JP2002161366A

JP2002161366A - 成膜基板の生産管理システム

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Publication number: JP2002161366A
Application number: JP2000351703A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Harada; 吉典原田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-11-17
Filing date: 2000-11-17
Publication date: 2002-06-04

Abstract

(57)【要約】【課題】装置スループットを落とさず成膜基板上の薄
膜の全数検査が可能で、成膜手段の動作を迅速に修正可
能な成膜基板の生産管理システムを提供する。【解決手段】上記の生産管理システムは、ガラス基板
１２上に金属薄膜１２ａを形成するスパッタリング装置
３４と、金属薄膜１２ａの片面側から磁界の磁力線を照
射してシート抵抗を算出するシート抵抗測定手段と、算
出されたシート抵抗と基準値との比較に基づき成膜工程
の良否判定を行う制御・演算用コンピュータ２６と、成
膜基板の製造工程を管理するセルコンピュータ３３・３
３ａと、セルコンピュータ３３・３３ａを制御して成膜
基板の製造工程全体を管理するホストコンピュータ３２
とを備え、ホストコンピュータ３２は、制御・演算用コ
ンピュータ２６による判定結果に基づき、セルコンピュ
ータ３３を介してスパッタリング装置３４に動作制御用
の信号を送信する構成となっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に薄膜が形
成されてなる成膜基板の生産管理システムに関するもの
である。より具体的には、例えば、液晶パネルなどの製
造工程において、スパッタリング法や蒸着法などによ
り、ガラス基板上に金属（金属単体または合金）の薄膜
を形成する工程を制御する生産管理システムに関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】スパッタリング法や蒸着法などにより、
基板上に金属（一種の金属からなる単体または合金）の
薄膜を形成する場合、形成された金属の薄膜（以下、金
属薄膜と称する）の膜質を管理する目的で、そのシート
抵抗の測定が行われる。金属薄膜のシート抵抗率は、該
金属薄膜の膜厚や成分比（合金の場合）などに応じて変
化するため、膜質管理の目的では特に好適な指標として
使用可能である。

【０００３】従来では、１）基板上に金属薄膜を形成
後、薄膜形成装置から取り出した基板（成膜基板）上の
金属薄膜のシート抵抗を測定し、この測定結果に基づい
て次に形成する膜の形成条件を決めるか、または、２）
薄膜形成装置内で成膜工程と並行して金属薄膜のシート
抵抗をモニタし、このモニタ結果に基づいて次に形成す
る膜の形成条件を決めていた。なお、成膜工程と並行し
て金属薄膜のシート抵抗をモニタする方法としては、例
えば、シート抵抗モニタ用基板と基板（後に製品となる
もの）とを近接させて薄膜形成装置内の基板ホルダ上に
取り付けて、両者の上にほぼ同一条件で金属薄膜が形成
されるようにしておき、シート抵抗モニタ用基板上に形
成された金属薄膜のシート抵抗を測定する方法などが挙
げられる。

【０００４】また従来のシート抵抗測定方法としては、
図１３に示すように、探針として４本の針状の電極を使
用する４探針法を採用したものが知られている。この方
法により基板１０１上に形成された金属薄膜１０２のシ
ート抵抗を測定する際には、該金属薄膜１０２上面に圧
接されるように４本の電極を所定の間隔をおいて直線上
に配置する。尚、図１３において、外側に配された一対
の電極を探針（電流探針）１０３・１０３、内側に配さ
れた一対の電極を探針（電圧探針）１０４・１０４と称
する。

【０００５】続いて、電源（図示せず）に接続された探
針１０３・１０３間に一定の電流Ｉを流し、これにより
探針１０４・１０４間に生じる電位差を電位差計（図示
せず）にて測定し、シート抵抗（Ｒ＝Ｖ／Ｉ）が求めら
れる。金属薄膜１０２のシート抵抗値は、抵抗率（比抵
抗：ρ）＝Ｆ×Ｒ×Ｔとして得られる。なお、Ｔとは金
属薄膜１０２の厚さを、Ｆとは該金属薄膜１０２の形状
・寸法、並びに探針間の距離より求められる無次元の数
値である補正係数を表す。

【０００６】しかしながら、上記説明の４探針法では、
被測定体に対し針状の電極（金属針）が圧接されるた
め、例えば、１）金属薄膜１０２の損傷や粉塵の発生を
招来する虞があり、加えて、２）針状の電極の磨耗が発
生し、定期的な交換作業を要する、等の問題がある。さ
らに、３）被測定体（金属薄膜１０２）が振動している
状態ではシート抵抗の測定が不可能であるため、被測定
体を固定する専用の吸着ステージを設ける等の制約を有
する。この場合、スペース上の制約が厳しければ、既存
工程への導入（設置）やインライン化が困難となる等の
問題を招来する。

【０００７】また、例えば液晶パネルを製造する際に
は、ガラス基板上にゲート膜（ゲートパターン含む）、
ソース膜がこの順に積層されるが、４探針法ではこれら
金属薄膜の積層体全体のシート抵抗は測定可能なもの
の、ゲート膜の影響が避けられないためソース膜単独の
シート抵抗を測定することは不可能である。

【０００８】また、４探針法を採用した従来の生産管理
システムでは全数検査を行うことは困難であり、金属薄
膜が形成された基板（成膜基板）を一定の間隔で抜き取
り検査し、この検査結果に応じて成膜条件を制御してい
た。よって、突発的な膜質不良や膜厚の変化が起こった
場合でも看過され、それまでに得られた成膜基板が無駄
になる虞が高くなり、歩留りの悪化やコスト高を招来す
る一因となっていた。

【０００９】一方、４探針法にまつわる上記問題を回避
するため、針状の電極を圧接することなく薄膜状の半導
体材料のシート抵抗を測定する方法も提案されている。

【００１０】この方法ではまず、高周波電力が印加され
たコイルからの磁界内に、ガラス基板やウエハ等の半導
体基板に形成された金属薄膜を位置させて、上記磁界と
金属薄膜とを電磁誘導結合させることにより該金属薄膜
内に渦電流を発生させる。ここで発生した渦電流はジュ
ール熱となって消費され、また、高周波電力の上記金属
薄膜内での吸収と導電率（抵抗率の逆数）とは正の相関
を有することを利用して、非接触で金属薄膜の抵抗率が
算出される。この方法ではすなわち、金属薄膜に接触す
ることなく得た検出結果より該金属薄膜の抵抗率を算出
可能であり、これにより、ＩＣ等の半導体製品や液晶パ
ネル等の最終加工処理工程においても、金属薄膜やこれ
が形成される基板に対し汚染や力が加えられることを回
避可能となる。

【００１１】このような非接触型シート抵抗測定装置の
具体例は以下の通りである。まず、例えば、図１４に示
すように、１〜４ｍｍのギャップ（ギャップ幅）２０１
を有するように対向させた両端部２０２ａ・２０２ａを
備えた、略コの字状のフェライト（磁性材料）コア２０
２のコイル２０２ｂに高周波電力を印加する。

【００１２】続いて、上記ギャップ２０１に金属薄膜
（図示せず）を有するウエハ２０３を挿入すると、該金
属薄膜内に高周波誘導結合により渦電流が発生し、発生
した渦電流はジュール熱となって消費されるため、高周
波電力の金属薄膜内での吸収が生じる。この吸収と、上
記金属薄膜の導電率とが互いに正の相関を有するので、
上記吸収の割合からウエハ２０３における金属薄膜の抵
抗率が非接触にて測定される。なお、図１４に示すシー
ト抵抗測定装置は、金属薄膜の両側から磁界を印加する
ものであり、以下、両側式シート抵抗測定装置と称す
る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】また近年、上記両側式
シート抵抗測定装置（シート抵抗モニタ用測定器）を、
半導体基板製造工程における品質制御に利用する試みが
盛んに行われ、より小型かつ高性能な両側式シート抵抗
測定装置が開発されている。例えば、特開平６−６９３
１０号公報には、添付図面から判断して、上記両側式シ
ート抵抗測定装置（場合によっては４探針接触型の測定
装置）を採用したと思われるウエハ測定システムが開示
されている。

【００１４】このウエハ測定システムでは、ウエハ搬入
部、抵抗測定器（抵抗測定装置）を備えた測定部、並び
にウエハ搬出部がこの順に隣接配置されており、さら
に、ウエハを支持し搬送する搬送ロボットがウエハ搬入
部とウエハ搬出部との間を往復運動可能に設けられてい
る。シート抵抗の測定対象であるウエハは、搬送ロボッ
トにより支持されて抵抗測定器内に搬入され、ここでシ
ート抵抗が測定された後に、ウエハ搬出部側に受け渡さ
れる。次いで、上記搬送ロボットは、ウエハ搬入部側に
移動し、他のウエハを支持して抵抗測定器内に搬入する
動作を繰り返す。つまり、上記のウエハ測定システム
は、ウエハの全数検査を行うことが可能なシステムであ
る。

【００１５】しかし、上記の測定システムでは、両側式
シート抵抗測定装置を用いていると考えられるため、
１）感度不足である、２）小型化が不十分であり、取付
けスペースの確保が困難であるなどの問題を招来し、さ
らに、３）１軸以上のウエハ搬送手段（搬送ロボット）
が必要となる等の問題点を有しているので、既存のウエ
ハ製造工程を改変せずに導入するには困難を伴う。

【００１６】また、従来の測定システムでは、基板上に
形成された薄膜が多層構造（例えば、液晶パネル基板の
ゲートパターンとソース膜との積層構造）である場合に
は、該薄膜の良否判定が困難であり、特に、薄膜一枚ず
つの膜質管理は不可能であった。

