TW200848360A - Mems cavity-coating layers and methods - Google Patents

Description

200848360 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本申請案大體係關於微機電系統（MEMS)，且更特定# 之，係關於MEMS空腔内之塗層及形成微機電系統之方 法。 【先前技術】 微機電系統（MEMS)包括微機械元件、致動器及電子設 備。可使用沈積、蝕刻及/或蝕刻掉基板及/或沈積材料層 之部分或添加層以形成電氣及機電器件的其他微切削製程 來產生微機械元件。一種類型之MEMS器件被稱為干涉調 變器。於本文中使用時，術語干涉調變器或干涉光調變器 意指使用光學干涉原理選擇性地吸收及/或反射光的器 件。在某些實施例中，干涉調變器可包含一對導電板，其 一或二者可整體或部分地具有透明及/或反射性，且能夠 一經施加適當電信號即發生相對運動。在特定實施例中， 一板可包含沈積於基板上之固定層，且另一板可包含藉由 氣隙與固定層分離之金屬膜。如本文更詳細所述，一板相 對於另一板之位置可改變入射於干涉調變器上之光的光學 干涉。此等器件具有廣泛應用，且利用及/或修改此等類 型恭件之特性使得其特徵可用以改良現有產品並產生尚未 開發之新產品在此項技術中將係有利的。 【發明内容】 本發明係關於包含MEMS器件（例如，干涉調變器）的器 件、方法及系統，其包含於其中一層塗佈多個表面之空 129706.doc 200848360 腔。該層為保形或非保形的。在一些實施例中，該層藉由 原子層沈積（ALD)而形成。較佳地，該層包含介電材料。 在一些實施例中，該MEMS器件亦展現改良之特性，諸 如，移動電極之間的改良之電絕緣性、減小之黏滯，及/ 或改良之機械性質。 因此，一些實施例提供一種用於形成干涉調變器之方法 及/或一種由該方法形成之干涉調變器，該方法包含：在 干涉凋’艾為中形成空腔；及在形成該空腔之後在該空腔内 形成光學介電層之至少部分。該空腔由第一層及第二層界 定，且該第二層可相對於該第一層移動。 在一些實施例中，形成該光學介電層之至少部分包含藉 由原子層沈積形成光學氧化物層之至少部分。在一些實施 例中，形成該光學介電層之至少部分包含形成Al2〇3與 Si〇2中之至少一者。在一些實施例中，形成該光學介電層 之至少部分包含形成複數個子層。在一些實施例中，形成 該光學介電層之至少部分包含在低於約350t之溫度下形 成該光學氧化物層之至少部分。在一些實施例中，藉由原 子層沈積形成該光學介電層之至少部分包含在該空腔内形 成光學氧化物材料之第一保形層。在一些實施例中，形成 於界定該空腔之該第一層之一部分上的該第一保形層之厚 度大體上等於形成於界定該空腔之該第二層的一部分上之 該第一保形層的厚度。在一些實施例中，其中形成於界定 該空腔之該第一層之一部分上的該第一保形層之厚度為約 50 A至約400 A。在一些實施例中，藉由原子層沈積形成 I29706.doc 200848360 該光學介電層之至少^分包含在該第一層t至少一部分上 形成光學氧化物材料之一非保形層。 -些實施例進-步包含在形成該空腔之後，在該第二層 之表面上形成光學介電材料之一層，其中該第二層之該表 面在該空腔外部。 在一些貫施例中，界定該空腔之該第一層包含介電材 料。在一些實施例中，#由原子層沈積形成介電層之至少 部分包含密封該介電材料中之至少一針孔。在一些實施例 中，光學介電系統之總厚度（其包括介電層之該至少部分 及該介電材料之兩層）小於約1〇〇 nm。 在些貝施例中，藉由原子層沈積形成介電層之至少部 分包含在安置於該第一層上之製造殘留物上形成光學氧化 物層之至少部分。 一些實施例進一步包含藉由一方法在形成該光學介電層 之至少部分之如封裝該干涉調變器，該方法包含：形成限 定該干涉調變器之密封件，其中該密封件包含至少一開 口；及將一背板緊固至該密封件，藉此封裝該干涉調變 裔。一些實施例進一步包含在形成光學介電層之至少部分 之後’填充該密封件中之該至少一開口。 其他實施例提供一種干涉調變器，其包含：一第一層， 其包含部分反射器；一反射層，其可相對於該第一層移 動，一空腔’其由該第一層及該反射層界定；及一保形介 電層，其在該第一層及該反射層上形成於該空腔内。 一些實施例進一步包含一可變形層，其耦接至該反射 129706.doc 200848360 在一些實施例中，該保形介 卞力’丨電層包含8丨〇2與Al2〇3中之 至少一者。在一些實施例中， J T 6亥保形介電層之厚度為至少 約1 ο Λ。在一些實施例中

J τ 5亥保形介電層之厚度為約50 A 至約400 A。 一層上的主要介電 一些實施例進一步包含形成於該第 層0 f 其他實施例提供一 陣列干涉調變器包含 種包含陣列干涉調變器之顯示器，該 •一第一層，其包含一部分反射器； -反射層，其可相對於該第一層移動；一空腔，其由該第 -層及該反射層界定·’及一保形介電層，其在該第一層及 該反射層上形成於該空腔内，該顯示器進一步包含：一密 封件，其限定該干涉調變器；及—m緊固至該密封 件。

其他實施例提供一種裝置，其包含：一顯示器，其包含 一陣列干涉調變器，該陣列干涉調變器包含：一第一層， 其包含一部分反射器；一反射層，其可相對於該第一層移 動；一空腔，其由該第一層及該反射層界定；及一保形介 電層其在该弟一層及該反射層上形成於該空腔内，該顯 示器進一步包含：一密封件，其限定該干涉調變器；及一 月板’其緊固至該密封件；一處理器’其經組態以與該顯 示器通信，該處理器經組態以處理影像資料；及一記憶器 件，其經組態以與該處理器通信。 一些實施例進一步包含一經組態以發送至少一信號至該 129706.doc -9- 200848360 ”、、貝示夯的驅動裔電路。一些實施例進一步包含一經組態以 將该影像資料之至少一部分發送至該驅動器電路的控制 器。一些實施例進一步包含一影像源模組，其經組態以將 該影像資料發送至該處理器。在一些實施例中，該影像源 模組包含接收器、收發器及發射器中之至少一者。一些實 施例進一步包含一輸入器件，該輸入器件經組態以接收輸 入資料並將該輸入資料傳達至該處理器。 其他實施例提供一種干涉調變器，其包含：一用於部分 地反射光的構件；一用於致動該干涉調變器並反射光的可 移動構件，及一用於覆蓋該用於部分地反射光之構件及該 可移動構件之介電構件。 其他實施例提供一種微機電系統器件，其包含：一基 板，其包含一第一面；一可變形層，其包含一第一面及一 第二面；一大小可變之空腔，其包含由該基板之該第一面 及孩可變形層之該第一面所界定的相對面；該可變形層中 之複數個開口；與該可變形層中之開口相對的該基板的該 第一面上之複數個位置；及形成於該基板之該第一面及該 可變形層之該第一面，及該可變形層之該第二面之至少一 部分上的該空腔中之一介電層。 在一些貫施例中，該介電層在與該可變形層中之該等開 口相對之該基板的該第一面上之該複數個位置上比在該基 板的該第一面上之另一位置上厚。在一些實施例中，該介 電層大體上在该空腔内之所有表面上為保形的。 一些實施例進一步包含一安置於該空腔中且緊固至該可 129706.doc -10- 200848360 形層之可移動導體，其中該可移動導體包含一靠近該基 板之表面’且該介電層之一部分形成於該可移動導體之靠 近該基板的該表面上。

其他實施例提供一種用於製造微機電系統器件之方法及/ 或一種藉由該方法製造之微機電系統器件，該方法包含： 在一第一電極上形成一犧牲層；在該犧牲層上形成一可變 形層，在该可變形層中形成複數個開口；經由該可變形層 中之該複數個開口中之至少一些開口移除該犧牲層，藉此 在該第-電極與該可變形層之間形成—空腔；及在移除該 犧牲層之後，藉由原子層沈積在該空腔中沈積一層。 在一些實施例中，藉由原子層沈積在該空腔中沈積一層 包含沈積包含Ah〇3與Si〇2中之至少一者之一層。在一些 實施例中’藉由原子層沈積在該空腔中沈積一層包含沈積 -保形層。在一些實施例中，藉由原子層沈積在該空腔中 沈積一層包含沈積一非保形層。 其他實施例提供一種用於製造微機電系統器件之方法及/ 或-種藉由該方法製造之微機電系統器件，該方法包含： 在-包含部分反射器之-第一層上形成一犧牲層；在該犧 牲f動反射層；触刻掉該犧牲層，藉此形成 =由該第-層及該可移動鏡面所界定之相對側的光學 干擾空腔；及藉由原子層沈積在該空腔中沈積—層。 在一些實施例中，蝕刻掠#樣 XeF2接觸。 "犧牲層包含將該犧牲層與 在-些實施例中，形成—犧牲層包含形成包含翻、鍺、 129706.doc -11 - 200848360 非晶石夕中之至少-者之_層。在—些實施例中，形成〜犧 牲層包含形成包含複數個子層之一層。 -些實施例進-步包含：形成一在第一層上包含至少一 開口之密封件，該密封件限^該可移動反射層；及將—背 板緊固至該密封件，其中該形成—密封件及緊固—背板: 在於該空腔中沈積一層之前執行。 其他實施例提供一種用於減小微機電系統器件中之黏滯 之方法及一種藉由該方法製造之微機電系統器件，該方法 f

