JP2000074634A - 高分子フィルムの厚み測定方法および測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置自体を大型化せずに高速にスキャンを行
いながらも高分子フィルムの厚みを精度良く測定できる
とともに、長時間に渡って高分子フィルムの厚みを精度
良く測定できるようにすること。 【解決手段】 高分子フィルムの吸収波長帯にある波長
λ１と吸収波長帯の外にある波長λ２とを含む近赤外光
を出す投光用光ファイバ３Ｂと投光用光ファイバ３Ｂか
ら出る前記近赤外光を受ける受光用光ファイバ３Ｅとの
間に高分子フィルム３Ｃを配した状態で投光用光ファイ
バ３Ｂから高分子フィルム３Ｃに投光した場合に前記高
分子フィルム３Ｃを透過する前記近赤外光の透過率から
前記高分子フィルム３Ｃの厚みを測定する。そして、受
光用光ファイバ３Ｅが受光した光を光強度検出器７Ｄ，
７Ｅに導き、これらの光強度検出器７Ｄ，７Ｅによって
検出した前記波長λ１の光強度と前記波長λ２の光強度
との比を求めて、その比から高分子フィルムの厚みを算
出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高分子フィルムの厚
み測定方法および測定装置に関し、詳しくはポリプロピ
レン、ポリエチレン等からなる高分子フィルムの厚みを
高分子フィルムに接触せずに測定する測定方法および測
定装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】高分子フィルムは全面に亘って均一な厚
みであることが要求される。そこで、高分子フィルムの
製造では、一般にフィルム厚測定装置を高分子フィルム
製造装置に取り付け、この測定装置でフィルム厚を測定
しながら高分子フィルムを均一な厚みになるようにして
いる。また、高分子フィルムの厚み測定には高分子フィ
ルムに赤外線やβ線を透過し、そのときの透過率を測定
することで行う。

【０００３】この技術では、高分子フィルムの幅方向に
おける厚み分布を測定するにあたり、赤外線光源または
β線源を収めた光源ヘッド部と、この光源ヘッド部から
出る赤外線またはβ線の高分子フィルムを透過する透過
強度を測定する検出器を有する検出器ヘッド部とを、高
分子フィルムの幅方向に同時に動かす。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
高分子フィルムの厚みを均一にすることで高分子フィル
ムの品質を確保しつつ、より速い高分子フィルムの製造
を行うことが望まれている。

【０００５】このため、高分子フィルムの厚み測定もそ
れに合わせて高速に行える技術が要求される。しかし、
従来の高分子フィルム測定装置では、光源ヘッド部と検
出器ヘッドが大きく重い。このため、それらを高速で動
かすには、高出力の駆動機構を用いなければならない。
しかし、高出力の駆動機構は概して大型であるから、装
置全体が大型化する。

【０００６】また、高分子フィルムの厚み測定を高速に
行う他の方法として、検出器ヘッドを高分子フィルムの
幅方向に複数個並べ、かつそれらを固定した状態で行う
ことも考えられる。しかし、この方法では、フィルムの
幅方向における検出器ヘッド部の占める割合が大きくな
って、フィルムの幅方向における位置分解能が悪くな
る。そして、検出器ヘッドが複数であるから装置自体が
高額になる。

【０００７】本発明は前記実情に鑑みて為されたもので
あって、装置の小型化を図れるとともに高分子フィルム
の厚み測定を長時間に亘って精度良く行えかつコストダ
ウンを図れる高分子フィルムの厚み測定方法および測定
装置を提供することを技術的課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の高分子フィルム
の厚み測定方法および測定装置は、前記実情に鑑みて為
されたものであって、以下の手段を採用した。 （１）本項に係わる高分子フィルム厚み測定方法は、高
分子フィルム３Ｃに照射した光の透過率Ｔから前記高分
子フィルム３Ｃの厚み測定を行う高分子フィルムの厚み
測定方法において、前記高分子フィルム３Ｃの吸収波長
帯にある波長λ１と前記吸収波長帯から外れてある波長
λ２とを含む近赤外光を投光用光ファイバ３Ｂで前記高
分子フィルム３Ｃに照射し、このときに前記高分子フィ
ルム３Ｃを透過する前記近赤外光を受光用光ファイバ３
Ｅで受光し、この受光用光ファイバ３Ｅが受光した前記
近赤外光に含まれる前記波長λ１および前記波長λ２の
各透過光の透過率Ｔ１およびＴ２を測定しかつこれら両
透過率Ｔ１およびＴ２の比を求め、この求めた比から前
記高分子フィルムの厚みを算出することを特徴とする。

【０００９】本項の高分子フィルム厚み測定方法では、
高分子フィルム３Ｃの厚み測定を行うにあたり、近赤外
光を投光用光ファイバ３Ｂで前記高分子フィルム３Ｃに
照射し、このときに前記高分子フィルム３Ｃを透過する
前記近赤外光を受光用光ファイバ３Ｅで受光するように
なている。そして、光ファイバは軽量であるから投光用
光ファイバ３Ｂと受光用光ファイバ３Ｅとを高速に移動
できる。よって、高分子フィルム３Ｃの任意の位置での
厚み測定を連続的にかつ間欠的にすばやく測定できる。
また、軽量にできているので、長時間にわたっての高分
子フィルムの厚み測定も可能である。また、装置の小型
化を図れかつコストダウンを図れる。

【００１０】（２）前記（１）項において、投光用光フ
ァイバ３Ｂの出射側端部３Ｈと前記受光用光ファイバ３
Ｅの入射側端部３Ｉとを前記高分子フィルム３Ｃの幅方
向に等速度で移動しながら前記高分子フィルム３Ｃの厚
みを測定することを特徴とする。

【００１１】本項の高分子フィルム厚み測定方法では、
投光用光光ファイバＢの出射側端部３Ｈと受光用光ファ
イバ３Ｅの入射側端部３Ｉとを高分子フィルム３Ｃの幅
方向に移動するので、高分子フィルム３Ｃの面上で直線
状に連続しながらあるいは断続しながら高分子フィルム
３Ｃの厚み測定ができる。

