TW200830040A - Photoresist composition, method for coating the photoresist composition, and method for forming resist pattern - Google Patents

Photoresist composition, method for coating the photoresist composition, and method for forming resist pattern Download PDF

Info

Publication number
TW200830040A
TW200830040A TW096135430A TW96135430A TW200830040A TW 200830040 A TW200830040 A TW 200830040A TW 096135430 A TW096135430 A TW 096135430A TW 96135430 A TW96135430 A TW 96135430A TW 200830040 A TW200830040 A TW 200830040A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
photoresist composition
coating
copolymer
photoresist
discharge nozzle
Prior art date
Application number
TW096135430A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI410748B (zh
Inventor
Jun Ikemoto
Junichi Shimakura
Kiyofumi Takano
Jiro Matsuo
Original Assignee
Az Electronic Materials Japan
Dainippon Ink & Chemicals
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Az Electronic Materials Japan, Dainippon Ink & Chemicals filed Critical Az Electronic Materials Japan
Publication of TW200830040A publication Critical patent/TW200830040A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI410748B publication Critical patent/TWI410748B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322Aqueous alkaline compositions

Description

200830040 、九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係光阻劑組成物、光阻劑組成物之塗佈方法及光阻劑圖案之形成方 法,有關一種用排出噴嘴式塗佈法塗佈的光阻劑組成物,特別有關在製造以液 晶顯示器(LCD)為代表的平板顯示器(FpD)時優先使用的排出噴嘴式塗佈 法光阻劑組成物、該光阻劑組成物的塗佈方法、及使用該光阻劑組成物的抗蝕 劑圖案形成方法。 【先前技術】 液晶顯示器(LCD)用薄膜三極管(TFT)基板的製造,隨著電視用途發 展的大晝面化和提咼1枚母玻璃(㈤说^红giass)基板的倒角數提高生産率的觀 點考慮,母玻璃基板的大型化在進展。習知,在TFT基板的製造中,光阻劑 利用旋轉塗佈或者狹縫式旋轉塗佈進行塗佈。旋轉塗佈或者狹縫式旋轉塗佈這 些伴有旋轉加工的塗佈技術,對於在玻璃基板上以次微米至數微米厚水準的薄 膜來均勻地塗佈光阻劑是有效的,工業上被廣泛使用。可是稱為第7代 (1870mmx2200mm左右)或第8代(2l60mmx2460mm左右)的一邊的長度 超過2m的玻璃基板,使用伴有旋轉加工的塗佈方法在物理上已變得困難。其 原因,首先,第一可舉出由塗佈過程引起的基板的撓曲問題以及抵銷在塗佈杯 内發生的氣流變得困難。另外可舉出,伴有旋轉加工的塗佈方法中的塗佈性能 大大有賴於旋轉加工時的旋轉速度,但一般電動機難以確保能夠得到使大型玻 璃基板高速旋轉所必要的加速度,因此裝置費用增大這樣的問題,或隨之的電 力消耗、裝置面積的擴大等,對實用性產生很大之限制。 此外’對TFT陣列製造過程中的光阻劑塗佈過程的要求,可舉出適應 的高精細化,即提高用於實現精密加工性的塗佈均祕,除此以外可舉出縮短 LCD製造的相關步驟的時間。然而,習知的伴隨有旋轉加工的塗佈方法| 步驟時間縮短的觀點上變得難以合乎要求。 、义同時,在各面板製造廠,正在推進徹底的低成本化,削減光阻劑消耗量 為前所未有的重大課題。在基板的中央滴τ光阻劑後使基板旋轉的習知的二 塗佈中’冑在基板上的光阻劑的約9〇%以上從玻璃基板上被甩開,因此光阻 200830040 纽地使用。進而,若擴大基板尺寸,在旋轉時被甩開而廢棄的光阻 ===也有變得更多的傾向。