた移相と比較し、前記測定された移相を前記予め決
められた移相にもたらすことを特徴とするものである。

（作　　用）この装置は、容量式測定処理に基づくものであり、キャ
パシタのプレートは電極と測定される薄層により形成さ
れ、キャパシタの誘電体は薄層を載せて搬送する搬送ホ
イルにより構成されている。

この搬送ホイルは、例えば真空蒸着工程において使用さ
れているものである。電極には、発振器から高周波電圧
が供給されており、変位電流は電極から搬送ホイルを越
えて薄層に流れ、さらにそこから再び逆に流れる。この
変位電流は、抵抗部分と容量部分からなるものである。

例えば搬送ホイルの厚さの変化等による容量の変動があ
り、これに起因する変位電流の容量部分を一定にならし
て維持するため、容量を調整する手段として追加のキャ
パシタを接続し、調整している。

（実　施　例）第１図は薄層の電気抵抗の測定用の容量センサを示す図
である。

ここで１は電極が表面２に集積化されているローラ本体
である。電気的絶縁体４は、表面２と電極３との間に配
置され１表面２と電極３との間に直接電流が流れること
を防いでいる。絶縁搬送ホイル５は表面２と電極３上に
載置されており、この上に測定する層６が配置されてい
る。

この電極３は高周波交流電圧ＵＨＦに接続されており、
この交流電圧は例えば２ＭＨｚの周波数で発振されてい
るものである。この電圧ＵＨＦにより発生される変位電
流ＩＨＦは、電極３から搬送ホイル５を介して層６に流
れ、そこからまた搬送ホイル５を通って表面２に流れる
。

搬送ホイル５は、言わば、層６と表面２又は電極３との
間に配置されたキャパシタプレート間の誘電体である。

第２図はこれを明確に示すものであり、複数のキャパシ
タ７〜１３が１層６とローラ本体２又は電極３との間に
描かれている。これらのキャパシタ７〜１３は、層６と
電極３又はローラ本体２との間の実部分容量を表わして
いる。電気的特性及び又は搬送ホイル５の厚さが変化す
ると、キャパシタ７〜１３の容量も変化し、これに伴っ
て電流Ｉ）ＩＦの容量部分も変化する。本発明は、これ
らの容量変動の影響を除去するものである。

次に第２図に示す構造の等価回路を第３図に示す。キャ
パシタ７．８，１２．１３と９．１０．１１はそれぞれ
並列に接続され５両並列回路は抵抗１４．１５を介して
接続されている。また、この抵抗は、互いに並列に接続
されている。これらの抵抗１４．１５は、電極３とロー
ラ本体２間の瞬時オーム抵抗を表わしており、後者は接
地されている。搬送ホイル５はいつも同じ抵抗値を有し
ているので、この抵抗の値は、実質的には層６の表面部
分の抵抗によって決定される。測定レンジにおいて、絶
縁搬送ホイル５は特に損失は無く、かつキャパシタの誘
電体として作用する。ここで測定されるオーム抵抗は、
幾何学形状のため、Ｒ〜１／２０・Ｒｏの範囲で使用され、これは２０ＭΩ。の範囲であり、さ
らに容易に測定可能な値ＩＭΩのＲ１，に変換される。

この方法においては、大変高いインピーダンスの層の抵
抗を段階的に下げることが都合が良く、然るに１１，０
００の率でＲｏを段階的に上げることが好ましい。

キャパシタ７．８．１２．１３．抵抗１４，１５、キャ
パシタ９，１０．１１は、一つにまとめても良いもので
あり、第４図に簡略化した回路図を示す。この等価回路
においては、各ひとつのキャパシタ１６、抵抗１７及び
池のキャパシタ１８のみが設けられており、直列に接続
されている。

第４図に示す等価回路に使用可能なベクトル図を第５＠
に示す、ここで総電圧Ｕ旺は、実部ＵＬ７と虚部ｕ、、
＋ＵＬＩＩとからなり、また抵抗を介して流れる電流は
、Ｌｔで示されている。第１図乃至第４図における作用
上の特徴は、以下の通りである：印加される一定の高周
波電圧ＵＨＦは、電流１１、を駆動し、この電流Ｌｌは
キャパシタ１６、抵抗１７及びキャパシタ１８からなる
直列接続を通過する。この電流の振幅は、これが流れる
層６のコンダクタンスに比例し１分路手段によりたやす
く測定可能になる。

