JP2003016690A

JP2003016690A - 情報記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JP2003016690A
Application number: JP2001195243A
Authority: JP
Inventors: Hisamitsu Kamezaki; 久光亀崎; Yasuo Sawada; 康雄沢田; Yasuhide Fujiwara; 康秀藤原
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2001-06-27
Filing date: 2001-06-27
Publication date: 2003-01-17

Abstract

(57)【要約】【課題】ＲＯＭ領域とＲＡＭ領域を備えたハイブリッ
ド型情報記録媒体において、プリピットに色素を充填す
る際し、ピット部の色素が多いために変調度が小さい、
シンメトリーがずれる等を防ぎ、ＲＡＭ領域の平均膜厚
をＲＯＭ領域より厚くする、有機色素材料の塗布方法を
変える、等により、ＲＡＭ領域の吸光度をＲＯＭ領域の
吸光度より高くする事で良好な信号を検出できる情報記
録媒体を提供する。【解決手段】透光性の基板上に直接もしくは下地層を
介して記録層または金属層を設けた情報記録媒体におい
て、情報を記録再生消去するＲＡＭ領域（１１ｂ）と情
報を予め凹凸のピット列として形成しておいて再生のみ
を行うＲＯＭ領域（１１ａ）とを含み、記録層または金
属層の平均膜厚が、ＲＯＭ領域よりＲＡＭ領域の方が厚
いことを特徴とする情報記録媒体を主たる構成にしたこ
と。その他７項ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザ光により情報
の記録再生消去を行う情報記録媒体に関し、特に記録再
生消去可能なＲＡＭ領域と再生のみ可能なＲＯＭ領域と
を備えた光情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、本形態のいわゆるハイブリッド型
の光情報記録媒体として、登録２５９６４７４号公報、
登録２５９６４７７号公報、登録２５９７４９１号公
報、特開平４−１４６５３７号公報、特開平４−１４６
５３６号公報、特開平３−２４１５３８号公報が知られ
ている。

【０００３】しかし、ＲＡＭ領域とＲＯＭ領域の吸光
度、透過率に着目し、改良を施すことで発明を完成させ
た従来例は存在していない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のＣＤ−Ｒ、ＤＶ
Ｄ−Ｒなどのように有機色素を記録膜材料に使用し、前
記のハイブリッド媒体を作製するにあたり、ＲＯＭ領域
のプリピットに色素を充填する際、充填量の目安がなく
困っていた。特に充填量が多い場合、ピット部の色素が
多いために変調度が小さい、シンメトリーがずれる、な
どの問題が起きていた。

【０００５】そこで斯かる上記の問題を解決するため、
本発明では、ＲＡＭ領域の吸光度をＲＯＭ領域の吸光度
より高くすることで、変調度が大きく、シンメトリーが
ずれない情報記録媒体を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、下
記の手段により達成される。請求項１によれば、透光性
の基板上に直接もしくは下地層を介して記録層または金
属層を設けた情報記録媒体において、情報を記録再生消
去するＲＡＭ領域と、情報を予め凹凸のピット列として
形成しておいて再生のみを行うＲＯＭ領域とを含み、Ｒ
ＡＭ領域の記録層の平均膜厚が、ＲＯＭ領域の記録層ま
たは金属層より厚い情報記録媒体を最も主要な特徴とす
る。

【０００７】請求項２によれば、請求項１記載の情報記
録媒体において、前記記録層または金属層の平均膜厚の
吸光度を測定することで、前記記録層の平均膜厚を所定
の厚さにした情報記録媒体を主要な特徴とする。

【０００８】請求項３によれば、請求項１又は２記載の
情報記録媒体において、記録層が有機色素材料により形
成させている情報記録媒体を主要な特徴とする。

【０００９】請求項４によれば、請求項３記載の情報記
録媒体において、成膜後の色素のλmax の波長において
ＲＡＭ領域の吸光度がＲＯＭ領域の吸光度より高い情報
記録媒体を主要な特徴とする。

