PL224528B1 - Masa do wytwarzania folii ceramicznej do wielowarstwowych warystorów - Google Patents
Masa do wytwarzania folii ceramicznej do wielowarstwowych warystorówInfo
- Publication number
- PL224528B1 PL224528B1 PL402007A PL40200712A PL224528B1 PL 224528 B1 PL224528 B1 PL 224528B1 PL 402007 A PL402007 A PL 402007A PL 40200712 A PL40200712 A PL 40200712A PL 224528 B1 PL224528 B1 PL 224528B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- mol
- ceramic
- varistor
- varistors
- mass
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 36
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 20
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 12
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 8
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 229910000311 lanthanide oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 21
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 4
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P ammonium dichromate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- SZXAQBAUDGBVLT-UHFFFAOYSA-H antimony(3+);2,3-dihydroxybutanedioate Chemical compound [Sb+3].[Sb+3].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O SZXAQBAUDGBVLT-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Inorganic materials [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical class [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Mn+2] PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest masa do wytwarzania folii ceramicznej przeznaczonej do wielowarstwowych warystorów.
Warystory są ceramicznymi rezystorami zmiennymi, których rezystancja silnie zależy od napięcia. Wykazują one nieliniową charakterystykę prądowo-napięciową. Ceramika warystorowa zbudowana jest z półprzewodnikowych ziaren charakteryzujących się stosunkowo dużym przewodnictwem elektrycznym, otoczonych cienkimi izolacyjnymi warstwami o dużej rezystancji. Warystory znajdują zastosowanie przede wszystkim do ochrony przepięciowej.
Wielowarstwowe warystory, podobnie jak wielowarstwowe kondensatory, wytwarzane są na drodze laminacji i współspiekania szeregu warstw folii ceramicznej z naniesionymi sitodrukiem elektrodami. Wielowarstwowe warystory są wykorzystywane do niskonapięciowej ochrony przed udarami związanymi z wyładowaniami elektrostatycznymi, wyładowaniami atmosferycznymi, przepięciami w układach scalonych, hybrydowych oraz układach do powierzchniowego montażu. Przy obecnej skali miniaturyzacji i integracji, wiele przyrządów elektronicznych ma niezależne źródło zasilania i pracuje przy niskich napięciach rzędu 3-4 V. Do ich ochrony przepięciowej bardziej praktyczne jest stosowanie warystorów wielowarstwowych.
Znany jest z publikacji Lee W. H., Chen W. T., Lee Y. C., Lin S. P., Yang T., Relationship between microstructure and electrical properties of ZnO-based multilayer varistor, Jpn. J. Appl. Phys., 45 (2006) 5126-5131 i Lee W. S., Chen W. T., Lee Y. C., Yang T., Su C. Y., Hu C. L., Influence of sintering on microstructure and electrical properties of ZnO-based multilayer varistor (MLV), Ceram. Int., 33 (2007) 1001-1005, wielowarstwowy warystor na bazie ZnO domieszkowanego Al, Mn, Co, Sb i Bi. Stwierdzono, że prąd upływu, napięcie przełączania i współczynnik nieliniowości tego warystora zmniejszają się ze wzrostem temperatury spiekania (1173-1273K) i wzrastają ze zwiększeniem grubości warstwy (od 12 do 24 pm). Zależności te są bezpośrednio związane z liczbą granic międzyziarnowych w obszarze pomiędzy dwiema sąsiednimi elektrodami. Duża grubość warstwy prowadzi do większej liczby granic międzyziarnowych, a podwyższenie temperatury spiekania do jej zmniejszenia ze względu na rozrost ziaren. Średnia wielkość ziaren po wypalaniu w optymalnej temperaturze 1223K wynosi około 5 pm, a wielkość ziaren zmienia się w granicach 2-12 pm. W wyniku reakcji ZnO z Sb2O3 lub Bi2O3 mogą tworzyć się fazy o strukturze spinelu lub pirochloru. Stwierdzono również segregację bogatej w Bi2O3 fazy przy wewnętrznej elektrodzie Ag-Pd i w konsekwencji reakcję Bi2O3 z Pd.
