TWI387780B - 用於製造使用去除處理技術之干涉裝置之方法、顯示面板及顯示裝置 - Google Patents

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    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
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    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements

Description

用於製造使用去除處理技術之干涉裝置之方法、顯示面板及顯示裝置
本發明之領域係關於微機電系統(MEMS)，其包括製造干涉裝置之領域。在某些實施例中，本發明係關於可用於擴大用於製造干涉裝置之可接受之材料及設施之數目的製造處理技術。
微機電系統(MEMS)包括微機械元件、致動器及電子元件。可使用沈積、蝕刻或其他微機械處理來製成微機械元件，該等處理蝕刻掉基板及/或沈積之材料層之部分或添加層以形成電裝置及機電裝置。一種類型MEMS裝置被稱作干涉調變器。如本文中之使用，術語干涉調變器或干涉光調變器係指使用光學干涉原理而選擇性地吸收及/或反射光之裝置。在某些實施例中，干涉調變器可包含一對導電板，該對導電板中之一者或兩者之整體或部分可為透明及/或反射性的，且可經由施加適當之電訊號而相對移動。在特定實施例中，一塊可包含沈積於基板上之固定層，且另一塊可包含一金屬膜，由空氣隙將其與該固定層隔離。如本文更詳細之描述，一塊相對於另一塊之定位可改變入射於干涉光調變器上之光的光學干涉。該等裝置具有廣泛應用，且其在此項技術中將有利地利用及/或修改此等類型裝置之特性，使得在改良現有產品及製造未經開發之新產品的過程中可發揮其特徵。
本文所描述之系統、方法及裝置中之每一者具有若干態樣，其單一態樣並非形成其所需屬性之主要原因。在不限制本發明之範疇的情況下，現將簡要論述其更主要特徵。在考慮到該論述之後，且尤其在閱讀題為“實施方式”之部分後，將理解本文所述之各種實施例如何提供超出其他方法及顯示裝置之優點。
一實施例提供製造干涉調變器之方法，其包括使用至少一第一圖案化製造製程在透明基板上形成一光學堆疊並在該基板上形成支撐結構。在該實施例中，該方法亦包括使用至少一第二圖案化製造處理在光學堆疊及支撐結構上形成一上部鏡面層，其中由光學堆疊、支撐結構及上部鏡面層之至少一個表面形成空腔，其中將上部鏡面層之一部分移入空腔內以可控制及可預測之方式改變自基板之表面感知之光學特性，且其中第一及第二製造製程中之至少一者包括去除處理。另一實施例提供由該方法製成之干涉調變器。
另一實施例提供製成干涉調變器之方法，其包括在一基板上形成去除模板並在去除模板上及該基板上沈積第一材料層。在該實施例中，方法進一步包括在第一材料層上沈積第二材料層及移除去除模板以藉此形成包含第一材料層上之第二材料層的圖案化區域。另一實施例提供由該方法製成之干涉調變器。
另一實施例提供製造干涉調變器之陣列的方法，其包括使用去除模板在一基板上形成複數個正圖案化光學堆疊及複數個負圖案化柱區域，並在該等負圖案化柱區域中形成複數個柱結構。另一實施例提供由該方法製成之干涉調變器之陣列。
另一實施例提供一種製成顯示裝置之方法，其包括沈積一第一鏡面層，在該第一鏡面層上沈積一犧牲層及在該犧牲層上沈積一去除模板。在該實施例中，該方法進一步包括在該去除模板上沈積一第二鏡面層並移除該去除模板，藉此形成該第二鏡面層之一圖案化區域並曝露該犧牲層之一部分。另一實施例提供由該方法製成之顯示裝置。
另一實施例提供包括由上述方法製成之干涉調變器之陣列的顯示面板。另一實施例提供一顯示裝置，其包括該顯示面板，且其亦包括與顯示面板具有電聯繫之處理器，該處理器經組態以處理影像資料及與該處理器具有電聯繫之記憶體裝置。
下文更加詳細描述此等及其它實施例。
以下詳細描述針對本發明之某些特殊實施例。然而，可以衆多不同方式體現本發明。在該描述中，以圖式作為參考，圖式中相同部分始終以相同數字表示。如自以下描述將明顯的，可在經組態以顯示影像之任何裝置中建構實施例，無論影像為運動的(例如視訊)或靜態的(例如靜止影像)，且無論為文字的或圖示的。更特定言之，其涵蓋：實施例建構於各種電子裝置中或與各種電子裝置相關聯，該等電子裝置諸如(但不限於)行動電話、無線裝置、個人資料助理(PDA)、掌上型或攜帶型電腦、GPS接收器/導航儀、相機、MP3播放器、攝像機、遊戲控制臺、腕表、鐘錶、計算器、電視監視器、平板顯示器、電腦螢幕、汽車顯示器(例如里程表顯示器等)、座艙控制器及/或顯示器、相機觀看之顯示器(例如車輛中之後視相機之顯示器)、電子攝影、電子佈告或廣告牌、投影儀、建築結構、包裝及美學結構(例如一塊珠寶上之影像顯示)。類似於本文所述之彼等結構之MEMS裝置亦可用於諸如電子開關裝置中之非顯示應用中。
較佳實施例涉及對製造干涉調變器施加去除處理方法。
圖1中說明包含干涉性MEMS顯示元件之一干涉調變器顯示器實施例。在此等裝置中，圖元處於亮或暗狀態。在亮("on"或"open")狀態中，顯示元件將入射可見光之大部分反射向使用者。當處於黑暗("off"或"closed")狀態下時，該顯示元件將微量之入射可見光反射向使用者。視實施例而定，"開"及"關"狀態之光反射特性可發生顛倒。MEMS圖元可經組態以主要以選定之色彩發射，其允許除黑色及白色之外的色彩顯示。
圖1係描繪在視覺顯示器之一連串圖元中之兩個相鄰圖元的等角視圖，其中每一圖元包含一MEMS干涉調變器。在一些實施例中，干涉調變器顯示器包含此等干涉調變器之列/行陣列。每一干涉調變器包括一對反射層，其位於彼此可變及可控之距離處以形成具有至少一可變尺寸之光學諧振腔。在一實施例中，反射層之一可在兩個位置之間移動。在第一位置處(本文中稱作放鬆位置)，可移動之反射層位元於距固定之部分反射層相對大之距離處。在第二位置處(本文中被稱為驅動位置)，可移動之反射層位於較鄰近該部分反射層處。自兩個層反射之入射建構性地或破壞性地干涉，其視可移動之反射層之位置而定，從而為每一圖元產生全反射或非反射狀態。
