200927801 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於廉價、且光學均質性及透明性優良的光 學用薄膜。 * 【先前技術】 於行動電話和液晶電視等所使用之液晶顯示裝置中， 〇 爲了補償起因於液晶之光學異向性的光學歪斜、和顯示色 依賴視覺方向的性質，乃使用相位差薄膜等之光學用薄膜 0 於此等光學用薄膜之材料中，例如，使用聚碳酸酯樹 脂和環狀烯烴聚合物等之合成樹脂，但此些合成樹脂爲昂 貴。作爲廉價之樹脂所構成的光學薄膜，例如專利文獻1 所記載般，已知有丙烯-乙烯共聚物製薄膜所構成的相位 差板。 ❹ 專利文獻1 :特開昭60-24502號公報 ， 【發明內容】 . (發明所欲解決之課題） 但是’專利文獻1所記載之丙烯-乙烯共聚物製薄膜具 有相位差不均爲大’，且光學均質性和透明性差的問題，要 求進一步改良。 於此類現狀中，本發明所欲解決之課題，即，本發明 之目的爲在於提供廉價且光學均質性及透明性優良的光學 -5- 200927801 用薄膜。 (解決課題之手段） 即，本發明爲含有至少一層由含有下述成分（A) 8 • 〜30重量％及成分（B) 92〜72重量％ (但，成分（A) • 與成分（B )之合計爲1〇〇重量％ )之聚烯烴系樹脂組成物 所構成層的光學用薄膜。 〇 成分（A):於根據JISK 7122之差示掃描熱量測定 中’於-50〜200 t之範圍所觀測之結晶熔解熱量爲30J/g 以上之結晶熔解波峰、和結晶化熱量爲30J/g以上之結晶 化波峰亦未觀測到的烯烴系聚合物。 成分（B):於根據JISK7122之差示掃描熱量測定 中’具有於-50〜200 °C之範圍所觀測之結晶熱量爲大於 3 〇J/g之結晶熔解波峰、或結晶化熱量爲大於30 J/g之結晶 化波峰的丙烯系聚合物。 (發明之效果） • 若根據本發明，則提供廉價，且光學均質性及透明性 . 優良的光學用薄膜。 【實施方式】 本發明之聚烯烴系樹脂組成物爲含有下列之成分（A )和成分（B)。成分（a)爲於根據JIS K 7122之差示掃 描熱量測定中，於-50〜200。(：之範圍所觀測之結晶熔解熱 200927801 量爲30J/g以上之結晶熔解波峰、和結晶化熱量爲3(U/g以 上之結晶化波峰亦未觀測到的烯烴系聚合物，於本說明書 中將其稱爲非晶性或低結晶性烯烴系聚合物。成分（A ) 較佳爲由提高所得光學用薄膜之透明性的觀點而言，於根 據JIS K 7122之差示掃描熱量測定中，於-50〜200。(：之範 • 圍所觀測之結晶熔解熱量爲IJ/g以上之結晶溶解波峰、和 結晶化熱量爲1 J / g以上之結晶化波峰亦未觀測到稀烴系聚 Φ 合物’於本說明書中將其稱爲非晶性烯烴系聚合物、與低 結晶性烯烴系聚合物有所區別。 本發明成分（A )之非晶性或低結晶性烯烴系聚合物 ，由提高所得之光學用薄膜的透明性觀點而言，較佳爲g 足下述式（1)的聚合物。 0 ^ [x/(x + y)]<0.6 (1 ) (於上述式（1)中，X爲表示成分（A)之來自乙嫌的單 © 體單位含量（旲耳％ ) ’ y爲表不成分（a)中之來自碳 原子數4〜20之a-烯烴的單體單位含量（莫耳。但， . 令成分（A)全體爲100莫耳％ )。 . 本發明之成分（A )之非晶性或低結晶性烯烴系聚合 物的分子量分佈，由提高所得之光學用薄膜的透明性觀點 而言’較佳爲1〜4’更佳爲1.5〜3。分子量分佈爲重量平 均分子量（Mw)與數平均分子量（Μη)的比（Mw/Mn) ’根據膠滲透層析（GPC)，以標準聚苯乙焴作爲分子量 標準物質所測定。 -7- 200927801 本發明之成分（A )之非晶性或低結晶性烯烴系聚合 物於135 °C之四氫化萘溶劑中所測定的極限黏度[；?]，由 提高所得之光學用薄膜的透明性觀點而言，以0.01 dl/g以 上爲佳，由抑制加工時之頸扭拒所造成之不良加工之觀點 ' ，較佳爲l〇dl/g以下，更佳爲0.5〜5dl/g。 • 取得本發明之成分（A)之非晶性或低結晶性烯烴系 聚合物所用的烯烴，可列舉例如，乙烯、丙烯、碳原子數 φ 4〜20之烯烴，碳原子數4〜20之α-烯烴’可列舉例如 ’ 1 - 丁烯、1 -戊烯、1 -己烯、-庚烯、1-辛烯、1 _壬烯、 1-癸烯、1-·]——碳烯、1 -十二碳烯、1 -十三碳烯、1 -十四 碳烯、1-十五碳烯、卜十六碳烯、丨-十七碳烯、十八碳 烯、1-十九碳烯、1-二十碳烯等之直鏈狀烯烴、3_甲 基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1_戊嫌、2_乙基_1_己 烯、2,2,4 -三甲基-1-戊烯等之分支狀烴等。 本發明之成分（A)之非晶性或低結晶性嫌煙系聚合 © 物，可列舉例如，乙燐-丙嫌共聚物、乙稀丁稀共聚物 、乙烯-1-己烯共聚物、乙烯-1-辛烯共聚物、乙烯-1·庚烯 . 共聚物、乙烯-1-辛烯共聚物、乙烯_1_壬烯共聚物、乙烯-1-癸烯共聚物、乙烯-1-H —碳烯共聚物、乙烯-1·十一碳 .燒共聚物、乙烯十三碳嫌共聚物、乙嫌-1·十四碳烯共 聚物、乙烯-1-十五碳烯共聚物、乙烯_1_十六碳烯共聚物 、乙烯-1-十七碳烯共聚物、乙烯小十八碳烯共聚物、乙 嫌小十九碳嫌共聚物、乙嫌小二十碳烯共聚物、丙嫌小 丁綠共聚物、丙嫌-卜己嫌共聚物、丙燃-1·辛嫌共聚物、 -8 - 200927801 丙嫌-1-庚稀共聚物、丙稀辛稀共聚物 聚物、丙烯-1-癸烯共聚物、丙烯十— 烯-1-十二碳烯共聚物、丙烯-丨-十三碳烯 十四碳烯共聚物、丙烯-1-十五碳烯共聚 ' 碳烯共聚物、丙烯-1-十七碳烯共聚物、 • 共聚物、丙烯-1·十九碳烯共聚物、丙烯 物、乙烯-丙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-丙 〇 '乙烯-丙烯-1-辛烯共聚物、乙烯-1-丁 等’且可使用1種、或倂用2種以上亦可 可列舉丙烯-1-丁烯共聚物、丙烯-1-己烯 辛烯共聚物、乙烯-丙烯-1-丁烯共聚物、 烯共聚物、乙烯-丙烯-1·辛烯共聚物等， 丁烯共聚物、乙烯-丙烯-1-丁烯共聚物， 烯共聚物。 本發明之成分（A )的非晶性或低結 〇 物’亦可含有來自α-烯烴以外之單體的 烯烴以外之單體可列舉例如，聚烯化合物 • 烯基芳香族化合物等。來自α-烯烴以外 . 位含量，於成分（Α)全體視爲1〇〇莫耳 莫耳％以下。 〇：-烯烴以外之單體聚烯化合物可列 烯化合物、非共軛聚烯化合物等。共軛聚 例如’脂肪族共轭聚烯化合物及脂環式共 ’非共軛聚烯化合物可列舉例如，脂肪族 、丙烯-1-壬烯共 碳烯共聚物、丙 共聚物、丙稀_ 1 _ 物、丙烯-1-十六 丙烯-1 -十八碳烯 -1-二十碳嫌共聚 烯-1-己烯共聚物 燔-1-己烯共聚物 。成分（A )較佳 共聚物 '丙烯-1 -乙烯-丙烯-1-己 且更佳爲丙烯-1 -再佳爲丙烯-1-丁 晶性烯烴系聚合 單體單位，且α -J、環狀烯烴、乙 之單體的單體單 %時，較佳爲20 舉例如，共軛聚 丨烯化合物可列舉 f軛聚烯化合物等 ;非共軛聚烯化合 -9 - 200927801 物、脂環式非共軛聚烯化合物、芳香族非共輕聚嫌化合物 寺。其亦可經院氧基、芳基、芳氧基、芳焼基'芳垸氧基 等之取代基所取代。 -嫌烴以外之單體環狀嫌煙可列舉例如，原冰片烧 、5 -甲基原冰片烯、5 -乙基原冰片稀、5_丙基原冰片烯、 - 5，6 -二甲基原冰片烯、丨_甲基原冰片烯、7 -甲基原冰片燦 、5，5,6 -二甲基原冰片稀、5 -苯基原冰片燦、5-节基原冰 Ο 片烯、5·亞乙基原冰片烯、5-乙烯基原冰片烯、 —甲基-1,2,3，4,4a，5,8,8a-八氫化萘、2 -甲基-1,4,5,8 -二甲 基-1，2,3,4,4&，5,8,8&-八氫化萘、2-乙基_1，4,5,8-二甲基_ l，2,3,4,4a，5,8,8a-八氫化萘、2,3-二甲基 _ι，4,5,8-二甲基_ l，2,3,4,4a，5,8,8a-八氫化萘、2-己基-i，4,5,8-二甲基 _ 1，2,3,4’43,5,8,8&-八氫化萘、2-亞乙基_1，4,5,8-二甲基_ l’2’3,4,4a，5,8,8a-八氫化萘、2_ 氟基-l，4,5,8_ 二甲基 _ l，2,3,4,4a，5,8,8a-八氫化萘、ι，5-二甲基·ι，4,5,8-二甲基· © l，2,3,4,4a，5,8,8a-八氫化萘、2-環己基·1，4,5,8-二甲基- l，2,3,4,4a，5,8,8a-八氫 化萘、 2,3-二氯基 _1，4,5,8-二甲基 _ - 丨’2,3,4,43,5,8’83·八氫化萘、2-異丁基-1,4,5,8-二甲基- . 丨，2,3,4,43,5,8，“-八氫化萘、1,2-二氫二環戊二烯、5 -氯 基原冰片嫌、5,5-二氯基原冰片烯、5_氟基原冰片烯、 5,5,6-三氟基-6-三氟甲基原冰片烯、5_氯甲基原冰片烯、 5_甲氧基原冰片烯、5,6_二羧基原冰片烯脫水物、5_二甲 胺基原冰片嫌、5-氰基原冰片烯、環戊烯、3_甲基環戊烯 、4-甲基環戊燦、3，4_二甲基環戊烯、3，5_二甲基環戊烯 -10- 200927801 、3-氯基環戊烯、環己烯、3-甲基環己烯、4-甲基環己烯 、3,4-二甲基環己烯、3-氯基環己烯、環庚烯等。 