包含：在微機電系統器件中在一第一層與一第二層之間界 定-空腔，其中該第二層可相對於該第一層移動；及在界 定該空腔之後，藉由原子層沈積在該空腔内形成一黏滯減 小層。 其他實施例提供藉由原子層沈積形成一黏滯減小層，其 包含藉由原子層沈積形成一包含八丨2〇3及§丨〇2中之至少一 者的黏W減小層。其他實施例提供藉由原子層沈積形成一 黏滯減小層’其包含藉由原子層沈積形成一保形層。 其他實施例提供一種用於減小微機電系統器件中之黏滯 之方法及一種藉由該方法製造之微機電系統器件，該方法 包含·為该微機電糸統件在一第一層與一第二層之間界 定一空腔，其中該第二層可相對於該第一層移動；及在界 定該空腔之後’藉由原子層沈積在該空腔内形成一層。 在一些實施例中，该微機電系統器件為微機電系統器件 之一陣列中之一元件。 一些實施例進一步包含在该第二層中形成複數個開口。 129706.doc •12- 200848360 f實施方式j 本==係針對本發明之某些特定實施例。然而， =明w多㈣方式實施。在此描述中參看圖式，里 中相同零件始終用相同數李本- /、 ，%卜μ如 予表不。如將自以下描述顯見， 4寻貝知例可在經組態以 如，視訊)還是固定影像(二(一運動影像(例 影像還是圖形影像）之任何哭杜φ杳# …、⑽疋文子 1J為件中實施。更特定t夕，箱 Γ 期該等實施例可在多種電子哭 ° 、 σσ件中實轭或與其相關聯而實 她，，亥專電子器件諸如 · ^ ^ ^ . 个限於）·仃動電話、無線器 件、個人貧料助理（PDA)、手持式或攜帶型電腦、⑽接 收器/導航器、相機、MP3播放機、攜帶型攝像機、遊戲控 制t:腕！、鐘錶、計算器、電視監視器、平板顯示器、 視益、自動顯示器(例如，里程計顯示器等)、駕駛 鈿拯制為及/或顯示器、相機視野顯示器(例如，車輛中之 後視攝像機之顯示器）、電子照片、電子展板或電子標 言志、投影儀、結構構造、封裝及美學構造（例如，一件珠 寶上之影像顯示）。與本文所述之memsii件構造類似的 MEMS器件亦可用於非顯示器應用，諸如用於電子開關器 件0 本文所描述之實施例包括在移除犧牲材料之後藉由原子 層沈積（aLDwmems空腔加襯的方*。經沈積^材料可 ㈣地塗佈所有空腔表面，充當光學介電層，或充當密封 先前形成之介電質中之針孔的補充介電質，在任：情況 下，均產生較薄介電質以獲得給定絕緣品質。材料可^選 I29706.doc -13 - 200848360 擇以展現以下各項之組合：相對移動之電極之間的減 黏滯、減小之表面電荷累積、改良之機械性質，及/或改 良之電性質。在另一實施例中，ALD條件經選擇以優2 靠近開口之區域中沈積-非保形層至空腔中，藉此減 觸面積，且因此減小在致動MEMS電極以使空腔崩潰 黏滯。可在組裝MEMS基板盥背柘夕a々> μ + 料之移除及後續ALD塗佈。之，或之後執行犧牲材 圖1中說明包含干涉瞻8顯示元件之-干涉調變哭顯 示器實施例。在此等器件中，像素處於亮狀態或暗狀:/。 在亮（"接通"或，，打開，，）狀態下，顯示元件將大部分入料 見光反射至使用者。當在暗（"斷開”或”關^狀態下1 示元件將極少入射可見光反射至使用者。”接通，，及"斷開" «之光反射性質可視實施例而逆轉。細⑽像素可經組 悲以主要反射選定色彩，從而允許除黑白外之彩色顯示。 圖1為描繪視覺顯示器之一系列像+巾t Λ < $〜像京中之兩個相鄰像素 的等角視圖’其中每個像素包含_MEMs干涉調變器。在 一貝細例中，干涉凋變器顯示器包含此等干涉調變器之 -列/行陣列。每一干涉調變器包括一對反㈣，兩者彼 此相距一可變且可控距離而定位以形成具有至少一可變尺 寸之光學共振間隙。在-實施例中’該等反射層中之一者 可在兩個位置之間移動。在第—位置（本文稱為鬆弛位幻 處’可移=反射層定位於距一固定部分反射層相對較大距 ，處。在第二位置（本文稱為致動位置）處，可移動反射層 定位於較緊密相鄰於該部分反射層處。自兩個層反射之入 129706.doc 14 200848360 射光視可移動反射層之位置而發生相長或相消干涉，從而 為每一像素產生總體反射或非反射狀態。 圖1中之像素陣列之所描繪部分包括兩個相鄰干涉調變 器12a及12b。在左邊之干涉調變器12a中，可移動反射層 14a說明為位於距一光學堆疊16a預定距離之鬆弛位置處， 該光學堆疊16a包括一部分反射層。在右邊之干涉調變器 Γ

12b中，可移動反射層14b說明為位於相鄰於光學堆疊工讣 之致動位置處。 如本文所參考，光學堆疊16a及16b(統稱為光學堆疊丨6) 通$包含右干融合層’該等融合層可包括諸如氧化銦錫 (ITO)之電極層、諸如鉻之部分反射層及透明介電質。光 學堆疊16因此為導電、部分透明且部分反射性的，且可 (例如）藉由在一透明基板20上沈積上述諸層中之一或多者 來加以製造。部分反射層可由諸如各種金屬、半導體及介 電貝之具部分反射性的多種材料形成。部分反射層可由一 或多層材料形成，且該等層中之每一者可由單一材料或材 料組合形成。 在一些實施例中，如以下進一步y、+、】傲 、 ^ 步才田述，光學堆疊16之諸 層被圖案化為平行條帶，且可形 ^风顯不杰件中之列電極。 可將可移動反射層14a、14b形成兔、士拉 、 成為沈積於柱1 8之頂部上的 一或多個沈積金屬層（垂直於列 心w A mu極16a、16b)及沈積於柱 1 8之間的一介入犧牲材料 私u』丨* 承夕J千仃條帶。當I虫刻掉犧

牲材枓枯，可移動反射層141 M 而命止皿仏田 田經界定之間隙19 ”先予堆豐16a、16b分離。諸如 ^戈銘之鬲度導電且反射材 129706.doc -15- 200848360 料可用於反射層14，且此等條帶可形成顯示器件中之行電 才虽〇

在不施加電壓之情況下，如由圖丨中之像素12a所說明， 間隙19保持於可移動反射層14a與光學堆疊i6a之間，其中 可移動反射層14a處於機械鬆弛狀態。然而，當將一電位 差把加至選疋列及行時，形成於相應像素處之列電極與行 電極之相交處的電容器變得帶電，且靜電力將電極拉到一 起。若電壓足夠冑，則Τ移動反射層14變开），且被迫壓抵 光學堆疊16。如由圖1中之右邊之像素12b所說明，光學堆 疊16内之介電層（未在^中說明）可防止短路並控制層_ 16之間的分離距離。該行為不因所施電位差之極性改變而 改變。以此方式，可控制反㈣非反射像素狀態之列/行 致動在許多方面類似於習知咖及其他顯示技術中所用之 方法。 圖2至圖5B說明一種在顯示器應用中使用干涉調變 列之例示性方法及系統。 ^ /圖2為說明可併有本發明態樣之電子器件之一實施例的 系統方塊圖。在該例示性實施例中，電子器件包括一處理 器21 ’其可為任何通用單晶片或多晶片微處理器，: ARM、Pentium®、Pentium π⑧、 τλ/⑧ 〇 φ 11 Pentium IV、Pent_⑧ Pro、8051、刪⑧、ρ —⑧，或任何特相賴處判，諸如數 器、微控制器或可程式化閘陣列。如此項技· 理器21可經組態以執行-或多個軟體模組。除執彻； 129706.doc -16- 200848360 或多個軟體應用程式，包 電子郵件程式或任何其他 統外，處理器可經組態以執行一 括網路瀏覽器、電話應用程式、 軟體應用程式。

在只施例中，處理器21亦經組態以與_陣列驅動哭^ =。在-實施例中’陣列驅動器22包括提供信號至一顯 不益陣列或面板3〇之-列驅動器電路24及_行驅動器電路 26。圖1中所說明之陣列之橫截面由圖2中之線η展示。 對於MEMS干涉調變器，列/行致動協定可利用圖3中所說 明之此等器件的滯後性質。可能需要(例如m伏特電位差 來使可移動層自鬆弛狀態變形為致動狀態。然巾，當電壓 自該值減：時’可移動層隨著電壓降落回㈣伏特以下而 保持其狀態。在圖3之例示性實施例中，可移動層直至電 壓降至2伏特以下才完全鬆弛。因此，在圖3中所說明之實 例中存在-約3 VU V之所施電壓f，器件在該窗内穩定 地處於鬆弛或致動狀態。此窗在本文中稱為”滯後窗”或”稃 定窗”。對於具有圖3之滯後特性之顯示器陣列，可對列^ 行致動協定進行設計錢得在列選通期間，將待致動之所 選通列中的像素暴露至約1G伏特之電壓差，且將待鬆他之 像素暴露至接近於零伏特之電壓差。在選通之後，將像素 暴露至約5伏特之穩態電壓差，使得其保持於列選通將其 置於的任何狀態。在被寫人之後，每—像素在此實例中: 3至7伏特之”穩定窗"内見到一電位差。此特徵使圖i所說 明之像素料在相同所&電壓條件下穩定於致動或鬆他預 存在狀態。由於干涉調變器之每一像素無論處於致動狀能 129706.doc 200848360 還是鬆弛狀態實質上的炎 器，因而此穩定狀=::r移動反射層形成之電容 =革耗心右所施電位固定，則基本無電流流進像素 =型應用中’可藉由根據第—列中之所要致動 合來確定行電極集人而客 素集 °生頌不圖框。接著將列脈衝施加 】電極，^致㈣應於確定之行線之像素

行電極集合改變為對應於第二列中之所要致動G 集合。接著向列2雷# # 1 '、 加一脈衝，從而根據所確定之行 電極致動列2中之適當像素。列!像素不受列2脈衝影響， 且保持於其在列1脈衝期間被設定之狀態。可以順序方式 ::個列系列重複此過程以產生圖框。通常，藉由以每; 少 :所要數目圖框不斷重複此過程而用新的顯示資料刷新 及/或更新圖框。用以.驅動像素陣列之列及行電極以產生 ::圖框之多種協定亦為吾人所熟知，且可結合本發明而 使用。 一圖4、圖5Α及圖5Β說明—用以在圖2之3><3陣列上產生顯 不圖框的可能致動協定。圖4說明可用於展現圖3之滯後曲 :之像素之可能的行及列電壓位準集合。在圖4實施例 ，致動像素涉及將適當行設定至I，及將適當歹"史 疋至+Δν’其可分㈣應於·5伏特及+5伏特 行設定至U將適當列設定至相同+Δν，從而產二 越像素之零伏特電位差來完成對像素之鬆弛。在列電壓保 持於零伏特之彼等列中，像素無論行處於還是_ν^ 129706.doc 18 200848360 皆穩定於其最初所處之任何狀態。亦如圖4中所說明，應 瞭解，可使用極性與上述電壓之極性相反之電壓，例如， 致動像素可涉及將適當行設定至+ Vbias及將適當列設定 ^-△v。在此實施例中，藉由將適當行設定至-Vbias且將適 當列設定至相同-從而產生跨越像素之零伏特電位差來 完成對像素之釋放。 圖5Β為展示施加至將產生圖5Α中所說明之顯示排列（其

