CN115101400B - 半导体加工装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种半导体加工装置，包括主腔体、传片腔体、喷淋部、抽气通道、所述集气通道和抽气部。所述半导体加工装置将所述传片腔体设置于所述主腔体侧壁以与所述主腔体相通，所述喷淋部与所述主腔体的内腔体围成工艺腔体以及围设于所述工艺腔体的集气通道，所述工艺腔体侧壁开设有与所述集气通道相通的导气通道，所述抽气通道设置于所述主腔体内，所述集气通道与所述导气通道相通，所述抽气部设置于所述主腔体外，并与所述抽气通道连通，能够有效排出包括颗粒物在内的杂质。

Description

半导体加工装置
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及半导体加工装置。
背景技术
在半导体加工设备的工艺腔体内部对晶圆进行表面沉积反应，沉积反应条件对成膜质量起着关键作用。
在沉积反应进行的过程中，不仅是晶圆表面成膜，工艺腔体内壁会沉积反应产物而产生颗粒物，反应气体流经的区域、晶圆传输经过的区域以及因装配产生的工艺间隙中都有可能存在包括上述颗粒物在内的杂质，如不及时排出工艺腔体，会严重影响成膜的质量。
因此，有必要开发新型的半导体加工装置以解决现有技术存在的上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体加工装置，以有效排除包括颗粒物在内的杂质。
为实现上述目的，本发明所述半导体加工装置包括：
主腔体，包括设置于内部且一端开口的内腔体；
传片腔体，设置于所述主腔体侧壁，并与所述内腔体相通，所述传片腔体沿传片方向的两端开口；
喷淋部，设置于所述内腔体的顶部，所述喷淋部与所述内腔体围成工艺腔体以及围设于所述工艺腔体的集气通道，所述工艺腔体侧壁开设有导气通道，所述集气通道与所述导气通道相通；
抽气通道，设置于所述主腔体内，并与所述集气通道相通；
抽气部，设置于所述主腔体外，并与所述抽气通道连通。
本发明所述半导体加工装置的有益效果在于：将所述传片腔体设置于所述主腔体侧壁以与所述主内腔体相通，所述喷淋部与所述内腔体围成工艺腔体以及围设于所述工艺腔体的集气通道，所述工艺腔体侧壁开设有与所述集气通道相通的导气通道，所述抽气通道设置于所述主腔体内，所述集气通道与所述导气通道相通，所述抽气部设置于所述主腔体外，并与所述抽气通道连通，能够有效排出包括颗粒物在内的杂质。
优选的，所述传片腔体包括沿所述传片方向延伸并相对的传片顶板和传片底板，所述传片顶板靠近所述喷淋部，并开设有传片进气端口。
优选的，所述半导体加工装置还包括传片进气部，所述传片进气部的进气端与所述传片进气端口相对设置，以向所述传片腔体内引入吹扫气体。
优选的，所述半导体加工装置还包括传片进气部，所述传片腔体的外壁绕轴线方向设有传片导气结构，所述传片导气结构与所述传片进气端口交汇，并与所述主腔体围成传片导气通道，所述传片进气部的进气端与所述传片导气通道相通。
优选的，所述的半导体加工装置还包括传片进气部，所述主腔体包括与所述传片腔体外壁对应贴合的腔体内壁，所述腔体内壁设置有主腔导气结构，所述主腔导气结构与所述传片腔体的外壁围成传片导气通道，所述传片进气部的进气端与所述传片导气通道相通。
优选的，所述内腔体包括靠近所述喷淋部的顶部衬套和远离所述喷淋部的底部衬套，所述顶部衬套和所述喷淋部围成所述集气通道，所述喷淋部、所述顶部衬套以及所述底部衬套围成所述工艺腔体。
进一步优选的，所述导气通道包括与所述集气通道相通的喷淋导气通道，所述喷淋部包括喷淋孔板以及围设于所述喷淋孔板底面的喷淋导气部，所述喷淋孔板、所述顶部衬套和所述喷淋导气部围成所述集气通道，所述喷淋导气部侧壁设置有所述喷淋导气通道。
进一步优选的，所述半导体加工装置还包括活动设置于所述底部衬套内的承载结构以朝向或远离所述喷淋部运动，当所述承载结构朝向所述喷淋部运动至工艺位置，所述喷淋导气通道靠近所述喷淋部的一端低于所述承载结构的顶面。
进一步优选的，所述导气通道还包括位于所述顶部衬套和所述底部衬套之间，且与所述抽气通道相通的侧部导气通道。