圖1中之圖元陣列之所描繪之部分包括兩個相鄰的干涉調變器12a及12b。在左邊之干涉調變器12a處，可移動之反射層14a經說明成位於一距光學堆疊16a一預定距離之放鬆位置處，其包括一部分反射層。在右邊之干涉調變器12b處，可移動之反射層14b經說明成位於鄰近該光學堆疊16b之一致動位置處。
如本文所參考之光學堆疊16a及16b(統稱為光學堆疊16)，通常包含若干融合層，該等融合層可包括諸如氧化銦錫(ITO)之電極層，諸如鉻之部分反射層及透明電介質。光學堆疊16可因而係導電的、部分透明的及部分反射性的，且其可藉由(例如)在透明基板20上沈積一或多個上述層而製成。在一些實施例中，如以下進一步描述，該等層經圖案化為平行條紋，且其可在顯示裝置中形成列電極。可移動之反射層14a、14b可形成為沈積於柱18之頂部上之經沈積之金屬層(單一層或多層)及沈積於柱18之間之介入犧牲材料的一連串平行條紋(與16a、16b之列電極正交)。當蝕刻掉犧牲材料時，藉由所界定之間隙19而分離可移動之反射層14a、14b與光學堆疊16a、16b。諸如鋁之高度導電及反射材料可用於反射層14，且此等條紋可形成顯示裝置中之行電極。
如圖1中之圖元12a所說明的，在無施加電壓之情況下，空腔19仍保持在可移動之反射層14a與光學堆疊16a之間，且可移動之反射層14a處於機械放鬆狀態。然而，當將電位差施加至選定之列及行時，形成於對應圖元處之列及行電極層之交叉處之電容器變為帶電的，且靜電力將電極層拉在一起。若電壓足夠高，則可移動之反射層14發生變形且被迫與光學堆疊16相抵。如圖1中右邊之圖元12b所說明的，光學堆疊16內之介電層(該圖中未示)可防止短路並控制層14與16之間的分離距離。不管所施加之電位差之極性為何，行為皆相同。以此方式，可控制反射性對非反射性圖元狀態之列/行致動與用於習知之LCD及其它顯示技術相比在許多方式上係類似的。
圖2至5B說明在顯示應用中使用干涉調變器之陣列的一例示性製程及系統。
圖2係說明可併入本發明之態樣之一電子裝置的一實施例之系統方塊圖。在該例示性實施例中，該電子裝置包括處理器21，其可為任何通用單晶片或多晶片微處理器，諸如ARM、Pentium、Pentium II、Pentium III、Pentium IV、PentiumPro、8051、MIPS、Power PC、ALPHA，或任何特殊用途微處理器，諸如數位訊號處理器、微控制器，或可程式化閘陣列。如此項技術中習知的，處理器21可經組態以執行一或多個軟體模組。除了執行操作系統之外，處理器可經組態以執行一或多個軟體應用，其包括網路瀏覽器、電話應用、電子郵件程式或任何其他軟體應用。
在一實施例中，處理器21亦可經組態以與陣列驅動器22通訊。在一實施例中，該陣列驅動器22包括列驅動器電路24及行驅動器電路26，其將訊號提供至顯示陣列或面板30。由圖2中線1－1展示圖1中所說明之陣列之橫截面。對於MEMS干涉調變器而言，列/行致動協定可利用圖3中所說明之此等裝置的滯後特性。其可需要(例如)10伏電位差以使可移動之層自放鬆狀態變形為致動狀態。然而，當電壓自彼值降低時，如電壓降回10伏以下時，可移動之層仍保持其狀態。在圖3之例示性實施例中，直到電壓降至2伏以下，可移動之層才完全放鬆。因此具有一電壓範圍，在圖3所說明之實例中，電壓範圍為約3至7 V，其中存在一施加電壓之視窗，在該視窗內裝置穩定於放鬆狀態或致動狀態。本文中將此稱作"滯後視窗"或"穩定視窗"。對於圖3之具有滯後特性之顯示陣列而言，列/行致動協定可經設計使得在列選通期間，待致動之選通之列中的圖元經曝露至約10伏之電壓差，且待放鬆之圖元經曝露至近零伏之電壓差。選通後，圖元經曝露至約5伏之穩態電壓差，使得其保持在列選通放置其的任何狀態。寫入後，在該實例中，每一圖元觀察到3－7伏之"穩定視窗"內的電位差。該特徵使得圖1中所說明之圖元設計在相同的施加電壓下穩定於致動狀態或放鬆之預存狀態。因為無論在驅動狀態還是在放鬆狀態中，干涉調變器之每一圖元實質為由固定及移動之反射層形成的電容器，所以該穩定狀態可固持於滯後視窗內之一電壓處而幾乎無功率耗散。實質上若所施加之電位為固定的，則無電流流入圖元中。
在典型應用中，圖框可藉由根據第一列中所需之致動圖元組來確定行電極組而產生顯示圖框。接著將一列脈衝施加至列1電極，致動對應於所確定之行線的圖元。接著改變所確定之行電極組以對應於第二列中所需之致動圖元組。接著將一脈衝施加至列2電極，根據所確定之行電極層而致動列2中之適當圖元。列1圖元不受列2脈衝影響，且其保持於列1脈衝期間其被設定之狀態。對於列之整級數，整串之列可以連續方式如此重複以產生圖框。一般而言，藉由以每秒若干所需數目之圖框來連續重複此過程而以新的顯示資料刷新及/或更新圖框。用於驅動圖元陣列之列及行電極以產生顯示圖框之多種協定亦已熟知且可結合本發明而使用。
圖4、圖5A及圖5B說明在圖2之3×3陣列上產生顯示圖框之一可能的致動協定。圖4說明可用於圖元以展示圖3之滯後曲線的行及列電壓位準之可能的組。在圖4實施例中，致動圖元涉及將適當之行設定為－Vb i a s 並將適當之列設定為＋△V，其可分別對應於－5伏及＋5伏，藉由將適當之行設定為＋Vb i a s 及將適當之列設定為相同的＋△V而實現放鬆圖元，其產生越過圖元之零伏電位元差。不管行處於＋Vb i a s 或－Vb i a s ，在列電壓被固持在零伏之彼等列中，圖元穩定於其最初所處的任何狀態。亦如圖4中所說明的，應瞭解，可使用具有與上文所述之極性相對之極性的電壓，例如致動一圖元可涉及將適當之行設定為＋Vb i a s ，且將適當之列設定為－△V。在該實施例中，藉由將適當之行設定為－Vb i a s 並將適當之列設定為相同的－△V而實現釋放圖元，其產生越過圖元之0伏電位元差。
圖5B係展示施加至圖2之3×3陣列之一連串列及行訊號(其將導致圖5A中所說明之顯示配置)的時序圖，其中致動圖元為非反射性的。在寫入圖5A中所說明之圖框之前，該等圖元可處於任何狀態，且在該實例中，所有列皆為0伏，且所有行皆為＋5伏。藉由此等所施加之電壓，所有圖元皆穩定於其現有之致動或放鬆狀態。