為了有效利用光阻劑,也提出回收在旋轉加工 對其實祕度調整等,作為再生光阻劑再使用,但是,現 肖疋FT陣列衣以上尚未能能少設計概度(likdih〇〇d)之 =開發了不伴有旋轉加工的排出喷嘴式塗佈機的塗佈過程,= 習㈣伴_轉加工的塗錢,驗•力被錄,在 二,於1^的狀態°即’藉由設計各種光阻劑溶液’並調整旋 °紐其反映在光阻継液的二 加』利用與使用伴有旋轉 於其為不伴有旋轉加工的的_ °s亥塗佈法的最大的特徵是,由 佈在基板上的方編帶狀的光阻劑液塗 阻劑後,實施用於得到膜厚均勻性列如使用狹縫喷嘴塗佈光 劑的觀_,_塗佈,_纽利用光阻 的光阻劑液藉由進行真空乾燥2利。此後,已塗佈在基板上 厚。排出噴嘴式塗佈法的一個特徽:、,,‘驟’形成規定的光致抗触膜 厚均句性的·,翻噴嘴掃二;^^具树轉加工這樣_於確保膜 觀察到。換句話說,在排出噴嘴掃原樣的斑在賴烤後亦可被 要點。 成㈣何在基板上作綱質的塗膜當然成為 為了在該排出喷嘴掃描時得 濕性是重要的。光阻劑溶液中若確保光阻劑溶液向排出喷嘴的潤 生的縱條斑或橫段斑。這些斑,盘t4寸性,就產生在排出喷嘴的塗佈方向産 ”向光阻_排时嘴尖端材賊排出之光阻 200830040 劑溶液的潤濕性有密切的關係。潤濕性差時 嘴尖端不保持其均勻性,光阻劑溶液不能追^Φ的光阻劑溶液在排出噴 塗佈不良部位。這就是縱條斑。另-方面:3掃描動作的顯像,形成 光阻劑帶和基板表面進行不均勾的接觸而發生:=於料择描3寺的振動, 像’除了要求向倾_雛、光阻織對的^^㈣膜厚偏差。對於該顯 求掃描後光致抗餘膜的基板上的平滑均、:田動作的追縱性以外,還要 =步3 ’從掃描速度高、伴隨其的嘴嘴保短步驟時間的塗 的距神在變大_向。對於縱條斑、橫段斑,’排出対和基板間 段斑,都可能藉由提高光阻劑的滴下膜厚而減少,作用。縱條斑、橫 劑使用量的近年來的TFT基板製造步驟中難以仁疋,在嚴格要求控制光阻 這些斑以外,由於排出喷嘴掃描後的真空; 性狀不同’觸I加工同觀形祕斑 烤時的溶劑蒸發的 塗佈的光阻劑組成物,-般說來,與適應旋轉塗=的==。適應排出喷嘴式 有含量多的溶劑組合物,因此為 、先阻蜊組成物相比,為具 光阻劑組成物相比,需要在基板上滴下更ί的的適應旋轉塗佈的 發的=變^::此__==:=:由於必須蒸 或氟-衫成巾使其適宜地含魏綠面活性劑 系表面活性劑(灸‘利文^1)、添加900鹏以下的少量的氟一石夕 含量是3^1^文獻2)、使其含有氟含量是1G〜25質量%、而且石夕 —n ^的表面活性劑(參照專利文獻3)、使其含有含特定的番 生聚燒系表面活性劑(參照專利文獻),能夠抑制塗佈時 的塗佈後十由^轉^^專利文獻中,記載著在進行利用排出噴嘴式塗佈法 、f傻猎由轉基板來調整膜厚,@此實f上是以使 使/塗佈了抗餘劑的基板旋轉的狹縫式旋轉方式作為物;,並且 件、疋以第5代(1000mmx12〇〇mm〜1280mmxl400mm左右)作為物 200830040 專利文獻1 :日本特開2004 — 309720號公報 專利文獻2:日本特開2005一4172號公報 專利文獻3:日本特開2005 —107130號公報 專利文獻4:日本特開2005 —107131號公報 n 植成ϊί樣Ϊ歧下,在使料伴賴轉力^轉出噴嘴式塗胁塗佈光_ 組成物¥,_是制第7代赠社型母 佈先阻劑 ^雖然要求具有優良的薄膜均佈性的光阻劑, 步驟 ;::::佈性還不能說充分’因而現狀是要求能夠峨良好的二 =’本_的目献提供—種級敝絲, ΐ、缚膜均f特性優良的光致抗健,其可以適__”ί 式主佈法,適用於LCD—TFT基板製造。 、, 另外,本發明的目的是提供上述光阻劑組成物的塗佈方法和使用 剜組成物的抗蝕劑圖案的形成方法。 發明人等為瞭解決上述課題進行了深入刻意的研究,發現藉由使用特定 、面/舌性劑,可以得到解決上述課題的光阻劑組成物,從而完成了本發明。 即,本發明有關LCD-TFT基板製造用排出喷嘴式塗佈法光阻劑組 其特徵在於,含有: (A) 域可溶性樹脂、 (B) 感光劑、以及 、(c)氟系表面活性劑,其為由包含以通式(丨)表示的氟代烷基單體(mi) f通式表示的聚氧丙烯鏈單體含有量(m2)構成的單體混合物(m)進 行聚合而得到的共聚物(p), CH2 = CRlCOOCU2CR2C^l7 ( ι ) (式中’R1是氳原子或者甲基) (2)
CH2=CR2COO (C3H6〇) nH 200830040 式中,R2是氫原子或者甲基’ n作為分佈的平均值是* 亚且,上述單體混合物(m)中的上述單體(mi)和( / (m2)是25/75〜40/60 (重量比),且卜、十、政取4 ,此δ (坩1) 〜10_。 心比)且上姑聚物⑺的重均分子量是3〇〇〇 另外,本發明的LCD-TFT基板製造用排出喷嘴式塗佈法光且 較佳,該域可溶性樹脂(A)是酚醛清夫 成物 疊氮(_〇nediazid〇)基的化=Γ曰而且銷光劑⑻是含酿二 二ΪΓ月1關*阻劑組成物的塗佈方法,其特徵在於,使用排出噴嘴 式主佈法在基板上塗佈上述的排出噴嘴式塗佈法光阻劑组成物。 ^ 另外’本發明有關抗蝕細案的形成方法,其特徵在於, 組成物的塗佈方法在基板上形成級抗雜,曝光後進棚像。仏阻劑 【實施方式】 以下,更詳細地說明本發明。 氣系表面活性劑 ⑽ΐ成為本發明的LCD—TFT基板製造賴时嘴式塗佈法光阻劑組成物 、寺破的上述(c)成分的氟系表面活性劑來說明。上述⑹成分的 面雜激在使賴光阻雜成物的排出喷嘴式塗佈機的 為 高塗佈性所解可少的成分,打述通式⑴表示的單體㈤)和下 ⑵表不的單體(m2)共聚制的聚合面活性劑。 ; 通式(1): CH2 = CRtooci^CI^QFn ⑴ (式中,R疋氣原子或者甲基。) 通式(2):
