JPH02132656A - 光情報記録媒体及びそれを用いた光情報記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、透明な基板上に少なくとも光吸収層と反射層
を有する書き込み可能な光情報記録媒体とこれに情報を
記録する方法に関する。

［従来の技術］ レーザ光の照射により、データを記録することができる
、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、Ｔ　ｅｚ
　　Ｂ　ＩＸＭ　ｎ等の金属層や、シアニン、メロシア
ニン、フタ口シアニン等の色素層等からなる記録層を有
し、レーザ光の照射により、上記記録層を変形、昇華、
蒸発或は変性させる等の手段で、ビットを形成し、デー
タを記録する。この記録層を有する光情報記録媒体では
、ビットを形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発或は
変性等を容易にするため、記録層の背後に空隙を設ける
ことが一般に行なわれている。具体的には例えば、空間
部を挾んで２枚の基板を積層する、いわゆるエアサンド
イッチ構造と呼ばれる積層構造がとられる。

この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板ｌ側
からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、記
録したデータを再生するときは、上記基板ｌ側から記録
時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ビットとそ
れ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みとる
。

一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き込
みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の皿の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのピットを予めプレス等の
手段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この上
にＡ　ｕＮ　　Ａ　ｇｚ　　Ｃ　ｕＸＡ　Ｉ等の金属膜
からなる反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆っ
たものである。

このＲＯＭ型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるＣＤであり、このＣＤの記録、再
生信号の仕様は、いわゆるＣＤフォーマットとして規格
化され、これに準拠する再生装置は、コンパクトディス
クプレーヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて広く普及して
いる。

上記光情報記録媒体は、何れのものも中心に回転軸にク
ランブするための孔を有する円板状形態、すなわち光デ
ィスクの形態をとる。

［発明が解決しようとする課題］ 上記光情報記録媒体は、やはりＣＤと同じレーザ光を用
いる記録手段であるため、再生に際し、既に広く普及し
たＣＤに準拠することが強く望まれる。

しかしながら、前者の光情報記録媒体は、ＣＤには無い
記録層を有し、さらにこの記録層にピットを形成するの
を容易にするために、空隙層等を有するため、ＣＤに比
べてレーザ光の反射率が低《なる。このため、いわゆる
ＣＤについての規格を定めた上記ＣＤフォーマットを満
足することが困難である。従って、従来においては、Ｃ
Ｄに準拠可能な書き込み可能な光情報記録媒体を提供す
ることができなかった。

本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、７０％以上の高い反射率を有し、かつデータの再
生に際し、ＣＤフォーマットに準拠する変調度の出力信
号が得られる書き込みが可能な光情報記録媒体を提供す
ることを目的とする。

［課題を解決するための手段コ すなわち、上記目的を達成するため、本発明において採
用した手段の要旨は、透光性を有する基板上に少なくと
も光吸収層、反射層が順次形成された光情報記録媒体に
おいて、光吸収層の複素屈折率の実数部ｎ　ａｂｓと膜
厚ｄ　ａｂｓと再生光の波長λとで与えられるρ：　ｎ
　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ／λが、０．０５≦ρ≦０．６で
あり、かつ光吸収層の複素屈折率の虚部ｋａｂｓが０．
３以下である光情報記録媒体及びこれを用いて上記透光
性基板側からレーザ光をレーザ吸収層に照射し、ビット
を形成する光情報記録方法である。

なお、上記光吸収層は透光性基板上の一部の領域に形成
し、同光吸収層の無い領域を予め信号再生用のピッ１・
が形成されたＲＯＭ領域とすることもできる。

［作　　　用］ 本発明者らは、透光性基板上に有機色素からなる光吸収
１習および金屈からなる光反射層を設けた上記光情報記
録媒体から、ＣＤフォーマットに準拠した反射率７０％
以上、かつ変調度として示されるＩ　ＩＩ／　Ｉ　ｔｏ
ｐが０．　　６以上、■３／Ｉｔｏｐが０．３〜０．７
という再生信号を得るためには、光情報記録媒体の光吸
収層の複素回折率の実数部ｎ　ａｂｓとその膜厚ｄ　ａ
ｂｓと、再生光の波長λとで与えられるρ＝　ｎ　ａｂ
ｓ−ｄ　ａｂｓ／λが非常に重要なパラメーターである
ことに着目し、この点につき実験およびシミュレーシ鰭
ンを行った結果、第７図のような関係を得ることができ
た。第７図は、再生光として、波長λ＝７８０　ｎｍの
半導体レーザを用い、反射層としてＡｕを用い、或るｋ
の値を有する光吸収層を用いた場合に、光情報記録媒体
の光吸収層の複素屈折率の実数部ｎ　ａｂｓとその膜厚
ｄ　ａｂｓと、再生光の波長λとで与えられるρ”　ｎ
　ａｂｓ・ｄａｂｓ／λと、基板側から入射させた光の
反射率との関係を示すグラフである。