【００１７】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであって、その目的は、シート抵抗値測定
のために成膜基板の搬送フローを止める必要がなく、加
えて既存の工程フローを変更することなく組み込み可能
な片側式・非接触型のシート抵抗測定手段を用いた、成
膜基板の生産管理システムを提供することにある。さら
には、基板上に形成された薄膜が多層構造（例えば、液
晶パネル基板のゲートパターンとソース膜との積層構
造）である場合でも、該薄膜の良否判定が可能な、成膜
基板の生産管理システムを提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる成膜基板
の生産管理システムは、上記の課題を解決するために、
基板上に導電性の薄膜が形成されてなる成膜基板の生産
管理を行うシステムであって、上記基板上に導電性の薄
膜を形成する成膜手段と、上記基板上に形成された導電
性の薄膜の片面側から磁界の磁力線を照射して、発生し
た渦電流損に応じた磁界の変化量から該薄膜のシート抵
抗を算出するシート抵抗測定手段と、上記シート抵抗測
定手段が算出した導電性の薄膜のシート抵抗と基準値と
の比較に基づき、成膜工程の良否判定を行う判定手段
と、上記成膜基板の製造に関わる各工程を管理するセル
コンピュータと、これらセルコンピュータそれぞれを制
御することにより、成膜基板の製造工程全体を一括管理
するホストコンピュータとを備えてなり、上記ホストコ
ンピュータは、上記判定手段による判定結果に基づき、
成膜工程を管理するセルコンピュータを介して、上記成
膜手段に動作制御用の信号を送信することを特徴として
いる。

【００１９】上記の構成では、導電性の薄膜のシート抵
抗測定手段として、片側式かつ渦電流式のシート抵抗測
定手段を採用している。このシート抵抗測定手段は、薄
膜に非接触でシート抵抗の測定を行えるうえ、比較的小
型で工程内に容易に設置可能であるため、例えば、装置
スループットを落とすことなく、成膜基板上に形成され
た薄膜の全数検査を実現することができる。

【００２０】また、成膜基板の製造工程全体はホストコ
ンピュータで一括管理されており、該ホストコンピュー
タは、判定手段からの報告に基づき、成膜手段に動作制
御用の信号を送信するようになっているので、成膜不良
を発生している成膜手段の動作を迅速に修正することが
可能となる。

【００２１】本発明にかかる成膜基板の生産管理システ
ムは、上記の構成において、基板上に導電性の薄膜を形
成する上記成膜手段が複数設けられており、上記基板上
には、上記成膜手段により形成される複数の導電性の薄
膜が、絶縁膜により互いに絶縁された状態で積層されて
なり、上記シート抵抗測定手段は、上記複数の導電性の
薄膜において発生する上記渦電流損に応じた磁界の変化
量と、上記複数の導電性の薄膜のうち最上層に位置する
薄膜のみを同一条件で上記基板上に成膜してなる成膜基
板の実測シート抵抗との相関関係から、上記複数の導電
性の薄膜の暫定シート抵抗を算出するものであってもよ
い。

【００２２】上記の構成によれば、４探針法などではシ
ート抵抗の測定が困難な、絶縁膜で隔てられた２層以上
の導電性の薄膜の膜質を、上記暫定シート抵抗を目安と
して管理可能となる。なお、この構成では、最上層に位
置する薄膜を除く、全導電性の薄膜が渦電流損に与える
影響はほぼ一定であるという現象を利用している。

【００２３】本発明にかかる成膜基板の生産管理システ
ムは、上記の構成において、基板上に導電性の薄膜を形
成する上記成膜手段が複数設けられており、上記基板上
には、上記成膜手段により形成される複数の導電性の薄
膜が、絶縁膜により互いに絶縁された状態で積層されて
なり、上記シート抵抗測定手段は、最上層に位置する薄
膜を除く上記複数の導電性の薄膜が、上記磁界の変化量
に与える影響を補正して、該磁界の変化量から最上層に
位置する薄膜のみのシート抵抗を算出するものであって
もよい。

【００２４】上記の構成によれば、例えば、液晶パネル
基板のように、絶縁膜を介してゲートパターン上にソー
ス膜が積層されている場合であっても、最上層に位置す
るソース膜のシート抵抗を算出することができ、ゲート
パターンのみならずソース膜の膜質も別途管理可能とな
る。例えば、ゲートパターンが正常に形成された後に、
ソース膜形成工程において突発異常が発生した場合で
も、この異常を検知することができる。

【００２５】本発明にかかる成膜基板の生産管理システ
ムは、上記の構成において、基板上に導電性の薄膜を形
成する上記成膜手段が複数設けられており、上記基板上
には、上記成膜手段により形成される複数の導電性の薄
膜が、絶縁膜により互いに絶縁された状態で積層されて
なり、上記シート抵抗測定手段は、上記磁界の磁力線を
照射するコイルを含み、さらに、上記コイルの駆動周波
数として、コイルの共振特性のピークを与える駆動周波
数より３〜１０％低い値を選択するものであってもよ
い。

【００２６】上記の構成によれば、下層側の導電性の薄
膜（ゲートパターンなど）が与える影響を上記ピーク周
辺にとどめ、感度良好域である駆動周波数（上記ピーク
を与える駆動周波数より３〜１０％高い駆動周波数）近
傍にて上層側の導電性の薄膜（ソース膜）のシート抵抗
測定が可能となる。

【００２７】本発明にかかる成膜基板の生産管理システ
ムは、上記の課題を解決するために、基板上に導電性の
薄膜が形成されてなる成膜基板の生産管理を行うシステ
ムであって、上記基板上に導電性の薄膜を形成する成膜
手段と、上記基板上に形成された導電性の薄膜の片面側
から磁界の磁力線を照射して、発生した渦電流損に応じ
た磁界の変化量を取得する変化量取得手段と、上記変化
量取得手段が導電性の薄膜が形成された異なる基板毎に
取得した磁界の変化量から、該磁界の変化量の平均値を
算出する平均化手段と、上記磁界の変化量の平均値と、
各基板上に形成された導電性の薄膜に起因する磁界の変
化量との比較に基づき、成膜工程の良否判定を行う判定
手段と、上記成膜基板の製造に関わる各工程を管理する
セルコンピュータと、これらセルコンピュータそれぞれ
を制御することにより、成膜基板の製造工程全体を一括
管理するホストコンピュータとを備えてなり、上記ホス
トコンピュータは、上記判定手段による判定結果に基づ
き、成膜工程を管理するセルコンピュータを介して、上
記成膜手段に動作制御用の信号を送信することを特徴と
している。

【００２８】上記の構成によれば、基準用サンプルを作
成できない場合など、外部基準をもとに導電性の薄膜の
膜質管理が行えない場合であっても、複数の成膜基板で
の測定結果（磁界の変化量）の平均値を算出し、該平均
値を基準として成膜工程の良否判定を行うことができ
る。

【００２９】また、導電性の薄膜のシート抵抗測定手段
として、片側式かつ渦電流式のシート抵抗測定手段を採
用しているので、例えば、装置スループットを落とすこ
となく、成膜基板上に形成された薄膜の全数検査を実現
することができる。

【００３０】なお、上記磁界の変化量の平均値から、複
数の成膜基板上に形成される導電性の薄膜のシート抵抗
の平均値を算出し、この平均値を基準として成膜工程の
良否判定を行ってももちろんよい。

【００３１】さらに、上記の生産管理システムは、基板
上に積層されてなる複数の導電性の薄膜として、ゲート
膜と、該ゲート膜に対して上層側に形成されたソース膜
とを含んでなる成膜基板（液晶パネル基板）の生産管理
に特に好適に用いられる。なお、いうまでもないが、上
記ゲート膜とは、パターニング後のゲート膜（ゲートパ
ターン）を含む概念である。

【００３２】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の実施の
一形態について、図面に基づいて説明すれば以下の通り
である。なお、本願発明は、本実施の形態に記載の範囲
内のみに限定されるものではない。

【００３３】はじめに、本実施の形態にかかる成膜基板
の生産管理システムに採用される、導電性の薄膜（以
下、薄膜と称する）のシート抵抗測定方法の原理につい
て、図２および図３を参照して説明を行う。なお、この
測定方法は、１）磁界を発生するコイルを用い、薄膜の
片面側のみから磁界の磁力線を照射して、該薄膜内に磁
界による渦電流を形成する第一の工程と、２）上記渦電
流の形成により生じた渦電流損に応じた上記磁界の変化
量（コイルを流れる電流の大きさの変化量として取得し
てもよい）を、薄膜のシート抵抗として検出する第二の
工程とを含んでなる方法である。

【００３４】その原理は以下に示す通りである。まず、
図２に示すように、交流発生器３０１からの交流電流を
印加したコイル３０２をコイル３０３に近づけると、電
磁誘導現象によりコイル３０３に電圧が発生し、このコ
イル３０３を含む回路、つまり電流計３０４および負荷
抵抗３０５に交流の電流（誘導電流）が流れることが知
られている。

【００３５】これと同様に、コイル３０３に代えて、図
３に示すように、導電性の被測定体としての金属薄膜
（薄膜）３０６に対し、交流電圧を印加したコイル３０
２を近づけると、金属薄膜３０６に渦電流３０７が発生
する。そして、渦電流３０７の発生により、共振してい
る閉路回路（閉回路）のコイル３０２に流れる電流の大
きさが変化し、この電流の大きさに反比例して該コイル
３０２のインピーダンス（直流回路の抵抗に相当）や共
振周波数などが変化する。なお、コイル３０２に流れる
電流の大きさの変化は、該コイル３０２が発生する磁界
の大きさの変化をもたらすことは自明であり説明を行わ
ない。

