TW201017792A - Supporting plate peeling apparatus - Google Patents

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201017792 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於將藉由接合劑被貼黏於晶圓之支撐板從 該晶圓剝離之支撐板剝離裝置，更詳細而言，係關於具備 有除去手段之支撐板剝離裝置，該除去手段係用以除去殘 留在支撐板被剝離後之晶圓之剝離面的接合劑。 @ 【先前技術】 隨著行動電話、數位AV機器及1C卡等之高功能化 ，將所搭載之半導體矽晶片（以下稱爲晶片）予以小型化 及薄板化，依此使晶片在封裝內高積體化之要求變高。爲 了實現封裝內之晶片之高積體化，必須使晶片之厚度薄至 1 5 0 // m 以下。 但是，爲晶片之基礎的半導體晶圓（以下，稱爲晶圓 )藉由硏削成爲較薄，其強度變弱，在晶圓容易產生裂紋 φ 或翹曲。再者，因要自動搬運由於薄化而使強度變弱之晶 圓爲困難，故必須藉由人力搬運，其作業爲麻煩。 因此，開發有藉由在硏削之晶圓貼上被稱爲支撐板（ 以下稱爲支持板）之由玻璃、硬質塑膠等所構成之平板， 保持晶圓之強度，防止裂紋產生及晶圓翹曲的晶圓支持系 統。因藉由晶圓支持板系統可以維持晶圓之強度，可以自 動化搬運薄化後之半導體晶圓。 晶圓和支持板係使用黏著帶、熱可塑性樹脂、接合劑 等而被貼合。之後，於切割晶圓之前自晶圓剝離支持板。 -5- 201017792 晶圓和支持板之貼合使用黏著帶之時，藉由自支持板剝開 晶圓，使用熱可塑性樹脂之時，加熱樹脂使樹脂溶解，於 使用接合劑之時使用溶解液使接合劑溶解等，自支持板剝 離晶圓。例如，專利文獻1[日本特開2006-135272號公報 (2006年5月25日公開），揭示著使用接合劑貼合晶圓 和支持板，藉由溶劑使接合劑溶解而自支持板剝離晶圓之 技術。於剝離支持板之時，以支持板位於其最上方之方式 保持疊層體，經支持板之貫通孔供給溶解貼合基板和支持 _ 板之接合劑的溶劑。 如上述般，於自支持板剝離晶圓之時’因應晶圓之膜 厚，將晶圓之另一面貼合在切割膠帶等之其他支撐體之後 執行剝離。該係因爲晶圓之膜厚小’故晶圓本身之強度低 ，容易產生裂紋之故。即是’ 一旦形成由分割膠帶、晶圓 及支持板所構成之疊層體之後’則從支持板剝離晶圓。 如上述般，所知的有當支持板自晶圓被剝離時’使用 洗淨液洗淨該晶圓之剝離面。依此’可想以往藉由溶劑可 0 以取除不溶解而所殘留的接合劑。但是，此次本案發明者 們發現即使再藉由洗淨液洗淨之後’在晶圓之剝離側之面 還有殘留接合劑的傾向。如此之接合劑之殘漆對於越來越 高求高性能化之晶圓’成爲極大妨礙提高性能之原因。 【發明內容】 本發明之目的係提供能夠將剝離支持板’且藉由洗淨 液洗淨之後還殘留在晶圓之剝離面之接合劑’自該剝離面 -6- 201017792 除去之支撐板剝離裝置。 本發明所涉及之支撐板剝離裝置，具備有用以將藉由 接合劑被黏著於支撐板之晶圓自該支撐板剝離之剝離手段 ，和利用溶劑洗淨附著於藉由該剝離手段而被剝離之上述 晶圓中與上述支撐板對向之面的上述接合劑的洗淨手段， 其特徵爲··又具備藉由乾處理除去殘留在藉由上述洗淨手 段而被洗淨之後的上述晶圓中之該表面之接合劑的除去手 φ 段。 