201001526 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關在處理容器内，例如對 FPD Panel Display;平面直角顯示器）用的玻璃基板等 理體供給處理氣體，藉由此處理氣體來對上述被處 行所定的處理之技術。 【先前技術】 在 LCD (Liquid Crystal Display;液晶顯示器） 玻璃基板等的製造工程中，有對形成於玻璃基板上的 A1 )膜例如實施蝕刻處理的工程。若根據圖27來簡 明進行此工程的蝕刻處理裝置，則圖中1是表示真空 ，在此真空腔室1的内部設有用以載置被處理體例如 基板S (以下簡稱爲基板S)的載置台11，且以能夠 於該載置台11的方式設有成爲上部電極的處理氣體 部12。然後，從處理氣體供給部12對真空腔室1内 例如由氯（Cl2 )系氣體所構成的蝕刻氣體，經由排 13利用未圖示的真空泵來將真空腔室1内抽真空，另 面，從高頻電源14對上述載置台11施加高頻電力， 在基板S上方的空間形成蝕刻氣體的電槳，藉此進行 板S的蝕刻處理。 可是就A1膜的蝕刻而言，因爲供給律速、亦！[； 氣體的供給量與鈾刻量成比例，所以藉由負載效 loading Effect )在基板S的周緣部的蝕刻速度會極端
Flat 被處 體進 用的 鋁（ 單説 腔室 FPD 對向 供給 供給 氣路 一方 藉此 對基 蝕刻 應（ 地變 -5- 201001526 快’發生蝕刻量變多的現象。亦即，在圖2 8的符號1 5所 示的基板S的周緣部，若由蝕刻劑的C1自由基來看，相 較於符號16所示同面積的中央區域，蝕刻面積約爲一半 ，因此若以和供給至中央區域1 6的流量相同的流量來供 給蝕刻氣體，則相較於中央區域1 6，在周緣部1 5是蝕刻 量約成2倍。 因此，以往是採取例如圖27及圖29(a)所示的對策 ，亦即以能夠包圍基板S的周圍之方式設置高度5 0 mm〜 1 5 0mm程度的整流構件1 7，藉此以整流構件1 7來遮擋基 板S的周緣部附近的蝕刻氣體的流動，在基板S的周圍形 成氣體積存處。藉此可使該區域的蝕刻氣體流速降低，提 高基板面内的蝕刻速度的均一性。 此時，當整流構件17的上端比從設於真空腔室1的 側壁部的搬出入口 1 〇到載置台1 1的上方側爲止之基板S 的搬送高度位置更高時，搬送中的基板S與整流構件17 會干擾。於是例如圖29(b)所示，昇降自如地構成整流 構件17’在搬入時是使整流構件17從載置台11上昇的狀 態下經由載置台1 1與整流構件1 7的間隙來搬入基板S， 將基板S載置於載置台11上之後使該整流構件17下降， 另一方面，在搬出時是使整流構件1 7從載置台U上昇之 後經由上述間隙來搬出基板S。 在此，整流構件1 7是例如組合4片的板材1 7丨來形 成框組，形成能以此框組包圍基板s的方式來載置於載置 台11上的構成。例如在各板材1 71的側面，以能夠伸出 201001526 至載置台11的外部之方式設有突出部172，在各個突出部 172的下面連接有昇降用的支持棒ι81。然後，藉由昇降 機構18來使該等各支持棒181昇降，藉此可使整流構件 17全體昇降。 可是在A1膜的氯系氣體的蝕刻處理會生成A1的氯 化物，此亦附著於整流構件1 7的内壁。然後一旦附著的 氯化物的堆積量變多，則在整流構件1 7的昇降時等，氯 化物會容易剝落，成爲粒子的發生要因，所以必須頻繁地 進行用以除去堆積物的維修。 此維修作業是在使真空腔室1内的環境回到大氣狀態 後’打開該腔室1而進行堆積物的除去作業，其次關閉腔 室1後進行抽真空等的工程。然而近年來隨著基板S的大 型化，真空腔室1也大型化，使真空腔室1内的環境回到 大氣狀態的工程、或進行抽真空的工程需要相當長時間。 因此維修作業全體的作業時間變得非常長，所以頻繁地進 行維修作業是成爲阻礙總處理能力的提升的要因之一。 爲了解決如此的問題，本發明者們開發一藉由未使用 上述昇降型的整流構件來抑制粒子的發生，且負載的發生 也可抑制的蝕刻處理裝置。另外就有關整流構件的先行技 術而言，在專利文獻1中記載有在下部電極上設置可藉由 移動機構來突出的可動型的環作爲整流構件的構成，在專 利文獻2記載有以能夠包圍基板的外周之方式設置具備氣 體流通口的側壁作爲整流構件的構成，在專利文獻3中記 載有藉由沿著基板的外周而設置的複數個側壁部來構成整 201001526 流構件的例子，但無論是哪個文獻皆未記載有關可不使整 流構件驅動來載置基板於載置台上的構成，即是藉由記載 於該等文獻的任一技術也無法解決上述的課題。 〔專利文獻1〕特開平7-74155號公報；第0009段落 、圖1 〔專利文獻2〕特開2003-243364號公報；第0014段 落、圖3 〔專利文獻3〕特開2005-259989號公報；第0029段 落、圖1 【發明內容】 (發明所欲解決的課題） 本發明是有鑑於如此的情事而硏發者，其目的事在於 提供一種在處理容器内一邊流動處理氣體一邊對被處理體 進行處理時，可使處理的面内均一性提升，且抑止粒子往 被處理體附著之處理裝置。 (用以解決課題的手段） 本發明之處理裝置的特徵係具備： 載置台’其係設於處理容器的内部，用以載置被處理 體； 處理氣體供給手段，其係從該載置台的上方側供給處 理氣體’而用以對被載置於該載置台的被處理體進行處理 -8 - 201001526 氣體排氣部，其係用以從上述載置台的周圍排除處理 容器内的氣體；及 氣流引導構件，其係於上述載置台的周緣部的上方沿 著該載置台的周方向設置，在與該周緣部之間將氣流往外 方引導。 例如上述氣流引導構件可想像爲：具備對應於上述載 置台上的被處理體的外形形狀的開口部之板狀的環狀構件 的情況，或塡埋上述載置台的周緣部上方的空間之構件的 情況，或突出至上述載置台的周緣部的上方爲止之上述處 理容器的内壁面的情況等。又，較理想是上述氣流引導構 件的内端緣比上述被處理體的外端緣的上方位置更位於外 側，或處於偏離上述被處理體的外端緣的上方位置±10mm 水平方向的位置的範圍内。 其他，爲了使上述處理氣體之被處理體的處理速度對 沿著該被處理體的外周的方向均一化，可按照上述載置台 的周方向的位置來使上述氣流引導構件的高度有所不同， 或使上述氣流引導構件局部地突出至内側，或局部地向外 側凹陷。並且，具備整流構件，其係以能夠包圍上述載置 台上的被處理體之方式設置，其上面比該被處理體的表面 更高。 而且，上述各處理裝置可更具備使上述氣流引導構件 昇降的昇降機構，此情況’上述氣流引導構件係於被處理 體的處理時與搬送時之間控制成高度不同，在被處理體的 處理時，爲了抑止上方側的氣體經由該氣流引導構件與設 -9- 201001526 於處理容器的側壁的搬出入口之間的間隙來穿過至下方側 ,而於氣流引導構件設置氣流規制部，使覆蓋被處理體的 搬出入口，另一方面在被處理體的搬送時從面對該搬出入 口的位置退避。至少面對上述被處理體的搬出入口的部位 在被處理體的搬送時’可控制下降至成比該搬出入口更低 的位置。並且，最好上述氣流引導構件係由：與設於上述 處理容器的側壁部之被處理體的搬出入口隣接的一構件、 及與此一構件分離形成的其他構件所構成，上述昇降機構 可獨立升降該等一構件與其他的構件。 