在圖5A之圖框中，圖元(1,1)、(1,2)、(2,2)、(3,2)及(3,3)被致動。為達到此目的，在列1之"線時間"期間，行1及2被設定為－5伏，且行3被設定為＋5伏。此不改變任何圖元之狀態，因為所有圖元皆保持在3－7伏穩定視窗中。接著使用自0伏上升至5伏並返回至零伏的脈衝而選通列1。此致動(1,1)及(1,2)圖元並放鬆(1,3)圖元。陣列中無其他圖元受到影響。為將列2設定為所需，行2被設定為－5伏，且行1及3被設定為＋5伏特。接著施加至列2之相同的選通將致動圖元(2,2)並放鬆圖元(2,1)及(2,3)。仍無陣列之其他圖元受到影響。藉由將行2及行3設定為－5伏並將行1設定為＋5伏而以類似的方式設定列3。列3選通將列3圖元設定為如圖5A中所示。寫入圖框後，列電位為零，且行電位可保持在＋5或－5伏，且接著顯示穩定於圖5A之配置中。應瞭解，相同的程式可用於數打或數百列及行之陣列。亦應瞭解，用於執行列及行致動之時序、序列及電壓位準可在上述一般原理之範圍內廣泛變化，且以上實例僅為例示性的，且任何致動電壓方法可與本文中所述之系統及方法一起使用。
圖6A及6B係說明顯示裝置40之實施例的系統方塊圖。顯示裝置40可為(例如)蜂巢式電話或行動電話。然而，顯示裝置40之相同組件及其細微變化亦可為說明性之各種類型的顯示裝置(諸如電視及攜帶型媒體播放器)。
顯示裝置40包括外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器44、輸入裝置48及麥克風46。一般由此項技術者熟知之任何各種製造方法(包括射出成形及真空成形)形成該外殼41。此外，可由任何各種材料製成該外殼41，其包括(但不限於)塑膠、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合。在一實施例中，該外殼41包括可移除之部分(未圖示)，其可與不同色彩之其他可移除之部分進行交換，或含有不同標誌、圖片或符號。
如本文中述，例示性顯示裝置40之顯示器30可為任何各種顯示器，包括雙穩態顯示器。在其他實施例中，如此項技術者所熟知的，顯示器30包括諸如上述之電漿、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD之平板顯示器或諸如CRT或其他電子管裝置之非平板顯示器。然而，出於描述本實施例之目的，顯示器30包括如本文所述之干涉調變器顯示器。
圖6B中示意性說明例示性顯示裝置40之一實施例之組件。所說明之例示性顯示裝置40包括外殼41且可包括至少部分封裝於其中之其他組件。舉例說明，在一實施例中，例示性顯示裝置40包括網路介面27，其包括耦接至收發器47之天線43。收發器47連接至處理器21，處理器21連接至調節硬體52。調節硬體52可經組態以調節訊號(例如過濾訊號)。調節硬體52連接至揚聲器45及麥克風46。處理器21亦連接至輸入裝置48及驅動控制器29。該驅動控制器29耦接至圖框緩衝器28及陣列驅動器22，其接著耦接至顯示陣列30。如特定例示性顯示裝置40之設計所需要的，電源50向所有組件提供電能。
網路介面27包括天線43及收發器47，使得例示性顯示裝置40可經由網路與一或多個裝置通訊。在一實施例中，網路介面27亦可具有一些處理能力以減輕處理器21之需求。天線43為熟習該項技術者已知之用於傳輸及接收訊號之任何天線。在一實施例中，天線根據IEEE 802.11標準(包括IEEE 802.11(a)、(b)或(g))而傳輸並接收RF訊號。在另一實施例中，天線根據BLUETOOTH標準而傳輸並接收RF訊號。在蜂巢式電話之情形下，天線經設計以接收CDMA、GSM、AMPS或用於在無線行動電話網路內通訊之其他已知訊號。收發器47預先處理自天線43接收之訊號，使得其可由處理器21將其接收並進一步操縱。收發器47亦處理自處理器21接收之訊號，使得可自例示性顯示裝置40經由天線43將其傳輸。
在替代性實施例中，收發器47可被接收器取代。在另一替代性實施例中，網路介面27可被影像源取代，其可儲存或產生待發送至處理器21之影像資料。舉例說明，影像源可為含有影像資料之數位元視訊光碟(DVD)或硬碟機或產生影像資料之軟體模組。
處理器21一般控制例示性顯示裝置40之全部操作。處理器21接收諸如來自網路介面27或影像源之壓縮之影像資料的資料，並將資料處理為原始影像資料或處理為易於經處理為原始影像資料之格式。處理器21接著將經處理之資料發送至驅動控制器29或發送至圖框緩衝器28以用於儲存。原始資料通常係指在影像之每一位置處識別影像特徵的資訊。舉例而言，該等影像特徵可包括色彩、飽和度及灰階水平。
在一實施例中，處理器21包括微控制器、CPU或邏輯單元以控制例示性顯示裝置40之操作。調節硬體52一般包括放大器及濾波器以用於將訊號傳輸至揚聲器45，並用於接收來自麥克風46之訊號。調節硬體52可為例示性顯示裝置40內或可併入處理器21內之離散組件或其他組件。
驅動器控制器29直接自處理器21或自圖框緩衝器28取得由處理器21產生之原始影像資料，適當地重新格式化該原始影像資料以高速傳輸至陣列驅動器22。特定言之，驅動器控制器29將原始影像資料重新格式化為具有類光柵格式之資料流，使得其具有適用於掃描整個顯示陣列30之時間次序。接著驅動控制器29將經格式化之資訊發送至陣列驅動器22。儘管諸如LCD控制器之驅動控制器29通常與系統處理器21相關聯而作為孤立的積體電路(IC)，但可以許多方式建構該等控制器。其可嵌入處理器21中作為硬體，嵌入處理器21中作為軟體或與陣列驅動器22一起完全整合於硬體中。
通常，陣列驅動器22接收來自驅動控制器29之經格式化之資訊並將視訊資料重新格式化為並列之波形組，每秒多次將其施加至來自顯示器之x－y圖元矩陣的數百及有時數千之導線。
在一實施例中，驅動控制器29、陣列驅動器22及顯示陣列30適合於本文所述之任何類型顯示器。舉例而言，在一實施例中，驅動控制器29為習知之顯示控制器或雙穩態顯示控制器(例如干涉調變器控制器)。在另一實施例中，陣列驅動器22為習知之驅動器或雙穩態顯示驅動器(例如干涉調變器顯示器)。在一實施例中，驅動控制器29與陣列驅動器22整合。該實施例在諸如蜂巢式電話、手錶及其它小面積顯示器之高度整合系統中係普遍的。在另一實施例中，顯示陣列30為一典型之顯示陣列或雙穩態顯示陣列(例如包括干涉調變器之陣列之顯示器)。
