TW201009969A - Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device - Google Patents
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Description
201009969 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關半導體裝置的製造方法,特別是將構成 半導體裝置的半導體晶片搭載於封裝載體(Package Carrier)時之半導體裝置的製造方法及半導體裝置。 【先前技術】 0 在半導體裝置的製造方法中,將半導體晶片電性連接 至封裝載體的方法,例如有將半導體晶片的端子部直接地 與封裝載體的端子部的表面連接的覆晶(Flip Chip)安裝技 術。 覆晶安裝技術是安裝時間較短,且爲安裝端子部設於 晶片表面的半導體晶片的構成,因此可縮小封裝載體的大 小。另外,封裝載體是以封裝載體基材、及設於封裝載體 基材表面的端子部所構成。構成封裝載體基材的封裝載體 0 材料,可使用在可撓性基板(FPC)等所使用的有機材料、 陶瓷、玻璃、矽等各種的材料。 在覆晶安裝技術中,用以接合半導體晶片的端子部與 封裝載體的端子部之以往的方法,例如有焊錫接合、 ACF(ACP)接合、NCF(NCP)接合、超音波接合等。ACF、 ACP、NCF、NCP 分別爲 Anisotropic Conductive Film、 Anisotropic Conductive Paste ' Non-Conductive Film Non-Condutive Paste 的簡稱。 焊錫接合是使半導體晶片的端子部接觸於封裝載體端 -5- 201009969 子部,使形成於半導體晶片端子的焊錫凸塊熔融,藉此電 性連接半導體晶片與封裝載體者。又,圖4所示的半導體 裝置100是具備Au凸塊的半導體晶片端子部112與對Cu 鍍Sii的封裝載體端子部122爲藉由Au-Sn共晶來接合。 爲了使端子彼此間接合,總之必須對兩端子部施加300°C 程度的溫度,爲了防止熱所造成的封裝載體基材的品質劣 化,而使用即使300 °C以上也不熔融具有耐熱性的聚醯亞 胺材等,但一般以耐熱性佳的封裝材料所構成的封裝載體 爲高價,難以壓制製造成本的增大。 就ACF(ACP)接合及NCF(NCP)接合而言,是在使半 導體晶片的端子部與封裝載體的端子部接觸的狀態下,使 熱/光硬化樹脂充塡硬化於半導體晶片與封裝載體的間 隙,藉此來將半導體晶片電性連接至封裝載體。熱/光硬 化樹脂的硬化溫度,一般需要約200°C強的溫度。相要於 焊錫接合,可低溫連接端子彼此間,但就耐熱性差便宜的 封裝基材而言,即使不到熔融也有可能使封裝載體基材全 體軟化。半導體晶片的端子部與封裝載體的端子部的接合 不安定,連接阻抗變大,有可能導致半導體裝置的品質降 低。 更爲了使光硬化樹脂硬化,必須經過載體封裝來照射 紫外線。亦即,光硬化樹脂的硬化程度是仰賴載體封裝的 光吸收特性,因此在光吸收特性低無法充分地使光硬化樹 脂硬化時,有可能半導體晶片的端子部與封裝載體端子部 的接合形成不安定。並且,就使用絕緣樹脂的NCF(NCP) 201009969 接合而言,相較於使用分散導電金屬粒子的樹脂的 ACF(ACP)接合,一旦在半導體晶片的端子部與封裝載體 的端子部之間進入絕緣體的樹脂,則連接阻抗値會上昇, 有可能半導體晶片的端子部與封裝載體的端子部的連接形 成不安定,有可能導致半導體裝置的品質降低。 對於上述焊錫接合、ACF(ACP)接合及NCF(NCP)接合 而言,超音波接合是在半導體晶片的端子部,以Au等的 @ 凸塊材料來形成凸塊(接合部),藉由超音波振動來接合半 導體晶片與封裝載體。由於超音波接合是在接合半導體晶 片與封裝載體時不施加熱,因此可防止施加熱所造成的封 裝載體的損傷。但,在超音波接合,可接合的材料受限於 Au-Au、Au-Al、Au-Ag、Au-Pd等。因此,無法利用在共 晶接合等所一般被使用的Au-Sn。 