【００１０】請求項５によれば、請求項２記載の情報記
録媒体において、ＲＡＭ領域およびＲＯＭ領域が同一材
料の記録層または金属層で形成されている情報記録媒体
を主要な特徴とする。

【００１１】請求項６によれば、請求項５記載の情報記
録媒体に関して、情報の記録再生に用いる波長におい
て、ＲＡＭ領域の吸光度がＲＯＭ領域の吸光度より高い
情報記録媒体を主要な特徴とする。

【００１２】請求項７によれば、請求項４または６記載
の情報記録媒体において、ＲＡＭ領域の吸光度（ABSra
m）とＲＯＭ領域の吸光度（ABSrom）との関連が、１≦ABSram／ABSrom≦１．３である情報記録媒体を主要な特徴とする。

【００１３】請求項８によれば、記録層または金属層の
平均膜厚の吸光度を測定した後、前記記録層の平均膜厚
を所定の厚さに形成することを特徴とする情報記録媒体
の製造方法を最も主要な特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下本発明を実施の形態に基づき
詳細に説明する。図１は本発明の後述する実施例１乃至
３で説明する光情報記録媒体の要部拡大断面図、図２は
その光情報記録媒体の平面図である。

【００１５】図１から明らかなように、本例の光情報記
録媒体は、片面に微細な凹凸状のプリフォーマットパタ
ーン２が形成された透明基板１と、プリフォーマットパ
ターン２内に光エネルギを吸収して熱エネルギに変換す
る材料、若しくはこの種のイオン性の色素材料を少なく
とも一部に含むヒートモード記録材料を充填することに
よって形成される情報記録部３と、情報記録部３上に被
着された金属層４と、金属層４を覆うようにコーティン
グされた保護層５から構成されている。

【００１６】透明基板１としては、例えばポリカーボネ
ート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペンテ
ン、エポキシなどの透明樹脂材料を所望の形状に成形
し、その片面に所望のプリフォーマットパターンを転写
したものや、所望の形状に形成されたガラス等の透明セ
ラミックス板の片面に所望のプリフォーマットパターン
が転写された透明樹脂層を密着したものなどの、公知の
透明基板を用いることができる。ディスク状光情報記録
媒体（以下、光ディスクという）を構成する透明基板１
は、図２に示すように、中心部にセンタ孔１ａを有する
円盤状に形成される。なお、透明基板１の作製方法につ
いては、公知に属する事項であり、かつ本発明の要旨で
もないので、説明を省略する。

【００１７】プリフォーマットパターン２は、少なくと
も記録・再生用レーザビームを記録トラックに追従させ
るためのビーム案内部を含んで構成される。図１及び図
２の例では、ビーム案内部が、センタ孔１ａと同心の渦
巻状又は同心円状に形成された案内溝２ａをもって構成
されており、当該案内溝２ａに沿って、アドレスピット
やクロックピット等のプリピット２ｂが形成されている
（図１参照）。プリピット２ｂが案内溝２ａ上に重ねて
形成される場合には、両者を光学的に識別できるように
するため、図１に示すように、案内溝２ａとプリピット
２ｂとがそれぞれ異なる深さに形成される。プリピット
２ｂが相隣接する案内溝２ａの間に形成される場合に
は、両者を同じ深さに形成することもできる。なお、ビ
ーム案内部としては、案内溝２ａに代えて、ウォブルピ
ットを記録トラックに沿って形成することもできる。

【００１８】情報記録部３は、光エネルギを吸収して熱
エネルギに変換する材料、若しくはこの種のイオン性の
色素材料を少なくとも一部に含むヒートモード記録材料
を、前記プリフォーマットパターン２内に充填すること
によって形成される。

