TW200941512A - Varistor - Google Patents

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200941512 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種將電阻元件及變阻器素體一體化之變 阻器。 【先前技術】 變阻器係保護例如各種控制設備、通訊設備以及該等設 備之零件不會受到例如靜電等外來突波（異常電壓）或雜訊 的影響，因而被用於吸收或除去外來突波或雜訊。

作為構成上述變阻器之變阻器素體之構成成分，為了實 現電壓非線性等之變阻特性或放電承受量之提高，提出有 使用氧化鋅作為主成分、使用稀土類元素、氧化約、氧化 石夕作為副成分（例如參照日本專利t請公開第3493取號公 然而’於將電阻元件串聯連接於變阻器之情形時，由於 刀別將1%個7〇件安裝於印刷基板上因而安裝空間擴大， 無法對應於高密唐夕史# _ 间在度之女裝。為了實現該高密度之安裝，提 出有一種將變阻器去__ μ 素體及電阻70件一體化之變阻器（例如 參照日本專利申請公開第3G97332號公報）。 【發明内容】 :::高密度安裝之變阻器素體及電阻元件一體 =二不僅要求變阻器具有良好之變阻特性，而且， 為了伴隨數位信號芬部.占由 ^ 響5速又之尚速化而降低對信號之影 響，亦要求具有較低之靜電容量。 然而，已知在製作變阻器素雜及電阻元件一體化之變阻 136769.doc 200941512 器之情形時，變阻特性會降低。在研討了該原因之後，發 現變阻特性之降低起因於變阻器素體、設在該變阻器素禮 上之導體、以及電阻元件各自之含有成分相互反應而生成 之反應生成物。 • 本發明係鑒於上述情況而提出者，其目的在於提供一種 可高密度安裝、具有優異之變阻特性且充分地降低阻抗之 • 不均一之變阻器。 為了達成上述目的，本發明係提供一種變阻器，其具備 〇 變阻器素體、位於變阻器素體之一方之主面上之一對外部

電極、及位於上述主面上之電阻元件，電阻元件以連接一 對外部電極之方式而設置；變阻器素體具有主成分及副成 分，含有氧化鋅作為主成分，含有鈣氧化物、矽氧化物、 稀土類金屬之氧化物作為副成分；相對於ι〇〇莫耳之上述 主成分’將上述鈣氧化物換算為鈣原子之比率乂為2〜8〇原 子0/。’相對於100莫耳之上述主成分，將上述矽氧化物換 算為石夕原子之比率丫為〗〜4〇原子。/◦，相對於上述Y之上述X Ο 之比率（χ/γ)滿足下述式（丨），且外部電極及電阻元件含有 與氧化鉍及氧化銅不同之氧化物。 1<X/Y< 3 (1) 本發明之變阻器在具有優異之變阻特性之同時，能夠充 分地降低阻抗之不均一。發明人如下述般推測出獲得相關 之效果之理由。即，本發明之變阻器所具備之變阻器素 體’具備含有與氧化叙及氧化銅不同之氧化物的外部電極 及電阻元件，因而在變阻器之製造時以及使用中，能夠充 136769.doc 200941512 分地抑制外部電極、變阻 器素體以及電阻元件之相互之間 的反應。藉此，能夠抑制 ;外口p電極、變阻器素體及電阻 兀件中生成反應生成物。 na « ^ Α 因此，推測能夠不損害並維持變 阻器素體本來之優異之變 > & 叉丨特性，又，能夠充分地降低阻 抗值之不均一。 又，於本發明中’較好的祕 計的疋於變阻器素體之主面與一對 外部電極及電阻元件之至少 一方之間具備基底玻璃層。

一這樣’於變阻器素體與-對外部電極及電阻元件之至少 -方之間具備基底玻璃層的變阻器，能夠更充分地抑制外 部電極與變阻器素體之反廣 久應以及電阻元件與變阻器素體之 反應之至少一方之反應。 H本發明之變㈣中’較好的是電阻元件以覆蓋與 外部電極之變阻器素體侧相反之面之至少-部分的方式而 設置。 藉由使用此種態樣之電阻元件，能夠進一步提高電阻元 :與導體之結合力。因&，在能夠進一步抑制變阻器之阻 抗值之不均-之同時，能夠提高耐久性及可靠性。 又’較好的是本發明之變阻器具備玻璃層以覆蓋電阻元 件及-對外部電極。藉由具備此種玻璃層，能夠保護變阻 器。因此，能夠進一步提高變阻器之耐久性及可靠性。 根據本發明，能夠提供一種可高密度安裝、具有優異之 變阻特性且充分地降低阻抗之不均一之變阻器。 【實施方式】 以下，根據情況參照圖式，對本發明之較佳實施形態進 136769.doc 200941512 行說明。 (第1實施形態） 圖1係本發明之第1實施形態之變阻器之模式剖面圖。於 變阻器1中’以連接於變阻器素體1〇之一方之主面l〇a之方 式積層有基底玻璃層12。而且，以連接於與該基底玻璃層 12之變阻器素體1 〇侧相反之一側的主面之方式設有一對外 部電極30a、30b。又，以連接於該主面之方式設有電阻元 件60。即，一對外部電極3〇a、3〇b與電阻元件6〇設於基底 ® 玻璃層12之同一主面上。該電阻元件60以連接該一對外部 電極30a、30b之方式設置。而且，電阻元件6〇之至少一部 分以被夾在該一對外部電極3〇a、3〇b之間之方式設置。 又，電阻兀件60以覆蓋與一對外部電極3〇&、3〇b之基底玻 璃層12側相反之一側之面的一部分（電阻元件6〇側）之方式 形成。變阻器1於最外層具有保護層（釉面（〇verglaze))14。 保護層14以覆蓋變阻器素體1〇、外部電極3〇a、3〇b、以及 電阻元件60之方式設置。 ® 較好的是外部電極3〇a、30b之各自之厚度為，如圖工所 示’電阻元件由電阻元件60所覆蓋之部分的厚度大於其他 邙刀之厚度。藉此，能夠提高外部電極3〇&、3〇b與電阻元 .件60之接合強度。 變阻器素體1G在包含氧化鋅（Zn〇)作為主成分之同時， 亦含有稀土類金屬之氧化物、約氧化物以及石夕氧化物作為 副成分。自獲得優異之變阻特性之觀點考慮，較好的是相 對於變阻器素體1G之全體之211〇之含量為7㈣9原子％。藉 136769.doc 200941512 此，能夠以高水準同時實現優異之變阻特性與較大之耐突 波特性。