α -烯烴以外之單體乙烯基芳香族化合物可列舉例如 ，苯乙烯、α -甲基苯乙烯、對-甲基苯乙烯、乙烯基二甲 * 苯、單氯基苯乙烯、二氯基苯乙烯、單溴基苯乙烯、二溴 - 基苯乙烯、氟基苯乙烯、對-第三丁基苯乙烯、乙基苯乙 烯、乙烯基萘等。 〇 本發明之成分（A )之非晶性或低結晶性烯烴系聚合 物的聚合方法，可採用例如，流漿聚合法、溶液聚合法、 塊狀聚合法、氣相聚合法等，令指定之單體經由金屬茂觸 媒進行聚合則可製造。金屬茂觸媒可列舉例如，特開昭 5 8- 1 93 09號公報、特開昭60-35005號公報、特開昭 60-35006號公報、特開昭60-3 5007號公報、特開昭 60-35008號公報、特開昭6 1 -1 3 03 1 4號公報、特開平 3- 1 63 088號公報 '特開平4-268307號公報、特開平 Ο 9- 1 2790號公報、特開平9-873 1 3號公報、特開平 11_8023 3號公報、特表平1 0-50805 5號公報等記載之金屬 - 茂觸媒。又，使用茂金屬觸媒之非晶性或低結晶性烯烴系 . 聚合物之製造方法特佳爲歐洲專利申請公開第1211287號 說明書記載之製造方法。 -本發明之成分（A )之非晶性或低結晶性烯烴系聚合 物可列舉例如特開平11-193309號公報所記載的聚合物。 市售品可列舉三井化學（股）製Tafumer P系列、A系列、 XR-110R等之 XR系列、XM-7070、XM-7080等之 XM系列、 -11- 200927801 BL4000、BL3450 ' BL2481 等之 BL系列。JSR (股）公司 製Dylon 6200P、住友化學（股）公司製 Tafuseiene T3712 、3722、3522等。其中由與本發明成分（b)之相溶性優 良，取得透明性優良之薄膜方面而言，以住友化學（股） 公司製 Tafuseiene T3722、T3712、T3522，三井化學（股 ' )公司製 TafumerXM-7070、XM-7080爲佳。 本發明之聚烯烴系樹脂組成物中所含之成分（B)於 © 根據Jis K 7122之差示掃描熱量測定中，具有於_5〇〜200 °C之範圍所觀測之結晶熱量爲大於30J/g之結晶溶解波峰 、或結晶化熱量爲大於30 J/g之結晶化波峰丙烯系聚合物 ，於本說明書中將其稱爲結晶性丙烯系聚合物。結晶性丙 烯系聚合物可列舉例如，丙烯單聚物、丙烯與α-烯烴及 /或與乙烯的無規共聚物、丙烯與烯烴及/或與乙烯 的分段共聚物。結晶性丙烯系聚合物爲丙烯與烯烴及 /或與乙烯的無規共聚物時’該無規共聚物所含有之乙烯 © 及來自碳原子數4〜20之α -烯烴之單體含量無特別限定， 但由抑制丙烯聚合物之觀點而言’較佳爲35莫耳％以下， . 更佳爲24莫耳％以下。 . 本發明之成分（Β)之結晶性丙烯系聚合物爲丙烯與 α-烯烴及/或與乙烯的無規共聚物或分段共聚物時，前 述α-烯烴可列舉例如，碳原子數4〜20之直鏈狀α-燦烴 、碳原子數4〜20之分支狀α-嫌烴等。碳原子數4〜20之 直鏈狀α -烯烴可列舉例如’卜丁烯、丨·戊稀、！·己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、丨-癸烯、--碳烯、1-十二碳 -12- 200927801 烯、1-十三碳烯、1-十四碳烯、1-十五碳烯、丨-十六碳烯 、1-十七碳烯、1-十八碳烯、1-十九碳烯、1-二十碳烯等 ，且碳原子數4〜20之分支狀α-烯烴可列舉例如’ 3 -甲 基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、2-乙基-1-己 ’ 烯、2,2,4-三甲基-1-戊烯等。 • 本發明之成分（Β )之結晶性丙烯系聚合物可列舉例 如，丙烯單聚物、乙烯-丙烯無規共聚物、乙烯-丙烯-1-丁 〇 烯無規共聚物、乙烯-丙烯-1-戊烯無規共聚物、乙烯-丙 烯-1-己烯無規共聚物、丙烯-1-丁烯無規共聚物、丙烯-1-戊烯無規共聚物、丙烯-1-己烯無規共聚物、乙烯-丙烯分 段共聚物等。成分（Β)較佳爲丙烯單聚物、乙烯-丙烯無 規共聚物、乙烯-丙烯-1-丁烯無規共聚物 '丙烯-1-丁烯無 規共聚物。 本發明之成分（Β)之結晶性丙烯系聚合物爲丙烯單 聚物之情形，立體規則性較佳爲具有等規構造或間規構造 © 爲主的聚合物。 本發明之成分（Β)之結晶性丙烯系聚合物以丙嫌_乙 - 烯無規共聚物、丙烯-1-丁烯無規共聚物、乙烯-丙嫌_丨-丁 . 烯無規共聚物爲特佳。使用此些丙烯系聚合物作爲成分（ Β)之聚烯烴系樹脂所得的薄膜爲易於均勻延拉。成# ( -Β)再佳爲根據JIS Κ 7122之差示掃描熱量測定中，於_5〇 〜200°C之範圍所觀測之結晶熔解波峰溫度（熔點）爲145 °C以下的結晶性丙烯系聚合物。此類結晶性丙烯系聚合物 爲於製造薄膜時之壓出成形步驟和延拉步驟等中，難以作 -13- 200927801 出成爲損害薄膜透明性原因的大球狀結晶（球晶）。因此 所得之薄膜爲透明性優良者。此類成分（B)可列舉來自 乙烯之單體單位份量爲5.5莫耳％以上24莫耳％以下之丙 烯-乙烯共聚物、和來自1-丁烯之單體單位份量爲3.0莫耳 %以上20莫耳％以下的丙烯-丨_ 丁烯共聚物。 • 成分（B)之結晶性丙烯系聚合物的製造方法可列舉 例如，使用齊格勒•那塔型觸媒，使用周期表第4族〜第6 〇 族之過渡金屬化合物所成之觸媒或金屬茂觸媒，令丙烯單 聚或丙烯與α -烯烴及/或乙烯共聚物的方法。 齊格勒•那塔型觸媒可列舉例如，將含有鈦之固體狀 過渡金屬成分與有機金屬成分組合使用的觸媒等，金屬茂 觸媒可列舉例如，使用具有至少1個環戊二烯型式陰離子 骨架之周期表第4族〜第6族之過渡金屬化合物所成之觸媒 等。 聚合方法，可列舉例如，流漿聚合法、氣相聚合法、 © 塊狀聚合法、溶液聚合法等。又，可列舉單獨使用此些聚 合方法的一般聚合法或組合此些聚合法的多段聚合法。 - 又’於本發明之結晶性丙烯系聚合物亦可使用該市售 的丙烯系聚合物。 構成本發明之光學用薄膜的聚烯烴系樹脂組成物，於 ^ 該組成物所含之成分（A )與成分（Β )之合計視爲100重 量％時’含有成分（A) 8〜30重量％、成分（B) 92〜70 重量％的組成物。該組成物中成分（A)與成分（B)的 含量較佳爲成分（A)爲10〜25重量％、成分（B)爲90 -14- 200927801 〜75重量％。若成分（a)的含量少於8重量％，則所得 光學用薄膜的光學均質性有時無法充分取得，若多於3 〇重 量％ ’則所得光學用薄膜的剛性低，操作性有變爲困難的 可能性。 於本發明所用之聚烯烴系樹脂組成物中，在不損害本 ' 發明效果之範圍下’視需要，可配合改性聚烯烴系樹脂、 松脂系樹脂 '聚萜烯系樹脂、合成石油樹脂、香豆素系樹 © 脂、酚系樹脂、二甲苯系樹脂、苯乙烯系樹脂、異戊二烯 系樹脂等其他樹脂。 改性聚烯烴系樹脂可列舉例如，經順丁烯二酸酐、順 丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯、丙烯酸、甲基丙烯 酸、四氫酞酸、甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸羥乙 酯等之改性用化合物所改性的聚烯烴。此處所用之聚烯烴 系樹脂可爲公知的聚烯烴，可列舉例如，乙烯系樹脂、等 規聚丙烯、間規聚丙烯、含有共聚單體之無規性聚丙烯， ® 以多段聚合之分段型聚丙烯、聚（4-甲基-1-戊烯）、聚 (1-丁烯）等。 - 松脂系樹脂可列舉例如，天然松脂、聚合松脂、部分 . 氫化松脂、完全氫化松脂、此些松脂的酯化物（例如，縮 水甘油酯、季戊四醇酯、乙二醇酯、甲酯）、松脂衍生物 (例如，不均勻化松脂、反丁烯二酸化松脂、石灰化松脂 )0 聚萜烯系樹脂可列舉例如，α -蒎烯、-蒎烯、二戊 烯等之環狀萜烯的單聚物、環狀萜烯的共聚物、環狀萜烯 -15- 200927801 、與苯酚、雙酚等之酚系化合物的共聚物（例如，蒎 烯-苯酚樹脂、二戊烯-苯酚樹脂、萜烯-雙酧樹脂等之萜 烯-酚系樹脂）、環狀萜烯與芳香族單體之共聚物的芳香 族改性萜烯樹脂。 ' 合成石油樹脂可列舉例如，石腦油分解油的c5餾分、 - c6〜cn餾分及其他烯烴系餾分的單聚物和共聚物，此等 之單聚物和共聚物之氫化物的脂肪族系石油樹脂、芳香族 〇 系石油樹脂、脂環式系石油樹脂、脂肪族-脂環式共聚物 。合成石油樹脂更且可列舉上述之石腦油分解油與上述萜 烯的共聚物、和該共聚物之氫化物的共聚系石油樹脂。 石腦油分解油的較佳c5餾分可列舉例如，異戊二烯、 環戊二烯、1,3-戊二烯、2-甲基-1-丁烯、2-甲基-2-丁烯等 之甲基丁烯類、1-戊烯、2-戊烯等之戊烯類、二環戊二烯 。C6〜Cu餾分較佳爲茚、苯乙烯、鄰-乙烯基甲苯、間-乙烯基甲苯、對-乙烯基甲基、α -甲基苯乙烯、；8 -甲基 © 苯乙烯等之甲基苯乙烯類、甲基茚、乙基茚、乙烯基二甲 苯、丙烯基苯。其他烯烴餾分較佳爲丁烯、己烯、庚烯、 - 辛烯、丁二烯、辛二烯。 _ 香豆素系樹脂可列舉例如，香豆素之單聚物或香豆素 與茚的共聚物等。 酚系樹脂可列舉例如，烷基苯酚樹脂、烷基苯酚與乙 炔之縮合而成的烷基苯酚-乙快樹脂及此等樹脂的改性物 。此處，此等酚系樹脂可爲苯酚經酸觸媒予以羥甲基化的 酚醛清漆型樹脂、經鹼觸媒予以羥甲基化的可溶酚醛型樹 -16- 200927801 脂之任一者均可。 二甲苯系樹脂可列舉例如，間-二甲苯與甲醛所構成 的二甲苯-甲醛樹脂，於其中添加第三成分反應的改性樹 脂。 * 苯乙烯系樹脂可列舉例如，苯乙烯之低分子量聚合物 • 、α-甲基苯乙烯與乙烯基甲苯的共聚物、苯乙烯與丙烯 腈與茚的共聚物、苯乙烯與丁二烯的共聚物、苯乙烯與乙 © 烯丁烯的共聚物。 異戊二烯系樹脂可列舉例如，異戊二烯之二聚化物的 c10脂環式化合物與(：1()鏈狀化合物共聚所得的樹脂。 於本發明所用之聚烯烴系樹脂組成物中，在不損害本 發明效果之範圍下，視需要，可添加抗氧化劑、造核劑、 滑劑、抗靜電劑、防霧劑、顏料、紫外線吸收劑等之公知 添加劑。 本發明中聚烯烴系樹脂組成物的製造方法，若可將成 ® 分（A)與成分（B)均勻混練的方法即可，可列舉例如 ，下述（1)和（2)之方法。 - (1)將成分（A)與成分（B)，以螺條混合器、漢 . 歇爾混合器、轉鼓混合器等預先混合，並將此混合物以單 軸壓出機、雙軸壓出機等進行熔融混練的方法。 (2)將成分（A)、與一部分的成分（B)溶融混練 ’預先製造含有50重量％以上之成分（A)的母煉膠九狀 物，並將該母煉膠與剩餘的成分（B)，令組成物中之成 分（A)及（B)之份量爲指定份量般以上述（1)同樣之 -17- 200927801 方法混合，再進行熔融混練的方法。 作成含有50重量％以上之成分（A )之非晶性或低結 晶性烯烴系聚合物之母煉膠九狀物的方法，可列舉例如， 特開2000-72923號公報所記載的方法。又，於含有50重量 " %以上之成分（A )之非晶性或低結晶性烯烴系聚合物之 ' 母煉膠九狀物中，在不損害本發明效果之範圍中，視需要 ，亦可進行碘交聯處理、過氧化物交聯處理、過氧化物分 0 解處理、金屬離子交聯處理、矽烷交聯處理等之處理。更 且，於含有50重量％以上之成分（A )之非晶性或低結晶 性烯烴系聚合物之母煉膠九狀物的表面，視需要，亦可經 抗氧化劑、碳酸鈣、硫酸鋇、二氧化矽、滑石、硬脂酸、 及聚烯烴粉末所選出之至少一種粉末予以打粉。 本發明之光學用薄膜爲根據壓出成形所製造。壓出成 形可列舉通常使用的充氣吹脹法、T型板法、砑光法等之 未延拉薄膜之製造方法等使用壓出機的製造方法。光學用 © 薄膜中，特別使用於偏光子保護薄膜等之時，以配向非常 小的未延拉薄膜爲佳。更且於光學用薄膜中使用作爲相位 - 差薄膜時，以上述之未延拉薄膜作爲原版薄膜，並於薄膜 _ 之流動方向（縱方向）以輥延拉法、長跨距延拉法等方法 予以單軸延拉，製造單軸延拉薄膜。又，於需要雙軸延拉 時’將單軸延拉薄膜以寬度方向（橫方向）延拉之所謂拉 幅法的方法即可製造。 關於本發明之光學用薄膜之壓出成形所相關的製造方 法’具體記載。首先，以壓出成形製造未延拉薄膜的方法 -18- 200927801 ，可列舉如上述之一般的薄膜製造方法，光學用薄膜被要 求爲高透明性'高厚度精度、配向（相位差）低，且均質 ，故以使用T型板法爲佳。所謂T型板法爲以原料供給單 元、壓出機、接頭、T型板所構成的壓出機部分與冷卻輥 ' 、拉引輥、捲取機等所構成的拉引流線部分所構成的T型 • 板澆鑄成形機進行製造的方法。 將前述聚烯烴系樹脂組成物由漏斗投入，並於加熱至 〇 1 8(TC以上3 oot以下的汽缸中經由螺桿被熔融混練，由T 型板被壓出成溶融薄片狀。爲了更加一定保持壓出量，於 汽缸與τ型板之間使用齒輪泵爲有效的。更且，經由於汽 缸與T型板之間必要設置葉形圓盤過濾器等之過濾單元， 則可取得異物少的薄膜。由T型板壓出薄膜狀時的樹脂溫 度爲180°c以上300°c以下，且以22〇°C以上280°C以下爲佳 。前述樹脂溫度爲於T型板唇部分，以樹脂溫度計所測定 之値。樹脂溫度未滿180 °C時，樹脂的延展性不足。於空 © 氣間隙中樹脂的延伸度不均勻，易發生厚度不勻。另一方 面，超過300°C時，在樹脂惡化，產生分解氣體等之理由 - 下將唇部分弄髒，並且易產生型板線等之薄片的外觀不良 _ 。更且，爲了抑制樹脂的惡化，乃於樹脂供給至壓出機漏 斗前的原料供給單元，於氮等之惰性氣體中，以40 °C以上 (Tm-2 0°C )以下之溫度將樹脂預乾燥1〜10小時左右， 再以預乾燥時所使用的惰性氣體輸送至壓出機上的漏斗爲 佳，又，壓出機漏斗內亦以20〜120 °C之氮氣、氬氣等之 惰性氣體取代爲佳。另外，前述Tm爲成分（B)的熔點。 -19- 200927801 將熔融混練的聚烯烴系樹脂組成物壓出成薄膜狀的τ 型板，以樹脂流路爲微小段差和無損傷者爲佳，又，其唇 部分以與熔融之聚烯烴系樹脂組成物之摩擦係數小的材料 鍍敷、或者塗敷，再將唇前端硏磨成0.1mm Φ以下之所謂 ' 尖邊緣的形狀者爲佳。摩擦係數低的材料可列舉碳化鎢系 • 、氟系之特殊鍍敷等。使用如上述之T型板，可抑制眼垢 的發生，同時亦察見抑制型板線的效果，故可取得外觀更 © 加良好的光學用薄膜。更且，T型板之唇前端的R爲0.05 πιπιφ，以前述同樣之理由爲佳，且以0.03 ιηπιφ爲更佳。 由唇部之強度觀點而言，唇前端的R爲〇.〇1 ηιιηφ以上爲 佳。 製造作爲本發明之光學用薄膜之未延拉薄膜的Τ型板 澆鑄成形機的拉引流線，由冷卻輥、拉引機、捲取機所構 成，特別對於冷卻輥部分的澆鑄方法爲重要。對於冷卻輥 部分的澆鑄方法可列舉（1)空氣室式、（2)拋光輥式、 © ( 3 )軟壓料式。 於（1)空氣室式中，使用金屬製冷卻輥與空氣室所 - 構成的設置。空氣室爲作出風的流動，將熔融薄膜狀物壓 , 至金屬製冷卻輥並且均勻接觸該熔融薄膜狀物的全部面， 進行冷卻固化。因爲熔融薄膜片狀物的邊緣部難以安定接 觸金屬製冷卻輥，故令此部分以靜電穿孔和空氣管嘴之方 式比中央部更早接觸輥亦可。將金屬冷卻輥的表面狀態予 以鏡面加工時，於熔融薄膜狀物與金屬製冷卻輥之間引起 空氣的混淆，並且引起冷卻不良，故例如使用加工成梨皮 -20- 200927801 花紋狀之表面狀態的所謂半無光型式的金屬製冷卻輥爲佳 。經由使用直徑大的金屬製冷卻輥，則可加速加工速度， 故使用直徑爲400mm以上的金屬製冷卻輥爲佳。例如使用 600mm φ之金屬製冷卻輥時，加工速度通常爲30m/min左 右，最大可爲50m/min左右。 • 於（2)拋光輥式中，使用配置2根以上直徑爲200-400mm之金屬製冷卻輥的設備。可列舉例如，冷卻輥（1 © ) /冷卻輥（2 )、冷卻輥（1 ) /冷卻輥（2 ) /冷卻輥（3 ) 等之構造。於前述構造中，冷卻輥（1)與冷卻輥（3)爲 與冷卻輥（2 )逆方向迴轉。於冷卻輥（1 )與冷卻輥（2 )之間，將T型板所壓出的熔融薄膜狀物以夾住加壓令其 冷卻固化。所使用之冷卻輥的表面狀態爲鏡面爲佳，具體 而言爲0.4S以下爲佳。 於（3)軟壓料式中，前述（2)中之拋光輥的冷卻輥 (1 )爲使用具有0.4S以下之鏡面，且變形之柔軟材質所 〇 構成的輥。於此類冷卻輥（1)與冷卻輥（2)之間’未有 樹脂積存將熔融薄膜狀物夾住密黏至輥，則可冷卻。又， • 亦可使用無端金屬帶代替冷卻輥（1)。 、 對於冷卻輥部分澆鑄方法的其他方法，可列舉使用拋 光輥，於冷卻輥（1) /冷卻輥（2)之間未夾住熔融薄膜 狀物，沿著輥外周進行冷卻固化的方法，和軟壓料成形之 —種，使用冷卻輥（1)與橡膠輥，將雙軸延拉聚酯薄膜 等與熔融薄膜狀物一倂夾壓的壓出層合加工等。 前述方法中，於加工速度快，且，製造之薄膜厚度爲 -21 - 200927801 80 μ 111以下之情形中以（i)之空氣室方式爲佳。另—方 面，加工速度爲30m/min以下之情形爲以（3 )之軟壓料方 式，或者由壓出層合加工製造所得之薄膜透明性和光學均 質性觀點而言爲佳。 ' 由T型板之前端，（1)空氣室式之情形爲與金屬製冷 • 卻輥接觸爲止的距離，又，於（2)拋光式和（3)軟壓料 式之情形爲以被冷卻輥（1 )/冷卻輥（2 )夾壓爲止的距 © 離分別稱爲空氣間隙，本發明中，該空氣間隙爲50mm以 上250mm以下，就所得薄膜之光學均質性觀點而言爲佳， 且以50mm以上180mm以下爲更佳。又，由所得薄膜之透 明性觀點而言，於任一種澆鑄方法中，冷卻輥溫度爲3 0°C 以下爲佳，且以0〜20°C爲更佳。 以上述方法所冷卻的薄膜爲以拉引機予以拉引，視需 要，以流線內檢查薄膜厚度和缺點數，並且貼合保護薄膜 等。其後，通常將薄膜邊緣部切斷除去後，以捲取機予以 © 捲繞。 本發明之光學用薄膜之厚度爲根據用途選擇。例如， - 將壓出成形所得之未延拉薄膜就其原樣使用作爲光學用薄 , 膜時，例如，使用作爲偏光子保護薄膜時，一般爲1〇#ιη 以上120// m左右。又，對未延拉薄膜進行延拉加工並使 用作爲相位差薄膜時，延拉後的薄膜厚度一般爲l〇ym以 上120//m以下。