輸入裝置48允許使用者控制例示性顯示裝置40之操作。在一實施例中，輸入裝置48包括諸如標準傳統(QWERTY)鍵盤鍵區或電話鍵區之鍵區、按鈕、開關、觸摸敏感螢幕、壓力敏感或熱敏感膜。在一實施例中，麥克風46為用於例示性顯示裝置40之輸入裝置。當麥克風46用於向裝置輸入資料時，可由使用者提供聲音指令以用於控制例示性顯示裝置40之操作。
電源50可包括如此項技術中熟知之各種能量儲存裝置。舉例而言，在一實施例中，電源50為諸如鎳隔電池或鋰離子電池之可再充電電池。在另一實施例中，電源50為可再生能源、電容器或包括塑膠太陽能電池及太陽能電池塗料之太陽能電池。在另一實施例中，電源50經組態以接收來自壁裝電源插座之能量。
在一些實施例中，如以上所述之控制可程式能力駐於驅動器控制器中，該驅動器控制器可位於電子顯示系統中之幾處位置處。在一些情況下，控制可程式能力駐於陣列驅動器22中。熟習該項技術者將認識到：上述最優化可經建構於任何數目之硬體及/或軟體組件中且可具有各種構型。
根據上述原理而操作之干涉調變器之結構之詳細說明可具有廣泛變化。舉例而言，圖7A－7E說明可移動之反射層14及其支撐結構之五個不同實施例。圖7A係圖1之實施例之橫截面，其中金屬材料14之條紋沈積於正交延伸的支撐物18上。在圖7B中，可移動之反射層14可僅在繫鏈32之拐角處附接至支撐物。在圖7C中，可移動之反射層14自可包含可撓性金屬之可變形層34懸置。可變形層34直接地或間接地連接至圍繞可變形層34之周邊的基板20。此等連接在本文中被稱作支撐柱。圖7D中所說明之實施例具有支撐柱插件42，其上置有可變形層34。如圖7A－7C中，可移動之反射層14在空腔上方保持懸置，但藉由填充可變形層34與光學堆疊16之間的孔，可變形層34不會形成支撐柱。而且，支撐柱由用於形成柱插件42之平坦化材料構成。圖7E中所說明之實施例係基於圖7D中所示之實施例，但其亦可經調適以與圖7A－7C中所說明之任何實施例及未圖示之其他實施例一起運作。在圖7E中所示之實施例中，金屬或其他導電材料之額外層已用於形成匯流排結構44。此允許訊號沿著干涉調變器之背面進行路徑選擇，從而消除在其他情況下必須形成於基板20上之一定數目之電極層。
在諸如圖7中所示之實施例中，干涉調變器充當直觀式裝置，其中自透明基板20之正面觀看影像，該側與其上配置有調變器之側相對。在此等實施例中，反射層14在以光學方式遮罩與基板20相對之反射層側(包括可變形層34)的干涉調變器之某些部分。此允許此等遮罩之區域在不對影像品質產生負面影響之情況下經組態及操作。該遮罩允許圖7E中之匯流排結構44，其提供分離調變器之光學特性與調變器之機電特性的能力，諸如定址及由位址產生之移動。該可分離之調變器架構允許選擇用於調變器之機電態樣及光學態樣的結構設計及材料並彼此獨立起作用。此外，圖7C－7E中所示之實施例自其機械性質而言具有得自反射層14之光學特性之去耦的額外益處，由可變形層34實現此去耦。此允許用於反射層14之結構設計及材料可關於光學特性而經最佳化，且用於可變形層34之結構設計及材料可關於所需機械特性而經最優化。
值得注意，當干涉調變器(諸如干涉調變器12a及12b)通常為光學裝置時，工業上在其製造過程中使用一般的半導體製造技術。因此，對於許多材料移除技術而言，某些所需之金屬或其他材料層可認為係"外來物"，其通常對應於許多外來物或至少不同之化學物品之使用。在一些情形下，對應於一或多個所需之外來物或其他材料而引入新的移除化學物品可在製造製程中引起負面之連鎖反應，或僅在許多半導體製造設施中為不可用。
因此，本揭示之實施例包括使用去除處理技術而製造干涉裝置之方法。術語"去除處理"包括其廣泛普通及習慣的意義，包括導致基板表面上之圖案之界定(無需蝕刻材料以保持在產品中)的製造製程，如通常可用於圖案化諸如黃金之難以蝕刻之材料的幾何形態。在去除處理中，將材料沈積於經圖案化之基底材料(諸如光阻)上且接著藉由溶解基底材料而在選定之區域將其去除。在去除處理期間所形成之經圖案化之基底材料在本文中可被稱作去除圖案或去除模板。
根據一實施例，在干涉調變器之各種層(諸如圖1層之光學堆疊16a、16b及/或干涉調變器12a及12b之可移動之層14a、14b)之製造中使用去除處理有利地避免與材料之沈積及圖案界定相關聯之個別化之化學物品，其中該等材料與其每一層相關聯。使用去除處理亦可減少製造步驟之數目，藉此通常在成本及製造複雜性方面創造效率。此外，在選擇可用於製造干涉調變器之材料與設施方面，使用去除處理可允許較大的撓性。
圖8說明用於製造干涉調變器(諸如圖1之干涉調變器12a及12b)之至少一部分之製造製程200的例示性流程圖。如圖8中所示，製造製程200包括區塊202，其中在可自多個供應商購得之較佳的清潔透明基板組件上形成去除圖案。在所說明之實施例中基板為玻璃，但亦可使用諸如塑膠之其他基板。在一實施例中，藉由沈積諸如聚醯亞胺釋放層(PiRL)之第一去除材料(其可為光可圖案化或非光可圖案化的)而形成去除圖案。接著使用光阻覆蓋所沈積之第一去除材料。光阻提供圖案幾何形態，且因此圖案化第一去除材料及光阻以形成去除模板。使用藉由使用額外的光阻層而圖案化之PiRL層的處理技術可自(例如)Brewer Science,Inc.of Rolla,MO購得。然而，熟習此項技術者將自本文之揭示內容而認識到：可使用其他去除材料。舉例而言，使用可圖案化之去除材料(諸如可自Futurex Corporation購得的材料)之單一層可有利地形成去除圖案。去除模板之厚度較佳大於隨後沈積於去除模板上之層之厚度，以有助於溶劑進入及隨後移除去除模板。舉例而言，在一些實施例中，去除模板之厚度在約1,500至約50,000之範圍內，且在某些實施例中其可在約20,000至約30,000之範圍內。
製造製程200亦包括區塊204，其中形成光學堆疊層。在一實施例中，藉由在基板組件上及去除模板上沈積一或多個材料層而形成光學堆疊層。去除處理可用於在光學堆疊中獨立形成每一個別層，或較佳可用於在光學堆疊內形成多個層。舉例而言，在所說明之實施例中，光學堆疊包括導體層、較低鏡面金屬層及介電層。可在光學堆疊上沈積其他材料層。舉例而言，在所說明之實施例中，犧牲層沈積於光學堆疊上且隨後與光學堆疊一起經受去除處理。在全部堆疊中之每一層之厚度(例如光學堆疊層及犧牲層)可彼此間相同或(如以下說明)不同。
