TW200828301A - Optical recording medium - Google Patents
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Description
200828301 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於光記錄媒體，更詳言之，係關於具有含色 素之記錄層的光記錄媒體。 【先前技術】 近年’可超南禮度§己錄的藍色雷射開發正急速地發展， 並進行因應此情況之單寫式光記錄媒體的開發。其中，強 烈渴望成本較廉價且能有效率生產的色素塗佈型單寫式 媒體之開發。習知色素塗佈型單寫式光記錄媒體，係對由 主成分為色素的有機化合物所構成之記錄層施行雷射光 照射，藉由主要因有機化合物的分解/變質所產生的光學 (折射率/吸收率）變化，而形成記錄訊坑。記錄訊坑部不 僅將產生光學變化，通常亦伴隨有因記錄層體積變化所造 成的艾形因發熱而开》成基板與色素的混合部、以及基板 又形（主要為因基板膨脹所造成的隆起）等情況（例如參昭 春專利文獻1)。 、 記錄層所使用之有機化合物，對進行記錄/再生時所使 1之雷射波長的光學行為、分解/昇華、及因而所衍生的 毛先^等,、、、行為，將成為形成良好記錄訊坑的重要要件。所 =’ s己錄層所使㈣有機化合物必f選擇具有適當光學性 貝與分解行為的材料。 雜枝ί自知型早寫式媒體（特別如CD—R與DVD-R)，係以 βΓ/Ή1、Au等反射膜被覆至預先在基板上所 凹狀汛坑而成的再生專用記錄媒體（R0M媒體）間之 312XP/發明明書(補件)/96]施133⑼ 200828301 再生互換為目@，將以實現大概6〇%以上的 的，大概超過60%高調變度為目的。首 冋枚 辟能Θ & * 无’為能在未記錄 狀悲下獲仔而反射率，而規定記錄層的光學性 將要求未記錄狀態下的折射率n為 >/ώ Μ上，且；^減在叙 為〇.〇1~〇.3左右的數值（例如參照專利文獻2)。 ’、 主成分為色素的記錄層若僅有由記錄所造成的光 貝變化，將頗難獲得_以上的高調變度。即，因為折射 率η與衰減係數k的變化量僅侷限於有機物的色素而已， 因而平面狀態下的反射率變化將有所限制。 所以’利用藉由記錄訊坑部與未記錄部的反射光相位 差’而造成來自二部分的反射光干涉效應，而表觀上地辦 加記錄訊坑部分的反射率變化（降低反射率）之方法。換： 之，有報告指出使用與R0M媒體的相位差訊坑相同之^ 理，當折射率變化較小於無機物的有機物記錄層時，反而 主要利用由相位差所造成的反射率變化將較為有利（參照 φ專利文獻3)。此外，進行有就上述記錄原理進行综合性 的考慮探討（參照非專利文獻1 )。 立以下，將依如上述般所記錄的部分（亦稱「記錄標記 部」），不論物理形狀為何，均稱為「記錄訊坑」、「記錄 訊坑部」或「記錄訊坑部分。 圖1所示係說用習知構成之具有主成分為色素之記錄 層的單寫式媒體（光記錄媒體1〇)的圖。如圖1所示，光 記錄媒體10係在已形成溝執的基板n上，至少依序形成 記錄層12、反射層13、及保護塗層14，並使用物鏡18， 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 7 200828301 隔著基板11入射記錄再生光束17，而照射於記錄層12。 基板11厚度通常係使用1, 2mm(CD)或〇. 6mm(DVD)。此外， δ己錄訊i几係從記錄再生光束17所入射之面19觀之，在較 靠近侧將形成於一般通稱「溝軌」的基板溝軌部16部分 中’並未形成於較遠侧的基板溝軌間部15中。 前述該等周知文獻中，亦有報告指出儘可能地增加含有 色素的§己錄層12在記錄前後的折射率變化，另一方面， _記錄訊坑部的形狀變化，即溝軌内所形成記錄訊坑部的局 部性溝執形狀變化（因基板u的膨脹或凹陷而使溝軌深 度發生等效性變化）、膜厚變化（因記錄層12的膨脹、收 縮所造成的膜厚穿透性變化）的效果，將有助於相位差變 化。 如上述的記錄原理中，為提高未記錄時的反射率，且為 能利用雷射照射而使有機化合物分解俾產生較大的折射 率變化（藉此將可獲得較大的調變度），通常記錄再生光波 •長將選擇位於較大吸收帶之靠長波長侧的下緣。其理由在 於丄較大吸收帶之靠長波長侧的下緣處，將成為具有適度 的衰減係數，且能獲得較大折射率的波長區域。 ⑯然而’具有與習知同等級之對於藍色雷射波長之光學性 質值的材料尚未被發現。特別係在目前已實用化之該色半 導體雷射之振堡波長中心❾405nm附近，具有與對^單 舄式光記錄媒體的記錄層戶斤要求光學常數為相同程度之 ，學常數的有機化合物幾乎不存在，目前尚處於摸=階 段。況且’習知之具有色素記錄層的單寫式光記錄媒體 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 〇 200828301 中’因為在§己錄再生光波長附近存在有色素的主吸收帶， 因而光學常數的波長依存性增加（將依波長而光學常數出 現較大變動），對於因雷射的個體差、環境溫度變化等所 造成的記錄再生光波長變動，將有諸如記錄感度、調變 度、抖動（Jitter)、錯誤率等記錄特性、以及反射率等大 幅變化的問題。 例如有報告指出使用在405nm附近具有吸收的色素記 _錄層進行記錄的構想，但是其所使用的色素係要求與習知 相同的光學特性與機能，且完全依存於高性能色素的探索 發見（例如麥照專利文獻4)。其次，有報告指出使用如圖 1所示之習知主成分為色素之記錄層12的單寫式光記錄 媒體1G ’其溝執形狀、以及記錄層12的基板溝軌部^ 與基板溝執間部i 5的厚度分佈，亦必f適#地控制等（例 如參照專利文獻5)。 即’依如上述，由確保高反射率的觀點而言，僅能使用 對記錄再生光波長具有較小衰減係數（m3左右）的 色素。所以，記錄層12 $能獲得記錄時所必要的光吸收， 且為能增加記錄前後的他差變化，便不可能將 12膜厚缚膜化。結果，記錄層的膜厚通常使用； L所使用的色素域於溝財，為降低串音干擾，便必 而使用具有深溝執的基板n。因 當孫刹m 4含色素的記錄層12通 二佈法)形成，而將色素埋藏於深溝執 Ρ的記錄層12厚膜化，故反而較為方便。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 9 200828301 另:方面，塗佈法雖在基板溝轨部16與基板溝轨間部u 的δ己錄層膜厚上出現差異’但是出；見該記錄層膜厚差現 象’將有助於即使使用深溝執仍可穩定地獲得循執飼服訊 號0 ^ 5之，圖1之由基板η表面所規定的溝軌形狀、與 由Ζ錄層12與反射層13之界面所規定的溝轨形狀，若未 將該等雙方均保持於適當值，記錄訊坑部的訊號特性盘循 軌訊號特性雙方均無法保持良好。溝執的深度通常必需接 近A/(2ns)U係記錄再生光束17的波長，&係基板“ 的折射率)’於CD-R係設定為2〇〇nm左右的範圍，於dvd r 設定為15〇nm左右的範圍。此種具有深溝執之基板u的 形成非常困難，而成為光記錄媒體1〇品質降低的肇因。 特別係於使用藍色雷射光的光記錄媒體中，若設為又 ^405nm，便需要接近1〇〇nm的深溝執另一方面，為達高 岔度化，大多必需將執距設定為G 2/zm〜依該= 軌距而形成此種深溝執將更為困難，實際上，以習^ 碳酸酯樹脂幾乎不可能進行量產。即，使用藍 = 媒體中，以習知構成而言，量產化困難的可能性頗高先的 再者’上述公報的實施例，大多屬於表示f知碟片 的圖1例，為能實現使用藍色雷射的高密度記錄，將 :所謂「膜面入射」的構成’有報告提出相變化型記錄層 荨之使用無機材料記錄層的構成（參照非專利文獻2)。^ :板：面ί射2構成，將與習知相反，在已形成溝軌的 土板，至>依序形成反射膜、記錄層、及覆蓋層，並隔 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 1〇 200828301 著覆蓋層使記錄/再生用聚焦雷射光入射，而照射至記錄 層。覆蓋層的厚度’係於所謂「藍光碟片（Biu_Ray)」中^ 通书使用100# m左右（非專利文獻3)。此種從薄覆蓋層 側入射记錄再生光的在於，供聚焦用的物鏡將使用較習知 更高NA者（開口數，通常為〇·7~〇9，藍光碟片則為 〇· 85)。虽使用尚财物鏡的情況，為減輕因覆蓋層厚度所 ^成的像差影響，便需要__左右的薄度。採用此種 鲁監色波長記錄、膜面入射層構成的例子已有多數報告提出 (茶照非專利文獻4 ’例如參照專利文獻6)。此外，相關 的關連技術亦已有多數報告（參照非專利文獻5~非專利文 獻8，例如參照專利文獻7〜9)。 [非專利文獻1 ]「國際光學儲存技術研討會進展 (Proceedings of International Symposium on Optical Mem〇ry)」、（美國）、第 4期、1991 年、p 99 i〇8 [非專利文獻2] 「Proceedings 〇f spiE」、（美國）、第 _ 4342 期、2002 年、ρ· 168-177 [非專利文獻3 ]「光碟解析新書」、曰經電子編、曰經 ΒΡ社、2003年、第3章 [非專利文獻4]「日本應用物理學刊（Japanese仂虹⑽丄 of Applied Physics)」、（日本）、第 a 期、2003 年、 Ρ· 1056-1058 [非專利文獻5]中島平太郎•小川博共著、「光碟讀本」 修訂3版、Ohmsha、平成8年、ρ· 168 [非專利文獻6]「日本應用物理學刊（Japanese J〇urnal 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 11 200828301 of Applied Physics)」、（日本）、第 42 期、2〇〇3 年、 P·914-918 [非專利文獻7]日本應用物理學刊（japaneSe j〇urnai of Applied Physics)」、（日本）、第 39 期、2〇〇〇 年、 P.775-778 [非專利文獻8]曰本應用物理學刊（jai)anese j〇urnai of Applied Physics)」、（日本）、第 42 期、2〇〇3 年、 I Ρ·912—914 [專利文獻1]曰本專利特開平3—63943號公報 [專利文獻2]日本專利特開平2 —132656號公報 [專利文獻3]日本專利特開昭57 —5〇198〇號公報 [專利文獻4]日本專利特開2〇〇2_3〇187〇號公報 [專利文獻5]曰本專利特開平4—182944號公報 [專利文獻6]日本專利特開2〇〇4 —3〇864號公報 [專利文獻7]日本專利特開2〇〇3 —266954號公報 _ [專利文獻日本專利特開200卜331936號公報 [專利文獻9]日本專利特表2〇〇5 —5〇4649號公報 [專利文獻ίο]國際公開06/〇〇91〇7號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 但是’先行開發的膜面入射型相變化型媒體中，係在從 =射光側所觀看到的覆蓋層溝執部上形成記錄標記。此若 從入射光侧觀看，將如同習知對基板上的基板溝軌部 記錄，意味著能以與CD—RW、DVD_RW幾乎相同的層構成實 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 1 j 200828301 上：可獲得良好特性。另一方面，主成分為色素 塗佈型的情況下’對覆蓋層溝執部的記 = = 係因基板上的旋塗將容易造成色素滞留 —滯留相溝 成的記錄訊坑（¾錚俨卞、 “意θ溝執邛中所形 部，所以，串音4:f，：爾出於覆蓋層溝執間 •度化上將有其1^ 被填塞，因而於高密 入=側在二述周知文獻中，幾乎如習知，著眼於藉由從 看對屬於較靠近側的覆蓋層#執部施行記 化或者，在未考慮因溝軌部高度差 射率降低而已。❹下，僅著眼於平面狀態下的反 狀能下的只*或者，以利用盡量不使用相位差，之平面 解率變化為前提。在此種前提條件下，並無法 #、容執部記錄的串音干擾問題，並不適用於利用 位^，每订記錄層形成製程。換言之，難謂有效活用相 沪Γ且’只現對覆蓋層溝執間部的良好記錄特性。特別係 記錄中，尚未出現對於最短標記長至最長標記 2己長’具有實用的記錄功率容限，並實現良好 10 ltter)特性的例子。本案的部分發明者在專利文獻 Α、開蚤出藉由對於從入射光側觀看為較遠侧的基板 曰，&卩，行°己錄，而增加反射光強度的光記錄媒體，但 、月b滿足抖動、記錄感度等所有的特性，仍為需要更 mxiv發明說明書(補件)/96·ΐ2_33⑼ 13 200828301 進一步改善的狀況。 CD-R、DVD-R 匹敵 成分的記錄層、並 依此，目前現況係尚未得知能與習知 的咼性能、低成本、且具有以色素為主 對應藍色雷射的膜面入射型單寫式媒體 再者’已有針對具有衰減係數高達G 5~13左右的以外 啉色素為主成分之記錄層，並對應藍色雷射的膜面入射型 媒體進打探討之結果（日本專利特開別㈣顚2號公 •報）’但是就記錄的特性而言，才目關實用指標的抖動、推 挽訊號，並無能實現良好值的例子出現。其理由如下述。 :、中i錄再生光波長λ下的記錄層未記錄狀態(記錄 琢）光學特性，係依複折射係數nd*U ·匕表示，將實 數部nd稱為「折射率」，將虛數部kd稱為「衰減係數」。、 記錄訊坑部、亦即於記錄後，nd將變為Kuna，^ 將變為 kd’ =kd- 5 kd。 再者，就以下所採用的「反射率」與「反射光強度」等 #二用語的區別進行說明。所謂「反射率」係指平面狀態下， 7 2種光學特性不同的物質間所產生的光反射中，反射能 =光強度相對於入射能量光強度的比例。即使記錄層屬於 平面狀，若光學特性發生變化，則反射率亦變化。另一方 面所明「反射光強度」係指當經由聚焦的記錄再生光束、 與物鏡進行記錄媒體面讀取時，重返於偵測器上之光的強 度0 ROM媒體中，因為訊坑部、未記錄部（訊坑周邊部）將由 同一反射層所覆蓋，因此反射膜的反射率將於訊坑部、未 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 14 200828301 記錄部為相同。另一方面，因為訊坑部所產生的反射光、 與未記錄部的反射光之間出現相位差，故將因干涉效應而 在記錄訊坑部出現反射光強度變化（通常可見到降低/此 種干涉效應在當記錄訊坑係局部性形成，且記錄再生光束 〜 徑内部涵蓋著記錄訊坑部與其周邊未記錄部的情況下，記 — 錄訊坑部與周邊部的反射光將因相位差而出現干涉現 象。另一方面，於記錄訊坑部有發生任何光學變化的記錄 鲁媒脰即便屬於無凹凸的平面狀態，仍將因記錄膜本身的 ^折射係數變化，而發生反射率變化。此情形在本實施形 悲中稱為「平面狀態所發生的反射率變化」。