【００１９】情報記録部３を形成する色素材料として
は、例えばポリメチン系色素、アントラキノン系色素、
シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシア
ニン系色素、キサンテン系色素、トリフェニルメタン系
色素、ピリリウム系色素、アズレン系色素、含金属アゾ
染料、アゾ染料等を挙げることができる。これらのうち
では、ジカルボシアニン誘導体、フタロシアニン誘導
体、ナフタロシアニン誘導体、シアニン誘導体、アゾ染
料誘導体が特に好適に用いられる。また、アミニウム系
色素などの各種クエンチャが添加された色素材料を用い
ることもできる。

【００２０】さらには、上記色素材料群より選択される
１種又は２種以上の色素材料を樹脂中に分散したもの
を、情報記録部３の形成材料として用いることもでき
る。色素材料を分散できる樹脂材料としては、アクリル
樹脂、ビニル樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、シリ
コーン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂などを挙
げることができる。

【００２１】情報記録部３は、透明基板１のプリフォー
マットパターン形成面に、先に例示的に列挙された色素
材料群より選択された色素材料の溶剤溶液をスピンコー
トし形成する。さらに溝状のプリフォーマットパターン
２内に色素材料を充填した後、プリフォーマットパター
ン２の間の図示しないランド部に付着した色素材料を選
択的に除去し、透明基板１の表面を露出すると共に、プ
リフォーマットパターン２内にのみ色素材料を充填する
ことによって形成することも可能である。なお、色素材
料の溶剤としては、アルコール系溶剤あるいはセルソル
ブ系溶剤などを用いることができる。

【００２２】さらに、以下に示す二座配位子を取りうる
キレート材を含有し、本発明の目的を達成することもで
きる。たとえば、無機酸類、ジカルボ酸類、オキシカル
ボ酸類、ジオキシ化合物、オキシオキシム類、オキシア
ルデヒドおよび誘導体類、ジケトン類および類似化合
物、オキシキノン類、トロボロン類、Ｎ−オキシド化合
物、アミノカルボン酸および類似化合物、ヒドロキシル
アミン類、オキシン類、アルジミン類、オキシオキシム
類、オキシアゾ化合物、ニトロソナフトール類、トリア
ゼン類、ピウレット類、ホルマザン類およびジチゾン
類、ビクアリド類、グリオキシム、ジアミン類および類
似化合物、ヒドラジン誘導体、チオエーテル類がある。
さらに、イミノ基（イミド、アミド）を有する誘導体も
使用可能である。

【００２３】また、上記の有機材料の他、原子配列を変
化し情報の記録ができる相変化型材料も使用可能であ
る。具体的には「Ａ」−「Ｂ」−「Ｃ」−Ｇｅ−Ｔｅで
代表されるアモルファス金属、および合金である。ここ
で「Ａ」＝Ｃｕ，Ａｇ、Ａｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒ
ｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｈｇ、
Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ランタニド元素、アク
チニド元素、アルカリ土類金属元素、不活性ガス元素、
などのうち少なくとも一つの元素を表す。「Ｂ」はＴ
ｌ、Ｉなどハロゲン元素、およびＮａなどのアルカリ金
属元素のうち少なくとも一元素を表す。「Ｃ」はＳｂ、
Ｓｎ、Ａｓ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇ
ａおよびＩｎのうち少なくとも一元素を表す。

【００２４】また、光磁気材料に使用される金属材料、
たとえば上記金属元素のＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏなども記録層
として使用可能である。

【００２５】金属層４に用いる金属は特に限定がない
が、アルミニウム、銀、銅などの金属材料又はこれらを
主成分とする合金材料を使用することができる。特に金
を主体とする金属または合金を用いることが好適であ
る。ここで銀を主体とするとは、銀の含有率が８０〜１
００原子％、特に９０〜１００％であることが好まし
い。

【００２６】また、これらの反射層材料のうちでは、安
価でありかつコンパクトディスクにおいて使用されて実
績が有ることから、アルミニウムを使用することもでき
る。金属層材料として金属材料又は合金材料を用いる場
合には、スパッタリングや真空蒸着などの真空成膜方法
によって、金属層４を形成することができる。この場
合、真空槽内の真空度を変えて（例えば、１０−5torr
程度）スパッタリングを行い、密度または結晶化の状態
の違う膜を形成して金属反射膜の反射率を高くする技術
を適用することもできる。