在一實施例中，導體層為大體透明的材料，較佳包含氧化銦錫(ITO)。通常藉由考慮顯示器中之列之導電率規格、材料之光學傳輸品質等而選擇透明導體層之厚度。在較佳之實施例中，透明導體層之厚度在約200埃()至約1000之範圍內。舉例而言，在所說明之實施例中，透明導體層具有約500之厚度。熟習此項技術者將自本文之揭示內容而認識到：其他材料可有利地用於製造包括氧化鋅之導體層。
在一實施例中，下部鏡面金屬層包含鉻(Cr)層。通常藉由考慮材料之光學透明度或其他光學特徵而選擇下部鏡面層之厚度。因此，在較佳之實施例中，鏡面層之厚度為使其呈現出部分透射性的，較佳在約30至約150之範圍內。舉例而言，在所說明之實施例中，鏡面層具有約70之厚度。因此，在該實施例中，ITO透明導體層具有大於鉻鏡面層之厚度(約70)之厚度(約500)。熟習此項技術者將自本文之揭示內容認識到：下部鏡面金屬層可包含除了Cr之外或代替Cr之其他材料，其包括鉬(Mo)、鈦(Ti)及/或鎢(W)。
在一實施例中，介電層包含二氧化矽(SiO2 )層。通常藉由考慮偏向位置處調變器之所需色彩而選擇介電層之厚度。因此，在一較佳實施例中，介電層之厚度在約100至約2,500之範圍內。舉例而言，在所說明之實施例中，介電層具有約700之厚度。熟習此項技術者將自本文之揭示內容而認識到：介電層可包括多個子層，在此情況下其可被稱作介電質堆疊。介電層可包括諸如氮化矽(SiN)、氧化鋁(Al2 O3 )及氧化矽(SiOx )之各種介電材料，其單一形式或其組合(例如在子層中)。
在所說明之實施例中犧牲層包含鉬(Mo)層。如下文之論述，通常藉由考慮未致動位置處調變器之所需色彩，並藉由考慮用於移除犧牲層(例如乾式蝕刻)之製造製程而選擇犧牲層之厚度。在一較佳實施例中，犧牲層之厚度在約400至約6,000之範圍內。舉例而言，在所說明之實施例中，犧牲層具有約2,000之厚度。熟習此項技術者將自本文之揭示內容認識到：犧牲層可包括(除了鉬之外或取代鉬)諸如矽(Si)、鈦(Ti)、鎢(W)及鍺(G)之一或多個其他易於移除之材料。
熟習此項技術者將自本文之揭示內容而認識到：至少部分出於上述光學堆疊層黏著至大體透明之基板起見及/或鑒於在形成去除圖案之後剩餘碎片之電位而可選擇上述光學堆疊層中之一些或所有光學堆疊層。此外，光學堆疊層可有利地選自大體上不對有機去除結構產生負面影響之溫度下沈積的材料。舉例而言，在一實施例中，光學堆疊之材料可在約250℃或更低溫度下沈積。
製造製程200亦包括區塊206，其中使用去除處理來圖案化光學堆疊。如在該項技術中自本文之揭示內容通常可理解的，去除處理包含使用與在(例如)光學堆疊層下形成去除模板之去除材料中的一些或所有去除材料發生反應及/或溶解去除材料中的一些或所有去除材料的化學物品。藉由移除去除材料，去除材料上之光學堆疊層之材料不再附著，且使用廢棄的化學物品漂浮或"去除"基板組件。在光學堆疊上形成之其他層(例如犧牲層)可連同光學堆疊一起被去除。因此，去除處理使用已知之化學物品有利地提供複數個不同或可能的外來層之圖案化。可以各種方式實現去除材料之移除。舉例而言，去除材料可曝露至可與去除材料發生反應及/或溶解去除材料之液態、氣態或蒸汽態之去除化學物品，接著進行沖洗以移除不再附著之材料。較佳以液體形式施加去除化學物品，其在本文中可被稱作濕式蝕刻去除。
在一較佳實施例中，剩餘之圖案化層形成諸如干涉調變器12a及12b之調變器的列電極層、光學堆疊及犧牲層。
製造製程200亦包括區塊208，其中形成諸如柱18之支撐結構。舉例而言，在所說明之實施例中，柱18之材料包含可圖案化或不可圖案化之正或負光阻。在一實施例中，沈積上層光阻且適當對準之主光罩用於圖案化來自上層之材料。諸如化學機械平坦化(CMP)之平坦化技術可用於移除額外的光阻及/或材料。在一替代性實施例中，可使用背部曝露(基板組件較佳為透明的)來圖案化背部光阻且光學堆疊圖案有利地形成適當的對準(光罩)。在該實施例中，CMP亦可用於移除額外的光阻及/或材料。
熟習此項技術者將自本文之揭示內容而認識到：特殊的CMP處理可用於修改或改良經平面化之光阻結構之形狀。另外，熟習此項技術者將自本文之揭示內容認識到：包括旋塗式玻璃(SOG)、有機平坦化材料等之其他材料可有利地用於一些或所有柱上。熟習此項技術者亦將自本文之揭示內容而認識到：一些材料或方法之使用可完全減少或消除CMP處理。舉例而言，可圖案化旋塗式玻璃並僅留下不平整。該處理可留下凸塊但實質上通常不改變裝置之操作或可靠性。
製造製程200亦包括區塊210，其中形成第二去除圖案。所使用之去除材料可與上文參考區塊202及第一去除圖案之形成而論述的材料相同或不同。熟習此項技術者將自本文之揭示內容而認識到：可挑選去除材料以確保與列電極層之對準及/或增加在形成去除圖案後光學堆疊之清潔度。
製造製程200亦包括區塊212，其中形成一或多個撓曲層。在一實施例中，藉由在部分製造之調變器及去除材料上沈積一或多個層來形成該等撓曲層。根據一實施例，該等撓曲層包含鏡面層及一可撓性金屬導體層。在一實施例中，該鏡面層包含鋁(Al)層。通常藉由考慮材料之反射率及材料之結構的完整性而選擇鏡面層之厚度，例如材料可為獨立式的且應充分厚以承受製造處理步驟及正常操作之應力。此外，在例示性實施例中，鏡面層較佳足夠厚以達成全反射。在一實施例中，鏡面層之厚度在約80至約1微米之範圍內。舉例而言，在所說明之實施例中，鏡面層具有約300之厚度。熟習此項技術者將自本文之揭示內容認識到：鏡面層可包括(除了鋁之外或取代鋁)諸如銀(Ag)或金(Au)之一或多個其他反射性材料。撓曲層可具有導電性、反射性及/或可撓性，且因此(例如)單一結構可充當電極層、鏡面層及可變形層。一些實施例中，(例如)如圖7C中之說明，反射層14自可變形層34懸置，其兩者可充當電極層。亦可使用各種其他構型。
在一實施例中，撓曲層中之可撓性金屬導體層包含鎳(Ni)層。通常藉由考慮材料之結構完整性及其承受製造處理步驟之能力而選擇導體層之厚度。在一實施例中，可撓性金屬導體層之厚度在約300至約1微米之範圍內。舉例而言，在所說明之實施例中，撓曲層中之導體層具有約1000之厚度。熟習此項技術者將自本文之揭示內容而認識到：導體層可包括(除了鎳之外或取代鎳)諸如鉻、鋁及/或鋁合金之一或多個其他導電材料。導體層亦包括諸如金屬氧化物夾層之複合結構。