若藉由本發明所涉及之支撐板剝離裝置，則可以藉由 除去手段所產生之乾處理，除去即使溶解接合劑層，而自 被固定在切割膠帶之薄化的晶圓剝離支持板，之後藉由洗 淨液所執行之洗淨也無法除去之接合劑的殘漆。 本發明之另外目的、特徵及優點由以下所示之記載明 顯可知。再者，本發明之利益藉由參照附件圖面的下述說 明可以明白。 【實施方式】 [第1實施型態] 以下，一面參照圖面，一面.針對本發明所涉及之支撐 板剝離裝置之一實施型態予以說明。 本實施型態中之支撐板剝離裝置（以下，稱爲支持板 剝離裝置），具備有用以將藉由接合劑被黏著於支撐板（ 以下，稱爲支持板）之晶圓自該支持板剝離之剝離手段， 和利用溶劑洗淨附著於藉由該剝離手段而被剝離之上述晶 201017792 圓中與上述支持板對向之面的上述接合劑的洗淨手段，和 藉由乾處理除去殘留在藉由上述洗淨手段而被洗淨之後的 上述晶圓中之該表面（以下稱爲剝離面）之接合劑的除去 手段。 在以下中，首先針對具有藉由本實施型態之支持板剝 離裝置而被剝離之支持板的處理對象疊層體予以說明。

圖 成 構 之 體 層 疊 象 對 m: 理 處 示 表 爲 \ly b TJ /· 遵 f ί 層及 疊a) 象c 對圖 理 1 處i rL

，第2圖爲說明處理對象叠層體之形成工程之圖式。 第1圖（a)爲處理對象叠層體6之斜視圖。第1圖 (b)係表示在第1圖（a)所示之切斷線A-A’中，切斷處 理對象疊層體6之狀態的向視剖面圖。處理對象疊層體6 係如第1圖（b)所示般，具有晶圓W、支持板2、接合 劑3、切割膠帶4，和切割框5。晶圓W係藉由接合劑層 3而被黏貼於支持板2。具體而言，如同下述般。 晶圓W爲在黏貼支持板2之表面形成有電路（元件 )之基板，可以使用半導體等之以往周知之材質。晶圓W 之膜厚被施予後述之硏削處理而薄化，大於Oyrn，小於 150#m«較佳爲10〜150/zm之範圍。 支持板2爲在形成從厚膜之晶圓被薄化之晶圓W的 工程中發揮支撐晶圓W之作用的構件。支持板2係例如 第1圖（a)及（b)所示般，可以使用直徑大於晶圓W( 半徑2mm)，厚度500〜1000//!!1之鐵-鎳合金（鎳36%之 -8- 201017792 合金：銦鋼）。但是，本發明並不限定於此，即使爲例如 與晶圓w相同直徑者亦可，再者即使爲材質爲陶瓷或玻 璃者亦可。 在支持板2如第1圖（b)所示般，多數設置有在厚 度方向貫通支持板2之貫通孔2a。貫通孔2a係於自晶圓 W剝離被黏貼於晶圓W之支持板2之時，用以供給使接 合劑層3溶解之溶劑至支持板2和晶圓W之間之接合劑 0 層3之孔。貫通孔2a係以例如直徑〇.5mm，0.7mm間距 被形成在支持板2上。貫通孔2a之直徑及形成間距雖然 並不限定於上述，但是直徑適合〇.3mm〜0.5mm，貫通孔 之間距適合在0.5mm〜1.0mm。 切割膠帶4係基體膜使用pVC (聚氯乙烯）或聚烯、 聚丙烯等之樹脂膜，在其單面以可以黏貼晶圓W之方式 形成有黏著層。再者，如第1圖（b)所示般，切割膠帶4 比起後述晶圓W，其表面積大。因此，當在切割膠帶4之 φ 上黏著晶圓W之時，則在晶圓W之外緣露出切割膠帶4 之一部分。 切割膠帶5係發揮防止切割膠帶4鬆弛之作用。 接著，針對處理對象疊層體6之形成工程予以說明。 對於處理對象疊層體6之形成，如第2圖所示般，首 先，在晶圓W中之支持板黏著面（之後的剝離面）W-a塗 佈接合劑液3’（第2圖之（a))。塗佈可以使用例如旋 轉器’但是並不限定於此。作爲接合劑液，係相對於後述 之剝離處理所使用之溶劑，具有可以剝離支持板2程度之 -9 - 201017792 溶解性，並且若爲後述般可以藉由除去殘留在剝離後之晶 圓的剝離面之接合劑之處理而除去的性質即可。