【００２７】保護層５は、例えばＳｉＯ，ＳｉＮ，Ａｌ
Ｎ等の無機材料や、光硬化性樹脂などの有機材料を用い
て形成することができる。無機保護層は、真空成膜方法
によって形成することができ、有機保護層は、金属層４
上に光硬化性樹脂膜（たとえば、大日本インキ化学工業
（株）のＳＤ１７００、ＳＤ３１８、ＳＤ３０１）をス
ピンコートした後、樹脂硬化光を照射することによって
形成できる。

【００２８】以下に、具体的な実施例を掲げ、本発明の
効果を明らかにする。勿論本発明は以下に示す実施例に
よって限定されるものではない。（実施例１）図１及び図２に示すプリフォーマットパタ
ーンを有するポリカーボネート基板に、フタロシアニン
溶液をスピンコートすることで情報記録部３を形成し
た。この情報記録部３の上にスパッタ法により厚さ１０
０nmの金膜を形成し金属層４とした。該金属層上に大日
本インキ化学工業（株）のＳＤ１７００（熱伝導率１．
０以下）を膜厚５μｍで積層し保護層５とした。さらに
保護層５上に、ＵＶ硬化性のインク層１５を設けた。具
体的にはＤＩＣＵＶインク（大日本インキ化学工業
（株））を０．６７ｇ積層した。

【００２９】また、図３に示す様に本例の光情報記録媒
体は、情報の記録エリア１１がＲＯＭ領域１１ａとＲＡ
Ｍ領域（追記領域）１１ｂとに分割された、所謂パーシ
ャルＲＯＭ型の光情報記録媒体に、本発明を適用したこ
とも特徴のひとつである。

【００３０】ＲＯＭ領域１１ａには、プリフォーマット
パターン１として、ビーム案内部及びヘッダー部、溝
部、読出し専用の情報信号部、ピット部が必要に応じて
形成される。これに対して、ＲＡＭ領域（追記領域）１
１ｂには、プリフォーマットパターン１として、ビーム
案内部及びヘッダー部、トラック上に一定間隔で配置さ
れたヘッダー部の間の未記録部、溝部が必要に応じて配
置され、情報の追記エリアになっている。

【００３１】上記の情報記録媒体にスピンコート条件を
変えＲＡＭ領域、ＲＯＭ領域の同一系色素の吸光度を変
えた。それらの媒体の信号特性は下記の表１に示す結果
となった。なお、吸光度は成膜後の色素のλmax の波長
における吸光度である。

【００３２】

【表１】上記表１より明らかなようにＲＡＭ領域の吸光度（ABSr
am）とＲＯＭ領域の吸光度（ABSrom）との関連が、１≦ABSram／ABSrom≦１．３である時が最も良好な信号特性が得られた。

【００３３】また、上記の吸光度は透過率を測定するこ
とで同様の関係を見いだすことが出来る。つまり透過率
Ｔと吸光度Ａは下式の関係にあるので、同様に透過率に
よる制限も可能である。 log １０（１００／Ｔ）＝Ａ

【００３４】（実施例２）実施例１の構成にて、ＲＡＭ
領域とＲＯＭ領域を異なる色素により形成した。それぞ
れの色素において、吸光度と色素のモル吸光計数から色
素の平均膜厚を算出する。なお、吸光度は成膜後の色素
のλmax の波長における吸光度である。

【００３５】上記の例でも同様にＲＯＭ領域の記録層の
平均膜厚よりＲＡＭ領域の膜厚が厚い場合良好な信号を
検出することができた。このことは、ＲＯＭ領域のプリ
ピットがＲＡＭ領域の案内溝より浅いため、プリピット
に少量の色素を充填した結果得られた。