第１図乃至第４図における構造は特有の共振を有さない
ので、周波数補正は必要でない、しかしながら、それで
も自動補償構造を、〜搬送ホイル５の厚さ又は比誘電率
の変動を補償するために使用しても良い、この自動補償
構造は、共振に同期する発振回路を有する誘導センサが
使用されている場合には常に設けられる。

ゼロ・ドリフトのための補償は、物体の測定とゼロの測
定との間の差を求めることから始められる。第６図はこ
れがどのように行なわれるかを詳細に示している。差動
増幅器１９において、絶えず繰り返して重合測定信号Ｕ
ｍ＋Ｕｏとゼロ信号Ｕ０との間の差が求められ、差動増
幅器１９の出力で非重合測定信号Ｕｎが発生する。

２つの位置信号２２．２３は、位置検出器２０．２１、
例えば、反射光バリアや近接スイッチにより１発生され
る。一方の位置信号２２は、センサが搬送ホイル上にな
いとき（＝ゼロ信号）を示しており、また他方の位置信
号２３はセンサが搬送ホイル５上にあるときを示してい
る。制御装置１１２４は、これらの位置信号２２．２３
の状態に応じて、スイッチ２５．２６をそれぞれ閉又は
開状態にするものである。搬送ホイル５上にセンサがな
いと、このときにスイッチ２５は位置信号２３により閉
状態にされる。電圧値は抵抗１７で上昇され、記憶・保
持回路２７．２８に供給されて、そこに記憶される。こ
れに対して、もしもセンサが搬送ホイル５上にあると、
このときに位置信号２２によりスイッチ２５は開状態に
され、またスイッチ２６は閉状態にされる。即ち、この
ときにゼロ信号を伴う実測定値が記憶・保持回路２９．
３０内に記憶される。

記憶・保持回路２７．２８と２９．３０の出力信号は、
それぞれコンパレータ１９において互いから減算され、
これにより実測定信号がその出力で得られる。この方法
において、発生するいかなるドリフト現象も補償され、
また出力信号Ｕａ＋は測定される物体の導電率にのみ従
って変化することになる。測定レンジをセットするため
、この出力信号Ｕｍは適宜増幅される。コンパレータ１
９も、記憶・保持回路２７．２８と２９．３０も、以下
（第１０図）に示す信号分析装置３６中に配置されてい
る。

例えば、ローラの幅一面に整列された複数のセンサから
の信号を求めることにより、測定物の断面輪郭の導電率
を表わすことができる。全信号の平均値と調整可能な所
望の値との比較をすると、実値からの所望の値の逸脱を
出力して公差をモニターすることができる。この逸脱し
た値は、蒸着源又は搬送ホイルの送り速さの調整に用い
られ、これにより一定の導電率又は一定の表面抵抗に調
整される。

開示されている発明では、表面抵抗が１００ＫΩと１０
０ＭΩの間で調整される。

第７図は第１図乃至第６図における構造の欠くことので
きない要素がどのように測定する層６を回転させるロー
ラ本体２を含む装置にあてはめられているかを図示する
ものである。

電極３及び組み合わされる電子回路部分は、ローラ本体
２の表面に埋め込まれている。層６がこのローラ２上の
搬送ホイル５上で移送され、これによりローラ２の各回
転の間、センサ素子は「１」、〔０」信号を出力し、電
極３上に層６がないときにもさらにそのように動作する
。ここで電極３上に層６が位置している場合には、測定
信号が出力される。

ローラ２からの測定値の取り出しは、軸３２上に据え付
けられているスリップリング３３．３４．３５を介して
行なわれる。このように取り出された電圧は、処理装置
３６に供給され、さらに表示装置１Ｅ３７．３８．３９
により表示される。ローラ２上に設置された位置検出器
２０．２１は、第６図の分析回路中の記憶・保持回路２
９．３０と２７．２８にそれぞれゼロ信号と測定信号を
切り換えて供給するための信号を出力する０位置検出器
２０．２１には、製品に直ぐに利用できる誘導、容量又
は光学式のものが使用されており、それらを通って回転
する切欠４０を有するディスク４１も検出器と共に使用
されている。前述した２つの信号の差は、層６の特性に
のみ従いかつ層抵抗に反比例する電圧である。

