TW200927734A - Liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment layer and liquid crystal display element - Google Patents

Description

200927734 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明主要涉及—種液晶配向劑，其含有如下聚醯胺 酸或其衍生物，所述聚醯胺酸是通過使由3,5_二氨基4,2,4- 二吐（3,5_diamino-l，2,4-triazole)和特定的二胺（diamine) 所構成的二胺混合物與四羧酸二酐（tetracarb〇xyiic dianhydride)反應所獲得的。 【先前技術】 以筆s己本電腦（noteb〇〇k computer )或臺式電腦 (desktop computer )的顯示器（monitor )為代表，液晶顯 示元件被用在攝影機（video camera )的取景器 (viewfinder)、投影顯示器（projecti〇n diSpiay)等各種 液晶顯示裝置中，最近也大量用作電視用顯示元件。另外， 也用作光學列印頭（optical printer head )、光學傅裏葉變 換元件（optical fourier transform element)、光閥（Ught valve)等光電子（optoelectronics)相關元件。以前的液晶 顯示元件’主流是使用向列型（nematic )液晶的顯示元件， 扭轉（twist) 90 度的扭轉向列型（Twisted Nematic，TN) 液晶顯示元件、通常扭轉180度或180度以上的超扭轉向 列型（Super Twisted Nematic，STN)液晶顯示元件、使用 薄膜電晶體（film transistor )的所謂薄膜電晶體 (Thin-film-transistor ’ TFT )型液晶顯示元件已經被實用 化。 然而，這些液晶顯示元件具有以下缺點：可正確地識 4 200927734 別圖像的視角狹窄，從斜方向觀看時，會產生亮度或對比 - 度（contrast)下降、及半色調（halftone)的亮度反轉。 近年來’針對此視角問題，是通過使用光學補償膜（〇ptical compensation fllm )的TN型液晶顯示元件、並用垂直配向 與凸起構造物的技術的多區域垂直排列（Multi_d〇main VerticalAlignment，MVA)型液晶顯示元件、或橫向電場 方式的平面轉換（In-Plane Switching ’ IPS)型液晶顯示元 〇 件等技術來加以改良，經過改良的技術已被實用化（例如， 參照專利文獻1〜3)。 液晶顯示元件技術的發展’不僅通過單純改良這些驅 動方式或元件構造來實現，而且也通過改良液晶顯示元件 中所使用的組成部件來實現。液晶顯示元件中所使用的組 成部件中，特別是液晶配向膜是影響液晶顯示元件的顯示 品質的重要要素之一’隨著液晶顯示元件的高品質化，液 晶配向膜的作用一年年重要起來。 為了提高液晶顯示元件的顯示品質而對液晶配向膜所要求 的重要特性，可舉出：電壓保持率及殘留DC (direct current’直流電）。如果電壓保持率較低，那麼在圖框時 間（frame time)中施加至液晶的電壓會下降，結果亮度下 降’有時會阻礙正常的灰階顯示。另一方面，如果殘留DC 較大’那麼有時會產生所謂的“殘影”，即施加電壓後無論 斷電與否，都殘留應消失的圖像。 • 並且’表示其他液晶顯示元件的性能的指標之一，可 舉出：液晶顯示元件中所產生的雜質離子量。此雜質離子 5 200927734 量通常被稱作離子密度（非專利讀υ，可 影 技術股份有限公司製造的液晶評價裝置絲進行測定、定 量化。多次報告扣下纽：如絲離子密度魏值 那麼無論斷電絲，都會在圖元錢元的邊界部分產生殘

專利文獻1 :日本專利特公昭63-2^07號公報 專利文獻2:日本專利特開平6-160878號公報 專利文獻3:日本專利特開平9_1565〇號公報 非專利文獻1 :液晶第6卷第4號P44〜p53 【發明内容】 ’ 本發明的課題在於提供一種具有高電壓保持率、低離 子密度、低殘留DC的液晶配向膜，提供一種可形成此液 晶配向膜的液晶配向劑，而且提供一種不易產生殘影的液 晶顯示元件。 本發明者們為了解決所述課題而進行潛心研究，發 現：通過使用由3,5-二氨基_1，2,4_三唑衍生物與特定的二 胺所構成的二胺混合物來作為聚合物原料即二胺，從而使 由所獲得的聚合物構成的液晶配向膜在用於液晶顯示元件 中時’電壓保持率較高，離子密度減小，成為低殘留DC。 於專利文獻4中，揭示了使用以除氨基以外也含有氮的二 胺來作為原料的聚醯胺酸而形成的配向膜，雖然此二胺中 含有3,5-二氨基-1，2,4-三唾，但此公報中並沒有揭示將除 此氨基以外也含有氮的二胺與其他二胺組合使用的具體 例’其效果也只是揭示了對於在STN、NTN液晶顯示體中 6 200927734 , 有-:分透光率不同、即所謂串音（_滅）的改善。 • f利文獻4 :日本專利特開平5-249473號公報 本發明以下述[1]項表示。 ϋ[1] —種液晶配向劑，其是含有*下聚合物和溶劑的組 成物，所述聚合物是選自由使式（a)所表示的三胺和其他 -㈣混合物與四紐二酐反應所獲得的聚醯胺酸及其衍 生物所組成的族群中的至少一種聚合物；其他二胺是選自 0 式（1)〜式（观）所表示的非側鏈型二胺的族群中的至少 一=二胺；或者是具有侧鏈基團的侧鏈型二胺的至少一種 一胺，所述侧鏈基團選自碳數大於等於3的烷基，碳數大 於等於3的烷氧基，碳數大於等於3的烷氧基烷基，具有 類固醇（steroid)骨架的基團，及具有至少一個環且在其 末端的環上具有碳數大於等於3的烷基、碳數大於等於3 的烧氧基或碳數大於等於3的烧氧基烧基來作為取代基的 基團；或者是非侧鏈型二胺的至少一種與侧鏈型二胺的至 少一種的混合物；而且，此組成物中的所述聚合物成分的 ® 濃度為0.1 wt%〜40 wt% (重量百分比）： 200927734 Η2Ν-χΐ-ΝΗ2

在此，L1為氳、碳數為1〜4的烷基、苯基或苄基； X1為碳數為2〜12的直鏈亞烷基；；X2為碳數為i〜12的直 鏈亞烧基；X3、X4及X5獨立為單鍵、_〇_、_c〇_、_c〇NH_、 -NHCO-、_C(Ch3)2-、-C(CF3)2-、_0_(CH2)r0_、_s_、各s_、 ❹ _S〇2_、-S-(CH2)rS-或碳數為1〜12的直鏈亞烷基，t為i 〜12的整數，而且式（vi)中的χ4及式（通）中的χ5既 可以分別相同也可以不同；環己烷環或苯環的任意的氫也 可以被氟、-CH3、-OH、-COOH、-S03H、·Ρ03Η2、苄基 或羥基苄基取代。 通過本發明，可以提供一種具有較高的電壓保持率及 較低的離子密度、殘留DC下降（不易產生殘影）的液晶 顯示元件。 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，f文待 8 200927734 舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 。 首先’對本發明中所使用的術語進行說明。 “液晶配向劑”表示用來形成液晶配向膜的組成物 時將式（a)所表示的化合物稱作化合物（a)。1他化 所表示的化合物也同樣。其他二胺麵化合物以外^ 二胺。關於侧鏈型二胺及非側鏈型二胺，在本發明中所使 〇 關其他二㈣侧說__，對這些術語的定義加以 敍述。說明化學結構式時使用的術語“任意的”，不僅表示 位置是任意的，也表示個數是任意的。而且，例如“任音的 ，可以被B、C或D取代，，這種表達，是表示除了包“ 意的A被B取代、任意的a & c取代及任意的a被d取 代的情況，也包括多個A被B〜D中的至少兩個所取代的 情況。但是、當任意的-CH2·可以被-〇_取代時、並不包括 連續的多個-CH2-被-〇·取代的情況。沒有與構成環的原子 明確地鍵結的取代基，是在化學上所允許的範圍内能夠自 由地決定其鍵結位置的取代基。將文字、例如A以六角形 圍住的符號表示環A。 本發明由所述[1]項及以下所示的[2]至[24]項構成。 [2]根據[1]項所述的液晶配向劑’其中側鏈型二胺是選 自式（VI)〜式（XII)所表示的化合物的族群中的二胺。 R2 200927734 (在此，R1為單鍵、-〇·、 rrixm ηΧτ r\ C〇-、_c〇〇_、-〇C〇_、 -CONH-、-CH2〇-、_CF2〇-、或雄奴 兀―* 士 Λ/w立 X乂數為1〜6的亞烷基，此 亞烷基中的任意的-CH2-也可以从 此 取代;r2為具有類固醇骨架的基圏:〇破數Γ二^ 具有_3〜3_基或碳” 取代基的苯基、或式（IM)所矣_ 30的说氧基來作為 贫士 Λ^ν立 ；所表不的基團，這些烷基及 烧乳基中的任意的-CH2-也可以姑η 2 J 乂破-〇-、-CH=CH·或-〇C- ❹ 取代；

g 在此，R13、R14 及 R15 獨立為單鍵、_〇_、_c〇〇_、_〇c〇、 -CONH-、碳數為1〜4的亞烷基、碳數為丨〜3的氧基亞烷 基、或碳數為1〜3的亞烧基氧基；環]5及環c獨立為ι4_ 亞苯基或1，4-亞環己基；W及獨立為氟或甲基，ml 及m2獨立為〇、1或2 ; e、f及g獨立為〇〜3的整數，e、 f及g的合s十大於等於1，R為碳數為3〜3〇的烧基、碳 數為3〜30的烧氧基、或碳數為3〜30的燒氧基烧基，這 些烷基、烷氧基及烷氧基烷基中，任意的氫也可以被氟取 代，而且任意的-CH2·也可以被二氟亞曱基或式（d-2)所 表示的基團取代； /(Γ)『

(D-1) Ο R19 I -Si— I R20 R21 I -〇—Si— (D-2) R22/n 在此’以^^:^及^獨立為碳數為丨〜川的烷 200927734 基或苯基，而且η為1〜100的整數） R3R4 H2U-f

\^nh2 (在此，R3獨立為氳或甲基；R4為氳、碳數為1〜30 的烷基、或碳數為2〜30的烯基；而且，R5獨立為單鍵、

❹-CO-或-CH R3 /R4

R7 (在此，R3獨立為氳或甲基；R4為氫、碳數為1〜30 的烷基、或碳數為2〜30的烯基；R5獨立為單鍵、-CO-或-CH2-;而且，R6及R7獨立為氩、碳數為1〜30的烷基、 或苯基）

(在此，R8為碳數為3〜30的烷基，此烷基的任意的 -CH2-也可以被-0-、-CH=CH-或-OC-取代；R9獨立為-0- 11 200927734 亞苯基或1，4-亞環己 而且，c獨立為〇或 或碳數為1〜6的亞燒基；環a為 基；a為0或l;b為〇、ι或2.