當氣流引導構件具備昇降機構時，較理想是更具備： 記憶部，其係記憶將被處理體的處理條件與上述氣流 引導構件的高度位置賦予對應的資料；及 控制部，其係按照所被選擇的處理條件來讀出記憶於 上述記憶部的資料，根據所被讀出的資料來控制上述昇降 機構，使調節氣流引導構件的高度位置。 對上述被處理體進行的處理，例如可舉由形成於被處 理體表面的銘膜、銘合金膜、欽膜或駄合金膜的群所選擇 之至少包含一種的膜的蝕刻處理時等。 〔發明的效果〕 右根據本發明，則從其上方供給處理氣體來對載置台 上的被處理體進行處理時，可在載置台的周緣部的上方沿 著該載置台的周方向來配置氣流引導構件，在與該周緣部 之間將氣流引往外方，從載置台的周圍排氣。因此，未到 -10- 201001526 達被處理體之未反應的處理氣體會與上述氣流一起排氣， 此處理氣體難擴散至載置台上的被處理體的周緣部，因此 亦可抑制負載的發生，使處理的面内均一性提升。 又，就抑制負載的手法而言，由於未採用以往所被採 用的昇降型的整流構件，因此隨著整流構件的昇降動作而 發生粒子之虞低，可抑制被處理體的汚染等。藉此，可減 少進行需要長時間的維修之頻率，因此處理裝置的操業率 會提升，可謀求總處理能力的提升。 【實施方式】 在說明本實施形態的蝕刻處理裝置的具體構成之前， 簡單說明有關抑制負載的發生的原理。如在【先前技術】 所説明那樣可理解負載是對所被供給的蝕刻氣體而言因爲 基板S的周緣部的面積相較於基板S的中央側的面積只有 一半而發生的現象。 本發明者們在可不使用昇降型的整流構件來抑制負載 之技術的開發時，針對蝕刻處理裝置内部的狀態來進行模 擬，詳細檢討有關蝕刻氣體的流動或處理成分之蝕刻劑的 濃度分布等。該等的檢討結果，得知負載的發生是大大影 響基板S的周緣部之蝕刻劑的濃度。 例如圖3 0所示，說明使用未設有負載抑制用的整流 構件1 7的蝕刻處理裝置所得知的內容。藉由處理氣體供 給部1 2所供給的蝕刻氣體的流動是如圖3 0中模式地顯示 流線那樣，一邊擴散於真空腔室1内一邊下降，到達基板 -11 - 201001526 S後，是一邊傳於基板S的表面一邊往周緣部側流動，不 久通過載置台11的旁邊由排氣路13排出。氣體中的蝕刻 劑是在流動於基板S的表面時與鋁反應而被消費，在蝕刻 劑的濃度變低的狀態下被排出。 可是在被供給至真空腔室1内的氣體中，例如從處理 氣體供給部1 2的外端側的供給孔所被供給的蝕刻氣體那 樣，因爲通過真空腔室1的側壁部附近而未到達基板S， 所以蝕刻劑不會被消費而維持高濃度的狀態被排出的氣流 也存在。如此，一旦在真空腔室1内形成蝕刻劑的濃度相 異的區域，則該等的濃度差會形成驅動力從真空腔室1的 側壁部側（濃度高的區域）往基板s側（濃度低的區域） 擴散蝕刻劑。 並且來自處理氣體供給部1 2的供給後，在真空腔室1 内因爲氣體的流通空間會急劇地變寬，所以流動於真空腔 室1内的蝕刻氣體的流速較小。因此從側壁部側往基板S 側擴散的蝕刻劑是與從基板S表面往排氣路1 3排出之蝕 刻氣體的流動反向而到達基板S。其結果，若以基板S表 面的中央區域1 6及周緣部1 5作比較，則可確認蝕刻劑的 濃度是周緣部1 5形成較高，因此蝕刻劑的濃度差也會促 進負載效應。 本實施形態的蝕刻處理裝置是根據如此的見解而開發 者，具備可抑止從真空腔室的側壁部側往基板S側之蝕刻 劑的擴散之構成。以下，一邊參照圖1〜圖5 —邊說明有 關實施形態的蝕刻處理裝置2的構成。 -12- 201001526 圖1的縱剖面圖所示的蝕刻處理裝置2是具備對被處 理體例如FPD基板的基板S表面所形成的鋁（A1)膜進 行蝕刻處理的機能。蝕刻處理裝置2是具備用以在其内部 對基板S實施蝕刻處理的真空腔室的處理容器20，此處 理容器20是例如平面形狀爲形成四角形狀。並且處理容 器2 0是被接地。 上述基板S是方形的基板，處理容器2〇是例如構成 水平剖面的一邊爲3.5m，另一邊爲3.0m程度的大小，且 例如藉由鋁等的熱傳導性良好的材質所構成。在處理容器 20的一個側壁部21形成有用以將基板S搬入處理容器20 内的搬出入口 22，此搬出入口 22是藉由閘閥23來構成開 閉自如。 在處理容器20的内部配置有用以在其上面載置基板 S的載置台3。載置台3是與電漿發生用的第1高頻電源 部311及電漿中的離子引入用的第2高頻電源部312電性 連接，達成使電漿發生於處理容器20内，將該電漿中的 離子引入基板S表面的任務。載置台3是在處理容器20 的底面上隔著絶緣構件3 2配設，藉此下部電極的載置台3 是形成從處理容器20電性浮起的狀態。並且載置台3表 面的周緣部及側面是由陶瓷材料構成的屏蔽環33所覆蓋 ，爲了使電漿在載置台3上方形成均一。 更在載置台3設有：蝕刻處理裝置2的外部之搬送裝 置（未圖示）、及用以在和該載置台3之間進行基板S的 交接之昇降銷34。昇降銷34是藉由與昇降機構35連接的 -13- 201001526 昇降板36來從載置台3的表面突没自如，可在與外部的 搬送手段之間進行基板S的交接之位置與設於載置台3的 表面載置基板S之被處理體的載置區域之間使基板S昇降 。在昇降銷34貫通處理容器20的部分設有波紋管37，此 波紋管37是在連接於該處理容器20的底面與昇降板36 之間的狀態下覆蓋昇降銷34，實現維持處理容器20内的 氣密之任務。 另一方面，在處理容器20内部的載置台3的上方， 以能夠和該載置台3的表面對向之方式，設有平板狀的上 部電極4，此上部電極4是被方形板狀的上部電極支承41 所支持。該等上部電極4及上部電極支承4 1是例如藉由 鋁所構成。並且上部電極支承41的上面是連接至處理容 器20的頂部，藉此上部電極4是在與處理容器20電性導 通的狀態下連接，且由上部電極支承41及上部電極4所 包圍的空間是構成蝕刻氣體的氣體擴散空間42。以下，將 該等上部電極4、上部電極支承41等槪括稱爲氣體淋浴頭 40。 並且在處理容器20的頂部，以能夠連接至上述氣體 擴散空間42的方式設有處理氣體供給路43，此處理氣體 供給路43的另一端側是被連接至處理氣體供給部44。此 例是藉由上部電極4及上部電極支承41來構成處理氣體 供給手段。一旦如此從處理氣體供給部4 4供給触刻氣體 至氣體擴散空間42，則該蝕刻氣體會經由設於上部電極4 的氣體供給孔4 5來供給至基板S上方的處理空間，藉此 -14- 201001526 可進行對基板S的蝕刻處理。另一方面，在處理容器20 的底壁連接成爲氣體排氣部的排氣路2 4的一端側，此排 氣路24的另一端側是例如連接未圖示的真空泵。排氣路 24是例如圖5的平面圖所示在載置台3的各邊大致中央位 置的外側合計配置4處。 藉由具備以上的構成，蝕刻處理裝置2是構成爲下部 雙頻型的電漿蝕刻裝置，可使供給至處理容器20内的蝕 1 刻氣體電漿化來進行基板S的蝕刻。而且，本實施形態的 蝕刻處理裝置2更具備用以抑制來自壁部側的蝕刻劑擴散 所造成負載的發生之構成。以下詳述其内容。 