較好的是變阻器素體1G中所含有之作為副成分之稀土類 金屬之氧化物’係選自由Y、La、Ce、pr、Nd、sm、 Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 以及 Lu 所組成之群 中之至少1種氧化物，較好的是稀土類金屬之氧化物之含 量相對於作為主成分之氧化鋅，換算成稀土類金屬，為 0.01〜10原子％Q若稀土類金屬元素之氧化物之含量過低， 則存在著難以體現電壓非線性之傾向，若該含量過高則 存在著變阻器電壓急遽升高之傾向。更較好的是上述稀土 類之氧化物為Pr之氧化物。 變阻器素體10令之鈣氧化物之含量相對於氧化鋅，換算 成鈣原子，為2〜80原子％。又，變阻器素體1〇中之矽氧化 物之含量相對於氧化辞，換算成矽原子，為卜糾原子％。 又，相對於發氧化物之妈氧化物之比率，按照分別換算成 矽原子以及鈣原子之原子比率（Ca/Si)計，滿足上述通式 ⑴。 此處’變阻器之靜電容量一般由下式表示。 C=e〇8r(S/d) (2) C表示靜電容量，ε。表示真空介電常數，％表示相對介電常 數，S表示體現靜電容量之相對電極之面積，d表示相對電 極之間之厚度。對於包含氧化鋅作為主成分之變阻器，即 所謂氧化鋅系變阻器而言，必須注意厚度d之處理。氧化 辞系變阻器藉由結晶晶界體現其特性。即，對於晶界之阻 136769.doc -10- 200941512 抗與晶内之阻抗而言’於固定狀態下具有較大之差異’晶 界之阻抗遠大於晶内之阻抗。因此，於不超過崩潰電壓 (上升電壓）之固定狀態下，所施加之電場幾乎全落在晶 界。所以，對於上述厚度d而言，不得不考慮這一點。 厚度d由下式表示。 d=n*2W (3) π表不與相對電極平行之晶界數，表示1個晶界之空乏 層寬度。

於變阻器電壓VlinA及晶界數11之間，以下關係成立。 n=V,mA/^ (4) 多疋晶界之障壁高度，係代表每〗個晶界之變阻器電壓之 值。 式 此處，將式（3)及式（4)代入式（2)，進行 變形 得到下 c*VimA=80sr*(^*S/2W) (5)

由於^與2W在恰當之電壓非線性之時候為某固定之值 (卜0.8 eV，2W=3〇 nm左右)，因而在相對電極之面積S為 固定之情形時，式⑸為固定。反過來說，減小相對電極之 面積S，可有效地於維持恰當之電壓非線性之 靜電容量。 。低 相：電極之面積s之方法’可以考慮直接減小 電極之面積。然而，如果單純地減小相對電極之面 二果將導致能量承受量或突波承受量之降低， 非線性或元件之可靠性等。因此…將能量承受量或 136769.doc 200941512 突波承受量之降低抑制在最小限度，並減小靜電容量，可 以考慮控制陶瓷之微細構造。即，相對於包含作為主成分 之氧化辞之第一相’具有由氧化鋅以外之氧化物形成之第 二相，藉由控制該第二相之體積分率，減小了於相對電極 . 之間體現靜電容量之氧化鋅之結晶晶界的面積。藉此，不 會減小相對電極之面積，並能夠減小靜電容量。 . 此處，本發明之變阻器所具備之變阻器素體，如上所 述，含有鈣氧化物以及矽氧化物。因此，變阻器素體之結 β 晶構造中，相對於包含作為主成分之氧化鋅之第一相，導 入由Ca與Si發生反應而合成之複合氧化物（例如CaSi〇3或

CajiO4等）形成之第二相，從而將該第二相之體積分率控 制在所期望之值。因此，氧化鋅之結晶晶界之面積較小。

Ca與Si之複合氧化物之介電常數小於氧化鋅，但並不阻礙 電壓非線性之體現。結果，能夠減小變阻器素體之靜電容 量。 再者，作為變阻器素體所包含之鈣氧化物，可以列舉出 〇 ㈤，或包含鈣、矽及氧之CaSi〇3、Ca2Si〇4等複合氧化 物。作為變阻器素體所包含之矽氧化物，可以列舉出 Si02 ’包含鈣、矽及氧之CaSi〇3、Ca2Si〇4，或等 複合氧化物等。 較好的是本實施形態之變阻器素體除了含有上述副成分 之外，亦含有Co之氧化物、選自IIIB族元素之至少i種氧 化物。作為IIIB族元素，更較好的是B、A卜^或化。 較好的是Co之氧化物之含量相對於作為主成分之氧化 136769.doc -12· 200941512 鋅，換算成Co,為〇.〇5〜1〇原子％。在該含量未滿〇〇5原子 %之情形時，存在著難以獲得所期望之變阻器電壓之傾 向，如果該含量超過10原子％’則存在著在變阻器電壓增 大之同時電壓非線性下降之傾向。 • 較好的是選自IIIB族元素之至少1種氧化物之含量相對 於作為主成分之氧化辞，換算成所選出之1118族元素為 0·_5〜G.5原子^於該含量未滿G侧5原子％之情形時， 。存在著變阻器電_大之傾向，如果該含量超過〇5原子 ❹ 乂，則存在著阻抗較低而無法獲得變阻器電壓之傾向。 又，較好的是本實施形態之變阻器素體含有選自Μ族元 素之至少1種氧化物作為其他副成分。作為ia族元素，更 較好的是Na、K、Rb或Cs。 較好的是選自IA族元素之至少丨種氧化物之含量相對於 作為主成分之氧化鋅，換算成所選出之IA族元素，為未滿 5原子％。於該含量為5原子％以上之情形時，作為陶瓷之 溶點下降’在燒成時存在著熔融之傾向。 ® 又，較好的是本實施形態之變阻器素體含有選自除。以 外之ΠΑ族元素之至少丨種氧化物作為其他副成分。作為 ΠΑ族元素，更較好的是Mg、811或^。 選自除Ca以外之IIA族元素之至少}種氧化物之含量，相 對於作為主成分之氧化鋅，換算成所選出之IIA族元素， 較好的是未滿1原子。/。。於該含量為丨原子％以上之情形 時’存在著變阻器電壓增大之傾向。 又，較好的是本實施形態之變阻器素體含有選自Cr以及 136769.doc 13 200941512

Mo之至少〗種氧化物作為其 之含量相對於作為主成八乃 好的是該氧化物 "于於作為主成分之氧化鋅，換算成各

Mo原子，為未滿10原子％。 、 及 祖七… 於該含量超過10原子％之情形 時，存在著變阻器電壓增大之傾向。 形 外部電極30a、30b係導體， rcu〇^ η ^ 3有與軋化鉍及氧化銅 :二同之氧化物。作為氧化物，可含有 、 二〇、_以及Al2〇3等。較好的是外部電極地鳩除了

=上述氧化物之外’亦含有金屬單趙。作為金屬單體， 可較佳含有Ag、Pd、Pt等。 較好的是外部電極30a、3〇b中之氧化物之總含量相對於 外部電極之全體’為質量％。於氧化物之總含量未 滿0.01質量％之情形時，存在著相對於基材之黏合強度降 低之傾向，於超過20質量％之情形時，存在著導電性受損 之傾向。外部電極3〇a、鳥之厚度例如可設為卜3〇叫。 電阻元件60可含有Ru〇2、“Ο" 等具有導電性之 氧化物，Α!2〇3、ίο;、Μ%等氧化物及別、Ag、pt等金 屬單體》 電阻元件60含有與氧化鉍及氧化銅（Cu〇)不同之氧化 。物。較好的是電阻元件60中之氧化物之含量為5〇〜99質量 %。藉此，能夠進一步抑制阻抗值之不均一。此外，電阻 元件60之厚度例如可設為1〜30 μιη。 基底玻璃層 12可含有 Hf〇2、CaO、A1203、Si02、ΖηΟ、