換言之，記 錄膜平面整體將因記錄前的複折射係數、或記錄後的複折 射係數，導致記錄膜將出現反射率變化，其屬於即使未考 慮記錄訊坑與其周邊部的反射光干涉，仍發生的反射光強 度變化。另一方面，當記錄層的光學變化屬於局部性訊坑 部日守，於記錄訊坑部的反射光相位、與其周邊部的反射光 _相位不同之情況下’將發生反射光的2維干涉，導致反射 光強度在記錄訊坑周邊部出現局部性變化。 依此，本實施形態中，將未考慮不同相位反射光之2維 干涉的反射光強度變化，記為「依平面狀態所產生的反射 光強度變化」、或者「平面狀態的反射光強度變化」，將經 考慮記錄訊坑與其周邊部不同相位反射光之2維干涉的 反射光強度變化，記為「依相位差所產生的（局部性）反射 光強度變化」、或者「依相位差所產生的反射光強度變 化」’俾將二者區分。 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 15 200828301 、2若欲利用「依相位差所產生的反射光強度變化」， t獲传充分的反射光強度變化、亦即記錄訊號的振幅（或 光學對比），則記錄層22本身的折射率變化必需非常大。 例=CD R與DVD-R中，要求色素記錄層在記錄前折射率 '；的實數部為2. 5〜3.0，且記錄後成為卜15左右。此外， ·*色素記錄層在記錄前複折射係數的虛數部kd較小於〇.i 左右之情況，將有利於在未記錄狀態下獲得R〇M互換的高 φ反射率。另外，記錄層22的膜厚必需厚達50nm〜1〇〇nm。 其理由係若未達此程度的厚度，則大部分的光將通過記錄 層内，而無法獲得充分的反射光強度變化、與訊坑形 成時所必要的光吸收。依此較厚之色素記錄層中因訊坑部 的變形所造成的局部性相位變化，僅不過辅助性使用而 已。另外，前述ROM媒體中並無記錄訊坑部的局部性折射 率變化，可認為僅檢測出「依相位差所產生的反射光強度 變化」。為能獲得良好的記錄品質，當記錄訊坑部的反射 _光強度變化發生上述2種反射光強度變化混合的情況 %，將以二者互相增強為佳。所謂「2種反射光強度變化 • 互相增強」’係指各自所產生的反射光強度變化方向、即 反射光強度的增加或降低，呈現相同情況。 再者，記錄層的複折射係數中，衰減係數kd的減小係在 平面狀悲的反射光強度變化」中，因反射率的增加而導 致反射光強度增加。習知的CD-R、DVD-R中，係如上述， 因為利用記錄訊坑部的反射光強度降低而進行記錄（以下 稱「H to L記錄」），因而該衰減係數的變化並非較佳。 312XP/發明說明書(補件)/9642/96133191 16 200828301 所以冑利用具有未記錄的nd變大而^變小之傾向之、 記錄再生光波長到達主吸收帶的長波長侧者。此種的 利用方法，如前述的nd必需為2.5〜3左右的較大值，作在 權:附近，具有此種較大⑴的色素實際上係難以獲得， =以用習知記錄原理，將有無法獲得良好記錄特性的 本發明係為解決此種問題而完成。 之目的在於提供一種抖動特性與循執特性均 k越’且具有良好記錄再生特性，錢 的光記錄媒體。 门山覆口己錄 (解決問題之手段） 有鑑於上述問題，針對具有主成分為 ===記：且對應藍色雷射的臈面人射型媒 :至上，復盖層之面為較遠側的導溝部作為記錄溝軌 口亚以使該s己錄溝軌部中所形成之記錄訊坑部的反 較高Γ記錄溝軌部之未記錄時的反射光強度之 方式進仃纪錄（以下稱「L ΐ〇 H記錄」），便 良好§己錄特性的膜面入射型媒體。 " 者即’本發明之主旨在於—種光記錄媒體，係具備有下述 已形成有導溝的基板； 具光反射機能的層； 以下述一般式[I ]所示 以及在上述基板上，所依序設置： 之卜琳化&物為主成分的記錄 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 17 200828301 層；以及 月b使入射於上述記錄層的記錄再生光穿透過的覆蓋層； 其特徵為， 上述記錄再生光波長λ係350nm〜45〇nm ; 當以距使上述記錄再生光聚焦而獲得的記錄再生光束 ‘所入射於上述覆蓋層之面為較遠側的導溝部作為記錄溝 執部時， •上述記錄溝軌部中所形成之記錄訊坑部的反射光強 度，將高於該記錄溝軌部中未記錄時的反射光強度。 [化1]
(-般式⑴中，Ar(Ar“係指分別獨立的芳香環， 可具有複數取代基。 R〜R係指各自獨立的氫原子或任意取代基；
Ma係指2價以上的金屬陽離子。但當『係3價以 為使整體分子呈中性，該分子亦可再具有相對陰^ 再者’最好該記錄訊坑部中，在與上述記錄層 記錄層所鄰接層的界面處將形成空洞，且上述記錄層：： 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 200828301 隨朝上述，蓋層側的膨脹形狀變化。 示之四芳香基 H1好上述記錄層係以—般式[11 ]所 卟啉化合物為主成分。 [化2] R1
([⑴式中’ X〜Χ4係指各自獨立的價數4以上之屌子合 χ〜X係價數5以上的原子時，⑼亦可再具;=取： 基，當X〜X4係價數6以上的 : ^ 一〇1一〇4上的原子呀，分別亦可具有2個 異。 ^兄下’該2個Μ係可為相同，亦可為互 Q〜Q係指各自獨立的週期表第〗6族原子。
Ar1*4係指各自獨立的芳香環，
Π4以外的取代基。 ^ ^ T R〜R係指各自獨立的碳數2〇以下之有機基· R〜R係指各自獨立的氫原子或電子親和性取代美· Μ係指2價以上的金屬陽離子。但當價以1的产 況’為使整體分子呈中性，該分子亦可再具有相對陰離子月。 312ΧΡ/發明說明書(補件 y9642/96133191 19 200828301 另外
及 R、R3 及 R4、R5 及 r6、R 而形成環。） 及R亦可各自鍵結 j者，最好在上述記錄層與上述覆蓋層之間，更進-井 界面層。 材科與該復盍層材料發生混合現象的 再者取好在上述具有光反射機能 之間’進-步設置中間層。 /、上^己錄層
Cr、^ T取^^中間層係含有從Ta、_、V、W、Mo、 ^所構成群組中選擇之至少1種的元素。 二t:二上述具有光反射機能的層與上述記錄層侧的 料mj!基準面’以未形成上述記錄訊坑部的導溝部 ==溝執間部時，由上述反射基準面所規定之上述記 ::°卜與上述記錄溝執間部的高度差dGL，最好為 川〜（ϋηιη。 (發明效果） I猎此根據本發明，便可獲得具有良好抖動特性、且能進 行極高密度記錄的光記錄媒體。 【實施方式】 / j下，針對實施本發明的較佳形態（以下稱「發明實施 ，怨」）進行說明。此外，本發明並未侷限於以下實施形 L ’在主旨範疇内將可進行各種變形實施。 圖2係示意性地表示本發明實施形態的光記錄媒體之 層2成的部分剖視圖。圖2所示之光記錄媒體20(本實施 /的光5己錄媒體），係膜面入射構造的單寫式光記錄媒 312XP/__9 書(補件)/96·12/96133191 20 200828301 體，具有在已形成導溝的基板21上，至少依序積層著具 反射機能的層（反射層23)、具光吸收機能的記錄層22(其 係圖2中如後述，以在未記錄（記錄前）狀態下對記錄再生 光具有吸收的色素為主成分）、以及覆蓋層24的構造，且 .·記錄再生係從覆蓋層24侧入射經物鏡28所聚光的記錄再 一 生光束27而實施。即，光記錄媒體2〇係採用「膜面入射 -構造」（亦稱「Reverse Stack」）。以下中，將具反射機 鲁能的層簡稱「反射層23」，將以色素為主成分且具有光吸 收機能的記錄層，簡稱「記錄層22」。如前述，將使用圖 1所說明的習知構成稱為「基板入射構造」。 在對圖2所說明之膜面入射構成的覆蓋層“側入射記 錄再生光束27時，為能進行高密度記錄，通常使用開口 數（以下記為「NA」）= 0.6〜0.9左右的高NA物鏡。在本發 明中，記錄再生光波長又，特佳為使用35〇nm〜45〇nm波長 區域。 •本實施形態於圖2中，係以從記錄再生光束27對覆蓋 运24的入射面（圮錄再生光束的入射面29)觀看為較遠側 •的導溝部（距記錄再生光束所入射面為較遠側的導溝部） 作為記錄溝執部’並以使記錄溝執部所形成之記錄訊坑部 勺反射光強度較馬於s己錄溝執部中未記錄時的反射光強 X H $ it行錄β其主要機制為反射光強度的增加係因 上述記錄訊坑部的衰減係數減少與反射光相位變化所造 ^所謂「反射光的相位變化」係指記錄溝執部中的反射 光在往復光程之記錄前後的變化。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 21 200828301 此處，於膜面入射型光記錄媒體2〇中，係將距記錄再 生光束27對覆蓋層24的入射面（記錄再生光束的入射面 29)為較遠的導溝部（與基板21的溝執部一致），稱為「覆 盍層溝軌間部（in-groove)25」將距記錄再生光束27入射 面29為較近的導溝間部（與基板21的溝軌間部一致），稱 為「覆蓋層溝執部（on-groove)26」（「on—groove」、 「in-groove」的稱呼係依照非專利文獻2)。 _ 更具體而言，藉由進行如下述的工夫便可實現本發明。 (1)在基板21上形成來自使未記錄狀態之覆蓋層溝軌 間部的反射光、與來自覆蓋層溝轨部的反射光之相位差① 成為7Γ /2〜7Γ之深度的溝軌，並將覆蓋層溝執間部 (in-groove)的記錄層膜厚，作成較該溝執深度更薄的薄 膜，另外，設置記錄層22，該記錄層係覆蓋層溝軌部 (on-groove)的膜厚幾乎為零之非常薄、且主成分為色素 的記錄層22。對該覆蓋層溝轨間部，從覆蓋層侧照射記 響錄再生光束，使該記錄層產生變質，而於記錄訊坑中利用 因相位變化所造成的反射光強度增加。藉此，膜面入射構 造在相較於習知〇n-gr〇〇ve、Η ΐ〇 L記錄之下，將大幅改 、善塗佈型色素媒體的性能。此外，將可進行串音干擾較小 的南轨距密度（例如0· 2//m〜〇· 4# m)的記錄。且此種高軌 距溝軌較容易形成。 另外，依塗佈型（旋塗）所形成的色素媒體，因為具有色 素優先地滯留於基板溝執部中的特徵，因此亦具有下述製 私上的優點·將覆盍層溝軌間部（in—gr〇〇ve)的記錄層膜 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 22 200828301 厚作成為較該溝轨深度更薄的薄 (on-groove) 6^ ^ ^ ^ Λ ^ ^ ，覆盍層溝軌部 予戍卞馬令的非常薄之 容易自然形成。 邑素Α錄層，將 (2)記錄訊坑部的折射率變 式置旯品加λα介β 骑利用在記錄層22内部 欠且::：形成。在空洞内部，視1、w • 補層22最好能配合朝覆蓋層24方向勝脹之 變形而使用，在覆蓋層24之至少 y、 點：室溫以下的黏著劑等所構成之柔軟的變形 =’而有助於上述變形。藉此’因記錄所造成的反射 =度增加般的相位變化方向將整合（記錄訊號波形之應 、义，失）’且，即使為較小的折射率變化仍可增加相位變 化量（記錄訊號振幅）。此外，積極利用記錄層的衰減係數 減少，亦能配合於平面狀態所發生之反射率變化所導致的 反射光強度之增加而使用。 如上述將具有下述特徵：在於具有已形成導溝的基板， 馨以及在上述基板上至少依序設有：具光反射機能的層、記 錄層（係含有以在未記錄狀態下對記錄再生光波長具有光 吸收機能的色素作為主成分）、以及對上述記錄層入射記 錄再生光的覆蓋層；且當將距使上述記錄再生光經聚焦所 獲得之記錄再生光束入射於上述覆蓋層之面為較遠侧的 導溝部作為記錄溝執部時，將可實現上述記錄溝執部上所 形成之記錄訊坑部的反射光強度較高於該記錄溝執部之 未記錄部反射光強度的光記錄媒體，俾可從該記錄訊坑部 獲得高調變度且無應變的L to Η極性記錄訊號。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 23 200828301 (3)成為記錄層主成分的具有光吸收機能之色素，係使 用上述一般式[I]所示之卟啉化合物。 土該卟啉化合物因為在記錄再生光波長的4〇〇nm附近較 靠長波長侧處具有非常急遽的較大主吸收帶，因而當使用 作為έ己錄再生波長4〇〇nm附近的光記錄媒體時，便具有如 下述優點。此外啉化合物在記錄前的衰減係數為0^ 3 左右的較大值，且記錄後有效率地分解並形成空洞，因而 籲f降低至趨近於零。即，記錄前後的衰減係數之減少變化 里將非常大。所以，記錄訊坑部的吸收光量將大幅減少， 而反射光強度卻將明顯增加，因此於記錄後記錄訊坑部中 增加反射光強度之記錄方式中，較容易獲得較大的訊號 幅。且，因為衰減係數較大，因而在記錄時光被良好^吸 收，因而記錄時的功率能被效率佳地使用，亦具有能表現 記錄感度的優點。另外，具有能選擇折射率為〇. 5〜1左右 之較小值之色素的特徵。當在記錄溝執部中有埋藏色素 籲時，所計算得之光學溝執深度係由溝執的絕對深度與折射 率之乘積所決定’該數值係當使用相同溝執深度時，將隨 折射率值產生變動。當折射率較小的情況，藉由能縮小光 學溝軌深度，因而即使屬於依能獲得良好抖動特性而下工 夫的構造，仍可在不偏離循執的範圍内，輕易地對循執訊 號進龍制，因此，相較於已販售之諸如使用無機材料記 錄層的藍光碟片之循軌訊號之下，將可獲得相同程度的訊 號特性，並可輕易確保在光記錄再生衆置中使用本案發明 記錄媒體時的互換性。 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 24 200828301 有本案構成的十林化合物，將可溶於氟醇等，頗適用 於利用旋塗法施行之量產製程。 、、此處’為了下述的說明而定義「反射基準©」。反射基 準面係认定為將成為主反射面的反射層之靠記錄層侧界 t表^面）所明「主反射面」係指對再生反射光的影響比 例最高之反射界面。在表示本實施形態所應用之光記錄媒 _ 的囷2中’主反射面位於記錄層22與反射層23的 _界面。其理由係本實施形態所應用的光記錄媒體別中， f為作為對象的記錄層22較薄且吸收率較低，因而大部 刀的光此里將直接通過記錄層22，並能到達與反射面的 适界。此外，其他尚有會發生反射的界面，再生光的反射 光強度係由來自各界面的反射光強度與相位的整體影響 所決定。本實施形態所應用的光記錄媒體2〇中，因為大 部分為主反射面之反射的影響，因而只要考慮由主反射面 所反射的光強度與相位便可。故而以主反射面作為反射基 _準面。 本實施形態中，首先於圖2中，對覆蓋層溝軌間部25 形成訊坑（標記）。此係為了能利用主要依照製造較容易的 旋塗法所形成之記錄層22之緣故。相反的，藉由利用塗 佈法’可謂覆蓋層溝轨間部（基板溝軌部）25的記錄層膜 厚，將自然地較厚於覆蓋層溝執部（基板溝執間部）26的 記錄層膜厚，該厚度僅為「平面狀態的反射光強度變化」， 並未厚達能獲得充分反射光強度變化的程度，但藉由配合 使用「經考慮干涉的反射光強度變化」，便可依較薄的記 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 25 200828301 錄層膜厚’以覆蓋層溝㈣部25上所形成之訊坑部實現 較大的反射光強度變化（高調變度）。 