【００１２】また、出射側端部３Ｈと入射側端部３Ｉと
は等速度で移動するので、測定誤差が生じることもな
い。さらに、高分子フィルムの製造段階で本項の発明を
適用することで次の効果を奏することもできる。つま
り、高分子フィルムの製造器から出てくる高分子フィル
ムをその長手方向に移動するように製造ラインを形成す
る。そして、この状態で、出射側端部３Ｈと入射側端部
３Ｉとが高分子フィルム３Ｃの幅方向に往復動するよう
にすれば、高分子フィルム３Ｃの流れと出射側端部３Ｈ
と入射側端部３Ｉの移動とが相俟って、高分子フィルム
の面上をジグザグ状に連続しながらあるいは断続しなが
ら高分子フィルム３Ｃの厚み測定をその全面に亘ってで
きる。そして、このようにして得た高分子フィルム３Ｃ
の厚み測定値を高分子フィルム３Ｃの製造にフィードバ
ックするで、高分子フィルム３Ｃの厚みをその全域おい
て均一に製造することが可能となる。 （３）前記（１）または（２）項において、前記投光用
光ファイバ３Ｂから出射した前記近赤外光を前記高分子
フィルム３Ｃに透過せずに前記受光用光ファイバ３Ｅに
直接導く場合の前記波長λ１の強度I10と前記波長λ２
の強度I20とを測定してこれらの測定値を初期強度と
し、前記投光用光ファイバ３Ｂから出る近赤外光を前記
高分子フィルム３Ｃに透過してから前記受光用光ファイ
バ３Ｅに入れる場合の前記波長λ１の透過光強度I1およ
び波長λ２の透過光強度I2をそれぞれ前記波長λ１の初
期強度I10，および前記波長λ２の初期強度I20で除して
得た値T1，T2に基づいて、前記高分子フィルム３Ｃの厚
みdを算出することを特徴とする。

【００１３】本項の高分子フィルム厚み測定方法では、
高分子フィルム３Ｃを透過しない光の強度を初期強度と
し、高分子フィルム３Ｃを透過する光の強度を前記初期
強度で除することにより規格化するので測定用光源の発
光スペクトルの時間的変化があってもこれを補正でき
る。 （４）前記（１）または（２）項において、高分子フィ
ルム３Ｃを透過した前記近赤外光における波長λ１と波
長λ２の各透過光強度I1，I2を検出すると同時に、前記
高分子フィルム３Ｃを透過する前に分岐した前記近赤外
光における波長λ１と波長λ２の光強度I11,I21を初期
強度として検出し、透過光における波長λ１と波長λ２
の透過光強度の比を波長λ１と波長λ２の前記初期強度
の比で除することにより高分子フィルム３Ｃでの波長λ
１と波長λ２の透過率の比を求めて、その透過率の比か
ら高分子フィルムの厚みを算出するようにもできる。 （５）前記（１）項において、前記高分子フィルム３Ｃ
を透過して透過光となる前記近赤外光を、これが光強度
検出器７Ｄ，７Ｅに至る前に分岐する光束分岐手段７Ａ
によって２つの光束Ｌ１，Ｌ２に分岐し、この分岐した
２つの光束Ｌ１およびＬ２をそれぞれ透過光スペクトル
の中心波長がλ１であるバンドパスフィルタ７Ｂおよび
中心波長がλ２であるバンドパスフィルタ７Ｃに透過さ
せ、そのときのそれぞれの光強度を前記光強度検出器７
Ｄ，７Ｅで検出するようにしてもよい。 （６）前記（１）〜（５）項のいずれかにおいて、波長
λ１が１．６９〜１．７５μｍで波長λ２が１．５０〜
１．６５μｍであることが望ましい。

【００１４】本項の高分子フィルム厚み測定方法では、
波長λ１とλ２とをこれらの範囲に設定することで低コ
ストの光ファイバを用いて精度のよい厚み測定ができ
る。 （７）本項の高分子フィルムの厚み測定装置は、高分子
フィルム３Ｃに照射した光の透過率から前記高分子フィ
ルム３Ｃの厚みを測定する高分子フィルムの厚み測定装
置Ｉにおいて、前記高分子フィルム３Ｃに照射する光を
出す光源３Ａと、この光源３Ａからの光を前記高分子フ
ィルム３Ｃに投光する投光用光ファイバ３Ｂと、前記高
分子フィルム３Ｃを透過した光を受ける受光用光ファイ
バ３Ｅと、この受光用光ファイバ３Ｅで受光した光のう
ち、前記高分子フィルム３Ｃの吸収波長帯にある波長λ
１および吸収波長帯の外にある波長λ２のそれぞれの透
過光強度を検出する光検出手段３Ｄと、前記波長λ１の
透過光強度と前記波長λ２の透過光強度とから前記高分
子フィルムの厚みを求める演算手段３Ｊとを有すること
を特徴とする。

【００１５】本項の高分子フィルム厚み測定装置では、
高分子フィルム３Ｃの厚み測定を行うにあたり、近赤外
光を投光用光ファイバ３Ｂで前記高分子フィルム３Ｃに
照射し、このときに前記高分子フィルム３Ｃを透過する
前記近赤外光を受光用光ファイバ３Ｅで受光するように
なている。そして、光ファイバは軽量であるから投光用
光ファイバ３Ｂと受光用光ファイバ３Ｅとを高速に移動
できる。よって、高分子フィルム３Ｃの任意の位置での
厚み測定を連続的にかつ間欠的にすばやく測定できる。
また、軽量にできているので、長時間にわたっての高分
子フィルムの厚み測定も可能である。また、装置の小型
化を図れかつコストダウンを図れる。 （８）前記（７）項において、前記投光用光ファイバ３
Ｂのうち光の出る部分である出射端部３Ｈと前記受光用
光ファイバ３Ｅのうち光の入る部分である入射端部３Ｉ
とを前記高分子フィルム３Ｃの幅方向に等速度で移動す
る出入光端部移動機構とを有することを特徴とする。

【００１６】本項の高分子フィルム厚み測定装置では、
投光用光光ファイバＢの出射側端部３Ｈと受光用光ファ
イバ３Ｅの入射側端部３Ｉとを高分子フィルム３Ｃの幅
方向に移動するので、高分子フィルム３Ｃの面上で直線
状に連続しながらあるいは断続しながら高分子フィルム
３Ｃの厚み測定ができる。