(XII)

在此.，' 為碳數為3〜3〇的烷基或碳數為3〜30 的氟化絲；R為氫、碳數為卜如職基或碳數為卜 30的氟化烧基；R12獨立為_〇_或碳數為卜6的亞燒基； 而且，d獨立為〇或1) ^ [3]根據[1]項所述的液晶配向劑，其中非侧鏈型二胺是 選自式（IV-1)、式（IV-2)、式（ιν_15)、式（IV_16)、^ (V-1)〜式（V_12)、式（v_33)及式（通_2)所表示 的化合物中的二胺，侧鏈型二胺是選自式（观_2)、式 (VDM)、式（Vffl-5)、式（\1-6)、式（XI-2)及式（xm) 所表示的化合物中的二胺。

12 200927734 H2N-^j)-NH2 (iv-1)

(IV-15) (IV-16)

(V-3)

NH〇

NH,

13 200927734

_-5) _)

0 (在此’ R23、R24、R29及R3G獨立為碳數為3〜30的 烷基、或碳數為3〜30的烷氧基） [4]根據[1]至[3]中任一項所述的液晶配向劑，其中四 缓酸二肝是選自式（1)、式（2)、式（5)〜式（9)、式('14)、 式（19)、式（23)、式（25)、式（35)〜式（37)、式（39)、 式（44)及式（49)所表示的化合物中的至少一種四羧酸 二酐。 200927734

15 200927734 [5]根據[1]至[3]中任一項所述的液晶配向劑，其中四 叛酸二酐是選自式（1)、式（6)〜式（9)、式（19)、式 (23)及式（25)所表示的化合物中的至少一種四竣酸二 針。

[6]根據[1]至[3]中任一項所述的液晶配向劑，其中四 羧酸二酐是選自式（〗）、式（19)及式（23)所表示的化 合物中的至少一種四羧酸二酐。 16 200927734

• (1) (19) (23) [7] 根據[1]至[6]中任一項所述的液晶配向劑，其中以 二胺總量為基準，式（a)所表示的二胺的含有率為i m〇1〇/0 〜50 mol% ’其他二胺的含有率為50 mol%〜99 mol%。 [8] 根據[1]項所述的液晶配向劑，其包含：選自由使式 (a)所表示的二胺和非侧鏈型二胺的混合物與四緩酸二肝 反應所獲得的聚醯胺酸及其衍生物所組成的族群中的至少 一種聚合物、及選自由使式（a)所表示的二胺和侧鏈型二 胺的混合物與四羧酸二酐反應所獲得的聚醯胺酸及其衍生 物所組成的族群中的至少一種聚合物。 [9] 根據[8]項所述的液晶配向劑，其中非侧鏈型二胺是 選自式（IV-1)、式（IV-2)、式 〇ν·15)、式（RM6)、式 (V-1)〜式（V_12)、式（V-33)及式所表示 ^ 的化合物中的二胺，侧鏈型二胺是選自式（疆_2)、式 (VDI-4)、式（ΥΙΠ-5)、式（VDI-6)、式（χι_2)及式（χι_4) 所表示的化合物中的二胺。 17 200927734

(V-1) (V-3) (V-2)

(V-11)

(VII-2) (在此，R23、R24、R29及R30獨立為碳數為3〜30的 烷基、或碳數為3〜30的烷氧基） [10]根據[8]項或[9]項所述的液晶配向劑，其中四缓酸 二酐是選自式（1)、式（6)〜式（9)、式（19)、式（23) 及式（25)所表示的化合物中的至少—種讀酸二肝。 18 200927734 [11] 根據Π]至[6]及[8]至[10]中任一項所述的液晶配向 劑，其更含有選自由使式（a)所表示的二胺以外的二胺與 四緩酸二針反應所獲得的聚酿胺酸及其衍生物所組成的族 群中的至少一種聚合物。 [12] 根據[11]項所述的液晶配向劑，其中式（a)所表 示的二胺以外的二胺是選自式（I)〜式（W)所表示的非 侧鏈型二胺的族群中的至少一種二胺；或者是具有侧鏈基 〇 團的侧鏈型二胺的至少一種二胺，所述侧鏈基團選自碳數 大於等於3的烷基’碳數大於等於3的烷氧基，碳數大於 等於3的烷氧基烷基，具有類固醇骨架的基團，及在末端 ，環上具有碳數大於等於3的烷基、碳數大於等於3的统 氧基或碳數大於等於3的烷氧基烷基來作為取代基的含環 基團；或者是非側鏈型二胺的至少一種與側鏈型二胺的至 少一種的混合物： 19 200927734 H2N-X1-nh2

在此，X1為碳數為2〜12的直鏈亞烷基；χ2為碳數為 1〜12的直鏈亞烷基；χ3、χ4及X5獨立為單鍵、七… -CONH·、-NHCO-、-(：(αί3)2-、-C(CF3)2-、_〇_(CH2)r〇 _S·、-s-s-、-S02·、-S-(CH2) t-S-或碳數為 1〜12 的 ^鍵亞 烷基，t為1〜12的整數，而且式（VI)中的χ4及式（VII) 中的X5既可以分別相同也可以不同；環己烷環或笨環的任 意的氫也可以被氟、-CH3、_OH、-COOH、-S03H、-p〇3H2、 苄基或羥基苄基取代。 [13]根據[12]項所述的液晶配向劑，其中侧鏈型二胺是 選自式（M)〜式（ΧΠ)所表示的化合物的族群中的二胺。 20 200927734 R2

(在此 ’ R1 為單鍵、_〇_、·€〇_、_c〇〇_、_〇c〇、 _CONH_ ' -CH20-、-CF20-、或碳數為卜6的亞烷基，此 亞貌基=的任意的-CH2·也可以被_〇_、_CH=CH-或-〇C-取代;&R2為具有類固醇骨架的基團、碳數為3〜3〇的烷基、 〇 具有碳數為3〜30的烷基或碳數為3〜30的烷氧基來作為 取代基的苯基、或式（D4)所表示的基團，這些烷基及 烧氧基中的任意的_CH2-也可以被_〇、_CH=CH-或 取代；

在此，R13、R14及R15獨立為單鍵、_〇_、_c〇〇…〇c〇_、 Φ _C〇NH_、碳數為1〜4的亞烷基、碳數為1〜3的氧基亞烷 基、或碳數為1〜3的亞烷基氧基；環B及環c獨立為ls4_ 亞苯基或1，4-亞環己基；R16及R17獨立為氟或曱基，ml 及m2獨立為〇、ι或2;e、f及g獨立為〇〜3的整數，e、 f及g的合計大於等於1 ; R18為碳數為3〜3〇的烷基、碳 . 數為3〜30的炫氧基、或碳數為3〜30的院氧基炫基，這 些烧基、烧氧基及烧氧基烧基中’任意的氫也可以被氟取 代，而且任意的-CH2·也可以被二氟亞甲基或式（d-2)所 表不的基團取代； 21 200927734 R19 I Si- I R20

(D-2) 在此，R19、R2〇、R21及R22獨立為碳數為1〜10的烷

基或苯基，而且η為1〜100的整數）

(IX) (在此，R3獨立為氳或甲基；R4為氫、碳數為1〜30 的烷基、或碳數為2〜30的烯基；而且，R5獨立為單鍵、 -CO-或-ch2_)

(在此，R3獨立為氳或曱基；R4為氫、碳數為1〜30 的烷基、或碳數為2〜30的烯基；R5獨立為單鍵、-CO-或-CH2-;而且，R6及R7獨立為氳、碳數為1〜30的烷基、 或苯基） 22 200927734

(在此，R10為碳數為3〜3〇的烷基或碳數為3〜3〇 的氟化烷基；R11為氫、碳數為丨〜兕的烷基或碳數為1〜 30的氟化烷基；R12獨立為或碳數為i〜6的亞烷基； 而且，d獨立為0或1) ^ [14]根據[12]項所述的液晶配向劑’其中非側鍵型二胺 ^ 是選自式（)、式（IV_2)、式（IV-15 )、式（jy_i6)、 式（V-1)〜式（V-12)、式（V-33)及式（VH-2)所表 示的化合物中的二胺，侧鏈型二胺是選自式（观_2)、式 (VDI-4)、式（VDI-5)、式（Vffl-6)、式（XI-2)及式（XI_4) ' 所表示的化合物中的二胺。 23 200927734 c

24 200927734 ,

H2N (VIII-2) h2n

R24 h2n (VIII-4)

(XI-4) (在此’尺23、尺24、尺29及！^〇獨立為碳數為3〜3〇的烷基、 或碳數為3〜30的烷氧基） [15]根據[12]至[14]中任一項所述的液晶配向劑，其中 四羧酸二酐是選自式（1)、式（2)、式（5)〜式（9)、式 (14)、式（19)、式（23)、式（25)、式（35)〜式（37)、 式（39)、式（44)及式（49)所表示的化合物中的至少一 種四叛酸二酐。 25 200927734

⑼

❹

26 200927734 、 [16]根據[12]至[14]中任一項所述的液晶配向劑，其中 四竣酸二酐是選自式（1)、式（6)〜式（9)、式（19)、 式（23)及式（25)所表示的化合物中的至少一種四羧酸 二酐。

[17]根據[12]至[14]中任一項所述的液晶配向劑，其中 四羧酸二酐是選自式（1)、式（19)及式（23)所表示的 化合物中的至少一種四竣酸二酐。 27 200927734

Ο ρ .. 辨 ： ⑴ (19) (23> [18] 根據[1]至[6]中任一項所述的液晶配向劑’其更3 有具有至少兩個環氧乙烷基的化合物。 [19] 根據[8]至[1〇]中任一項所述的液晶配向劑’其更 含有具有至少兩個環氧乙烷基的化合物。 ❹ [20]根據[11]至[17]中任一項所述的液晶配向劑，其更 含有具有至少兩個環氧乙烷基的化合物。 Ρ1]根據[18]至[20]中任一項所述的液晶配向劑’其中 具有至少兩個環氧乙烷基的化合物是選自式（E1)〜式 (E5)所表示的化合物中的至少一種化合物。

o-ch2 0 Λ 〇-CH2-CH-CH2 (E1) ο

HZ

(E2) 28 200927734

(在此，η為0〜10的整數） [22] 根據[18]至[21]中任一項所述的液晶配向劑，其中 具有至少兩個環氧乙烧基的化合物的比例，相對於選自由 © 聚醯胺酸及其衍生物所組成的族群中的至少一種聚合物總 量的重量比為0.001〜0.40。 [23] —種液晶配向膜，其是由根據[η至[22]中任一項 所述的液晶配向劑所獲得的。 • P4]一種液晶顯示元件’其包含一對基板、夾持於這 一對基板間的液晶層、及向此液晶層施加電壓的電極，在 所述基板的與液晶層接觸的面上形成著根據[23]項所述的 液晶配向膜。 29 200927734 一—本發明的液晶配向劑是含有選自由使式（a)所表示的 一胺和其他二賴混合倾四紐讀反麟獲得的聚酿 胺酸及其衍生物所組成的族群巾的至少一種聚合物的組成 物。