【００３６】（実施例３）実施例１の構成にて、ＲＡＭ
領域とＲＯＭ領域を同一の金属材料により記録層を形成
した場合、記録再生に用いる波長において吸光度を測定
し、実施例１同様にＲＡＭ領域の吸光度がＲＯＭ領域よ
り高かい場合、実施例１同様の関係式の範囲で良好な信
号を検出することができた。

【００３７】（実施例４）実施例４に係る光情報記録媒
体を、図４に基づいて説明する。図４は本例に係る光情
報記録媒体の要部拡大断面図である。この図から明らか
なように、本例の光情報記録媒体は、実施例１同様の構
成としＵＶ硬化性インク上に親水性材料を含有する層１
５を積層した。

【００３８】親水性材料にはポリビニルピロリドン、ポ
リビニルアルコール、体質顔料などを使用することが出
来る。また、ＵＶ硬化性インク層および親水性材料を含
有する層は単独または複合でディスクをクランプする。
いわゆるクランピングエリアにも塗布することが出来
る。

【００３９】（実施例５）実施例５に係る光情報記録媒
体を、図５に基づいて説明する。図５は本例に係る光情
報記録媒体の要部拡大断面図である。この図から明らか
なように、本例の光情報記録媒体は、透明基板１のプリ
フォーマットパターン形成面に下地層６を形成し、下地
層６の表面に形成されるプリフォーマットパターン２と
対応する溝内に色素材料を充填して情報記録部３を形成
した。

【００４０】下地層６は、透明基板１と情報記録部３と
の密着性の改善や記録感度の改善、それに情報記録部３
の保護等のために設けられるものであって、例えばポリ
ビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポリアクリ
ル酸、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ポリビニル
ピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリプロピレングリコ
ール、メチルセルロース、ポリビニルナイトレート、ニ
トロセルロースなどの親水性樹脂によって形成される。
下地層６の形成は、親水性樹脂の水溶液を、透明基板１
のプリフォーマットパターン形成面２にスピンコートす
ることによって行える。

【００４１】なお、下地層６は、親水性樹脂よりなって
いるため、耐水性（耐湿性、透湿性）及び耐熱性が悪
い。したがって、下地層６には、架橋処理や結晶化処理
を施して、耐水性及び耐熱性を改善することが好まし
い。具体的には、親水性樹脂の水溶液に架橋剤を添加し
て下地層６を成膜した後に、光照射による架橋反応や加
熱による架橋反応を起こさせたり、あるいは架橋剤の添
加のない下地層６を熱処理して結晶化（例えば、親水性
樹脂としてポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を用いる場
合には、ＰＶＡを変性ＰＶＡ化する。）させる。

【００４２】架橋処理と結晶化処理とを比較すると、加
熱による悪影響を透明基板１に与えることがなく、かつ
作業性にも優れていることから、結晶化処理よりも架橋
処理の方が好ましい。以下に、架橋反応の具体例を示
す。実施に際しては、これらの架橋反応から、必要に応
じて任意の例を採用することができる。（１）架橋剤として、重クロム酸アンモニウムを添加
し、色素表面を処理すると同時に、成膜後反応光を照射
して、下地層６に架橋反応を起こさせる方法。（２）無機系架橋剤として、例えば銅、ホウ素、アルミ
ニウム、チタン、ジルコニウム、スズ、バナジウム、ク
ロム等を添加する方法。（３）アルデヒドを用いてアセタール化する方法。（４）水酸基をアルデヒド化する方法。（５）活性化ビニル化合物を添加する方法。（６）エポキシ化合物を添加してエテール化する方法。（７）酸解媒のもとでジカルボン酸反応を起させる方
法。（８）コハク酸及び硫酸を添加する方法。（９）トリエチレングリコール及びアクリル酸メチルを
添加する方法。（１０）ポリアクリル酸及びメチルビニルエテールマレ
イン酸共重合体をブレンドする方法。

