TW200817564A - Radio shielding partition face material - Google Patents

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200817564 九、發明說明： 【發明所屬之技術區域】 本發明係有關一種電波屏蔽性間隔面狀體。 【先前技術】 近年來’事業所内部的個人手持電話系統（pers〇nal * Handy—phone System，PHS)和無線區域網（LAN)的利用日 . 益普及，從防止資訊洩漏、防止因外部的入侵電波而引起 广、 錯誤動作及防止雜訊的方面來考慮，整頓辦公室内的電波 裱境係已不可或缺。作為辦公室等的整頓電波環境之部件 向來已有各種類型的部件受到公開（譬如專利文獻1、2 等）。 >譬如，專利文獻1中公開了一種技術，該技術是藉由 將電磁屏蔽部件置入混凝土來構成大樓樓體以控制電波 透過大樓樓體進出。 【專利文獻1】曰本特公平6-99972號公報 【發明内容】 (j [發明所欲解決的問題] ^然而，在專利文獻1所記載之技術，大樓内將成為經 _ =處於电波遭到屏蔽的狀態。因此，無法因應所需來調整 / 電波環境，譬如只有在需要屏蔽大樓内使用無線LAN時之 • 類的電波時使大樓内為電波屏蔽狀態，在其以外不需要屏 j電波4則解除電波屏蔽狀態。進一步地舉出具體例子來 兑月的活，譬如以設置有電磁屏蔽部件的混凝土來構成分 5樓房間的牆和天花板、地板等來使得在房間内所使用 5 200817564 =電波不會外漏到外部的情況下，將有著如下_ 屏蔽部件的牆等損壞來除去電磁屏蔽 換'之，現有技術有著難以自由地調整電波環境的 岸所i::係有鑑於上述問題思考而出’其目的在於：因 Γ u 波屏蔽性間隔面狀體。 衣兄扪迅 [解決問題所用之手段] 為了解決上述目的，本發明 & 體，其特徵在於：[有' μ &性間隔面狀 ★ m昆 ，、有叹於面狀體本體表面的屏蔽電波之 :太而能夠使空間開放關閉之間隔部件。並且， 件:舞人所明面狀體本體，，指的是包含板狀部 件之概：：1)狀部件、布狀部件、和薄膜(fiim)狀部 bl. 具體例子可以舉出百葉窗（shutter或 bllnd)、m間壁、捲簾、垂幕等。 調整 而言如窗等)等的電波如牆、間壁等)和開口(具體 明，能夠因應所需=層二面積…，若根據本發 電波屏蔽層不會覆蓋_:::v另一方面’也能夠使得 邊界以容許電波進出，;:或，整體之空間開口或空間 的屏蔽性而任意改變電二能夠自由地調整電波 6 200817564 並且’上述電波屏蔽性間隔面狀體，能夠按照既有建 築物等的所需場所來加以設置。因此，不具有電波屏蔽性 之類的大樓也將能夠適當地設置具有電波屏蔽性的空 間。並且，在一個房間中形成複數的電波屏蔽空間也將曰 可能的。 、疋 Ο Ο 進而，譬如在設有複數房間的大樓中在每個房間使用 不同的無線LAN之類的情況時，為了抑制互相相鄰的房間 之間的電波干擾（interference)，在隔開相鄰房間之間的 牆或門等來裝設本發明之電波屏蔽性間隔面狀體，將能夠 因應所需來形成能夠自由地調整互相相鄰的房間之間的 電波進出狀態。 並且，作為上述的電波屏蔽層，雖然可以以一層戋複 數層的導電膜來構成，但是，也可以使其為具有能I少選 擇性地屏蔽1種特定頻帶電波之複數天線。板據此一結 構，能夠設置選擇性地限制某個特定頻帶電波進出空間， 並且也能夠自由地調整在該空間的特定頻帶電波之屏蔽 性（電波環境），目此是理想的。並且，作為這一類天線的 具體例子，能夠舉出··具有3條長度大略相同的第丄元件 部和線段狀第2元件部、該第丨元件部從天線中心互相成 略120。角度延伸呈放射狀、該第2元件部與帛i元件部 外側端結合的天線（以下將此一形狀的天線稱為“ τ—γ ” 型天線”），或是僅具有從天線中心互相成略12()。角度延 伸呈放射狀的長度大略相同的3條第i元件部所構成的、 即所謂Y字型天'線，或是所謂十字架型天線、其具有從天 7 200817564

狀之第2元件部。 料9Q。角度延伸呈放射狀的長度大略相同的 70件部、和各自與第1元件部外側端結合的線段 元件部。

材。並且，作為具有通氣性的支撐體，能夠舉出譬如布狀 體（織布、不織布、編織物、花邊、氈（fe⑴等）等。並且， 也可以以導電性材料來形成各個天線。 換广之，在支撐體表面有著複數的細微孔及/或有凹 凸時，為了以高的形狀尺寸精度來形成複數天線，必須將 支撐體（基材）加以固定來使得形成複數天線的表面成為 平坦（換言之，使得表面不會產生皺褶和鬆弛）。換言之， 在具有通氣性的支撐體上來直接形成複數天線時，由於支 撐體具有通氣性，因此將該支撐體予以充分地吸附保持以 使得形成有複數天線的支撐體表面成為平坦將是困難 的。因此，將難以用高的形狀尺寸精度來形成複數天線。 結果，也將難以實現高電波屏蔽性。 相對於此，上述結構中，在具有通氣性的支撐體之至 少一部分表面上配置有塗層膜。因此，儘管基材是以具有 通氣性的支撐體為主體，但是在上述塗層膜的部位將能夠 予以吸附保持。因此，在製造電波屏蔽性間隔面狀體時， 200817564 能夠將基材保持為使得該基材表面為平坦的狀態（不使之 產朱皺褶和鬆弛）。因此，將能夠以高的形狀尺寸精度來 形成複數天線。結果，也將能夠實現高電波屏蔽性。換言 之，即使在使用類似上述的電波屏蔽薄層也能夠容易製造 具有高電波屏蔽性之電波屏蔽性間隔面狀體。 ，並且，雖然也能夠考慮使用吸附手段以外的保持手段 • _保持（譬如以黏著劑等加以保持）具有通氣性的支撐 ζΛ 體’但是，在這樣的情況下，將保持手段裝卸於支撐體的 作業將變得繁雜，特別是在將支撐體保持於高平坦度時的 衣告Ρ作業更加繁雜同時也增加了作業之困難度，因此，將 使得具有高電波屏蔽性之電波屏蔽薄層（電波屏蔽性間隔 面狀體）的製造變得困難。相對於此，以吸附來保持支撐 體之優點為··與使用上述黏著劑等加以保持的情況相比， 非常容易在打算形成複數天線之表面不使產生皺褶和鬆 弛而予以保持。 上述的電波屏蔽層，雖然也可以在基材的支撐體上直 1) 接加以形成，但是在塗層膜上來形成更為理想。特別是， 塗層膜將該基材表面予以平坦化而使得基材厚度均勻化 的情況為理想。 換言之，在支撐體表面有著複數的細微孔及/或有凹 凸時’若是在該支撐體上想要直接形成複數天線，則可能 會發生用來形成天線的材料（譬如液體材料（墨水等））滲 入細微孔造成的“滲開（spread)(滲入•滲透（soak)、特 別是往面狀體本體表面的面方向來擴展），’、和向凹部的 9 200817564 “流入”。一旦這樣的“滲開” “流入，，發生，則天後的 :=!:厂:度將產生偏差和不正確等，而造成= 所要的兩琶波屏蔽性、高頻率選擇性的複數天線。 相對於此，上述結構中，經由塗層膜來填埋支撐體表 =的複數細微孔及/或凹凸而使得基材表面被平坦化，同 時也使得基材的厚度均—化。因此，如上述般的渗開和對 凹部的流入將受到抑制，而能夠以高的形狀尺寸精度來形 成複數天線。換古之，骑处約每扣$ _