式（a)中，L1為氫、碳數為i〜4的烷基、苯基或苄 ，，優選氫或碳數為1〜4的烷基。而且，特別優選Li為 氮及曱基。在本發明中，也可使用這種化合物（a)的兩種 或兩種以上。 聚醯胺酸的衍生物(derivative)的例子，可舉出：可溶 性聚醯亞胺、聚醯胺酸醋、及聚醯胺醯胺。更具體來說， I舉出.使聚醯胺酸的醯胺鍵與羧基完全脫水閉環而成的 聚醯亞胺、進行部分脫水閉環而成的部分聚酿亞胺、將聚 〇 醯胺酸的羧基轉換為酯的聚醯胺酸酯、將四羧酸二酐的一 替換為二羧酸（或者其齒化物或酸酐）而使其反應所 獲件的t酿胺酸-聚醯胺共聚物、及使此聚醢胺酸-聚酿胺 共聚物進行部分脫水閉環或完全脫水閉環所獲得的聚酿胺 •=亞胺。^卜’當混合使用讀酸二酐和二紐作為酸成 刀時，有可能獲得不僅包含聚醯胺酸_聚醯胺共聚物、而且 包含聚醯胺及/或聚醯胺酸的混合物，但在本發明中，以這 種可能性為前提而稱為聚醯胺酸-聚醯胺共聚物。本發明的 液晶配向劑，含有選自所述聚醯胺酸及其衍生物的至少一 30 200927734 種聚合物。在本發明中，聚醯胺酸及其衍生物中，特別優 : 選聚醯胺酸及聚醯亞胺。因為聚醯亞胺是使聚醯胺酸進行 . 脫水閉環所獲得的聚合物，所以根據聚醯胺酸的合成過程 的加熱條件，有可能獲得聚醯胺酸與一部分被醯亞胺化的 聚醯胺酸的混合物。 並且，二胺可根據其結構的不同而分為兩種。即，具 有侧鏈基團的二胺和不具有側鏈基團的二胺，此侧鏈基團 ❻ 是以連接兩個氨基的骨架為主鏈時，自主鏈分支出來的基 團。通過使具有侧鏈基團的二胺與四羧酸二酐反應，可獲 得相對於聚合物的主鍵具有多個侧鍵基團的聚醯胺酸或聚 醯亞胺。使用這種相對於聚合物主鏈具有側鏈基團的聚醯 fee酸或聚酿亞胺時’由含有此聚合物的液晶配向劑所形成 的液晶配向膜，可以擴大液晶顯示元件的預傾角（pretilt angle)。即，此侧鏈基團是具有擴大預傾角的效果的基團。 具有這種效果的侧鏈基團必須為碳數大於等於3的基團， 其具體例可舉出：碳數大於等於3的烧基、碳數大於等於 的烷氧基、碳數大於等於3的烷氧基烷基 '及類固具有 醇骨架(steroid skeletal)的基團。具有一個或一個以上的環 且其末端的環上具有碳數大於等於3的烷基、碳數大於等 於3的烷氧基及碳數大於等於3的烷氧基烷基的任 意的一 種來作為取代基的基團，也具有作為侧鏈基團的效果。本 ^巾_鏈基團是選自這絲團。在本發财，將具有 $種侧鏈基團的—胺稱為側鏈型二胺。將不具有碳數大於 於3的侧鏈基團的二胺稱為非侧鏈型二胺。另外，侧鍵 31 200927734 型二胺及非侧鏈型二胺均定義為不含化合物（a)的二胺。 ： 而且，通過適當地靈活使用侧鏈型二胺和非側鍵型二 . 胺’可對應於所述各種顯示元件各自所需的預傾角。即， 因為以TN方式或VA方式所代表的縱向電場方式中需要 比較大的預傾角，所以主要使用側鏈型二胺。此時，為了 進一步控制預傾角，可並用非側鏈型二胺。非側鏈型二胺 與側鏈型二胺的調配比率，可根據目標預傾角的大小來決 φ 定。當然’也可以通過適當地選擇側鏈基團，而僅使用侧 鏈型二胺來控制預傾角。因橫向電場方式中預傾角較小且 需要較高的液晶配向性，所以使用非側鏈型二胺的至少一 種即了。這樣，本發明的液晶配向劑可適用於任意種類的 液晶顯示元件。 侧鏈基團的具體例如下所述。 首先，可舉出：烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷基羰 基、燒基幾氧基、烧氧基幾基、院基氨基Μ基、稀基、烯 縫、烯基、烯基絲基、稀氧基祕、縣氣基幾 基、，基、炔氧基、炔基羰基、炔基羰氧基、炔氧基羰基、 快基氨基幾基等。而且，這些基團中的烧基、稀基及炔基 均，碳數大於等於3的基團。其中，在院氧基烧基中，全 體炭數大於等於3即可。另外，這些基團既可以是直鏈狀， 也可以是支鏈狀。 ，著，以末端的環具有碳數大於等於3的烷基、碳數 ^於等於3的絲基或碳數大於料3麟氧基烧基來作 為取代基為條件，可舉出：苯基、笨基烧基、苯基烧氧基、 32 200927734 笨氧基、苯基羰基、苯基羰氧基、苯氧基羰基、苯基氨基 %基、本基環己氧基、碳數大於等於3的環烧基、環己基 院基、％己氧基、環己氧基幾基、環己基苯基、環己基苯 基烷基、環己基苯氧基、雙(環己基)氧基、雙(環己基)烷基、 雙(環己基)苯基、雙(環己基)苯基烷基、雙(環己基)氧基幾 基雙(¼己基)本乳基幾基及環己基雙(苯基)氧基幾基等環 結構的基圈。 〇 另外，可舉出如下集合環基，此集合環基是具有兩個 或兩個以上的苯環的基團、具有兩個或兩個以上的環己烧 環的基團、或由苯環及環己烷環構成的兩環或兩環以上的 基團’其配位基（^^(^獨立為單鍵、-^)…^^。…％〜、 -CONH-或碳數為i〜3的亞烷基，且末端的環具有碳數大 於等於3的烷基、碳數大於等於3的氟代烷基、碳數大於 等於3的烷氧基、或碳數大於等於3的烷氧基烷基來作為 取代基。當然，具有類固醇骨架的基團作為侧鏈基團也有 效。 & 本發明中，是組合使用所述化合物（a)與其他二胺， 其，二胺是非側鏈型二胺的至少一種、或者侧鍵型二胺的 至夕種、或者非側鏈型二胺的至少一種與側鏈型二胺的 至^ 一種的混合物。而且，本發明中所使用的非側鏈型二 胺是式（1)〜式（W)所表示的二胺。 33 200927734 h2n-x1-nh2 (I)

H2N N/ HH

這些化學式中的符號含義如下所述。 以下表示式（I)所表示的二胺的優選例。 H2N(CH2)2NH2 H2N(CH2)4NH2 H2N(CH2)eNH2 H2N(CH2)12NH2 (1-1) (I-2) (I-3) (Μ)

以下表示式（Π )所表示的二胺的優選例。 η2νΗ〇-νη2 η,ν^νη, (11-1) (ΙΙ-2) 以下表示式（III)所表示的二胺的優選例。

34 200927734 以下表示式（IV)所表示的二胺的優選例 Ο Η2Ν H2N—j^jpNH2 Me h2n-^J^i (IV-1) (IV-2) (IV-3) Me Me OH HO ΝΗ〇 H2N—^ nh2

Me

(IV-6)

Me Me (IV-5)

COOH h2n~^ y—NH2 h2n' v、nh2 ^=/ h2n' v、nh2 (IV-7) (IV-8)

S03H

H2N v nh2 (IV-10)

HOOQ H2N—^ > -nh2 (IV-9) ho3s、 h2n-\/ y—m2 PO3H2

h2n ^ nh2 (IV-12) (iv-11)

35 200927734 以下表示式（v)所表示的二胺的優選例。

(V-13) (V-14) (V-15) (V-16) (V-17)

NH, H2N-^r〇^^0^>_NH2 (V-18) (V-19) 36 200927734 hzn^OkS'n<Oknh2 (V-20) (V-21)

HzN—s_s—nh2 h2n (V-22) (V-23) (V-24) (V-25)

H2N_Q^v^s^>NH2 H2N^^^^Sx^NH2 (V-26) (V-27)

CH，

H2N^〇^s〇2HC^ NH2 (V-32) HO\ /0H OH I OH Γ h^n-〇- -〇^nh^ ^~\JT ^KNIH2 (V-33) (V-34) 37 200927734 以下表示式（νι)所表示的二胺的優選例。

(VI-1)

(VI-2)

(VI-5) (VI-6) 38 200927734 以下表示式（YU)所表示的二胺的優選例。

(VII-8) h2n

厂nh2 H2N-^

H2N^〇^0'xG^cH2"^Gr〇NGKN (VII-10) H2N^O^°^O^CH2iiC^0^O~NH2 h2n^°O|ch2^0^ (VII-11)

(VIM 6) 39 200927734 這些二胺中，更優選的例子是化合物（RM) 物（IV·5)、化合物（IV·15)、化合物（RM6)、化合物（νΓ) 〜化合物（ΛΜ2)、化合物（V、26)、化合物（ν 合物（V·31)、化合物（V·33)、化合物（VM)、化人物 (VI-2)、化合物（VI-6)、及化合物（职）〜化合物（观口 特別優選的例子是化合物（IV、！）、化合物（Ιγ 物（RM5)、化合物合物（λΜ) ^ ❹ ❹ (^12)、化合物（乂-33)、及化合物（通_2)。 口物 本發明中所使用的侧鏈型二胺，具體來說可舉出.下 述式（Μ)〜式（XII)所表示的二胺。 35 ·「 η2ν NH； r R1 (VIII) 式（VOO中，R1為單鍵、a、C0…C00_、 ΪΓΓφ Γ2〇·、_CF20·、麯數為1〜6的魏基，此 取^ 土R2兔任意的-CH2也可以被-0_、_CH=CH或 有麵醇骨架的基«、碳數為3〜3G的烧基、 二 ::〜3G眺基或碳數為3〜3G雜氧基來作為 、土的本基、或式（D_i)所表示的基團 。而且，這^ 烧基及院氧基巾触㈣_eHr也可以被_Q CH=CH-或 -C^C-取代。 200927734

R14—^ y~R15

在此’R、R及R15獨立為單鍵、_〇_、_C〇〇_、_〇c〇_、 -CONH-、碳數為1〜4的亞烷基、碳數為丨〜3的氧基亞烷 基、或碳數為1〜3的亞烧基氧基；環b及環c獨立為ι，4_ 亞苯基或1，4-亞環己基；R16及r〗7獨立為氟或甲基， 0 及m2獨立為〇、1或2;e、f及g獨立為〇〜3的整數，e、 f及g的合計大於等於1 ; R18為碳數為3〜3〇的烷基、碳 數為3〜30的烷氧基、或碳數為3〜3〇的烷氧基烷基，這 些烧基、烧氧基及烧氧基烧基中，任意的氫也 代，而且任意的-CH2-也可以被二氟亞甲基或式（D-2)所 表示的基團取代。

獨立為碳數為丨〜10的烷 〇 在此，R19、R2G、R21 及 R22獨立. 基或苯基’而且η為1〜1〇〇的整數。 p3 R4

在此， R3獨立為氫或曱基；R4為氫 而吞，马虱、碳數為1〜30的 2〜30的烯基；而且’r5獨立為單鍵、_C0_ 200927734

或_CH2_ °優選兩個氨基苯基-r5_〇-基的其中 個鍵結於類 固醇骨架的3位上，另一個鍵結於類固醇骨架 並且’優選兩個氨基鍵結於苯環上的位置相、〇5 6位上 = 或對位。另外’鍵結于形成類固醇 反上的任意的虱也可以被甲基取代。 、

在此，R3獨立為氳或甲基；R4為氫、碳數為的 烷基、或碳數為2〜30的烯基；R5獨立為單鍵、_c〇_或 -CH2_ ;而且，R6及R7獨立為氫、碳數為1〜30的烷基1 或苯基。優選兩個R7取代氨基苯基_R5_〇_基鍵結於苯^上 的位置為相對於鍵結有類固醇骨架的碳分別為間位或對 位。並且，優選兩個氨基鍵結於苯環上的位置為相對於R5 分別為間位或對位。

(XI) 在此，R8為碳數為3〜30的统基，此炫基的任意的 _CH2-也可以被_〇-、_Ch=CH-或-OC-取代；R9獨立為_〇_ 或碳數為1〜6的亞烷基；環A為1,4·亞苯基或1，4-亞環己 42 c 200927734 基；a為0或l;b為0、1或2;而且，c獨立為0或1。 優選兩個氨基鍵結於苯環上的位置相對於R9分別為間位 或對位。

在此，R10為碳數為3〜30的烷基或碳數為3〜30的氟 化烷基；R11為氫、碳數為1〜30的烷基或碳數為1〜30 的氟化烷基；R12獨立為-0-或碳數為1〜6的亞烷基；而 且，d獨立為0或卜優選兩個氨基鍵結於苯環上的位置相 對於R12分別為間位或對位。 式（M)所表示的二胺的例子，可舉出：式（VDI-1) 〜式（VI1I-43)所表示的二胺。

43 200927734 ❹

(vm-1) (VIII-2) (Vlll«3)

(VIII-6)

(VIII-11) ❹ 式（M-Ι)〜式（Μ-ll)中，R23及R24均優選碳數為 〜30的烷基或碳數為3〜30的烷氧基，更優選碳數為5 -25的烷基或碳數為5〜25的烷氧基。 44 200927734 R25

R26

h2it v 'nh2 (VIII-15)

R25 0=C b

h2n ^ nh2 h2n ^ nh2 (VIII-13) (VIII-14) R26 nh2 (VIII-17) nh2 © (VIII-16) 式（ΥΙΠ-12)〜式（VIII-15)中，R25優選碳數為4〜30 的烷基，更優選碳數為6〜25的烷基。式（M-16)及（VDI-17) 中，R26優選碳數為6〜30的烷基，更優選碳數為8〜25 的院基。 ❹ 45 200927734

H2N (VIII-24)

(VIII-25)

(Vlll-26) h2n H2N 〇

、〇1 / (VIII-27)

(Vm-28) 46 200927734

(Wl*33) (VJII-34)

(Vlll*35) (VHI-36)

ch3 ch3 Si—〇—Si_R” ch3 ch3 (VIII-37) 式（M-18)〜（M-37)中，R27及R28均優選碳數為 3〜30的烷基、或碳數為3〜30的烷氧基，更優選碳數為5 〜25的烷基或碳數為5〜25的烷氧基。 47 200927734

這些二胺中，優選式（M-Ι)〜式（Μ-ll)所表示的 二胺，更優選式（VI-2 )、式（Μ-4 )、式（VDI-5 )及式（Μ-6 ) 的任意的一個所表示的二胺。 式（IX)所表示的二胺的例子，可舉出：式（ΙΧ-1) 〜式（ΙΧ-4)所表示的二胺。 48 200927734

式（X)所表示的二胺的例子，可舉出：式（x-l)〜 式（X-8)所表示的二胺。 49 200927734

H2N

50 200927734 c

51 200927734 式（XI)所表示的二胺的例子，可舉出：式（XI-l) 〜式（XI-8)所表示的二胺。

52 200927734

式（XI-l )〜式（XI-3)中，R29優選碳數為3〜30的 烷基，式（XI-4)〜式（XI-8)中，R30優選碳數為3〜20 的烷基。而且，化合物（XI-1)〜化合物（XI-8)中，優 選化合物（XI-2)及化合物（XI-4)。 可舉出：式（XII_1) 式（XII)所表示的二胺的例子， 〜式（XII-3 )所表示的二胺。 53 200927734