在載置台3的周緣部上方，例如在屏蔽環33的上方 的位置，配設有氣流引導構件5，其係例如藉由陶瓷或石 英、被防蝕鋁處理的鋁、或在該等的構件例如形成氧化釔 (Y2〇3 )等的溶射被膜的板材所構成。氣流引導構件5是 例如圖2的立體圖所示，例如藉由將4片的板材5 1、5 2 -； 組合成「口的字型」，而形成具備用以使蝕刻氣體往基板 S側流動的開口部5 01之構成。又，氣流引導構件5爲了 可經由該構件5與載置台3之間的空間來搬出入基板S， . 而以其底面能夠位於設在側壁部2 1的搬出入口 22的例如 正上方的方式，將各個的板材5 1、5 2的外端緣固定於側 壁部2 1的壁面。 本實施形態的開口部5 0 1的大小是例如圖3的平面圖 所示構成比載置台3上的基板S更大一圈的大小或小一圈 的大小，從氣體供給孔45所供給的蝕刻氣體的流動幾乎 -15- 201001526 不會被遮蔽，可到達至基板s。 在此，若一邊參照圖4 一邊詳看有關氣流引導構件5 與載置台3上的基板S的位置關係，則從基板S的外端緣 到氣流引導構件5的内端緣爲止的水平方向的距離a是 以基板S的外端緣作爲基準位置，以基板S的外側方向作 爲正方向，例如形成「-50mmSaS+50mm」的範圍内，較 理想是形成「-10mmSaS+10mm」的範圍内，例如「a = + 5mm」。在此距離a的負號是表示從上面側來看氣流引 導構件5突出而重疊於基板S側。並且，在本例中，之所 以設爲「a==+5mm」’使引導構件5的内端緣能夠比基板 S的外端緣的上方位置更位於外側，是因爲附著於引導構 件5的粒子剝落時，儘可能地迴避落下於基板S表面。 又，從基板S的上面到氣流引導構件5的底面爲止的 高度方向的距離b是例如形成「1 〇mm g b S 200mm」的範 圍内例如「b = 1 1 0 m m」。 但，如後述的實驗結果所示那樣，此開口部5 Ο 1的大 小是形成調節基板s的蝕刻速度的參數，因此該大小並非 限於本例所示者。例如可根據設計階段的模擬或預備實驗 的結果來選擇適宜適切的大小，而使能夠提高蝕刻處理的 面内均一性等。 藉由設置氣流引導構件5，在該構件5的底面與載置 台3的上面之間形成有氣體流路6，被供給至處理容器20 内的鈾刻氣體是通過此氣體流路6來排往排氣路24。 氣體流路6下游的載置台3 (屏蔽環3 3 )的側面與側 -16- 201001526 壁部21之間的空間，如圖1所示，配設有例如表面被防 蝕鋁處理的鋁製構件所構成的板材之擋板53。擋板53是 如去掉氣流引導構件5的狀態的平面圖的圖5所示，以能 夠遮蔽載置台3的4邊的外方側，處理容器20的底面所 設置的排氣路24的開口部的前面之方式配置，調節氣體 流路6的壓力損失，而實現使沿著基板S外周的方向的蝕 刻速度形成均一的任務。 在此，擋板5 3的構成並非限於上述的例子，例如圖6 所示，亦可爲上下排列配置2片的擋板53a、53b。就圖6 所示的例子而言，上段側的擋板5 3 a是由其全面設置穿孔 的打孔板所構成，以此擋板5 3 a覆蓋載置台3的側面與側 壁部21之間的空間全面，另一方面，在下段側的擋板5 3 b 未設置穿孔，與圖5所示的例子同樣地形成以能夠遮蔽排 氣路24的開口部的前面之方式配置該擋板53b的構成。 更在本實施形態的載置台3的基板8的載置區域的周 圍設有固定型的整流構件54。例如圖2、圖5所示，整流 構件54是包圍載置台3上的基板S之「口子型」的框體 ，以能夠包圍基板S的載置區域之方式配置於載置台3上 。此開口部是以整流構件54的内壁面能夠位於離載置區 域所載置的基板S的外端緣例如5 mm程度外側之方式構 成。又，整流構件54是在與氣流引導構件5之間構成間 隙，可在其間搬送基板S，且其上面比基板S的表面更高 ，形成可包圍基板s而在其周圍形成氣1體積存處的高度’ 例如1 0mm的高度。整流構件54是例如藉由陶瓷所構成 -17- 201001526 ，將其表面例如設爲Ra (算術平均粗度）5 // m程度的粗 面，藉此難以將附著於表面的附著物剝離。 又，如已述的圖1所示，在蝕刻處理裝置2連接控制 部7。控制部7是例如由具備未圖示的CPU及程式等的電 腦等所構成，在此程式中編有關於該蝕刻處理裝置2的作 用、亦即有關將基板S搬入處理容器20内，而於載置台 3上對所載置之基板S進行蝕刻處理，然後從處理容器20 内搬出基板S爲止的動作之控制等的步驟（命令）群。此 程式是例如被儲存於硬碟、光碟、光磁碟（MO )、記憶 卡等的記憶媒體，由此記憶媒體來安裝於電腦。 以下，說明有關本實施形態的蝕刻處理裝置2的動作 。首先若使用者經由未圖示的操作部來對控制部7選擇目 的的蝕刻處理的製程方式，則在控制部7會根據此製程方 式輸出控制信號至鈾刻處理裝置2的各部，如此對基板進 行所定的蝕刻處理。 具體而言，例如圖7 ( a )所示，首先開啓閘閥2 3， 藉由未圖示的外部搬送手段來將表面形成有A 1膜的基板 S搬入至處理容器20内，搬送至載置台3的載置區域的 上方側的交接位置。然後使昇降銷3 4上昇，在此交接位 置從搬送手段交接基板S至該昇降銷34，使昇降銷34下 降而將基板S載置於載置台3上的載置區域。交接基板S 的搬送手段是退出至處理容器20外，閘閥23降下而關閉 搬出入口 22。 其次，如圖7 ( b )所示，從處理氣體供給部44朝基 -18- 201001526 板S吐出蝕刻處理用的蝕刻氣體例如氯氣體，並將處理容 器2 0的内部空間調整成所定的壓力。然後，從第1、第2 高頻電源部311、 312供給高頻電力至載置台3，而於基 板S的上方側的空間形成電漿，根據下記（1 )式所示的 主要反應來實行對基板S的蝕刻處理。 3C12 + 2AW A12C16 ·· ( 1 ) 此時，例如圖8所示，從氣體淋浴頭40供給的蝕刻 氣體會在處理容器20内降下而到達基板S，在其表面進 行蝕刻處理。然後，蝕刻氣體是一邊傳於基板S的表面一 邊往周緣部側流動，氣流會被引往屏蔽環33 (載置台3) 與氣流引導構件5之間的氣體流路6的外方。 又，藉由氣流引導構件5突出至載置台3側，屏蔽環 33的側面與側壁部2 1之間的空間是由氣體淋浴頭40側來 看被阻擋。因此，對於從氣體淋浴頭40的外端側的氣體 供給孔45供給，未到達基板S表面的蝕刻氣體也不能直 接流入該空間，藉由氣流引導構件5來改變流動方向後， 流入氣體流路6。 而且，氣體流路6是比氣體淋浴頭40與載置台3之 間的空間窄，且被供給至處理容器20的全部蝕刻氣體會 流入此氣體流路6，因此流入氣體流路6的鈾刻氣體的流 速會急劇上昇。在此電漿中的鈾刻劑（有助於蝕刻的活性 種）會到達基板S，有助於蝕刻而被消費，另一方面，未 -19- 201001526 到達基板S之未反應的蝕刻劑濃度維持高。因此，在往氣 體流路6流入的氣流内形成蝕刻劑的濃度梯度，未反應的 蝕刻劑會所欲往濃度低的基板S的周緣部擴散。但，因爲 該氣流是在氣體流路6内往外方的流速變大，所以未反應 的蝕刻劑到達基板S之前可予以往下游側流去。其結果， 在本實施形態的蝕刻處理裝置2中可抑制根據鈾刻劑的擴 散之負載的發生。 在此流動於氣體流路6的氣流是在接近圖5所示的排 氣路24的開口部的位置與在遠離此開口部的位置流速有 所不同，因此蝕刻劑往基板S的周緣部而擴散的程度會改 變。