TW200830040A - Photoresist composition, method for coating the photoresist composition, and method for forming resist pattern - Google Patents
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Description
200830040 、九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係光阻劑組成物、光阻劑組成物之塗佈方法及光阻劑圖案之形成方 法,有關一種用排出噴嘴式塗佈法塗佈的光阻劑組成物,特別有關在製造以液 晶顯示器(LCD)為代表的平板顯示器(FpD)時優先使用的排出噴嘴式塗佈 法光阻劑組成物、該光阻劑組成物的塗佈方法、及使用該光阻劑組成物的抗蝕 劑圖案形成方法。 【先前技術】 液晶顯示器(LCD)用薄膜三極管(TFT)基板的製造,隨著電視用途發 展的大晝面化和提咼1枚母玻璃(㈤说^红giass)基板的倒角數提高生産率的觀 點考慮,母玻璃基板的大型化在進展。習知,在TFT基板的製造中,光阻劑 利用旋轉塗佈或者狹縫式旋轉塗佈進行塗佈。旋轉塗佈或者狹縫式旋轉塗佈這 些伴有旋轉加工的塗佈技術,對於在玻璃基板上以次微米至數微米厚水準的薄 膜來均勻地塗佈光阻劑是有效的,工業上被廣泛使用。可是稱為第7代 (1870mmx2200mm左右)或第8代(2l60mmx2460mm左右)的一邊的長度 超過2m的玻璃基板,使用伴有旋轉加工的塗佈方法在物理上已變得困難。其 原因,首先,第一可舉出由塗佈過程引起的基板的撓曲問題以及抵銷在塗佈杯 内發生的氣流變得困難。另外可舉出,伴有旋轉加工的塗佈方法中的塗佈性能 大大有賴於旋轉加工時的旋轉速度,但一般電動機難以確保能夠得到使大型玻 璃基板高速旋轉所必要的加速度,因此裝置費用增大這樣的問題,或隨之的電 力消耗、裝置面積的擴大等,對實用性產生很大之限制。 此外’對TFT陣列製造過程中的光阻劑塗佈過程的要求,可舉出適應 的高精細化,即提高用於實現精密加工性的塗佈均祕,除此以外可舉出縮短 LCD製造的相關步驟的時間。然而,習知的伴隨有旋轉加工的塗佈方法| 步驟時間縮短的觀點上變得難以合乎要求。 、义同時,在各面板製造廠,正在推進徹底的低成本化,削減光阻劑消耗量 為前所未有的重大課題。在基板的中央滴τ光阻劑後使基板旋轉的習知的二 塗佈中’冑在基板上的光阻劑的約9〇%以上從玻璃基板上被甩開,因此光阻 200830040 纽地使用。進而,若擴大基板尺寸,在旋轉時被甩開而廢棄的光阻 ===也有變得更多的傾向。為了有效利用光阻劑,也提出回收在旋轉加工 對其實祕度調整等,作為再生光阻劑再使用,但是,現 肖疋FT陣列衣以上尚未能能少設計概度(likdih〇〇d)之 =開發了不伴有旋轉加工的排出喷嘴式塗佈機的塗佈過程,= 習㈣伴_轉加工的塗錢,驗•力被錄,在 二,於1^的狀態°即’藉由設計各種光阻劑溶液’並調整旋 °紐其反映在光阻継液的二 加』利用與使用伴有旋轉 於其為不伴有旋轉加工的的_ °s亥塗佈法的最大的特徵是,由 佈在基板上的方編帶狀的光阻劑液塗 阻劑後,實施用於得到膜厚均勻性列如使用狹縫喷嘴塗佈光 劑的觀_,_塗佈,_纽利用光阻 的光阻劑液藉由進行真空乾燥2利。此後,已塗佈在基板上 厚。排出噴嘴式塗佈法的一個特徽:、,,‘驟’形成規定的光致抗触膜 厚均句性的·,翻噴嘴掃二;^^具树轉加工這樣_於確保膜 觀察到。換句話說,在排出噴嘴掃原樣的斑在賴烤後亦可被 要點。 成㈣何在基板上作綱質的塗膜當然成為 為了在該排出喷嘴掃描時得 濕性是重要的。光阻劑溶液中若確保光阻劑溶液向排出喷嘴的潤 生的縱條斑或橫段斑。這些斑,盘t4寸性,就產生在排出喷嘴的塗佈方向産 ”向光阻_排时嘴尖端材賊排出之光阻 200830040 劑溶液的潤濕性有密切的關係。潤濕性差時 嘴尖端不保持其均勻性,光阻劑溶液不能追^Φ的光阻劑溶液在排出噴 塗佈不良部位。