进一步优选的，所述半导体加工装置还包括活动设置于所述内腔体的承载结构以朝向或远离所述喷淋部运动，当所述承载结构朝向所述喷淋部运动至工艺位置，所述侧部导气通道与所述承载结构的顶部外侧壁相对。
进一步优选的，当所述侧部导气通道与所述承载结构的顶部外侧壁相对，所述顶部衬套的底部内侧壁和所述底部衬套的顶部内侧壁与所述承载结构的顶部外侧壁之间的间距均为0.5毫米-2.5毫米。
进一步优选的，所述半导体加工装置还包括设置于所述主腔体底部，并与所述底部衬套内部相通的底部导气部。
进一步优选的，所述底部导气部包括设置于所述主腔体底部并与外部相通的底部导气通道，以及设置于所述底部衬套内，并与所述底部导气通道相通的分气结构，以使气体在所述主腔体内外流通。
进一步优选的，所述分气结构包括分气孔板，所述分气孔板与所述底部衬套围成分气腔，所述底部导气通道与所述分气腔相通。
进一步优选的，所述分气孔板开设有若干分气孔，所述若干分气孔孔径和分布配置为确保所述分气孔板不同区域的进气流量相当。
进一步优选的，所述若干分气孔具有均一的孔径，沿第一方向排布的若干分气孔中，任意相邻所述分气孔之间的间距为第一间距，若干所述第一间距沿所述第一方向减小，所述第一方向由所述底部导气通道沿气体的流通方向指向所述分气孔板的远端，所述分气孔板的远端为远离所述底部导气通道的一端。
进一步优选的，所述若干分气孔的孔径各不相同且等间距排布，相邻所述分气孔中，靠近所述底部导气通道的分气孔的孔径小于远离所述底部导气通道的分气孔的孔径。
优选的，所述半导体加工装置还包括装配间隙通道，所述内腔体包括用于设置所述顶部衬套的内腔顶部内壁，所述装配间隙通道位于所述内腔顶部内壁和所述顶部衬套外壁之间，所述顶部衬套朝向所述装配间隙通道的结构设置有衬套导气通道，以连通所述装配间隙通道和所述集气通道。
优选的，所述半导体加工装置还包括活动设置于所述内腔体的承载结构，所述承载结构包括导热结构以及围设于所述导热结构顶部的承托结构，所述承托结构用于承托待处理晶圆，所述承托结构的热膨胀系数小于所述导热结构的热膨胀系数。
进一步优选的，所述半导体加工装置还包括可拆卸固定连接所述导热结构和所述承托结构的固定结构，所述固定结构的组成材料与所述导热结构和所述承托结构中的任意一种的组成材料相同。
进一步优选的，所述固定结构与所述导热结构和所述承托结构中的任意一种面接触或线接触。
附图说明
图1为本发明实施例的半导体加工装置的内部结构示意图；
图2为本发明实施例的第一种传片腔体和主腔体的装配结构示意图；
图3为本发明实施例的第二种传片腔体的结构示意图；
图4为图3所示的第二种传片腔体与主腔体的装配结构示意图；
图5为本发明实施例的承载结构运动至工艺位置后与喷淋孔板、喷淋导气部以及顶部衬套和侧壁衬套之间的相对位置示意图；
图6为本发明实施例的底部导气部和底部衬套的装配结构示意图；
图7为图1所示的参与形成装配间隙通道的各结构的装配示意图；
图8为本发明实施例的承载结构和晶圆的装配结构示意图；
图9为本发明实施例的导热结构和固定结构的装配示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
本发明实施例提供了一种半导体加工装置，以有效排出包括颗粒物在内的杂质。
图1为本发明实施例的半导体加工装置的内部结构示意图。图2为本发明实施例的第一种传片腔体和主腔体的装配结构示意图。
参照图1，图1所示的半导体加工装置包括主腔体11、传片腔体12和喷淋部14。所述主腔体11包括设置于内部且一端开口的内腔体13。
一些实施例中，参照图1和图2，所述传片腔体12设置于所述主腔体11侧壁，并与所述内腔体13相通，所述传片腔体12具有两端开口。具体的，所述传片腔体12远离所述内腔体13的一端开口用于适配传片装置（图中未标示），以向所述内腔体13传输或移出基板。将所述传片腔体12集成设置于所述主腔体11，有效提高了所述半导体加工装置的集成度。
一些实施例中，参照图2，所述传片腔体12沿传片方向，即A方向的两端开口。A方向指向所述内腔体13。
一些实施例中，所述基板为晶圆。
一些实施例中，参照图1和图2，所述传片腔体12包括沿传片方向，即图2所示的A方向延伸并相对设置的传片顶板121和传片底板122，所述传片顶板121靠近所述喷淋部14。
图3为本发明实施例的第二种传片腔体的结构示意图。图4为图3所示的第二种传片腔体与主腔体的装配结构示意图。
一些实施例中，参照图2和图3，所述传片顶板121开设有传片进气端口32，以供吹扫气体进入所述传片腔室12内部。
一些实施例中，所述传片进气端口32的数目至少为2，其具体的排布方式可根据工艺需求进行灵活调整。
一些实施例中，所述半导体加工装置还包括传片进气部，所述传片进气部的进气端与所述传片进气端口32相对设置，以向所述传片腔体12内引入吹扫气体。
一些具体的实施例中，所述传片进气部由吹扫气体气源、连通所述吹扫气体气源的吹扫管路，以及设置于所述吹扫管路的流量控制装置组成，所述吹扫管路的出气端与所述传片进气端口32相连通。
一些实施例中，参照图3和图4，所述传片腔体12的外壁123绕轴线方向设有传片导气结构31，所述传片导气结构31与所述传片进气端口32交汇，并与所述主腔体11围成传片导气通道41。
一些实施例中，所述传片进气部的出气端与所述传片导气通道41相通。具体的，所述吹扫管路贯穿所述主腔体11的部分侧壁后，所述吹扫管路的出气端与所述传片导气通道41相通并朝向所述传片底板122。吹扫气体分别从所述传片腔体12外壁的两侧沿所述传片导气通道41朝向所述传片顶板121传输，并经设置于所述传片顶板121的所述传片进气端口32进入所述传片腔体12。
进一步的，参照图1，吹扫气体辅助将所述传片腔体12内可能存在的包括颗粒物在内的杂质自所述传片腔体进入工艺腔体16，再自所述工艺腔体16设置的导气通道（图中未标示）进入集气通道15，再通过集气通道15进入与所述集气通道15相通的抽气通道17，最终通过所述抽气通道17排出。
一些实施例中，所述半导体加工装置还包括设置于所述主腔体11外的抽气部，所述抽气部与所述抽气通道17连通，以辅助排出可能夹带有颗粒物的气体。
一些具体的实施例中，所述抽气部为真空泵。
一些实施例中，所述传片导气结构31为槽道结构。
一些实施例中，所述喷淋部14设置于所述内腔体13的顶部，所述喷淋部14与所述内腔体13围成工艺腔体16以及围设于所述工艺腔体16的集气通道15，所述工艺腔体16侧壁开设有导气通道（图中未标示），所述集气通道15与所述导气通道（图中未标示）相通。
一些实施例中，参照图1，所述内腔体13包括靠近所述喷淋部14的顶部衬套131和远离所述喷淋部14，并由侧壁衬套132和底面衬套133组成的底部衬套。
一些实施例中，侧壁衬套132和底面衬套133相接。
一些实施例中，所述侧壁衬套133和所述底面衬套132为一体化结构。
一些实施例中，所述顶部衬套131和所述喷淋部14围成所述集气通道15，所述喷淋部14、所述顶部衬套131和由所述侧壁衬套132和所述底面衬套133组成的底部衬套围成所述工艺腔体16。
一些实施例中，所述导气通道包括与所述集气通道15相通的喷淋导气通道。参照图1，所述喷淋部14包括喷淋孔板141以及围设于所述喷淋孔板141底面的喷淋导气部142，所述喷淋孔板141、所述顶部衬套131和所述喷淋导气部142围成所述集气通道15，所述喷淋导气部142侧壁设置有喷淋导气通道143，使得可能夹带有颗粒物的气体能够经所述喷淋导气通道143进入所述集气通道15，再由所述排气通道17排出。
一些实施例中，参照图1，所述顶部衬套131和由所述侧壁衬套132和所述底面衬套133组成的底部衬套均为L型衬套且均成L型设置，所述顶部衬套131底部的一端部和所述侧壁衬套132的顶部相对，形成了台阶状结构。所述喷淋导气部142底部与所述顶部衬套131底部的一端部相贴合，从而形成了所述集气通道15和所述工艺腔体16。
进一步的，所述顶部衬套131的底部和所述底部衬套的顶部相对，且之间具有空隙以形成可供气体出入的侧壁导气通道18。
一些实施例中，所述顶部衬套131和由所述侧壁衬套132和所述底面衬套133固定设置于所述主腔体11的内壁。
一些实施例中，所述半导体加工装置还包括活动设置于所述底部衬套的承载结构以朝向或远离所述喷淋部14运动。具体的活动设置实现方式为本领域技术人员的常规技术手段。