【００１７】また、出射側端部３Ｈと入射側端部３Ｉと
は等速度で移動するので、測定誤差が生じることもな
い。さらに、高分子フィルムの製造段階で本装置を適用
することで次の効果を奏することもできる。つまり、高
分子フィルムの製造器から出てくる高分子フィルムをそ
の長手方向に移動するように製造ラインを形成する。そ
して、この状態で、出射側端部３Ｈと入射側端部３Ｉと
が高分子フィルム３Ｃの幅方向に往復動するように本装
置を前記製造ラインに設置すれば、高分子フィルム３Ｃ
の流れと出射側端部３Ｈと入射側端部３Ｉの移動とが相
俟って、高分子フィルムの面上をジグザグ状に連続しな
がらあるいは断続しながら高分子フィルム３Ｃの厚み測
定をその全面に亘ってできる。そして、このようにして
得た高分子フィルム３Ｃの厚み測定値を高分子フィルム
３Ｃの製造にフィードバックするで、高分子フィルム３
Ｃの厚みをその全域おいて均一に製造することが可能と
なる。 （９）前記（８）項において、前記出入光端部移動機構
Ｉは、前記出射端部３Ｈと前記入射端部３Ｉとを前記高
分子フィルム３Ｃの幅寸法よりも移動し、前記出射端部
と前記入射端部とが前記高分子フィルムの幅からはずれ
た位置で、前記出射端部から出射した前記近赤外光を含
む光を直接受光用光ファイバの入射側端部で受光して、
その中に含まれる前記波長λ１とλ２の光強度を初期強
度としてそれぞれ測定し、前記波長λ１の透過強光度と
前記λ２の透過強光度および前記λ１の前記初期強度と
λ２の前記初期強度から高分子フィルムの厚みを算出す
る演算手段を備えたことを特徴とする。

【００１８】本項の高分子フィルム厚み測定装置では、
高分子フィルム３Ｃを透過しない光の強度を初期強度と
し、高分子フィルム３Ｃを透過する光の強度を前記初期
強度で除することにより規格化するので測定用光源の発
光スペクトルの時間的変化があってもこれを補正でき
る。 （１０）前記（７）または（８）項において、測定光源
３Ａから出射した近赤外光を含む前記光を前記投光用光
ファイバ３Ｂの手前で分岐し、この分岐した光に含まれ
る前記波長λ１とλ２の光強度I11,I21を初期強度とし
てそれぞれ測定し、前記波長λ１の透過強光強度I1と前
記λ２の透過強光強度I2および前記λ１の前記初期強度
I11とλ２の前記初期強度I21とから高分子フィルム３Ｃ
の厚みdを算出する演算手段３Ｊを備えるようにするこ
とが好適である。 （１１）前記（７）から（１０）のいずれかにおいて、
前記波長λ１が１．６９〜１．７５μｍで、波長λ２が
１．５０〜１．６５μｍであることを特徴とする。

【００１９】本項の高分子フィルム厚み測定方法では、
波長λ１とλ２とをこれらの範囲に設定することで低コ
ストの光ファイバを用いて精度のよい厚み測定ができる

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる高分子フィ
ルムの厚み測定方法および測定装置を添付した図面に基
づいて説明する。

【００２１】図１のグラフは、近赤外光領域における高
分子フィルムの波長に対する透過スペクトル（透過率）
を示しており、横軸が高分子フィルムの波長を示し、縦
軸が透過スペクトル（透過率）を示す。

【００２２】測定試料として用いた高分子フィルムは、
ポリプロピレンであり、その厚みは約２００μｍであ
る。また、近赤外光は、高分子フィルムの吸収波長帯に
ある波長λ１：１．７２μｍの光と、吸収波長帯の外に
ある波長λ２：１．６０μｍの光とを含む。なお、波長
λ１は１．６９〜１．７５μｍの範囲に、また、波長λ
２は１．５０〜１．６５μｍの範囲にあればよい。

【００２３】図１から波長λ１が高分子フィルムの吸収
波長帯にあることがわかる。吸収ピークは、高分子フィ
ルムにおけるＣ−Ｈ伸縮振動の２次に対応すると言われ
ている。そして、波長λ１の近赤外光の吸収率Ａ１を測
定し、その測定値を次の（１）式に当てはめることで、
高分子フィルムの厚みｄを算出する。

【００２４】 d＝C1・ln（1−A1）・・・・・・・（１）式 但し、C1は定数である。通常、吸収率は透過率の測定に
より求められる。そして、高分子フイルムを光が透過し
た時の透過損失が高分子フィルムによる光の吸収だけに
よるものであるならば、この時の透過率をＴとし吸収率
をＡとすると、両者の関係は次の（２）式で示される。

【００２５】 T＝1−A・・・・・・・・・・・・・・・（２）式 （２）式を（１）式に代入することで、高分子フィルム
の厚みｄを得られる。しかし、一般に透過損失が高分子
フィルムによる光の吸収のみに起因することは無く、空
気と高分子フイルムとの界面での反射および高分子フィ
ルムでの散乱等による透過損失がある。つまり、空気と
高分子フィルム界面での反射率をＲとし、高分子フイル
ムでの光の散乱率をＳとすると、実際の高分子フィルム
での光の透過率Ｔは、一般に次の（３）式のように表せ
る。

【００２６】 T＝（1−R）²（1−S）（1−A）・・・・（３）式 この式より、波長λがλ１の場合の近赤外光の透過率Ｔ
をＴ１とすれば、このＴ１を測定するだけでは、波長λ
１の近赤外光の吸収率Ａを求めるには、（３）式におけ
るＳとＲとが依然不明であるから、十分でないことがわ
かる。

【００２７】ところで、光の波長が近い場合には前記反
射率Ｒおよび前記散乱率Ｓはほぼ等しいと考えられる。
一方、図１において、前記吸収波長帯λ１：１．７２μ
ｍに近い波長λ２：１．６０μｍでは明瞭な吸収ピーク
を認められない。このため、この波長での吸収率はほぼ
０であると言える。よって波長λ１の近赤外光の透過率
Ｔ１と波長λ２の近赤外光の透過率Ｔ２を測定すれば、
次式（４）式の通り、波長λ１における吸収率を得られ
る。 T1／T2＝（1−R1）²（1−S1）（1−A1）／（1−R2）²（1−S2）