【００３６】コイル３０２における渦電流損失分（すな
わち、電流または磁界の変化量）は、該コイル３０２の
インピーダンスや共振周波数などの変化から取得しても
よい。さらにまた、４探針法などの接触法（図１３参
照）により金属薄膜３０６のシート抵抗値（４探針値と
称する）を別途測定しておけば、コイル３０２における
渦電流損失分と４探針値との相関関係を利用して、該渦
電流損失分からシート抵抗値（またはシート抵抗）を算
出することができる。なお、発生する渦電流３０７の大
きさは、測定対象としての金属薄膜３０６までの距離
や、金属薄膜３０６の材質、大きさ、厚みによって決ま
るので、該金属薄膜３０６の材質、厚みなどの膜質情報
として使用できる。

【００３７】上記の方法は４探針法とは異なり、薄膜に
非接触でシート抵抗を測定できるので損傷を与える虞が
ない。また、薄膜の片面側のみに対し磁界の磁力線が照
射されるように上記コイル３０２を配すればよいので、
シート抵抗測定器を比較的簡素な構成とすることができ
る。

【００３８】つまり、本実施の形態で使用される片側式
の渦電流式シート抵抗測定器（単にシート抵抗測定器と
称する場合もある）は、構成が比較的簡素かつ小型であ
るので、成膜基板の製造工程内への設置が容易である。
また、シート抵抗測定時に成膜基板を一時停止させる時
間を、４探針法と比較して飛躍的に短くすることができ
るので、インライン化された場合（製造工程内に組み込
まれた場合）には、シート抵抗測定器へのスループット
を落とすことなく全数検査が可能となる。

【００３９】上記片側式の渦電流式シート抵抗測定器の
センサヘッドに搭載されるコイルは、例えば、コアレス
タイプのものを採用してもよく、磁束の収束効率を向上
させるためにフェライト等に巻き付けられたカップリン
グタイプのものを採用してもよい。

【００４０】なお、以下に詳細に説明するが、センサヘ
ッドに搭載されるコイルには、高周波交流発生回路から
高周波電力（例えば、数百ｋＨｚ領域）が供給されるの
で、軸芯としてフェライト等を使用すると、温度ドリフ
トの影響を受けて高精度な測定を安定して行うことが困
難となる場合もある。よって、このような問題を招来し
ないコアレスタイプのコイルを採用することがより好ま
しい。

【００４１】一方、コアレスタイプのコイルを使用する
場合には、磁束の収束効率が不十分となる虞もある。こ
の場合には、コイルの材料としてリッツ線等を採用し、
シート抵抗値と相関がとれるレベルの大きさの渦電流を
薄膜に発生させればよく、より安定した渦電流損分の検
出が可能となる。

【００４２】図１（ａ）は、本実施の形態にかかる成膜
基板の生産管理システムの概略構成を示すものである。
ここでは成膜基板として、ガラス基板上にゲート膜（ゲ
ートパターンを含む）やソース膜などの金属薄膜（合金
薄膜を含む）が形成されてなる液晶パネル基板を製造す
る場合を例に挙げて説明を行う。

【００４３】この生産管理システムは、成膜基板の製造
に関わる各工程を管理する複数のセルコンピュータ３３
・３３ａと、これらセルコンピュータ３３・３３ａそれ
ぞれと相互通信可能であり、該セルコンピュータ３３・
３３ａの制御を介して成膜基板の製造工程全体を一括管
理するホストコンピュータ３２とを備えてなる、いわゆ
るＣＩＭ（Computer Integrated Manufacturing)システ
ムを構築してなるものである。

【００４４】上記生産管理システムにおいて、成膜基板
の製造に関わる各工程には、ガラス基板１２上に金属薄
膜１２ａを形成する成膜工程や、該金属薄膜１２ａをパ
ターニングするためのフォト工程（露光工程）、露光後
の現像工程などの様々な工程が含まれ、上記ホストコン
ピュータ３２は、各セルコンピュータ３３・３３ａを介
して各工程の実施状況などの情報が入力されるととも
に、この入力情報に基づいて、各セルコンピュータ３３
・３３ａに担当工程を制御するための情報を出力するよ
うになっている。

【００４５】なお、本発明にかかる生産管理システム
は、成膜基板の製造工程のうち、特に成膜工程の管理に
特徴を有するものであるため、図１（ａ）ではセルコン
ピュータを、成膜工程制御用のセルコンピュータ３３
と、その他の製造工程を制御するためのセルコンピュー
タ３３ａとに大別して示している。すなわち、セルコン
ピュータ３３ａは実際には複数設けられ、それぞれホス
トコンピュータ３２を介して、フォト装置や現像装置な
どの製造装置５１の動作を管理するようになっている。

【００４６】また、成膜工程制御用のセルコンピュータ
３３には、例えばＮ個のスパッタリング装置３４…が接
続されており、これらスパッタリング装置３４…はそれ
ぞれ、セルコンピュータ３３との間で相互通信が可能と
なっている。なお、Ｎ個のスパッタリング装置３４…
は、ゲート膜形成用のスパッタリング装置３４とソース
膜形成用のスパッタリング装置３４との２種類に分類さ
れるが、各種類毎に応じてセルコンピュータ３３を設け
てもよい。

【００４７】なお、上記スパッタリング装置３４は、ガ
ラス基板１２の上面に、ゲート膜（ゲートパターンを含
む）やソース膜（ソースパターンを含む）などの金属薄
膜（合金薄膜を含む）１２ａを形成する成膜手段であ
る。なお、いうまでもないが、スパッタリング装置３４
に代えて、蒸着法（例えばＣＶＤ法）などにより薄膜を
形成する装置を成膜手段として採用してもよい。

【００４８】本実施の形態にかかる成膜基板の生産管理
システムでは、ガラス基板１２上に形成された金属薄膜
１２ａのシート抵抗の測定は、ゲートバルブを介してス
パッタリング装置３４の後段側に設けられるロードロッ
ク室（図示せず）より下流の工程内に組み込まれて（す
なわちインラインで）行われることがより好ましい。ス
パッタリング装置３４内や上記ロードロック室内などで
は、金属薄膜１２ａやガラス基板１２は成膜直後の高温
状態にあるので、該金属薄膜１２ａのシート抵抗自体が
安定しておらず、またシート抵抗測定器のコイル部が熱
膨張するなど、シート抵抗の正確な測定を妨げる要因が
多いためである。加えて、上記ロードロック室内にシー
ト抵抗測定器を設ける場合、そのメンテナンス性は悪
く、作業効率を低下させる虞が大きい。

【００４９】一方、金属薄膜１２ａの形成を担当したス
パッタリング装置３４から、あまりに下流側の位置でシ
ート抵抗の測定を行えば、得られた測定結果を当該スパ
ッタリング装置３４にフィードバックして成膜工程の動
作制御を行う際に、適切な制御情報を供給できない虞も
ある。そこで、本実施の形態では、スパッタ成膜工程の
次工程であるフォト工程（露光工程）にて、金属薄膜１
２ａのシート抵抗を測定するようになっている。

【００５０】成膜後のガラス基板１２を、スパッタ成膜
工程からフォト工程へと搬送するための搬送手段は特に
限定されるものではないが、本実施の形態ではロボット
ハンド１１を採用している。ロボットハンド１１は、ガ
ラス基板１２の下面を支持する略Ｕ字型のハンド部を有
してなり、いずれかのスパッタリング装置３４から、フ
ォト工程（露光工程）を担当する露光装置内に、金属薄
膜１２ａが形成されたガラス基板１２を搬送する。

【００５１】露光装置内には、直方体箱形状のステージ
４３が設けられており、その上面には、基板検出センサ
４１、垂直に立設された６本の円柱状基板受け４４…、
並びにシート抵抗測定器のセンサヘッド（コイル部）２
１が設けられている。

【００５２】上記円柱状基板受け４４は、ステージ４３
上面の対向する辺に沿って３本ずつ配されており、ロボ
ットハンド１１により搬入されるガラス基板１２を、金
属薄膜１２ａが形成された面を上面として、略水平に支
持するものである。一方、シート抵抗測定器のセンサヘ
ッド２１は、ステージ４３上面のほぼ中央部に取り付け
られており、また、その高さは円柱状基板受け４４の長
さより小さくなっている。よって、ガラス基板１２が円
柱状基板受け４４…上に載置された状態では、該ガラス
基板１２とセンサヘッド２１とは、互いに接触すること
なく（所定の測定高をおいて）対向している。

【００５３】本実施の形態におけるシート抵抗測定器
（シート抵抗測定手段）は、上記センサヘッド２１、セ
ンサアンプ２３、電源ユニット２５、並びに制御・演算
用コンピュータ２６とを含んで構成されている。なお、
電源ユニット２５は、センサアンプ２３と制御・演算用
コンピュータ２６との間での情報の入出力に関与するＩ
／Ｏ（Input/Output）ユニット２５ｂ、並びにセンサア
ンプ用電源２５ａを含んで構成されている。以下、上記
シート抵抗測定器の動作について、図１（ａ）・（ｂ）
を参照しながら説明を行う。