(ΧΙΙ·3) 這些化學式中，R31優選碳數為6〜20的烷基，R32優 選乱、或碳數為1〜10的烧基。 Ο 所述側鏈型二胺中，優選化合物（VDI-2)、化合物 (VDI-4 )、化合物（观-5 )、化合物（M-6 )、化合物（χΐ-2 ) 及化合物（XI-4)。另外，本發明中，也可並用化合物（a) 及化合物（I)〜化合物（XII)以外的二胺。這種二胺的 例子，可舉出：具有萘結構的萘類二胺、具有芴結構的苟 類二胺、及具有矽氧烷鍵的矽氧烷類二胺，這些二胺也可 以具有側鏈基團。 矽氧烷類二胺的優選例是下述式（XV)所表示的化合 〇 物。 ,R33 \ R33 Η2Ν—Χ4-^-〇Η—χ4—ΝΗ2 R R34 式（XV )4中’R及R34分別獨立為碳數為卜3的烧 '基或苯基’ X獨立為♦數為1〜6的亞烧基或亞苯基，m •為1〜10的整^ #外’此亞笨基的任意的氫也可以被碳 數為1〜4的烧基取代。 54 200927734 、 化合物（a)及化合物（i)〜化合物（χΙΙ；)以外的一 胺的優選例，除所述矽氧烷類二胺以外，可舉出：下述一 (r)〜式（s’）所表示的化合物。 气

烷基 這些化學式中，R35及R36分別獨立為碳數為3〜3〇 的 本發明中，除二胺以外，也可以使用單胺。通過使用 單胺’可引起聚合反應的終止（terminati〇n)，能夠 應繼續進行，因此容易控制所獲得的聚合物（聚醯酸f 的分子量。單胺相對於二_比轉定在無損本發明 果的範圍内即可，但目標優選為總胺量的1〇m〇i%或⑺ mol%以下。 55 c 200927734 製造本發_聚合物時，化合物（a)是與其他二胺混 : 合使用。此時，就提高液晶顯示元件中的電壓保持率、降 低離子密度及殘留DC的觀點而言，優選二胺總量中的化 合物⑷的含有率大於等於1 _%。如果化合物⑷的 含有率大於等於1 mol%，那麼可以防止：提高這些電特性 的效果下降、或對於殘影的效果消失。 就在橫向電場方式的液晶顯示元件中提高未施加電壓 時的黑顯讀性的齡而言，優選齡使肖化合物（a)與 非侧鏈型二胺的至少一種。通過進一步使用這些二胺，可 賦予液晶顯示元件具有低預傾角，所以對橫向電場方式非 常有效。雖然二胺總量中的非側鏈型二胺的含有率越高， 液晶配向性越高，但考慮到降低殘留DC的方面而言，此 含有率優選1 mol%〜50 mol%的範圍。 在縱向電場方式即TN方式、光學補償彎曲（〇pticaily

Compensated Bend ’ OCB)方式及VA方式中，必須表現 出比較大的預傾角。在此情況下，必須混合使用侧鏈型二 © 胺的至少一種與化合物（a)。通過控制這些二胺的種類或 比例’可以表現出預定的預傾角，但考慮到降低殘留DC 的方面而言，侧鏈型二胺的含有率優選1 mol%〜50 mol% 的範圍。通過將並用侧鏈型二胺所獲得的聚合物應用於液 晶顯示元件，可以製成電壓保持率得到進一步提高的縱向 ： 電場方式的液晶顯示元件。 • 並且’當更含有除所述化合物（a)及化合物（I)〜 化合物（□)以外的二胺時，就在應用所獲得的聚合物的 56 200927734 液晶顯示元件中提高電壓保持率、降低離子密度或殘留 DC、充分表現對比度的提高效果等觀點而言，此二胺的含 有率優選為二胺總量的30 mol%或30 mol%以下。 接著，對本發明中所使用的 四羧酸二酐可相秘^ 坎暇一酐進仃說明。 =所=的_料可溶此四羧酸二 Ο 二=四_二軒，可舉出射所使用的溶 以外的四_二_ + 四魏二 的優選例。先，於以下表示关意#方香鵪 方香族四幾酸二酐

57 200927734

58 (17) 200927734 以下表示芳香族以外的四羧酸二酐的優選例。

59 200927734

60 c

200927734 Ο 所述四羧酸二酐中，更優選化合物（1 化合物⑼、化合物（19)、化合物（23) ^物（6)、

特别優選化合物⑴、化合物⑽及化，（％， 本發明中，也可以將四竣酸二肝的;八^)。 :而加以使用。通過將四鲮酸二酐的一部3換為绛酸 〜’可終止聚合反應’能夠抑制反應繼續 換為竣酸 控制所獲得的親胺_分子量。舰此容易 :的比率設定在無損本發明的效果的範圍内印可=酸二 優選為總四紐二野量的―戈1GmQl%以下旦目標 如上所述，本發明的配向劑是含有如下三種聚合物中 的至少一種的組成物：選自由使化合物（a)和非侧鏈型二 胺的混合物與四羧酸二酐反應所獲得的聚醯胺酸及其衍生 200927734 物族群中的至少—種聚合物；選自由使化 :混合物與四_二針反應所獲得的聚酿胺 Ϊΐίΐ Γ斤組成的族群中的至少-種聚合物；以及， 選自由使化5物（a)、非侧鏈型二胺和 物與四魏二酐反應所獲得的聚酿胺酸及其織物所= 的族群中的至少-騎合物。除了實施例以外的以下說明 中’使用“聚醯胺酸’’來作為統稱聚酿胺酸及其衍生物 祖η

即’本發明的配向劑既可以僅含有這三種聚合物中的 一種，也可以含有兩種。含有兩種聚合物的配向劑，優選 含有使用化合物（a)與非側鏈型二胺的混合物所獲得的聚 醯胺酸及使用化合物（a)與側鏈型二胺的混合物所獲得的 聚醯胺酸的配向劑。 本發明的液晶配向劑，可更含有不使用化合物（a)所 獲得的聚醯胺酸的至少一種。此時所使用的化合物（a)以 外的二胺及四羧酸二酐各自的選擇範圍，優選與使用化合 物（a)的所述情形相同的範圍。 添加不使用化合物（a)所獲得的聚醯胺酸的至少一種 而製成聚合物摻合物（blend)的組成物時，就同時表現本 發明效果及調整配向性的觀點而言，其含量優選液晶配向 劑中的聚合物總量中的1 wt%〜50 wt%。此比例的更優選 範圍為2 wt%〜30 wt%。 使所述四羧酸二酐與二胺反應時，優選將四羧酸二酐 的使用量設定為與二胺的總摩爾數大致相等的摩爾（摩爾 62 200927734 比為0.9〜1.1左右）。而且，聚酿胺酸的分子量是例如採 用 /旋膠滲透色譜法（gel permeati〇n chroinatogmphy X GPC ) 進行聚本乙婦換算的重量平均分子量（Mw)，優選1〇,〇〇〇 〜500,000，更優選 20,000〜200 000。 本發明中的聚醒胺酸是通過如下方式來鐾定的：使用 大量不良溶劑使其沉澱，通過過濾等使固體成分與溶劑完 全分離’利用紅外線輻射（Infrared Racjiati〇n，IR)、核磁 共振（Nuclear Magnetic Resonance，NMR)來進行分析。 另外，利用KOH或NaOH等強驗水溶液將固體成分的聚 醯胺酸分解後，以有機溶劑進行萃取，利用氣相色譜法 (Gas Chromatography，GC)、高效液相色譜法（High Pressure Liquid Chromatography，HPLC)或氣相色譜質譜 法（Gas chromatography-Mass spectrometry，GC-MS )進行 分析，由此可鑒定所使用的原料化合物。 例如就提高液晶配向膜的耐久性的觀點而言，本發明 的液晶配向劑也可以更含有環氧化合物來作為所述聚醯胺 © 酸以外的其他成分。此環氧化合物’優選具有兩個或兩個 以上的環氧乙烷基的化合物。下述化合物（E1)〜化合物 (E5)是這種環氧化合物的優選例。

63 200927734

(E2)

(在此，η為0〜10的整數） 在使用環氧化合物時，以相對於聚醯胺酸的總量的重 量比計，其優選添加量為0.001〜0.40。此時，對於由此液 晶配向劑所形成的液晶配向膜，可以期待優化防止摩擦 (rubbing )處理所引起的膜的磨損等耐久性的效果。而 且，以所述重量比計，更優選之添加比例為0.002〜0.30。 64 200927734 化合物（El)〜化合物（E5)以外的環氧化合物的例 - 子，可舉出：雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、 月曰環式環氧樹脂、具有環氧乙院（oxirane)的單體的聚合 物、及具有環氧乙烷的單體與其他單體的共聚物。具體例 可舉出·日本環氧樹脂（japan Epoxy Resins )股份有限公 司的 Epikote 8〇7”、“Epikote 815，，、“Epikote 825”、及 “Epikote 827”。 化合物（E1)可購買日本汽巴嘉基（Ciba-Geigy)股 份有限公司的“AralditeCY184’，。化合物（E2)可購買大赛 路（Daicel)化學工業股份有限公司的“Celloxide 2021P” 或“EHPE-3150”。化合物（E3)可購買三井化學股份有限 公司的“TecmoaVG3101L”。化合物（E4)可購買日本環氧 樹脂股份有限公司的“Epikote 828”、“Epikote 190P”、 “Epikote 191P”、“Epikote 1004”、“Epikote 1256”、或曰本 汽巴-嘉基股份有限公司的“Araldite CY177”。而且，化合 物（E5) (4,4’-亞曱基雙(Ν,Ν-二縮水甘油基苯胺））可自西 © 格瑪奥德里奇（Sigma-Aldrich )公司購買。 就液晶配向膜的透明性和平坦性良好的觀點而言，這 些環氧化合物中更優選式（E4)中n=〇〜4的化合物的混 合物，即 “Epikote 828”、“Araldite CY184”、“Celloxide 2021P”、“Tecmoa VG3101L”、及化合物（E5)。 ； 並且，例如本發明的液晶配向劑，就對基板的密著性 良好的觀點而言，也可以更含有石夕烧偶聯劑（silane coupling agent)、鈦類偶聯劑、及氨基石夕（amino silicon) 65 200927734 化合物等偶聯劑。這種偶聯劑既可以單獨使用，也可以混 .. 合使用兩種或兩種以上的化合物。使用偶聯劑時，其在= 晶配向劑中的濃度優選0.01 wt〇/〇〜6 wt%。 所述氣基石夕乳院化合物的例子可舉出：對氨基苯基二 曱氧基石夕烧、對氨基苯基三乙氧基石夕燒、間氨基苯基三曱 氧基石夕烧、間氣基苯基三乙氧基石夕燒、氨基丙基三甲氧基 珍院、及氨基丙基三乙氧基石夕燒。 ❹ 所述環氧化合物例如可舉出：縮水甘油醚、縮水甘油 酯、縮水甘油胺、含環氧基的丙烤酸類樹脂、縮水甘油醯 胺、異氰尿酸縮水甘油酯、鏈狀脂肪族型環氧化合物、及 環狀脂肪族型環氧化合物。另外，環氧化合物表示具有環 氧基的化合物，環氧樹脂表示具有環氧基的樹脂。 縮水甘油醚的例子可舉出：雙酚A型環氧化合物、雙 紛F型環氧化合物、雙紛§型環氧化合物、雙紛型環氧化 合物、虱化雙齡-A型環氧化合物、氫化雙盼型環氧化合 物、氫化雙酚-S型環氧化合物、氫化雙酚型環氧化合物、 ® 溴化雙酚-A型環氧化合物、溴化雙酚-F型環氧化合物、苯 盼紛酸清漆型環氧化合物、鄰曱齡盼酸清漆型環氧化合 物、溴化苯酚酚醛清漆型環氧化合物、溴化鄰甲酚酚醛清 漆型環氧化合物、雙酚A酚醛清漆型環氧化合物、含萘骨 . 架的環氧化合物、芳香族聚縮水甘油醚化合物、二環戊二 烯苯酚型環氧化合物、脂環式二縮水甘油醚化合物、脂肪 族聚縮水甘油醚化合物、聚硫醚型二縮水甘油醚化合物、 及聯苯酚型環氧化合物。 66 200927734 縮，甘/由自B的例子為：二縮水甘油酯化合物及縮水甘 : ㈣魏化合物。縮水甘油胺關子為：雜水甘油胺化 . 合物。含環氧基的丙烯酸類化合物的例子為：具有環氧乙 烧基的丙稀酸類單體的均聚物及共聚物。縮水甘油酿胺的 例子為：縮水甘油醯胺型環氧化合物。 鏈狀脂肪族型環氧化合物的例子為：將烯烴化合物的 碳-碳雙鍵氧化所獲得的具有環氧基的化合物。環狀脂肪族 〇 型環氧化合物的例子為：將環烯烴化合物的碳-碳雙鍵氧化 所獲得的具有環氧基的化合物。 ^本發明的液晶配向劑，也可以在無損本發明的特性的 範圍内，更含有聚酯、丙烯酸聚合物、丙烯酸酯聚合物、 聚酿胺等聚合物成分。這些聚合物成分的優選添加比例， 以相對於聚醯胺酸的重量比計為小於等於020。 Λ本發明的液晶配向劑，就提高液晶配向劑的塗布性的 觀點而言，也可以更含有對應其目的的界面活性劑，就提 高液晶配向劑的抗靜電性的觀點而言，也可以更含有抗靜 w 電劑。 本發明的液晶配向劑，就調整液晶配向劑的塗布性或 所述聚醯胺酸的濃度的觀點而言，含有溶劑來作為必需成 77。此溶劑如果具有溶解聚合物成分的能力，那麼可以無 限制地使用。例如，可以從聚酿胺酸、可溶性聚醯亞胺等 聚合物成分的製造步驟或用途方面上普遍使用的溶劑中， 根據使用目的來適當選擇。而且，這些溶劑可以單獨使用， 或者製成兩種或兩種以上的溶劑的混合物來使用。 67 200927734 布性：親聚醯胺酸的溶劑、或以改善塗 «二4#、其他'谷劑。作為親聚醯胺__彳的非質子 機溶劑的例子為：Ν·甲基杨_ SC ::酮、Ν-甲基己内醯胺、”基丙 = 醯胺、二f基亞硬、Ν,Ν-二甲基甲醯胺、取_二乙1 = 胺、一乙基乙酿胺、及γ· 丁内醋等内醋。 土 〇