Znany jest również z publikacji Pan W. H., Kuo S. T., Tuan W. H., Chen H., MicrostructureProperty Relationships for Low-Voltage Varistors, Int. J. Appl. Ceram. Techn., 7 (2010) 1744-7402 wielowarstwowy warystor na bazie ZnO domieszkowanego Bi2O3, Sb2O3, Cr2O3, Mn3O4, NiO i Co3O4. Wytworzono wielowarstwowe struktury złożone z 5 warstw ceramicznych o grubości 2O±100 pm i 6 elektrod AgPd (70% Ag-30% Pd). Po wypaleniu składników organicznych w temperaturze 673K przez 1 h, przeprowadzono spiekanie w temperaturze 1273K przez 1 h laminatów umieszczonych w zasypce o tym składzie, co proszek ceramiczny. Po procesie spiekania grubości warstw wynosiły 8-43 pm. Analiza metodą dyfrakcji rentgenowskiej wykazała obok faz ZnO i AgPd obecność fazy o strukturze spinelu Zn7Sb2O12, fazy o strukturze pirochloru Zn2Bi3Sb3O14, fazy Bi2O3 i PdBi2O4. W oparciu o obserwacje w mikroskopie skaningowym i analizę metodą EDS stwierdzono, że ziarna spinelu są usytuowane na granicach ziaren lub wewnątrz ziaren ZnO, faza pirochloru znajduje się na granicach ziaren, a faza bogata w Bi2O3 pomiędzy ziarnami ZnO oraz na granicy z elektrodą AgPd. Tworzenie fazy spinelu hamuje rozrost ziaren ZnO. Faza PdBi2O4 jest produktem reakcji pomiędzy PdO i fazą bogatą w Bi2O3 w temperaturze powyżej 873K.
Znany jest z amerykańskiego patentu nr 5 973 589 „ZnO varistor of low-temperature sintering ability” warystor na bazie tlenku cynku zawierający tlenek wanadu oraz tlenki kobaltu i/lub manganu jako dodatki. Proces wytwarzania wielowarstwowego warystora obejmował: przygotowanie gęstwy, odlewanie folii, nanoszenie sitodrukiem wewnętrznych elektrod, laminację, cięcie, spiekanie i nanoszenie zewnętrznych połączeń. Dzięki niskiej temperaturze spiekania w zakresie 1173-1223K opracowany materiał jest atrakcyjny z punktu widzenia zastosowania w wielowarstwowych kondensatorach, ponieważ możliwe jest jego współspiekanie z tanimi wewnętrznymi elektrodami z Ag lub Pd-Ag.
Warystor po spiekaniu w temperaturze 1173K przez 2 h wykazuje współczynnik nieliniowości powyżej 2
5O i prąd upływu poniżej 2O pA/cm2.
Znany jest z patentu amerykańskiego nr 7 541 910 „Multilayer zinc oxide varistor” wielowarstwowy warystor na bazie tlenku cynku bez dodatku tlenku bizmutu, zawierający co najmniej jeden
PL 224 528 B1 z przejściowych pierwiastków Mn, Co, Cr lub Ni, co najmniej jeden z pierwiastków ziem rzadkich Pr, La, Ce, Nd lub Tb i co najmniej jeden z pierwiastków B, Si, Se, Al, Ti, W, Sn, Sb, Na, K. W kompozycji warystorowej w miejsce Bi2O3 lub szkliwa zastosowano tlenek lub węglan baru. Elektrody wewnętrzne wykonano z jednego z metali: Au, Ag, Pd, Pt, Rh lub ich stopów. Warystor ten wykazywał zmienną wartość napięcia przebicia kontrolowaną poprzez zmianę grubości warstw ceramicznych w zakresie 20±200 pm.
Znany jest z amerykańskiego patentu nr 8 263 432 „Materiał composition having core-shell microstructure used for varistor”, materiał o mikrostrukturze rdzeń-powłoka zawierający przewodzącą lub półprzewodnikową osnowę otoczoną szklistą izolacyjną warstwą. Przewodzący materiał wybrany jest z grupy zawierającej Fe, Al, Ni, Cu, Ag, Au, Pt, Pd lub ich stopy, a półprzewodnikowy materiał z grupy ZnO, SrTiO3, BaTiO3, SiC, TiO2, SnO2, Si i GaAs. Właściwości elektryczne warystora mogą być regulowane przez kontrolę wielkości ziaren tworzących rdzeń i grubości izolacyjnej powłoki wokół ziaren. Z materiału można wykonać wielowarstwowe warystory stosując następujące operacje: przygotowanie masy lejnej zawierającej spoiwo, dyspersant, plastyfikator i organiczny rozpuszczalnik, wytworzenie surowej taśmy ceramicznej metodą odlewania, układanie w stos surowych folii z nadrukowanymi wewnętrznymi elektrodami i spiekanie w temperaturze 873-1373K.