【００４３】その他、透明基板１、情報記録部３、反射
層４、保護層５については、前記実施例１と同じである
ので、重複を避けるため、説明を省略する。

【００４４】更に、より具体的な実施例を掲げ、本発明
の効果を明らかにする。この例では、下地層材料として
ポリビニルアルコールを選択した。この２．０ｗｔ％水
溶液をスピンコ−ト法により成膜し、クロムを架橋材と
して安定化させた。その他、透明基板１、情報記録部
３、反射層４、保護層５、ＵＶ硬化性インク層１０につ
いては、前記実施例１と同じであるので、重複を避ける
ため、説明を省略する。

【００４５】（実施例６）実施例６に係る光情報記録媒
体を、図６に基づいて説明する。図６は本例に係る光情
報記録媒体の要部拡大断面図である。この図から明らか
なように、本例の光情報記録媒体は、プリフォーマット
パターン２内に色素を充填することによって形成される
情報記録部３上に、中間層７を介して反射層４を積層
し、これら中間層７及び反射層４を覆うように保護層５
をコーティングした。

【００４６】中間層７は、情報記録部３と反射層４との
密着性の改善や記録感度の改善、それに情報記録部３の
保護等のために設けられるものであって、実施例２にお
ける下地層６と同種の親水性樹脂または実施例１の情報
記録部３に含有することのできる、金属膜の酸化還元反
応に対応する電子供与性または受容性を持つ材料を含有
することができる。

【００４７】中間層７の材料に、親水性樹脂を選択した
場合、その水溶液を、情報記録部３上にスピンコートす
ることによって行える。当該中間層７についても、耐水
性及び耐熱性を改善するため、スピンコートされた中間
層７に、架橋処理や結晶化処理を施すことが好ましい。
架橋処理及び結晶化処理は、実施例２に記載した方法で
行える。

【００４８】その他、透明基板１、情報記録部３、反射
層４、保護層５、ＵＶ硬化性インク層１０については、
前記実施例１と同じであるので、重複を避けるため、説
明を省略する。

【００４９】また、図７には本ディスク製造のフローチ
ャートが示されている。Ｓ１でガラス円盤を研磨、洗浄
する。ついで、Ｓ２でシランコートを行い、Ｓ３でガラ
ス円盤上にフォトレジストをスピンコートし、所定の膜
厚を有するレジスト層を形成する。更に、Ｓ４で溶剤を
とばすためプリベークを行い、Ｓ５でレジスト層に集光
レンズを介してレーザを照射する（カッティング）。次
にＳ６でこの露光済みガラス円盤の現像処理し、Ｓ７で
レジストをＴｇ以上に加熱し溝形状を整形する（第一ベ
ーク）。

【００５０】この後Ｓ８でパターンの固化のためベーク
を行い（第二ベーク）、Ｓ９で蒸着、メッキを行い、Ｓ
１０でガラス円盤の凹凸面に金属膜を形成し、それを剥
離することによりスタンパを作成する。Ｓ１１によりス
タンパを用いて射出成形を行い、所定の膜厚を有するレ
プリカ層を形成する。ついで、Ｓ１２により透明基板の
片側にスピンコート法によりハードコート層を形成す
る。更に、Ｓ１３で透明基板の片面にスピンコート法に
より下地層を形成する。Ｓ１４では下地層の上面にスピ
ンコート法により記録層を形成する。Ｓ１５により記録
層上に反射層を形成する。更にＳ１６で記録層の上層に
スピンコート法により薄層を形成した。Ｓ１７は単板に
状態にて使用する場合を示し、Ｓ１８ではそれぞれのデ
ィスクを張り合わせ両面ディスクとする場合を示した。
ついで、Ｓ１７の単板、Ｓ１８の張り合わせ両面ディス
クをカートリッジに収納し特性の評価を行う。尚、ディ
スクのカートリッジへの収納及び特性の評価を行うこと
は周知事項であるため、フローチャートには示していな
い。

【００５１】上記フローチャートにおいて、Ｓ７および
Ｓ８は同時に行うこともできる。溝形状の整形には加熱
温度９０度以上１８０度以下、時間は５から９０分で任
意に選択できる。