這就是縱條斑。另-方面:3掃描動作的顯像,形成 光阻劑帶和基板表面進行不均勾的接觸而發生:=於料择描3寺的振動, 像’除了要求向倾_雛、光阻織對的^^㈣膜厚偏差。對於該顯 求掃描後光致抗餘膜的基板上的平滑均、:田動作的追縱性以外,還要 =步3 ’從掃描速度高、伴隨其的嘴嘴保短步驟時間的塗 的距神在變大_向。對於縱條斑、橫段斑,’排出対和基板間 段斑,都可能藉由提高光阻劑的滴下膜厚而減少,作用。縱條斑、橫 劑使用量的近年來的TFT基板製造步驟中難以仁疋,在嚴格要求控制光阻 這些斑以外,由於排出喷嘴掃描後的真空; 性狀不同’觸I加工同觀形祕斑 烤時的溶劑蒸發的 塗佈的光阻劑組成物,-般說來,與適應旋轉塗=的==。適應排出喷嘴式 有含量多的溶劑組合物,因此為 、先阻蜊組成物相比,為具 光阻劑組成物相比,需要在基板上滴下更ί的的適應旋轉塗佈的 發的=變^::此__==:=:由於必須蒸 或氟-衫成巾使其適宜地含魏綠面活性劑 系表面活性劑(灸‘利文^1)、添加900鹏以下的少量的氟一石夕 含量是3^1^文獻2)、使其含有氟含量是1G〜25質量%、而且石夕 —n ^的表面活性劑(參照專利文獻3)、使其含有含特定的番 生聚燒系表面活性劑(參照專利文獻),能夠抑制塗佈時 的塗佈後十由^轉^^專利文獻中,記載著在進行利用排出噴嘴式塗佈法 、f傻猎由轉基板來調整膜厚,@此實f上是以使 使/塗佈了抗餘劑的基板旋轉的狹縫式旋轉方式作為物;,並且 件、疋以第5代(1000mmx12〇〇mm〜1280mmxl400mm左右)作為物 200830040 專利文獻1 :日本特開2004 — 309720號公報 專利文獻2:日本特開2005一4172號公報 專利文獻3:日本特開2005 —107130號公報 專利文獻4:日本特開2005 —107131號公報 n 植成ϊί樣Ϊ歧下,在使料伴賴轉力^轉出噴嘴式塗胁塗佈光_ 組成物¥,_是制第7代赠社型母 佈先阻劑 ^雖然要求具有優良的薄膜均佈性的光阻劑, 步驟 ;::::佈性還不能說充分’因而現狀是要求能夠峨良好的二 =’本_的目献提供—種級敝絲, ΐ、缚膜均f特性優良的光致抗健,其可以適__”ί 式主佈法,適用於LCD—TFT基板製造。 、, 另外,本發明的目的是提供上述光阻劑組成物的塗佈方法和使用 剜組成物的抗蝕劑圖案的形成方法。 發明人等為瞭解決上述課題進行了深入刻意的研究,發現藉由使用特定 、面/舌性劑,可以得到解決上述課題的光阻劑組成物,從而完成了本發明。 即,本發明有關LCD-TFT基板製造用排出喷嘴式塗佈法光阻劑組 其特徵在於,含有: (A) 域可溶性樹脂、 (B) 感光劑、以及 、(c)氟系表面活性劑,其為由包含以通式(丨)表示的氟代烷基單體(mi) f通式表示的聚氧丙烯鏈單體含有量(m2)構成的單體混合物(m)進 行聚合而得到的共聚物(p), CH2 = CRlCOOCU2CR2C^l7 ( ι ) (式中’R1是氳原子或者甲基) (2)
CH2=CR2COO (C3H6〇) nH 200830040 式中,R2是氫原子或者甲基’ n作為分佈的平均值是* 亚且,上述單體混合物(m)中的上述單體(mi)和( / (m2)是25/75〜40/60 (重量比),且卜、十、政取4 ,此δ (坩1) 〜10_。 心比)且上姑聚物⑺的重均分子量是3〇〇〇 另外,本發明的LCD-TFT基板製造用排出喷嘴式塗佈法光且 較佳,該域可溶性樹脂(A)是酚醛清夫 成物 疊氮(_〇nediazid〇)基的化=Γ曰而且銷光劑⑻是含酿二 二ΪΓ月1關*阻劑組成物的塗佈方法,其特徵在於,使用排出噴嘴 式主佈法在基板上塗佈上述的排出噴嘴式塗佈法光阻劑组成物。 ^ 另外’本發明有關抗蝕細案的形成方法,其特徵在於, 組成物的塗佈方法在基板上形成級抗雜,曝光後進棚像。仏阻劑 【實施方式】 以下,更詳細地說明本發明。 氣系表面活性劑 ⑽ΐ成為本發明的LCD—TFT基板製造賴时嘴式塗佈法光阻劑組成物 、寺破的上述(c)成分的氟系表面活性劑來說明。上述⑹成分的 面雜激在使賴光阻雜成物的排出喷嘴式塗佈機的 為 高塗佈性所解可少的成分,打述通式⑴表示的單體㈤)和下 ⑵表不的單體(m2)共聚制的聚合面活性劑。 ; 通式(1): CH2 = CRtooci^CI^QFn ⑴ (式中,R疋氣原子或者甲基。) 通式(2):