本只她形悲中’其特徵在於，當利用記錄訊坑部的反射 光相位變化時，由圖2的反射基準面所構成之覆蓋層溝執 間部25、與覆蓋層溝軌部26的高度差，將於記錄後產生 較記錄前呈現光學較淺的變化。此時為使職伺服安定 化，首先係未使推挽訊號反轉產生，且使記錄訊坑產生記 錄後的反射光強度較記錄前的反射光強度增加之相位變 化0 將圖2所示之本實施形態所應用的膜面入射構造光記 錄媒體20之層構成，在與作為習知構成所說明的圖}所 不之基板人射構造光記錄媒體1M目比較下進行說明。此 處’為了將圖1所示光記錄媒體1〇、與圖2所示光記錄 媒虹20的層構成’著眼於由反射基準面所反射之光的相 位並予以區別而進行說明，而分別對應圖ι中對基板溝執 =6進打記錄的情況、與圖2中對覆蓋層溝執間部^及 復盍層溝執部26進行記錄的情況，使 進行探討。 U η ϋ Τ 3所不係攸習知構成的圖}之基板入射構成之基板 11側所人射之記錄再生光束17的反射光的說明圖。 圖4所不係膜面入射型媒體（光記錄媒體2〇)的層構 、契對覆蓋層溝執間部25進行記錄時的相位差的說明 圖0 圖 所示係膜面人射型媒體（光記錄媒體20)的層構 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96_ 12/96133191 26 200828301 成、與對覆蓋層溝軌部26進行記料的相位差的說明圖。 即’圖4與圖5所示錄圖2的膜面人射構造光記錄媒 體20 ^，«面入射構造覆蓋層24之靠入射自以側所 入射之》己錄再生光束27的反射光的說明圖。圖4係在本 實施形態所應用之光記錄媒體2〇的覆蓋層溝執間部（基 板溝軌部）25上形成訊坑。_ 5係為了與本發明效果進^ 比對說明，雖同屬膜面入射構成，但在覆蓋層溝執部（基 板溝執間部）26上形成訊坑。 口：圖4圖5中’分別係(a)記錄前之含記錄訊坑的 d視圖’⑻記錄後之含記錄訊坑的剖視圖。以下，將妒 成記錄訊坑的溝執與溝執間部稱「記錄溝軌部」，並二 者之間部稱「記錄溝執間部」。gp，f知構造的圖3中了 基板溝執部16屬於「記錄溝執部」，記錄溝執間部㈣ 於δ己錄溝軌間部」。此外，本發明的圖4申，覆蓋 =部25將成為「記錄溝軌部」，覆蓋層溝執部μ將成 為兄錄溝軌間部」。另外，在比對說明的圖$中，劳罢 層溝軌部，將成為「記錄溝執部」，覆蓋層溝執間部二 將成為「記錄溝執間部」。 口 首先’當求取記錄溝執部反射光與記 =差時，利用“，定義出相位基準面。圖3圖射4先 圖5中，在各個未記錄狀態圖（心中，f八 錄溝轨㈣，己錄層12/基板u界面（圖3(a)) 間部的記錄層…覆蓋層24^(s 4(a)) 讀溝執 部的記錄層22/覆蓋層24界面(及：錄溝執 口 V " 另—方面，圖 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 27 200828301 、、圖4、目5的記錄後狀態圖⑻中，A_A，分別對應於記 錄溝執部的記錄層12(混合層16m)/基板U界面（圖 3(b))、記錄溝軌間部的記錄層22/覆蓋層界面（圖 4(b))、及記錄溝轨部的記錄層22(混合層覆蓋層 24界面（圖4(b))。較a-A’面更靠眼前（入射侧）處，並未 口光路而產生光學差。此外，記錄前的記錄溝執部之反射 基準面將依B-B，定義，記錄前的基板21(圖3)或覆蓋層 修24(圖—4)的記錄溝執部底面（記錄層12/基板u、記錄層 22/覆蓋層24界面），將依c_c，定義。圖3與圖5之記錄 前，A-A’與C-C’係呈一致。 將記錄前的基板溝軌部之記錄層厚度設為心，將基板溝 執間部的厚度設為dL，、將反射基準面的記錄溝執部與記 錄溝軌間。卩之回度差没為dGL，將基板表面的記錄溝軌間 部咼度差設為dGLS。圖3的情況下，dGL係依存於記錄層12 在記錄溝執部中之埋藏方式，屬於不同於dGLs的值。圖4、 魯圖5的情況下，將依存於反射層23在記錄溝軌部與記錄 溝執間部的被覆程度，但是通常因為反射層23在記錄溝 軌部與記錄溝軌間部大致呈相同膜厚，因而直接反映出基 板21表面的高度差，故。 將基板11、21折射率設為ns，將覆蓋層24折射率設為 nc。因記錄訊坑的形成，一般將產生如下述的變化。記錄 訊坑部16p、25p、26p中，記錄層12、22的折射率將從 nd變化成m’ - 5 nd。且，記錄訊坑部16ρ、25ρ、2βρ中， 在記錄層12、22的入射侧界面，於記錄層丨2與基板丄l、 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 200828301 或基板21與覆蓋層24材料之間出現混合情形，而形成混 合層。且’記錄層12、22發生體積變化，而反射基準面（記 錄層/反射層界面）的位置產生移動。此外、通常係屬於有 機物的基板11、21或覆蓋層24材料、與屬於金屬的反射 層材料間之混合層形成，為可忽視的程度。此處，在記錄 層12/基板u(圖1)、記錄層22/覆蓋層24(圖2)間，將 發生記錄層12與基板11、或記錄層22與覆蓋層24材料 ⑩的混合情形，並形成厚度dmix的混合層16m、25m、26m。 此外，將混合層16m、25m、26m的折射率設為 ru -ns 5 ns(圖 3(b))、n: =ndnc(圖 4(b)、圖 5(b))。 此時，記錄層12/基板n、或記錄層22/覆蓋層24界 面係以c-c’為基準，在記錄後將僅移動db^dbmp係如圖3、 圖4、圖5所示，朝記錄層12、22内部移動的方向設為 正。反之，若dbmp為負，便意味著記錄層12、22超越c—c， 面進行膨脹。此外，若在圖3的記錄層12/基板n、圖4、 #圖5的記錄層22/覆蓋層24間，設有阻礙二者混合的界 面層時’便能成為‘x=〇。但，隨記錄層12、22的體積變 化料發生cw變形。當未發生色素混合時，基板21、或 覆蓋層24目dbmp變形所造成的折射率變化影響較小，判 另-方面，記錄溝執部的反射基準面移動量，係以 前的反射基準面位置B—B，為基準，設定為 如 圖3、圖4、圖5所示，記錄層12、22收縮方向(反= 準面朝祕層12、22内部移動的方向)設為正。反之，若 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 29 200828301 dPit為負，便意味著記錄層12、22超越b — b，面進行膨脹。 記錄後的記錄層膜厚將為下式： dGa = dG-dpit~dbmp (1 ) 此外，dGL、ck、dL、dmix、rid、EL·、ns、dGa 係由其定義與物 理特性而言，不為負值。 此種§己錄訊坑的模型化、與下述相位的預估方法均使用 周知方法（非專利文獻1)。 修再者，在圮錄鈾與記錄後均求取相位基準面A-A，的記 錄溝軌部與記錄溝執間部之再生光（反射光）相位差。將記 錄丽的記錄溝軌部與記錄溝軌間部之反射光相位差設為 Φ13,將記錄後的記錄訊坑部16p、25p、26p與記錄溝執 間部之反射光相位差設為，並統稱為φ。任一者均定 義如下： Φ = Φ b 或 φ a 二（記錄溝執間部的反射光相位）—（記錄溝執部（記錄後係 包括sfl 士几部）的相位） （2 ) Φ = Φ b 或 φ a = (2ττ/λ ) · 2 · {(記錄溝轨間部光程長(記錄溝執部（ 錄後係包括訊坑部）光程長）} ( 3 ) ° 於此’（3)式中，乘上係數2的理由係考慮往復 的緣故。 長 圖3中， Φ b丨二(2 7Γ / λ ) · 2 · (ns · dGL+nd · dL一nd · dG) =(4 7Γ / 又）· {ns-dGL-nd · dciL) } (4) 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 30 200828301 Φ ai = (2 7Γ / ；l ) · 2 · {ns · dGL+ns · (dmiX-dbmp)+nci · dL一 [ (nd_ d lid) · (dG-dpit-(ibmp) + (ns- 5 Us) · droix] } =Φ bi+ Δ Φ (5) 但， △ φ= (4 7τ/λ){ (ru—ns) · dbmp+nd · dpi t+ (5 ns · dmix+ 占加· (dG -dpit -dbmp) } ( 6 ) 。此外，因為記錄溝執部從入射側觀之係位於較記錄溝執 間部更靠眼前處，因而Φ bi > 0。 ⑩另一方面，圖4中， Φ b2=(2 7Γ / λ ) · 2 · {nd · dL-[nd · dG+nc · ((Il+cIgl-do) ]} = (4 7T / λ ) · {(nc-rid) · (dG-dL)-nc-cIgl} (7) Φ a2=(2 7Γ / λ ) · 2 · {(nd · dL- [n〇 · (dL + dGL dG + dbmp-dmix) + (Hd- (5 lid) · (dc-dpit-dbmp) + (Ilc— 5 ttc) • (Ira i x ]) =Φ b2+ △ Φ (8) • 但， △ Φ =(4 7Γ / 入）{(ηη) · dbmp+ru · dpit+ 5 nc · dmiX+ (5 ru · (dG- dpit - dbmp) } ( 9 ) 。此外，因為記錄溝軌部從入射侧觀之係位於較記錄溝執 間部更靠内部深處，因而φ b2 < 0。 再者，圖5中， Φ b3-(2 7Γ / 久）· 2 · {nd · dG+nc · (dL+dGL-dG)-rid · (1l} ~(4 7Γ / λ ) · { (nd~nc) · (dc-di)+nc-dcL} (10) Φ a3=(2 7Γ / 又）· 2 · {nd · dG+nc · ((Il+cIgl-dG)+nc · 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 31 200828301 (dL'dpit-dbmp) + (nc- He) · dmix]} (11) (droix-dbmp) - [ (lid- (5 lid) =Φ bs+Δ Φ 但， △ Φ =(4 7Γ / λ ) {(nd—η〇 · dbmP+nd · dpit+ 5 nc · cLiX+ 占 rid · (dL-dp“-dbinp) } (12 ) 。再者，因為記錄溝執部從入射侧觀之係位於較記錄溝執 間部更靠眼前處，因而Φ b3 > 〇。 籲 △ φ係因記錄所產生的訊坑部之相位變化，（12)式中除 了 dL與dG互換之外，其餘任何情況均可依同式表示。以 下’將Φ th、Φ b2、Φ b3統稱依φ b表示，並將φ ai、φ a2、 Φ as統稱依φ a表示。 因△ Φ所產生的訊號調變度m係： m〇cl-cos(A(D):sin2(A〇/2) (13) 与（△ Φ/2)2 (14) 。最右邊（14)係△ φ較小時的近似值。 ⑩ 若丨△ φ丨較大，則調變度將變大，但是通常因記錄所造 成的相位變化| △ φ |係在〇至冗之間，通常認為將在冗/2 左右以下。實際上，習知諸如CD—R、DVD—R等習知色素系 5己錄層中’尚無報告指出此種較大的相位變化，且如前 述’監色波長區域中，由色素的一般特性而言，相位變化 尚有更加縮小的傾向。反之，丨△ φ |超過冗的變化，將有 在記錄前後使推挽強制反轉的可能性、或使推挽訊號變化 變為過大的可能性，由循轨伺服的安定性維持層面而言， 最好避免。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96·12/96133191 32 200828301 此處，圖6所示係記錄溝軌部與記錄溝執間部的相位 差、及反射光強度間之關係的說明圖。圖6係表示丨φ丨、 與記錄前後的記錄溝轨部反射光強度間之關係。在此為求 簡便，將忽視記錄層12、22的吸收影響。圖3、圖5的 構造，通常因為（Db>〇，因而當△ φ >〇的情況下，圖6 的丨Φ I將為增加的方向。換言之，表示φ b將增加並成為 Φ a 〇 鲁另一方面，圖4的構造’通常因為ΦΙ)<〇,因而當Δφ <〇的情況下，圖6的|φ丨將為增加的方向。換言之，相 當於圖6的橫軸乘上（-1)。所以，表示丨φ b丨將增加並成 為 I Φ a|。 右將平面狀態（dGL=0)下的記錄溝軌部反射率設為R〇， 則隨ΙΦ |的變大，將由記錄溝執部與記錄溝軌間部的反射 光相位差Ob而產生干、涉效應，導致反射光強度降低。然 後，若相位差ΙΦ |等於；(半波長），反射光強度將成為極 •小值。此外，若ΙΦ I超過π並增加，則反射光強度將從減 少轉為增加，且在丨φ 1=2 7Γ時將成為極大值。 此處，推挽訊號強度係在相位差| φ丨為冗/2時變為最 大，而在7Γ時成為極小，且極性反轉。以後將再度增加/ 減少，並在2ττ時成為極小，且極性再度反轉。以上的關 係，將與利用相位訊坑所進行的R0M媒體中，訊坑部深度 (相當於dGL)、與反射率的關係完全相同（非專利文獻5)。 以下’針對推挽訊號進行若干說明。 圖7所示係對記錄訊號（和訊號）與推挽訊號（差訊號） 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 33 200828301 進行檢測的四區偵測器構成的說明圖。四區偵測器係由4 個獨立的光檢測11所構成，將各自的輪出設為Ia、Ib、 Ic、IcL·來自圖7的記錄溝執部及記錄溝執間部之〇次繞 射光與1次繞射光，將由四區偵測器所受光，並轉換為g .氣訊號。從來自四區偵測器的訊號，可獲得下述的運算= • 出。 β則 ' Isum=(Ia+Ib+Ic+Id) (15) ⑩ IPP=(Ia+Ib)-(lc+id) (ΐβ) 再者，圖8所示係實際上使涵括複數溝執部、溝執間部 而獲得的輸出訊號，通過低通濾波器（戴頻3〇kHz左右） 後’所檢測到的訊號圖。 圖8中，lsum"係指Isum訊號在peak—t〇—peak時的訊 號振幅。ippP-df、指推挽訊號的Peak—t〇—㈧独訊號振幅。 推挽吼唬強度」稱為r IpPp_p」，以與推挽訊號ιρρ有所 區別。 • 循軌伺服係將圖8(b)的推挽訊號（IPP)視為誤差訊號， 並施行回饋/伺服。圖8(b)中，例如當將IPP訊號的極性 k +麦化為的令父叉點’對應於記錄溝軌部中心，並將從 -變化至+的零交又點對應於記錄溝執間部時，所謂「推挽 極性反轉」，便指該符號的變化相反。若符號相反，將發 生原本欲對記錄溝執部施加伺服（即，聚光束光點照射於 兄錄溝執部）’但是相反地卻使對記錄溝軌間部施加伺服 的不良情況。 對冗錄溝執部施加伺服時的Isun]訊號係記錄訊號，本 312XP/發明說明書(補件)/96· 12/96133191 34 200828301 貝轭形恶中，在記錄後將顯示出增加的變化。 其中，下式