各センサのための分析電子回路部は、第６図の回路構成
を含み、ロジック回路２４はローラ２の角度位置に対応
するスイッチ２５．２６をそれぞれ作動させる。前記出
力信号ＩＪｔ士表示装置３７．３８又は３９に供給され
る。

第８図は、ローラ２が使用されているコーティング設備
の原理を示す図である。搬送ホイル４３は、くり出しロ
ーラ４２からガイドローラ４４．４５を通って誘導ロー
ラ４６に向かって走行し、この工程におけるストリップ
の移動速さを決めるものである。また、蒸着源４７のと
ころでホイル４３のコーティングはおこなわれ、そして
ガイドローラ４８の通過後、コートされた搬送ホイル４
３は測定ローラ２に供給され、ここからコートされた搬
送ホイル４３はさらにそれを巻取るローラ４９に達する
。

第９図は電極３の接続関係を示す回路のブロック図であ
る。電極３に印加される電圧Ｕ）ＩＦは、ここでは発振
器５１により発生され、この発振器は電流供給部５３に
接続されている。センサ素子３の出力信号は、増幅器５
８により増幅され、かつ電圧−電流変換器５０により電
流に変換される。

そのゲインは、ゲイン調整器５１により調整される。電
流供給部５３、電圧−電流変換器５０及びゲイン調整器
５４はすべてバス５５に接続されており、このバス５５
はスリップリング伝達器３３゜３４．３５に接続されて
いる。また、このスリップリング伝達器３３．３４．３
５は、それぞれ電子分析回路３６に接続されている。

また、校正装置５６はバス５５に接続されており、かつ
センサ要素３にも接続されている０位相調整装置５７は
、センサ素子３と発振器５１との間に破線で示されてい
る。この位相ＷＲ整装置５７は、発振器５１により誘導
される電流の容量部を一定に保つために設けられている
。

第１０図は第９図の構造の詳細を示す図である。

発振器５１は、並列に２つのキャパシタ６０．６１が接
続されたインダクタ５９を含み、またトランジスタ６２
が直列にキャパシタ６０．６１とコイル５９に接続され
ている。キャパシタ６５は、並列にキャパシタ６０に接
続され、かつまた抵抗１４０とトランジスタ６２のエミ
ッタに接続されている。トランジスタ６２のベースは、
２つの抵抗６３．６４を有する分圧器につながれている
。

発振器５１の出力は調整回路５７に接続され、このｍｖ
ｘ回路５７は、構成要素６６〜７７を有する移相器と、
要素７９〜８３を伴った前置増幅器２００と、要素８５
〜９２を伴った整流−変圧器１４２と、要素９５〜１０
３を伴った２ステージ増幅器２０１と、キャパシタ１０
５と抵抗１０４に接続された可変容量ダイオード（バラ
クタ）１４３とからなる。キャパシタ１０５における端
子３００は、容量センサ３に接続されている。調整回路
５７によりセンサーキャパシタの容量変動を補償するこ
とができる。

センサ要素３は、位相調整装置５７の前置増幅器２００
に接続されており、この前置増幅器は、３つの抵抗７９
．８０．８３とキャパシタ８１を装備するトランジスタ
８２を含んでいる。前置増幅器２００の出力信号は、キ
ャパシタ８４を介して変圧器８５の一次巻線８６に供給
され、二次側８７は中央タップ８８を有する。この中央
タップ８８は、抵抗７５と移相器に接続されている。二
次側８７における総置圧は、抵抗９３．９４を通って、
２ステージ増幅器２０１の第１ステージに供給される。

