TW200820816A - Pressure sensor and manufacturing method therefor - Google Patents

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200820816 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於諸如電容式麥克風（或矽電容器麥克風）之 藉由半導體設備製造過程製造的壓力感測器。本發明亦係 關於壓力感測器之製造方法。 本申請案主張對曰本專利申請案第2〇〇6_189〇21號、曰 本專利申請案第2006-196578號及日本專利申請案第2006_ 211889號之優先權，該等案之内容以引用的方式併入本文 中。 【先前技術】 按照慣例，已開發出諸如矽電容器類型之壓力感測器及 電谷式麥克風的各種類型之壓力感測器，其可藉由半導體 叹備製造過程而製造。矽電容器類型之壓力感測器的一典 型實例由一歸因於壓力變化而振動的振動膜、一經由諸如 工氣之；I電質與振動膜相對定位的板及一空氣腔（或空腔） 所構成。形成於振動膜與板之間的靜電電容歸因於振動膜 之振動而變化。壓力感測器將靜電電容之變化轉換為電信 號。空氣腔釋放干擾振動膜之振動的内部壓力變化。因 可犯藉由増大空氣腔之體積來改良壓力感測器之 特性。 則出 —曰本專利申請公開案第2004-537182號教示一小型矽電 备式麥克風，其中在基板之凹部與覆蓋該凹部之振動獏之 成二腔，其中凹部之内壁經形成為垂直於振動 因此，都+日日 Λ 々之開口不可增大以大於形成振動膜之薄膜， 、 120169.doc 200820816 很難形成具有相對較大之體積的空腔。日本未審查專利申 请公開案第2004-356707號教示一電容式麥克風，其中藉 由振動膜及形成於基板中之通孔的内壁來形成一空腔，其 中通孔以一在與板相對之方向上直徑增大的楔形形狀形 成以使付玉腔之體積可增大至大於前述小型石夕電容式麥 克風之空腔的體積。通孔之楔形形狀係使用矽晶格面板來 形成的；因此，其楔形角恆定。此視形成振動膜之薄膜的 大小而限定空腔之體積；因此，很難在不增大麼力感測器 之大小的情況下增大空腔之體積。 在曰本專利申請公開案第2004-537182號所教示之電容 弋夕克風中（其中空腔具有恒定體積），當增大空腔體積以 改良低頻率特性時，高頻率特性降級，而當減小空腔之體 積以改良高頻率特性時，低頻率特性降級。 在曰本未審查專利申請公開案第2⑽4_3567〇7號所教示 之電容式麥克風中，遵照振動膜之二維形狀而形成一通 孔。此係因為，通孔在濕式蝕刻過程期間用作一用於引入 蝕刻各液之引入路徑，在濕式蝕刻過程中移除形成振動膜 之薄膜與鄰近通孔之基板之間的犧牲膜之規定部分，以便 在基板之通孔上方形成振動膜。在濕式蝕刻過程中，藉由 濕式蝕刻自基板選擇性移除形成於基板上之犧牲膜的一部 为’因此形成電容式麥克風之規定部分。 歸口於开/成於與振動膜相對之基板背側中的開口之形 狀，可能在濕式蝕刻過程期間產生氣泡從而完全覆蓋基板 背側之開口，因此防止蝕刻溶液進入通孔申。由於前述電 120169.doc 200820816 谷式麥克風之基板之背侧的開口具有遵照振動膜之二維形 狀的圓形形狀，因此歸因於均勻施加至具有半圓形形狀之 氣泡上的表面張力，氣泡可能易於殘留在開口中。此使得 有必要在前述電容式麥克風中人工擊破殘餘氣泡，此因此 遭受製造過程之複雜性。 【發明内容】

本發明之一目標係提供一種壓力感測器，亦即，可藉由 半導體設備之製造過程來製造的電容式麥克風。 本發明之另一目標係提供一種具有相對較大之空腔體積 的壓力感測器及一種其製造方法。 、 本發明之再一目標係提供一種在低頻率特性及高頻率特 性方面有所改良的壓力感測器及一種其製造方法。 本發明之再一目標係提供一種可藉由簡單之製造方法來 製造的壓力感測器。 在本發明之第一態樣中，力感測器包括：一板， ，具有-固定電極；-振動膜，其具有—經定位為與該固 疋電極相對之移動電極，該振動膜歸因於施加至1之塵力 變：而經受移位；及一支標物，其具有—形成一第一空腔 之第一内壁，該板之末端部分固定於其中，及一第二内 壁，其中相對於該第-内壁在該振動膜之一厚度方向上形 成-梯型部分且該第二内壁形成一第二空腔，㈣二空腔 之在該振動膜之平面方向上的職面積大於該第之 橫截面積。亦即，在該振動膜之平面方向i，第二空腔之 橫截面積間斷擴大以大於第―空腔之橫截面積，且板:末 120169.doc 200820816 端部分固定至形成第一空腔之第一内壁。此使得可能增大 疋力感測器之空腔的總體積，而無需受到歸因於板在其平 面方向上之大小的限制且無需擴大壓力感測器之總大小。 在上文中，第二空腔之在振動膜之平面方向上的橫截面 積藉由梯型部分而在與板相對之方向上擴大，該第二内壁 在忒振動膜之厚度方向上形成該梯型部分；因此，可能增 大壓力感測器之空腔的總體積。 在壓力感測器之製造方法中，將_形成該具有固定電極 之板的溥膜及一形成該振動膜之薄膜沈積於一基板之一第 :表面上；在該基板之一與該第一表面相對的第二表面上 形成n第—開口之第_遮罩；在該基板之該第二表 面亡形成一具有一第二開口之第二遮罩，丨中該第二遮罩 覆蓋㈣-遮罩以使得恰位於形成該板之薄膜上方的基板 之規疋部分在該第二開口中曝露；藉由使用該第二遮罩對 在該第二開口中曝露之基板執行各向異性蝕刻來形成一凹 /移除忒第一遮罩；接著，使用該第一遮罩對在該第一 開口中曝露之基板執行各向異性㈣錢得移除該凹部之 底：’因此在該基板中形成一形成該空腔之通孔。 田使用4第_遮罩對具有該第：開σ之基板執行各向異 4 ¥在基板中形成凹部。當使用第一遮罩對在第一 開口中曝露之基板的凹部及其周邊部分執行各向異性餘刻 以使得移除凹部之底部時，在基板中於其厚度方向上形成 於幵q Γ 6之通孔。該第三開σ經受圖案化以使得恰位 ' 反之薄膜上方的基板之規定部分曝露；因此，完成 120169.doc 200820816 通孔之形成後，形成板之薄膜的剩餘部分仍沈積在基板 、Q ’可此藉由在基板中形成具有梯型部分之通孔來 製造具有相對較大之空腔體積的壓力感測器。 可以一方式修改該製造方法以使得在將形成板之薄膜及 . 开/成振動膜之薄膜沈積在基板之第一表面上I，在該基板 之與該第一表面相對的第二表面上形成一遮罩，其中該遮 •罩=有一用於曝露恰位於該形成板之薄膜上方的該基板之 規定部分的第一開口及一具有一沿著該第一開口之周邊之 細缝狀形狀的第二開口；使用該遮罩對在第一開口及第二 開口中曝露之基板執行各向異性蝕刻，因此在該基板中形 成一對應於該第一開口之孔洞及一對應於該第二開口之凹 部，接著，移除該孔洞與該凹部之間的一壁，因此在該基 板中形成一形成空腔之通孔。 當使用具有第一開口及第二開口之遮罩執行各向異性蝕 刻以使得遵&基板之第一開口开》成孔洞時，歸因於視態樣 φ 而定之蝕刻效應，遵照基板之第二開口相應地形成凹部。 接著，藉由移除孔洞與凹部之間的壁而在基板中形成具有 梯t ^刀之通孔。該弟一開口經受圖案化以便曝露恰位於 β 形成板之薄膜上方的基板之規定部分；因此，完成通孔之 • 形成後，形成板之薄膜的剩餘部分仍沈積在基板上。結 果，可能藉由在基板中形成具有梯型部分之通孔來製造具 有相對較大之空腔體積的壓力感測器。 在上文中，可能形成寬度在背離第一開口之方向上減小 的複數個第二開口，其中孔洞與其相鄰凹部之間的壁以及 120169.doc -10· 200820816 凹部之間的壁同時被移除。由於第二開口之寬度在背離第 開口之方向上減小，因此凹部（對應於第二開口）之深度 在月離帛開口之方向上減小。此實現了在基板中藉由移 除壁來形成具有多個梯型部分之通孔；因此，可能藉由在 基板中形成具有多個梯型部分之通孔來製造具有相對較大 之空腔體積的壓力感測器。 =上文中’該孔洞及該凹部各以一倒楔形形狀在自基板 之第二表面至第-表面的方向上形成，藉此，壁中較薄之 部分可㈣地自基板隔離以使得可易於自基板移除壁。 可以-方式進—步修改該製造方法以使得在將形成板之 薄膜及形成振動膜之薄膜沈積在基板之第一表面上後，在 該基板之與該第-表面相對的第二表面上形成一遮罩，其 中該遮罩具有1於曝露恰位於形成板之薄膜上方的基板 之規定部分的第一開口及一具有一互連至該第一開口之細 縫狀形狀的第二開口；接著’使用該遮罩對在第一開口及 第二開Π中曝露之基板執行各向異性㈣，因此在該基板 中形成一形成空腔之通孔。 當使用具有第-開口及第二開口之遮罩執行各向異性钱 刻以使得在基板中遵㈣1口形成孔洞時，因於㈣ 樣而疋之蝕刻效應而在基板中遵照第二開口形 狀形狀之凹部。該凹部互連至基板之孔润以使得通孔具= 一梯型部分。該第-開口經受圖案化以便曝露恰位於形成 板之薄膜上方的基板之規定部分；因此，在完成通孔之妒 成後，形成板之薄膜的剩餘部分仍沈積在基板上。因此/ 120169.doc • 11 - 200820816 可能藉由在基板中形成具有梯型部分之通孔來製造具有相 對較大之空腔體積的壓力感測器。 八 在本發明之第二態樣中，一種壓力感測器包括：一板， 其具有-固定電極；一振動膜’其具有一經定位為與該固 定電極相對之移動電極且該振動膜歸因於施加至立之壓力 /變化而經受移位；一支撑物，其具有一固定至板：末：部 ::内壁’其中自該支撐物之該内壁及該振動膜向内形成 :弟'空腔；及一用於形成一第二空腔之副空腔形成部 分，該第二空腔經由一具有一與該第一空腔連通之開口的 通路與該第一空腔連通。 當壓力變化之頻率增大時，振動膜回應於高頻率而經受 移位，以使得第一空腔之内部壓力以高頻率變化。此增大 了通路之空氣流的速度。當壓力變化之頻率降低時，^動 膜以低頻率經受移位，以使得第—空腔之内部壓力以低頻 率變化。此降低了通路之空氣流的速度。本文中，通路之 電阻回應於空氣流之速度而增大。出於此原因，當壓力變 化之頻率增大時，在第一空腔與第二空腔之間大體不會發 生空士流動；因此，可大體將壓力感測器之空腔的總體積 視作第空腔之體積。當壓力變化之頻率降低時，在第— 空腔與第二空腔之間發生空氣流動；因此可大體將壓力感 測器之空腔的總體積視作第一空腔之體積與第二空腔之體 積的總和。由於壓力感測器之m總體積回應於壓力變 化之頻率而變化’因此可能改良壓力感測器之高頻率特性 與低頻率特性兩者。 120169.doc -12- 200820816 2文中，副空腔形成部分配置於支撐物中，其中自支 另外、/]空腔形成部分形成複數個第二空腔及具有不同 電數個通路，該第_空腔經由該複數個通路而與該 等第一：腔連通’藉此可能藉由回應於所需要之輸出特性 ::別地叹疋通路之電阻來精密地調整壓力感測器之輸出特