以改善塗布性等為目的的其他溶劑的 酸烧基醋’ 3_甲基罐基丁醇，萘滿⑽以^ 酮（卿hG_)’乙二醇單頂等乙二醇觀細，二乙 j早乙_等二乙二醇單絲鍵’乙二醇單燒基或苯基乙 Ξ曰而二”醇觀基醚、丙二醇單丁轉丙二醇單烧基 謎’丙二酸二乙醋等丙二酸二烧基醋，二丙二醇單㈣等 一丙一醇單烷基醚，所述溶劑的乙酸酯類等酯化合物。 這些其他溶劑中，可特別優選使用N-甲基_2_吡咯烷 酮、二甲基咪唑啉酮、γ-丁内酯、乙二醇單丁醚、二乙二 醇單乙醚、丙二醇單丁醚及二丙二醇單甲醚。 一 一 本發明中，液晶配向劑中的含有所述聚醯胺酸的聚合 物成分的優度為G.l wt%〜4〇 wt%。將此液晶配向劑 塗布于基板時，為了調整膜厚，有時必須 劑來稀釋所含有的聚合物成分的操作。就以下觀點而言' 優選所述聚合物成分的濃度小於等於4〇 wt〇/〇，即，在為了 調整獏厚而必須稀釋液晶配向劑時，將液晶配向劑的粘度 調整為容易在液晶配向劑中混合溶劑的枯度。 液晶配向劑中的所述聚合物成分的濃度，有時也利用 68 200927734 液晶配向劑的塗布方法來調整。當液晶配向劑的塗布方法 : 為旋轉塗布法或印刷法時，為了良好地保持膜厚，通常將 所述聚合物成分的濃度設定為 10 wt%或10 wt%以下。其 他塗布方法’例如浸潰（dipping)法或喷墨（ink jet)法 中’有時也可以設為更低的濃度。另一方面，如果所述聚 合物成分的濃度大於等於wt%，那麼所獲得的液晶配 向膜的膜厚容易達到最佳。因此，所述聚合物成分的濃度， Q 在通常的旋轉塗布法或印刷法等中為大於等於0.1 wt0/〇， 優選0.5 wt%〜1〇 wt%。然而，根據液晶配向劑的塗布方 法’也可以利用更稀薄的濃度來使用。 另外’當用於製作液晶配向膜時，本發明的液晶配向 劑的枯度可根據形成此液晶配向劑的膜的手段或方法來決 定。例如’當使用印刷機來形成液晶配向劑的膜時，就獲 得充分的膜厚的觀點而言，液晶配向劑的粘度優選大於等 於5 mPa· s ’並且，就抑制印刷不均的觀點而言，優選小 於等於100 mPa · s，更優選10 mPa · s〜80 mPa · s。當利 v 用旋轉塗布法來塗布液晶配向劑而形成液晶配向劑的膜時， 就相同的觀點而言，優選5 mPa · s〜200 mPa · s，更優選 10mPa· s〜lOOmPa· s。液晶配向劑的粘度可通過利用溶 劑所進行的稀釋或伴隨攪拌的固化來減少。 本發明的液晶配向膜，可由所述本發明的液晶配向劑 : 獲得。本發明的液晶配向膜，可利用自液晶配向劑製作液 晶配向膜的通常方法來獲得。例如’可通過形成本發明的 液晶配向劑的塗膜的步驟、及對其加熱鍛燒的步驟而獲 69 200927734 得關於本發明的液晶配向膜，視需要也可以對所述锻燒 步财獲得⑽進行摩擦處理。 、、所述魏’以與製作通常驗晶配向朗樣，也可以 通過在液晶顯不元件的基板上塗布本發明的液晶配向劑而 瓜成。所述基板’可舉出：也可以設有氧化姻錫（滅胍Tin

Oxide’ITO)電極等電極或彩色滤光片㈤沉出如）等的 玻璃制基板。 〇 H —將液晶配向劑塗布於基板上的方法，通常眾所周知的 疋方疋轉塗布法、印刷法、浸潰法、滴下法、喷墨法等。這 些方法同樣適用于本發明。 所述塗膜的鍛燒，可在所述聚醯胺酸呈現脫水-閉環反 f所需的條件下進行所述塗朗鍛燒方法，通常已知的 是在洪箱（oven)或紅外爐中進行加熱處理的方法、在加 熱板（hot plate)上進行加熱處理的方法等。這些方法同 ，適用于本發明。通常優選以〜議。c左右的溫度進 行1分鐘〜3小時。 ❹ 所料擦處理，可與用以進行通常驗晶配向膜的配 向，理的摩擦處理同樣地進行，本發明的液晶配向膜中可 獲得充分的延遲（retardation)的條件即可^特別優選的條 件為：毛壓入量為〇.2mm〜0.8_，平臺移動速 ' 度為 5 mm/sec〜250 mm/sec，輥（roller)旋轉速度為 500 : 卬111〜2,000卬瓜。液晶配向膜的配向處理方法，除摩擦法 • 以外，通常已知的是光配向法或轉印法等。于獲得本發明 的效果的範圍内，在所述摩擦處理中也可並用這些其他配 200927734 向處理方法。 可通過更包含所述步驟

本發明的液晶配向膜，可 其他步驟的方法而較好. 所述塗膜乾燥的步驟、 進行清洗的步驟等。 ，通常已知的是在 在加熱板上進行力〇 所述乾燥步驟與所述鍛燒步驟同樣， 丈共箱或紅外爐中進行加熱處理的方法、名 Q 熱處理的方法等。這些方法同樣也適用於所述乾燥步驟 乾燥步驟優選在溶劑能夠蒸發的範圍内的溫度下實施，。 優選在低於所述鍛燒步驟的溫度的溫度下實施。 更 配向處理前後使用清洗液來清洗液晶配向膜的方法可 ^出：刷洗（brushing)、喷霧（jet spray)、蒸汽清洗或超 聲波清洗等。這些方法既也以可單獨進行’也可以並用。° 作為清洗液’可使用純水’或曱醇、乙醇、異丙醇等各種 醇類，苯、曱苯、二甲苯等芳香族烴類，二氯曱烷等齒素 類溶劑’丙酮、曱基乙基酮等酮類，但並不限定於這些。 當然’這些清洗液是使用經過充分純化且雜質較少的清洗 液。這種清洗方法也可以應用于形成本發明的液晶配向膜 的所述清洗步驟中。 對於本發明的液晶配向膜的膜厚並無特別限定，優選 10 nm〜300 nm，更優選30 nm〜150 nm。本發明的液晶配 ： 向膜的膜厚，可使用輪廓測量儀（profilometer)或橢偏儀 (ellipsometer )等眾所周知的膜厚測定裝置來測定。 本發明的液晶顯示元件包含：一對基板、含有液晶分 71 200927734 子且形成於所述一對基板間的液晶層、向液晶層施加電壓 的電極、及使所述液晶分子沿規定方向配向的液晶配向 膜。所述液晶配向膜可使用所述本發明的液晶配向臈。 所述基板可使用本發明的液晶配向膜中所述的玻璃制 基板，所述電極可使用如本發明的液晶配向膜中所述形成 於玻璃制基板上的ITO電極。

所述液晶層由密封於所述一對基板間的間隙中的液晶 組成物所形成，這一對基板以其中一塊基板的形成有液晶 配向膜的面朝向另一塊基板的方式而對向。 對於所述液晶組成物並無特別限制，可使用介電常數 各向異性為正或負的各種液晶組成物。介電常數各向異性 為正的優選液晶組成物可舉出：日本專利第3086228號公 報、日本專利第2635435號公報、日本專利特表平5_5〇1535 號公報、曰本專利特開平8_157826號公報、日本專利特開 平8-231960號公報、曰本專利特開平9_241644號公報 (EP885272A1說明書）、曰本專利特開平9_3〇2346號公報 (EP806466A1說明書）、日本專利特開平8_199168號公報 (EP722998A1說明書）、日本專利特開平9_235552號公 報、曰本專利特開平9-255956號公報、曰本專利特開平 9_2偏3號公報（EP885271a1說明書）、日本專利特開平 10-204016號公報（ΕΡ844229Α1說明書）、日本專 平10-204436號公報、日本專利特開平10-231482號公報^ 曰本專利特開2000-087040號公報、 2〇〇1_48822號公報等中所記載的液晶組成物。 開 72 200927734 ·.本專St向選液晶組成物可舉出:曰 .號公報、日本專利:i=。、曰本專利特開平 2-4725 '平請953乾^特開平4-22娜號公報、日本專利特開 本專利特號公報、曰 10-168453號公報 ，Α報、日本專利特開平 本專利韓門報、本專利特開平10-236989號公報、日 ❹本專利特開; =號公報、曰本專利特開平_tf二開： 本專利特開平I〇_„7n94 % \ + 现Α報、曰 10-237035號公報太直姓么艮、曰本專利特開平 本專利特” 1G 23= ⑽期號公報、日 _桃私^日=^特開平 平10-287874號公報、日太真 /書）日本專利特開 日本專利特二1= ^平麗7875號公報、 ❷_戰麵、日=二=日本專利特開平 本專利特開2_-256307號公：：二:報特: 號公報、日本專利特開細福26號公報汗 :本專利特開細·_號公報等中所記載 ： 所述介電常數各向異性為正或負㈣日細杰私山 .可：：或一種以上的光學活 本發明的液晶顯示元件可通過如下方式而獲得：於一 73 200927734 θ膜ί^至V —塊上形成本發明的液晶配向膜，以液曰配 而對向，在形成於基板間的門由’物（spacer) 液晶層。製造#3、内⑨封液晶組成物而形成 表本發明的液晶顯示元件時，視需要欢0TW Φ 包含於基板上黏貼偏光膜等的步驟叫視需要也可以更 =發„顯示元件可形成各種電場方式用液晶顯 種電場方朗液晶顯示元件可列舉Μ目對於所 ❹

，所述電極沿水準方向對所述液晶層施加電 、、'場方式用液晶顯示元件；或相對於所述基板的表 面’、所述電極沿垂直方向對所述液晶層施加電壓的縱電場 方式用液晶顯示元件。 由於橫向電場方式職晶顯示元件也可以不表現出比 較大的預傾角’因此製造此元件的液晶配向膜時，可較好 地使用使化合物（a)和非侧鏈型二胺的混合物與四羧酸二 酐反應所獲得的聚醯胺酸。 由於縱向電場方式用液晶顯示元件需要表現出比較大 的預傾角’因此製造此元件的液晶配向膜時，可較好地使 用使化合物（a)和侧鏈型二胺的混合物或化合物（a)、侧 鍵塑二胺和非侧鏈型二胺的混合物與四叛酸二酐反應所獲 件的聚酿胺酸’或者使化合物（a)和侧鍵型二胺的混合物 與四羧酸二酐反應所獲得的聚醯胺酸，及使化合物（a)和 非侧鏈型二胺的混合物與四羧酸二酐反應所獲得的聚醯胺 酸的混合物。 如此，以本發明的液晶配向劑為原料而製作的液晶配 74 200927734 向膜’通過適當選擇作為其原料的聚合物，可應用於各種 驅動方式的液晶顯示元件。 [實施例] 以下，利用實施例來詳細說明通過使用本發明的聚合 物所獲付的液晶配向劑及液晶顯示元件，但本發明並不限 定於這些實施例。實施例中，測定分子量時使用GPc，以 聚苯乙烯為基準溶液，使用二曱基曱醯胺（Dimethyl Fonnamide，DMF)作為溶出液。另外，以下實施例中， 以L表示容積的單位升。因此，mL表示毫升。 以下表示實施例中所使用的液晶顯示元件的評價法。

(1) 殘留DC 在30 Hz、3 V的矩形波上疊加的直流電壓3〇分 鐘後，測定5分鐘後的閃爍(flieker)消去電壓，將此值的絕 對值設為殘留DC。殘留DC越小，殘影越少，所以認為良 好。 (2) 電壓保持率（VHR) 利用東陽技術股份有限公司製造的“6254型液晶物性 評價系統’’ ’在頻率：30 Hz、電壓：±5 v、測定溫度60°C 下進行測定。 (3) 離子密度（ID) 利用東陽技術股份有限公司製造的“6254型液晶物性 評價系統”’在頻率：〇·〇1 Hz、電壓：±i〇 v、測定溫度60。〇 下進行測定。 (4) 預傾角（Pt角） 75 200927734 ： 利用中央精機股份有限公司製造的液晶評價裝置 (OMS-CA3) ’於室溫下進行測定。 以下表不實施例及比較例中所使用的四羧酸二酐、二 胺及; 谷劑以下表述中有時使用此化合物的編號或簡稱。 <四羧酸二酐>

化〇物（19)· l，2,3,4-環丁烧四敌酸二酐 化合物（1):均苯四甲酸二酐 化合物（23): 1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐 <二胺> 化合物（a-1): 3,5-二氨基12,4-三唑 (式（a)中’ L1為氫的化合物） 化合物（\^1):4,4'-二氨基二苯基甲烷 化合物（V-7):4,4'_二氨基二笨基乙烷 化合物（ϋΐ): 5_[4_(4_正戊基環己基)環己基]苯基 甲基·1，3-二氨基苯 (式（Vin_5)中，R23為正戊基的化合物） 化合物（IV-16) : 2_(苯基甲基)-l，4-二氨基苯 化合物（XI-2_1): 1，1-雙[4-[(4-氨基苯基）甲基]苯基]-4- 正丁基環己烷 (式（ΧΙ-2)中，R29為正丁基的化合物） 化合物（ΧΙ-6-1 ) : 1,1-雙[4-(4-氨基苯氧基）苯 基]-4-[4-(正庚基)環己基乙基]環己烷 (式（ΧΙ-6)中，R30為正庚基的化合物） <環氧化合物> 76 200927734 化合物（E4) : Epikote 828 (日本環氧樹脂股份有限公 . 司） 化合物（E5): 4,4’-亞甲基雙(N，N-二縮水甘油基苯胺） ' <溶劑成分> NMP : N-甲基-2-吡咯烷酮 GBL = γ-丁内酯 BC :乙二醇單丁醚 [合成例1] ® <液晶配向膜用組成物Α1 (清漆Α1)的製備> 於具備溫度計、擾拌機、原料投入添加口及氮氣導入 口的lOOmL四口燒瓶中，放入o.usg的化合物（w)、 2.26§的化合物（乂_1)、2411^的脫水：^3^’在乾燥氮氣 流下攪拌溶解。一邊將反應系統的溫度保持在5°c，一邊 添加1.24 g的化合物（19)、1.38 g的化合物（1)，使其反 應30小時後，添加13 mL的BC、28 mL的GBL，而製備 聚合物成分的濃度為5 wt%的聚醯胺酸溶液。在原料的反 〇 應中，當由於反應熱而導致反應溫度上升時，將反應溫度 控制在約70°c或70°c以下而使其反應。 另外，于本發明的實施例中，一邊檢查（check)反應 中的粘度一邊進行反應，在添加BC後的清漆的粘度達到 30 mPa · s〜35 mPa · s (使用e型粘度儀；25〇C)時結束 反應，於低溫下保存。所獲得的聚醯胺酸的重量平均分子 量為61600。另外，聚合物的重量平均分子量是以如下方 式算出：用（磷酸/DMF = 〇.6/l〇〇:重量比）稀釋液來稀釋 77 200927734 , 所獲得的聚合物直至聚合物濃度達到約^ ^。，使用 編⑽製造的GPC測定裝置（軟體（捕職）Emp_)， 以所述稀釋液作為朗劑，彻Gpc法在管柱溫度贼 下進行測定，進行聚笨乙烯換算。 用NMP/BC/GBL (=60/25/15，重量比）的混合溶劑 來稀釋如上所述獲得的清漆，進行調整直至總聚合物成分 的濃度達到3 wt%，而製成塗布用清漆A1。 [合成例2〜6] <清漆A2〜A6的製備> 除了將四幾酸二針及二胺分別改變為表i所示的麵 和混合比例（mol%)以外，利用與合成例i相同之方法， 製備清漆A2〜A6。四羧酸二酐的合計量與二胺的合計量 的摩爾比為1。將所獲得的聚醯胺酸的重量平均分^量示 於表1中。 Ο

合成例 No. 〈表 1>__ it二針（化 胺（化合物No.)

[實施例1] <特性測定用單元的製作> 將合成例1中獲得的清漆A1，利用旋轉器（spinner) 塗布於帶有ΐτο電極的玻璃基板上。塗布條件為L700 78 200927734 啊、15秒。塗膜後以8(TC預備鍛燒約3分鐘，其後以23屹 加熱處理20分鐘’形成膜厚約為7〇 nm的液晶配向膜。 將所獲得的聚酿亞胺膜，使用IinumaGauge製作所股份有 限公司製造的摩擦處理裝置，在摩擦布（毛長18mm :人 造纖維（rayon))的毛壓入量為〇 4〇 mm、平臺移動速度 為60mm/sec、輥旋轉速度為Moorpm的條件下，進行摩 擦處理，而獲得液晶夾持用基板。 將所獲得的液晶夾持用基板在超純水中超聲波清洗5 分鐘後，於烘箱中以12(rc乾燥3〇分鐘。在其中一塊帶有 IJO電極的玻璃基板上散佈7 μιη的間隙劑而黏貼另一塊 π有ΙΤΟ電極的玻璃基板，用環氧硬化劑進行密封，而製 作間隙^ 7叫1的反平行（antiparallel)單元。向此單元中 注)液晶材料’用光硬化劑來密封注人口。將此單元以 noc加熱處理3g分鐘，而製成特性測定用單元。以下表 示用作液B:材料的液晶組成物A的組成。此組成物的 ‘占為 100.GC ’ 雙折射（double refraetion)為 0.093。 79 200927734 <液晶組成物A>

17wt.%

17wt.%

16wt% 10wt.°/〇 5wt.%

10wt.%

6wt.%

6wt.%

13wt.% Q <特性的測定> 使用所述測定用單元，測定預傾角、電壓保持率 (VHR)、離子密度（ID)及殘留DC。將結果示於表2中。 [實施例2〜3] . 使用合成例2〜3中獲得的清漆A2〜A3，與實施例1 . 同樣地製作測定用單元，與實施例1同樣地測定預傾角、 電壓保持率、離子密度及殘留DC。將測定結果示於表2 中〇 200927734

預傾角[°] VHR[%] 0.8 99.0 ' 0.5 99.1 1.8 99.0 ID[pC] 41 40 48 一殘餘— DC[mV1 14 16 10

率大於楚，私％列員孤πμA狱万凌肀，如果電壓保持 pc，".〇%那麼良好’如果離子密度小於等於％ ^麼^好。另外，如果殘留DC小於等於2〇 —，那 H預傾角，各驅動方式所期望的值有所不同， 乂…法對所獲得的數值做出具體的好壞判斷，但ips 只向電場方式中優選較小的值（小於等於3 〇〇)，以T 代表的縱向電場方式中優選較大的值（大於等於40。）。^ 外，如果是於VA模式中’那麼優選90。。 [實施例4]

製備以A1/A5 = 8/2 (重量比）混合清漆A1與清漆A5 ，清漆。關於使用此清漆與實施例1同樣地製成的特性測 定用單元，與實施例1同樣測定預傾角、電壓保持率、離 子密度及殘留DC。以下表示其結果。 預傾角.7.3° 電壓保持率：99·0% 離子密度：38pC 殘留DC : 8 mV [實施例5] 在20g合成例2中獲得的清漆A2(固體成分濃度為$ wt°/〇)中，添加O.lg(相對於清漆A1的聚合物為1〇^t%) 81 200927734 環氧化合物即4,4’-亞甲基雙(N，N-二縮水甘油基苯胺）（西 格瑪奥德里奇公司製造），而製備清漆B1。關於使用此清 漆B1與實施例1同樣地製作的特性測定用單元，與實施 例1同樣測定預傾角、電壓保持率、離子密度及殘留DC。 以下表示其結果。 預傾角：7.5° 電壓保持率：99.3% 離子密度：25pC 殘留 DC : 15 mV [實施例6] <特性測定用單元的製作> 將以A4/A6 = 9/l (重量比）混合合成例4及6中所獲 得的清漆A4與A6而獲得的清漆B2，使用旋轉器塗布於 帶有ΓΓΟ電極的玻璃基板上。塗布條件為I·啊、15 秒。塗膜後以80°C預備鍛燒約3分鐘，其後以18〇它加熱 處理20分鐘，形成膜厚約為7〇11111的液晶配向膜。 將所獲得的液晶夾持用基板，在超純水中超聲波清洗 5分鐘後，於烘箱中以120。〇乾燥3〇分鐘。在其中一塊帶 有ιτο電極的玻璃基板上散佈4 μπι的間隙劑而黏貼另一 塊帶有ΙΤΟ電極的玻璃基板，用環氧硬化劑進行密封，而 製作間隙為4 μηι的單元。向此單元中注入液晶材料，用 光硬化劑密封注入口。接著，以1腕加熱處理3〇分鐘， =成特性測定用單元。以下表示用作液晶材料的液晶組 成物Β的組成。此組成物的ΝΙ點為乃4它，雙折射為〇 〇幻。 82 200927734 <液晶組成物B >

o-ch3

12wt%

5wt% 7wt% 8wt% 8wt% 14wt% 14wt% 10wt% 10wt% 12wt% <特性的測定> 以下表示使用所述測定用單元來測定預傾角、電壓保 持率、離子密度及殘留DC的結果。 預傾角：90° 電壓保持率：99.4%

離子密度：48pC 83 200927734 殘留DC : 5 mV [合成例7〜8] <清漆的製備> 除了將四羧酸二酐及二胺分別改變為表3所示的種類 和混合比例（mol%)以外，利用與合成例1相同之方法， 製備清漆C1及C2。四羧酸二酐的合計量與二胺的合計量 的摩爾比為1。將所獲得的聚醯胺酸的重量平均分子量示 於表3中。 〈表3> 合成 例 No. 清 漆 名 稱 酸二酐（化合物No.) 二胺（化合物No.) 重量 平均分子 量 1 19 V-1 V-7 7 C1 50 50 100 69,530 8 C2 50 50 100 75,320 [比較例1〜2] 使用合成例7〜8中獲得的清漆C1及C2來替代清漆 A1，與實施例1同樣地製作測定用單元，測定預傾角、電 © 壓保持率、離子密度及殘留DC。將其測定結果示於表4 中。 〈表4> 比較例 No. 清漆 名稱 預傾角[°] VHR[%] ID[PC] 殘餘 DC[mV] 1 C1 1.0 98.8 114 8 2 C2 2.0 98.0 153 22 [比較例3] 使用合成例6及7中獲得的清漆A6及C1，以重量比 C1/A6 = 9A加以混合，而製備清漆C3。使用清漆C3，與 84 200927734 實施例6同樣地製作測定用單元。針對此單元，與實施例 1同樣地測定預傾角、電壓保持率、離子密度及殘留DC。 以下表示其測定結果。 預傾角：90° 電壓保持率：98.4%