BaO以及1〇3等之玻璃中一般所包含之氧化物。較好的是 基底玻璃層12中之氧化鉍及氧化銅（Cu〇)之含量分別相對 136769.doc •14- 200941512 於基底玻璃層12之全體，為1質量％以下，更較好的是為 〇.5質量％以下。又，更較好的是基底玻璃層12含有與氧化 絲及氧化鋼不同之氧化物。藉由降低基底玻璃層12中之氡 化Μ及氧化銅之含量，能夠進一步抑制變阻器素體1〇與外 部電極30a、30b以及電阻元件60之間的反應。藉此，能夠 進一步抑制變阻器10’外部電極3〇a、30b，電阻元件60中 之反應生成物之生成。此外’基底玻璃層12之厚度例如可 設為1〜3 0 μηι。 Φ 保護層60係為了保護變阻器素體10，外部電極30a、 3〇b，以及電阻元件60而設置。該保護層6〇含有玻璃或陶 兗作為主成分。保護層之厚度例如可設為丨〜3 〇 μϊη。 本實施形態之變阻器1之外部電極3〇a、30b，如上所 述’含有氧化鉍及氧化銅以外之氧化物。因此，能夠抑制 變阻器1與外部電極30a、3〇b，以及外部電極3〇a、3〇b與 電阻元件60之反應。於外部電極含有氧化鉍或氧化銅之情 形時，該氧化鉍或氧化銅與變阻器素體1〇之成分發生反 ® 冑，形成反應生成物。此處，由於Μ能夠成為3價之陽離 子，因而考慮了形成作為反應生成物之半導體之情況。藉 此，認為變阻特性降低。 圖2係表示第1實施形態之變阻器丨之剖面之χ射線微量分 析儀（ΕΡΜΑ，Electron Probe Micro Ana丨yze)分析之元素分 布的圖。圖2表示自上方起以外部電極、基底玻璃層、變 阻器素體之順序積層之積層構造中之鉍（Bi)的分布。 根據圖2,本實施形態之變阻器丨由於在外部電極中不含 136769.doc 15 200941512 有氧化祕’因而在變阻器素體中未檢測出M(圖2下部）。 即，於該變阻器素體中，絲成分不擴冑，不#在祕化合 物。因此，具備此種變阻器素體之本實施形態之變阻器i 具有優異之變阻特性。X ’由於電阻元件或外部電極也不 含有反應生成物，因而能夠充分地降低阻抗值之不均一。 圖3係表示先前之變阻器之剖面之乂射線微量分析儀 (ΕΡΜΑ)分析之元素分布的。圖3表示自上方起以外部電 極、基底玻璃層、變阻器素體之順序積層之積層構造中之 _ 絲（Bi)的分布。 於使用含有氧化鉍之外部電極之圖3之變阻器中，於外 部電極中檢測出鉍（囷3中段部）。該變阻器中所具備之變阻 器素體係藉由使用與圖2之變阻器素體相同之原料而形成 者，不應含有鉍成分。然而，該變阻器素體含有於變阻器 之製造時因外部電極與變阻器素體之反應而產生之反應生 成物（含有鉍之化合物）（圖3之下部）。具備此種變阻器素體 之變阻器的變阻特性不充分。又，電阻元件或外部電極亦 ® 含有反應生成物，因而阻抗值之不均一較大。 (第2實施形態） 其次，參照圖4〜圖8，對本發明之第2實施形態之變阻器 進行說明。本實施形態之變阻器係積層型晶片變阻器。 圖4係表示第2實施形態之積層型晶片變阻器之概略俯視 圖。圖5係表示第2實施形態之積層型晶片變阻器之概略底 視圖。圖6係用以說明沿著圖5中之¥1_¥1線之刮面構成之 圖。圖7係用以說明沿著圖5中之VII-VII線之剖面構成之 136769.doc • 16 - 200941512 圖。圖8係用以說明沿著圖5中之VIII_VIn線之剖面構成之 圖。 如圖4〜圖8所示，積層型晶片變阻器21具備呈大致矩形 板狀之變阻器素體23、分別形成於該變阻器素體23之一方 之主面（下表面）23&之複數個（於本實施形態為25個）外部電 極25〜29、以及分別形成於該變阻器素體23之另一方之主 面（上表面）23b之複數個（於本實施形態為2〇個）外部電極 30a〜30d。關於變阻器素體23，例如’長可設定為3 mm左 ❿ 右，寬可設定為3 mm左右，厚度可設為〇 5 mm左右。外 部電極25、26、28、29作為積層型晶片變阻器21之輸出輸 入端子電極而發揮作用，外部電極27作為積層型晶片變阻 器21之接地端子電極而發揮作用。外部電極3〇&〜3〇d作為 電性連接於後述之電阻元件61、63之外部電極（襯墊電極） 而發揮作用。 變阻器素體23作為複數個變阻器層及各複數個第丨〜第3 Θ部電極層31(圖6)、41(圖7)、51(圖8)分別積層而成之積 層體所構成。將每一層之第丨〜第3内部電極31、41、51作 為一個内部電極組，該内部電極組於變阻器素體23内沿著 變阻器層之積層方向(以下，簡稱為“積層方向”)配置複數 個（於本實施形態為5個）。於各内部電極組中，第1〜第3内 部電極層31、41、51以至少一層變阻器層介於相互之間之 方式，以第1内部電極層31、第2内部電極層41、第3内部 電極層51之順序進行配置。各内部電極組亦以至少一層變 阻器層介於相互之間之方式進行配置。於實際之積層型晶 136769.doc 200941512 片變阻器21中，複數個變阻器層一體化至互相之間之邊界 無法用肉眼區分之程度。各變阻器層含有與上述第丨實施 形態之變阻器素體相同之成分。 如圖6所示，各第i内部電極層31分別包含第丨内部電極 33、第2内部電極35。各第i及第2内部電極33、35呈大致 矩形狀。第1及第2内部電極33、3 5於距離平行於變阻器素 體23之積層方向之侧面具有特定之間隔之位置上以互相 電性絕緣之方式具有特定之間隔而分別形成。 〇 各第1内部電極W經由引出導體37a而電性連接於外部電 極25，同時經由引出導體371?而電性連接於外部電極3〇a。 引出導體37a、37b與第1内部電極33一體地形成。各第2内 部電極35經由引出導體39a而電性連接於外部電極“，同 時經由引出導體39b而電性連接於外部電極3〇b。引出導體 39a、39b與第2内部電極35—體地形成。 亦如圖7所示，各第2内部電極41分別包含第3内部電極 43。各第3内部電極43呈大致矩形狀。第3内部電極43於距 冑平仃於變阻器素趙23之積層方向之側面具有特定之間隔 之位置上形成，從而自積層方向觀察時，與第i及第2内部 電極33、35相重4。各第3内部電極43經由引出導體竹而 電性連接於外部電極27。引出導體47與第3内部電極Μ — 體地形成。 亦如圖8所示，各第3内部電極層51分別包含第4内部電 極53、第5内部電極55。各第4及第5内部電極μ、μ呈大 致矩形狀。第4及第5内部電極53、55於距離平行於變阻器 136769.doc -18- 200941512 素體23之積層方向之側面具有特定之間隔之位置上，具有 特定之間隔而分別形成’從而自積層方向觀察時，與第3 内。卩電極43相重疊，並且互相電性絕緣。 各第4内部電極53經由引出導體57&而電性連接於外部電 • 極％，同時經由引出導體57b而電性連接於外部電極3〇c。 引出導體57a、57b與第4内部電極53一體地形成。各第5内 邛電極55經由引出導體59a而電性連接於外部電極，同 時經由引出導體59b而電性連接於外部電極3〇d。引出導體 ❹ 59a、59b與第5内部電極55 一體地形成。 第1〜第5内部電極33、35、43、53、55含有與上述第^ 施形態之外部電極相同之成分。内部電極含有與上述第^ 實施形態之外部電極相同之成分。又，引出導體Pa、 37b、39a、39b、47、57a、57b、59a、59b亦含有與上述 第1實施形態之外部電極相同之成分。較好的是内部電極 及引出導體含有與氧化鉍及氧化銅不同之氧化物。 外部電極30a及外部電極3〇b於變阻器素體之主面23b 上’沿著與變阻器層之積層方向垂直且平行於主面23b之 方向，具有特定之間隔而配置（圖4)。外部電極3〇c及外部 電極30d於主面23b上，沿著與變阻器層之積層方向垂直且 平行於主面23b之方向，具有特定之間隔而配置。外部電 極30a與外部電極30b之上述特定之間隔、以及外部電極 30c與外部電極3〇d之上述特定之間隔設定為相同。外部電 極3〇a〜30d呈矩形狀（於本實施形態為長方形狀）。關於外部 電極30a、30b，例如，長邊之長度可設定為1〇〇〇 μηι左 136769.doc •19· 200941512 右，短邊之長度可設定為150 μιη左右，厚度可設定為2卩爪 左右。關於外部電極3〇c、30d，例如，長邊之長度可設定 為5〇〇 μηι左右，短邊之長度可設定為15〇 μπι左右，厚度可 設定為2 μηι左右。 外部電極30a〜30d含有與上述第1實施形態之外部電極相 同之成分。即，含有與氧化鉍及氧化銅不同之氧化物。外 . 部電極30a〜3〇d，例如可燒結含有第！實施形態之外部電極 所包含之金屬及金屬氧化物之導電膏而形成。於該導電膏 ❹ 之中，可使用向上述金屬或氧化物之粉末中混合一般市售 之玻璃粉、有機黏合劑以及有機溶劑而成之混合物。有機 黏合劑沒有特別之限定，例如自乙基纖維素、聚乙烯丁醛 等各種黏合劑中適當選擇即可。作為有機溶劑，自松油 醇、丁基卡必醇、丙酮、甲苯等各種有機溶劑中適當選擇 即可。導電膏之調配比沒有特別之限制，例如相對於金屬 及氧化物粉末之總量100質量份，可調配1〜20質量份之上 述有機黏合劑，1〜40質量份之上述有機溶劑。為了調整導 ® 電膏之流動性而可對該等調配比進行適當變更。 於變阻器素體之主面23b上’以架設於外部電極3〇&與外 電極3 0 b之間之方式形成有電阻元件61，以架設於外部 電極3〇C與外部電極3〇d之間之方式形成有電阻元件63。電 阻元件61、63含有與上述第1實施形態之電阻元件6〇相同 之成分。即，電阻元件61、63含有與氧化鉍及氧化銅不同 之氧化物。電阻元件61、63能夠燒結將Ai2〇3_B2〇3_si〇2等 之玻璃混合於第1實施形態之電阻元件中所包含之金屬以 136769.doc •20- 200941512 及金屬氧化物之令而成之阻抗膏而形成。 電阻元件61之一端透過外部電極30a以及引出導體37b而 電性連接於第1内部電極33。電阻元件61之另一端透過外 部電極30b以及引出導體39b而電性連接於第2内部電極 35。電阻元件63之一端透過外部電極3〇c以及引出導體5几 而電性連接於第4内部電極53。電阻元件63之另一端透過 外部電極30d以及引出導體5 9b而電性連接於第5内部電極 55 〇 ❹ 外部電極25〜29(圖5)於一方之主面23a上以Μ列N行（參數 Μ以及Ν分別為2以上之整數）進行二維排列。於本實施形 態中，外部電極25〜29以5列5行進行二維排列。外部電極 25〜29呈矩形狀（本實施形態為正方形狀關於外部電極 25〜29，例如將每一邊之長度設定為3〇〇 左右將厚度 設定為2 μπι左右。 外部電極25〜29形成於變阻器素體23之外表面，具有與 第1實施形態之外部電極相同之組成。與上述之外部電極 ❹ 30a〜30d相同，外部電極25〜29能夠藉由燒結導電膏而形 成。 如上所述，第3内部電極43以自積層方向觀察時與第 第2内部電極33、35相重疊之方式形成。因此，變阻器層 中之重疊於第1内部電極33及第3内部電極43之區域作為體 現變阻特性之區域而發揮作用，變阻器層中之重疊於變阻 器中之第2内部電極35及第3内部電極43之區域作為體現變 阻特性之區域而發揮作用。 136769.doc -21 · 200941512 而且’如上所述’第3内部電極43以自積層方向觀察時 與第4及第5内部電極53、55相重疊之方式形成》因此，變 阻器層中之重疊於第4内部電極53及第3内部電極43之區域 作為體現變阻特性之區域而發揮作用，變阻器層中之重疊 於第5内部電極55及第3内部電極43之區域作為體現變阻特 性之區域而發揮作用。 如圖9所示’於具有上述構成之積層型晶片變阻器21 中，阻抗R、變阻器Β1、變阻器Β2連接成冗形。阻抗R由電 阻7L件61或電阻元件63構成《變阻器B1由第1内部電極 33、第3内部電極43、變阻器層中之重疊於第！及第3内部 電極33、43之區域構成，或者，由第4内部電極53、第3内 部電極43、變阻器層中之重疊於第4及第3内部電極53、43

