TW200947125A - Photosensitive composition, photosensitive film, photosensitive laminate, method of forming permanent pattern, and printed board - Google Patents

Photosensitive composition, photosensitive film, photosensitive laminate, method of forming permanent pattern, and printed board Download PDF

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TW200947125A
TW200947125A TW98107609A TW98107609A TW200947125A TW 200947125 A TW200947125 A TW 200947125A TW 98107609 A TW98107609 A TW 98107609A TW 98107609 A TW98107609 A TW 98107609A TW 200947125 A TW200947125 A TW 200947125A
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Taiwan
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photosensitive
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photosensitive composition
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TW98107609A
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Kimi Ikeda
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Fujifilm Corp
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200947125 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種作爲藉由雷射曝光來進行畫像形 成的阻焊劑(solder resist)材料之適合的感光性組成物、感 光性薄膜、感光性積層體、永久圖案形成方法、及印刷基 板。 【先前技術】 φ 先前,在形成阻焊劑等永久圖案時,係使用在支撐體 塗布感光性組成物並乾燥,來形成感光層而成之感光性薄 膜。此種永久圖案的形成方法係藉由在例如形成有永久圖 ' 案之覆銅積層板等的基體上,使感光性薄膜層積來形成積 層體,並對該積層體之感光層進行曝光,且在該曝光後, 將感光層顯像而使其形成圖案,隨後進行硬化處理等來形 成永久圖案。 先前,在前述阻焊劑形成用的感光性組成物,係使用 〇 二新戊四鼠六丙烯酸酯(以下,簡稱「DPAH」)作爲聚合性 化合物(參照特開平5-9244號公報)。. 又,關於以含有多官能性單體作爲特徵之DFR,係記 載於市售作爲光聚合引發劑之肟化合物(參照特開 2006-220865 號公報)。 又’爲了提高進行數位影像(DI)曝光時之生產性,有 提案揭示一種硬化性樹脂組成物(參照特開2005-182004號 公報),該硬化性樹脂組成物係藉由以醯基肟化合物作爲光 聚合引發劑,及以在分子中含有硫原子之二苯甲酮化合物 200947125 作爲必要成分,並使用聚合性化合物與含有2個以上的環 氧基之環氧化合物,而適合於在405奈米雷射的圖案形成 性、膜硬化性的硬化性樹脂組成物。 又,有提案揭示一種感光性組成物(參照特開 2007-206609號公報)作爲一種能夠效率良好地形成敏感 度、解像性、無電解鍍金耐性及保存安定性優良且高精細 的永久圖案之感光性組成物,該感光性組成物中的黏合劑 ^ 係在側鏈具有可含有雜環的芳香族基及乙烯性不飽和鍵之 〇 高分子化合物。 而且,有提案揭示一種圖案形成材料(參照特開 , 2007-79474號公報)作爲一種能夠得到高敏感度、解像性優 良且高精細的圖案之形成材料,該圖案之形成材料中的黏 合劑的I/O値爲0.5〜0.8。 又,有提案揭示一種熱硬化性被覆組成物(參照特許 3 1 3 403 7號公報),其係使用特定的三聚氰胺有機酸鹽,作 φ 爲一種具有防鏽性、特別是調配於液狀阻焊劑時,能夠發 揮提升與印刷配線板的銅箔之黏附性或無電解鑛金耐性, 而且能夠提升保存安定性(耐儲時間(shelf life)、適用期間 (pot life))等優良的效果,近年來的阻焊劑被要求的無電解 鍍金耐性、黏附性、焊錫耐熱性、耐藥品性、電絕緣性、 耐電鈾性等各種特性優良,作爲熱硬化時之銅變色少的阻 焊劑係有用的,該熱硬化性被覆組成物係含有使含羧基的 樹脂溶解於有機溶劑成的清漆、在1分子中具有至少2個 環氧基之環氧化合物及三聚氰胺有機酸鹽而構成。 -4 - 200947125 而且有提案揭示一種新穎的肟化合物(參照特開 200 7-2 3 1 000號公報),能夠藉由將其添加在聚合性組成物 中,保存時不會產生聚合而保存安定性優良,藉由照射能 量線、特別是照射光線,會產生活性自由基而有效率地開 始聚合,並且該聚合性化合物能夠在短時間有效率地聚合。 但是在前述專利文獻1〜7,並未揭示或暗示藉由絕緣 信賴性的加速評價亦即高速加速耐用期限試驗( = HAST試 驗)能夠得到良好的結果,而且,在未揭示或暗示於hast 試驗能夠得到良好的結果之同時,亦未揭示或暗示在數位 影像(DI)曝光能夠得到充分的敏感度、能夠得到活性保存 性優良的感光性組成物,因此,現狀係希望能夠更加改良 及進一步開發。 【發明內容】 本發明係鑒於現狀而進行,係以解決先前之前述各種 問題來達成以下的目的作爲課題。亦即,本發明之目的係 提供一種能夠提升絕緣信賴性及鍍敷耐性之感光性組成 物、感光性薄膜、感光性積層體、永久圖案形成方法、及 印刷基板。 [解決課題之手段] 解決前述課題的手段如下’亦即 <ι>—種感光性組成物,其特徵係含有黏合劑、聚合性化合 物、熱交聯劑、塡料及光聚合引發劑而構成,其中黏合劑、 聚合性化合物及熱交聯劑的混合物的I/O値之重量平均爲 0.7 0以下。 200947125 <2>如前述<1>之感光性組成物’其中黏合劑的I/O値之重 量平均爲0.65以上。 <3 >如前述<2>之感光性組成物’其中黏合劑的I/O値之重 量平均爲0.75以上。 <4>如前述<1>至<3>項中任一項之感光性組成物,其中黏 合劑係在側鏈含有酸性基及乙烯性不飽和鍵之高分子化合 物。 <5>如前述<4>之感光性組成物,其中黏合劑係在側鏈含有 ❹ 亦可以含有雜環的芳香族基之高分子化合物。 <6>如前述<1>至<5>項中任一項之感光性組成物,其中聚 合性化合物係相對於感光性組成物固體成分中的固體成分 含量爲含有1 0質量%以上而構成。 <7>如前述<1>至<6>項中任一項之感光性組成物,其中光 聚合引發劑係肟衍生物。 <8>如前述<1>至<7>項中任一項之感光性組成物,其中熱 ❿ 交聯劑係選自環氧基化合物、氧雜環丁烷化合物、聚異氰 酸酯化合物、使封端劑對聚異氰酸酯化合物反應而得到的 化合物及三聚氰胺衍生物之至少1種。 <9>—種感光性薄膜,其特徵係在支撐體上具有由前述<1> 至<8>項中任一項之感光性組成物所構成的感光層而構成。 <10>—種感光性積層體,其特徵係在基體上具有由前述<1> 至<8>項中任一項之感光性組成物所構成的感光層。 <11 >—種永久圖案形成方法,其特徵係至少包含對使用由 前述<1>至<8>項中任一項之感光性組成物所形成的感光層 200947125 進行曝光。 <12>如前述<11>之永久圖案形成方法,其中曝 調變手段(light modultaing mean)使光線調變後 具有非球面的微透鏡而成之微透鏡陣列來進行 能夠修正因該光調變手段的描素部的射出面之 的偏差。 <13>如前述<1 1>之永久圖案形成方法,其中進 進行感光層的顯像。 ❹ <14>如前述<13>之永久圖案形成方法,其中進 進行感光層的硬化處理。 <15>—種印刷基板,其特徵係藉由至少含有對 <11>至<14>項中任一項之感光性組成物所形成 行曝光之永久圖案形成方法來形成永久圖案。 [發明之效果] 依照本發明,能夠解決先前之問題,能夠 φ 夠提升高絕緣信賴性及鍍敷耐性之感光性組成 薄膜、感光性積層體、永久圖案形成方法及印 【實施方式】 (感光性組成物) 在本發明,感光性組成物係含有黏合劑、 物、熱交聯劑、塡料、光聚合引發劑而構成, 照必要含有其他成分。 又,前述感光性組成物只要是黏合劑、聚 及熱交聯劑的混合物之I/O値之重量平均爲0. 光係藉由光 ,通過配列 ,該非球面 變形所引起 行曝光後, 行顯像後, 使用由前述 的感光層進 提供一種能 物、感光性 刷基板。 聚合性化合 而且進而按 合性化合物 70以下,沒 200947125 有特別限制,能夠按照目的適當地選擇,前述混合物之I/O 値之重量平均以0.64以下爲佳,以0.61以下爲更佳。 在此,藉由使黏合劑、聚合性化合物及熱交聯劑之各 自的I/O値之重量平均爲降低,或是使I/O値之重量平均較 低的物質之比率增加,能夠使黏合劑、聚合性化合物及熱 交聯劑的混合物之I/O値之重量平均爲0.70以下。 又,前述I/O値係將亦被稱爲(無機性値)/(有機性値) 之各種有機化合物的極性,有機槪念地處理而成之値,係 〇 對各官能基設定參數之官能基貢獻法之一種。詳細地,前 述I/O値在有機槪念圖(甲田善生著,三共出版(198 4)); KUMAMOTO PHARMACEUTICAL BULLETIN(醫藥學報), 第1期,第1〜16項(1954年);化學領域,第11卷,第 10 期,第 719 〜725 項(1957 年);FRAG RACE JOURNAL(芳 香期刊),第34期,第97〜111項(1979年);FRA GRACE JOURNAL(芳香期刊),第50期,第79〜82項(1981年)等 〇 的文獻有詳細的說明。 前述I/O値的槪念係將化合物的性質區分爲表示共價 鍵性之有機性基及表示離子鍵之無機性基,並將全部的有 機化合物,定位於取名爲有機軸及無機軸的直行座標上各 一點來表不者。 前述無機性値係將有機化合物所具有的各種取代基或 鍵等對沸點的影響力之大小,以羥基作爲基準而數値化而 成者。具體上,由在碳數5附近取得直鏈醇的沸點曲線與 直鏈石蠟的沸點曲線的距離時爲約100 °C,所以將1個羥 200947125 基的影響力以數値規定爲100,基於該數値,將各種取代 基或各種鍵等對沸點的影響力數値化而成之値係有機化合 物所具有的取代基之無機性値。例如,-COOH基的無機性 値爲150,雙鍵的無機性値爲2。因此,某種有機化合物之 無機性値係意味著該化合物所具有的各種取代基或鍵等的 無機性値之總和。 前述有機性値係指以分子內的亞甲基作爲單位,並將 代表該亞甲基之碳原子對沸點的影響力作爲基準而規定的 値。亦即,因爲直鏈飽和烴化合物在碳數5〜10附近增加 1個碳原子之沸點上升的平均値20°C,以此作爲基準,將 1個碳原子的有機性値規定爲20,並以此作爲基準,且將 各種取代基或鍵等對沸點之影響力數値化而成之値爲有機 性値。例如,硝基(·Ν02)有機性値爲70。 前述I/O値越接近0越表示非極性(疏水性、有機性大) 的有機化合物。越大時越表示極性(親水性、無機性大)的 φ 有機化合物。 又,黏合劑、聚合性化合物及熱交聯劑的混合物的I/O 値之重量平均係例如以a重量%黏合劑、b重量%聚合性化 合物、c重量%熱交聯劑的比率混合聚合性化合物而使用時 (a + b + c=100) « I/O値的重量平均=(黏合劑的I/O値xa/100 + 聚合性化合物的I/O値xb/100 +熱交聯劑的I/O値xc/100)來 計算。 又,黏合劑的I/O値的重量平均係例如將黏合劑A以 a重量%、黏合劑B以b重量%之比率混合黏合劑而使用時 200947125 (a + b = 100),黏合劑的I/O値的重量平均=(A的I/O値χ a/100 + B 的 I/O 値 xb/100)來計算。 又,聚合性化合物的I/O値的重量平均係例如將聚合 性化合物A以a重量%、聚合性化合物B以b重量%之比率 混合聚合性化合物而使用時(a + b=100),聚合性化合物的 I/O値的重量平均=(A的I/O値xa/100 + B的I/O値xb/100) 來計算。 又,熱交聯劑的I/O値的重量平均係例如將熱交聯劑A 以a重量%、熱交聯劑B以b重量%之比率混合熱交聯劑而 使用時(a + b=100),熱交聯劑的I/O値的重量平均=(A的I/O 値 xa/100 + B 的 I/O 値 xb/100)來計算。 以下,說明前述I/O値的計算方法之一個例子。 新戊四醇四丙烯酸酯的I/O値係依照以下的方法計 算,並藉由計算下式(無機性値)/(有機性値)來求得無機性 値及有機性値。 3 因爲新戊四醇四丙烯酸酯係具有17個碳原子,新戊四 醇四丙烯酸酯的有機性値係20(碳原子的有機性値)X17(碳 原子數)= 340計算來求得。 新戊四醇四丙烯酸酯的無機性値係因爲新戊四醇四丙 烯酸酯具有4個羧基、4個雙鍵,所以新戊四醇四丙烯酸 酯的無機性値係60(酯基的無機性値)x4(酯基的個數)+ 2(雙 鍵的無機性値)x4(雙鍵的個數)= 2 48。 藉此,得知新戊四醇四丙烯酸酯的I/O値爲248(前述 共聚物的無機性値)/340(前述共聚物的有機性値)= 0.729。 -10- 200947125 (黏合劑) 前述黏合劑可適合使用在側鏈含有酸性基及乙烯性不 飽和鍵之高分子化合物、環氧丙烯酸酯化合物等,該等之 中,以使用在側鏈含有酸性基及乙烯性不飽和鍵之高分子 化合物爲特佳。 又,前述黏合劑的I/O値之重量平均爲以0.65以上爲 佳,以0.75以上爲更佳。前述黏合劑的I/O値之重量平均 小於0.65時,會有無法維持顯像性之情形。 調整前述黏合劑的I/O値之重量平均之方法,能夠藉 由適當地選擇構成共聚物之單體的種類及將該單體聚合時 的聚合比(含量)之至少一者,來調整在規定範圍。 -在側鏈含有酸性基及乙烯性不飽和鍵之高分子化合物- 前述酸性基可舉出羧基、磷酸基、磺酸基等,就原料 容易取得而言,以羧基爲佳。 又,前述黏合劑能夠使用在分子內至少1個能夠聚合 Q 之雙鍵,例如(甲基)丙烯酸酯基或(甲基)丙烯醯胺基等的丙 烯基、羧酸的乙烯酯、乙烯醚、芳基醚等的各種聚合性雙 鍵。更具體地,酸性基可舉出在含有羧基之丙烯酸樹脂, 加成含環狀醚基的聚合性化合物,例如丙烯酸環氧丙酯、 甲基丙烯酸環氧丙酯、桂皮酸等不飽和脂肪酸的環氧丙 酯、或具有脂環族環氧基(例如,在同一分子中,氧化環己 烯等的環氧基)及(甲基)丙烯醯基之化合物等含環氧基的聚 合性化合物而得到的化合物等。又,亦可舉出在含有酸性 基及羥基之丙烯酸樹脂,加成異氰酸(甲基)丙烯酸乙酯等 -11- 200947125 含有異氛酸酯基的聚合性化合物而得到的化合物、在含有 酐基之丙烯酸樹脂,加成含有(甲基)丙烯酸羥基烷酯等含 有羥基之聚合性化合物而得到的化合物等。又,亦可舉出 將甲基丙烯酸環氧丙酯等含環狀醚的聚合性化合物與(甲 基)丙烯醯烷酯等乙烯系單體共聚合,來使(甲基)丙烯酸加 成在側鏈的環氧基而得到的化合物等。 該等可舉出例如特許 2763775號公報、特開平 3-172301號公報、特開2000-232264號公報等。 〇 該等之中’前述黏合劑以選自使含環狀醚基(例如在部 分結構具有環氧基、氧雜環丁烷基之基)的聚合性化合物加 成在高分子化合物的酸性基之一部分而成者,及使含羧基 的聚合性化合物加成在高分子化合物的環狀醚基的一部分 或全部而成者的任一者之高分子化合物爲更佳。此時,酸 性基與具有環狀醚基之化合物之加成反應係以在觸媒存在 下實施爲佳,特別是該觸媒以選自酸性化合物及中性化合 〇 物者爲佳。 其中,就感光性組成物的經時之顯像安定性而言,黏 合劑以在側鏈含有羧基及在側鍵具有可含有雜環之芳香族 基及乙烯性不飽和鍵之高分子化合物爲佳。 • •可含有雜環之芳香族基\ - 可含有雜環之芳香族基(以下’亦簡稱爲「芳香族 基」),可舉出例如苯環、2個至3個苯環形成稠環而成者, 苯環與5員不飽和環形成稠環而成者等。 前述芳香族基的具體例可舉出苯基、萘基、蒽基、菲 -12- 200947125 基、茚基、苊基、莽基、苯并吡咯環基、苯并呋喃環基、 苯并噻吩環基、吡唑(pyr azole)環基、異噚唑環基、異噻唑 環基、吲唑環基、苯并異噚唑環基、苯并異噻唑環基、咪 唑環基、噚唑環基、噻唑環基、苯并咪唑環基、苯并曙唑 環基、苯并噻唑環基、噻唑環基、吡啶環基、喹啉環基、 異喹啉環基、嗒阱環基、嘧啶環基、吡啶環基、酞阱環基、 唾唑啉環基、喹噚啉環基、吖環丙烷環基、菲啶環基、咔 唑環基、嘌呤環基、吡喃環基、哌啶環基、哌阱環基、吲 噪環基、Π引哄哄環基、色儲(chromene)環基、碎咐環基、 吖啶環基、啡噻阱環基、四唑環基、三阱環基等。該等之 中,以烴芳香族基爲佳,以苯基、萘基爲更佳。 前述芳香族基亦可具有取代基,前述取代基可舉出例 如鹵素原子、亦可具有取代基之胺基、烷氧基羰基、羥基、 醚基、硫醇基、硫醚基、矽烷基、硝基、氰基、各自亦可 具有取代基之烷基、烯基、炔基、芳基、雜環基等。 前述烷基可舉出例如碳原子數1〜20之直鏈狀的烷 基、分枝狀的烷基及環狀的烷基等。 前述烷基的具體例可舉出甲基、乙基、丙基、丁基、 戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十—基、十二基、 十三基、十六基、十八基、二十基、異丙基、異丁基、第 二丁基、第三丁基' 異戊基 '新戊基、1-甲基丁基、異己 基、2-乙基己基、2-甲基己基、環己基、環戊基、2-降萡基 等。此等之中,以碳原子數1至之直鏈狀的烷基、碳原 子數3至12之分枝狀的烷基、和碳原子數5至10之環狀 -13- 200947125 的院基爲佳。 