CN111919126B - 电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法 - Google Patents

电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法 Download PDF

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Abstract

电阻测量装置为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的装置，其特征在于，具有：探测单元，其与导电性膜相对地配置；扫描单元，其使探测单元跨导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地沿与一方向交叉的交叉方向扫描；以及运算单元，其基于由探测单元测量的电压来计算导电性膜的薄层电阻，运算单元具有存储在非输送区域测量出的参照电压的存储器，基于参照电压来校正通过探测单元在输送区域沿交叉方向扫描而测量的实际电压。

Description

电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法
技术领域
本发明涉及电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法。
背景技术
以往通过卷对卷方式在基材膜上层叠导电膜来制造导电性膜。所制造的导电性膜要求其表面电阻(薄层电阻)处于期望的范围内，因此，需要测量表面电阻来发现表面电阻的品质不良。作为其方法，众所周知一种在卷取导电性膜之前使用非接触式电阻测量装置来测量导电性膜的表面电阻的方法(例如参照下述专利文献1)。
下述专利文献1的非接触式表面电阻测量装置具有：涡流传感器，其由涡流产生部和涡流检测部构成；以及温度传感器，其检测涡流传感器的温度。
在下述专利文献1的装置中，基于涡流传感器和温度传感器的检测结果，计算导电性膜的表面电阻值。因此，能够降低因涡流传感器内的线圈温度上升导致线圈的热导率变化而引起的测量误差。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-197034号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在实施长时间的测量的情况下，在上述专利文献1的装置中，也会发生所测量的导电性膜的测量误差变大这样的不良情况。
本发明的发明人研究了该测量误差，发现在由温度传感器检测出的温度和电压的关系中发生了滞后。即，当长时间测量时，由于温度传感器、线圈等的设备特性，导致在加热线圈和冷却线圈时，即使在相同的温度下，所检测的电压也产生不同。并且，在由专利文献1的装置中的温度传感器进行的校正中，未考虑到滞后等设备特性所产生的误差。
本发明在于提供即使在长时间测量导电性膜的薄层电阻的情况下，测量精度也良好的电阻测量装置、具有该电阻测量装置的膜制造装置以及导电性膜的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明[1]包括一种电阻测量装置，其为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的装置，该电阻测量装置的特征在于，具有：探测单元，其与所述导电性膜相对地配置；扫描单元，其使所述探测单元跨所述导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描；以及运算单元，其基于由所述探测单元测量的电压来计算所述导电性膜的薄层电阻，所述运算单元具有存储在所述非输送区域测量出的参照电压的存储器，基于所述参照电压来校正通过所述探测单元在所述输送区域沿所述交叉方向扫描而测量出的实际电压。
在该电阻测量装置中，使探测单元跨导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地扫描，基于在非输送区域测量出的参照电压来校正在输送区域测量出的实际电压。
因此，能够对测量过程中的非输送区域的参照电压进行测量，并基于该参照电压来校正实际电压。因而，能够基于考虑到了长时间测量时在探测单元产生的滞后等设备特性的参照电压，来校正实际电压，计算薄层电阻。其结果是，能够提高导电性膜的薄层电阻的测量精度(测量的准确性)。
本发明[2]包括[1]所述的电阻测量装置，其特征在于，当所述探测单元在所述非输送区域和所述输送区域每往返一次或者往返多次时，所述运算单元将所述参照电压存储于所述存储器至少1次。
在该电阻测量装置中，在探测单元每往返一次或者往返多次时，将参照电压存储于存储器至少1次。因此，能够基于在探测单元的每次往返时测量出的参照电压来校正紧接其后的实际电压，能够进一步提高导电性膜的薄层电阻的测量精度。
本发明[3]包括一种膜制造装置，其为制造在一方向上较长的导电性膜的装置，该膜制造装置具有：层叠单元，其将导电层层叠于在所述一方向上较长的基材膜来制作导电性膜；输送单元，其输送所述导电性膜；以及[1]或[2]所述的电阻测量装置，其测量由所述输送单元输送的所述导电性膜的薄层电阻。
在该膜制造装置中，由于具有上述的电阻测量装置，因此，能够准确地检测薄层电阻的不良。因而，能够可靠地考虑到具有不良的薄层电阻的导电性膜。因此，能够制造具有更均匀的薄层电阻的导电性膜。
本发明[4]包括一种导电性膜的制造方法，其为制造在一方向上较长的导电性膜的方法，该导电性膜的制造方法的特征在于，具有：层叠工序，在该工序中，将导电层层叠于在所述一方向上较长的基材膜来制作导电性膜；以及电阻测量工序，在该工序中，一边将所述导电性膜沿所述一方向输送，并且使探测单元跨所述导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描，一边测量所述导电性膜的薄层电阻，所述电阻测量工序具有：参照电压测量工序，在该工序中，在所述非输送区域测量参照电压；实际电压测量工序，在该工序中，一边使所述探测单元在所述输送区域沿所述交叉方向扫描，一边测量所述导电性膜的实际电压；以及计算工序，在该工序中，基于所述参照电压校正所述实际电压，计算所述导电性膜的薄层电阻。