之區域構成。變阻器B2由第2内部電極35、第3内部電極 43、變阻器層中之重疊於第2及第3内部電極35、43之區域 構成，或者，由第5内部電極55、第3内部電極43、變阻器 層中之重疊於第5及第3内部電極55、43之區域構成。 接著，參照、圖10，說明上述本發明之第2實施形態之積 層型晶片變阻器21之製造過程。圖1()係用以說明第2實施 形態之積層型晶片變阻器之製造過程之圖。 首先，分另4稱量作為構成變阻器層t主成分之氧化辞、 稀土類金屬之氧化物、鈣氧化物、矽氧化物、以及其他之 成分，然後混合各成分，並調製變阻器原料。變阻器層形 成用之塗料’可以是將該變阻器原料與有機媒劑混煉而成 之有機系之塗料’亦可以是水溶系之塗料。此外，有機媒 136769.doc •22- 200941512 劑可以是將黏合劑溶解 媒劑之黏合劑沒有特別有機溶劑而成之溶液。用於有機 松楚、s也办 之限定，自乙基纖維素、聚7掄丁 搭專通常之各種黏合齊聚乙席丁 之有機溶劑也沒有特別*選擇即可°又’此時所使用 成變阻器層之方法，ή ^，根據印刷法或薄片法等形 等中適當選擇即可。^油醇、丁基卡必醇、_、甲苯 量沒有特別之限定。例^之有機媒誠變阻器原料之含 為Μ質量％左右，_；1；相對於塗料之全體，黏合劑