又,以低溫來接合半導體晶片端子與封裝載體端子的 方法,有在半導體晶片的端子部與封裝載體端子部之間, ❹ 構成以銦等所構成的低融點金屬之方法被提案(例如參照 專利文獻1)。 . 然而’上述專利文獻1記載的方法,因爲在半導體晶 片端子與封裝載體端子之間形成低融點金屬,所以有製造 工程的工程數增大且端子與低融點金屬間的接合性課題。 又’由於銦等低融點金屬一般爲筒價,所以有可能製造成 本會增大。 [先行技術文獻] [專利文獻] 201009969 [專利文獻1]特開平5-206205號公報 【發明內容】 (發明所欲解決的課題) 如上述般,焊錫接合、ACF(ACP)接合及NCF(NCP)接 合’在被施加熱之下,有可能封裝載體熔解損傷,或半導 體晶片的端子部與封裝載體的端子部的接合形成不安定, 有可能無法維持半導體裝置的可靠度,因此在半導體裝置 的品質等的觀點上,難以使用耐熱性差之較便宜的塑膠基 材。 相對的,超音波接合則是可使用的端子部的材料受 限,就上述專利文獻1記載的方法而言,難以壓制使用銦 等較高價的低融點金屬所造成的製造工程的增大及製造成 本的增大。 亦即,以往在覆晶安裝技術中,使用較便宜的塑膠基 材等耐熱性低的封裝載體時,因施加熱而造成半導體裝置 的可靠度降低的防止、Au-Sn等一般性的共晶接合材料的 利用、及製造成本的增大防止全部可以實現之半導體裝置 的製造方法未被提案。在使用耐熱性較低的封裝載體基材 時,尋求藉由一般性的端子材料來安定地接合半導體裝置 與封裝載體之可靠度高的半導體裝置。 本發明是有鑑於上述問題而硏發者,其目的是在於提 供一種即使使用較便宜耐熱溫度低的封裝載體時,照樣可 以防止接合部的可靠度的降低,可利用一般性的端子材 -8- 201009969 料,且可抑制製造成本的增大之半導體裝置的製造方法。 並且,提供一種雖然使用較便宜耐熱溫度低的封裝載體, 但是可靠度高的半導體裝置。 (用以解決課題的手段) 用以達成上述目的之本發明的半導體裝置的製造方$ 的第1特徵爲: 0 在往具有軟化溫度的封裝載體安裝半導體晶片時,實 行:對半導體晶片施加封裝載體會軟化的溫度之工程、及 使被加熱的半導體晶片的端子部接觸於封裝載體端子部之 下藉由熱傳導來使封裝載體端子部及其周邊領域的封裝載 體基材軟化之工程、及在封裝載體端子部及其周邊領域的 封裝載體基材軟化的狀態下使半導體晶片端子部與封裝載 體端子部藉由壓接來使接合,使封裝載體端子部形成從封 裝載體基材表面部來推壓至封裝載體基材內部方向的狀態 φ 之工程(端子接合工程)。 上述特徴之本發明的半導體裝置的製造方法的第2特 徵爲; 前述端子接合工程,係以前述封裝載體的端子部與前 述封裝載體基材的接觸面能夠形成從前述封裝載體基材的 表面向基材內部方向推入2〜ΙΟμιη的狀態之方式,將加 熱狀態的前述半導體晶片推壓至前述封裝載體。 上述任一特徴之本發明的半導體裝置的製造方法的第 3特徵爲: -9- 201009969 前述端子接合工程,係以前述封裝載體的端子部與前 述封裝載體基材的接觸面能夠形成從前述封裝載體基材的 表面向基材內部方向,對前述封裝載體基材的厚度推入5 〜20%的狀態之方式,將加熱狀態的前述半導體晶片推壓 至前述封裝載體。 上述任一特徴之本發明的半導體裝置的製造方法的第 4特徵爲: 利用壓接之前述半導體晶片端子部的變形容易度與前 述封裝載體端子部的變形容易度不同。 上述任一特徴之本發明的半導體裝置的製造方法的第 5特徵爲: 前述封裝載體材料係以具有玻璃轉移溫度領域的塑膠 材料所構成。 上述任一特徴之本發明的半導體裝置的製造方法的第 6特徵爲: 前述封裝載體材料係以聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘 二甲酸乙二醇酯等的聚乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚烯烴樹 脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、及、聚醯亞胺樹脂之中 的任一個所構成。 