具體而言 ，可以使用合成酚醛樹脂系材料接合劑、丙烯酸樹脂系接 合劑或是聚乙烯醇系接合劑等。 接著，使上述接合劑液預備乾燥而降低流動性，能夠 設爲當作接合劑層3之形狀維持。預備乾燥使用烤箱例如 以80 °C加熱5分鐘。接合劑層3之厚度係因應形成在晶圓 W表面之電路的凹凸而決定。並且，在第一次塗佈中不產 _ 生所需之厚度之時，多次重複執行塗佈和預備乾燥。此時 ，最上層以外之接合劑層的預備乾燥係強化乾燥程度使接 合劑不殘留流動性。 在藉由上述形成有特定厚度之接合劑層3之晶圓W， 貼附支持板2(第2圖之（b))。晶圓W和支持板2之 貼附可以使用貼附機執行。貼附機之構成並不特別限定， 但是若將晶圓W和支持板2互相對向配置在特定位置， 藉由推壓，構成貼合即可。再者，即使在貼附機設置有於 ❹ 推壓時用以加熱支持板2之手段亦可。 接著，藉由以磨床10硏削晶圓W之背面W-b，執行 晶圓W之薄板化（第2圖（c ))。 於因應所需在薄板化之晶圓W之背面W-b形成電路 等之後，使該背面w-b與切割膠帶4對向，固定於切割膠 帶4上（第2圖之（d))。 本實施型態中之支持板剝離裝置係將上述般之構成之 處理對象疊層體設爲處理對象。 -10- 201017792 接著，說明該支持板剝離裝置之構成，並且針對其剝 離處理予以說明。 [支持板剝離裝置] 第3圖爲表示本實施型態之支持板剝離裝置之構成圖 。支持板剝離裝置係被使用於自該晶圓W剝離第1圖（a )及（b)所示之被黏著於薄化之晶圓W之剝離面W-a的 0 支持板2。因此，支持板剝離裝置80如第3圖所示般，至 少具備有收納處理對象疊層體6之處理對象疊層體收納部 20、剝離手段30、搬運手段40、洗淨手段50和除去手段 6 0 〇 (剝離手段） 上述剝離手段30爲用以將可以溶解接合劑層3之溶 劑供給至接合劑層3之構成，並且於接合劑層3溶解之後 ’或是使接著力充分下降之後，則自該剝離面W-a剝離被 黏貼於第1圖（b)所示之薄板化之晶圓W之剝離面W-a 的支持板2。 具體而言，剝離手段30具有溶解處理體3 0a，和支持 板搬運體30b。 溶解處理體30a包含溶劑注入板32，和保持溶劑注入 板32，且能夠朝上下方向移動之保持移動手段34，和載 置處理對象疊層體6之處理台36。並且，如第1圖所示般 ’於俯視觀視時，以包含水平移動手段3 8爲佳，使溶劑 -11 - 201017792 注入板32能夠在平面內（水平面內）移動，而使溶劑注 入板32可以在不與處理台36重疊之位置上待機。若藉由 該態樣，於處理對象疊層體6被置放於處理台36之時， 則可以抑制引起無企圖之溶劑的供給。 即是，溶劑注入板32係在處理對象疊層體6被配置 在處理台36上之前，在與處理位置不同之待機位置39待 機，於處理對象疊層體6被配置在處理台36之後，藉由 水平移動手段38在處理對象疊層體6之正上方移動，隨 @ 後藉由保持移動手段34，移動成與處理對象疊層體6之間 隔距離成爲適當距離，執行處理。 溶劑注入板32具有與處理對象疊層體6對應之對向 面，在對向面設置有用以經支持板2之貫通孔而供給溶劑 之溶劑供給孔（無圖式），和用以吸引所供給之溶劑的溶 劑吸引孔（無圖式）。此時，溶劑注入板3 2於俯視觀視 時，盡量可以將溶劑供給成在支持板2之外側於露出之切 割膠帶4(參照第1圖（b))上無附著溶劑，其構造並不 麕 特別限制。