後者之情形，延拉前之未延拉薄膜的厚 度因爲經由延拉加工令厚度變薄，故考慮最終製品厚度和 延拉倍率，爲50;/ m以上500；/ m左右。 -22- 200927801 本發明之光學用薄膜可爲僅由含有成分（A)及成分 (B)之聚烯烴系樹脂組成物所構成之層所形成的單層薄 膜，且亦可含有該層的多層薄膜。將本發明之光學用薄膜 使用作爲相位差薄膜時，由光學均質性之觀點而言，以單 ' 層薄膜爲佳。於多層薄膜之情形中，可根據共同壓出法進 • 行製造，且亦可將不同的薄膜彼此貼合。又，對單層或多 層，以塗敷將層予以層合亦可。於多層薄膜中，構成與含 〇 有成分（A)及成分（B)之聚烯烴系樹脂組成物所構成 之層層合之其他層的樹脂，可列舉本發明成分（B)之結 晶性丙烯系聚合物、本發明之成分（A)與成分（B)之 各種混合比的聚烯烴系樹脂組成物、和乙烯系聚合物等。 將本發明之光學用薄膜使用作爲相位差薄膜上，必須 將壓出成形的未延拉薄膜於至少一方向上延拉。延拉方法 可列舉薄膜於流動方向的延拉（縱延拉），於薄膜寬度方 向的延拉（橫延拉），逐次雙軸延拉，同時雙軸延拉。逐 〇 次雙軸延拉之情形，以先進行縱延拉後，進行橫延拉的方 法，和先進行橫延拉後，進行縱延拉的方法之任一種方法 • 進行均可。 將薄膜往縱方向單軸延拉的方法，可列舉輥延拉法、 或長跨距延拉法。輥延拉法爲將調整至100〜160 °c的數根 輥，加熱至可延拉薄膜的溫度爲止，並且根據輥的迴轉速 度予以延拉的方法，其特徵爲輥間隙小。另一方面，長跨 距延拉法爲以烤爐前後設置壓料輥之裝置實施的方法，以 烤爐將薄膜加熱至延拉溫度爲止，並且根據烤爐前後之壓 -23- 200927801 料輥的速度比予以延拉。壓料輥的間隔爲數m左右，故一 邊以大的向內彎曲一邊延拉爲其特徵。往縱方向的延拉倍 率一般爲1.1〜5倍左右。延拉時使用的烤爐以使用可令溫 度控制爲〇.5°C以內者爲佳。 ' 薄膜往橫延拉的延拉爲以拉幅法進行。拉幅法爲以具 - 有烤爐和於烤爐內朝向薄膜進行方向之左右各軌道上配置 複數卡盤的設備，於薄膜的寬度方向上延拉的方法。前述 © 之複數卡盤爲於各軌道上接連，並且經由馬達於軌道上以 加工速度迴轉。以此裝置，將寬度方向上延拉之未延拉薄 膜或單軸延拉薄膜的兩端部以卡盤夾住，於烤爐中加熱， 並將變成加熱溫度之部分以後以軌道將卡盤以指定之延拉 倍率擴展延拉。薄膜於寬度方向的延拉倍率一般爲1.1〜5 倍左右。延拉時使用之烤爐以使用可令溫度控制爲0.5 °C 以內者爲佳。 本發明之光學用薄膜例如可使用於液晶顯示裝置等之 G 平面顯示器所用的偏光子、偏光子保護薄膜、相位差薄膜 、擴大視野角薄膜及提高亮度薄膜等。其中，以偏光子保 . 護薄膜和相位差薄膜爲合適。 本發明之光學用薄膜可使用作爲液晶顯示裝置之一部 分，可列舉例如於液晶元件之單側或兩側貼黏的方法、和 液晶元件未透過黏著層層合的方法。又，於本發明之光學 用薄膜，例如，亦可塗佈硬塗層、防眩層、防反射層、保 護層、黏著層、液晶層。 本發明之相位差薄膜爲與各種偏光板和液晶層等層合 -24- 200927801 ，並且較佳使用作爲行動電話、攜帶資訊終端（Personal Digital Assistant PDA)、個人電腦、大型電視等之液晶 顯示裝置。將本發明之相位差薄膜層合使用的液晶顯示裝 置（LCD)，可列舉光學補償帶（Optically Compensated Bend ： OCB)型式、垂直配向（Vertical Alignment: VA )型式、橫電場（In-Plane Switching: IPS)型式、薄膜 電晶體（Thin Film Transistor : TFT )型式、扭轉向列液 © 晶（Twisted Nematic : TN )型式、超扭轉向列液晶（ Super Twisted Nematic: STN)型式等各種型式的液晶顯 示裝置。特別，使用於VA型式之液晶顯示裝置時可有效 改良視野角依賴性。液晶顯示裝置一般爲於具有2枚基板 與其間夾住之液晶層的液晶元件兩側，分別配置偏光板， 由其一者外側（背面側）所配置之背光之光中，僅令液晶 元件與背光間之偏光板穿透軸平行的直線偏光入射至液晶 元件。於背面側偏光板與液晶元件之間及/或表側偏光板 〇 與液晶元件之間，可透過接著劑配置。又，偏光板通常爲 了保護聚乙烯醇所構成的偏光薄膜，乃以2枚三乙醯纖維 • 素（TAC )薄膜等之保護薄膜透過接著劑夾持之構造，將 , 本發明之相位差薄膜代替表側偏光板及/或背面側偏光板 之液晶元件側的保護薄膜，以接著劑貼合至偏光薄膜，則 亦可擔任光學補償薄膜（相位差薄膜）與保護薄膜兩者之 職務。 (相位差） -25- 200927801 相位差薄膜所要求的相位差，係根據該相位差薄膜所 組裝的液晶顯示裝置種類、和相位差薄膜的機能而異，通 常，面內相位差R〇爲30〜300nm。 相位差薄膜所要求的面內相位差、和後述之厚度方向 ' 相位差，通常，經由令未延拉且分子未配向的薄膜予以延 • 拉並且配向分子而表面。根據相位差薄膜所組裝的液晶顯 示裝置種類、和相位差薄膜的機能，令所要求的相位差和 〇 遲相軸的方向爲不同，故分別配合所必要的相位差、遲相 軸方向、延拉方向爲由縱單軸延拉、橫單軸延拉、逐次雙 軸延拉，同時雙軸延拉等通常進行之延拉方法中適當選擇 ，關於各延拉方法詳細如前述。控制製造相位差薄膜時之 進行縱延拉和橫延拉時的延拉倍率和溫度等之延拉條件、 和製造之相位差薄膜的厚度，則可取得具有所欲之相位差 的相位差薄膜。 使用於前述之垂直配向（VA)型式液晶顯示器時， © 由確保優良之視野角特性的觀點而言，面內相位差R〇爲40 〜70nm，且厚度方向相位差Rth爲90〜230nm，或面內相 . 位差R〇爲〜160nm，且厚度方向相位差Rth爲50〜80nm 爲佳。作爲製造面內相位差R〇爲40〜70nm，且厚度方向 相位差Rth爲90〜230nm之相位差薄膜時的延拉方法，對未 延拉薄膜組合長跨距延拉法和拉幅法進行雙軸延拉爲佳。 作爲製造面內相位差R〇爲1〇〇〜160nm，且厚度方向相位 差Rth爲5〇〜80nm之相位差薄膜時的延拉方法，以拉幅法 將未延拉薄膜予以橫單軸延拉、或將未延拉薄膜以長跨距 -26- 200927801 延拉法予以縱單軸延拉爲佳，並且以未延拉薄膜以拉幅法 予以橫單軸延拉，令相位差薄膜的遲相軸變成薄膜寬度方 向，可將偏光薄膜以輥對輥貼合，故爲特佳。 又，將相位差薄膜與偏光板組合，作成橢圓偏光板進 ' 行行動電話和攜帶資訊終端等之防反射之情形，面內相位 * 差R〇爲1 00〜400nm，且厚度方向相位差Rth爲50〜200nm 爲佳，一般於稱爲1/4波長板之相位差薄膜之情形以面內 〇 相位差R〇爲100〜160nm，且厚度方向相位差Rth爲50〜 80nm爲更佳，一般於稱爲1/2波長板之相位差薄膜之情形 以面內相位差R〇爲240〜340nm，且厚度方向相位差Rth爲 120〜170nm爲更佳。此時，作爲製造相位差薄膜時的延 拉方法，係將未延拉薄膜以拉幅法予以橫單軸延拉，或將 未延拉薄膜以長跨距延拉法予以縱單軸延拉爲佳，並且以 未延拉薄膜以拉幅法予以橫單軸延拉，令相位差薄膜的遲 相軸變成薄膜寬度方向，可將偏光薄膜以輥對輥貼合’故 〇 爲特佳。又，由確保優良之視野角特性的觀點而言’有時 亦以面內相位差Rg爲1〇〇〜160nm ’且厚度方向相位差Rth . 爲100〜200nm爲較佳之情形。此時’作爲製造相位差薄 膜時的延拉方法，係對未延拉薄膜組合長跨距延拉法和拉 幅法進行雙軸延拉爲佳。 薄膜之面內相位差R〇及厚度方向相位差Rth分別以下 述式（I)及（II)定義。 (I ) R〇(nx-ny)xd (II) Rth={(nx + ny)/2-nz}xd -27- 200927801 於式（I)及（II )中，nx爲薄膜面內之遲相軸方向（ 折射率變成最大的方向）的折射率。於式（I)及（II) 中’ ny爲薄膜面內之進相軸方向（折射率變成最小的方向 • )的折射率。於式（1〇中，nz爲薄膜之厚度方向的折射 ， 率。於式（1 )及（Π )中，d爲以單位爲nm的薄膜厚度。 以上述方法所製造之相位差薄膜爲薄膜面內（500mm 〇 寬x5〇〇mm長度之面內）之相位差的最大値與最小値之差 爲10nm以下’測定薄膜之寬度方向500nm之光軸角度時， 光軸爲-1°以上+Γ以下，可作成光學均勻性高的相位差薄 膜。 本發明中所謂之光軸，係意指於延拉薄膜之面內折射 率爲最大的方位，即，面內遲相軸。光軸之角度，係意指 該聚合物薄膜之延拉方向、與該聚合物薄膜之遲相軸所成 之角度，亦被稱爲配向角。於本發明中，光軸之角度係以 〇 聚合物薄膜之延拉方向作爲基準線（0°)，以遲相軸與基 準線所成角度加以定義。光軸之角度可使用偏光顯微鏡和 - 自動複折射計進行測定。 (結晶配向度） 係爲本發明之光學薄膜，係於薄膜流動方向（MD方 向）與薄膜寬度方向（TD)經雙軸延拉的薄膜，於廣角X 射線繞射像（參照圖1)中，以20爲16〜16.5°附近區域 出現之廣角X射線繞射像的繞射波峰強度作爲縱軸，對於 -28 - 200927801 該波峰之天地方向於方位角0°視爲0°至360°爲止之方位角 作爲橫軸繪點所得之表示繞射波峰強度之方位角依賴性的 側面圖（參照圖2 )中，於方位角爲0°、90°、180°、270° 四處具有極大波峰，且，於薄膜寬度方向（TD)上配向 * 之結晶的存在比例C爲0.75以上，0.85以下，且，於薄膜