其結果，例如以在接近開口部的位置是基板S的周緣 部的蝕刻速度會變大，在遠的位置是周緣部的蝕刻速度會 變小的方式，在沿著基板S的外周的方向，鈾刻速度形成 不均一。於是，如利用圖5來説明那樣，在本實施形態的 排氣路24的開口部之前設有擋板53，其係用以對應於基 板S的周方向的位置來調節經由氣體流路6而流入排氣路 24的氣流的壓力損失。然後，藉由此擋板5 3的作用’流 動於氣體流路6的氣流的流速會被均一化’可取得均一的 蝕刻速度。 其次說明有關整流構件5 4的作用。亦如後述的實驗 結果所示，設置整流構件5 4時’與不設置時作比較’基 板S中央部與周緣部之間的蝕刻速度的差小’可抑制負載 的發生。有關其理由可如其次般推測。若擴大載置於整流 構件54的内側之基板S的周緣部來看看’則從中央側往 -20- 201001526 周緣部流動於基板s表面的蝕刻氣體（電漿），如圖9所 示，一旦衝突於基板S的周圍所配置的整流構件54，沿 著此整流構件54的表面流去。可想像藉由如此蝕刻氣體 衝突於整流構件5 4，鈾刻氣體的流動會變亂，被供給至基 板S的周緣部的蝕刻氣體的氣體量會降低，該周緣部的蝕 刻速度會被壓制。 如以上説明般，藉由設置氣流引導構件5或整流構件 54，可抑制負載，且基板S的中央部與周緣部的蝕刻速度 會幾乎一致，可在確保高的面内均一性的狀態下進行A 1 膜的蝕刻處理。然後，一旦根據製程方式來進行所定時間 蝕刻處理，則停止蝕刻氣體或高頻電力的供給，將處理容 器20内的壓力回到原來的狀態後，以和搬入時相反的順 序來將基板S從載置台3交接至外部的搬送手段，而從蝕 刻處理裝置2搬出，完成一連串的蝕刻處理。 若利用本實施形態的蝕刻處理裝置2則具有以下的效 果。對載置台3上的基板S由其上方來供給處理氣體而進 行處理時，在載置台3的周緣部的上方沿著該載置台3的 周方向來配置氣流引導構件5，在與該周緣部之間引導氣 流至外方，可從載置台3的周圍排氣。因此，未到達基板 S之未反應的處理氣體會與上述氣流一起排氣，此處理氣 體難往載置台3上的基板S的周緣部擴散，因此可抑制負 載的發生，使處理的面内均一性提升。 又，就抑制負載的手法而言，由於未採用以往所被採 用的昇降型的整流構件17，因此隨著整流構件54的昇降 -21 - 201001526 動作而發生粒子之虞低，可抑制基板s的汚染等。藉此’ 可減少進行需要長時間之A1的氯化物除去的維修的頻率 ，因此蝕刻處理裝置2的操業率會提升，可謀求總處理能 力的提升。 另外，氣流引導構件5的構成並非限於上述實施形態 中所示者。例如圖1 0 ( a )所示，以方形環狀的構件來塡 埋載置台3的周緣部的上方空間，成爲氣流引導構件5 a。 又，如圖1 0 ( b )所示，使處理容器2 0的側壁部21彎曲 ，而令此處理容器20的内壁面突出至載置台3的周緣部 的上方，藉此使該内壁面成爲氣流引導構件5b。 又，亦如後述的模擬結果所示，從基板S的外端緣到 氣流引導構件5的内端緣爲止的水平方向的距離a或從基 板S的上面到氣流引導構件的底面爲止的高度方向的距離 b是形成調節蝕刻速度的參數。於是例如圖1 1 ( a )所示 可改變氣流引導構件5 c的寬度來局部地使突出於內側， 或往外側凹陷，而使上述的距離a沿著基板S的周方向變 化。又，如圖1 1 ( b )所示對應於基板S的周方向的位置 來使氣流引導構件5d的高度有所不同，藉此使上述距離b 變化。藉由該等的對策，可調節蝕刻速度，例如使基板S 的周緣部的蝕刻速度對沿著基板S外周的方向均一化等。 在此氣流引導構件5 c、 5 d的寬度或高度的調節並非限於 如圖1 1 ( a )、圖1 1 ( b )所示那樣連續性地改變時，亦 可離散性地改變。並且，當然亦可改變氣流引導構件的寬 度及高度的雙方。 -22- 201001526 其他，構成氣流引導構件5的板材51、52的外端緣 與側壁部21的内壁面之間是在密合的狀態下固定爲理想 ，但亦可在該等的構件之間例如存在數m m程度的間隙° 當該間隙比已述的開口部5 0 1還要充分小時’被供給至處 理容器20内的蝕刻氣體的大部分是流動於開口部501而 被排氣，因此可取得與上述實施形態同様的效果。 又，實施形態是將氣流引導構件5配置於基板S的搬 出入口 22的正上方，構成可經由載置台3與氣流引導構 件5之間來搬送基板S ’但氣流引導構件5亦可配置於搬 出入口 2 2的下方。此情況，基板S是被搬送於氣流引導 構件5的上方空間，在昇降時是經由開口部5 0 1來被交接 於與載置台3之間。 又，本發明的處理裝置並非限於鋁膜的蝕刻處理，亦 適用於鋁合金、鈦、鈦合金等的金屬膜或絶緣膜、半導體 膜的蝕刻或該等的積層膜。又，可適用於蝕刻處理以外例 如灰化或 CVD ( Chemical Vapor Deposition)等，利用其 他的處理氣體來對被處理體進行處理的處理。又，處理並 非一定限於電漿處理，亦可爲其他的氣體處理。又，被處 理體並非限於方形的基板，亦可爲FPD基板以外，半導體 晶圓等。 接著一邊參照圖12〜圖16 —邊説明有關其他的實施 形態。在該等的圖中，對於和已述實施形態的蝕刻處理裝 置2同樣的構成要素附上和圖1〜圖9所示者同樣的符號 -23- 201001526 該實施形態的蝕刻處理裝置2a是將氣流引導構件5 設成可昇降於上下方向的點與將同構件5固定於處理容器 20的内壁面之已述的實施形態有所不同。如後述的實驗所 示那樣可知，即使是蝕刻速度的面内均一性幾乎相等時， 負載發生的程度還是會按照從基板S的上面到氣流引導構 件5的底面爲止的高度方向的距離不同而差異。於是如圖 12、圖13(a)、圖13(b)所示，本實施形態的蝕刻處 理裝置2a是使構成氣流引導構件5的各板材51、 52例 如藉由支持棒55來支持兩端部底面的同時，將該等的各 支持棒5 5的基端側經由設於處理容器2 0的外部的昇降板 57來連接至昇降機構56，藉此使氣流引導構件5全體昇 降於上下方向，而使至基板S爲止的高度方向的距離能夠 變化。波紋管58是在連接於處理容器20的底面與昇降板 5 7之間的狀態下覆蓋支持棒5 5 ’使支持棒5 5貫通處理容 器20的部分密閉，藉此實現保持處理容器20内的真空度 之任務。 另外，有關本實施形態的蝕刻處理裝置2 a亦例如在 與圖1所示的蝕刻處理裝置2同樣的位置具備擋板5 3或 排氣路24，但基於圖示的方便起見’在圖12〜圖16中省 略了該等的記載。 如後述的實驗結果所述般’本發明者們確認在從基板 S到氣流引導構件爲止的高度方向的距離是有可將負載的 發生壓到最小的適當値。於是’本實施形態的蝕刻處理裝 置2 a是例如藉由預備實驗等’按照處理氣體或被蝕刻膜 -24- 201001526 等的製程不同，亦即處理的種別來預先掌握可將負載的發 生壓到最小之氣流引導構件5的高度位置》然後，將有關 該等的適當高度位置的資訊，例如圖14所示，在控制部7 的記億部72内，作爲製程方式73的一資訊來與處理條件 一起儲存。