nH (2) 作為分佈的平均值是4〜7 CH2 = CR2C〇〇 (C3H6〇) (式中,R2是氫原子或者甲基 , y 上述通式(1)表示的含有氟代烷基單體(ml ),如上該,是具有全氣辛 基的(甲基)丙烯酸醋化合物’但是若使用這樣的具有全氟辛基的(甲基)丙 稀酸醋化合物作為表面活性劑的構成成分,則全氟辛基位於已共聚的(甲基) 200830040 =烯酸低聚物或者聚合物的侧鏈上。再者,(甲基)丙稀酸醋是丙稀酸醋和 ίίΓΓΐ總稱。該全氟辛麵為絲祕_分子_光_溶液表面的 驅動力,由於位於空氣介面的全氟辛基,不僅光阻劑溶液的表面張力降低,而 且有利於塗佈性’ ^體地說有助於抑制對玻璃基板或排出噴嘴的賴性、條狀 的斑、伴隨賴観咖、在使基域顧定的針位置發S 發明人等的發現,錢辛基的碳原子數較佳8個,若少於8個,職面== 力就谷易稍,若錄8個,_馳合物_雜、鱗 ΓΓ的允許範關窄。另外,簡式⑴表示的單體㈤)是_酸= 甲基丙_1旨2種’但是僅使用任—種,或並用這2種都可以。 1構成,潍劑(C)的上述通式⑵表示的含聚氧丙烯鏈 早-m,疋具有聚氧丙烯基的(甲基)丙婦_旨化合物,但是若使用 =^^稀基的(甲基)丙烯酸自旨化合物作為表面活性麵成成分,貝^ 乳丙細基位於已共聚的(甲基)丙_低聚物或者聚合物的側鏈上,而形成梳 t聚合物。該聚氧丙絲主要有祕對光_組成物中的樹脂 相溶性、溶解性。另外,聚氧丙婦基的鏈長也影響對樹脂或溶劑的相 :二|±。通聚氧丙烯基在其鏈長上産生分佈,但是本發明有關的單 = 聚氧丙烯基的分佈可以是任何形g。自卩,可以直接制既有規 ί 氧魏基’也可藉由柱㈤職)處理或溶劑絲等操作 =早/刀放的錄丙烯基,進而還可以混合使用分佈不同的2種以上不同者,但 ::分佈的平均值,作為聚氧丙烯基的平均聚合度,必須是4〜7的範圍。另外, 單體(m2)無論是僅使用i種,還是並用2種以上都是可以的。 單,(ml)和單體(m2)的共聚比也對排出噴嘴式塗佈機中的塗佈性有 =大影〆軸共聚比也取決於該組合物中的其他的組成物,但㈤)/^2) '^5^^!0/60 (重量比)是必要的,如果是該範圍,則維持對樹脂或溶劑的 目'合性或洛解性’發現優良的介面活性能,因此使用排出喷嘴式塗佈機 良的均質塗佈性。單體(ml)的比率若變得比該範圍大,則共聚 、…、全氟辛基變多’對樹脂或溶劑的相溶性、溶解性降低,其結果,變得無 均貝的塗佈面。相反’錢得比該範則、,則表面張力並沒充分地降低, ’、&材或排出噴嘴的潤濕性降低,或表面上的表面活性劑分子不足,因而産生 200830040 =的乾燥喊在減_定基板的針的位置産生針斑,變得無法得到均質的塗 ,進而’使單體(ml)和單體(m2)共聚而得到的共聚物(p)的分子量 對作為表面雜躺性能縣大的影響,制是對溶劑的乾馳的影塑。 具有較佳上述共聚物(p)中的氟含量(具體地說使單體的 的效果,而且由於具錢度分子量的聚合型表面活性劑在表面附 =^偏析’表面的枯度比主體㈤k)上升,結果可推斷具有抑制溶劑的乾 蚝速度的效果。這裏,該推斷不限定本發明。 ί 一該效果在大量配合溶劑的薄膜塗佈時顯著顯現,雖然與溶劑的種類 溶劑的配合比例等溶劑組成的較佳相比,該效果通常是小的效果,但在近年 要求精密的塗佈面的TFT基板製造用光阻劑的塗佈步驟中是極重要的因素。 根據本發明人等的發現,共聚物⑻的分子競要是,重均分子量(在 移動相中使用四氫吱喃,在標準物質中使用聚苯乙稀,用GPC(凝膠渗透色级 =)進行測定,進行聚苯乙烯換算的值)為3_〜1()_。在分子量比該範圍^ 時丄由於主要是與樹脂的相溶性降低,而無法得到均質的塗佈面;相反,在比 該範圍小時,表面钻度的上升效果少,而無法得到均質的塗佈面。 這樣,在本發明中,藉由完全滿足(c)成分的各主要條件,首次能夠得 到排出噴嘴式塗佈法光阻劑組成物的優良的塗佈性。 本發明有義絲物(P)的製造方法沒有侧的關,可以基於陰離子 聚合、陽軒聚合或者自由絲合卿,適錢聊溶絲合、本體聚合、分 政承ό乳化水a但疋從工業上簡便且容易控制分子量,作為表面活性劑使 用時的雜質(例如聚合時使用的分散劑或乳化劑)的影響少的角度考慮,較佳 自由基溶液⑽^另外,除了由單體敝合決定的嵌段、交互、無規(mnd〇m) 的序列外,猎由聚合機制、引發劑、鏈轉移劑等的選擇,能夠自由地控制它們 的序列。 在藉由自由基溶液聚合製造共聚物(P)時,聚合引發劑和溶劑可以無限 制地使用公知的聚合引發劑和溶劑。 作為承合引發劑’可舉出曰本油脂株式會社製perhexaHC、pe出、 PerhexaC 'PerhexaV、Perhexa22、PerhexaMC 等過氧化缩酮類,per〇yi355、 12 200830040
Peroyl O、Peroyl L、Peroyl S、Nyper BW、N—^ TCP 等过氧化二碳酸酯,PERCYCLOND、PerhexylND、PerbutylND、Perhexyl PV ^Perbutyl PV >Perhexa 250 >Perocta 0 >Perhexyl 〇 >Perbutyl 〇 ^Perbutyl IB > Perbutyl L ^Perbutyl 535 ^Perhexyl I ^Perbutyl I ^Perbutyl E ^Perhexa 25Z >Perbutyl A、PerhexylZ、PerbutylZT 'PerbmylZ 等過氧化酉旨類,2,2,一偶氮二里丁腈(例 如大塚化学株式会社製AIBN)、2,2,_錢双·2_τ基丁腈(例如鱗化学株式 会社製ΑΜΒΝ)、2,2,·滅m基麟(例如姆化学株私社製仙刪 二曱基_2,2,·偶IUU2·曱基丙酸自旨)(例如和光純薬工業株式会社製糊】)、 i,r-偶纽(環己烧·ι-腈)(例如和光純薬4株式会社製㈣)、2,2,_偶氣双 [N-(2-丙烯基)_2_甲基丙醯胺](例如和光純藥工業株式会社製·⑹氰 基-1-甲基乙基)_曱醯胺(例如和光賴4株式会社製v ^ N双曱ίΓ胺)(例如和統㈣株式会讀必 偶,双(N-己基-2-甲基丙醯胺X例如和光純藥工業株式会社製m 攻長,本發明當然不受上述具體例的任何限制。 