【００５２】また、図８は図７のフローチャートにおけ
る記録層形成と保護層形成の詳細を示すフローチャート
である。Ｓ２１ではレプリカ層、下地層（省略する場合
もある）などを形成した基板（円盤）を準備する。つい
で、Ｓ２２でフタロシアニン色素、含金属アゾ染料、シ
アニン色素と赤外吸収色素を溶解したアルコール溶液ま
たはセルソルブ溶液を基板上にスピンコートして記録層
を形成する。更に、Ｓ２３では３０〜１４０℃の温度で
１０秒以上アニールし、余剰の溶媒を蒸発させる。Ｓ２
４で色素薄膜上を洗浄する。特に外周部の余剰な色素を
洗浄する。Ｓ２５ではポリビニルアルコール（ＰＶＡ）
と架橋剤の溶液を記録膜上にスピンコートする。Ｓ２６
ではＰＶＡの塗膜上に紫外線を１秒以上照射しＰＶＡの
架橋を行う。ついで、Ｓ２７で架橋後、３０〜１４０℃
の温度で１０秒以上アニールし、余剰の溶媒を蒸発させ
る。最後に、Ｓ２８で余剰の架橋剤を洗浄するため、水
などを架橋ＰＶＡ塗膜上にスピンコートする。

【００５３】（実施例７）実施例７に係る光情報記録媒
体を、図９に基づいて説明する。図９は本例に係る光情
報記録媒体の要部拡大断面図である。この図から明らか
なように、本例は基板１を貼り合わせた構造を取る。保
護層５上に接着層１２を積層し、第二の中間層１３、第
三の中間層１４を介して張り合わせる。第二の中間層１
３、第三の中間層１４には前記の下地層、中間層に使用
した水溶性樹脂、金属層に使用した金属材料を使用する
ことができる。以上のように作製した媒体に実施例１同
様にＵＶ硬化性インクを同量積層した。得られた結果は
実施例１同様であった。

【００５４】なお、前記実施例においては、ディスク状
記録媒体を例にとって説明したが、本発明の要旨はこれ
に限定されるものではなく、例えばカード状、スティッ
ク状あるいはテープ状など、他の形態の情報記録媒体に
も応用できることは勿論である。

【００５５】

【発明の効果】請求項１の、透光性の基板上に直接もし
くは下地層を介して記録層または金属層を設けた情報記
録媒体において、情報を記録再生消去するＲＡＭ領域と
情報を予め凹凸のピット列として形成しておいて再生の
みを行うＲＯＭ領域とを含み、ＲＡＭ領域の記録層の平
均膜厚が、ＲＯＭ領域の記録層または金属層より厚いこ
とを特徴とする情報記録媒体によれば、ピット部に色素
が充填でき良好な信号を検出できる。

【００５６】請求項２の、請求項１記載の情報記録媒体
において、前記記録層または金属層の平均膜厚の吸光度
を測定することで、前記記録層の平均膜厚を所定の厚さ
にしたことを特徴とする情報記録媒体によれば、簡便に
膜厚を算出でき、管理が容易となる。

【００５７】請求項３の、請求項１又は２記載の情報記
録媒体において、記録層が有機色素材料により形成され
ていることを特徴とする情報記録媒体によれば、簡便に
膜厚を算出することができる。

【００５８】請求項４の、請求項３記載の情報記録媒体
において、成膜後の色素のλmax の波長においてＲＡＭ
領域の吸光度がＲＯＭ領域の吸光度より高いことを特徴
とする情報記録媒体によれば、ＲＡＭ領域の平均膜厚が
厚く、プリピットに少量の色素が充填でき良好な信号を
検出できる。

【００５９】請求項５の、請求項２記載の情報記録媒体
において、ＲＡＭ領域およびＲＯＭ領域が同一材料の記
録層または金属層で形成されていることを特徴とする情
報記録媒体によれば、吸光度スペクトルがＲＡＭ領域、
ＲＯＭ領域で同形状とすることができる。