nH (2) 作為分佈的平均值是4〜7 CH2 = CR2C〇〇 (C3H6〇) (式中,R2是氫原子或者甲基 , y 上述通式(1)表示的含有氟代烷基單體(ml ),如上該,是具有全氣辛 基的(甲基)丙烯酸醋化合物’但是若使用這樣的具有全氟辛基的(甲基)丙 稀酸醋化合物作為表面活性劑的構成成分,則全氟辛基位於已共聚的(甲基) 200830040 =烯酸低聚物或者聚合物的侧鏈上。再者,(甲基)丙稀酸醋是丙稀酸醋和 ίίΓΓΐ總稱。該全氟辛麵為絲祕_分子_光_溶液表面的 驅動力,由於位於空氣介面的全氟辛基,不僅光阻劑溶液的表面張力降低,而 且有利於塗佈性’ ^體地說有助於抑制對玻璃基板或排出噴嘴的賴性、條狀 的斑、伴隨賴観咖、在使基域顧定的針位置發S 發明人等的發現,錢辛基的碳原子數較佳8個,若少於8個,職面== 力就谷易稍,若錄8個,_馳合物_雜、鱗 ΓΓ的允許範關窄。另外,簡式⑴表示的單體㈤)是_酸= 甲基丙_1旨2種’但是僅使用任—種,或並用這2種都可以。 1構成,潍劑(C)的上述通式⑵表示的含聚氧丙烯鏈 早-m,疋具有聚氧丙烯基的(甲基)丙婦_旨化合物,但是若使用 =^^稀基的(甲基)丙烯酸自旨化合物作為表面活性麵成成分,貝^ 乳丙細基位於已共聚的(甲基)丙_低聚物或者聚合物的側鏈上,而形成梳 t聚合物。該聚氧丙絲主要有祕對光_組成物中的樹脂 相溶性、溶解性。另外,聚氧丙婦基的鏈長也影響對樹脂或溶劑的相 :二|±。通聚氧丙烯基在其鏈長上産生分佈,但是本發明有關的單 = 聚氧丙烯基的分佈可以是任何形g。自卩,可以直接制既有規 ί 氧魏基’也可藉由柱㈤職)處理或溶劑絲等操作 =早/刀放的錄丙烯基,進而還可以混合使用分佈不同的2種以上不同者,但 ::分佈的平均值,作為聚氧丙烯基的平均聚合度,必須是4〜7的範圍。另外, 單體(m2)無論是僅使用i種,還是並用2種以上都是可以的。 單,(ml)和單體(m2)的共聚比也對排出噴嘴式塗佈機中的塗佈性有 =大影〆軸共聚比也取決於該組合物中的其他的組成物,但㈤)/^2) '^5^^!0/60 (重量比)是必要的,如果是該範圍,則維持對樹脂或溶劑的 目'合性或洛解性’發現優良的介面活性能,因此使用排出喷嘴式塗佈機 良的均質塗佈性。單體(ml)的比率若變得比該範圍大,則共聚 、…、全氟辛基變多’對樹脂或溶劑的相溶性、溶解性降低,其結果,變得無 均貝的塗佈面。相反’錢得比該範則、,則表面張力並沒充分地降低, ’、&材或排出噴嘴的潤濕性降低,或表面上的表面活性劑分子不足,因而産生 200830040 =的乾燥喊在減_定基板的針的位置産生針斑,變得無法得到均質的塗 ,進而’使單體(ml)和單體(m2)共聚而得到的共聚物(p)的分子量 對作為表面雜躺性能縣大的影響,制是對溶劑的乾馳的影塑。 具有較佳上述共聚物(p)中的氟含量(具體地說使單體的 的效果,而且由於具錢度分子量的聚合型表面活性劑在表面附 =^偏析’表面的枯度比主體㈤k)上升,結果可推斷具有抑制溶劑的乾 蚝速度的效果。這裏,該推斷不限定本發明。 ί 一該效果在大量配合溶劑的薄膜塗佈時顯著顯現,雖然與溶劑的種類 溶劑的配合比例等溶劑組成的較佳相比,該效果通常是小的效果,但在近年 要求精密的塗佈面的TFT基板製造用光阻劑的塗佈步驟中是極重要的因素。 根據本發明人等的發現,共聚物⑻的分子競要是,重均分子量(在 移動相中使用四氫吱喃,在標準物質中使用聚苯乙稀,用GPC(凝膠渗透色级 =)進行測定,進行聚苯乙烯換算的值)為3_〜1()_。在分子量比該範圍^ 時丄由於主要是與樹脂的相溶性降低,而無法得到均質的塗佈面;相反,在比 該範圍小時,表面钻度的上升效果少,而無法得到均質的塗佈面。 這樣,在本發明中,藉由完全滿足(c)成分的各主要條件,首次能夠得 到排出噴嘴式塗佈法光阻劑組成物的優良的塗佈性。 