Aczkolwiek składniki organiczne wchodzące w skład surowej kompozycji ceramicznej po procesie obróbki termicznej nie wchodzą w skład materiału konstrukcyjnego warystora, ich rola jest istotna w procesie kształtowania struktury finalnego materiału ceramicznego. Wpływ składników organicznych na proces formowania finalnej struktury ceramiczne nie został ujawniony w wyżej wymienionych opisach patentowych. Każdy z dodatków organicznych (rozpuszczalniki, spoiwo, plastyfikatory, dyspersant) wprowadzanych do masy do odlewania folii ceramicznej spełnia ściśle określoną ważną funkcję. Rozpuszczalnik powinien odznaczać się małą lepkością i niską temperaturą wrzenia, nie reagować z proszkiem ceramicznym i nie rozpuszczać go, natomiast rozpuszczać pozostałe składniki masy lejnej. Spoiwo rozpuszcza się w rozpuszczalniku i zwiększa lepkość masy lejnej. Jego zadaniem jest utworzenie przylegającej warstewki wokół nieorganicznych cząstek, zapewniającej po odparowaniu rozpuszczalnika ich połączenie, tak aby otrzymana folia ceramiczna miała w stanie surowym dużą gęstość i wytrzymałość mechaniczną. Plastyfikatory wspomagają równomierne rozprowadzenie spoiwa w masie lejnej i wpływają na elastyczność folii. Dyspersant ułatwia równomierne rozprowadzenie proszku ceramicznego i utrudnia jego sedymentację.
Istotą wynalazku jest masa do wytwarzania folii ceramicznej do wielowarstwowych warystorów, zawierająca od 50% do 60% wagowych proszku ceramicznego, w którego skład wchodzi 95±98% mol. ZnO, 0,14±0,2% mol. Bi2O3, 0,05±0,1% mol. B2O3, 0,2±0,7% mol. SiO2, 0,2±0,5% mol. Sb2O3, 0,4±0,8% mol. CoO, 0,4±0,8% MnO, 0,1 ±0,3% mol. Cr2O3 i 0±2% mol. jednego z tlenków lantanowców Sm2O3, Gd2O3, Dy3O3 oraz od 4,5% do 7,5% wagowych organicznego spoiwa, korzystnie poliwinylobutyralu, od 3% do 6% wagowych zmiękczaczy, korzystnie mieszaniny ftalanu dwubutylu i glikolu polietylenowego, od 0,5% do 1,0% wagowych dyspersanta, korzystnie rokafenolu oraz od 25% do 45% wagowych rozpuszczalników, korzystnie mieszaniny alkoholu izopropylowego i toluenu.
Masę według wynalazku wykorzystuje się do wytwarzania warstw ceramicznych wielowarstwowego warystora. Proces wytwarzania obejmuje następujące operacje: przygotowanie masy, odlewanie i suszenie folii ceramicznej, projektowania topologii warystora, wycinania arkuszy z surowej folii przy użyciu lasera, nanoszenia sitodrukiem elektrod wewnętrznych, układanie w stos kilkunastu arkuszy folii ceramicznej, prasowanie izostatyczne, cięcie pakietów na pojedyncze warystory, spiekania wielowarstwowych warystorów, nanoszenia i wypalanie zewnętrznych wyprowadzeń.
Proszek ceramiczny wchodzący w skład masy według wynalazku zawiera 95±98% mol. ZnO, 0,1 ±0,2% mol. Bi2O3, 0,05±0,1% mol. B2O3, 0,2±0,7% mol. SiO2, 0,2±0,5% mol. Sb2O3, 0,4±0,8% mol. CoO, 0,4±0,8% MnO, 0,1 ±0,3% mol. Cr2O3 i 0±2% mol. jednego z tlenków lantanowców Sm2O3, Gd2O3, Dy3O3. Proszek ceramiczny przygotowuje się w następujący sposób. Do odważonej ilości tlenku cynku dodaje się roztwory zawierające odpowiednie ilości pierwiastków, stanowiących domieszki: azotany bizmutu, kobaltu i manganu, dwuchromian amonu, winianowy kompleks antymonu oraz kwas borowy. Po wymieszaniu uzyskaną gęstwę redukuje się wodnym roztworem amoniaku i suszy. Powstały proszek praży się w temperaturze 873K w celu rozkładu zawartych soli i wypalenia frakcji winianowej. Po dodaniu odpowiedniej ilości tlenku krzemu i ewentualnie tlenku lantanowca, całość jest mielona w alkoholu izopropylowym w planetarnym młynku kulowym przez 8 h, a następnie suszona.
