TWI791288B - 收集元件及半導體預清洗腔室 - Google Patents
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Abstract
一種收集元件及半導體預清洗腔室，涉及半導體加工設備領域。該收集元件用於收集半導體預清洗腔室內的顆粒雜質，包括在半導體預清洗腔室內間隔設置的防護板和收集板，其中，防護板呈環狀，且在該防護板上設置有多個用於供半導體預清洗腔室內的製程氣體通過的第一通孔；收集板位於該第一通孔的出氣端一側，用以捕獲自第一通孔通過的至少部分半導體預清洗腔室內的顆粒雜質。本發明提供的收集元件可有效地對顆粒雜質進行收集，顆粒雜質的殘留少，不容易對半導體預清洗腔室的內壁面造成污染，預清洗後的晶圓遭受二次污染的風險也小。
Description
本發明涉及半導體加工設備的技術領域，具體而言，涉及一種收集元件及半導體預清洗腔室。
等離子體設備廣泛應用於半導體晶片製造、封裝、LED(Light Emitting Diode，發光二極體)及平板顯示等製程中。現有技術中應用的等離子體設備的放電類型有直流放電、電容耦合放電、電感耦合放電以及電子迴旋共振放電等，廣泛應用於物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)、等離子體刻蝕以及化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)等。
現有技術中，尤其是在晶圓完成積體電路(Integrated Circuit,IC)製造、TSV(Through Silicon Via，矽穿孔)以及Packaging(封裝)等的製程之後，通常需要對晶圓進行預清洗，然後再通過磁控濺射沉積鋁、銅等金屬薄膜，以形成金屬接觸或金屬互連線等。預清洗製程在半導體預清洗腔室(如預清洗腔室)內進行，將諸如Ar(氬氣)、He(氦氣)、H2(氫氣)等氣體激發為等離子體，以產生大量的電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等活性基團，這些活性基團與
晶圓表面發生各種化學反應和物理轟擊，從而將晶圓表面的雜質去除，以利於後續物理氣相沉積製程的有效進行，以及明顯提升所沉積膜的附著力；否則，晶圓表面的雜質會明顯提高電路的電阻，從而提高電路的熱損耗，進而降低晶片的性能。
但是，現有技術中的半導體預清洗腔室，對顆粒雜質的收集效果差，殘留的顆粒雜質容易造成半導體預清洗腔室的內壁面污染，被污染的半導體預清洗腔室給預清洗後的晶圓帶來二次污染的風險也比較高。
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種收集元件及半導體預清洗腔室，以解決現有技術中存在的半導體預清洗腔室，對顆粒雜質的收集效果差，殘留的顆粒雜質容易造成半導體預清洗腔室內壁面污染，給晶圓帶來二次污染的風險也比較高的技術問題。
本發明的第一個目的在於提供一種收集元件，用於收集半導體預清洗腔室內的顆粒雜質，包括在該半導體預清洗腔室內間隔設置的防護板和收集板，其中，該防護板呈環狀，且在該防護板上設置有多個用於供該半導體預清洗腔室內的製程氣體通過的第一通孔；該收集板位於該第一通孔的出氣端一側，用以捕獲自該第一通孔通過的至少部分該半導體預清洗腔室內的顆粒雜質。
進一步地，該收集板呈環狀，且與該防護板相對設置，並且該防護板上所有該第一通孔在水平面上的正投影均落在該收集板在該水平面上的正投影中。
進一步地，該收集板與該防護板相對的表面為平面，該平面與該防護板相互平行，或者相對於該防護板傾斜。
進一步地，該收集板與該防護板相對的表面具有凹陷結構。
進一步地，該凹陷結構包括沿該收集板的周向環繞設置的環狀凹槽。
進一步地，該環形凹槽的縱截面形狀包括矩形、弧形或者三角形。
進一步地，該收集板的外周緣處具有朝靠近該防護板的方向延伸設置的環形凸起，該環形凸起的靠近該防護板的一端與該防護板之間具有間隙。
進一步地，該收集板與該防護板相對的表面為經粗糙化處理的表面。
進一步地，該收集元件還包括距離調節結構，用以調節該收集板與該防護板之間的距離。