前述烷基所亦可具有之取代基,可舉出例如除了氫以 外之1價的非金屬原子團所構成之基,此種取代基可舉出 例如鹵素原子(-F、-Br、-C1、-1)、羥基、烷氧基、芳氧基、 氫硫基、烷硫基、芳硫基、烷二硫基、芳二硫基、胺基、 N-烷胺基、Ν,Ν-二烷胺基、N-芳胺基、N,N-二芳胺基、N-烷基-N-芳胺基、醯氧基、胺甲醯氧基、N-烷基胺甲醯氧基、 ▲ N-芳基胺甲醯氧基、Ν,Ν-二烷基胺甲醯氧基、N,N-二芳基 〇 胺甲醯氧基、N-烷基-N-芳基胺甲醯氧基、烷基硫氧(alkyl sulfoxy)基、芳基硫氧(aryl sulfoxy)基、醯硫(acylthio)基、 醯胺基、N-烷基醯胺基、N-芳基醯胺基、脲基、Ν’-烷脲基、 Ν’,Ν’-二烷脲基、Ν’-芳脲基、Ν’,Ν’-二芳脲基、Ν’-烷基-Ν’-芳脲基、Ν-烷脲基、Ν-芳脲基、Ν’-烷基-Ν-烷脲基、Ν’-烷 基-Ν-芳脲基、Ν’,Ν’-二烷基-Ν-烷脲基、Ν’,Ν,-二烷基-Ν-芳脲基、Ν’-芳基-Ν-烷脲基、Ν’-芳基-Ν-芳脲基、Ν’,Ν’- 〇 二芳基·Ν-烷脲基、Ν’,Ν’-二芳基-Ν-芳脲基、Ν,-烷基-Ν-芳基-Ν-烷脲基、Ν’-烷基-Ν’-芳基-Ν-芳脲基、烷氧基羰基 胺基、芳氧基羰基胺基、Ν-烷基-Ν-烷氧基羰基胺基、Ν-烷基-Ν-芳氧基羰基胺基、Ν_芳基-Ν-烷氧基羰基胺基、Ν-芳基-Ν-芳氧基羰基胺基、甲醯基、醯基、羧基、烷氧基羰 基、芳氧基羰基、胺甲醯基、Ν-烷基胺甲醯基、Ν,Ν-二烷 基胺甲醯基、Ν -芳基胺甲醯基、Ν,Ν -二芳基胺甲醯基、Ν-烷基-Ν·芳基胺甲醯基、烷基亞磺酸基、芳基亞磺酸基、烷 基磺醯基、芳基磺醯基、磺酸基(-S03H)及其共軛鹼基(稱 -14- 200947125 爲磺酸根基(sulfonato))、烷氧基磺醯基、芳氧基磺醯基、 胺亞磺醯基、N-烷基胺亞磺醯基、N,N-二烷基胺亞磺醯基、 N-芳基胺亞磺酿基、N,N-二芳基胺亞磺醯基、N-烷基-N-芳基胺亞磺醯基、胺磺醯基、N-烷基胺磺醯基、N,N-二烷 基胺磺醯基、N-芳基胺磺醯基、N,N-二芳基胺磺醯基、N-烷基-N-芳基胺磺醯基、膦酸基(-P〇3H2)及其共輥鹼基(稱爲 膦酸根基(phosphonato))、二院基膦酸基(-P03(院基)2)(以 下,「alkyl」係意味著烷基)、二芳基膦酸基(-P〇3(芳基)2)(以 ❹ 下,I" aryl」係意味著芳基)、烷基芳基膦酸基(·Ρ〇3 (烷基)(芳 基))、一烷基膦酸基(-Ρ〇3Η(烷基))及其共軛鹸基(稱爲烷基 膦酸根基)、一芳基膦酸基(-Ρ〇3Η(芳基))及其共軛鹼基(稱 爲芳基滕酸根基)、膦醯氧基(·ΟΡ〇3Η2)及其共軛鹼基(稱爲 膦酸根氧基)、二烷基膦醯氧基(-ΟΡ〇3 Η (烷基)2)、二芳基 膦醯氧基(-〇Ρ〇3(芳基)2)、烷基芳基膦醯氧基〇ΟΡ〇3(烷 基)(芳基))、一烷基膦醯氧基(-0Ρ03Η(烷基))及共軛鹸基 〇 (稱爲烷基膦酸根氧基基)、一芳基膦醯氧基(-0Ρ0 3 Η(芳基)) 及共軛鹼基(稱爲芳基膦酸根氧基)、氰基、硝基、芳基、 雜芳基、烯基、炔基及矽烷基。 在該等取代基之烷基的具體例可舉出前述烷基,此等 亦可更具有取代基。 在前述取代基之芳基的具體例可舉出苯基、聯苯基、 萘基、甲苯基、二甲苯基、采基、異丙苯基、氯苯基、溴 苯基、氯甲基苯基、羥苯基、甲氧基苯基、乙氧基苯基、 苯氧基苯基、乙醯氧基苯基、苯甲醯氧基苯基、甲硫基苯 -15- 200947125 基、苯硫基苯基、甲胺基苯基、二甲胺基 苯基、羧苯基、甲氧基羰基苯基、乙氧基 基羰基苯基、N·苯基胺基甲醢基苯基、氰 苯基、磺酸根基苯基、膦酸基苯基及膦酸 在前述取代基之烯基可舉出例如乙嫌 1-丁烯基、肉桂基、2-氯-1-乙烯基等。 在前述取代基之炔基可舉出例如乙炔 _ 1-丁炔基、三甲基矽烷基乙決基等。 ❹ 在前述取代基之醯基(R^CO-)之Ι^1 子、前述的烷基、芳基等。 —該等取代基中,以鹵素原子(-F、_Br 基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、N-烷胺基、 醯氧基、N-烷基胺甲醯氧基、N-芳基胺甲薦 甲醯基、醯基、羧基、烷氧基羰基、芳氧 基、N-烷基胺甲醯基、N,N-二烷基胺甲醯 Q 醯基、N-烷基-N-芳基胺甲醯基、磺酸基、 醯基、N-烷基胺磺醯基、Ν,Ν-二烷基胺磺 磺醯基、Ν-烷基-Ν-芳基胺磺醯基、膦酸基 烷基膦酸基、二芳基膦酸基、一烷基膦酸 基、一芳基膦酸基、芳基膦酸根基、膦醯 基、芳基、烯基等爲佳。 又,在前述取代基之雜環基可舉出例 基等,在前述取代基之矽烷基可舉出例如i 另一方面,在前述烷基之伸烷基可舉 苯基、乙醯胺基 羰基苯基、苯氧 基苯基、磺酸基 根基苯基等。 基、1 -丙烯基、 基、1 -丙炔基、 可舉出例如氫原 、-C1、-1)、院氧 N,N-二烷胺基、 藤氧基、醯胺基、 基羰基、胺甲醯 基、N-芳基胺甲 磺酸根基、胺磺 醯基、N-芳基胺 j、膦酸根基、二 基、烷基膦酸根 氧基、膦酸根氧 如吡啶基、哌啶 三甲基砂院基等。 出例如從即述碳 -16- 200947125 數1〜2 0之烷基上脫除氫原子中之任一個’而成爲2價的有 機殘基之物,以例如碳原子數1至12之直鏈狀、碳原子數 3~12之分枝狀及碳原子數5〜1〇之環狀的伸烷基等爲佳。 藉由組合此種取代基與伸烷基而得到之取代基,較佳 取代烷基之具體例可舉出氯甲基、溴甲基、2_氯乙基、三 氟甲基、甲氧基甲基、異丙氧基甲基、丁氧基甲基、第二 丁氧基丁基、甲氧基乙氧基乙基、烯丙氧基甲基、苯氧基 0 甲基、甲硫基甲基、甲苯硫基甲基、吡啶基甲基、四甲基 哌陡基甲基、Ν -乙醯基四甲基哌啶基甲基、三甲基矽烷基 甲基、甲氧基乙基、乙胺基乙基、二乙胺基丙基、味啉丙 基、乙醯氧基甲基、苯甲醯氧基甲基、Ν-環己基胺甲醯氧 基乙基、Ν-苯基胺甲醯氧基乙基、乙醯胺基乙基、Ν_甲基 苯甲酶胺基丙基、2-側氧乙基、2_側氧丙基、羧丙基、甲 氧基鑛基乙基 '嫌丙氧基羰基丁基、氯苯氧基羰基甲基、 胺甲醯基甲基、Ν-甲基胺甲醯基乙基、Ν,Ν_二丙基胺甲醯 © 基甲基、Ν_(甲氧基苯基)胺甲醯基乙基、Ν-甲基-Ν·(磺酸基 苯基)胺甲酿基甲基、磺酸基丁基、磺酸根基丁基、胺磺醯 基丁基、Ν-乙基胺擴醯基甲基、Ν,Ν_=丙基胺磺醯基丙基、 Ν-甲苯基胺磺醯基丙基、Ν_甲基(膦酸基苯基)胺磺醯基 辛基、膦酸基丁基、膦酸根基己基、二乙基膦酸基丁基、 二苯基鱗酸基丙基、甲基膦酸基丁基、甲基膦酸根基丁基、 甲苯基鱗酸基己基、甲苯基膦酸根己基、膦醯氧基丙基、 膦酸根氧基丁基、苄基、苯乙基、α -甲基苄基、甲基-b 苯基乙基、對甲基节基、肉桂基、烯丙基、丙烯基甲基、 -17- 200947125 2_ 丁嫌基、2 -甲基燏丙基、2 -甲基丙稀基甲基、2_两块基 2-丁炔基、3-丁炔基等。 前述芳基可舉出例如苯環、2個至3個苯環 π艰成稠環 者、苯環與5員不飽和環形成稠環者等。 前芳基的具體例可舉出例如苯基、察基、¥甚 _ 肛、楚、罪基、 茚基、苊基、兼基。此等之中,以苯基、萘基爲佳。
G 前述烷基亦可具有取代基,此種具有取代基的\ 下,亦簡稱爲「取代芳基」),例如在前述芳基的璃 $ 口」項形成碳 原子上之取代基,可舉出具有由氫原子以外的—價非& _ 原子團所構成之基者。 前述芳基亦可具有的取代基,以例如前述的烷基、取 代烷基、顯示作爲前述烷基亦可具有的取代基者爲佳。 前述取代芳基的較佳具體例,可舉出聯苯基、甲苯基、 二甲苯基、采(mesityl)基、異丙苯基(cumenyl)、氯苯基、 溴苯基、氟苯基、氯甲基苯基、三氟甲基苯基、羥苯基、 甲氧基苯基、甲氧基乙氧基苯基、烯丙氧基苯基、苯氧基 苯基、甲硫基苯基、甲苯硫基苯基、乙胺基苯基、二乙胺 基苯基、味啉苯基、乙醯氧基苯基、苯甲醯氧基苯基、N_ 環己基胺甲醯氧基苯基、Ν·苯胺甲醯氧基苯基、乙醯基胺 基苯基、Ν-甲基苯甲醯基胺基苯基、竣苯基、甲氧基羰基 苯基、烯丙氧基羰基苯基、氯苯氧基羰基苯基、胺甲醯基 苯基、Ν-甲基胺甲醯基苯基、Ν,Ν-二丙基胺甲醯基苯基、 Ν-(甲氧基苯基)胺甲醯基苯基、Ν-甲基-Ν-(磺酸基苯基)胺 甲醯基苯基、磺酸基苯基、膦酸根基苯基、胺磺醯基苯基、 -18- 200947125 N-乙基胺磺醯基苯基、N_N_二丙基胺磺醯基苯基、N-甲苯 基胺磺醯基苯基、N-甲基-N-(膦酸基苯基)胺磺醯基苯基、 膦酸基苯基、膦酸根基苯基、二乙基膦酸基苯基、二苯基 膦酸基苯基、甲基膦酸基苯基、甲基膦酸根基苯基、甲苯 基膦酸基苯基、甲苯基膦酸根基苯基、烯丙基苯基、1-丙 烯基甲基、2-丁烯基苯基、2-甲基烯丙基苯基、2-甲基丙烯 基苯基、2-丙烯基苯基、2-丁炔基苯基及3-丁炔基苯基等。 前述烯基(-C(R02) = C(R03)(R04))及炔基(-C 三 C(R05))可 〇 舉出例如R02、RG3、RG4及R<>5係由一價的非金屬原子團所 構成的之基者。 前述RQ2、RQ3、RG4、RQ5可舉出例如氫原子' 鹵素原 子、烷基、取代烷基、芳基、取代芳基等。該等的具體例 可舉出前述顯示作爲例子者。該等之中,以氫原子、鹵素 原子、碳原子數1〜10之直鏈狀的烷基、分枝狀的烷基、 環狀的烷基爲佳。 0 前述烯基及炔基的較佳具體例可舉出乙烯基、1-丙稀 基、1-丁烯基、1-戊烯基、1-己烯基、1-辛烯基、1-甲基·h 丙烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-苯基 乙烯基' 2-氯-1-乙烯基、乙炔基、1-丙炔基、1-丁炔基、 苯基乙炔基等。 前述雜環基例如可舉出已例示作爲取代烷基的取Kg 之吡啶基等。 前述氧基(R^O-)可舉出係由除了氫原子以外的# 金屬原子團所構成者。 -19- 200947125 此種氧基以例如烷氧基、芳氧基、醯氧基、胺甲醯氧 基、N-烷基胺甲醯氧基、N-芳基胺甲醯氧基、N,N-二烷基 胺甲醯氧基、N,N-二芳基胺甲醯氧基、N-烷基-N-芳基胺甲 醯氧基、烷基硫氧(alkyl sulfoxy)基、芳基硫氧基、膦醯氧 基、膦酸根氧基等爲佳。 在該等之烷基及芳基可舉出前述舉出作爲烷基、取代 烷基、芳基及取代芳基者。又,在醯氧基之醯基(Re7CO-), RM可舉出先前的例子所舉出的烷基、取代烷基、芳基及取 代芳基者。該等取代基之中,以院.氧基、芳氧基、醯氧基、 芳基硫氧基爲更佳。 較佳取代氧基的具體例可舉出甲氧基、乙氧基、丙氧 基、異丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、十二烷氧基、 苄氧基、烯丙氧基、苯乙基氧基、羧乙基氧基、甲氧基羰 基乙基氧基、乙氧基羰基乙基氧基、甲氧基乙氧基、苯氧 基乙氧基、甲氧基乙氧基乙氧基、乙氧基乙氧基乙氧基、 〇 味啉乙氧基、味啉丙氧基、烯丙氧基乙氧基乙氧基、苯氧 基、甲苯基氧基、二甲苯基氧基、采基氧基、異丙苯基氧 基、甲氧基苯氧基、乙氧基苯氧基、氯苯氧基、溴苯氧基、 乙醯氧基、苯甲醯氧基、萘氧基、苯基磺醯氧基、膦醯氧 基、膦酸根氧基等》 亦可含有醯胺基之胺基(RMNH-、(RMHRMqN-)可舉出 例如R08、RG9及RG1()係由除了氫原子以外的非金屬原子團 所構成之基者。又,RG9與R1G亦可鍵結而形成環。 前述胺基可舉出例如N-烷胺基、N,N-二烷胺基、N-芳 -20- 200947125 胺基、N,N-二芳胺基、Ν·烷基-N-芳胺基、醯胺基、N-烷基 醯胺基、N -芳基醯胺基、脲基、ν’-烷脲基、Ν’,Ν’-二烷脲 基、Ν’-芳脲基、Ν’,Ν’-二芳脲基、Ν,-烷基-Ν’-芳脲基、Ν-烷脲基、Ν-芳脲基、Ν’-烷基-Ν-烷脲基、Ν’-烷基-Ν-芳脲 基、Ν’,Ν’-二烷基-Ν-烷脲基、Ν,-烷基-Ν,-芳脲基、Ν,,Ν’-二烷基-Ν-烷脲基、Ν’,Ν,-二烷基-Ν’-芳脲基、Ν,-芳基-Ν-烷脲基、Ν’-芳基-Ν-芳脲基、Ν’,Ν,-二芳基·Ν-烷脲基、 ΟΝ’,Ν’-二芳基-Ν-芳脲基、Ν,-烷基-Ν’-芳基-Ν-烷脲基、Ν’-烷基-Ν’-芳基-Ν-芳脲基、烷氧基羰基胺基、芳氧基羰基胺 基、Ν-烷基-Ν-烷氧基羰基胺基、Ν-烷基-Ν-芳氧基羰基胺 基、Ν-芳基-Ν-烷氧基羰基胺基、Ν-芳基-Ν-芳氧基羰基胺 基等。在該等之烷基及芳基可舉出前述已出示作爲烷基、 取代烷基、及芳基、取代芳基者。又,醯胺基、Ν-烷基醯 胺基、Ν-芳基醯胺基之醯基(r^co-)的RG7係如前述。該等 之中,以N-烷胺基、N,N-二烷胺基、N-芳胺基、醯胺基爲 ❹ 更佳。 較佳胺基的具體例可舉出甲胺基、乙胺基、二乙胺基、 味啉基、哌啶基、吡咯啶基、苯胺基、苯甲醯胺基、乙醯 胺基等。 前述磺醯基(RG11-so2-)可舉出例如RG11係由一價的非 金屬原子團所構成之基者。 此種磺醯基以例如烷基磺醯基、芳基磺醯基等爲佳。 在該等之烷基及芳基可舉出前述已出示作爲院基、取代院 基、及芳基'取代芳基者。 -21- 200947125 前述磺醯基的具體例可舉出丁基磺醯基、苯基磺醯 基、氯苯基磺醯基等。 前述磺酸根基(-S〇3-)係如前述,係意味著磺酸基 (-S03H)的共軛鹸基陰離子基,通常係與抗衡陽離子一同使 用爲佳。 此種抗衡陽離子能夠適當地選擇通常已知者’例如鑰 類(例如銨類、銃類、鎸類、碘鑰類、疊氮鎗類等)、金屬 離子類(例如 Na+、K+、Ca2+、Zn2 +等)。 0 前述羰基(R^-CO-)可舉出例如RG13係由一價的非金 屬原子團所構成之基者。 此種羰基可舉出例如甲醯基、醯基、羧基、烷氧基羰 基、芳氧基羰基、胺甲醯基、N-烷基胺甲醯基、Ν,Ν·二烷 基胺甲醯基、Ν-芳基胺甲醯基、Ν,Ν-二芳基胺甲醯基、Ν-烷基-Ν’-芳基胺甲醯基等。該等之烷基及芳基可舉出前述 已出示作爲烷基、取代烷基、及芳基、取代芳基者。 0 前述羰基以甲醯基、醯基、羧基、烷氧基羰基、芳氧 基羰基、胺甲醯基、Ν-烷基胺甲醯基、Ν,Ν-二烷基胺甲醯 基、Ν-芳基胺甲醯基爲佳,以甲醯基、醯基、烷氧基羰基、 芳氧基羰基爲更佳。 前述羰基的具體例可適合舉出甲醯基、乙醯基、苯甲 醯基、羧基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、烯丙氧基羰基、 二甲胺基苯基乙烯基羰基、甲氧基羰基甲氧基羰基、Ν-甲 基胺甲醯基、Ν-苯基胺甲醯基、Ν,Ν-二乙基胺甲醯基、味 啉羰基等。 -22- 200947125 前述亞磺醯基(RG14_S0_)可舉出RC14係由一價的非金 屬原子團所構成之基者。 此種亞磺醯基可舉出例如烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯 基、胺亞磺醯基、N·烷基胺亞磺醯基、N,N-二烷基胺亞磺 醯基、N-芳基胺亞磺醯基、N,N_二芳基胺亞磺醯基、N_烷 基·Ν-芳基胺亞磺醯基等。在該等之烷基及芳基可舉出前述 已出示作爲烷基、取代烷基、及芳基、取代芳基者。該等 ❹ 之中以烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯基爲佳。 前述取代亞磺醯基的具體例可適合舉出己基亞磺醯 基 '苄基亞磺醯基、甲苯基亞磺醯基等。 前述膦酸基係意味著膦酸基上的羥基之一至二個係被 其他的有機側氧基所取代而成者,以例如前述的二烷基膦 酸基、二芳基膦酸基、烷基芳基膦酸基、一烷基膦酸基、 一芳基膦酸基等爲佳。該等之中以二烷基膦酸基、二芳基 膦酸基爲更佳。 〇 前述膦酸基的更佳例子可舉出二乙基膦酸基、二丁基 膦酸基、二苯基膦酸基等。 前述膦酸根基(-ρ〇3Η2-、-Ρ03Η-)係如前述,係意味著 來自膦酸基(-ρ〇3Η2)的酸第一解離或酸第二解離之共軛鹼 陰離子基。通常係與抗衡陽離子一同使用爲佳。此種抗衡 陽離子能夠適當地選擇通常已知者,例如各種鑰類(例如銨 類、鏑類、鱗類、碘鑰類、叠氮鑰類等)、金屬離子類(例 如 Na+、K+、Ca2+、Zn2 +等)。 前述膦酸根基亦可以是在膦酸基內,羥基被一個有機 -23- 200947125 側氧基取代而成者的共軛鹼陰離子基,此種的具體例可舉 出前述的一烷基膦酸基(-P03H(alkyl))、一芳基膦酸基 (-P03H(aryl))的共軛鹼基。 前述芳香族基能夠藉由將1種以上之含芳香族的自由 基聚合性化合物、與按照必要作爲共聚合成分之1種以上 的其他自由基聚合性化合物,依照通常的自由基聚合法製 造。 _ 前述自由基聚合法例如通常可舉出懸浮聚合法或溶液 0 聚合法等。 前述含芳香族基之自由基聚合性化合物以例如通式 (A-1)所示之化合物、通式(A-2)所示之化合物爲佳。 i 式(A-l)
Ri R3 I睡 c=c A2 (|·~0-Ητ-Αγ Ο 其中,前述通式(Α-1)中,Ri、R2及R3係表示氫原子 或1價的有機基。L係表示有機基且沒有亦可。Ar係表示 亦可含有雜環的芳香族基。 R-l 1¾ 通式(A-2) 4、Ar 其中,前述通式(A-2)中’ Ri、R2、R3及Ar係表示與 前述通式(A-1)同義。 前述L的有機基係例由非金屬原子所構成多價的有機 -24- 200947125 基,可舉出由1至6個的碳原子、〇至10個的氮原子、ο 至50個的氧原子、1至100個的氫原子及〇至20個的硫 原子所構成者。 更具體地,前述L的有機基可舉出組合下述結構單位 而構成者,多價萘、多價蒽等。
前述L的連結基亦可具有取代基,前述取代基可舉出 前述的鹵素原子、羥基、羧基、磺酸根基、硝基、氰基、 醯胺基、胺基、烷基、烯基、炔基、芳基、取代氧基、取 代磺醯基、取代羰基、取代亞磺醯基、磺酸基、膦酸基、 隣酸根基、矽烷基、雜環基。 在前述通式(Α-1)所示之化合物及前述通式(Α-2)所示 之化合物,就敏感度而言,以通式(Α-1)爲佳。又,前述通 式(Α-1)之中,就安定性而言,以具有連結基者爲佳,前述 L的有機基,就非畫像部的除去性(顯像性)而言,以碳數1 -25- 200947125 〜4的伸烷基爲佳。 前述通式(A_l)所示之化合物係含有下述通式(A_3)的 結構單位之化合物。又’前述通式(A_2)所示之化合物係 含有下述通式(A-4)的結構單位之化合物。其中,就保存安 定性而〇 ’以通式(A-3)的結構單位爲佳。
通式(A - 3 ) L— Ar
通式(A-4) 其中’前述通式(A-3)及通式(A-4)中,R!、r2、尺3及Ar 係表示與前述通式(A-1)及通式(A-2)同義。
在前述通式(A-3)及通式(A-4)’就非畫像部的除去性 (顯像性)而言,R!及R·2以氫原子,R3以甲基爲佳。 前述通式(A-3)的L,就非畫像部的除去性(顯像性)而 言,以碳數1〜4的伸烷基爲佳。 前述通式(A-1)所不之化合物或通式(A-2)所示之化合 物沒有特別限制,可舉出例如的例示化合物(1)〜(3 〇)。 -26- 200947125
¢8) -C-CHzC^C〇i^|^^ ¢16) -27- 200947125
❹ Ο 前述例示化合物(1)〜(30)之中’以(5)、(6)、(11)、(14) 及(28)爲佳,該等之中,就保存安定性及顯像性而言,以(5) 及(6)爲更佳。 前述亦可含有雜環之芳香族基,在前述黏合劑之含量 沒有特別限制’將高分子化合物的總結構單位作爲1 〇〇莫 -28- 200947125 耳%時’前述通式(A-3)所示之結構單位以含有2〇莫耳%以 上爲佳’以含有30莫耳%〜45莫耳%爲更佳。前述含量小 於20莫耳%時’會有保存安定性降低之情形,大於45莫 耳%時會有顯像性降低之情形。 --乙烯性不飽和鍵-- 前述乙烯性不飽和鍵沒有特別限制,例如以下述通式 (A-5)〜(A-7)所示者爲佳。 〇 一+ 通式(A-5) R1 通式(A-6)