このグラフを見ると、ρが０．６よりも小さいときには
、ほぼ確実に反射率が７０％以上を確保できることがわ
かる。ρが０．０５に満たない領域や、０．６を越える
領域であっても７０％以上の反射率が得られる場合があ
る。しかし、ρがＯ、０５に満たない領域の場合は、光
吸収層の膜厚ｄ　ａｂｓを０．０５μｍ以下と、相当薄
くしなければならないため、データの記録のためのビッ
トを形成するのが困難となり、上記のような再生信号が
得られない。また、０．６を越える領域の場合は、均一
な膜厚に制御することが困難になり、記録特性にばらつ
きが生じ、１３／Ｉｔｏｐが０．　　３に満たなかった
り、ジッターエラーが増大したりする等の実用−Ｌの問
題が生じる。すなわち、ρを０．０５〜０．６とするこ
とにより、反射率をＣＤフォーマットに準拠する７０％
以上とすることができることがわかる。

また、本発明者らはこれらの結果をさらに検討した結果
、ρを０．０５〜０．６の範囲内に設定しただけでは必
ずしもＣＤ規格に規定されたような出力信号を安定して
得られるわけではな＜、ｋａｂｓが重要なパラメーター
であることを見出だした。第８図は、反射層にＡｕ膜を
用いた光情報記録媒体において、光吸収層の透光性を変
え、ρを一定にしながら、その虚部１＜ａｂＳを０に近
い値から２．０まで変化させたときの反射率の変化を示
すグラフである。

このグラフをみると、ｋａｂｓが０に近づけば近づくほ
ど反射率が高《なることがわかる。本発明者らは、実験
およびシミュレーシ式ンの結果より、ρが０．０５〜０
．６の範囲内で安定して高い反射率を維持するめには、
光吸収層の透光性が十分高くなければならず、同層の複
素屈折率の虚部ｋ　ａｂｓが０．３以下である必要があ
ることを見出だした。ρが０．０５〜０．６の範囲内で
、ｋａｂｓが０．３よりも大きいと反射率７０％以上を
確保することは困難である。

これらの結果より、第９図のような結果を得ることがで
きる。第９図は、ρとｋ　ａｂｓとの値においてＣＤ規
格に準拠する組み合わせの臨界値を示すグラフである。

このグラフからわかるように、ＣＤ規格に準拠する記録
信号を得ることができる光情報記録媒体を提供するため
には、ρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λが０．０５
〜０．６の範囲であり、かつｋａｂＳが０．３以下であ
ることが必要であることがわかる。

さらにいえば、ρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λは
、十分な変調度をとるためには、０．１以上の範囲が望
ましく、変調度の大きい安定した記録特性を得るために
は、０．４５±０．１の範囲が最も望ましい範囲である
。

さらに、本発明の光情報記録媒体のｋαｂｓは、０．３
以下であれば、０に近づけば近づくほど反射率は向上す
る。従って、この範囲が最も望ましい。しかし、０に近
づけば近づくほど記録感度が悪くなるため、０より大き
いことが必要である。具体的には、０．０１以上の範囲
が望ましく、実際には、０．０５前後が望ましい。

なお、本発明の内容は、他の層がある場合においても適
用可能である。たとえば、基板と光吸収層との間に透明
層（たとえばＳｉ０２等のエンハンス層、下引き層等）
を設けた場合には、この層を基板の一部として扱っても
良く、光吸収層と反射層との間に層（たとえば、接着層
、硬質層等）を設けた場合には、これらの層を第２吸収
層としで考え、 ｆ）＝　（ｎｌ１１ｄｌ＋ｎ２●ｄ２）／λとして扱い
、多数層になる場合には、ρ＝Σ（ｎｉ●ｄｉ）／λ（
但し、ｉは整数）とすれば、複数の層がある場合にも同
様に扱うことができる。