進一步地，該距離調節結構包括至少一個距離調節件，該至少一個距離調節件設置在該收集板與該防護板之間，且位於該防護板的內周緣或者外周緣處；通過設定該距離調節件的數量和/或厚度，來調節該收集板與該防護板之間的距離。
進一步地，該收集板上還設置有連接部，該連接部設置於該收集板的內周緣或者外周緣處，且在該連接部和該防護板上對應設置有多個螺紋孔，且沿該防護板的周向間隔分佈；該收集元件還包括多個緊固螺釘，各個該緊固螺釘一一對應地與各個該螺紋孔螺紋連接，用以將該連
接部和該防護板固定連接。
進一步地，該收集板為至少兩個，且沿遠離該防護板的方向間隔設置，並且在至少兩個該收集板中，除了距該防護板最遠的該收集板之外，其餘該收集板上均設置有多個第二通孔，且相鄰的兩個該收集板上的該第二通孔的軸線不重合，距該防護板最近的該收集板上的該第二通孔的軸線與該防護板上的該第一通孔的軸線均不重合。
本發明的第二個目的在於提供一種半導體預清洗腔室，包括腔體、設置在該腔體中的法拉第筒、用於承載晶圓的基座和本發明提供的上述收集元件，該收集元件中的該防護板套設在該基座上，且在該基座處於製程位置時，該防護板與該法拉第筒相配合，以將該腔體內的空間分隔形成成上子腔和下子腔。
本發明具有以下有益效果：
本發明提供的收集元件，其包括在半導體預清洗腔室內間隔設置的防護板和收集板，其中，該防護板呈環狀，以能夠套裝於半導體預清洗腔室內的基座周圍；並且，在該防護板上設置有多個第一通孔，用於供半導體預清洗腔室內的製程氣體通過，同時該第一通孔的孔壁能夠收集少量氣流攜帶的顆粒雜質；收集板位於該第一通孔的出氣端一側，用以捕獲自該第一通孔通過的至少部分半導體預清洗腔室內的顆粒雜質。由於該收集板與第一通孔的出氣方向相對，攜帶大量顆粒雜質的氣流會與收集板的表面碰撞，從而可以有效將顆粒雜質收集於收集板的表面，使得預清洗腔室內殘餘的顆粒雜質大大減少甚至無殘餘，進而不容易對半導體預清洗腔室的內壁面造成污染，降低了給晶圓帶來二次污染的風險。此外，本發明提供的收集元件當需要清洗時，可以將其拆卸下來進行清洗，可維護
性強。
本發明提供的半導體預清洗腔室，具有上述的收集元件的全部優點，故在此不再贅述。
100:防護板
110:第一通孔
120:中心通孔
210:收集板
211:環狀凹槽
212:環形凸起
213:螺紋孔
214:緊固螺釘
215:第二通孔
220:連接部
300:距離調節件
510:腔體
521:第一金屬環
522:第二金屬環
530:線圈
540:線圈遮罩盒
550:耦合窗
560:法拉第筒
570:蓋板
580:石英環
590:基座
610:上電極射頻電源
620:上電極匹配器
630:下電極射頻電源
640:下電極匹配器
700:真空泵
800:晶圓
當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了論述的清楚起見可任意增大或減小各種構件之尺寸。
圖1為本發明實施例提供的半導體預清洗腔室的結構示意圖；圖2為本發明實施例提供的收集元件形式之二的結構示意圖；圖3為本發明實施例提供的收集元件形式之三的結構示意圖；圖4為本發明實施例提供的收集元件形式之四的結構示意圖；圖5為本發明實施例提供的收集元件形式之五的結構示意圖；圖6為本發明實施例提供的收集元件形式之六的結構示意圖；圖7為本發明實施例提供的收集元件的收集板形式之二的側剖示意圖；圖8為本發明實施例提供的收集元件的收集板形式之三的側剖示意圖；圖9為本發明實施例提供的收集元件的收集板形式之四的側剖示意圖；圖10為本發明實施例提供的收集元件的防護板形式之一的仰視示意圖；圖11為本發明實施例提供的收集元件的防護板形式之二的仰視示意圖；
圖12為本發明實施例提供的收集元件的防護板形式之三的側剖示意圖；圖13為本發明實施例提供的收集元件的防護板形式之四的側剖示意圖。
以下揭露提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。
此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。