用以達成上述目的之本發明的半導體裝置,係利用上 述第1〜第6特徴的半導體裝置的製造方法所製造的半導 體裝置,其第1特徵爲: 具備半導體晶片及具有軟化溫度的封裝載體,以前述 封裝載體的端子部的至少一部分能夠從前述封裝載體基材 -10- 201009969 表面部來形成於封裝載體基材內部方向的方式構成。 爲了達成上述目的之本發明的半導體裝置的第2特徵 爲: 前述半導體晶片的端子部及前述封裝載體的接合部之 中’以能夠變形的方式構成的第1端子部的表面會以至少 一部分能夠與他方的第2端子部的表面及側面接觸的方式 構成。 ❹ 上述特徴之本發明的半導體裝置的第3特徵爲: 前述封裝載體材料係以具有玻璃轉移溫度領域的塑膠 材料所構成。 上述特徴之本發明的半導體裝置的第4特徵爲: 前述封裝載體材料係以聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘 二甲酸乙二醇酯等的聚乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚烯烴樹 月旨、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、及、聚醯亞胺樹脂之中 的任一個所構成。 © 上述特徴之本發明的半導體裝置的第5特徵爲: 前述封裝載體端子部與前述封裝載體基材的接觸面會 - 從前述封裝載體基材的表面向基材內部方向推入2〜 1 0μιη。 上述特徴之本發明的半導體裝置的第6特徵爲: 前述封裝載體的端子部與前述封裝載體基材的接觸面 會從前述封裝載體基材的表面向基材內部方向,對前述封 裝載體基材的厚度推入5〜20%。 -11 - 201009969 [發明的效果] 若根據上述特徴的半導體裝置的製造方法,則因爲以 加熱半導體晶片,使被加熱的半導體晶片端子部接觸於封 裝載體端子部,藉由熱傳導來接合半導體晶片端子部與封 裝載體端子部,使封裝載體端子部的基材軟化,向基材內 部方向推入封裝載體端子部的方式構成,所以封裝載體是 形成只在端子部及其周邊領域被加熱的情形。因此,就上 述特徴的半導體裝置的製造方法而言,即使使用以塑膠基 材等、軟化溫度較低的封裝載體材料來構成封裝載體基材 的封裝載體時,照樣不會有使封裝載體基材熔融、損傷的 情形,更可有效防止端子部的接合不安定所造成的半導體 裝置的品質降低。並且,上述特徴的半導體裝置的製造方 法,可使用一般性的凸塊材料來形成接合端子部。而且, 上述特徴的半導體裝置的製造方法,在半導體晶片端子部 與封裝載體端子部之間,不必構成以低融點金屬等所構成 的薄膜,可抑制製造工程的增大或製造成本的增大。 若根據上述第4特徴的半導體裝置的製造方法,則因 爲以壓接所造成的端子部的變形容易度不同的方式,構成 半導體晶片端子部與封裝載體端子部,所以會在一方的端 子部與另一方的端子部的表面及側面的至少一部分接觸的 狀態下接合,因此可使半導體晶片端子部與封裝載體端子 部的接合更安定。另外,在上述第4特徴的半導體裝置的 製造方法中,變形容易度是例如依端子部的材料的硬度、 端子部的形狀或厚度、往端子部的施加壓力等來規定。 -12- 201009969 【實施方式】 以下,根據圖面來說明本發明的半導體裝置的製造方 法(以下適當簡稱爲「本發明方法」)、及使用本發明方法 所製造的半導體裝置(以下適當簡稱爲「本發明裝置」)的 實施形態。 @ <第1實施形態> 以圖1及圖2爲基礎來說明本發明方法及本發明裝置 的第1實施形態。在此,圖1是表示本發明方法的各工程 之半導體晶片10及封裝載體20的槪略部分構成例,與在 圖4所示的以往技術作比較,封裝載體基材以外的構成材 料是以同等進行說明,但爲例示,並非是限制者。另外, 在圖1中,爲了說明,圖面上的各構成的尺寸比未必與實 際的尺寸比一致。 ❹ 本發明方法在本實施形態是針對藉由構成半導體裝置 1的製造裝置的一部分之LCD驅動器來實行時進行說明。 另外,本發明方法亦可構成能在用以將半導體晶片1 〇安 裝於封裝載體20的其他裝置中實行。 