然後，例如在蝕刻處理裝置2a的運轉開始時 ，一旦使用者經由操作部 74來選擇製程方式 73，則 CPU71會根據此選擇來讀出製程方式73内的資訊，將控 制信號輸出至昇降機構56，而使能夠形成最適於該製程的 氣流引導構件5的高度位置。 如此在本實施形態的蝕刻處理裝置2a中，因爲氣流 引導構件5是構成可昇降於上下方向，所以例如有時某製 程的氣流引導構件5的適當高度位置會形成與處理容器20 的搬出入口 22同高度，而成爲基板S的搬送障礙。於是 本實施形態的蝕刻處理裝置2a例如圖1 3 ( b )所示面對搬 出入口 22的板材5 1 (以下爲了識別而附上5 1 a的符號） 可與其他3片的板材51(附上同51b的符號）、52獨立 昇降，例如在基板S的搬出入時構成可退避至該搬出入口 22的下方側。 在此使板材51a退避的方向亦可爲搬出入口 22的上 方側，但由防止自板材51a剝離的粒子落下至搬出入中的 基板S表面的觀點來看，較理想是退避至搬出入口 22的 下方側，亦即基板S的搬送路徑的下方側。又，如圖12 所示，在板材5 1 a的側壁部2 1側的端緣設有氣流規制部 5 1 1，其係以能夠和該側壁部2 1平行的方式延伸至下方’ -25- 201001526 在板材51a的上昇時（基板S的處理時）覆蓋搬出入口 22 。無氣流規制部5 1 1時，比板材5 1 a更上方側的蝕刻氣體 會經由該板材5 1 a與搬出入口 22之間的間隙來穿過下方 側（排氣路24側），被供給至基板S表面的蝕刻氣體會 不足’所以藉由此氣流規制部5 1 1來規制蝕刻氣體的穿過 〇 其次，說明有關該實施形態的蝕刻處理裝置2a的作 用。此刻在鈾刻處理裝置2a的運轉開始時一旦使用者選 擇製程方式，則會讀出有關對應於此製程的板材5 1 ( 5 1 a 、51b) 、52的適當闻度位置的資料，如圖13(b)所示 未與搬出入口 22隣接的3片板材51b、52會根據該被讀 出的資料來藉由昇降機構56調整高度位置。另一方面， 面對搬出入口 22的剩下一片的板材51a是下降至該搬出 入口 22的下方側，例如不與載置台3上的整流構件54接 觸的高度位置，在不干擾所被搬入的基板S的位置待機（ 圖 15 ( a ))。 其次開啓閘閥2 3 ’伸展外部的搬送裝置8的臂8 1， 經由搬出入口 22來搬入基板S至處理容器20内的交接位 置後（圖15(b))’使昇降銷34上昇來將基板S交接 至該昇降銷34(圖15(c) ) °然後’使臂81退避至處 理容器20外（圖16(a))，使昇降銷34下降來將基板 S載置於載置台3上’並關閉間閥23(圖16(b)) ’使 退避至搬出入口 22的下方側的板材5 1 a ’例如圖1 3 ( a ) 所示上昇至與其他3片的板材5 1 b、 52同高度位置後， -26- 201001526 以和已述的實施形態的蝕刻處理裝置2同樣的程序來實行 蝕刻處理。 此時，如圖16(c)所示，在板材51a與搬出入口 22 同高度位置進行鈾刻處理時，設於板材51a的端緣側的氣 流規制部5 1 1會伸出至比搬出入口 22的下緣更下方側’ 而形成覆蓋此區域的狀態，所以藉由此氣流規制部5 1 1來 阻塞形成於板材5 1 a與搬出入口 2 2之間的間隙。其結果 ，從板材5 1 a的上方側通過該間隙來穿過至排氣路24側 的蝕刻氣體的流動會被規制，蝕刻氣體會流動於已述的氣 流引導構件5的開口部5 0 1，藉此在該蝕刻氣體遍及基板 S表面的狀態下進行蝕刻處理。然後，一旦完成蝕刻處理 ，則停止蝕刻氣體的供給、高頻電力的供給，以和搬入時 相反的順序來搬出基板S而結束一連串的動作。 若根據本實施形態的蝕刻處理裝置2a則具有以下的 效果。可調節氣流引導構件5 (板材51 ( 51a、 51b)、 52 )的高度位置，藉此可使從基板S的上面到氣流引導構 件5的底面的高度方向的距離按照蝕刻處理的製程條件（ 處理條件）來變化。其結果，可在將氣流引導構件5的高 度調節於適當的位置，例如模擬上負載的發生程度最小的 位置之條件下進行蝕刻處理。 並且，面對基板S的搬出入口 22的板材51a(氣流引 導構件5)可與其他3片的板材51b、 52獨立昇降，藉 此即使氣流引導構件5的適當高度位置是形成干擾被搬出 入的基板S的位置時，還是可只使鄰接於該搬出入口 22 -27- 201001526 的板材5 1 a退避。此情況，與使氣流引導構件5全體（4 片的板材5 1 b、5 2 )退避時作比較，消費能量少。 另外，剩下3片的板材51b、52是該等3片可形成一 體昇降’或分別獨立昇降。又，並非限於僅鄰接於搬出入 口 22的板材51a可獨立昇降的例子，當然亦可爲在基板S 的搬出入時氣流引導構件5的全體（4片的板材51、52) 形成一體例如往下方側退避的構成。 並且’藉由使板材51a退避至基板S的搬出入路徑的 下方側’與使退避至其上方側時作比較，不易發生粒子落 下至搬送中的基板S的問題。另外，本實施形態的氣流引 導構件5是形成可昇降的構成，但與圖2 7所示習知型的 整流構件17不同，氣流引導構件5未直接載置於載置台9 上。因此，形成不易發生在該等氣流引導構件5與載置台 3的間隙形成生成物，使氣流引導構件5上昇時生成物剝 離而落下至基板S上的麻煩之構成。 〔實施例〕 (模擬1 ) 作成蝕刻處理裝置2的模型，模擬在處理容器20内 設置氣流引導構件5時及未設置時之處理容器20内的氣 流。蝕刻處理裝置2的模型是採用在圖3所示的一點鎖線 的位置，將比載置於載置台3上的基板S表面更上方側的 處理容器2 0内的空間予以4分割的模型。從該被分割的 模型的空間的上部所設置的氣體淋浴頭40來供給蝕刻氣 -28- 201001526 體，模擬處理容器2 0内的該氣流。往模型空間的餓刻氣 體供給量是 150〔seem〕’ 壓力是 4.0〔Pa〕 （0.〇3〔torr 〕）。並且在基板S的周圍配置高度爲1〇〔mm〕的整流 構件5 4。 A.模擬條件 (實施例1 ) 針對設置氣流引導構件5時之處理容器2 0内的氣流 來進行模擬。氣流引導構件5的配置條件是如以下所示般 〇 從基板S的外端緣到氣流引導構件5的内端緣爲止的 水平方向的距離a (參照圖4 ) : 5〔 mm〕 從基板S的上面到氣流引導構件5的底面爲止的高度 方向的距離b(參照圖4) : 110〔mm〕 (比較例1 ) 針對未設置氣流引導構件5時的處理容器20内的氣 流進行模擬。 B.模擬結果 將（實施例1 )的結果顯示於圖1 7 ( a )，將（比較 例1)的結果顯示於圖17(b)。圖17(a)、圖17(b) 的各圖是三次元顯示由氣體淋浴頭4 0來供給至模型空間 内的蝕刻氣體的流線。 -29- 201001526 若根據圖1 7 ( a )所不（實施例1 )的結果，則供給 至處理容器20内的蝕刻氣體的大部分是下降至基板s的 載置區域的附近位置，然後’通過氣流引導構件5與載置 台3之間的狹窄氣體流路6來往外部排氣。藉此可知接近 該氣體流路6的入口部，基板S的周緣部的上方之氣體的 流線密，該位置的氣體流速大。若根據模擬結果，則該部 位的蝕刻氣體流速是大槪1.0〔 m/s〕以上。 