儘管陳述本揭露之寬泛範疇之數值範圍及參數係近似值，然儘可能精確地報告特定實例中陳述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由於見於各自測試量測中之標準偏差所致之某些誤差。再者，如本文中使用，術語「大約」通常意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或
0.5%內。替代地，術語「大約」意謂在由此項技術之一般技術者考量時處於平均值之一可接受標準誤差內。除在操作/工作實例中以外，或除非以其他方式明確指定，否則諸如針對本文中揭露之材料之數量、時間之持續時間、溫度、操作條件、數量之比率及其類似者之全部數值範圍、數量、值及百分比應被理解為在全部例項中由術語「大約」修飾。相應地，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中陳述之數值參數係可根據需要變化之近似值。至少，應至少鑑於所報告有效數位之數目且藉由應用普通捨入技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中揭露之全部範圍包含端點，除非另有指定。
本實施例提供一種半導體預清洗腔室，如圖1所示，該半導體預清洗腔室包括腔體510以及設置在腔體510內的法拉第筒560、用於承載晶圓800的基座590和收集元件，該收集元件套裝於基座590，且在基座590處於製程位置時，收集元件中的防護板100與法拉第筒560相配合，以將腔體510內的空間分隔形成上子腔和下子腔。
本實施例中，半導體預清洗腔室還可以包括第一金屬環521、第二金屬環522、線圈530、線圈遮罩盒540、耦合窗550、蓋板570、石英環580、上電極射頻電源610、上電極匹配器620、下電極射頻電源630、下電極匹配器640以及真空泵700等。需要說明的是，除收集元件外的上述結構及相應的工作原理等均為成熟的現有技術，本申請未對其進行任何改進，故在此不作贅述。
本申請提供的半導體預清洗腔室，進行製程時，將晶圓800置於基座590上，上電極射頻電源610通過上電極匹配器620將射頻功
率施加至線圈530上，射頻能量通過法拉第筒560耦合到上子腔內，從而將製程氣體(例如：氬氣)激發為等離子體，下電極射頻電源630的射頻功率通過下電極匹配器640將射頻功率施加在基座590上，使基座590產生射頻自偏壓，進而吸引等離子體對晶圓800進行物理轟擊，或者同時加以化學反應，從而將晶圓表面的雜質去除。製程產生的顆粒雜質則由防護板100上的第一通孔110進入下子腔，在此過程中，大量顆粒雜質被收集板210捕獲收集，而未被收集板210捕獲收集的剩餘顆粒雜質由真空泵700抽走收集。
下面詳細介紹本實施例提供的收集元件。
本實施例提供的收集元件，用於收集半導體預清洗腔室內的顆粒雜質，如圖1所示，該收集元件包括在半導體預清洗腔室內間隔設置的防護板100和收集板210，其中，防護板100呈環狀，具體地，防護板100設置有中心通孔120，防護板100通過中心通孔120套裝於基座590。並且，在防護板100上設置有多個第一通孔110，用於供半導體預清洗腔室內的製程氣體通過，即，製程氣體可以自上子腔經由各個第一通孔110進入下子腔。
本實施例中，如圖1所示，第一通孔110為橫截面形狀為圓形的直的貫通孔。但是，在本申請的其他實施例中，第一通孔110還可以為其他形式，如圖11所示，第一通孔110的橫截面形狀還可以為矩形；如圖12所示，第一通孔110還可以為折形孔；又如圖13所示，第一通孔110還可以為斜孔。
需要說明的是，不論第一通孔110的形狀如何，防護板100的第一通孔110的孔徑設置滿足等離子體不能通過的需求，從而能夠有效
避免等離子體進入防護板100下方的下子腔並造成下子腔打火。
本實施例中，如圖10所示，多個第一通孔110圍繞防護板100的中心通孔120排布三圈，每圈第一通孔110沿防護板100的圓周方向均勻分佈。如此設置能夠保證上子腔內的氣流及顆粒雜質能夠穩定有序地流入第一通孔110內。當然，在本申請的其他實施例中，對第一通孔110的圈數、每圈第一通孔110的個數以及是否均勻排布等，均可以不作限制。