此外’可⑪形成具有不同體積之複數個第二空腔。此使 得可能藉由回應於所需要之輸出特性個別地設定第二空腔 之體積來精密地調整壓力感測器之輸出特性。 在壓力感測器之製造方法中，將—形成板之薄膜及一形 成振動膜之薄膜沈積在-形成支撐物之基板的-第-表面 上；在該基板之一與該第一表面相對的第二表面上形成一 遮罩，其中該遮罩包括-用於曝露恰位於該形成板之薄膜 及該形成振動膜之薄膜上方的基板之規定部分的第一開 口、一具有一細縫狀形狀之第二開口及一具有一細縫狀形 狀之第三開口，該第三開口自該第一開口伸長至該第二開 口，且使用遠遮罩對該基板執行各向異性蝕刻以便形成一 遵照該基板之該第一開口的孔洞、一遵照該基板之該第二 表面上之該第二開口的第一凹部，及一遵照該基板之該第 二表面上之該第三開口的第二凹部，該第二凹部自該孔洞 伸長至該第一凹部，因此在該基板中形成一空腔形成部 分0 120169.doc •13· 200820816 在》亥遮罩中，第二開口及第三開口具有細縫狀形狀，且 第三開口自第一開口伸長至第二開口。當使用具有第一開 口、第二開口及第三開口之遮罩對基板執行各向異性蝕刻 以使得在基板中遵照第—σ形成孔洞時，歸因於視態樣 而定之蝕刻效應，可能對應於基板之孔洞而形成第一空

腔’且可能對應於第二開口及第三開口而在基板之第二表 面上形成副空腔形成部分（由第一凹部及第二凹部構成卜 亦即，藉由使用半導體設備製造過程之簡單過程，可能製 造一種壓力感測器，其具有第一空腔及經由通路而與第二 空腔連通的第二空腔。 外附帶言之’該製造方法可經修改以使得使用包括複數個 第二開Π之遮罩來對該基板執行各向異㈣刻從而在該基 板中形成複數個第-凹部；接著’移除彼此相鄰^位之第 1部之間的至少—壁。亦’可能藉由連接該等第一凹 部來增大第二空腔之體積。 在本發明之第三態樣争，一種壓力感測器包括··一基 板，其具有經定位為彼此相對之一第一表面及一第二= =，板，其具有一固定電極，其由一形成於該基板之該 弟-表面上的薄膜構成；一振動膜，其具有—經^位為盘 «定電極相對之移動電極且其由—形成於該基板之該第 表面上的；I膜構成且歸因於施加至其之魔力變化而經受 移位，自—薄膜構成之支撐物，其由—可藉由濕式餘刻 =該基板選擇性移除之材料構成且其形成於該基板之該 第表面上，其中該支撐物支撐該板以使得在該固定電極 120169.doc -14- 200820816 與該㈣電極之間形成一間隙；一通孔，其經形成以在該 ^旱度方向上牙㉟该基板從而曝s該振動膜且其具有 -遵，該振動膜之二維形狀而形成在該基板之該第一表面 上的第免’ 口及一形狀與該第一開口之形狀大體等同且形 成在該基板之該第二表面上的第m μ 成於該基板之該第二表面上且形成一位於該第二開口之周 邊之與忒第二開口連通的第三開口。 在上文巾’通孔及凹部藉由濕式餘刻形成蚀刻溶液之入 二中通孔在基板之第二表面上遵照振動膜之二維形狀 形成第二開口’且凹部在基板之第二表面上形成自第二開 口之周邊向外突出的第三開口。亦即，第二開口及第三開 口在該基板之該第二表面上形成蝕刻溶液之一入口。即使 當在濕式_期間產生氣泡從而完全覆蓋位於基板之第二 表=上以口時，表面張力亦歸因於該第三開口而不均勻 地分布至氣泡’以使得氣泡可輕易地破裂，藉此可能簡化 壓力感測n之製造過程。由於使用凹部（其開口不在基板 之第一表2中）形成基板之第二表面的第二開口，因此僅 在基板之第—表面上遵照振動膜之二維形狀形成第一開 口；因此，可能防止壓力感測器之輸出特性降級。 該壓力感測ϋ可經修改以除了基板、板、振動膜及支撐 物以外還包括第-通孔及第二通孔’其兩者均經形成以在 基板之厚度方向上穿過基板。曝露振動膜之第一 一遵照該振動膜之二維形狀而形成在基板之第一表面上的 第一開口及一形狀與第-開口之形狀大體等同且形成在基 120169.doc -15- 200820816 板之第二表面上的第二開口。第二通孔在基板之第一表面 上形成一位於該第一開口之周邊的與該第一開口連通之第 1且在w亥基板之弟一表面上形成一形狀與第三開口之 形狀大體等同的第四開口。 在上文中，第一通孔及第二通孔藉由濕式蝕刻而形成蝕 刻/合液之一入口，其中第一通孔在基板之第二表面上遵照 ㈣膜之二維形狀形成第二開口，而第二通孔在基板之第 • 表面上开乂成與第一開口之周邊連通的第四開口。基板之 第一表面的第二開口及第四開口形成蝕刻溶液之一入口。 即使虽在濕式餘刻期間產生氣泡從而完全覆蓋入口時，表 ㈣力亦歸因於該第四開口而不均勻地分布至氣泡；因此 氣泡可輕易地破裂。此簡化了壓力感測器之製造過程。另 卜$通孔及第二通孔在基板之第一表面上形成第一開 第一開口，其中第一開口基本遵照振動膜之二維形狀 來成形。此使得可能藉由適當設計形成第三開口之第二通 • 孔的形狀來防止壓力感測器之輸出特性降級。 在壓力感測器之-製造方法中，使用—可自基板選擇性 ㈣之材料藉由濕式蝕刻而在一基板之一第一表面上沈積 /A支撐物之犧牲冑；在該犧牲膜上沈積一形成振動膜 之薄膜；在該基板之一與該第一表面相對的第二表面上形 成-遮罩，其中該遮罩具有一第一開口，該第一開口遵照 该振動膜之二維形狀形成以曝露恰位於該薄膜上方之該基 的規定口P刀’及一具有一自該第一開口之周邊向外伸長 之細縫狀形狀的第二開口；使用該遮罩對基板執行各向異 120l69.doc -16- 200820816 性钱刻以便形成-對應於該基板之該第―開口的通孔及一 對應於該基板之㈣二開口的凹部；，使用—自該基 板之通孔供應之蝕刻溶液來執行濕式蝕刻，以便選擇性移 除該犧牲膜。 該製造方法可經修改’錢得使㈣料對基板執行各 向異性蚀刻從而形成一對應於基板之第一開口的第一通孔 及一對應於基板之第二開口的第二通孔；接著，使用一自 該基板之帛if孔及第二通孔供應之姓刻溶液來執行濕式 餘刻’以便選擇性移除犧牲膜。 【實施方式】 將參看附圖藉由實例更詳細地描述本發明。 1 ·第一實施例 圖1A及圖1B展示電容式麥克風丨之構造，諸如藉由半導 體設備製造過程製造之矽電容器麥克風及將傳輸至板以之 聲波轉換為電信號的壓力感測器。 電谷式麥克風1之感測部分具有一由一基板1〇、一第一 膜、一第二膜、一第三膜及一第四膜構成的層合結構。基 板10為一單晶矽基板，其中在厚度方向上形成一具有一梯 型部分之通孔12。 第一膜係由二氧化矽構成之絕緣薄膜。第一膜將第二膜 支撐於基板10之上以便在振動膜20與基板1〇之間形成一間 隙。在第一膜中形成一圓形開口13。 第二膜係由摻有磷雜質（P)之多晶矽構成的傳導薄膜。 第二膜之未固定至第三膜的規定部分形成振動膜2〇。振動 120169.doc -17- 200820816 膜20未固定至第一膜或第三膜’其中其用作一歸因於聲波 而振動的移動電極。振動膜2G具有—覆蓋第—膜之開⑼ 的圓形形狀。 與第-膜類似，第三膜係由二氧化石夕構成之絕緣薄膜。 第三膜使第四膜與具有傳導性之第二膜絕緣以便將第四膜 支撐於第—膜之上。在第三膜中形成—圓形開口

_第一膜^似，第四膜係由摻有磷雜質0)之多晶矽構 成的傳導薄膜。第四膜之未固定至第三膜的規定部分形成 一板21。在板21中形成複數個孔洞22。 一支撐物23由基板10、第一膜、第三膜、第二膜及第四 膜之未固疋至第二膜的規定部分構成。在支撐物23中形成 由第一空腔41及第二空腔42構成之背部空腔4〇。背部空 腔4〇在與聲波之傳播方向相對的方向上釋放施加至振動膜 20之壓力。自基板1〇之内壁12a(其定位在鄰近板21之處）向 内且自第二膜之開口丨3之内壁13a向内形成第一空腔41。 自基板10之内壁12b(其定位在與板21相對之處）向内形成第 一空腔42。第二空腔42之位於振動膜20之平面方向上的橫 截面積大於第一空腔41之位於振動膜20之平面方向上的橫 截面積。以申請專利範圍之說法，基板10之内壁12a及第 二膜之内壁13a均界定為第一内壁，且基板1〇之内壁12b界 定為第二内壁。 將藉由圖1B所示之電路來描述電容式麥克風1之偵測部 分’其中振動膜2〇連接至偏壓源。特定言之，導線104及 導線106連接至偏壓源之端子102，其中導線1〇4連接至基 120169.doc -18 - 200820816 板10且導線106連接至第二膜以使振動膜2〇與基板1〇兩者 處於大體相同之電位。另外，板21連接至運算放大器100 之輸入端子。亦即，連接至運算放大器100之輸入端子的 導線⑽連接至第四膜。運算放大IIIGO具有高輸入阻抗。 接者，將描述電容式麥克風1之操作。當聲波經由板21 上之孔洞22傳輸至振動膜2G時，振動膜2()歸因於聲波而振 動。振動膜20之振動使得振動膜20與板21之間的距離發生 變化，因此改變形成於振動膜2〇與板21之間的靜電電容。 由於板21連接至具有高輸入阻抗之運算放大器100，因 此，不管振動膜20與板21之間的靜電電容之變化，極少量 存在於板21中之電荷向運算放大器1〇〇移動。因此，可假 疋存在於板21及振動膜2〇中的電荷可能不會改變。此使得 可月b將振動膜2〇與板21之間的靜電電容之變化解譯為板2置 之電位變化。因此，電容式麥克風1能夠基於振動膜20與 之間的極小之靜電電容變化來產生電信號。亦即，電 2式麥克風1將施加至振動膜2〇之聲壓的變化轉換為靜電 电合之k化，接著將該等靜電電容變化轉換為電壓變化， 基於此，回應於聲壓之變化而產生電信號。 接著，將參看圖2A至圖2F及圖3A至圖3F來描述電容式 麥克風1之製造方法。 在製化方法之第一步驟（亦即，圖2A所示之（A1)及圖2B 斤丁之（Bl))中’將第一膜5丨沈積在形成基板10之晶圓50上 (見圖1B)。亦即’藉由電漿化學氣相沈積（或電漿CVD)將 一氧化矽沈積在由單晶矽構成之晶圓5〇上，因此形成第一 120169.doc -19· 200820816 膜51。 接者’將第二膜52沈積在第一膜51上。亦即，藉由減壓 CVD將掺有叙多_沈積在第—心上，因此形成第二 :52。接著’將一光阻膜塗覆至第二膜52之整個表面；接 著，使用規定光阻遮罩藉由用於執行曝露及顯影之光微影 而形成4阻圖案。接著’ #由諸如反應性離子兹刻 WE)之各向異性蝕刻來選擇性移除第二膜”，因此形成 具有圓形形狀之第二膜52。

在製造方法之第二步驟（亦即，圖2C所示之（A2)及圖 所不之（B2))中，將-第二膜53沈積在第二膜“上。亦即， 藉由電漿CVD將二氧㈣沈積纟第二膜52上，因此 三膜53。 在製造方法之第三步驟(亦即，圖2E所示之(A3)及圖2f 所示之_)中’將第四膜54沈積在第三膜53上。亦即，藉 由減壓CVD將摻有填之多晶錢積在第三膜犯，因此形 成第四膜54。接著，將一光阻膜塗覆至第四膜“之整個表 面；接著，使用規定光阻遮罩藉由用於執行曝露及顯影2 光微影而形成-光阻圖案1著，藉由諸如咖之各^異 性蝕刻來選擇性移除第四膜54,因此形成具有圓形形狀及 複數個孔洞22之第四膜54。 在製造方法之第四步驟（亦即，圖3A所示之（A4)及圖把 所示之(B4))中’在與晶圓50之上面層合有第一膜51、口第二 膜52、第三膜53及第四膜54之第—表面5〇a相對的第二2 面50b上形成具有第一開口 55a的第一遮罩55。亦即，：： 120169.doc -20- 200820816 ❹黏著劑將由金屬構成之第一遮罩55黏著至晶圓5〇。黏 者劑較佳為有機黏著劑’且第—遮罩55較佳由鎳或鉻構 成。附帶言之，第-遮罩55可由任何類型之材料構成，只 要可連同第二遮罩56-起選擇性移除第一遮罩55便可。或 者’可藉由對晶圓50執行金屬電鍍來形成第一遮罩& 接著’在晶圓50之第二表面5〇b及第一遮罩”上形成具 有第二開口 56a之第二遮罩56。亦即，將光阻膜塗覆至盥 晶圓50之第二表面5〇b及第一遮罩55相對應的整個表面； 接耆，使用規定光阻遮罩藉由用於執行曝露及顯影之光微 影=形成第二遮罩56。本文中，第二開口 “a曝露了恰位 於弟二膜52及第四膜54上方之晶圓5〇之在第一開口 “a中 的規定部分。

在製造方法之第五步驟(亦即，圖3C所示之(A5)及圖3D 所不之(B5))中’使用第二遮罩％使晶圓5〇之自第二開口 ^向内曝露的規定部分經受各向異性餘刻，因此在晶圓 中形成_凹部6〇。亦即’藉由職则選擇性移除晶圓 5 0因此在晶圓5 0中形成凹部60。

在製造方法之第六步驟（亦即，圖3E所示之（A6)及圖3F 所示之肖中’移除第二遮罩56。亦即，藉由使用諸如 ΝΜΡ(亦即，ν·甲其。 土 _2- °比咯烷闕）之光阻剝離溶液來移除繁 二遮罩56。 ^ 接者’使用第一遮罩55使晶圓50之自第-開口 55a向内 “备的規疋#分經受各向異性餘刻，因此在晶圓^中形成 /、有梯型部分之通孔12。，亦即，·藉纟深度腿選擇性移除 120169.doc -21- 200820816 晶圓50以使得凹部60之底部消失，因此在晶圓5〇中形成具 有梯型部分之通孔12。本文中，恰位於第二膜52及第四膜 54上方之第一膜51的規定部分自通孔12向内曝露。在完成 通孔12之形成後，第二膜52及第四膜54之剩餘部分仍沈積 在晶圓50之第二表面5〇b之一開口的周圍區域中。 接著，使用諸如經緩衝之氫氟酸（或經緩衝之HF)的餘刻 /谷液藉由各向同性蝕刻（例如，濕式蝕刻）或藉由各向同性 钱刻與各向異性蝕刻之組合來選擇性移除均為氧化矽膜之 第膜51及第二膜53。本文中，經由第四膜54之孔洞22及 晶圓50之通孔12來供應蝕刻溶液以便溶解第一膜51及第三 膜53。藉由適當地設計孔洞22及通孔12之形狀及配置，可 能在第一膜51中形成開口 13且在第三膜53中形成開口 15。 因此，可能形成由振動膜20、板21及支撐物23構成之感測 部分（見圖1A及圖1B)。 此後，執行諸如切割及封裝之其他步驟以便完全製成電 容式麥克風1。 可以多種方式來修改該第一實施例；因此，下文中將描 述變化形式。 (a)第一變化形式 圖4A及圖4B展示根據第一實施例之第一變化形式的電 谷式麥克風2之構造。電容式麥克風2之感測部分與電容式 麥克風1之感測部分在基板1〇之形狀方面有所不同。特定 言之，在電容式麥克風2之基板10中形成一具有多個梯型 部分之通孔212。本文中，支撐物223由基板1〇、第一膜、 120169.doc -22- 200820816 第二膜及第二膜之未固定至第三膜的規定部分與第四膜之 未固定至第三膜的規定部分構成。 在支撐物223中形成一由第一空腔241及第二空腔242構 成之背部空腔240。自基板10之内壁212a(其定位在鄰近板 21之處）向内且自第二膜之開口13之内壁i3a向内形成第一 空腔241。自基板10之内壁212b(其定位在與板21相對之處） 向内形成第二空腔242。基板1〇之内壁212b形成一位於振 動膜20之厚度方向上的梯型部分。因此，第二空腔242之 位於振動膜2〇之厚度方向上的橫截面積在背離板21延伸之 方向上間斷擴大。以申請專利範圍之說法，基板丨〇之内壁 212a及第二膜之内壁13a均界定為第一内壁，且基板1〇之 内壁212b界定為第二内壁。 電容式麥克風2之偵測部分與電容式麥克風1之偵測部分 大體等同。因此，電容式麥克風2之操作與電容式麥克風1 之操作大體等同。出於方便之目的，將省略關於電容式麥 克風2之操作的詳細描述。 接著，將參看圖5A至圖5H描述電容式麥克風2之製造方 法。 與電容式麥克風1之製造方法類似，在電容式麥克風2之 製乂方法的第一步驟（亦即，圖5A所示之（A1)及圖5B所示 之（B1))中，將第一膜51、第二膜52、第三膜53及第四膜54 沈積在晶圓50之第一表面50a上。 接著’在晶圓50之第二表面50b上形成具有開口 255a、 開口 255b、開口 255c及開口 255d之遮罩255。亦即，將光 120169.doc -23- 200820816 阻膜完全地塗H $ a pi crk .. 土復至日日圓50之第二表面5〇b;接著，使用規 定光阻遮罩藉由用於勃< # 、 丁 路及，、、、員衫之光微影而形成遮罩 255^開π 255a具有—圓形形狀，其曝露了恰位於第二膜 52及第四膜54上方之晶圓5〇的規定部分。各具有環形形狀 之開口 255b、開口 255c及開口 255d在開口 255&之圓周周邊 上依f擴展。環形形狀之開口 255b、開口 255c及開口 255d - 中的每一者形成一細缝，該細縫之在徑向方向上的寬度小 於開口 255a之直徑。蓉於徑向方向，開口⑽之寬度小於 開口 255c之寬度；且開口 255d之寬度小於開口加之寬 度。 在製造方法之第二步驟（亦即，圖sc所示之（A2)及圖5D 所示之（B2))中’使用遮罩255使晶圓50經受各向異性钱 刻，因此在晶、圓50中形成一孔洞26〇以及凹部261、凹部 262及凹部263。特定言之，藉由諸如深度RIE之各向異性 蝕刻來選擇性移除晶圓50之自遮罩255曝露的規定部分。 φ 連續執行各向異性蝕刻直至孔洞260完全形成以在位置上 匹配晶圓50中之開口 255a為止。開口 255b、開口 255c及開 口 25 5d之在徑向方向上之寬度中的每一者小於開口 255&之 直么。％因於視恶樣而定之兹刻效應，凹部2 61、凹部2 6 2 ，及凹部263經分別形成以在位置上匹配晶圓5〇中之開口 2 5 5 b、開口 2 5 5 c及開口 2 5 5 d。由於在徑向方向上，開口 255c之寬度小於開口 25 5b之寬度，因此在晶圓5〇之厚度方 向上，凹部262之深度小於凹部261之深度。由於在徑向方 向上，開口 255d之寬度小於開口 255c之寬度，因此在晶圓 120169.doc -24- 200820816 之厚度方向上，凹部263之深度小於凹部262之深度。 如圖5E及圖5F所示，在孔洞260與凹部261之間形成一壁 271 ;在凹部261與凹部262之間形成一壁272 ;且在凹部 262與凹部263之間形成一壁273。如圖5G及圖讯所示而移 除壁27卜壁272及壁273。特定言之，使由單晶梦構成之 晶圓50的第二表面50b經受熱氧化，因此將壁η〗、壁η] 及壁273轉化為氧化矽；接著，使用諸如經缓衝之氫氟酸 的蝕刻溶液來執行濕式蝕刻以便選擇性移除壁271、壁272 及壁273 ’連同晶圓50之第二表面_的未經轉化部分'結 果’可能在晶圓50中形成具有多個梯型部分之通孔212, 其中恰位於第二膜52及第四膜54上方之第一膜”的規定部 分在通孔212中曝露。在完成通孔212之形成後，第二㈣ 及弟四膜54之剩餘部分仍沈積在晶圓5〇之第二表面遍之 開口的周圍區域中。 々在電容式麥克風2之製造方法之上述步驟後的步驟與電 谷式麥克風1之製造方法中的步驟大體等同。 (b)第二變化形式 在根據該第—實施例之第—變化形式的電容式麥克風2 之製造方法中，藉由轉化來選擇性移除晶圓5()之壁⑺、 壁272及壁273。’用於選擇性移除 上述過程。 “之過私不必限於 接著’將參考用於選擇性移除壁之過程來描述 一 實施例之第二變化形式的製造方法。 與電容式麥克風丨之製造方法類似， 很據弟一實施例 120169.doc -25- 200820816 之第二變化形式的電容式麥克風之製造方法之第一步驟 (亦即，圖6A所示之（A1)及圖6B所示之（B1))中，將第一膜 51、第二膜52、第三膜53及第四膜54沈積在晶圓5〇之第一 表面50a上。

接著，在晶圓50之第二表面5〇b上形成具有開口乃“及 開口 355b之遮罩355。亦即，將一光阻遮罩完全地塗覆至 晶圓50之第二表面通；接著M吏用規定光阻遮罩藉由用 於執行曝露及顯影之光微影而形成遮罩355。開口 35化具 有一圓形形狀，其曝露了恰位於第二膜52及第四膜“上^ 之晶 圓50的規定部分。開口 具有一 形成於開口 355a之 圓周周邊的環形形狀，其中關^ # ，、T閉口 355b形成一細縫，該細縫 之在控向方向上的寬度小於開口 3 5 5&之直徑。 在製造方法之第二步驟(亦即，圖6C所示之(A2)及圖仍 所不之（B2))中，使用遮罩355使晶圓5〇經受各向異性餘 刻，因此在晶圓50中形成一孔洞36〇及一凹部361'。'孔洞 360及凹部361中之每一者以一倒楔形形狀形成，該倒楔形 形狀在垂直方向上自晶圓5()之第二表面渴向第一表面他 延伸。特定言之’ ϋ由諸如深度RIE之各向異性餘刻選擇 性移除晶圓50之自遮罩355曝露的規定部分。以一方式執 仃各向異性蝕刻以使得孔洞36〇經完全形成以在位置上匹 配晶圓50之開口 355a。藉由調整蝕刻條件，可能形成各具 有一倒楔形形狀之孔洞36〇及凹部361。舉例而言，在用於 側壁保護膜之低沈積條件下㈣晶圓5G;或者，在對經調 適以用於側壁保護膜之形成時間及㈣i時間進行調整的同 120169.doc -26 - 200820816 時蝕刻晶圓50。結果，形成於孔洞36〇與凹部⑹之間的壁 371之厚度在晶圓5〇中之自第二表面_向第一表面池的 垂直方向上逐漸減小。 在製造方法之第三步驟（亦即，圖6E所示之（A3)及圖纾 所不之（B3))中，移除晶圓5〇之壁371。亦即，使用諸如氫 氧化鉀（KOH)及氫氧化四甲基銨（TMAH)2蝕刻溶液使晶 圓50經文濕式蝕刻。在本文中，首先相較於其他部分將壁 371之較薄部分溶解，以使得壁371自晶圓5〇分離；接著， 將自晶圓50隔離之壁371完全溶解在蝕刻溶液中。結果， 可能在晶圓50中形成具有梯型部分之通孔12。用於將壁 371自晶圓50隔離之過程不必限於上述過程。舉例而言， 可藉由向壁371施加超音波或機械振動而將壁371自晶圓5〇 隔離。上述步驟之後的步驟與電容式麥克風1之製造方法 中的步驟大體等同。 (c)第三變化形式 圖7A及圖7B展示根據第一實施例之第三變化形式的電 容式麥克風4之構造。電容式麥克風4之感測部分與電容式 麥克風1之感測部分在基板10之形狀方面有所不同。形成 一具有梯型部分之通孔412且該通孔412在厚度方向上穿過 電容式麥克風4之基板1〇，其中該通孔412由一具有圓柱形 狀之孔洞400及以徑向方式形成於孔洞4〇〇之圓周周邊以便 與孔洞400直接連通的複數個凹部401所構成。一支撐物 423由基板10、第一膜、第三膜以及第二膜之未固定至第 二膜的規定部分及第四膜之未固定至第三膜的規定部分所 120169.doc -27- 200820816 構成。 在支撐物423中形成一由第一空腔441及第二空腔442構 成之月#空腔440。自孔洞4〇〇之内壁412a(其定位在鄰近 板21之處）向内且自第二膜之開口 13之内壁13a向内形成第 一空腔441。自内壁412b向内形成第二空腔442，該内壁 412b由孔洞4〇〇之定位在鄰近板以處之内壁及凹部之内 壁所構成。以申請專利範圍之說法，基板1〇之内壁4ih及

第二膜之内壁13a均界定為第一内壁，且基板1〇之内壁 412b界定為第二内壁。 電容式麥克風4之偵測部分與電容式麥克風丨之偵測部分 大體等同。電容式麥克風4之操作與電容式麥克則之操作 大體等同。因A ’將省略關於電容式麥克風4之操作的詳 細描述。 接著，將參看圖8A及圖8B描述電容式麥克風4之製造方 法。 與電容式麥克風1之製造方法類似 斤一 w彳狄 矛一膘51、第二膜 52、第三膜53及第四膜54形成於晶圓5()之第—表面… 上。 接著，在晶圓50之第二表面5〇b上形成具有一開口伽 及複數個開口 455b的遮罩455。亦即，將—光阻膜完全地 ，覆至晶圓50之第二表面5〇b;接著，使用規定光阻遮單 藉由用於執行曝露及_之光微影㈣成遮罩。開口 455a具有一圓形形狀，其曝露了恰位於第二膜似第二臈 54上方之晶圓50的規^部分。開口他形成以徑向方式自 120169.doc •28- 200820816 開口 455a伸長之細縫。位於開口 455a之圓周方向上的開口 455b之寬度中之每一者小於開口 455&之直徑。 接著，使用遮罩455使晶圓50經受濕式蝕刻，因此在晶 圓50中形成通孔412。特定言之，藉由諸如深度11比之各向 異性蝕刻來選擇性移除晶圓5〇之自遮罩455曝露的規定部 分。以一方式執行各向異性蝕刻以使得孔洞4〇〇經完全形 成以在位置上匹配晶圓5〇之開口 455a(見圖7A及圖7B)。位 _ 於開口 455a之徑向方向上的開口 455b之寬度中之每一者小 於開口 455a之直徑。歸因於視態樣而定之蝕刻效應，凹部 401經形成以在位置上匹配晶圓5〇之開口 455b。結果，可 能在晶圓50中形成具有一梯型部分之通孔412，其由孔洞 4〇〇及複數個凹部401構成，其中恰位於第二膜52及第四膜 54上方之第一膜51的規定部分在通孔412中曝露。在完成 通孔412之形成後，第二膜52及第四膜54之剩餘部分仍沈 積在晶圓50之第二表面50b之開口的周圍區域中。 φ 上述步驟之後的步驟與電容式麥克風1之製造方法中的 步驟大體等同。 第一實施例及其變化形式經設計以使得，自振動膜2〇之 . 平面方向上看，第二空腔之橫截面積與第一空腔之橫截面 ‘ 積相比迅速增大；且振動膜20與板21之末端部分固定至第 一空腔之内壁。因此，可能增大背部空腔之體積，而無需 受到歸因於振動膜20及板21之大小的限制且無需增大電容 式麥克風之總大小。 在第一變化形式中（見圖4A及圖4B)，自振動膜2〇之平面 120169.doc •29- 200820816 :、看第一工腔242之橫截面積在與板21相對之方向 —以逐步之方式擴大。由於自振動膜之平面方向上看， :-空腔242之橫截面積在與板叫目對之方向上間斷性擴 ，因此可能增大背部空腔240之體積。 (d)其他變化形式 弟一實施例及其變化形式係各針對電容式麥克風，該電 -式麥克風為壓力感測器之一實例。當然，可將第一實施

例應用於摘測除聲壓以外之各種種類之壓力的其他類型之 壓力感測器。 第一實施例及其變化形式係各針對電容式麥克風，1中 振動膜20與板21兩者均具有圓形形狀，該等圓形形狀之圓 周周邊〜全固定至支樓物。由振動膜及板構成之電容式麥 克風的感測部分不必限於上述結構。舉例而言，振動膜及 板之末端部分可部分固定至支撐物。特定言之，可將振動 膜之兩個㈣㈣至切物；或者，可㈣臂方式將振動 膜固定至支撐物。振動膜及板之形狀不必限於圓形形狀。 特定言之’振動膜及板可以多邊形形狀形成。可將板（而 2振動膜）定位在接近背部空腔之處。振動臈不必直接固 定至支撐物。特定言之，振動膜可以下垂之方式附接至 板；或者，可由板支撐振動膜。 第一實施例及其變化形式各經設計以使得在基板i 〇中形 成一具有實現矩形梯型部分之梯型部分的通孔，但是不必 沿著支撐物之内壁形成矩形梯型部分。 在第一實施例、第一變化形式及第二變化形式中，形成 120169.doc -30- 200820816 第二空腔且在第一空腔之周邊擴大第二空腔，藉此可能部 分地在第一空腔外部擴大第二空腔。 可將電容式麥克風1之製造方法應用於電容式麥克風2之 製造中。在此情形中，有必要形成多層遮罩，其中層之數 目視形成於通孔12中之梯型部分的數目而定。在電容式麥 克風1之製造方法中使用一由第一遮罩55及第二遮罩56構 成之多層遮罩（見圖3A、圖3C及圖3E)，但可能使用一單層 光阻遮罩，其厚度視具有梯型部分之通孔12的總體形狀而 定。 可將電谷式麥克風2之製造方法應用於電容式麥克風1之 製造中。在此情形中，有必要在遮罩255中形成開口 255b、開口 255c及開口 255d，其中所有者在徑向方向上具 有相同之寬度。 電容式麥克風2之製造方法使用具有環形形狀之開口 255b、開口 255e及開口 255d之遮罩255，但可能形成各呈 帶狀形狀之開口 255b、開口 255c及開口 255d。 電容式麥克風2之製造方法可經修改，以使得可在遮罩 255中額外形成跨越開口 255b、開口 255〇及開口 25以的其 他細縫狀開口。在此情形中，對應於開口 255a、開口 255匕 及開口 255c之凹部的壁藉由對應於基板1〇中其他開口之凹 部而分離。此使得易於藉由濕式蝕刻來移除該等壁。 第二變化形式描述了電容式麥克風1之製造方法。當 然，第二變化形式可應用於電容式麥克風2之製造中。 在第三變化形式中，形成複數個凹部4〇1以與孔洞4〇〇連 120169.doc -31 - 200820816 通’但可此在孔洞4 0 〇之周邊形成單一凹部4 〇 1。 在第三變化形式中，複數個凹部4〇丨以徑向方式均勻分 布在孔洞400之外部；或者，可能將凹部4〇丨不均勻地分布 在孔洞400之周邊。 2.第二實施例 圖9以及圖10A及圖10B展示根據本發明之一第二實施例 的電容式麥克風1001之構造。電容式麥克風1〇〇1為藉由半 導體設備製造過程來製造之矽電容器麥克風，其中其將經 由板1022傳輸至其之聲波轉換為電信號。 電容式麥克風1001之感測部分具有一由一基板1010、一 第一膜、一第二膜、——第三膜及一第四膜構成的層合結 構。 基板1010為一單晶矽基板，其中在厚度方向上形成一孔 洞1011、一凹部1〇12及複數個凹部1〇13。凹部1〇12具有一 圍繞孔洞1011之環形形狀。凹部丨〇丨3中之每一者具有一線 性形狀，該線性形狀在孔洞1011之徑向方向上自孔洞ι〇ιι 向凹部1012伸長。 第一膜係由二氧化矽構成之絕緣薄膜。第一膜以一方式 將第二膜支撐於基板1 〇1 〇之上以使得在振動膜丨〇2〇與基板 1010之間形成一間隙。在第一膜中形成一具有圓形形狀之 開口 1014 〇 第二膜係由摻有磷（P)雜質之多晶矽構成的傳導薄膜。 第一膜之未固定至第三膜的規定部分形成振動膜i 020。振 動膜1020未固定至第一膜或第三膜；因此，其用作一歸因 120169.doc -32· 200820816 於聲波而振動的移動電極。振動膜1〇2〇具有一覆蓋第一膜 之開口 1014的圓形形狀。 與第-膜類❿，第三膜係由=氧化矽構成之絕緣薄膜。 第二膜使第二膜（具有傳導性）與第四膜絕緣以便將第四膜 支撐於第二膜之上。第三膜具有一具有圓形形狀之開口 1015、 與第二膜類似，第四膜係由摻有磷雜質之多晶矽構成的 傳導薄《。第四臈之未固定至第三膜的規定部分形成板 1022 ’其具有複數個孔洞1〇23。 一支撐物1024由基板1010、第一膜、第三膜以及第二膜 之未固疋至第二膜的規定部分及第四膜之未固定至第三膜 的規定部分所構成。如圖9所示，支撐物1〇24形成一由一 第一空腔（或主空腔）1041及一第二空腔（或副空腔）1(M2構 成的背部空腔1040，該第二空腔1〇42經由通路1〇43而與第 一空腔1041連通。背部空腔104〇在與聲波之傳播方向相對 的方向上釋放施加至振動膜1020之壓力。自振動膜1〇2〇、 第二膜之開口 1014、基板1010之孔洞丨〇丨丨及上面安裝有電 谷式麥克風1001之印刷板1060處向内形成第一空腔。 自基板1010之凹部1012及印刷板1〇6〇處向内形成第二空腔 1042。以申請專利範圍之說法，基板1〇1〇之凹部1〇12及凹 部1〇13均界定為副空腔形成部分，且基板1〇1〇之孔洞1〇11 以及凹部1012及凹部1013全部界定為空腔形成部分。 接著’將參看圖10A所示之電路來描述電容式麥克風 1 00 1之偵測部分。振動膜1 〇2〇連接至一偏壓源。特定言 120169.doc -33- 200820816 之，連接至偏壓源之端子1102的導線1104及導線1106分別 連接至第二膜及基板1010，藉此使振動膜1020與基板1010 兩者處於大體相同之電位。板1022連接至運算放大器1100 之輸入端子。亦即，連接至具有相對較高輸入阻抗之運算 放大器1100之輸入端子的導線1108連接至第四膜。 接著，將詳細描述電容式麥克風1001之操作。當聲波經 由板1022之孔洞1 023經傳輸以便到達振動膜1 〇2〇時，振動 膜1020歸因於聲波而振動。歸因於振動膜1〇2〇之振動，振 動膜1020與板1022之間的距離發生變化以使得其間之靜電 電容發生相應變化。 由於板1022連接至具有相對較高輸入阻抗之運算放大器 1100，因此，即使當振動膜1〇2〇與板1〇22之間的靜電電容 赉生受化日$，亦有極少1存在於板1 Q22中之電荷向運算放 大器1100移動。亦即，假定存在於板1022及振動膜1〇2〇中 的電荷大體不會發生變化。此使得可能將振動膜1〇2〇與板 φ 1022之間的靜電電容之變化解譯為板1022之電位變化。結 果，電容式麥克風1001能夠基於振動膜1〇2〇與板1〇22之間 的極小之靜電電容變化來產生電信號。在電容式麥克風 1001中，施加至振動膜1020之聲壓的變化被轉換為靜電電 容之變化，接著將該等靜電電容變化轉換為電位變化，基 於此，回應於聲壓之變化而產生電信號。 背部空腔1 040之内部壓力（嗖背邱壓六 月邛M力）歸因於振動膜 1020之振動而發生變化。亦即，背部空腔ι〇4〇之體積顯著 影響振動膜1020之振動且因此影響電容式麥克風圆之輸 120I69.doc -34- 200820816 出特性。特定言之’可能藉由增大背部空腔1040之體積來 改良電容式麥克風1001之低頻率特性，同時可能藉由減小 背部空腔1040之體積來改良電容式麥克風1〇〇1之高頻率特 性。 允許第一空腔1041在背部空腔1040中與第二空腔1〇42連 通之通路1043的電阻回應於流經通路i 〇43之空氣的流速而 增大。隨著背部壓力之變化頻率歸因於具有高頻率之聲波 而增大（換言之，隨著振動膜1020之移位頻率歸因於具有 高頻率之聲波而增大），大體無空氣在第一空腔1〇41與第 二空腔1042之間流動。此指示，可將背部空腔1〇4〇之體積 大體上視作第一空腔1 〇41之體積。相反，隨著背部壓力之 變化頻率歸因於具有低頻率之聲波而降低（換言之，隨著 振動膜1020之移位頻率歸因於具有低頻率之聲波而降 低），空氣在第一空腔1 〇41與第二空腔！ 〇42之間充分地流 動。此指示，可將背部空腔1〇4〇之體積大體上視作第一空 腔1(M1之體積與第二空腔1〇42之體積的總和。 由於背部空腔1〇4〇之體積大體上回應於聲波之頻率而變 化’因此可能改良電容式麥克風丨〇〇〗中之低頻率特性與高 頻率特性兩者。亦即，可藉由適當地設定第一空腔1041之 體積、第二空腔1042之體積及通路1〇43之電阻來調整電容 式麥克風1001之輸出特性。可藉由適當地設定形成於基板 1010中之凹部1013的長度、寬度及深度來設定通路1043之 電阻。在基板101〇之厚度方向上，凹部1〇13之深度不必小 於凹部1012之深度。如圖10A及圖10B所示，在孔洞1011 120169.doc -35- 200820816 之裎向方向上量測凹部1〇13之長度；在孔洞1〇11之圓周方 向上量測凹部1〇13之寬度；且在基板1〇1〇之厚度方向上量 測凹部1 〇 13之深度。 接著，將參看圖11A至圖11F及圖12A至圖12D來描述電 容式麥克風1001之製造方法。 在製造方法之第一步驟（亦即，圖11A所示之（A1)及圖 11B所不之（Β1))中，將第一膜1〇51沈積在一用作基板 # 之晶圓1050上（見圖10Α及圖10Β)。特定言之，藉由電漿 VD將一氧化石夕沈積在單晶石夕晶圓1〇5〇上，因此形成第一 膜 1051 〇 接著，將第二膜1052沈積在第一膜1〇51上。亦即，藉由 減壓CVD將摻有磷之多晶矽沈積在第一膜1〇51上，因此形 成第二膜1052。接著，將一光阻膜塗覆至第二膜1〇52之整 個表面；接著，使用規定光阻遮罩藉由用於執行曝露及顯 影之光微影而形成一光阻圖案。接著，藉由諸如rie(亦 φ 即，反應性離子蝕刻）之各向異性蝕刻來選擇性移除第二 膜1052 ’因此以圓形形狀來使第二膜1〇52成形。 在製造方法之第二步驟（亦即，圖11C所示之（A2)及圖 11D所示之（B2))中，將一第三膜1〇53沈積在第二膜 上。特定言之，藉由電漿CVD將二氧化矽沈積在第二膜 1052上，因此形成第三膜1〇53。 、 在製造方法之第三步驟（亦即，圖11E所示之（A》）及圖 UF所示之（B3))中，將第四膜1054沈積在第三膜1〇53上。 特定言之，藉由減壓CVD將摻有磷之多晶矽沈積在第三膜 120169.doc -36- 200820816 1053上，因此形成第四膜1〇54。接著，將一光阻膜塗覆至 第四膜1054之整個表面；接著，使用規定光阻遮罩藉由用 於執行曝疼及顯影之光微影而形成一光阻圖案。接著，藉 由諸如RIE之各向異性蝕刻來選擇性移除第四膜1〇54，因 此使具有圓形形狀及複數個孔洞1〇23之第四膜1〇54成形。 在製造方法之第四步驟（亦即，圖12A所示之（A#)及圖 12B所示之（B4))中，在與晶圓1〇5〇之上面層合有第一膜 1051、第二膜1052、第三膜1〇53及第四膜⑺“之第一表面 1050a相對的第二表面1〇5〇b上形成一具有一第一開口 1055a、一第二開口 1〇5 5b及複數個第三開口 1〇55c的遮罩 1055亦即’將一光阻遮罩塗覆至晶圓1〇5〇之第二表面 1050b的整個表面；接著，使用規定光阻遮罩藉由用於執 行曝路及顯影之光微影而形成遮罩1055。第一開口 i〇55a 具有一圓形形狀’其曝露了恰位於第二膜1〇52及第四膜 1054上方之晶圓1〇5〇的規定部分。第二開口 i〇S5b具有一 圍繞第一開口 10 5 5 a之周邊的環形形狀細縫。第三開口 10 5 5 c中之母一者為一細缝，該細縫之寬度小於細缝形第 一開口 l〇55b之寬度。以徑向方式在自第一開口 1〇55&至第 二開口 105 5b之方向上伸長第三開口 1〇55c。舉例而言，第 二開口1〇5 51)之寬度在10]11至1〇〇0111(較佳自1(1111至7〇羚|11) 之範圍内；且第三開口 1〇5 5c之寬度在1 μπι至50 μιη(較佳 自1 μηι至40 μπι)之範圍内。在圖1〇Α及圖ι〇Β所示之電容 式麥克風1001中’在第一開口 1〇55a之徑向方向上量測第 二開口 1055b之寬度；且在第一開口 1〇55&之圓周方向上量 120169.doc -37- 200820816 測第三開口 1055c之寬度。 在製造方法之第五步驟（亦即，圖12C所示之（A5)及圖 12D所示之（B5))中，使用遮罩1〇55對晶圓1050執行各向異 性蝕刻以便在晶圓1050中形成孔洞1 〇 11以及凹部1 〇 12及凹 部1013。特定言之，藉由諸如深度RIE之各向異性蝕刻來 選擇性移除晶圓1050之自遮罩1055曝露的規定部分。本文 中，第二開口 l〇55b之寬度及第三開口 l〇55c之寬度均小於 第一開口 1055a之直徑；且第三開口 1〇55c之寬度小於第二 開口 1055b之寬度。歸因於視態樣而定之蝕刻效應，應用 於晶圓1〇5〇之第二開口 1〇55b及第三開口 l〇55c的蝕刻速度 變得恢於應用於第一開口 1 〇 5 5 a之餘刻速度。另外，應用 於第三開口 l〇55c之蝕刻速度變得慢於應用於第一開口 1 〇5 5a之姓刻速度。此外，應用於第三開口 1〇55〇之蝕刻速 度變得慢於應用於第二開口 1055b之蝕刻速度。結果，凹 部1012遵照晶圓1〇5〇之第二開口 i〇55b而形成。另外，深 度小於凹部1012之深度的凹部1013遵照晶圓1050之第三開 口 1055c而形成。 接著’藉由使用諸如NMP(亦即，N-甲基-2-吡咯烷酮）之 光阻剝離溶液來移除遮罩1 055。 接著’使用諸如經緩衝之氳氟酸的蝕刻溶液藉由各向同 性濕式钱刻或藉由各向同性蝕刻與各向異性蝕刻之組合來 選擇性移除均為氧化矽膜之第一 膜1051及第三膜1053。此 日寸’經由第四膜1〇54之孔洞1〇23及晶圓1〇5〇之孔洞1〇11來 供應餘刻溶液，因此溶解第一膜1051及第三膜1〇53。藉由 120169.doc -38 - 200820816 適當地設計孔洞1023及孔洞1011之形狀及配置而在第一膜 10S1中形成開口 1014且在第三膜10S3中形成開口 1〇15，因 此形成振動膜1020、板1022及形成電容式麥克風1〇〇1之感 測部分的支撐物1024(見圖9)。 此後’藉由切割及封裝步驟來完全製成電容式麥克風 1001。 (a)第一變化形式 可以多種方式來修改電容式麥克風1001之製造方法。將 苓看圖13A至圖13D來描述製造方法之第一變化形式。 類似於上述製造方法，將第一膜1〇51、第二膜1〇52、第 三膜1053及第四膜1〇54沈積在晶圓1050之第一表面1〇5〇a 上。 在製造方法之第一步驟（亦即，圖丨3 A所示之（A丨）及圖 13B所示之（B1))中，在晶圓1〇5〇之第二表面1〇5补上形成 一遮罩1Z55。在遮罩1255中於第一開口 1〇55a之周邊形成 複數個第二開口 l〇55b。相鄰第二開口 1055b之間的距離小 於第一開口 1055a與第二開口 i〇55b之間的距離。特定言 之’第一開口 1055a與第二開口 1055b之間的距離大於20 μπι，且相鄰第二開口 1〇55b之間的距離小於2〇 。 接著’類似於上述製造方法，使用遮罩1255對晶圓1〇5〇 執行各向異性钱刻，因此在晶圓1〇5〇中形成孔洞1〇11及依 序圍繞孔洞1011之複數個凹部1212。相鄰凹部1212之間的 壁1272薄於孔洞1〇11與凹部1212之間的壁1271。 在製造方法之第二步驟（亦即，圖13C所示之（A2)及圖 120169.doc -39- 200820816 ⑽所示之（B2))中，移除相鄰凹部⑵2之間的壁1272 在晶圓刪中形成凹部咖，該凹部咖形成第二 购（見圖9及圖心）。特定言之，使單晶梦晶圓咖之第工 二表面Η)·經受熱氧化從而將壁1272轉化為氧切。接 者使用諸如紅緩衝之風氣酸㈣㈣液來執#% &㈣ 以便選擇性移除壁1272。

上述步驟之後的步驟與上述製造方法中之步驟大體等 同。在製造方法之第一變化形式中，在晶圓1〇5〇中以一方 式形成複脑凹部1212以使得壁1272變得薄於㈣η。本 文中’可進一步修改凹部i2i2之配置，只要可相對於壁 12 71選擇性移除相鄰凹部丨2丨2之間的壁！ 2 7 2便可。 (b)第二變化形式 根據第二實施例之第二變化形式的電容式麥克風之總體 構造與電容式麥克風1〇〇1之總體構造大體等同(除了支椤 物劃之成形以外）。支撐物购形成-由第—空腔^ 及與第-空腔1041連通之複數個第二空腔购構成的背部 工I。本文中，第二空腔1〇42經由具有不同電阻之複數個 通路购與第-空腔购連通。此電容式麥克風以一方式 製成以使得在晶圓10 5 0之第二表面1 〇鳩中形成孔洞 1011、各具有1孤形狀之複數個凹部1G12及自孔洞觀 延伸至凹部1 〇 1 2的凹部1 〇 i 3。 可此藉由回應於所需要之輸出特性個別地設定通路丨043 之電阻來精密地調整電容式麥克風之輸出特性。該等第二 工11042中之所有者均具有相同體積，或其具有不同體 120169.doc 200820816 積。可能藉由個別地設定第二空腔之體積來精密地調整電 容式麥克風之輸出特性。 (C)其他變化形式 第二實施例及其變化形式係各針對用作壓力感測器之電 容式麥克風，但第二實施例可應用於偵測除聲壓變化以外 之壓力變化的其他類型之壓力感測器。 第二實施例及其變化形式係各針對電容式麥克風，其中 各具有圓形形狀之振動膜1020及板1022的整個圓周固定至 支撐物，但在由振動膜及板構成之電容式麥克風之感測部 分的構造方面，第二實施例不必受到限制。舉例而言，振 動膜之一末端及板之一末端可固定至支撐物。另外，可將 振動膜之兩個末端固定至支撐物；或者，可以懸臂方式將 振動膜固定至支撐物。振動膜及板之形狀不必受到限制， 諸如圓形形狀。亦即，振動膜及板可各以多邊形形狀形 成。此外，可將板（而非振動膜）定位在接近背部空腔之 處。振動膜不必直接固定至支撐物。亦即，振動膜可以下 垂之方式附接至板；或可由板支撐振動膜。 在第二實施例及其變化形式中，第二空腔形成部分由形 成於基板1010之第二表面上的凹部1012及凹部1〇13構成。 可使用部件而非支撐物1024來形成第二空腔形成部分。舉 例而5，將第二空腔配置為電容式麥克風之封裝的一部 分，其中第二空腔與第一空腔經由形成於基板1010中之通 路相互連通。 在第二實施例中，第一空腔1041具有圓柱形狀。當然， 120169.doc -41 - 200820816 第一空腔1〇41不必以圓柱形狀形成。第二空腔1Q42具有環 形形狀，但第二空腔购可經重新設計以具有C形或圓柱 形狀。通路1043不必限於線性形狀且可適當彎曲。 在第二實施例中’第一空腔购與第二空腔购經由複 數個料购相互連通，但其可經由單—通路相互連通。

在第二實施例中’第—空㈣41與第二空腔购經由具 有不同電阻之通路1G43相互連通，但其可經由具有祖同電 阻之通路购相互連通。與由第一空腔及第二空腔構成背 I5脸之技術相比，第二實施例在關於第二空腔之配置的 自由度方面具有優勢。 3.弟二實施例 圖14A及圖14B展示根據本發明之—第三實施例的電容 式麥克風2001之構造。電容式麥克風2〇〇1為藉由半導體設 備製造過程製造之矽電容器麥克風。電容式麥克風讓將 傳輸至板2030之聲波轉換為電信號。 電容式麥克風2001之感測部分具有一層合結構，其中第 一膜、第二膜、第三膜及第四膜連同基板2〇1〇層合在一 起。 基板20 1〇為一單晶矽基板。在基板2〇1〇中於其厚度方向 上形成一通孔2011及複數個凹部2012。通孔2011為圓柱形 狀，其開口位於基板2010之第一表面2〇1〇a及第二表面 2〇10b處。凹部2012中之每一者具有一在通孔2〇11之徑向 方向上自通孔2011向外伸長的通道狀形狀。凹部2〇丨2之開 口各位於基板201 〇之第二表面2〇 1 〇b上。結果，在基板 120169.doc -42- 200820816