【００５４】金属薄膜１２ａが形成されたガラス基板１
２がステージ４３上に載置されると、これを基板検出セ
ンサ４１が感知し、ケーブル５２を介して装置コンピュ
ータ４２に基板検知信号を供給する。基板検知信号が入
力されると、装置コンピュータ４２は、通信ケーブル３
１を介して、シート抵抗測定器の機種データ、及び測定
指令をシート抵抗測定器側（より具体的には制御・演算
用コンピュータ２６）に出力する。

【００５５】制御・演算用コンピュータ２６が測定指令
を受けると、電源ユニット２５内のセンサアンプ用電源
２５ａからセンサアンプ２３に対し、交流電力の供給が
開始される。センサアンプ２３内には、センサヘッド２
１のコイルに高周波電力を供給する高周波交流発振回路
（図示せず）が設けられており、該センサヘッド２１
は、磁界２１ａをガラス基板１２に向かって、つまり、
磁界２１ａの磁力線の中心線が、金属薄膜１２ａに対し
て直交するように発生させる。

【００５６】この結果、上記金属薄膜１２ａ内に渦電流
が生じる。発生した渦電流はジュール熱となって消費さ
れるため電力の損失（渦電流損：eddy current loss)が
生じるが、センサヘッド２１のコイルの渦電流損に応じ
た磁界の変化量は、該コイルに供給された高周波電力
と、該コイルから戻った高周波電力との差としてセンサ
ヘッド２１が取得し、検出信号（信号電圧）としてセン
サアンプ２３に出力される。

【００５７】なお、発生する渦電流の大きさは、シート
抵抗値の測定の対象となる金属薄膜１２ａとセンサヘッ
ド２１との距離、センサヘッド２１の大きさ、金属薄膜
１２ａの材質や厚さ等により決定されるので、この渦電
流の大きさに相関して検出される高周波電力の検出値が
変化する。また、金属薄膜１２ａに渦電流を形成する方
法は特に限定されるものではなく、金属薄膜１２ａと、
それに鎖交する磁束（すなわち磁界）との関係を変化さ
せて、電磁誘導作用を導けばよい。

【００５８】上記高周波電力の変化は、上記高周波交流
発振回路から変調波として検波回路（図示せず）に入力
され、該検波回路にて上記変調波から信号波を分離す
る。この信号波はセンサアンプ２３により増幅され、直
流電圧値に変換された後に、図１（ａ）に示すように、
ケーブル２４、Ｉ／Ｏユニット２５ｂを順に介して、ア
ナログ入力カード（Ａ／Ｄ変換器）２５ｃに電圧信号と
して出力される。

【００５９】上記アナログ入力カード２５ｃは、センサ
アンプ２３からの電圧値（アナログ信号）をデジタル信
号に変換し、このデジタル信号（Ａ／Ｄ変換値）を、制
御・演算用コンピュータ（制御部）２６に出力する。

【００６０】制御・演算用コンピュータ２６は、アナロ
グ入力カード２５ｃからのデジタル信号に基づいて金属
薄膜１２ａのシート抵抗値を算出すると共に、このシー
ト抵抗値をメモリに保存する。また、制御・演算用コン
ピュータ２６には、金属薄膜１２ａのシート抵抗値を表
示するモニタ２６ａが設けられている。すなわち、制御
・演算用コンピュータ２６のモニタ２６ａをモニタリン
グするだけで、監視者は金属薄膜１２ａのシート抵抗値
の異常を見いだすことができる。

【００６１】上記制御・演算用コンピュータ２６におい
て、アナログ入力カード２５ｃからのデジタル信号に基
づいてシート抵抗値を算出する際には、例えば、金属薄
膜１２ａの成膜条件に応じて算出している４探針値との
相関から求めたシート抵抗相関線に基づき、検出された
電圧変化をシート抵抗値に変換すればよい。なお、シー
ト抵抗値に変換する方法の具体例については後述する。

【００６２】また、制御・演算用コンピュータ２６は、
算出したシート抵抗値（算出データ）を装置コンピュー
タ４２側に出力するようになっているとともに、所望さ
れるシート抵抗値を基準値として記憶しており、基準値
の範囲外のシート抵抗値が検出された場合には、算出デ
ータと合わせてエラーアラームを装置コンピュータ４２
側に返答するようになっている。つまり、制御・演算用
コンピュータ２６は、１）渦電流損に応じた磁界の変化
量から薄膜（金属薄膜１２ａ）のシート抵抗を算出する
シート抵抗算出手段と、２）算出されたシート抵抗と基
準値との比較に基づき成膜工程の良否判定を行う判定手
段との双方を兼ねるものである。

【００６３】上記のように、装置コンピュータ４２にエ
ラーアラームが入力された場合（すなわち管理値を超え
ている場合）には、露光装置上にて警報を発生し、さら
に図示しないＣＩＭモニタ（例えば、ホストコンピュー
タ３２のモニタ）上にアラーム表示をするようになって
いる。

【００６４】また、装置コンピュータ４２へ送られた算
出データは、金属薄膜１２ａの成膜情報（プロセスデー
タ）とセットにしてガラス基板１２毎の測定データとさ
れ、各金属薄膜１２ａのシート抵抗測定の完了報告とと
もに、ホストコンピュータ３２へ即座に転送される。

【００６５】そして、ホストコンピュータ３２において
も、測定されたガラス基板１２のＩＤナンバーと対応さ
せて、上記測定データ（プロセスデータ＋算出データ）
を保存し、スペック管理（良否判定）を実施する。すな
わち、ホストコンピュータ３２自体も、成膜工程の良否
判定を行う判定手段として機能している。なお、場合に
よっては、制御・演算用コンピュータ２６の判定手段と
しての機能をホストコンピュータ３２に内蔵させ、スペ
ック管理を行わせるようにしてもよい。

【００６６】ホストコンピュータ３２は、スペック管理
の結果、成膜後のガラス基板１２が不良品であると判明
すれば、装置コンピュータ４２に不良品ロットアウトの
指令を返答する。この場合、不良品はロボットハンド１
１により製造ライン外にロットアウトされる。

【００６７】また、ホストコンピュータ３２は、セルコ
ンピュータ３３を介してスパッタリング装置３４へ紐付
けされており、金属薄膜１２ａのシート抵抗値がスペッ
クオーバーと判定されると、該金属薄膜１２ａを成膜し
たスパッタリング装置３４へ成膜異常アラーム（エラー
アラーム）を発生（送信）するようになっている。この
成膜異常アラームは、スパッタリング装置３４の動作制
御用の信号であるが、該スパッタリング装置３４の実際
の動作制御は、作業者が直接行ってもよいし、セルコン
ピュータ３３を介してホストコンピュータ３２が行って
もよい（自動制御）。なお、各スパッタリング装置３４
の動作情報は、セルコンピュータ３３を介してホストコ
ンピュータ３２へ常時送信されている。

【００６８】なお、本実施の形態にかかる成膜基板の生
産管理システムでは、金属薄膜１２ａが形成されたガラ
ス基板１２の所定枚数毎に抜き取り検査を行ってもよい
が、成膜工程における突発異常などを看過する虞をなく
し、歩留りをさらに向上させるため全数検査を行うこと
がより好ましい。

【００６９】すでに説明した通り、図１３に示す４探針
法などを採用した測定装置では、測定時に被測定体（金
属薄膜が形成されたガラス基板など）を長期間停止させ
る必要があるなどの理由で全数検査が困難であり、被測
定体の抜き取り検査を余儀なくされていた。しかし、本
実施の形態で採用した片側式の渦電流式シート抵抗測定
器は、シート抵抗の測定を被測定体に非接触で行えるの
で、実質的に被測定体を停止させる必要がなく、全数検
査を行ったとしても装置スループットの低下を招来する
虞がない。また、比較的小型であるので、製造工程への
組み込み（インライン化）が容易である。

【００７０】また、上記４探針法を採用した従来の測定
装置では、ソース成膜後のように、導電性の下地（ゲー
トパターンなど）上に、導電性の膜（ソース膜）が積層
されてなる場合の膜質管理は、実質的に不可能であっ
た。これは、ゲートパターンとソース膜との間に絶縁膜
などが配されるので、得られるシート抵抗はソース膜の
シート抵抗に加えて、ゲートパターンのシート抵抗が不
完全に反映された値となるためである。

【００７１】そのため、従来の液晶パネル基板の製造工
程では、シート抵抗や膜厚の検査などの品質制御工程
は、オフラインでおこなわれている。特にソース膜に関
しては、上記したゲートパターンの影響があるため、素
ガラス上に直接ダミー成膜した後の抜き取り検査でのみ
管理が可能となっており、工程不良に対する迅速な対応
が行われにくい。しかし、液晶パネルの表示特性の安定
化、および信頼性向上を実現するためには、ゲート膜
（ゲートパターン）のみならず、ソース膜（ソースパタ
ーン）に関しても全数検査が実行可能であることが望ま
しい。

【００７２】以下に詳細に説明するが、本実施の形態に
かかるシステムでは、液晶パネル基板のゲート単膜だけ
でなく、下地にゲートパターンがあるソース膜をも対象
としてシート抵抗（またはシート抵抗値）を測定し、成
膜基板の全数検査、管理、並びに各成膜条件の制御を可
能とする。

【００７３】以下、図１（ａ）、図４ないし図６を参照
しながら、本実施の形態にかかる成膜基板の生産管理シ
ステム（薄膜の膜質管理システム）のシート抵抗測定動
作について、より詳細に説明を行う。

【００７４】本実施の形態におけるシート抵抗（または
シート抵抗値）算出の原理は、センサヘッド２１が取得
した磁界の変化量と、４探針法などの接触法にて得られ
たシート抵抗（実測シート抵抗と称する）との相関曲線
の近似式をもとめ、該近似式を用いて磁界の変化量を対
応するシート抵抗に変換するものである。