【００２８】 ＝1−A1・・・・・・・（４）式 但し、 T1：波長λ１の光の透過率 T2：波長λ２の光の透過率 R1：空気と高分子フイルム界面における波長λ１の光の
反射率 R2：空気と高分子フイルム界面における波長λ２の光の
反射率 S1：高分子フイルムにおける波長λ１の光の散乱率 S2：高分子フィルムにおける波長λ２の光の散乱率 A1：高分子フイルムにおける波長λ１の光の吸収率 高分子フィルムでの光の散乱率Ｓの中には、フィルム表
面の凹凸による光の散乱も含まれるので、このようにλ
１とλ２の２つの波長の透過率の比を使うことにより、
フィルム表面の凹凸による光の散乱のために透過率が変
化する場合も精度よくフィルム厚みを得ることが可能と
なる。

【００２９】図２は各種厚みのポリプロピレンを用意
し、それら厚みの異なる複数のポリプロピレンについて
透過スペクトル比（T1／T2）を測定し、この測定した透
過スペクトル比（T1／T2）をポリプロピレンの厚みに対
してプロットしたものである。この図２からわかるよう
に、透過スペクトル比の対数とポリプロピレンの厚みと
は、直線関係にある。よって、次の（５）式に従ってポ
リプロピレンの厚みdを算出できる。

【００３０】 d＝C1・ln（T1／T2）・・・・・・・・・・・・・・（５）式 但し、C1は定数である。本実施の形態では、図３に示す
ように、測定用光源３Ａと、この光源３Ａの光をそこか
ら測定対象である高分子フィルム３Ｃに導く投光用光フ
ァイバ３Ｂと、投光用光ファイバ３Ｂと対向し投光用光
ファイバ３Ｂとの間で高分子フィルム３Ｃを挟んだ状態
でかつ高分子フィルム３Ｃからの透過光の光強度を検出
し、この検出した光強度を電気信号に変換する光強度検
出器ユニット３Ｄと、この光強度検出器ユニット３Ｄに
前記検出した光強度を導く受光用光ファイバ３Ｅと、光
強度検出器ユニット３Ｄで得た光強度に比例する電気信
号を入力部３Ｋに入力し、この入力した電気信号から高
分子フィルム３Ｃの厚みを演算部３Ｍで計算し、演算部
３Ｍで計算した計算結果を出力部３Ｎで出力する演算装
置３Ｊとを使用する。尚、図３にある他の符号の意味す
るところは以下に順次述べる。

【００３１】光ファイバは、波長がλ１およびλ２の光
を透過するものであれば良く、一般に石英ガラスファイ
バを使用する。これらの光は、波長が２μｍ以下の近赤
外光であるから、光通信等で広く使用する光ファイバと
同じである。したがって、波長３μｍ以上の赤外光を使
って測定する方法に比べて一般的であって安価であるの
でコストダウンを図れる。

【００３２】また、図３に示すように、投光用光ファイ
バ３Ｂの光出射側先端および／または受光用光ファイバ
３Ｅの受光用光ファイバの受光側先端にそれぞれ集光レ
ンズ３Ｆおよび３Ｇを付けることもできる。このように
することで光の利用効率を高められる。図４にそのよう
な光ファイバ４Ａおよびレンズ４Ｂをレンズホルダー４
Ｃに取り付けた具体的な一例を示す。

【００３３】このように光ファイバをレンズとともにレ
ンズホルダーに取り付けて使用することによって、いわ
ゆるスキャン測定時に動かす部品の重量を軽くできるの
で、汎用の直動システムを使って容易に高速スキャンを
行える。その場合の比較例として、図５および図６に、
従来の赤外線およびβ線を使った厚み測定装置の検出器
ヘッド部の概略図を示す。図５および図６に示す従来技
術は周知のものであるから、ここでは図面に付した符号
の説明に止め、詳しい説明を省略するが、いずれにしろ
装置が大がかりなものであることは明らかである。

【００３４】Ａ：赤外線検出器 Ｂ：検出器ヘッド Ｃ：レンズ Ｄ：高分子フィルム Ｅ：波長選択フィルタ Ｆ：モータ Ｇ：赤外線光源 Ｈ：光源ヘッド Ｉ：検出器 Ｊ：電離箱 Ｋ：線源ヘッド Ｌ：β線源 次に、透過光強度を測定することで高分子フィルム３Ｃ
の厚みを計算し、計算の結果得られた高分子フィルム３
Ｃの厚み値を出す方法について具体的に説明する。

【００３５】図３で示した投光用光ファイバ３Ｂの出射
側端部３Ｈと受光用光ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉと
の間に高分子フイルム３Ｃを挟まない時の光強度検出器
ユニット３Ｄの波長λ１の光強度I10および波長λ２の
光強度I20をそれぞれ電気信号V10およびV20に変換し、
次に投光用光ファイバ３Ｂの出射側端部３Ｈと受光用光
ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉとの間に高分子フィルム
３Ｃを挟んだ時に光強度検出器ユニット３Ｄの波長λ１
の透過光強度I1および波長λ２の透過光強度I2をそれぞ
れ電気信号V1およびV2に変換するものとする。この時、
λ１およびλ２の光の高分子フイルム３Ｃでのそれぞれ
の透過率T1およびT2は、光強度検出器ユニット３Ｄで得
た電気信号を用いて、それぞれ次の（６）式および
（７）式を用いて表せる。

【００３６】 T1＝I1／I10＝V1／V10・・・・・・・・・・・・・・（６）式 T2＝I2／I20＝V2／V20・・・・・・・・・・・・・・（７）式 これらの式（６）および（７）から得たT1およびT2を前
記（５）式へ代入することで、次式（８）のように高分
子フイルムの厚みdを光強度検出器ユニット３Ｄで得た
電気信号V1，V2，V10およびV20を用いて表せる。

【００３７】 d＝C1・ln［（V1／V10）／（V2／V20）］・・・・・（８）式 演算装置３Ｊでは、まず、高分子フィルム３Ｃの厚み測
定を行う以前に、投光用光ファイバ３Ｂの出射側端部３
Ｈと受光用光ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉとの間に高
分子フィルム３Ｃを挟まない場合に光強度検出器ユニッ
ト３Ｄで直接得た電気信号V10およびV20の値を初期強度
としてこれらを初期強度格納部３Ｌに格納する。