率選擇性。，現更㊅的電波屏蔽性及頻 亚且，只要是能夠平坦化基材表面的膜，塗層膜並沒 有特別X到限疋。譬如，塗層膜宜為由樹脂和橡膠等有機 (高分子材料）材料、或是玻璃等無機材料等所構成，但是 也可以在不使電波屏蔽特性下降的範圍在這些材料中來 配合添加劑（老化防止劑、著色劑等）。 並且，各個天線也可以是由至少具有1處帛口部的金 屬膜和金屬箔(譬如網狀的金屬膜和金屬箔等)所構成 的根據此一結構，能夠降低各天線的視認性。換言之， 能夠使得各天線或電波屏蔽層*顯眼。此—結構，在支撐 體的天線-側表面描繪有模樣時或是支撐體為透明 況等時特別有效。 ^並且，作為使用上述的電波屏蔽薄層進行上述電波屏 蔽性間^狀體之製造方法，能夠使其包括：在支撐體的 至〆"卩为表面上形成塗層膜基材以獲得基材之步驟，在 將該基材根據吸附手段予以吸附保持的狀態下在該基材 10 200817564 上形成複數天線以獲得電波屏蔽薄層之步驟，以及將該電 波屏蔽薄層黏貼到面狀體本體之步驟。 [發明效果] 右是根據本發明之電波屏蔽性間隔面狀體，將能夠因 應所需自由地調整電波環境。 【實施方式】 以下，參照附圖詳細說明本發明之實施形態。 Ο Ο (實施形態1) 圖1係本貝知形態1中捲簾1之斜視圖，圖2係圖1 中IΙ-ΙI線之剖面圖。 本貝施形怨1中，有關實施本發明的電波屏蔽性間隔 面狀體雖然舉出捲簾1為例加以說明，但是這僅是一個例 不，本發明並不限定於下列實施形態。 如圖1所示，捲簾1係為配置於空間（譬如房間）30 間4〇(譬如房間）之間、射W空間40來開關隔開空 間30之電波屏蔽性間隔面狀體。 捲廉1具備：有彈性（flexiMe)的面狀體本體^、 在該面狀體本體^ j的直中— & s 19 的〜中個表面Ub上形成的電波屏 邻：：：及用來將面狀體本體11捲起為圓筒狀之支持 。支持部件1G被形成為細長形（譬如棒狀或筒狀 40之門動地被橫設在以牆等所區隔的兩個空間3〇、 另—個曰Γ^界。詳細來說，譬如其中一個空間30為室内，

It 為室外，在室内空間3°和室外空間以之 間的捲簾丨時，也可q將討轉動 11 200817564 囱子上部的牆或天花板等而加以固定。並且 間3〇, 4〇係屬於同一房間内 如 = 固空 輩而 絲 構成，忒杯狀邛件係被安裝在天花板和牆 邱ς 轉動。換吕之，能夠以複數的部件來構成支持 4件 10 〇

厶# ί彈性的面狀體本體11的頂端被固定（黏接、黏著或 安裝等）在支持部件10,而能夠捲起到支持部件10。並 且，經由拉出面狀體本體u的另一個頂端部lla，能夠 使得該面狀體本體Η從支持部件1〇被拉出。並且，其結 構為在該任意的拉出位置能夠將面狀體本體丨丨固定。換 言之，把面狀體本體11全部捲起的狀態下能夠成為空間 30和空間40不會受到面狀體本體11隔離的狀態，另一 方面，當拉出被捲起的面狀體本體11的一部分或整體， 則能夠使其成為以面狀體本體11來覆蓋空間30和空間 40的整體邊界或一部分邊界而隔開空間30和空間40的 狀態。並且，在本說明書中，拉出被捲起的面狀體本體 11.的狀態（稱為關閉狀態），並非僅指以捲簾1來完全覆 蓋區隔空間30和空間40的整體邊界之狀態。根據電波的 使用狀況和使用的電波強度等，即使是關閉狀態也可以是 沒有以捲簾1來覆蓋空間30和空間40。 面狀體本體11的材料並沒有特別限定，譬如可以是 12 200817564 Ο (j 、聚乙烯（ΡΕ)樹脂 m浠（pQlystyrene) =祕脂’織布(譬如平織等)和不織布等布狀體，紙， ::專加以構成。並且，面狀體本體u，並不僅僅是作 =㈣也可以是具有捲簾1各種各樣特性 (透光性、不燃性、難燃性、非幽性、柔軟性、耐衝擊性、 耐，性等）的作1。並且，面狀體本體u的顏色也沒有特 別文到限定，譬如，為了不妨礙空間3〇和空間4〇之間的 2野，可以使面狀體本體n為透明。相反的，想要遮蔽 工間30和空間40之間的視野時，則可以使面狀體本體 11為不透明。在該情況下，譬如可以使其和周圍的牆壁 或天花板為同色調的顏色。 在面狀體本體11的另一個表面llb設有屏蔽電波的 電波屏蔽層12以覆蓋表面Hb。因此，譬如在空間30和 空間40使用不同的無線LAN而想要避免兩個無線LAN之 間的干擾時，如圖1所示，拉出在表面電波形成有屏蔽層 12的面狀體本體11 (也就是相對於空間训和空間4〇的邊 界使電波屏蔽層12所佔面積比例較大），則能夠經由以電 波屏蔽層12來區隔空間30和空間40而限制空間30和空 間4 0之間的電波進出。如此一來，譬如來自空間3 〇的電 波R將根據電波屏蔽層12而被反射、向空間4〇的射入受 到限制。 另一方面’如果在空間30和空間40使用同樣的無線 LAN時，如圖3所示，能夠將在表面形成有電波屏蔽層12 的面狀體本體11捲起到支持部件1 〇 (換言之對於空間3 〇 13 200817564 和空間40的邊界使電波屏蔽層12所佔面積比例較小）， f容許在空間30和空間之間的電波進出。如此地，使 知末自空間3 0的電波R也能夠射入空間n 換言之，本實施形態i的捲簾丄係為能夠開關，而能 夠因應所需自在地調節電波的屏蔽狀態。 : 並且，譬如在一個房間内使用不同的無線LAN時，為 … 了能夠使用本實施形態1的捲簾1以便區隔使用不同的無 p 線UN的區域之間，譬如可以在天花板設置捲簾1使其橫 斷房間的大略中央部一樣地，經由拉出面狀體本體^能 夠形成區隔成複數的電波屏蔽空間。換言之，本實施形態 1的捲簾1，能夠容易安裝到既有的大樓和房間，在一個 房間中形成複數的電波屏蔽空間，並且如果變得不需要時 也可以取下，能夠更自由且更容易進行電波環境的整備。 並且，根據想區隔形成的電波屏蔽空間的形狀，也可以使 支持部件10彎曲或彎曲的形態。 在本實施形態1中，電波屏蔽層12係為選擇性地屏 蔽特定頻率的電波。具體而言，電波屏薇層12係由選擇 性地使特定頻率的電波反射的複數天線13有規則地排列 • 構成。因此，譬如在空間30和空間40使用互相不同的無 線LAN，而拉出在表面形成有電波屏蔽層12的面狀體本 體11，以電波屏蔽層12將空間30和空間40加以區隔， 除了抑制在空間3 0所使用的無線LAN和在空間40所使用 的無線LAN的干擾之外，還能夠區隔形成容許無線LAN以 外的電波（譬如手機和PHS等的電波）進出之電波屏蔽空 14 200817564 間。譬如，抑制空間30和空間40之間無線ίΑΝ的干擾， 同時使得在空間30和空間4〇之間也能夠使用手機和大樓 内用的PHS等。因此，經由使用本實施形態丨之捲簾]， 更為自由的電波環境之整備將成為可能而特別理想。 並且’天線13的形狀並沒有受到特別限定，譬如能 夠為圖1所示形狀。以下，有關天線13的形狀，參照圖 1及圖4進一步地詳細說明。圖4為天線13之平面圖。 a如圖4所示，本實施形態」的各個天線13具有3條 第1元件部13a和3條第2元件部13b(以下將此一形狀 的天線稱為“τ-γ型天線，，）。3條第i元件部13a互相成 120角度從天線中心C1延伸到外側。各個第2元件部丨讣 被結合到第1元件部l3a外側端。 各個第1元件部13a的長度宜為大體上互相相同。並 且’各個第2元件部13b的長度也宜為大體上互相相同。 經由此，能夠更加提高電波屏蔽層12之頻率選擇性。