收集板210位於第一通孔110的出氣端一側，即，與第一通孔110的出氣方向相對，用以捕獲自第一通孔110通過的至少部分半導體預清洗腔室內的顆粒雜質。由於收集板210與第一通孔110的出氣方向相對，攜帶大量顆粒雜質的氣流會與收集板210的表面碰撞，從而可以有效將顆粒雜質收集於收集板210的表面，使得預清洗腔室內殘餘的顆粒雜質大大減少甚至無殘餘，進而不容易對半導體預清洗腔室的內壁面造成污染，降低了給晶圓800帶來二次污染的風險。此外，本發明提供的收集元件當需要清洗時，可以將其拆卸下來進行清洗，可維護性強。
在一些可選的實施例中，收集板210與防護板100平行設置。當然，在實際應用中，收集板210與防護板100也可以呈夾角。
在一些可選的實施例中，收集板210呈環狀，且與防護板100相對設置，並且防護板100上所有第一通孔110在水平面上的正投影均落在收集板210在水平面上的正投影中。這樣，可以保證自所有的第一通孔110流出的氣體均能夠與收集板210的表面碰撞，從而可以進一步提高顆粒雜質的收集效果。
在本實施例中，如圖1所示，收集板210和防護板100的外
徑相等，即兩者在水平面上的正投影輪廓重合。但是，在本申請的其他實施例中，收集板210和防護板100在水平面上的正投影輪廓也可以不重合，例如，如圖2所示，收集板210的外徑大於防護板100的外徑，即，收集板210在水平面上的正投影輪廓在防護板100的正投影輪廓之外，又如，如圖3所示，收集板210的外徑小於防護板100的外徑，即，收集板210在水平面上的正投影輪廓在防護板100的正投影輪廓之內。不論防護板100和收集板210兩者在水平面上的正投影如何，只要防護板100上所有第一通孔110在水平面上的正投影均落在收集板210在水平面上的正投影中，以保證自所有的第一通孔110流出的氣體均能夠與收集板210的表面碰撞即可。
在本實施例中，如圖1所示，收集板210與防護板100相對的表面為平面，該平面與防護板100相互平行。如此設置能夠使得由第一通孔110輸送出的顆粒雜質能夠與收集板210的表面可靠碰撞，從而便於收集顆粒雜質。當然，在實際應用中，該平面也可以相對於防護板100傾斜。
但是，在本申請的其他實施例中，收集板210與防護板100相對的表面不限於平面，還可以具有凹陷結構。該凹陷結構的設置有利於顆粒雜質在防護板100和收集板210彼此相對的表面之間反彈碰撞，從而有利於提高顆粒雜質的收集率。具體地，如圖7所示，凹陷結構包括沿收集板210的周向環繞設置的環狀凹槽211，該環狀凹槽211的縱截面形狀包括矩形、弧形或者三角形等等，例如，圖7中示出的環狀凹槽211，其縱截面形狀為矩形。圖8中示出的環狀凹槽211，其縱截面形狀為弧形。圖9中示出的環狀凹槽211，其縱截面形狀為三角形。此外，環狀凹槽211的
縱截面形狀還可以為階梯形(未示出)等。
在一些可選的實施例中，如圖8所示，收集板210的外周緣處具有朝靠近防護板100方向延伸設置的環形凸起212，該環形凸起212的靠近防護板100的一端與防護板100之間具有間隙。如此設置有利於顆粒雜質在收集板210與防護板100之間反彈，進而有利於捕獲收集顆粒雜質，提高收集率。
在一些可選的實施例中，收集元件還包括距離調節結構，用以調節收集板210與防護板100之間的距離。通過調整兩者之間的距離，可以調節兩者之間的流導，即兩者之間通過氣體的能力，進而能夠調節半導體預清洗腔室的進氣量以及進氣速度。具體地，收集板210與防護板100之間的距離越小，進氣速度越低，收集率越高；反之，收集板210與防護板100之間的距離越大，進氣速度越高，收集率越低。基於此，對晶圓800表面的顆粒雜質殘餘要求比較高時，可以適當減小收集板210與防護板100之間的距離，降低進氣速度，從而提高收集率；而當對晶圓800表面的顆粒雜質殘餘要求比較低，或者對進氣速度有一定要求時，可以適當增大收集板210與防護板100之間的距離，以提高進氣速度。
在一些可選的實施例中，收集板210與防護板100之間的距離為大於等於3mm，且小於等於20mm。
此外，借助上述距離調節結構調節收集板210與防護板100之間的距離，可以適用於不同的製程過程，使得半導體預清洗腔室能夠集成多種加工設備的功能，從而能夠降低設備成本。
上述距離調節結構可以有多種結構，例如，如圖1至圖4所示，上述距離調節結構可以包括至少一個距離調節件300，至少一個距離