【００７５】例えば、異なるガラス基板１２上に、同一
材料からなる金属薄膜１２ａを厚みだけを段階的に変え
て成膜し、互いに厚みの異なる金属薄膜１２ａを備えた
複数のガラス基板１２…をサンプルとして用意する。異
なるガラス基板１２上の金属薄膜１２ａは厚みが違って
いるので、４探針法（図１３参照）などの接触法にて同
一条件でシート抵抗を測定すると、厚みに応じた異なる
値が測定される。また、図１（ａ）に示すセンサヘッド
２１からこのサンプルそれぞれに磁界の磁力線を照射し
て、渦電流損に応じた磁界の変化量をセンサ検出電圧Δ
Ｖとして取得すると、やはり金属薄膜１２ａの厚みに応
じた異なる値が測定される。

【００７６】次いで、同一サンプルにて得られた、４探
針法でのシート抵抗（４探針値と称する）と、センサ検
出電圧ΔＶとの関係をそれぞれプロットし、両者の相関
関係図（図４など参照）を作成する。なお、４探針値と
センサ検出電圧ΔＶとの相関曲線は、所定の対数関数で
近似される。したがって、センサヘッド２１により上記
センサ検出電圧ΔＶを測定すれば、この値を対数関数に
代入し、対応する４探針値（シート抵抗）や金属薄膜１
２ａの膜厚を算出することができる。

【００７７】なお、金属薄膜１２ａの良否判定は、具体
的には次のように行えばよい。例えば、膜厚３００Åの
ＴｉＮ膜と、膜厚１５００ÅのＡｌ膜との積層膜をガラ
ス基板１２上に成膜する工程において、ほぼ完全に設定
通りの積層膜が得られた場合、そのシート抵抗（基準
値）は約０．２１５（Ω／□）となる。そこで、この基
準値から所定幅のマージン（例えば±１０％）を設定
し、この範囲内のシート抵抗を有する金属薄膜１２ａが
形成されていれば「良」、この範囲外のシート抵抗を有
する金属薄膜１２ａが形成されていれば「否」と判定す
る。

【００７８】また、いうまでもないが、４探針値とセン
サ検出電圧ΔＶとの相関曲線は、金属薄膜１２ａの材質
や層構造（多層の場合）、並びにセンサヘッド２１の動
作条件などにより異なってくる。よって、製造段階の異
なる成膜基板を対象としたシート抵抗の算出や、異なる
センサヘッドを用いてシート抵抗を算出する場合には、
別個に相関曲線をもとめる必要がある。

【００７９】本実施の形態では成膜基板として液晶パネ
ル基板を例に挙げているので、シート抵抗の測定対象で
ある金属薄膜１２ａとしては、１）ゲート単膜（ゲート
パターンであってもよい）、もしくは、２）ゲートパタ
ーン上に、絶縁膜を介してソース膜が形成された積層
体、のいずれかが挙げられる。なお、１）のように測定
対象がゲート単膜の場合には、上記説明したシート抵抗
測定原理をそのまま転用可能なので説明を省略し、以
下、特に２）の場合に関して、シート抵抗の算出法を、
より具体的に説明する。

【００８０】（ゲートパターンとソース膜との積層体の
暫定シート抵抗の算出法）この方法は、ゲートパターン
上に、絶縁膜を介してソース膜（パターニング前のも
の）が形成されてなる積層体を対象として、該積層体全
体の暫定シート抵抗を算出するものである。

【００８１】図１（ａ）に示すガラス基板１２上には、
金属薄膜１２ａとして、ゲートパターンとソース膜とが
絶縁膜を介して積層されてなる積層体が形成されてい
る。センサヘッド２１はこの積層体に対して磁界の磁力
線を照射し、複数の導電性の薄膜（ゲートパターン＋ソ
ース膜）において発生する渦電流損に応じた磁界の変化
量を、センサ検出電圧ΔＶとして取得する。

【００８２】そして、制御・演算用コンピュータ（シー
ト抵抗測定手段の一構成）２６は、得られた磁界の変化
量（すなわちセンサ検出電圧ΔＶ）と、上記複数の導電
性の薄膜のうち最上層に位置する薄膜（ソース膜）のみ
を同一条件でガラス基板（ガラス基板１２と同じ規格の
もの）上に成膜してなる成膜基板の実測シート抵抗との
相関関係から、上記暫定シート抵抗を算出するようにな
っている。なお、ここで実測シート抵抗とは、４探針法
にて測定したシート抵抗（４探針値）を指しており、ソ
ース膜の成膜条件毎に予めもとめて、制御・演算用コン
ピュータ２６内に格納しておく。

【００８３】以下、図４を参照しながら、上記算出法を
９面取りの液晶パネル基板を製造する際に利用した具体
例につき説明を行う。はじめに、複数のガラス基板上に
ゲート単膜（例えば、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ、膜厚は順
に、１０００Å／２０００Å／３００Å）を形成し、次
いで、該ゲート単膜をエッチング法などでパターニング
してゲートパターンを形成する。続いて、ゲートパター
ン上に絶縁膜などを形成し、さらにソース膜（例えば、
ＴｉＮ／Ａｌ）を形成する。

【００８４】ソース膜をなすＡｌ膜を成膜する際には、
ガラス基板毎に膜厚を段階的（例えば±５％毎）に振り
分けて、Ａｌ膜の厚さが異なる複数のサンプルＡを作製
する。また、上記ソース膜をなすＴｉＮと同一膜が形成
された複数のガラス基板（素ガラス）上に、サンプルＡ
の作成時と同条件で膜厚を振り分けてＡｌ膜を形成し、
Ａｌ膜の厚さが異なる複数のサンプルＢを作製する。な
お、図４では、サンプルＡをゲートパターン付サンプル
と、また、サンプルＢを（ソース）単膜サンプルとして
説明している。

【００８５】そして、サンプルＢを、図１（ａ）に示す
センサヘッド２１と４探針法とで測定し、得られたセン
サ検出電圧ΔＶと４探針値との相関関係を上記方法でプ
ロットする（図４中、◆で示す）。一方、サンプルＡに
関しては、センサヘッド２１のみで測定を行い、各サン
プル毎に得られたセンサ検査電圧ΔＶを、同一Ａｌ膜厚
に形成されたサンプルＢの４探針値と対応させてプロッ
トする（図４中、■で示す）。

【００８６】もちろん、図４に示す■のプロットは、サ
ンプルＡの正確なシート抵抗を与えるものではないが、
◆のプロットと所定の相関関係を有していることは図面
より明らかであり、多層膜状の導電性薄膜（ゲートパタ
ーン＋ソース膜）の暫定シート抵抗として使用可能であ
る。また、該プロットの近似式をソース膜の全数管理を
実施する際の補正曲線（図４に示す）として使用でき
る。

【００８７】なお、この方法は、下層にゲートパターン
があるソース成膜後に関しては、該パターンはパターン
形成前のゲート単膜時に全数検査していることより、ソ
ース成膜工程迄達しているということは、良品と見なす
ことができることを利用して、ソース成膜後に管理値を
超えた場合、該異常はソース成膜異常と見なすものであ
る。

【００８８】換言すれば、センサヘッド２１における、
ゲートパターン由来の渦電流損失量は該パターン形成前
の８〜１０％程度であり、ほぼ一定であることを利用す
る（図６（ａ）（ｂ）参照）。そして、上記サンプルＡ
のシート抵抗を、多層構造になっているソース成膜後の
全体の暫定シート抵抗値として管理することで、ゲート
単膜だけでなくソース成膜後の突発異常検出を可能とし
ている。

【００８９】（上記積層体のソース膜のみのシート抵抗
の算出法）この方法は、ゲートパターン上に、絶縁膜を
介してソース膜（パターニング前のもの）が形成されて
なる積層体を対象として、ソース膜のみの正確なシート
抵抗を算出するものである。

【００９０】図１（ａ）に示すガラス基板１２上には、
金属薄膜１２ａとして、ゲートパターンとソース膜とが
絶縁膜を介して積層されてなる積層体が形成されてい
る。センサヘッド２１はこの積層体に対して磁界の磁力
線を照射し、複数の導電性の薄膜（ゲートパターン＋ソ
ース膜）において発生する渦電流損に応じた磁界の変化
量を、センサ検出電圧ΔＶとして取得する。

【００９１】得られたセンサ検出電圧ΔＶには、ソース
膜のシート抵抗に加えて、ゲートパターンの影響が反映
されているので、制御・演算用コンピュータ（シート抵
抗測定手段の一構成）２６は、最上層に位置する薄膜
（ソース膜）を除く導電性の薄膜（ゲートパターン）
が、上記磁界の変化量（すなわちセンサ検出電圧ΔＶ）
に与える影響を補正して、該磁界の変化量からソース膜
のみのシート抵抗を算出する。以下、その方法の一例に
ついて、より具体的に説明する。