倍以下（0· 5xLlSL2S2xLl)。並且， ^庋L2，宜為第1元件部丨3a的長度 15 200817564 0· 75倍以上2倍以下（0· 75xLl $ L2S 2xLl)則更為理想。 並且，弟1元件部13a的見度和第2元件部1此的寬 度也可以是互相相異，並且，也可以是相同。在本實施形 態中，第1元件部13a的寬度和第2元件部13b的寬度大^ 體上為相同寬度（L3) 〇 又 v 如上所述般，各天線13具有在各第1元件部l3a外 • 側端時被結合的3條第2元件部13b。因此，比起“γ” 子型的線狀天線（僅具有從天線中心呈放射狀延伸的3條 第1元件部構成而不具有第2元件部之線狀天線）、或所 謂十字架型天線（具有各自從天線中心互相成9〇。角度長 度大體上相同延伸呈放射狀的4條線段狀之第1元件部、 和在該各自第1元件部外側端時被結合的線段狀之第2元 件部的天線），天線13具有高頻率選擇性。因此，本實施 形恶1的捲簾1具有高頻率選擇性，而能夠正確的僅屏蔽 打算屏蔽的電波。 並且’由於天線13具有第2元件部13b，容易地使 U 第2元件部13b相對（最好是讓緊密地相對）來配置複數的 天線13 °經由使第2元件部13b彼此相對（更好是使第2 ♦ 兀件部13b彼此緊密地相對）來配置複數的天線13，能夠 更為提高對特定頻率電波之電波屏蔽率。 使第2元件部13b彼此相對同時從每單位面積來配置 更=天線13的觀點，最好是，第2元件部13b在該中心 ，第1 tl件部13a的外側端結合、並且第2元件部13b和 第1元件部13a成為直角。 16 200817564 其次，參照圖5及圖6詳細說明第1元件部丨3a的長 度L1和第2元件部13b的長度L2為相同的情況時 (u=^2。並且，於此，將“L1”和“L2，’總稱為元件長度 L)捲簾1的電波屏蔽特性。圖5係、表示射人捲簾}的電波 頻率和透過衰減量之關係圖，圖6係表示元件長度[、和 天線13所反射的電波頻率之關係圖。並且，圖5中，長 度 L1 及 L2 均為 Ll=L2 = l〇. 6_，寬度 L3 是 u = (). 7mm。

如圖5所示，射入捲簾1的電波中特定頻率（約2. 7GHz 的電波透射率選擇性地逐漸減少。換句話說，根據捲簾卜 射入捲簾1的電波中特定頻率（約2. 7GHz)的電波選擇性 :也受到屏蔽。這是由於捲簾1的電波繼12、詳細來 兒P在電波屏蔽層12所含的各個複數天線j 3，選擇性地 =射入的電波中特㈣率的電波。於此，如圖6所示， 度L)、和天線13所要反射的二件# 13b的長度(元件長 « ^ 要反射的電波頻率（特定頻率）相關。 二!反Γ牛長LL變長則天線13所反射的電波頻率 頻率㈣ > 门卜兀長度L變短則天線13所反射的電波 :二1元件部、的長度U和第2元件 口丨13b的長度L2，能夠因旛μ 率）來加以適宜地決定。譬;蔽的電波頻率（特定頻 L1與第2元件部13b的長声L ==件部138的長度 能夠經由加長第i及第二L2為相同(L1=L2)的情況時’ L1，L2來降低特定頻率—=冑13a’13b的各個長度 元件部13a，13b的各長产[面’經由縮短第1及第2 X Ll，L2則能夠提高特定頻率。具 17 200817564 體而吕，在製造屏蔽頻率5GHz的電波之捲簾i，從圖6 能夠將第1元件部l3a的長度u和第之元件部⑽的* 度L2各自設定為大體上6_(u=L2〜6mm)。 、 /相對於此’被反射的電波頻率與寬度L3並沒有报大 關係。換言之，被反射的電波頻率，主要是根據元件長 L受到決定。 又 敫？時，譬如固定第i元件部13a的長度u，經由調 整弟2元件部13b的長度丄2也能夠調整特定頻率。且體 而言’根據加長第2元件部13b的長度L2能夠降低特^ 頻率。另-方面，，經由縮短第2元件部m的長度^能 夠提高特定頻率。 天線13宜為具有導電性。換言之，宜為含導電性材 料。作為導電材料’能夠舉出銘、銀、銅、金、白金、鐵、 碳，棒、黑錯、氧化銦IT〇、銦鋅氧化物ιζ〇、其混合物 或疋〇孟等。最好是，天線13包含在這些當中具有高導 電率而比較廉價的銅、鋁、銀中的至少一種。 天線13的厚度T宜為1〇“以上2〇"以下（1〇" 4TS2(^ra)。天線13的厚度τ —旦小於ι〇ρ(τ〈⑽ m)則天線13導電性將會下降，同時天線13的電波反射率 也傾=下降。另-方面，天線13的厚度了大於心Μ別 /z m)時’天線13的可塑性傾向下降。 並且，天線13譬如可以是網狀。換言之，也可以是 具有多數開口部。經由使天線13為網狀，可以使得天線 13比車乂不‘魏。因此，特別是在面狀體本體η為透明的 18 200817564 情況等時A古 、， 線13 …效。亚且，如果使天線13為網狀時，在天 、且%圍事先形成與天線13網狀圖形相同的圖形、並且 不具有‘電性的網狀模樣將更為理想。經由此，能夠使得 天線13更不顯眼。 、…天線13 ’也可以譬如在面狀體本體11的表面lib上 ,=廣射法等成膜方法形成導電膜（譬如姜呂膜、銅膜、銀膜 • f)而根據微影等圖案化方法將形成的導電膜圖案化為規 η 疋的开/狀尺寸。亚且，也可以是經由將被圖案化規定形狀 ,尺寸的料的薄膜黏著或黏貼到面狀體本體u來形成天 線13 〇 亚且，也可以是譬如使黏結劑（binder)含粉末狀的導 電材料之糊劑（paste)(以下稱為“導電性糊劑，，）以規定 圖案來均一地塗佈到面狀體本體u其後加以乾燥來製 造。具體而言，也可以是經由將糊劑形成為規定圖案後、 譬如在10CTC以上201TC以下的氣氛中以1〇分鐘以上5小 時以下來使其乾燥製造天線13。用來製造天線13的導電 f》 性糊劑，也可以是將粉末狀的導電性材料（譬如銀）分散混 d 入到聚酯樹脂中。此一情況，導電性材料的含有率c宜為 重量百分率40以上重量百分率8〇以下（4〇wt%gc^ V 8〇wt%)，更理想的是，重量百分率5〇以上重量百分率 σ 以下（5〇wt%$C$7〇wt%)。並且，若是含有率c不滿重量 百分率40(C<40wt%)，則天線13的導電性將傾向降低。 另一方面，多於重量百分率80(C>80wt%)，將難以均二地 ㈣混人樹脂中。並且’聚S旨樹脂具有使導電性材料和面 19

200817564 狀體本體11黏接的黏著劑作用。 面狀體本體11為且古夕 情況，具體而言，由布狀體：：：微孔及/或凹凸之類的 發泡性樹脂等構成的多孔二3:、： T織布)或混凝土和 狀體本㈣而不預，二？，由於糊劑渗入面 生形狀尺寸的偏差二:入 "雨左為了抑制此一情況發生，最好 天線13形成之前，事先在 在 b ，同時，使整體厚度（面狀體本體η 旱又+主層膜厚度）均-化。塗層膜的材料並沒有特別受到 限定，譬如可以舉出樹脂(.具體而言，氨基甲酸醋 (urethane)樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂等）、橡膠等有機 材料、或玻璃等無機材料。在這些材料當中，最好是對糊 劑等天線13的形成材料（譬如液狀的形成材料）的膨潤性 為低。塗層膜的形成能夠以滾塗法（r〇n c〇ater)、狹縫 式塗佈法（slit-die coater)、刮刀式塗佈法（c〇ating knife cater)、凹版印刷塗佈法（gravure c〇ater)等加以 進行。 除此之外，天線13，譬如也可以是以旋轉塗層法、 可調式塗佈法（doctor blade)、喷出塗佈法、直立式塗佈 法（spray coat)、喷墨法、凸版印刷法、凹版印刷法、絲 網印刷法、微凹版印刷法、網版印刷法、圖形壓接法、餘 刻加工法、丨賤射法、蒸鍍法（譬如化學氣相蒸錄法（Gyp 法））、喷霧塗飾法、鑲嵌埋入法等來加以形成。

並且，本實施形態1中，雖然說明在面狀體本體U 20 200817564 表面lib上形成有電波屏蔽層12的例子，但 T一可以在面狀體本體u的兩面形成有電波屏蔽層。 二情況，也可以是使在其中一個表面形成的電波屏蔽層 另個表面开乂成的電波屏蔽層的形態不同。且體而 父譬如可以在另一個表面形成與在其中一個表面; 斤形成 纟=射的電波頻率不同的天線。經由此，將變得能夠 • 冰井敝複數種類的電波。具體而言，無線LAN的發送用電 (5 、頻率和接收用電波頻率為互相不同的情況時，最好是， 在7個表面形成具有複數反射發送用電波的天線之電波 ♦同^，在另一値表面形成另一個電波屏蔽層，該 讀屏蔽層形成有複數反射接收用冑波的天線，而使 懸發送用電波及接收用電波雙方的形態。並且，也可以 在-個表面和另一個表面的雙方形成由相同形態的天線 構f的電波屏蔽層12。經由此，對敎頻率的電波之高 屏蔽將成為可能。 和並且，從貫現更南的電波屏蔽性之觀點，最好是，在 空^30和空間40之間使複數的電波屏蔽性間隔面狀體互 相隔開地予以多重設置。具體而言，譬如可以多重地（雙 • 重或一重以上）設置作為電波屏蔽性間隔面狀體的遮光窗 , 簾、、遮=捲簾、百葉省（blind或shutter)#，以及作為 電波屏蔽性間隔面狀體的花邊窗簾、百葉窗（Mind)等。 即，在此一情況中，與在上述面狀體本體11的兩面電波 屏蔽層12的情況相同的，可以;^在複數的電波屏蔽層互 相間不同的形態，也可以是相同形態。 21 200817564 、亚且’在電波屏蔽層12上，也可以設置用來物理性 ，或2學性地保護電波屏蔽層12之保護膜（譬如樹脂膜） 等具體而譬如電波屏蔽層是由銀等比較容易氧化的 金屬所形成的情況時，也可以設置用來抑制電波屏蔽層的 氧化的氧化防止膜。並且，若是以強度較弱的金屬形&電 • 波^蔽層的情況時，也可以設置由比構成電波屏蔽層的材 • 料咼強度的材料形成的保護膜來提高捲簾1的機械耐久 性0 Ο 、， 亚且’也可以在面狀體本體u内部設置電波屏蔽層 \2。換言之，電波屏蔽層12,只要是該|波屏蔽層12沿 著面狀體本體11表面擴展，其形態、配置並未特別受到 限定。 本實施形態1中，雖然說明了電波屏蔽層12由規則 地排列的複數天線13構成之例子，然而，譬如不論頻率 為何，屏蔽射入電波時，可以是以一層或複數層的導電膜 (譬如銀薄膜、銅薄膜、鋁薄膜等）來構成電波屏蔽層H 具體而言，也可以使用導電膜來覆蓋捲簾11的表面llb。 以上本貝加开》悲1中，作為實施本發明的電波屏蔽 ♦性間隔面狀體雖然舉出了捲簾來說明本發明，但是，本發 明並未受到此一限定，譬如，也可以是窗或垂幕等。並且， 也可以疋窗簾、百葉窗（blind或shutter)、間壁等其他 面狀體。 土、八 (實施形態2) 圖7係本實施形態2中窗簾2之斜視圖，圖8係開啟 22 Ο

200817564 狀態的窗簾2之斜視圖。 本實施形悲2中，說明電波屏蔽性間隔面狀體為窗簾 2的情況。並且，在本實施形態2之說明中，以與實施形 態1共同的參照符號來說明具有實質地相同機能之構成 元件，而省略其說明。 窗簾2具備了面狀體本體11和電波屏蔽層12，該面 狀體本體11在空間30和空間4〇之間被架起的支持部件 ίο藉由複數環而被安裝成能夠開關，該電波屏蔽層12在 此面狀體本體11上被形成。經由使用此一窗簾2，與在 上述實施形態1中的捲簾1相同的，能夠形成自由地選 擇··如圖7所示、經由關上窗簾2來限制空間3〇和空間 抓之間的電波進出之狀態，或是如圖8所示、經由開啟 窗簾2來容許空間30和空間40之間電波進出之狀態。換 言之，經由使用本實施形能2的窑筐9 ^ 整對應所需之電波i境簾2將能夠自由地調 由於窗簾2也容易安裝在既存的建築物、房間 :丄？此，經由使用本實施形態2中的窗簾2,也 自由地調整既存的建築物、房間之電波環境。 H MU從實現更高的電波屏蔽性之觀點，也可以在空 和空間40之間多重地設置窗簾2 : 重窗簾地來設置窗簾2。 ，如以所明又 和空二述形態1相同地’僅限制在空間3。 頻率電波之進出日電波之進出、而容許其以外的 "好是，使電波屏蔽層12由規則排 23 200817564 列的複數天線13構成。 (實施形態3) 本貝靶形恶3中，说明電波屏蔽性間隔面狀體為百葉 自3(即所謂直式百葉窗）之情況。 圖9係本實施形態3中的百葉窗3之斜視圖，圖1〇

係開啟狀態的百葉窗3之斜視圖，圖U係面狀體本體U ί體上成為水平的百葉窗3之斜視圖。並且，在本實施形 怨3的說明中，使用鱼會絲游自t w 從用”貝苑形恶ί、2共同的參照符號來 -明具有實質地相同機能之構成元件，而省略其說明。 本實施形態3的百葉窗3,具備：在空間3〇和空間 =間被架起的支持部件1Q、—端被固定在支持部件ι〇 硬數帶狀部件51、以及藉由帶狀部件51互相連接並且 互相為平行的橫長矩形之複數面狀體本體u。並且，進 :步還料了被連接到各帶狀料5卜設於支持部件1〇 2::?即手段5〇 ’經由此一調節手段5°，能夠對以帶 ϋ ϋΓ/相連㈣複數面狀體本體11進行旋轉操作、 及百葉窗3的拉起放下之操作。 在本貫施形態3中，在各面狀體本體u的至少一個 ί:!成！電波屏蔽層12。因此，譬如如圖9所示，經 I 使得各面狀體本體u為 悲（垂直狀怨），而能夠經由以電波屏蔽層覆蓋办 0:空間4。的邊界12來限制空間3〇空間4〇之間：； 進：。另-方面’在容許空間30和空間40之 進出…如圖i。所示’操縱調節手段50使百葉窗3為拉 24 200817564 ’或是如圖11所示，使百葉窗3為放下的狀態 而=各面狀體本體Η使其為水平地呈現開啟狀態。 ή山&此地’經由使用本實施形態3的百葉窗3，將能夠 自由地調整對應所需的電波環境。 並由於百葉窗3與窗簾2同樣的，能夠容易地安 存的建築物、房間等’因此，經由制本實施形態 白、百葉窗3，也能夠自由地調整既存的建築物、房間

Ο 之電波環境。 二亚且γ從實現更高的電波屏蔽性之觀點，可以是多重 :叹置百葉窗3 ’也可以是和上述捲簾（《窗簾2、或具 有電#屏蔽層的百葉窗（shutter)和窗等同時設置。 並且，與上述實施形態1同樣的，僅限制在空間30 和空間40之間的特定頻率電波之進出、而容許其以外的 頻率電波之進出時，最好是，使電波屏㈣12由規則排 列的複數天線13構成。 (實施形態4) 上述實施形態3中所然說明所謂直式百葉窗3，但 ^ ’本發明並不受到此—限^，譬如也可以是橫式百葉 窗本貝鞑形悲4中’說明電波屏蔽性間隔面狀體為橫式 百葉窗4之情況。 …圖12係本實施形態4中的百葉窗4之斜視圖，圖13 係為開啟狀態的百葉窗4之斜視圖，目14係、面狀體本體 11對空間30和空間40的邊界大體成為垂直的百葉窗4 之斜視圖。亚且，在本實施形態4說明中，使用實施形態 25 200817564 卜3的共同參照符號來說明具有實質地相同機能之構成 元件，而省略其說明。 :葉窗4具備:在空間30和空間4〇之間被架起的棒 件10、一端被固定到支持部件1〇的複數帶狀部 == 帶狀部件52的另—端被連接而互相平行的縱 ，數面狀體本體1卜以及將複數面狀體本體η 狀二：的結部件53。進一步地還具備連結到帶 大二52、53而被設於支持部件1Q端部的調節手段50, 二由：：調節手段50,能對複數的面狀體本體 轉操作及百葉窗4的開關操作。 订疋 本實施形態4中，在各面狀體本體u 一表 Ο =!=12。因此，譬如，如圖^ 由才木縱調即手段50,能夠關閉百葉窗4 體11為關閉狀態（沿著空間3〇和口狀體本 而使得電波屏蔽層12覆蓋空間3 了 、政界之狀態） 制空間3。和空間4。之間的電I3二空 許空間30和空間40之間的電波進出 方面’如果容 操縱調節手段5。使百葉窗4為開啟狀 ，13所示’ 示，在關閉百葉窗4的狀^目 1 =如圖14所 界各面狀體本體U大體垂直地使其為1旋3=“〇的邊 如此地’經由使用本實施形態4的：狀恶。 自由地調整對應所需的電波環境。 茱® 4，將能夠 亚且，百葉窗4也和窗簾2、百葉 容易安裝於既存的建築物、房 ' 肖樣的’能夠 方门寺因此經由使用本實施 26 200817564 形怨4的百葉窗4，也能夠自由地調整既存的建築物、房 間之電波環境。 ’、 並且’從實現更高的電波屏蔽性之觀點，也可以多重 地來设置百葉窗4，也可以是和上述捲簾丨和窗簾2、百 葉窗3、或是具有電波屏蔽層的百葉窗和窗等同時設置。 並且，與上述實施形態1同樣的，在僅限制空間3〇 和空間40之間的特定頻率電波之進出、而容許其以外的 頻率電波之進出時，最好是，使電波屏蔽層12由規則排 列的複數天線13來構成。 (實施形態5) 本實施形態5中，說明有關電波屏蔽性間隔面狀體能 夠開關而構成的間壁5之情況。 圖15係本貫施形態5的間壁5之背面圖，圖16係間 壁5之正面圖，圖17係表示間壁5為開啟狀態之背面圖。 並且，在本實施形態5說明中，使用實施形態丨〜4共同 的參照符號來說明具有實質地相同機能之構成元件，省略 其說明。 本實施形態5的間壁5具備：縱長矩形的複數面狀體 本體11和電波屏蔽層12，該複數面狀體本體n係被安 裝在對應地板及天花板而設的間壁位移用軌道5 4 (軌道 5 4也可以僅设於天花板或地板）而能夠改變位置，該電波 屏蔽層12係被形成於面狀體本體π的至少一個表面。 軌道54，譬如設於位於一個房間内的空間3〇和空間 40之間（譬如橫過房間中央部一樣地），如圖15及圖16 27 200817564 所不，經由沿著軌道54使複數的面狀體本體11排列而以 電波屏蔽層12來覆蓋空間30和空間4〇的邊界，使得帝 波性地空間30和空間4〇區隔開來。換言之，經由使用： 的間壁5,能夠將一個房間區隔形成 =Γ。並且，在空間勒空間4°使用相同無線 Ο u 私動到角落，而使得空間3〇和空間4〇聯通即可。經 S，。來使得形成容許空間3〇和空間40之間電波進出的 這樣地’經由使用本實施形態5的間壁5，將能夠自 由地調整對應所需的電波環境。 μ並且，間壁5也和窗簾2、百葉窗3,4同樣的，能夠 谷^易安裝到既存的建築物、房間等，因此經由使用本實施 形恶5的間壁5,能夠自由地調整既存的建築物間 電波環境。 並且，從實現更高的電波屏蔽性之觀點，也可以 地來設置間壁5,並且可以和上述捲簾i和窗簾2、百葉 窗3’4、或具有電波屏蔽層的百葉窗和窗等同時設置。” 並且，與上述實施形態1同樣的，在僅限制空間3〇 ^間4〇之間㈣㈣率電波的進出而容許其以外的頻 。電波的進出時’最好是，使電波屏蔽層12由規則排列 的複數天線13構成。 (實施形態6) 上述實施形態2中，雖然說明了左右開啟的橫開啟式 28 200817564 窗簾之情況，但是，本發明並不受到這樣橫開式窗簾的限 制’譬如也可以是一種上下開關的窗簾之遮光簾（plain shade)。於此，本實施形態6中，說明電波屏蔽性間隔面 狀體為遮光簾之情況。 圖18係本實施形態6的遮光簾6之平面圖。並且， 在本實施形態6說明中，使用實施形態1〜5共同的參照 (

付號來說明具有實質地同樣機能之構成元件，而省略其說 明。 ’、 如圖18所示，本實施形態6的遮光簾6具備：由花 邊和印刷模樣等構成的有彈性的面狀體本體6〇、在該面 狀體本體60上形成的電波屏蔽層12、以及調整手段5〇。 並且，經由操縱調整手段50，使得在表面形成有電波屏 蔽層12的面狀體本體60折疊而將其拉起放下來構成。 經由使用此一遮光簾6，和上述窗簾2同樣的，能夠 自由選擇形成限制隔著此一遮光簾6相鄰的空間之間的 電波進出狀態、或是容許電波進出的狀態。換言之，在想 限制相鄰空間彼此之間的電波進出時，能夠經由操縱調整 手奴50拉下遮光簾β來屏蔽互相相鄰的空間。另一方面， ^要容許相鄰的空間彼此之間的電波進出時，操縱調整手 瑭伞0靈來拉起遮光簾6即可。因此，根據本實施形態6的 H將㈣自由地調整對應所需的電波環境。 =且_光簾6也容易安裝於既存的建築物、房間 諸$仏 遮先戚6，將能夠自由地調整既存的 建杀物和房間之電波環境。 29 200817564 —當然，也可以與遮光簾6同時多重地設置窗簾2、捲 簾1、百葉窗3, 4等。 (實施形態7) 圖19係本實施形態7中雙重捲簾7之側面圖。 本貫施形悲7的雙重捲簾7具備了上述實施形態J中 說明的捲簾1和捲簾8。捲簾8具備棒狀的支持部件8〇、 和被該支持部件80捲起能夠拉出的彈性的面狀體本體 8,1。並且，和捲簾！不同的是，在面狀體本體81的表面 並沒有形成電波屏蔽層12。而雙重捲簾7係被構成為， 具有電波屏蔽層12的捲簾1位於室外側，不具有電波屏 蔽層12的捲簾8位於室内側。換言之，有關本實施形態 7的雙重捲簾7係為在實施形態1的捲簾丨的更室内側配 置有不具有電波屏蔽層12的普通捲簾8。 因此，經由使用雙重捲簾7，和上述實施形態1的說 明相同的’將能夠自由地調整對應所需的電波環境。並 且’也能夠自由地調整既存的建築物和房間的電波環境。 並且，本實施形態.7，在室内側設置有普通的捲簾8。 因此，即使是譬如應該限制電波的進出室内而拉出捲簾i 的面狀體本體11之狀態，捲簾8的面狀體本體81也為拉 出狀態使得從室内不會視認到電波屏蔽層12。並且，由 於捲簾8係對電波環境的整備絲毫不產生作用的部件，而 能夠自由地設計。譬如，配合房間之設計、色調。因此， 經由使用本實施形態7的雙重捲簾7，不僅能夠進行自由 的電波環境整備，也將能夠形成設計上協調的室内空間。 30 200817564 、、2如在具有素色單色的牆及天花板的室内窗部配置 =貝施开v悲1之捲簾1，則捲簾1的天線13可能將會 非¥顯眼，而有損房間設計性的協調。然而，如果配置具 有和牆及天花板為同色系的素色面狀體本體81的雙重捲 簾7日守，譬如將使得從室内不至於視認到天線13，而只 ' =看得到與牆和天花板同色系的面狀體本體81。因此， ， 至内空間的設計上協調將受到保持。 p (變形例1) I | 以上在上述實施形態丨〜了中，係說明了一種電波屏 蔽性間隔面狀體的例子，該電波屏薇性間隔面狀體具備有 1種T-Y型天線13互相等間距地分隔而被複數排列成矩 陣狀所構成的電波屏蔽層12。但是，在本發明中，電波 屏蔽層12的結構並非受到限定的結構。於此，以下，作 為變形例1〜11，將說明本發明中電波屏蔽層12的其他 形態（電波屏蔽層12a〜12k)。 首先，按照圖20及圖21來說明變形例1。圖2〇係 本變形例1的電波屏蔽層12a之平面圖，圖21係擴大電 波屏蔽層12a的一部分之平面圖。 . 本變形例1中，複數的天線13以規定間隔被排列成 矩陣狀而構成複數的天線集合體15，該天線集合體15有 • 規則地（譬如矩陣狀）排列構成電波屏蔽層12。具體而言， 複數的天線13構成著複數天線組14，該複數天線組14 分別由第2元件部13b彼此相對而設置的一對所構成，進 一步地’该複數的天線組14構成著複數的天線集合體 31 200817564 15二巧數的天線集合體15係第2元件部撕彼此相對 續展開的六角形。換句話說，各天線集合 =使弟2元件部136彼此相對而環狀配置的3板 件邻句 線集合體15係由第2元 。士 ★彼此相對成而環狀配置的6個天線13所構成。 m沾ΓΓ例卜構成天線集合體15的18條第2元件部 Γ Ο 條之第2元件部13b係被設置為互相大略 ^而^相對。如此地’經由使較多的第2元件部咖 對地來配置天線13，能夠更為提高天線13對 特疋湧率琶波之電波反射率（電波屏蔽率）。因此，能夠實 現對特定頻率電波呈右古+、士 、 面狀體。 八有同电波屏敝率之電波屏蔽性間隔 ^且’相對的第2元件部13b之間的距離叫參照圖 的天盘線13 #電波反射率(電波屏蔽性間隔面狀體 波屏敝率）將變高。具體而言，相對的第2元件部i3b 广的距離XI宜為在。4測以上3_以下 ^。更理想的侧為以随以上-以下㈤隱』 :咖）。距離XI紐於0.4_(χι<〇.4_)則相對的第2元 二部13b彼此將有不想_的接觸。另―方面，距離χι —旦長於3mm(Xl>3mm)則電波屏蔽率將傾向 並且，從實現對以種種射入角射入的電T定的電波 屏蔽性之觀點，天線集合體15宜為六角形狀（宜為大體上 ，角形狀）。因此，帛i元件部13a和第2元件部⑽ 且為成直角。並且，最好是在第2元件部咖的中心愈第 32 200817564 1元件部13a結合。 (變形例2) 圖22係變形例2中的電波屏蔽層i2b之平面圖。 在本變形例2,天線集合體15進一步地配置成使得 弟2元件部13b彼此相對即所謂蜂巢狀（h〇neyCOm]3)。因 此，在變形例2中，大約所有的第2元件部13b彼此相對。 如此地，經由配置天線13，能夠比變形例丨配置更多互 相相對而設的第2元件部13b。因此，能夠實現具有更高 的電波屏蔽率之電波屏蔽性間隔面狀體。 (變形例3) 圖2 3係變形例3中的電波屏蔽層12 c之平面圖。 在上述實施形態及變形例中，電波屏蔽層12只由1 種天線構成，相對地，本變形例3，如圖23所示，電波 屏蔽層12c係由複數種類的天線構成。具體而言，電波屏 蔽層12c係由較大的複數天線16和較小的複數天線17構 成。這些天線16，17均為與上述天線13相同形狀的τ—γ 型天線。 大型天線16和小型天線π，係交替的並且不互相干 涉地被配置矩陣狀而分隔。天線16和天線17可以互相是 相似形，也可以是非相似形。並且，電波屏蔽層l2c也可 以進一步地包含天線16及天線17以外種類之天線。 大型天線16和小型天線17，具有互相不同的頻率選 擇性。換句話說，天線16和天線17所屏蔽的電波頻率互 相不同。因此’若按照本變形例3，能夠實現能選擇性地 33 200817564 屏蔽頻2互相不同的2種電波之電波屏蔽性間隔面狀體。 本、交形例3中的電波屏蔽性間隔面狀體，譬如使用無 線LAN的環境（使用24GHz頻帶及52GHz頻帶的2個頻 率電波之環境），對於使用著複數頻率之電波環境特別亦 用。 • 並且，在使用了 3種以上的頻率之電波環境中，也可 以以大小互相不同的3種以上的天線來構成電波屏蔽層 12c 〇 ( (變形例4 ) 圖24係變形例4的電波屏蔽層12d之平面圖。 在本變形例4中，也是與上述變形例3同樣的，電波 屏蔽層12d由大小互相不同的2種天線16,丨々構成。並 且，大型天線16及小型天線17，各自與變形例3中的天 線16及天線17為相同形狀。 本變形例4中，與變形例2的複數天線13同樣的， 由第2元件部16b彼此相對地被配置的一對天線16構成 ◎ 著天線組18。並且，3組的天線組18，經由使得第2元 件部16b彼此相對地排列，構成著二次元狀連續展開的六 • 角形天線集合體19。換句話說，各個天線集合體19分別 由第2元件部16b彼此相對地被配置成環狀的3組天線組 ’ 18構成。換句話說，各天線集合體19由第2元件部161) 彼此相對被配置成環狀的6個天線13所構成。並且，複 數的天線集合體19進一步地使得第2元件部彼此相 對地被配置成所謂蜂巢狀。 34 Ο