以LCD驅動器來將半導體晶片10(在半導體晶片基材 11形成有端子部12)安裝於封裝載體20(在具有軟化溫度 的封裝載體基材21形成有端子部22)時,是構成可實 行:對半導體晶片10施加封裝載體基材21會軟化的溫度 之加熱工程、及使所被加熱的半導體晶片1〇的端子部12 -13- 201009969 接觸於封裝載體端子部22之下藉由熱傳導來使封裝載體 端子部22及其周邊領域的封裝載體基材21軟化之軟化工 程、及在封裝載體端子部及其周邊領域的封裝載體基材 21軟化的狀態下使半導體晶片端子部12推壓接合於封裝 載體端子部22的同時’使封裝載體端子部22形成從封裝 載體基材21表面部推入至封裝載體基材21內部方向的狀 態之端子接合工程。 在此,圖1(a)是表示本發明方法的實行開始時之半導 體晶片10及封裝載體20的槪略部分構成例。 使用於本發明方法的半導體晶片1〇,如圖1(a)所 示,爲了安裝於封裝載體20,形成有約15 μιη的Au凸塊 1 2作爲端子部。 並且,使用於本發明方法的封裝載體20,在本實施 形態是具備以厚度L3約50μιη的帶狀薄膜所構成的封裝 載體基材21。封裝載體材料,在本實施形態是假想具有 玻璃轉移點(相當於軟化溫度)的塑膠材料時,塑膠材料是 假想軟化溫度約爲160 °C的聚萘二甲酸乙二醇酯來進行說 明。 封裝載體20的端子部22是如圖1(a)所示,以厚度 L2約爲10 μιη的Cu膜22所構成。另外,Cu膜22爲了氧 化防止,最好施以Sn等的電镀。又,本實施形態的封裝 載體端子寬L4是構成比半導體晶片端子寬L3更大。 LCD驅動器是在半導體晶片1〇加熱工程的實行中, 爲了接合半導體晶片與封裝載體20,而加熱半導體晶 -14- 201009969 片10。另外,半導體晶片10的加熱溫度是根據構成封裝 載體20的塑膠材料的玻璃轉移溫度領域來設定。 在此,圖2是表示對於半導體晶片10的加熱溫度 T,半導體晶片1〇的Au凸塊12與封裝載體20的Cu膜 22的接合力F的關係。另外,在本實施形態,依圖2所 示的圖表,加熱溫度T是被設定成即使在玻璃轉移溫度領 域,接合力F也會成爲最大的溫度Ti。 φ 接著,LCD驅動器是開始端子接合工程的實行,對半 導體晶片10施加荷重,謀求與封裝載體20接合。如圖 1(b)所示使被加熱的半導體晶片端子部的Au凸塊12接觸 於封裝載體端子部的Cu膜22。被施加於半導體晶片10 的Au凸塊12的熱,如圖1(b)的圖中箭號所示,首先對 封裝載體20的Cu膜22,接著對Cu膜22所接觸的封裝 載體基材領域21,然後對封裝載體端子部Cu膜22周邊 的封裝載體基材領域,熱傳導依序加熱。封裝載體端子部 φ 22及其周邊領域的封裝載體基材21會在被施加玻璃化點 領域的溫度下軟化。 此時,在半導體晶片1 0被施加荷重,所以即使在半 導體晶片端子部12與封裝載體端子部22接觸後也會在接 觸面產生推擠的壓力。端子部材料的硬度是封裝載體端子 部的Cu材料比半導體晶片端子部的Au材料更硬,所以 在Cu膜22陷入Au凸塊12的狀態下接合的同時,如圖 1(c)所示’因爲封裝載體基材21會軟化,所以封裝載體 端子部Cu膜22會形成往封裝載體基材21內部方向推入 -15- 201009969 的狀態。 在此,本實施形態所謂封裝載體端子部的Cu膜22與 封裝載體基材21的接觸面從封裝載體表面往封裝載體基 材內部方向推入的狀態,並非是封裝載體端子部熔入封裝 載體基材中而形成與封裝基材的新接觸面,而是原來的接 觸面從封裝載體基材的表面移動至基材內部方向的狀態。 將封裝載體基材的玻璃化點領域的溫度施加於封裝載體基 材,使基材軟化,以Cu膜22往封裝基材內部方向的推入 _ 量L6能夠形成封裝載體基材21的厚度L5的5〜20%、 或2〜ΙΟμπι的方式來將半導體晶片10推壓至封裝載體 20 ° 如圖1(a)所示,以封裝載體端子寬L4會比半導體晶 片端子寬L3更大的方式構成的本實施形態,是一旦實行 利用前述的LCD驅動器之壓接工程,則如圖1(c)所示, 在封裝載體端子寬L4之內,比半導體晶片端子寬L3更 大的部分的封裝載體端子部的Cu膜22會形成接觸於Au Q 凸塊12的側面部的狀態,封裝載體端子部的Cu膜22是 形成不僅Au凸塊12的表面部,側面部也會接觸的狀 態。 