調節件300設置在收集板210與防護板100之間，且位於防護板100的內周緣或者外周緣處；通過設定距離調節件300的數量和/或厚度，來調節收集板210與防護板100之間的距離。距離調節件300例如為墊圈，可選的，該墊圈的內徑與上述中心通孔120的直徑相同。
收集板210與防護板100相對的表面為經粗糙化處理的表面。例如，收集板210與防護板100相對的表面可以為經過噴砂或熔射等處理的表面。如此設置有利於收集板210的表面捕獲並貯存顆粒雜質，從而進一步提高收集效果。
本實施例中，如圖1所示，收集板210為一個。
但是，在本申請的其他實施例中，如圖5和圖6所示，收集板210的數量不限於一個，收集板210還可以為至少兩個，且沿遠離防護板100的方向間隔設置，並且在至少兩個收集板210中，除了距防護板100最遠的收集板210之外，其餘收集板210上均設置有多個第二通孔215，且相鄰的兩個收集板210上的第二通孔215的軸線不重合，並且距防護板100最近的收集板210上的第二通孔215的軸線與防護板100上的第一通孔110的軸線均不重合。
通過設置多個收集板210，可以對顆粒雜質進行層層過濾收集，從而可以進一步提高對顆粒雜質的收集率。同時，通過使距防護板100最近的收集板210上的第二通孔215的軸線與防護板100上的第一通孔110的軸線均不重合，可以有效避免第一通孔110輸送出的顆粒雜質直接從距防護板100最近的收集板210的第二通孔215向下輸送，從而可以增加顆粒雜質與該收集板210的表面碰撞的概率，有利於提高顆粒雜質的收集率；而通過使相鄰的兩個收集板210上的第二通孔215軸線不重合，可以
有效避免收集板210輸送出的顆粒雜質直接從其下層相鄰的收集板210的第二通孔215向下輸送，增加了顆粒雜質與下層收集板210的表面碰撞的概率，從而有利於下層收集板210捕獲顆粒雜質，有效提高下層收集板210的利用率，而各層收集板210的利用率提高有利於提高所有收集板作為一個整體對顆粒雜質的收集率。
在本申請的其他實施例中，如圖5和圖6所示，當收集板210為至少兩個時，相鄰兩個收集板210之間也可以設置有距離調節件300，用以調節相鄰兩個收集板210之間的距離。
在一些可選的實施例中，如圖2和圖3所示，收集板210上還設置有連接部220，該連接部220設置於收集板210的內周緣處，具體地，如圖2和圖3所示，連接部220為環體，該環體的外徑小於收集板210和防護板100的外徑，該環體的內徑與中心通孔120的直徑相同，且環體與中心通孔120同軸設置。在這種情況下，收集板210的位於連接部220外側的部分與防護板100之間具有間隙，用以進行製程時，供氣流流出。
並且，在連接部220、距離調節件300和防護板100上對應設置有多個螺紋孔213，且沿防護板100的周向間隔分佈。如圖1所示，收集元件還包括多個緊固螺釘214，各個緊固螺釘214一一對應地與各個螺紋孔213螺紋連接，用以將連接部220、距離調節件300和防護板100固定連接。
在另外一些可選的實施例中，如圖4所示，連接部220還可以設置於收集板210的外周緣處，具體地，連接部220為環體，該環體的外徑等於防護板100的外徑，該環體的內徑大於中心通孔120的直徑，且環體與中心通孔120同軸設置。在這種情況下，收集板210的位於連接部
220內側的部分與防護板100之間具有間隙，用以進行製程時供氣流流出，然後氣流可以通過收集板210的中心孔流出。
在本申請的其他實施例中，如圖5和圖6所示，當收集板210的數量為至少兩個時，每個收集板210均設置有連接部220，其中，距離防護板100最近的收集板210為第一收集板，其餘收集板210為第二收集板；第一收集板上的連接部220設置於第一收集板與防護板100之間；第二收集板上的連接部220設置於相鄰兩個第二收集板之間。
可選的，至少兩個收集板210上的連接部220可以均設置於收集板210的內周緣或外周緣處，或者也可以一部分收集板210上的連接部220設置於收集板210的內周緣處，另一部分收集板210上的連接部220設置於收集板210的外周緣處。例如，如圖5和圖6所示，距離防護板100最近的收集板210的第一收集板，其連接部220設置於收集板210的外周緣處，其可以阻擋氣流從防護板100與第一收集板之間通過，使氣流能夠通過各個第二通孔215流出；第二收集板上的連接部220設置於收集板210的內周緣處。而且，上述第一收集板上的連接部220中可以不設置螺紋孔，而是在第一收集板的與第二收集板上的連接部220中的螺紋孔213相對應的位置處設置螺紋孔，以能夠通過緊固螺釘314實現第一收集板與第二收集板的固定連接。