Rt1 ~Z'5=P 通式(A-7) 1¾¾ 〇 其中’前述通式(Α-5)〜(Α-7)中,Ri〜Rii係各自獨立 地表示1價的有機基。X及Y係各自獨立地表示氧原子、 硫原子或-N-R4 係表示氧原子、硫原子、-n-r4、或伸苯 基。R4係表示氫原子或1價的有機基。 在通式(A-5),h係各自獨立且以例如氫原子、亦可具 有取代基之烷基等,因爲自由基反應性高,以氫原子、甲 基爲更佳。 前述R2及R3係各自獨立且可舉出例如氫原子、鹵素 原子、胺基、羧基、烷氧基羰基、磺酸基、硝基、氰基、 -29- 200947125 亦可具有取代基之烷基、亦可具有取代基之芳基、亦可具 有取代基之烷氧基、亦可具有取代基之芳氧基、亦可具有 取代基之烷胺基、亦可具有取代基之芳胺基、亦可具有取 代基之烷基磺醯基、亦可具有取代基之芳基磺醯基等,因 爲自由基反應性高,以氫原子、羧基、烷氧基羰基、亦可 具有取代基之烷基、亦可具有取代基之芳基爲更佳。 前述R4以例如亦可具有取代基之烷基等爲佳,因爲與 自由基反應高,以氫原子、甲基、乙基、異丙基等爲更佳》 〇 在此,能夠導入的前述取代基可舉出例如烷基、烯基、 炔基、芳基、烷氧基、芳氧基、鹵素原子、胺基、烷胺基、 芳胺基、羧基、烷氧基羰基、磺酸基、硝基、醯胺基、烷 基磺醯基、芳基磺醯基等。 在前述(A-6),R4〜R8以例如氫原子、鹵素原子、胺基、 二烷胺基、羧基、烷氧基羰基、磺酸基、硝基、氰基、亦 可具有取代基之烷基、亦可具有取代基之芳基、亦可具有 Q 取代基之烷氧基、亦可具有取代基之芳氧基、亦可具有取 代基之烷胺基、亦可具有取代基之芳胺基、亦可具有取代 基之烷基磺醯基、亦可具有取代基之芳基磺醯基等爲佳, 以氫原子、羧基、烷氧基羰基、亦可具有取代基之烷基、 亦可具有取代基之芳基爲更佳。 能夠導入之前述取代基,可例示在前述通式(A_ 5)所舉 出者。 在前述通式(A-7),R9以例如氫原子、亦可具有取代基 之烷基爲佳,因爲自由基反應性髙,以氫原子、甲基爲更 -30- 200947125 佳。 前述Rio、Ru係各自獨立且以例如氫原子、鹵素原子、 胺基、二院胺基、羧基、烷氧基羰基、磺酸基、硝基、氰 基、亦可具有取代基之烷基、亦可具有取代基之芳基、亦 可具有取代基之烷氧基、亦可具有取代基之芳氧基、亦可 具有取代基之烷胺基、亦可具有取代基之芳胺基、亦可具 有取代基之院基磺醯基、亦可具有取代基之芳基磺醯基等 爲佳’因爲自由基反應性高,以氫原子、羧基、烷氧基羰 基、亦可具有取代基之烷基、亦可具有取代基之芳基爲更 隹。 在此’能夠導入之前述取代基,可例示在前述通式(A-5) 所舉出者。 目IJ述Z係表不氧原子、硫原子、-NR丨3-、或亦可具有 取代基之伸苯基。R! 3係表示亦可具有取代基之烷基等,因 爲自由基反應性高,以氫原子、甲基、乙基、異丙基爲佳。 Q 前述通式(A-5)〜(A-7)所示之側鏈乙烯性不飽和鍵之 中,因爲聚合反應高而敏感度變高,以通式(A-5)者爲更佳。 前述乙烯性不飽和鍵在前述高分子化合物之含量沒有 特別限制,以 〇.5meq/g〜3.0meq/g爲佳,以 1.0meq/g〜 3.0meq/g爲更佳,以1.5meq/g〜2.8meq/g爲特佳。前述含 量小於0.5meq/g時,因爲硬化反應量少會有低敏感度之情 形,大於3. Omeq/g時,會有保存安定性變差之情形。 前述含量(meq/g)係能夠藉由例如碘價滴定來測定。 在側鏈導入前述通式(A-5)所示乙烯性不飽和鍵之方 -31- 200947125 法沒有特別限制,能夠藉由例如使在側鏈含有羧基之高分 子化合物與具有乙烯性不飽和鍵及環氧基之化合物加成反 應而得到。 在側鏈含有羧基之高分子化合物,係例如能夠藉由將 1種以上含有羧基之自由基聚合性化合物、與按照必要作 爲共聚合成分之1種以上的其他自由基聚合性化合物,依 照通常的自由基聚合法製造。前述自由基聚合法例如可舉 出懸浮聚合法或溶液聚合法等。 前述具有乙烯性不飽和鍵及環氧基之化合物係若具有 該等時,沒有特別限制,以例如下述通式(A - 8 )所示化合物 及通式(A-9)所示化合物爲佳。
»2〇C H ξ-ο- Lr&Ch 通式(A - 8 ) © 其中,前述通式(A-8)中’R!係表示氫原子或甲基。1^ 係表示有機基。
〇通式(A-9) 其中’前述通式(A-9)中,112係表示氫原子或甲基。L2 係表示有機基。W係表示4〜7員環的脂肪族烴基。 -32- 200947125 前述通式(A-8)所示化合物及通式(A_9)所 冗合物之 中,以通式(Α-8)所示化合物爲佳,在前述通式(a Li係碳原子數1〜4的伸烷基者爲更佳。 以 在前述通式(A-8)所示化合物或在通式(A_9) p )所τκ化合 物之中,以通式(A·8)所示化合物爲佳,在前述通式(A_8), 以L!係碳數1〜4的伸烷基者爲更佳。 在通式(A-8)所示化合物或通式(A-9)所示化合物,沒有 特別限制,可舉出例如下述例示化合物(3 1)〜(40) ° 〇 (” (36) (32) =h<rx> 抑
33- 200947125 前述含有羧基之自由基聚合性化合物係例如丙烯酸、 甲基丙烯酸、伊康酸、巴豆酸、異巴豆酸、順丁烯二酸、 對羧基苯乙烯等,特佳之物可舉出丙烯酸、甲基丙烯酸等。 導入前述側鏈之反應係例如能夠藉由將三乙胺、苄基 甲胺等的3級胺、氯化十二烷基三甲銨、氯化四甲銨、氯 化四乙銨等的4級銨鹽、吡啶、三苯膦等作爲觸媒並在有 機溶劑中,在反應溫度50 °C〜150 °C使其反應數小時〜數 十小時來進行》 前述在側鏈具有乙烯性不飽和鍵之結構單位沒有特別 限制’以例如下述通式(A-10)所示結構、通式(A-11)所示結 構及混合該等所示結構者爲佳。
RaRc 巾 令<卜令+ C^CHa ό^ο-cH—tr-o-C 〇 ch2oh ο
ch2 通式(A-10)
通式(A-11) 其中,前述通式(A-10)及通式(A_u)中,Ra〜Rc係表 示氫原子或1價的有機基。1係表示氫原子或甲基。^係 表示亦可具有連結基之有機基。 則述通式(A-10)所示結構或通式(A_i所示結構在高 分子化合物之含量,以20莫耳%以上爲佳,以2()莫耳%〜 5〇莫耳%爲更佳,以25莫耳%〜45莫耳%爲特佳。前述含 •34- 200947125 量小於20莫耳%時,因爲硬化反應量少會有低敏感度之情 形,大於50莫耳%時,會有保存安定性變差之情形。 --翔基-- 在本發明的高分子化合物,爲了提升非畫像部除去性 等的各種性能,亦可以具有羧基。 前述羧基能夠藉由使其與具有氧基之自由基聚合性化 合物共聚合,來賦予至前述高分子化合物。 此種具有自由基聚合性之酸基可舉出例如羧基、磺 酸、磷酸等,以羧酸爲特佳。 前述具有羧基之自由基聚合性化合物沒有特別限制, 能夠按照目的適當地選擇,可舉出例如丙烯酸、甲基丙烯 酸、伊康酸、巴豆酸、異巴豆酸、順丁烯二酸、對羧基苯 乙烯等,該等之中,以丙烯酸、甲基丙烯酸、對羧酸苯乙 烯爲佳,該等可單獨使用1種,亦可倂用2種以上。 前述羧基在黏合劑之含量爲l.〇meq/g〜4.0meq/g,以 1.5meq/g〜3.0meq/g爲佳。前述含量小於l.〇meq/g時顯像 性變爲不充分,大於4.0m eq/g時會有容易受到鹼水顯像所 造成的畫像強度損傷之情形。 爲了提升畫像強度等的各種性能,前述高分子化合物 係除了前述的自由基聚合性化合物以外,以進而使其與其 他的自由基聚合性化合物共聚合爲佳。 前述其他的自由基聚合性化合物可舉出例如選自丙烯 酸酯類、甲基丙烯酸酯類、苯乙烯類之自由基聚合性化合 物等。 -35- 200947125 具體上,可舉出丙烯酸烷酯等的丙烯酸酯類、丙烯酸 芳酯、甲基丙烯酸烷酯等的甲基丙烯酸酯類、甲基丙烯酸 芳酯、苯乙烯、烷基苯乙烯等的苯乙烯類、烷氧基苯乙烯、 鹵素苯乙烯等。 前述丙烯酸酯類係以烷基的碳原子數1〜20者爲佳, 可舉出例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯 酸丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸乙基己酯、丙烯酸辛酯、丙 烯酸-第三辛酯、丙烯酸氯乙酯、丙烯酸2,2-二甲基羥基丙 n 酯、丙烯酸5-羥基戊酯、三羥甲基丙烷一丙烯酸酯、新戊 四醇一丙烯酸酯、丙烯酸環氧丙酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸 甲氧基苄酯、丙烯酸糠酯、丙烯酸四氫糠酯等。 前述丙烯酸芳酯可舉出例如丙烯酸苯酯等。 前述甲基丙烯酸酯類係以烷基的碳原子爲1〜20者爲 佳,可舉出例如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯 酸樹脂丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸戊酯 '甲基 @ 丙烯酸己酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基 丙烯酸氯苄酯、甲基丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸4_羥基丁酯、 甲基丙烯酸5-羥基戊酯、甲基丙烯酸2,2-二甲基-3-羥基丙 酯、三羥甲基丙烷一甲基丙烯酸酯、新戊四醇—甲基丙烯 酸酯、甲基丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸糠酯、甲基丙烯 酸四氫糠酯等。 前述甲基丙烯酸芳酯可舉出例如甲基丙烯酸苯酯、甲 基丙烯酸甲苯酯、甲基丙烯酸萘酯等。 前述苯乙烯.類可舉出例如甲基苯乙烯、二甲基苯乙 -36- 200947125 烯、三甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、二乙基苯乙烯、異丙基 苯乙烯、丁基苯乙烯、己基苯乙烯、環己基苯乙烯、癸基 苯乙烯、苄基苯乙烯、氯甲基苯乙烯、三氟甲基苯乙烯、 乙氧基甲基苯乙烯、乙醯氧基甲基苯乙烯等。 前述烷氧基苯乙烯可舉出例如甲氧基苯乙烯、4-甲氧 基-3-甲基苯乙烯、二甲氧基苯乙烯等。 前述鹵素苯乙烯可舉出例如氯苯乙烯、二氯苯乙烯、 三氯苯乙烯、四氯苯乙烯、五氯苯乙烯、氟苯乙烯、二氟 ❹ 苯乙烯、碘苯乙烯、氟苯乙烯、三氟苯乙烯、2-溴-4-三氟 甲基苯乙烯、4-氟-3-三氟甲基苯乙烯等。 該等自由基聚合性化合物可單獨使用1種,亦可併用 2種以上。 在本發明,合成高分子化合物時所使用的溶劑沒有特 別限制,能夠按照目的適當地選擇,可舉出例如二氯乙烷、 環己酮、甲基乙基酮、丙酮、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、 φ 乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙酸2-甲氧基乙酯、 1-甲氧基-2-丙醇、乙酸1-甲氧基-2-丙酯、N,N-二甲基甲醯 胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞砸、甲苯、乙酸乙酯、 乳酸甲酯、乳酸乙酯等。該等可單獨使用1種,亦可混合 使用2種以上。 在本發明,高分子化合物的分子量係質量平均分子量 以10,000以上爲佳,以10,000〜50,000爲更佳。前述質量 平均分子量小於1〇,〇〇〇時,會有硬化膜強度不足之情形, 大於50, 〇〇〇時會有顯像性低落之傾向。 -37- 200947125 又,在本發明,在高分子化合物中亦可含有未反應的 單體。此時’前述單體在前述高分子化合物中之含量’以 1 5質量%以下爲佳。 在本發明,高分子化合物可單獨使用1種’亦可混合 使用2種以上。又,亦可混合其他的高分子化合物而使用, 此時,前述其他的高分子化合物在前述本發明的高分子化 合物之含量,以5 0質量%以下爲佳’以3 0質量%以下爲更 佳。 <環氧丙烯酸酯化合物> 前述環氧丙烯酸酯化合物係指具有來自環氧化合物之 骨架,且在分子中含有乙烯性不飽和鍵及羧基之化合物。 此種化合物,例如能夠藉由使多官能環氧化合物與含羧基 的單體反應,進而加成多元酸酐之方法等來得到。 前述多官能環氧化合物可舉出例如聯二甲苯酚型或雙 酚型環氧樹脂(「YX4000 ; JAPAN EPOXY RESINS公司製」 0 等)或該等的混合物、具有異三聚氰酸酯骨架等之雜環環氧 樹脂(「TEPIC;日產化學工業公司製」、「ARALDITE PT8 10 ; CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製」等)、雙酚A型環 氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、加氫雙酚A型環氧樹脂、雙 酚S型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清 漆型環氧樹脂、鹵素化苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、環氧丙 基胺型環氧樹脂(例如,四環氧丙基二胺基二苯基甲烷 等)、海因型環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、三羥苯基甲烷型 環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、四苯酚基乙烷型 -38- 200947125 環氧樹脂、酞酸環氧丙酯樹脂、四環氧丙基二甲苯酚基乙 烷樹脂、含萘基的環氧樹脂(「ESN-190、ESN-360;新日鐵 化學公司製」、「HP-4032,EXA-4750,EXA-4700;大日本 油墨化學工業公司製」等、具有二環戊二烯骨架之環氧樹 脂(「HP-7200,HP-7200H ;大日本油墨化學工業公司製」 等);藉由將苯酚、鄰甲酚、萘酚等苯酚化合物與具有酚性 羥基之芳香族醛進行縮合反應所得到的多酚化合物、與表 氯醇之反應物;將苯酚化合物與二乙烯基苯或二環戊二烯 等的二烯烴化合物藉由加成反應所得到的多酚化合物、與 表氯醇之反應物;將4-乙烯基環己烯-1·氧化物的開環聚合 物使用過乙酸等環氧化而成者;異三聚氰酸三環氧丙酯等 的雜環之環氧樹脂;甲基丙烯酸環氧丙酯共聚合系環氧樹 脂(「CP-50S,CP-5 0M;日本油脂公司製」等)、環己基順 丁烯二醯亞胺與甲基丙烯酸環氧丙酯之共聚合環氧樹脂; 將選自苯酚及甲酚之1種與對羥基苯甲醯縮合物加以環氧 丙基醚化而成之環氧樹脂:雙(環氧丙氧基苯基)金剛烷型 環氧樹脂等。該等可單獨使用1種,亦可倂用2種以上。 又,含羧基的單體可舉出例如(甲基)丙烯酸、乙烯基 苯甲酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸一烷酯、反丁烯二酸、 伊康酸、巴豆酸、桂皮酸、山梨酸、α-氰基桂皮酸、丙烯 酸二聚物;及其他(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯等具有羥基之 單體與順丁烯二酸酐、酞酸酐、環己烷二羧酸酐等的環狀 酸酐之加成反應物;與含鹵素的羧酸化合物之反應生成 物、ω-羧基·聚己內酯一(甲基)丙烯酸酯等。而且,市售品 -39- 200947125 能夠使用東亞合成化學工業(股)製的 ARONIX M-53 00、 M-5400、M5500及M-5600、新中村化學工業(股)製的NK ESTER CB-1及 CBX-1、共榮社油脂化學工業(股)製的 HOA-MP及 HOA-MS、大阪有機化學工業(股)製的 BISCOAT#2100等。該等可單獨使用1種,亦可倂用2種 以上。 又,多元酸酐亦可舉出例如琥珀酸酐、甲基琥珀酸酐、 2,3-二甲基琥珀酸酐、2,2-二甲基琥珀酸酐、乙基琥珀酸 〇 酐、十二烷基琥珀酸酐、壬烯基琥珀酸酐、順丁烯二酸酐、 甲基順丁烯二酸酐、2,3-二甲基順丁烯二酸酐、2-氯順丁烯 二酸酐、2,3-二氯順丁烯二酸酐、溴順丁烯二酸酐、伊康 酸酐、檸康酸酐、順式烏頭酸(cis-aconitic acid)酐、酞酸 酐、四氫酞酸酐、四氯酞酸酐、四溴酞酸酐、六氫酞酸酐、 甲基四氫酞酸酐、甲基六氫酞酸酐、內亞甲基四氫酞酸酐、 甲基內亞甲基四氫酞酸酐、氯橋酸(chlorendic acid)酐及 0 5-(2,5-二側氧基四氫呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸 酐等的二元酸酐,亦可使用1,2,4-苯三甲酸酐、焦蜜石酸 酐、3,3’,4,4’-二苯基酮四羧酸等的多元酸酐等。該等可單 獨使用1種,亦可倂用2種以上。 依照順序使各自反應來得到環氧丙烯酸酯,使該等反 應之比率係相對於1當量多官能環氧化合物的環氧基,含 羧基的單體之羧基爲0.8〜1.2當量,以0.9〜1.1當量爲 佳,多元酸酐爲0.1〜1.0當量,以0.3〜1.0當量爲佳。 又,特開平5 -705 2 8號公報所記載之在具有荛骨架之 -40- 200947125 環氧丙烯酸酯(未具有羧基之化合物),使酸酐加添而得到 的化合物等,亦可利用作爲本發明的環氧丙烯酸酯。 前述環氧丙烯酸酯化合物之分子量以1,000〜100,000 爲佳,以2,000〜50,000爲更佳。該分子量小於1,000時, 會有感光層表面的膠黏性變強之情形,在後述之感光層硬 化後,會有膜質變脆或表面硬度變差之情形,大於1 00,000 時,會有顯像性變差之情形。又,樹脂的合成亦變爲困難。 前述黏合劑在前述感,光性組成物中的固體成分含量以 m 5〜80質量%爲佳,以10〜70質量%爲更佳。 前述黏合劑在前述感光性組成物中的固體成分含量以 5〜80質量%爲佳,以10〜70質量%爲更佳》該固體成分含 量小於5質量%時,會有膜強度容易變差,該感光層表面 的膠黏性變差之情形,大於80質量%時會有曝光敏感度低 落之情形。 <聚合性化合物> 0 前述聚合性化合物沒有特別限制,可按照目的適當地 選擇,可舉出二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯(三環癸 烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯)或二新戊四醇六丙烯酸酯。 又,前述聚合性化合物的I/O値之重量平均以0.43以 下爲佳,在分子中具有2個以上聚合性基之化合物,例如 以二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯(三環癸烷二甲醇二 (甲基)丙烯酸酯)爲佳。在此,二羥甲基三環癸烷二丙烯酸 酯(三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯、NK酯 A-DCP)的結構式係 如以下通式(B -1)所示。 -41- 200947125