中致動像素為非反射性的）之圖2之3χ3陣列之—系列列及 行信號的時序圖。在寫入圖5Α中所說明之圖框之前，該等 像素可處於任何狀⑮，且在此實例中，所有列處於〇伏 特且所有行處於+5伏特。在此等所施電壓下，所有像素 均穩定於其現有致動或鬆弛狀態。 μ 在圖5Α®框巾，致動像素（u)、（1，2)、（2,2)、⑽及 (3,3)。為完成此目的，在列丨之"線時間⑴期間， 將仃1及2设定至·5伏肖，且將行3設定至+5伏特。此不改 變任何像素之狀態’因為所有像素均保持於⑴伏特之穩 定窗内。接著藉由自〇伏特升至5伏特又返回至零之脈衝， =列1進行選通°此致動d，1)及⑽像素並鬆弛（1,3)像 '、。陣列中之其他像素不受影響。為按f要設定心，將 ^設定至_5伏特且將行1及3設定至+5伏特。施加至列2之 =選通將接著致動像素（2,2)並鬆他像素㈤）及（2,3)。同 陣列之其他像素不受影響。藉由將行2及3設定至d 寺1將行i設定至+5伏特而類似地設定列3。列3選通如 圖5A中所示，對列3像素進行設定。在寫人圖框之後，列 129706.doc •19- 200848360 电位為零’且行電位可保持於+5或_5伏特，因而顯示器穩 定於圖5Α之排列。應瞭解，相同程序可用於幾十或幾百列 及行之陣列。亦應瞭解，在±文概述之_般原理範圍内， 可大幅改變用以執行列及行致動之電壓的時序、順序及位 準且以上貫例僅為例示性的，且任何致動電壓方法皆可 與本文所述之系統及方法一起使用。 Γ

圖6Α及圖6Β為說明-顯示器件4G之實施例之系統方塊 圖。顯示器件40可為（例如）蜂巢式或行動電話。然而，顯 示器件40之相同組件或其輕微變化亦說明各種類型之顯示 器件’諸如電視及攜帶型媒體播放機。 顯不器件40包括一外殼41、一顯示器30、一天線43、一 揚茸夯45、一輸入器件w及一麥克風46。外殼Μ 一般由如 熟習此項技術者熟知之多種製造方法（包括射出成形及真 空成形）中之任一者形成。此外，外殼41可由多種材料（包 括（但不限於）塑膠、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合）中 之任一者製成。在一實施例中，外殼41包括可與具有不同 色彩或含有不同標識、圖片或符號之其他可移除部分互換 的可移除部分（未圖示）。 例示性顯示器件40之顯示器3〇可為多種顯示器（包括如 本文所述之雙穩態顯示器）中之任一者。在其他實施例 中，顯示器30包括如上所述之平板顯示器（諸如電漿、 EL、OLED、STN LCD或TFT LCD)，或如熟f此項技術者 熟知之非平板顯示器（諸如CRT或其他管式器件）。然而， 為描述本實施例之目的，顯示器3〇包括如本文所述之干、牛 129706.doc -20- 200848360 調變器顯示器。 圖6B中示意地說明例示性顯示器件40之一實施例的組 件。所說明之例示性顯示器件40包括一外殼41，且可包括 至少部分封閉於該外殼41中之額外組件。舉例而言，在一 實施例中，例示性顯示器件4〇包括一包括天線43之網路介 面27，該天線43耦接至一收發器47。收發器47連接至一處 理器2 1 ’該處理器2 1連接至調節硬體52。調節硬體52可經 組態以調節信號（例如，對信號進行濾波）。調節硬體52連 接至一揚聲器45及一麥克風46。處理器21亦連接至一輸入 器件48及一驅動器控制器29。驅動器控制器29耦接至一圖 框緩衝器28，且耦接至一陣列驅動器22，該陣列驅動器22 又轉接至一顯示器陣列3 〇。一電源5 〇向特定例示性顯示器 件40設計所需之所有組件提供電力。 網路介面27包括天線43及收發器47，以使得例示性顯示 器件40可經由網路與一或多個器件通信。在一實施例中， 網路介面27亦可具有一些處理能力以緩解對處理器2丨之要 求。天線43為熟習此項技術者已知之用以傳輸並接收信號 之任何天線。在一實施例中，天線根據IEE]e 802 1 1標準 (包括IEEE 802.1 1(a)、（b)或（g))來傳輸並接收!^信號。在 另一實施例中，天線根據藍芽（BLUETOOTH)標準傳輸並 接收RF信號。在蜂巢式電話之狀況下，天線經設計以接收 用以在無線手機網路内進行通信的CDMA、GSM、AMPS 或其他已知仏號。收發器47預處理自天線43接收之信號， 使得該等信號可由處理器21接收並進一步操縱。收發器47 129706.doc -21 · 200848360 亦處理自處理器21接收之信號，使得該等信號可經由天線 43而自例示性顯示器件4〇傳輸。 在-替代實施例中，收發器47可由—接收器替代。在又 -替代實施例中，網路介面27可由—影像源替π，該影像 源可儲存或產生待發送域之影像f料。舉例而 言，影像源可為數位視訊磁碟（DVD)或含有影像資料之硬 碟機’或產生影像資料之軟體模組。

處理器21通常控制例示性顯示器件4〇之總體操作。處理 器自網路介面27或影像源接收資料(諸如壓縮影像資 料）’且將該等資料處理為原始影像f料或處理為易於處 理為原始影像資料之格式。處理心接著將經處理之資料 發达至驅動器控制器29或圖框緩衝器28以進行儲存。原始 資料通常意指識別影像内每—位置處之影像特性的資訊。 ° 舉例而言’此等影像特性可包括色彩、飽和度及灰階度。 貝施例中處理為2 1包括微控制器、CPU或邏輯單 元以控制例示性顯示器件4G之操作。調節硬體_常包括 用^專輸信號至揚聲器45且用以自麥克風46接收信號之放 ，益及遽波器。調節硬體52可為例示性顯示器件扣内之離 散組件，或可併入處理器21或其他組件内。 驅動态控制益29直接自處理器21或自圖框緩衝器28獲得 :處理&21產生之原始影像資料，且適當重新格式化原始 影像資料以供高速傳輸至陣㈣動㈣。特定地，驅動哭 ^制器29將原始影像資料重新格式化為具有光栅狀格式之 貝枓流，使得該資料流具有適合用以跨越顯示器陣列3〇進 i29706.doc -22- 200848360 订掃描之時間次序。接著，驅動器控制器29將經格式化之 貢訊發送至陣列驅動器22。儘管一驅動器控制器29(諸如 LCD控制器）常常作為獨立積體電路（ic)而與系統處理器21 相Μ，但此等控制器可以許多方式來建構。其可作為硬 體肷入於處理器21中，作為軟體嵌入處理器2丨中，或以硬 體之方式與陣列驅動器22完全整合。 通常，陣列驅動器22自驅動器控制器29接收經格式化之

育訊，且將視訊資料重新格式化為一組平行波形，該組波 形每秒數次地被施加至來自顯示器之x_y像素矩陣之數百 且有時數千個引線。 在一實施例中，驅動器控制器29、陣列驅動器22及顯示 器陣列30適用於本文所述之任何類型之顯示器。舉例而 吕’在—實施例中，驅動器控制器29為習知顯示控制器或 雙穩態顯示控制器（例如，干涉調變器控制器）。在另一實 施例中’陣列驅動器22為習知驅動器或雙穩態顯示驅動器 (:如，干涉調變器顯示器）。在一實施例中，驅動器控制 二29與陣列驅動器22整合。此實施例通用於諸如蜂巢式電 話、手錶及其他小面積顯示器之高度整合系統。在又一實 ，例中’ _示器陣列3〇為典型顯示器陣列或雙穩態顯示器 陣列（例如，包括干涉調變器陣列之顯示界 雨入^件48允許使用者控制例示性顯示H件40之操作。 般七實Μ例中’輸人☆ # 48包括小鍵盤，諸如QWERTY鍵 ΐ:電盤、按-、開關、觸感式螢幕或感壓或感熱 、 Λ⑯例中，麥克風46為用於例示性顯示器件4〇 I29706.doc -23· 200848360 之輪入器件。當使用麥克風46來將資料輸入至器件時，可 由使用者提供語音命令以控制例示性顯示器件4〇之操作。 電源50可包括如此項技術中熟知之多種能量儲存器件。 舉例而言，在一實施例中，電源50為可充電電池，諸如鎳 鶴電池或裡離子電池。在另一實施例中，電源5〇為可再生 能源、電容器或太陽能電池（包括塑膠太陽能電池及太陽 能電池漆）。在另一實施例中，電源5〇經組態以自壁裝插 座接收電力。 如上所述，在一些實施例中，控制可程式化性駐於可位 於電子顯示系統中之若干位置處的驅動器控制器中。在一 些實施例中，控制可程式化性駐於陣列驅動器。中。熟習 此項技術者將認識到，上述最佳化可以任何數目之硬體及/ 或軟體組件且可以各種組態來實施。 根據上述原理進行操作之干涉調變器之構造的細節可大 幅改變。舉例而言，圖7A至圖7E說明可移動反射層14及 其支撐構造之五個不同實施例。圖7A為圖丨之實施例之橫 截面，其中一金屬材料條帶14沈積於垂直延伸之支揮件18 上。在圖7B中，可移動反射層14僅在繫栓32之拐角處附著 至支撐件。在圖7C中，可移動反射層14自一可變形層“懸 洋，該可變形層34可包含可撓性金屬。可變形層34直接或 間接地連接至在可變形層34之周邊周圍 接可採取連續壁及/或個別柱之形式。舉例…= 條可支撐可變形層34材料之交又列，從而界定軌條之間之 溝槽及/或空腔中的像素之行。每一空腔内之額外支撐柱 129706.doc -24· 200848360 可用來硬挺可變形層34及防止在鬆弛位置中下陷。 圖7D中所說明之實施例具有在上面擱置可變形層3 *之支 撐柱插塞42。如在圖7A至圖7(：中，可移動反射層14保持 A浮於空腔上，但可變形層34並不藉由填充可變形層％與 光學堆疊16之間的空隙而形成支撐柱。實情為，支撐柱由 用以形成支撐柱插塞42之平坦化材料形成。圖邛中所說明 之貝施例係基於圖7D中所示之實施例，但亦可適於與圖 7 A至圖7 C中所說明之實施例中之任一者以及未展示之額 外實施例一起起作用。在圖7E中所示之實施例中，已使用 額外金屬層或其他導電材料來形成一匯流排構造44。此允 許沿干涉調變器之背面來導引信號，從而消除原本將必須 形成於基板20上之若干電極。 在諸如圖7A至7E中所示之彼等實施例的實施例中，干 涉調變器作為直觀式器件，其中自透明基板2〇之前側觀看 影像，該側與在上面配置調變器之側相對。在此等實施例 中’反射層14光學地遮蔽在反射層之與基板2〇相對之側上 (包括可變形層34)的干涉調變器之部分。此允許所遮蔽區 域在不負面影響影像品質之情況下加以組態並操作。此遮 蔽允許圖7E中之匯流排構造44提供將調變器之光學性質與 調變之機電性質（諸如定址與由該定址產生之移動）分離 之能力。此可分離調變器結構允許用於調變器之機電態樣 及光學態樣之構造設計及材料可彼此獨立選擇並起作用。 此外’圖7C至圖7E中所示之實施例具有自使反射層14之光 學性質與其機械性質分離得到之額外益處，該等機械性質 129706.doc -25- 200848360 由可變形層34實行。此允許用於反射層14之構造設計及材 料相對於光學性質而最佳化，且允許用於可變形層Μ之構 造設計及材料相對於所要機械性質而最佳化。