图5为本发明实施例的承载结构运动至工艺位置后与喷淋孔板、喷淋导气部以及顶部衬套和侧壁衬套之间的相对位置示意图。
一些实施例中，参照图1和图5，当承载结构19朝向所述喷淋部14运动至工艺位置，所述喷淋导气通道143靠近所述喷淋部14的一端低于所述承载结构19的顶面。
具体的，通过所述喷淋孔板141向所述承载结构19顶面所承载的晶圆喷射反应气体，并启动所述抽气部。反应气体能够确保先接触晶圆表面以进行沉积反应，而未反应的气体和可能产生的反应副产物能够经所述喷淋导气通道143进入所述集成通道15而排出。
更具体的，通过合理调控所述抽气部的抽气速率和反应气体的流量以及其他沉积反应参数，能够在不影响沉积反应进行的同时及时排出未反应的气体和可能产生的反应副产物，有利于提高晶圆的成膜性能。
一些实施例中，参照图1，所述导气通道（图中未标示）还包括位于所述顶部衬套131和由所述侧壁衬套132和所述底面衬套133组成的底部衬套之间，且与所述抽气通道17相通的侧部导气通道18。具体的，所述侧部导气通道18位于所述顶部衬套131和所述侧壁衬套132之间。
一些实施例中，参照图1和图5，当所述承载结构19朝向所述喷淋部14运动至工艺位置，所述侧部导气通道18与所述承载结构的顶部外侧壁相对。
一些实施例中，参照图5，当所述侧部导气通道18与所述承载结构19的顶部外侧壁相对，所述顶部衬套131的底部内侧壁和由所述侧壁衬套132和所述底面衬套133组成的底部衬套的内侧壁与所述承载结构19的顶部外侧壁之间的间距均为0.5毫米-2.5毫米。具体的，这里所述的内侧壁指暴露于所述工艺腔体环境中的内侧壁。
进一步的，沉积反应进行的过程中，所述喷淋孔板141喷射反应气体，所述承载结构19和所述内腔体13底部之间的空间充有惰性气体，并结合控制抽气的流量和功率，以及所述顶部衬套131的底部内侧壁和由所述侧壁衬套132和所述底面衬套133组成的底部衬套的内侧壁与所述承载结构19的顶部外侧壁之间的间距在合理的范围内，一方面能够最大程度避免反应气体进入所述承载结构19和所述内腔体13底部之间的空间以确保成膜效果，另一方面也能够有效减小颗粒度。
一些实施例中，所述顶部衬套131的底部内侧壁和所述侧壁衬套132的顶部内侧壁齐平。
图6为本发明实施例的底部导气部和底部衬套的装配结构示意图。
一些实施例中，所述半导体加工装置还包括设置于所述主腔体11底部，并与所述底部衬套内部相通的底部导气部。
一些实施例中，参照图1和图6，所述底部导气部（图中未标示）包括设置于所述主腔体11底部并与外部相通的底部导气通道65，以及设置于所述底部衬套（图中未标示）的分气孔板61。所述分气孔板61与所述底面衬套133围成分气腔64，所述底部导气通道65与所述分气腔64相通。
一些实施例中，所述底部导气通道65用于适配吹扫气体的供气系统，具体实现方式请参见前述对所述传片腔室12所配置的传片进气部的描述。
一些实施例中，所述底部导气通道65可以用作底部抽气通道，以适配对应的抽气部。
一些实施例中，参照图1和图6，所述分气腔64环绕所述承载结构19的底部设置。具体的，所述底部通孔134用于适配所述承载结构19。
一些实施例中，所述分气孔板61开设有若干分气孔63，若干所述分气孔63孔径和分布配置为确保所述分气孔板61不同区域的进气流量相当。
一些实施例中，若干所述分气孔63具有均一的孔径，沿第一方向排布的若干所述分气孔63中，任意相邻所述分气孔63之间的间距为第一间距，若干所述第一间距沿所述第一方向减小，所述第一方向由所述底部导气通道65沿气体的流通方向指向所述分气孔板61的远端，所述分气孔板61的远端为远离所述底部导气通道65的一端。
一些实施例中，若干所述分气孔63的孔径各不相同且等间距排布，相邻所述分气孔63中，靠近所述底部导气通道65的分气孔的孔径小于远离所述底部导气通道65的分气孔的孔径。
一些实施例中，控制流经所述底部导气通道65的气体流导与流经所述分气孔63的气体流导比例大于等于10:1。
图7为图1所示的参与形成装配间隙通道的各结构的装配示意图。
一些实施例中，所述半导体加工装置还包括装配间隙通道，所述内腔体13包括用于设置所述顶部衬套131的内腔顶部内壁，所述装配间隙通道位于所述内腔顶部内壁和所述顶部衬套131外壁之间，所述顶部衬套131朝向所述装配间隙通道的结构设置有衬套导气通道，以连通所述装配间隙通道和所述集气通道15。