又,在本發明,「聚合性化合物」係未包含在黏合劑所 〇 能夠含有的聚合性化合物。 前述聚合性化合物在前述感光性組成物固體成分中的 固體成分含量,以5質量%〜50質量%爲佳,以1 〇質量% 〜40質量%爲更佳。該固體成分含量小於5質量%,會有產 生顯像性變差、曝光敏感度低落等問題之情形,大於50質 量%時,會有感光層的黏附性變爲太強之情形,乃是不佳。 <熱交聯劑> 前述熱交聯劑沒有特別限制,能夠按照目的而適當地 ϋ ¥ 選擇,爲了改使用前述感光性薄膜所形成的感光層之硬化 後膜強度,在不會對顯像性等造成不良影響之範圍,例如 能夠使用在1分子內具有至少2個環氧基(環氧乙烷環)之 之環氧化合物、在1分子內具有至少2個氧雜環丁烷基之 氧雜環丁烷化合物、在聚異氰酸酯化合物、在聚異氰酸酯 化合物使封端劑反應而得到的化合物及三聚氰胺衍生物 等。該等之中,以在1分子中具有至少2個環氧基之環氧 化合物爲特佳。 -42- 200947125 前述在1分子中具有至少2個環氧基之環氧化合物沒 有特別限制,可舉出例如聯二甲苯酚型或雙酚型環氧樹脂 (「YX4000 ; JAPAN EPOXY RESINS公司製」等)或該等的 混合物、具有異三聚氰酸酯骨架等之雜環環氧樹脂 (「TEPIC ;曰產化學工業公司製」、「ARALDITE PT810 ; CIB A SPECIALTY CHEMICALS公司製」等)、雙酚A型環 氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、加氫 雙酚A型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型 環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、鹵素化苯酚酚醛清 漆型環氧樹脂(例如,低溴化環氧樹脂、高鹵化環氧樹脂、 溴化苯酚酚醛清漆型環氧樹脂等)、含烯丙基的雙酚A型環 氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、二苯基二甲醇型環氧樹 脂、苯酚伸聯苯基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂 (「HP-7200、HP-7200H;大日本油墨化學工業公司製」等)、 環氧丙基胺型環氧樹脂(二胺基二苯基甲烷型環氧樹脂、二 〇 環氧丙基苯胺、三環氧丙基胺基苯酚等)、環氧丙酯型環氧 樹脂(酞酸二環氧丙酯、己二酸二環氧丙酯、六氫酞酸二環 氧丙酯、二聚二環氧丙酯等)海因型環氧樹脂、脂環族環氧 樹脂(3,4-環氧環己基甲基-3’,4’-環氧環己烷羧酸酯、己二 酸雙(3,4-環氧環己基甲基)酯、二環戊二烯二環氧化物、 「GT-300、GT-400、ZEHPE3150 ; DAICEL 化學工業公司 製」等)、醯亞胺型脂環族環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧 樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、四苯酚基乙烷型環氧 樹脂、酞酸環氧丙酯樹脂、四環氧丙基二甲苯酚基乙烷樹 -43- 200947125 脂、含萘基的環氧樹脂(萘酚芳烷基型環氧樹脂、萘酚酚醛 清漆型環氧樹脂、4官能萘型環氧樹脂(市售品有 「ESN-190、ESN-360;新日鐵化學公司製」、「HP-4032’ EXA-4750,EXA-4700 ;大日本油墨化學工業公司製」等' 藉由苯酚化合物與二乙烯基苯或二環戊二烯等的二烯烴化 合物之加成反應所得到的多酚化合物與表氯醇之反應物; 將4-乙烯基環己烯-1-氧化物的開環聚合物使用過乙酸等 ^ 環氧化而成者;具有線狀含磷結構之環氧樹脂、具有環狀 ❹ 含磷結構之環氧樹脂、α-甲基芪型液晶環氧樹脂、二苯甲 醯氧基苯型液晶環氧樹脂、偶氮苯基型液晶環氧樹脂、甲 亞胺苯基型液晶環氧樹脂、聯萘型液晶環氧樹脂、吖畊型 環氧樹脂、環氧丙基甲基丙烯酸酯共聚合系環氧樹脂 (「CP-50S,CP-50M;日本油脂公司製」等)、環己基順丁 烯二醯亞胺與甲基丙烯酸環氧丙酯之共聚合環氧樹脂、雙 (環氧丙氧基苯基)蒹型環氧樹脂、雙(環氧丙氧基苯基)金剛 Q 烷型環氧樹脂等。該等環氧樹脂可單獨使用1種,亦可倂 用2種以上。 又,在前述1分子中具有至少2個環氧基的環氧化合 物之環氧基係在/3位置亦可具有烷基,以/3位置係被烷基 取代而成之環氧基(更具體地,係/3-烷基取代環氧丙基等) 爲特佳。 前述至少含有在A位置具有烷基的環氧基之環氧化合 物,可以是在1分子中所含有2個以上的環氧基係全部爲 冷-烷基取代環氧丙基,亦可以是至少1個環氧基爲yS-烷 -44- 200947125 基取代環氧丙基。 前述含有在θ位置具有院基的環氧基之環氧化合物’ 從在室溫之保存安定性的觀點’在前述絕緣材料用樹脂組 成物中所含有之前述環氧化合物總量中,總環氧基中的冷-烷基取代環氧丙基之比率以30%以上爲佳’以40%以上爲 較佳,以50%以上爲特佳。 前述Θ -烷基取代環氧丙基沒有特別限制,能夠按照目 的而適當地選擇,可舉出例如甲基環氧丙基、乙基 環氧丙基、丙基環氧丙基、丁基環氧丙基等,該等 之中,從提升前述感光性組成物的保存安定性的觀點及合 成的容易性之觀點,以/3-甲基環氧丙基爲佳。 前述含有在;5位置具有烷基的環氧基之環氧化合物係 例如以由多元酚化合物及/3-烷基表鹵醇所衍生之環氧化 合物爲佳。 前述Θ -烷基表鹵醇沒有特別限制,能夠按照目的而適 Q 當地選擇,可舉出例如点-甲基表氯醇、yS-甲基表溴醇、 /3-甲基表氟醇等的沒-甲基表鹵醇;乙基表氯醇、召-乙基表溴醇、/3·乙基表氟醇等的/3-乙基表鹵醇;/9-丙基 表氯醇、丙基表溴醇、丙基表氟醇等的/9-丙基表鹵 醇;/3-丁基表氯醇、沒-丁基表溴醇、沒-丁基表氟醇等的 沒-丁基表鹵醇等。該等之中,從與前述多元酚之反應性及 流動性之観點,以甲基表鹵醇爲佳。 前述多元酚化合物若是在1分子中含有2個以上的芳 香族羥基之化合物時,沒有特別限制,能夠按照目的而適 -45- 200947125 當地選擇,可舉出例如雙酚A、雙酚F、雙酚S等的雙酚 化合物、聯苯酚、四甲基聯苯酚等的聯苯酚化合物、二羥 基萘、雙萘酚等的萘酚化合物、苯酚·甲醛縮聚物等的苯酚 酚醛清漆樹脂、甲酚-甲醛縮聚物等的碳數1〜10的一烷基 取代苯酚-甲醛縮聚物、二甲苯酚-甲醛縮聚物等的碳數1 〜10的二烷基取代苯酚-甲醛縮聚物、雙酚A-甲醛縮聚物 等的雙酚化合物-甲醛縮聚物、苯酚與碳數1〜10的一烷基 取代苯酚與甲醛的共縮聚物、苯酚化合物與二乙烯基苯的 〇 聚合加成物等。該等之中,爲了提升流動性及保存安定性 之目的而選擇時,以前述雙酚化合物爲佳。 前述含有在/8位置具有烷基的環氧基之環氧化合物可 舉出例如雙酚A的二-β-烷基環氧丙基醚、雙酚F的二-β-烷基環氧丙基醚、雙酚S的二-β-烷基環氧丙基醚等雙酚化 合物的二- β-烷基環氧丙基醚;聯苯酚的二-β_烷基環氧丙基 醚、四甲基聯苯酚的二-β-烷基環氧丙基醚等聯苯酚化合物 Φ 的二-Ρ-烷基環氧丙基醚;二羥基萘的二-β-烷基環氧丙基 醚、聯萘酚的二- β-烷基環氧丙基醚等萘酚化合物的;δ -烷基 環氧丙基醚;苯酚甲醛縮聚物的聚-β-烷基環氧丙基醚;甲 酚甲醛縮聚物的聚- β-烷基環氧丙基醚等碳數1〜10的烷基 取代苯酚甲醛縮聚物的聚- β-烷基環氧丙基醚;二甲苯酚-甲醛縮聚物的聚- β-烷基環氧丙基醚等碳數1〜10的二烷基 取代苯酚-甲醛縮聚物的聚- β-烷基環氧丙基醚;雙酚Α-甲 醛縮聚物的聚-Ρ-烷基環氧丙基醚等雙酚化合物-甲醛縮聚 物的聚- β-烷基環氧丙基醚;苯酚化合物與二乙烯基苯的聚 46 - 200947125 合加成物的聚-p-烷基環氧丙基醚等。 該等之中’以下述通式(C-1)所不之雙化合物、及由 其與表氯醇等所得到的聚合物所衍生之Θ -院基環氧丙 醚、及下述通式(C-2)所示苯酸化合物-甲醒縮聚物的聚-石- 烷基環氧基醚爲佳° ch3 ch3 —CH2—
0-CHrCH-CH2 OH . CH. CH.
O-CH,
通式(c-1) 但是在前述通式(c-1)中’ R係表示氫原子及碳數1〜6 的烷基之任一者。η係表示〇〜20的任一整數。
通式(C-2) 〇 其中,前述通式(c-2)中,R係表示氫原子及碳數1〜6 的烷基之任一者。R”係表示氫原子及CH3之任一者,η係 表示0〜20的整數。 該等含有在位置具有烷基的環氧基之環氧化合物可 單獨使用1種’亦可倂用2種以上。又,亦可倂用在1分 子中具有至少2個環氧基氧乙烷類)之環氧化合物、及 含有在Θ位置具有烷基的環氧基之環氧化合物。 前述環氧化合物的骨架以選自雙酚型環氧樹脂、酚醛 清漆型環氧樹脂、脂環族含有型環氧樹脂及難溶性環氧樹 -47- 200947125 脂之至少1種爲佳。 前述在1分子中具有至少2個氧雜環丁烷之環氧化合 • 物可舉出例如雙[(3-甲基-3-氧雜環丁烷基甲氧基)甲基] 醚、雙[(3-乙基-3-氧雜環丁烷基甲氧基)甲基]醚、1,4-雙[3-甲基-3-氧雜環丁烷基甲氧基)甲基]苯、1,4-雙[3-乙基-3-氧 雜環丁烷基甲氧基)甲基]苯、丙烯酸(3-甲基-3-氧雜環丁烷 基)甲酯、丙烯酸(3-乙基-3-氧雜環丁烷基)甲酯、甲基丙烯 酸(3-甲基-3-氧雜環丁烷基)甲酯、甲基丙烯酸(3-乙基- 3- © 氧雜環丁烷基)甲酯或該等的低聚物或共聚物等的多官能 氧雜環丁烷類,及其他具有氧雜環丁烷基的化合物與酚醛 清漆樹脂、聚(對羥基苯乙烯)、卡爾多(cardo)型雙酚類、 杯芳烴(calixarene)類、杯間苯二酌芳烴(calix resorcinarene)類、倍半砂氧院(silsesquioxane)等具有經基 之樹脂等之醚化合物,此外亦可舉出具有氧雜環丁烷環之 不飽和單體與(甲基)丙烯酸烷酯之共聚物等。 φ 又,前述三聚氰胺衍生物可舉出例如羥甲基三聚氰 胺、烷基化羥甲基三聚氰胺(使用甲基、乙基、丁基等將羥 甲基醚化而成之化合物)等。該等可單獨使用1種,亦可倂 用2種以上。該等之中,就保存安定性良好且有效地提升 感光層的表面硬度或硬化膜的膜強度本身而言,以烷基化 羥甲基三聚氰胺爲佳,以六甲基化羥甲基三聚氰胺爲特佳。 前述熱交聯劑在前述感光性組成物固體成分中的固體 成分含量,以1質量50質量%爲佳,以3質量%〜30 質量%爲更佳。前述固體成分含量小於1質量%時,無法觀 -48- 200947125 察到硬化膜的膜強度提升,大於50質量%時,會有產生顯 像性低落或曝光敏感度低落之情形。 <塡料(無機塡料)> 因爲前述塡料(無機塡料)能夠提升永久圖案的表面硬 度,且具有能夠將硬化層本身的介電常數或電介質損耗角 正切抑制爲較低之功能,所以能夠適合使用於本發明的感 光性組成物。 前述塡料沒有特別限制,能夠從眾所周知之物適當地 選擇。可舉出例如高嶺土、硫酸鋇、鈦酸鋇、氧化矽粉、 微粉狀氧化矽、氣相法二氧化矽、非晶二氧化矽、結晶性 二氧化矽、熔融二氧化矽、球狀二氧化矽、滑石、黏土、 碳酸鎂、碳酸鈣、氧化鋁、氫氧化鋁、雲母等。 前述塡料的平均粒徑以小於3微米爲佳,以0.1微米 〜2微米爲更佳。前述平均粒徑係3微米以上時,會有因 光瀰射致使解像度變差之情形。 @ 前述塡料的添加量以5質量%〜75質量%爲佳’以8 質量%〜7 0質量%爲較佳,以1 0質量%〜6 5質量%爲更佳。 前述添加量小於5質量%時,會有無法使線膨脹係數充分 降低之情形,大於90質量%時,在感光層表面形成硬化膜 時,該硬化膜的膜質變脆,在使用永久圖案形成配線時, 會有損害作爲配線的保護膜的功能之情形。 前述塡料亦能夠進而按照必要添加有機微粒子。適當 的有機微粒子沒有特別限制,能夠按照目的適當地選擇’ 可舉出例如三聚氰胺樹脂、苯并胍胺樹脂、交聯聚苯乙烯 -49- 200947125 樹脂等。能夠使用平均粒徑爲由0.1微米〜2微米、吸油量 100平方公尺/克〜200平方公尺/克之二氧化矽、交聯性樹 脂所構成之球狀多孔質微粒子等。 因爲前述塡料(無機塡料)係含有平均粒徑爲0.1微米 〜2微米的粒子,隨著印刷配線基板的薄型化,即便將永 久圖案薄層化至厚度爲5微米至20微米,塡料亦不會將永 久圖案的表背兩面交聯,結果,在加速度試驗(HAST)不會 產生離子移行,能夠作爲耐熱性、耐濕性優良的永久圖案。 <光聚合引發劑> 前述光聚合引發劑能夠使用肟衍生物。又,按照必要 亦可含有其他的光聚合引發劑。 前述肟衍生物沒有特別限制,能夠按照目的適當地選 擇,以至少具有芳香族基之化合物爲佳,以具有下述通式 (I)及通式(Π)的任一者所不部分結構之化合物爲更佳。前 述肟衍生物亦可倂用2種以上。 ❹
Ar ~^C(Y5) = N-〇—Y2)m 通式(I)
Ar = N-。一Y2)m 通式(11) 其中,前述通式(1)及(11)中’ Ar係表示芳香族基及雜 環基之任一者。Y1係表示氫原子及一價的取代基之任一 者,Y2係表示脂肪族基、芳香族基、雜環基、COY3、CChY3 及CONY4Y5之任一者。Y3、Y4及Y5係表示脂肪族基、芳香 -50- 200947125 族基及雜環基之任一者。m係表示1以上的整數。 前述Y1以氫原子、脂肪族基及芳香族基之任一者爲較 佳。 前述Y2以脂肪族基、-CO-(脂肪族基)、-CO-(芳香族 基)、-CO-(雜環基)、-C〇2-(脂肪族基)、-C〇2-(芳香族基)及 -C〇2-(雜環基)之任一者爲佳。 前述Y3及Y4係以脂肪族基及芳香族基之任一者爲佳。 Θ 前述肟衍生物亦可以是前述通式(I)及通式(II)所示結 構透過連結基複數鍵結而構成之化合物。 又,前述通式(I)及通式(II)中,前述脂肪族基係表示 各自亦可具有取代基之烷基、烯基、炔基,前述芳香族係 表示各自亦可具有取代基之芳基、雜環基,前述一價的取 代基係表示鹵素原子、亦可具有取代基之胺基、烷氧基羰 基、羥基、醚基、硫醇基、硫醚基、矽烷基、硝基、氰基, 各自亦可具有取代基之烷基、烯基、炔基、芳基、雜環基。 P 前述芳香族基可舉出由1個至3個的苯環形成稠環而 成者,苯環與5員不飽和環形成稠環者,具體例可舉出苯 基、萘基、蒽基、菲基、茚基、苊基、弗基,其中以具有 苯基及萘基之任一者之基爲佳’以具有萘基之基爲特佳。 又,該等芳香族基亦可具有取代基,此種取代基可舉 出除了由氫原子以外的一價非金屬原子團所構成之基。可 舉出例如後述的烷基、取代烷基或作爲在取代烷基之取代 基已舉出之基等。 又,前述雜環基可舉出吡咯環基、呋喃環基、噻吩環 -51 - 200947125 基、苯并吡略環基、苯并呋喃環基、苯并噻吩環基、π比哩 (pyrazole)環基、異噚唑環基、異噻唑環基、吲唑環基、苯 并異曙哩環基、苯并異噻嗖環基、咪哩環基、曙嗤環基、 噻哩環基、苯并咪哩環基、苯并噚哩環基、苯并噻哩環基、 吡陡環基、喹琳環基、異喹啉環基、塔阱環基、暗陡環基、 吡阱環基、酞畊環基、喹唑啉環基、喹噚啉環基、叱環丙 院環基、菲陡環基、咔·哩環基、嘿哈環基、卩比喃環基、囉 啶環基、哌阱環基、味啉環基、吲哚環基、吲哚阱環基、 色烯(chromene)環基、啐啉環基、吖啶環基、啡噻阱環基、 四唑環基、三阱環基等。該等之中,以呋喃環基、噻吩環 基、咪唑環基、噻唑環基、苯并噻唑環基、吡啶環基、〇引 哚環基、吖啶環基爲特佳。 又,該等雜環基亦可具有取代基,此種取代基可舉出 由除了氫原子之1價的非金屬原子團所構成的之基。可舉 出例如後述的烷基、取代烷基、或作爲在取代烷基之取代 φ 基已舉出之基等。 前述一價的取代基以鹵素原子,亦可具有取代基之胺 基、烷氧基羰基、羥基、醚基、硫醇基、硫醚基、矽烷基、 硝基、氰基、各自亦可具有取代基之烷基、烯基、炔基、 芳基、雜環基爲佳。 前述由非金靨原子所構成之1價的取代基,以各自亦 可具有取代基之烷基、烯基、炔基、芳基、雜環基爲佳。 前述亦可具有取代基之烷基,可舉出例如碳原子數1 〜20之直鏈狀、分枝狀及環狀的烷基,其具體例可舉出甲 -52- 200947125 基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、 癸基、-f—基、十二基、十三基、十六基、十八基、二十 基、異丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、異戊基、新 戊基、1-甲基丁基、異己基、2_乙基己基、2-甲基己基、環 己基、環戊基、2-降萡基等。此等之中,以碳原子數1至 12之直鏈狀的烷基、碳原子數3至12之分枝狀的烷基、 和碳原子數5至10之環狀的烷基爲佳。 A 前述亦可具有取代基之烷基的取代基,可舉出例如除 ❿ 了氫以外之1價的非金屬原子團所構成之基,此種取代基 可舉出例如鹵素原子(-F、-Br、-Cl、-I)、羥基、烷氧基、 芳氧基、氫硫基、烷硫基、芳硫基、烷二硫基、芳二硫基、 胺基、N-烷胺基、Ν,Ν-二烷胺基、N-芳胺基、N,N-二芳胺 基、N-烷基-N-芳胺基、醯氧基、胺甲醯氧基、N-烷基胺甲 醯氧基、N-芳基胺甲醯氧基、N,N-二烷基胺甲醯氧基、N,N-二芳基胺甲醢氧基、N-烷基-N-芳基胺甲醯氧基、烷基硫氧 ❹ (alkyl sulfoxy)基、芳基硫氧(aryl sulfoxy)基、醯硫(aeylthio) 基、醯胺基、N-烷基醯胺基、N-芳基醯胺基、脲基、N’-烷脲基、N’,N’-二烷脲基、Ν’-芳脲基、Ν’,Ν’-二芳脲基、N’-烷基-Ν’-芳脲基、Ν-烷脲基、芳脲基、Ν’-烷基-Ν-烷脲 基、Ν’-烷基-Ν-芳脲基、Ν’,Ν’-二烷基-Ν·烷脲基、Ν’,Ν’-二烷基-Ν-芳脲基、Ν’-芳基-Ν-烷脲基、Ν’-芳基-Ν-芳脲基、 Ν’,Ν’-二芳基-Ν-烷脲基、Ν’,Ν’-二芳基·Ν-芳脲基、Ν’-烷 基-Ν-芳基-Ν-烷脲基、Ν’-烷基-Ν’-芳基-Ν·芳脲基、烷氧基 羰基胺基、芳氧基羰基胺基、Ν-烷基-Ν-烷氧基羰基胺基、 -53- 200947125 N-烷基-N-芳氧基羰基胺基、N-芳基-N-烷氧基羰基胺基、 N-芳基-N-芳氧基羰基胺基、甲醯基、醯基、羧基、烷氧基 羰基、芳氧基羰基、胺甲醯基、N-烷基胺甲醯基、N,N_二 烷基胺甲醯基、N-芳基胺甲醯基、N,N-二芳基胺甲醯基、 N-烷基-N-芳基胺甲醯基、烷基亞磺酸基、芳基亞磺酸基、 烷基磺醯基、芳基磺醯基、磺酸基(-S03H)及其共軛鹼基(稱 爲磺酸根基)、烷氧基磺醯基、芳氧基磺醯基、胺亞磺醯基、 A N-烷基胺亞磺醯基、N,N-二烷基胺亞磺醯基、N-芳基胺亞 磺醯基、N,N-二芳基胺亞磺醯基、N-烷基-N-芳基胺亞磺醯 基、胺磺醯基、N-烷基胺磺醯基、N,N-二烷基胺磺醯基、 N-芳基胺磺醯基、Ν,Ν·二芳基胺磺醯基、N-烷基-N-芳基胺 磺醯基、膦酸基(-Ρ〇3Η2)及其共軛鹼基(稱爲膦酸根基)、二 烷基膦酸基(-Ρ〇3(烷基)2)(以下,f alky丨」係意味著烷基)、 二芳基膦酸基(-P〇3(芳基)2)(以下,「aryl」係意味著芳基)、 烷基芳基膦酸基(-P03(烷基)(芳基))、一烷基膦酸基 〇 (-p〇3H(烷基))及其共軛鹼基(稱爲烷基膦酸根基)、一芳基 膦酸基(-P〇3 Η(芳基))及其共軛鹼基(稱爲芳基膦酸根基)、 膦醯氧基(-0Ρ03Η2)及其共轭鹼基(稱爲膦酸根氧基)、二烷 基膦醯氧基(-0Ρ03Η (烷基)2)、二芳基膦醯氧基(-〇Ρ〇3(芳 基)2)、烷基芳基膦醯氧基(-〇Ρ〇3(烷基)(芳基))、一烷基膦 醯氧基(-ορο3η(烷基))及共軛鹼基(稱爲烷基膦酸根氧基 基)、一芳基膦醯氧基(-0Ρ03Η(芳基))及共軛鹼基(稱爲芳基 膦酸根氧基)、氰基、硝基、芳基、烯基、炔基、雜環基、 矽烷基。 -54- 200947125 在該等取代基之烷基的具體例,可舉出前述旳院基, 在前述取代基之芳基的具體例可舉出苯基、聯苯棊、萘基、 甲苯基、二甲苯基、茱基、異丙苯基、氯苯基、溴苯基、 氯甲基苯基、羥苯基、甲氧基苯基、乙氧基苯基、苯氧基 苯基、乙醯氧基苯基、苯甲醯氧基苯基、甲硫基苯基、苯 硫基苯基、甲胺基苯基、二甲胺基苯基、乙醯胺基苯基、 羧苯基、甲氧基羰基苯基、乙氧基羰基苯基、苯氧基簾基 @ 苯基、N-苯基胺基甲醯基苯基、氰基苯基、磺酸基苯基、 磺酸根基苯基、膦酸基苯基及鱗酸根基苯基等。 在前述取代基之烯基可舉出例如乙烯基' 、 卜丁烯基、肉桂基、2 -氯-1-乙烯基等。在前述取代基之快 基可舉出例如乙炔基、1-丙炔基、1-丁炔基、三甲基砂院 基乙炔基等。 在前述取代基之雜環基可舉出例如吡啶基、哌啶基等。 在前述取代基之矽烷基可舉出三甲基矽烷基。 P 在前述取代基亦可含有醯基(R^co-),該醯基之該rm 可舉出例如氫原子、前述的烷基、芳基等。 醯基(R^co-)之rM可舉出氫原子及前述的烷基、芳 基。該等取代基中,以鹵素原子(-F、-Br、-C1、-1)、烷氧 基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、N -烷胺基、N,N -二烷胺基、 酿氧基、N-烷基胺甲醯氧基、N-芳基胺甲醯氧基、醯胺基、 甲醯基、醯基、羧基 '烷氧基羰基、芳氧基羰基、胺甲醯 基、N-烷基胺甲醯基、Ν,Ν-二烷基胺甲醯基、N-芳基胺甲 醯基、Ν-烷基-Ν-芳基胺甲醯基、磺酸基、磺酸根基、胺磺 -55- 200947125 醯基、N-烷基胺磺醯基、N,N_二烷基胺磺醯基、N-芳基胺 磺醯基、N-烷基-N-芳基胺磺醯基、膦酸基、膦酸根基、二 烷基膦酸基、二芳基膦酸基、一烷基膦酸基、烷基膦酸根 基、一芳基膦酸基、芳基膦酸根基、膦醯氧基、膦酸根氧 基、芳基、烯基爲更佳。 