Proszek ceramiczny miesza się z dodatkami organicznymi w planetarnym młynku kulowym przez 3 h. Jako dodatki organiczne stosuje się korzystnie poliwinylobutyral jako spoiwo, rokafenol jako
PL 224 528 B1 dyspersant, glikol polietylenowy i ftalan dwubutylu jako plastyfikatory, toluen i izopropanol jako rozpuszczalniki.
Z przygotowanej masy według wynalazku odlewa się folię ceramiczną przy zastosowaniu urządzenia do odlewania taśm. Folia jest suszona przez kilka godzin w temperaturze pokojowej, a następnie w temperaturze 323K. Otrzymane surowe folie charakteryzują się wysoką gładkością, elastyczn ością i wytrzymałością.
Z surowej folii ceramicznej wycina się przy użyciu lasera arkusze o odpowiednich wymiarach i otwory do pozycjonowania. Następnie, nanosi się sitodrukiem wewnętrzne elektrody z past Ag, AgPd lub Pt. Kolejną operacją jest układanie w stos 54-50 warstw ceramicznej folii o grubości 404-200 pm z nadrukowanymi elektrodami. Przeprowadzana jest laminacja pakietów przy użyciu prasy izostatycznej w temperaturze 3234-343K pod ciśnieniem 104-40 MPa. Pakiety po laminacji są cięte na pojedyncze warystory i spiekane w temperaturze 11734-1473K w atmosferze powietrza. Następnie, nanosi się i wypala zewnętrzne połączenia równolegle ułożonych wewnętrznych elektrod warystora.
Wytworzone z masy według wynalazku wielowarstwowe warystory wykazują nieliniowe charakterystyki prądowo-napięciowe. Współczynnik nieliniowości wynosi 30±60, napięcie przełączania 30±150 V. Właściwości elektryczne warystora wielowarstwowego, wykonanego z masy według wyn alazku, takie jak napięcie przełączania i współczynnik nieliniowości, można regulować poprzez zmianę grubości warstwy ceramicznej pomiędzy sąsiednimi, wewnętrznymi elektrodami oraz poprzez zmianę temperatury wypalania. Na właściwości te można również wpływać poprzez zmianę udziału tlenków kobaltu, manganu, antymonu i lantanowców tworzących drobnoziarniste fazy blokujące rozrost ziaren ZnO podczas procesu spiekania.
Przykład zastosowania
Wykonano wielowarstwowy warystor złożony z 10 warstw ceramicznych na bazie domieszkowanego tlenku cynku, wytworzonych z folii ceramicznej i współspiekanych z naniesionymi sitodrukiem elektrodami z pasty Pt.
Przygotowano masę do wytwarzania folii ceramicznej złożoną z 52,5% wag. proszku ceramicznego i z dodatków organicznych w postaci: 7% wag. poliwinylobutyralu jako spoiwa, 0,9% wag. rok afenolu jako dyspersanta, 2,2% wag. glikolu polietylenowego i 2,2% wag. ftalanu dwubutylu jako plastyfikatorów oraz 17,6% wag. toluenu i 17,6% wag. izopropanolu jako rozpuszczalników. Proszek ceramiczny zawierał 97,83% mol. ZnO, 0,13% mol. Bi2O3, 0,07% mol. B2O3, 0,5% mol. SiO2, 0,6% mol. CoO, 0,49% mol. MnO, 0,26% mol. Sb2O3 i 0,12% mol. Cr2O3. Odważone składniki masy mieszano w planetarnym młynku kulowym przez 3 h.
Przygotowana masa posłużyła do odlewania folii ceramicznej przy zastosowaniu urządzenia do odlewania taśm. Folię suszono kilka godzin w temperaturze pokojowej, a następnie w temperaturze 323K. Grubość folii wynosiła 100 pm.