、 另外,作為反應溶劑,水、曱醇、乙醢、里 曱基.乙基_、甲基.異丁基__類 甲、…正T醇等醇類’丙酮、 酸乙醋等_,乙二醇-丁㈣ '乙酸丁醋、乳 二甲基甲醯胺、二甲亞颯等極性溶劑,u,kH—義等二醇類, 氫吱喃、二喝烧等謎類,苯、甲苯、I ::元、氯仿等-系溶劑,四 氟三正丁胺等氟化惰性液體類都可以使用;3單^^全氟辛烧、全 種以上的混合溶劑。 』乂疋早獨一種,也可以是2 進而,藉由使用硫醇化合物等鏈轉移 劑,可舉出月桂基硫醇、2·雜乙醇、疏基。作為鏈轉移 巯基乙酸辛酯(octylthi〇giycol acid)、Η美其^知(吻1 如oglycol add)、 在製造共聚物(P)時,對於作為;::的G甲氧基石夕烷等化咖 聚物(P),可以使用公知的方法進行任 體㈤)和(m2)、得到的共 處理或者後處理,例如可舉出利用減壓、加:处理和/或後處理。作為這些前 濾除處理等去除雜質或者分取特定的^子、各種吸附劑、溶劑洗滌、 本發明的絲敝絲巾的氟絲面難了 13 )的添加量,通常相對於 200830040 光P «丨减物巾的域可溶性細旨(A)和感細 2_〜麵鹏。氟___=: 顯Ζ程^布性提高效果另一方面,添加量若多於1〇〇〇〇Ppm,在 S 舍生韻起因於氟的疏水性賴影液不沾黏。 驗可溶性樹脂 輕的勒納日。作柄使用的麵,例^ ; 3,5-,f ^ 3 甲苯盼類;2,3-二曱基苯紛、2,4二f基苯紛、2,5二甲基苯紛二二茲 ^^^•^苯^仏三甲基苯鱗三甲基苯麵^第三丁 2苯盼斜教二二Γ盼、4_第二丁基苯齡等第三丁基苯_;鄰氯苯盼、間 ::,«:; : 等甲氧基苯對丁氧基苯^鄰乙美笨^^!盼、3,5-二甲氧基苯盼 oc - 本酚,郯乙基本酚、間乙基苯酚、對乙基苯酚、2,3- 一土本齡、2,5-一乙基苯盼、3,5_二乙基苯齡、如一三 基苯_乙基苯_;間苯二齡、2_甲基間苯二齡、4_甲基間苯二紛、,5_g 間苯二_間苯二_;對異丙基苯盼;α細^ 齡、亞甲基雙對甲酴、兒茶紛等。這些盼化合物,可 種以上親合物來制。 傾幻以作為2 用水ίϊ,,r甲駿以外,可以單獨或者作為2種以上的混合物使 用水祕、、乙_、苯帽、錄苯情、氯乙祕等。 低八漆樹脂,可以分離除去低分子量成分,也可以不分離除去 ^子里成为。作為/刀離除去祕清漆樹脂的低分子量成分的方法,例如在且 14 200830040 感光劑 ,另外,作為感光劑(B),可舉出具有代表性的含摘二魏基的感光劑。 作為含桃二魏基__ ’在習減二魏基_祕清漆雛纟抗钱劑中 ^的t何公知的感光劑都可以制。作為較佳的感細,例如可舉出藉由使 奈驅二疊氮基顧氯或銶二魏基顧氯與具有能夠和這些醯氯縮合反應 的官能基的低分子化合物或者高分子化合物反應而製成喊光劑。這裏,作^ 能夠和醯氯縮合的官能基’可舉出減、胺基等,她基是侧合適的。作為 含有經基的低分子化合物,例如可舉出細、間苯二盼、2,4_二絲二苯甲綱、 2,3,4-三經基二苯甲酮、2,4,6_三雜二苯曱酮、2,4,4,_三絲二苯甲_、2 3体 四經基二苯情、2,2|,4,4,·峨基二苯糊、2,2,,3,4,6,•五減二苯f酮等多声 基二苯甲_,雙(2,4_二經基苯基)曱烧、雙(2,3,4_三經基苯基)曱烧、雙 (2,4·二羥基苯基)丙烷等雙((多)羥基苯基)烷烴類,4,4,,3",4"_四羥基_3,5,3,,义 四甲基三苯基甲烧、4,4',2,,,3",4”·五羥基-3,5,3,,5|-四甲基三苯基r烷t’’, =,3,4,2’,3’,4’,3",4"-八減-5’,5’-二乙醯基三苯基甲烧等多經基三苯基甲貌類 等;作為含有羥基的高分子化合物,例如可舉出酚醛清漆樹脂、聚美苯乙烯、 杯芳烴(CALDCARENE)類等。錢可以單獨使用,也可以組合^種以上使 用。含有醌二疊氮基的感光劑的配合量,相對於每1〇〇重量份域可溶性樹脂, 通常是5〜5〇重量份,最好是10〜4〇重量份。 其他的成分 在本發明的LCD-TFT基板製造用排出噴嘴式塗佈法光阻劑組成物中, 含有使域可溶性酚醛清漆樹脂和感光劑溶解的溶劑。作為溶劑,可舉出乙二醇 一甲醚、乙二醇一乙醚等乙二醇一烷基醚類,乙二醇一甲醚乙酸酯:乙二^一 乙醚乙酸酯等乙二醇一烷基醚乙酸酯類,丙二醇一甲醚、丙二醇_曰乙醚^丙二 醇一烷基醚類,丙二醇一甲醚乙酸酯、丙二醇一乙醚乙酸酯等丙二醇二烷基醚 乙酸酯類,乳酸甲酯、乳酸乙酯等乳酸酯類,甲苯、二甲苯等芳香族炉:土 基乙基酮、2-庚酮、環己酮等酮類,N,N-二甲基乙醯胺、N•甲^ 胺類,γ-丁内酯等内酯類等。這些溶劑,可以單獨使用或者混合2種以: 在本發明的CD-TFT基板製造用排出噴嘴式塗佈法光阻劑組成物中,根據 需要,進而在不損害本發明目的的範圍内,還可以配合為了防止光暈的染料、 15 200830040 ,於提高由光_構成的層和其下層的密合性 為p的例子,例如可舉出_卜結晶紫^力:鲁作 =琳、丁酸、院基酸、聚織苯乙烯3 祕清漆、;魏魏、環氧聚合物、魏等。 ^ η弟二丁基 噴嘴紐·聽輯时嘴讀佈歧具有使_出 贺!將塗舰塗佈縣板幢佈面全面上的步 =用排出 出噴嘴和基板姉移_工具職置進行。在該 排 r" 出口的排时嘴或具有數個噴嘴孔列狀^ 具==排 塗佈步驟的塗佈裝置,前者已知有線性塗佈機方式的該 =:造株株=’!者已知有多個微型喷嘴方式的商品= =此因=_式塗罐基板上塗佈光,成物後:不: ”組雜後’當然也可崎採職轉加工。這樣,本發日⑽ 大型母玻璃的LCD-TFT基板的製造。 