,,^ 一 有機浴劑為10〜50質量％左右，以此方 式調配有機媒劑。又， 以此方 散劑、可塑劑、介電體需要使塗料中包含選自各種分 體、絕緣體等中之添加物。再者，作 為水溶系之塗料，可以 歹J舉出使水溶性黏合劑及分散劑等 溶解於水而成之溶液。太、、"* 刀散劑等 水/谷系黏合劑沒有特別之限定，自 Α烯醇纖維素、水溶性丙烯樹脂、乳液等中適當選擇 即可β 上述變阻器層形成用之塗料（浆料）能夠藉由使用球磨機 子述變阻器原料、黏合劑、溶劑（有機溶劑或水）、以及 各種添加物等材料進行2G小時左右之混合•粉碎而獲得。 為了調整漿料之流動性而可對製作黎料時之原材料之調配 比進行適當變更。 由刮刀法等之公知之方法，將該漿料塗佈於例如由聚對 苯一甲酸乙二醇酯形成之薄膜上，然後進行乾燥，形成厚 度為30 μηι左右之膜。從薄膜上剝離如此得到之膜，獲得 生胚片材。 其次’於生胚片材上’形成與第i及第2内部電極33、35 136769.doc -23- 200941512 =對應之複數個（與後述之分割晶片數對應之數目）電極部 刀同樣，於不同之生胚片材上，形成與第3内部電極43 2對應之複數個（與後述之分割晶片數對應之數目）電極部 進而於不同之生胚片材上，形成與第4及第5内部電 極53、55相對應之複數個（與後述之分割晶片數對應之數 目）電極部分。 對應於第1〜第5内部電極33、35、43、53、55之電極部 刀，例如可以藉由用絲網印刷等印刷法印刷由與氧化鉍及 氧化銅不同之氧化物、Ag粒子及pd粒子等之金屬粉末玻 璃粉、有機黏合劑以及有機溶劑混合而成之導電膏，並進 行乾燥而形成。有機黏合劑沒有特別之限定，例如自乙基 纖維素、聚乙烯丁醛等各種黏合劑中適當選擇即可。作為 有機溶劑，自松油醇、丁基卡必醇、丙酮、甲苯等各種有 機溶劑中適當選擇即可。導電膏之調配比沒有特別之限 制，例如相對於金屬及氧化物粉末之總量〗〇〇質量份，可 調配1〜20質量份之上述有機黏合劑，卜牝質量份之上述有 機溶劑。為了調整導電膏之流動性可對該等調配比進行適 當變更。 其次’依照特定之順序重疊形成有電極部分之各生胚片 材及未形成有電極部分之生胚片材，而形成薄片積層體。 例如以晶片為單位，切斷如此獲得之薄片積層體，獲得分 割後之複數個生坯LS2(參照圖1〇)。於所獲得之生坯LS2 中，依次積層形成有與第1及第2内部電極33、35以及引出 導體37a、37b、39a、39b相對應之電極部分EL2的生胚片 136769.doc • 24· 200941512 材GSll，形成有與第3内部電極43以及引出導體47相對應 之電極部分EL3之生胚片材GS12，形成有與第4及第5内部 電極53、55以及引出導體57a、57b、5%、5朴相對應之電 極部分EL4之生胚片材GS13，未形成有電極部分EL2〜EL4 之生胚片材GS14。再者，未形成有電極部分EL2〜ΕΜ之生 胚片材GS14可視需要而於各個部位積層複數枚。 其次’對生坯LS2實施180〜400°C、0.5〜24小時左右之加 熱處理，除去黏合劑’然後，進而進行85〇〜14〇〇t>c、 〇 0·5〜8小時左右之燒成，得到變阻器素體23。藉由該燒 成，生^LS2中之生胚片材GS11〜GS14成為變阻器層。電 極部分EL2成為第1及第2内部電極33、35以及引出導體 37a、37b、39a、39b。電極部分EL3成為第3内部電極“以 及引出導體47。電極部分EL4成為第4及第5内部電極53、 55以及引出導體57a、57b、59a、59b。 其次，於變阻器素體23之外表面上，形成外部電極 25〜29以及外部電極30a〜3Od。此處，於變阻器素體η之一 ® 方之主面23a上，藉由絲網印刷法以連接於所對應之電極 部分EL2〜EL4之方式印刷導電膏，然後使之乾燥，藉此形 成對應於外部電極25〜29之電極部分。又，於變阻器素體 23之另一方之主面23b上，用絲網印刷法以連接於所對應 之電極部分EL2、EL4之方式印刷導電膏，然後使之乾 燥，藉此形成對應於外部電極30a〜30d之電極部分。接 著，以500〜850°C燒結上述電極部分，得到形成有外部電 極25〜29以及外部電極30a〜30d之變阻器素體23。於外部電 136769.doc -25- 200941512 極25〜29以及外部電極30a〜3〇d用之導電膏中，可使用與氧 化銅及氧化絲不同之氧化物、Ag粒子及Pd粒子等之金屬粉 末、玻璃粉、有機黏合劑以及有機溶劑之混合物。 其次’以下述方式形成電阻元件61、63 ^首先，在變阻 器素體23之主面23b上，以分別架設於各一對外部電極3〇& 與外部電極30b、以及各一對外部電極3〇c與外部電極3〇d 之方式形成對應於電阻元件61、63之阻抗區域。對應於電 阻元件61、63之各阻抗區域藉由用絲網印刷法印刷阻抗 〇 膏’並進行乾燥而形成。繼而’例如以800〜9〇〇。〇燒結阻 抗膏’得到電阻元件61、63。藉此，得到積層型晶片變阻 器21。又’可同時形成外部電極25〜29以及外部電極 30a〜30d及電阻元件61、63。 作為阻抗膏’使用含有與氧化叙及氧化銅不同之氧化物 之膏體。具體而言’使用將一般市售之有機黏合劑及有機 溶劑混合於玻璃粉末而成之混合物。作為玻璃粉末，可使 用將Al2〇3_B2〇3-Si〇2等之玻璃混合於ru〇2*成之混合物。 ® 作為Sn系之阻抗膏，可使用將Al203-B203-Si02等之玻璃混 合於Sn〇2而成之混合物。作為La系之阻抗膏，可使用將 AhCh-BzOrSiO2等之玻璃混合於LaB6而成之混合物。用於 阻抗膏之製作之有機黏合劑沒有特別之限定，例如自乙基 纖維素、聚乙烯丁醛等各種黏合劑中適當選擇即可。作為 有機溶劑，自松油醇、丁基卡必醇、丙酮、甲苯等各種有 機溶劑中適當選擇即可。再者，導電膏之調配比沒有特別 之限制，例如相對於金屬及氧化物粉末之總量丨〇〇質量 136769.doc •26· 200941512 份，可調配1〜20質量份之上述有機黏合劑，卜仂質量份之 上述有機溶劑。為了調整導阻抗膏之流動性而可對該等調 配比進行適當變更。 並且，於燒成之後，可使鹼金屬（例如Li、Na等）自變阻 器素體23之表面擴散。又，於積層型晶片變阻器幻之外表 面上’除了形成有外部電極25〜29之區域之外，亦可形成 保護層（釉面層）。保護層可藉由印刷玻璃釉（例如由Si〇2、 ZnO、B、AI2O3等形成之玻璃等），並以500〜600°c進行燒 ❿ 結而形成。 如上所述’本第2實施形態之變阻器，於包含氧化辞、 稀土系金屬之氧化物、鈣氧化物以及矽氧化物之變阻器素 體23之主面23b上具備含有與氧化鉍及氧化銅不同之氧化 物之一對外部電極（30a及30b或30c及30d)，及以連接該一 對外部電極之方式形成之電阻元件61或63。而且，電阻元 件61、63包含與氧化鉍及氧化銅不同之氧化物。藉此，可 充分地抑制外部電極、電阻元件以及變阻器素體之相互之 © 間之反應。因此，此種積層型晶片變阻器於具有低靜電容 量之同時，其變阻特性優異，能夠充分地降低阻抗值之不 土句一〇 再者，與第1實施形態相同，可於變阻器素體之主面23b 與外部電極30a〜30d之間、以及變阻器素體之主面23b與電 阻元件61、63之間之至少一方設置基底玻璃層。藉由用絲 網印刷法於變阻器素體23之主面23b上印刷含有氧化鉍及 氧化銅以外之玻璃中所包含之氧化物、例如Si02-ZnO- 136769.doc • 27· 200941512

BaO-ZKVAhO3等之膏體’然後進行乾燥，例如以 800〜900°C進行燒結，從而形成該基底玻璃層。然後，如 上所述，可於基底玻璃層上形成外部電極30a〜3〇d及電阻 元件61、63。 藉由將一般市售之有機黏合劑及有機溶劑調配於上述氧 化物中’可調製用於基底玻璃層之形成之基底玻璃層用膏 體。有機黏合劑沒有特別之限定，例如自乙基纖維素、聚 乙烯丁路等各種黏合劑中適當選擇即可。作為有機溶劑， 〇 自松油醇、丁基卡必醇、丙酮、曱苯等各種有機溶劑中適 當選擇即可。再者’導電膏之調配比沒有特別之限制，例 如相對於金屬以及氧化物粉末之總量丨〇〇質量份，可調配 1〜20質量份之上述有機黏合劑，丨〜扣質量份之上述有機溶 劑。為了調整基底玻璃層用膏體之流動性而可對該等調配 比進行適當變更。 然而’本第2實施形態之積層型晶片變阻器21中，作為 輸出輸入端子電極而發揮作用之外部電極25、26、28、29 及作為接地端子電極而發揮作用之外部電極27—併配置於 變阻器素體23之一方之主面23 a上。即，積層型晶片變阻 器21係BGA(Ball Grid Array，球狀栅格陣列）封裝之積層型 晶片變阻器。藉由使用焊錫球而電性連接且機械連接各外 部電極25〜29及對應於該外部電極25〜29之外部基板之焊 盤’從而將該積層型晶片變阻器21安裝於外部基板上。於 將積層型晶片變阻器21安裝於外部基板之狀態下，各内部 電極33、35、43、53、55沿著正交於外部基板之方向延 136769.doc -28- 200941512 伸0 以上對本發明之較佳實施形態進行了說明，但本發明並 不限於該等實施形態。 [實施例] 以下，基於實施例以及比較例更加具體地說明本發明， 但本發明並不限於以下之實施例。 (實施例1) <變阻器素體用漿料之調製>

首先，準備含有氧化鋅作為各主成分，含有表1所示之 成分作為副成分之粉末原料。表1之含量是表示相對於氧 化鋅之比率。使用球磨機對該粉末原料、有機黏合劑、有 機溶劑、添加劑進行20小時之混合•粉碎，得到變阻器素 體用之漿料。 [表1] _化合物 比率(原子％) SiO, 7.11 κ2ο 0.04 CaO 20.31 —__ Cr2〇^ 0.05 —C〇3〇4 0.70 Pf6〇n 0.09 表中各化合物之比率分別係換算為金屬原子或半金屬原 子之值。 <外部電極形成用之導電膏之製作> 製作含有表2所述之電極A所示之成分之導電膏。具體而 136769.doc •29- 200941512 言’以表2所示之比率混合表2之電極八之各成分，調製混 合原料。 使用球磨機混合該混合原料、有機黏合劑以及有機溶劑 20小時，得到外部電極形成用之導電膏。 <阻抗膏之製作> 製作含有由表2所述之電阻元件3所示之成分之阻抗膏。 • 具體而言，以表2所示之比率混合表2之電阻元件a之各成 分，調製混合原料。 〇 使用球磨機混合所調製之混合原料、有機黏合劑以及有 機溶劑20小時’得到電阻元件形成用之阻抗膏。 <積層型晶月變阻器之製作> 使用如上述般調製之漿料及各個膏體，製作相當於上述 第2實施形態之積層型晶片變阻器。以下，參照圖4〜8及圈 10，對積層型晶片變阻器之製造順序進行說明。 首先’用刮刀法將如上述般調製之變阻器素體用之聚料 塗佈於由聚對笨二甲酸乙二醇酯形成之薄膜上，然後，進 ® 行乾燥，形成厚度為3 0 μιη之膜。自薄膜上剝離如此得到 之膜，獲得生胚片材。 •其次’於生胚片材上形成對應於第1及第2内部電極33、 . 3 5(圖5)之電極部分。同樣地，於不同之生胚片材上形成對 應於第3内部電極43(圓5)之電極部分。而且，於不同之生 胚片材上形成對應於第4及第5内部電極53、55(圖5)之電極 部分。 對應於第1〜第5内部電極33、35、43、53 ' 55之電極部 136769.doc • 30· 200941512 分，藉由絲網印刷法印刷通常之導電膏，並進行乾燥而形 成。 其次，以特定之順序重疊形成有電極部分之各生胚片材 及未形成有電極部分之生胚片材，形成薄片積層體。以晶 • 片為單位切斷如此獲得之薄片積層體，得到經分割之複數 個生坯LS2(參照圖10)。 • 其次，對生坯1^2實施加熱處理，除去黏合劑，然後進 而進行燒成，得到變阻器素體23。 ® 其次，於變阻器素體23之一方之主面23a上藉由絲網印 刷法印刷市售之Ag-Pt系膏體，並進行乾燥，以9〇〇〜 1100°C進行燒結，形成對應於外部電極25〜29之電極部分 (Ag-Pt 導體）。 其次，於變阻器素體23之主面23b上藉由絲網印刷法印 刷如上述般調製之導電膏，並進行乾燥，從而形成對應於 外部電極30a〜30d之電極部分。然後，以85(TC燒結該電極 部分，得到於主面23b上形成有外部電極3〇a〜3〇d之變阻器 ❹ 素體。 其次，以分別架設於每一對外部電極3〇a與外部電極3〇b 以及每一對外部電極30c與外部電極3〇d之方式，藉由絲網 印刷法印刷如上述般調製之阻抗膏。使該阻抗膏乾燥，以 在850°C燒結，形成電阻元件61、63。藉此，由電阻元件 61連接外部電極30a及外部電極3〇b，由電阻元件63連接外 部電極30c及外部電極30d。藉由以上之步驟，得到圖4及 圖5所示之積層型晶片變阻器21。 136769.doc •31 - 200941512 <反應性之評價> 對所製作之積層型晶片變阻器之剖面進行X射線微量分 析儀（ΕΡΜΑ)分析’檢測變阻器素體中之反應生成物之有 無。藉由ΕΡΜΑ分析，將未發現生成對變阻特性產生影響 之反應生成物之情況（未檢測出原材料中未包含之元素之 情況）判定為反應性A，將發現生成反應生成物之情況（檢 測出原材料中未包含之元素之情況）判定為反應性B。其結 果示於表2。 ❹