在该导电性膜的制造方法中，使探测单元跨导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地扫描，基于在非输送区域测量出的参照电压来校正在输送区域测量出的实际电压。
因此，能够对测量过程中的非输送区域的参照电压进行测量，并基于该参照电压来校正实际电压。因而，能够基于考虑到了长时间测量时在探测单元产生的滞后等设备特性的参照电压，来校正实际电压，计算薄层电阻，导电性膜的薄层电阻的测量精度(测量的准确性)提高。因而，能够准确地检测导电性膜的薄层电阻的不良，能够可靠地考虑具有不良的薄层电阻的导电性膜。其结果是，能够制造具有均匀的薄层电阻的导电性膜。
本发明[5]包括[4]所述的导电性膜的制造方法，当所述探测单元在所述非输送区域和所述输送区域每往返一次或者往返多次时，至少实施1次所述参照电压测量工序。
在该导电性膜的制造方法中，在探测单元每次往返时，将参照电压存储于存储器至少1次。因此，能够基于在探测单元的每次往返时测量出的参照电压来校正紧接其后的实际电压，能够更进一步提高导电性膜的薄层电阻的测量精度。因而，导电性膜的测量精度进一步提高，能够更可靠地检测导电性膜的品质不良。其结果是，能够制造更均匀的导电性膜。
发明的效果
根据本发明的电阻测量装置，能够提高导电性膜的薄层电阻的测量精度。
根据本发明的膜制造装置和导电性膜的制造方法，能够制造出具有均匀的薄层电阻的导电性膜。
附图说明
图1表示本发明的膜制造装置的一实施方式。
图2表示图1所示的膜制造装置所含的电阻测量装置的主视图。
图3表示图2的俯视图。
图4表示本发明的导电性膜的制造方法的一实施方式的电阻测量工序的流程图。
图5A和图5B表示图3和图4所示的电阻测量装置的变形例(扫描宽度方向另一侧的非输送区域的形态)，图5A表示主视图，图5B表示俯视图。
图6是表示参考例的测量装置的测量时间与参照电压的位移的关系的图表。
图7是表示参考例的测量装置的滞后的关系的图表。
图8是表示本发明的测量装置的测量时间与参照电压的位移的关系的图表。
图9表示参考实施方式的膜制造装置。
具体实施方式
在图1中，纸面左右方向为输送方向(第1方向、长度方向、一方向)，纸面右侧为输送方向下游侧(第1方向一侧、长度方向一侧)，纸面左侧为输送方向上游侧(第1方向另一侧、长度方向另一侧)。纸厚方向为宽度方向(与第1方向正交的第2方向)，纸面近前侧为宽度方向一侧(第2方向一侧)，纸面进深侧为宽度方向另一侧(第2方向另一侧)。纸面上下方向为上下方向(与第1方向和第2方向正交的第3方向、厚度方向)，纸面上侧为上侧(第3方向一侧、厚度方向一侧)，纸面下侧为下侧(第3方向另一侧、厚度方向另一侧)。图1之外的其他附图也以图1的方向为准。
<一实施方式>
1.膜制造装置
参照图1～图3，说明本发明的一实施方式的膜制造装置1。图1所示的膜制造装置1是用于制造在输送方向(一方向)上较长的导电性膜2的装置，具有层叠输送装置3和电阻测量装置4。
[层叠输送装置]
如图1所示，层叠输送装置3具有送出单元5、作为层叠单元的一个例子的溅射单元6以及卷取单元7。
送出单元5具有送出辊11、第1引导辊12以及送出室13。
送出辊11是用于送出基材膜10的、具有旋转轴的圆柱构件。送出辊11配置于层叠输送装置3的输送方向最上游。在送出辊11连接有用于使送出辊11旋转的马达(未图示)。
第1引导辊12是将从送出辊11送出的基材膜10向溅射单元6引导的旋转构件。第1引导辊12配置于送出辊11的输送方向下游侧且是第2引导辊14(后述)的输送方向上游侧。
送出室13是收纳送出辊11和第1引导辊12的壳体。在送出室13设有能够将内部设为真空的真空单元。
溅射单元6利用溅射法在从送出单元5输送来的基材膜10层叠导电层22(后述)。溅射单元6配置为，在送出单元5的输送方向下游侧且是卷取单元7的输送方向上游侧，与该送出单元5和卷取单元7相邻。溅射单元6具有第2引导辊14、成膜辊15、靶材16、第3引导辊17以及成膜室18。
第2引导辊14是将从送出单元5输送的基材膜10向成膜辊15引导的旋转构件。第2引导辊14配置于第1引导辊12的输送方向下游侧且是成膜辊15的输送方向上游侧。
成膜辊15是用于在基材膜10层叠导电层22的、具有旋转轴的圆柱构件。成膜辊15沿其周向将基材膜10沿着成膜辊15的周面输送。成膜辊15配置于第2引导辊14的输送方向下游侧且是第3引导辊17的输送方向上游侧。
靶材16由导电层22的材料形成。靶材16配置于成膜辊15的附近。具体而言，靶材16在成膜辊15的下侧与成膜辊15隔有间隔而相对地配置。
第3引导辊17是将从成膜辊15输送来的导电性膜2经由电阻测量装置4向卷取单元7引导的旋转构件。第3引导辊17配置于第2引导辊14的输送方向下游侧且是第4引导辊19(后述)的输送方向上游侧。
成膜室18是收纳第2引导辊14、成膜辊15、靶材16、第3引导辊17以及电阻测量装置4(后述)的壳体。在成膜室18设有能够将内部设为真空的真空单元。
卷取单元7具有第4引导辊19、卷取辊20以及卷取室21。卷取单元7配置为，在溅射单元6的输送方向下游侧与溅射单元6相邻。
第4引导辊19是将从溅射单元6输送来的导电性膜2向卷取辊20引导的旋转构件。第4引导辊19配置于第3引导辊17的输送方向下游侧且是卷取辊20的输送方向上游侧。
卷取辊20是用于卷取导电性膜2的、具有旋转轴的圆柱构件。卷取辊20配置于基材膜10的输送方向最下游。在卷取辊20连接有用于使卷取辊20旋转的马达(未图示)。
卷取室21是收纳卷取辊20和第4引导辊19的壳体。在卷取室21设有能够将内部设为真空的真空单元。