【００９２】図６（ａ）〜（ｃ）は、６面取りの液晶パ
ネル基板を製造する際に、ゲートパターンがシート抵抗
に与える影響を説明する図面である。

【００９３】図６（ａ）は、素ガラスにＴｉＮ／Ａｌ膜
（膜厚、３００Å／１５００Å：以下のソース単膜と同
一膜）を形成した成膜基板１０サンプルにつき得られ
た、４探針値とセンサ検出電圧ΔＶとの相関関係を表し
ている。なお、ここで得られたセンサ検出電圧の平均値
をΔＶ_AVとする。図６（ｂ）は、素ガラス基板上に、ゲ
ートパターン、絶縁膜、ソース単膜（ＴｉＮ／Ａｌ：膜
厚、３００Å／１５００Å）を順に形成した液晶パネル
基板の中央位置（図６（ｃ）のセンサ測定箇所）に対向
してセンサヘッド２１を配し、得られた磁界の変化量
（センサ検出電圧ΔＶ）を２０サンプルで取得した結果
を表している。なお、該図では、ゲートパターンの存在
が渦電流損失量に与える影響を明確化するため、各セン
サ検出電圧ΔＶを上記平均値ΔＶ_AVを基準として表し
た。

【００９４】図６（ａ）（ｂ）のデータを比較すれば、
ゲートパターンの有無によるセンサ検出電圧ΔＶの変
動、すなわちセンサヘッド２１が取得する渦電流損失量
にゲートパターンが与える影響、を評価できる。この影
響は、上記平均値ΔＶ_AVの８〜１０％程度であり、ばら
つきが少なく、ほぼ一定である（図６（ｂ）に示す「単
膜に対しての割合」参照）。そして、この現象を利用す
れば、４探針法では困難である、ゲートパターン付きの
ソース膜のシート抵抗が測定可能となる。

【００９５】以下、図５を参照しながら、上記算出法を
６面取りの液晶パネル基板を製造する際に利用した具体
例につき説明を行う。はじめに、複数のガラス基板上に
ゲート単膜（例えば、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ、膜厚は順
に、１０００Å／２０００Å／３００Å）を形成し、次
いで、該ゲート単膜をエッチング法などでパターニング
してゲートパターンを形成する。続いて、ゲートパター
ン上に絶縁膜などを形成し、さらにソース膜（例えば、
ＴｉＮ／Ａｌ）を形成する。

【００９６】ソース膜をなすＡｌ膜を成膜する際には、
ガラス基板毎に膜厚を段階的（例えば±５％毎）に振り
分けて、Ａｌ膜の厚さが異なる複数のサンプルＡを作製
する。そして、サンプルＡを、図１（ａ）に示すセンサ
ヘッド２１と４探針法とで測定し、得られたセンサ検出
電圧ΔＶと４探針値との相関関係を上記方法でプロット
する（図中、■で表す）。

【００９７】サンプルＡのシート抵抗を４探針法で測定
して得られた４探針値は、ソース膜のシート抵抗に加え
て、ゲートパターンのシート抵抗が不完全に反映された
値となり、そのままでは利用が困難である。そこで、図
６（ａ）（ｂ）にて説明したように、渦電流損失量にゲ
ートパターンが与える影響は、ソース単膜のシート抵抗
の平均値ΔＶ_AVの８〜１０％程度であることを利用した
補正を行う。

【００９８】例えば、渦電流損失量にゲートパターンが
与える影響を上記平均値ΔＶ_AVの１０％程度と見積もっ
た場合には、その影響はおおよそ０．０５Ｖ程度と見積
もられるので（図６（ｂ）参照）、図５に■で示す各プ
ロットを、下方（ｙ軸方向）に０．０５Ｖ分ずつ平行移
動させる補正を行う。この補正による新たなプロット
（図中、▲で示す）はそれぞれ上記平均値ΔＶ_AVに相当
し、ソース単膜のみのほぼ正確なシート抵抗を表すこと
になる。

【００９９】つまり、この方法は、測定箇所のゲートパ
ターンの影響度をあらかじめ測定しておき、該影響度を
補正することで、ソース膜のみのシート抵抗を算出し
て、その膜質の正確な全数管理を可能とする。これによ
り、ゲート単膜だけでなくソース成膜後の突発異常検出
が可能となる。なお、上記方法では、同一工程で製造さ
れた成膜基板（ゲートパターン＋ソース膜を有する基
板）におけるゲートパターンの影響をほぼ一定とみなし
ているが、この理由は、ゲートパターンのシート抵抗自
体はゲート膜の状態で既に測定し、この測定結果が一定
の基準を満たしている良品のみがソース膜形成工程に搬
送されるという前提に基づくためである。

【０１００】なお、上記説明のように、ゲートパターン
を下地として有するソース成膜基板では、暫定シート抵
抗（センサヘッド２１が取得する全渦電流損失分に相
当）に与えるゲートパターンの影響は一般に、ソース単
膜のシート抵抗の８〜１０％程度であると考えられる。

【０１０１】通常の測定では、センサヘッド２１に内蔵
されたコイルの測定用駆動周波数として、図７に示すコ
イル共振特性において、ピークを与える駆動周波数ｆ０
より３〜１０％高い駆動周波数ｆ１を選定する。この理
由は、導電性の薄膜で生じた渦電流損は、センサヘッド
２１の駆動周波数を高めるように作用し、その結果生じ
る出力電圧（Ｖ）の変化をセンサ検出電圧ΔＶとして利
用するので、図７に示すコイル共振特性の電圧変化量
（傾斜）がより大きな領域（単膜検出域として図示）を
利用する方が好ましいためである。

【０１０２】一方、ゲートパターンの下地とソース膜と
を有する成膜基板において、ソース膜のみのシート抵抗
を測定しようとする場合には、ピークを与える駆動周波
数ｆ０を挟んでｆ１と対称位置にある駆動周波数ｆ２
を、コイルの測定用駆動周波数として選定することがよ
り好ましい。つまり、ピークを与える駆動周波数ｆ０よ
り３〜１０％低い駆動周波数ｆ２を選定することがより
好ましい。

【０１０３】上記の駆動周波数ｆ２を測定用駆動周波数
とすれば、ゲートパターンが与える影響をピーク周辺に
とどめ、感度良好域である駆動周波数ｆ１近傍にてソー
ス膜のシート抵抗測定が可能となる。さらに、例えば、
ゲートパターンの存在により駆動周波数がｆ２からｆ１
まで変化すると仮定すれば、これに対応した出力電圧
（Ｖ）の変化は実質０（Ｖ₀−Ｖ₀）であり、上記ゲー
トパターンの影響をほぼ０とみなすことが可能となる。
このように駆動周波数を選定すれば、ゲートパターン付
きのソース膜の渦電流損失（ΔＶ＝Ｖ₁−Ｖ₀）は殆ど
ソース膜に起因するものと見なすことができ、高精度な
ソース膜のシート抵抗測定を可能とし、ゲート単膜だけ
でなくソース成膜後の突発異常の検出が可能となる。

【０１０４】（センサヘッドの検出平均値から膜質管理
を可能とするシステム）上記の説明したシステムでは、
設定通りに成膜工程を行って得たサンプルのシート抵抗
を４探針法で予め測定し、この値（４探針値）を格納し
て薄膜品質の良否判定に使用していた。しかし、図１
（ａ）に示すシステムの仕様をほぼ変更することなく、
また、上記サンプルの作成を要することなく膜質管理を
行うことも可能である。以下、より具体的に説明を行
う。

【０１０５】このシステムでは、図１（ａ）に示す制御
・演算用コンピュータ２６には、４探針値が格納されて
いる必要が特になく、渦電流損失を受けてセンサヘッド
２１にて検出されるセンサ検出電圧ΔＶを、金属薄膜１
２ａのシート抵抗に換算する動作も特に行う必要がな
い。

【０１０６】例えば、ガラス基板１２上にゲートパター
ンの下地とソース膜とが形成されてなる複数の成膜基板
（同一ラインで製造されるもの）に対し、センサヘッド
２１を用いて連続的にセンサ検出電圧ΔＶを取得する場
合、これら成膜基板は同一工程を経ているので、ほぼ同
一のセンサ検出電圧ΔＶを示すことが期待される。

【０１０７】そこで、成膜基板のセンサ検出電圧ΔＶを
取得する毎に、これまでに取得したセンサ検出電圧ΔＶ
（渦電流損に応じた磁界の変化量に相当）の平均値を算
出し、この平均値を基準値として、各成膜基板で得られ
たセンサ検出電圧ΔＶが正常であるか異常であるか、す
なわち成膜工程が正常に行われたか否かを判定する。ま
た、各センサ検出電圧ΔＶが正常であるか否かの判定基
準は、成膜基板の用途などに応じて設定すればよいが、
通常、センサ検出電圧ΔＶの平均値を基準値として±４
０％の範囲内におさまっていれば正常と判定してよく、
より厳密さを求められる場合には、該平均値を基準値と
して±２０％の範囲内におさまっていればよい。

【０１０８】なお、このシステムでは、センサヘッド２
１、センサアンプ２３、電源ユニット２５、並びに制御
・演算用コンピュータ２６は、少なくとも、ガラス基板
１２上に形成された導電性の薄膜の片面側に対し磁界の
磁力線を照射して、発生した渦電流損に応じた磁界の変
化量を取得する変化量取得手段として機能していればよ
い。また、場合によっては、磁界の変化量からシート抵
抗を算出可能なように、両者の相関関係データ（図４、
図５参照）を格納していてもよい。

【０１０９】この場合、算出したシート抵抗の平均値も
良否判定の基準値として使用できるが、センサ検出電圧
ΔＶの平均値を使用する場合と同様に、通常、シート抵
抗の平均値を基準値として±４０％の範囲内におさまっ
ていれば正常と判定してよく、より厳密さを求められる
場合には、該平均値を基準値として±２０％の範囲内に
おさまっていればよい。