2010之第二表面2010b中形成一齒輪狀開口 2〇13，該齒輪 狀開口 2013由一對應於通孔2〇11之開口 2〇13a及對應於凹 部2012之複數個開口 2〇 13b構成。開口 2013a(用作第二開 口）具有一圓形形狀。開口 2013b中之每一者（用作第三開 口）具有一在開口 2013a之徑向方向上自開口 2013a之周邊 向外伸長的矩形形狀。在基板2010之第一表面2〇1〇a中形 成對應於通孔2011之開口 2〇 14。該開口 2014(用作第一 開口）具有一大體匹配開口 2013a之圓形形狀的圓形形狀。 第一膜係由二氧化矽構成之絕緣薄膜，其中其具有一具 有圓柱形狀之通孔2〇 15。第一膜以一方式將第二膜支撐於 基板2010之上以使得在振動膜2〇2〇與基板2〇1〇之間形成一 間隙。 第二膜係由摻有磷（P)雜質之多晶矽構成的傳導薄膜。 第一膜之未固疋至第二膜的規定部分形成振動膜。振 動膜2020未固定至第一膜或第三膜，其中其用作一歸因於 聲波而振動的移動電極。振動膜2〇2〇覆蓋第一膜之通孔 2015。振動膜2020之二維形狀為圓形形狀。 與第一膜類似，第三膜係由二氧化矽構成之絕緣薄膜， 其中其具有一具有圓柱形狀之通孔2〇16。第三膜使傳導第 二膜與第四膜絕緣，且其將第四膜支撐於第二膜之上。 與第二膜類似，第四膜係由摻有磷（P)雜質之多晶矽構 成的傳導薄膜。第四膜之未固定至第三臈的規定部分形成 板2030。該板2030具有複數個孔洞2032。 第三膜以及第二膜 一支撐物2〇4〇由基板2〇10、第一膜、 120169.doc -43- 200820816 之未固定至第三膜的規定部分及第四膜之未固定至第三膜 的規定部分所構成。支撐物2040形成-自通孔2011之内壁 且自通孔2015之内壁向内的背部空腔2〇42。背部空腔2〇42 在二耳波之傳播方向相對的方向上釋放施加至振動膜2020 之壓力。以申請專利範圍之說法，除基板20 1〇以外的支撐 物2040被界定為支撐物。 將參看圖14A所示之電路來描述電容式麥克風2〇〇1之偵 _ 測邛分。本文中，振動膜2020連接至一偏壓源。特定言 之，連接至偏壓源之端子21〇2的導線21〇4及導線21〇6分別 連接至第二膜及基板2〇1〇，藉此使振動膜2〇2〇與基板2〇1〇 兩者處於大體相同之電位。板2〇3〇連接至運算放大器21〇〇 之輸入端子。亦即，連接至具有相對較高輸入阻抗之運算 放大器2100之輸入端子的導線21〇8連接至第四膜。 接著，將詳細描述電容式麥克風2 〇 〇 1之操作。當聲波經 由板2030之孔洞2032經傳輸以到達振動膜2020時，振動膜 φ 2020歸因於聲波而振動。歸因於振動膜2020之振動，振動 膜2020與板2030之間的距離發生變化，以使得振動膜2〇2〇 與板2030之間的靜電電容發生相應變化。 由於板2030連接至具有相對較局輸入阻抗之運算放大器 • 2100，因此，不管振動膜2020與板2030之間的靜電電容變 化，極少量存在於板2030中之電荷向運算放大器21 〇〇移 動。亦即，假定存在於板2030及振動膜2020中的電荷可能 大體不會改變。此使得可能將振動膜2020與板2030之間的 靜電電容解譯為板2030之電位變化。因此，電容式麥克風 120169.doc -44- 200820816 2001能夠回應於振動膜2020與板2〇3〇之間的極小之靜電電 谷麦化來產生電化號。在電容式麥克風2⑽1中，施加至振 動膜2020之聲壓的變化被轉換為靜電電容之變化，接著將 4專靜電％谷變化轉換為電位變化，基於此，回應於聲壓 之變化而產生電信號。 接著，將參看圖15A至圖15F及圖16A至圖16F來描述電 容式麥克風2001之製造方法。 在製造方法之第一步驟（亦即，圖15A所示之（A1)及圖 15B所示之（B1))中，將用作犧牲膜之第一膜⑼^沈積在一 對應於基板2010之晶圓2050上（見圖14A及圖14B)。特定言 之，藉由電襞CVD將二氧化矽沈積在單晶矽晶圓2〇5〇上: 因此形成第一膜2051。 接著，將第二膜2052沈積在第—膜2〇51上。特定言之， 藉由減壓CVD將摻有磷之多晶矽沈積在第一膜“^上，因 此形成第二膜2052。接著，將一光阻膜塗覆至第二膜MU 之整個表面；接著’使用規定光阻遮罩藉由用於執行曝露 及顯影之光微影而形成一光阻圖案。接著，藉由諸如rie 之各向異性餘刻㈣擇性移除第二膜2〇52,目幻吏具有圓 形形狀之第二膜2052成形。 在製造方法之第二步驟(亦即，圖15C所示之(A2)及圖 ⑽所示之⑽))中，將一第三膜2053沈積在第二膜觀 上。亦即，藉由電聚CVD將二氧化石夕沈積在第二膜2〇52 上，因此形成第三膜2053。 在製造方法之第三步驟(亦即’圖15E所示之(A3)及圖 120169.doc •45- 200820816 15F所示之（B3))中，將第四膜2054沈積在第三膜2053上。 特定言之，藉由減壓CVD將摻有磷之多晶矽沈積在第三膜 2053上，因此形成第四膜2054。接著，將一光阻膜塗覆至 第四膜2054之整個表面；接著，使用規定光阻遮罩藉由用 於執行曝露及顯影之光微影而形成一光阻圖案。接著，藉 由諸如RIE之各向異性蝕刻來選擇性移除第四膜2054，因 此使具有圓形形狀及複數個孔洞2022之第四膜2054成形。 在製造方法之第四步驟（亦即，圖16A所示之（A4)及圖 16B所示之（B4))中，在與晶圓2050之第一表面2050a(第一 膜2051、第二膜2052、第三膜2053及第四膜2054在該第一 表面205 0a上層合在一起）相對的第二表面2050b上形成一 具有一開口 2055a及複數個開口 2055b之遮罩2055。亦即， 將一光阻遮罩完全塗覆至晶圓2050之第二表面2050b ;接 著，使用規定光阻遮罩藉由用於執行曝露及顯影之光微影 而形成遮罩2055。開口 2055a(用作第一開口）具有一遵照振 動膜2020之二維形狀的圓形形狀(見圖14A)。開口 2055b中 之每一者（用作第二開口）具有一在開口 2055a之徑向方向上 自開口 205 5 a之周邊伸長的矩形形狀。開口 205 5b相對於開 口 2055a以徑向方式形成。亦即，開口 2055a與開口 2055b 共同形成一齒輪狀形狀。開口 2055b之速記寬度（或細缝寬 度）遠小於開口 2055a之直徑。舉例而言，開口 2055a之直 徑在100 μιη至1000 μιη之範圍内，較佳將其大致設定為600 μηι ;且開口 2055b之細缝寬度在1 μιη至50 μπι之範圍内， 較佳將其大致設定為40 μηι。 120169.doc -46- 200820816 在I造方法之第五步驟（亦即，圖16C所示之（A5)及圖 16D所不之（B5))中，使用遮罩2055對晶圓2050執行各向異 性蝕刻’因此在晶圓2050中形成通孔2011及凹部2012。特 疋吕之’藉由深度RIE選擇性移除晶圓2〇5〇之自遮罩2〇55 曝露的規定部分。連續執行各向異性蝕刻直至通孔2〇11大 體匹配晶圓2050之遮罩2055的開口 2055a為止。歸因於視 恶樣而定之蝕刻效應，由於開口 2〇55b之細缝寬度遠小於 開口 2055a之直徑，因此應用於晶圓2〇5〇之開口 2〇55七之曝 露部分的蝕刻速度慢於應用於晶圓2〇5〇之開口 2〇55a之曝 露部分的蝕刻速度。因此，凹部2〇12可靠地遵照晶圓2〇5〇 之開口 2055b的曝露部分形成。 接著，藉由使用諸如NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮）之光阻剝 離溶液來移除遮罩2055。 在製造方法之第六步驟（亦即，圖16E所示之（A6)及圖 16F所不之（Β6))中，使用諸如經缓衝之氫氟酸（或經緩衝之 HF)的蝕刻溶液執行濕式蝕刻以便選擇性移除均為氧化矽 膜之第一膜2051及第三膜2053。經由晶圓2050之通孔2011 及凹部2012以及第四膜2054之孔洞2032來引入蝕刻溶液， 因此溶解第一膜2051及第三膜2〇53。藉由適當地設計通孔 2011及孔洞2032之形狀及配置，可能在第一膜2〇51中形成 通孔20 15且在第三膜2053中形成通孔2016，藉此可能形成 由振動膜2020、板2030及支撐物2040構成之感測部分（見 圖14Α)。振動膜2020具有一與通孔2011對應之圓形形狀， 通孔2011遵照晶圓2050之第一表面2050a之開口 2014而成 120169.doc -47- 200820816 形。上述過程將被稱作濕式蝕刻過程。 此後，執行切割及封裝步驟，因此，有可能完全製成電 容式麥克風2001。 在第三實施例中，基板2〇1〇之第一表面2050a的開口 2013具有一由通孔2011及凹部2012構成之齒輪狀形狀。即 使當在濕式蝕刻過程中產生氣泡從而完全覆蓋開口 2013(亦即，用於引入蝕刻溶液之入口）時，表面張力歸因 於矩形開口 2013b(該等矩形開口 2013b在徑向方向上自具 有圓形形狀之開口 2013a的周邊伸長）而不均勻地分布至氣 泡；因此，氣泡可輕易地破裂。此簡化了電容式麥克風 2001之製造過程。 在第三實施例中，藉由凹部2012(其開口不在基板201〇 之第一表面201〇a中）而在基板20 10之第二表面2〇1〇b上形 成開口 2013 b。此使得可能不管基板2〇 1〇之第二表面2〇1〇b 之開口 2013的形狀而在基板2010之第一表面2〇1〇a上形成 與振動膜2020之二維形狀對應的開口2〇14。出於此原因， 可能防止電容式麥克風2001之輸出特性降級。 可以多種方式來進一步修改該第三實施例；因此，下文 中將描述變化形式。 (a)第一變化形式 “ θ 17A及圖17B展示根據第三實施例之第一變化形式的 電谷式麥克風2002之構造。電容式麥克風2〇〇2具有一基板 10該基板2210具有第一通孔2211。電容式麥克風2〇〇2 之所有構成元件與電容式麥克風2〇〇1之構成元件大體等同 120l69.doc -48 - 200820816 (除了形成感測部分之基板2210以外）。 如圖17A及圖17B所示，基板221〇為單晶矽基板，其中 在厚度方向上形成第一通孔2211及第二通孔2212。在基板 2210之第二表面2210b中形成一開口 2213，該開口 2213具 有一由一開口 2213a(對應於第一通孔2211)及複數個開口 2213b(對應於第二通孔2212)構成之齒輪狀形狀。開口 2213a(用作第二開口）具有圓形形狀。開口 22i3b(用作第四 開口）中之母一者具有一在開口 2213a之徑向方向上自開口 2213a之周邊伸長的矩形形狀。另一方面，在基板之 第一表面2210a中形成一第一開口（對應於第一通孔22ιι)及 複數個第二開口（對應於第二通孔2212)。本文中，第一開 口大體遵照開口 2213a而成形，且第三開口大體遵照開口 2213b而成形。 接著，將參看圖18A至圖18D來描述電容式麥克風2〇〇2 之製ie方法。與電容式麥克風2〇〇1之製造方法類似，將第 膜2〇51、第一膜2052、第三膜2053及第四膜2054沈積在 形成基板2210之晶圓2050的第一表面2〇5〇a上。 在製造方法之第一步驟（亦即，圖18A所示之（A1)及圖 18B所不之（B1))中，在晶圓2〇5〇之與第一表面2〇5〇a相對 的第一表面2050b上形成一具有開口 22S5a(用作第一開口） 及複數個開口 2255b(用作第二開口）的遮罩2255。遮罩2255 與遮罩2055大體等同以使得開口 2255a及開口 2255b大體匹 配開口 2055a及開口 2055b，但開口 2255七之寬度可充分增 大以使得應用於開口 2255a之曝露部分的蝕刻速度變得與 120169.doc -49 - 200820816 應用於開口 2255b之曝露部分的蝕刻速度大體等同。舉例 而言，開口 225 5&之直徑在1〇〇4111至1〇〇〇(1111之範圍内，較 佳將其大致設定為600 ;且開口 2255b之寬度在4〇 (^111至 200 μιη之範圍内’較佳將其大致設定為1〇〇 。 在製造方法之第二步驟（亦即，圖18C所示之（A2)及圖 18D所不之（B2))中，使用遮罩2255對晶圓2〇5〇執行各向異 性蝕刻以便在晶圓2050中形成第一通孔22丨丨及第二通孔 2212。特定言之’藉由深度RIE選擇性移除晶圓2050之自 遮罩2255曝露的規定部分。由於向開口 2255a之曝露部分 與開口 2255b之曝露部分兩者應用大體相同之蝕刻速度， 因此在晶圓2050中遵照開口 2255a形成第一通孔2211且遵 照開口 2255b形成第二通孔22 12。 上述步驟之後的步驟與電容式麥克風2〇〇〗之製造方法中 的步驟大體等同。 在第二實施例中，形成於基板221〇之第二表面221叽上 • 的開口 2213具有一由第一通孔2211及第二通孔2212構成之 齒輪狀形狀。結果，即使當在濕式蝕刻過程中產生氣泡從 而完全覆蓋開口 2213(該開口 2213為用於引入蝕刻溶液之 入口）犄，表面張力藉由矩形開口 2213b(該等矩形開口 2213b在圓形開口 2213a之徑向方向上自圓形開口 2213&之 周邊伸長）而不均勻地分布至氣泡；因此，氣泡可輕易地 破裂。此簡化了電容式麥克風2002之製造過程。 在第二實施例之第一變化形式中，藉由第一通孔““在 基板2210之第一表面221〇a上遵照振動膜2〇2〇之二維形狀 120169.doc -50- 200820816 形成-圓形開口。藉由適當地設計第二通孔22i2，可能防 止電谷式麥克風2002之輸出特性降級。 (b)其他變化形式 第三實施例及其第-變化形式係各針對電容式麥克風以 作為壓力感測器之-實例。當然，可將第三實施例應用於 摘測除聲壓變化以外之壓力變化的其他類型之壓力感測 ^ 器。 在第三實_及其第—變化形式中，在基板之經定位為 與振動膜相對的第二表面上形成—齒輪狀開口，而形成於 基板之第二表面上的開口不必以齒輪狀形狀形成。舉例而 言，可能如圖19A及圖19B所示製造—電容式麥克風 2003，其中在基板231G之第：表面中形成—開口 2313，該 開口 23 13由-開口 23 13a(其遵照振動膜之二維形狀而成形） 及複數個開口 2313b(其具有自開口 23 13a之周邊向外突出 的三角形狀)。 • 附帶言之，第三實施例及其變化形式全部係針對具有圓 形振動膜2020之電容式麥克風，但振動膜2〇2〇之二維形狀 不必限於圓形形狀。舉例而言，可在電容式麥克風2〇〇1中 遵照振動膜2020之二維形狀以圓形形狀以外之規定形狀來 形成開口 2013a。類似地，可遵照振動膜2〇2〇之二維形狀 以圓形形狀以外之規定形狀來形成開口 2213a。 最後，本發明不必限於上述實施例及變化形式；因此， 可在隨附申請專利範圍所界定之本發明的範疇内進一步修 改本發明。 120169.doc -51- 200820816 【圖式簡單說明】 圖1A為展示根據本發明之第一實施例的電容式麥克風之 構造的平面圖； 圖1B為沿圖1A中之線B11截取的橫截面圖； 圖2A為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第一步驟的 橫截面圖； 圖2B為對應於圖2A之平面圖；

圖2C為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第二步驟的 橫截面圖； 圖2D為對應於圖2C之平面圖； 圖2E為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第三步驟的 橫截面圖； 圖2F為對應於圖2E之平面圖； 圖3 A為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第四步驟的 橫截面圖； 圖3 B為對應於圖3 a之平面圖； 圖3C為用於闡释電容式麥克風之製造方法之第五步驟的 圖3D為對應於圖3C之平面圖； 步驟的 圖3E為用於闓釋電容式麥克風之製造方法之 横截面圖； 圖3F為對應於圖3E之平面圖； 一變化形式的電容式麥 圖4A為展示根據第一實施例之第 克風之構造的平面圖； I20I69.doc •52- 200820816 圖4B為沿圖4A中之線B4_B4截取的横截面圖· 圖5A為用於闡釋電容式麥克風之製造方法"二 橫截面圖； <第—步驟的 圖5 B為對應於圖5 A之平面圖； 圖5C為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之# 橫截面圖； 第二步驟的 圖5D為對應於圖5C之平面圖；

圖5E為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之# 一 橫截面圖； 弟三步驟的 圖5F為對應於圖5E之平面圖； 圖5G為用於闡釋電容式麥克風之製造方法 橫截面圖； 四步驟的 圖5H為對應於圖5G之平面圖； 圖0A為用於闡釋根據第一實施例之第二變化形 式麥克風之製造方法之第一步驟的橫戴面圖；〆的電容 圖6Β為對應於圖6 Α之平面圖； 圖6C為用於闡釋電容式麥克風之製造方法 橫截面圖； —步驟的 圖6D為對應於圖6C之平面圖； 圖6E為用於闡釋電容式麥克風之製造 ^ ^ ^ . 友又弟二步驟的 棱截面圖； 圖6F為對應於圖6Ε之平面圖； 圖7Α為沿圖7Β中之線Α7-Α7截取的橫截面圖； 圖7Β為展示根據第一實施例之第三變化形式的電容式麥 120169.doc -53- 200820816 克風之構造的仰視圖； 之製造方法的仰視圖 圖8A為用於闡釋電容式麥克風 圖8B為對應於圖SA之横截面圖 刷板上

圖9為展示根據本發明之第二實施例的安裝於印 之電容式麥克風之構造的橫截面圖； 圖1〇A為沿圖1〇B中之線A2-A2截取的橫戴面圖； 圖10B為電容式麥克風之仰視圖；

圖11A為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第 的橫截面圖； 圖11B為對應於圖11A之平面圖； 圖lie為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第二步驟 的橫截面圖； , 圖11D為對應於圖llc之平面圖； 圖11E為用於闡释電容式麥克風之製造方法之第三步 的橫截面圖； 圖11F為對應於圖11E之平面圖； 圖12A為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第四步驟 的橫截面圖； 圖12B為對應於圖12A之平面圖； 圖12C為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第五步驟 的橫截面圖； 圖12D為對應於圖12c之平面圖； 圖13 A為用於闡釋根據第二實施例之一變化形式的電容 式麥克風之製造方法之第一步驟的橫截面圖； 120169.doc •54· 200820816 圖13B為對應於圖i3A之平面圖； 圖13C為用於闡釋電容式麥克風之製造 的橫截面圖； 圖13D為對應於圖13c之平面圖； 圖14Λ為沿圖14B之線八卜…截取的橫戴面圖，其 據本發明之第三實施例的電容式麥克風之構造；、 圖14B為電容式麥克風之仰視圖； 圖15A為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第一 的橫截面圖； ~ 圖15B為對應於圖15A之平面圖； 圖15C為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第一 的橫截面圖； 〜 圖15D為對應於圖15C之平面圖； 圖15E為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第一 的橫截面圖； 圖15F為對應於圖15E之平面圖； 圖16A為用於闡釋電容式麥克風之製造方 〈第四 的橫截面圖； 圖16B為對應於圖16A之平面圖； 圖16C為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第 的橫截面圖； I 圖16D為對應於圖16C之平面圖； 圖16E為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第丄 的橫截面圖； ^ 步 示根 步驟 步 步驟 步 步 步 120169.doc -55- 200820816 圖16F為對應於圖16E之平面圖； 圖17A為沿圖ΠΒ之線A4-A4截取的橫截面圖，其展示相 據第三實施例之第一變化形式的電容式麥克風之構造； 圖17B為對應於圖17A之仰視圖； 圖18A為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第—步驟 的橫截面圖； 圖18B為對應於圖18A之平面圖；

圖18C為用於闡釋電容式麥克風之製造方法之第二步驟 的橫截面圖； 圖18D為對應於圖18C之平面圖； 圖19A為展示根據第三實施例之第二變化形式的電容式 麥克風之構造的仰視圖；及 圖19B為展示根據第三實施例之第三變化形式的電容式 麥克風之構造的仰視圖。 【主要元件符號說明】 2 4 10 12 12a 12b 13 13a 120169.doc 電容式麥克風 電容式麥克風 電容式麥克風 基板 通孔 内壁 内壁 圓形開π 内壁 -56- 200820816

15 圓形開口 20 振動膜 21 板 22 孔洞 23 支撐物 40 背部空腔 41 第一空腔 42 第二空腔 50 晶圓 50a 第一表面 50b 第二表面 51 第一膜 52 第二膜 53 第三膜 54 第四膜 55 第一遮罩 55a 第一開口 56 第二遮罩 56a 第二開口 60 凹部 100 運算放大器 102 端子 104 導線 106 導線 120169.doc -57- 200820816

108 導線 212 通孔 212a 内壁 212b 内壁 223 支撐物 240 背部空腔 241 第一空腔 242 第二空腔 25 5 遮罩 255a 開口 2 5 5b 開口 255c 開口 255d 開口 260 孔洞 261 凹部 262 凹部 263 凹部 271 壁 272 壁 273 壁 355 遮罩 355a 開口 355b 開口 360 孔洞 120169.doc -58- 200820816

361 凹部 371 壁 400 孔洞 401 通孔 412a 内壁 412b 内壁 423 支撐物 440 背部空腔 441 第一空腔 442 第二空腔 455 遮罩 455a 開口 455b 開口 1001 電容式麥克風 1010 基板 1011 孔洞 1012 凹部 1013 凹部 1014 開口 1015 開口 1020 振動膜 1022 板 1023 孔洞 1024 支撐物 120169.doc -59- 200820816

1040 背部空腔 1041 第一空腔（或主空腔） 1042 第二空腔（或副空腔） 1043 通路 1050 晶圓 1050 a 第一表面 1050b 第二表面 1051 第一膜 10 52 第二膜 1053 第三膜 1054 第四膜 1055 遮罩 1055a 第一開口 1055b 第二開口 1055c 第三開口 1060 印刷板 1100 運算放大器 1102 端子 1104 導線 1106 導線 1108 導線 1212 凹部 1255 遮罩 1271 壁 120169.doc -60 - 200820816 1272 壁 2001 電容式麥克風 2002 電容式麥克風 2003 電容式麥克風 2010 基板 2010a 第一表面 2010b 第二表面 2011 通孔 2012 凹部 2013 齒輪狀開口 2013a 開口 2013b 開口 2014 開口 2015 通孔 2016 通孔 2020 振動膜 2022 孔洞 2030 板 2032 孔洞 2040 支撐物 2042 背部空腔 2050 晶圓 2050 a 第一表面 2050b 第二表面 120169.doc -61- 200820816

2051 第一膜 2052 第二膜 2053 第三膜 2054 第四膜 2055 遮罩 2055a 開口 2055b 開口 2100 運算放大器 2102 端子 2104 導線 2106 導線 2108 導線 2210 基板 2210a 第一表面 2210b 第二表面 2211 第一通孔 2213 開口 2213a 開口 2213b 開口 2255 遮罩 2255a 開口 2255b 開口 2310 基板 2313 開口 120169.doc -62- 200820816 2313a 2313b Al-Al A2-B2 A4-A4 A7-B7 Bl-Bl B4-B4 開口 開口 線 線 線 線 線 線

120169.doc -63

Claims (1)

1. 200820816 十、申請專利範圍： 1· 一種壓力感測器，其包含： 一板，其具有一固定電極； 一振動膜，其具有一經定位為與該固定電極相對之移 動電極’其中該振動膜歸因於施加至其之壓力變化而經 受移位；及 一支撐物，其具有：一開口，其上固定有該板之末端 部分；及一内壁，其内形成有一梯型部分，且其形成一 空腔’該空腔在平行於該板之任何平面上之橫截面積皆 大於該開口的橫載面積。 2·如請求項1之壓力感測器，其中該空腔在平行於該板之 一平面方向上的該橫截面積藉由該梯型部分而在一與該 板相反之方向擴大，其中該梯型部分係由該内壁在該振 動膜之厚度方向上形成。 3· —種對於一壓力感測器之製造方法，該壓力感測器包括 具有一固定電極之板、一具有一經定位為與該固定電 極相對之移動電極且歸因於施加至其之壓力變化而經受 移位的振動膜及一具有用於支撐該板之至少一空腔的支 撐物，該製造方法包含以下步驟： 將一形成該板之薄膜及一形成該振動膜之薄膜沈積在 一基板之一第一表面上； 在該基板之一與該第一表面相對的第二表面上形成一 具有一第一開口之第一遮罩； 在该基板之該第二表面上形成一具有一第二開口之第 120169.doc 200820816 一遮罩，其中該第二遮罩覆蓋該第一遮罩以使得恰位於 形成該板之該薄膜上方的該基板之一規定部分在該第二 開口中曝露； 藉由使用該第二遮罩對該在該第二開口中曝露之基板 執行各向異性蝕刻來形成一凹部； 移除該第二遮罩；及 使用該第-遮罩對該在該第一開口中曝露之基板執行 各向異性蝕刻以使得移除該凹部之一底部，因此在該基 板中形成一形成該空腔之通孔。 4. 一種對於一壓力感測器之製造方法，該壓力《測器包括 -具有-固定電極之板、一具有一經定位為與該固定電 極相對之移動電極且歸因於施加至其之壓力變化而經受 移位的振動膜及一具有用於支撐該板之至少一空腔的2 撐物，該製造方法包含以下步驟： 將一形成該板之薄膜及一形成該振動膜之薄膜沈積在 一基板之一第一表面上； 在該基板之一與該第一表面相對的第二表面上形成一 遮罩，其中該遮罩具有—用於曝露恰位於形成該板之該 薄膜上方的該基板之一規定部分的第一開口及一具有一 位於該第一開口之一周邊之細缝狀形狀的第二開口； 使用該遮罩對該在該第一開口及該第二開口中曝露之 基板執行各向異性蝕刻，因此在該基板中形成一對應於 該第一開口之孔洞及一對應於該第二開口之凹部，·及 移除該基板之該孔洞與該凹部之間的一壁，因此在談 120169.doc -2- 200820816 基板中形成一形成該空腔之通孔。 5· —種對於一壓力感測器之製造方法，該壓力感測器包括 一具有一固定電極之板、一具有一經定位為與該固定電 極相對之移動電極且歸因於施加至其之壓力變化而經受 移位的振動膜及一具有用於支撐該板之至少一空腔的支 撐物，該製造方法包含以下步驟： 將一形成該板之薄膜及一形成該振動膜之薄膜沈積在 一基板之一第一表面上； 春 在該基板之一與該第一表面相對的第二表面上形成一 遮罩，其中該遮罩具有一用於曝露恰位於形成該板之該 薄膜上方的該基板之一規定部分的第一開口及具有位於 該第一開口之一周邊之細縫狀形狀的複數個第二開口， 且其中該等第二開口之寬度在一背離該第一開口之方向 上減小； 使用S亥遮罩對該在該第一開口及該第二開口中曝露之 • 基板執行各向異性蝕刻，因此在該基板中形成一對應於 該第一開口之孔洞及對應於該等第二開口之複數個凹 部；及 移除該孔洞與其相鄰凹部之間的一壁，以及該等凹部 之間的至少一壁，因此在該基板中形成一形成該空腔之 通孔。 6·如請求項4之對於該壓力感測器的製造方法，其中該孔 /同及該凹部各以一倒楔形形狀在一自該基板之該第二表 面至該第一表面的方向上形成。 120169.doc 200820816 7. 如請求項5之料該壓力感測器的製造方法，其中該孔 :及該複數個凹部各以—倒楔形形狀在—自該基板之該 第一表面至該第一表面的方向上形成。 8. -種對於1力感測器之製造方法，㈣力感測器包括 一具有一固定電極之板、-具有-經定位為與該固定電 極相對之移動電極且歸因於施加至其之麼力變化而經受 . 移位的振動膜及一具有用於支撐該板之至少一空腔的支 籲 撐物’該製造方法包含以下步驟： 冑—形成該板之薄膜及—形成該振動膜之薄膜沈積在 一基板之一第一表面上； 在該基板之一與該第一表面相對的第二表面上形成一 遮罩，其中該遮罩具有-用於曝露恰位於形成該板之該 薄膜上方的該基板之一規定部分的第一開口及_具有一 互連至該第一開口之細缝狀形狀的第二開口；及 使用該遮罩對該在該第一開口及該第=心+曝露之 • 基板執行各向異性蝕刻，因此在該基板中形成一形成該 空腔之通孔。 ^ 9. 一種壓力感測器，其包含： 一板’其具有一固定電極； 一振動膜，其具有一經定位為與該固定電極相對之移 動電極’其中該振動膜歸因於施加至其之壓力變化而經 受移位； ^ 一具有一内壁之支撐物，該板之末端部分固定至其， 其中一第一空腔係自該支撐物之該内壁及該振動膜向内 120169.doc 200820816 形成；及 /用於形成-第二空腔之副空腔形成部分，該第二空 腔經由—具有一與該 斤 _ 心連通之開口的通路來與該 弟一空腔連通。 10·如請求項9之壓力感測器，盆 ^ 八甲該田〗空腔形成部分配置 於该支撐物中，且盆中贫畜 t n亥通路及該第二空腔係自該支撐 物之一凹部向内形成。 U·如請求項9之壓力感測器’其中該副空腔形成部分形成 複數個第二空腔及具有不同電阻之複數個通路，該第一 空腔經由該複數個通路來與該等第二空腔連通。 。.如請求項10之壓力感測器，其中該副空腔形成部分形成 複數個第二空腔及具有不同電阻之複數個通路，該第一 空腔經由該複數個通路來與該等第二空腔連通。 "•如請求項U之麼力感測器’其中該複數:固第二空腔具有 不同體積。

   14.如請求項12之壓力感測器，其中該複數個第二空腔具有 不同體積。 !5. -種對於-壓力感測器之製造方法，該麼力感測器包括 一具有-固定電極之板、_具有—經定位為與該固定電 極相對之移動電極且歸因於施加至其之堡力變化而經受 移位的振動膜及一支撐該板且在内部具有一空腔的支撐 物’該製造方法包含以下步驟： 將-形成該板之薄膜及-形成該振動膜之薄膜沈積在 形成έ亥支撐物之基板的一第^—表面上； 120169.doc 200820816 在"亥基板之一與該第一表面相對的第二表面上形成一 遮罩’其中該遮罩包括一用於曝露恰位於形成該板之該 薄膜及形成該振動膜之該薄膜上方的該基板之一規定部 刀的第一開口、一具有一細缝狀形狀之第二開口及一具 有一細縫狀形狀之第三開口，該第三開口自該第一開口 伸長至該第二開口；及 使用該遮罩對該基板執行各向異性蝕刻以便形成一遵 知、該基板之該第一開口的孔洞、一遵照該基板之該第二 表面上之該第二開口的第一凹部及一遵照該基板之該第 二表面上之該第三開口的第二凹部，該第二凹部自該孔 /同伸長至該第一凹部，因此在該基板中形成一空腔形成 部分。 16·如凊求項15之對於該壓力感測器的製造方法，其中使用 該包括複數個第二開口之遮罩對該基板執行各向異性蝕 刻以便在該基板中形成複數個第一凹部，接著，移除彼 此相鄰定位之該等第一凹部之間的至少一壁。 17 · —種壓力感測器，其包含： 一基板，其具有經定位以彼此相對之一第一表面與一 第二表面； 具有固疋電極之板，其由一形成於該基板之該第 一表面上的薄膜構成； 一振動膜，其具有一經定位為與該固定電極相對之移 動電極，其中該振動膜由一形成於該基板之該第一表面 上的薄膜構成且歸因於施加至其之壓力變化而經受移 120169.doc -6- 200820816 位； 一由-薄膜構成之支撐物，其由—可藉由濕式敍刻而 自該基板選擇性移除之材料構成且其形成於該基板之該 第-表面上，其中該支撐物支撐該板以使得—間隙在該 固定電極與該移動電極之間形成； 通孔，其經形成以在該基板之厚度方向上穿過該基 板從而曝露該振動膜，其中該通孔具有-遵照該振動膜 之一二維形狀而形成於該基板之該第一表面上的第一開 口及-形狀與該第一開口之一形狀大體等同且形成於該 基板之該第二表面上的第二開口；及 二部’其形成於該基板之該第二表面上且形成一位 於„亥第一開口之周邊之與該第二開口連通的第三開口。 1 8· —種壓力感測器，其包含： -基板’其具有經定位為彼此相對之一第一表面與一

   -具有-固定電極之板’其由一形成於該基板之該第 一表面上的薄膜構成； 振動膜’其具有—經^位為與該固定電極相對之移 動電極’其中該振動膜由-形成於該基板之該第-表面 上的薄膜構成且歸因於 必训主具之壓力變化而經受移 位； 薄膜構成之支撐物，其由—可藉由濕式餘刻而 ==選擇㈣除之材料構成且其形成於該基板之該 弟、面上’其中該支撑物支揮該板以使得一間隙在該 120169.doc 200820816 固定電極與該移動電極之間形成； 第一通孔，其經形成以在該基板之厚度方向上穿過 :亥基板從而曝露該振動膜，其中該第一通孔具有一遵照 該，動膜之一二維形狀而形成於該基板之該第一表面上 的第開口及一形狀與該第一開口之一形狀大體等同且 形成於該基板之該第二表面上的第二開口；及 第一通孔’其經形成以在該基板之厚度方向上穿過 δ亥基板，其巾該帛二通孔在該基板之該冑—表面上形成 一在該第一開口之周邊之與該第一開口連通的第三開口 且在該基板之該第二表面上形成一形狀與該第三開口之 形狀大體等同的第四開口。 19· 一種對於一壓力感測器之製造方法，該壓力感測器由一 具有一固定電極之板、一具有一經定位為與該固定電極 相對之移動電極^且歸因於施加至其之壓力變化而經受移 位的振動膜及一支撐該板以使得一間隙在該固定電極與 該移動電極之間形成的支撐物所構成，該製造方法包含 以下步驟： 使用一可自該基板選擇性移除之材料藉由濕式蝕刻在 一基板之一第一表面上沈積一形成該支撐物之犧牲膜； 在該犧牲膜上沈積一形成該振動膜之薄膜； 在該基板之一與該第一表面相對的第二表面上形成一 遮罩，其中該遮罩具有一第一開口，該第一開口遵照該 振動膜之一二維形狀形成以曝露恰位於該薄膜上方之該 基板的一規定部分，及一具有一自該第一開口之一周邊 I20169.doc 200820816 向外伸長之細缝狀形狀的第二開口； 使用該遮罩對該基板執行各向異性蝕刻，因此形成一 對應於該基板之該L的通孔及—對應》該基板之 該第二開口的凹部；及 ---分狀氷钒行濕式 钱刻’以便選擇性移除該犧牲膜。 20. -種對於一壓力感測器之製造方法，該壓力感測器由一

   具有-固定電極之板、位為與該固定電極 相對之移動電極且歸因於施加至其之壓力變化而經受移 位的振動膜及-支撐該板以使得—間隙在該固定電極與 該移動電極之間形成的支撐物所構成，該製造方法勺入 以下步驟： / I各 一使用-可㈣基板選擇性移除之材料藉由濕式餘刻在 基板之-第-表面上沈積一形成該支撐物之犧牲膜； 在該犧牲膜上沈積一形成該振動膜之薄膜； 在該基板之一與該第一表面相對的第二表面上形成一 =膜Γ該遮罩具有—第—開σ，該第1 口遵照該 振動膜之一二維形狀形成以曝露恰位於該薄 基板的一規定部分，及__自0第 長的第二開口弟—開口之-周邊向外伸 使用該遮罩對該基板執行各向異性姓刻 =該基板之該第一開口的第一通孔及一對二 板之w亥弟二開口的第二通孔；及 使用-自該基板之該第一通孔及該第二通 刻溶液來執行濕式_，以便選擇性移除該犧牲^之餘 120169.doc