【００３８】次に、投光用光ファイバ３Ｂの出射側端部
３Ｈと受光用光ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉとの間に
高分子フィルム３Ｃを挟んだ場合に光強度検出器ユニッ
ト３Ｄで得た電気信号V1およびV2の値および先に初期強
度格納部部３Ｌに格納した電気信号値V10およびV20を用
いて演算部３Ｍにおいて前記（８）式に従って高分子フ
ィルム３Ｃの厚みdを計算する。演算部３Ｍで計算した
高分子フィルム３Ｃの厚みdは、出力部３Ｎで出力す
る。

【００３９】ところで、高分子フィルム３Ｃについての
長時間の厚み測定においては、フィルム製造工程の厚み
モニターとして測定精度は一定でなければならない。ま
た、測定値の誤差要因として、測定用光源のスペクトル
の形が変化することを挙げられる。つまり、投光用光フ
ァイバ３Ｂの出射側端部３Ｈと受光用光ファイバ３Ｅの
入射側端部３Ｉとの間に高分子フィルム３Ｃを挟まない
時に光強度検出器ユニット３Ｄで得た電気信号V10とV20
の比が時間とともに変化すれば、演算装置３Ｊの初期強
度格納部３Ｌに格納した電気信号V10およびV20を使って
前記（８）式により計算した高分子フィルム３Ｃの厚み
dの値が正しくないものであることは明白である。

【００４０】図７は、波長λ１および波長λ２のそれぞ
れの光強度の連続測定を行った場合の結果を示す。図７
から２つの波長の強度の比が実際に変化していることが
わかる。波長λ１および波長λ２をそれぞれ実線および
破線で示す。

【００４１】この測定用光源のスペクトルの形が変化す
ることに起因する厚み測定値の誤差を低減するために、
本発明では次の２つの方法のいずれかを採用する。まず
第１の方法を図８を参照して説明する。

【００４２】第１の方法は、投光用光ファイバ３Ｂの出
射側端部３Ｈとこの出射側端部３Ｈに対向する受光用光
ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉとをそのままの対向状態
で高分子フィルム３Ｃの幅方向にこの幅寸法よりも長い
距離１４Ｇを移動するスキャン機構Ｉ’を用いる。

【００４３】スキャン機構Ｉ’は、投光用光ファイバ３
Ｂの出射側端部３Ｈと受光用光ファイバ３Ｅの入射側端
部３Ｉとが、ボールネジ１４Ｅ’，１４Ｅ”の回転によ
って直動ガイド１４Ｆ’および１４Ｆ”上を等速度で移
動する。この移動ができるように駆動源である回転機構
１４Ｂのギヤ１４Ｃが回転すると、ギヤ１４Ｃと螺合す
る、ボールネジ１４Ｅ’および１４Ｅ”の各一端にそれ
ぞれ取り付けたギヤ１４Ｄ’および１４Ｄ”が回る。

【００４４】その結果、ボールネジ１４Ｅ’，１４Ｅ”
の回転に伴って、投光用光ファイバ３Ｂの出射側端部３
Ｈおよび受光用光ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉが、高
分子フィルム３Ｃの幅方向に移動し、これによって高分
子フィルム３Ｃをスキャンする。また、前記出射端部３
Ｈから出射した前記近赤外光を含む光を前記入射側端部
３Ｉで受光し、その中に含まれる前記波長λ１とλ２の
光強度を初期強度としてそれぞれ測定する。この初期強
度の測定は、出射端部３Ｈと入射端部３Ｉとが高分子フ
ィルム３Ｃの幅からはずれた位置で行う。これにより高
分子フィルム３Ｃを透過しない場合の波長λ１とλ２の
光強度を測定する。なお、図８中、符号３Ｊは、前記演
算装置を意味する。

【００４５】また、スキャンのしかたはここで説明した
方式に限られず、一般に知られている方式で十分であ
る。このスキャン機構Ｉ’を用いる方法にあっては、高
分子フィルム３Ｃをスキャンするに必要な少なくとも一
往復に要する時間を、光源３Ａのスペクトル形状の変化
に起因して誤差を生じるに要する時間より短く設定す
る。また、投光用光ファイバ３Ｂの出射側端部３Ｈと受
光用光ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉとが高分子フィル
ム３Ｃを挟まない状態での透過光１４Ａの強度に比例す
る電気信号V10およびV20を光源３Ａのスペクトル形状の
変化に起因する誤差が生じる時間より短い時間間隔で光
強度検出器ユニット３Ｄによって測定する。この時の透
過光強度に比例する電気信号V10およびV20の値を演算装
置３Ｊの初期強度格納部３Ｌに格納する。

【００４６】このように、演算装置３Ｊで使用する投光
用光ファイバ３Ｂの出射側端部３Ｈと受光用光ファイバ
３Ｅの入射側端部３Ｉとの間に高分子フイルム３Ｃを挟
まない時に光強度検出器ユニット３Ｄで得た電気信号V1
0およびV20の値を定期的に更新することで、測定用光源
のスペクトルの形が変化することに起因する厚み測定値
の誤差を低減できる。

【００４７】上記説明より、スキャン機構Ｉ’は、高分
子フィルムの厚み測定装置であるとともに、出入光端部
移動機構ともいえる。次に第２の方法を図９を参照して
説明する。

【００４８】第２の方法は、高分子フィルム３Ｃを透過
する波長λ１および波長λ２の透過光強度（I1,I2）を
これと同時に測定した測定用光源３Ａにおける波長λ１
および波長λ２の光強度（I11,I21）で割り算すること
で高分子フィルム３Ｃの厚みを計算する方法である。

【００４９】詳述する。光源３Ａからの光を光分岐手段
１３Ｃにより２つの光に分岐する。分岐した光のうちの
一方の光は高分子フィルム３Ｃの厚み測定用として用い
る。この厚み測定用の光は、光ファイバ３Ｂに導かれて
高分子フイルム３Ｃに至り、その後、高分子フイルム３
Ｃを透過する。この透過光は受光用光ファイバ３Ｅを経
由して光強度検出器ユニット３Ｄに至り、そこで透過光
強度に比例した電気信号に変わる。すなわち、高分子フ
イルム３Ｃを透過する時の光強度検出器ユニット３Ｄの
波長λ１の光強度I1および波長λ２の光強度I2をそれぞ
れ電気信号V1およびV2に変換する。