例如，在對向面中，在中心設置溶劑供給孔， 在離中心最遠之位置設置上述溶劑吸引孔，邊供給溶劑， 邊執行吸引，依此可以使溶劑不會附著於切割膠帶4。就 以其他例而言，藉由在溶劑注入板32之外周設置縮短與 處理對象疊層體6之距離的凸部，亦可以物理性抑制溶劑 之飛散。再者，即使在溶劑注入板32，設置用以促進溶劑 浸透至接合劑之超音波產生器亦可。 成爲可自晶圓W剝離的狀態之支持板2，係藉由上述 -12- 201017792 支持板搬運體3〇b，被搬運至用以收納支持板之支 納部70。 就以溶劑而言，可以使用接合劑液所使用之溶 以往周知溶劑，例如，可以舉出水；丙酮、丁酮、 、甲基異戊酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、乙二醇 酯、雙乙二醇、雙乙二醇一乙酸酯、丙二醇、丙二 酸酯、雙丙二醇或雙丙二醇一乙酸酯之單甲醚、單 φ 單丙醚、單丁醚或單酚醚等之多元醇類及其衍生物 六環般之環式醚類；以及乳酸甲酯、乳酸乙酯、醋 、醋酸乙酯、醋酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯 丙酸甲酯、甲氧丙酸乙酯等之酯類或該些混合物等 若因應接合劑使用即可。尤其，於使用丙烯酸系接 時，使用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA) 、2-庚酮（ 當作溶劑爲佳，於使用聚乙烯醇系接合劑之時，則 水當作溶劑爲佳。 φ 並且，爲了提高處理效率，溶解處理體30a係 被設置在支持板剝離裝置爲佳。再者，於設置多數 爲了執行效率佳之處理，將溶解處理體30a彼此配 第3圖所示般夾著搬運手段40之運行路46爲佳。 如此一來，藉由剝離手段3 0，剝離支持板2 W係藉由搬運手段40，被搬運至洗淨手段50。在 對搬運手段40予以說明。 (搬運手段） 持板收 劑般的 環己酮 —乙酸 醇一乙 乙醚、 ;二氧 酸甲酯 、甲氧 。該些 合劑之 MAK ) 以使用 以多數 之時， 置成如 之晶圓 此，針 -13- 201017792 搬運手段40具有保持處理對象疊層體6而搬運至剝 離手段30之功能、將晶圓W從剝離手段30搬運至洗淨 手段50之功能，和將晶圓W自洗淨手段50搬運至除去 手段6 0之功能。 搬運手段40具有搬運自動控制裝置42和用以實現直 線運行之運行路46。搬運自動控制裝置42具體而言，係 能夠以搬運自動控制裝置42之軸爲中心旋轉，具有兩個 連結臂44a及把手4 4b。連結臂44a係藉由在關節之旋轉 _ 動作執行伸縮動作。把手44b係被設置在連結臂44a之前 端，發揮保持處理對象疊層體6或晶圓W之作用。搬運 自動控制裝置42係藉由以連結臂44a之伸縮動作和軸42a 爲中心之旋轉動作，能夠在水平面移動處理對象疊層體6 或晶圓W。 接著，針對洗淨手段50予以說明。 (洗淨手段） @ 上述洗淨手段50具有第1洗淨單元52及第2洗淨單 元54。 第1洗淨單元52主要目的係除去存在殘留在晶圓W 上之接合劑，第2洗淨單元54之主要目的係執行更進一 步的洗淨及乾燥。如此一來，藉由多數設置洗淨單元，可 以實現更高度之洗淨（用以取得清淨之面）。 第1洗淨單元52包含洗淨板56，和保持洗淨板56， 能夠在上下方向移動之保持移動手段57。洗淨板56爲具 -14- 201017792 有與晶圓 W之處理面對向之面的對向板。在對 有用以供給洗淨液至晶圓W之洗淨液供給孔（ ，和用以吸引所供給之洗淨液的洗淨液吸引孔（ 。