本發明有義絲物(P)的製造方法沒有侧的關,可以基於陰離子 聚合、陽軒聚合或者自由絲合卿,適錢聊溶絲合、本體聚合、分 政承ό乳化水a但疋從工業上簡便且容易控制分子量,作為表面活性劑使 用時的雜質(例如聚合時使用的分散劑或乳化劑)的影響少的角度考慮,較佳 自由基溶液⑽^另外,除了由單體敝合決定的嵌段、交互、無規(mnd〇m) 的序列外,猎由聚合機制、引發劑、鏈轉移劑等的選擇,能夠自由地控制它們 的序列。 在藉由自由基溶液聚合製造共聚物(P)時,聚合引發劑和溶劑可以無限 制地使用公知的聚合引發劑和溶劑。 作為承合引發劑’可舉出曰本油脂株式會社製perhexaHC、pe出、 PerhexaC 'PerhexaV、Perhexa22、PerhexaMC 等過氧化缩酮類,per〇yi355、 12 200830040
Peroyl O、Peroyl L、Peroyl S、Nyper BW、N—^ TCP 等过氧化二碳酸酯,PERCYCLOND、PerhexylND、PerbutylND、Perhexyl PV ^Perbutyl PV >Perhexa 250 >Perocta 0 >Perhexyl 〇 >Perbutyl 〇 ^Perbutyl IB > Perbutyl L ^Perbutyl 535 ^Perhexyl I ^Perbutyl I ^Perbutyl E ^Perhexa 25Z >Perbutyl A、PerhexylZ、PerbutylZT 'PerbmylZ 等過氧化酉旨類,2,2,一偶氮二里丁腈(例 如大塚化学株式会社製AIBN)、2,2,_錢双·2_τ基丁腈(例如鱗化学株式 会社製ΑΜΒΝ)、2,2,·滅m基麟(例如姆化学株私社製仙刪 二曱基_2,2,·偶IUU2·曱基丙酸自旨)(例如和光純薬工業株式会社製糊】)、 i,r-偶纽(環己烧·ι-腈)(例如和光純薬4株式会社製㈣)、2,2,_偶氣双 [N-(2-丙烯基)_2_甲基丙醯胺](例如和光純藥工業株式会社製·⑹氰 基-1-甲基乙基)_曱醯胺(例如和光賴4株式会社製v ^ N双曱ίΓ胺)(例如和統㈣株式会讀必 偶,双(N-己基-2-甲基丙醯胺X例如和光純藥工業株式会社製m 攻長,本發明當然不受上述具體例的任何限制。 、 另外,作為反應溶劑,水、曱醇、乙醢、里 曱基.乙基_、甲基.異丁基__類 甲、…正T醇等醇類’丙酮、 酸乙醋等_,乙二醇-丁㈣ '乙酸丁醋、乳 二甲基甲醯胺、二甲亞颯等極性溶劑,u,kH—義等二醇類, 氫吱喃、二喝烧等謎類,苯、甲苯、I ::元、氯仿等-系溶劑,四 氟三正丁胺等氟化惰性液體類都可以使用;3單^^全氟辛烧、全 種以上的混合溶劑。 』乂疋早獨一種,也可以是2 進而,藉由使用硫醇化合物等鏈轉移 劑,可舉出月桂基硫醇、2·雜乙醇、疏基。作為鏈轉移 巯基乙酸辛酯(octylthi〇giycol acid)、Η美其^知(吻1 如oglycol add)、 在製造共聚物(P)時,對於作為;::的G甲氧基石夕烷等化咖 聚物(P),可以使用公知的方法進行任 體㈤)和(m2)、得到的共 處理或者後處理,例如可舉出利用減壓、加:处理和/或後處理。作為這些前 濾除處理等去除雜質或者分取特定的^子、各種吸附劑、溶劑洗滌、 本發明的絲敝絲巾的氟絲面難了 13 )的添加量,通常相對於 200830040 光P «丨减物巾的域可溶性細旨(A)和感細 2_〜麵鹏。氟___=: 顯Ζ程^布性提高效果另一方面,添加量若多於1〇〇〇〇Ppm,在 S 舍生韻起因於氟的疏水性賴影液不沾黏。 驗可溶性樹脂 輕的勒納日。作柄使用的麵,例^ ; 3,5-,f ^ 3 甲苯盼類;2,3-二曱基苯紛、2,4二f基苯紛、2,5二甲基苯紛二二茲 ^^^•^苯^仏三甲基苯鱗三甲基苯麵^第三丁 2苯盼斜教二二Γ盼、4_第二丁基苯齡等第三丁基苯_;鄰氯苯盼、間 ::,«:; : 等甲氧基苯對丁氧基苯^鄰乙美笨^^!