送出辊11和卷取辊20构成输送单元8的一个例子。
[电阻测量装置]
如图1所示，电阻测量装置4配置于溅射单元6的内部。具体而言，配置于成膜辊15和第3引导辊17的输送下游侧且是第4引导辊19和卷取辊20的输送方向上游侧。
如图2和图3所示，电阻测量装置4具有探测器相对型的非接触型电阻测量单元31(以下也简称为测量单元31)、扫描单元32以及运算单元33。
测量单元31是在不与导电性膜2(测量对象)相接触的状态下对导电性膜2的薄层电阻进行测量的单元，具体而言，是涡流式测量单元。测量单元31通过对导电性膜2施加磁场而在导电性膜2内产生涡流，在涡流的影响下，流经线圈36的电流发生变化，利用该电流的变化来测量导电性膜2的薄层电阻。
测量单元31具有探测单元34和测量电路单元35。
探测单元34是接收来自导电性膜2的信息(磁场等)的单元。具体而言，探测单元34对导电性膜2施加磁场，并且将由导电性膜2的涡流产生的反磁场转换为电流。
探测单元34是双面探测器类型的单元，具有隔有间隔地相对配置的两个探测器34a、34b。即，探测单元34具有与导电性膜2隔有间隔地配置于导电性膜2的上侧的上侧探测器34a和与导电性膜2隔有间隔地配置于导电性膜2的下侧的下侧探测器34b。两个探测器34a、34b的上下方向距离可变。即，后述的上侧扫描单元32a和下侧扫描单元32b中的至少一者能够在上下方向上移动和固定。
上侧探测器34a和下侧探测器34b分别具有线圈36。配置于上侧探测器34a内的线圈36和配置于下侧探测器34b内的线圈36被设为，在沿上下方向投影时成为大致相同的形状。
线圈36各自的直径例如是100mm以下，优选为80mm以下，更优选为40mm以下，另外，例如是10mm以上。若线圈36的直径为上述上限以下，则能够减小探测单元34所能够检测薄层电阻的测量点29(后述)的最小面积，能够提高宽度方向的灵敏度(分辨率)。
探测单元34之间的上下方向距离D(探测器间隙)例如是5mm以上，优选为10mm以上，另外，例如是30mm以下，优选为15mm以下。
测量电路单元35是具有与两个线圈36电连接的电路的单元。测量电路单元35具有例如高频振荡器、电容器、电压计、电流计、I/V转换电路等为驱动测量单元31所需的元件。
扫描单元32是使探测单元34在非输送区域28(后述)和输送区域27(后述)这两个区域沿宽度方向(正交方向：交叉方向的一个例子)移动的单元。具体而言，扫描单元32使探测单元34从一侧非输送区域28a的宽度方向另一端部到输送区域27的宽度方向另一端部进行往返移动。扫描单元32一边维持探测单元34(后述的上侧探测器34a和下侧探测器34b)的相对配置(相对地配置)，一边使它们往返移动。
扫描单元32具有上侧扫描单元32a和下侧扫描单元32b。
上侧扫描单元32a具有：滑动件39，该滑动件39将上侧探测器34a保持于其下表面(厚度方向另一面)；以及引导轴(横动轴)40，该引导轴(横动轴)40为直线状，在宽度方向上跨输送区域25的两端缘。在上侧扫描单元32a中，滑动件39以能够滑动的方式嵌合于引导轴40，在来自未图示的马达的驱动力下，滑动件39以沿着引导轴40在宽度方向上横穿输送区域25的方式进行直线移动。
下侧扫描单元32b具有：滑动件39，该滑动件39将下侧探测器34b保持于其上表面(厚度方向一面)；以及引导轴(横动轴)40，该引导轴(横动轴)40为直线状，在宽度方向上跨输送区域25的两端缘。该滑动件39和引导轴(横动轴)40与上侧扫描单元32a的滑动件39和引导轴40相同。
运算单元33具有存储器37和CPU38。
存储器37存储由测量单元31测量出的参照电压的数据。具体而言，存储器37存储在非输送区域28测量出的参照电压的数据。
另外，存储器37存储由测量单元31测量出的导电性膜2的实际电压的数据、基于实际电压的数据和参照电压的数据对导电性膜2的薄层电阻进行运算的运算程序等。
CPU38执行上述的运算程序，基于参照电压校正实际电压，通过公知的计算式，使用该校正后的实际电压(校正电压)来计算薄层电阻。
2.膜的制造方法
说明使用膜制造装置1来制造导电性膜2的方法的一实施方式。导电性膜2的制造方法具有层叠工序、电阻测量工序以及筛选工序。
[层叠工序]
在层叠工序中，一边输送基材膜10，一边将导电层22层叠于基材膜10。具体而言，一边输送基材膜10，一边利用溅射法在基材膜10的表面形成导电层22(参照图1的放大图)。
首先，将在输送方向上较长的基材膜10配置于送出辊11。即，将以辊状卷绕有长条的基材膜10的卷体安装于送出辊11。
作为基材膜10，能够举出例如高分子膜。作为高分子膜的材料，能够举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂，例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸树脂，例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物等烯烃树脂，例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂等。
基材膜10的宽度方向长度(即输送区域27的宽度方向长度)例如是100mm以上，优选为200mm以上，另外，例如是5000mm以下，优选为2000mm以下。
接着，利用马达来驱动送出辊11和卷取辊20进行旋转，从送出辊11送出基材膜10，依次经由第1引导辊12、第2引导辊14、成膜辊15、第3引导辊17以及第4引导辊19输送该基材膜10，并利用卷取辊20卷取。
基材膜10的输送速度(导电性膜2的输送速度)例如是10mm/秒以上，优选为100mm/秒以上，另外，例如是500mm/秒以下，优选为300mm/秒以下。
由此，基材膜10通过卷对卷方式沿输送方向被从送出辊11输送至卷取辊20(输送工序)。