熟習此項技術者將自本文之揭示內容而認識到：至少部分出於上述撓曲層黏著至光學堆疊層(或缺乏黏著)及/或出於上述撓曲層黏著至支撐結構或柱層起見而可選擇上述撓曲層中一些或所有撓曲層。舉例而言，參考圖1，在干涉調變器12b之致動期間，較佳選擇撓曲層14b之材料以最小化至部分固定之反射層16b之黏著。此外，可出於彼此黏著起見而選擇撓曲層之材料(例如)以最大化導體層與鏡面層之間的黏著。
製造製程200亦包括區塊214，其中使用去除處理來圖案化撓曲層。在較佳實施例中，剩餘之經圖案化之撓曲層形成諸如干涉調變器12a及12b之干涉調變器的第二鏡面、行電極層及機械層。可與鏡面層隔離地圖案化撓曲層(例如)以形成諸如圖7C中所說明之構型。去除處理可用於有利地促進相對厚之鏡面層之圖案化。撓曲層較佳為高度導電並具有高張應力。撓曲層較佳具有內部材料完整性以承受製造製程之應力並黏附至平坦化材料。
在一實施例中，如圖14－15中之說明(下文論述)，移除去除模板較佳形成第二鏡面之經圖案化之區域並曝露基底犧牲層之一部分。該實施例中所說明之去除處理有利地允許移除撓曲層之部分，而不用為最終結構而蝕刻所關注之沈積材料(在該實例中，不直接蝕刻撓曲層)。已發現，撓曲層之該等部分之習知的蝕刻移除亦可導致基底犧牲層之不良之過早蝕刻。
熟習此項技術者將自本文之揭示內容而認識到：各種其他處理步驟可有利地移除犧牲層以形成一空腔，例如干涉調變器12a中之空腔19(圖1)。此外，基於以上描述，熟習此項技術者將自本文之揭示內容而認識到：藉由使用去除處理，製造製程200可用於有利地避免相容性問題及不同的及外來之化學物品問題，同時有利地在製造製程期間(尤其在上述之光學堆疊之製造期間)強化圖案形成。製造製程200亦可用於有利地為調變器製造商減少處理步驟並增加層材料及製造設施之可用性及選擇。
圖9A及9B根據一實施例分別說明部分製造之干涉調變器300之平面圖及橫截面圖。如圖所示，調變器300包括透明之基板組件302、經圖案化之去除材料PiRL 304及光阻306，其一起形成去除模板308。如圖9B中所示，藉由選擇性地過蝕刻PiRL材料304，去除材料可有利地形成顛倒的梯形或大致為字母"T"狀。T狀可有助於促進去除，因為沈積於T狀之上部之材料與沈積於T狀之底部附近之基板上的材料分離。T狀亦可促進去除模板308曝露至去除化學物品。如下文更詳細之描述，隨後將在區域312中形成柱602a，且隨後將在圖9A中所示之區域310中形成軌道602b(將下部電極彼此分離)。
圖10A及10B根據一實施例分別說明部分製造之干涉調變器400之平面圖及橫截面圖。如圖所示，調變器400包括形成於去除模板308及基板302上之堆疊402。如圖10B中所示，堆疊402包含多個材料層，該等材料層包括ITO層404、Cr層406、介電層408及犧牲Mo層410。如下文關於圖15之論述，ITO層404、Cr層406及介電層408最終併入光學堆疊806中。如上文所提及的，去除模板308之厚度較佳大於堆疊402之厚度，以促進隨後用於移除去除模板308之化學物品之橫向進入。
圖11A及11B根據一實施例分別說明部分製造之干涉調變器500之平面圖及橫截面圖。如圖所示，調變器500包括在去除處理發生後(在此期間移除去除模板308(連同如圖10B中所示之沈積於去除模板308上之堆疊402之部分一起))之圖案化堆疊402。圖案化堆疊402包括基底光學堆疊404－408(圖10B)。光學堆疊404－408(連同上覆犧牲層410一起)經正圖案化，意味其由去除後所保持之材料形成。調變器500亦包括基板302上之藉由移除去除模板308而形成的負圖案化區域502a、502b。
圖12A根據一實施例說明部分製造之干涉調變器600之平面圖，且圖12B及12C根據一實施例說明部分製造之干涉調變器600之橫截面圖。如圖所示，調變器600包括支撐結構602a(柱)及602b(軌道)，其係藉由使用正面對準曝露技術(圖12B)或背面自對準曝露技術穿過主光罩604(圖12C)將其曝露至輻射606而形成的。在基板302上之負圖案化區域502a、502b中分別形成柱602a及軌道602b結構(圖11A及11B)。
已發現當與直接蝕刻待圖案化之材料相比較時，使用去除處理以形成負圖案化區域係有利的，尤其對於移除厚層而言。舉例而言，由直接的蝕刻處理形成之負圖案化區域傾向於比上覆圖案材料(例如光阻)之尺寸稍大，因為蝕刻劑傾向於底切圖案材料。在實施例中，其中需要柱結構以佔用最小量之空間，使用去除處理促進其上可形成柱結構之所需之小負圖案化區域的形成。因此，在較佳實施例中，去除處理用於在干涉調變器之製造期間形成負圖案化區域，更佳形成負圖案化區域，隨後在該負圖案化區域中形成柱結構。在許多實施例中，對於在干涉調變器之製造期間形成負圖案化區域而言，與直接蝕刻(濕式及/或乾式)相比，濕式蝕刻去除處理尤其有利。
亦已發現對於移除多個材料層而言，尤其對於移除相對薄之層下之相對厚之層而言，與直接蝕刻處理相比，使用去除處理係有利的。因為不同材料傾向於不同速率的直接蝕刻，因為在各種層中對於不同材料之不同的橫向蝕刻速率，所以使用各向同性蝕刻劑來移除多個層常導致不規則之側壁。舉例而言，因為曝露至用於移除ITO層之蝕刻劑的時間可相對較長以達成較厚之ITO層之蝕刻的所需程度，所以包括較厚之ITO層上之薄鉻層之堆疊的濕式蝕刻可導致鉻層之底切。因此，在較佳實施例中，在干涉調變器之製造期間使用去除處理來移除多個材料層。在許多實施例中，對於在干涉調變器之製造期間移除多個材料層而言，與直接的濕式蝕刻相比，濕式蝕刻去除處理尤其係有利。
圖13A及13B根據一實施例分別說明部分製造之干涉調變器700之平面圖及橫截面圖。應注意，橫截面圖13B係沿著與圖12B中所說明線不同的線。如圖所示，調變器700包括經圖案化之去除材料PiRL 704及光阻706，其一起形成去除模板708。如圖13B中所示，在堆疊402上以類似於上述形成去除模板308之方式的方式形成大致T形之去除模板708。
圖14A及14B根據一實施例分別說明部分製造之干涉調變器800之平面圖及橫截面圖。如圖所示，調變器800包括形成於堆疊402上之撓曲層802、去除模板708及柱602a。如圖14B中所示，撓曲層802可有利地包含Al鏡面層804及Ni導體層806。可以各種方式(例如藉由物理氣相沈積或濺鍍沈積)形成Al鏡面層804及Ni導體層806。