IPPactual = [{(la+Ib)(t)^(Ic+Id)(t)}/{(Ia+Ib)(t)Kic+ Id)(t)}]P-P =UPP(tbvIsum(tb”）HlPP(ta)/Isum(ta)} (其中’ ta係IPP成為最小值的時間；tb係Ipp成為最大 值的時間） 彳17> 所示之運算輸出’係稱為「規格化推挽訊號強度 (I PPactual )」。 貝際上，光§己錄再生裝置用於施加循執伺服的推挽訊號 係瞬間，大多使用從瞬間所測得之Isum、1忡值，經計算 而獲仔之訊號的規格化推挽訊號。 圖β所示之相位差與反射光強度的關係，係由上述（^ 3 ) 式中亦可得知，呈現週期性。記錄前後的|φ|變化（即丨△ φ I)，就以色素為主成分的媒體，通常小於（冗/2)程度。 反之，本貫施形悲中，依記錄所產生的I φ丨變化，即使最 大亦仍在；Γ以下。所以，必要的話，只要將記錄層膜厚適 當地變薄便可。 在此，從相位基準面Α-Α’觀之，當藉由記錄訊坑部 16ρ、25ρ、26ρ的形成，而使記錄溝軌部的反射光相位（或 者光私長）#父圮錄Α變小的情況（相位較記錄前慢的情況） 下，即△Φ >0的情況下，從入射侧觀之，反射基準面的 光學距離（光程長）將減少，呈靠近光源（或者相位基準面 A-A’）的狀態。所以，圖3中，將具有記錄溝轨部的反射 312XP/發明說明書(補件)/96·12/96133191 35 200828301 基準面朝下方移動（d“增加）的同f效果，結果，記錄訊坑 部16p的反射光強度將減少。圖4中，係相反地具有與將 記錄溝轨部的反射基準面朝上方移動（I減少）的同等效 果，結果，記錄訊坑部25p的反射光強度將增加。圖5中， 將具有與記錄溝執部的反射基準面朝上方移動(I增加) 的同等效果，結果，記錄訊坑部26p的反射光強度減少。 另一方面，從相位基準面A_A，觀之，當記錄訊坑部 籲16p、25p、26p的反射光相位（或者光程長），較記錄前變 大的情況（相位較記錄前慢的情況）（Δφ<〇的情況）下， 仗入射侧觀之，反射基準面的光學的距離（光程長）將增 加，將變得遠離光源（或者相位基準面Α_Α，）。圖3中，曰 將具有與記錄溝執部的反射基準面朝上方移動（dGL減少） 的同等效果，結果，記錄訊坑部16p的反射光強度增加。 圖4中，相反地，將具有與記錄溝軌部的反射基準面朝下 方移動（dGL增加）的同等效果，結果，記錄訊坑部25p的反 _射光強度減少。圖5中，將具有與記錄溝軌部的反射基準 面朝下方移動（dGL減少）的同等效果，結果，記錄訊坑部 26p的反射光強度增加。此處，將記錄訊坑部的反射光強 度，在記錄後到底是減少或增加的反射光強度變化方向， 稱為「記錄（訊號）的極性」。 所以，若在記錄訊坑部16p、25p、26p形成△ φ > 〇的 相位變化，在圖3、圖5的記錄溝軌部中，最好利用因記 錄而反射光強度降低的「High to Low」（以下簡稱「η to L」）的訊號極性變化，圖4的記錄溝軌部中，最好利用因 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 36 200828301 記錄而反射光強度增加的「L〇wt〇High」（以下簡稱「[仂 H」）的極性。另外，若形成ΔΦ<0的相位變化，圖3、 圖5的記錄溝轨部最好利用L t。Η的極性，Κ 4的記錄 溝軌部中，最好利用H t〇 L的極性。將以上的關係整理 如表1。表1中，△ φ的符號在圖3、圖4、圖5的構造 與記錄溝軌部中，係表示H to L、L t0 Η任-極性的反 射光強度變化是否恰當。
[表1 ] Δ φ > 〇 △ Φ < 0 圖3 H to L L to H 圖4 L to Η H to L 圖5 H to L L to H (關於相位變化△ Φ的較佳態樣） 本發明中’在_ 4的情況下，係以不與因衰減係數減少 所造成之反射光強度發生矛盾的L t〇 Η記錄為目的，因 而最好△Φ > 〇。 即，為使記錄訊號的極性不受記錄功率、與記錄訊坑的 長度、大小之影響而均呈—^，「平面狀態的反射光強度 變化」、與「經考慮干涉的反射光強度變化」，最好各自的 反射光強度變化呈整合。 以下’針對利用色素記錄層媒體，對圖4所示覆蓋層溝 執間部25 &仃記錄時，實現△ φ >〇的較佳態樣進行敛 述。 △ Φ中，若設定為： φ bmp=(nd-nc) · dbmp (18) 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 37 200828301 Φ Pit=nd-dpit (19) Φ mix= δ η〇 · drnix (20) φ 5 nd · (dG-dPit-d_)= 5 nd · dGa (21) ，則將對應於因記錄層入射侧界面的變形（移動）所造 成之相位交化，φρΗ將對應於因記錄層22/反射層23界 面的變形（移動）所造成的相位變化，0>mix將對應於因混合 層25m形成所造成的相位變化，①n將對應於因記錄層μ _的折射率變化所造成的相位變化。該等相位變化較大，且 變化方向（即0bmp、φρ“、φ^、φη的符號）已整合的情形， 在為了增加調變度，且不致使特定訊號極性的訊號波形失 真之下’獲得良好記錄特性，將屬重要。 其中，為整合相位變化的方向，而將上述φ_、①…、 〇mix、〇^的相關複數物理參數全部正確地控制，最好控 制呈限定為儘可能少的要件。 工 首先，最好在記錄層入射侧界面設置界面層等，俾形成 • dmix-〇。其理由係依‘χ所造成的相位差變化，因為無法太 大’因而不僅不易積極利用，且厚度的控制亦較困難。所 =，最好在記錄層入射侧界面設置界面層等，俾形成
Cimix^O 〇 其次，關於變形，最好集中於單—地方，且限定於單一 =°其理由係相較於複數變形部位之下，更正確地控制 ^ 了平乂谷易獲付良好的訊號品質。 所以，本實施形態中，最好 、 土 μ 取贫王要利用Φ _與φ pit中任一 者、與Φ η。 ^ 312XP/發明說明書(補件),96_ 12/96133191 38 200828301 關於dPit，通常主要原因係基板或覆蓋層的膨脹、或記 錄層的體積收縮，因而大多成為dpit>〇。此現象雖將有利 於ΦΡ“，但是卻不利於dGa(即φη)。另一方面，因為記錄 層的吸收係從記錄層的厚度中間部起於入射侧界面侧成 為最咼，因而該部分將成為最高溫，反射層之界面側的發 熱量將相對地較小。此外，若反射層係使用高放熱性材 料，則該記錄層的發熱影響將大部分集中於記錄層之入射 ⑩侧界面。發熱集中處，係在圖4中為記錄層22之覆蓋層 24侧的界面。所以，目4的構成中，在色素的入射侧界 面，即與覆盍層24間的界面處將發生變形。因而，dm 將自然地變小，影響亦降低。不同於習知構成，可判斷基 板21侧變形的影響較少，實際上視為dpitg〇。此現象教 示了可將應控制的變形要件集中於dbmp。 再者，Φ η將影響色素的折射率變化占⑴、變形d_。 此情況下，Φ η係從（21 )式中可知，將影響色素的折射 _率變化（5IU、變形dbmp，的大小與符號屬於最重要的 要件。 以下，若觀察ΦΡΗ=0、的情況，此情況下，由 (18)、（21)式將可獲得下式： △ Φ 与 dHmp+(Dn=(nd-nc) · d一· (H) = (nd’ -nc) · dbmp+ (5 rid · dG (22) 首先，若觀察Φ _，則因為nd，与i，且nc係於普通樹脂 材料下為1 · 5前後，因而nd，一nc < 〇。所以，為了作成φ _ > 0 ’必需dbmp < 0。此情況最好在覆蓋層側24側發生膨脹。 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 39 200828301 接著，就Φη的相關物理現象中，首先觀察記錄層折射 率變化5 nd的影響。因為記錄後的記錄層膜厚dea在定義 上為dGa > 0，因而認為5 nd的符號將支配著①n的符號。本 發明中，係使用主成分為色素的記錄層，色素的主吸收帶 係最強的吸收波長（吸收尖峰）位於可見光區域（大概 400〜800nm)的吸收帶。當利用主成分為色素的主吸收端附 近之波長施行記錄再生時，通常將因記錄層的發熱，導致 馨s己錄層遭分解，判斷吸收將大幅減少。至少，在未記錄狀 態下，一般認為主吸收帶存在有所謂Kramers-Kr〇nig型 異常分散，並存在有折射率n與衰減係數k的波長依存性。 另一方面，本發明中作為記錄層主成分之色素之分解溫 度係在50(TC以下，藉記錄光所造成的發熱，使記錄層主 成分色素在無法維持主吸收端程度前被分解而形成空 洞。此情況下，並不存在Kramers-Kronig型異常分散， 將視為nd’与1、kd’ = 〇。 • 其中，本案所使用的卟啉化合物，係在記錄再生光波長 λ之長波長侧，具有急遽且較大的主吸收帶。所以，藉 1(1^1^1^-1^〇1^2的關係，1^將為〇5〜1.2左右。因為藉^ 記錄訊坑部的空洞形成，使記錄後的折射率以，与i，因而 將發生5 nd< 0的情況。此情況下，成為φη：ζ；(5以· dG< 〇。 即，Φη<〇的Φ_>〇未與相位變化方向呈整合的項將殘 留少許。但是，在此藉由積極地增加< 〇，並將φ _ 視為ΔΦ的主成分，便可實際上排除φη的不良影響，俾 可實現△Φ > 0。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/9642/96133191 40 200828301 為了增加Φ _ > 〇並促進成為dbmp <〇的變形時，最好於 記錄層22的熱變質產生因熱膨脹、分解、昇華而造成的 體積膨脹壓力。且，最好在記錄層22與覆蓋層24的界面 處設置界面層，而將上述壓力封鎖，俾形成不致洩漏於其 他層的狀態。界面層最好係阻氣性高，且較覆蓋層24 ^ f易變形。特別係若將昇華性較強的色素使用作為主成 为，纪錄層22部分將局部性地發生體積膨脹壓力，便容 響易形成較大空洞。 另外，若考慮使Φ n的影響變得有利，因為⑴係 〇·5〜1.2，因而可考慮如下述條件。首先，當nd<i、ο。 < 〇的情況，為了稍微降低φ η的影響，將依降低心的方 式，使色素膜厚在能記錄的範圍内越薄越佳。此外，為了 減小丨nd μ I nd-nd’ I与I nd—：! I的值，最好nd接近丨。具體 而言最好達〇·7以上，尤以〇·8以上為佳。當nd>1且^>〇 的情況，因為相位變化的方向將整合，因而丨占⑴丨=丨以—⑴，丨 _与Ind-1|的值係越大越好。本案所使用的卟啉化合物，⑴ 上限大概為2左右。 依此，nd’、ne的大小關係與dbmp的符號（變形方向）之组 合將保持於特定關係，且將nd設為特定範圍’將有助於防 止因標記長而記錄訊號極性（H t〇 L、或L t〇 H)反轉、 或混合（獲得微分波形）的發生。 在此，觀察△ Φ >0的相位變化與推挽訊號間之關係。 當從習知CD-R或DVD-R之類推，對覆蓋層溝執部26(參 ,、、、圖5)¼仃H to L記錄時，若使推挽訊號極性不反轉的 312XP/發明說明書(補件)/96·12/%13319ι 200828301 話，則作為dGL，往復光程長大於！波長（|(^3|>2冗）的 洙溝執高度差(稱「深溝執」），或純3幾乎為零，因而便 侷限於出現推挽訊號的溝執高度差（稱「淺溝軌」）。在深 溝軌的情況下，在圖6巾丨㈣丨〉2/r的斜面上，利用箭 頭α方向的相位變化，溝執將光學性地變深。此情況下， 箭頭始點的溝執深度，於·nm前後的藍色波長下必需為 曾左右，如前述，窄執距在成形時容易發生不良轉印， T致較難量產。此外，例如即使獲得所需的溝執形狀，但 是因溝軌㈣微小表面粗度所造成的雜訊將容易混入於 訊號中。I ’頗難在溝執底部、側面的壁上均等地形成反 射層23 &射層23本身對溝執壁的密接性亦惡化，容易 發生剝離等劣化情形。依此，若欲依照使用「深溝執」的 習知方式，並利用△ φ >0的相位變化施行H t〇 l記錄， 將發生頗難將執距填塞的情形。 另一方面’於淺溝軌的情況下，係在圖6的丨昨〇〜冗 ⑩間之斜面使用箭頭Θ方向.的相位變化，依使溝執光學性 T的方式施行H t0 L記錄。若欲在未記錄狀態下 程度的推挽訊號強度，溝執深度就藍色波長將為 2〇mn〜30nm左右。當在此種狀態下，形成記錄層22時: 將如同平面狀態，不管記錄溝執部（此情況為覆蓋層溝執 部26)、與溝軌間部均可輕易形成同等的記錄層膜 發生記錄訊坑容易從記錄溝軌部令突出，或因來自^ 坑的繞射㈣漏於鄰接記錄溝執中，導致串音干擾變= 常大。同樣地，若欲依照習知方式並利用△φ >〇的相位 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 42 200828301 變化施行H to L記錄，將發生頗難將軌距填塞的情形。 本發明者等發現膜面入射型色素媒體的較佳構成，並非 篇知使用「深溝執」的H t 〇 L記錄，而是圖6中箭頭^ 方向相位變化，所以獲得後述使用「中間溝軌」的成為l Η之記錄極性訊號。即，屬於從覆蓋層24侧入射記錄 再生光而施行記錄再生的光記錄媒體2〇，當將距記錄再 生光束27所入射於覆蓋層24之面（記錄再生光束27的入 ⑩射面29)為較遠侧的導溝部作為記錄溝執部時，在記錄溝 執部所形成之記錄訊坑部的反射光強度，將較高於記錄溝 軌部中未記錄時的反射光強度之媒體及記錄方法。 再者，本實施形態的重點在於：上述因記錄層折射率變 化、空洞形成等所造成的訊坑部折射率變化、記錄層Μ 内部或其界面的變形，均在主反射面的反射層23之靠記 錄再生光入射侧所發生。 ° 如圖4所示之膜面入射構成，當將距記錄再生光束 _ 27(圖2)所入射之面29(圖2)為較遠侧的導溝部作為記錄 溝軌部時，利用成為△(!>>〇的相位變化而施行l ^ Η 記錄。 所以’首先在上述記錄訊坑部25ρ中，最好隨上述記錄 層朝上述覆蓋層側的膨脹形狀變化，而在上述記錄層内 部、▲或在與該記錄層所鄰接層的界面處形成空洞並^相 位變化。 然後’在記錄前’為了維持各種舰H的安定性，溝執 部與溝執間部最好均維持至少3%〜纖的反射率。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 ^ 200828301 此處所謂「未記錄狀態的記錄溝執部反射率(Rg)」，係 曰僅將已知反射率（Rref)的反射膜以由與圖2所示光記錄 2G相同的構成進行成膜’當將聚焦光束對焦於記錄 溝執部並施行照射而所獲得之反射光強纽為^，並於 圖2所不光記錄媒體2〇中，將聚焦光束照射於記錄溝 5部而所獲得反射光強度設為Laf，便可獲得H· /Iref)同樣地，在記錄後，將記錄訊號振幅中，對應 坑間(間隔部)之低反射光強度U的記錄溝轨； ’ ^稱為RL」’將對應於記錄訊坑（標記部）之高反射 光強度h的記錄溝軌部反射率稱為「rh」。 