この２ステージ増幅器は、抵抗９６．９７が接続されて
いる演算増幅器９５からなる。

この演算増幅器９５の出力電圧は、次に抵抗９８を通っ
て第２の演算増幅器９９の一方の入力に印加され、その
他方の入力は抵抗１００を介して接地されている。この
演算増幅器のフィードバックループは、キャパシタ１０
３と抵抗１０２からなる並列回路を含んでいる。演算増
幅器９９の出力信号は、抵抗１０４を介して、キャパシ
タ１０５と、バラクタダイオード１４３のカソードに印
加されている。キャパシタ１０５の端子３００は、発振
器５１の対応する端子３００に接続されている。

抵抗１０８に印加される電圧は、センサ素子３中に流れ
る電流に比例するが、これはダイオード１０９．１３４
と抵抗１１２．１１５．１１６を介して増幅器１１８に
供給され、この増幅器は比例して供給電圧を増幅する。

増幅器１１８の出力電圧は、リモートコントロールでス
イッチを作動させて抵抗２１２〜２１４を個々に断ち切
ることにより変更される。即ち、コントロールキャビネ
ット中に配置されかつ常時作動している分析回路により
、真空中に位置するセンサのゲインを、段階的に、測定
値に達するまで調整する。また、スイッチ２０７，２０
８を作動させて、センサ素子に並列な校正抵抗を接続す
ることも可能である。

アンプ１１８により増幅された電圧は、電圧−電流変換
器５０に印加され、この電圧−電流変換器５０は分析装
置３６と表示装置３７．３８．３９をインダクタ１２６
，１２７を介してコントロール又は作動させている。

尚、本発明における容量式測定装置は、誘導式測定装置
にも使用することが可能であり、これらの装置において
同一の電子分析回路を使用することが可能である。この
場合、誘導式測定装置に使用される発振回路を常に共振
させかつ測定インダクタを含むようにすれば、同じ分析
回路を使用することが可能になる。この場合の容量式及
び誘導式測定装置における電流の流れは、測定する薄層
のオーム抵抗により決定される。これらの電流は、単一
の回路構成で処理される。誘導式測定装置の場合、その
移相回路の助けを得ることにより、発振回路は共振の平
衡を保つことができ、同じく。

容量式測定装置の場合には、位相角を一定に保つことが
できる。このように位相角を一定に保ことにより、測定
する層が蒸着される搬送ホイルの影響を除去することが
可能である。例えば、電極と薄層との間の容量が搬送ホ
イルの回転に起因して変化すると、層はより薄くなり、
又は他の突然の理由により厚くなり、このときに電極中
に流れる電流の容量部は変化する。しかし、この部分は
、いつでも一定に保たれ、このようなキャパシタが電極
と薄層との間の実際のキャパシタに接続されて、予め決
められた容量値が維持されることになる。

（発明の効果）本発明によれば、極めて高いインピーダンスの薄層を、
高価な分析回路を使用することなくかつ非接触で測定す
ることができる。

また、蒸着によるコーティングをするための設備におい
ても、製造中に直接搬送ホイル上にあるものを測定する
ことができ、さらに抵抗の狭い公差の限界内で前記層を
製造するための制御をすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は容量センサの構成を示す図、第２図は第１図に示す容量センサの作用を説明するため
の図、第３図は第１図に示す容量センサの等価回路を示す図、第４図は第３図に示す等価回路を簡略化した等価回路を
示す図、第５図は容量式測定におけるベクトル図、第６図はゼロ
補償回路のブロック図、第７図はローラ上の容量センサの構成を示す図、第８図
はコーティング設備における第７図に示すローラの使用
状態を示す図、第９図は容量センサのブロック図、第１０図は第９図に示すブロック図の詳細な構成を示す
図である。２・・・ローラ、　　　　　　３・・・電極、５・・・
搬送ホイル、　　　　６・・・薄層、２０．２１・・・
位置検出器、３３．３４．３５・・・スリップリング、３６・・・分
析回路、　　　　５０・・・電圧−電流変換器、５１・
・・発振器、　　　　５７・・・移相回路。５８・・・差動増幅器、１４３・・・可変容量ダイオード、２００・・・前置増幅器。２０１・・・２ステージ増幅器。特許出願人　レイボルド、アクチェンゲゼルシャＦＩＧ
、　２ＦＩＧ、４見ＨＦＦＩＧ、５ＦＩＧ、８