另一方面，就圖17(b)所示（比較例1)的結果而 言，被供給至處理容器20的氣體的一部份是流動於處理 容器2 0的側壁部2 1附近，不通過基板S的載置區域側而 被排氣。並且有關到達基板S的氣體亦該氣體的流路未形 成狹窄，因此基板S的周緣部的上方之氣體的流線是與（ 實施例1 )比較下形成疏散，該位置的流速亦小。若根據 模擬結果，則該部位的蝕刻氣體流速是大槪〇·〇5〜0.5〔 m/s〕程度，爲（實施例1 )的一半以下的値。 由以上可知，藉由在處理容器20内設置氣流引導構 件5，在氣體流路6的入口部，可增大基板s的周緣部附 近位置的蝕刻氣體流速。 (模擬2 ) 考量基板S表面的蝕刻氣體（CU)與銘1 )的 反應及擴散的影響，模擬處理容器2〇内的蝕刻氣體的通 量（flux )分布。處理容器2 0模型的大小、蝕刻氣體的供 給量及壓力是與（模擬1 )同樣。 -30- 201001526 A.模擬條件 (實施例2) 針對具備與（實施例1 )同樣構成的處理容 行模擬。 (比較例2) 針對具備與（比較例1 )同樣構成的處理容 行模擬。 B.模擬結果 在模擬中，取得有關蝕刻氣體（C 12 )、藉 體與鋁的反應所生成的氯化鋁氣體（A12C16) 5 的各氣體的通量分布的模擬結果。 將該等之中有關蝕刻氣體的結果顯示於圖 。圖18(a)是根據（實施例2)的模擬結果， 顯示來繪製模型空間的剖面位置的氯分子的個費 量分布的結果，圖18(b)是表示有關（比較仿 樣結果。該等的圖之箭號的方向是表示該箭號白< 的通量方向，箭號的長度是表示該位置的通量I 〕，箭號越長，通量也越大。又，圖19是繪 的反應而於基板S表面被消費的触刻氣體的通i 果，橫軸是表示從圖3所示的〇點往X軸方向纪 外，附在圖18的橫軸的數値是表示將載置台3 器20來進 器20來進 :由蝕刻氣 :該等總計 18 、圖 19 藉由向量 〔基準的通 1 2 )的同 丨基點位置 :個/m2 . s 丨藉由與鋁 :分布的結 丨距離。另 的寬度設 -31 - 201001526 爲1時之離上述0點的相對距離。並且，在圖1 9中，以 實線來表示（實施例2)的結果，以虛線來表示（比較例 2 )的結果。 若根據圖1 8 ( a )所示（實施例2 )的結果，則在基 板S的表面附近，蝕刻氣體是對X方向幾乎一樣地從上方 側（淋浴頭40側）往基板S移動。另一方面，若根據圖 1 8 ( b )所示（比較例2 )的結果，則會被確認出從處理容 器20的側壁部2 1側朝向基板S的周緣部側的通量。更詳 細是若比較圖18(a)、圖18(b)中分別以圓所包圍的 區域内的箭號的方向及大小，則在未設置氣流引導構件5 的（比較例2 )可觀察到朝向基板S的周緣部側之蝕刻氣 體的通量存在，顯示如此的鈾刻氣體的移動會成爲一個的 要因，引起負載。 於是若根據圖1 9在（實施例2 )與（比較例2 )之間 比較基板S表面所被消費的飩刻氣體的通量分布，則無論 是哪個分佈皆描繪了隨著從基板S的中央（0點）往周緣 部行進而慢慢地通量降低，在基板S的周緣部附近再度通 量上昇的輪廓。然而在（比較例2)是離中心的距離「X = 310〜330〔mm〕」附近的通量的最小値與基板S的外 端緣的最大値約2倍以上不同。相對的在（實施例2 )的 情況是通量的變化幅度收於最小値的正30%程度，止於比 較平穩的變化。由以上的比較亦可知，藉由在處理容器20 設置氣流引導構件5，可使往基板S表面的蝕刻氣體供給 量均一化，令鈾刻速度均一化，進而提升蝕刻處理的面内 -32- 201001526 均一性。 (實驗1 ) 作成具備與（模擬1、2)的各實施例、比較例同樣構 成的處理容器20之蝕刻處理裝置2，進行形成於基板s 表面的鋁膜之蝕刻’調查有無氣流引導構件5之蝕刻速度 分布或面内均一性的不同。 A.實驗條件 在具備與已述的（實施例1)同様構成的處理容器20 内的載置台3上載置形成鋁膜的基板S (縱680〔mm〕X 橫8 8 0〔 mm〕），蝕刻氣體是與（實施例2 )同條件下供 給（蝕刻氣體供給量600〔seem〕、壓力4.0〔Pa〕 （0.03 〔torr〕），在設於處理容器20的低壁之4個排氣路24 的前面配置擋板53。並且，往兼具下部電極的載置台3供 給的高頻電力是由電漿發生用的第1高頻電源部311所施 加的電力（13.56〔 MHz〕）爲5.5〔 kW〕，由電漿中的離 子引入用的第2高頻電源部3 12所施加的電力（3.2〔 MHz 〕）爲 1〔 kW〕。 (實施例3 ) 利用具備與（實施例1)同樣的氣流引導構件5(a = 5〔mm〕、b=110〔mm〕）的處理容器20來進行蝕刻處 理，調查蝕刻速度的分布。蝕刻速度是以圖20所示基板 -33- 201001526 S的平面圖上佈置的「·」位置作爲計測點，合計21點 計測蝕刻速度，求取其面内均一性。一倂記載於各計測點 旁的數値是表示將基板S的左下端設爲「0點」時之各點 的（X, y)座標位置。並且，餘刻速度的均一性是根據以 下的式（2)來算出。 面内均一性「％」=[{(e/r)max-(e/r)min} / { (E/R)Max + (E/R)min } ] χ 1 00 .--(2) 在此，斤/11)1^^:蝕刻速度的最大値[人/1^11] (E/R)MIN :蝕刻速度的最小値[A /min]。 (比較例3 ) 與（比較例1 )同樣地利用未具備氣流引導構件5的 處理容器2 0來進行蝕刻處理，針對與上述（實施例3 )同 樣的計測點來調查蝕刻速度的分布。 B .實驗結果 將（實施例3 )的結果顯示於圖21(a) ’將（比較 例3)的結果顯示於圖21(b)。在各圖是對應於圖20的 「·」所示的計測點的位置’顯示在該計測點所計測的蝕 刻速度〔A /min〕。 若根據圖21 ( a )所示（實施例3 )的結果’則基板S 表面的蝕刻速度分布是在基板s的中央’蝕刻速度大’隨 -34- 201001526 著往基板S的周緣部側行進而蝕刻速度變小，在基板S的 周緣部，蝕刻速度形成最大，被供給至圖1 9的（實施例2 )所示的基板S表面之鈾刻氣體的通量分布可取得幾乎一 致的結果。而且在該等的計測點全體，蝕刻速度的平均値 是 3520〔A/min〕，均一性是 7.2「％」。 另一方面，若根據圖21 ( b )所示（比較例3 )的結 果，則與（實施例3 )的情況同樣，可確認在基板S的中 f 央，蝕刻速度大，隨著往基板S的周緣部側行進而蝕刻速 度變小，在基板S的周緣部，蝕刻速度形成最大的蝕刻速 度分布，顯示於圖19的（比較例2)的通量分布可取得幾 乎一致的結果。在該等的計測點全體的蝕刻速度的平均値 是3 160〔 A /min〕，均一性是17.0「％」，蝕刻速度的平 均値降低，均一性也惡化。 如此，若比較（實施例3 )與（比較例3 )，貝!I (實 施例3 )較能夠進行均一性高的蝕刻處理，因此可知在處 ί 理容器20内設置氣流引導構件5爲抑制負載的發生之有 效的手段。又，就（實施例3)的實驗結果而言，平均鈾 刻速度上昇，因此可知蝕刻深度相同時，藉由設置氣流引 導構件5，可取得縮短處理時間的效果。這可想像是因爲 以往未到達基板s表面而通過側壁部2 1側來排氣的触刻 氣體可藉由設置氣流引導構件5來通過基板S表面的附近 ，被供給至基板S全體的蝕刻氣體量會増加所致。 (實驗2) -35- 201001526 使從基板S的外端緣到氣流引導構件5的内端緣爲止 的水平方向的距離a變化來調查有關氣流引導構件5的外 端緣的配置位置與蝕刻速度的關係。有關鈾刻氣體供給量 、處理容器20内壓力、蝕刻氣體供給濃度、高頻電力的 供給條件是與（實驗1 )同樣。並且’從基板S的上面到 氣流引導構件5的底面爲止的高度方向的距離是固定於「 b = 1 1 0mm」。 A .實驗條件 (實施例4) 「a == - 4 5 mm」（從基板S的外端緣往内側4 5 mm的位 置）。計測點是進行圖2 0中所示的A點（中心位置）、：B 點（中間位置）、C 2點（角落稍微内側位置）、D1點（ 第1周緣位置）、D2點（第2周緣位置）、D3點（第3 周緣位置）等合計6點的計測’根據已述的式（2 )來求 取面内均一性。 (實施例5 ) r a = +5 mm」（從基板S的外端緣往外側5 mm的位 置）。計測點是與（實施例4)同樣。 (實施例6) 「a=+40mm」（從基板S的外端緣往外側4〇mm的 位置）。計測點是與（實施例4)同樣。 -36- 201001526 B .實驗結果 將（實施例4)〜（實施例6)的結果顯示於圖22。 圖22的橫軸是離基板S的外端緣的距離「a〔mm〕」， 左側的縱軸是表示蝕刻速度〔A /min〕。使對應於該等的 軸，以A點（中心位置）爲「〇」，B點（中間位置）爲 「#」，C2點（角落稍微内側位置）爲「△」來繪製各 實施例的蝕刻速度。又，有關D1點〜D3點（第丨〜第3 周緣位置）的蝕刻速度是分別以「-」來繪製其最小値及 最大値，顯示以縱線來連結其間的範圍。 並且，右側的縱軸是表示面内均一性〔％〕，各實施 例的結果是以「X」來繪製。 若根據（實施例4 )〜（實施例6 )的結果，則在從 基板S的外端緣到氣流引導構件5的内端緣爲止的距離最 短的（實施例5)中可取得最良好的均一性。另一方面， 氣流引導構件5爲突出的狀態，而使能夠覆蓋至基板S的 (實施例4 )，與（實施例5 )作比較，中央側的a點、B 點的蝕刻速度會上昇，另一方面’在周緣部側的C2點、 D 1點〜D3點則是鈾刻速度會降低。這可想像是因爲氣流 引導構件5突出至基板S的周緣部，由氣體淋浴頭40所 供給降下來的蝕刻氣體會被氣流引導構件5所遮蔽，無法 直接到達該區域的基板S表面，蝕刻速度會降低，另一方 面，到達中央側的基板S表面的蝕刻氣體的量變多，蝕刻 速度會上昇。 -37- 201001526 在此，氣流引導構件5往基板S側突出的程度若例如 爲「a = -1 0 m m」程度，則氣流引導構件5所造成触刻氣體 的遮蔽影響幾乎爲可無視的程度’若爲「-1 〇mm S a S +1 0mm」的範圍内，則可想像與（實施例5 )同様，蝕刻 速度的均一性爲最佳。 又，相較於（實施例5 )，氣流引導構件5的内端緣 比基板S的外端緣更往外側方向離35mm的（實施例6) 是中央側的A點、B點的蝕刻速度會降低’在周緣部側的 C 2點、D1點〜D 3點是蝕刻速度會上昇，與（實施例4 ) 呈現相反的現象。氣流引導構件5的内端位置離基板S越 遠，設置氣流引導構件5的效果越降低’可想像負載的影 響變大的結果。 若綜合（實施例4 )〜（實施例6 )的實驗結果’則 可知藉由改變從基板S的外端緣到氣流引導構件5的内端 緣爲止的水平方向的距離a，可調節基板S的中央側、周 緣部側的蝕刻速度。於是例如使用圖2所示的氣流引導構 件5時在沿著基板S的外周的方向有蝕刻速度不均時等， 例如圖1 1 ( a )所示，可確認採用對應於此不均的發生位 置來使局部地突出至内側，或往外側凹陷的型態的氣流引 導構件5c亦爲有效的手段。 (實驗3 ) 使用在載置台3上未具備整流構件5 4的型態的蝕刻 處理裝置2來調查與（實驗2 )同樣的資料。除此以外的 -38 - 201001526 各實驗條件是與（實驗2)同樣。 A.實驗條件 (實施例7 ) 以和（實施例4 )同樣的實驗條件、計測點來調查触 刻速度、蝕刻處理的面内均一性。 (實施例8) 以和（實施例5 )同樣的實驗條件、計測點來1周查貪虫 刻速度、飩刻處理的面内均一性。 (實施例9 ) 以和（實施例6 )同樣的實驗條件、計測點來調查倉虫 刻速度、鈾刻處理的面内均一性。 B.實驗結果 將（實施例7 )〜（實施例9 )的結果顯示於圖23 ° 有關橫軸及左右的縱軸、各繪圖的意思是與圖22同樣。 若根據（實施例7 )〜（實施例9 )的結果’則對應 於距離a的變化之基板S狀的各計測點的餓刻速度的變化 傾向是與具備整流構件54的（實施例4)〜（實施例6) 的結果同樣。然而有關（實施例7 )〜（實施例9 )皆是 與設置整流構件54的（實施例4)〜（實施例6)的距離 a爲同條件下的實驗結果作比較，其蝕刻處理的面内均一 -39- 201001526 性會分別惡化。由此結果可謂整流構件5 4是具有抑制隨 著負載的發生造成面内均一性的惡化之效果。 (實驗4 ) 使從基板S的上面到氣流引導構件5的底面爲止的高 度方向的距離b變化來調查與（實驗2)同樣的資料。各 實驗條件是與（實驗1)同樣。並且從基板S的外端緣到 氣流引導構件5的内端緣爲止的水平方向的距離是固定於 「a=+5mm」° A.實驗條件 (實施例1 〇 ) 「b = 50mm」。計測點是與（實施例4 )同樣。 (實施例1 1 ) 「b = 1 1 0mm」。計測點是與（實施例4 )同樣。 B.實驗結果 將（實施例1 〇 )、（實施例11 )的結果顯不於® 2 4 。有關橫軸及左右的縱軸、各繪圖的指示内容是與圖22 同様。 若根據（實施例10 )、（實施例11 )的結果，則即 使使氣流引導構件5的高度變化，在的箪β 圍，蝕刻速度的面内均一性也不會大幅度變化。另一方面 -40- 201001526 ，若看各計測點，則在距離b大的（實施例1 1 )中，在中 央側的A點、B點，鈾刻速度高，在周緣部側的C2點， 一旦蝕刻速度降低，在周緣部的D1點〜D3點，再度蝕刻 速度變大。這可謂顯示與圖19所示之未設置氣流引導構 件5時的基板S表面附近的蝕刻氣體的通量分布一致的蝕 刻速度分布。由此可想像一旦使氣流引導構件5的位置逐 漸提高而擴大距離b，則設置氣流引導構件5的效果會逐 漸變小，而負載的影響會慢慢地出現。由如此的考察可想 像在使用圖2所示的氣流引導構件5時在沿著基板S的外 周的方向有蝕刻速度的不均時等，如圖11 (b)的例所示 ，採用對應於此不均發生的位置來使高度有所差異之型態 的氣流引導構件5d亦爲有效的手段。又，例如亦可擴大 氣流引導構件5d的寬度，增大距離a等，組合2個的參 數來使變化，而取代使氣流引導構件5d更低。 (實驗5 ) 使從基板S的上面到氣流引導構件5的底面爲止的高 度方向的距離變化成3模式而進行（實驗4)的再實驗。 此時’爲了評價負載的發生程度，除了在已既述的（實施 例4 )計測的6點（圖2 0所示的A點、B點、C 2點、D1 點〜D 3點）以外，還以C1點（第1周緣位置的稍微内側 )、C3點（第3周緣位置的稍微内側）作爲計測點。面 内均一性是根據已述的式（2)來求取，且評價負載的發 生程度的指標（以下稱爲「負載指標」）爲根據以下的式 -41 - 201001526 (3 )來求 AVEd AVEd /min〕 AVEC /min〕 各實磨 端緣到氣沒 固定於「a A.實驗條 (實施例： 「b = (實施例： 「b = (實施例 「b = 取指標値。 i~d3-AVEci~c3/AVEdi 〜D3 + AVEci 〜C3 ·· (3)