再者，洗淨板56之對向面，以具有與晶圓W 幾乎同形狀之大小爲佳。依此，可以對晶圓W 之全面同時執行洗淨處理，並且可以效率佳執行 內不均勻之洗淨處理。 φ 第1洗淨單元52之處理若將晶圓W和洗涛 向對準之後，邊供給（滴下）洗淨液，邊同時執 可（洗淨處理）。依此，可以抑制洗淨液飛散至 。就以洗淨液而言，若從上述溶劑使用較佳者即 再者，第1洗淨單元52係與剝離手段30相 有能夠水平移動之水平移動手段58爲佳。如此 由具有水平移動手段58，當俯視觀看時，可以 56在不與處理台55重疊之位置待機。在本實施 % 水平移動手段例示著直線之運行路58a，和具有 路5 8a之移動機構之情形。但是，就以水平移動 ，只要是在待機位置和處理位置之間移動洗淨板 ’並不限定於此。 第2洗淨單元54係在第1洗淨單元52中， 束洗淨之晶圓W，最終發揮乾燥之作用。第2 54只要具有可以實行罩杯洗淨之構成即可，並不 > 晶圓W從第1洗淨單元52搬運至第2洗 向面設置 無圖式） 無圖式） 之處理面 之處理面 不會有面 :板5 6相 行吸引即 切割膠帶 可。 同，以含 一來，藉 使洗淨板 型態中， 沿著運行 手段而言 56即可 又洗淨結 洗淨單元 特別限定 笋單元54 -15- 201017792 也藉由上述搬運手段40執行。然後，完成依據第2洗淨 單元54之處理的晶圓W，藉由搬運手段40被保持，被搬 運至除去手段60。 藉由根據剝離手段30及洗淨手段50之至此的處理， 可以自晶圓W之剝離面W-a剝離支持板2，並且可以實現 支持板2和晶圓W之間的接合劑層3自晶圓W之剝離面 W-a被除去某程度之狀態。但是，本案發明者發現在晶圓 W之剝離面W-a上，有即使藉由上述洗淨液之洗淨也無法 _ 取除之來自接合劑層3的接合劑，此妨礙晶圓W之性能 向上。在此，藉由具有第3圖所示之除去手段60，成功除 去殘留在晶圓W之剝離面W-a之接合劑，完成本發明。 (除去手段） 上述除去手段60係被構成依據上述洗淨手段50之洗 淨後，藉由乾處理除去殘留於晶圓W之剝離面W-a之接 合劑。 ⑩ 如第4圖所示般，除去手段60係被構成依據上述洗 淨手段50之洗淨後，可以對晶圓W之剝離面W-a，執行 電漿處理。 具體而言，除去手段係產生氧電漿，除去殘留在晶圓 W之剝離面W-a之接合劑（除去處理）。並且，本發明雖 然並不限定於氧電漿，但因除去效率高，故以使用氧電漿 爲佳。 如此，藉由除去手段，當除去殘留晶圓W之剝離面 -16- 201017792 w-a之接合劑時，藉由無圖示之切割裝置被切割，而成爲 各個晶片。 並且，本實施型態之支持板剝離裝置又如第3圖所示 般，即使具備定位部7 1亦可。定位部7 1係將自處理對象 疊層體收納部20取出之處理對象叠層體6搬運至剝離手 段30之前，執行定位，在剝離手段30中，在適當位置配 置處理對象疊層體6。定位部71係當沿著搬運手段40之 φ 運行路46(面對運行路46)而設置時，因可以自動控制 裝置之運行方向（X)、機械臂之延伸方向（Y)、自動 控制裝置之旋轉（0 )之3點來定位，故可以高精度定位 爲較佳。並且，考慮空間之效率面或定位後與搬運之多數 剝離手段之距離相等之優點，以將定位部71配置在搬運 手段40之運行路46之延長線上爲佳。 以下，根據實施例詳細說明本實施形態。並且，本發 明之構成並不限定於以下之構成。 〔實施例1〕 就以本實施形態中之支持板剝離裝置之一實施例而言 ，藉由下述般之手法執行洗淨處理及除去處理，評估處理 後之晶圓表面之殘漆。 (1-1)處理對象疊層體 在本實施例中，將直徑200mm之裸矽基板當作第1 圖（b)之晶圓W使用。在裸矽基板之單面’將丙烯酸系 -17- 201017792 之接合劑塗佈成層厚15//m而形成接合劑3(第1圖（b ))。並且，在本實施例中，爲了方便，不使用第1圖（ b)所示之切割膠帶4及切割框5。 再者，在本實施例中，將藉由洗淨液洗淨裸矽基板之 單面之後者當作處理對象疊層體使用。因此，也不使用第 1圖（b)之支持板2，也不執行矽基板之薄化。 (1-2洗淨手段） 螓 將PGMEA當作洗淨液使用，滴下（30ml/分）於上述 處理對象疊層體之接合劑層3形成面之中心部份，一面使 處理對象疊層體旋轉，一面執行欲執行的旋轉洗淨。旋轉 係將與處理對象疊層體之接合劑層3形成面相反側之面’ 載置在旋轉台，將沿著處理對象疊層體之厚度方向的軸當 作旋轉軸予以旋轉而執行。洗淨時間設爲5分鐘。 (1·3 )除去手段 φ 使用除去手段，執行氧電漿處理。氧電漿處理係在將 處理室內之溫度設爲60°C，將真空度設爲63Pa，將氧氣 體設爲1L/分鐘，將RF輸出設爲3 00W之條件下執行。處 理時間設爲1分鐘。 使用X射線光電子分光分析裝置（XPS )在點尺寸 800 進行表面分析而評估經以上之各處理而所取得之 裸矽基板之單面之接合劑殘渣。在本實施例中，使用XPS ，測量裸矽基板之單面之殘渣碳。 -18- 201017792 表1係針對出現碳之峰値在28 5eV附近之峰値強度之 氧電漿處理時間依存性而予以表示者，該碳係源自屬於有 機成分之接合劑。從表1確認出藉由使用本實施例之除去 手段執行氧電漿處理，從處理開始經過一分鐘後幾乎可以 除去殘渣。此係表示可以除去即使從被固定於第1圖（a )及（b )所示之切割膠帶之薄化晶圓，使用溶劑剝離支 持板，並且之後藉由洗淨液執行洗淨，也無法自晶圓之剝 φ 離面除去的接合劑之殘渣。 〔表 1〕___ 處理內容 峰値強度 僅有洗淨液 24863 洗淨液+氧電漿（Imin.) 645 由上述可知，若藉由本實施形態中之支撐板剝離裝置 ，則可以藉由如將氧電漿供給至晶圓之剝離面的簡易手法 • ，除去即使自被固定在切割膠帶之薄化的晶圓剝離支持板 ，並且之後藉由洗淨液執行之洗淨也無法除去之接合劑的 殘漆。此係表示可以抑制晶圓之性能惡化，有助於提供信 賴性高之晶圓。 [第2實施型態] 以下，一面參照圖面，一面針對本發明所涉及之支撐 板剝離裝置之第2實施型態的支持板剝離裝置予以說明。 被設置在上述第1實施形態之支持板剝離裝置之除去 -19- 201017792 手段，爲對晶圓之剝離面施予電漿處理之構成，對此被設 置在本實施形態之支持板剝離裝置之除去手段，被構成對 晶圓之剝離面施予臭氧處理。在此，在以下中，針對其他 構成省略說明，僅說明除去手段之構成。 臭氧處理係指產生臭氧，分解而產生活性氧，並藉由 該活性氧，分解、除去殘留在晶圓之剝離面之處理。臭氧 之產生方法並不特別限定，例如即使藉由照射紫外線將處 理室內之空氣中所含的氧變更成臭氧，或是使用供給臭氧 之裝置，將臭氧直接導入至處理室內亦可。 使用採用紫外線（UV)燈使產生活性氧之構成，以 作爲被設置在本實施形態之支持板剝離裝置之除去手段時 ，UV燈爲可以照射波長172〜300nm之紫外線者爲佳。 以下，根據實施例詳細說明本實施形態。並且，本發 明之構成並不限定於以下之構成。 〔實施例2〕 φ 就以本實施形態中之支持板剝離裝置之一實施例而言 ’藉由下述般之手法執行洗淨處理及除去處理，並評估處 理後之晶圓表面之殘漆。 (2-1 )處理對象疊層體 在本實施例中，第1圖（b)之晶圓W使用藉由真空 濺鍍方式將鋁蒸鍍在直徑150mm之矽晶圓表面者，來取 代上述實施例（1)之裸矽基板之外，其他使用與實施例 -20- 201017792 (1)之處理對象疊層體相同者。 (2-2洗淨手段） 再者，藉由洗淨手段所執行之洗淨也設爲與上述實施 例（1 )相同條件。 (2-3)除去手段 使用除去手段，執行臭氧處理。臭氧處理係使用UV 臭氧洗淨裝置（TECHVISION公司製：模型UV-208型） 而執行，在裝置內部（處理室）配置處理對象疊層體而執 行臭氧處理。將處理室內之溫度設爲室溫。在臭氧處理中 ，藉由執行兩種類之波長之UV照射，進行臭氧產生和分 解，藉由所產生之活性氧，執行除去處理對象疊層體之殘 渣。具體而言，第1階段係對處理室內照射波長185nm之 紫外線而產生臭氧。接著，第2階段係藉由照射波長 φ 254nm之紫外線而分解臭氧，並使產生活性氧。 鋁表面膜晶圓之單面的接合劑殘渣係與實施例（1 ) 相同，使用X射線光電子分光分析裝置（XPS )在點尺寸 8 00 y m進行表面分析而進行評估。 表2係針對出現碳之峰値在285eV附近之峰値強度之 氧電漿處理時間依存性而予以表示者，該碳係源自屬於有 機成分之接合劑。從表2確認出藉由使用本實施例之除去 手段執行臭氧處理’從處理開始經過兩分鐘後幾乎可以除 去殘渣。此係表示可以除去即使從被固定於第1圖（a) -21 - 201017792 及（b)所示之切割膠帶之薄化晶圓剝離支持板，並且之 後藉由洗淨液執行洗淨，也無法自晶圓之剝離面除去的接 合劑之殘渣。 〔表2〕 處理內容 峰値強度 僅有洗淨液 23114 洗淨液+臭氧處理（2min.) 7044 洗淨液+臭氧處理（3min.) 5 138 洗淨液+臭氧處理（5min.) 2696 洗淨液+臭氧處理（30min.) 2247

由上述可知，若藉由本實施形態中之支撐板剝離裝置 ，則可以藉由如臭氧處理的簡易手法，除去即使溶解接合 劑層而自被固定在切割膠帶之薄化的晶圓剝離支持板，並 且之後藉由洗淨液執行之洗淨也無法除去之接合劑的殘漆 。此係表示可以抑制晶圓之性能惡化，有助於抑制晶圓的 性能惡化，提供信賴性高之晶圓。 參 [第3實施型態] 以下，一面參照圖面，一面針對本發明所涉及之支撐 板剝離裝置之第3實施型態的支持板剝離裝置予以說明。 被設置在上述第1實施形態之支持板剝離裝置之除去 手段，爲對晶圓之剝離面施予電漿處理之構成，對此被設 置在本實施形態之支持板剝離裝置之除去手段，被構成對 晶圓之剝離面施予紫外線處理。在此，在以下中，針對其 -22- 201017792 他構成省略說明，僅說明除去手段之構成。 紫外線處理係指藉由從紫外線照射裝置（例如，UV 燈）照射紫外線（UV )至晶圓之剝離面或是剝離面附近 ，除去殘留在晶圓之剝離面的接合劑之處理。 在此，在上述第2實施形態，雖然針對藉由照射紫外 線使產生臭氧，依據由臭氧之分解所產生之活性氧，分解 、除去殘留在晶圓之剝離面之構成予以說明，但是本實施 Φ 形態之除去手段也包含藉由照射UV，以與上述臭氧處理 相同之機構，利用活性氧分解、除去殘留在晶圓之剝離面 之接合劑的構成，也包含在不產生臭氧及活性氧之條件下 ，藉由照射UV除去該接合劑之構成。 即是，被設置在本實施形態之支持板剝離裝置之除去 手段具備有UV燈。UV燈可以配置在可以收容藉由洗淨 液洗淨晶圓剝離面之後之處理對象疊層體之處理室內部， 或是配置在設置在處理室之窗的外側。