圖8A說明類似於圖7D中所說明之實施例之干涉調變器 800之一實施例的側面橫截面圖。熟習此項技術者將理 解’參考所說明之實施例所描述之某些特徵亦可用於干涉 調變器的其他實施例，包括圖7A至圖7C及圖7E中所說明 之實施例，以及其他類型之MEMS器件。 干涉調變器800包含基板820，形成光學堆疊816之一部 分的導電層816a及部分反射層或吸收體816b形成於基板 820上。在所說明之實施例中，經由基板82〇觀看影像，因 此，基板820較佳對於所說明之光學器件及方位為透明 的。可變形層834與光學堆疊816間隔開，從而在其間界定 一間隙或空腔819。在所說明之實施例中，保持間隙819之 支撐結構包含在基板820與可變形層834之間延伸的複數個 支撐柱插塞842，但在其他配置中，執條、鉚釘，或其他 結構可充當支撐物來將MEMS電極間隔開。可移動反射層 或鏡面81 4安置於空腔819中且緊固至可變形層834。在所 說明之實施例中，該可移動反射層814包含導電材料且電 耦接至可變形層。將理解，在其他MEMS實施例令，可移 動電極不必為反射性的，且可由可變形層形成。 第一保形層860在界定空腔819之組件（例如，部分反射 層8〗6b、支撐柱插塞842、可移動反射層814，及可變形層 之内表面834a)上形成於空腔gig中 。在一些較佳實施例 129706.doc • 26 - 200848360 中，第一保形層860之厚度大體上均一。 第二保形層862安置於可變形層之外表面以仆上。在所 說明之實施例中，第-保形層副及第二保形層呢之厚度 大體上相同且具有相同組合物。在所說明之實施例中，第 一保形層860及第二保形層862 一起囊封可變形層834及可 移動反射層814。如下文更詳細論述，較佳同步形成第一 保形層860與第二保形層862。 在一些較佳實施例中，第一保形層86〇為包含至少一介 電材料之介電層。第二保形層862包含相同材料。介電材 料為此項技術中已知的任何適當材料。在器件8〇〇為干涉 調變器之情況下電材料較佳對光之有關波長大體上透 明。在一些較佳實施例中，介電材料包含使用原子層沈積 (ALD)可沈積的材料，例如，氧化物、氮化物，及其組 合。在一些實施例中，第一保形層86〇包含二氧化矽 (Si〇2、石夕石）、氧化銘（Al2〇3)，或Si〇2與Al2〇3之組合。在 些實施例中，第一保形層86〇包含複數種材料。舉例而 a，在一些實施例中，第一保形層86〇包含介電材料之複 數個子層，例如，層狀結構。子層之間的界面為中斷的或 分級的。用於形成第一保形層86〇及第二保形層862及設計 材料以獲得特定功能性之方法在下文更詳細論述。 在此等實施例中，形成於部分反射層8丨6b上之第一保形 層之部分860a及形成於可移動反射層814的下表面8 14a上 之第一保形層之部分860b—起形成光學堆疊816之介電結 構’其在致動位置中使移動電極814與固定電極8i6a/8 16b 129706.doc •27- 200848360 絕緣。在部分8術與86仙之厚度大體上相同的實施例中， ^付介電結構稱為”對稱的’’，例如，稱為,，對稱氧化物結 因此，在一些實施例中，第一保形層860之厚度為一 類似早層介電層(例如，圖7d中所說明之光學堆疊Μ之 介電層）之厚度的約一半。熟習此項技術者將理解，第一 保形層860之厚度視以下因素而冑，該等因素包括：第一 保形：860之組合物、由干涉調變器_所調變之光的波 長、第一保形層860之所要機械性質，#等。在一些實施 财，第-保形層860之厚度不大於約！⑼nm(^_A)， 較佳自約50 A至約4〇〇 A，更佳自約ι〇〇 A至約25〇入。

C 與包含單-介電層之類似器件（例如，圖7d中所說明之 :施例之光學堆疊16)相比，介電第一保形層86〇之實施例 提1、刀別形成於光學堆疊816與可移動層814上的第一保形 層之部分860a與860b之間的減小之界面黏著性或黏滯/ 在此項技術中稱為"黏滞"之狀況通常可不利地影響 MEMS器件（且詳言之，干涉調變器）之效能。參看圖丨中所 說明之it#，黏滯可使經致動之可移動層14b在存在可預 期使可移動層14b返回至鬆弛位置之回復力的情況下保持 與光學堆疊i6b接觸。黏滞發生於將器件偏置至致動位置 t之黏者力之總和大於朝向鬆弛位置偏置器件的回復力 日守。回復力包括致動之可移動層14b之機械張力。舉例而 言，在包括干涉調變器之MEMS器件中，由於表面力或界 面力隨著減小Μ尺寸而變得相對㈣且时力隨著減小 益件尺寸而變得相對㈣’因& ’黏滞隨著減小器件大小 129706.doc -28- 200848360 而變得更成問題。 咸信黏著力起源於若 凡得瓦爾相互作用、化學鍵結，：:J如’毛細管力、 此等機制中，黏著力隨著相對可移在所有 層_光學堆疊⑽)之間的增加之接觸件二 :者在致動狀態中增加相對可移動組件之間的間距而減 及二:=8中所說明之實施例，通常咸信諸如二氧化石夕 Γ:::二親水性材料的大接觸面積增加而非減小黏 :此;=論限制的情況下，咸信在干涉調變器之 二 中，黏滞係至少部分地由製造製程留在空腔中 之物引起。舉例而言，在使用犧牲材料之釋放蝕刻 e etch)形成空腔之過程中，敍刻製程之非揮發性產 物作為製造殘留物留在空腔中。舉例而言，在使用_ 刻錮犧牲層之過程中，非揮發性產物可包括非揮發性含翻 產物（例如，鉬氧化物氟化物（m〇lybdenum fl_ide))、非揮發性不含銷產物(例如，來自犧牲層令之 雜幻’及其類似物。製造殘留物之其他來源包括姓刻劑 與非犧牲材料之反應、由釋放姓刻所暴露之非犧牲材料之 反應、在相鄰層之沈積及/或#刻過程中形成之副 及相鄰層之間之反應產物。 ⑽之實施例形成精確地遵循下伏層之輪廓的層。因 此，在藉由ALD形成第一保形層86〇之過程中，Au)不僅 生長經暴露之基板，而且生長安置於基板上之任何製造殘 129706.doc -29· 200848360 留物，ϋ ι_ι_ 曰匕均勻地毯覆空腔之妙 過程中，# 、、、暴路表面。在毯覆空腔之 弟一保形層860覆篆笪制4 γ 製造殘留物彳“汊留物’藉此消除 860之組厶私，二實^例中，弟一保形層 成於光：雄 以減小第一保形層_之部分8603(形

Ϊ)之^豐816上）與部分嶋（形成於可移動反射器8U 致動位置中時接觸。 ㈣部分在器件_處於 =單一介電層之類似器件(例如，圖7D中所說明之 二Τ’ 一些實施例亦展現光學堆疊816中減小之表 =何累積。咸信表面電荷在介電層中之陷啡中累積，特 疋口之，在介電層之表面處或附近。此等陷啡中之一些為 固有的，例如在介電層之沈積期間形成。介電層中之固有 陷牌^農度視包括沈積方法及所沈積的特定介電材料的因 素而定。其他陷味為外在的，例如，因對介電層之損壞而 形成或為製造殘留物。 咸信器件_之實施例減小由固有及/或外在陷牌所引起 的表面電荷累積。舉例而言’在一些實施例中，固有陷阱 之數目藉由以原子層沈積（ALD)形成第—保形層嶋而減少 (如下文更詳細描述），苴接供且 ^ ，、杈仏具有良好絕緣性質之高品質 介電薄膜。用於ALD之適當介電材料之實例包括A· S i 02 ’及其組合。如下文所給成 又所_述，在一些實施例中，在釋 放敍刻之後形成第-保形層86G，其為製造干涉調變器_ 中的最後步驟之-。在此等實施例中，對第_保形層86〇 之損壞得以減小’此係由於其在接近製造製程結束時形 129706.doc -30- 200848360 成’從而減小了外在陷阱的數目。 此外，如上文所論述，在一些實施例中，第一保形層 860及第二保形層862囊封可變性層834。在一些實施例 中’可變形層834之機械及/或電性f藉由囊封第_保形層 860及第二保形層862來修改。舉例而言，在一些實施例 中，可變形層834之結構完整性經改良，特定言之，'在第 一保形層860及第二保形層862相對較厚的情況下，例如， 至少約5〇 A、至少約100 A、至少約150 A，或至少約2〇〇 A。在此等實施例中之一些實施例中，經改良之機械完整 性提供可變形層834之改良的電完整性。一些實施例進一 步展現在較寬溫度範圍上的可操作性。舉例而言，在包含 由包含介電材料之第一保形層860及第二保形層862囊封之 金屬可變形層834的實施例中，經囊封之可變形層834之有 效熱膨脹係數低於類似的未經囊封之可變形層之有效熱膨 脹係數。此較低熱膨脹係數許可MEMS 800在較寬溫度範 圍内的穩定操作。 干涉調變器900之另一實施例說明於圖9中的側面橫截面 圖中。干涉調變器900類似於圖8A中所說明之實施例800， 以及圖7D中所說明之實施例。熟習此項技術者將理解，該 等特徵中之一些亦可用於（例如）具有類似於圖7A至7C及圖 7E中所說明之彼等結構的結構之其他實施例。在所說明之 實施例中，器件900包含基板920，該基板920上形成有光 學堆疊916，該光學堆疊916包含導電層916a、部分反射層 916b，及主要介電層91 6c。如同在圖8 A之實施例中，光學 129706.doc 200848360 堆疊91 6表示MEMS器件之下部固定電極。說明為包含複 數個支撐柱插塞942之支撐結構自光學堆疊91 6延伸且支撐 可變形層934。光學堆疊916及可變形層934界定空腔919， 在該空腔91 9中安置有表示用於MEMS器件之可移動電極 的可移動反射層914,該可移動反射層914緊固至可移動層 934 〇 f