另一方面,在取代烷基之伸烷基可舉出例如從前述碳 數1〜2 0之烷基上脫除氫原子中之任一個,而成爲2價的有 赢 機殘基之物,以例如碳原子數1至12之直鏈狀、碳原子數 ❹ 3至12之分枝狀及碳原子數5至10之環狀的伸烷基等爲 佳。藉由組合此種取代基與伸烷基而得到之取代基’較佳 取代烷基之具體例可舉出氯甲基、溴甲基、2·氯乙基、三 氟甲基、甲氧基甲基、異丙氧基甲基、丁氧基甲基、第二 丁氧基丁基、甲氧基乙氧基乙基、芳氧基甲基、苯氧基甲 基、甲硫基甲基、甲苯硫基甲基、卩比陡基甲基、四甲基哌 啶基甲基、N-乙醯基四甲基哌啶基甲基、三甲基矽烷基甲 Q 基、甲氧基乙基、乙胺基乙基、二乙胺基丙基、味啉丙基、 乙醯氧基甲基、苯甲醯氧基甲基、N-環己基胺甲醯氧基乙 基、N-苯基胺甲醯氧基乙基、乙醯胺基乙基、甲基苯甲 醯胺基丙基、2 -側氧乙基、2_側氧丙基、竣丙基、甲氧基 羰基乙基、芳氧基羰基丁基、氯苯氧基羯基甲基、胺甲醯 基甲基、N -甲基胺甲醢基乙基、N,N_:丙基胺甲醯基甲基、 N-(甲氧基苯基)胺甲醯基乙基、N_甲基_N_(磺酸基苯基)胺 甲醯基甲基、磺酸基丁基、磺酸根基丁基、胺磺醯基丁基、 N-乙基胺磺醯基甲基、N,N-二丙基胺擴酿基丙基、N -甲苯 -56 - 200947125 基胺磺醯基丙基、N-甲基-N-(膦酸基苯基)胺磺醯基辛基、 膦酸基丁基、膦酸根基己基、二乙基膦酸基丁基、二苯基 膦酸基丙基、甲基膦酸基丁基、甲基膦酸根基丁基、甲苯 基膦酸基己基、甲苯基膦酸根己基、膦醯氧基丙基、膦酸 根氧基丁基、苄基、苯乙基、α-甲基苄基、1-甲基-1-苯基 乙基、對甲基苄基、肉桂基、烯丙基、1-丙烯基甲基、2-丁烯基、2-甲基烯丙基、2-甲基丙烯基甲基、2-丙炔基、2- Α 丁炔基、3 -丁炔基等。 〇 前述芳基可舉出例如苯環、1個至3個苯環形成稠環 者' 苯環與5員不飽和環形成稠環者等,具體例可舉出苯 基、萘基、蒽基、菲基、茚基、苊基、蒹基。此等之中, 以苯基、萘基爲佳。 代芳基能夠使用由除了氫原子以外之一價的非 iMM+團所構成的基作爲在前述的芳基的環形成碳原子 之取代基者’較佳的取代基例子,可舉出前述的烷基、取 〇 代院基及先前舉出作爲取代烷基的取代基者。 即述取代芳基的較佳具體例,可舉出聯苯基、甲苯基、 一甲本基、釆(mesityl)基 異丙苯基(Cumenyl)、氯苯基、 漠苯基、氣苯基、氯甲基苯基、三氟甲基苯基羥苯基、 甲氧基本基、甲氧基乙氧基苯基、烯丙氧基苯基、苯氧基 苯基、甲硫基苯基、甲苯硫基苯基、乙胺基苯基、二乙胺 基本基、味咐苯基、乙醯氧基苯基、苯甲醯氧基苯基、N_ 環己基胺甲酿氧基苯基、N-苯基胺甲醯氧基苯基、乙醯基 胺基苯基、N-甲基苯甲醯基胺基苯基、羧苯基、甲氧基羰 -57- 200947125 基苯基、芳氧基羰基苯基、氯苯氧基羰基苯基、胺甲醯基 苯基、N-甲基胺甲醯基苯基、N,N_:丙基胺甲醯基苯基、 N-(甲氧基苯基)胺甲醯基苯基、N_甲基_N_(磺酸基苯基)胺 甲醯基苯基、磺酸基苯基、膦酸根基苯基、胺磺醯基苯基、 N-乙基胺擴醯基苯基、N_N_二丙基胺磺醯基苯基、N_甲苯 基胺磺醯基苯基、>^甲基_;^_(膦酸基苯基)胺磺醯基苯基、 鱗酸基苯基、膦酸根基苯基、二乙基膦酸基苯基、二苯基 0 隣酸基苯基、甲基膦酸基苯基、甲基膦酸根基苯基、甲苯 基膦酸基苯基、甲苯基膦酸根基苯基、烯丙基、卜丙烯基 甲基苯基、2-丁烯基苯基、2_甲基烯丙基苯基、2-甲基丙烯 基苯基'2-丙烯基苯基' 2_ 丁炔基苯基及3_ 丁炔基苯基等。 前述烯基、前述取代烯基、前述炔基及前述取代炔基 (C(R02) = C(R03)(R04))及卜c 三 c(R05))能夠使用 R02、R03、 及RW係由一價的非金屬原子團所構成的之基者。 前述RG2、RQ3、RG4、rQ5以氫原子、鹵素原子、烷基、 Ο V 取代烷基、芳基及取代芳基爲佳,該等的具體例可舉出前 述顯示作爲例子者。該等之中,以氫原子、鹵素原子、碳 原子數1至10之直鏈狀的烷基、分枝狀的烷基、環狀的院 基爲佳。 具體例可舉出乙烯基、1-丙烯基、1-丁烯基、丨_戊嫌基、 己烯基、1-辛烯基、1-甲基-1-丙烯基、2-甲基,丨_丙稀基、 2·甲基-丨·丁烯基、八苯基-卜乙烯基、2_氯-丨_乙燦基、乙块 基、1-丙炔基、1-丁炔基、苯基乙炔基等。 雜環基例如可舉出已例示作爲取代烷基的趵你他 M tX基之批 -58- 200947125 啶基等。 上述含氧基(RQ6〇-)可舉出RQ6係由除 非金屬原子團所構成之基者。較佳取代含 基、芳氧基、醯氧基、胺甲醯氧基、N-院 N-芳基胺甲醯氧基、N,N-二烷基胺甲醯氧 胺甲醯氧基、N-烷基-N-芳基胺甲醯氧基 sulfoxy)基、芳基硫氧基、膦醢氧基、膦酵 I 等之烷基及芳基可舉出前述舉出作爲烷基 ❹ 基及取代芳基者。又,在醯氧基之醢基(R 出先前的例子所舉出的烷基、取代烷基、 者。該等取代基之中,以烷氧基、芳氧基 硫氧基爲更佳。較佳取代氧基的具體例可 氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、戊氧 二烷氧基、苄氧基、烯丙氧基、苯乙基氧3 甲氧基羰基乙基氧基、乙氧基羰基乙基氧 〇 基、苯氧基乙氧基、甲氧基乙氧基乙氧基 乙氧基、味啉乙氧基、味啉丙氧基、芳氧3 苯氧基、甲苯基氧基、二甲苯基氧基、采 基氧基 '甲氧基苯氧基、乙氧基苯氧基、 氧基、乙醯氧基、苯甲醯氧基、萘氧基、 膦醯氧基、膦酸根氧基等。 亦可含有醯胺基之胺基(RG8NH-、(R09 用RG8、RG9及R〇1(>係由除了氫原子以外的 構成之基者。又,RG9與RQ1()亦可鍵結而开 了氫原子以外的 氧基可舉出烷氧 基胺甲醯氧基、 ,基、N,N-二芳基 、烷基硫氧(alkyl 〖根氧基等。在該 、取代烷基、芳 〇7CO_),R07 可舉 芳基及取代芳基 、醯氧基 '芳基 舉出甲氧基、乙 基、己氧基、十 S、羧乙基氧基、 基、甲氧基乙氧 、乙氧基乙氧基 I乙氧基乙氧基、 基氧基 '異丙苯 氯苯氧基、溴苯 苯基磺醯氧基、 能夠使 丨非金屬原子團所 多成環。取代胺基 -59- 200947125 的較佳例子可舉出N-院胺基、N,N -二院胺基、N-芳胺基、 N,N-二芳胺基、N_烷基_N_芳胺基、醯胺基、N-烷基醯胺基、 N-芳基醯胺基、脲基、N’-烷脲基、N,,N,-二烷脲基、N,_ 芳脲基、N,,N’-二芳脲基、Ν’-烷基_N’_芳脲基、…烷脲基、 N-芳脲基、N,·烷基-N-烷脲基、Ν’-烷基-N-芳脲基、N,,N,- 二烷基-N-烷脲基、Ν’-烷基-Ν’-芳脲基、n’,N,-二烷基_N_ 烷脲基、N,,N’-二烷基-Ν’-芳脲基、ν’-芳基-N-烷脲基、n,_ • 芳基-N-芳脲基、N’,N’-二芳基-N-烷脲基、N’,N,-二芳基卞 〇 芳脲基、Ν’-院基-Ν’_芳基-N-院脲基、Ν’-院基-Ν’-芳基 芳脲基、烷氧基羰基胺基、芳氧基羰基胺基、N-烷基_N_ 烷氧基羰基胺基、N-烷基-N-芳氧基羰基胺基、N_芳基_N_ 烷氧基羰基胺基、芳基-N-芳氧基羰基胺基等。在該等之 烷基及芳基可舉出前述已出示作爲烷基、取代烷基、及芳 基、取代芳基者。又’醯胺基、Ν-烷基醯胺基、Ν-芳基酿 胺基之醯基(R07CO-)的R”係如前述。該等之中,以Ν_^ 〇 胺基、Ν,Ν-二烷胺基、芳胺基、醯胺基爲更佳。較佳胺 基的具體例可舉出甲胺基、乙胺基、二乙胺基、味啉基、 哌啶基、吡咯啶基、苯胺基、苯甲醯胺基、乙醯胺基等。 前述磺醯基(R011-S〇2_)可舉出例如R^11係由一價的非 金屬原子團所構成之基者。以例如烷基磺醯基、芳基磺醯 基等爲較佳。在該等之烷基及芳基可舉出前述已出示作爲 烷基、取代烷基、及芳基、取代芳基者。此種取代磺醯基 的具體例可舉出丁基磺醯基、苯基磺醯基、氯苯基磺醢基 等。 -60- 200947125 前述磺酸根基(-S03-)係如前述,係意味著磺酸基 (-S03H)的共軛鹼基陰離子基,通常係與抗衡陽離子一同使 用爲佳。此種抗衡陽離子能夠適當地選擇通常已知者,例 如鎗類(例如銨類、锍類、鱗類、碘鎗類、疊氮鑰類等)、 金屬離子類(例如Na+、K+、Ca2+、Zn2 +等)。 取代羰基(R^lCO-)可舉出例如Ι^13係由一價的非金 屬原子團所構成之基者。取代羰基可舉出的較佳例子,可 舉出甲醯基、醯基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、胺 甲醯基、Ν-烷基胺甲醯基、Ν,Ν-二烷基胺甲醯基、Ν-芳基 胺甲醯基、Ν,Ν-二芳基胺甲醯基、Ν-烷基-Ν’-芳基胺甲醯 基等。該等之烷基及芳基可舉出前述已出示作爲烷基、取 代烷基、及芳基、取代芳基者。該等之中,較佳取代羰基 可舉出甲醯基、醯基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、 胺甲醯基、Ν-烷基胺甲醯基、Ν,Ν-二烷基胺甲醯基、Ν-芳 基胺甲醯基爲佳,以甲醯基、醯基、烷氧基羰基、芳氧基 Q 羰基爲更佳。較佳的取代羰基之具體例可適合舉出甲醯 基、乙醯基、苯甲醯基、羧基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、 芳氧基羰基、二甲胺基苯基乙烯基羰基、甲氧基羰基甲氧 基羰基、Ν-甲基胺甲醯基、Ν-苯基胺甲醯基、Ν,Ν-二乙基 胺甲醯基、味啉羰基等。 取代亞磺醯基(RW^SO-)能夠使用R°14係由一價的非 金屬原子團所構成之基者。較佳例子可舉出例如烷基亞磺 醯基、芳基亞磺醯基、胺亞磺醯基、N-烷基胺亞磺醯基、 N,N-二烷基胺亞磺醯基、N-芳基胺亞磺醯基、N,N-二芳基 -61- 200947125 胺亞磺醯基、N-烷基-N-芳基胺亞磺醯基等。在該等 及芳基可舉出前述已出示作爲烷基、取代烷基、及 取代芳基者。該等之中,較佳的例子可舉出烷基亞磺 芳基亞磺醯基。此種取代亞磺醯基的具體例可適合 基亞磺醯基、苄基亞磺醯基、甲苯基亞磺醯基等。 取代膦酸基係意味著膦酸基上的羥基之一至二 其他的有機側氧基所取代而成者,較佳例子可舉出 φ 二烷基膦酸基、二芳基膦酸基、烷基芳基膦酸基、 膦酸基、一芳基膦酸基等爲佳。該等之中以二烷基 及二芳基膦酸基爲更佳。此種具體例可舉出二乙 基、二丁基膦酸基、二苯基隣酸基等。 膦酸根基(-P03H2_、-Ρ03Η_)係如前述,係意味 膦酸基(-P〇3H2)的酸第一解離或酸第二解離之共軛 子基。通常係與抗衡陽離子一同使用爲佳。此種抗 子可舉出通常已知者,亦即各種鎗類(例如銨類、锍 Ο 類、碘鑰類、疊氮鑰類等)、金屬離子類(Na+、K+、 Zn2 +等)。 取代膦酸根基亦可以是在前述的取代膦酸基內 被一個有機側氧基取代而成者的共軛鹸陰離子基, 可舉出前述的一烷基膦酸基(-P〇3H(alkyl))、一芳基 (-P03H(aryl))的共軛鹼基。 前述肟衍生物以下述通式(III)及通(IV)的任一 之化合物爲更佳》 之烷基 芳基、 醯基、 舉出己 個係被 前述的 一院基 鱗酸基 基隣酸 著來自 鹼陰離 衡陽離 類、鐃 Ca2+、 ,羥基 具體例 膦酸基 者所示 -62- •12200947125
Ν-Ο-Υ Ν'0-Υ12
通式(III) 通式(IV) φ 其中,前述通式(III)及通式(IV)中,R1Q1係與在通式(1) 及通式(II)之Y1同義,Y12係與在通式(I)及通式(II)之Y2 同義。 前述R1Q1以氫原子及脂肪族基之任一者爲佳,以碳原 子數1至10之脂肪族基爲特佳。 前述脂肪族基可舉出例如甲基、乙基、丙基、辛基' 烯丙基等。 前述γ12係以-co-(脂肪族基)爲特佳。前述Y12中的脂 Θ 肪族基以碳原子數1至10的脂肪族基爲佳。 具體上,例如以甲基、乙基、丙基、丁基、辛基'壬 基、環己基、己基等爲佳。 前述肟衍生物的其他具體例可舉出例如特胃 2001- 233842號公報、特表 2004-534797號公報、特表 2002- 5 1 973 2號公報所所揭示之化合物,及下述結構式所示 之化合物等。 -63- 200947125
N—O—C—CH3 〇
〇 N—O—C_CH3
-64 - 200947125 上述結構中,R係表示 n-C3H7、n-C8H17、樟腦及 p-CH3C6H4 之任一者。
上述結構中,R係表示11-(:3117及p-CH3C6H4之任一者。
-65- 200947125
coch3 I 0
XN
-66 - 200947125
ch3 n.0-C0C3H7
-67 200947125 C6h13\^N-〇—COCH3 w6' '13^^'c0
N
O-COCH3 ^Ηΐ3
CH3_N-0-COCH3 η CH3v.N-〇'COCH3 ch3^,n-o-coch3ή i ch3^.n-o-coch3 ch3x,n-o-coch3 ❹
ch3 3 丫…aci ❹ (i OCH3 OCH3 CH3^^N~〇-CH2~^~^ och3 0CH3 CH3、^N-〇-CON(C2H5)2 OC12H25 s—ch3 .n-o-coch3 c2h5. N-o-cocHg Λ (I y li och3 och3 I3V.N-0-CO2CH3 ch3、 Nn^.N-〇-C〇2C2H5 Λ fi U il och3 OCH3
-o OCH3 下述通式(5)所示之肟衍生物亦可適合使用作爲前述 肟衍生物。
N Ό-Υ2
(Y5 )m —A (a 通式(V) -68- 200947125 其中,前述通式(V)中,Y2、Ar係與在通式(1)及通式 (II)同義,m係表示0以上的整數。Y5係表示取代基,m爲 2以上時,該Y5可以相同亦可以不同。A係表示4、5、6 及7員環之任一者,該等環亦可各自含有雜原子。 在前述通式(V)所示之肟衍生物之中,以下述通式(VI) 所示之化合物爲更佳,下述通式(VII)及(VIII)之任一者所示 之化合物爲特佳。
Ν-°·Υ2 通式(VI) 其中,前述通式(VI)中,Υ2、Υ5 ' m及Ar係與在通式 (V)同義。X係表示〇、及s之任一者。A係表示5及6員 環之任一者。 〇
通式(VII) 通式(VIII) -69 200947125 其中,前述通式(VII)及通式(VIII)中,6 ★ _ γ 亦袠示可具 取代基之院基。1係表示〇〜6之任一整數 7 戮。γ係表示烷 基、烷氧基、芳氧基、鹵素原子、磺醯基及 者 氧基之任一 考’ 1爲2以上時,該r可以相同亦可以不同。χ及A係 與通式(VI)同義。 前述通式(V)及(VI)中’ Y5所示之取代基沒有特別限 』’可舉出例如院基、烷氧基、芳氧基、鹵素原子、磺醯 基、醯氧基、硝基、醯胺基等。該等之中,以烷基、烷氧 $ '芳氧基、鹵素原子、磺醯基及醯氧基之任一者爲佳。 在此’前述通式(V)所示肟衍生物的具體例可舉出例如 下述結構式(1)〜(54)所示之化合物,但是在本發明’未限 定於該等。 -70- 200947125
結構式(1) 結構式(2) 結構式(3) 結構式(4) 結構式(5) 結構式(6)
結構式⑺ 結構式(8) 結構式(9) 結構式⑽ 結構式(11) 結構式(12)
結構式(22)
結構式(16)
-OAC
結構式⑽
結構式(23) 結構式(24) 結構式(25)
結構式(26) 〇ac y
OAc
結構式(28) 結構式(27)
-71 - 200947125
結構式P9)結構式(30) 結構式(31) 結構式(32) 結構式(33) 結構式(34) OAc ,OAc
結構式(35) 結構式(36) rOAc
結構式(38)
Ph 結構式(37) 結構式(39)
結構式(40) 結構式(41) 結構式(42) 結構式(43) 結構式(44) ΟΗ κγ0Η
結構式(45) 結構式(46)
OAc
結構式(49) 結構式(50) 結構式(51)
結構式(52)
結構式(53)
?AC
結構式(54) 其中,前述結構式(1)〜(54)中,Me係表示甲基。Ph 係表示苯基。Ac係表示乙醯基。 _ 前述肟衍生物的含量係例如換算成固體成分以0.1〜 ❹ 1 5質量%爲佳,以0.5〜1 0質量%爲更佳,以1.0〜8.0質量 %爲特佳。少於〇. 1質量%時,會有敏感度低落而難以得到 充分硬度的硬化膜之情形。大於15質量%時,不僅是薄膜 化時膠黏性變差,而且因爲Tg下降,會有硬化膜變脆掉之 情形。 -其他的光聚合引發劑- 前述其他的光聚合引發劑,只要是具有引發前述聚合 性化合物的聚合之能力時,沒有特別限制,能夠從眾所周 -72- 200947125 知的光聚合引發劑之中適當地選擇,例如,以對紫外線區 域至可見光線具有感光性者爲佳,亦可以是與被光激發的 敏化劑產生某種作用,來生成活性自由基之活性劑,亦可 以是按照單體的種類而引發陽離子聚合之引發劑。 又,前述光聚合引發劑以含有至少1種在波長約300 奈米〜8 00奈米的範圍內具有至少約爲50的分子吸數係數 之成分爲佳。前述波長以330奈米〜500奈米爲更佳。 ^ 前述其他的光聚合引發劑可舉出例如具有鹵化烴衍生 物(例如,具有三阱骨架者、具有噚二唑骨架者等)、六芳 基咪唑、有機過氧化物、硫化合物、酮化合物、吖啶化合 物、金屬茂類等。具體上,可.舉出特開2005-258431號公報 所記載之化合物等。該等之中,從感光層的敏感度、保存 性及感光層與基板之黏附性等之觀點,以酮化合物及吖啶 化合物爲佳。前述其他的光聚合引發劑可單獨使用1種, 亦可倂用2種以上。 〇 前述光聚合引發劑在前述感光性組成物中的固體成分 含量以0.1質量%〜30質量%爲佳,以0.5質量%〜20質量 %爲更佳,以0.5質量%〜15質量%爲特佳。 (其他成分) 前述其他成分可舉出例如黏附促進劑、敏化劑、熱聚 合抑制劑、可塑劑、著色劑(著色顏料或染料)等,而且亦 可倂用其他助劑類(例如,導電性粒子、塡料、消泡劑、難 燃劑、調平劑、剝離促進劑 '抗氧化劑、香料、表面張力 調整劑、鏈轉移劑等)。藉由適當地含有該等,能夠調整目 -73- 200947125 * 標感光性薄膜的安定性、照相性、膜物性等的性質。 •黏附促進劑- 爲了提升各層間的黏附性或感光層與基體的黏附性’ 能夠在各層使用眾所周知之所謂的黏附促進劑。 前述黏附促進劑可適合舉出特開平5- 1 1 43 9號公報、 特開平5-341532號公報及特開平6-43638號公報所記載之 黏附促進劑。具體上,可舉出苯并咪唑、苯并噚唑、苯并 ^ 噻唑、2-氫硫基苯并咪唑、2-氫硫基苯并曙唑、2-氫硫基苯 〇 并噻唑、3-味啉甲基-1-苯基-三唑-2-硫酮、3-味啉甲基- 5-苯基-噚二唑·2-硫酮、5-胺基-3-味啉甲基-噻二唑-2-硫酮、 2-氫硫基-5-甲硫基-噻二唑、三唑、四唑、苯并三唑、羧基 苯并三唑、含胺基的苯并三唑、矽烷偶合劑等。 相對於前述感光層的總成分,前述黏附促進劑的含量 以0.0 0 1質量%〜2 0質量%爲佳,以0 · 〇 1質量%〜1 0質量% 爲更佳,以〇 . 1質量%〜5質量%爲特佳。 〇 -敏化劑- 前述感光性組成物亦含有敏化劑》 從在將前述感光層曝光且顯像時,在該曝光及顯像 後,不會使該感光層的曝光部分之厚度產生變化而能夠提 升前記光線的最小能量(敏感度)之觀點,前述敏化劑以併 用爲特佳。 前述敏化劑能夠配合前述光照射手段(例如,可見光線 或紫外光線及可見光雷射等)而適當地選擇。 前述敏化劑係藉由活性能量線呈激發狀態,藉由與其 -74- 200947125 他物質(例如,自由基產生劑、酸產生劑等)互相作用 能量移動、電子移動等),能夠產生自由基或酸等有 前述敏化劑係含有選自縮環化合物、胺基苯基 合物、多核芳香族類者、具有酸性核者、具有鹼性 具有螢光增白劑核者之至少1種,且亦可按照必要 他的敏化劑。