* 寬度方向（TD )上配向之結晶的配向度D爲80%以上95% 以下的薄膜，特別適合使用作爲適於前述垂直配向（VA ❹ )型式液晶顯示器的相位差薄膜。該相位差薄膜爲面內相 位差R〇爲40〜70nm，且厚度相位差Rth爲90〜230nm。 又，係爲本發明之光學薄膜，於廣角X射線繞射像（ 參照圖1)中，以20爲16〜16.5°附近之區域出現之廣角X 射線繞射像的繞射波峰強度作爲縱軸，對於該波峰之天地 方向於方位角〇°視爲0°至3 60 °爲止之方位角作爲橫軸繪點 所得之表示繞射波峰強度之方位角依賴性的側面圖（參照 圖2)中，於方位角0°與180°二處具有極大波峰，且，於 © 薄膜寬度方向（TD)上配向之結晶的存在比例C爲0.90以 上’ 1.00以下，且，於薄膜寬度方向（TD)上配向之結晶 - 的配向度D爲60%以上85%以下的薄膜，特別適合使用作 . 爲適於上述垂直配向（VA)型式液晶顯示器的相位差薄 膜、和橢圓偏光板用1/4波長板和1/2波長板。 此處，於薄膜寬度方向（TD)上配向之結晶韵存在 比例C爲如下定義。 令薄膜流動方向（MD)爲天地方向般，於廣角X射線 繞射裝置的試料部設置薄膜，並對薄膜面照射X射線（ -29- 200927801 through view測定），根據所得之廣角X射線繞射像，以- 20爲16〜16.5°附近區域出現之繞射波峰強度作爲縱軸， 該波峰之天地方向於方位角視爲至360°爲止之方位角 作爲橫軸繪點所得之表示繞射波峰強度之方位角依賴性的 * 側面圖中，方位角爲90°與270°位置具有極大値的波峰， • 係來自薄膜流動方向（MD)上配向之結晶的波峰，方位 角爲（Γ與18 0°位置具有極大値的波峰，係來自TD上配向之 結晶波峰。 即，僅於薄膜流動方向（MD )單軸延拉的薄膜，於 方位角爲90°與270°位置觀測到具有極大値的波峰，僅於 薄膜寬度方向（TD)上單軸延拉的薄膜，於方位角爲（Γ與 180°位置觀測到具有極大値的波峰，於薄膜流動方向（ MD)與薄膜寬度方向（TD)上雙軸延拉的薄膜爲於方位 角爲0°、90°、180°、270°四處觀測到極大波峰。 此處，於方位角0°〜3 60°中’若將繞射波峰強度之最 〇 低値視爲Imin，方位角分別爲〇°、90。、180。、270。之繞射 波峰強度分別視爲1〇、19〇、Ii8〇、127()，則薄膜寬度方向（ - TD)上配向之結晶的存在比例c爲以下述式（2)定義。 . C = (10-1111111) + (^ 8〇-Imin))/((I0.imin) + (Iig〇.Imin) + + (l9〇-Imin) + (I27〇-Iinin)) (式 2) 又，薄膜寬度方向（TD)上配向之結晶的配向度〇爲 如下疋義’（參照「X射線繞射手冊」、理學電氣股份有 限公司發行、1997、p97等）。 -30- 200927801 首先’將方位角爲0°與180°之處具有極大値的波峰半 値寬’分別視爲W 〇、W 1 8 〇 (參照圖2 )。此處，半値寬的 求出方法’參照圖2，以方位角爲180。之波峰爲例加以說 明。於方位角爲180。之波峰a中，強度爲（I18G-lmin) /2之 ‘ 位置b的波峰寬視爲半値寬w180。
” 其次’薄膜寬度方向（TD)上配向之結晶的配向度D 爲以下述式（3)定義。 ❹ D = 1〇〇x(3 60-(W〇 + W, 8〇)/3 60 式（3) 實施例 根據下列實施例進一步具體說明本發明 [I]測定方法 物性測定爲如下述進行。 © ( 1 )來自非晶性或低結晶性烯烴系聚合物所含有之1 - 丁 烯之單體單位的含量（單位：莫耳％) - 丙烯-1-丁烯聚合物中之各單體單位的含量，係使用 . 核磁共振裝置（Bruker公司製商品名AC-250 )，根據 13C-NMR光譜之測定結果所算出。具體而言，由i3c_nmR 光譜之來自丙烯之單體單位爲基準之甲基碳的光譜強度、 與來自1-丁烯之單體單位爲基準之甲基碳的光譜強度之比 ’算出來自丙烯之單體單位與來自丁烯之單體單位的組 成比。 -31 - 200927801 (2 )結晶熔解熱量及結晶化波峰 根據JIS K 7122，以差示掃描熱量計（精工電子工業 (股）公司製DSC220C :輸入功率補償DSC )進行測定。 ‘ 具體而言’狀態調整爲將試料聚合物由室溫至200。(：爲止 以30 °C/分鐘升溫’並於200 °C保持5分鐘。其次，以lot：/ 分鐘降溫至-50 °C爲止，並於-50 °C保持5分鐘後，由-50 t 〇 至2〇〇°c爲止以i〇°c /分鐘升溫，進行結晶熔解熱量及結晶 化波峰的測定。 (3 )熔體流動速率（MFR、單位：g/l 0分鐘） 含有本發明之光學用薄膜所含之成分（B)、成分（ A )之母煉膠的熔體流動速率，係根據JIS K 72 1 0，以試 驗溫度23 0 °C、試驗荷重21.18N測定。 〇 (4)分子量分佈（Mw/Mn) 根據膠滲透層析（GPC )法測定。測定裝置爲使用 - Waters公司製150C/GPC，測定溶劑爲使用鄰-二氯苯，柱 . 爲使用昭和電工（股）公司製Sodex Packed C〇lunlnA-80M (2根），分子量標準物質爲使用標準聚苯乙烯（東梭（ 股）公司製、分子量68〜8,4 00,〇00)，以溶出溫度14crc ，溶出溶劑流速1.0毫升/分鐘之條件，注入試料聚合物約 5毫克溶解於5毫升之鄰-二氯苯之溶液400微升’並以差示 折射檢測器測定換算聚苯乙烯的重量平均分子量（Mw ) -32- 200927801 與數平均分子量（Μη)，求出兩者之比之分子量分佈（ Mw/Mn )。 (5) 極限黏度（[7?]、單位：dl/g) • 使用烏伯類德黏度計，於1 3 5 °C之四氫化萘溶劑中進 * 行。調製非晶性烯烴系共聚物之濃度（c )爲0.6、1.0、 1.5mg/ml的四氫化萘溶液，測定試料溶液之液面流過標線 〇 間的時間3次。重複測定各個濃度3次，並以所得3次値的 平均値視爲此濃度中的比黏度（7? sp )，將7? Sp/C之C以零 外插之値求出視爲極限黏度（[7?])。 (6) 來自結晶性丙烯系聚合物中之乙烯之單體單位的含 量（重量％) 來自乙烯之單體單位的含量爲進行IR光譜測定，並且 根據「高分子手冊」（1995年、紀伊國屋書店發行）之第 〇 616頁記載之（i)無規共聚物所相關的方法求出。 . (7 )光學的均質性（面內相位差R〇 ) 將所得薄膜之面內遲相軸方向的折射率視爲nx、面內 進相軸方向（與遲相軸於面內垂直的方向）的折射率視爲 ny、厚度視爲d時，面內的相位差値（R〇 )爲以下式（I ) 定義。 R〇 = (nx-ny) X d (I) -33- 200927801 面內之相位差値R〇，使用相位差測定裝置（王子計測 機器（股）製、KOBRA-CCD )測定。實施例1〜3、比較 例1〜2之情形，由所製造之薄膜邊緣部左右均除去160mm 之範圍（400mm正方）於寬度方向以1 .5mm間隔測定，算 ’ 出平均値和標準偏差。以相位差斑=標準偏差* 100/平均 - 値，實施評價。 將延拉薄膜使用作爲相位差薄膜時（實施例4〜7、比 φ 較例3)，於所製造薄膜之寬度方向的中央部分，將薄膜 寬之1/2長度於寬度方向上以1.5mm間隔測定，算出平均値 和標準偏差。以相位差斑=標準偏差* 100/平均値，實施 評價。相位差斑之値愈小，則光學的均質性愈優良。 (8)厚度方向相位差Rth
厚度方向相位差Rth爲將相位差薄膜之中央部分，使 用相位差測定裝置（王子計機器（股）製、KOBRA-WPR €))測定。 - (9)光軸之角度及其不勻 __ 使用延拉薄膜作爲相位差薄膜時（實施例4〜7、比較 例3)，於所製造薄膜之寬度方向的中央部分，將薄膜寬 之1/2長度於寬度方向上使用偏光顯微鏡，以100mm間隔 測定光軸之角度。將最大値與最小値之差視爲光軸不勻。 光軸不勻愈小，則光學的均質性愈優良。 -34- 200927801 (10)廣角X射線繞射測定 關於各光學薄膜，以下列條件測定廣角X射線繞射 機種 理學製 RINT 2000 管球 Cu
電壓 50KV ❹ 電流 校準（光束徑） K/3過濾器 檢測器 相機距離 測定範圍 100mA 1 mm Φ 鎳箔