盼、3,5-二甲氧基苯盼 oc - 本酚,郯乙基本酚、間乙基苯酚、對乙基苯酚、2,3- 一土本齡、2,5-一乙基苯盼、3,5_二乙基苯齡、如一三 基苯_乙基苯_;間苯二齡、2_甲基間苯二齡、4_甲基間苯二紛、,5_g 間苯二_間苯二_;對異丙基苯盼;α細^ 齡、亞甲基雙對甲酴、兒茶紛等。這些盼化合物,可 種以上親合物來制。 傾幻以作為2 用水ίϊ,,r甲駿以外,可以單獨或者作為2種以上的混合物使 用水祕、、乙_、苯帽、錄苯情、氯乙祕等。 低八漆樹脂,可以分離除去低分子量成分,也可以不分離除去 ^子里成为。作為/刀離除去祕清漆樹脂的低分子量成分的方法,例如在且 14 200830040 感光劑 ,另外,作為感光劑(B),可舉出具有代表性的含摘二魏基的感光劑。 作為含桃二魏基__ ’在習減二魏基_祕清漆雛纟抗钱劑中 ^的t何公知的感光劑都可以制。作為較佳的感細,例如可舉出藉由使 奈驅二疊氮基顧氯或銶二魏基顧氯與具有能夠和這些醯氯縮合反應 的官能基的低分子化合物或者高分子化合物反應而製成喊光劑。這裏,作^ 能夠和醯氯縮合的官能基’可舉出減、胺基等,她基是侧合適的。作為 含有經基的低分子化合物,例如可舉出細、間苯二盼、2,4_二絲二苯甲綱、 2,3,4-三經基二苯甲酮、2,4,6_三雜二苯曱酮、2,4,4,_三絲二苯甲_、2 3体 四經基二苯情、2,2|,4,4,·峨基二苯糊、2,2,,3,4,6,•五減二苯f酮等多声 基二苯甲_,雙(2,4_二經基苯基)曱烧、雙(2,3,4_三經基苯基)曱烧、雙 (2,4·二羥基苯基)丙烷等雙((多)羥基苯基)烷烴類,4,4,,3",4"_四羥基_3,5,3,,义 四甲基三苯基甲烧、4,4',2,,,3",4”·五羥基-3,5,3,,5|-四甲基三苯基r烷t’’, =,3,4,2’,3’,4’,3",4"-八減-5’,5’-二乙醯基三苯基甲烧等多經基三苯基甲貌類 等;作為含有羥基的高分子化合物,例如可舉出酚醛清漆樹脂、聚美苯乙烯、 杯芳烴(CALDCARENE)類等。錢可以單獨使用,也可以組合^種以上使 用。含有醌二疊氮基的感光劑的配合量,相對於每1〇〇重量份域可溶性樹脂, 通常是5〜5〇重量份,最好是10〜4〇重量份。 其他的成分 在本發明的LCD-TFT基板製造用排出噴嘴式塗佈法光阻劑組成物中, 含有使域可溶性酚醛清漆樹脂和感光劑溶解的溶劑。作為溶劑,可舉出乙二醇 一甲醚、乙二醇一乙醚等乙二醇一烷基醚類,乙二醇一甲醚乙酸酯:乙二^一 乙醚乙酸酯等乙二醇一烷基醚乙酸酯類,丙二醇一甲醚、丙二醇_曰乙醚^丙二 醇一烷基醚類,丙二醇一甲醚乙酸酯、丙二醇一乙醚乙酸酯等丙二醇二烷基醚 乙酸酯類,乳酸甲酯、乳酸乙酯等乳酸酯類,甲苯、二甲苯等芳香族炉:土 基乙基酮、2-庚酮、環己酮等酮類,N,N-二甲基乙醯胺、N•甲^ 胺類,γ-丁内酯等内酯類等。這些溶劑,可以單獨使用或者混合2種以: 在本發明的CD-TFT基板製造用排出噴嘴式塗佈法光阻劑組成物中,根據 需要,進而在不損害本發明目的的範圍内,還可以配合為了防止光暈的染料、 15 200830040 ,於提高由光_構成的層和其下層的密合性 為p的例子,例如可舉出_卜結晶紫^力:鲁作 =琳、丁酸、院基酸、聚織苯乙烯3 祕清漆、;魏魏、環氧聚合物、魏等。 ^ η弟二丁基 噴嘴紐·聽輯时嘴讀佈歧具有使_出 贺!將塗舰塗佈縣板幢佈面全面上的步 =用排出 出噴嘴和基板姉移_工具職置進行。在該 排 r" 出口的排时嘴或具有數個噴嘴孔列狀^ 具==排 塗佈步驟的塗佈裝置,前者已知有線性塗佈機方式的該 =:造株株=’!者已知有多個微型喷嘴方式的商品= =此因=_式塗罐基板上塗佈光,成物後:不: ”組雜後’當然也可崎採職轉加工。這樣,本發日⑽ 大型母玻璃的LCD-TFT基板的製造。 1更用弟7代以後的 成佈面全面上塗佈光阻劑後’就形成抗蝕劑圖案,用於形 士=_案的方法可以適宜地使用衆關知的方法。軸形成抗鋪圖案的 個=子_,是在1()()〜14(rc左右將已塗佈光_的基板加熱乾燥(預烘 =形成光阻劑被膜。此後,藉由所要求的光罩圖案對光阻劑被膜進行選擇 性的曝光。曝光時的波長’可以是g線、h線、i線或者其混合波長等適宜的 波長。