第一保形層960在界定空腔之表面（包括，介電層91&、 支揮柱插塞942、可變形層934之内表面，及可移動反射層 914之可接近表面）上形成於空腔919内。第二保形層962形 成於可變形層934之外表面上。在一些實施例中，第一保 形層960及第二保形層962包含與圖8A中所說明之實施例之 第一保形層860及第二保形層862相同的材料。在一些較佳 實施例中，第一保形層960之厚度大體上均一。在一些實 施例中，第二保形層962之厚度與第一保形層96〇之厚度I 體上相同。在第一保形層96〇及第二保形層962係藉由 形成的實施例巾，該等層之厚度為至少藉由ald所沈積之 單層之大致厚度（約3至5 A)。更㈣，第一保形層96〇之厚 度為至少約ίο A，或至少約80 A。由於此實施例中之光學 介電系統包含介電層916e以及兩層第一保形層960，S 此，此等層之厚度經選擇以提供所要光學性質。理想地， 由下文所描述之製程所形成之層的品f許可光學介電系統 之總厚度小於約1 00 nm(l 〇〇〇 ， )同時仍月b夠在操作期間 使電極絕緣。 在第-保形層960包含介電材料之實施例中，形成於主 129706.doc •32· 200848360 要介電層916c上的第一保开彡麻 保形層之部分960a、形成於可移動 反射層914之下表面上的第-保形層之部分9_，及介電 層916C 一起形成一介電系統。如上文關於圖8A中所說明之 器件800之實施例所論述，在一 仅些實施例中，介電系統之 總厚度視以下因素而定··第_保形層96〇及介電層91心之 組合物、由干涉調變器900所調變之光的波長、第一保形 層960及介電層916c之所要機械性質，等等。在一也實施 例令，第-保形層960相對較薄，且大體上不影響介電系 統之光學性質。在此等實施例中，介電系統之光學性質由 介電層916c來控制。 、 ί: 在一些較佳實施例令，第-保形層960充當黏滯減小層 (如上文所論述，例如，藉由覆蓋或密封製造殘留物）。在 -些實施例中，第—保形層，且詳言《，部分藉由遮 盍、填充、覆蓋及/或密封介電層916c中之缺陷來修復或 增強介電層916C。缺陷常常在使用典型沈積技術（cvd、 PVD)製造器件900的過程中形成於介電層9l6c中，且包括 (例如)針孔、裂痕、麻點(div〇t)，及其類似物。在一些實 施例中，缺陷形成於使介電層916c經受（例如）釋放蝕刻過 耘中及/或來自熱循環之機械應力的製程令。此等缺陷可 影響器件900之電性質及/或機械性質，， 之不當姓刻。在一些情況下，缺陷可導致器件 保开^層960密封針孔，藉此許可使用更傾向於形成針孔之 較薄介電層916c。如上文所論述’在一些實施例中，第一 保形層960相對較薄。 129706.doc -33- 200848360 圖10A說明類似於圖7D中所說明之實施例之干涉調變器 1000之陣列的部分頂部平面圖。干涉調變器1〇〇〇包含可變 形層1034、可移動反射層1〇14，及支撐柱插塞1〇42。圖 10A中亦說明形成於可變形層1〇34中之複數個蝕刻孔 1070。在一些實施例中，蝕刻孔1〇7〇許可在製造干涉調變 器1000之過程中氣相蝕刻劑與犧牲材料之間的接觸。將理 解，圖8A及圖9之實施例亦形成於可變形層中具有類似蝕 刻孔之MEMS器件之陣列的部分。圖8A及圖9中之蝕刻孔 不可見，此係由於橫截面係沿未與任何蝕刻孔相交之截面 所截取，例如，類似於圖1〇A之截面Α·Α。 圖10Β說明沿干涉調變器1〇〇〇之圖1〇Α的截面Β_Β所截取 的側面検截面。指示上文所描述之可變形層丨〇34、可移動 反射層1014，及蝕刻孔1〇7〇。干涉調變器1〇〇〇亦包含基板 1〇20及$成於其上之光學堆疊1()16，兩者均在上文較詳細 地描述。空腔1019係由光學堆疊1〇16及可變形層1〇34界 定。 3亦指不與蝕刻孔丨〇7〇直接相對之空腔1 〇 19内之基板或光 學堆豐上的位置1〇72。此等位置1〇72直接暴露至干涉調變 叩外。卩的％彡兄。凸塊1〇6〇定中心於每一此等位置1〇72處， 該凸塊1G6G在暴露至外部環境較多之區域（例如，較接近 领刻孔1_)中較厚’且在暴露至外部環境較少的區域（例 如，距姓刻孔1070較遠）中較薄。在戶斤說明之實施例中， 凸塊觸彼此隔離，從而形成不連續、非保形層。在其他 實加例中，凸塊合併，從而在光學堆疊⑻6上形成具 129706.doc -34- 200848360 有非均一厚度之大體上連續的非保形層。在其他實施例 中，非保形層1〇6〇包含連續特徵與隔離特徵。在所得空腔 1019中’由非保形層1060及介電層1016。之任何暴露區域 所界定的底部不與可移動反射層1014之下表面101鈍平 行。 在所說明之實施例中，可變形層1034及可移動反射層 ίο 14之暴露部分亦包含具有島狀物1060之材料之層。 在一些實施例中，凸塊之材料亦部分或完全安置於器件 1〇〇〇之其他部分上，例如，可移動反射層之下表面 l〇14a，及/或可變形層1034與可移動反射層1〇14之間的區 域。 圖11為參看圖8 A中所說明之實施例說明用於製造干涉調 變器之方法1100的實施例之流程圖。熟習此項技術者將理 解’方法1100亦適用於製造具有其他設計之干涉調變器及 MEMS器件，例如，圖9、圖10A及圖10B中所說明之實施 例。下文所描述之實施例類似於圖7A至圖7E中所說明之 實施例之製造所使用之方法，例如，如在美國專利公開案 第2004/0051929 A1號中所描述之方法。熟習此項技術者 將瞭解，下文所陳述之描述省略某些細節，例如，遮蔽、 圖案化、蝕刻步驟，及其類似步驟，其在此項技術中係熟 知的。如熟習此項技術者將顯而易見，額外結構（例如， 蝕刻擋板、剝離層（lift-off layer)，及其類似物）亦用於一 些實施例中。 在步驟11 10中，製造未經釋放的干涉調變器。在一此杏 129706.doc -35- 200848360 施例中，為了製造如圖8A中所說明之干涉調變器，在第一 乂驟中’將導電層816a、部分反射層816b、第一犧牲層 880，及反射層814連續沈積於基板82〇上以提供圖8B中所 說明之結構。接下來，遮蔽及蝕刻反射層814以形成可移 動反射層814，在其上形成第二犧牲層882，且遮蔽及蝕刻 所得結構以提供圖8C中所說明之結構。在所說明之實施例 中’姓刻產生延伸至基板820之開口 842a，及延伸至可移 動反射層814之開口 884。填充開口84仏以形成支撐插塞柱 842，且於該等支撐插塞柱842、第二犧牲層882，及可移 動反射層814之由開口 884所暴露之部分上沈積可變形層 834以提供圖8D中所說明的結構。 在製造圖9中所說明之實施例的過程中，除先前圖中所 列出的製程以外，在沈積第一犧牲層之前，於部分反射層 916b上形成介電層916c。 在步驟1120中，使用一或多種蝕刻化學品來蝕刻掉第一 犧牲層880及第二犧牲層882以形成空腔819，藉此釋放可 移動反射層814及可變形層834以提供圖8E中所說明之結 構。在步驟1120中的犧牲層之姓刻在本文亦稱為，，釋放蝕 刻丨丨。 在較“貝施例中刻劑為氣相I虫刻劑，且姓刻產物亦 處於氣相中。舉例而言，在一些較佳實施例中，蝕刻劑為 XeF2，其在環境溫度下為具有適當蒸氣壓的固體（在25它 下約3.8托，〇·5 kPa)。蒸氣相蝕刻劑經由蝕刻孔（如圖i〇a 及圖10B中說明為1070之餘刻孔）接觸犧牲層。 129706.doc -36- 200848360 熟習此項技術者將理解，6 匕3犧牲層之材料經結合器件 800之結構及/或非犧牲材料 十而^擇使仔犧牲材料在結構材 料上被選擇性地蝕刻。在佶用从& 在使用XeF2作為釋放蝕刻中之蝕刻 劑的實施射，犧牲材料包含以下各項中之至少一者： 矽、鍺、鈦、鍅、給、飢、# 鈕、鈮、鉬、鎢，及其混合 物、合金及組合，較佳地，4 m 鎢、矽、鍺，或矽/鉬。 在一些實施例中，犧牲層包含有 曰匕a虿抽：化合物，例如，諸如光

C 阻材料之聚合物。在-些實施例中，犧牲層包含單一層。 在其他實施例中’犧牲層包含複數個層。適當結構材料在 此項技術中已知。在餘刻密,|幻入γ 你掷幻d包s XeF2之情況下，適當結構 材料抵抗冰之㈣，且包括（例如）石夕石、氧化在呂、氧化 物氮化物聚s物、銘、錄，及其類似物。在圖8A中所 說明之實施例中’部分反射層816b包含在釋放蝕刻中被相 當不良地蝕刻的材料’例如，蝕刻劑為冰之情況下的 鉻。 在步驟1 130中，在圖8A中所說明之實施例中，於空腔 819中形成第-保形層86卜在較佳實施例中，藉由原子層工 沈=(ALD)來形成第一保形層86〇。⑽在$件綱之所^ 暴露表面上沈積一薄膜。因此，第一保形層86〇與第二保 形層8 6 2形成於同一製程中以提供圖8 a中所說明之結構。 A L D之實施例許可沈積具有高光學及/或電品質之薄膜。 簡言之，由ALD所沈積或生長之金屬之層《薄膜係經由 一表面與至少一第一前驅氣體及—第二反應氣體的脈衝之 間的連續反應而在某一時刻形成材料之一分子層。該第— 129706.doc -37- 200848360 前驅氣體為ALD沈積之材料之第一元素的來源，且該第二 反應氣體可為ALD沈積之材料之第二元素的來源，或可製 備由先如脈衝所留下的表面用於進一步反應。在典型製程 中，第一前驅氣體之脈衝接觸一包含官能基之表面，第一 前驅氣體與該等官能基反應（例如，化學吸附），藉此形成 包含第一元素之第一表面層。第一表面層相對於第一前驅 氣體為自我鈍化性的（self-passivating)。因此，過量第一 前驅氣體不與第一表面層反應（例如，化學吸附之層包括 防止超過單層之進一步化學吸附的配位體），且同樣，該 反應為自我限制的。接著通常淨化過量第一前驅氣體。接 著使第一表面層與第二反應氣體之脈衝接觸，第一表面層 與第一反應氣體反應以形成不會進一步與第二反應氣體反 應的第二表面層。因此，此步驟亦為自我限制。接著通 常淨化過量第二反應氣體、然而，第二表面層可與第一前