圖15A根據一實施例說明干涉調變器900之平面圖，且圖15B及15C根據一實施例說明干涉調變器900之橫截面圖。如圖所示，在去除處理發生後(在此期間移除去除模板708(連同如圖14B中所示之沈積於去除模板708上之撓曲層802之部分一起))，調變器900包括經圖案化之撓曲層802(包括Al鏡面層804及Ni導體層806)。移除去除模板708導致孔902、904之形成。圖15B及15C亦說明自堆疊402後處理移除犧牲層410，其形成包括ITO層404、Cr層406及介電層408之光學堆疊806。移除犧牲層410亦導致調變器900之空腔19之形成。柱602a為經圖案化之撓曲層802之支撐結構且亦用以界定空腔19。在一實施例中，藉由將調變器800曝露至氟化氙(XeF2 )而達成移除，該氟化氙(XeF2 )流過孔902、904而以與Mo犧牲層410發生化學反應，導致藉由乾式蝕刻處理而移除犧牲層並藉此形成空腔19。
雖然已根據某些較佳實施例而描述製造干涉調變器之製程之上述實施例，但自本文之揭示內容，其他實施例對於普通熟習此項技術者而言將變得顯而易見。舉例而言，可有利地將去除處理施加至光學堆疊或撓曲層之各種層中之一層、某些層或不予施加。此外，亦可使用上述去除處理形成各種干涉裝置結構及形狀。舉例而言，可有利地分離鏡面功能與撓曲層之機械或可撓性功能，(例如)使得大體硬質之鏡面層14如圖7C中之說明而自空腔19上之機械層34懸置。可由常規實驗判定適合於製造該等結構之方法且可涉及(例如)製造鏡面層14之第一去除處理及製造機械層34之第二去除處理。熟習此項技術者亦應瞭解，本文所述之可應用於製造個別干涉調變器之方法亦適用於製造干涉調變器之陣列。同樣，應瞭解，本文所述之應用於製造干涉調變器之陣列之方法亦適用於製造個別干涉調變器。
熟習該項技術者應瞭解，在不脫離本發明之精神的情況下可作許多及各種修改。因此，應清楚地瞭解，本發明之形式僅為說明性的且並不限製本發明之範疇。
12a,12b．．．干涉調變器
14,14a,14b．．．可移動之反射層
16,16a,16b．．．光學堆疊
18．．．柱
19．．．空腔
20．．．透明基板
21．．．處理器
22．．．陣列驅動器
24．．．列驅動器電路
26．．．行驅動器電路
27．．．網路介面
28．．．圖框緩衝器
29．．．驅動器控制器
30．．．顯示陣列
32．．．繫鏈
34．．．可變形層
40．．．顯示裝置
41．．．外殼
42．．．支撐柱插件
43．．．天線
44．．．揚聲器
46．．．麥克風
47．．．收發器
48．．．輸入裝置
50．．．電源
52．．．調節硬體
200．．．製造製程
300．．．干涉調變器
302．．．透明基板組件
304．．．經圖案化之去除材料PiRL
306．．．光阻
308．．．去除模板
312．．．區域
400．．．干涉調變器
402．．．堆疊
404．．．ITO層
406．．．Cr層
408．．．介電層
410．．．犧牲Mo層
500．．．干涉調變器
502a,502b．．．負圖案化區域
600．．．干涉調變器
602a．．．柱
602b．．．軌道
604．．．主光罩
606．．．輻射
700．．．干涉調變器
704．．．經圖案化之去除材料PiRL
706．．．光阻
708．．．去除模板
800．．．干涉調變器
802．．．撓曲層
804．．．Al鏡面層
806．．．Ni導體層
900．．．干涉調變器
902,904．．．孔
圖1係描述干涉調變器顯示器之實施例之一部分的等角視圖，其中第一干涉調變器之可移動之反射層處於放鬆位置且第二干涉調變器之可移動之反射層處於致動位置。
圖2係說明併入3×3干涉調變器顯示器之電子裝置之實施例的系統方塊圖。
圖3係可移動之鏡面位置對圖1之干涉調變器之例示性實施例之施加電壓的圖。
圖4係可用於驅動干涉調變器顯示器之一組列電壓及行電壓之說明。
圖5A說明在圖2之3×3干涉調變器顯示器中之顯示資料之一例示性圖框。
圖5B說明可用於寫入圖5A之圖框之列訊號及行訊號的一例示性時序圖。
圖6A及6B係說明包含複數個干涉調變器之視覺顯示裝置之實施例的系統方塊圖。
圖7A係圖1之裝置之橫截面。
圖7B係干涉調變器之替代性實施例之橫截面。
圖7C係干涉調變器之另一替代性實施例之橫截面。
圖7D係干涉調變器之另一替代性實施例之橫截面。
圖7E係干涉調變器之其他替代性實施例之橫截面。
圖8說明用於根據實施例而製造諸如圖1之調變器之干涉調變器的製造製程之例示性流程圖。
圖9A及圖9B分別說明使用圖8之製造製程實施例而部分製造之干涉調變器的平面圖及橫截面圖。
圖10A及圖10B分別說明使用圖8之製造製程實施例而部分製造之干涉調變器之平面圖及橫截面圖。
圖11A及圖11B分別說明使用圖8之製造製程實施例而部分製造之干涉調變器的平面圖及橫截面圖。
圖12A說明使用圖8之製造製程實施例而部分製造之干涉調變器之平面圖，且圖12B及圖12C說明使用圖8之製造製程實施例而部分製造之干涉調變器之橫截面圖。
圖13A及圖13B分別說明使用圖8之製造製程實施例而部分製造之干涉調變器的平面圖及橫截面圖。
圖14A及圖14B分別說明使用圖8之製造製程實施例而部分製造之干涉調變器的平面圖及橫截面圖。
圖15A說明使用圖8之製造製程實施例而部分製造之干涉調變器的平面圖。
圖15B及圖15C說明圖15A之部分製造之干涉調變器的橫截面圖。

Claims (50)

  1. 一種製造一干涉調變器之方法，其包含：使用至少一第一圖案化製造製程在一透明基板上形成一光學堆疊；在該基板上形成一支撐結構；及使用至少一第二圖案化製造製程在該光學堆疊及該支撐結構上形成一上部鏡面層；其中在該光學堆疊上形成該上部鏡面層包含在該光學堆疊上沈積一犧牲層且在該犧牲層上形成該上部鏡面層，其中由該光學堆疊、該支撐結構及該上部鏡面層之至少一表面形成一空腔，其中將該上部鏡面層之一部分移入該空腔內以一可控制及可預測之方式改變自該基板之一表面感知的光學特性，及其中該第一製造製程及該第二製造製程中之至少一者包含一去除處理，該去除處理包含連同該犧牲層之至少一部分一起去除該光學堆疊之至少一部分，其中該犧牲層包含選自鉬、矽、鈦、鎢及鍺之至少一材料。