1更用弟7代以後的 成佈面全面上塗佈光阻劑後’就形成抗蝕劑圖案,用於形 士=_案的方法可以適宜地使用衆關知的方法。軸形成抗鋪圖案的 個=子_,是在1()()〜14(rc左右將已塗佈光_的基板加熱乾燥(預烘 =形成光阻劑被膜。此後,藉由所要求的光罩圖案對光阻劑被膜進行選擇 性的曝光。曝光時的波長’可以是g線、h線、i線或者其混合波長等適宜的 波長。此後,醜擇轉光後的抗侧被麟行顯影處理,就形成辑寬偏差、 而且形狀良好的抗蝕劑圖案。 # 作為在上賴科使用_湖,可錢用在f知已知光剛組成物的顯 1中所用的任意的顯影劑。作為優選的顯影劑,可舉出氫氧化四院基銨、膽鹼 (COLINE )、鹼金屬氫氧化物、驗金屬正魏鹽(水合物)、驗金屬雜鹽(水 200830040 :广)^烷基、烷醇胺、雜環式胺等的鹼性化合物的水溶液的鹼性顯 :夜’ 選的驗性,液是氫氧化四?基錢水溶液。在這些驗性顯影液 、、|而要步還可以含有曱醇、乙醇等的水溶液有機溶劑 ’或者表面 2劑。用驗«影液進行顯影後,進行使用純水等沖洗液將殘留在抗敍劑圖 案表面的顯影液洗掉的沖洗過程。 實施例 以:’為了更4細地說明本發明而鱗合成例、實施例和比較例,但本發 明不受這些說明的任何限制。 合成例1 (表面活性劑的合成i) β在備有授拌裝置、冷凝器、溫度計、滴液漏斗的玻璃燒瓶中,裝入13S重 ϊ份甲基異丁基酮(MIBK)作為聚合溶劑。 另方面,將作為含氟代烷基單體(ml)的cH2=CHC〇〇CH2CH2C8Fn (ml-l)33重1份、作為含聚氧丙烯鏈單體(响的cH2=ccH3C〇〇(C3H6〇) ηΗ (η的平均是5) (m2_l) 67重量份、作為聚合引發劑的第三丁基過氧_2乙 基=@日(日本油脂株式會轉Perbutyl Q,町簡稱‘>◦,,)7重量份、· 重篁份的MIBK預先混合,形柄勻的驗,裝人滴液漏斗巾,作為滴下液。 將已裝入該滴下液的滴液漏斗設置在上述玻魏瓶上,粗人氮氣邊升溫 至110 C達到110 C後,一面維持該溫度一面花2小時每次一定量地滴下滴 下液此後保持9小日守,使聚合結束後降溫至7〇。[,在減壓下進行脫ΜΙβΚ, 朴到枯稠·體(共聚物卩…。絲物由哪啦的聚苯乙烯換算的重 均分子量Mw=5700。 合成例2〜9 (表面活性劑的合成2〜9) 除了將合成例1中的滴下〉夜中的單體組成和聚合條件變成表i所示的條件 以外,在與合成例1相同的條件下合成共聚物p_2〜p_9。 不僅共聚物P的組成、聚合條件記於表J中,而且所得到的聚合物的重均 分子量也一併記於表1中。 再者,在表1中記載的m2,_i是以下的單體。 CH2 = CCH3COO (C2H5〇) ηΗ (η 的平均是 8) (m2,-l) 17 200830040 /1¾ 合成例 〇\ as 1 PLi m ro 〇 I & 卜 100 6600 00 00 1 Ph m m 〇 卜 100 7000 卜 卜 pL m cn 0 1 Oh 〇 1—Η 17200 Ό pli 〇 ο 〇 r"H 6100 to 1 Ph § 0 1 λ 卜 Ο τ—Η 5100 寸 P-4 m m VO 0 1 Λ 卜 Ο τ-Η 9500 m cn 〇 s 0 1 a 卜 Ο τ-Η r-H 5800 CN Ph CN cr> 〇 卜 Ο 4900 cn 〇 I a 卜 Ο Η 5700 共聚物 重量份 重量份 重量份 重量份 聚合溫度°c 重均分子量(Mw) ml-1 m2 A m2,-l 種類 導入量 單體 聚合引 發劑 18 200830040 合成例ι〇 (酚醛清漆樹脂的合成) 相對於以6/4的比率混合間曱紛/對甲酚的混合曱酚1〇〇重量份,以56 重量份的37重量%甲酸、2重量份的草酸的比例裝入,於反應溫度l〇〇°c 反應5小時。該酚醛清漆樹脂由GPC測定的聚苯乙烯換算的重均分子量為 Mw=15200 〇 合成例11 (感光劑B-1的合成) 以1.0/2.5的裝入比(摩爾比)使2,3,4,4,-四羥基二苯甲酮和1,2-萘醍二 疊氮-5-磺醯氯溶解於二喝烷酸中,以三乙胺作為催化劑使用常規方法進行 酯化。利用HPLC測定生成的酯(B-1)時,一酯是5%,二酯是42%,三 / 酯是13%,四酯是39%。 \ 合成例12 (感光劑B_2的合成) 以1.0/2.0的裝入比(摩爾比)使2,3,4-三羥基二苯甲酮和ι,2-萘醌二疊 氮-5-石黃醯氯溶解於二嗝烷酸中,以三乙胺作為催化劑使用常規方法進行酯 化。利用HPLC測定生成的酯(B-2)時,二酯是29%,三酯是63%。 實施例1 使100重量份的合成例1〇得到的酚醛清漆樹脂和25重量份的合成例 11 4于到的感光劑(B-1)溶解於丙二醇一曱醚乙酸醋中,再相對於全部固體 成分添加8000Ppm的合成例丨得到的共聚物p—i,攪拌後,用〇 2μιη的篩 『 檢程式過濾,製備成本發明的光阻劑組成物。使用塗佈裝置(伊藤忠產機 k ^製’商品名:臺式模具塗佈機(diecoater)),在塗佈間隔:50_、喷嘴 術田速度· lGGmm/s的條件下,將該組合物狹縫塗佈在[形成&膜的玻璃 基板(120mmx23〇mm)上,用川吖的加熱板烘烤9〇秒後,得到15_ 厚的抗__。贱雜由目視鏡該抗侧絲面,基於下述評價基準 物縱條斑、橫段斑和霧斑的評價。結果示於表3中。再者,將實施例、 比較例的光阻劑組成物的組成匯總示於表2中。 縱條斑、橫段斑和霧斑的評價 〇:未觀察到不勻。 △•觀祭到一部分不勻,但可以允許。 X:觀察到許多不勻,不能允許。 19 200830040 實施例2 除了將共水物Ρ-l的添加量由8〇〇〇ppm變為6000ppm以外,和實施例 1同樣地製作’得到表3的結果。 