驅氣體反應。因此，連續地將該表面與第一前驅氣體及第 二反應氣體接觸許可使用者沈積具所要厚度之層。為了保 持沈積自我限制至每-循環少於—單層，#由暫態脈動及 甲化，或脈衝之間的過量反應物及副產物的移除來使反應 物保持分離。 〜 AW之實施例許可所沈積之層的厚度之精細控制，㈣ 由於δ亥層生長小於或等於每一 ’、 一八工昆 母，尤積楯1 展中所沈積之材料之 刀子層的厚度。舉例而言，A1 声。备 2 3之早層為約3至5 a :’在-些實施例中，在每一沈積猶環中生 子的子早層。ALD之實施例展現在所沈積之區域上的厚度 129706.doc -38- 200848360 …，例如’不大於約ι%的變化。-些實施例展現 =，之！ 的階梯覆蓋率（step eQverage)(sc)。所沈 積目之組合物可藉由不同反應物之週期性替代或添加而 控制、:從而許可分層及/或複合層的製造。a l d之實施例 於低溫下執行，例如，約8G至則。C，更典型地，約100至 400 C，且常常在低於約35〇t：T執行。 斤2上文所論述，在器件800為干涉調變器之實施例中， 第保形層之介電層860a及860b形成光學堆疊之介電結 I::此，在此等實施例令，第-保形層_包含具有： 當光學性質（例如，實質透明性）的材料。由於介電材料之 一些較佳實施例為氧化物（例如，二氧化石夕及/或氧化結）， 因此光學堆疊之介電質亦稱為，，光學氧化物，，。可藉由A L D 形成之適當光學氧化物在此項技術中已知，例如，氧化物 及/或虱化物，較佳地，二氧化矽、氧化鋁，或其組合。 用於藉由ALD沈積氧化鋁之適當條件在此項技術中已 δ將表面與銘源氣體之脈衝繼之以與氧源氣體 之脈衝接觸。在一些實施例中，氧化鋁係使用三甲基鋁 (丁ΜΑ)作為前驅氣體，且使用水（Η2〇)及臭氧（〇3)中之至少 者作為反應氣體而藉由ALD沈積。其他適當源氣體在此 項技術中已知。 在二氧化矽之ALD的過程中，將一表面與矽源氣體之脈 衝、、k之以與氧源氣體接觸。源氣體之適當組合包括三甲基 夕烧/、03/02，SiH2Cl2與 〇3 ; SiCl4與 H2〇2 ;及 CH3〇Si(NCO)3 與H2〇2。此項技術中已知之用於藉由ALD沈積si〇2的其他 129706.doc -39· 200848360 條件用於其他實施例中。 在-些實施例中，光學氧化物包含(例如)藉由催化性 吏用此項技術中已知之適當铭源氣體及石夕源氣體（例 如三曱基I呂（TMA)及三（第三丁氧基）錢醇）所沈積之保 形Si〇2/A12〇3層狀體或多層結構。

C 在器件並非光學調變器之實施例中(例如，為機電切換 型MEMS器件或其他電容性MEMS器件），帛_保形層無需 :、、、透月的因此，可基於此項技術中已知之其他特性(例 如界面黏著性、介電常數（例如，高k或低k材料）、沈積 之簡易性，及其類似特性）選擇第一保形層之組合物。 如上文所論述，圖8A中所說明之實施例包含對稱氧化物 結構，其具有在電極816(光學堆疊）及814(可移動反射層） 上之相等厚度之介電層_ 860b。包含對稱氧化物結構 之器件之實施例展現比不包含對稱氧化物結構的類似器件 (例如曰’圖7D中所說明之實施例’其中介電層為形成於光 學堆豐16上之單—層）小的偏移電壓。，,偏移電壓"為用於一 器件之滯後曲線(例如’如圖3中所說明)之實際中心與〇 V (其為用於理想器件之滯後曲線之中心）之間的差（或"偏移"）。 在-些實施例令，器件(22,圖2)補償一陣列令之干涉調變 器中之偏移。然而’在一些情況下’ 一陣列中之所有干涉 調變器之間的補償可能為不可能的。包含對稱氧化物結構 之干":周釔斋800之陣列的實施例展現偏移電壓之減小的 變化’藉此簡化或減小了對補償的需要。在一些較佳實例 中，偏移電壓為約0V，其在電容性MEMS器件中有優二 129706.doc -40- 200848360 在器件800為光學調變器之一些實施例中，可移動反射 層814之反射性由形成於860b上之保形層部分減小約5%，' 該值在許多應用中為可接受的值。 此外，關於圖8A至圖8E所說明之製程流程比用於製造 圖7D中所說明之干涉調變器的類似製程更有效，該干涉調 變裔包含在光學堆疊16中之介電層丨6 你 ° ^ c «而由於僅形成 未經圖案化之介電質860而節約至少一遮蔽步驟。 Γ 如上文所論述，在圖9中所說明之器件9〇〇之實施例中’ 第一保形層960比圖8中所說明之器件之第—保形層86〇 薄。在圖8之器件中，第一保形層86〇充當唯一光學介電 質。在圖9之器件之-些實施例中，第—保形層％。作為光 學介電系統中之一組件而補充介電層9丨6c。 在其他實施例中，步驟113〇中所形成之層並非保形層， “女圖1 〇B中所說明之凸塊或非保形層1 〇6〇。在一些較 仫貝施例中，藉由ALD形成島狀物或層1 。在一些實施 例中，（例如）藉由限制器件1()()()與第一前驅氣體及/或第二 α氣體之間的接觸而在達成保形性（飽和）之前中斷ALD 脈動’ It此藉由利肖空乏效應形成非保形層1〇6〇。舉例而 言，在凸塊或層1〇60*A12〇3之一些實施例中，使器件 與銘源氣體接觸，藉此在外表面上之#刻孔職附近 在时= 1000之表面1072上形成單層鋁源氣體。在移除過量 原氣體之後’接著使器件與氧源氣體接觸。氧源氣體首 先在夕數氣體可接近表面處（例如，在可變形層1034及可 移動反射層1〇1 4之暴露表面上）與銘源氣體單層反應，藉 I29706.doc 200848360 此形成Al2〇3層1062。靠近蝕刻孔1070之基板或光學堆疊 上之位置1072亦相對可接近，且因此，氧源氣體與鋁源單 層之間的反應形成為非保形八丨2〇3層或凸塊1〇6〇。氧源氣 體經控制使得（例如）藉由淨化及/或藉由抽空來使與空腔 1019之其他區域内之鋁源單層或子單層的反應得以減小及 /或可忽略。在其他實施例中，鋁源氣體被限制。 在一些實施例中，執行”非理想”ALD，其中ALD反應展 現”軟飽和”，藉此提供層1〇6〇之所要幾何形狀。舉例而 言，在一些實施例中，鋁源氣體在一表面上展現"軟飽和' 此意謂形成於表面上之單層初始並非均一，但隨時間推移 而變得均…因此，在一些實施例中，在鋁源氣體單層達 到均一性之前，使鋁源氣體單層與氧源氣體接觸。熟習此 項技術者將理解，非理想ALD可用於沈積其他類型之層。 舉例而言，矽源氣體在一些情況下亦展現軟飽和。熟習此 項技術者亦將理解，非理想ALD可應用於具有不同結構及/ 或幾何形狀的器件。 在圖8A中所說明之實施例中，第二保形層⑽覆蓋可變 形層834。由於在所說明之實施例中可變形層834亦載運電 信號，因此電接觸襯墊提供於可變形層834上，其亦在步 驟1130中潛在地由第二保形層覆蓋。在一些實施例中，： 步驟H30中在ALD之前遮蔽接觸襯墊。接著暴露接觸襯塾 以（例如）藉由剝離保護襯墊之遮罩來獲 適當光罩在此項技術中已知，例如，綠材料。 施例中’遮蔽整個可變形層834，且移除整個第二保形層 129706.doc -42- 200848360 862 〇 在—些實施例中，第二保形層如(圖8α)、層购(圖 10Β)，且尤其層962(圖9)足夠薄而使得習知接合方法（例 如，線接合或焊料接合)突破該層，從而足以許可接觸概 墊與導線之間的電耦接。 Γ 在二實知例中，使用任何適當蝕刻製程來蝕刻安置於 接觸襯墊上之第—保形層862的至少—部分。用於训2與 Ah〇3之適當蝕刻劑為HF(乾的（蒸氣）或濕的（含水的》。其 他適當㈣製程包括乾式_，例如，電漿㈣。遮蔽或 不遮蔽第二保形層862。在較佳實施例中，將蝕刻劑作為 液體組合物直接塗覆至接觸襯墊上之第二保形層862，藉 此僅蝕刻第二保形層862之所要部分。在一些實施例中， 藉由次潰或擦拭來將液體蝕刻組合物塗覆至第二保形層 862。在一些實施例中，在封裝器件8〇〇之後塗覆蝕刻劑， 且當接觸襯墊暴露於密封件外部時，由經密封之背板保護 MEMS器件之陣列不受|虫刻劑之損害。 在步驟1 140中，封裝干涉調變器（通常作為干涉調變器 之陣列中之一元件）。圖12 A中之橫截面中所說明之經封裝 的裔件1200之實施例包含形成於基板122〇上之干涉調變器 1212之一陣列1202。一背板1204定位於陣列1202上方。限 疋陣列1202之密封件1206在基板1220與背板1204之間延 伸’其一起界定將陣列1202封閉於其中的體積〗2〇8。在一 些貝施例中，將乾燥劑1290安置於體積1208中。圖12B為 移除背板之已封裝器件1200的俯視圖，其說明基板122〇、 129706.doc -43- 200848360 干涉調變mu之陣列12G2及密封件讓的例示性配置。 封裝之實施鄕護陣列12G2不受物理損壞。在—些實施例 中，封裝形成密封或半密封的密封件，其防止外來物質或 物件(例如，灰塵、水及/或水蒸氣)的進入。

Ο 材料之實例包括可自Vhex Systems(San J〇se，ca)購得的 複合薄膜。在一些實施例中，背板1204進一步包含加強 物，例如，纖維及/或織品，例如，玻璃、金屬、碳、 石朋、故奈米管’及其類似物。 、背板1204之實施例為部分或完全不透明、半透明及/或 透明的。在較佳實施例中，f板12Q4包含不產生揮發性化 合物或除去揮發性化合物的材料。較佳，背板12〇4實質上 :可渗透液態水及水蒸氣。在一些實施例中，背板i綱實 貝上不可參透空氣及/或其他氣體。用於背板1⑽之適當 材料匕括（例如）金屬、鋼、不鏽鋼、黃銅、鈦、鎂、鋁、 聚合物樹脂、S氧樹脂、聚醯胺、聚烯、聚酯、聚碾、聚 醚、聚碳酸酯、聚醚醯胺、&苯乙烯、聚胺基甲酸酯、聚 丙烯s夂酯、聚對二甲苯、陶冑、玻璃、矽石、氧化鋁，及 4 &物共來物、合金、複合物及/或組合。適當複合 在一些實施例中，背板1204實質上為剛性或可撓性的， 例如，諂或薄膜。在一些實施例中，在步驟丨44〇中組裝封 裝結構之前及/或期間，將背板1204變形成預定組態。熟 習此項技術者將理解，背板1204之厚度將視包括材料之性 貝及其形狀之因素而定。在一些實施例中，背板之厚度為 、、勺〇· 1 mm至約5 mm ’較佳地，約〇 2 mm至約2 mm。 129706.doc -44 - 200848360 在所說明之實施例令，密封件12〇6將背板l2〇4緊固至基 板1220。在一些實施例中，密封件㈣不會產生揮發性化 合物或除去揮發性化合物，例如，烴、酸、胺，及其類似 物。在一些實施射，㈣件12〇6部㈣或大體上不可渗 透液態水及/或水蒸氣，從而形成密封或半密封的密封 件在車又佳貝施例中，费封件1206包含與基板1220及背板 1204相容之一或多種黏著劑。該或該等黏著劑具有此項技 術中已知的適當任何類型，藉由任何適#方法塗覆或固 化。在-些實施例中，黏著劑中之一或多者為壓敏性的。 密封件1206包含任何適當材料，例如，聚合物樹脂、環 氧樹脂、㈣胺、聚烯、聚酿、聚砜、聚苯乙烯、聚胺基 甲t丙烯酸酯、氰基丙烯酸酯、丙稀酸環氧樹脂、 聚矽氧、橡膠、聚異丁烯、氯丁橡膠、聚異戊二烯、苯乙 烯-丁二烯、聚對二甲$、uv.可固化黏著劑、輻射可固 化黏著劑、光阻材#，及其摻合物、共聚物、合金及/或