離子密度：194pC 殘留 DC : 24 mV 由實施例1〜6及比較例1〜3的結果可知，通過使用 本發明的液晶配向劑’可製作同時滿足高電壓保持率、低 離子雄'度、低殘留DC的液晶顯示元件。 [合成例9] <聚合物溶液（D1)的製備> 於具備溫度計、擾拌機、原料投入添加口及氮氣導入 口的100 ml四口燒瓶内，放入0137 g的化合物（a-1)、 2.9901 g的化合物（Vffl-5-l)、ίο% g的化合物（贝_16) 及58.24 g的脫水ΝΜΡ，於乾燥氮氣流下加以攪拌溶解。 © 接著，添加0.548§的化合物（23)、0.603 §的化合物（1) 及1.626 g的化合物（19) ’使其於室溫環境下反應3〇小 時。此處使用的四羧酸二酐的調配比例（m〇1%)為化合物 (1):化合物（19):化合物（23) =20 : 60 : 20。並且， ' 四羧酸二酐的合計量與二胺的合計量的摩爾比為1。向所 : 獲得的溶液中添加36.62g的BC，而製備聚醯胺酸濃度為 . 7 wt%的聚合物溶液（D1)。所生成的聚合物的重量平均分 子量為18,000。 85 200927734 [合成例10〜15] <聚合物溶液（D2)〜（D7)的製備> 與合成例9同樣固定四羧酸二酐的調配比例，將二胺 設為表5所示的調配比例，與合成例9同樣地製備表5所 示的聚合物溶液（D2)〜（D7)。將所獲得的聚醢胺酸的 重量平均分子量示於表5中。 〈表5 > 合成例 No. 聚合物 溶液 二胺（mol%) 重量 平均分子量 a-1 V-l vm-5-ι XI-6-1 IV-16 9 D1 10 50 40 18,000 10 D2 10 90 36,000 11 D3 10 50 40 21,000 12 D4 50 50 24,000 13 D5 100 57,000 14 D6 50 50 25,000 15 D7 90 10 62,000 [實施例7] <特性測定用單元的製作> 以重量比1 : 9混合合成例9的聚合物溶液（D1)與 合成例13的聚合物溶液（D5 )。用NMP/BC= 1/1 (重量比） 的混合溶劑稀釋所獲得的混合液，製成聚合物濃度為4 wt%的塗布用清漆。利用旋轉器，將此清漆塗布於兩塊帶 有ITO電極的玻璃基板上，形成膜厚為70 nm的膜。塗膜 後以80°C加熱乾燥約5分鐘，其後以220°C加熱處理20 分鐘’形成液晶配向膜。將形成有此配向膜的玻璃基板在 超純水中超聲波清洗5分鐘後，於烘箱中以i2〇°c乾燥30 分鐘。接著，於另一塊玻璃基板上散佈4 μπι的間隙材料， 以形成配向膜的面作為内側，用環氧硬化劑密封，製作間 86 200927734 隙為4 μιη的單元。向此單元中注入下述液晶組成物C，用 光硬化劑密封注入口。接著，以ll〇°C加熱處理30分鐘， 製作特性測定用單元。液晶組成物C的NI點為75.4°C， 雙折射為0.081。

<液晶組成物C > c3h7—^ \一o-ch3 C5H11—< )~^ c3h7

5wt% 7wt% 8wt% 8wt°/〇 14wt°/〇 14wt% 10wt% 10wt% 12wt% 12wt% <特性的測定> 針對所獲得的測定用單元，與實施例1同樣地測定預 傾角、電壓保持率（VHR)、離子密度（ID)及殘留DC。 87 200927734 c 將其測定結果示於表6中。 . [實施例8] 以重量比9 : 1混合合成例1〇的聚合物溶液（D2)與 合成例12的聚合物溶液（D4)。用NMP/BC=1/1(重量比） 的混合溶劑稀釋此混合液，製成聚合物濃度為4 wt%的塗 布用清漆。針對使用此清漆與實施例7同樣地製作的測定 用單元’與實施例1同樣測定預傾角、電壓保持率（VHR)、 離子密度（ID)及殘留DC。將其測定結果示於表6中。 〇 [實施例9] 以重量比1 : 9混合合成例11的聚合物溶液（D3)與 合成例10的聚合物溶液（D2)。用NMP/BC=1/1(重量比） 的混合溶劑稀釋此混合液，製成聚合物濃度為4 wt%的塗 布用清漆。針對使用此清漆與實施例7同樣地製作的測定 用單元，與實施例1同樣測定預傾角、電壓保持率（VHR)、 離子密度（ID)及殘留DC。將其測定結果示於表6中。 [比較例4] 以重量比1 : 9混合合成例12的聚合物溶液（D4)與 合成例13的聚合物溶液（D5)。用NMP/BC=l/l(重量比） 的混合溶劑稀釋此混合液，製成聚合物濃度為4 wt%的塗 布用清漆。針對使用此清漆與實施例7同樣地製作的測定 用單元，與實施例1同樣測定預傾角、電壓保持率（VHR)、 離子密度（ID)及殘留DC。將其測定結果示於表6中。 [比較例5] 以重量比1 : 9混合合成例14的聚合物溶液（D6)與 88 200927734 合成例13的聚合物溶液（D5)。用NMP/BC==1/1(重量比） 的混合溶劑稀釋此混合液，製成聚合物濃度為4 wt%的塗 布用清漆。針對使用此清漆與實施例7同樣地製作的測定 用單元，與實施例1同樣測定預傾角、電壓保持率（VHR)、 離子密度（ID)及殘留DC。將其測定結果示於表6中。 [比較例6] ❹ 用NMP/BC=1/1 (重量比）的混合溶劑稀釋合成例 15的聚合物溶液（D7)，製成聚合物濃度為4 wt%的塗布 用清漆。針對使用此清漆與實施例7同樣地製作的測定用 單元，與實施例1同樣測定預傾角、電壓保持率（VHR)、 離子密度（ID)及殘留DC。將其測定結果示於表6中。 〇 〈表6> 實施例 No. 所使用的 聚合物溶液 重量比 預傾角 [°] VHR[°/〇] I〇[pC] 殘餘 DC[mVl 7 D1/D5 1/9 90 95.5 ~~Ϊ54 3,9 8 D2/D4 9/1 90 96.4 1.19 9 D3/D2 1/9 90 96.5 ~~~ 2.04 比較例 4 D4/D5 1/9 90 95.2 171 8.77 比較例 5 D6/D5 1/9 90 96.0 236 5.12 比較例 6 D7 — 90 96.3 341 37.2 ~~------ 由實施例7〜9及比較例4〜6的結果可知，本發明的 液晶配向劑’在預傾角較大的VA型液晶顯示元件;也可 以降低殘留DC，對於離子密度，也能夠職予比較好的^ 果。 [實施例10〜14及比較例7] 89 200927734 相對於組成與實施例9的聚合物溶液相同的聚合物溶 液，如表7所示添加化合物（E4)及化合物（E5)，而製 備溶液。而且，使用這些溶液與實施例7同樣地製作測定 用單元，針對這些單元來測定離子密度（ID)。然後，將 這些單元在設定為l〇〇t：的恒溫槽内靜置500小時，再次 f定，子密度（ID)來計算劣化程度。對於實施例9的聚 合物溶液及比較例5的聚合物溶液也同樣進行評價。

ID的劣化度=(放入恒溫層後的測定值）/ (放入恒 溫層前的測定值） 實施例No. 聚合物溶液 添加化合物 添加量 劣化度 10 實施例9 — — 5 1 11 實施例9 Ε5 0.05 4.78 12 ------_ 13 實施例9 實施例9 實施例9 Ε5 0.10 J 2.25 Ε5 1.21 Ε4 0.10 4 22 比較例7 比較例5 一 ----- 8.25 …▼為〜叫"、π 口啊—队叼里置比。 人自實施例1〇〜14和比較例7的比較結果可知，含有化 合物（a-Ι)作為二胺原料的聚合物具有防止液晶單元劣化 ίίϊ。另外，可通過添加具有至少兩個環氧乙烧基的化 口物來抑制劣化。也可知’化合物（Ε5)的添加量越多， 防止劣化的效果越高。 雖然本發明已讀_揭露如上，然其並_以限定本 發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者， ^明之精神和關内，當可作些狀更動_飾，故本發 月之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。χ 200927734

【圖式簡單說明】 無。 【主要元件符號說明】 無。 91

Claims (1)

1. 200927734 , 七、申請專利範圍： ㈣液晶配向劑，其是含有如下聚合物和溶劑的组 成物，所述聚合缺選自由使式（a)職示的二 合物與四羧酸二酐反應而獲得的聚醯胺酸及:衍 生物所組成的族群中的至少一種聚合物；其他二胺是^ ❹ 式（1_)〜式（W)所表示的非侧鏈型二胺的族群中的至少 一種二胺；或者是具有侧鏈基團的侧鍵型二胺的至少一種 二胺’所述侧鏈基團選自碳數大於等於3的烷基，碳數大 於等於3的烷氧基，碳數大於等於3的烷氧基烷基，具有 類固醇骨架的基團’及具有至少一個環且其末端的環上具 有碳數大於等於3的烧基、碳數大於等於3的烧氧基或碳 數大於等於3的烷氧基烷基來作為取代基的基團；或者是 非側鏈型二胺的至少一種與侧鏈型二胺的至少一種的混合 物；而且此組成物中的所述聚合物成分的濃度為0.1 wt% 〜40 wt% :

   0 92 200927734 Η2Ν-Χ1-ΝΗ2 (I) η2ν^ nh2

   在此’ L1為氫、碳數為1〜4的烷基、苯基或苄基； X1為碳數為2〜12的直鏈亞烷基；X2為碳數為i〜12的直 鏈亞烧基；X3、X4及X5獨立為單鍵、-〇-、-CO-、-CONH-、 -NHCO-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-〇-(CH2)t-0-、-S-、-S-S-、 -S02-、_S-(CH2)t-S-或碳數為1〜12的直鍵亞炫基，t為1 〜12的整數，而且式（VI)中的X4及式（W)中的X5為 分別相同或不同；環己烷環或苯環的任意的氫也可以被 氟、-CH3、-OH、-COOH、_S03H、_Ρ03Η2、苄基或羥基 苄基取代。 2.如申請專利範圍第1項所述之液晶配向劑，其中側 鏈型二胺是選自式（麗）〜式（XII)所表示的化合物的族 群中的二胺， 93 200927734 f

   在此 ’ R1 為單鍵、〇·、c〇_、_c〇〇_、_〇c〇_、_c〇NH、 -CH2〇·、-CF20-、或碳數為卜6的亞烷基，此亞烷基中 的任意的-CH2·也可以被·〇---CH=CH-或-OC-取代；R2 為具有類固醇骨架的基團、碳數為3〜3〇的烷基、具有碳 © 數為3〜3〇的絲或碳數^〜如雜氧絲作為取代基 的苯基、或式（D-1)所表示的基團，這些烷基及烷氧基 中的任意的-ch2-也可以被七_、_CH=CH或-(>c_取代；

   (D-1)

   在此 ’ R13、R14 及 Rls 獨立為單鍵、_〇_、_c〇〇_、_〇c〇_、 -CONH-、碳數為1〜4的亞烷基、碳數為i〜3的氧基亞烷 基、或碳數為1〜3的亞烷基氧基；環b及環c獨立為1,4-亞苯基或1,4-亞環己基；R16及獨立為氟或甲基，ml 及m2獨立為〇、1或2 ; e、f及g獨立為〇〜3的整數，e、 f及g的合计大於等於1，R18為碳數為3〜3〇的烧基、碳 數為3〜30的烷氧基、或碳數為3〜30的烷氧基烷基，這 些燒基、烧氧基及烧氧基烧基中，任意的氫也可以被氟取 代，而且任意的-CH2-也可以被二氟亞甲基或式（D_2)所 表示的基團取代； 94 200927734 R19 I Si- I R20