實施例3 除了將共聚物P-1的添加量由8〇〇〇ppm變為4〇〇〇ppm以外,和實施例 1同樣地製作,得到表3的結果。 實施例4 除了將共聚物IM的添加量由8000ppm變為2000ppm以外,和實施例 1同樣地製作,得到表3的結果。 f 實施例5 除了將感光劑的種類由合成例11得到的感光劑(B-1)變為合成例12 侍到的感光劑(B-2)以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。 實施例6 除了將共聚物P的種類由合成例1得到的共聚物P-1變為合成例2得 到的共聚物P-2以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。 實施例7 除了將共聚物P的種類由合成例1得到的共聚物P-1變為合成例3 # 到的共聚物P-3以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。 于 實施例8 除了將共聚物p的種類由合成例1得到的共聚物P-1變為合成例4 ^ 到的共聚物P-4以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。 侍 比較例1 除了不添加共聚物P-1以外’和貫施例2同樣地製作,得到矣 比較例2 』衣3的結果。 除了將共聚物p的種類由合成例1得到的共聚物p_l變為合成 〜 到的共聚物p_5以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。? 5侍 比較例3 除了將共聚物p的種類由合成例1得到的共聚物P-1變為合成 ^ 到的共聚物P-6以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。$ 6侍 20 200830040 比較例4 除了將共聚物P的種類由合成例1得到的共聚物Ρ-l變為合成例7得 到的共聚物P-7以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的结果。 比較例5 除了將共聚物P的種類由合成例1得到的共聚物P-1變為合成例8得 到的共聚物P-8以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。 比較例6 除了將共聚物p的種類由合成例1得到的共聚物Pd變為合成例9得 到的共聚物P-9以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。
表2 21 200830040 表3
22 200830040 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 無

Claims (1)

  1. 200830040 十、申請專利範圍: 1· 一種LCD —TFT基板製造用排出喷嘴式塗佈法光阻劑組成物,其特徵在 於,含有: (A) 鹼可溶性樹脂; (B) 感光劑;以及
    (C) 氟系表面活性劑,該氟系表面活性劑是由包含通式(1)表示的 氟代烷基單體ml和通式(2)表示的聚氧丙烯單體1112的單體混 合物m進行聚合而得到的共聚物p,並且上述單體混合物m中的 上述單體ml和m2的混合比mi/m2是25/75〜40/60 (重量比), 且上述共聚物P的重均分子量是3〇〇〇〜1〇〇〇〇 ; CH2 = CR^OO^^CgFn ⑴ 式中,R1是氫原子或者甲基, CH2 = CR2COO (C3H60) nH ( 2 ) 式中,R2是氫原子或者甲基,n作為分佈的平均值是4〜7者。 2.如申請專利範圍第i項之LCD—TFT基板製造用排出噴嘴式塗佈法光阻 劑組成物,其中,該驗可溶性樹脂(A)是祕清漆樹脂,而且該感光 劑(B)是含有醌二疊氮基的化合物者。 3· 排出喷嘴式塗佈法在基板上塗佈如申請專利範圍第1或2項所述 、噴嘴式塗佈法光阻劑組成物之光阻劑組成物的塗佈方法者。 4. 請專利範圍第3項所述之綠在基板上形成光阻劑膜、曝光 曼進仃_像之抗蝕劑圖案之形成方法者。 24 200830040 七、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:無 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 無
    八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 無
TW096135430A 2006-09-25 2007-09-21 A photoresist composition, a coating method of a photoresist composition, and a method of forming a photoresist pattern TWI410748B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006259066A JP4759483B2 (ja) 2006-09-25 2006-09-25 フォトレジスト組成物、フォトレジスト組成物の塗布方法およびレジストパターンの形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200830040A true TW200830040A (en) 2008-07-16
TWI410748B TWI410748B (zh) 2013-10-01

Family