前述內容概括數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文仲介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應瞭解，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神
及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。
100:防護板
110:第一通孔
210:收集板
214:緊固螺釘
300:距離調節件
510:腔體
521:第一金屬環
522:第二金屬環
530:線圈
540:線圈遮罩盒
550:耦合窗
560:法拉第筒
570:蓋板
580:石英環
590:基座
610:上電極射頻電源
620:上電極匹配器
630:下電極射頻電源
640:下電極匹配器
700:真空泵
800:晶圓
Claims (13)
- 一種收集元件，用於收集一半導體預清洗腔室內的顆粒雜質，包括在該半導體預清洗腔室內間隔設置的一防護板和一收集板，其中，該防護板呈環狀，且在該防護板上設置有多個用於供該半導體預清洗腔室內的製程氣體通過的一第一通孔；該收集板呈環狀，該收集板位於該第一通孔的一出氣端一側，用以捕獲自該第一通孔通過的至少部分該半導體預清洗腔室內的顆粒雜質。
- 如請求項1所述的收集元件，其中該收集板與該防護板相對設置，並且該防護板上所有該第一通孔在水平面上的正投影均落在該收集板在該水平面上的正投影中。
- 如請求項2所述的收集元件，其中該收集板與該防護板相對的表面為平面，該平面與該防護板相互平行，或者相對於該防護板傾斜。
- 如請求項2所述的收集元件，其中該收集板與該防護板相對的表面具有一凹陷結構。
- 如請求項4所述的收集元件，其中該凹陷結構包括沿該收集板的周向環繞設置的一環狀凹槽。
- 如請求項5所述的收集元件，其中該環狀凹槽的縱截面形狀包括矩 形、弧形或者三角形。
- 如請求項1-6任意一項所述的收集元件，其中該收集板的外周緣處具有朝靠近該防護板的方向延伸設置的一環形凸起，該環形凸起的靠近該防護板的一端與該防護板之間具有間隙。
- 如請求項1-6任一項所述的收集元件，其中該收集板與該防護板相對的表面為經粗糙化處理的表面。
- 如請求項1-6任一項所述的收集元件，其中該收集元件還包括一距離調節結構，用以調節該收集板與該防護板之間的距離。
- 如請求項9所述的收集元件，其中該距離調節結構包括至少一個距離調節件，該至少一個距離調節件設置在該收集板與該防護板之間，且位於該防護板的內周緣或者外周緣處；通過設定該距離調節件的數量和/或厚度，來調節該收集板與該防護板之間的距離。
- 如請求項1-6任一項所述的收集元件，其中該收集板上還設置有一連接部，該連接部設置於該收集板的內周緣或者外周緣處，且在該連接部和該防護板上對應設置有多個螺紋孔，且沿該防護板的周向間隔分佈；該收集元件還包括多個緊固螺釘，各個該緊固螺釘一一對應地與各個該螺紋孔螺紋連接，用以將該連接部和該防護板固定連接。
- 如請求項1-6任一項所述的收集元件，其中該收集板為至少兩個，且沿遠離該防護板的方向間隔設置，並且在至少兩個該收集板中，除了距該防護板最遠的該收集板之外，其餘該收集板上均設置有多個第二通孔，且相鄰的兩個該收集板上的該第二通孔的軸線不重合，距該防護板最近的該收集板上的該第二通孔的軸線與該防護板上的該第一通孔的軸線均不重合。
- 一種半導體預清洗腔室，其中包括一腔體、設置在該腔體中的一法拉第筒、用於承載晶圓的一基座和請求項1-12任一項所述的收集元件，該收集元件中的該防護板套設在該基座上，且在該基座處於製程位置時，該防護板與該法拉第筒相配合，以將該腔體內的空間分隔形成成上子腔和下子腔。
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