從提升敏感度而言,敏化劑以雜縮環 物、胺基二苯基酮系化合物爲更佳,以雜縮環系化 ^ 特佳。 ❹ --縮環系化合物-- 在前述例示化合物之中,芳香族環或雜環爲縮 的化合物(縮環系化合物)以雜縮環系化合物爲佳。 縮環系化合物係意味著在環中具有雜元素之多環化 在前述環之中,以含有氮原子者爲佳。前述縮環縮 物可舉出例如縮環縮系酮化合物。前述縮環縮系酮 之中,以吖啶酮化合物及噻噸酮化合物爲更佳,該等 Q 以噻噸酮化合物爲特佳。 前述雜縮環系酮化合物具體上可舉出例如吖啶 吖啶嗣、N -甲基吖啶酮、N -丁基dT啶酮、N -丁基-氯 等的吖啶酮化合物;噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-噻噸酮、1-氯-4-丙氧基噻噸酮、Quatacure QTX等 酮化合物;3-(2 -苯并呋喃甲醯基)_7_二乙基胺基香 3-(2 -苯并呋喃甲醯基)-7-(1-吡咯啶基)香豆素、3 -苯 -7-二乙基胺基香豆素、3-(2-甲氧基苯甲醯基)-7-二 基香豆素、3-(4-二甲胺基苯甲醯基)_7_二乙胺基香 (例如, 用基。 酮系化 核者、 含有其 系化合 合物爲 環而成 前述雜 合物, 系化合 化合物 5之中, 酮、氯 吖啶酮 二乙基 的噻噸 豆素、 甲醯基 乙基胺 豆素、 -75- 200947125 3,3,-羰基雙(5,7-二-正丙氧基香豆素)、3,3’ -羰基雙(7·二 乙胺基香豆素)、3-苯甲醯基-7-甲氧基香豆素、3-(2-呋喃 甲醯基)-7·二乙胺基香豆素、3-(4-二乙胺基肉桂醯基)-7· 二乙胺基香豆素、7-甲氧基-3-(3-吡啶基羰基)香豆素、3-苯甲醯基-5,7-二丙氧基香豆素、7-苯并三唑-2-基-香豆素、 7 -二乙胺基-4 -甲基香豆素,又,可舉出特開平5-19475號 公報、特開平7-271028號公報、特開2002-363206號公報、 特開2002-3 63207號公報、特開2 002- 3 63 20 8號公報、特 開2002-363209號公報等所記載之香豆素化合物等的香豆 素類等。 又,可舉出眾所周知的多核芳香族類(例如芘、茈 (perylene)、三鄰亞苯)、咕噸類(例如營光素、曙紅、赤藻 辛(erythrosine)、若丹明B、玫瑰紅)、花青苷類(例如,吲 哚碳花青、噻碳花青、氧雜碳花青)、部花青素類(例如部 花青素、碳部花青素)、噻阱類(例如硫僅、亞甲基藍、甲 苯胺藍)、蒽醌類(例如,蒽醌)、角鯊鎗類(例如,角鯊鎗) 等。 相對於前述感光性組成物的總固體成分,前述敏化劑 的含量以〇 · 〇 1質量%〜4質量%爲佳,以0 · 0 2質量%〜2質 量%爲更佳,以〇.〇5質量%〜1質量%爲特佳。 前述含量小於 〇.〇1質量%時,會有敏感度低落之情 形,大於4質量%時,會有圖案的形狀變差之情形。 在前述感光性組成物之前述敏化劑與光聚合引發劑的 含量之質量比,以[(敏化劑)/(肟衍生物〜1/100爲 -76- 200947125 佳,以1/1〜1/50爲更佳。 前述敏化劑的含量與前述光聚合引發劑的含量之質量 比在上述範圍外時,會有敏感度低落且敏感度的經時變化 變差之情形。 -熱聚合抑制劑- 爲了防止在前述感光層之前述聚合性化合物的熱聚合 或經時性聚合,亦可添加前述熱聚合抑制劑。 前述熱聚合抑制劑可舉出例如4·甲氧基苯酚、氫醌、 ® 烷基或芳基取代氫醌、第三丁基兒茶酚、五倍子酚、2·羥 基二苯基酮、4 -甲氧基-2-羥基二苯基酮、氯化亞銅、啡噻 阱、氯醌、萘胺、/5-萘酚、2,6-二第三丁基-4-甲酚、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、吡啶、硝基苯、二硝 基苯、苦味酸、4-甲苯胺、亞甲基藍、銅與有機鉗合劑反 應物、柳酸甲酯及啡噻畊、亞硝基化合物、亞硝基化合物 與A1的鉗合劑等》 相對於前述聚合性化合物’前述熱聚合抑制劑的含量 Θ 以0.001質量%〜5質量%爲佳’以0.005質量%〜2質量% 爲較佳,以〇.〇1質量%〜1質量%爲更佳。 前述含量小於0.001質量%時’會有保存時的安定性低 落之情形,大於5質量%時’會有對活性能量線的敏感度 低落之情形。 -可塑劑- 爲了控制前述感光層的膜物性(撓性)’亦可添加前述 可塑劑。 前述可塑劑可舉出例如酞酸二甲酯、酞酸二丁酯、酞 -77- 200947125 酸二異丁酯、酞酸二庚酯、酞酸二辛酯、酞酸二環己酯、 酞酸十三烷酯、酞酸丁基苄酯、酞酸二異癸酯、酞酸二苯 酯、酞酸二烯丙酯、酞酸辛基辛酯等的酞酸酯類;三甘醇 二乙酸酯、四甘醇二乙酸酯、酞酸二甲基乙二酯、乙基酞 醯基乙基乙醇酸酯、甲基酞醯基乙基乙醇酸酯、丁基酞醯 基丁基乙醇酸酯、三甘醇二辛酸酯等的二醇酯類、磷酸三 甲苯酯、磷酸三苯酯等的磷酸酯類;4-甲苯磺醯胺、苯磺 ^ 醯胺、N-正丁基苯磺醯胺、N-正丁基乙醯胺等的醯胺類; 〇 己二酸二異丁酯、己二酸二辛酯、癸二酸二甲酯、癸二酸 二丁酯、壬二酸二辛酯、順丁烯二酸二丁酯等的脂肪族二 元酸酯類;檸檬酸三乙酯、檸檬酸三丁酯、甘油三乙醯酯、 月桂酸丁酯、4,5-二環氧環己烷-1,2-二羧酸二辛酯等、聚 乙二醇、聚丙二醇等的二醇類。 相對於前述感光性組成物的總成分,前述可塑劑的含 量以0.1質量°/。〜50質量%爲佳,以0.5質量%〜40質量% 〇 爲較佳,以1質量%〜3 0質量%爲更佳。 -著色顏料- 前述著色顏料沒有特別限制,能夠按照目的而適當地 選擇,可舉出例如維多利亞純藍_BO(C.I.42595)、阿拉明 (Auramine)(C.1.4 1 000)、脂溶黑 HB(C.1.26 1 50)、莫諾賴特 黃(Monoliteyellow)GT(C.I.顏料黃 12)、永久黃 GR(C.I.顏 料黃17)、永久黃HR(C.I.顔料黃83)、永久胭脂紅FBB(C.I. 顏料紅146)、霍斯特永久紅(Hoster Perm Red) ESB(C.I.顏 料紫19)、永久紅寶石FBH(C.I.顏料紅11)、堅牢粉紅B超 -78- 200947125 級(C.I.顏料紅81)、莫納斯特(Monastral)堅牢藍(C.I·顔料 藍15)、莫諾賴特堅牢黑B(C.I.顏料黑1)、碳黑、C.I.顏料 紅97、C.I.顏料紅122、C.I.顔料紅149、C.I.顏料紅168、 C.I_顏料紅177、C_I.顏料紅180、C.I.顔料紅192、C.I·顏 料紅215、C_I·顏料綠7、C.I.顏料綠36、C.I.顏料藍15: 1、 C.I.顏料藍 15: 4、C.I.顏料藍 15: 6、C.I.顏料藍 22、C.I. 顏料藍60、C.I.顏料藍64等。該等可單獨使用1種,亦可 ^ 倂用2種以上。能夠使用按照目的適當地選自眾所周知的 Ό 染料中之染料。 前述著色顔料在前述感光性組成物中的固體成分含 量,能夠考慮形成永久圖案時的感光層之曝光強度、解像 性等而決定,因前述著色顏料的種類而異,通常以0.01質 量%〜10質量%爲佳,以0.05質量%〜5質量%爲更佳。 (感光性薄膜) 本發明的感光性薄膜係在支撐體層積由感光性組成物 〇 所構成之感光層而構成。以在前述感光層上層積保護層而 •構成爲佳,而且可按照必要層積緩衝層、氧隔離層(PC層) 等其他的層。 前述感光性薄膜的形態沒有特別限制,能夠按照目的 而適當地選擇,可舉出例如在前述支撐體上’依照順序具 有前述感光層、前述保護層而構成之形態;在前述支撐體 上,依照順序具有前述PC層、前述感光層、前述保護層而 構成之形態;及在前述支撐體上,依照順序具有前述緩衝 層、PC層、前述感光層、前述保護層而構成之形態。又, -79- 200947125 前述感光層可以是單層,亦可以是複數層。 <感光層> 前述感光層在前述感光性薄膜所設置的位置,沒有特 別限制,能夠按照目的而適當地選擇,通常係層積於前述 支撐體上。 前述感光層在後述的曝光製程,藉由具有η個描畫部 之光調變手段來接受從光照射手段的光線並射出,在使來 I 自前述光照射手段的光線調變後,以使用通過配列有微透 鏡而成的微透鏡陣列之光線來曝光爲佳,該微透鏡具有非 球面其能夠修正在藉由光調變手段將光線調變後,因在前 述描畫部的射出面的變形所產生的偏差。 在將前述感光層曝光且顯像時,不會使該感光層的曝 光部分的厚度在該曝光及顯像後產生變化之前記曝光所使 用光線的最小能量,以100mJ/cm2以下爲佳,以70mJ/cm2 以下爲更佳。在前述曝光所使用的光線的最小能量大於 〇 1 〇〇mJ/cm2時,因爲膠黏時間增長,乃是不佳。 在此,「不會使該感光層的曝光部分的厚度在該曝光及 顯像後產生變化之前記曝光所使用光線的最小能量」係指 所謂的顯像敏感度,例如能夠從顯示將前述感光層曝光時 在前述曝光所使用的能量(曝光量)與隨著前述曝光而藉由 顯像處理所生成的前述硬塗層的厚度之關係(敏感度曲線) 來求得。 前述硬化層的厚度係隨著前述曝光量而逐漸增加,隨 後,與前述曝光前的前述感光層的厚度大致相同且大致一 -80- 200947125 定。前述顯像敏感度係藉由讀取前述硬化層的厚度成爲大 致一定時之最小曝光量所得到的値。 在此,前述硬化劑的厚度與前述曝光前的前述感光層 的厚度爲±1微米以內時,前述硬塗層的厚度可視爲未因曝 光及顯像而產生變化。 測定前述硬塗層及前述曝光前的前述感光層的厚度之 方法,沒有特別限制,能夠按照目的而適當地選擇,可舉 ^ 出使用膜厚度測定裝置、表面粗糙度測定機(例如, SURFCOM 1 400D(東京精密公司製))等來測定之方法。 前述感光層的厚度沒有特別限制,能夠按照目的而適 當地選擇,例如以3微米〜100微米爲佳,以5微米〜70 微米爲更佳。 前述感光層的形成方法可舉出使本發明的前述感光性 組成物溶解、乳化或分散於水或溶劑來調製感光性組成物 溶液,並將該溶液直接塗布在前述支撐體上,且藉由使其 〇 乾燥來層積之方法。 前述感光性組成物的溶劑沒有特別限制,能夠按照目 的而適當地選擇,可舉出例如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙 醇、正丁醇、第二丁醇、正己醇等的醇類;丙酮、甲基乙 基酮、甲基異丁基酮、環己酮、二異丁基酮等的酮類;乙 酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸正戊酯、硫酸甲酯、丙酸乙酯、 酞酸二甲酯、苯甲酸乙酯及乙酸甲氧基丙酯等的酯類;甲 苯、二甲苯、苯、乙苯等的芳香族烴類;四氯化碳、三氯 乙烯、氯仿、ι,ι,ι -三氯乙烷、二氯甲烷、一氯苯等的鹵化 -81- 200947125 烴類;四氫呋喃、二乙醚、乙二醇一甲基醚、乙二醇 基酸、1-甲氧基-2-丙醇等的酸類;二甲酿胺、二甲基 胺、二甲基亞楓、環丁颯等。該等可單獨使用1種, 併用2種以上。又,亦可添加眾所周知的界面活性劑 前述塗布的方法沒有特別限制,能夠按照目的而 地選擇,可舉出例如使用旋轉塗布器、狹縫塗布器、 布器、模頭塗布器、簾流塗布器等直接塗布在前述支 ^ 之方法。 前述乾燥條件依因各成分、溶劑的種類、使用比 而異,通常係在60 °C〜ll〇°C的溫度,30秒〜15分鐘之 在本發明,前述感光層係含有黏合劑、聚合性化名 塡料而構成,而且亦可按照必要,由含有其他成分的 性組成物來形成。 <支撐體> 前述支撐體沒有特別限制,能夠按照目的而適當 〇 擇,以能夠將前述感光層剝離,且光線的透射性良好 佳,而且以表面的平滑性良好爲更佳。 前述支撐體以合成樹脂製且透明者爲佳’可舉出 聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚乙 三乙酸纖維素、二乙酸纖維素、聚(甲基)丙烯酸烷酯、 基)丙烯酸酯共聚物、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚碳酸酯 苯乙嫌、玻璃紙(Cellophane)、聚偏二氯乙稀共聚物、 胺、聚醯亞胺、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚四氯? 聚三氯乙烯、纖維素系薄膜、耐綸薄膜等各種的塑膠1 一乙 乙醯 亦可 〇 適當 輥塗 撐體 率等 己右。 物、 感光 地選 者爲 例如 稀、 聚(甲 i '聚 聚醯 :嫌、 奪膜, -82- 200947125 該等之中,聚對酞酸乙二酯爲特佳。該等可單獨使用1種, 亦可倂用2種以上。 前述支撐體的厚度沒有特別限制,能夠按照目的而適 當地選擇,例如以2微米〜150微米爲佳,以5微米〜100 微米爲更佳,以8微米〜50微米爲特佳。前述支撐體可以 是單層,亦可以具有多層構成。 前述支撐體的形狀沒有特別限制,能夠按照目的而適 0 當地選擇,以長條狀爲佳。前述長條狀支撐體的長度沒有 特別限制,可舉出例如10公尺〜20, 〇〇〇公尺的長度者。 <保護層> 前述感光性薄膜亦可形成在前述感光層上。 前述保護層係例如在前述支撐體所使用者,可舉出 紙、聚乙烯、聚丙烯所層壓而成的紙等,該等之中,以聚 乙烯薄膜、聚丙烯薄膜爲佳。 前述保護層的厚度沒有特別限制,能夠按照目的而適 〇 當地選擇,例如以5微米〜1 00微米爲佳,以8微米〜5〇 微米爲更佳’以10微米〜30微米爲特佳。 前述支撐體與保護層之組合(支撐體/保護層)可舉出例 如聚對酞酸乙二酯/聚丙烯、聚對酞酸乙二酯/聚乙稀、聚 氯乙烯/玻璃紙、聚醯亞胺/聚丙烯、聚對酞酸乙二酯/聚對 酞酸乙二酯等。又’藉由表面處理支撐體及保護層之至少 任一者’能夠調整層間黏合力。前述支撐體的表面處理亦 可爲了提高與前述感光層的黏合力而施加,可舉出例如塗 設底塗層、電暈放電處理、火焰處理、紫外線照射處理、 -83- 200947125 高頻照射處理、輝光放電照射處理、活性電漿 光線照射處理等。 又,前述支撐體與前述保護層的靜摩擦係 1.4爲佳,以0.5〜1.2爲更佳。 前述靜摩擦係數小於0.3時,因爲太滑, 物狀時產生卷取偏移之情形,大於1_4時,會 成爲良好的卷物之情形。 • 前述感光性薄膜係例如卷取於圓筒狀的卷 ❹ 狀且卷物狀地被卷取而保管爲佳。前述長條狀 膜之長度沒有特別限制,例如能夠從1 〇公尺〜 的範圍適當地選擇。又,亦可以使用者容易使 行切條加工,來將100公尺〜1,000公尺的長條 卷物狀。而且,此時,以該支撐體爲最外側的 佳。又,亦可將前述卷物狀的感光性薄膜切條居 從保管時之保護端面、防止邊緣熔化之觀點, 〇 置分離物(特別是防濕性者、裝入乾燥劑者)爲 包亦以使用透濕性較低的材料爲佳。 前述保護層亦可表面處理,用以調整前述 述感光層之黏合性。前述表面處理係例如能夠 矽氧烷、氟化聚烯烴、聚氟乙烯、聚乙烯醇等 構成的底塗層形成在前述保護層的表面。該底 能夠藉由將前述聚合物的塗布液塗布在前述保 後,使其在30 °c〜150 °C乾燥1分鐘〜30分鐘 述乾燥時之溫度以50 °C〜120 °C爲特佳。 處理、雷射 數以〇 . 3〜 會有成爲卷 有難以卷取 芯並且長條 的感光性薄 20,000公尺 用的方式進 體卷取成爲 方式卷取爲 :爲薄片狀。 以在端面設 佳。又,捆 保護層與前 使由聚有機 的聚合物所 塗層的形成 護層的表面 來形成。前 -84- 200947125 <其他的層> 在前述感光性薄膜之其他的層沒有特別限制,能夠按 照目的而適當地選擇,例如可以是具有緩衝層、氧隔離層 (PC層)、剝離層、黏合層、光吸收層、表面保護層等之層。 該等層可單獨具有1層,亦可具有2層以上。又,亦可在 上述感光層上具有保護層。 <感光性薄膜的製造方法> ^ 前述感光性薄膜係例如能夠如以下進行來製造。 首先,將前述感光性組成物所含有的材料使其溶解、 乳化或分散於水或溶劑來調製感光性薄膜用的感光性組成 物溶液。 前述溶劑可舉出與前述感光性組成物溶液的溶劑同樣 者。 接著,將前述感光性組成物溶液塗布在前述支撐體 上,並使其乾燥形成感光層,能夠製造感光性薄膜。 〇 前述感光性組成物溶液的塗布方法可舉出上述的方 法。 因爲前述感光性薄膜係使用前述感光性組成物,耐鍍 敷性、敏感度、顯像性及黏附性良好,能夠適合使用於保 護膜、層間絕緣膜及阻焊劑圖案等的永久圖案等的各種圖 案形成用、彩色濾光片、柱材、肋材、間隙物、隔牆等的 液晶結構構件的製造用、全息照像、微型機器、樣張(proof) 等圖案的形成用等,特別是能夠適合使用於印刷基板的永 久圖案形成用。 -85- 200947125 特別是因爲前述感光性薄膜之該薄膜的厚度均勻,在 形成永久圖案時,即便將永久圖案(保護膜、層間絕緣膜、 阻焊劑等)薄層化,在高加速度試驗(HAST),亦不會產生樹 枝狀晶體(dendrite),而能夠得到耐熱性、耐濕性優良之高 精細的永久圖案,所以能夠更精細地層積於基材。 (感光性積層體) 前述感光性積層體係在基體上至少具有前述感光層, I 且按照目的層積適當地選擇之其他的層而構成。 ❹ <基體> 前述基體係形成感光層之被處理基體,或是轉印本發 明的感光性薄膜的至少感光層之被轉印體,沒有特別限 制,能夠按照目的而適當地選擇,例如能夠任意地選擇具 有高表面平滑性者至凹凸的表面者。板狀的基體以使用所 謂基板爲佳。具體上,可舉出眾所周知的印刷配線板製造 用的基板(印刷基板)、玻璃板(鈉鈣玻璃等)、合成樹脂性的 〇 薄膜、紙、金屬板等。 <感光性積層體的製造方法> 前述感光性積層體的製造方法’可舉出將前述感光性 組成物塗布在前述基體並乾燥之方法作爲第1態樣,將前 述感光性薄膜之至少感光層邊進行加熱及加壓之至少任一 者邊轉印而層積之方法作爲第2態樣。 前述第1態樣的感光性積層體之製造方法,係在前述 基體上將前述感光性組成物塗布及乾燥來形成感光層。 前述塗布及乾燥方法沒有特別限制’能夠按照目的而 -86- 200947125 適當地選擇,可舉出例如將前述感光性組成物溶解、乳化 或分散於水或溶劑來調製感光性組成物溶液’並將該溶液 直接塗布在前述基體的表面,且藉由使其乾燥來層積之方 法。 前述塗布方法及乾燥條件沒有特別限制,能夠按照目 的而適當地選擇,能夠使用與前述感光性薄膜所使用者相 同方法及條來進行。 前述第2態樣的感光性積層體之製造方法,係在前述 ❹ 基體的表面,將本發明的感光性薄膜藉由邊進行加熱或加 壓之至少任一者邊層積。又,前述感光性薄膜係具有前述 保護層時,以剝離該保護層,並將前述感光層重疊在前述 基體的方式進行爲佳。 前述加熱溫度沒有特別限制,能夠按照目的而適當地 選擇,例如以1 5〜1 8 0 °C爲佳,以6 0〜1 4 0 °C爲更佳。 前述加壓的壓力沒有特別限制,能夠按照目的而適當 ❹ 地選擇,例如以0.1〜l.OMPa爲佳,以0.2〜0.8MPa爲更 佳。 進行前述加熱之至少任一者之裝置沒有特別限制,能 夠按照目的而適當地選擇,例如可適合舉出層壓機(例如, 大成 LAMINATOR 公司製 V P -11、NIC ΗIG Ο - Μ Ο RT Ο N (股) 製 VP130)等。 因爲前述感光性薄膜及前述感光性積層體係使用前述 感光性組成物,敏感度、顯像性及黏附性良好,能夠效率 良好地形成高精細的永久圖案,能夠適合使用於保護膜、 -87- 200947125 層間絕緣膜及阻焊劑圖案等的永久圖案等的各種圖案形成 用、彩色濾光片、柱材、肋材、間隙物、隔牆等的液晶結 構構件的製造用、全息照像、微型機器、樣張(Proof)等圖 案的形成用等,特別是能夠適合使用於印刷基板的永久圖 案形成用。 特別是因爲前述感光性薄膜之該薄膜的厚度均勻,在 形成永久圖案時,即便將永久圖案(保護膜、層間絕緣膜、 ^ 阻焊劑等)薄層化,在高度加速耐用期限試驗(hast),亦不 會產生樹枝狀晶體(dendrite),而能夠得到耐熱性、耐濕性 優良之高精細的永久圖案,所以能夠更精細地層積於基材。 (永久圖案形成方法) 前述永久圖案形成方法係至少包含曝光製程,且包含 適當選擇的顯像製程等之其他製程。 又’圖案形成裝置係透過前述圖案形成方法之說明可 以清楚明白’係具備前述感光性積層體且至少具有光照射 〇 手段及光調變手段。 <曝光製程> 前述曝光製程係對前述感光層進行曝光之製程。關於 前述感光層及基體的材料係如上述。 前述曝光的對象,只要是前述感光層,沒有特別限制, 能夠按照目的而適當地選擇,例如如上述,以對在感光性 積層體之感光層進行爲佳,該感光性積層體係在基體上將 感光性薄膜邊進行加熱或加壓之至少任一者邊層積而形 成。 * 88 - 200947125 前述曝光沒有特別限制,能夠按照目的而適當地選 擇,可舉出數位曝光、類比曝光等,該等之中,以數位曝 光爲佳。 前述類比曝光沒有特別限制,能夠按照目的而適當地 選擇,可舉出例如透過具有規定圖案之光罩,並使用(超) 高壓水銀燈、氙燈、鹵素燈等來進行曝光之方法。 前述數位曝光若是未使用前述光罩而進行時沒有特別 0 限制,能夠按照目的而適當地選擇,例如以使至少具備光 照射手段及光調變手段的曝光單元、及前述感光層之至少 一者邊移動,邊將從前述光照射手段所射出的光線藉由前 述光調變手段且按照圖案資訊調變,邊從前述曝光頭對前 述感光層照射來進行爲佳。 在前述數位曝光所使用的光源,若是發射紫外線至紅 外線之光源時,沒有特別限制,能夠按照目的而適當地選 擇,可舉出例如(超)高壓水銀燈、氙燈、碳弧燈、鹵素燈 〇 及影印機用等的螢光管、或雷射光等眾所周知的光源,該 等之中,以(超)高壓水銀燈、雷射光爲佳,以雷射光爲更 佳。 (超)高壓水銀燈係在石英玻璃管等封入水銀而成之放 電燈,係將水銀的蒸氣壓較高地設定,來是高發光效率者。 明線光譜之中,可採用ND濾光器等而只使用1波長之明 線光譜,亦可使用具有複數的明線光譜之光線。 前述雷射光的「雷射」係 Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation(誘導放出光線的放大)的 -89- 200947125 大寫字母。發出前述雷射光之裝置可適合舉出利用在具有 反轉分布之物質中所產生的誘導放出之現象,且藉由光波 的放大、振盪來製造干擾性及指向性更強的單色光之振盪 器及放大器。 前述雷射光的激發介質有結晶、玻璃、液體、色料、 氣體等,能夠從該等介質使用固體雷射、液體雷射、氣體 雷射、半導體雷射等眾所周知的雷射。 具體上,氣體雷射可舉出Ar離子雷射(3 64奈米、351 〇 奈米)、Kr離子雷射(356奈米、351奈米)、He-Cd雷射(325 奈米),固體雷射可舉出YAG雷射、YV04雷射(1,064奈米)、 YAG雷射或YV〇4雷射的2倍波(5 3 2奈米)、3倍波(3 5 5奈 米)、4倍波(2 6 6奈米)、導波型波長變換元件與AlGaAs、 InGaAs半導體之組合(380奈米〜400奈米)、導波型波長變 換元件與AlGalnP或AlGaAs半導體t之組合(300奈米〜 350奈米)、AlGaInN(350奈米〜470奈米)等。該等之中’ 〇 從成本方面而言,較佳的雷射光可舉出AlGalnN半導體雷 射(市售InGaN系半導體雷射3 75奈米或40 5奈米)’從生 產性方面而言,可舉出高輸出功率的355奈米雷射。 前述雷射光的波長係例如以200奈米〜!,500奈米爲 佳,以300奈米〜800奈米爲較佳’以330奈米〜500奈米 爲更佳,以350奈米〜420奈米爲特佳。 -光調變手段- 前述光調變手段之代性的方法可舉出具有n個描畫 部,並按照前述圖案資訊來控制前述描畫部之方法。具體 -90- 200947125 上,可舉出數位微鏡元件(DMD; digital micromirror device) 或 MEMS(微電機械系統;Micro Electro Mechanical Systems) 型式的空間光調變元件(SLM ; Spacial Light Modulator)、 藉由電光學效果來調變透射光之光學元件(PLZT元件)、液 晶光開閉器(FLC)等。該等之中,可適合舉出DMD。 使用前述DMD時,來自光源的光線適當的光學系統而 照射在前述DMD上,來自在前述DMD二維排列的各鏡之 巍 反射光係經過各自的光學系統等而在感光層上,形成二維 排列的光點之像。此狀態時雖然光點與光點之間未被曝 光,但是相對於二維排列方向,藉由使前述二維排列的光 點之像往稍微傾斜的方向移動時,能夠將感光層的全面曝 光。前述DMD藉由控制各鏡的角度且ON-OFF控制前述光 點,能夠形成畫像圖案。藉由排列具有此種DMD之曝光頭 而使用,能夠對應各式各樣的基板。 前述DMD時,雖然前述光點的亮度只有ON或OFF的 〇 2等級,但是使用鏡等級型空間調變元件時,能夠進行256 等級的曝光。 又,前述光調變手段以具有基於所形成的圖案資訊來 生成控制信號之圖案信號生成手段爲佳。此時,前述光調 變手段係按照前述圖案信號生成手段生成的控制信號來使 光線調變。 前述控制信號沒有特別限制,能夠按照目的而適當地 選擇,例如可舉出數位信號。 另一方面,前述光調變手段的另外代表方法可舉出使 -91- 200947125 用多角鏡(polygon mirror)之方法。在此,多角鏡(polygon mirror)係在周圍具有一系列的平面反射面之旋轉構件。雖 然前述多角鏡係將來自光源的光線反射而照射至感光層 上,但是反射光的光點係藉由該平面鏡的旋轉來掃描°相 對於該掃描方向,藉由使基板直角地移動,能夠將基板上 的感光層之全面曝光。而且,藉由適當的方法將來自光源 的光線之強度ON-OFF,或中間調地控制,能夠形成畫像圖 ©案。此時,藉由使來自光源的光線爲複數條,能夠縮短掃 描時間。 前述光調變手段除此以外,亦可舉出特開平5-150175 號公報所記載的多角鏡來進行描繪之例子,特表 2004-523101號公報(國際公開第2002/0 39793小冊子)所記 載之視覺性地取得下部層的畫像之一部分,並藉由使用多 角鏡的裝置將上述層的位置與下部的層位置一致而曝光之 例子;特開2004-5 6080號公報所記載之具有DMD的曝光 〇 之例子;特表2002-523905公報所記載之具備多角鏡之曝 光裝置;特開200 1 -25566 1公報所記載之具備多角鏡之曝 光裝置;特開2003-5 04 69公報所記載之組合DMD、LD、 多重曝光之例子;特開2003-156853公報所記載之依照基 板的部位而改變曝光量之曝光方法之例子;特開 2005-43 576公報所記載之進行調整位置偏移之曝光方法之 例子等。 -光照射手段- 前述光照射手段亦即光的照射方法沒有特別限制,能 -92- 200947125 夠按照目的而適當地選擇前述曝光光源,以合成2個以上 來自該等光源的光線而照射爲佳,特別適合舉出照射合成 2個以上光線而成的雷射光(合波雷射光)。 前述合波雷射光的照射方法沒有特別限制,能夠按照 目的而適當地選擇,可適合舉出藉由複數雷射光源及多模 式光纖,將從該複數雷射光源所照射的雷射光聚光並使其 結合於前述多模式光纖之集合光學系統來構成合波雷射光 ^ 而照射之方法。 前述雷射光射束的直徑沒有特別限制,能夠按照目的 而適當地選擇,從濃色隔離牆的解像度之觀點,高斯射束 的Ι/e2値以5微米〜30微米爲佳,以7微米〜20微米爲更 佳。 以按照畫像數據空間光調變前述雷射光爲佳。因此, 爲了該目的,以使用空間光調變元件之前述DMD爲佳。 具有前述光調變手段及前述光照射手段之曝光裝置能 〇 夠使用例如特開平2005-222039公報、特開2005-25843 1 公報、特開2006-30966公報等所記載之裝置,但是前述曝 光裝置未限定於此。 <顯像製程> 前述顯像係藉由除去前述感光層的未曝光部分來進 行。 除去前述未硬化區域之方法沒有特別限制,能夠按照 目的而適當地選擇,可舉出例如使用顯像液去去之方法等。 前述顯像液沒有特別限制,能夠按照目的而適當地選 -93- 200947125 擇,可舉出例如鹼性水溶液、水系顯像液、有機溶劑等, 該等之中,以弱鹼性的水溶液爲佳。該弱鹼性水溶液的鹼 成分可舉出例如氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鋰、 碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鋰、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、磷酸 鈉、磷酸鉀、脯胺酸鈉、脯胺酸鉀、硼砂等。 前述弱鹼性的水溶液之pH係例如以約8〜1 2爲佳,以 約9〜11爲更佳。前述弱鹼性的水溶液可舉出例如〇.1質 φ 量%〜5質量%的碳酸鈉水溶液或碳酸鉀水溶液等。 前述顯像液的溫度能夠配合前述感光層的顯像性而適 當地選擇,例如以約2 5 °C〜4 0 °C爲佳》 前述顯像液亦可倂用界面活性劑、消泡劑、有機鹼(例 如,伸乙二胺、乙醇胺、氫氧化四甲銨、二伸乙三胺、三 伸乙五胺、味啉、三乙醇胺等)、或用以促進顯像之有機溶 劑(例如醇類、酮類、酯類、醚類、醯胺類、內酯類等)等。 又,前述顯像液亦可以是混合水或鹼水溶液與有機溶劑而 〇 成的水系顯像液,亦可以是有機溶劑單獨。 前述圖案的形成係例如亦可含有硬化處理製程、蝕刻 製程、鍍敷製程等。該該可單獨使用1種,亦可倂用2種 以上。 <硬化處理製程> 前述圖案的形成方法係進行形成保護膜、層間絕緣 膜、阻焊劑圖案等的永久圖案、或彩感光性組成物之永久 圖案的形成之永久圖案形成方法時,以具備在前述顯像製 程後,對感光層進行硬脂酸之硬脂酸製程爲佳。 -94- 200947125 前述硬脂酸製程沒有特別限制,能夠按照目的而適當 地選擇,可適合舉出例如全面曝光處理、全面加熱處理等。 前述全面曝光處理的方法可舉出例如在前述顯像後, 將形成有前述永久圖案而成之前述積層體上的全面曝光之 方法。藉由該全面曝光,能夠促進形成前述感光層之感光 性組成物中的樹脂之硬化,能夠將前述永久圖案的表面硬 化。 ^ 進行前述全面曝光之裝置沒有特別限制,能夠按照目 Ο 的而適當地選擇,可適合舉出例如超高壓水銀燈等的UV 曝光機、使用氙燈的曝光機、雷射曝光機等。曝光量通常 爲 10mJ/cm2〜2,000mJ/cm2。 前述全面加熱處理方法可舉出在前述顯像後,加熱形 成有前述永久圖案之前述積層體上的全面之方法。藉由該 全面加熱,能夠提高前述永久圖案的表面之膜厚度。 前述全面加熱之加熱溫度以1 2 0 °C〜2 5 0 °C爲佳’以 〇 120 °C〜200 °C爲更佳。該加熱溫度小於120 °C時,會有無 法藉由加熱處理來提升膜強度之情形,大於250 °C時’前 述感光性組成物中的樹脂產生分解,會有膜質變爲弱脆之 情形。 在前述全面加熱之加熱時間以10分鐘〜120分鐘爲 佳,以15分鐘〜60分鐘爲更佳。 進行前述全面加熱之裝置沒有特別限制,能夠從眾所 周知的裝置中,能夠按照目的而適當地選擇,可舉出例如 乾式供箱、熱板、IR加熱器等。 -95- 200947125 * 在使用405奈米的雷射曝光之直接描繪,前述圖案的 形成方法能夠使用於必須防止因氧引起感光層的敏感度降 低之各種圖案的形成等,且可適合使用於兼具高密度化及 高生產性之圖案的形成》 在前述永久圖案形成方法,依照前述永久圖案形成方 法所形成之永久圖案係前述保護膜或述層間絕緣膜時,能 夠保護配線避免受到來自外部的衝擊或彎曲,特別是前述 ^ 層間絕緣膜時,例如在多層配線基板或組裝配線基板等高 〇 密度封裝半導體或組件係有用的。 因爲前述永久圖案形成方法係使用前述感光性組成 物,可適合使用於保護膜、層間絕緣膜及阻焊劑圖案等永 久圖案等各種圖案形成用、彩色濾光片、柱材、肋材、間 隙物、隔牆等的液晶結構構件的製造、全息照像、微型機 器、樣張等的製造,特別是能夠適合使用於印刷基板的永 久圖案形成用。 〇 實施例 以下藉由實施例更具體地說明本發明,但是本發明只 要未離脫其主旨,未限定於以下的實施例。又,只要未特 別地預先告知,「份」係質量基準。 (實施例1) -感光性薄膜的製造- 在作爲支撐體之厚度16微米的聚對酞酸乙二酯薄膜 (TORAY股份公司製,16FB50)上,塗布由下述組成的所構 成的感光性組成物溶液並使其乾燥,而在前述支撐體上形 -96- 200947125 成厚度爲30微米的感光層。在前述感光層上,層積厚度爲 2〇微米的聚丙烯薄膜(王子特殊紙股份公司製,ALFAN E-200)作爲保護層,來製造感光性薄膜。 <感光性組成物溶劑 >的組成 下述的黏合劑1的溶液(I/O値:0.89)· . 37.2質量份 三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(商品名:NK ESTER A-DCP、 I/O 値:0.43)............9.15 質量份 0 下述式1-2所示之光聚合引發劑··· · 0.55質量份 下述式S-1所示之敏化劑.......0.40質量份 EPOTOHTO YDF170(東都化成股份公司製,雙酚F系環氧 樹脂、I/O値:0.34)......... 5.00質量份 二氰基二醯胺............0.09質量份 顏料分散液.............35.7質量份 MEGAFAC F-78 0F(大日本油墨股份公司製)的30質量%甲 基乙基酮溶液........ 0.13質量份 Ο 甲基乙基酮..............12.0質量份 又,前述顔料分散液係將 30質量份二氧化矽 (ADMATECHS(股)製、SO-C2)、48.2質量份前述黏合劑1的 溶液、0.51質量份酞菁藍、0.14質量份蒽醌系黃色顔料 (PY24)及59.0質量份乙酸正丙酯預先混合後,藉由電動碾 磨機M-2 50(Eiger公司製)且使用直徑爲1.0毫米的鉻珠, 以周速9公尺/秒分散3小時來調製。 又,在所得到的感光性組成物溶液,相對於感光性組 成物固體成分中的固體成分含量,黏合劑1係含有4 9.7質 -97- 200947125 量%而構成,相對於感光性組成物固體每 含量而構成,熱交聯劑(EPOTOHTO YDF 質量%而構成,相對於感光性組成物固I 分含量,聚合性化合物(三環癸烷二甲醇 有1 9.9質量%而構成。又,所得到感光1 之重量平均爲〇.7〇。
:分中的固體成分 •170)係含有10.8 丨成分中的固體成 二丙烯酸酯)係含 匕組成物的I/O値 ❹ 〇 s-i (合成例υ 黏合劑1的合成 克1-甲氧基-2 -丙 ,2小時滴加63.4 4.15 克 V-601(和 在1,〇〇〇毫升的三口燒瓶,添加159 醇,並在氮氣流下加熱至85 °c。在此’ t 克甲基丙烯酸苄酯、72 ·3克甲基丙烯酸、 -98- 200947125 瓤 光純藥製)的159克1-甲氧基-2-丙醇溶液。滴加結束後’ 進而加熱5小時使其反應。接著,停止加熱而得到甲基丙 烯酸苄酯/甲基丙烯酸(3 0/70莫耳%比)的共聚物。 接著,前述聚合物溶液之中,將120.0克移至300毫 升三口燒瓶,並添加16.6克甲基丙烯酸環氧丙酯、0.16克 對甲氧基苯酚,使其攪拌並溶解》溶解後,添加3.0克三 苯基膦,且加熱至1 0(TC來進行加成反應。使用氣體層析 ^ 儀確認甲基丙烯酸環氧丙酯已消失後,停止加熱。添加38 ❹ 克1-甲氧基-2-丙醇,來調製酸價爲112mgKOH/g、質量平 均分子量爲24,000、固體成分爲46質量%之黏合劑1的溶 液(表1)。 [表1] 黏合劑 組成比(莫耳0/〇) 分子量 I/O 酸價 (mgKOH/g) 固體成分 濃度喔%) 1 下述結構式(1)的高分子化合物 24,000 0.89 112 46 2 下鹏構式⑵的高分子化合物 19,000 0.75 64 46 3 下舰構式⑶的高分子化合物 15,000 0.67 122 46 4 下離構式⑷的高奸化合物 13,000 0.57 126 46 -99- 200947125
結構式(1)
結構式(2)
結構式(3)
結構式(4) 〇 上述結構式(1)〜(4)之數字係表示各莫耳成分的組成 比(莫耳%)。 -層積在基體- 前述基體係對覆銅積層板(無通孔,銅厚度爲12微米) 的表面,施加化學硏磨處理來調製而成。在該覆銅積層板 上以前述感光性薄膜的感光層係接觸前述覆銅積層板的方 式’邊剝下前述感光性薄膜邊使用真空層壓機 -100- 200947125 (NICHIGO-MORTON(股)製,VP130)來使其層積,得到依照 順序層積前述覆銅積層板、前述感光層及前述聚對酞酸乙 二酯薄膜(支撐體)而成之積層體。 壓黏條件爲真空吸引時間爲40秒、壓黏溫度爲70°C、 壓黏壓力爲〇.2MPa、加壓時間爲10秒。 如以下進行,對前述積層體進行敏感度評價。 <敏感度> ^ 將前述積層體在室溫(23 °C、5 5%RH)靜置10分鐘。在 ❹ 所得到的前述積層體的感光層表面,使用 INPREX IP-3000(富士軟片公司製、像素間距=1.0微米),對L/S(線 /間隙)=50微米/50微米的圖案數據,以21/2倍間隔照射從 0.5mJ/Cni2至500mJ/cm2之不同光能量的光線而曝光,來使 L/S(線/間隙)=50微米/50微米線圖案硬化。在室溫靜置10 分鐘後,從前述感光性積層體將述支撐體剝取,並對覆銅 積層板上的感光層的全面使用30 °C的1質量%碳酸鈉水溶 Q 液且在噴霧壓〇.15MPa,以最短顯像時間的2〜3倍時間(或 40〜60秒)進行噴霧顯像,來除去未硬化的區域。使用雷射 顯微鏡(VK-95 00、KEYENCE公司製;物鏡爲50倍)測定如 此進行所得到的L = 50微米的圖案之線寬,將線寬爲50微 米之曝光量作爲敏感度(最佳曝光量)。結果如表2所示。 <顯像性(最短顯像時間)> 從前述積層體剝取聚對酞酸乙二酯薄膜(支撐體),並 前述感光層的全面使用3 0°C的1質量%碳酸鈉水溶液且在 噴霧壓〇.15MPa進行噴霧,來測定從碳酸鈉水溶液的噴霧 -101- 200947125 開始至覆銅積層板上的感光層被溶解除去所需要的時間, 將其作爲最短顯像時間。該最短顯像時間越短係表示顯像 性越優良。結果如表2所示。 <絕緣信賴性的評價(HAST試驗)> 對除了前述基材係使用將銅厚度爲12微米的覆銅積 層板以線/間隙=50微米/50微米的方式梳狀地形成配線而 成者以外,與前述積層體同樣地進行而製成的積層體之感 ▲ 光層表面,使用INPREX IP-3000(富士軟片公司製、像素間 ❹ 距=1.0微米),以最佳曝光量全面曝光,並在室溫靜置10 分鐘後,從前述感光性積層體剝取前述支撐體,並對覆銅 積層板上的感光層的全面,將30 °C的1質量%碳酸鈉水溶 液,以噴霧壓力爲〇.15MPa且以前述最短顯像時間的2〜3 倍時間(或40〜60秒)進行噴霧顯像,來溶解除去未硬化的 區域。隨後,使用超高壓水銀燈以200ml/cm2進行全面曝 光,進而在1 5 0 °C加熱處理(後烘烤)1小時來形成阻焊劑圖 〇 案(永久圖案)。對所形成的永久圖案,進行HAST試驗來評 價樹枝狀晶體(dendrite)及絕緣電阻(Ω)。HAST試驗係使 用高加速度試驗器,將電子零件組件在溫度130 °C且相對 濕度爲85 %的環境中,施加電壓10V 200小時後,在同條 件下測定導體凸塊的絕緣電阻(Ω),隨後,進行導體凸塊 的樹枝狀晶體觀察並如以下評價。結果如表2所示。 [評價基準] ◎:配線完全無變化 〇:雖然未觀察到樹枝狀晶體,但陽極配線稍微變化 -102- 200947125 △:雖然未觀察到樹枝狀晶體,但陽極配線難以辨識 X :有樹枝狀晶體 <活性保存性的評價> 將前述積層體在室溫(23°c、55%RH)密閉於防濕袋(黑 色聚乙烯製的筒狀袋、膜厚度:80微米、水蒸氣透過率: 25克/平方公尺· 24小時以下)後,於40°C保存3天後,藉 由與前述最短顯像時間的評價同樣方法來測定前述最短顯 Λ 像時間,將在前述最短顯像時間的評價所得到的値作爲 to,將保存3天後之前述最短顯像時間的値作爲U,並算 出u/u的値。該twu的値越接近1時,係意味著活性保存 性越優良。依照以下的評價基準之結果如表2所示。 〇:q/to 爲 1.0 S h/toU.O △ : tj/t。爲 2.0 S 〖"。〈斗.。 X : ti/t〇 爲 4.0 S tWto <無電解鍍金耐性的評價> 〇 除了使用對覆銅積層板(無通孔、銅厚度爲12微米)的 表面施行化學硏磨處理過者作爲前述基板以外,對與前述 積層體同樣地進行所製成的積層體之感光層表面,使用 INPREX IP-3000(富士軟片公司製、像素間距=1.0微米), 以最佳曝光量形成30微米〜1,000微米之獨立細線圖案, 並在室溫靜置10分鐘後,從前述感光性積層體剝取前述支 撐體,並對覆銅積層板上的感光層的全面,將3(TC的1質 量%碳酸鈉水溶液,以噴霧壓力爲〇.15MPa且以前述最短 顯像時間的2〜3倍時間(或40〜60秒)進行噴霧顯像,來 -103- 200947125 溶解除去未硬化的區域。隨後,使用超高壓水銀燈以 200mJ/cm2進行全面曝光,進而在150°C加熱處理(後烘烤)1 小時來形成阻焊劑圖案(永久圖案)。 --無電解鍍金製程一 將形成有阻焊劑圖案(永久圖案)之試驗基板,浸漬於 30 °C的酸性脫脂液(日本Mac Demid公司製,Mete X L-5B的 20質量%水溶液)3分鐘後,在流水中浸漬3分鐘來水洗。 ^ 接著,在室溫浸漬於14.3質量%過硫酸銨水溶液3分 〇 鐘後,在流水中浸漬3分鐘來水洗,進而在室溫將試驗基 板浸漬於10質量%硫酸水溶液1分鐘後,在流水中浸漬30 秒〜1分鐘來水洗。 接著,將該基板浸漬於30°C的觸媒液(Meltex公司製, Metalplate Activator350的10質量%水溶液)7分鐘後,在流 水中浸漬3分鐘來水洗,接著,在85°C的鎳鍍液(Meltex 公司製、Melplate Ni-865M、20容量%水溶液、pH4.6)浸漬 ❹ 20分鐘,來進無電解鍍鎳後,在室溫浸漬於10質量%硫酸 鋇水溶液1分鐘後,在流水中浸漬30秒〜1分鐘來水洗。 接著,將試驗基板浸漬於75 °C的金鍍液(奧野製藥工業 公司製,OPC MudenGold pH12〜13、附帶厚度鍍金0.3微 米)4分鐘,來進行無電解鍍金後,在流水中浸漬3分鐘來 水洗後,進而在60°C的溫度3分鐘來充分地洗淨後,乾燥 而得到無電解鍍金後的試驗基板。 觀察該試驗基板的外觀變化並進行使用玻璃紙膠黏帶 之剝離試驗,且依照以下的基準來判定硬化皮膜的剝離狀 -104- 200947125 態。 -評價基準-◎:完全未剝離 〇:線寬50微米以上畫像未剝離 △:線寬500微米以上畫像未剝離 X :線寬500微米以上畫像亦有剝離 (實施例2) ^ 除了將感光性組成物溶液之上述黏合劑1(1/◦値:0.89) 變更爲下述黏合劑2(1/0値:0.7 5)以外,與實施例1同樣 地進行,來製造積層體及永久圖案,並與實施例1同樣地 進行,來進行敏感度、顯像性(最短顯像時間)、絕緣信賴 性的評(HAST試驗)、活性保存性、無電解鍍金耐性之評價。 結果如表2所不。 又,在所得到的感光性組成物溶液,相對於感光性組 成物固體成分中的固體成分含量,黏合劑2係含有49.7質 〇 量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成分 含量而構成,熱交聯劑(EPOTOHTO YDF-170)係含有10.8 質量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成 分含量,聚合性化合物(三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯)係含 有1 9.9質量%而構成。又,所得到感光性組成物的I/O値 之重量平均爲0.62。 (合成例2) 黏合劑2的合成 爲了得到表2的黏合劑2所示之高分子化合物,除了 -105- 200947125 將合成例1之甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸及甲基丙烯酸 環氧丙酯的添加量適當地變更以外,與合成例1同樣地進 行來調製黏合劑2的溶液》 (實施例3) 除了將感光性組成物溶液之上述黏合劑1(1/0値:0.89) 變更爲下述黏合劑3(1/0値:0.67)以外,與實施例1同樣 地進行,來製造積層體及永久圖案,並與實施例1同樣地 0 進行,來進行敏感度、顯像性(最短顯像時間)、絕緣信賴 性的評(HAST試驗)、活性保存性、無電解鍍金耐性之評價。 結果如表2所示。 又,在所得到的感光性組成物溶液,相對於感光性組 成物固體成分中的固體成分含量,黏合劑3係含有4 9.7質 量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成分 含量而構成,熱交聯劑(EPOTOHTO YDF-170)係含有10.8 質量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成 〇 分含量,聚合性化合物(三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯)係含 有19.9質量%而構成。又,所得到感光性組成物的I/O値 之重量平均爲0.57。 (合成例3) 黏合劑3的合成 爲了得到表2的黏合劑3所示之高分子化合物,除了 將合成例1之甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸及甲基丙烯酸 環氧丙酯的添加量適當地變更以外,與合成例1同樣地進 行來調製黏合劑3的溶液。 -106- 200947125 (實施例4) 除了將感光性組成物溶液之上述黏合劑1的添加量從 37.2質量份變更爲27.2質量份’且將在感光性組成物溶液 之聚合性化合物(三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯)的添加量從 9.15質量份變更爲13.73質量份以外’與實施例1同樣地 進行,來製造積層體及永久圖案,並與實施例1同樣地進 行,來進行敏感度、顯像性(最短顯像時間)、絕緣信賴性 的評(HAST試驗)、活性保存性、無電解鍍金耐性之評價。 !> 結果如表2所不。 又,在所得到的感光性組成物溶液,相對於感光性組 成物固體成分中的固體成分含量’黏合劑1係含有39.7質 量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成分 含量而構成,熱交聯劑(EPOTOHTO YDF-170)係含有10.8 -質量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成 分含量,聚合性化合物(三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯)係含 | 有29.8質量%而構成。又,所得到感光性組成物的I/O値 之重量平均爲0.65。 (實施例5) 除了將感光性組成物溶液之上述黏合劑2的添加量從 37.2質量份變更爲27.2質量份’且將在感光性組成物磕液 之聚合性化合物(三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯)的添加量從 9.15質量份變更爲13_73質量份以外,與實施例2同樣地 進行,來製造積層體及永久圖案’並與實施例2同樣地進 行,來進行敏感度、顯像性(最短顯像時間)、絕緣信賴性 -107- 200947125 的評(HAST試驗)、活性保存性、無電解鍍金耐性之評價。 結果如表2所示。 又,在所得到的感光性組成物溶液,相對於感光性組 成物固體成分中的固體成分含量’黏合劑2係含有39.7質 量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成分 含量而構成,熱交聯劑(EPOTOHTO YDF-170)係含有10.8 質量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成 n 分含量,聚合性化合物(三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯)係含 有2 9.8質量%而構成。又,所得到感光性組成物的I/O値 之重量平均爲0.58。 (實施例6) 除了將感光性組成物溶液之聚合性化合物,從9.1 5質 量份三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(I/O値0.43)變更爲3.11 質量份二新戊四醇六丙烯酸酯(商品名:KAYARAD DPHA、 製造廠商:日本化藥(股)、I/O値0.70),且將EPOTOHTO ❹ YDF-170的添加量從5.00質量份變更爲11.04質量份以 外,與實施例1同樣地進行,來製造積層體及永久圖案, 並與實施例1同樣地進行,來進行敏感度、顯像性(最短顯 像時間)、絕緣信賴性的評(HAST試驗)、活性保存性、無電 解鍍金耐性之評價。結果如表2所示。 又,在所得到的感光性組成物溶液,相對於感光性組 成物固體成分中的固體成分含量,黏合劑1係含有4 9.7質 量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成分 含量而構成,熱交聯劑(EPOTOHTO YDF-170)係含有24.0 -108- 200947125 η 質量%而構成’相對於感光性組成物固體成分中的固體成 分含量,聚合性化合物(二新戊四醇六丙烯酸酯)係含有 6.77質量%而構成。又’所得到感光性組成物的I/O値之重 量平均爲0.62。 (實施例7) 除了將感光性組成物溶液之黏合劑1(1/0値:0.89)變 更爲下的黏合劑4(1/0値:0.57) ’且將聚合性化合物,從 ©三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯變更爲二新戊四醇六丙烯酸酯 以外,與實施例1同樣地進行,來製造積層體及永久圖案, 並與實施例1同樣地進行,來進行敏感度、顯像性(最短顯 像時間)、絕緣信賴性的評(HAST試驗)、活性保存性、無電 解鍍金耐性之評價。結果如表2所示。 又,在所得到的感光性組成物溶液,相對於感光性組 成物固體成分中的固體成分含量,黏合劑4係含有4 9.7質 量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成分 〇 含量而構成,熱交聯劑(EPOTOHTO YDF-170)係含有10.8 質量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成 分含量,聚合性化合物(二新戊四醇六丙烯酸酯)係含有 19.9質量%而構成。又,所得到感光性組成物的I/O値之重 量平均爲0.57。 (合成例4) 黏合劑4的合成 爲了得到表2的黏合劑4所示之高分子化合物,除了 將合成例1之甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸及甲基丙烯酸 -109- ❹
200947125 環氧丙酯的添加量適當地變更以外,與合成例1同樣地進 行來調製黏合劑4的溶液。 (比較例1) 除了將感光性組成物溶液之聚合性化合物,從三環癸 烷二甲醇二丙烯酸酯變更爲二新戊四醇六丙烯酸酯以外’ 與實施例1同樣地進行,來製造積層體及永久圖案’並與 實施例1同樣地進行,來進行敏感度、顯像性(最短顯像時 間)、絕緣信賴性的評(hast試驗)、活性保存性、無電解鍍 金耐性之評價。結果如表2所示。 又,在所得到的感光性組成物溶液,相對於感光性組 成物固體成分中的固體成分含量,黏合劑1係含有49.7質 量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成分 含量而構成,熱交聯劑(EPOTOHTO YDF-170)係含有10.8 質量%而構成,相對於感光性組成物固體成分中的固體成 分含量,聚合性化合物(二新戊四醇六丙烯酸酯)係含有 19.9質量%而構成。又,所得到感光性組成物的I/O値之重 量平均爲0.77。 •110- 200947125 [表2]
實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 比較例1 _ 黏合劑1 黏合劑2 黏合劑3 黏合劑1 黏合劑2 黏合劑2 黏合劑4 黏合劑1 黏合劑 質量份 49.7 49.7 49.7 39.7 39.7 49.7 49.7 49.7 I/O値 0,89 0.75 0.67 0.89 0.75 0.89 0.57 0.89 質量份 10.8 10.8 10.8 10.8 10.8 24.0 10.8 10.8 熱交聯劑 I/O値 0.34 0.34 0.34 0.34 0.34 0.34 0.34 0.34 聚合性 質童份 19.9 19.9 19.9 29.8 29.8 6.77 19.9 19.9 化合物 I/O値 0.43 0.43 0.43 0.43 0.43 0.70 0.70 0.70 混合物的I/O値 0.70 0.62 0,57 0.65 0.58 0.62 0.57 0.77 敏感度(mj) 24 24 24 24 24 60 30 24 最短顯像時間(秒) 10 10 30 10 10 10 60 10 絕緣信賴邮AS” 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ Δ X 酿贿性 〇 〇 Δ 〇 〇 △ X 〇 鍍敷耐性 △ 〇 〇 〇 〇 ◎ Δ X 從表2的結果,得知實施例1〜7時,因爲黏合劑、聚 合性化合物及熱交聯劑的混合物的I/O値之重量平均爲 0.7 0以下,能夠提升絕緣信賴性及鍍敷耐性。 又,得知實施例1〜6時,因爲黏合劑的I/O値之重量 平均爲0.65以上,能夠提升顯像性及活性保存性。又,得 知實施例1〜6時,能夠更提升絕緣信賴性及鍍敷耐性。 而且,得知在實施例1〜5及7時,因爲相對於感光性 組成物固體成分中的固體成分含量,聚合性化合物含有10 質量%以上,能夠維持敏感度。 -111- 200947125 又,得知實施例4及5時,因爲相對於感光性組成物 固體成分中的固體成分含量’黏合劑含有40質量%以下, 相對於感光性組成物固體成分中的固體成分含量,聚合性 化合物含有20質量%以上’能夠更提升絕緣信賴性及鍍敷 耐性,且能夠提升顯像性及活性保存性。 [產業上之利用可能性] 因爲本發明的感光性薄膜能夠提升絕緣信賴性,能夠 0 效率良好地形成高精細的永久圖案,能夠適合使用於保護 膜、層間絕緣膜及阻焊劑圖案等的永久圖案等的各種圖案 形成用、彩色濾光片、柱材、肋材、間隙物 '隔牆等的液 晶結構構件的製造、全息照像、微型機器、樣張等圖案的 形成用等,特別是能夠適合使用於印刷基板的永久圖案形 成用。 · 因爲本發明的圖案形成方法係使用前述感光性組成 物,能夠適合使用於保護膜、層間絕緣膜及阻焊劑圖案等 © 的永久圖案等的各種圖案形成用、彩色濾光片、柱材、肋 材、間隙物、隔牆等的液晶結構構件的製造、全息照像、 微型機器、樣張等圖案的形成用等,特別是能夠適合使用 於印刷基板的永久圖案形成。 【圖式簡單說明】 Λ 〇 【主要元件符號說明】 無。 -112-

Claims (1)

  1. 200947125 七、申請專利範圍: 1. 一種感光性組成物,其特徵係含有黏合劑、聚合性化合 物、熱交聯劑、塡料及光聚合引發劑而構成,其中黏合 劑、聚合性化合物及熱交聯劑的混合物的I/O値之重量平 均爲0.70以下。 2. 如申請專利範圍第1項之感光性組成物,其中黏合劑的 I/O値之重量平均爲0.65以上。 3. 如申請專利範圍第2項之感光性組成物,其中黏合劑的 ❹ I/O値之重量平均爲0.75以上。 4 .如申請專利範圍第1項之感光性組成物,其中黏合劑係 在側鏈含有酸性基及乙烯性不飽和鍵之高分子化合物。 5 .如申請專利範圍第4項之感光性組成物,其中黏合劑係 在側鏈含有亦可以含有雜環的芳香族基之高分子化合 物。 6. 如申請專利範圍第1項之感光性組成物,其中聚合性化 〇 合物係相對於感光性組成物固體成分中的固體成分含量 爲含有10質量%以上而構成。 7. 如申請專利範圍第1項之感光性組成物,其中光聚合引 發劑係肟衍生物。 8 .如申請專利範圍第1項之感光性組成物,其中熱交聯劑 係選自環氧基化合物、氧雜環丁烷化合物、聚異氰酸酯 化合物、使封端劑對聚異氰酸酯化合物反應而得到的化 合物及三聚氰胺衍生物之至少1種。 9·—種感光性薄膜,其特徵係在支撐體上具有由感光性組 -113- 200947125 成物所構成的感光層而構成,該感光性組成物係含有黏 合劑、聚合性化合物、熱交聯劑、塡料及光聚合引發劑 而構成’其中黏合劑、聚合性化合物及熱交聯劑的混合 物的I/O値之重量平均爲0.70以下》 10. —種感光性積層體,其特徵係在基體上具有由感光性組 成物所構成的感光層,該感光性組成物係含有黏合劑、 聚合性化合物、熱交聯劑、塡料及光聚合引發劑而構成, 0 其中黏合劑、聚合性化合物及熱交聯劑的混合物的I/O 値之重量平均爲0.70以下》 11. 一種永久圖案形成方法,其特徵係至少包含對使用感光 性組成物所形成的感光層進行曝光,該感光性組成物所 係含有黏合劑、聚合性化合物、熱交聯劑、塡料及光聚 合引發劑而構成,其中黏合劑、聚合性化合物及熱交聯 劑的混合物的I/O値之重量平均爲0.70以下。 12. 如申請專利範圍第11項之永久圖案形成方法,其中曝 © 光係藉由光調變手段(light modultaing mean)使光線調 變後,通過配列具有非球面的微透鏡而成之微透鏡陣列 來進行,該非球面能夠修正因該光調變手段的描畫部的 射出面之變形所引起的偏差。 13. 如申請專利範圍第11項之永久圖案形成方法,其中進 行曝光後,進行感光層的顯像。 14. 如申請專利範圍第13項之永久圖案形成方法,其中進 行顯像後,進行感光層的硬化處理。 1 5 · —種印刷基板,其特徵係藉由至少含有對使用感光性組 -114- 200947125 , 成物所形成的感光層進行曝光之永久圖案形成方法來形 成永久圖案,該感光性組成物係含有黏合劑、聚合性化 合物、熱交聯劑、塡料及光聚合引發劑而構成’其中黏 合劑、聚合性化合物及熱交聯劑的混合物的1/0値之重 量平均爲0.70以下。 ❹ -115- 200947125 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:無。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 〇 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
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