接着，实施溅射。即，使溅射单元6动作，在基材膜10形成导电层22。
具体而言，向真空下的成膜室18的内部供给气体(氩气等)，并且施加电压，使气体向靶材16碰撞。其结果是，在成膜辊15的下方，从靶材16弹出的靶材料附着于从输送方向上游侧输送来的基材膜10的下表面，形成导电层22。
靶材16的材料即导电层22的材料能够举出例如铟锡复合氧化物、锑锡复合氧化物等金属氧化物，例如氮化铝、氮化钛、氮化钽、氮化铬、氮化镓及它们的复合氮化物等金属氮化物，例如金、银、铜、镍及这些金属的合金等金属等。
由此，在成膜辊15的下侧，制作出具有基材膜10和层叠于该基材膜10的下表面的导电层22的导电性膜2(导电层形成工序)。
然后，在成膜辊15的下侧制作出的导电性膜2由成膜辊15和第3引导辊17向输送方向下游侧的电阻测量装置4输送。
[电阻测量工序]
在电阻测量工序中，一边沿输送方向输送导电性膜2，一边测量导电性膜2的薄层电阻。如图4的流程图所示，电阻测量工序具有电压测量工序和计算工序。
(电压测量工序)
在电压测量工序中，一边使探测单元34沿宽度方向扫描，一边针对所输送的导电性膜2实施电压的测量。电压测量工序具有参照电压测量工序和实际电压测量工序。
在实施测量期间，持续探测单元34的宽度方向的扫描。如图2和图3所示，探测单元34在非输送区域28和输送区域27这两个区域往返移动。
输送区域27是在沿上下方向(厚度方向)投影时与所输送的导电性膜2重叠的区域，输送区域27的宽度方向长度与导电性膜2的宽度方向长度一致。非输送区域28是输送区域27之外的区域，分别被划分在输送区域27的宽度方向外侧(宽度方向一侧和宽度方向另一侧)。即，非输送区域28具有配置于输送区域27的宽度方向一侧的一侧非输送区域28a和配置于输送区域27的宽度方向另一侧的另一侧非输送区域28b。
并且，探测单元34从一侧非输送区域28a沿宽度方向横穿输送区域27，到达输送区域27的宽度方向另一端部，从此处折回，再次沿宽度方向横穿输送区域27，移动到一侧非输送区域28a，反复进行这些移动。
探测单元34的扫描速度例如是10mm/秒以上，优选为100mm/秒以上，另外，例如是500mm/秒以下，优选为300mm/秒以下。
电压的测量首先在非输送区域28实施(参照电压测量工序)。即，探测单元34在扫描一侧非输送区域28a时，实施电压的测量。这时，探测单元34之间处于导电性膜2不介于该探测单元34之间的状态(空状态)。
电压的测量通过使测量单元31进行动作来实施。即，在探测单元34之间产生磁场，对流经测量电路单元35的电流的电压进行检测。
由此，测量出参照电压，参照电压的数据存储于存储器37。具体而言，得到表示测量时间(或测量位置)(横轴)与在该时间时的参照电压(纵轴)的关系的数据资料(日文：プロファイル)。此外，在测量时间上，考虑导电性膜2的输送速度和扫描单元32的扫描速度，从而计算出导电性膜2的测量位置。
接着，在参照电压测量工序之后，在探测单元34扫描输送区域27期间也实施电压的测量(实际电压测量工序)。具体而言，探测单元34在从输送区域27的宽度方向一端部到达宽度方向另一端部并从宽度方向另一端部向宽度方向一端部折回期间(往返一次期间)，实施多次(例如，在图3中为7次)测量。这时，导电性膜2以导电性膜2不与探测单元34接触的状态，在探测单元34之间朝向输送方向下游侧输送。
由此，测量出导电性膜2的实际电压，实际电压的数据存储于存储器37。具体而言，得到表示测量时间(或测量位置)(横轴)与在该时间时的实际电压(纵轴)的关系的数据资料。
如图3所示，由探测单元34测量的测量点29分别具有比线圈36大的、俯视时呈圆形的形状。即，测量点29的直径比线圈36的直径大。
由多个测量点29的集合体构成的图案(测量图案)在俯视时呈沿输送方向前进的波形状。多个测量点29中的、配置于最靠宽度方向一侧的位置的测量点29(29a、29c)位于非输送区域28，除此之外的测量点29(29b、29d)位于输送区域27。
参照电压测量工序和实际电压测量工序反复实施。
由此得到的参照电压的值和实际电压的值都包括线圈的温度所产生的影响和滞后所产生的影响。
(计算工序)
在计算工序中，基于参照电压校正实际电压，计算导电性膜2的薄层电阻。
即，基于参照电压，通过加减乘除等校正实际电压，使用公知的计算方法来计算薄层电阻。例如，使用下述计算式来计算薄层电阻。
【数学式1】
Pc＝Et(Io+Ie)
Figure GDA0002685785410000121
Ie＝R·Ve
Io＝R·(Vo′+Vα)
式中，Pc表示高频电力值，Et表示高频电压值，Io表示不存在测量对象(导电性膜2)的情况下的电流值，Ie表示涡流检测电流值，ρs表示薄层电阻，K表示线圈耦合系数，R表示I/V转换电路的电阻值，Ve表示涡流检测电压值，Vo表示不存在测量对象(导电性膜2)的情况下的电压值，Vα表示参照电压值。
此外，上述高频电压值Et因涡流的产生而发生变化，但是，由与供给电压的误差而被控制为恒定。Ie和Io由I/V转换电路(电阻R)转换为电压值(实际电压)Ve和Vo。另外，在测量导电性膜2之前实施校准，以使Vo成为0[V]，仅使用Ve来实施薄层电阻的计算。利用参照电压值Vα校正该Vo，计算薄层电阻。
根据需要，也可以考虑参照电压之外的电压(例如，由测量单元31的设备特性引起的恒定电压、由线圈温度引起的电压变化量等)，进一步校正实际电压。
这时，在计算某一测量时间时(或者某一测量位置处)的薄层电阻时，基于实际电压的数据等来确定该测量时间时(或者该测量位置处)的实际电压值(在上述式子中为Vo)。并且，基于参照电压的数据，选择在该确定的实际电压值之前测量出的参照电压值(在上述式子中为Vα)，计算薄层电阻。