!〜D3 : D1點〜D3點的蝕刻速度的平均値〔A !〜C3 : C 1點〜C3點的蝕刻速度的平均値〔Λ I條件是與（實驗1 )同様。並且從基板s的外 ξ引導構件5的内端緣爲止的水平方向的距離是 =+ 5 mm」 。 件 2) 17mm」 。 .3 ) 5 0mm」 。 4) 117mm」。 B .實驗結果 (實施例1 4 )的結果顯示於圖2 5 將（實施例1 2 ) -42- 201001526 。有關橫軸及左右的縱軸、各繪圖的指示内容是與圖22 问樣’負載指標是以「口」來繪圖。 根據圖25所示的實驗結果，若著眼於面内均一性， 則在（實施例1 3 )與（實施例丨4 )之間是不見顯著的差 異’可謂能夠確認該等的實施例與實驗條件幾乎相等的（ 實施例10)、（實施例11 )的結果（參照圖24)的再現 性。另一方面’在上述高度方向的距離爲最小的（實施例 12)中是面内均一性惡化至其他實施例的2倍以上。 其次’若著眼於負載指標，則由式（3 )，負載指標 是比較周緣位置的D 1點〜D 3點的蝕刻速度的平均値「 A VE D ! ~ Μ」與比該等的計測點稍微内側的c 1點〜C3點 的蝕刻速度的平均値「AVE C1〜C3」，當周緣的蝕刻速度 大時’亦即可見負載效應的影響時是取正的値，當内側的 餓刻速度大時’亦即發生與負載效應相反的現象時是取負 的値。並且’該等的平均速度的差越大，負載指標的絶對 値變越大。 若由該等的觀點來看（實施例丨2 )〜（實施例丨4 ) 的負載指標値’則各實施例皆是指標値形成正的値，雖有 程度的差’但無論哪個的實施例中皆被觀察負載的發生。 於是若比較該等各實施例的負載指標的値，則（實施例i 3 )的指標値最低（1.7% )。另一方面，（實施例1 4 )是 就面内均一性而言雖然未見與（實施例13)大的不同，但 負載ί曰標値疋約形成4倍（6,9 % )。並且，在面内均一性 最差的（實施例12 )中，負載指標値是（實施例〗3 )的 -43- 201001526 約 7 倍（11.9%)。 從該等的結果，如圖2 5所示，使氣流引導構件5的 高度位置從載置台3上的基板S附近慢慢地提高時，負載 指標的値是往具極小値之下凸的曲線變化，確認存在可將 負載的發生壓到最小的適當高度方向的距離。 若針對如此的現象發生的理由來簡單地考察，則例如 (實施例1 2 )那樣當氣流引導構件5的高度位置過低時， 如圖26 ( a )的模式那樣因爲氣流引導構件5的配置位置 過接近載置台3上的基板S，所以例如滯留於氣流引導構 件5的上方之未反應的蝕刻劑擴散而到達基板S周緣部爲 止所要的時間短。因此，藉由氣體流路6内的流動而往下 游側流去之前未反應的蝕刻劑便到達基板S的周緣部，可 推測負載效應（loading Effect)的影響會顯著地出現。 另一方面，如（實施例14 )那樣氣流引導構件5的高 度位置過高時，因爲流動於氣體流路6的氣流的流速慢， 所以例如圖26 ( b )所示那樣從該流動的上方側未反應的 蝕刻劑朝向基板S的周緣部而擴散的影響相對地變大，因 此可想像負載效應的影響變大。 由以上的考察，在（實施例1 3 )的情況時，是氣流引 導構件5不會過於接近載置台3上的基板S，且形成於氣 體流路6内的氣流的流速不會過慢，因此可想像形成未反 應的蝕刻劑最難藉由擴散來到達基板S的周緣部的狀態。 其理由是使從基板S的上面到氣流引導構件5的底面爲止 的高度方向的距離變化時’存在可將負載的發生壓到最小 -44- 201001526 的適當距離。然後，藉由以上述高度方向的距離能夠形成 預先掌握的適當値之方式來調節構成可昇降的氣流引導構 件5的高度位置，可進行面内均一性高’且負載的影響小 的蝕刻處理。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的實施形態的蝕刻處理裝置的構成 的縱剖面圖。 圖2是表示上述蝕刻處理裝置的處理容器内部的構造 的立體圖。 圖3是表示上述處理容器内部的構造的平面圖。 圖4是表示上述處理容器内部的構造的擴大縱剖面圖 〇 圖5是表示上述處理容器内部的構造的第2平面圖。 圖6是表示設於上述處理容器内的擋板的變形例的擴 大縱剖面圖。 圖7是表示上述蝕刻處理裝置的作用的縱剖面圖。 圖8是表示設於上述處理容器内部的氣流引導構件的 作用的擴大縱剖面圖。 圖9是表不設於上述處理容器内部的整流構件的作用 的擴大縱剖面圖。 圖10是表示上述氣流引導構件的其他實施形態的擴 大縱剖面圖。 圖1 1是表示上述氣流引導構件的另外其他實施形態 -45- 201001526 的立體圖。 圖1 2是表示其他實施形態的蝕刻處理裝置的縱剖面 圖。 圖13是表示上述其他蝕刻處理裝置的處理容器内部 的構造立體圖。 圖14是表示上述其他蝕刻處理裝置的電氣構成的方 塊圖。 圖15是表示上述其他蝕刻處理裝置的作用的第1説 明圖。 圖16是表示上述其他蝕刻處理裝置的作用的第2説 明圖。 圖17是表示模擬處理容器内的蝕刻氣體的流動的結 果説明圖。 圖18是表示模擬上述蝕刻氣體的通量的結果説明圖 〇 圖19是表示模擬上述通量的結果的第2説明圖。 圖2 0是表示在蝕刻處理實驗計測蝕刻速度的點之基 板的平面圖。 圖2 1是表示第1蝕刻處理實驗結果之基板的平面圖 〇 圖22是表示第2蝕刻處理實驗結果的説明圖。 圖23是表示第3蝕刻處理實驗結果的説明圖。 圖24是表示第4蝕刻處理實驗結果的説明圖。 圖2 5是表示第5蝕刻處理實驗結果的説明圖。 -46- 201001526 圖26是上述第5處理實驗結果的考察的説明圖。 圖27是表示以往的蝕刻處理裝置的構成的縱剖面圖 〇 圖28是在上述以往的触刻處理裝置所處理的基板的 平面圖。 圖29是表示上述以往的蝕刻處理裝置的處理容器内 部的構造立體圖。 圖30是表示以往的蝕刻處理裝置的作用的縱剖面圖 【主要元件符號說明】 5 : FPD基板（基板） 2 :蝕刻處理裝置 3 :載置台 4 :上部電極 5、5a、5b :氣流引導構件 6 :氣體流路 7 :控制部 20 :處理容器 21 :側壁部 22 :搬出入口 23 :閘閥 24 :排氣路 3 2 :絶緣構件 -47- 201001526 33 :屏蔽環 34 :昇降銷 3 5 :昇降機構 40 :氣體淋浴頭 41 :上部電極支承 42 :氣體擴散空間 43 :處理氣體供給路 44 :處理氣體供給部 45 :氣體供給孔 51、 51a、 52、 52a:板材 5 3 :擋板 5 4 :整流構件 3 1 1 :第1高頻電源部 3 1 2 :第2高頻電源部 5 0 1 :開口部 -48-