二下，，:照慣用將記錄溝執部的反射光強度變化進行 疋里匕日守，係使用該記錄溝軌部反射率表示。 4t ’為了利用因記錄所產 好提高記錄層22本身的透明性。當記錄層22單獨:成: 碳酸醋樹脂基板上時，穿透率最好達以上： 將r去二t為佳，更以60%以上為佳。若穿透率過高， 刀地吸收記錄光能量，因而最好在95%以下，尤 以90%以下為佳。 h尤 另方面’此種維持高穿透率的情形，概略可藉 ^相。即’於圖2所示構成的碟片（未記錄狀離）中^ 面厂部)测定平面狀態反射率r〇,而該反射率， 能下：反二為零、且具有相同構成之碟片在平面狀 射率的倒以上，最好5_上，尤以7⑽以上 312XP/發明說明書(補件)/96·12/9613319 44 200828301 尤=2!维持適度的穿透性，^最好…下， 尤以1.5以下為佳。 (關於記錄溝轨深度d α 5己錄溝軌部的記錄層厚度dG、及 έ己錄溝執間的記錄層厚度Ck之較佳態樣） — 的相位變化’當在覆蓋層溝執間部Μ施 =〇 »己錄打’因為訊坑部發生光學性溝執深度變化， 而L、、、依存於溝軌深度的推挽訊號，在記錄前後容易變 化。特別係推挽訊號極性反轉般之的相位變化將造成問 題0 為施打LtGU記錄，且不致發生推挽减的極性變化， f好在圖6中’利用在卜丨d>a|<7r的斜面藉由 刖頭T方向的相位變化，而造成的光學性溝執變淺之現 象。換言之，圖4中，從相位差基準面A—A，觀之，使記 錄溝執部至反射基準面為止的絲長變小的變化，係在記 錄訊坑部25p處發生。目4的情況下，〇b=a)b2<〇、φ a Oa^O’ 因為△〇>〇，因而 。此外，依 照如式（2)般定義相位差的關係，φ b、φ a係在圖4的情 況下將為負值，因而依絕對值表示。 特別係在作為推挽訊號，係使用式（17)之經規格化之推 挽甙號強度ippactual時，本實施形態中，因為記錄後的平 均反射率增加，因而式（17)的分母將增加。 在將記錄後之經規格化推挽訊號強度ipp actual 保持於充 分大小時，最好式（17)中之分子的推挽訊號強度IPP"在 記錄後增加，或至少保持較大值。換言之，丨Φ a丨最好在 312XP/發明說明書(補件)/96_ i2/96133191 45 200828301 /2:近。另-方面’為了在記錄前亦_呆 =推挽訊號’丨㈣丨最好較“部)，左右。所以， |〇bl在路徑^，最好在^〜範圍内。 具體而言，圖4中，為了 在疋/2〜（15/16)ττ範圍内，最好將 口又 I Φ b2h|(nc-nd) · (dG-dL)^nc-dGL| H (nd-η〇 · (dG-dL)+nc-dGL| 設定在；I /8〜（15/64) · λ範圍内。 此時的溝執深度dGL係當dG=d节伴 -πη l朴 α α δ己錄再生光波長λ = 350〜45〇nm的監色波長時，由式（7)而成為下式. l/ b2|n (7a) 〇 m可nc獲得。若將〜設為一般高分子材料之值 (..6左右），則溝執深度dGL通常在30nm以上，最好 35nm以上。另一方面，溝執深度-通常在7〇nm以下，最 好65nm以下，尤以Rnnm ,、，〒认 「巾P1、盖M i , 下為佳。將此種深度的溝軌稱 中曰1溝執」。相較於上述圖3或圖5中使用 的情況下’具有溝軌形成、以及反射膜對覆蓋層溝執間部 25的被覆將特別容易的優點。 苒軌間# 一般而言，當利用旋塗的塗佈法形成記錄層時，若考, ;f =部:咖 2 ^ 右減少塗佈的色素量，而使整體記錄層膜厚 變薄，實質上將出現㈣，而可將記錄層 = 於記錄溝執内（此情況下為覆蓋層溝軌間部25)。 此情況下，式（7 )成為下式： 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 46 200828301 I Φ b2|-| (nc-nd) · ά〇-η〇-ά〇ι| - I (rid-He) · dc+ric-(Igl 丨 （7b) ，針對（7a)，必需對上述溝轨深度的較佳範圍進行丨（nc—nd) • dG丨的修正。本案中，因為nd〈 ηχ，因而最好為稍微深一 ' 點。反之’若形成nd · dm的溝軌形狀，則若nd越小於nc， ；Ιφ1)2丨將越小，由圖6中得知，溝執部的反射光強度將增 加。此現象意味著因為抑制串音干擾，因而當欲將色素記 •錄層封鎖於記錄溝軌部中之時，即便使用4〇〜6〇匪深度的 溝軌’仍可較淺地形成光學性溝執深度。 再者’ δ己錄層膜厚最好較薄於溝轨深度，且設定為心 < dGL。其理由係即使記錄訊坑伴隨如後述的變形，仍可獲 得至少將其寬度抑制於溝軌寬内的效果，便可減少串音干 擾。所以，最好設定為（dG/dGL)$ 1，尤以（dG/dGL)$ 〇· 8為 佳’更以（de/dGL) S 0· 7為佳。 換言之，本實施形態所應用的光記錄媒體2〇，最好將 _記錄層22利用塗佈形成，且設定為dGL>dG>dL。尤以dL/de $〇· 5為佳，構成實際上在記錄溝執間部上幾乎無沉積記 、 錄層2 2狀恶。另一方面，如後述，心最好實質上為零， … 因而dL/dG下限值，理想上係為零。 如前述，當dGL為30〜70nm的情況下，dG最好達5nm以 上’尤以10nm以上為佳。其理由係藉由將心設定在5nm 以上，可增加相位變化，而可成為記錄訊坑形成時所必要 的光能量吸收。另一方面，最好小於50nm，尤以45nm 以下為佳，更以40nm以下為佳。如前述，因為再生時的 312XP/發明說明書(補件)/96_i2/96133191 47 200828301 反射率保持於3〜30%，因而記錄層將保持著適度的穿透性。 再者，記錄層22越薄，越能抑制記錄訊坑部的變形過 大、以及對記錄溝軌間部的滲出情形。 在覆盍層溝軌間部中形絲錄訊坑的本發明巾，藉由使 用如前述的「中間溝軌」；罙度，以及設定為dG/dd卜並 將記錄層22變薄而封鎖於「中間溝執」深度的記錄溝軌 内的情形，係在如後述般積極使用記錄訊坑部的空洞形 成、及朝覆蓋層方向的膨脹變形的情況下，變得更佳。就 此點而言，本發明係在覆蓋層溝軌部施行記錄，相較於形 成工洞而執仃H to L記錄的情況，將具有優越的串音干 擾抑制效果。此外，因為本發明色素的kd可大至丨左右， 因而即使將記錄層膜厚變薄，#可施行充分的光吸收，可 降低記錄訊坑形成時所需要的記錄光功率。另外，一妒若 記錄層膜厚變薄’則「平面狀態所產生的反射光強度變^匕」 將變小，但是本記錄層則因為kd與匕，的差較大，因而可 獲得足夠的反射光強度變化。所以，kd最好！以上。 藉此’將可獲得記錄訊坑完全封鎖於記錄溝執内，且圖 4的記錄訊坑部25p之繞射光對鄰接記錄溝執（串音干擾） 之漏出情形亦非常小的優點。換古 ^ 的記錄而施行L tQ Η記錄，並不僅屬於Δ φ w 的相位變化、與對覆蓋層溝執間部25的記錄之有利粗 合’且亦屬於容易獲得適用於利用窄執距化所進行之言穷 度s己錄的構成。此外，若將dL今兔幽、6 ° L°又為幾近零，則（7b)式的| ㈣中，（nc_nd) ·心項的影響將最大，並使雖&之影響 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 48 200828301 ^為少許但較淺，以可更輕易地形成溝軌。 (關於具體的層構成及材料的較佳態樣） 以下’針對圖2與圖4所千夕a碰上 考岸該色、^ μ Λ 構成的具體材料/態樣， 色/長雷射開發進展之狀況，特別㈣記錄再生光 ^波長入為405«近的情況進行說明。 (基板） 基板21係膜面入射構成， 性的塑膠、金屬、玻璃算。尤Γ 有 工與剛 ^ 、 等不同於習知的基板入射構成， 屬、破殖=稷折射亚無限制。在表面雖形成導溝，但於金 恭在此、、’貝1j在表面設置光或熱硬化性薄樹脂層，且必 ΐ成开,成溝執。就此點而言’使用塑膠材料’並利用射 =成且：基板21形狀、特別是圓盤狀、與表面導溝 牛形成，將最有利於製造。 =行射出成形的塑膠材料，係可使用習知⑶與_ =的=炭酸酯樹脂、聚烯煙樹脂、丙烯酸樹 2二ίΐ!1厚度最好設定在0
土旱兵復盍層厚’最好設定為如同習知C 由係可直接沿用習知CD、爾所使用的2 、:土板厚度设為11_，將覆蓋；厚7#讯為（）1 係屬於藍光碟片的規定。(非二層广 層=::25中=成循執用導溝。本實施形態中’覆蓋 CD-R、__R更ί ί :錄溝執部的執距，係為了能達成較 尤以0 2〜π ，最好設定為 • 〜.4/zm為佳。溝執深度係如前述，將依存於 200828301 二^&^皮長人:^”&等’最好大約在3011"1〜7011111 耗 /冓軌沐度係在上述範圍内，經考慮未記錄狀態的 ^溝執部反射g、記錄訊號的訊號特性、推挽訊號特 仆。f的^學特性等因素之後，再予以適當的最佳 沾只知形恶中’係利用由記錄溝軌部與記錄溝執間部 、口固反射光相位差所造成的干涉，因而二者必需存在於 =、f光：内。所以’記錄溝執寬(覆蓋層溝軌間部25的 i又，最好小於記錄再生光束27纟記錄^ 22面上的光 =1(=橫-切方向的直徑）。記錄再生光波長^405⑽、 护二口 ，85的光學系統中，當將執距設為〇.32#m :金二子3又疋在°，1㈣〜0. 2❹範圍内。於該等範圍外， 夕，況下將較難形成溝執或溝執間部。 声nr狀通f為矩形。特別以制後述塗佈形成記錄 ::門係在含有色素的溶液之溶劑完全蒸發為止的數 /日，在基板溝軌部上能選擇性地滯留色素者。所以， u將，形溝執的基板溝執間之肩部形成為圓狀，俾使色 素/谷液容易滴落並滞留於其& 溝轨开 ^心軌卩中。此種具有圓肩的 ”利用將塑膠基板或模片表面，在電衆或uv 露數秒至數分鐘而進行韻刻便可獲得。利用 溝轨部的肩部形:削切部分之性 因、^通常為了賦予位址與同步訊號等加成資訊，而具有 /知仃、溝執深度調變之等溝執形狀調變、記錄溝執 50 312聊發明說明書(補件)/9Μ2/9613319ι 200828301 的加成4:::間部之間斷所造成的凹凸訊坑等所形成 hV十°广。例如藍光碟片* ’係使用諸如:MSK(minimum S 1 口叫）、與 STW(saw-tooth-wobbles)等使用了 2 調變方式的㈣尋址方式。（非專敎獻3) (具光反射機能的層） 具先反射機能的層（反射層23)，最好對記錄再生光波 長的反射率較高，且對記錄再生光波長具有m以上的反 射率。在作為記錄再生用波長的可見光、特別係在藍色波 長區域：顯示出高反射率的物質，係有如Au、Ag、A1、 及U等為主成分的合金。最好為以在λ :405nm下的反 射率較高、、且吸收較小之主成分的合金。以Ag為主 成分，亚添加〇·01原子％〜10原子％之Au、Cu、稀土族元 素（特別係 Nd)、Nb、Ta、V、Mo、Mn、Mg、Cr、Bi、A卜 Si、Ge等，便可提高對水分、氧、硫等的耐蝕性，而較 佳。此外，亦可使用將介電層予以複數積層的介電質鏡。 反射層23膜厚係為了能保持基板21表面的溝軌高度 差，取好設定為與dGL同等或更薄。同樣地，當記錄再生 光波長λ =405nm的情況，如前述，最好將dGL設定在7〇nm 以下，因而反射層膜厚最好設定在7〇nm以下，尤以65μ 以下為佳。除了後述形成2層媒體的情況之外，反射層膜 厚的下限最好設定在30nm以上，尤以4〇nm以上為佳。反 射層23的表面粗度Ra最好設定在5舰以下，尤以lnm以 下為佳。Ag具有藉由添加物的添加而增加平坦性的性質， 此亦意味著上述添加元素最好達〇· 1原子％以上，尤以〇. 5 312XP/發明說明書(補件)/96·12/96133191 51 200828301 原子％以上為佳。反射層23係可利用錢鍍法、離子蒸鍵 法、電子束蒸鍍法等方法形成。 ―依反射基準面的高度差所規定的溝㈣度d“係大致 寻於基板21表面的溝軌深度—。溝執深度係利用電子顯 微鏡觀察截面的話便可直接進行測定。或者，可利用原子 力顯微鏡（AFM)等探針法進行測定。當溝執與溝軌間部非 完全：坦的情況下’便以溝執與溝軌間的各自中心處之高 度差定義dGL。溝執寬同樣地係指反射層23成膜後之實際 上記錄層22所存在之溝軌部的寬度，若在反射層23形成 後亦大致保持著基板21表面的溝執形狀，便可使用基板 21表面的溝執寬值。此外，溝軌寬係採用溝執深度-半 深度處的寬度。溝執寬亦同樣地可利用電子顯微鏡觀察截 面便可直接進行敎。或者，可利用原子力顯微鏡⑽心 forcenncroprobe、AFM)等探針法進行測定。另外，光記 錄媒體10所規定的任一溝執深度與寬度，均可如同 所說明般進行測定。 (中間層） 在反射層23與記錄層22之間，最好設置中間層。夢由 中間層的設置，可提升抖動特性。 曰 中間層係從提升抖純性的觀點而言，通常含有選 Ta、Nb、V、W、M〇m所構成組群的元素。”， 最好含有1肋1〇^中之任一元素，尤以含有^或 ^中中1 —者為佳。Μ ’巾間層亦可僅單獨含有該等元 素中之任-種而已，亦可將二種以上依任意組合及組成含 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 52 200828301 有。上述元素仙為與歧使用作為 間之反應性及固溶度較低，因而 /的銀或銀合金 間層’便可獲得保存安定性優越的光:;=使用作為中 最好含有上述元素作為中間層主成分。？：。 中，所謂「中間層主成分」係指構成中間二元明書 述元素含有50原子％以上。1 θ的兀素中，上 原报上’尤以含有9。原子;以上二 =兀素係3有1GG原子％。料，當巾間層係 兀素二種以上的情況下，其合計比例最好 述以 藉由中間層的插入，便可猝得 上述靶圍。 4p4. ^ &仵抖動改善效果的機制尚未 明確。然而’根據本發明者等人的探討，得 常使用作為反射層23的材料的硬度“的： 構成中間I ’及/或使用在記錚再同的疋素 之元素作為中間層，將有改吸收較大 別是藉由使用上述元素形成中門芦、、°一：以，推測特 H或中間層，可容易滿足上述條 件0 另外，為了能對中間層料所需的特性，亦可含有除了 上述元素以外的it素作為添加元素或不純物元素。此類添 加7G素或不純物元素的例子，可舉例如：Mg、Si、CH Fe、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Pd、Hf、pt 等。該等添加元素 或不純物元素係可單獨使用一種，亦可將二種以上依任意 組合與比率使用。該等添加元素或不純物元素在中間層中 的含有濃度上限，通常係5原子％以下左右。 