具体而言，关于在一个非输送区域28(在图3中为测量点29a)测量出的参照电压，其在参照电压在下一个非输送区域28(测量点29c)被测量出之前，与在处于在输送方向上游侧紧靠一个非输送区域28(测量点29a)的位置的输送区域27(测量点29b)测量出的多个实际电压相对应地，被应用于薄层电阻的计算(上述式子的代入)。接着，关于在下一个非输送区域28(测量点29c)测量出的参照电压，其在参照电压在再下一个非输送区域28(测量点29e)被测量出之前，与在处于在输送方向上游侧紧靠下一个非输送区域28的位置的输送区域27(测量点29d)测量出的多个实际电压相对应地，被应用于薄层电阻的计算。以后反复进行该操作。
由此，得到薄层电阻的数据。具体而言，得到表示测量时间(或测量位置)与在该测量时间时的薄层电阻的关系的数据资料。
[筛选工序]
在筛选工序中，基于薄层电阻的数据资料来筛选导电性膜2。
具体而言，在基于数据资料检测到表示偏离预定范围的薄层电阻的值(不良值)的标识的情况下，确定表示不良值的测量位置。接着，对该位置处的导电性膜2实施期望的处置(导电性膜2的排除；导电层22的加工；气体或电力等成膜工艺参数的反馈控制等)。
由此，制造出薄层电阻处于期望的范围内的、均匀的导电性膜2。
3.作用效果
电阻测量装置4具有：探测单元34，其与导电性膜2相对地配置；扫描单元32，其使探测单元34跨输送区域27和非输送区域28这两个区域地沿宽度方向扫描；以及运算单元33，其基于由探测单元34测量的电压来计算导电性膜2的薄层电阻。另外，运算单元33具有存储在非输送区域28测量出的参照电压的数据的存储器37，基于参照电压来校正通过探测单元34在输送区域27沿宽度方向扫描而测量出的实际电压。
在该电阻测量装置4中，使探测单元34跨输送区域27和非输送区域28这两个区域地扫描，基于在非输送区域28测量出的参照电压，来校正在输送区域27测量出的实际电压。
因此，能够对测量过程中的非输送区域28的参照电压进行测量，并基于该参照电压来校正实际电压。具体而言，从实际电压减去参照电压，得到校正电压，根据校正电压来计算薄层电阻值。
这时，当实施长时间测量时，导电性膜2的实际电压受到探测单元34的线圈温度和滞后的影响，参照电压也同样地受到这些影响。并且，在该电阻测量装置4中，基于受到了这些影响的参照电压来校正受到了同样影响的实际电压，因此，在校正电压中，这些影响抵消。因而，在校正电压中，不仅能够排除或减少线圈温度的影响，还能够排除或减少滞后的影响。并且，由于使用该校正电压来计算导电性膜2的薄层电阻，因此，能够提高薄层电阻的测量精度(测量的准确性)。
此外，以往在开始导电性膜2的测量之前，测量一次空状态的电压(参照电压)，然后，在导电性膜2的实际电压的测量中，基于该开始前测量出的参照电压(未受到滞后的影响的状态的参照电压)来校正。因此，在测量中产生了滞后的情况下，计算出未考虑该滞后的影响的电压。因而，以往薄层电阻的测量精度较差。
另外，电阻测量装置4能够一边使探测单元34沿宽度方向扫描，一边测量薄层电阻。即，电阻测量装置4为横动式。因此，电阻测量装置4除了能够测量导电性膜2的输送方向的任意的部位，还能够测量宽度方向的任意的部位。
另外，电阻测量装置4也能够排除或减少线圈温度所产生的影响，因此，可以不需要为了检测线圈36的温度而安装于探测单元34的温度传感器。因而，能够使探测单元34紧凑。
在该电阻测量装置4中，当探测单元34在非输送区域28和输送区域27每往返一次时，运算单元33将参照电压存储于存储器37至少1次(具体为1次)。
因此，能够基于在探测单元34的每次往返所测量出的参照电压来校对紧接其后的实际电压。因此，能够实质上消除由参照电压测量和实际电压测量的时间记录产生的滞后差，能够更可靠地使参照电压测量时的滞后和实际电压测量时的滞后抵消。其结果是，能够更进一步提高导电性膜2的薄层电阻的测量精度。
另外，膜制造装置1具有：溅射单元6，其将导电层22层叠于在输送方向上较长的基材膜10；输送单元8，其输送导电性膜2；以及上述的电阻测量装置4。
因此，能够准确地检测薄层电阻的不良。因而，能够可靠地考虑或排除具有不良的薄层电阻的导电性膜2。因此，能够制造出具有更均匀的薄层电阻的导电性膜2。
该导电性膜2的制造方法具有：层叠工序，在该工序中，将导电层22层叠于长条的基材膜10来制作导电性膜2；以及电阻测量工序，在该工序中，一边将导电性膜2沿输送方向输送，并且使探测单元34跨输送区域27和非输送区域28这两个区域地沿宽度方向扫描，一边测量导电性膜2的薄层电阻。电阻测量工序具有：参照电压测量工序，在该工序中，在非输送区域28测量参照电压；实际电压测量工序，在该工序中，一边使探测单元34在输送区域27沿宽度方向扫描，一边测量导电性膜2的实际电压；以及计算工序，在该工序中，基于参照电压来校正实际电压，计算导电性膜2的薄层电阻。
在该导电性膜2的制造方法中，使探测单元34跨导电性膜2的输送区域27和非输送区域28这两个区域地扫描，基于在非输送区域28测量出的参照电压来校正在输送区域27测量出的实际电压。
因此，能够对测量过程中的非输送区域28的参照电压进行测量，并基于该参照电压来校正实际电压。因而，基于受到了探测单元34所产生的线圈温度和滞后的影响的参照电压，来校正受到了同样影响的实际电压，因此，能够排除或减少这些影响。并且，由于使用该校正电压来计算薄层电阻，因此能够提高导电性膜2的薄层电阻的测量精度(测量的准确性)。因而，能够准确地检测导电性膜2的薄层电阻的不良，能够可靠地考虑或排除具有不良的薄层电阻的导电性膜2。其结果是，能够制造出具有均匀的薄层电阻的导电性膜2。
4.变形例
在以下的各变形例中，对于与上述的一实施方式相同的构件和工序，标注相同的参照附图标记，并省略其详细的说明。另外，能够适当组合各变形例。并且，各变形例除了特殊记载的之外，能够起到与一实施方式相同的作用效果。
在图3所示的一实施方式中，在探测单元每往返一次时，测量并存储参照电压1次，但例如参照图5A和图5B所示，也能够在探测单元每往返一次时，测量并存储参照电压两次(即，在每个去路和每个回路分别测量并存储1次)。