此後,醜擇轉光後的抗侧被麟行顯影處理,就形成辑寬偏差、 而且形狀良好的抗蝕劑圖案。 # 作為在上賴科使用_湖,可錢用在f知已知光剛組成物的顯 1中所用的任意的顯影劑。作為優選的顯影劑,可舉出氫氧化四院基銨、膽鹼 (COLINE )、鹼金屬氫氧化物、驗金屬正魏鹽(水合物)、驗金屬雜鹽(水 200830040 :广)^烷基、烷醇胺、雜環式胺等的鹼性化合物的水溶液的鹼性顯 :夜’ 選的驗性,液是氫氧化四?基錢水溶液。在這些驗性顯影液 、、|而要步還可以含有曱醇、乙醇等的水溶液有機溶劑 ’或者表面 2劑。用驗«影液進行顯影後,進行使用純水等沖洗液將殘留在抗敍劑圖 案表面的顯影液洗掉的沖洗過程。 實施例 以:’為了更4細地說明本發明而鱗合成例、實施例和比較例,但本發 明不受這些說明的任何限制。 合成例1 (表面活性劑的合成i) β在備有授拌裝置、冷凝器、溫度計、滴液漏斗的玻璃燒瓶中,裝入13S重 ϊ份甲基異丁基酮(MIBK)作為聚合溶劑。 另方面,將作為含氟代烷基單體(ml)的cH2=CHC〇〇CH2CH2C8Fn (ml-l)33重1份、作為含聚氧丙烯鏈單體(响的cH2=ccH3C〇〇(C3H6〇) ηΗ (η的平均是5) (m2_l) 67重量份、作為聚合引發劑的第三丁基過氧_2乙 基=@日(日本油脂株式會轉Perbutyl Q,町簡稱‘>◦,,)7重量份、· 重篁份的MIBK預先混合,形柄勻的驗,裝人滴液漏斗巾,作為滴下液。 將已裝入該滴下液的滴液漏斗設置在上述玻魏瓶上,粗人氮氣邊升溫 至110 C達到110 C後,一面維持該溫度一面花2小時每次一定量地滴下滴 下液此後保持9小日守,使聚合結束後降溫至7〇。[,在減壓下進行脫ΜΙβΚ, 朴到枯稠·體(共聚物卩…。絲物由哪啦的聚苯乙烯換算的重 均分子量Mw=5700。 合成例2〜9 (表面活性劑的合成2〜9) 除了將合成例1中的滴下〉夜中的單體組成和聚合條件變成表i所示的條件 以外,在與合成例1相同的條件下合成共聚物p_2〜p_9。 不僅共聚物P的組成、聚合條件記於表J中,而且所得到的聚合物的重均 分子量也一併記於表1中。 再者,在表1中記載的m2,_i是以下的單體。 CH2 = CCH3COO (C2H5〇) ηΗ (η 的平均是 8) (m2,-l) 17 200830040 /1¾ 合成例 〇\ as 1 PLi m ro 〇 I & 卜 100 6600 00 00 1 Ph m m 〇 卜 100 7000 卜 卜 pL m cn 0 1 Oh 〇 1—Η 17200 Ό pli 〇 ο 〇 r"H 6100 to 1 Ph § 0 1 λ 卜 Ο τ—Η 5100 寸 P-4 m m VO 0 1 Λ 卜 Ο τ-Η 9500 m cn 〇 s 0 1 a 卜 Ο τ-Η r-H 5800 CN Ph CN cr> 〇 卜 Ο 4900 cn 〇 I a 卜 Ο Η 5700 共聚物 重量份 重量份 重量份 重量份 聚合溫度°c 重均分子量(Mw) ml-1 m2 A m2,-l 種類 導入量 單體 聚合引 發劑 18 200830040 合成例ι〇 (酚醛清漆樹脂的合成) 相對於以6/4的比率混合間曱紛/對甲酚的混合曱酚1〇〇重量份,以56 重量份的37重量%甲酸、2重量份的草酸的比例裝入,於反應溫度l〇〇°c 反應5小時。該酚醛清漆樹脂由GPC測定的聚苯乙烯換算的重均分子量為 Mw=15200 〇 合成例11 (感光劑B-1的合成) 以1.0/2.5的裝入比(摩爾比)使2,3,4,4,-四羥基二苯甲酮和1,2-萘醍二 疊氮-5-磺醯氯溶解於二喝烷酸中,以三乙胺作為催化劑使用常規方法進行 酯化。利用HPLC測定生成的酯(B-1)時,一酯是5%,二酯是42%,三 / 酯是13%,四酯是39%。 \ 合成例12 (感光劑B_2的合成) 以1.0/2.0的裝入比(摩爾比)使2,3,4-三羥基二苯甲酮和ι,2-萘醌二疊 氮-5-石黃醯氯溶解於二嗝烷酸中,以三乙胺作為催化劑使用常規方法進行酯 化。利用HPLC測定生成的酯(B-2)時,二酯是29%,三酯是63%。 