Imaging Plate ( 14 0mm 繞射角（2 0 ) 富士軟片公司製） :5 〜35° 令薄膜流動方向（MD)爲天地方向般，於廣角X射線 繞射裝置之試料部設置薄膜，並對薄膜面照射X射線（ through view測定），於所得之廣角X射線繞射像中，以 © 20爲16〜16.5°附近區域出現之廣角X射線繞射像的繞射 波峰爲基準，分別求出根據如上述定義所決定之薄膜寬度 ' 方向（TD)上配向之結晶的存在比例C，和薄膜寬度方向 (TD)上配向之結晶的配向度D。 實施例1 - [成分（A)之製造] 於具備攪拌器之100公升SUS製反應器中，令丙稀及i 丁烯，使用氫作爲分子量調節劑，以下列方法連續聚合， -35- 200927801 取得相當於成分（A)的丙烯-1-丁烯共聚物。 由反應器之下方，將作爲聚合溶劑之己烷以100公升/ 小時之供給速度、丙烯以24.00公斤/小時之供給速度、1-丁烯以1 .8 1公斤/小時之供給速度，分別連續供給。 ' 又，同樣地，將作爲聚合用觸媒之二氯化二甲基伸甲 * 矽基（四甲基環戊二烯基）（3-第三丁基-5-甲基-2-苯氧 基）鈦以〇. 〇〇5克/小時之供給速度、三苯基甲基四（五氟 © 苯基）硼酸酯以0.298克/小時之供給速度、三異丁基鋁以 2.3 15克/小時之供給速度，分別連續供給。 令反應器內部之反應液容量經常維持於100公升般， 由反應器的上方連續抽出反應液。 聚合反應爲經由安裝至反應器外部的套管中循環冷卻 水，於45°C下進行。 於反應器上方連續抽出的反應液中，添加少量之乙醇 並停止聚合反應後，除去未反應的單體，其次，以水洗淨 ® 除去反應液中所含之聚合用觸媒的殘渣，最後於大量之水 中以蒸氣除去聚合溶劑，則可取得丙烯-1-丁烯共聚物（ • 以下’稱爲聚合物（A-1 ))，並將其以80°C減壓乾燥1晝 . 夜。聚合物（A-1)之來自丙烯之單體單位含量爲94.5莫 耳％、來自1-丁烯之單體單位含量爲5.5莫耳％。又，聚 合物（A-1 )之[π ]爲2.3dl/g、-分子量分佈（Mw/Mn )爲 2.2 ( Mw = 420〇〇〇、Mn=191〇〇〇 )，均未觀測到結晶熔解波 峰或結晶化波峰。 -36- 200927801 [成分（A )非晶性或低結晶性烯烴系聚合物之母煉膠的製 造1] 將上述所製造之非晶性丙烯-1-丁烯共聚物70重量份 、結晶性丙烯系聚合物（乙烯-丙烯無規共聚物、 • MFR = 7.0 克 /10分鐘、Tm = 136°C、結晶熔解熱量=77J/g、 * 來自乙烯之單體單位含量=7.3莫耳％ ) 30重量份、受阻酚 系抗氧化劑（Ciba Specialty Chemicals股份有限公司製「 0 Irganox 1010」0.2重量份及芳香族亞磷酸鹽系抗氧化劑（ Ciba Specialty Chemicals 股份有限公司製「irgafos 168」 0.2重量份配合，其次’於該配合物ι〇0.4重量份中，配合 過氧化物（日本油脂（股）製「perhexa 25B-8j ) 0.3重 量份’並以雙軸壓出機於220 °C下熔融混練。所得成分（ 八）之母煉膠（众-1-1^^-1)的]^1^爲6.5克/10分鐘。 上述（7)之評價用光學用薄膜爲根據下列方法作成 ❹ [光學用薄膜之作成] 將作爲成分（B)之上述母煉膠（A—hMB-l)所用之 結晶性丙稀系聚合物相同的乙烯-丙烯無規共聚物（ MFR = 7.〇克/10分鐘、Tm=137<t、結晶熔解熱量=77j/g、 來自乙烯之單體單位含量= 7r3莫耳85重量份、與上述 所得之成分（A)之母煉膠（a_1mb_㈠15重量份予以九 狀物摻混後，以GrnmC)雙軸壓出機於樹脂溫度23〇。(：下壓 出，取得原料九狀物（1)。原料九狀物（1)中之成分（ -37- 200927801 A)的含量爲10.5重量％。將此原料九狀物（1)以溫度調 整至230 °C之50mm<D壓出機予以熔融混練，並由溫度設定 成250 °C之450mm寬的T型板壓出薄膜狀，以調整至20 t之 冷卻輥予以冷卻，切斷薄膜兩端的耳部，取得22 0mm寬之 ' 未延拉薄膜。所得之未延拉薄膜的厚度爲120ym。 * 將前述未延拉薄膜之兩端各20mm以卡盤夾住，並以 入口寬1 80 mm根據拉幅法以延拉溫度1 34 °C進行4倍橫延拉 〇 ，取得寬720mm之評價用延拉薄膜。所得之延拉薄膜由該 薄膜捲中抽出亦無問題，操作性亦良好。評價結果示於於 表1。所得延拉薄膜之廣角X射線繞射像中，以2 0爲1 6〜 16.5°附近之區域出現的繞射波峰強度作爲縱軸，對於該 波峰之天地方向於方位角0°視爲0°至3 60°爲止之方位角作 爲橫軸繪點所得之表示繞射波峰強度的方位角依賴性的側 面圖中，於方位角爲0°與180°二處具有極大波峰，於TD上 配向之結晶的存在比例C爲0.92，於TD上配向之結晶的配 〇 向度D爲67%。 實施例2 除了令實施例1所使用之成分（A)的母煉膠（A_i_ MB-1 )、與實施例1所使用之成分（B )的結晶性丙烯系 聚合物的混合比爲（A-l-MB-1) / (結晶性丙烯系聚合物 )=3 0/7 0 (重量比）以外，同實施例1處理，取得未延拉 薄膜。更且，將該未延拉薄膜同實施例1延拉，取得延拉 薄膜。所得之延拉薄膜由該薄膜捲中抽出亦無問題，操作 -38- 200927801 性亦良好。評價結果示於表1。所得延拉薄膜之廣角X射 線繞射像中，以20爲16〜16.5。附近之區域出現的繞射波 峰強度作爲縱軸，對於該波峰之天地方向於方位角0。視爲 〇°至3 60°爲止之方位角作爲橫軸繪點所得之表示繞射波峰 ' 強度的方位角依賴性的側面圖中，於方位角爲0。與180。二 * 處具有極大波峰，於TD上配向之結晶的存在比例C爲0.91 ’於TD上配向之結晶的配向度D爲63%。 ❾ 比較例1 除了令實施例1所使用之成分（A)的母煉膠（A-1-MB-1 )、與實施例1所使用之成分（B)的結晶性丙烯系 聚合物的混合比爲（A-1-MB-1 ) / (結晶性丙烯系聚合物 )=5/9 5 (重量比）以外，同實施例1處理，取得未延拉薄 膜。更且，將該未延拉薄膜同實施例1延拉，取得延拉薄 膜。所得之延拉薄膜由該薄膜捲中抽出亦無問題，操作性 〇 亦良好。評價結果示於表1。所得延拉薄膜之廣角X射線 繞射像中，以20爲16〜16.5°附近之區域出現的繞射波峰 • 強度作爲縱軸，對於該波峰之天地方向於方位角視爲0° . 至360°爲止之方位角作爲橫軸繪點所得之表示繞射波峰強 度的方位角依賴性的側面圖中，於方位角爲〇 °與1 8 0°二處 具有極大波峰，於TD上配向之結晶的存在比例C爲0.93， 於TD上配向之結晶的配向度D爲68%。 比較例2 -39- 200927801 除了令實施例1所使用之成分（A)的母煉膠（八-1-MB-1 )、與實施例1所使用之成分（B )的結晶性丙烯系 聚合物的混合比爲（A-1-MB-1 ) / (結晶性丙烯系聚合物 )=5 0/5 0 (重量比）以外，同實施例1處理，取得未延拉 * 薄膜。更且’將該未延拉薄膜同實施例1延拉，取得延拉 * 薄膜。所得之延拉薄膜由該薄膜捲中抽出但因發黏而不可 能，無法評價延拉薄膜之物性。評價結果示於表1。所得 〇 延拉薄膜之廣角X射線繞射像中，以20爲16〜16.5°附近 之區域出現的繞射波峰強度作爲縱軸，對於該波峰之天地 方向於方位角〇°視爲至360°爲止之方位角作爲橫軸繪點 所得之表示繞射波峰強度的方位角依賴性的側面圖中，於 方位角爲〇°與180°二處具有極大波峰，於TD上配向之結晶 的存在比例C爲0.90，於TD上配向之結晶的配向度D爲62 % 。 Ο 實施例3 [成分（A )非晶性或低結晶性烯烴系聚合物之母煉膠的製 * 造2 ] • 將上述所製造之非晶性丙烯-1-丁烯共聚物70重量份 、結晶性丙烯系聚合物（乙烯-丙烯無規共聚物、 MFR = 2.5克/10分鐘、Tm=159°C、結晶溶解熱量=90J/g、 來自乙嫌之單體單位含量=0.75莫耳％ ) 30重量份、受阻 酚系抗氧化劑（Ciba Specialty Chemicals股份有限公司製 「Irganox 1010」0.2重量份及芳香族亞磷酸鹽系抗氧化劑 -40- 200927801 (Ciba Specialty Chemicals股份有限公司製「Irgafos 168 」0.2重量份配合，其次，於該配合物100.4重量份中，配 合過氧化物（日本油脂（股）製「Perhexa 25B-8」）0.3 重量份，並以雙軸壓出機於230 °C下熔融混練。所得成分 • ( A )之母煉膠（A-1-MB-2 )的MRF爲3.0克/10分鐘。 * 將作爲成分（B)之結晶性丙烯系聚合物之上述母煉 膠（A-卜MB-2 )所使用的乙烯丙烯無規共聚物（ 〇 MFR = 2.5克 /10分鐘、Ttn=159°c、結晶熔解熱量=90J/g、 來自乙烯之單體單位含量= 0.75莫耳％ ) 85重量份、與上 述所得之成分（A)之母煉膠（A-1-MB-2) 15重量份予以 九狀物摻混後，以45ιηιηΦ雙軸壓出機於樹脂溫度230。(：下 壓出，取得原料九狀物（2)。將此原料九狀物（2)以溫 度調整至23 0 °C之50mm(t>壓出機予以熔融混練，並由溫度 設定成25 0°C之4 5 0mm寬的T型板壓出薄膜狀，以調整至20 °C之冷卻輥予以冷卻，切斷薄膜兩端的耳部，取得220mm © 寬之未延拉薄膜。所得之未延拉薄膜的厚度爲120〆m。 更且，除了令該未延拉薄膜以延拉溫度爲156。(：以外，同 > 實施例1處理延拉，取得延拉薄膜。所得之延拉薄膜由該 薄膜捲中抽出亦無問題’操作性亦良好。評價結果示於於 表1。