C 複合物。 在-些實施例中，密封件小於約50陶厚，例如，約10 μηι至約30 μιη厚。在_此杳沪^ 予*些實施例中，密封件為約〇·5匪至 約5 mm寬，例如，約1随至約2 _。 在-些實施例中’步驟_中之封裝係在於步驟⑴〇中 形成第-保形層86G或96G之後執行，如圖Utf7所展示。在 其他實施例中’封裝步驟係在步驟112()中之釋放㈣之前 及在形成則層之前執行。咸信，在封裝之後形成ALD層 的過私中Θ層形成於在封裝過程期間所形成之殘留物 129706.doc -45- 200848360 (例如―，在固化黏著性密封件的過程中所形成的殘留物) 上，藉此減小源於此等殘留物之黏滯的分量。 在此等實施例中之-些實施例中，在兩個階段中形成密 封件1206。第-階段包含形成如圖12c中所說明包含一或 多個開口 12G6a之密封件12G6。該等開口 12_許可氣體或 蒸氣進入封裝1200,且藉此接觸干涉調變器1212，以及許 可氣體或蒸氣離開封裝12〇〇。在一些實施例中，開口 1206a亦許可使封裝之内部與外部之間壓力相等。在一些 實施例中，陣列12〇2包含未經釋放之干涉調變器（例如了 如圖8D中所說明）’其在步驟⑽中進行封襄，此後在步 驟1120中執行釋放蝕刻，其中蒸氣相蝕刻劑接觸干涉調變 裔1212，且蒸氣相蝕刻產物經由開口 1206a被移除。類似 地，在步驟1130中，處理氣體經由開口 n〇6a接近經釋放 之光學調變器’且經由其移除任何蒸氣相副產物。孰習此 項技術者將理解，在一些實施例中，在步驟112〇中之釋放 蝕刻之後且在步驟113〇中形成第一保形層之前，在步驟 1 1 40中（例如）使用圖丨2C中所說明之組態來封裝陣列 1202。 可藉由此項技術中已知的任何方式來形成開口 1施&。 舉例而/，在一些實施例中，密封件1206形成於基板122〇 及/或背板1204上’此後物理地（例如，機械加卫、研磨、 磨蚀喷石y、切割、鑽孔、穿孔、溶融、切除等）及/或化 學地（例如，蝕刻、溶解、燒除）移除密封件1206之一或多 個部分°在其他實施例中，開口 12G6a及密封件12〇6(例如） 129706.doc -46- 200848360 藉由圖案化而同時形成於基板1220及/或背板12〇4上。在 其他實施例中，密封件1206包含緊固至基板1220及/或背 板1204之預成型之組件，藉此形成開口 12〇6a。 在此等實施例中之一些實施例中，在干涉調變器丨2丨2之 . 製造完成之後（例如，在釋放蝕刻及ALD塗佈之後），使用 與密封件1206相同或不同的材料在第二階段中填充開口 1206a。在一些實施例中，將填充劑12〇61^大體上安置於開 f'' 口 i206a中以提供圖12D中所說明之結構。在其他實施例 中’填充劑1206b密封開口 1206a，但不填充開口 1206a， 例如’如圖12E中所說明，其中將填充劑i2〇6b安置於密封 件1206之周邊的至少一部分周圍。在其他實施例中，將填 充劑1206b安置於密封件1206之周邊之至少一部分周圍， 且至少部分地填充開口 12〇6a，例如，如圖12F中所說明。 可藉由任何適當方法應用填充劑12〇6b。在一些實施例 中’以未固化之狀態塗覆填充劑12〇6b，且（例如）藉由輻 照、熱固化、化學固化、uv輻照、電子束輻照、其組合 等等來於原地進行固化。舉例而言，在一些較佳實施例 中，填充劑1 206b包含未固化的聚合物。較佳地，以流體 狀悲（例如，作為液體、凝膠、糊狀物，或其類似物）塗覆 • 該未固化之聚合物。在其他實施例中，不對填充劑1206b 進行固化。舉例而言，在一些實施例中，填充劑包含熱可 收縮材料，例如，熱塑性塑料、聚烯烴、氟聚合物、聚氯 乙烯（PVC)、氯丁橡膠、聚矽氧彈性體、氟聚合物彈性體 (例如，Viton⑧），及其類似物。 129706.doc -47- 200848360

814a及/或部分反射層81讣上。在步驟丨13〇中，整個空腔 819，包括任何蝕刻殘留物，由第一保形層86〇覆蓋，藉此 消除了其對黏滞的作用。 咸信在圖9中所說明之器件以類似機制來提供減小的黏 ί， 在不受任何理論限制的情況下，咸信在⑽⑽器件（例 如，干涉調變器）之實施爿中所觀測到的黏滞之至少一部 分由在製造製程中形成或留下的殘留物或其他污染物(例 如，飿刻殘留物）而產生。咸信此等殘留物增加移動零件 之間的界面黏著性。舉例而言，在圖7D中所說明之實施例 中，咸信釋放㈣在空腔19中，且詳言之，在可移動反射 層14與光學堆疊16之間留下餘刻殘留物，藉此導致此等組 件之間的黏滞。相比之下，在圖8A至圖8E中所說明之實 %例中，釋放蝕刻丨丨2〇提供圖8E申所說明之經釋放的器件 8〇〇。黏滯減小殘留物可能留在可移動反射層之下表面 滯。亦咸信類似機制可操作於圖1〇B中所說明的包含大體 上連續的非保形層1060之器件中。 咸信操作於圖10B中所說明之器件1〇〇〇中的另一機制為 非保七層及/或凸塊1〇6〇減小介電層1〇丨6〇與可移動反射層 1 014之間的接觸面積，藉此減小黏滞。咸信不平坦或非平 仃表面展現減小的黏滯。圖10C說明處於致動位置中之器 牛1000，其中可移動反射層之邊緣1〇1仆接觸非保形層 60且可移動反射層1〇14大體上不接觸介電層1016e。 所侍空腔1019與圖10B中所說明之實施例之空腔1019相比 車乂小。在H 1GD中所說明之實施例中，可移動反射層1〇14 129706.doc -48- 200848360 在邊緣101 4b處接觸非保形層及/或凸塊1〇6〇。在所說明之 實施例中，可移動反射層1014彎曲，藉此使可移動反射層 之中央部分1014c與介電層1016c接觸。在所說明之位置 中，可移動反射層1014類似於在張力下的板片彈簧。同 • 樣，回復力傾向於推進可移動反射層1 01 4回到其平坦組 • 悲，例如，如圖1 〇c中所說明，藉此抵銷可移動反射層之 中央部分1014c與介電層1〇16(：之間的任何黏著力。 f ： 熟習此項技術者將理解，上文所描述之裝置及製造製程 之改又為可旎的，例如，添加及/或移除組件及/或步驟， 及/或改變其順序。此外，本文所描述之方法、結構及系 、、先可用於製造其他電子器件，包括其他類型之mems器件 (例如，其他類型之光學調變器）。 此外仏官以上詳細描述已展示、描述且指出了本發明 在應用於夕種實施例時之新穎特徵，但應理解，熟習此項 1者可在不月離本發明之精神的情況下對所說明之器件 I， <處理之形式及細節進行多種省略、替代及改變。如將認 线到可在不提供本文闡述之所有特徵及益處的形式下體 現本發明，此係因為一些特徵可與其他特徵分離地使用 實踐。 ^ 【圖式簡單說明】 圖1為描繪干涉調變器顯示器之一實施例之一部分的等 J視圖二其中第-干涉調變器之可移動反射層處於鬆弛位 ’且第二干涉調變器之可移動反射層處於致動位置。 圖2為。兄明併有3 x3干涉調變器顯示器之電子器件之—實 129706.doc -49- 200848360 施例的系統方塊圖。 圖3為圖丨之干涉調變器之一例示性實施例的可移動鏡面 位置對所施電壓之圖。

圖4為可用以驅動干涉調變器顯示器之一組列電壓及行 電壓的說明。 T 圖5Α說明圖2之3x3干涉調變器顯示器中之顯示資料之 一例示性圖框。 、 圖5Β說明可用以寫入圖5Α之圖框之列信號及行信號之 一例示性時序圖。 圖6Α及圖6Β為說明包含複數個干涉調變器之視覺顯示 器件之一實施例的系統方塊圖。 圖7Α為圖1之器件之橫截面。 圖7Β為干涉調變器之替代實施例之橫截面。 圖7C為干涉調變器之另一替代實施例之橫截面。 圖7D為干涉調變器之又一替代實施例之橫截面。 ) 圖7Ε為干涉調變器之額外替代實施例之橫截面。 圖8Α說明干涉調變器之一實施例之橫截面，該干涉調變 器包含一形成於其空腔中且在移動電極上的保形介電層。 圖8Β至圖8Ε說明用於製造圖8Α中所說明之干涉調變器之 方法的實施例之中間結構的橫截面。 圖9說明干涉調變器之另一實施例之橫截面’該干涉調 變益包含一形成於其空腔中的保形介電層。 圖10Α說明干涉調變器之另一實施例之俯視圖，該干涉 調變器包含-形成於其空腔中的非保形介電層。圖_說 129706.doc -50- 200848360

明圖1〇A中所說明之干涉調變器的橫截面。圖10C及圖10D 況明處於致動位置中的圖ι〇Α及圖〗0B中所說明之干涉調 變器的橫截面。 圖1 1為說明用於製造圖8A、圖9及圖10A中所說明之干 涉調變器之實施例的方法之實施例之流程圖。 圖2A況月已封裝干涉調變器之實施例的橫截面。圖 12B說明移除背板之已封裝干涉調變器的實施例之俯視 圖。圖12C說明密封件中具有開口之已封裳干涉調變器的 實施例之俯視圖。圖12D至圖12F說明密封件中之開口被填 充之圖12C的已封裝干涉調變器之實施例的俯視圖。 【主要元件符號說明】 12a 12b 14 14a 14b 16 16a 16b 18 19 20 21 22 干涉調變器 干涉調變器 金屬材料條帶/可移動反射層 活動反射層 ί； 活動反射層 光學堆叠 光學堆叠 光學堆疊 柱/支撐件 間隙/空腔 基板 處理器 陣列驅動器 129706.doc * 51 - 200848360