【０１１０】なお、このシステムにおいて制御・演算用
コンピュータ２６は、１）変化量取得手段が導電性の薄
膜が形成された異なる基板毎に取得した磁界の変化量か
ら、その平均値を算出する平均化手段と、２）磁界の変
化量の平均値と、各基板上に形成された導電性の薄膜に
起因する磁界の変化量との比較に基づき、成膜工程の良
否判定を行う判定手段と、の双方を兼ねている。

【０１１１】以上のように、本発明にかかるシステム
は、金属や合金の薄膜形成後の膜質管理において、磁界
を発生するセンサヘッドを備え、該センサヘッドに対向
して上記基板の一方向にのみ所定の距離で配置されたと
き、該センサヘッドにより発生した磁界の変化量を、基
板上に形成された上記薄膜のシート抵抗として検出する
シート抵抗測定器を、装置ロードロック室以降の工程に
て用い、該薄膜のシート抵抗を膜質の管理基準として一
部または全数検査し、成膜結果を直ちにＣＩＭシステム
に出力し、異常値の場合、即確認・処理を行うシステム
を設けた薄膜の膜質管理システムである。

【０１１２】また、上記シート抵抗測定器の駆動周波数
は、センサ用コイルの共振特性のピークより３〜１０％
低い値を適用することがより好ましい。

【０１１３】上記薄膜の膜質管理システムはさらに、薄
膜が金属や合金の多層構造膜（ＴＦＴ液晶でいうゲート
パターン＋ソース単膜）であっても、該多層構造の暫定
シート抵抗値算出用の補正曲線を算出し、該算出値を多
層構造薄膜の基準値とすることにより、薄膜の膜質管理
を可能としたものであることがより好ましい。

【０１１４】加えて、測定器測定箇所の下層部（以下、
ゲートパターン）の影響をあらかじめ測定し、測定機種
毎に補正曲線を算出し、正確な上層部（以下、ソース）
のシート抵抗測定及び膜質検査を可能としたものである
ことがより好ましい。

【０１１５】また、上記のように、ゲートパターンの下
地とソース単膜とが形成されてなる基板を測定対象とす
る場合には、シート抵抗測定器の駆動周波数は、センサ
用コイルの共振特性のピークより３〜１０‰低い値を選
定することがより好ましい。この値を選定すれば、ソー
ス単膜のシート抵抗検出精度をより向上させることが可
能となる。

【０１１６】上記のシステムはまた、シート抵抗算出用
の補正曲線が算出できない場合（サンプル作成の時間が
とれない場合など）に、単膜だけでなく、多層構造膜の
場合でも測定値を基準値とすることにより、測定平均値
の±２０〜４０％を上下限管理値と設定して、ソースの
膜質管理を可能としたものであってもよい。この構成に
よれば、ゲート等の単膜だけでなく、ゲートパターン等
の下地膜があるソース等の成膜後の場合でも、測定値を
基準として膜質をトレンド管理できて、ゲート単膜だけ
でなくソース成膜後の突発異常検出が可能となる。

【０１１７】また、本発明にかかるシステムでは、シー
ト抵抗測定器の測定箇所のゲートパターンの影響をあら
かじめ測定し、該影響度を補正することにより、ソース
のシート抵抗測定及び膜質検査を可能とすることもでき
る。この構成では、ゲート等の金属単膜だけでなく、ゲ
ートパターン等の下地膜があるソース等の成膜後の場合
でも、測定値を基準とする膜質のトレンド管理を行っ
て、ゲート単膜だけでなくソース成膜後の突発異常検出
が可能となる。

【０１１８】このように、本発明の薄膜の膜質管理シス
テム（成膜基板の生産管理システム）を採用すれば、作
業効率が大幅に上がり、金属膜の歩留まり向上及びスル
ープットの向上が達成可能となる。また、薄膜形成工程
での突発的な異常や、経時的変化をモニタリングし、把
握することにより、金属膜に対して傷・破損を与えるこ
となく、シート抵抗を測定可能となる。

【０１１９】さらに、Ａ１、Ｔａ等の低抵抗膜から、透
明電極であるＩＴＯ等の高抵抗膜、さらには、ソース等
の下地にゲートパターン等がある場合などの多層構造の
膜質管理をもインラインで容易に行うことができ、成膜
基板の抜き取り検査または全数検査が容易となる。ま
た、シート抵抗や膜厚の高精度なインライン検査システ
ムが確立され、成膜工程不良に対する迅速な対応が行わ
れるようになるので、薄膜の特性安定化、及び、信頼性
向上につながる。以下、実施例により、本発明にかかる
システムの有用性につき説明を行う。

【０１２０】

【実施例】〔実施例１〕図８は、センサヘッドに搭載さ
れたコイルの共振特性のピークより３〜１０％低い値を
測定用駆動周波数（図７に示す駆動周波数ｆ２に相当）
として選定して、ゲート単膜のシート抵抗を測定したト
レンドデータを示している。感度は、８〜１０％程落ち
るが、特に問題無くシート抵抗のモニタが実施可能であ
った。また、上限管理値・下限管理値を設定してスペッ
クオーバーした基板はロットアウトし、成膜不良を起こ
したスパッタリング装置には、その情報が直ちにフィー
ドバックされる。

【０１２１】〔実施例２〕図９は、本発明にかかるＣＩ
Ｍシステムの基板検査履歴データを示すものであり、ソ
ースのシート抵抗管理が可能であることを実証した検査
結果である。現在では、ゲート成膜後およびソース成膜
後の双方でシート抵抗の測定を行い、いずれかの測定結
果がスペックオーバーした成膜基板は、その後の検査工
程に流れないように工程管理されている。

【０１２２】〔実施例３〕図１０は、ゲートパターンの
下地とソース膜とを有する成膜基板をシート抵抗の測定
対象とし、得られた暫定シート抵抗の平均値を、ソース
膜の良否判定の基準値として使用した具体例を示すもの
である。

【０１２３】ここでは、ソース膜をなすＡｌの膜厚を１
５００Å基準で成膜実施しており、ソース単膜をガラス
基板上に形成した比較用サンプルを準備しなくとも、全
体の渦電流損失を測定し、この平均値を基準とすること
により、ソース膜の安定したトレンド管理が可能である
ことを示している。なおコイルの測定用駆動周波数とし
ては、コイルの共振特性のピークより３〜１０％高い値
（図７に示す駆動周波数ｆ１に相当）を選択した。

【０１２４】図１１には、この方法でソース膜の暫定シ
ート抵抗をモニタする際の、各シート抵抗測定器（セン
サ）の測定機種別の上下限管理値を示している。但し、
上下限管理値をそれぞれ測定平均値の約±４０％に設定
して運用している。なお、図１０は、１５”で示す６面
取り用３号機（図１１参照）での測定トレンドデータの
みを示している。

【０１２５】〔実施例４〕図１２には、センサヘッドに
搭載されたコイルの共振特性のピークより３〜１０％低
い値を測定用駆動周波数（図７に示す駆動周波数ｆ２に
相当）として選定し、さらに、図５に示すような補正曲
線を用いて、（ゲートパターン＋ソース膜）の暫定シー
ト抵抗からソース膜のみのシート抵抗を算出し、その算
出結果をモニタしたトレンドデータを示している。

【０１２６】より具体的には、１５”で示す６面取り用
２号機・３号機（図１１参照）では、ゲートパターン形
成後の該測定器による渦電流損失量は、パターン未形成
時の１０％程度であり、ほぼ一定であることを利用して
いる。そして、１ヶ月のトレンドデータ測定平均値から
ゲートパターンの影響を補正し、補正後の値をソース膜
のシート抵抗として見なし、膜質管理を行っている。こ
れにより、ゲートパターンだけでなくソース膜の全数管
理が可能となる。

【０１２７】

【発明の効果】本発明にかかる成膜基板の生産管理シス
テムは、以上のように、基板上に導電性薄膜を形成する
成膜手段と、導電性薄膜の片面側から磁界の磁力線を照
射してシート抵抗を算出するシート抵抗測定手段と、算
出されたシート抵抗と基準値との比較に基づき成膜工程
の良否判定を行う判定手段と、成膜基板の製造工程を管
理するセルコンピュータと、セルコンピュータを制御し
て成膜基板の製造工程全体を一括管理するホストコンピ
ュータとを備え、ホストコンピュータは、判定手段によ
る判定結果に基づき、セルコンピュータを介して成膜手
段に動作制御用の信号を送信する構成である。

【０１２８】上記の構成によれば、装置スループットを
落とすことなく、成膜基板上に形成された薄膜の全数検
査を実現することができるとともに、例えば、成膜不良
を発生している成膜手段の動作を迅速に修正することが
可能となるという効果を奏する。

【０１２９】本発明にかかる成膜基板の生産管理システ
ムは、上記の構成において、上記成膜手段が複数設けら
れており、上記基板上には、成膜手段により形成される
複数の導電性薄膜が互いに絶縁された状態で積層されて
なり、上記シート抵抗測定手段は、複数の導電性薄膜に
由来して発生する磁界の変化量と、最上層に位置する導
電性薄膜のみを基板上に成膜してなる成膜基板の実測シ
ート抵抗との相関関係から、複数の導電性の薄膜の暫定
シート抵抗を算出するものであってもよい。

【０１３０】上記の構成によれば、４探針法などではシ
ート抵抗の測定が困難な、絶縁膜で隔てられた２層以上
の導電性の薄膜の膜質を、上記暫定シート抵抗を目安と
して管理可能となるという効果を加えて奏する。