實施例1 使100重量份的合成例1〇得到的酚醛清漆樹脂和25重量份的合成例 11 4于到的感光劑(B-1)溶解於丙二醇一曱醚乙酸醋中,再相對於全部固體 成分添加8000Ppm的合成例丨得到的共聚物p—i,攪拌後,用〇 2μιη的篩 『 檢程式過濾,製備成本發明的光阻劑組成物。使用塗佈裝置(伊藤忠產機 k ^製’商品名:臺式模具塗佈機(diecoater)),在塗佈間隔:50_、喷嘴 術田速度· lGGmm/s的條件下,將該組合物狹縫塗佈在[形成&膜的玻璃 基板(120mmx23〇mm)上,用川吖的加熱板烘烤9〇秒後,得到15_ 厚的抗__。贱雜由目視鏡該抗侧絲面,基於下述評價基準 物縱條斑、橫段斑和霧斑的評價。結果示於表3中。再者,將實施例、 比較例的光阻劑組成物的組成匯總示於表2中。 縱條斑、橫段斑和霧斑的評價 〇:未觀察到不勻。 △•觀祭到一部分不勻,但可以允許。 X:觀察到許多不勻,不能允許。 19 200830040 實施例2 除了將共水物Ρ-l的添加量由8〇〇〇ppm變為6000ppm以外,和實施例 1同樣地製作’得到表3的結果。 實施例3 除了將共聚物P-1的添加量由8〇〇〇ppm變為4〇〇〇ppm以外,和實施例 1同樣地製作,得到表3的結果。 實施例4 除了將共聚物IM的添加量由8000ppm變為2000ppm以外,和實施例 1同樣地製作,得到表3的結果。 f 實施例5 除了將感光劑的種類由合成例11得到的感光劑(B-1)變為合成例12 侍到的感光劑(B-2)以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。 實施例6 除了將共聚物P的種類由合成例1得到的共聚物P-1變為合成例2得 到的共聚物P-2以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。 實施例7 除了將共聚物P的種類由合成例1得到的共聚物P-1變為合成例3 # 到的共聚物P-3以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。 于 實施例8 除了將共聚物p的種類由合成例1得到的共聚物P-1變為合成例4 ^ 到的共聚物P-4以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。 侍 比較例1 除了不添加共聚物P-1以外’和貫施例2同樣地製作,得到矣 比較例2 』衣3的結果。 除了將共聚物p的種類由合成例1得到的共聚物p_l變為合成 〜 到的共聚物p_5以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。? 5侍 比較例3 除了將共聚物p的種類由合成例1得到的共聚物P-1變為合成 ^ 到的共聚物P-6以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。$ 6侍 20 200830040 比較例4 除了將共聚物P的種類由合成例1得到的共聚物Ρ-l變為合成例7得 到的共聚物P-7以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的结果。 比較例5 除了將共聚物P的種類由合成例1得到的共聚物P-1變為合成例8得 到的共聚物P-8以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。 比較例6 除了將共聚物p的種類由合成例1得到的共聚物Pd變為合成例9得 到的共聚物P-9以外,和實施例2同樣地製作,得到表3的結果。
表2 21 200830040 表3
22 200830040 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 無
Claims (1)