【００５０】また、分岐光のうちの他方の光は、光ファ
イバ１３Ｂを経由して光強度検出器ユニット１３Ａに至
り、そこで光源３Ａの光強度に比例した電気信号に変わ
る。光強度検出器ユニット１３Ａで変換した光源の波長
λ１および波長λ２の光強度I11,I21に比例する電気信
号をそれぞれV11およびV21とすれば、これらの値V11お
よびV21は、投光用光ファイバ３Ｂの出射側端部３Ｈと
受光用光ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉとの間に高分子
フィルム３Ｃを挟まない時に光強度検出器ユニット３Ｄ
で得られる電気信号V10およびV20の値と比例関係にある
と考えることができる。

【００５１】つまり、V10，V11およびV20，V21は、それ
ぞれ次の（９）式および（１０）式の関係にある。 V10＝C21・V11・・・・・・・・・・・・・・（９）式 V20＝C22・V21・・・・・・・・・・・・・・（１０）式 ここで、C21およびC22は比例定数である。

【００５２】また、（９）式および（１０）式を（８）
式に代入すれば、高分子フィルムの厚みは以下の様に表
せる。 d＝C1・ln［（V1／V11）／（V2／V21）］＋C1・ln（C22／C21）・・（１１） 式V1／V11およびV2／V21は、それぞれ高分子フィルム３
Ｃでの波長λ１の近赤外光の透過率Ｔ１と波長λ２の近
赤外光の透過率Ｔ２に比例するものである。よって、
（V1／V11）／（V2／V21）は、高分子フィルム３Ｃでの
波長λ１と波長λ２の透過率の比に比例する量となる。

【００５３】前記比例定数C21およびC22は装置ごとに定
まる定数（「装置定数」）である。よって、投光用光フ
ァイバ３Ｂの出射側端部３Ｈと受光用光ファイバ３Ｅの
入射側端部３Ｉとの間に高分子フィルム３Ｃを挟まない
時に光強度検出器ユニット３Ｄおよび１３Ａで波長λ１
およびλ２の光強度I10，I20に比例した電気信号V10，V
20および光強度検出器ユニット１３Ａで変換した光源の
波長λ１および波長λ２の光強度I11，I21に比例する電
気信号V11，V21を測定開始前に一度測定しておく。ま
た、これらを演算装置３Ｊの初期強度格納部３Ｌに格納
し、演算部３Ｍによって（１１）式に従って高分子フイ
ルム３Ｃの厚みを計算する時に（９）式および（１０）
式を使って装置定数C21およびC22を計算する。

【００５４】なお、装置定数C21およびC22を演算装置３
Ｊの初期強度格納部３Ｌに格納しても良い。次に、図１
０は、測定用光源での２つの波長λ１およびλ２におけ
る光強度を測定しない場合の誤差と測定する場合の誤差
との関係をプロットしたものである。

【００５５】測定用光源での２つの波長λ１およびλ２
における光強度を測定することで、光源スペクトル形状
の変化に起因する誤差を低減できることがわかる。次
に、図１１を用いて、前記した光強度検出器ユニット３
Ｄによって波長λ１およびλ２の光の透過率を測定する
方法について説明する。

【００５６】光強度検出器ユニット３Ｄは、少なくと
も、光束分岐手段としてのハーフミラー７Ａと、透過光
スペクトルの中心波長がλ１のバンドパスフィルタ７Ｂ
と、同じく中心波長がλ２のバンドパスフィルタ７Ｃ
と、バンドパスフィルタ７Ｂの波長における光強度およ
びバンドパスフィルタ７Ｃの波長における光強度をそれ
ぞれ検出する光検出手段としての光強度検出器７Ｄおよ
び７Ｅとからなる。

【００５７】そして、この光強度検出器ユニット３Ｄの
ハーフミラー７Ａに向けて受光用光ファイバ３Ｅから光
Ｌを出射する。すると受光用光ファイバ３Ｅによって光
強度検出器ユニット３Ｄに導かれた光（光束）Ｌは、光
束分岐手段であるハーフミラー７Ａで分岐光Ｌ１とＬ２
とに分かれる。分岐光Ｌ１とＬ２のうちの一方の分岐光
Ｌ１は、中心波長λ１のバンドパスフイルター７Ｂを透
過した後、光強度検出器７Ｄによって光強度が検出され
る。また他方の分岐光Ｌ２は、中心波長λ２のバンドパ
スフィルタ７Ｃを透過した後、光強度検出器７Ｅによっ
て光強度が検出される。

【００５８】このように、光ファイバを用いた光学系の
使用と、光束を２つに分岐する光強度検出器ユニットの
使用とにより、光軸ずれによる誤差を抑えられる。ここ
で光軸ずれとは光軸が一定しないことをいう。すなわち
投光用光ファイバ３Ｂから出た光束中心が、受光側光ヘ
ッドに対して相対的に変位することをいう。光軸ずれ
は、機械精度を無限に小さくすることが不可能であるた
め、一般に投光部と受光部とを動かす場合に生じる。な
お、投光部と受光部とを動かさない場合でも振動等によ
って生じる。

【００５９】図１２は本発明の高分子フィルム厚み測定
方法において、光軸ずれ量と厚み測定誤差との関係を測
定した結果である。図１２から本発明の高分子フィルム
厚み測定方法によれば±１ｍｍの光軸ずれでも測定誤差
は０．２％以下の十分な精度であることがわかる。つま
り、投光側ヘッドおよび受光側ヘッドを別々の駆動系を
用いてスキャンさせることも可能である。この場合、投
光側ヘッドおよび受光側ヘッドを一体化して動かす場合
よりも軽量化でき、スキャン測定を容易に高速化でき
る。 （変形例１）前記した光強度検出器ユニット３Ｄでは、
光の利用効率を高めるために、集光レンズ７Ｆ，７Ｇ，
７Ｈを使うのが好ましい。集光レンズを使った場合の光
強度検出器ユニットを符号３Ｄ１を用いて図１３に示
す。 （変形例２）また、図１４に示すように、２つに分岐し
た光の光路の一方を全反射ミラー７Ｉを使って曲げても
構わない。この場合の光強度検出器ユニットを符号３Ｄ
２を用いて示す。