在该实施方式中，如图5A和图5B所示，扫描单元32能够使探测单元34在一侧非输送区域28a、输送区域27以及另一侧非输送区域28b跨宽度方向地往返移动。并且，在使探测单元34在一侧非输送区域28a、输送区域27以及另一侧非输送区域28b跨宽度方向地扫描的同时，分别在一侧非输送区域28a和另一侧非输送区域28b测量参照电压并存储于存储器37。
另外，在图3所示的一实施方式中，在探测单元每往返一次时，测量并存储参照电压1次，但例如也能够在探测单元每往返多次时，测量并存储参照电压1次，对此未图示。具体而言，例如，能够在探测单元每往返1～1000次时，测量并存储参照电压1次，优选的是，在探测单元每往返1～5次时，测量并存储参照电压1次。
在该实施方式中，也可以仅在测量参照电压时，使探测单元34在非输送区域28扫描，另外，也可以在不测量参照电压时，也使探测单元34在非输送区域28扫描。
另外，在图1所示的一实施方式中，探测单元34是具有彼此相对地配置的两个探测器34a、34b的双面探测器类型，但例如探测单元34也能够设为仅具有1个探测器34a的单面探测器类型，对此未图示。
在图1所示的实施方式中，装配溅射单元作为层叠单元，但是，例如也能够装配真空蒸镀单元、化学蒸镀单元等，来替代该溅射单元作为层叠单元。在该情况下，层叠单元具有由导电层22的材料构成的蒸镀源，来替代靶材16。另外，层叠单元也可以是涂布单元、印刷单元等。
5.验证
[滞后的影响]
使用非接触式薄层电阻测量模块(双面探测器类型，Napson公司制，型号“NC-700V”，附有线圈温度传感器)，对未输送导电性膜2的状态(空状态)下的电压(参照电压)进行了长时间(约960分钟)测量。在该测量中，利用非接触式薄层电阻测量模块所具有的运算程序(例如图7所示的温度校正式)来自动地处理针对线圈温度的变化的电压的校正。作为其结果，在图6中示出表示测量时间与参照电压的位移的关系的图表。图6所示的电压位移将测量初期(测量开始0分钟后)的电压设为基准值(0[v])。
另外，由图6明确可知，在长时间测量中，参照电压的位移大幅度地变化至-0.015[v]以下，参照电压的误差变大。因而可知，在利用这样的测量装置测量导电性膜2的薄层电阻的情况下，所测量的薄层电阻的值是考虑到了含有上述误差的电压进行计算的，因此测量误差较大。
另一方面，在图7中以虚线示出了表示此时的线圈温度与参照电压的电压(实际测量值)的关系的图表。此外，线圈温度从27.4℃下降至24.6℃，接着，上升至29.5℃，接着，下降至27.6℃。另外，在图7中以实线示出了非接触式薄层电阻测量模块的温度校正式(校正线)。
由图7可知，在相同的温度下，所测量的电压在线圈温度上升的情况和线圈温度下降的情况中，表现出不同的值。因而可知，在该非接触式薄层电阻测量模块的探测单元34存在滞后，该滞后是图6所示那样的误差的原因之一。
[验证]
使用图1所示的测量装置实施了测量。具体而言，作为测量单元31，使用了非接触式薄层电阻测量模块(双面探测器类型，Napson公司制，型号“NC-700V”)，将探测单元34之间的距离D设定为10mm，将扫描单元32的扫描速度设定为100mm/秒。
一边使探测单元34在输送区域27和一侧非输送区域28a这两个区域沿宽度方向扫描(参照图3)，一边对未输送导电性膜2的状态(空状态)下的各区域27、28a的电压(参照电压)进行了长时间(约1900分钟)测量。
在得到的输送区域27和一侧非输送区域28a的各参照电压中，将输送区域27的参照电压的值减去在紧接其之前测量出的一侧非输送区域28a的参照电压的值。基于该数据，制作表示测量时间与输送区域27的参照电压的位移的关系的图表，在图8中示出该图表。图8所示的电压位移将测量初期(测量开始0分钟后)的电压设为基准值(0[v])。
由图8明确可知，即使在长时间的测量中，参照状态的电压位移也较小，在±0.005[v]以内，误差较小。因而可知，在使用本发明的装置和制造方法对导电性膜2的薄层电阻进行长时间测量的情况下，能够使测量误差较小。推测其原因在于，在测量过程中，利用紧接其之前的一侧非输送区域28a的电压来校正输送区域27的电压，从而使在两个区域(27、28a)产生的设备特定的影响(具体是线圈温度和滞后的影响)彼此抵消。
6.参考实施方式
在以下的实施方式中，对于与上述的实施方式相同的构件和工序，标注相同的参照附图标记，省略其详细的说明。另外，能够适当组合各变形例。
[膜制造装置和电阻测量装置]
如图9所示，参考实施方式的膜制造装置41具有层叠输送装置3和第2电阻测量装置42。第2电阻测量装置42具有测量单元31、温度传感器43、扫描单元32以及第2运算单元44。
温度传感器43检测线圈36的温度。
第2运算单元44基于由探测单元34测量的电压(实际电压)来计算导电性膜2的薄层电阻。
第2运算单元44具有第2存储器45和第2运算程序46。
第2存储器45存储滞后的数据。
作为滞后的数据，例如图7的虚线所示，能够举出表示线圈36上升时的线圈温度与电压的关系以及线圈36下降时的线圈温度与电压的关系这两种关系的数据资料(或者表示该两种关系的校正式、校正曲线)等。
第2运算程序46使用由探测单元34测量的导电性膜2的实际电压的数据、由温度传感器43检测的温度(检测温度)以及存储于第2存储器45的滞后的数据，来对导电性膜2的薄层电阻进行运算。
[膜的制造方法]
使用参照实施方式的膜制造装置41。参照实施方式的导电性膜2的制造方法具有层叠工序、电阻测量工序以及筛选工序。
层叠工序和筛选工序与上述实施方式相同。
电阻测量工序具有实际电压测量工序和第2计算工序。
实际电压测量工序与上述实施方式相同。
在第2计算工序中，基于检测温度和滞后数据来校正实际电压，计算导电性膜2的薄层电阻。
具体而言，基于滞后由检测温度求出应该对实际电压进行校正的电压，接着，基于该求得的电压来校正实际电压。使用该被校正的实际电压(校正电压)，通过公知的计算式来计算薄层电阻。
筛选工序与上述实施方式相同。
由此，能够制造薄层电阻处于期望的范围内的均匀的导电性膜2。