【０１３１】本発明にかかる成膜基板の生産管理システ
ムは、上記の構成において、上記成膜手段が複数設けら
れており、上記基板上には、成膜手段により形成される
複数の導電性薄膜が互いに絶縁された状態で積層されて
なり、上記シート抵抗測定手段は、最上層に位置する導
電性薄膜を除く上記複数の導電性薄膜が、上記磁界の変
化量に与える影響を補正して、該磁界の変化量から最上
層に位置する薄膜のみのシート抵抗を算出するものであ
ってもよい。

【０１３２】上記の構成によれば、例えば、液晶パネル
基板のように、絶縁膜を介してゲートパターン上にソー
ス膜が積層されている場合であっても、最上層に位置す
るソース膜のシート抵抗を算出することができ、ゲート
パターンのみならずソース膜の膜質も別途管理可能とな
るという効果を加えて奏する。

【０１３３】本発明にかかる成膜基板の生産管理システ
ムは、上記の構成において、上記成膜手段が複数設けら
れており、上記基板上には、成膜手段により形成される
複数の導電性の薄膜が互いに絶縁された状態で積層され
てなり、上記シート抵抗測定手段は、磁界の磁力線を照
射するコイルを含み、さらに、該コイルの駆動周波数と
して、共振特性のピークを与える駆動周波数より３〜１
０％低い値を選択するものであってもよい。

【０１３４】上記の構成によれば、下層側の導電性の薄
膜が与える影響を上記ピーク周辺にとどめ、感度良好域
である駆動周波数近傍にて上層側の導電性の薄膜のシー
ト抵抗測定が可能となるという効果を加えて奏する。

【０１３５】本発明にかかる成膜基板の生産管理システ
ムは、以上のように、基板上に導電性薄膜を形成する成
膜手段と、導電性薄膜の片面側から磁界の磁力線を照射
して、発生した渦電流損に応じた磁界の変化量を取得す
る変化量取得手段と、変化量取得手段が基板毎に取得し
た磁界の変化量から、該磁界の変化量の平均値を算出す
る平均化手段と、各基板上に形成された導電性の薄膜に
起因する磁界の変化量と該平均値との比較に基づき、成
膜工程の良否判定を行う判定手段と、成膜基板の製造工
程を管理するセルコンピュータと、セルコンピュータを
制御して成膜基板の製造工程全体を一括管理するホスト
コンピュータとを備え、ホストコンピュータは、判定手
段による判定結果に基づき、セルコンピュータを介し
て、上記成膜手段に動作制御用の信号を送信する構成で
ある。

【０１３６】上記の構成によれば、外部基準をもとに導
電性の薄膜の膜質管理が行えない場合であっても、複数
の成膜基板での測定結果の平均値を算出し、該平均値を
基準として成膜工程の良否判定を行うことができる。ま
た、装置スループットを落とすことなく、成膜基板上に
形成された薄膜の全数検査を実現可能となるという効果
を加えて奏する。

【０１３７】なお、上記の生産管理システムは、基板上
に積層されてなる複数の導電性の薄膜として、ゲート膜
と、該ゲート膜に対して上層側に形成されたソース膜と
を含んでなる成膜基板（液晶パネル基板）の生産管理に
特に好適に用いられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態に係る成膜基板の生産管
理システムの概略構成を示す説明図である。

【図２】図１に示すシステムで採用されるシート抵抗測
定手段の測定原理を説明する図である。

【図３】図１に示すシステムで採用されるシート抵抗測
定手段の測定原理をより具体的に説明する図である。

【図４】図１に示すシステムで採用されるシート抵抗測
定手段の、シート抵抗算出法の一例を説明するグラフで
ある。

【図５】図１に示すシステムで採用されるシート抵抗測
定手段の、シート抵抗算出法の他の例を説明するグラフ
である。

【図６】図１に示すシステムで採用されるシート抵抗測
定手段を用い、ゲートパターンが与える影響を検証した
結果を説明する図である。

【図７】図１に示すシステムで採用されるシート抵抗測
定手段の、出力電圧と駆動周波数との関係を示すグラフ
である。

【図８】図１に示すシステムを用いてシート抵抗を測定
し、薄膜品質のトレンド管理を行った一例を説明する図
である。

【図９】図１に示すシステムを用いて成膜基板のシート
抵抗を測定し、得られた基板検査履歴の一例を示す図で
ある。

【図１０】図１に示すシステムを用いてシート抵抗を測
定し、薄膜品質のトレンド管理を行った他の例を説明す
る図である。

【図１１】図１に示すシステムで採用されるシート抵抗
測定手段の、上限管理値・下限管理値の一例を示す図で
ある。

【図１２】図１に示すシステムを用いてシート抵抗を測
定し、薄膜品質のトレンド管理を行ったさらに他の例を
説明する図である。

【図１３】従来の４探針法によるシート抵抗測定方法を
示す概略図である。

【図１４】従来の両側式渦電流法によるシート抵抗測定
方法を示す概略図である。

【符号の説明】

１２ガラス基板（基板）１２ａ金属薄膜（導電性の薄膜）２１センサヘッド（シート抵抗測定手段）２３センサアンプ（シート抵抗測定手段）２５電源ユニット（シート抵抗測定手段）２６制御・演算用コンピュータ（シート抵抗測定手
段、判定手段、変化量取得手段、平均化手段）３２ホストコンピュータ３３セルコンピュータ３３ａセルコンピュータ３４スパッタリング装置（成膜手段） ΔＶセンサ検出電圧（磁界の変化量）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に導電性の薄膜が形成されてなる成
膜基板の生産管理を行うシステムであって、上記基板上に導電性の薄膜を形成する成膜手段と、上記基板上に形成された導電性の薄膜の片面側から磁界
の磁力線を照射して、発生した渦電流損に応じた磁界の
変化量から該薄膜のシート抵抗を算出するシート抵抗測
定手段と、上記シート抵抗測定手段が算出した導電性の薄膜のシー
ト抵抗と基準値との比較に基づき、成膜工程の良否判定
を行う判定手段と、上記成膜基板の製造に関わる各工程を管理するセルコン
ピュータと、これらセルコンピュータそれぞれを制御することによ
り、成膜基板の製造工程全体を一括管理するホストコン
ピュータとを備えてなり、上記ホストコンピュータは、上記判定手段による判定結
果に基づき、成膜工程を管理するセルコンピュータを介
して、上記成膜手段に動作制御用の信号を送信すること
を特徴とする成膜基板の生産管理システム。
【請求項２】基板上に導電性の薄膜を形成する上記成膜
手段が複数設けられており、上記基板上には、上記成膜手段により形成される複数の
導電性の薄膜が、絶縁膜により互いに絶縁された状態で
積層されてなり、上記シート抵抗測定手段は、上記複数の導電性の薄膜において発生する上記渦電流損
に応じた磁界の変化量と、上記複数の導電性の薄膜のう
ち最上層に位置する薄膜のみを同一条件で上記基板上に
成膜してなる成膜基板の実測シート抵抗との相関関係か
ら、上記複数の導電性の薄膜の暫定シート抵抗を算出す
ることを特徴とする請求項１に記載の成膜基板の生産管
理システム。
【請求項３】基板上に導電性の薄膜を形成する上記成膜
手段が複数設けられており、上記基板上には、上記成膜手段により形成される複数の
導電性の薄膜が、絶縁膜により互いに絶縁された状態で
積層されてなり、上記シート抵抗測定手段は、最上層に位置する薄膜を除く上記複数の導電性の薄膜
が、上記磁界の変化量に与える影響を補正して、該磁界
の変化量から最上層に位置する薄膜のみのシート抵抗を
算出することを特徴とする請求項１に記載の成膜基板の
生産管理システム。
【請求項４】基板上に導電性の薄膜を形成する上記成膜
手段が複数設けられており、上記基板上には、上記成膜手段により形成される複数の
導電性の薄膜が、絶縁膜により互いに絶縁された状態で
積層されてなり、上記シート抵抗測定手段は、上記磁界の磁力線を照射す
るコイルを含み、さらに、上記コイルの駆動周波数として、コイルの共振
特性のピークを与える駆動周波数より３〜１０％低い値
を選択することを特徴とする請求項１に記載の成膜基板
の生産管理システム。
【請求項５】基板上に導電性の薄膜が形成されてなる成
膜基板の生産管理を行うシステムであって、上記基板上に導電性の薄膜を形成する成膜手段と、上記基板上に形成された導電性の薄膜の片面側から磁界
の磁力線を照射して、発生した渦電流損に応じた磁界の
変化量を取得する変化量取得手段と、上記変化量取得手段が導電性の薄膜が形成された異なる
基板毎に取得した磁界の変化量から、該磁界の変化量の
平均値を算出する平均化手段と、上記磁界の変化量の平均値と、各基板上に形成された導
電性の薄膜に起因する磁界の変化量との比較に基づき、
成膜工程の良否判定を行う判定手段と、上記成膜基板の製造に関わる各工程を管理するセルコン
ピュータと、これらセルコンピュータそれぞれを制御することによ
り、成膜基板の製造工程全体を一括管理するホストコン
ピュータとを備えてなり、上記ホストコンピュータは、上記判定手段による判定結
果に基づき、成膜工程を管理するセルコンピュータを介
して、上記成膜手段に動作制御用の信号を送信すること
を特徴とする成膜基板の生産管理システム。
【請求項６】上記基板上に積層されてなる複数の導電性
の薄膜として、ゲート膜と、該ゲート膜に対して上層側
に形成されたソース膜とを含んでなることを特徴とする
請求項２ないし４のいずれか一項に記載の成膜基板の生
産管理システム。