   (D-2) 在此，R19、R2G、R21及R22獨立為碳數為1〜10的烷 基或苯基，而且η為1〜100的整數；

   在此，R3獨立為氬或曱基；R4為氳、碳數為1〜30的 烷基、或碳數為2〜30的烯基；而且，R5獨立為單鍵、-CO-或 _CH2·;

   在此，R3獨立為氩或甲基；R4為氳、碳數為1〜30的 烷基、或碳數為2〜30的烯基；R5獨立為單鍵、-CO-或 -CH2-;而且，R6及R7獨立為氳、碳數為1〜30的烷基、 或苯基； 95 (XI) 200927734 ❹ NH；

   -CTTm l碳數為3〜30的烷基，此烷基的任意的 或磁2心二…、"^H=CH•或·gc-取代；r9獨立為-ο-ΐ :〜的亞燒基；環Α為1,4-亞苯基或ΐ，4-亞環己 基;&為〇或i;b為〇、u2;而且，c獨立為〇或^ h2n' 十 2·°ϋΗ〇~ 士 -ΝΗ, (XII) 在此為碳數為3〜3〇的烷基或碳數為3〜的氟 化烧基；R 1為氫、碳數為1〜3G 基或碳數為u 的氟化烧基；R12獨立為_〇_或碳數為卜6的亞烧基；而 且，d獨立為〇或1。 ❹ 3.如申請專利範圍第！項所述之液晶配向劑，其中非 侧鏈型二胺是選自式（RM)、式（JV_2)、式（ιν_ΐ5)、式 所表不的化合物中的二胺，側鏈型二胺是選自式（观_2)、 式（观-4)、式（週_5)、式（观_6)、式（χι_2)及式（χι_4) 所表示的化合物中的二胺， 96 200927734 H2N—nh2 (IV-1)

   (IV-15) (IV-16)

   (V-1)

   (V-2)

   (V-3)

   (V-33) (VII-2) 97 200927734

   R24 (Vl||_6) R29

   NH2 ❹ Q 某、S壑Γ、r24、r3°獨立為碳數為3〜30的烷 基或碳數為3〜30的烷氧基。 4.如申請專利範圍第1項所述之液晶配向劑，其中四 羧酸二酐是選自式（1)、式（2)、式（5)〜式（9)、式（14)、 式（19)、式（23)、式（25)、式（35)〜式（37)、式（39)、 式（44)及式（49)所表示的化合物中的至少一種四叛酸 二酐， 98 200927734

   5.如申請專利範圍第1項所述之液晶配向劑，其中四 羧酸二酐是選自式（1)、式（6)〜式（9)、式（19)、式 (23)及式（25)所表示的化合物中的至少一種四羧酸二 if，

   99 200927734

   ⑹⑺

   如申睛專利範圍第1項所述之液晶配向劑，其中四 叛酸—奸是選自式⑴、式（19)及式（23)所表示的化 合物中的至少一種四綾酸二酐，

   (1) (19) (23)。 έ日申°月專利範圍第1項所述之液晶配向劑，其中以 胺心里為基準’式（a)所表示的二胺的含有率為1 mol% 100 200927734 ： 〜50!11〇1%，其他二胺的含有率為50111〇1%〜99111〇1〇/〇。 8. 如申請專利範圍第1項所述之液晶配向劑，其包 含：選自由使式（a)所表示的二胺和非侧鏈型二胺的混合 • 物與四羧酸二酐反應所獲得的聚醯胺酸及其衍生物所組成 的族群中的至少一種聚合物、及選自由使式（a)所表示的 二胺和侧鏈型二胺的混合物與四羧酸二酐反應所獲得的 醢胺酸及其衍生物所組成的族群中的至少一種聚合物。 9. 如申請專利範圍第8項所述之液晶配向劑，其中非 侧鏈型二胺是選自式（iv-i)、式（IV_2)、式αν、15')、式 (IV-16)、式（V_l)〜式（V_12)、式（ν_33)及式（1$) 所表示的化合物中的二胺，側鏈型二胺是選自式（观_2)、 式（\1_4)、式（Μ-5)、式（观_6)、式（χΙ_2)及式（χι·4) 所表示的化合物中的二胺， ❹ 101 200927734 HzN—V_/~NHz (iv-1)

   (IV-15) (IV-16)

   (V-1)

   (V-2)

   (V-3) h3c ch3 u ki ch3 H3C ch3 -nh2 h2n-^ xi^NH2 Η2ΝΛ_/υ^ΝΗ2 h3c h3c ch3 (V-4) (V-5) (V-6)

   NH2

   h2n

   (VII-2) 102 200927734

   在此，R23、R24、R29及R3G獨立為碳數為3〜30的烷 基、或碳數為3〜30的烷氧基。 10.如申請專利範圍第8項所述之液晶配向劑，其中四 羧酸二酐是選自式（1)、式（6)〜式（9)、式（19)、式 (23)及式（25)所表示的化合物中的至少一種四羧酸二 酐， 103 200927734

   (23) (25) 11. 如申請專利範圍第i項所述之液晶配向劑，其更含 Q 有選自由使式（a)所表示的二胺以外的二胺與四羧酸二酐 反應所獲得的聚醯胺酸及其衍生物所組成的族群中的至少 一種聚合物。 12. 如申睛專利範圍第η項所述之液晶配向劑，其中 式（a)所表示的二胺以外的二胺是選自式（1)〜式（观） 所表示的非側鏈型二胺的族群中的至少一種二胺；或者是 : 具有侧鏈基團的侧鏈型二胺的至少一種二胺，所述側鏈基 • 團選自碳數大於等於3的烷基，碳數大於等於3的燒氧基， 碳數大於等於3的烷氧基烷基，具有類固醇骨架的基團， 104 200927734 及末端的環上具有碳數大於等於3的烷基、碳數大於等於 3的院氧基或碳數大於等於3的烷氧基烷基來作為取代基 的含環基團；或者是非侧鏈型二胺的至少一種與側鏈型二 胺的至少一種的混合物： H2N-X1-nh2

   在此，X1為碳數為2〜12的直鏈亞烷基；χ2為碳數為 1〜12的直鏈亞烧基；χ3、χ4及X5獨立為單鍵、_〇_、_c〇_、 -CONH…NHCO-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、_〇_(CH2)r〇-、 -S-、-S-S-、_S〇2-、-S-(CH2)rS-或碳數為 1〜12 的直鏈亞 烧基，t為1〜12的整數’而且式（VI)中的χ4及式（yj) 中的X5為分別相同或不同；環己烷環或苯環的任意的氫也 可以被氟、-CH3、-OH、-COOH、-S03H、-Ρ03Η2、苄基 或經基节基取代。 105 200927734 13.如申請專利範圍第I]項所述之液晶配向劑’其中 側鏈型二胺是選自式（VDI)〜式（XII)所表示的化合物的 族群中的二胺， f

   Ο 在此，r1 為單鍵、〇-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CONH-、 _CH2〇-、_CF2〇-、或碳數為i〜6的亞烷基，此亞烷基中 的任意的-CH2·也可以被_〇_、_CH=CH·或-OC-取代；R2 為具有類固醇骨架的基團、碳數為3〜30的烷基、具有碳 數為3〜3G的絲或碳數為3〜SG的絲基來作為取代基 的苯基、或式（D-1)所表示的基團，這些烷基及烷氧基 中的任意的-CHr·也可以被七_、_CH=CH或_c=c·取代；

   (D-1) 在此，R13、R14 及 R15 獨立為單鍵、_〇_、_c〇〇_、〇c〇、 •C〇NH_、碳數為1〜4的亞烷基、碳數為卜3的氧基亞烷 基、或碳數為1〜3的亞烷基氧基；環b及環c獨立為ι，4_ 亞笨基或1，4·亞環己基；R16及Ri7獨立為氟或曱基，ml 及m2獨立為〇、ι或2;e、f及g獨立為〇〜3的整數，e、 【及g的合計大於等於1 ; R18為碳數為3〜3〇的烷基、碳 106 200927734 數為3〜30的烷氧基、或碳數為3〜3〇的烷氧基烷基，這 些烧基、烷氧基及烷氧基烷基中，任意的氫也可以被氟取 代，而且任意的-CHy也可以被二氟亞曱基或式（D_2)所 表示的基團取代；

   (D-2) ❹ 在此，r19、r2G、r21及r22獨立為碳數為1〜ίο的烷 基或苯基，而真n為1〜100的整數；

   在此，R3獨立為風或曱基’ R為風、碳數為1〜3〇的 烧基、或碳數為2〜30的稀基’而且，R5獨立為單鍵、-co-或-CH2-，

   nh2 107 (X) 200927734 c 在此，R3獨立為氳或甲基；R4為氫、碳數為1〜30的 ， 烷基、或碳數為2〜30的烯基；R5獨立為單鍵、-CO-或 -CH2_ ;而且，R6及R7獨立為氫、碳數為1〜30的烷基、 或苯基；

   在此，R8為碳數為3〜30的烷基，此烷基的任意的 -CH2-也可以被-0-、-CH=CH-或-CeC-取代；R9獨立為-0-或碳數為1〜6的亞烷基；環A為1，4-亞苯基或1，4-亞環己 基；a為0或l;b為0、1或2;而且，c獨立為0或1 ; h2n、

   在此，R1g為碳數為3〜30的烷基或碳數為3〜30的氟 化烷基；R11為氬、碳數為1〜30的烷基或碳數為1〜30 的氟化烷基；R12獨立為-0-或碳數為1〜6的亞烷基；而 且，d獨立為0或1。 14.如申請專利範圍第12項所述之液晶配向劑，其中 非側鏈型二胺是選自式（IV-1)、式（IV-2)、式（IV-15)、 式（IV-16)、式（V-1)〜式（V-12)、式（V-33)及式 (W-2)所表示的化合物中的二胺，侧鏈型二胺是選自式 108 200927734 (VDI-2)、式（VDI-4)、式（VDI-5)、式（ΥΠΙ-6)、式（XI-2) 及式（XI-4)所表示的化合物中的二胺，

   CH々

   NH〇

   2 η2ν—

   /)-^2 (VI1-2) 109 200927734

   R24 h2n

   (VIII-6) (Vlll-5)

   在此，R23、R24、R29 « 1?30雄 A 从 . Λ R R及R獨立為碳數為3〜30的烷 基、或碳數為3〜30的烷氧基。 15.如申請專利範圍第12項所述之液晶配向劑，其中 四羧酸二酐是選自式（1)、式（2)、式（5)〜式（9)、式 (14)、式（19)、式（23)、式（25)、式（35)〜式（37)、 式（39)、式（44)及式（49)所表示的化合物中的至少一 種四羧酸二酐， 110 200927734

   111 c

   200927734 16.如申請專利範圍第12項所述之液晶配向劑，其中 四羧酸二酐是選自式（1)、式（6)〜式（9)、式（19)、 式（23)及式（25)所表示的化合物中的至少一種四羧酸 二酐，

   112 200927734

   (1) (6) (7)

   17.如申請專利範圍第12項所述之液晶配向劑，其中 四羧酸二酐是選自式（丨）、式（19)及式（23)所表示的 化合物中的至少一種四竣酸二針，

   ⑴ (19) (23) 〇 W。 0 〇 18.如申請專利範圍第1項所述之液晶配向劑，其更含 有具有至少兩個環氧乙烷基的化合物。 113 200927734 19. 如申請專利範圍第8項所述之液晶配向劑，其更含 有具有至少兩個環氧乙烧基的化合物。 20. 如申請專利範圍第11項所述之液晶配向劑，其更 含有具有至少兩個環氧乙烷基的化合物。 21. 如申請專利範圍第18項所述之液晶配向劑，其中 具有至少兩個環氧乙烷基的化合物是選自式（E1)〜式 (E5)所表示的化合物中的至少一種化合物，

   (E1)

   (E2)

   114 200927734

   在此’ η為〇〜ι〇的整數。 Ο 22·如申請專利範圍第18項所述之液晶配向劑，| 具有至夕兩個環氧乙烧基的化合物的比例，相對於、琴中 聚醯胺酸及其衍生物所組成的族群中的至少—種聚=由 總量的重量比為0.001〜0.40。 σ物的 23. —種液晶配向膜，其是由如申請專利範圍第丨 述之液晶配向劑所獲得的。 24·—種液晶顯示元件，其包含一對基板、夾持於_一 對基板間的液晶層、及向此液晶層施加電壓的電極，^所 述基板的與液晶層接觸的面上形成著如申請專利範圍第 V 23項所述之液晶配向劑。 115 200927734 、 四、 指定代表圖： (一） 本案之指定代表圖：無。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明：無。 五、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式： 無0 3