参考实施方式的第2电阻测量装置42基于检测温度和存储于第2存储器45的滞后数据来校正实际电压，计算薄层电阻。因此，能够提高薄层电阻的测量精度。
另外，参考实施方式的膜制造装置41具有溅射单元6、输送单元8以及上述的电阻测量装置42。因此，能够准确地检测导电性膜2的薄层电阻的不良，能够制造具有均匀的薄层电阻的导电性膜2。
另外，参考实施方式的制造方法具有层叠工序和电阻测量工序，电阻测量工序具有基于检测温度和滞后数据来校正实际电压并计算导电性膜2的薄层电阻的第2计算工序。因此，能够准确地检测导电性膜2的薄层电阻的不良，能够制造具有均匀的薄层电阻的导电性膜2。
优选地举出图1所示的实施方式。在图1所示的实施方式中，基于测量过程中的参照电压来校正实际电压。因此，实际电压测量所产生的误差的影响与同样地在参照电压测量中产生的影响抵消，因此，也能够考虑(减少)滞后以外的设备特性的影响。因而，在图1所示的实施方式中，能够提高测量精度使其更准确。
此外，上述发明是作为本发明的例示的实施方式而提供的，但这仅仅是例示，而并非进行限定性的解释。对于本技术领域的技术人员而言明显的本发明的变形例包含在上述权利要求书中。
产业上的可利用性
本发明的电阻测量装置和膜制造装置能够应用于各种工业产品，适合应用于例如导电性膜的制造等。
附图标记说明
1、膜制造装置；2、导电性膜；4、电阻测量装置；6、溅射单元；8、输送单元；10、基材膜；11、送出辊；20、卷取辊；22、导电层；27、输送区域；28、非输送区域；32、扫描单元；33、运算单元；34、探测器；36、线圈；37、存储器。

Claims (5)

1.一种电阻测量装置，其为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的装置，
该电阻测量装置的特征在于，具有：
探测单元，其与所述导电性膜相对地配置；
扫描单元，其使所述探测单元跨所述导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描；以及
运算单元，其基于由所述探测单元测量的电压来计算所述导电性膜的薄层电阻，
所述运算单元具有存储在所述非输送区域测量出的参照电压的存储器，
基于所述参照电压来校正通过所述探测单元在所述输送区域沿所述交叉方向扫描而测量出的实际电压。
2.根据权利要求1所述的电阻测量装置，其特征在于，
当所述探测单元在所述非输送区域和所述输送区域每往返一次或者往返多次时，所述运算单元将所述参照电压存储于所述存储器至少1次。
3.一种膜制造装置，其为制造在一方向上较长的导电性膜的装置，
该膜制造装置的特征在于，具有：
层叠单元，其将导电层层叠于在所述一方向上较长的基材膜来制作导电性膜；
输送单元，其输送所述导电性膜；以及
权利要求1所述的电阻测量装置，其测量由所述输送单元输送的所述导电性膜的薄层电阻。
4.一种导电性膜的制造方法，其为制造在一方向上较长的导电性膜的方法，
该导电性膜的制造方法的特征在于，具有：
层叠工序，在该工序中，将导电层层叠于在所述一方向上较长的基材膜来制作导电性膜；以及
电阻测量工序，在该工序中，一边将所述导电性膜沿所述一方向输送，并且使探测单元跨所述导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描，一边测量所述导电性膜的薄层电阻，
所述电阻测量工序具有：
参照电压测量工序，在该工序中，在所述非输送区域测量参照电压；
实际电压测量工序，在该工序中，一边使所述探测单元在所述输送区域沿所述交叉方向扫描，一边测量所述导电性膜的实际电压；以及
计算工序，在该工序中，基于所述参照电压校正所述实际电压，计算所述导电性膜的薄层电阻。
5.根据权利要求4所述的导电性膜的制造方法，其特征在于，
当所述探测单元在所述非输送区域和所述输送区域每往返一次或者往返多次时，至少实施1次所述参照电压测量工序。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6985196B2 (ja) * 2018-03-27 2021-12-22 日東電工株式会社 抵抗測定装置、フィルム製造装置および導電性フィルムの製造方法
US20220349850A1 (en) * 2019-10-17 2022-11-03 Lam Research Corporation In-situ monitoring of substrate surfaces
KR102429423B1 (ko) 2022-05-25 2022-08-04 주식회사 에너피아 히팅필름 전용 저항 측정장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000074634A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Mitsui Chemicals Inc 高分子フィルムの厚み測定方法および測定装置
JP2000314754A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Sharp Corp シート抵抗測定器
CN102239276A (zh) * 2008-12-03 2011-11-09 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置、磁电阻元件的制造装置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序
JP2012073132A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Toppan Printing Co Ltd 表面抵抗計測装置