具体的，参照图1和图7，所述喷淋部包括喷淋上板144和吹扫环结构145，所述主腔体11顶部设置有盖板111，所述主腔体11、所述盖板111、所述吹扫环结构145和所述喷淋上板144顺次堆叠设置。所述喷淋上板144和所述吹扫环结构145之间沿轴向方向的间隙、所述盖板111和所述顶部衬套131之间沿轴向方向的间隙71以及所述主腔体11和所述顶部衬套131之间沿轴向方向的间隙72由装配过程形成且相互连通，形成所述装配间隙通道。
一些实施例中，所述吹扫环结构145具有与所述装配间隙通道相通的空腔结构，适配对应的进气部，能够进一步向所述装配间隙通道内提供吹扫气流。
图8为本发明实施例的承载结构和晶圆的装配结构示意图。图9为本发明实施例的导热结构和固定结构的装配示意图。
一些实施例中，参照图8，所述承载结构19包括导热结构191以及围设于所述导热结构191顶部的承托结构192，所述承托结构192用于承托晶圆81并确保所述晶圆81水平。
一些实施例中，所述承托结构192的热膨胀系数小于所述导热结构191的热膨胀系数，以确保晶圆能够快速受热的同时，所述承托结构192的热膨胀尽可能小，以在所述承托结构192的承托下保持水平。
一些具体的实施例中，所述承托结构192的组成材料为陶瓷。
一些具体的实施例中，所述导热结构191的组成材料为金属铝。
一些实施例中，参照图8和图9，所述半导体加工装置（图中未标示）还包括可拆卸固定连接所述导热结构191和所述承托结构192的固定结构91。具体的，所述导热结构191和所述承托结构192分别开设与所述固定结构91相适配的槽结构（图中未标示），所述固定结构91卡设于所述槽结构（图中未标示），以实现所述导热结构191和所述承托结构192的可拆卸固定连接。
一些实施例中，所述固定结构91的组成材料与所述导热结构191的组成材料相同。
一些实施例中，所述固定结构91的组成材料与所述承托结构192的组成材料相同。
一些实施例中，所述固定结构91与所述导热结构191和所述承托结构192中的任意一种面接触或线接触。
虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。

Claims (20)

1.一种半导体加工装置，其特征在于，包括：
主腔体，包括设置于内部且一端开口的内腔体；
传片腔体，设置于所述主腔体侧壁，并与所述内腔体相通，所述传片腔体沿传片方向的两端开口；
喷淋部，设置于所述内腔体的顶部，与所述内腔体围成工艺腔体；
所述传片腔体包括沿所述传片方向延伸并相对的传片顶板和传片底板，所述传片顶板靠近所述喷淋部，并开设有传片进气端口；
所述喷淋部包括喷淋孔板以及围设于所述喷淋孔板底面的喷淋导气部，所述喷淋孔板、所述内腔体和所述喷淋导气部围成围设于所述工艺腔体外侧壁的集气通道；
所述喷淋导气部侧壁设置有喷淋导气通道，所述工艺腔体和所述集气通道通过所述喷淋导气通道相通；
抽气通道，设置于所述主腔体，并与所述集气通道相通；
抽气部，设置于所述主腔体外，并与所述抽气通道连通。
2.根据权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括传片进气部，所述传片进气部的进气端与所述传片进气端口相对设置，以向所述传片腔体内引入吹扫气体。
3.根据权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括传片进气部，所述传片腔体的外壁绕轴线方向设有传片导气结构，所述传片导气结构与所述传片进气端口交汇，并与所述主腔体围成传片导气通道，所述传片进气部的进气端与所述传片导气通道相通。
4.根据权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括传片进气部，所述主腔体包括与所述传片腔体外壁对应贴合的腔体内壁，所述腔体内壁设置有主腔导气结构，所述主腔导气结构与所述传片腔体的外壁围成传片导气通道，所述传片进气部的进气端与所述传片导气通道相通。