ID=39255766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096135430A TWI410748B (zh) 2006-09-25 2007-09-21 A photoresist composition, a coating method of a photoresist composition, and a method of forming a photoresist pattern

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4759483B2 (zh)
KR (1) KR101324853B1 (zh)
CN (1) CN101154040B (zh)
TW (1) TWI410748B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5173543B2 (ja) * 2008-04-08 2013-04-03 東京応化工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP2010072323A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Az Electronic Materials Kk スリット塗布用感光性樹脂組成物
JP5507938B2 (ja) * 2008-10-01 2014-05-28 東京応化工業株式会社 カラーフィルター用感光性樹脂組成物、カラーフィルター、及び液晶表示ディスプレイ
KR101669085B1 (ko) * 2009-01-28 2016-10-25 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물 및, 층간 절연막 및 그의 형성 방법
JP5486521B2 (ja) * 2010-03-15 2014-05-07 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機el表示装置、及び、液晶表示装置
JP4591625B1 (ja) * 2010-04-01 2010-12-01 Jsr株式会社 ポジ型感放射線性組成物、層間絶縁膜及びその形成方法
JP5737553B2 (ja) * 2010-09-17 2015-06-17 Dic株式会社 フッ素系界面活性剤、それを用いたコーティング組成物及びレジスト組成物
CN102964546A (zh) * 2012-11-07 2013-03-13 中科院广州化学有限公司 一种水分散性紫外光交联型含氟聚合物及其应用
TWI490651B (zh) * 2013-03-26 2015-07-01 Chi Mei Corp 正型感光性樹脂組成物及其圖案形成方法
JP5728517B2 (ja) * 2013-04-02 2015-06-03 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
JP2014218570A (ja) * 2013-05-08 2014-11-20 三菱レイヨン株式会社 半導体リソグラフィー用重合体の製造方法
JP2017167171A (ja) * 2014-08-05 2017-09-21 旭硝子株式会社 感光性樹脂溶液、パターニング膜の形成方法および含フッ素樹脂膜の微細加工方法
JP6923334B2 (ja) * 2016-04-14 2021-08-18 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物及び硬化レリーフパターンの製造方法
US11675266B2 (en) 2021-04-15 2023-06-13 Industrial Technology Research Institute Photosensitive compound, photosensitive composition, and patterning method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06105351B2 (ja) * 1986-03-27 1994-12-21 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
US5279917A (en) * 1991-05-09 1994-01-18 Konica Corporation Light-sensitive composition comprising a fluorine copolymer surfactant
JPH05181266A (ja) * 1991-05-09 1993-07-23 Konica Corp 感光性組成物
JP2001264979A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性平版印刷版
JP2002139830A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性転写材料
JP2002267833A (ja) * 2001-03-14 2002-09-18 Toray Ind Inc 液晶ディスプレイ用カラーフィルタの製造方法。
JP3800512B2 (ja) * 2001-12-13 2006-07-26 富士写真フイルム株式会社 画像形成材料