所得延拉薄膜之廣角X射線繞射像中，以20爲16〜 16.5°附近之區域出現的繞射波峰強度作爲縱軸，對於該 波峰之天地方向於方位角0°視爲0°至3 60。爲止之方位角作 爲橫軸繪點所得之表示繞射波峰強度的方位角依賴性的側 面圖中’於方位角爲0°與180°二處具有極大波峰，於td上 -41 - 200927801 配向之結晶的存在比例C爲0.92，於TD上配向之結晶的配 向度D爲65%。 [表1] 實施例1 實施例2 比較例1 比較例2 實施例3 成分(A)(wt0/〇) 10.5 21 3.5 35 10.5 成分(B)(wt%) 89.5 79 96.5 65 89.5 延拉溫度fC ) 134 134 134 134 156 延拉薄膜厚度d(" m) 18 18 19 17 21 面內相位差R〇 平均値(nm) 910 750 1010 不能測定 880 面內相位差Ro 標準偏差(nm) 69 56 105 不能測定 80 相位差斑(％) 7.6 7.5 10.3 不能測定 9.1 TD配向結晶存在比例C㈠ 0.92 0.91 0.93 0.90 0.92 TD配向度D(%) 67 63 68 62 65 操作性 良 良 良 不良 良 實施例4 將實施例1所使用之成分（A)的母煉膠（A-1-MB-1 )3〇重量份、與實施例1所使用之成分（B)的結晶性丙嫌 系聚合物70重量份予以九狀物慘混後，以45ηιηιΦ雙軸壓出 機以樹脂溫度230°C下壓出，取得原料九狀物（2)。原料 九狀物（2)中之成分A的含量爲21重量％。其後，如圖3 所示般，將此原料九狀物（1)投入溫度調整至240 t之 75ιηιηΦ壓出機10並且熔融混練’且以i〇〇kg/h之壓出量由 溫度設定成250 °C之1200mm寬T型板12以薄膜狀壓出。將 壓出的熔融狀薄片F’以溫度調整至i3°C之400ιηιηφ冷卻 -42- 200927801 輥16、與溫度調整至13 °C之金屬套筒（外筒）22與位在其 內部之彈性體輥24、26所構成的接觸輥20，以線壓爲 ΙΟΝ/mm夾壓冷卻，取得厚度130"m之寬900mm的未延拉 薄膜。空氣間隙H ( T型板12中由熔融樹脂之吐出口 12a至 ' 接觸輥20及冷卻輥16將熔融樹脂夾壓爲止之間的長度）爲 • 150mm、冷卻輥16與接觸輥20之間夾壓熔融狀薄片的距離 爲 1 Omm。 © 此處，金屬套筒（外筒）22爲圓筒狀時的直徑爲 280mm，其厚度爲30〇em，其表面粗度爲0.2S，表面爲鏡 面者。位在內部的彈性體輥24爲由聚矽氧所形成，輥26爲 金屬輥，其直徑分別爲160 mm，輥24的硬度爲60。冷卻輥 16爲表面度爲0.1S，表面爲鏡面者。又，將接觸輥20之迴 轉速度設定成30m/min，冷卻輥16的迴轉速度設定成 3 Om/min。 另外，冷卻輥16爲具有金屬外筒16a、和金屬外筒16a 之內側所配置的流體軸筒1 6 b、和充滿金屬外筒1 6 a與流體 軸筒16b之間的空間及流體軸筒16b內的液體（熱媒體油） 、 L、和用以調節液體L溫度的調節溫度手段（未予圖示） ^ 。後段的冷卻輥18爲具有金屬外筒18a、和金屬外筒18 a之 內側所配置的流體軸筒18b、和充滿金屬外筒18a與流體軸 筒18b之間的空間及流體軸筒18b內的液體L、和用以調節 液體L溫度的調節溫度手段（未予圖示）。冷卻輥18爲使 用其直徑爲400mm，且表面粗度爲0.2S的鏡面者。 將前述未延拉薄膜F，導入2組壓料輥間具有空氣流通 -43- 200927801 方式之烤爐6之圖4所示的長跨距縱延拉機100並且進行縱 延拉。空氣流通方式之烤爐爲分成2區14、16’各區的長 度爲2.5m，於各區設置5對管嘴20。分別具有複數管嘴20 之一對管嘴列2 1、2 1，以熱塑性樹脂製薄膜F於其間夾住 * 般相互對向配置，且對向的各管嘴列21爲令管嘴20爲以鋸 - 齒狀配置般，相互地，於熱塑性樹脂製薄膜F的長軸方向 (移動方向）參差對向配置。 φ 又，如圖5所示般，各管嘴20爲於其前端部，令成爲 熱風吹出口的一對狹縫2 0a，以夾住管嘴2 0a之對稱軸線a 於薄膜的長軸方向上分開具有。又，各狹縫20a分別於熱 塑性樹脂製薄膜的寬度方向（與圖5之紙面垂直的方向） 上延拉開口。對各狹縫20a供給熱風的流路20b，分別由離 開對稱軸線a的位置，一邊以接近對稱軸線a般彎曲，一邊 以到達狹縫20a般形成，由各狹縫20a，以接近對稱軸線a 般傾斜並且分別排出熱風，且此二種氣體合流，主要，對 〇 於薄膜F以大約垂直般吹送氣體。另外，對稱軸線a爲與薄 膜F大約垂直般配置。 . 又，與狹縫20a之長度方向（垂直圖5紙面之方向）垂 直之面內，與狹縫20a所噴出之氣體流動方向垂直方向爲 狹縫20a的開口寬B。來自管嘴20之各狹縫2 0a的熱風風速 A爲10m/s，管嘴之各狹縫寬B爲4xl(T3m，上下的管嘴間隔 D爲100 mm。於1個管嘴20設置2根相同狹縫寬B的狹縫2〇a 。縱延拉之條件爲將第1區14設定成118 °C、第2區16設定 成122°C。其次，令出口側壓料輥32A、32B之迴轉速度比 -44- 200927801 入口側壓料輥30A、30B之迴轉速度更加快速，對於薄膜F 於縱方向上加以應力，如此令加熱的熱塑性樹脂製薄膜縱 延拉。此處，薄膜F的入口速度=6 m/分鐘、出口速度 = 12m/分鐘、延拉倍率=2倍。 ' 以此條件進行縱延拉期間，薄膜爲於上下管嘴之大約 • 中央位置以不接觸管嘴般懸浮，保持正常的流通狀態。經 縱延拉之縱延拉薄膜的厚度爲90/zm、寬度爲7 00mm。將 〇 此縱延拉薄膜之面內相位差R〇、厚度方向相位差Rth，於 寬度方向之中央部分測定1點時，面內相位差R〇爲l〇〇〇nrn ，厚度方向相位差Rth爲52Onm。 其次’根據拉幅法，進行此縱延拉薄膜的橫延拉並且 製作相位差薄膜。拉幅法所用之烤爐爲由流動方向之上游 側（烤爐之入口側）’具備預熱區、延拉區、熱固定區， 該流動方向中的預熱區長度爲1.5m、延拉區長度爲3.0m、 熱固定區長度爲1.5m (烤爐全長：6.0m)。 © 拉幅機之烤爐的熱風吹出用管嘴，使用穿孔管嘴。穿 孔管嘴38爲如圖6 (a)所示般，對於烤爐內之上下面設置 - 且水平搬送的薄膜F以大約垂直方向（箭頭B方向）吹出 ^ 熱風的構造，其橫剖面爲朝向薄膜25對向面38a具有未端 變寬狀的台形形狀。穿孔管嘴38爲於薄膜對向面之下側面 38a具有複數之圓形開口 44。穿孔管嘴38之熱風吹出口爲 由面38a所設置的複數開口 44所構成。複數開口 44爲熱風 的吹出口，熱風爲由開口 44以指定之風速吹出。開口 44爲 於薄膜25之長軸方向上以複數配置，並且於寬度方向上亦 -45- 200927801 被複數配置，配置成鋸齒狀。 穿孔管嘴38之薄膜寬度方向的長度爲1600 mm。穿孔 管嘴之圓形開口直徑爲5mm。各穿孔管嘴38中之開口 44之 管嘴每—根，且薄膜寬度方向之長度每lm的合計面積’ - 即吹出口面積爲0.011m2。 . 以拉幅法之橫延拉爲令薄膜通過烤爐之上下方向的中 間而進行。具體而言，橫延拉爲以預熱區之預熱溫度爲 0 1341、延拉區之延拉溫度爲132 °C、熱固定區之熱固定溫 度爲130°C、橫延拉倍率爲4.2倍、線速度3m/分鐘、烤爐 出口中之卡盤間距離1 5 1 4mm之條件進行’取得相位差薄 膜。另外，此處所謂之線速度，係意指烤爐內之薄膜的移 動速度。 又，此時，各個穿孔管嘴38之吹出口的熱風吹出風速 爲13m/秒鐘，穿孔管嘴38每1根，且薄膜寬度方向之長度 每lm的吹出風量爲0.143m3/秒鐘。另外，熱風的風速，風 量爲根據下列方法所測定之値。 . <熱風之風速及風量之測量> 由穿孔管嘴38所吹出的風速爲如下測定。相對於薄膜 的移動方向，於各區之薄膜流動方向之中央附近配置之上 側管嘴與下側管嘴之個別中，於各管嘴之薄膜寬度方向（ 深度方向）之兩端朝向中央部l〇〇mm位置的一對點、和將 該一對點之間均等區分成4等分時的3個區分點共計5點， 使用熱線式風速計測定熱風的風速。即，各區中，將上側 -46 - 200927801 管嘴與下側管嘴合計1 〇點之熱風風速，以市售的熱線式風 速計測定。其次，將此些平均値視爲各管嘴的吹出口熱風 風速。熱風之吹出風量爲根據吹出口的面積與如上述求出 之熱風風速的積而求出。 將相位差薄膜之面內相位差値R〇，於寬度方向的中央 • 部分，將薄膜寬之1/2長度760mm於寬度方向上以1.5mm間 隔測定，算出平均値和標準偏差。Ro平均値爲73nm、相 〇 位差斑爲11%之光學的均質性高。相位差薄膜之寬度方向 中央之厚度方向相位差Rth爲120nm、厚度爲16"m。又， 光軸不勻爲3.3°，光學的均質性高。所得之相位差薄膜之 廣角X射線繞射像中，以2 0爲1 6〜1 6.5 °附近之區域出現 的繞射波峰強度作爲縱軸，對於該波峰之天地方向於方位 角〇°視爲0°至3 60°爲止之方位角作爲橫軸繪點所得之表示 繞射波峰強度的方位角依賴性的側面圖中，於方位角爲0° 、90°、180°、270°四處具有極大波峰，於TD上配向之結 © 晶的存在比例C爲0.80，於TD上配向之結晶的配向度D爲 8S %。