【００６０】請求項６の、請求項５記載の情報記録媒体
に関して、情報の記録再生に用いる波長において、ＲＡ
Ｍ領域の吸光度がＲＯＭ領域の吸光度より高いことを特
徴とする情報記録媒体によれば、ＲＯＭ領域の平均膜厚
が薄く、プリピットに少量の色素が充填でき良好な信号
を検出できる。

【００６１】請求項７の、請求項４または６記載の情報
記録媒体において、ＲＡＭ領域の吸光度（ABSram）とＲ
ＯＭ領域の吸光度（ABSrom）との関連が、１≦ABSram／ABSrom≦１．３であることを特徴とする情報記録媒体によれば、良好な
信号を検出することができる。

【００６２】請求項８の、記録層または金属層の平均膜
厚の吸光度を測定した後、前記記録層の平均膜厚を所定
の厚さに決定することを特徴とする情報記録媒体の製造
方法によれば、簡便に膜厚を算出でき、管理が容易とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１乃至３に係る光情報記録媒体
の要部拡大断面図である。

【図２】本発明の実施例１乃至３に係る光情報記録媒体
の平面図である。

【図３】本発明の実施例１乃至３に係る光情報記録媒体
の平面図である。

【図４】本発明の実施例４に係る光情報記録媒体の要部
拡大断面図である。

【図５】本発明の実施例５に係る光情報記録媒体の要部
拡大断面図である。

【図６】本発明の実施例６に係る光情報記録媒体の要部
断面図である。

【図７】本発明のディスク製造のフローチャートであ
る。

【図８】本発明の記録層、保護層形成のフローチャート
である。

【図９】実施例７に係る光情報記録媒体の要部断面図で
ある。

【符号の説明】

１透明基板２プリフォーマットパターン３情報記録部４反射層５保護層６下地層７中間層１０ＵＶ硬化性インク層１１ａＲＯＭ領域１１ｂＲＡＭ領域１２接着層１３第二の中間層１４第三の中間層１５親水性材料を含有する層

フロントページの続きＦターム(参考） 5D029 JB09 JB36 JC03 5D121 AA01 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性の基板上に直接もしくは下地層を
介して記録層または金属層を設けた情報記録媒体におい
て、情報を記録再生消去するＲＡＭ領域と、情報を予め
凹凸のピット列として形成しておいて再生のみを行うＲ
ＯＭ領域とを含み、ＲＡＭ領域の記録層の平均膜厚が、
ＲＯＭ領域の記録層または金属層より厚いことを特徴と
する情報記録媒体。
【請求項２】請求項１記載の情報記録媒体において、
前記記録層または金属層の平均膜厚の吸光度を測定する
ことで、前記記録層の平均膜厚を所定の厚さにしたこと
を特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】請求項１又は２記載の情報記録媒体にお
いて、記録層が有機色素材料により形成されていること
を特徴とする情報記録媒体。
【請求項４】請求項３記載の情報記録媒体において、
成膜後の色素のλmax の波長においてＲＡＭ領域の吸光
度がＲＯＭ領域の吸光度より高いことを特徴とする情報
記録媒体。
【請求項５】請求項１記載の情報記録媒体において、
ＲＡＭ領域およびＲＯＭ領域が同一材料の記録層または
金属層で形成されていることを特徴とする情報記録媒
体。
【請求項６】請求項５記載の情報記録媒体に関して、
情報の記録再生に用いる波長において、ＲＡＭ領域の吸
光度がＲＯＭ領域の吸光度より高いことを特徴とする情
報記録媒体。
【請求項７】請求項４または６記載の情報記録媒体に
おいて、ＲＡＭ領域の吸光度（ABSram）とＲＯＭ領域の
吸光度（ABSrom）との関連が、１≦ABSram／ABSrom≦１．３であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項８】記録層または金属層の平均膜厚の吸光度
を測定した後、前記記録層の平均膜厚を所定の厚さに形
成することを特徴とする情報記録媒体の製造方法。