依此，構成可以將 UV照設至晶圓之剝離面，或是剝離面附近。 UV燈以可以照射波長172〜3 OOnm之紫外線爲佳。 由上述可知，若藉由本實施形態中之支持板剝離裝置 ，則可以藉由如UV處理的簡易手法，除去即使溶解接合 劑層而自被固定在切割膠帶之薄化的晶圓剝離支持板，並 且之後藉由洗淨液執行之洗淨也無法除去之接合劑的殘漆 。該係表示可以抑制晶圓之性能惡化，有助於提供信賴性 闻之晶圓。 在本發明之詳細說明中的具體實施態樣或實施例只不 -23- 201017792 過係用以使本發明之技術內容爲明確，並不僅限定於如此 之具體例而作狹義解釋，只要在不脫離本發明之精神和後 述申請專利範圍之範圍，可以作各種變更而加以實施。 【圖式簡單說明】 第1圖（a)爲表示本發明所涉及之支撐板剝離裝置 之一實施型態的支持板剝離裝置之處理對象的處理對象疊 層體之構成的斜視圖，第1圖（b)爲表示在第1圖（a) φ 所示之切斷線A-A’中切斷處理對象疊層體之狀態的向視 剖面圖。 第2圖爲說明第1圖所示之處理對象疊層體之形成工 程的斜視圖。 第3圖爲本發明所涉及之支撐板剝離裝置之一實施型 態之支持板剝離裝置之一部分的構成圖。 第4圖爲本發明所涉及之支撐板剝離裝置之一實施型 態之支持板剝離裝置之一部分的構成圖。 φ 【主要元件符號說明】 2 :支持板（支撐板） 2 a :貫通孔 3 :接合劑層 3 ’ ：接合劑液 4 :切割膠帶 5 :切割框 -24- 201017792 6:處理對象疊層體 1 0 :磨床 20 :處理對象疊層體收納部 3 0 :剝離手段 30a :溶解處理體 3〇b :支持板搬運體 3 2 :溶劑注入板 懲 34:保持移動手段 3 6 ·處理台 3 8 :水平移動手段 39 :待機位置 40 :搬運手段 42 :搬運自動控制裝置 44a :連結臂 44b :把手 _ 46 :運行路 50 :洗淨手段 52 :第1洗淨單元 54 :第2洗淨單元 55 :處理台 56 :洗淨板 57 :保持移動手段 5 8 :水平移動手段 5 8 a :運行路 -25 201017792 60 :除去手段 70:支持板收納部 71 :定位部 80:支持板剝離裝置（支持板剝離裝置） W :晶圓 w - a :剝離面 W - b :背面 鬱

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Claims (1)

1. 201017792 七、申請專利範面： 1· 一種支撐板剝離裝置，具備有用以將藉由接合劑被 黏著於支撐板之晶圓自該支撐板剝離之剝離手段，和利用 溶劑洗淨附著於藉由該剝離手段而被剝離之上述晶圓中與 上述支撐板對向之面的上述接合劑的洗淨手段，其特徵爲 :又具備 藉由乾處理除去殘留在藉由上述洗淨手段而被洗淨之 Φ 後的上述晶圓中之該表面之接合劑的除去手段。 2.如申請專利範圍第1項所記載之支撐板剝離裝置， 其中，上述除去手段係被構成藉由對上述晶圓中之該面， 施予紫外線處理、電漿處理或臭氧處理，除去殘留之接合 劑。 3 .如申請專利範圍第2項所記載之支撐板剝離裝置， 其中，上述除去手段係被構成使當作上述電漿處理的氧電 漿產生。 _ 4.如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之支 撐板剝離裝置’其中，在成爲剝離對象之上述晶圓中之該 面的背面，黏貼著藉由切割框所保持之切割膠帶’並且上 述晶圓之厚度爲大於0小於150#m。 -27-