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 53 200828301 中門f的膜厚係只要至少形成為膜的話便可發揮效 + '厚的下限通常係Inm以上。另一方面，若中間層 =:旱過厚，中間層的光吸收將變大，將導致記錄感度降 氏了反射率降低，11而通常係15nm以下，最好iGnm以下， f = 5nm以下為佳。若設定在上述膜厚範圍内，便可同時 獲仔抖動改善效果、及適度的反射率與記錄感度。 =間層係可彻諸如韻法、離子蒸鍍法、電子束蒸鐘 法專方法形成。 (記錄層） 、彔層22係合有在未記錄（記錄前）狀態下對記錄再生 2長具有光吸收機能的色素作為主成分。記錄層22中 r為主成分所含有的色素，具體係在40〇nm〜800nm可見光 及附近）波長區域中，具有因構造所造成之明顯吸收帶的 =化^物，在較記料生光波長λ更靠長波長侧具有吸 峰的有機化合物。此種在未記錄（記錄前）狀態下， 所；:再生光束27的波長λ具有吸收，並利用記錄而變 :光2=二中產生能檢測到再生光反射光強度變化 予交化的色素，在本說明書中將稱為「主成分色素」。 ==素係可為一種’但是複數色素的混合物亦可發揮 記=中的主成分色素含有量’通常係5。 本出八念本。 尤以90重量％以上的範圍為佳。 成刀色素敢好係單獨色素對記錄再生光束2?的波 具有吸收，並藉由記錄而發生變質而產生上述光學變二， 312ΧΡ/發明說明書(補件)/9642/96133191 54 200828301 仁疋亦可對纪錄再生光束27的波長久具有吸收，並負責 =用發熱而間接地使其他色素變質而發生光學變化的機 能。主成分色素中尚可混合其他色素，諸如用於改善具有 ^吸收機能色素之經時安定性（對溫度、濕度、及光的安 定性）之所謂消光劑的色素。作為主成分色素以外的記錄 &有物係有如由低/高分子材料所構成的結合劑 (黏結劑）、介電質等。 記錄層22的記錄溝執部膜厚’通常係7〇μ以下，最好 50rm以下，尤以4Qnm以下為佳更以⑽⑽以下為佳。 另外，記錄溝軌間部在未記錄時的記錄層膜厚，通常係 Onm以上’且通常係10nm以下，最好—以下尤以_ =下為佳。其理由健將記錄溝軌間部在未記錄時的記錄 =厚設定在上述範圍内’記錄訊坑之橫向寬度便不易突 士超過記錄溝軌寬度，可減少對串音干擾的影響。所以， ΐί溝!1間部在未記錄時的記錄層膜厚，最好實質上可視 為零之範圍的1 〇nm以下。 ' ^外’在使用後述界面層的情況下，若將記錄溝執 f未記錄時的記錄層膜厚設定在上述範圍内，界面… =23將在記錄溝執間部發生相接觸狀態。此時:例^ 在界面層使用含硫材料(例如Zns)，且在反 =
Ag的情況下，硫與反射層23將反應而造成反射層 腐蝕。在會發生此種腐蝕的情 9 之 制界面層與反射層23的直由中間層將抑 述腐㈣象的效果。接接觸’因而可發揮能抑制上 3ΐ2χΡ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 55 200828301 (成為§己錄層主成分的色素化合物） 成為本發明光學記錄媒體之記錄爲 物，係下述一般式[I ]所示之卟琳化合成刀的色素化合 [化3] °务： f8 Af1 Ral
R35 Π] -般式[I]中’ Αχ-Κ系指分別 亦可具有複數取代基。 方《衣’为別 獨立的氫原子或 再者，一般式[I]中，R气Ra8係指各自 任意取代基，其中，最好為氫原子 再者，一般式[I ]中，Ma係於9舞 你知2價以上的金屬陽 但，當Ma係3價以上的情況炎 子 子亦可再具有相對陰離子。 "亥刀 該卟啉化合物最好係下述一 心 奴式[II]所示之四芸夭其 卟啉化合物.· <四方香基 [化4] 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 56 200828301
’（[II]式中，X1〜X4係指各自獨立的價數 X1〜X4係價數5以上的原子時，χ1〜χ4^ 上之原子，當 基，當X1〜X4係價數6以上的々子日士’、^再具有任意取代 轉此情況下，該2個;亦可具有2個 異。 y Q係可為相同，亦可為互 係指各自獨立的週期表第16族原子。
Ar1〜Ar4係指各自獨立的芳香$， ，X1〜X4以外的取代基。 有除了 R:〜R:6係指各自獨立的碳數20以下之有機基； R〜R係指各自獨立的氫原子或電子親 Μ係指2價以上的金屬陽M A ^ & 、，屬除離子。但，當Μ係3價以上的 子。 中丨生，該分子亦可再具有相對陰離 另外，R1 及 R2、I?3 » D4 ς 而形成環。）及^及^“可各自鍵結 另外本發明的記錄層形成用色素中，本發明的四芳香 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96·ί2/96ΐ33ΐ9ι 57 200828301 基外琳化合物係可單獨含有Hi，亦可混合含有2種以上。 m對上述—般式[⑴所*之四芳香基。卜琳化 進订詳細說明。 U1(二 Q1)〜X4(:q4)} 上 =中，N—Xl(鲁X协^ 。卜琳化δ物對溶劑的溶解性之理由而言，將表 立的醯胺構造。 口曰领 的胺結構的χ1(存χ4(<)中u係指各自獨立 χ: χ4以上之原子，當χ1〜χ4係價數5以上的原子時， 〜亦可再具有任意取代基’當χ1〜χ4係價數“ 二 =可分別具有2個部此情況下，該叫Q4 亦可為相同，亦可互異。 當 Μ貝數5以上的原子時，作為χ1χ4 取代基係相當於後述的R9〜R16之呈體例。 再-有的 φ構成酿胺結構的饩,]4(=们中，Ql〜 的週期表第16族原子，最好為〇或Se ^自獨立 -二？：(=Q4)的具體例係有如下述所例示物。另外， 該專構^以a部位鍵結於各個Arl〜Ar4， 於氮原子。此外，r17 。卩位鍵結 ㈣具體例。 ^曰取代基，具體例係相當於後述 [化5]
II II s 0 II II 〇 1 ΜΤ Ο .·ΙΙ Ι·ΠΙ 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 58 I! 200828301 / '之中’ X (一Q )〜X4(=q4)係由合成上的理由及化合物 处置谷易度的觀點而言，分別最好為羰基[即， M1(=Q1)〜MW)係胺甲醯基N-C㈣）]、或石备酸基 [即_U(〇N_x4(=Q4)係胺續醯基N_c(=s)]。此外， i(AQ )]4(=Q4)係由提升溶解性的觀點而言，分別最好為 T二而/利用降低熱分解溫度而提升感度的觀點而言， =的顴1 广基。另外，r(=Ql)〜X4(=Q4)係由提升化合物膜 :,、沾而言，最好分別互異，但是由合成上的
取好相同。 w N 關於X1(=Q1)〜Χ4(^)對^士4的取代位置，係由提升 洛解性與膜性的觀點而言，最好 美升 疊的位置處進行取代，是由用卜琳每而形成重 離。 π但疋由合成上的理由，則最好為分 {Ar1 〜Ar4} < Ar1〜Ar4的骨架構造> _香:裒U]::::〜Ar4係指各自獨立且亦可具有取代基的芳 曰％。本發明中，所謂「芳香環 土日]方 即具有（4η+2) 7Γ電子李&自妙&日^方曰無性的環， 常由五或六元淨二)的環。該骨架構造通 芳香環係除了芳夭:％或2 6合環所構成的芳香環，嗲 曰衣係除了方香族烴環、芳香族之 4 如蒽環"卡哇環、莫環之類的縮合環。 &包括有諸 A:1〜Ar、架構造的具體例，作為五 南壤、料環、轉環、咪咬環、 讀有如··咬 為六元環單環係有如· m衣k二唑環；作 疋％ "比畊環；作為縮合 31^__書(補件)/96·12/96133ι9ι 约 200828301 •示％、非裱、奠環、芘環、咗琳 喹噚啉環、贫丑土 + _ 土琳％、異喹啉環、 本开呋喃裱、咔唑環、二苯并 „ ^ 該等之中，士人々L △ +开秦吩％、急、環等。 由δ成上的理由而言，最好 環的單環為佳，更以苯環為佳。子為早每，尤以六元 另外’Ar1〜Ar4係由提升溶解性及_ 觀點而言，最妊八^ s 形成時的膜性之 取好刀別互異，但是由合成 最好相同。 人工刃規點而吕，則 〈Ar1〜Ar4所具有的取代基>
Ar〜Ar係分別除了 χ1〜χ4之外，亦可具有取代基七 以外所具有的取代基，可舉例如：烧基、稀基、 美土一基、雜環基、燒氧基、㈣基、（雜）芳香基氧 土、⑷^基氧基；亦可再具有取代基的胺基、麟基、 ，基、、鹵原子、經基等。最好為如·碳數卜2〇的烧 基^數2〜2G的烯基、碳數2〜20的块基、碳數3〜2〇的 ，環基、源自五或六元環的單環或2〜0縮合環的雜環基、 ，數的烷氧基、碳數2~18的烷羰基、碳數2〜18的（雜） 方香基氧基、碳數3〜18的（雜）芳烷基氧基、胺基、碳數 2〜20的烷胺基、碳數2~30的（雜）芳香胺基、硝基、氰基、 碳數2〜6的酯基、鹵原子、經基等。 碳數卜20的烷基例，係可舉例如··甲基、乙基、丙基、 異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、己基、辛 基等。 碳數2〜20的烯基例，係可舉例如：乙烯基、丙烯基、丁 烯基、2-曱基-1-丙烯基、己烯基、辛烯基等。 312XP/發明說明書(補件)/96·12/96133191 6〇 200828301 f數2’的炔基例，係可舉例如:乙炔基、丙炔基、丁 快:' 2-甲基+丙炔基、己烯基、辛块基等。 χ厌數3 2G的垣壤基係可舉例如：環丙基、環己基、環己 烯基十四氫W基、苯基、胺茴基、菲基、二茂鐵基等。 源自五或六元環的單環或2〜6縮合環的雜環基，係可舉 例如？比絲、料基、苯并eg吩基、料基、嗜琳基、 2-哌啶基、2-哌啡基、八氫喹啉基等。 ，數1〜9的烷氧基例，係可舉例如：曱氧基、乙氧基、 丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第 二丁氧基、己氧基、辛氧基等。 碳數2〜18的烷羰基’係可舉例如：曱基羰基、乙基羰 基、山異丙基羰基、第三丁基錢、環己基幾基等。 碳數2〜18的（雜）芳香基氧基例，係可舉例如：苯氧基、 萘氧基等芳香基氧基；2_㈣基氧基、2_糠偶醯基氧基、 2-喹啉基氧基等雜芳香基氧基等等。 碳數3〜18的（雜）芳烷基氧基例，係可舉例如：苄基氧 基、苯乙基氧基、萘基曱氧基等芳烷基氧基；2_噻吩基甲 氧基、2-糠偶醯基甲氧基、2_喹啉基甲氧基等雜芳烷基氧 基等等。 1 石反數2〜2 0的烧胺基例，係可舉例如··乙胺基、二甲基胺 基、甲基乙胺基、二丁基胺基、哌啶基等。 碳數2〜30的（雜）芳香胺基例，係可舉例如··二苯基胺 基、二萘基胺基、萘基苯基胺基、二甲苯基胺基等芳香胺 基；二（2-噻吩基）胺基、二（2-糠偶醯基）胺基、苯基（2一 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 61 200828301 噻吩基）胺基等雜芳香胺基等等。 碳數2〜6的醋基例，係可舉例如& 丙氧幾基、異丙氧幾基、第三丁氧幾基等。 函原子的例’係可舉例如:氟原子、氯原 碘原子等。 、丁 /ΑΓΐ七4分別除了 Χ1〜Χ4以外尚具有2個以上取代基的 t月況’亦可該取代基間相鍵結而形成環狀構造。例如者 ΑΓ 士4係屬於源自苯環的基之情況，作為該苯環所具有;; 取代基間相鍵結而形成環狀構造的例，係有如以 (a D、（a 2)、（a_3)所不構造。另外，以下中，a部八 係對外琳壤的鍵結位置，b部分係對χ1〜χ4 [化 6] 、、m 罝。
另外’ Ar〜Ar係由提升膜性的觀點而言，最好除了 以外尚具有該等取代基，但是由合成上的觀 ^，則^ 好未具有取代基。 。貝1取 < Ar1〜Ar4的分子量〉
Ar1〜Ar4的分子量係由防止因吸光度降低而造成記錄感 度降低的觀點而言，當具有N，N_:取代醯胺結構基及其 他取代基的情況下，亦包括該取代基在内，合計^好^ 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 62 200828301 {Ν,Ν-二取代胺基} <1^〜^8的有機基> Ν，Ν-二取代醯胺結構基中，所含之以_二取代胺 分的取代基之Μ，係指各自獨立的碳數2〇以下之^機 基。 ^ 二的r有機其基係可舉例如:絲、烯基、块基、烴環基、 雜=基、“基、㈣基、（雜）芳香基氧基、 t基其S旨基等。最好為諸如：碳數㈣的炫基、碳數㈣ 6戈：2’的炔基、碳數3〜2°的烴環基、源自五 或六錢的早環《2〜6縮合環之雜環基、碳數卜9的 基、破數2〜18的院幾基、碳數2〜18的（雜）芳香基氧美、 碳數3〜18的（雜）芳烧基氧基、碳數2〜6的西旨基等。土 2 ’該等具體例係有如在上述Ar1〜Ar4亦可具有的取 ^所舉例，諸如：碳數卜2G的垸基、碳數2〜2〇 基^炭數2〜20的炔基、碳數3〜2〇的烴環基、源自 ^衣的早環或2〜6縮合環之雜環基、碳數卜9的燒二 石反數2〜18的烧幾基、碳數2〜18的（雜）芳香基氧基、^數 1的（雜）芳烷基氧基、碳數2〜6的酯基等具體例。 ^大^、R4 R4、R5# R6、R7# R8係可分別鍵結而形成 衣㈣2" M列如R1與R2相鍵結而形成六元環的N，N、二取 代胺基，係有如以下（R-l)、（R-2)、（R-3)的構造。 3____m/96•咖33i9i 63 200828301 [化7]
R〜R係由溶解性與提升膜性提升的觀點而言，最好分別 馨互異，但是由合成上的理由，則最好相同。此外，Rl〜R8 係由防止化合物溶解度降低的觀點而言，最好相對於各醯 胺結構基的氮原子呈立體性體積不大者，具體係最好為如： 正烷基、正烯基、正炔基、烷氧基、烷羰基等，特別以諸 如：正烷基、烷氧基等為佳。 < R1〜R8的分子量> 為了防止因吸光度降低而造成之記錄感度降低，r1〜r8 的分子量合計，最好在3, 〇〇〇以下。 {R9 〜R16} 一 R R _係由合成上的理由、及化合物安定性的理由而 言，表示各自獨立的氫原子或電子親和性取代基。 ^親和性取代基的例子，係可舉例如：錢2〜18的燒 二 =2〜6的酯基、函原子、氰基、硝基等；該等的 肢：係有如上述在心、可具有的取代基中所舉例 碳數2〜18的㈣基、心^ 另外，該等之中 由合成上的理由而言 R9〜R16最好分 312ΧΡ/__β__-12/96133191 64 200828301 ，為氳原子或6原子，而由提升耐光性的觀點而言，R9〜Rie 最好分別為鹵原子，由合成上的觀點而言，R9〜R16最好八 別為氫原子。 R9〜R16的分子量係由防止因吸錢降低而造成記錄感度 降低的觀點而言’最好合計在1，000以下。 {M} /糸指2仏以上的金屬陽離子。M所舉例的金屬元素， :在此配位於卟啉環中央的前提下，則可為任何金屬元 二’具體例係有如:L 以、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、 i、cu、zn、Mo'Ru、Rh、pd、Ag、pt、AuEr 等。 + M係2m的金屬_子，具有提升化合物安定性之 ’M的金屬係由提升化合物記錄感度觀點而言，最好 未顯不出反磁性，而由合成