WO2017158895A1 (ja) * 2016-03-17 2017-09-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗膜検査装置、塗膜検査方法および膜・触媒層接合体の製造装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60249067A (ja) * 1984-05-24 1985-12-09 Teijin Ltd 導電性フイルムの特性測定装置
US5691648A (en) * 1992-11-10 1997-11-25 Cheng; David Method and apparatus for measuring sheet resistance and thickness of thin films and substrates
JP2000214754A (ja) * 1999-01-21 2000-08-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 講義対応教材作成支援方法及び装置及び講義対応教材作成支援プログラムを格納した記憶媒体
WO2003012828A2 (en) * 2001-04-09 2003-02-13 Kla-Tencor, Inc. Systems and methods for measuring properties of conductive layers
WO2003001539A1 (en) * 2001-06-21 2003-01-03 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Transparent conductive film roll and production method thereof, touch panel using it, and non-contact surface resistance measuring device
JP3922109B2 (ja) 2001-10-17 2007-05-30 東洋紡績株式会社 透明導電性フィルムロールの製造方法
JP2005114461A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Hitachi Industries Co Ltd 薄膜厚さ測定方法及び装置
JP2006258429A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Sii Nanotechnology Inc 走査型プローブ顕微鏡
TWI285906B (en) * 2005-12-08 2007-08-21 Applied Materials Inc Method of improving sheet resistance uniformity and product yield
CN101542643B (zh) * 2007-08-30 2011-09-28 釜屋电机株式会社 金属板芯片电阻器的制造方法以及制造装置
US8242876B2 (en) * 2008-09-17 2012-08-14 Stmicroelectronics, Inc. Dual thin film precision resistance trimming
JP5854947B2 (ja) * 2012-08-01 2016-02-09 株式会社ジャパンディスプレイ 入力装置付き表示装置およびその製造方法並びに電子機器
US9050775B2 (en) * 2012-10-12 2015-06-09 Nano And Advanced Materials Institute Limited Methods of fabricating transparent and nanomaterial-based conductive film
US10070797B2 (en) * 2012-12-05 2018-09-11 Pioneer Corporation Measuring apparatus, probe portion, and connecting cable
JP6343984B2 (ja) * 2014-03-13 2018-06-20 オムロン株式会社 非接触電圧計測装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000074634A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Mitsui Chemicals Inc 高分子フィルムの厚み測定方法および測定装置
JP2000314754A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Sharp Corp シート抵抗測定器
CN102239276A (zh) * 2008-12-03 2011-11-09 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置、磁电阻元件的制造装置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序
JP2012073132A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Toppan Printing Co Ltd 表面抵抗計測装置
WO2017158895A1 (ja) * 2016-03-17 2017-09-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗膜検査装置、塗膜検査方法および膜・触媒層接合体の製造装置

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