また、Ｒが０でない場合には、膜厚の比率によって平均
値としてのＲを として求めれば単層の場合と同様に扱うことができる。

また、基板にグループが形成されている場合には、ｄａ
ｂｓは、グループ内の光吸収層の膜厚とランド部の光吸
収層の膜厚の平均値であらわされる。

透光性基板上の一部の領域に上記光吸収層が形成され、
同光吸収層のｆ！！（い領域に予め信号再生用のピット
が形成されたＲＯＭ領域を有する光情報記録媒体では、
ＲＯＭ領域に予めプレス等で大量に画一的なデータを記
録しておくことができ、しかもここには光吸収層が無い
ため、誤消去や別なデータの誤記録のおそれがｆＩＫい
。

また、光吸収層を有する領域では、使用者独自のデータ
を任意に記録することができる。そして、この記録され
たデータがＣＤ規格に準じた信号をもって再生できるた
め、上記ＲＯＭ領域の情報と同様に、市販のＣＤプレー
ヤで再生することができる。

なお、上記作用はディスク形状の記録媒体に限らず、カ
ード形状またはテープ形状の光情報記録媒体においても
同様に考えることができる。

［実　施　例］ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。

本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、第
１図〜第３図及び第４図〜第６図に示す。これらの図面
において、■は、透光性を有する基板、２は、その上に
形成された光吸収層で、照射されたレーザ光を吸収して
発熱し、溶融、蒸発、昇華、変形または変性し、当該光
吸収層２や基板ｌの表面にピットを形成する作用を有す
る層である。また３は、その上に形成された反射層、４
は、その外側に設けられた保護層を示す。

なお、第１図〜第３図で示したのは、透光性基板１のほ
ぼ全面に光吸収層２を形成した場合であるが、第４図〜
第６図では、透光性基板１の外周寄りの一部にのみ光吸
収層２が形成され、ここが記録可能領域ｌ１となってお
り、それより内周側の部分にＲＯＭ領域ｌＯが形成され
ている場合である。

以下望ましい具体的実施例について記載する。

透光性基板ｌの材料は、レーザー光に対する屈折率が１
．　　４〜１．６の範囲の透明度の高い材料で、耐ｉｆ
７撃性に優れた樹脂が望ましい。具体的には、ポリカー
ボネート、アクリル等が例示できるが、これらに限られ
るわけではない。

上記のような材料を用いて、基板は例えば射出成形等の
手段により成形される。

このような′）１（板に、スパイラル状にプリグループ
が形成されていてもよい。ブリグループは、通常考えら
れる条件のものであればどのような条件のものでもよい
が、５０〜２５０ｎｍの深さが好適である。

プリグループは、基板の射出成形時のスタンパを押し当
てることにより形成されるのが通常である。

基板ｌと光吸収層との間に、Ｓ　ｔ　０２等の耐溶剤層
やエンハンス層をコーティングしておいてもよい。

光吸収層２の材料は、光吸収性の有機色素が望ましく、
シアニン色素、ボリメチン色累、トリアリールメタン色
素、ピリリウム色素、フェナンスレン色紫、テトラデヒ
ドロコリン色素、トリアリールアミン色素、スクアリリ
ウム色素、クロコニツクメチン色素、フタロシアニン色
素、アズレニウム色素等が例示できるが、これらに限定
されるものではなく、低融点金属等、公知の記録層材料
を用いても本発明の効果を得ることが可能である。

なお、光吸収層２には、他の色素、樹脂（例えばニトロ
セルロース等の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラス１・マー
）、液ゴム等を含んでいても良い。

光吸収層２は、上記の色素および任意の添加剤を公知の
有機溶媒（たとえばアルコール、アセチルアセトン、ト
ルエン等）で溶解●溶媒和したものをプリグループが形
成された透光性基板、またはさらに基板上に他の層をコ
ーティングした基板の表面に形成される。

この場合の形成手段としては、蒸着法、ＬＢ法、スピン
コート法等が挙げられるが、光吸収層の濃度、粘度、溶
剤の乾燥速度を調節することにより層厚を制御でぎるた
めに、スビンコー１・法が望ましい。

なお、第４図〜第６図のようなＲＯＭ領域ＩＯを有する
光情報記録媒体は、透光性基板ｌの表面のＲＯＭ領域１
０となる部分に信号再生用のビット９（第５図参照）を
スタンパ等で予め形成しておき、その外側の記録可能領
域ｌ１にのみ上記材料をコーティングして光吸収層２を
形成することにより得られる。

反射層３は、金属膜が望ましく、例えば、金、銀、アル
ミニウムあるいはこれらを含む合金を、蒸若法、スパッ
タ法等の手段により形成される。

光情報記録媒体の反射率が７０％以上を有することが必
要であるため、金または金を含む合金を主体とする金属
で形成することが望ましい。

さらに、反射層の酸化を防止するための耐酸化層等の他
の層を介在させてもよい。

なお、光吸収層の反射層側の層は、基板側の層に比べて
〃１変形温度が高く、かつ硬度が島いものであることが
望ましい。このように構成することによって記録信号の
ブロックエラーレートの低減に効果が認められる。

保護層４は耐衝撃性の優れた樹脂によって形成されるこ
とが望ましい。たとえば紫外線硬化樹脂をスピンコ−１
・法により塗布し、紫外線を照射して硬化させることに
より形成する。また、ウレタン等の弾性材で形成しても
よい。

本発明による光情報記録媒体は、光吸収層２にレーザ光
を照射することにより、光吸収層２にピットを形成する
ものに限られない。例えば、光吸収層より反射層側にあ
る層を基板１側にある層に比べて熱変形し難い層で形成
した場合、レーザ光により引き起こされた光吸収層２の
エネルギーは基板Ｉ側の層に与えられ、その結果、基板
ｌ側の層に凸状、波状もし《は凹状のピットが形成され
る。

本実施例の場合においては、第３図と第５図に模式的に
示すように、記録後の光ディスクの上記基板１の光吸収
層２と接する表面部分に、吸収層側に突出したピット５
が確認でき、このようにして形成されたピッ１・５の再
生波形は、ＣＤのそれと同様のものであることがわかっ
ている。

記録信号の再生は、基板側から読取りレーザーを照射す
ることにより、ピット部分の反射光とピッｌ・以外の部
分の反射光の光学的位相差を読み取ることにより行われ
る。

この構成の具体的実施例について、以下に説明する。

（実施例１） 幅０−　　８ｕｍｚ　深さ０．　　０　８　ｕ　ｒｒｈ
　　ピッチ１，６μｍのスパイラル状のプリグループが
形成された厚さ１．　　２ｍｒｒｈ　外径１２０ｍｍφ
、内径１５ｍｍφのポリカーボネーｉ−基板１を射出成
形法により成形した。

光吸収層を形成するための有機色塁として、０．６５ｇ
の１．１’ジブチル３，３，３１３′テ１・ラメチル４
，　　５．　　４’．　　５’　ジベンゾインドジカー
ボシアニンパークロレ−１・（日木感光色素■製、品番
ＮＫ３２１９）を、ジアセ１・ンアルコール溶剤１０ｃ
ｃに溶解し、これを上記の基板ｌの」二にスピンコーｌ
・法により塗布し、膜厚０．１３μｍの色素膜からなる
光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複累屈折率は
、ｎａｂｓ　＝２．　　７、ｋａｂｓ　＝０．　　０５
　　である。後述するように、再生光の半導体レーザの
波長λ＝＝７８０ｎｍであり、ρ＝＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ
　ｎｂｓ／λ＝０．４５である。

このディスクの全面にスパッタリング法により、膜厚６
００オングストロームのＡ　ｕ　Ｉ！Ａを成膜し、反Ｑ
４層３を形成した。この反射層３の複素屈折率はｎｒｅ
ｆ＝０．　　１６、ｋｒｅｆ　＝４．　　６７である。

さらに、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピン
コートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み１０
μｍの保護層４を形成した。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｅ１記録バワーＥ３．Ｏ
ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。そして、この光
ディスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａｕ　ｒ　ｅ　ｘ　
　ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８０ｎｍ）で再生
した。この光ディスクの反射率が７２％、ＩＩＩ／Ｉｔ
ｏｐが０．６５、１３／Ｉｔｏｐが０．３５であった。

ＣＤ規格では、反射率が７０％以上、Ｎ＋／Ｉ　ｔｏｐ
が０．６以上、１３／Ｉｔｏｐが０．３〜０．　７と定
められており、この実施例による光ディスクは、この規
格を満足している。

（実施例２） 上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネート基板
ｌに、光吸収層を形成するための仔機色素として、０．
５ｇの１．１’　ジエチル３，３．３’．３’　テトラ
メチル５．５′　ジエトキシインドジカーボシアニンア
イオダイドを、イソプロビルアルコール溶剤１０ｃｃに
溶解したものをスビンコート法により塗布し、膜厚０．
１０μｍの色素膜からなる光吸収層２を形成した。この
光吸収層２の複素屈折率は、ｌａｂｓ：”２．６５、ｋ
ａｂｓ＝０．　　０５　　であり、ρ＝ｎａｂｓ−ｄａ
ｂｓ　／ス＝０．３４である。

このディスクの全面にスパッタリング法により、膜厚５
００オングストロームのＣｕ膜を成膜し、反射層３を形
成した。この反射層３の複素屈折率はｎｒｅｆ＝０．　
　１２、ｋｒｅｆ　＝４．　　８９である。さらに、こ
の反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、
これに紫外線を照射して硬化させ、厚み１０μｍの保護
層を形成した。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｅｓ記録パワー６．０ｍ
Ｗで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。そして、この光デ
ィスクを、上記実施例ｌで用いたのと同じＣＤプレーヤ
で再生した。この結果、光ディスクの反射率が７１％、
１　１１／　Ｅ　ｔｏｐが０．６３、１３／Ｉｔｏｐが
０．３３であ，った。従って、この実施例による光ディ
スクも、上記実施例と同様に、ＣＤ規格を満足している
。

（実施例３） 」二記実施例ｌと同様に成形されたポリカーボネート基
板１に、膜厚９００オングス１・ロームのＧａＡｓ膜を
スパッタリング法により成膜し、光吸収層２を形成した
。この光吸収層２の複素屈折率は、ｎｒ＋ｂｓ＝３．６
、Ｉ＜ａｂｓ　＝０．　　０７であり、／）　＝　ｎ　
ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λ＝０．４２である。

このディスクの全面にスパッタリング法により、膜厚５
５０オングストロームのＡｇｌｌＱを成膜し、反射層３
を形成した。この反射層３の複素屈折率はｎ　ｒｅｆ　
＝　０．　　０　８　６、ｋ　ｒｅｆ　＝　５．２９で
ある。さらに、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂を
スピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚
み１０μｍの保護層を形成した。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｅｓ記録パワー６．０ｍ
Ｗで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。そして、この光デ
ィスクを、上記実施例１で用いたのと同じＣＤプレーヤ
で再生した。この結果、光ディスクの反射率が７３％Ｉ
　Ｉｆ／　Ｉ　ｔｏｐが０．６３、１３／Ｉｔｏｐが０
．３５であった。従って、この実施例による光ディスク
も、上記実施例と同様に、ＣＤ規格を満足している。

（実施例４） 幅０．５μｍ１　深さ０．　　１５μｍｓ　　ピッチ１
．６μｍのスパイラル状のブリグループが形成された厚
さ１．　　２ｍｍｚ　外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍ
φのポリカーボネート基板ｌを射出成形法により成形し
た。

光吸収層を形成するための有機色素として、実施例ｌと
同じ色素０．０５０ｇとニトロセルロース０．００５ｇ
を、イソブロビルアルコール溶剤１　０ｃｃに溶解し、
これを上記の基板１の上にスピンコート法により塗布し
、平均膜厚０．０２５μｍの色素ＩＩＱからなる光吸収
層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率は、ｎａ
ｂｓ＝２．０、ｋａｂｓ　＝０．　　０４である。再生
光の半導体レーザの波長λ＝７８０ｎｍであり、１）　
＝　ｎ　ａｂｓ−　ｄ　ａｂｓ　／λ＝０．０８４であ
る。

このディスクの全面に蒸若法により、膜厚５００オング
ストロームのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成した。こ
の反射層３の複素屈折率はｎｒｅｆ　＝０．　　１　６
、ｋｒｅｆ　＝４．　　８７である。

さらに、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピン
コートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み１０
μｍの保護層４を形成した。

こうして得られた光ディスクに、実施例１と同様に波長
７８０ｎｍの半導体レーザによって、ＥＦＭ信号を記録
し、市販のＣＤプレーヤで再生した。この光ディスクの
反射率は８２％、Ｉ１１／Ｉｔｏｐが０．６０、１３／
Ｉｔｏｐが０．３１であり、この実施例による光ディス
クは、ＣＤ規格を満足している。

（実施例５） 実施例ｌと同様に成形されたポリカーボネート基板１に
光吸収ｊ口を形成するための有機色禦として、ｌ，１′
　ジブチル３，　　３．　　３’，　　３’テトラメチ
ル５，　　６．　　５’，　　６’テトラメ１・キシイ
ンドジカーボシアニンバークロレ−１・０．０５０ｇと
ニトロセルロース０．００５ｇを、ジアセトンアルコー
ル溶剤１０ｃｃに溶解し、これを上記の基板ｌの上にス
ピンコ−１・法により塗布し、膜厚０．０２０μｍの色
累ｊ原からなる光吸収層２を形成した。この光吸収層２
の複素屈折率は、ｎａｂｓ　＝２．　　０、ｋａｂｓ　
＝０．　　２９である。再生光の半導体レーザの波長λ
＝７８０ｎｍであり、ρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　
／λ＝Ｏ．０５１である。

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚５００オング
ストロームのＡｕ膜を成膜し、反射届３を形成し、さら
に、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコー
１・シ、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み１０μ
ｍの保護層４を形成した。

こうして得られた光ディスクに、実施例ｌと同様に波長
７８０ｎｍの半導体レーザによって、ＥＦＭ信号を記録
し、市販のＣＤプレーヤで再生した。この光ディスクの
反射率は７０％、ｌ１１／Ｉｔｏｐが０．６ｌ１　Ｉ３
／Ｉｔｏｐが０．３０であり、この実施例による光ディ
スクは、ＣＤ規格を満足している。

（実施例６） 直径４６〜１００ｍｍφの範囲（ＲＯＭ領域１０）に、
幅０．６μｒｒｈ　　深さ０．１　０　μｒｒｈピッチ
１．　　６μｍのスパイラル状のＣＤフォーマット信号
が再生できるプレビット８が形成され、その外側の直径
１００〜１１７ｍｍφの範囲（記録可能領域１１）に、
幅０．　　７μｒｒｈ　　深さ０．０７μｍ１　　ピッ
チ１．　　６μｍのスパイラル秋のプリグループが形成
された厚さ１．２ｍｍ１　　外径１２０ｍｍφ、内径１
５ｍｍφのポリカーボネーＩ・基板１を射出成形法によ
り成形した。

光吸収層を形成するための脊機色素として、実施例１と
同じ色素０．８ｇを、アセチルアセトン溶剤１０ｃｃに
溶解し、これを上記の基板ｌの直径１００ｍｍφより外
周側の部分、つまり記録可能領域１ｌの上にのみスピン
コー１・法により塗布し、膜厚０．１７μｍの色素膜か
らなる光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈
折率は、ｌａｂｓ　＝２．　　７、ｋａｂｓ＝０．０５
である。再生光の半導体レーザの波長λ＝７８０ｎｍで
あり、ρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λ＝０．５９
である。

このディスクの全面に蒸打法により、膜厚５００オング
ストロームのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成し、さら
に、この反射ＪｔＦｉ　３の上に紫外線硬化性樹脂をス
ビンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み
１０μｍの保護層４を形成した。

こうして得られた光ディスクの上記記録可能領域に、実
施例【と同様に波長７８０ｎｍの半導体レーザによって
、ＥＦＭ信号を記録し、ＲＯＭ領域及び記録可能領域に
ついて市販のＣＤプレーヤで再生した。この光ディスク
の記録可能領域の反射率は７０％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔ
ｏｐが０．６２、１３　／　Ｉｔｏｐが０．３２であり
、ＲＯＭ領域の反射率が９０％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏ
ｐが０．８０、　１３／Ｉｔｏｐが０．５０であった。

従って、この実施例による光ディスクは、上記ＲＯＭ領
域及び記録可能領域の何れもがＣＤ規格を満足している
。

（実施例７） 直径４６〜１００ｍｍφの範囲（ＲＯＭ領域１０）に、
幅（Ｌ　　６μｒｒｈ　　深さ０．１０μｒｒｈビッチ
１．６μｍのスパイラル状のＣＤフォーマット信号が再
生できるプレビット８が形成され、その外側の直径１０
０〜１１７ｍｍφの範囲（記録可能領域１１）に、幅０
．５μｍ１　　深さ０．１８μｍ１　　ピッチ１．６μ
ｍのスパイラル状のブリグループが形成された厚さ１．
　　２ｍｍ１　外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍφのポ
リカーボネート基板１を射出成形法により成形した。

光吸収層を形成するための有機色素として、１．１’　
ジエチル３，　　３．　　３’，　　３’テトラメチル
５．　　７．　　５’，　　７’テトラメ１・キシイン
ドジカーボシアニンパークロレ−１−０．５５ｇを、ジ
アセトンアルコール溶剤１０ｃｃに溶）Ｎ１シ、これを
上記の基板ｌの直径１００ｍｍφより外周側の部分、つ
まり記録可能領域１１の」二にのみスビンコート法によ
り塗布し、平均膜厚ｌ２０ｎｍの色素膜からなる光吸収
層２を形成した。

この光吸収層２の複素屈折率は、ｎａｂｓ＝２．９、ｋ
ａｂｓ　＝０．　　２０である。再生光の半導体レーザ
の波長λ＝＝７８０ｎｍであり、ρ”ｎｎｂｓ−ｄａｂ
ｓ／λ＝０．４５である。

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚５００オング
ストロームのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成し、さら
に、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコー
トし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚みＩＯμｍ
の保護層４を形成した。

こうして得られた光ディスクの上記記録可能領域に、実
施例ｌと同様に波長７８０ｎｍの半導体レーザによって
、ＥＦＭ信号を記録し、ＲＯＭ領域及び記録可能領域に
ついて市販のＣＤプレーヤで再生した。この光ディスク
の記録可能Ｆｎ域の反射率は７０％、Ｉ　１１／　Ｉ　
ｔｏｐ　７’＋（　０．７０、１３／Ｉｔｏｐが０．４
０であり、ＲＯＭ領域の反射率、１１１／　ｌｔｏｐ，
１３　／　ｌｔｏｐは上記実施例６と同様であった。従
って、この実施例による光ディスクは、上記Ｒ　Ｏ　Ｍ
　ｆｌｌ’ｉ域及び記録可能領域の何れもがＣＤ規格を
満足している。

（比較例ｌ） 上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネート基板
１に、同実施例と同じ有機色累０．０６５ｇを、イソプ
ロビルアルコール溶剤１０ＣＣに溶解したものをスピン
コー１・法により塗布し、膜厚０．Ｏｌμｍの色素膜か
らなる光吸収層２を形成した。この光ディスクにおける
ρは、　ｎａｂｓ−ｄａｂｓ　／／１＝０．　　０３５
である。

このディスクの全面にスパッタリング法により、膜厘６
００オングストロームのＡ１膜を成膜し、反射層３を形
成した。この反射層３の複素屈折率はｎｒｅｆ＝１．８
７、ｋｒｅｆ＝７．０である。さらに、この反射層３の
上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線
を照射して硬化させ、厚みｌＯμｍの保護層を形成した
。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃで照射し、ＥＦＭ信号
の記録を試みたが、記録パワー１０ｍＷをもってしても
十分な記録が行え・なかった。そして、この光ディスク
を、上記実施例ｌで用いたのと同じＣＤプレーヤで再生
した。この結果、光ディスクの反射率が７０％であるが
、Ｉ　Ｉｔ／　Ｉ　ｔｏｐが０．２０、１３／Ｉｔｏｐ
が０．０８であった。すなわち、ｋ　ａｂｓが０．３以
下であったとしても、ρが０．０５よりも小さい場合に
は、反射率は７０％を確保できる場合はあるが、変調度
がとれなくなり、ＣＤ規格を満足することができないこ
とがわかる。

（比較例２） 上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネート基板
ｌに、同実施例と同じ好機色素１．３ｇを、イソプロビ
ルアルコール溶ｆｆｌｌ　１　０　ｃ　ｃに溶解したも
のをスピンコー１・法により塗布し、ｊ摸厚０．２６μ
ｍの色素膜からなる光吸収層２を形成した。この光ディ
スクでは、ρ”　ｎ　ａｂｓ・ｄａｂｓ／λ＝ｏ．ｅｏ
である。

このディスクの全面にスパッタリング法により、膜厚６
００オングストロームのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形
成した。さらに、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂
をスピンコー１−　Ｌ、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚み１０μｍの保護層を形成した。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｅｓ記録パワー６．０ｍ
Ｗで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。そして、この光デ
ィスクを、上記実施例！で使用したのと同じＣＤプレー
ヤで再生した。この結果、光ディスクの反射率は６２％
、Ｉ　ＩＩ／　Ｉ　ｔｏｐは０，６０、１３／Ｉｔｏｐ
は０．３であり、再生信号のアイパターンが明瞭でなく
、エラー発生が多《見られた。この結果から、ｋ　ａｂ
ｓが０．３以下であったとしても、ρが０．６よりも大
きい場合には、反射率が低くなり、ＣＤ規格を満足する
ことができないことがわかる。

（比較例３） 上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネート基板
ｌに、光吸収層２を形成するための有機色素として、０
．５８ｇの１．１’　ジエチル３．　　３．　　３’，
　　３″テ１・ラメチルインド１・リカーボシアニンパ
ーク口レート（日本感光色素和製、品番ＮＫ２８８５）
を、イソプロビルアルコール溶剤１０ｃｃに溶解したも
のをスピンコート法により塗布し、１摸厚０．１２μｍ
の色素）摸からなる光吸収層２を形成した。この光吸収
層２の複素屈折率は、ｎａｂｓ＝２．７、ｋａｂｓ＝１
．６であり、ρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λ＝０
．４２である。

このディスクの全面にスパッタリング法により、膜厚６
００オングストロームのＡｇ膜を成ｊ摸し、反射層３を
形成した。さらに、この反射層３の上に紫外線硬化性樹
脂をスピンコー１・シ、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚みｌＯμｍの保護層を形成した。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃｓ記録パワー６．０ｍ
Ｗで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。そして、この光デ
ィスクを、上記実施例ｌで用いたのと同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、反射率は僅か１０％であり、再生す
ることができなかった。このように、ρが０．０５以上
０．６以下の範囲内であったとしても、ｋ　ａｂｓが０
．３よりも大きい場合、反射率が非常に低《なってしま
い、ＣＤ規格を満足することができないことがわかる。

［発明の効果コ 以上説明した通り、本発明による光情報記録媒体によれ
ば、ＣＤ規格に準拠した、反射率が７０％以上、かつ、
変調度として示されるＩＩＩ／Ｉｔｏｐが０．６以上、
＋３／Ｉｔｏｐが０．　　３〜０．７という出力信号を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断
面斜視図、第２図は、同光情報記録媒体の要部断面図、
第３図は、同光情報記録媒体の記録後の要部断面図、第
４図は、光情＋０記録媒体の構造の他の例を示す模式半
断面斜視図、第５図は、同光情報記録媒体のＡ部断面図
、第６図は、同光情報記録媒体の記録後のＢ部断面図、
第７図は、光情報記録媒体の光吸収層におけるρ＝　ｎ
　ａｂｓ−　ｄ　ｎｂｓ　／λと反射率との関係の例を
示すグラフ、第８図は、上記複素屈折率の虚部ｋ　ａｂ
ｓと反射率との関係を示すグラフ、第９図は、ρ＝　ｎ
　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λとｋ　ａｂｓにおいてＣＤ
規格を満たす領域を示すグラフである。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）透光性を有する基板上に少なくとも光吸収層、反
   射層が順次形成された光情報記録媒体において、光吸収
   層の複素屈折率の実数部ｎａｂｓと膜厚ｄａｂｓと再生
   光の波長λとで与えられるρ＝ｎａｂｓ・ｄａｂｓ／λ
   が、０．０５≦ρ≦０． ６であり、かつ光吸収層の複素屈折率の虚部ｋａｂｓが
   ０．３以下であることを特徴とする光情報記録媒体
2. （２）上記特許請求の範囲第１項において、上記光吸収
   層が透光性基板上の一部の領域に形成され、同光吸収層
   の無い領域に予め信号再生用のピットが形成されたＲＯ
   Ｍ領域を有する光情報記録媒体。
3. （３）透光性を有する基板上に少なくとも光吸収層、反
   射層が順次形成された光情報記録媒体に情報を記録する
   方法において、光吸収層の複素屈折率の実数部ｎａｂｓ
   と膜厚ｄａｂｓと再生光の波長λとで与えられるρ＝ｎ
   ａｂｓ・ｄａｂｓ／λが、０．０５≦ρ≦０．６であり
   、かつ光吸収層の複素屈折率の虚部ｋａｂｓが０．３以
   下である光情報記録媒体を用い、該透光性基板側からレ
   ーザ光をレーザ吸収層に照射し、ピットを形成すること
   を特徴とする光情報記録方法。