然後,一旦封裝載體基材21的溫度形成軟化溫度領 域以下,則在封裝載體端子部的Cu膜22推入至封裝載體 基材21內部方向的狀態下,封裝載體基材21會硬化,在 圖1(c)所示的狀態下,接合半導體晶片10與封裝載體 20。此時,在本實施形態是構成封裝載體端子部的Cu膜 -16- 201009969 22不僅半導體晶片10的端子部之au凸塊12的表面部, 連側面部也壓接,在接合領域增加下,可使半導體晶片 1〇與封裝載體20更安定地接合。 <別實施形態> <1>在上述第1實施形態是假想塑膠材料爲聚萘二甲 酸乙二醇酯時進行說明,但並非限於此。塑膠材料,例如 〇 亦 可爲聚對苯二甲酸乙二醇酯等的聚乙烯樹脂、聚酯樹 脂 '聚烯烴樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂及聚醯亞胺 樹脂等。 <2>在上述第1實施形態是假想半導體晶片1〇的端子 部爲Au凸塊12,封裝載體20的端子部爲Cu膜22所構 成時進行說明,但並非限於此。只要端子部是金屬,不選 擇種類,半導體晶片端子部與封裝載體端子部並非限於異 種金屬,亦可爲同種金屬所構成。 〇 <3>在上述第1實施形態所說明之封裝載體端子部的
Cu膜22不僅半導體晶片端子部之Au凸塊12的表面部, . 連側面部也使壓接的各種形態,如圖3(a)〜(η)顯示了封 裝載體端子部的Cu膜22與半導體晶片端子部的Au凸塊 12的位置關係之上面視圖。如圖3所示,封裝載體端子 部的Cu膜22領域是在儘管爲部分也會從半導體晶片端子 部的Au凸塊12領域突出的狀態下形成,藉此增加接合 時的接合領域,相較於不使Cu膜22領域從Au凸塊12 領域突出接合時,可使半導體晶片1〇與封裝載體20更安 -17- 201009969 定地接合,可謀求半導體裝置的可靠度的提升。 又,雖圖3是顯示封裝載體端子部的Cu膜22領域是 在儘管爲部分也會從半導體晶片端子部的Au凸塊12領 域突出之狀態下的接合形態,但並非限於此。亦可爲半導 體晶片端子部的Au凸塊12領域儘管爲部分也會從封裝 載體端子部的Cu膜22領域突出之狀態下的接合形態。 【圖式簡單說明】 φ 圖1是表示在本發明的半導體裝置的製造方法的各工 程中,構成半導體裝置的半導體晶片及封裝載體的槪略部 分構成例的槪略部分剖面圖。 圖2是表示在本發明的半導體裝置的製造方法中,對 施加於半導體晶片的溫度之半導體晶片端子部的Au凸塊 與封裝載體端子部的Cu膜的接合力的關係圖表。 圖3是表示在本發明的半導體裝置的製造方法中’半 導體晶片的端子部與封裝載體的接合端子部的關係例的上 @ 面視圖。 圖4是表示以往技術之構成半導體裝置的半導體晶片 及封裝載體的槪略部分構成例的槪略部分剖面圖。 【主要元件符號說明】 1:本發明的半導體裝置 10 :半導體晶片 12: Au凸塊(半導體晶片的端子部) -18- 201009969 20 :封裝載體 21 :封裝載體基材 22 : Cu膜(封裝載體的端子部) 100 :以往技術的半導體裝置 1 1 〇 :半導體晶片 1 1 2 :半導體晶片端子部 120 :封裝載體 ❹ 1 2 1 :封裝載體基材 122:封裝載體端子部 -19-
Claims (1)
- 201009969 七、申請專利範圍 1. 一種半導體裝置的製造方法,其特徵爲: 在將半導體晶片往封裝載體安裝時,對封裝載體端子 部施加封裝載體基材會軟化的溫度,在前述封裝載體端子 部及其周邊領域的前述封裝載體基材會軟化的狀態下使半 導體晶片端子部與前述封裝載體端子部藉由壓接來接合。 2. 如申請專利範圍第〗項之半導體裝置的製造方法, 其中’對半導體晶片施加前述封裝載體基材會軟化的溫 度’使所被加熱的半導體晶片端子部接觸於封裝載體端子 部’而藉由熱傳導來使封裝載體端子部及其周邊領域的封 裝載體基材軟化,使半導體晶片端子部與封裝載體端子部 藉由壓接來接合。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法, 其中’藉由覆晶安裝來將半導體晶片往封裝載體安裝。 4. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法, 其中’藉由前述半導體晶片端子部與前述封裝載體端子部 的壓接來將前述封裝載體端子部推入至前述封裝載體基材 的內部方向,使前述封裝載體端子部與前述封裝載體基材 的接觸面形成從前述封裝載體基材的表面往2〜10μηι基 材內部方向之狀態。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法, 其中,藉由前述半導體晶片端子部與前述封裝載體端子部 的壓接來將前述封裝載體端子部推入至前述封裝載體基材 的內部方向,使前述封裝載體端子部與前述封裝載體基材 -20- 201009969 的接觸面形成從前述封裝載體基材的表面往基材厚度的5 〜20 %基材內部方向之狀態。 6. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法, 其中,藉由前述半導體晶片端子部與前述封裝載體端子部 的壓接,在接合部之前述半導體晶片端子部的變形容易度 與前述封裝載體端子部的變形容易度不同。 7. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法, ❹ 其中,前述封裝載體材料係以具有玻璃轉移溫度領域的塑 膠材料所構成。 8. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置的製造方法, 其中,前述封裝載體材料係以聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚 萘二甲酸乙二醇酯等的聚乙烯樹脂、或聚酯樹脂、聚烯烴 樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、及、聚醯亞胺樹脂之 中的任一個所構成。 9. 一種半導體裝置,其特徵爲: 〇 在被安裝半導體晶片的封裝載體中與半導體晶片端子 部接合的封裝載體端子部的端子部與封裝載體基材的接觸 、 面會從前述封裝載體基材的表面來形成於基材內部方向。 . 10.如申請專利範圍第9項之半導體裝置,其中,與 前述半導體晶片端子部接合的前述封裝載體端子部的端子 部與前述封裝載體基材的接觸面會從前述封裝載體基材的 表面來形成於2〜ΙΟμιη基材內部方向。 11.如申請專利範圍第9項之半導體裝置,其中,與 前述半導體晶片端子部接合的前述封裝載體端子部的端子 -21 - 201009969 部與前述封裝載體基材的接觸面會從前述封裝載體基材的 表面來形成於基材厚度的5〜20%基材內部方向。 12. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置’其中’接 合後的前述半導體晶片端子部與前述封裝載體端子部之 中,以能夠變形的方式構成的第1端子部的表面會以至少 —部分能夠與他方的第2端子部的表面及側面接觸的方式 構成。 13. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置,其中,前 述封裝載體材料係以具有玻璃轉移溫度領域的塑膠材料所 構成。 14. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置,其中,前 述封裝載體材料係以聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸 乙二醇酯等的聚乙烯樹脂、或聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚 碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、及、聚醯亞胺樹脂之中的任一 個所構成。 -22-
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