又，所得之相位差薄膜由該薄膜捲中抽出亦無問題 - ，操作性亦良好。 . 接著，對此相位差薄膜之表面施以電暈放電處理。 <複合偏光板之製作> 準備碘吸黏配向至聚乙烯醇薄膜的偏光子，並於其單 面，將上述相位差薄膜之電暈放電處理面，於偏光子的另 一面將表面經鹼化處理的三乙醯纖維素薄膜，分別透過水 -47- 200927801 溶性聚醯胺環氧樹脂（住友化學（股）Sumilase Resin 650)與聚乙嫌醇的水溶液之接著劑接合。其後以°C乾 燥5分鐘，再以40。(3熟化約72小時，製作複合偏光板。 * <複合偏光板之評價> • 將SONY (股）製之液晶電視 ’BRAVIA KDL-32S1000 〃分解，並剝離液晶元件上下的偏光板。以上述 φ 所得之複合偏光板，代替製品所組裝的偏光板，分別以相 位差薄膜側透過感壓式接著劑貼合。再將電視組裝後點亮 背光，以ELDIM公司製之液晶視野角測定裝置* EZ Contrast 16 0R”測定正面對比度。正面對比度爲1 5 00，正 面對比度之値大，於液晶顯示裝置所顯示之畫面色彩更加 鮮艷察見，爲良好的相位差薄膜。 實施例5 © 除了令未延拉薄膜之厚度爲50 /zm以外，同實施例4 處理’取得未延拉薄膜。其次，根據拉幅法，進行該未延 - 拉薄膜的橫延拉並且製作相位差薄膜。拉幅法所用之烤爐 ， 爲由流動方向之上游側（烤爐之入口側），具備預熱區、 延拉區、熱固定區，該流動方向中的預熱區長度爲4m、 -延拉區長度爲8m、熱固定區長度爲4m (烤爐全長：16m) 。拉幅機之烤爐的熱風吹出用管嘴，使用噴射管嘴。噴射 管嘴爲如圖6(b)所示般，具有於薄膜寬度方向上延伸之 尖端細的狹縫40作爲熱風吹出口。噴射管嘴34的薄膜寬度 -48- 200927801 方向長度爲2500mm。各噴射管嘴34中之狹縫40的狹縫寬D 爲5 mm，管嘴每1根，且薄膜寬度方向之長度每lm的狹縫 40面積，即吹出口之面積爲0.00 5m2。橫延拉爲以預熱區 之預熱溫度爲136 °C、延拉區之延拉溫度爲126 °C、熱固定 ' 區之熱固定溫度爲1〇〇 °C，各個噴射管嘴34之吹出口中的 • 熱風吹出風速爲15m/秒鐘，且噴射管嘴34每1根，且薄膜 寬度方向之長度每lm的吹出風量爲〇.〇75m3/秒鐘，橫延拉 φ 倍率爲4.0倍、線速度4m/分鐘、烤爐出口中之卡盤間距離 2200mm之條件進行，取得一般被稱爲1/4波長板的相位差 薄膜。 將相位差薄膜之面內相位差値Ro，於寬度方向的中央 部分，將薄膜寬之1/2長度1100mm於寬度方向上以1.5mm 間隔測定，算出平均値和標準偏差。Ro平均値爲90nm、 相位差斑爲0.2 %之光學的均質性高。相位差薄膜之寬度 方向中央之厚度方向相位差Rth爲45nm、厚度爲10/zm。 Ο 又，光軸不勻爲ι·〇°，光學的均質性高。所得之相位差薄 膜之廣角X射線繞射像中，以20爲16〜16.5°附近之區域 - 出現的繞射波峰強度作爲縱軸，對於該波峰之天地方向於 _ 方位角0°視爲至3 60°爲止之方位角作爲橫軸繪點所得之 表示繞射波峰強度的方位角依賴性的側面圖中，於方位角 - 0°與180二處具有極大波峰，於TD上配向之結晶的存在比 例C爲0.93，於TD上配向之結晶的配向度D爲69%。又， 所得之相位差薄膜由該薄膜捲中抽出亦無問題，操作性亦 良好。 -49- 200927801 實施例6 除了令未延拉薄膜之厚度爲80 μ m以外，同實施例4 處理，取得未延拉薄膜。其次，除了令預熱區之預熱溫度 ' 爲130°C、延拉區之延拉溫度爲120t以外，同實施例5處 理，根據拉幅法，進行該未延拉薄膜的橫延拉，製作一般 被稱爲1/2波長板的相位差薄膜。 © 將相位差薄膜之面內相位差値R〇，於寬度方向的中央 部分，將薄膜寬之1/2長度1100mm於寬度方向上以1.5mm 間隔測定，算出平均値和標準偏差。Ro平均値爲270ηιη、 相位差斑爲0.3%之光學的均質性高。相位差薄膜之寬度 方向中央之厚度方向相位差Rth爲135nm、厚度爲20# m。 又，光軸不勻爲1.6°，光學的均質性高。所得之相位差薄 膜之廣角X射線繞射像中，以20爲16〜16.5°附近之區域 出現的繞射波峰強度作爲縱軸，對於該波峰之天地方向於 Ο 方位角0°視爲0°至360°爲止之方位角作爲橫軸繪點所得之 表示繞射波峰強度的方位角依賴性的側面圖中，於方位角 . 0°與180°二處具有極大波峰，於TD上配向之結晶的存在比 _ 例C爲0.98，於TD上配向之結晶的配向度D爲78%。又， 所得之相位差薄膜由該薄膜捲中抽出亦無問題，操作性亦 良好。 比較例3 除了令實施例4所使用之成分（A )的母煉膠（A-1- -50- 200927801 MB-l ) '與實施例4所使用之成分（B)的結晶性丙稀系 聚合物的混合比爲（A-1-MB-1 ) / (結晶性丙烯系聚合物 )=5/95(重量比）’且未延拉薄膜之厚度爲100//111以外 ’同實施例4處理，取得未延拉薄膜。原料九狀物中之成 * 分A含量爲3.5重量％。 其次將該未延拉薄膜進行與實施例4同樣的縱延拉， 取得縱延拉薄膜。以此條件進行縱延拉期間，薄膜爲於上 〇 下管嘴之大約中央位置以不接觸管嘴般懸浮，保持正常的 流通狀態。經縱延拉之縱延拉薄膜的厚度爲70 z/m、寬度 爲700mm。將此縱延拉薄膜之面內相位差1^、厚度方向相 位差Rth，於寬度方向之中央部分測定1點時，面內相位差 R〇爲83 0nm、厚度方向相位差Rth爲430nm。 其次，除了令預熱區之預熱溫度爲136 °C、延拉區之 延拉溫度爲1261、熱固定區之熱固定溫度爲126 °C、橫延 拉倍率爲3.5倍、線速度3 m/分鐘、爐烤出口中之卡盤間距 Ο 離1 25 7mm之條件進行以外，同實施例4處理，根據拉幅法 ，進行此縱延拉薄膜的橫延拉，製作相位差薄膜。 . 將相位差薄膜之面內相位差値Rc，於寬度方向的中央 部分，將薄膜寬之1/2長度63 0mm於寬度方向上以1.5mm間 隔測定，算出平均値和標準偏差。R〇平均値爲74nm、相 位差斑爲爲18%，使用作爲相位差薄膜上，光學的均質性 爲較實施例4低。相位差薄膜之寬度方向中央之厚度方向 相位差Rth爲ll〇nm、厚度爲15/zm。又，光軸不勻爲9.5° ，使用作爲相位差薄膜上，光學的均質性爲低。所得之相 -51 - 200927801 位差薄膜之廣角X射線繞射像中，以20爲16〜16.5°附近 之區域出現的繞射波峰強度作爲縱軸，對於該波峰之天地 方向於方位角0°視爲0°至3 60°爲止之方位角作爲橫軸繪點 所得之表示繞射波峰強度的方位角依賴性的側面圖中，於 ' 方位角〇° ' 90°、180°、270°四處具有極大波峰，於TD上配 • 向之結晶的存在比例C爲0.82，於TD上配向之結晶的配向 度D爲90%。又，所得之相位差薄膜由該薄膜捲中抽出亦 ^ 無問題，操作性亦良好。 實施例4〜6、比較例3之結果示於表2。 [表2] 實施例4 實施例5 實施例6 比較例3 成分(A)(wt0/〇) 21 21 21 3.5 成分(B)(wt%) 79 79 79 96.5 延拉方法 2軸延拉 橫延拉 橫延拉 2軸延拉 延拉薄膜厚度d(" m) 16 10 20 15 面內相位差R〇 平均値(nm) 73 90 270 74 厚度方向相位差Rth(nm) 120 45 135 110 相位差斑(％) 11 0.2 0.3 18 光軸不勻〇 3.3 1.0 1.6 9.5 TD配向結晶存在比例C㈠ 0.80 0.93 0.98 0.82 TD配向度D(%) 88 69 78 90 操作性 良 良 良 良 【圖式簡單說明】 圖1爲示出光學用薄膜以throuugh view法之廣角X射 線繞射像、繞射角、方位角、薄膜設置方向圖。 -52- 200927801 圖2爲根據圖1之廣角X射線繞射像，說明20=16〜 1 6.5 °附近之領域出現之繞射波峰與方位角之圖示 '及、 極大値波峰及極大値波峰之半値寬之圖示。 圖3爲實施例4所使用之未延拉薄膜之製造裝置的槪略 . 圖。 - 圖4爲實施例4所使用之長跨距縱延拉機的槪略圖。 圖5爲圖4之管嘴的放大剖面圖。 φ 圖6之圖6(a)爲實施例4所使用之拉幅型橫延拉機之 管嘴的剖面圖，圖6(b)爲實施例5所使用之拉幅型橫延 拉機之管嘴的剖面圖。 【主要元件符號說明】 6 :烤壚 1〇 :壓出機 12 : T型板 © 〗2a :吐出口 1 6 :冷卻輥 - 16a :金屬外筒 故 16b :流體軸筒 1 8 :冷卻輥 18a :金屬外筒 18b :流體軸筒 2〇 :接觸輥 20a :狹縫 -53- 200927801 2 0b :流路 22 :金屬套筒 24 :彈性體輥 25 :薄膜 ’ 26 :彈性體輥 - 30A :入口側壓料輥 3 0B :入口側壓料輥 〇 32A :出口側壓料輥 32B :出口側壓料輥 3 4 :噴射管嘴 3 8 :穿孔管嘴 3 8 a :面 40 :狹縫 44 :開口 1〇〇 :長跨距縱延拉機 © B _·狹縫寬 F :薄膜 - Η :空氣間隙 -54-