<阻抗值之評價> 測定所製作之積層型晶片變阻器之阻抗值。具體而言， 於圖9所示之等效電路中，測定外部端子電極25(26)與外部 端子電極29(28)之間之阻抗值。於不同之外部端子電極之 間之ίο個部位進行測定，導出平均值及標準不均一（σ)。 根據該等值算出W平均值之值’從而評價阻抗值之不均 一。其結果示於表2。 (實施例2〜5，比較例1、2) 電阻元件形成 〜刊竹之中，除了 表2所示之電阻元件a之成分分別變為雷 电1且凡件b〜g之成 之外，與實施例1相同，分別製作積層型晶片變阻器， 進行評價。評價結果示於表2 ^再者，用於電極之形成 導電膏之組成與實施例1相同。 ^ 136769.doc •32· 200941512 [表2]

136769.doc .33· 200941512 (比較例3) 外部電極形成用之導電膏中所包含之枒料之中，除了將 表2所示之電極A之成分變為表3所示之電極B之成分之 ^’製作積層型晶片變阻器，並進行評 價。評價結果示於表3。 (比較例4~11) 電阻元件形成用之阻抗膏中所包含之㈣之中，除了將 ❹ 表3所示之電阻元件&之成分分别變為電阻元件b〜i之成分 之外，與比較例3相同’分別製作積層型晶片變阻器，並 進行評價。評價結果示於表3。再者，用於電極之形成之 導電膏之組成與比較例3相同。 Φ 136769.doc 34- 200941512 [表3] ❹

136769.doc -35- 200941512 (比較例12) 外部電極形成用之導電膏中所包含之从 _ 〜讨料之中，除了將 表2所示之電極a之成分變為表4所示之带上 《冤極C之成分之 外，與實施例2相同，製作積層型晶片變阻器，並進行坪 價。評價結果示於表4。 (比較例13〜18) • 電阻元件形成用之阻抗膏中所包含之铋扭+丄 竹料之中’除了將 表4所示之電阻元件b之成分分別變為雷 元件c〜e及g〜}之 成分之外，與比較例12相同，分別製竹 灰作積層型晶片變阻 器’並進行評價。評價結果示於表4。五 者，外部電極形 成用之導電膏之組成與比較例12相同。 ❹ 136769.doc 36- 200941512 ❺ [表4]