Ni、Cu為佳。 。成上_由心’特別以C〇、 富Μ係3價以上的全屬雜；士 ，離子鍵a -L屬亦可更進一步與相對 Γ.、、，D猎一般式[π]所示化合物的分子整體將 該:對陰離子的種類係可舉例如··燒氧離二 氰離子m 2基⑽子、村再具有取代基的 數卜9的燒氧離子 乳離子專’例如：碳 數3]8的（雜其 8的（雜）芳香基氧離子、碳 述就Ar1〜Ar4亦可該等具體例係有如將上 基、碳數2~18的（雜）H 舉例之碳數1〜9的燒氧 .....θ 錶）方香基氧基、碳數3〜18的（雜）芸ρ 基乳基4具體例分別取代為離子者。 ⑷方烧 65 200828301 f外，相對陰離子係由提升化合物感度的觀點而言，分 子里越小越好，特佳為諸如：乙醯氧離子、氰離子、氯離 子、氣離子般之分子量在2〇〇以下者。 {分子量} 以上所說明的一般式[π]所示化合物，由防止因吸光度 P牛低而造成感度降低的觀點而言，通常分子量係6，〇 〇 〇以 下，最好3, 000以下。 再者，一般式[II]所示化合物，通常最好為水不溶性。 {具體例} 一般式[11 ]所示化合物的具體例係有如以下所例示，惟 本發明並不僅侷限於該等。以下，Et係指乙基。 [化8]
312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 200828301
[化9]
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312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 68 200828301
[化π]
312XF/發明說明書(補件)/96-12/96133191 69 200828301 [化 12]
[化 13] 70 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 200828301
一般式[π ]所示化合物
Chem·，2002 年（第 10 期）、 法，便可輕易地合成。 係依知、例如nBiQQFg 3013-3021頁”中所記载的方 例如當x^q1)〜r(=Q4)全部為羰基[即， N-Xi^Q1)〜N-X4(=Q4)為胺甲醯基N_c(=〇)]的情況下，藉由 將市售之具有叛基的四芳香基卟|化合物在氯化亞續醯 混合條件下施行加熱，然後使二取代胺產生作用，便可獲 得具有N，N-二取代胺曱醯基的四芳香基卟啉化合物。將 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 71 200828301 之:室芳合物與鲁 11 / 條件進行反應’便可獲得具m -代胺甲醯基的四芳香基σ卜琳金屬錯合物。 ’ 相關具有羰基以外之X!(=Q1)〜x4(=q4)的四 由將起始原料的四芳香基㈣化合物等 更，則可依照同樣的方法予以合力。 ❼丁文 (記錄層之形成法） 斤記錄層22的形成方法係可舉例如：㈣法、真空 :二好利用塗佈法形成，以上述色素為主成；:： 二&劑、消光劑等其他成分一起溶解於適當溶劑中，而 錄層Μ的㈣液，並在前述反射層23或反射層 士的中間層上施行塗佈。溶解液中的主成分色素濃产，、二 常係〇.〇1重量%以上，最好〇」重量%以上，尤以：= f、以上為^，且通常在1G重她下，最好5重量％以下 、以2重1%以下的範圍為佳。藉此 广左右厚度的記錄為能將該厚度設2 二二下(隶好小於50nm)’上述色素濃度 1%，尤以小於0.8重量％為佳。 1重 塗佈的旋轉數。 讀更進-步調整 作為將主成分色素等材料溶解 醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、…U醇:舉例:二 ^則、八氟戊醇(’)等氟化烴系溶劑；乙二醇= I、乙一％早乙ϋ、丙二醇單甲鱗等二醇則員；醋酸丁萨 乳酸乙醋、赛珞蘇醋酸醋等醋類；二氯甲烧、氣仿等氯曰化 312ΧΡ/發明說明書(補件)/%.12/96133191 72 200828301 烴類；二甲基環己料烴類；四氫吱喃、乙n燒等 醚類；甲乙酮、環己酮、曱基異丁酮等酮類等，該等溶劑 係可經考慮待溶解之主成分的色素材料等之溶解性後，再 予以適當選擇。此外，該等溶劑係可單獨使用任一種，亦 可將2種以上混合使用。 /合劑係可使用諸如：纖維素衍生物、天然高分子物 貝丈工系树脂、乙烯系樹脂、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇、環 籲氧樹脂等有機高分子等等。此外，在記錄層22中，為提 升财光性，尚可含有各種色素或色素以外的褪色防止齊卜 =色防止劑-般係可使用單重態氧消光劑。單重態消光劑 等祕色防止劑的使用量，係相對上述記錄層材料，通常在 (^重^以上’最们重㈣上士^重量㈣上為 佺，且’通常在50重量％以下，最好30重量％以下，尤以 25重量％以下的範圍為佳。 、，佈方法係可舉例如：喷塗法、旋塗法、浸塗法、輥塗 馨法等特別係碟片狀光記錄媒體，為能確保膜厚均句性且 降低缺陷密度，最好採用旋塗法。 (界面層） f實施形態中，特別係藉由在記錄層22與覆蓋層24之 1 又置界面層便可有效地利用記錄層22朝覆蓋層^側 =膨脹、d_<〇。界面層的厚度最好lnm〜5〇M。且，上限 取好設定為3〇nm。此外，下限最好設定在—以上。界 面層的反射最好盡1小。其理由係為了能選擇性地利用來 自主反射面的反射層23之反射光相位變化。在界面層具 312Xp/發明說明書(補件)/96-12/96133191 200828301 有主反射面’對本實施形態而言並非較佳。因而， 面層與記錄層M、或界面層與覆蓋層24的折射=差較 小。該差均最好在1以下，尤以〇. 7 以下為佳。 下為锃，更以0.5 再者，已知制界面層將具有下述效果：抑制如圖4所 不之混合層25m的形成；防止當依相反構成在記錄層a 上貼附覆蓋層24之際，因接著劑所造成之腐餘；以及防 止將覆蓋層24施行塗佈時，因溶劑而造成記錄層22之容 出。本實施形態可適當地合併利用此種效果。作為界面^ 所使用的材料，最好對記錄再生光波長屬透明，且化與 ::::性、熱性均安定。此處所謂「透明」係指對記： 再生光束27的穿透率達80%以上，最好9〇%以上 上限係100%。 逐手 界面層最好為金屬、半導體㈣氧化物、氮化物、碳化 物、硫化物’或鎂（Mg)、mca)等的氟化物等之介電質化 合物或其混合物。界面屬的折射率係如前述，最好食記錄 層或覆蓋層的折射率之差在1以下，就數值而言，最好在 Μ. 5乾圍内。藉由界面層的硬度與厚度，可促進或抑制 記錄層22的變形，特別係朝覆蓋層24侧的膨脹變形(dbmp < 〇)為了有效活用膨脹變形，最好使用硬度比較低的介 電質材料，特別以在諸如：Zn〇、in2〇3、Ga2〇3、ZnS、或稀 土族f屬的硫化物中’混合入其他金屬、半導體的氧化 物氮化物、石厌化物之材料為佳。此外，亦可使用塑膠的 濺鍍膜、烴分子的電漿聚合膜。另外，即使設置界面層， 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 74 200828301 若厚度與折射率在記錄溝軌部與溝執間部中呈均句，且不 為因記錄而出現明顯變化的話，式⑵、式⑶的光程長、 及式（7)〜式（9)仍可成立。 (覆蓋層） 覆盍層24係選擇對記錄再生光束27屬透明，且複折射 較少的材料，通常係將塑膠板（稱「片材」）利用接著劑進 行貼合，或經塗佈後，再利用光、放射線、或熱等施行硬 化而形成。覆蓋層24最好對記錄再生光束27的波長入， 穿透率達70%以上，尤以8〇%以上為佳。 使用為片材材料的塑膠係有如：聚碳酸酯、聚烯烴、丙 烯酸、三醋酸纖維素、聚對苯二曱酸乙二g旨等。在進行接 著時丄使用諸如：光、放射線硬化、熱硬化樹脂、或壓感 性接著劑。壓感性接著劑尚可使用由丙烯酸系、甲基丙稀 H系、橡膠系、矽系、胺基甲酸乙酯系的各聚合物 成之黏著劑。 例如，將構成接著層的光硬化性樹脂溶解於適當溶劑 中，而調整為塗佈液之後，再將該塗佈液在記錄層22 = 界面層上施行塗佈而形成塗佈膜，然後在塗佈膜上重疊著 聚碳酸酉旨片材。之後，視需要在重疊狀態下，使媒體=行 旋$等，而使塗佈液更進一步延伸展開後，利用υν燈施 行紫外線照身十而硬化H，預先將壓感性接著劑塗佈於 片材上，將片材重疊於記錄層22或界面層上之後，再依 適度壓力按壓而予以壓接。 ^ 上述黏著劑係由透明性、耐久性的觀點而言，最好為丙 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 75 200828301 烯酸系、曱基丙烯酸酯系的聚合物黏著劑。更具體而言， 係以諸如丙烯酸-2-乙基己醋、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異 辛酯等作為主成分單體，並使該等主成分單體與諸如丙烯 酉文、曱基丙~酸、丙細酿胺衍生物、順丁稀二酸、丙烯酸 輕乙酯、丙烯酸環氧丙酯等極性單體進行共聚合。藉由主 成分單體的分子量調整、其短鏈成分的混合、由丙烯酸所 开> 成之交聯點密度的調整，便可控制玻璃轉移溫度、 _黏性性能（依低壓力接觸時馬上形成的接著力）、剝離強 度、抗剪切力等物性（Alph〇nsus V· P〇cius著，水町浩、 小野擴邦譯「接著劑與接著技術入門」，日刊工業新聞社， 1999,第9章）。丙烯酸系聚合物的溶劑係可使用諸如： 醋酸乙酯、醋酸丁酯、曱苯、曱乙酮、環己烷等。上述黏 著劑最好更含有聚異氰酸酯系交聯劑。 ^
面時，為不致捲入空氣而形成氣泡， 再者，黏著劑係使用如前述的材料，在覆蓋層片 ，最好在真空中施行
再者， 乾燥後， 而使覆蓋 貼合。 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 76 200828301 、當利用塗佈法形成覆蓋層24日夺，使用諸如旋塗法、浸 塗法等，，別係對碟片狀媒體，大多使用旋塗法。利用= f形成覆蓋層24的材料，同樣地使用胺基甲酸乙酯、環 乳、丙烯酸系樹脂等，經塗佈後，再施行紫外線、電子射 線、放射線的照射，促進自由基聚合或陽離子聚合而硬化。 在此為了利用dbnp < 〇變形，最好覆蓋層24中至少接 ，到記錄層22或上述界面層之侧的層(至少與d“目同程 又、或更厚的範圍），容易追隨膨脹變形。依此的話 =好為dG的1倍至3倍範圍内。當然’最好積極利用^ =上的較大變形。覆蓋層24最好具有適度的柔軟度（硬 ^ ’例如覆蓋層24係由厚度心m〜1QMm的樹脂片材 材枓所構成，當利用壓感性接著劑進行貼 劑層的玻璃轉移溫度為-啊〜啊的較低值、較柔^欠= 2 dbnp<〇變形將較大。特別佳的情況係玻璃轉移溫度在 至 >皿以下。由接著劑構成的接著層厚度，通常最好 :50 # m ’尤以5 # m〜30 # m為佳。最好設置芦 ，的厚度、玻璃轉移溫度、及交聯密度進行控制： ”控制该膨脹變形量的變形促進層。或者在利用塗佈法所 二 =覆蓋層24中，形成一―(最好^ =的較低硬度之變形促進層，而其餘厚度則 行） 層塗佈，亦將有利於變形量心叫的控制。 丁夕 =，當在覆蓋層靠記錄層（界面層）_#纟 接者劑、保護塗劑等構成的變形促進層時，為能賦予 的柔軟性，玻璃轉移溫度Tg最好在饥以下，尤以 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 77 200828301 =下為佳’更以-呢以下為佳。此處所謂「玻璃轉移溫 度Tg」係指黏著劑、接著劑、保護塗劑等在硬化後所測 =數值。TW簡便敎方法係有如示差掃描熱= 此外，利用動態黏彈性率測定裝置，測定儲存彈 ,性率的溫度依存性亦可獲得（Alphonsus v. pocius著， •水町浩、小野擴邦譯「接著劑與接著技術入門」，日刊工 - 業新聞社，1999，第5章）。 •促進d_<〇變形’不僅可增加Lt〇H的訊號振幅，尚 t有能降低記錄所必要之記錄功率的優點。另一方面，若 變形過大，因為串音干擾變大，推挽訊號變小，因而即使 變形促進層在玻璃轉移溫度以上，仍最好保持適度的黏彈 性0 復盍層24係為能更進一步對入射光侧表面賦予耐擦傷 性、耐指紋附著性的機能，亦有在表面上另外設置厚度 〜50#„!左右的層。覆蓋層24的厚度係依照記錄ς φ生光束27的波長λ、與物鏡Μ的ΝΑ(開口數）而異，最 好在〇.owo.3mm範圍内，尤以0 〇5随〜〇15丽範圍為 .，。包括接著層與硬塗層等厚度在内的整體厚度，最好設 定在光學許容的厚度範圍内。例如所有的藍光碟片最好控 制在100//m±3/zm左右以下。 另外’如設置變形促進層的情況，當在覆蓋層之記錄層 側設置不同折射率層的情況下，本發明的覆蓋層折射率 nc，將參照靠記錄層侧之層的數值。 (其他構造） 312XP/發明說明書(補件)/96·12/96133191 78 200828301 另外，本實施形態的光記錄媒體係除上述各層之外，在 不脫離本發明主旨的範疇内，尚可具有任意層。例如，除 了在前述記錄層22與覆蓋層24的界面之外，尚可在基板 21與反射層23之間，用於防止相互發生層接觸/擴散、 及調整相位差與反射率，而插入界面層。 [實施例] 以下，針對本發明，舉實施例進行更詳細的說明。但， 本發明並不僅侷限於以下實施例。 (實施例1) 在已形成執距〇.32/zm、溝執寬約〇.18//m、溝執深度 約55nm之導溝的聚碳酸酯樹脂基板上，將具有 Agg^Nd^Cu。·9組成的合金靶（上述組成係依原子％表示')施 仃滅鍍，形成厚度約7〇nm的反射I。在該反射層上將胁 施行賤鍍，藉此形成厚度約2nm的中間層。再將下述構造 式所不之色素溶解於八氟戊醇（〇FP)中，將所獲得之溶液 籲利用旋塗法成膜於上述中間層上。 該構造式的折射率係1肩，衰減係數係U5。該折射 ,、哀減係數係使用日本分光公司製橢圓偏光儀 肌—3〇S、」’利用橢圓儀（偏光分析）進行測定（專利文獻 45 f原^之著’「分光擴圓儀」，丸善出版社，平成η 第)此外，在聚碳酸酯樹脂基板上施行塗佈， 於記錄層單獨塗膜狀能Τ ^ μ 的吸收光譜’係使用分光光度計 (島津衣作所股份有限公司製、叫15〇)進行測定。 再者’基板的溝執深度與溝執寬係使用原子力顯微鏡 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 79 200828301 (AFM.-Digital Instruments 公司製 Nanoscope Ilia)進行 測定。 圖9所不係在聚碳酸酯樹脂基板上施行塗佈，並於記錄 層單獨塗膜狀態下的吸收光譜、及nd、kd的波長依存性。 [化 14]