  2. 如請求項1之方法，其中該光學堆疊包含一導體層、一下部鏡面金屬層及一介電層中之至少一者。
  3. 如請求項2之方法，其中該光學堆疊包含一下部鏡面金屬層。
  4. 如請求項3之方法，其中至少該下部鏡面金屬層形成一 列電極。
  5. 如請求項1之方法，其進一步包含移除該犧牲層之至少一部分以形成該空腔。
  6. 如請求項1之方法，其中該上部鏡面層包含一可撓性金屬導體層。
  7. 如請求項6之方法，其中至少該上部鏡面層形成一行電極。
  8. 如請求項1之方法，其中該第一製造製程及該第二製造製程包含去除處理。
  9. 如請求項1之方法，其進一步包含形成一成像應用。
  10. 如請求項9之方法，其中該成像應用包含一平板顯示器。
  11. 如請求項10之方法，其中該平板顯示器為一行動電子裝置之部分。
  12. 如請求項9之方法，其中該成像應用包含一掌上型電腦、一個人數位助理、一膝上型電腦、一行動電話、一掌上型視訊遊戲裝置、一家庭用具、一電視、一時鐘、一資訊站及一汽車計算裝置中之至少一者。
  13. 如請求項1之方法，其中該去除處理包含形成一大體T狀的去除模板。
  14. 如請求項1之方法，其中該去除處理包含圖案化一去除模板。
  15. 如請求項14之方法，其中該去除模板之該圖案化包含在一聚合物上沈積一光阻。
  16. 如請求項1之方法，其中該去除處理包含濕式蝕刻以移除一去除模板。
  17. 如請求項1之方法，其進一步包含在該上部鏡面層上沈積一可變形層。
  18. 如請求項17之方法，其中在移除一犧牲層後，該上部鏡面層自該可變形層懸置。
  19. 一種包含一干涉調變器的陣列之顯示面板，該等干涉調變器係由請求項1之方法製成。
  20. 一種製成一干涉調變器之方法，其包含：在一基板上形成一去除模板；在該去除模板上及該基板上沈積一第一材料層；在該第一材料層上沈積一犧牲層；在該犧牲層上沈積一第二材料層；及移除該去除模板以藉此形成一包含該第一材料層上之該第二材料層的圖案化區域，且連同該犧牲層之至少一部分一起去除該光學堆疊之至少一部分，其中該犧牲層包含選自鉬、矽、鈦、鎢及鍺之至少一材料。
  21. 如請求項20之方法，其中該第一材料層包含氧化銦錫。
  22. 如請求項21之方法，其中該第二材料層包含至少一金屬，其選自由下列各物組成之群：鉻、鉬及鈦。
  23. 如請求項22之方法，其中該第二材料層包含鉬。
  24. 如請求項22之方法，其中該第一材料層具有一比該第二材料層之一厚度大的厚度。
  25. 如請求項20之方法，其進一步包含在該第二材料層上沈 積一第三材料層。
  26. 如請求項25之方法，其中該第三材料層包含一介電材料。
  27. 如請求項25之方法，其進一步包含在該第三材料層上沈積一第四材料層。
  28. 如請求項25之方法，其中該第四材料層包含鉬。
  29. 一種顯示裝置，包含：如請求項19之顯示面板；一與該顯示面板電氣通信之處理器，該處理器經組態以處理影像資料；以及一與該處理器電氣通信之記憶體裝置。
  30. 如請求項29之顯示裝置，進一步包含：一第一控制器，經組態以傳送至少一信號至該顯示面板；以及一第二控制器，經組態以傳送該影像資料之至少一部分至該第一控制器。
  31. 如請求項29之顯示裝置，進一步包含：一影像源模組，經組態以傳送該影像資料至該處理器。
  32. 如請求項31之顯示裝置，其中該影像源模組包含一接收器、一收發器及一傳輸器中之至少一者。
  33. 如請求項29之顯示裝置，進一步包含：一輸入裝置，經組態以接收輸入資料且傳輸該輸入資料至該處理器。
  34. 一種製造干涉調變器之一陣列之方法，其包含：使用一去除模板在一基板上形成複數個正圖案化之光學堆疊及複數個負圖案化之柱區域；及在該等負圖案化之柱區域中形成複數個柱結構。
  35. 一種製成一顯示裝置的方法，其包含：沈積一第一鏡面層；在該第一鏡面層上沈積一犧牲層；在該犧牲層上形成一去除模板；在該去除模板上沈積一第二鏡面層；移除該去除模板，藉此形成該第二鏡面層之一圖案化區域並曝露該犧牲層之一部分，且連同該犧牲層之至少一部分一起去除該第一鏡面層之至少一部分，其中該犧牲層包含選自鉬、矽、鈦、鎢及鍺之至少一材料。
  36. 如請求項35之方法，其中沈積該第一鏡面層包含沈積選自鉻、鉬、鈦及鎢之至少一金屬。
  37. 如請求項35之方法，其中沈積該第一鏡面層包含選擇該第一鏡面層之一厚度以藉此使得該第一鏡面層可部份透光。
  38. 如請求項35之方法，其中沈積該第一鏡面層包含控制一沈積條件以藉此產生具有在大約30埃至大約150埃的範圍之一厚度之該第一鏡面層。
  39. 如請求項35之方法，進一步包含沈積一光學堆疊層之一導體層。
  40. 如請求項35之方法，進一步包含沈積一光學堆疊層之一 介電質層。
  41. 如請求項35之方法，其中沈積該第二鏡面層包含沈積選自鋁，銀及金之至少一金屬。
  42. 如請求項35之方法，其中沈積該第二鏡面層包含選擇該第二鏡面層之一厚度以藉此使得該第二鏡面層可完全反射。
  43. 如請求項35之方法，其中沈積該第二鏡面層包含控制一沈積條件以藉此產生具有在大約80埃至大約1微米的範圍之一厚度之該第二鏡面層。
  44. 如請求項35之方法，進一步包含沈積一可撓層之一可撓性金屬導體層。
  45. 如請求項44之方法，其中沈積該可撓性金屬導體層包含沈積選自鎳、鉻、鋁及鋁合金之至少一金屬。
  46. 如請求項35之方法，其中沈積該犧牲層包含控制一沈積條件以藉此產生具有在大約80埃至大約1微米的範圍之一厚度之該犧牲層。
  47. 如請求項35之方法，進一步包含：移除該犧牲層之至少一部分以形成一空腔。
  48. 如請求項35之方法，其中形成該去除模板包含：在該犧牲層上沈積一去除模板；以及以一光阻覆蓋該沈積之去除模板。
  49. 如請求項35之方法，其中形成該去除模板進一步包含圖案化該光阻。
  50. 如請求項35之方法，其中沈積該第一鏡面層包含在一透明基板上形成一第二去除模板。
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