Na arkuszach surowej folii nanoszono sitodrukiem wewnętrzne elektrody warystora z pasty ESL 5542. Układano w stos 10 warstw folii z nadrukowanymi elektrodami przedzielonych dodatkową warstwą folii ceramicznej i laminowano izostatycznie w temperaturze 343K pod ciśnieniem 35 MPa. Pakiety cięto na pojedyncze warystory. Wielowarstwowe warystory wypalano powoli w ciągu 20 h z przetrzymaniem w temperaturze maksymalnej 1373K przez 2 h. Końcową operacją było nanoszenie i wypalanie w 1173K zewnętrznych kontaktów łączących równolegle elektrody wewnętrzne.
Wytworzony wielowarstwowy warystor charakteryzował się wysoką rezystancją, współczynnikiem nieliniowości 38 i napięciem przełączania 60 V.
Claims (1)
- Masa do wytwarzania folii ceramicznej do wielowarstwowych warystorów, znamienna tym, że zawiera od 50% do 60% wagowych proszku ceramicznego, w którego skład wchodzi 95±98% mol. ZnO, 0,1 ±0,2% mol. Bi2O3, 0,05±0,1% mol. B2O3, 0,2±0,7% mol. SiO2, 0,2±0,5% mol. Sb2O3, 0,4±0,8% mol. CoO, 0,4±0,8% MnO, 0,1 ±0,3% mol. Cr2O3 i 0±2% mol. jednego z tlenków lantanowców Sm2O3, Gd2O3, Dy3O3 oraz od 4,5% do 7,5% wagowych organicznego spoiwa, korzystnie poliwinylobutyralu, od 3% do 6% wagowych zmiękczaczy, korzystnie mieszaniny ftalanu dwubutylu i glikolu polietylenowego, od 0,5% do 1,0% wagowych dyspersanta, korzystnie rokafenolu oraz od 25% do 45% wagowych rozpuszczalników, korzystnie mieszaniny alkoholu izopropylowego i toluenu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL402007A PL224528B1 (pl) | 2012-12-11 | 2012-12-11 | Masa do wytwarzania folii ceramicznej do wielowarstwowych warystorów |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL402007A PL224528B1 (pl) | 2012-12-11 | 2012-12-11 | Masa do wytwarzania folii ceramicznej do wielowarstwowych warystorów |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL402007A1 PL402007A1 (pl) | 2014-06-23 |
| PL224528B1 true PL224528B1 (pl) | 2017-01-31 |
Family
ID=50943670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL402007A PL224528B1 (pl) | 2012-12-11 | 2012-12-11 | Masa do wytwarzania folii ceramicznej do wielowarstwowych warystorów |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL224528B1 (pl) |
-
2012
- 2012-12-11 PL PL402007A patent/PL224528B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL402007A1 (pl) | 2014-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI642074B (zh) | Multilayer ceramic capacitor | |
| JP2018137298A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP6823975B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| CN101694794A (zh) | 用于变阻器的陶瓷组合物和变阻器 | |
| JP7484449B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ | |
| US20130222971A1 (en) | Laminated ceramic capacitor and method for manufacturing laminated ceramic capacitor | |
| TWI734892B (zh) | 積層陶瓷電容器及其製造方法 | |
| KR20180027351A (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
| JP5651703B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| US20180265413A1 (en) | Dielectric porcelain composition, multilayer ceramic capacitor, and method for producing multilayer ceramic capacitor | |
| TW200941512A (en) | Varistor | |
| JP2020203824A (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ | |
| KR100793050B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 | |
| JP3640273B2 (ja) | 積層型バリスタ | |
| KR100657194B1 (ko) | 압전자기 조성물, 압전소자 및 이들의 제조방법 | |
| JP2021068733A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2004323315A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法並びにそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| US9343522B2 (en) | Ceramic powder, semiconductor ceramic capacitor, and method for manufacturing same | |
| JP3064659B2 (ja) | 積層型セラミック素子の製造方法 | |
| KR100678882B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 | |
| JP2004146675A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物、電子部品および積層チップバリスタ | |
| JP5830715B2 (ja) | 積層バリスタ及びその製造方法 | |
| JP3323801B2 (ja) | 磁器コンデンサ | |
| PL224528B1 (pl) | Masa do wytwarzania folii ceramicznej do wielowarstwowych warystorów | |
| JPH0714702A (ja) | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 |