- 200830040 十、申請專利範圍: 1· 一種LCD —TFT基板製造用排出喷嘴式塗佈法光阻劑組成物,其特徵在 於,含有: (A) 鹼可溶性樹脂; (B) 感光劑;以及(C) 氟系表面活性劑,該氟系表面活性劑是由包含通式(1)表示的 氟代烷基單體ml和通式(2)表示的聚氧丙烯單體1112的單體混 合物m進行聚合而得到的共聚物p,並且上述單體混合物m中的 上述單體ml和m2的混合比mi/m2是25/75〜40/60 (重量比), 且上述共聚物P的重均分子量是3〇〇〇〜1〇〇〇〇 ; CH2 = CR^OO^^CgFn ⑴ 式中,R1是氫原子或者甲基, CH2 = CR2COO (C3H60) nH ( 2 ) 式中,R2是氫原子或者甲基,n作為分佈的平均值是4〜7者。 2.如申請專利範圍第i項之LCD—TFT基板製造用排出噴嘴式塗佈法光阻 劑組成物,其中,該驗可溶性樹脂(A)是祕清漆樹脂,而且該感光 劑(B)是含有醌二疊氮基的化合物者。 3· 排出喷嘴式塗佈法在基板上塗佈如申請專利範圍第1或2項所述 、噴嘴式塗佈法光阻劑組成物之光阻劑組成物的塗佈方法者。 4. 請專利範圍第3項所述之綠在基板上形成光阻劑膜、曝光 曼進仃_像之抗蝕劑圖案之形成方法者。 24 200830040 七、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:無 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 無八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 無
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JP2014218570A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-20 | 三菱レイヨン株式会社 | 半導体リソグラフィー用重合体の製造方法 |
JP2017167171A (ja) * | 2014-08-05 | 2017-09-21 | 旭硝子株式会社 | 感光性樹脂溶液、パターニング膜の形成方法および含フッ素樹脂膜の微細加工方法 |
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JP2001264979A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性平版印刷版 |
JP2002139830A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性転写材料 |
JP2002267833A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | Toray Ind Inc | 液晶ディスプレイ用カラーフィルタの製造方法。 |
JP3800512B2 (ja) * | 2001-12-13 | 2006-07-26 | 富士写真フイルム株式会社 | 画像形成材料 |
JP2003248302A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感赤外線感光性組成物 |
TWI304917B (en) * | 2003-05-20 | 2009-01-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Positive photoresist composition for discharge nozzle type application and resist pattern formation method |
WO2005083019A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | コーティング用樹脂組成物 |
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