JP2003248302A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Fuji Photo Film Co Ltd 感赤外線感光性組成物
TWI304917B (en) * 2003-05-20 2009-01-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive photoresist composition for discharge nozzle type application and resist pattern formation method
WO2005083019A1 (ja) * 2004-02-27 2005-09-09 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. コーティング用樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008076980A (ja) 2008-04-03
JP4759483B2 (ja) 2011-08-31
KR101324853B1 (ko) 2013-11-01
CN101154040A (zh) 2008-04-02
KR20080027741A (ko) 2008-03-28
CN101154040B (zh) 2012-06-06
TWI410748B (zh) 2013-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200830040A (en) Photoresist composition, method for coating the photoresist composition, and method for forming resist pattern
TWI301930B (en) Antireflective compositions for photoresists
JPS61226745A (ja) 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物
TWI411885B (zh) 含有持環結構之高分子化合物的正型感光性樹脂組成物
TWI384328B (zh) 用以形成抗反射塗層的聚合物
JPS61226746A (ja) 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物
TW201107885A (en) Spin on organic antireflective coating composition comprising polymer with fused aromatic rings
TW201324057A (zh) 多層抗蝕製程用抗蝕底層膜形成用組成物、抗蝕底層膜及其形成方法,以及圖型形成方法
TW201312281A (zh) 底層組合物及其方法
TW201247734A (en) Antireflective coating composition and process thereof
TW200923585A (en) Resist underlayer coating forming composition containing branched polyhydroxystyrene
TWI466349B (zh) 有機薄膜電晶體用感光性樹脂組成物
KR101171217B1 (ko) 이층형 반사방지막을 사용한 포토레지스트 패턴의 형성방법
KR101118697B1 (ko) 폴리아미드산을 포함하는 하층 반사방지막 형성조성물
TW200428143A (en) Photoresist composition for multi-micro nozzle head coater
TWI425310B (zh) 感光性樹脂組成物
TWI814915B (zh) 阻劑底層膜形成組成物及使用該組成物之阻劑圖型之形成方法
JPS6236657A (ja) 半導体微細加工用レジスト組成物
TW201202270A (en) Surface reforming material, resist pattern formation method, and pattern formation method
EP3256537B1 (en) Composition for forming underlayer and method for forming underlayer therewith
TW201027246A (en) Photoresist composition
TWI325097B (en) Resist composition and organic solvent for removing resist
WO2018194169A1 (ja) 感光性樹脂組成物
JP2000112120A (ja) ポジ型ホトレジスト塗布液及びそれを用いた表示素子用基材
TW200912530A (en) Positive resist composition for producing a liquid crystal element and resist pattern formation method

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees