TW200822043A

TW200822043A - Pixel, organic light emitting display device and driving method thereof

Info

Publication number: TW200822043A
Application number: TW096142662A
Authority: TW
Inventors: Sang-Moo Choi; Wang-Jo Lee
Original assignee: Samsung Sdi Co Ltd
Priority date: 2006-11-14
Filing date: 2007-11-12
Publication date: 2008-05-16
Also published as: EP1923857A3; JP4887203B2; TWI376666B; US8054258B2; US20080111804A1; EP1923857B1; EP1923857A2; JP2008122906A

Description

200822043 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明的實施例係有關於一種的有機發光顯示裝置以及一種驅動:之：種包含該像素說，本發明的實施例係有關於—種能夠補償其發光月降：的免度之像素、一種包含該像素的有機發光以及一種驅動其之方法。【先前技術】一般而言，例如是液晶顯示器(叫場發射顯示器 (FED)、電漿顯不面板(PDP)、電致發光(叫顯示器等等的平面顯示器可具有相較於陰極射線管（CRT)顯示器減少的重量及體積。例如，該EL顯+哭，颂不為（例如，有機發光顯示裝幻可包含複數個像素，並且每個像素可具有一個發光二極體（LED)。每M LED可包含—發射紅色⑻、綠色⑼或藍色（B)光的發光層，該些光是藉由發光層中的電子與電洞的結合來觸發的’所以該像素可以發射一對應的光以形成影像。此種EL _示器可具有快逮的響應時間以及低的功率消耗。 EL顯示器之習知的像素可藉由一個被配置以接收資料及掃描信號的驅動電路來加以驅動，並且相關於資料信號來控制來自其LED的發光。更明確地說，該LED的陽極可耦接至该驅動電路以及一個第一電源，並且該LED的陰極可耦接至一個第二電源。於是，該LED可以產生具有相關於流過其之電流的預設亮度的光，而該電流可根據該資 6 200822043 料信號藉由該驅動電路來加以控制。

然而，習知的LED的發光層材料（例如，有機材料）可能隨著時間過去而由於例如與濕氣、氧等等的接觸而變差，因而減低LED的電流/電壓特徵，且因此使得led的亮度變差。此外，每個習知的LED可能會相關於其發光層的成分，亦即，被用來發射不同色彩的光之材料類型而^ 不同的速率變差，因而造成非均勻的亮度。[肋不足的亮度，亦即，變差及/或非均勻的亮度可能會減低EL顯示裝置的顯示特性，並且可能會降低其壽命及效率。、【發明内容】因此，本發明的實施例係針對於一種像素、一種包含該像素的有機發光顯示裝置以及一種驅動其之方法，其= 質上克服由於相關技術的限制及缺點所造成的一或多二

題。 J 因此，本發明的一個實施例的一項特點是提供一種的補個能夠補償其發光二極體（led)w的亮度本發明的一個實施例的素的右毺政I 貝将點疋棱供一種具有像 I的有機發光顯示裝置，該歧像足的亮度的補償單元。-像L有此夠補償其咖不本發明的-個實施例的又一項特素的方法，兮你* 種·§&勤像錢素具有—個能夠補償其LED不足的古声的補償單元。个疋的冗度的本發明以上及其它特點中的至少一個可藉由提供一種 7 200822043 像素而被κ現，其包含一個在第一及第二電源之間的有機 s光極體、一個輕接至一掃描線以及一資料線的第一電曰曰體°亥第一電晶體係被配置以在一掃描信號被供應至該知杬線時經由該資料線來接收一資料信號、一個被配置以儲2對應於藉由該第一電晶體接收的資料信號之電壓的儲存電容器、一個第二電晶體，其係耦接至該第一電晶體並且被配置以相關於儲存在該儲存電容器中的電壓來控制一

攸忒第一電源經由該有機發光二極體至該第二電源的電流、2及-個被配置以調整在該第二電晶體的閘極電極處的電壓之補償單元，該電壓調整係足以補償該有機發光二極體的劣化程度。 χ 该補償單元可包含一個耦接至該有機發光二極體的陽極電極的第三電晶體、一個在該第三電晶體以及一個電壓源之間的第四電晶體，豸電壓源具有比在該有機發光二極體的陽極電極處之電壓高的電壓；以及一個耦接在該第二電晶體的閘極電極以及該第三及第四電晶體的—個共同節點之間的回授電容器。當該第三電晶體被導通時，在該第二及第四電晶體的共同節點處之電壓可以實質上等於在爷有機發光二極體的陽極電極處之電壓，並且當該第四電曰體被導通時，其可以實質上等於在該電壓源：電壓四該：杈電容器可被配置以調整在該第二電晶體的閘極電極處之電壓以對應於在該第三及第四電晶體的共同節點處之電壓。該第四電晶體可被配置以在一第一控制信號從一第二控制線被供應時關斷，並且在該第一控制信號的2應被中 8 200822043 止時導通’並且該第三電晶體可被配置以在一第二控制信號從一第二控制線被供應時導通並且在該第二控制信號的供應被中止時關斷。該第一及第二控制信號可具有相反的極性，並且该第一及第二控制信號分別可以和一被供應至該掃描線的掃描信號重疊。该第四電晶體可被配置以在一第一控制信號從一第一控制線被供應時關斷，並且該第三電晶體可被配置以在該第一控制信號從該第一控制線被供應時導通，因而該第三及第四電晶體具有不同的導電性。該第三電晶體可以是 NMOS類型的電晶體。該第四電晶體可被配置以在一第一控制信號從一第一控制線被供應時關斷，並且在該第一控制信號被中止時導通，該第三電晶體可被配置以在一掃描信號被供應至該掃描線時導通，並且該第一控制信號可以和該掃描信號重疊。該第四電晶體可被配置以在該掃描信號被供應至該掃描線時關斷，並且該第三電晶體可被配置以在該掃描信號被供應至該掃描線時導通，並且該第三及第四電晶體可具有不同的導電性。該電壓源可被設定成具有一低於該第一電源的電壓值。該電壓源可以是該第一電源、—透過該掃描線供應之反相的電壓、或是n個相鄰的像素的—掃描線供應之反相的電壓。忒回授電谷崙的容量可被配置以相關於從該有機發光二極體發射的光的色彩來對應於該㈣發光二極體的材料。該像素可進-步包含—個在該第二電晶體以及有機發光二極體之間的第五電晶體，該第五電晶體係被 9 200822043 :=17?广_被供應時關斷。該第五電晶體可斷並且i以控制信號被供應至—發光控制線時關畊亚被配置以在該發光控制㈣的供通。該發光控制信號可以和該掃描信號重疊:、中止^ 本發明以上及j|L & 4主Φί· rb 7^ ϊ 士，其匕特點中的至少一個可藉由提供一錄線!=:=Γ被實現’其係包含複數個耦接至掃描

掃描信號的掃描驅動器、以及一個被配“驅動線的資料驅動器，里中哕 μ二貝# 個在m / 像素的每個像素可包含一们在弟^二電源之間的有機發光二極體、— 一知描線以及一資料蟪沾楚祸接至配置以在-〜電晶體’該第一電晶體係被 …被供應至該掃描線時經由該資料線來貝料仏號、一個被配置以 v' 曰麯梂丨Λ· ΛΑ —" 仔對應於糟由該第_電曰曰且接收的貧料信號之電壓的儲存電容器、一 s 體，其係耦接至該第一電晶體並 —電曰日該儲存電容器中的電壓來控制一從::置=關於館存在發光二極體至該第二電源的電流= '=由該有機在該第二電晶體的間極電極處的電塵==配置以調整調整係足以補償該有機發光二極體的早。凡’該電髮本發明以上及其它特點中的 ^ 用於驅動-個有機發光顯示裝置…個可猎由提供-種係包含在-掃描信號被供應二實現’該方法在—個第一電晶體中接收一資料信貝钭線中儲存—對庫於兮資料 ”u ’在一個儲存電容器 # $貝科㈣的電壓，該儲存電容ϋ係輕接 200822043

至^_個繁一兩 A » ^曰曰體的閘極電極，調整在一個回授電容器的帝咖‘子處之電壓成為在一個有機發光二極體的陽極電極處之電壓，該回授電容器具有一個耦接至該第二電晶體的間極電極之第二端子，以及中止該掃描信1虎，因而該回校電容器的第-端子處之電壓係被增高至一個電壓源的電壓位準。

。亥第—電晶體可以相關於在該第二電晶體的間極電極處之電壓來控制從—個第—電源經由該有機發光二極體至 -個第二電源的電流量。該電壓源的電壓位準可以是高於在X有栈叙光一極體的陽極電極處之電壓的電壓，並且町以低於該第一電源的電壓。肖高在該回授電容器的第一端 :處之電壓可包含在該掃描信號的供應期間電性地斷開該第二電晶體以及有機發光二極體的連接。在該有機發光二極體的陽極電極處之電壓可以是該有機發光二極體的臨界電壓。【實施方式】本發明範例的實施例現在將會在以下參考所附的圖式來更完整地加以描述’並且本發明範例的實施例係被描给在圖式中U ’本發明的各種觀點可以料同的形式來加以體現’因而不應該被解釋為限於在此闡述的實施例。而是’這些實施例是被提供以使得此揭露内容將會是徹底且完整的’並且將會完整地傳達本發明的料給熟習此項技術者。在該圖式中，元件及區域的尺寸可能為了清楚說明而 11 200822043 被誇大。同樣將會理解到的是，去一元件“之上，，時，J： γ 田一個元件被稱為在另一可……其可以是在其它層或基板的正上方…戈亦可旎疋存在中間層的。乃一飞刀個元件被稱為在兩個元件“之°，，樣：會理解到的是，當- 間唯-的元件、、可以是該兩個元件之告一如-4、 b疋存在一或多個中間元件。此外， § 一個兀件被稱為“耦接至” 接5另一-从. 凡件^，其可以是直接連件、或是在-或多個中間元件插置於1間之下間接連接至另一开妓4门且#、/、間之卜

件。相同的參考圖號係指本文中類似的 7L件0 月^、° ’根據本發明的-個實施例之有機發光顯不衣置可包含-個具有複數個料14。的像素單元13〇、了個用以驅動掃描線（S1至㈣、第-控制線（CL} i至CL⑻ 以及弟一控制線（CL21 i C2n)的掃描驅動器nG、一個用以驅動資料線(di i Dm)的資料驅動器12〇、以及一個用於控制該掃描驅動器' 11G及資料驅動器 -。該像素單…像…用任何適當：：以配置，因而每個像素140可耦接至一掃描線（si至sn)、一第一控制線（CLU至CLln)、一第二控制線…[以至c2n) 及/或一資料線（D1至Dm)，即如在圖i中所繪者。該有機發光顯示裝置的掃描驅動器丨〗〇可從時序控制器150接收一掃描驅動控制信號（scs)，並且可以產生一將被供應至該掃描線（S 1至Sn)之對應的掃描信號。再者，該掃描驅動器110可響應於該接收到的SCS來產生第一及第及第二控制信二控制信號，並且可分別供應該產生的第一 12 200822043 號至該第一及第二控制線（CL11至CLln)以及（CL21至 n) °亥第一及第二控制信號可具有實質相同的長度，並^彼此可以是相反的。該掃描信號可以比其對應的第一及第一控制信號的每一個控制信號短並且與之完全重疊，即如=會在以下相關於圖4更詳細描述者。就此方面而言，應庄忍的是在以下所稱的信號長度可能是指單一脈衝沿著 :水平軸的寬度’即如在圖4及14中麟者。進一步注 -到的疋，有關於信號的“重疊”在以下是指相關於時間上 W 的重疊。有機發光顯示裝置的資料驅動器12〇可從該時序控制器150接收一資料驅動控制信號（Dcs)，並且可產生一被供應至資料線（D1至Dm)之對應的資料信號。有機發光顯示裝置的時序控制器15G可產生將分別被供應至該資料驅㈣120以及掃描驅動H 110之同步的 (DCS)及(SCS)信號。此外’該時序控制@ 15〇可以從一個 φ 外部來源傳送資料資訊至該資料驅動器12〇。該像素單A 13G可㈣至—個第—電源（ELVDD)以及一個第二電源（ELVSS)，因而該第一及第二電源（elvdd) 及（ELVSS)的屯壓可分別被供應至每個像素⑽。於是，每個接收到來自s亥第一及第二電源（elvdd)及（elvss)的電壓之像素140可以根據被供應至其的資料信號產生光。一们補彳貝單元142可被没置在每個像素】4〇中以補償有機發光二極體的劣化程度，即如將會在以下相關於圖2至3更詳細描述者。就此方面而言，應注意的是“劣化程度，，係指 13 200822043 相k於在其中一實質低位準的總電流已通過的有機發光二極體的陽極處的電壓量而言，在其中一實質高位準的總電流已通過的有機發光二極體的陽極處之電壓的降低量的一項量測。請參照圖2，每個像素140可包含一個有機發光二極

體（OLED)以及一個能夠控制被供應至該〇lED的電流之驅動電路’所以由該OLED發出的光可對應於—被供應至像素140的資料信號。該驅動電路可包含一個第一電晶體 (Ml)、一個第二電晶體（厘2)、一個儲存電容器（cst)以及一個補償單元142。該0LED的陽極電極可耦接至第二電晶體（M2)，並且該OLED的陰極電極可耦接至第二電源 (ELVSS)，所以該0LED可以產生一相關於由第二電晶體 (M2)所供應的電流之預設的亮度。該第二電晶體削可被稱為驅動電晶體。該第-電晶體（M1)可以使得其閘極電極㈣至掃描線 ()並且可以使知其第一及第二電極分別耦接至資料線 (Dm)以及第一電晶體（M2)的閘極電極。該第—電晶體 :在一掃描信號被供應至其閘極電極時導通，所以一資料信號可透過該資料線(Dm)而被供應至第一電晶華”的第 :電極’以透過該第一電晶體(M1)的第一電極而被傳送至第二電晶體（M2)的閘極電極。就此方面而言，應注意的是 -個電晶體的第一電極係指其源極及/或汲極中之任一個，因:-個電晶體的第二電極係指其相對的及極及/或源極。換言之’若第-f極是源極，則第二電極是沒極，且反之 14 200822043 亦然。該第二電晶體（M2)可以使得其閘極電極耦接至該第一電晶體（Ml)的第二電極，並且可以使得其第一及第二電極分別耦接至第一電源（EL VDD)以及OLED的陽極電極。該第二電晶體（M2)可以從第一電晶體（Ml)接收該資料信號，並且可以控制從第一電源（ELVDD)經由該OLED流向第二電源（ELVSS)的電流，以對應於從第一電晶體（Ml)接收到的資料信號。換言之，該OLED可以根據在該第二電晶體（M2) 的閘極電極處之電壓來產生光。該第一電源（ELVDD)的電壓可被設定成高於該第二電源（ELVSS)的電壓。該儲存電容器（Cst)可耦接在該第二電晶體（M2)的閘極電極以及第一電源（ELVDD)之間，所以該儲存電容器（Cst) 可以儲存對應於從該第一電晶體（Ml)傳送到第二電晶體 (M2)的資料信號之電壓。該補償單元142可耦接至該第二電晶體（M2)的閘極電極以在該OLED劣化之際調整第二電晶體（M2)的電壓。更明確地說，該補償單元142可耦接至一個電壓源（Vsus)、一第一控制線（CLIn)以及一第二控制線（CL2n)，所以該電壓源（Vsus)可被利用來相關於從該第一及第二控制線（CLIn) 及（CL2n)接收到的信號以調整在該第二電晶體（M2)的閘極電極處之電壓，即如將會在以下相關於圖3更加詳細論述者。於是，該電壓源（Vsus)的電壓可以高於一電壓（Voled)，亦即，在該OLED的陽極電極處之電壓並且對應於一流過該OLED的電流，但可以低於該第一電源（ELVDD)，以便 15 200822043 於在像素140中產生足夠的亮度。請參照圖3，該補償單元142可包含配置在該電壓源 (Vsus)以及OLED的陽極電極之間的一個第三電晶體（]^3) 以及一個第四電晶體（M4)、以及在一第一節點（N丨）以及該弟一龟曰曰體的閘極電極（M2)之間的一個回授電容器（cfb)。忒第一節點N1可以是該第三及第四電晶體（M3)及（M4)的一個共同節點，因而該回授電容器（Cfb)可以考量到在該第一節點（N1)以及第二電晶體（M2)之間的電壓上的變化。如在圖3至4中所繪，該第三電晶體（]^3)可以在該第一節點（N1)以及該OLED的陽極電極之間，並且可被一藉由第二控制線（CL2n)所提供的第二控制信號（例如，一低電壓k號）加以控制。該第四電晶體（M4)可以在該第一節點（n 1) 以及電壓源（Vsus)之間，並且可被一藉由第一控制線（CLln) 所提供的第一控制信號（例如，一高電壓信號）加以控制。該第一及第二控制信號可在一掃描信號被供應至掃描線（Sn) 之前，先分別被供應至該第四及第三電晶體（M4)及（M3)的閘極電極’因而該第四電晶體（M4)可被關斷並且該第三電晶體（M3)可被導通。當該第四電晶體（M4)被關斷並且第三電晶體（M3)被導通時’該電壓（Voled)可被供應至第一節點 (N1) 〇一旦該電壓（Voled)被供應至第一節點（N1)之後，該掃描信號可經由掃描線（Sn)被供應至第一電晶體（Ml)以導通該第一電晶體（Ml)。一旦第一電晶體（Ml)被導通之後，對應於經由資料線（Dm)供應的資料信號的電壓可儲存在該儲 200822043 存電容器（Cst)中’接著是該掃描信號的中止。換言之，一旦電壓被儲存在該儲存電容器（Cst)中之後，該第一電晶體 (Ml)可被關斷。在該第一電晶體（Ml)被關斷之後，如在圖4中進一步被描述，該第一及第二控制信號可被中止，因而該第四電晶體（M4)可被導通並且第三電晶體（M3)可被關斷。若該第四電晶體（M4)被導通，則在該第一節點（N1)之電壓可以從 _ (Voled)增加至該電壓源（Vsus)的電壓。一旦在該第_節點 (N1)的電壓增加之後，在該第二電晶體（M2)的閘極電極處之電壓可以增加。尤其，在該第二電晶體（M2)的閘極電極處增加的電壓值可以根據在以下的方程式丨中所描述的關係來加以判斷出， △VM2_gate = AVN1 X (Cfb / (Cst + Cfb)) 方程式 i 其中AVM2_gate代表在第二電晶體（M2)的閘極電極的電 • 壓上的變化，並且^¥们代表在第一節點（N1)的電壓上的變化° 從方程式1中可見，在該第二電晶體（M2)的閘極電極處之包壓可以相關於在該第一節點（N1)處之電壓上的變化而改變。於是，當在第一節點（N1)處之電壓增加至相當於忒私壓源（Vsus)的電壓時，在該第二電晶體的閘極電極處之電壓亦可以根據上述的方程< 丨增加。在該第二電晶體（M2)的閘極電極處之增加的電壓可以增加電流，亦即，從第一電源（ELVDD)經由該〇LED流向第二電源 17 200822043 (ELVSS)的電流，以便於維持該OLED的預設亮度。換言之，該OLED可被配置以產生具有對應於在第二電晶體（M2) 的閘極電極處之電壓的預設亮度的光。於是，該第二電晶體（M2)的電流量可對應於該資料信號（亦即，儲存在儲存電容器（Cst)中的電壓），並且在該OLED劣化時可被調整至一個較高的值，因而由該OLED產生的亮度可以是固定的，而不論其劣化程度為何。例如，當該OLED劣化時，跨過該OLED的電壓（Voled) 零可能會降低，因而降低在第一節點（N1)處之電壓，因此降低了在第二電晶體（M2)的閘極電極處之電壓。然而，相關於該OLED的劣化程度來設定該電壓源（Vsus)可以補償該電壓（Voled)降低的值，其係藉由增加在該第二電晶體（M2) 的閘極電極處之電壓。第二電晶體（M2)的閘極電極之增加的電壓可增加該第二電晶體（M2)的電流量，藉此補償由該 OLED劣匕所造成之降低的亮度。於是，該電壓源（Vsus) 可被設定成一個值是對應於一個反映該OLED劣化程度的 ^ 電壓值，因而該電壓源（Vsus)可提供足夠的補償給一個劣化的OLED。此外，每個像素140可被設定成具有一個回授電容器 (Cfb)，該回授電容器（Cfb)具有對應於其個別的OLED所發射的色彩之容量。換言之，像素140的每個OLED可包含不同的發光材料，其具有對應於其發光層（亦即，發射綠色（G)、紅色（R)或藍色（B)光的材料）的特定成分之不同的相對壽命長度。由於發射G、R及B光的像素如在以下的 18 200822043 方备^式2中所述，可能目女士」此具有不同的哥命，所以相關於特定的材料來調整回授雷交曰私谷益（Cfb)的谷I以施加一實質一致的劣化速率至所有的傻夸 6 言14〇可k供貫質一致的壽命特徵給所有的像素140。 (B像素）壽命<(R像素）壽命<(G像素）壽命方程式2 例如，由於β像素相較於R及/或G像素可能具有較馨短的可〒，所以在每個B像素中的回授電容器（c比）的容量可被設定為相較於R及/或G像素的回授電容器（cfb)而具有較鬲的容量值。在每個像素14〇中的回授電容器（cfb)的容量可以根據用在該OLED對應的發光層的材料來加以決定’因而發射不同光色彩的像素14〇的多個OLED之非均勻的劣化可被補償。根據圖5所繪的另一貫施例，一個補償單元142b可實質上類似於先前相關於圖3所述的補償單元142，除了其 φ 係耦接至單一控制線之外。更明確地說，該補償單元142b 可包含以一種與先前相關於圖3所述實質相同的配置之回技電谷裔(Cfb)以及第三及第四電晶體（M3)及（M4)，除了其係使得第一控制線CL 1 η耦接至該第三及第四電晶體（m3) 及（Μ4)兩者之外。於是，該第一控制線CL In可控制該第三及第四電晶體（M3)及（M4)兩者。更明確地說’該弟二電晶體（M3)可以具有相較於第一、第二及第四電晶體（Ml)、（M2)及（M4)為相反的導電度。例如，如在圖5中所繪，該第三及第四電晶體（M3)及（M4) 19 200822043 可为別疋NMOS類型以及PMOS類型的電晶體。於是，一被供應至該第一控制線（CLln)的第一控制信號可導通該第一笔日日體（M3)且關斷該第四電晶體（M4)。類似地，當該第控制彳§號至該第一控制線（CL 1 η)的供應被中止時，該第三及第四電晶體（Μ3)及（Μ4)的操作狀態可以反過來，亦即 °亥第二電晶體（M3)可被關斷且該第四電晶體（Μ4)可被導通。在圖5中所繪的補償單元142b可以是有利於提供一種藉由單一控制線所驅動的電路，亦即，在圖3中所緣的苐一控制線（CL2n)可被移除。該補償單元142b的動作可以是實質類似於先前相關於圖4所述的補償單元142的動作，因而可以參考圖4來加以說明。更明確地說，一第一控制信號可在一掃描信號被供應至掃描線（Sn)之前被供應至該第一控制線（CLln)，藉此關斷該第四電晶體（M4)且導通該第三電晶體（M3)。當該第三電晶體（M3)被導通時，OLED的電壓（Voled)可被供應至第一節點（N1)。接著’該掃描信號可被供應至該掃描線（Sn)，藉此導通第一電晶體（Ml)。當該第一電晶體（M1)被導通時，對應於被供應至資料線（Dm)的資料信號之電壓可被儲存在該錯存電容器（Cst)中，接著是該掃描信號的中止，藉此關斷該第一電晶體（Ml)。一旦該第一電晶體（M1)被關斷，則至第才二制線（CL 1 η)的第一控制信號可被中止，藉此關斷該第二電晶體（M3)且導通該第四電晶體（Μ4)。當該第四電晶體 (Μ4)被導通時，在該第一節點（Ν1)處之電壓可增加至該電 200822043 壓源（Vsus)的電壓，因而該第二電晶體（M2)的閘極電極的電壓亦可以增加。在該第一節點（N1)以及第二電晶體（M2) 處之電壓的增加可被調整以補償〇LED的劣化，藉此最小化OLED亮度的降低。根據圖6所繪的另一實施例，一個補償單元丨42〇可以是貫質類似於先前相關於圖3所述的補償單元142，除了其係耦接至單一控制線以及掃描線（Sn)之外。更明確地說， φ 該補償單元142c可包含用一個與先前相關於圖3所述的實質相同的配置之回授電容器（cfb)以及第三及第四電晶體 (M3)及（M4)，除了相對於該配置是耦接至該第二控制線 (CL2n)之外，其係使得該第三電晶體（M3)耦接至掃描線 (Sn)。於是，該第三電晶體（M3)可藉由一從掃描線（Sn)供應的掃描信號來加以控制，並且該第四電晶體（M4)可藉由從第一控制線（CLln)供應的第一控制信號來加以控制。在圖6中所繪的補償單元142(：可以是有利於提供一個藉由單 φ 一控制線驅動的電路，亦即，在圖3中所繪的第二控制線 (CL2n)可被移除。該補償單元142c的動作可以是實質類似於先前相關於圖3所述的補償單元142的動作，因而可以參考圖4來加以說明。更明確地說，一第一控制信號（亦即，一高信號）可被供應至该第一控制線（CLln)以將第四電晶體（M4)關斷》亥第控制彳§號可在一掃描信號被供應至掃描線（sn) 之前被供應。當该第一控制信號被供應至第一控制線（CLln)時，一 21 200822043 輸入至掃描線（Sn)的掃描信號可被起始，因而該第一及第三電晶體（Ml)及（M3)可被導通。當該第一電晶體（M1)被導通時，該資料信號（Dm)可透過第一電晶體㈧丨）被傳送，並且可儲存在該儲存電容器（Cst)中。同時，由於該第二電曰體（M3)被導通，所以該〇LED的電壓（Voled)可被供應至第一節點（N1)。一旦對應於該資料信號的電壓被儲存在該儲存電谷為（Cst)中’並且電壓（Voled)被供應至第一節點（Ni) 之後，該掃描信號可被中止，因而該第一及第三電晶體（M1) 及（M3)可被關斷。在該第一電晶體（Ml)及第三電晶體（m3)被關斷之後，忒第一控制信號至第一控制線（CL 1 η)的供應可被中止，以關斷該第四電晶體（Μ4)。一旦該第四電晶體（Μ4)被關斷之後，在5亥弟一郎點（Ν1)處之電壓可增加至該電壓源（vsus) 的電壓，藉此在該第二電晶體（M2)的閘極電極處觸發根據方程式1的電壓增加。於是，藉由調整在該第二電晶體（M2) 的閘極電極處的電壓增加來補償該〇Led的劣化是可行的。根據在圖7中所繪的另一實施例，一個補償單元丨42d 可以疋貫i類似於先箣相關於圖3所述的補償單元14 2，除了相較於補償單元142是耦接至第一及第二控制線（CL jn) 及（CL2n)之外，其係搞接至掃描線（§η·)。更明確地說，該補償單元142d可包含用一個與先前相關於圖3所述的實質相同的配置之回授電容器（Cfb)以及第三及第四電晶體 (M3)及（M4)，除了該第三及第四電晶體（M3)及（M4)可耦接 22 200822043 至掃描線（Sn)並且藉由該掃描線（sn)加以控制之外。更明確地說，該第四電晶體（M4)可具有相較於該第一、第二及第三電晶體（Ml)、（M2)及（M3)為相反的導電度。例如’如在圖7中所繪，該第三及第四電晶體（M3)及（M4) 分別可以是PM0S類型及NMOS類型的電晶體。於是，該第四電晶體（M4)可在一掃描信號被供應至該掃描線（Sn)時被關斷，並且可在該掃描信號未被供應至該掃描線（Sn)時 • 被導通。該第三電晶體相關於該掃描信號的動作可以疋相反於該第四電晶體的動作。圖7中所繪的補償單元i42d 可以是有利於提供一個藉由該掃描線（Sn)驅動的電路，因而第一控制線（CLln)以及第二控制線（CL2n)可被移除。该補償單元142d的動作將會在以下加以詳細描述。首先’一掃描信號可被供應至掃描線（Sn)，因而該第一及第三電晶體（Ml)及（M3)可被導通，而該第四電晶體（M4)可被關斷。於是，對應於該資料信號而被供應至該資料線⑴⑷ _ 的電壓可以儲存在該儲存電容器（Cst)中，並且電壓（Voled) 可被供應至該第一節點（N1)。接著，該掃描信號可被中止。一旦該掃描信號的供應被中止，該第一及第三電晶體 (Ml)及（M3)可被關斷，並且該第四電晶體（M4)可被導通。接著，在該第一節點（N1)處之電壓可增加至該電壓源（VMS) 的也壓，藉此在该第一電晶體（M2)的閘極電極處觸發根據方程式i的電壓增加。於是，藉由調整在該第二電晶體（M2) 的閘極電極處的電壓增加來補償該〇LED的劣化是可行的。 23 200822043 應注意的是，儘管在圖3至7中所緣的實施例是包含該電壓源（VSUS)作為一個耦接至第四電晶體（M4)的電壓源，但是其它用於該第四電晶體（M4)的電壓源，例如，在以下相關於圖8至10所述的實施例也是在本發明的範疇内於疋，在圖3至7中所繪的每個實施例可被配置成包含該第四電晶體（M4)耦接至一個除了該電壓源（Vsus)之外的電壓源。瞻例如，根據在圖8中所繪的另一實施例，一個補償單元142e可以疋貫質類似於先前相關於圖3所述的補償單元 142，除了相對於補償單元142是耦接至該電壓源（vws)之外其係使彳于該第四電晶體（M4)耗接至第一電源 (ELVDD)。於是’在該第一節點（N1)處之電壓可以從該電壓（Voled)增高至該第一電源（ELVDD)的電壓，因而即使該第四電晶體（M4)並未耦接至該電壓源（Vsus)，在該第二電晶體（M2)的閘極電極處之電壓也可以相關於方程式1而被 ⑩ 〜南’以補償該0LED的劣化。根據圖9所繪的另一實施例，一個補償單元丨42f可以是實質類似於先前相關於圖3所述的補償單元142，除了相較於補領早元14 2是搞接至電壓源（v s u s )之外，其係使得5亥第四電晶體（M4)耦接至該掃描線（Sn)。更明確地說， "亥補償單元142f可包含用一個與先前相關於圖3所述的實質相同的配置之回授電容器（Cfb)以及第三及第四電晶體 (M3)及（M4)，除了其係在第四電晶體（M4)被導通時在掃描線（Sn)中利用對應於該掃描信號的電壓（亦即，一反相的電 24 200822043 壓信號）之外，即如在圖4與9中所繪者。於是，在第一節點（N1)處之電壓可以從電壓（v〇led)增加至該掃描線（Sn)的電壓’所以該OLED的劣化可以穩定地予以補償。就此方面而言’應注意的是在該有機發光顯示裝置中的掃描線（Sn) 之電壓可被設定成高於電壓Voled。根據圖1 0所繪的另一實施例，一個補償單元142g可以是實質類似於先前相關於圖3所述的補償單元142，除了相較於補償單元142是耦接至電壓源（Vsus)之外，其係使得第四電晶體（M4)耦接至一先前的掃描線（Sn-Ι)，亦即，一個相鄰的像素的一掃描線。更明確地說，該補償單元142g 可包含用一個與先前相關於圖3所述的實質相同的配置之· 回授電容器（Cfb)以及第三及第四電晶體（M3)及（M4)，除了其係在第四電晶體（M4)被導通時在該先前的掃描線（§1) 中利用對應於该掃描信號的電壓（亦即，一反相的電壓信號）之外’即如在圖4與10中所緣者。於是，在該第一節點（n 1) 處之電壓可以從電壓（V〇led)增加至該先前的掃描線（Sn_” 的電壓’所以該〇LED的劣化可以穩定地予以補償。根據圖1 1所繪的另一實施例，一個有機發光顯示裝置可以是實質類似於先前參考圖1所述的有機發光顯示裝置，除了其係包含在一個像素單元230中的複數個像素24〇以及除了掃描線（S1至Sn)、第一控制線（CLU至CLln)、第二控制線（CL21至C2n)以及資料線（D1至Dm)之外的發光控制線（E1至En)，即如在圖11中所繪者。於是，該有機發光顯示裝置的掃描驅動器21〇可以產生一發光控制信 25 200822043 號來供應至發光控制線（El至En)。如在圖14中所繪，該發光控制信號可具有與第二控制信號實質相同的長度，並且可以是與第二控制信號為相反的。該發光控制信號可以比該掃描信號長，並且可以比該第一控制信號短，即如在圖丨4中進一步所繪者。該發光控制信號、掃描信號、第一控制信號以及第二控制信號可以彼此重疊。 _ 請參照圖12，每個像素240可包含一個有機發光二極體（OLED)以及一個能夠控制被供應至該〇led的電流之驅動電路，所以由該OLED所發出的光可對應於被供應至像素140的資料信號。該驅動電路可以是實質類似於先前相關於圖2所述的像素140的驅動電路，除了其係包含一個在該OLED以及第二電晶體（]^2)之間的第五電晶體（M5)之外’因而該發光控制信號可以輸入到該第五電晶體的閘極電極。該第五電晶體（M5)可在一發光控制信號被供應 φ 至其時關斷，並且可在該發光控制信號未被供應時導通。更明確地說，該OLED的陽極電極可耦接至該第五電晶體（M5)，並且該OLED的陰極電極可耦接至該第二電源 (ELVSS.)，因而該OLED可以產生具有相關於由該第二電晶體（M2)經由該第五電晶體（M5)所供應的電流之預設亮度的光。該第一電晶體（Ml)、儲存電容器（Cst)以及補償單元 142可用一種實質上與先前相關於圖2所述的類似配置來加以配置，因此其洋細說明在此將不會重複。該第二電晶體（M2)可以用一種實質上與先前相關於圖2所述的類似方 26 200822043 式來加以配置，除了其係使得第二電極耦接至該第五電晶體（M5)的第一電極之外。凊苓照圖13，該像素24〇可以是實質類似於先前參考圖3所述的像素14〇，除了其係包含該第五電晶體（％5)以貫質上最小化及/或避免不必要的電流流入該OLED之外。明麥肊圖13至14，該像素240的動作可以是如下所返首先，一第一控制信號（亦即，一高電壓脈衝）可被供應至第一控制線（CLln)，因而該第四電晶體（M4)可被關斷。於是’該第一節點（N1)以及電壓源（Vsus)可以電性斷開’亦即，當該第四電晶體被關斷時。旦第四電晶體（M4)被關斷，則一第二控制信號（亦即，一低電壓脈衝）可被供應至第二控制線（CL2n)，因而該第二電晶體（M3)可被導通。同時，一發光控制信號（亦即，一南電壓脈衝）可被供應至發光控制線（En)，因而該第五電晶體（M5)可被關斷。一旦該第三電晶體（M3)被導通，則該 QLED的電壓（v〇led)可被供應至該第一節點（N1)。就此方面而δ ’應注意的是由於第五電晶體（M5)被關斷，所以電壓（Voled)可被設定成該〇LED的臨界電壓。接著，該掃描信號可被供應至掃描線（Sn)，因而該第 —電晶體（Ml)可被導通。當該第一電晶體（mi)被導通時，對應於被供應至該資料線（Dm)的資料信號之電壓可透過該第一電晶體（Ml)被傳送，並且可儲存在該儲存電容器（Cst) 中。一旦該資料信號被儲存之後，該第一電晶體（Ml)可藉由中止該掃描信號而被關斷。 27 200822043 接著，該第二控制信號以及發光控制信號的供應可被中止，因而該第三電晶體可被關斷且該第五電晶體（M5)可被導通。接著，該第一控制信號可被中止以導通該第四電晶體（M4)。當該第四電晶體（M4)被導通時，在該第一節點 (N1)處之電壓可被增加至該電壓源（Vsus)的電壓，藉此觸發在該第二電晶體（M2)的閘極電極的電壓上之增加。在該第一電晶體（M2)的閘極電極處之電壓可根據方程式1來計算出。

於是’當OLED劣化時，反映該oled劣化程度的電壓（Voled)可能會降低，因而降低在該第一節點（N1)處之電壓，以及因此降低在該第二電晶體的閘極電極處之電壓。然而，根據本發明的實施例，設定該電壓源以增加在該第一節點（N1)處之電壓，以及因此增加在該第二電晶體（M2)的閘極電極處之電壓，此可增加該第二電晶體 (M2)的電流量以對應於相同的資料信號。換言之，該第二電晶體（M2)的電流量可隨著該〇LED劣、化的程度增加而增加，因而由該OLED劣化所造成的降低的亮度可被補償。就此方面而5，應注意的是該補償單元丨可根據先前相關於圖5至1〇所述的任何配置來加以配置。根據在圖 1 5中所繪的另一實施例，——個補償單元142h 可以是實質類似於先前相關除了相較於補償單元142 (CL1)及（CL2)之外，其係耦確地說，該補償單元142h 於圖13所述的補償單元142，是轉接至該第一及第二控制線接至該發光控制線（En)。更明可包含用一種實質與先前相關 28 200822043 於圖13所述相同的配置之回授電容器（c讣)以及第三及第四電晶體(M3)及(M4)，除了其係使得該第三及第四電晶體 (M3)及（M仙接至-從發光控制線伽）所供應的發光控制信號且受其控制之外。更明確地說，相較於該第一、第二、第四及第五電晶體（Ml)、（M2)、（M4)及（M5)，該第三電晶體（M3)可具有相反的導電度。例如’如在圖i 5中所繪，$第三及第四電曰曰體（M3)及（Μ4)分別可以是NM〇s類型及pM〇s類型的電晶體。於是，一被供應至該發光控制線（En)的發光控制信號可導通该第二電晶體，並且可關斷該第四電晶體 (M4)。類似地，當從該發光控制線（En)所供應的發光控制 k唬之供應被中止時，該第三及第四電晶體及句的操作狀態可以反過來，亦即，該第三電晶體（M3)可被關斷，亚且該第四電晶體可被導通。在圖15中所繪的補償單to 142h可以是有利於省去該第一及第二控制線（CLi幻及 (CL2n)。該補償單元142h的動作可以是實質類似於先前相關於圖13-14所述的補償單元142的動作，因而可以參考圖14 來加以說明。首先，在一掃描信號被供應至該掃描線（Sn) 之前，一發光控制信號可被供應至該發光控制線（En)。於是，該第四及第五電晶體（M4)及（M5)可被關斷，並且該第二電晶體（M3)可被導通。當該第三電晶體（M3)被導通時，該OLED的電壓（Voled)可被供應至該第一節點（N1)。接著，一掃描栺號可被供應至掃描線（gn)以導通該第 29 200822043 一電晶體（Ml)。當該第一電晶體（Ml)被導通時，對應於被供應至該資料線（Dm)的資料信號之電壓可儲存在該儲存電容器（Cst)中，接著是該掃描信號的中止，因而該第一電晶體（Ml)可被關斷。一旦該第一電晶體（mi)被關斷，則該發光控制信號的供應可被中止，藉此導通該第四及第五電晶體（M4)及（M5)。當該第四電晶體（M4)被導通時，在該第一節點（N1)處之電壓可增加至該電壓源（Vsus)的電壓，因而該第二電晶體（M2)的閘極電極的電壓可增加。於是，該 OLED的劣化可藉由調整在該第二電晶體（M2)的閘極電極處之電壓上的增加以對應於該〇Led的劣化來加以補償。根據在圖1 6中所繪的另一實施例，一個補償單元丨42i 可以是實質類似於先前相關於圖13所述的補償單元142，除了相對於補償單元142是耦接至該第一及第二控制線 (CL1)及（CL2)之外，其係耦接至該發光控制線（En)及掃描線（Sn)。更明確地說，該補償單元142丨可包含用一種實質與先刖相關於圖13所述相同的配置之回授電容器（Cfb)以及第二及第四電晶體（M3)及（M4)，除了其係使得該第三及第四電晶體（M3)及（M4)分別耦接至該掃描線（Sn)及發光控制線（En)且叉其控制之外。在圖16中所繪的補償單元i42i 可以是有利於省去該第一及第二控制線（CLln)及（CL2n)。該補償單元242i的動作可以是實質類似於先前相關於圖13至14所述的補償單元142的動作，因而可以參考圖 14來加以w兒明。首先，在一掃描信號被供應至該掃描線之A 鲞光控制信號可被供應至該發光控制線（En)。於 30 200822043 是，該第四及第五電晶體（M4)及（M5)可被關斷。接著’一掃描信號可被供應至該掃描線（Sn)以導通該弟一及弟二電晶體（Ml)及（M3)。當該第一電晶體（Ml)被導通時，對應於被供應至該資料線（Dm)的資料信號之電壓可以儲存在該儲存電容器（Cst)中，並且當該第三電晶體（M3) 被導通時，該OLED的電壓（乂〇^(1)可被供應至該第一節點 (N1)。在對應於該資料信號的電壓被儲存在該儲存電容器

(Cst)中之後’該第一電晶體（M1)以及第三電晶體（M3)可藉由該掃描信號的中止而被關斷。一旦該第一及第三電晶體 (Ml)及（M3)被關斷，則該發光控制信號的供應可被中止，藉此導通該第四及第五電晶體（M4)及（M5)。當該第四電晶體（M4)被導通時，在該第一節點（N1)處之電壓可增加至該電壓源（Vsus)的電壓，因而該第二電晶體（Μ。的閘極電極的電壓可以增加。於是，該〇LED的劣化可藉由調整在該第二電晶體（M2)的閘極電極處之電壓上的增加以對應於該 OLED的劣化來加以補償。根據在圖17中所繪的另一實施例，一個補償單元242】可以是實質類似於先前相關於圖13所述的補償單元142, 除了相較於補償單元142係耦接至第一及第二控制及（CL2)之外，其係耦接至該掃描線（Sn)。更明確地說，該補償單元142j彳包含用一種實質與先前相關於圖η所述相同的配置之回授電容器（Cfb)以及該第三及第四電晶體 (M3)及(M4)’除了其係使得該第三、第四及第五電晶體㈤）、謂及⑽你接至—由掃輯㈣所供應的掃描信 200822043 號且受其控制之外。

更明確地說，相較於該第一、第二及第三電晶體㈤)、 (M2)及(M3) ’該第四及第五電晶體(M4)及(M”可具有相反的導電性。例如，如在目17中所繪，該第四及第五電晶體（M4)及（M5)可以是NM0S類型的電晶體m皮供應至該掃描線（Sn)的掃描信號可以關斷該第四及第五電晶體（M4)及（M5)，並且可導通該第三電晶體（M3)，且反之亦 :。在圖17中所繪的補償單元142j彳以是有利於省去該弟一及第二控制線（CLln)及（CL2n)以及發光控制線^^)。該補償單元142j的動作可以是實質類似於先前相關於圖13至14所述的補償單元142的動作，因而可以參考圖 14來加以5兒明。首先，一掃描信號可被供應至該掃描線（SR) 以導通該第一及第三電晶體（m1)&(M3)，並且關斷該第四及第五電晶體（M4)及（M5)。當該第一電晶體（M1)被導通日守’對應於被供應至該資料線（Dm)的資料信號之電壓可儲存在該儲存電容器（Cst)中。當該第三電晶體（M3)被導通日守’ β OLED的電壓（v〇ied)可被供應至該第一節點（N1)。在對應於該資料信號的電壓被儲存在該儲存電容器（Cst) 中’且該OLED的電壓（V〇led)同時被供應至該第一節點（N1) 之後’該掃描信號的供應可被中止以關斷該第一及第三電晶體（Ml)及（M3)，並且導通該第四及第五電晶體（M4)及 (M5)。當該第四電晶體（M4)被導通時，在該第一節點（N1) 處之電壓可增加至該電壓源（Vsus)的電壓，因而該第二電晶體（M2)的閘極電極的電壓可以增加。於是，該〇led的 32 200822043 劣化可藉由調整在該第二電晶體（M2)的閘極電極處之電壓上的增加以對應於該0LED的劣化來加以補償。本發明範例的實施例已經在此被揭示，並且儘管特定的用語被採用，但是其只是用一種通稱及描述性的意思被使用及解釋’而不是為了限制之目的。於是，該項技術中具$通常技能者將會瞭解到的是，各種在形式及細節上的

改變都可加以完成，而不脫離如同在以下的申請專利範圍中所闡述之本發明的精神與範_。【圖式簡單說明】 ——V只<丄处及其它特點與優點係藉由j 所附的圖式來詳細描述本發明之範例的實施例，對於t 々中具有通吊技能者而言將會變得更明顯，其中： =1係騎根據本發明的_個實施例之有機發光奏衣罝的概要圖；

“圖2係描繪根據本發明的一光顯示装置中的像素之電路圖；圖3係描繪根據本發的補償單元之詳細電路圖卜圖4係描繪圖2的電路圖中圖5係描繪根據本發明的補償單元之詳細電路圖；個實施例之圖個實施例之圖的信號之波形一實施例之圖 1的有機發 2的像素中圖 2的像素中圖6 的補償單圖7 係描繪根據本發明的另元之詳細電路圖；係描繪根據本發明的另一實施例之圖一實施例之圖 2的像素中 2的像素中 33 200822043 的補償單元之辉、心砰細電路圖；圖8係描繪根妙士 π 的補償單元之々Γ明的另一實施例之圖2的像素中几炙砰細電路圖；圖9係描繪根摅太& 的補償單元之^ 1明的另一實施例之圖2的像素中 π(评細電路圖；圖10係描％根插太& 的補償單元 "的另一貫施例之圖1的像素中凡乏砰細電路圖；

圖11係描纷根播太&。口裝置的概要圖明的另一實施例之有機發光顯示於光=12係描繪根據本發明的-個實施例之圖11的有機 4顯示裳置中的像素之電路圖；圖13係描繪根據本發明的一値實施例之圖12的像素、補领單元之詳細電路圖；圖14係描緣在圖12的電路圖中的信號之波形圖；圖丨5係描繪根據本發明的另一實施例之圖12的像素中的補償單元之詳細電路圖；圖16係描繪根據本發明的另一實施例之圖12的像素中的補償單元之詳細電路圖；並且、固17係描繪根據本發明的另一實施例之圖12的像素的補償單元之詳細電路圖。【主要元件符號說明】 110 知描驅動器 12〇資料驅動器 130 像素單元 34 200822043 140 像素 142、142b、142c、 ‘ 142d、142e、142f、142g、142h、1421 補償單元 150 時序控制器 210 掃描驅動器 230 像素單元 240 像素 242i、242j 補償單元 35

Claims

200822043 十、申請專利範圍： 1·一種像素，其係包括：二個在第一及第二電源之間的有機發光二極體；〜雷！1轉接至一掃描線以及—資料線的第一電晶體，令弟一電晶體係被配置以在一該經由該資料線來接收一資料信號；田線蚪 -個被配置以儲存對應於藉由該第一電晶體料信號之電壓的儲存電容器；的貝 -個第二電晶體，其係耦接至該第一電晶體並且被配置以相關於儲存在該儲存電容器中的電壓來控制一從該第一電源經由該有機發光二極體至該第二電源的電流；以及 7個被配置以調整在該第二電晶體的閘極電極處的電壓之補償單元，該電壓調整係足以補償該有機發光二極體的劣化程度。 2·如申請專利範圍第1項之像素，其中該補償單元係包含：一個耦接至該有機發光二極體的陽極電極的第三電晶體；一個在該第三電晶體以及一個電壓源之間的第四電晶體，該電壓源具有比在該有機發光二極體的陽極電極處之電壓高的電壓；以及一個耦接在該第二電晶體的閘極電極以及該第三及第四電晶體的一個共同節點之間的回授電容器。 3·如申請專利範圍第2項之像素，其中在該第三及第 36 200822043 四電晶體的共同節點處之電壓在該第三電晶體被導通時實質上等於在該有機發光二極體的陽極電極處之電壓，並且在该第四電晶體被導通時實質上等於在該電壓源之電壓。 4 ·如申請專利範圍第3項之像素，其中該回授電容器係被配置以調整在該第二電晶體的閘極電極處之電壓以對應於在讜第二及第四電晶體的共同節點處之電壓。

5 9如申請專利範圍第3項之像素，其中該第四電晶體係被配置以在一第一控制信號從一第一控制線被供應時關斷，並且在該第一控制信號的供應被中止時導通，並且該第二電晶體係被配置以在一第二控制信號從一第二控制線被供應時導通並且在該第二控制信號的供應被中止時關斷。 6.如申請專利範圍第5項之像素，其中該第一及第二控制信號具有相反的極性，並且該第—及第二控制信號分別與一被供應至該.掃描線的掃描信號重疊。 7·如申請專利範圍第3項之像素，其中該第四電晶體係被配置以在一第一控制信號從一第一控制線被供應時關斷，並且該第二電晶體係被配置以在該第一控制信號從該第一控制線被供應時導通，並且該第三及第四電晶體具有不同的導電性。 9·如申請專利範圍第7項之像素，其中該第三電晶體是一個NMOS類型的電晶體。 10.如申請專利範圍第3項之像素，其中該第四電晶體係被配置以在一第一控制信號從一第一控制線被供應時關 37 200822043 斷亚且在该第—控制信號被中止時導通，㈣三電晶體係被配置以在—掃描信號被供應至該掃描線時導通，並且該第一控制信號係與該掃描信號重疊。 …η·如申請專利範圍第3項之像素，其中該第四電晶體係被配置以在該掃描信號被供應至該掃描線時關斷，並且該第三電晶體係被配置以在該掃描信號被供應至該掃描線並且δ亥第二及第四電晶體具有不同的導電性。士申明專利範圍帛2項之像素，其中該電壓源係被設定成具有一低於該第一電源的電壓值。士申明專利範圍帛2項之像素，其中該電壓源係該第电源、一透過該掃描線供應之反相的電壓、或是一透過一個相鄰的像素的一掃描線供應之反相的電壓。二4·如申請專利範圍第2項之像素，其中該回授電容器的容量係被配置以相關於從該有機發光二極體發射的光的色彩來對應於該有機發光二極體的材料。如申請專利範圍第2項之像素，其進—步包括一個在該第二電晶體以及有機發光二極體之間的第五電晶體，該第五電晶體係被配置以在至少該掃描信號被供應時關斷。 /6.如申請專利範圍第15項之像素，其中該第五電晶體係被配置以在一發光控制信號被供應至一發光控制線時關斷，並且被配置以在該發光控制信號的供應被中止時導通。 17.如申請專利範圍第16項之像素，其中該發光控制 38 200822043 秦信號係與該掃描信號重疊。 18·—種有機發光顯示裝置，其係包括·· 複數個耦接至掃描線及資料線的像素； -個被配置以㈣該些掃描線來供應掃描信號的掃插驅動器；以及 @ 一個被配置以驅動該些資料線的資料驅動器，其中5玄複數個像素的每個像素係包含： __ 一個在第一及第二電源之間的有機發光二極體；一個耦接至一掃描線以及一資料線的第一電晶體，該第一電晶體係被配置以在-掃描信號被供應至該掃描線時經由該資料線來接收一資料信號；一個被配置以儲存對應於藉由該第一電晶體接收的資料信號之電壓的儲存電容器；、一個第二電晶體，其係耦接至該第一電晶體並且被配置以相關於儲存在該儲存電容器中的電壓來控制一從該第 • 一電源經由該有機發光二極體至該第二電源的電流；以及 —個被配置以調整在該第二電晶體的閘極電極處的電壓之補償單元，該電壓調整係足以補償該有機發光二極體的劣化程度。 19·一種用於驅動一個有機發光顯示裝置之方法，該方法係包括：在一掃描信號被供應至一掃描線時，經由一資料線在個第一電晶體中接收一資料信號；在一個儲存電容器中儲存一對應於該資料信號的電 39 200822043 壓，該儲存電容器係耦接至一古斂们弟一電日日體的閘極電極；调正在一個回授電客哭 —# 在-個有機笋光 y一個弟一端子處之電麼成為 … 極體的陽極電極處之電麼，該回授電容為具有一個耦接至該第― 以及安芏a弟-電晶體的閘極電極之第二端子；〃止雀化$虎’因而該回授電容器的第一端子處之甩1係被增高至一個電壓源的電壓位準。 2〇·如申請專利範圍第19項之用於職叙加士顯示裝置之方“… -個有機發光 / ，，、中该第二電晶體係相關於在該第二電 :體轉電極處之電壓來控制一從一個第一電源經由；有機發光一極體至一個第二電源的電流量。每-2二如：：專利範圍第19項之用於驅動-個有機發光二去’其中該電壓源的電壓位準是高於在該有 X " —亟體的陽極電極處的電壓並且低於該電壓。不电辟、的 …22·如巾請專利範圍第19項之用於驅動—個有機 ’1Γ=置之方法，其中增加在該回授電容器的第一端子處之電壓係包含在該掃描信號的供應期間電性地斷開該第2 電晶體以及該有機發光二極體的連接。申明專利範圍第19項之用於驅動一個有顯示裝置之方法，其中在該有機發光二極體的陽極電極户之電壓是该有機發光二極體的臨界電壓。 40