(註1) :「σ」表示所測定之阻抗值之標準偏差，「平均」 抗值之平均值。 表1示所測定之阻 (註2):表十之空襴表示不包含。 I36769.doc •37- 200941512 (比較例1 9) 外部電極形成用之導電膏中所包含 〈材料之中，除了將 表2所示之電極A之成分變為表5所示之電極〇之成分之 外，與實施例2㈣，製作積層型晶片變阻器，並進行評 價。評價結果示於表5。 (比較例20〜25) ⑩ 電阻元件形成用之阻抗膏中所包含之材料之中除了將 表5所示之電阻元件b之成分分別變為電阻元件㈣及η之 成分之外，與比較例19相同，分別贺你姓s 刀万J裂作積層型晶片變阻 器，並進行評價。評價結果示於表5。 冉者’外部電極形 成用之導電膏之組成與比較例19相同。 136769.doc 38- 200941512 [表5] 化合物 比較例19 比較例20 比較例21 比較例22 比較例23 比較例24Ί 比較例25 電極D 電阻元 件b 電阻元件 C 電阻元件 d 電阻元件 e 電阻元件 fi 電阻元件 h 電阻元件 i 質量％ 質量％ 質量％ 質量％ 質量％ 質量％ 質量％ 質量％ B201 0.5 4.6 4.7 9.9 9.6 3.7 17.5 4.6 Na20 0.1 0.2 MgO 0.1 1.3 ΑΙίΟτ 1.1 1.6 0.1 2.5 3.3 2.0 2.7 2.2 Si02 3.5 9.1 20.0 15.7 17.6 15.3 12.5 17.9 ΡΛ SO, Cl 0.1 0.1 K20 0.5 _ 1.3 1.6 0.8 0.5 0.1 0.5 CaO 1.6 4.9 1.2 1.2 1.5 TiO^ 0.2 V7〇s Cr^O-i MnO 1.2 2.8 2.4 0.6 0.6 2.9 0.1 Fe2〇3 0.2 0.1 0.1 0.05 CoO NiO CuO 0.3 0.4 ZnO 4.6 2.4 8.1 10.1 0.6 0,8 SrO, 0,1 ΥΛ Zr02 0.2 2.8 Nb^Os 0.4 0.7 1.6 2.2 Ru02 26.4 66.5 47.9 45.0 31.1 32.2 36.9 Pd 24.3 10.4 4.6 4.6 _Ag,, 55.8 35.5 1.8 2.7 10.8 8.8 Sn02 0.2 BaO 5.7 11.9 PbO 27.0 16.7 31.8 Bi?0, 12.9 0.5 SbA 0.6 1.0 反應性 Β B B B B B B 3σ/平均 [%] (註1) 16 156 709 147 283 27 445 (註1) :「σ」表示所測定之阻抗值之標準偏差，「平均」表示所測定之阻 抗值之平均值。 (註2):表中之空欄表示不包含。 (比較例26) 與實施例1相同，製作含有表6所述之電極A所示之成分 之導電膏。又’製作含有表6所述之電阻元件h所示之成分 136769.doc -39- 200941512 之阻抗膏。 <基底玻璃用膏體之製作> 製作含有表6所述之基底玻璃丨所示之成分之膏體。具體 而5 ’以表ό所示之比率混合表6所述之基底玻璃1之各成 分，調製混合原料。使用球磨機將所調製之混合原料、有 機黏合劑以及有機溶劑混合20小時，得到基底玻璃形成用 • 之膏體。 <積層型晶片變阻器之製作> Ο 使用如上述般調製之各膏體，與實施例1相同，製作變 阻器素體23。藉由絲網印刷法於該變阻器素體23之主面 23b上印刷如上述般調製之基底玻璃形成用之膏體，然後 進行乾燥，以850°C燒結，形成基底玻璃層。 藉由絲網印刷法於所形成之基底玻璃層之上印刷如上述 般調製之外部電極形成用之導電膏，然後進行乾燥，從而 形成對應於外部電極3 0a〜3 0d之電極部分。繼而，以8$〇°C 燒結該電極部分，得到於所基底玻璃層（未圖示）上形成有 ® 外部電極30a〜30d之變阻器素體。 其次’以分別架設於各一對外部電極3〇a與外部電極 30b、以及各一對外部電極3〇c與外部電極3〇d之方式，藉 由絲網印刷法印刷如上述般調製之阻抗膏。乾燥該阻抗 膏’以850C燒結’形成電阻元件61、63。藉由以上之步 驟’得到圖4及圖5所示之積層型晶片變阻器2 1。 與實施例1相同，進行反應性之評價。結果示於表6。 (比較例27〜31) 136769.doc • 40· 200941512 基底玻璃形成用之膏體中所包含之材料之中，除了將表 6所示之基底玻璃1之成分分別變為基底玻璃2〜6之成分之 外，與比較例26相同，製作積層型晶片變阻器，並進行評 價。評價結果示於表6。再者’用於電極及電阻元件之形 成之膏體之組成與比較例26相同。 •[表 6] ❹ 化合物 比較例26 比較例27 比較例28 比較例29 比較例30 比較例31 電極A 電阻元件h 基底玻靖1 基底玻璃2 基底玻璃3 基底玻璃4 基底玻瑀5 基底玻瑀6 質量％ 質量％ 質量％ 質量％ 質量％ 質量％ 質量％ f 4% Βίο、 1.1 17.5 23.0 23.0 5,0 27 0 8 0 Na，_0 0.2 6.0 MgO 0 04 ΑΙ,Ο, 2.7 29.4 3.0 40 0 η SiO, 0.6 12.5 28.5 53.0 12.0 7.0 28.0 100 P，0< η ηι so, Cl K，0 0.1 6.0 CaO TiO， 一.. 12 0.8 30.0 0.2 7 0 Cr-j-Oi MnO 0.5 2.9 Fe，(X 0.05 100 CoO 0.4 -- NiO CuO ZnO 2.8 12.2 55.0 110 13 0 SrO? 0.3 Y，Oi Ζγ〇ί> Nb，0< - 3.1 8.0 丨_丨··- 一 一 RuO, 32.2 Pd 4.6 Ag SnO〇 95.0 8.8 BaO 0.3 25.0 9.0 1.0 rbO 16 7 Bi，〇, 一 0.5 73.0 66.0 反應性 A_ B B B B B B (註1):表中之空攔表示不包 具備不包含氧化鉍及氧化銅之外部電極3〇a〜3〇d以及電 阻70件61、63之積層型晶片變阻器，於變阻器素體中未生 136769.doc •41 · 200941512 成反應生成物’又’阻抗之不均一亦較小。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之第1實施形態之變阻器之模式剖面圖。 圖2係表示第1實施形態之變阻器丨之剖面之χ射線微量分 析儀（ΕΡΜΑ)分析的元素分布之圖。 圖3係表示先前之變阻器之剖面之X射線微量分析儀 (ΕΡΜΑ)分析的元素分布之示意圖。 圖4係表示第2實施形態之積層型晶片變阻器之概略俯視 ❹ 圖。 圖5係表示第2實施形態之積層型晶片變阻器之概略底視 圖。 圖6係用以說明沿著圖5中之VI-VI線之剖面構成之圖。 圖7係用以說明沿著圖5中之VII-VII線之剖面構成之圖。 圖8係用以說明沿著圖5中之VIII-VIII線之剖面構成之 圖。 圖9係用以說明第2實施形態之積層型晶片變阻器之等效 ❹ 電路之圖。 圖10係用以說明第2實施形態之積層型晶片變阻器之製 造過程之圖。 【主要元件符號說明】 1 變阻器 10 變阻器素體 10a 變阻器素體之主面 12 基底玻璃層 136769.doc • 42- 200941512 14 保護層 21 積層型晶片變阻器 23 變阻器素體 23a 變阻器素體之一方之主面（下表面） 23b 變阻器素體23之另一方之主面（上表 面） 25〜29 、 30a〜30d 外部電極 31 ' 33 > 35 ' 内部電極 41 、 43 、 51 、 53 ' 55 37a、37b、39a、引出導體 39b、47、57a、 57b 、 59a 、 59b 60 電阻元件 61、63 電阻元件 R 阻抗 Bl、B2 變阻器 EL2、EL3、EL4 電極部分 GS11、GS12、 生胚片材 GS13、GS14 136769.doc -43-

Claims (1)

1. 200941512 十、申請專利範固： 1. 一種變阻器，其係具備變阻器素體、位於上述變阻器素 體之一方之主面上之一對外部電極、位於上述主面上之 電阻元件，且上述電阻元件以連接上述一對外部電極之 方式而設置者， 上述變阻器素體具有主成分及副成分，含有氧化辞作 •為上述主成分，含有鈣氧化物、矽氧化物、及稀土類金 屬之氧化物作為上述副成分， Φ 相對於100莫耳之上述主成分，將上述鈣氧化物換算 為鈣原子之比率X為2〜80原子％，相對於1〇〇莫耳之上述 主成分，將上述矽氧化物換算為矽原子之比率 原子％，相對於上述Y之上述X之比率（χ/γ)滿足下述式（1)， 1<Χ/Υ< 3 (1)， 上述外部電極及上述電阻元件含有與氧化鉍及氧化銅 不同之氧化物。 2. 如請求項1之變阻器，其中 © 於上述變阻器素體之上述主面與上述一對外部電極及 上述電阻元件之至少一方之間具備基底玻璃層。 3. 如請求項1之變阻器，其中 上述電阻元件以覆蓋與上述外部電極之上述變阻器素 體側相反之面的至少一部分之方式而設置。 4·如請求項1至3中任一項之變阻器，其中 具備玻璃層以覆蓋上述電阻元件及上述一對外部電 極。 136769.doc