24 列驅動器電路 26 行驅動器電路 27 網路介面 28 圖框緩衝器 29 驅動器控制器 30 顯示器陣列/面板/顯示器 32 繫栓 34 可變形層 40 顯示器件 41 外殼 42 支撐柱插塞 43 天線 44 匯流排構造 45 揚聲器 46 麥克風 47 收發器 48 輸入器件 50 電源 52 調節硬體 800 干涉調變器 814 可移動反射層 814a 可移動反射層之下表面 816 光學堆疊 816a 導電層 129706.doc -52- 200848360 816b 部分反射層 819 間隙/空腔 820 基板 834 可變形層 834a 可變形層之内表面 834b 可變形層之外表面 842 支撐柱插塞 842a 開口 860 第一保形層 860a 第一保形層之部分/介電層 860b 第一保形層之部分/介電層 862 第二保形層 880 第一犧牲層 882 第二犧牲層 884 開口 900 干涉調變器 914 可移動反射層 916 光學堆疊 916a 導電層 916b 部分反射層 916c 主要介電層 919 空腔 920 基板 934 可變形層 129706.doc -53- 200848360 942 支撐柱插塞 960 第一保形層 960a 第一保形層之部分 960b 第一保形層之部分 962 第二保形層 1000 干涉調變器 1014 可移動反射層 1014a 可移動反射層之下表面 1014b 可移動反射層之邊緣 1014c 可移動反射層之中央部分 1016 光學堆疊 1016c 介電層 1019 空腔 1020 基板 1034 可變形層 1042 支撐柱插塞 1060 凸塊/非保形層/島狀物 1062 層 1070 1虫刻孔 1072 位置 1200 器件 1202 陣列 1204 背板 1206 密封件 129706.doc -54- 200848360 1206a 開口 1206b 填充劑 1208 體積 1212 干涉調變器 1220 基板 1290 乾燥劑 Γ' 129706.doc · 55 ·

Claims (1)

1. 200848360 十、申請專利範圍： 1 · 種用於形成一干涉調變器之方法，該方法包含： 在一干涉調變器中形成一空腔，其中 該空腔由一第一層及一第二層界定，且 該第二層可相對於該第一層移動；及 在形成該空腔之後，於該空腔内形成光學介電層之至 少部分。 2·如請求項1之方法，其中形成該光學介電層之至少部分 包含藉由原子層沈積形成一光學氧化物層之至少部分。 3·如請求項2之方法，其中形成該光學介電層之至少部分 包含形成Α12〇3與Si〇2中之至少一者。 4·如明求項2之方法，其中形成該光學介電層之至少部分 包含形成複數個子層。 5·如請求項1之方法，其中形成該光學介電層之至少部分 包含在一低於約350°C之溫度下形成該光學氧化物層之至 少部分。 6·如請求項1之方法，其中藉由原子層沈積形成該光學介 電層之至少部分包含在該空腔内形成一光學氧化物材料 之一第~保形層。 7·如請求項6之方法，其中形成於界定該空腔之該第一層 之一部分上之該第一保形層的厚度大體上等於形成於^ 定該空腔之該第二層之一部分上之該第一保形層的厚 度。 8.如請求項7之方法，其中形成於界定該空腔之該第— 層 129706.doc 200848360 f部分上之該第一保形層的厚度為約50 Α至約4〇〇 Α 〇 9· ^ °月求項1之方法，其中藉由原子層沈積形成該光學介 電y之至少部分包含在該第_層之至少一部分上形成一 光學氧化物材料之一非保形層。 1〇·;:求項i之方法，進—步包含在形成該空腔之後，於 3 = 一層之一表面上形成一光學介電材料之一層，其中 该第二層之該表面係在該空腔外部。 11·如請求们之方法，其中界定該空腔之該第一層包含一 介電材料。 12·如請求項11之方法’其中藉由原子層沈積形成介電層之 至^、崢分包含雄、封該介電材料中之至少一針孔。 13.如請求項"之方法’其中—光學介電系統之-總厚度， 其包括介電層之該至少部分及該介電材料的兩 約 l〇〇nm。 1 於 14·如請求们之方法’其中藉由原子層沈積形成介電層之 至）部分包含在-安置於該第—層上之製造殘 成一光學氧化物層之至少部分。 ’ 15.如請求们之方法，進一步包含藉由一方法 Γ:電層之至少部分之前封裝該干涉調變器，該方法包 該密封件包 形成一限定該干涉調變器之密封件，其中 含至少一開口；及 藉此封裝該干涉調變器 將一背板緊固至該密封件， 129706.doc 200848360 16. 17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. 24. 25. 如明求項15之方法’進-步包含在形成一光學介電層之 至少部分之後，填充該密封件中之該至少一開口。曰 一種藉由如請求項丨之方法形成的干涉調變器。 一種干涉調變器，其包含： 一第一層，其包含一部分反射器； 反射層，其可相對於該第一層移動； 一空腔’其由該第一層及該反射層界定；及 一保形介電層，其在該第一層及該反射層上形成於哆 空腔内。 、以 如請求項18之干涉調變器，進—步包含一㈣至該反射 層之可變形層。 如凊求項18之干涉調變器'，其中該保形介電層包含si〇2 與Ah〇3中之至少一者。 如請求項18之干涉調變器，其中該保形介電層之厚度為 至少約10 A。 如請求項21之干涉調變器，其中該保形介電層之厚度為 約50 A至約400 A。 如清求項1 8之干涉調變器，進一步包含一形成於該第一 層上的主要介電層。 一種顯不裔，其包含如請求項1 8之干涉調變器之一陣 列，其進一步包含： 岔封件，其限定該干涉調變器；及 月板，其緊固至該密封件。 一種裝置，其包含·· 129706.doc 200848360 顯7^ $ ’其包含如請求項24之微機電系統器件； 處理裔’其經組態以與該顯示器通信，該處理器經 組怨以處理影像資料；及 。己隐态件，其經組態以與該處理器通信。 • 26· 士 °月求項25之I置，it -步包含一經組態以將至少一信 號發送至該顯示器之驅動器電路。 士月求員26之裝置，進一步包含一經組態以將該影像資 f、 料之至少一部分發送至該驅動器電路之控制器。 28·如明求項25之裝置，進一步包含一經組態以將該影像資 料發送至該處理器之影像源模組。 29·如凊求項28之裝置，其中該影像源模組包含一接收器、 收發及傳輸器中之至少一者。 3 0·如巧求項25之裝置，進一步包含一經組態以接收輸入資 料並將该輸入資料傳送至該處理器之輸入器件。 3 1 · —種干涉調變器，其包含： 〇 一用於部分地反射光的構件； 用於致動泫干涉調變器且用於反射光的可移動構 件；及 一用於覆蓋該用於部分地反射光之構件及該可移動構 • 件之介電構件。 32· —種微機電系統器件，其包含： 一基板，其包含一第一面； 一可變形層，其包含一第一面及一第二面； 一大小可變之空腔，其包含由該基板之該第—面及該 129706.doc 200848360 可變形層之該第一面所界定的相對面； 該可變形層中之複數個開口； 與該可變形層中之該等開 予開口相對之該基板之該第_面 上的複數個位置；及 一形成於該基板之該第-面及該可變形層之該第— 面’以及該可變形層之該第二面之至少一部分上之該空 腔中的介電層。 二 33. 如請求項32之微機電系統器件，其中該介電層❹ 變形層中之該等開口相對之該基板之該第一面上的該複 數個位置上比在該基板之該第—面上的另一位置上厚。 34. 如請求項32之微機電系統器件，其中該介電層在該予空。 内之所有表面上大體上保形。 工工 如請求項32之微機電系統器件，進—步包含一安置於該 空腔中且緊固至該可變形層的可移動導體，其中 該可移動導體包含一靠近該基板之表面，且 ί 該介電層之-部分形成於該可移動導體之靠近該基板 的該表面上。 36. —種用於製造一微機電系統器件之方法，其包含. 在一第一電極上形成一犧牲層； 在δ亥犧牲層上形成一可變形層； 在該可變形層中形成複數個開口； 經由該可變形層中之該複數個開 J Y之至少—些開口 移除該犧牲層，藉此在該第一電極與該可變形層之間形 成一空腔；及 129706.doc 200848360 藉由原子層沈積在該空腔中沈 在移除該犧牲層之後 積一層。 37. 38. r托員36之方法’其中藉由原子層沈積在該空腔中沈 積一層包含沈積一包含八丨2〇3與以〇2中之至少一者之層。 月长員36之方法’其中藉由原子層沈積在該空腔中沈 積一層包含沈積一保形層。 39·如請求項36之方法，其中藉由原子層沈積在該空腔中沈

   積一層包含沈積一非保形層。 40·種藉由如請求項36之方法製造的微機電系統器件。 4 1 ·種製造一干涉調變器之方法，其包含： 在包έ 一部分反射為之第一層上形成一犧牲層； 在该犧牲層上形成一可移動反射層； 蝕刻掉該犧牲層，藉此形成一包含由該第一層及該可 移動鏡面界定之相對側的光學干擾空腔；及 藉由原子層沈積在該空腔中沈積一層。 42.如叫求項41之方法，其中蝕刻掉該犧牲層包含將該犧牲 層與XeF2接觸。 43 ·如明求項41之方法，其中形成一犧牲層包含形成一包含 銷、鍺、非晶矽中之至少一者之層。 月长項41之方法，其中形成一犧牲層包含形成一包含 複數個子層的層。 45·如請求項41之方法，進一步包含： 在該第一層上形成一包含至少一開口之密封件，其限 定該可移動反射層；及 129706.doc 200848360 將一背板緊固至該密封件， 其中該形成一密封件及緊固一背板係在將一層沈積於 該空腔中之前執行。 46. —種藉由如請求項41之方法製造的干涉調變器。 • 47· 一種用於減小一微機電系統器件中之黏滯之方法，其包 含： 在一微機電系統器件中，於一第一層與一第二層之間 界定一空腔，其中該第二層可相對於該第一層移動；及 在界定該空腔之後，藉由原子層沈積，於該空腔内形 成一黏滯減小層。 48.如請求項47之方法，其中藉由原子層沈積形成一黏滯減 小層包含藉由原子層沈積形成一包含八丨2〇3與Si〇2中之至 少一者的黏滯減小層。 49·如明求項47之方法’其中藉由原子層沈積形成一黏滞減 小層包含藉由原子層沈積形成一保形層。 Q 5〇· 一種藉由如請求項47之方法形成的微機電系統器件。 5 1 · —種用於形成一微機電系統器件之方法，其包含·· 為4被機電糸統器件在一第一層與一第二層之間界a 一空腔’其中該第二層可相對於該第一層移動；及 、 在界定該空腔之後，藉由原子層沈積，於該空腔内； 成一層。 又形 52·如請求項5丨之方法，其中該微機電系統器件為微機 統器件之一陣列中之一元件。 “系 53·如請求項51之方法，進一步包含在該第二層中形成複婁 129706.doc 200848360 個開口。 54. —種藉由如請求項5 1之方法製造的微機電系統器件。

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