旋塗法的條件係如下述。即，將上述色素依Q 66重量％ ⑩濃度溶解於附中的溶液，在碟以在上述基板上已形成 有反射層與中間層）中央附近處，施行15§的環狀塗佈， 亚將碟片依12〇rpm旋轉約4秒鐘，再依12〇〇rpm旋轉約 3秒鐘而使色素溶液延伸，然後，依9 2 0 0 r p m旋轉3秒鐘， 猎由將色素溶液甩乾而施行塗佈。此外，經塗佈後，將碟
片在100 C % i兄下保持i小時，藉由將溶劑的蒸H 除，形成記錄層。 、 然後，在上述記錄層上，利用濺鏡法，形成約16⑽厚 度之由ZnS Si〇2(莫耳比8〇:2〇)構成的界面層。在其上 312XP/發明說明書(補件)/96_12/96133191 200828301 面，藉由貼合著由厚度75 /z m聚碳酸酯樹脂片材、與厚户 25/zm感壓接著劑層所構成之合計厚度ι〇〇 的透明^ 蓋層’製成光記錄媒體（實施例1的光記錄媒體）。 (實施例2) 在已形成執距0· 32/z m、溝軌寬約〇· 18从m、溝執深产 約60nm之導溝的聚碳酸酯樹脂基板上，將具有 AguNdKoCuo.9組成的合金靶（上述組成係依原子％表示）施 行錢鐘，形成厚度約65nm的反射層。在反射膜上將下述 泰構造式所示色素溶解於八氟戊醇（OFP)中，再將所獲得之 溶液利用旋塗法成膜於上述中間層上。 該構造式的折射率係〇 · 9 8，衰減係數係1 · 2 2。圖1 〇所 示係在聚碳酸酯樹脂基板上施行塗佈，並於記錄層單獨之 塗膜狀態下的吸收光譜、及nd、kd的波長依存性。 [化 15]
然後’在上述記錄層上，利用激鑛法，形成約16ηιη厚 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 81 200828301 度之由ZnS-Si〇2(莫耳比8〇:2〇)所構成的界面層。在其上 面，藉由貼合著由厚度75/zm聚碳酸酯樹脂片材、與厚度 25/zm感壓接著劑層所構成之合計厚度1〇〇^m的透日^^ 盍層’而製成光記錄媒體（實施例1的光記錄媒體）。 (比較例1) 在已形成執距〇· 32从m、溝執寬約〇· 18//m、溝執深度 約60nm之導溝的聚碳酸酯樹脂基板上，將具有 Agw Αώ. 〇Cud. 9組成的合金靶（上述組成係依原子％表示）施 行濺鍍，形成厚度約65nm的反射層。在反射膜上將下述 構造式所不之偶氮系色素溶解於八氟戊醇（〇Fp)中，再將 所獲得之溶液利用旋塗法成膜於上述中間層上。 ' [化 16]
• 上述構造式的色素材料折射率係1.24，衰減係數係 0.24。在施行旋塗法、記錄層形成方法等以後，均如同實 施例1。 ' 然後，在上述記錄層上，利用濺鍍法，形成約2〇nm厚 度之由ZnS-Si(h(莫耳比80:20)所構成的界面層。在其上 面，藉由貼合著由厚度75 聚碳酸酯樹脂片材、與厚度 25/zm感壓接著劑層所構成之合計厚度1〇〇#m的透明覆 盍層，製成光記錄媒體（比較例1的光記錄媒體）。 (評估條件） 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 82 200828301 針對實施例1、2的光記錄媒體施行的記錄再生評估， 係使用具有記錄再生光波長又=406nm、Μ(開口 數）= 0·85、聚焦光束光點直徑約〇.42/zm(成為中心強度 之Ι/e的範圍）之光學系統的Pulstec公司製ODU1000測 試機而實施。記錄再生係對基板溝軌部（i n-gr〇〇ve)實施。 §己錄係將線速度4· 92m/s設定為1倍速，並依1倍速或 其2倍速的方式進行旋轉，且記錄經（1，7)RLL_NRZI調變 過的標記長調變訊號（17PP)。基準時脈週期τ係於丨倍速 時設定為15.15nsec.(通道時脈頻率66|〇12)，於2倍速時 則設定為7. 58nsec.(通道時脈頻率132MHz)。記錄功率、 記錄脈衝等記錄條件係調整為使下述抖動成為最小。再生 係依1倍速實施，並測定抖動與反射率。 抖動（Jitter)的測定係依照以下順序實施。換言之，將 記錄訊號利用設限均衡器施行波形等化後，施行二值化。 f後’針對經二值化之訊號之上揚邊緣及下降邊緣，在盘 通科脈訊號之上揚邊緣間的時間差 間 隔分析儀進行測定。鈇後，蔣、δ $ ± 』用才間間
.刹用/τ夺通道時脈週期設定為T，並 利用σ /T測定抖動(資粗 I C1〇ck;ltter)。 以4對於時脈的抖動加a to 因為反射率係與再生偵測器+ 、 將該電壓鈐屮佶H °°包I輸出值成比例，因而 肝Θ包皂輸出值利用已知反射 佶。杏#点丨也^ 町手Kref進行規格化而求得數 值只轭例與比較例均因記錄的告 伃数 將記錄訊號中反射率 =^反射率。 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 83 200828301 ID=(Rh - Rl)/Rh 計算得調變度m。 推挽訊號係測定規格化推挽訊號強度（Ippaetual)之值。 (評估結果） 圖11所示係實施例1所使用之碟片的截面之穿透電子 終員微鏡照片。圖11 ( a )所示係未記錄狀態的碟片截面之穿 透電子顯微鏡（TEM)照片，圖11(b)所示係記錄狀態的^ 籲片截面之穿透電子顯微鏡（TEM)照片。截面試料係:下述 進行製作。當在覆蓋層上貼附黏貼帶並撕開時，取出部分 露出的界面層/覆蓋層界面之剝離面。在剝離面上為了保 護而將W(鎢）施行蒸鍍。此外，從被w所被覆的剝離面上 方，在真空中施行高速離子照射而進行韻，以形成孔。 針對在孔侧面已形成截面者，利用穿透電子顯微鏡施行觀 察0 圖11(a)、目11⑻所示之截面影像中，因為記錄層屬 於有機物因而私子牙透而呈現泛白。可知在記錄溝軌間 部（覆蓋層溝軌部）中，記錄層膜厚&係幾近零，在記錄溝 執部中’記錄層膜厚dG_29nm。此外，反射基準面之 依^麵規定的溝執深度幾乎等於利用週對基 =面所：定的約53nm。記錄訊坑部中，由界面層形狀 ::，=將朝覆蓋層膨服變形(即，圖4中，1<〇)。 有4 記錄的記錄層，呈現泛白，因而判斷 成有工洞（即，n ’ = 1、 ry ώ y 。另外，亦得知記錄訊坑並未突 出於錢溝轨部’而是封閉於溝轨內。 3ΐ2χρ/發明說明書(補件)/96·12舰33ΐ9ι 84 200828301 再者，距反射基準面的記錄後之空洞高度係約88nm， dbfflP=59nm。此外，反射層/基板界面並未發現變質、變形， 因而亦可確認dp it dm ix F 0。然後，使用該等數值，及 rid二 1. 08、ηπί· 5、（5 nd=l· 08-1 = 0· 〇8(但，將空洞内的折 射率設為 1)、又二406nm、dG与 29nm、（L与 Onm、cIgl% 53rm， 預估本實施形態的各相位值，如下式： 式（7)的Ob係
Φ b=(4 7Γ /406)χ(0· 42x29-1· 5x53)与-〇· 66 7Γ 所以，| Φ b21 < 7Γ。 式（9)的Α φ係 Δ Φ -(4 7Γ /406)x(0. 42x59 + 0. 08x88) = 0. 31 7Γ ，ΔΦ通常滿足（7Γ/2)以下的假設。 再者，式（8)的（Da係 (-〇. 66 + 0· 31)7Γ = -0· 357Γ ，將為|cDb|>|(Da 卜 可知上述相位變化係依存於因記錄訊坑部的空洞形 而造成之折射率變化，且，記錄訊坑部將隨記錄^朝二莫 層側的膨脹而產生變形。可知雖占nd < 〇 设孤 但知極利用d < 0 ’便可實施利用△ φ > 〇相位變化的記錄。 mp 再者’因為推挽訊號的極性並無變化，因而可▲田、 0 < I Φ a | < I φ b丨< 7Γ之相位變化所進行的L t 〇成' 實施例2亦同樣地確認到，記錄訊坑部的空錄。 覆蓋層侧的膨脹變形。 7成與朝 實施例1的光記錄媒體中，抖動σ、 耵年Rh、RL、及 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 85 200828301 調變度m係於1倍速記錄時Λ D 17 ,0/ 丁 才為 σ =5.U、Rh=34.2%、
Rw、m=0.49’而2倍速記錄時則m
Rh=33. 4%、RL=17. 4%、m=0. 48。 再者，規格化推挽強度係於記錄前為Q. 54，丨倍速 後為〇.26,2倍速記錄後則為0.32。記錄時的功^係於| 倍速時為5. 6mW ’ 2倍速時則為7. 〇mW。 本發明者等經探討的結果’判斷藍光碟片若抖動在7 0% 二記錄時的功率在7.0mw以下’規格化推挽訊號強度 在0.2卜0.60範圍内的話’便具有實用上的充分特性。可 知實施例1的上述數值係符合該等基準。 實施例2的光記錄媒體中，抖動σ、反射m、及 調變度m係於i倍速記錄時為請、 ㈣.n、m=0· 44。此外，規格化推挽訊號強度係於記錄 前為0.50’丨倍速記錄後則為032。實施例2中，雖施 行1倍速記錄，但是幾乎滿足上述藍光碟片的基準。 比較例1的光記錄媒體中，抖動σ、反射率Rh係於】 么速。己錄％ ’ or -7. 8%、RH=3〇. 8%，於2倍速記錄時則σ -11.8%、RH=31.2%。記錄時的功率，於1倍速時係6 6禮， 2倍速時則為8. 0mW。可知比較例i的光記錄媒體中，抖 動值及2倍速的記錄功率值，均無法滿足上述藍光碟片的 基準。 由以上的結果得知’利用本發明將可獲得不論1倍速記 錄、或2倍速記錄，均能滿足藍光碟片規格的優越光記錄 媒體。 312XP/發明說明書(補件)/9卜12/96133191 86 200828301 雖針對本發明參照詳細且特定之實施態樣進行說明，惟 脫離本U _神與範嘴的前提下，熟習此技術者均可 進行各種變更與修正。 曰申請的日本專利申請案 ’本案將參照並爰引其内 本申请案係以2 0 0 6年9月β (特願2006-241738號）為基礎 容。 (產業上之可利用性） 於對應膜面入射型藍色雷射的 本發明係特別適合使用 光記錄媒體等。 【圖式簡單說明】 圖14白知構成之具有主成分為色素之記錄層的單寫 式媒體（光記錄媒體）說明圖。 圖严為本實施形態所應用之具有主成分為色素之記錄 k的膜面入射構成之單寫式媒體（光記錄媒體）說明圖。 圖3(a)、（b)為說明自習知構造的圖丨之基板入射構造 •之，板側所入射的記錄再生光束之反射光的圖。 、圖4(a)、（b)為當在膜面入射型媒體的層構成與覆蓋層 溝㈣部進行記料之相位差的說明圖。 、圖5(a)、（b)為當在膜面入射型媒體的層構成與覆蓋層 溝執間#進行記錄時之相位差的說明圖。 圖6為σ己錄溝軌部與記錄溝軌間部的相位差、及反射光 強度間之關係的說明圖。 圖7為檢測記錄訊號（和訊號）與推挽訊號（差訊號）的 四區偵測器構造的說明圖。 312XP/發明說明書(補件)/96·ΐ2/96出⑼ 200828301 圖8(a)、（b)為實際上使涵括複數溝軌部、溝執間部而 =獲得的輸出訊號，在通過低通舰器㈤頻3馳左右） 後’所檢測出的訊號圖。 圖9(a)、⑻為表示實施例！的記錄層色素吸收光譜、 /、nd、kd的波長依存性的圖。 盘為ί示實施例2的記錄層色素吸收光譜、 興nd、kd的波長依存性的圖。 圖11(a)、⑻為實施例i所使用之碟 電子顯微鏡照片。 幻m面之牙透 【主要元件符號說明】 10 x 20 光記錄媒體 u、2i 基板 記錄層 反射層 保瘦塗層 基板溝軌間部 基板溝軌部 混合層 12、22 13、23 14 15 • 16 16m、25m、26m
Wp、25p、26p記錄訊坑部 17、 27 記錄再生井圭 18、 28 物鏡 19、29 24 25 26 記錄再生光束的入射面 覆盖層 覆蓋層溝執間部 覆蓋層溝執部 312Χρ/發明說明書(補件)/96-12/96133191 88
Claims (1)
- 200828301 十、申請專利範圍： 1 · 一種光記錄媒體，係具備有： 已形成有導溝的基板；以及在上述基板上，所依序設置 之： 具光反射機能的層； 以下述一般式[I]所示之卟啉化合物為主成分的記錄 層；與 能使入射於上述記錄層中的記錄再生光穿透過的覆蓋 響層，·者，其特徵為， 上述記錄再生光波長又係350nm〜450nm ; 當以距離上述記錄再生光聚焦而獲得的記錄再生光束 入射於上述覆蓋層之面較遠侧的導溝部，作為記錄溝執部 時， 上述記錄溝軌部中所形成夕a Μ > I Τ所办成之圮錄訊坑部的反射光強 度，將高於該記錄溝轨部中未記錄時的反射光強产· # [化1] 又，立的芳香環，分別亦 (一般式[U中’ Af〜A]-係指分別獨 可具有複數取代基； 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96B3191 89 200828301 R£ Ma係指=各自獨立的氫原子或任意取代基; 況，為使== 生離子;”㈣3價以上的惰 子）。 ’該分子亦可再具有相對陰離 2·如申請專利範愿裳 訊坑部中，在*上心肺、之光記錄媒體，其中，該記錄 界面處形成空洞ί:=部或該記錄層所鄰接之層的 脹之形狀變化。 %層伴隨有朝上述覆蓋層側膨 、十專利範圍第1或2項之光記錄媒體，其中，上 :他合物係以-般式[⑴所示之四芳編:化； [化2]([II]式中，x~x係指各自獨立的價數4以上 X1〜X4係價數5以上的原子時，χ1〜χ, 权立说 基，當™數6以上的原子時，分; 参Q4,此情況下’該2個Q1〜Q4係可為相同，亦可為 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 90 200828301 異； Q1〜Q4係指各自獨立的週期表繁 Ar〜Ar4係指各自獨立的芳香产、/、于， X1〜X4以外的取代基； 长，分別亦可具有除了 二獨立的碳數2〇以下之有機基； R係私各自獨立的氫原子或電子 μ係指2價以上的金屬陽離子 火、…代土， 況，為使整體分子呈中性，該分子亦;；广3價以上的情 另外，RW、RlR4、R5/Rf、m=^ 而形成環）。 Κ及Κ亦可各自鍵結 4.如申請專利範圍第1或2頊 上述記錄層與上述覆蓋層之間，進_==’其^ ’在 材料與該覆蓋層材料發生混合的界面ς: 該記錄層 5如申請專利範圍第⑷項之光;己錄媒體，其中，在 2具有光反射機能的層、與上述 丨置中間層。 j疋’叹 6·如申請專利範圍第5項之光記錄媒體 甲&擇之至少1種的元素。 、7·如申睛專利範圍第！或2項之光記錄媒體，其中，當 以上述具有光反射機能的層與上述記錄層侧的界面作為 反射基準面，以未形成上述記錄訊坑部的導溝部作為記錄 溝執間部時，由上述反射基準面所規定之上述記錄溝執部 與上述記錄溝執間部之高度差dGL，係30〜70nm。 312XP/發明說明書(補件)/96-12/96133191 91
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