【００６０】

【発明の効果】本発明に係わる高分子フィルムの厚み測
定方法および装置では、高速にスキャンを行いながら高
分子フィルムの厚みを精度良く測定できる。さらに、長
時間に渡って高分子フィルムの厚みを精度良く測定でき
る。また、装置の小型化を図れかつコストダウンを図れ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】近赤外光領域における高分子フィルムの波長に
対する透過スペクトルを示すグラフ図

【図２】高分子フィルムの透過スペクトル比と厚みとの
関係の一例を示す図

【図３】本発明に係わる高分子フィルムの測定方法を示
す図

【図４】光ファイバおよびレンズをレンズホルダーへ取
り付けた一例を示す図

【図５】従来の赤外線を使ったフィルム厚み測定装置の
一例を示す図

【図６】従来のβ線を使ったフィルム厚み測定装置の一
例を示す図

【図７】光源の光強度の連続測定を行った場合の結果を
示す図

【図８】本発明に係る測定装置の例を示す図

【図９】高分子フィルムからの透過光と光源での光強度
を同時に測定する場合の測定方法の一例を示す図

【図１０】測定用光源での２つの波長での光強度を測定
しない場合の誤差と測定する場合の誤差との関係を示す
図

【図１１】本発明に係わる光強度検出器ユニットの構成
図

【図１２】本発明に係わる高分子フィルム厚み測定方法
における光軸ずれ量と厚み測定誤差との関係を示す図

【図１３】光強度検出器ユニットの変形例１を示す図

【図１４】光強度検出器ユニットの変形例２を示す図
（符号の説明） Ｉ’ スキャン機構 ３Ａ 測定用光源 ３Ｃ 高分子フィルム ３Ｂ 投光用光ファイバ ３Ｄ 光強度検出器ユニット ３Ｄ１ 光強度検出器ユニット ３Ｄ２ 光強度検出器ユニット ３Ｅ 受光用光ファイバ ３Ｆ 集光レンズ ３Ｇ 集光レンズ ３Ｈ 投光用光ファイバ３Ｂの出射側端部 ３Ｉ 受光用光ファイバ３Ｅの入射側端部 ３Ｊ 演算装置 ３Ｌ 初期強度格納部 ３Ｋ 入力部 ３Ｍ 演算部 ３Ｎ 出力部 ４Ａ 光ファイバ ４Ｂ レンズ ４Ｃ レンズホルダー ７Ａ ハーフミラー ７Ｂ バンドパスフィルタ ７Ｃ バンドパスフィルタ ７Ｄ 光強度検出器（光検出手段） ７Ｅ 光強度検出器（光検出手段） ７Ｆ 集光レンズ ７Ｇ 集光レンズ ７Ｈ 集光レンズ ７Ｉ 全反射ミラー １３Ａ 光強度検出器 １４Ａ 透過光 １４Ｂ 回転機構 １４Ｃ ギヤ １４Ｄ’ ギヤ １４Ｄ” ギヤ １４Ｅ’ ボールネジ １４Ｅ” ボールネジ １４Ｆ’ 直動ガイド １４Ｆ” 直動ガイド １４Ｇ 出射側端部３Ｈと入射側端部３Ｉとの移動距離 Ｔ 透過率 Ｔ１ 透過率 Ｔ２ 透過率 Ｌ 光（光束） Ｌ１ 分岐光（光束） Ｌ２ 分岐光（光束） λ１波長 λ２波長 C1 定数 C21 比例定数 C22 比例定数 d 高分子フィルム３Ｃの厚み I1 投光用光ファイバ３Ｂの出射側端部３Ｈと受光用光
ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉとの間に高分子フイルム
３Ｃを挟んだ時の光強度検出器ユニット３Ｄの波長λ１
の光強度 I2 投光用光ファイバ３Ｂの出射側端部３Ｈと受光用光
ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉとの間に高分子フイルム
３Ｃを挟んだ時の光強度検出器ユニット３Ｄの波長λ２
の光強度 V1 I1に係る電気信号 V2 I2に係る電気信号 I10 投光用光ファイバ３Ｂの出射側端部３Ｈと受光用光
ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉとの間に高分子フイルム
３Ｃを挟まない時の光強度検出器ユニット３Ｄの波長λ
１の光強度 I20 投光用光ファイバ３Ｂの出射側端部３Ｈと受光用光
ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉとの間に高分子フイルム
３Ｃを挟まない時の光強度検出器ユニット３Ｄの波長λ
２の光強度 V10 I10に係る電気信号 V20 I20に係る電気信号 I11 測定用光源３Ａにおける波長λ１の光強度 I21 測定用光源３Ａにおける波長λ２の光強度 V11 I11に係る電気信号 V21 I21に係る電気信号 Ａ 赤外線検出器 Ｂ 検出器ヘッド Ｃ レンズ Ｄ 高分子フィルム Ｅ 波長選択フィルタ Ｆ モータ Ｇ 赤外線光源 Ｈ 光源ヘッド Ｉ 検出器 Ｊ 電離箱 Ｋ 線源ヘッド Ｌ β線源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 続山 浩二 千葉県袖ヶ浦市長浦字拓二号580番地32 三井化学株式会社内 Ｆターム(参考） 2F065 AA30 CC02 DD02 DD06 FF46 GG02 HH15 JJ15 LL02 LL12 LL22 LL46 MM14 MM24 MM28 2G059 AA03 AA05 BB15 CC20 DD12 EE01 GG10 HH01 JJ02 JJ11 JJ13 JJ17 MM01

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高分子フィルム３Ｃに照射した光の透過
   率から前記高分子フィルム３Ｃの厚み測定を行う高分子
   フィルムの厚み測定方法において、 前記高分子フィルム３Ｃの吸収波長帯にある波長λ１と
   前記吸収波長帯から外れてある波長λ２とを含む近赤外
   光を投光用光ファイバ３Ｂで前記高分子フィルム３Ｃに
   照射し、 このときに前記高分子フィルム３Ｃを透過する前記近赤
   外光を受光用光ファイバ３Ｅで受光し、この受光用光フ
   ァイバ３Ｅが受光した前記近赤外光に含まれる前記波長
   λ１および前記波長λ２の各透過光の透過率Ｔ１および
   Ｔ２を測定しかつこれら両透過率Ｔ１およびＴ２の比を
   求め、 この求めた比から前記高分子フィルムの厚みを算出する
   ことを特徴とする高分子フィルムの厚み測定方法。
2. 【請求項２】 前記投光用光ファイバ３Ｂの出射側端部
   ３Ｈと前記受光用光ファイバ３Ｅの入射側端部３Ｉとを
   前記高分子フィルム３Ｃの幅方向に等速度で移動しなが
   ら前記高分子フィルム３Ｃの厚みを測定することを特徴
   とする請求項１に記載の高分子フィルムの厚み測定方
   法。
3. 【請求項３】 前記投光用光ファイバ３Ｂから出射した
   前記近赤外光を前記高分子フィルム３Ｃに透過せずに前
   記受光用光ファイバ３Ｅに直接導く場合の前記波長λ１
   の強度I10と前記波長λ２の強度I20とを測定してこれら
   の測定値を初期強度とし、前記投光用光ファイバ３Ｂか
   ら出る近赤外光を前記高分子フィルム３Ｃに透過してか
   ら前記受光用光ファイバ３Ｅに入れる場合の前記波長λ
   １の透過光強度I1および波長λ２の透過光強度I2をそれ
   ぞれ前記波長λ１の初期強度I10，および前記波長λ２
   の初期強度I20で除して得た値T1，T2に基づいて、前記
   高分子フィルム３Ｃの厚みdを算出することを特徴とす
   る請求項１または２に記載の高分子フィルムの厚み測定
   方法。
4. 【請求項４】 高分子フィルム３Ｃを透過した前記近赤
   外光における波長λ１と波長λ２の各透過光強度I1，I2
   を検出すると同時に、前記高分子フィルム３Ｃを透過す
   る前に分岐した前記近赤外光における波長λ１と波長λ
   ２の光強度I11,I21を初期強度として検出し、透過光に
   おける波長λ１と波長λ２の透過光強度の比を波長λ１
   と波長λ２の前記初期強度の比で除することにより高分
   子フィルム３Ｃでの波長λ１と波長λ２の透過率の比を
   求めて、その透過率の比から高分子フィルムの厚みを算
   出することを特徴とする請求項１または２に記載の高分
   子フィルムの厚み測定方法。
5. 【請求項５】 前記高分子フィルム３Ｃを透過して透過
   光となる前記近赤外光を、これが光強度検出器７Ｄ，７
   Ｅに至る前に分岐する光束分岐手段７Ａによって２つの
   光束Ｌ１，Ｌ２に分岐し、この分岐した２つの光束Ｌ１
   およびＬ２をそれぞれ透過光スペクトルの中心波長がλ
   １であるバンドパスフィルタ７Ｂおよび中心波長がλ２
   であるバンドパスフィルタ７Ｃに透過させ、そのときの
   それぞれの光強度を前記光強度検出器７Ｄ，７Ｅで検出
   することを特徴とする請求項１に記載の高分子フィルム
   の厚み測定方法。
6. 【請求項６】 波長λ１が１．６９〜１．７５μｍで波
   長λ２が１．５０〜１．６５μｍであることを特徴とす
   る請求項１〜請求項５のいずれかに記載の高分子フィル
   ムの厚み測定方法。
7. 【請求項７】 高分子フィルム３Ｃに照射した光の透過
   率から前記高分子フィルム３Ｃの厚みを測定する高分子
   フィルムの厚み測定装置Ｉにおいて、 前記高分子フィルム３Ｃに照射する光を出す光源３Ａ
   と、 この光源３Ａからの光を前記高分子フィルム３Ｃに投光
   する投光用光ファイバ３Ｂと、 前記高分子フィルム３Ｃを透過した光を受ける受光用光
   ファイバ３Ｅと、 この受光用光ファイバ３Ｅで受光した光のうち、前記高
   分子フィルム３Ｃの吸収波長帯にある波長λ１および吸
   収波長帯の外にある波長λ２のそれぞれの透過光強度を
   検出する光検出手段３Ｄと、 前記波長λ１の透過光強度と前記波長λ２の透過光強度
   とから前記高分子フィルムの厚みを求める演算手段３Ｊ
   とを有することを特徴とする高分子フィルムの厚み測定
   装置。
8. 【請求項８】 前記投光用光ファイバ３Ｂのうち光の出
   る部分である出射端部３Ｈと前記受光用光ファイバ３Ｅ
   のうち光の入る部分である入射端部３Ｉとを前記高分子
   フィルム３Ｃの幅方向に等速度で移動する出入光端部移
   動機構とを有することを特徴とする請求項７に記載の高
   分子フィルムの厚み測定装置。
9. 【請求項９】 前記出入光端部移動機構Ｉは、前記出射
   端部３Ｈと前記入射端部３Ｉとを前記高分子フィルム３
   Ｃの幅寸法よりも移動し、前記出射端部と前記入射端部
   とが前記高分子フィルムの幅からはずれた位置で、前記
   出射端部から出射した前記近赤外光を含む光を直接受光
   用光ファイバの入射側端部で受光して、その中に含まれ
   る前記波長λ１とλ２の光強度を初期強度としてそれぞ
   れ測定し、前記波長λ１の透過強光度と前記λ２の透過
   強光度および前記λ１の前記初期強度とλ２の前記初期
   強度から高分子フィルムの厚みを算出する演算手段を備
   えたことを特徴とする請求項８に記載の高分子フィルム
   の厚み測定装置。
10. 【請求項１０】 測定光源３Ａから出射した近赤外光を
    含む前記光を前記投光用光ファイバ３Ｂの手前で分岐
    し、この分岐した光に含まれる前記波長λ１とλ２の光
    強度I11,I21を初期強度としてそれぞれ測定し、前記波
    長λ１の透過強光強度I1と前記λ２の透過強光強度I2お
    よび前記λ１の前記初期強度I11とλ２の前記初期強度I
    21とから高分子フィルム３Ｃの厚みdを算出する演算手
    段３Ｊを備えたことを特徴とする請求項７または８に記
    載の高分子フィルムの厚み測定装置。
11. 【請求項１１】 前記波長λ１が１．６９〜１．７５μ
    ｍで、波長λ２が１．５０〜１．６５μｍであることを
    特徴とする請求項７から請求項１０のいずれかに記載の
    高分子フィルムの厚み測定装置。