5.根据权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，所述内腔体包括靠近所述喷淋部的顶部衬套和远离所述喷淋部的底部衬套，所述顶部衬套和所述喷淋部围成所述集气通道，所述喷淋部、所述顶部衬套以及所述底部衬套围成所述工艺腔体。
6.根据权利要求5所述的半导体加工装置，其特征在于，所述喷淋孔板、所述顶部衬套和所述喷淋导气部围成所述集气通道。
7.根据权利要求6所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括活动设置于所述底部衬套内的承载结构以朝向或远离所述喷淋部运动，当所述承载结构朝向所述喷淋部运动至工艺位置，所述喷淋导气通道靠近所述喷淋部的一端低于所述承载结构的顶面。
8.根据权利要求6所述的半导体加工装置，其特征在于，所述导气通道还包括位于所述顶部衬套和所述底部衬套之间，且与所述抽气通道相通的侧部导气通道。
9.根据权利要求8所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括活动设置于所述内腔体的承载结构以朝向或远离所述喷淋部运动，当所述承载结构朝向所述喷淋部运动至工艺位置，所述侧部导气通道与所述承载结构的顶部外侧壁相对。
10.根据权利要求9所述的半导体加工装置，其特征在于，当所述侧部导气通道与所述承载结构的顶部外侧壁相对，所述顶部衬套的底部内侧壁和所述底部衬套的顶部内侧壁与所述承载结构的顶部外侧壁之间的间距均为0.5毫米-2.5毫米。
11.根据权利要求5所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括设置于所述主腔体底部，并与所述底部衬套内部相通的底部导气部。
12.根据权利要求11所述的半导体加工装置，其特征在于，所述底部导气部包括设置于所述主腔体底部并与外部相通的底部导气通道，以及设置于所述底部衬套内，并与所述底部导气通道相通的分气结构，以使气体在所述主腔体内外流通。
13.根据权利要求12所述的半导体加工装置，其特征在于，所述分气结构包括分气孔板，所述分气孔板与所述底部衬套围成分气腔，所述底部导气通道与所述分气腔相通。
14.根据权利要求13所述的半导体加工装置，其特征在于，所述分气孔板开设有若干分气孔，所述若干分气孔孔径和分布配置为确保所述分气孔板不同区域的进气流量相当。
15.根据权利要求14所述的半导体加工装置，其特征在于，所述若干分气孔具有均一的孔径，沿第一方向排布的若干分气孔中，任意相邻所述分气孔之间的间距为第一间距，若干所述第一间距沿所述第一方向减小，所述第一方向由所述底部导气通道沿气体的流通方向指向所述分气孔板的远端，所述分气孔板的远端为远离所述底部导气通道的一端。
16.根据权利要求14所述的半导体加工装置，其特征在于，所述若干分气孔的孔径各不相同且等间距排布，相邻所述分气孔中，靠近所述底部导气通道的分气孔的孔径小于远离所述底部导气通道的分气孔的孔径。
17.根据权利要求5所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括装配间隙通道，所述装配间隙通道位于所述内腔体内壁和所述顶部衬套外壁之间，所述顶部衬套朝向所述装配间隙通道的结构设置有衬套导气通道，以连通所述装配间隙通道和所述集气通道。
18.根据权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括活动设置于所述内腔体的承载结构，所述承载结构包括导热结构以及围设于所述导热结构顶部的承托结构，所述承托结构用于承托待处理晶圆，所述承托结构的热膨胀系数小于所述导热结构的热膨胀系数。
19.根据权利要求18所述的半导体加工装置，其特征在于，还包括可拆卸固定连接所述导热结构和所述承托结构的固定结构，所述固定结构的组成材料与所述导热结构和所述承托结构中的任意一种的组成材料相同。
20.根据权利要求19所述的半导体加工装置，其特征在于，所述固定结构与所述导热结构和所述承托结构中的任意一种面接触或线接触。
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