Claims

【特許請求の範囲】

（１）高周波交流電圧が印加される電極に対して予め決
められた間隔をもって薄層を導き、かつ該薄層は前記電
極とあいまってキャパシタを形成し、前記交流電圧にお
ける前記薄層に起因する変化が分析回路に印加される薄
層のオーム抵抗の非破壊的測定装置において、前記電極３を通って流れる電流ＩＨＦと前記高周波交流
電圧ＵＨＦとの間の移相を測定して該移相を予め決めら
れた移相と比較し、前記測定された移相を前記予め決め
られた移相にもたらすことを特徴とする薄層のオーム抵
抗の非破壊的測定装置。
（２）前記交流電圧ＵＨＦは２ＭＨｚの周波数を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄層のオ
ーム抵抗の非破壊的測定装置。
（３）測定される前記薄層６と前記電極３との間には搬
送ホイル５が配置されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄層のオーム抵抗の非破壊的測定装
置。
（４）センサ素子３と、電子回路装置と、機械構造から
なるセンサが設けられていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄層のオーム抵抗の非破壊的測定装
置。
（５）前記センサ素子として高周波数電極３が設けられ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の薄
層のオーム抵抗の非破壊的測定装置。
（６）前記電子回路装置は、発振器５１と、差動増幅器
５８と、電圧−電流変換器５０を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第４項記載の薄層のオーム抵抗の非破
壊的測定装置。
（７）前記センサは、ストリップ気相コーティング装置
のストリップをガイドするローラ２中に設けられている
ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の薄層のオ
ーム抵抗の非破壊的測定装置。
（８）前記センサの出力電流は、スリップリング３３、
３４、３５によりひろわれ、かつ分析回路３６に印加さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の薄層
のオーム抵抗の非破壊的測定装置。
（９）測定する薄層６が前記センサの電極３の付近にあ
るか否かを測定する位置検出器２０、２１が設けられて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄層
のオーム抵抗の非破壊的測定装置。
（１０）前記位置検出器は反射光バリアであることを特
徴とする特許請求の範囲第９項記載の薄層のオーム抵抗
の非破壊的測定装置。
（１１）前記位置検出器は近接スイッチであることを特
徴とする特許請求の範囲第９項記載の薄層のオーム抵抗
の非破壊的測定装置。
（１２）測定信号とゼロ信号が検出されることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の薄層のオーム抵抗の非
破壊的測定装置。
（１３）前記測定信号とゼロ信号間の差が形成されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１２項記載の薄層のオ
ーム抵抗の非破壊的測定装置。
（１４）前記ローラ２の幅一面に複数のセンサが配列さ
れ、これらのセンサからの信号は、測定する薄層の断面
輪郭の導電率を測定するため、数値が求められているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の薄層のオー
ム抵抗の非破壊的測定装置。
（１５）前記センサの出力信号の平均値が求められかつ
所望の値と比較され、該所望の値へ調整されることを特
徴とする特許請求の範囲第１４項記載の薄層のオーム抵
抗の非破壊的測定装置。
（１６）移相回路５７を有することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の薄層のオーム抵抗の非破壊的測定
装置。
（１７）前記移相回路は９０°移相器と、前置増幅器２
００と、整流−変圧器１４２と、２ステージ増幅器２０
１と、可変容量ダイオード１４３とを有することを特徴
とする特許請求の範囲第１６項記載の薄層のオーム抵抗
の非破壊的測定装置。
（１８）前記移相回路は、さらに薄層の表面抵抗の誘導
式検出のために設けられたコイルを含む発振回路の共振
同調にも使用されることを特徴とする特許請求の範囲第
１６項記載の薄層のオーム抵抗の非破壊的測定装置。
（１９）複数のセンサを使用する場合、各センサは、そ
れ自身の発振器５１と、それ自身の初期処理電子回路部
と、それ自身のリモートコントロール可能な増幅器５８
と、それ自身のリモートコントロール可能な少なくとも
ひとつの校正抵抗をともなう校正装置とを有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄層のオーム抵
抗の非破壊的測定装置。