200817564 另一方面，有關複數的天線17，與變形例1中的複 數天線13同樣的，第2元件部1 7b彼此相對而設的„對 天線17構成著天線組2〇，並且，3組天線組2〇構成著第 2 το件部nb彼此相對地而設成二次元連續展開的六角形 天線集合體21。並且，各天線集合體21被配置成為天線 集合體19包圍。 若根據這樣的排列，天線16的第2元件部16b彼此、 天線Π第2元件部nb彼此各自能以高機率使之相對， 並且使各天線16，17以相同程度的密度加以配置。因此， 對天線16所屏蔽的電波及天線17所屏蔽的電波雙方，能 夠以更高的頻率選擇性、並且更高的屏蔽率來進行屏蔽。 一在本變形例4,第2元件部i6b，1Tb的長度宜為較短。 =由=丄能夠抑制天線16和天線17的接觸。因此，能進 一步提高構成被天線集合體19包圍的天線集合體21的天 線17之尺寸自由度。其結果，能夠實現譬如能夠選擇性 地屏蔽較近頻率的2種電波之電波屏蔽性間隔面狀體。 (變形例5) 圖25係變形例5中的電波屏蔽層丨^之平面圖。 本變形例5係上述變形例4的進一步變形例。本變形 :5:’天線集合體19和天線集合體以具有互相不同的 、“子稱軸天線集合體19線的對稱轴和天線集合體21的 線對稱軸互相傾斜。 要根據天線集合體19來包圍天線集合體义必須使得 構成天線集合體21的天線17的尺寸小於構成天線集合體 35 200817564 19的天線16的尺寸。譬如，如變形例4所示，在使得天 線集合體19和天線集合體21的線對稱軸互相不傾斜配置 時’為了使天線16和天線17互相不干涉地，必須使得天 線17相對天線16為非常小，結果將使得天線16、天線 17的設計自由度變低。 • 相對於此，如本變形例5所示，在天線集合體19和 ‘ 天線集合體21的線對稱軸彼此傾斜（圖示例子中，傾斜角 p 度0為0 =10°)加以排列時，在天線集合體19中互相相對 的第2元件部16b的部分、和在天線集合體21中互相相 對的第2元件部17b的部分之位置關係，在天線集合體 19，21的中心周圍相對地偏離。因此，在本變形例5，如 果與k形例4所示情況相比較，將能夠增加天線17對天 線16的相對大小，因此，將能夠提高天線16、天線17 形狀尺寸的設計自由度。結果，將能夠進行對頻率相近 (第1頻率和第2頻率的比（第丄頻率〈第2頻率）為〇 45 以上）2波的電波屏蔽。 〇 並且，圖25中，雖然使得天線集合體19、天線集合 體21被配置為最緊密的狀態，但是根 屏二 . …以使其不緊密地配置，而各自適宜地調 合體19、21的數目。 , (變形例Θ) 上述貫施形態及變形例1〜5中，雖然說明了能夠選 擇性地屏蔽1種或複數種類頻率的電波之電波屏蔽性間 隔面狀體，但是，本發明的電波屏蔽性間隔面狀體，也可 36 200817564 以是能夠選擇性地屏蔽1種或複數種類頻帶的電波。於 此，在變形例6中，說明以選擇性地反射特定頻率的電波 之複數種類的天線構成的電波屏蔽層、以便能夠選擇性地 屏蔽特定頻帶電波的例子加以說明。具體而言，說明由3 種天線22a，22b，22c構成電波屏蔽層i2f的例子。 • 並且，“頻帶”指的是比頻帶超過10%的頻率之區 . 域。並且，所謂“選擇性地屏蔽特定頻帶電波，，之電波屏 ( 蔽性間隔面狀體，係l〇dB的比頻帶（最好是2〇dB的比二 帶、更理想的是30dB的比頻帶）超過1〇% (>1〇% )之電波 屏蔽性間隔面狀體。相對於此，所謂“選擇性地屏蔽特定 頻率的電波”之電波屏蔽性間隔面狀體，係1〇dB的比頻 帶為10%以下10%)之電波屏蔽性間隔面狀體。並且， 使10dB的比頻帶屏蔽i〇dB以上（^10仙）的電波頻率之最 大值為Fmax，並且，屏蔽lOdB以上i〇dB)的電波頻率之 最小值為 Fmin，以 2(FmaX-Frain)/(Fmax + Fn»in)表示。 以下’ 一邊參照圖26 —邊詳細說明本變形例6中的 L) 電波屏蔽層之結構。圖26係本變形例β中電波屏蔽 層12f之平面圖。 • 電波屏蔽層12f係由選擇性地反射互相不同的特定 • 頻帶電波之複數種類的天線22、具體而言由第1天線 22a、第2天線22b和第3天線22c的3種天線構成。第 1天線22a、第2天線22b和第3天線22c各自的電波反 f頻譜^峰互相不獨立。換句話說，各自的電波反射頻譜 尖峰連續。因此，本變形例中的電波屏蔽層l2f能夠選擇 37 200817564 性地反射具有規定寬度的頻帶（譬如815ΜΗζ以上925μηζ 以下的頻帶）之電波。譬如，電波屏蔽層12f具有如圖π 所示的電波屏蔽特性（電波的透過衰減特性）。從實現具有 更高的電波反射頻譜尖峰的連續性之觀點，電波屏蔽層 12f中所含的天線22a〜22c的各個尺寸宜為這些天線 〜22c中成為基準種類之天線尺寸的±15%(最好是+^ %，更理想是±5% )以内。 圖27係示例出電波屏蔽層12f的電波屏蔽量（電波的 透過衰減量)和頻率之關係’從此一特性圖可以得知，第 1天線❿的頻譜尖峰P2、第2天線22b的頻譜尖峰p3、 和第3天線22c的頻譜尖峰P1互相不獨立而連續著。換 句話說，最大尖峰P1從基線BL的深度為耵，相對於谷 部到基線BL深度H2之比（電波反射（屏蔽）率之比）為 %以下（3dB以上）。並且，根據電波屏蔽層⑵，尖 〜P3之間的頻帶整個區域電波係以咖以上的高屏蔽率 Ο ^屏蔽（反射）。並且，最好是，大於1_的比頻帶10 % ° 並且，所謂“電波反射頻譜尖峰互相不獨立（連 續）”，指的是對電波屏蔽性間隔面狀體具有的電波反射 (屏蔽）頻譜中，頻譜尖峰之間谷部的最小電波反射（屏蔽） 率對最大頻譜山峰（尖峰）的電波反射（屏蔽）率之比大於 50%(最大的頻譜山峰（尖峰）的電波反射（屏蔽）率 部的最小電波反射（屏蔽）率的差小於3dB)。另一 “電波反射頻譜尖峰互相獨立（沒有連續），，，係指電波屏 38

200817564 : = : =體ί有的電波屏蔽頻譜(電波反射頻譜)中 :=峰)的電波反射(屏㈣之比為二= =山峰=峰)的電波反射(屏蔽)率和谷部的最 反射（屏蔽）率的差在3dB以上）。 本變形例6中，雖然使第1〜第3天線22a〜 口自為與實施形態中所說明的天線13相同形狀的τ—γ ，但疋’々也可以以譬如γ字型和十字架型等來取代 一 / 。亚且，第1〜第3天線22 a〜22c也可以互相是不 同形狀’並且’也可以是同樣形狀而大小互相不同的相似 其火’ 一邊芩照圖26 —邊詳細說明本變形例6中的 天線22a〜22c之配置。 在電波屏蔽層12f，第1天線22a、第2天線挪和 第3天線22c被二次元排列而使得各自在一個方向按照此 -順序交替地被排列來構成複數的天線列23。換句話說， 電波屏蔽層12f係分別由第！〜第3天線仏〜22c在一 個方向互相杈此一順序父替排列而成的複數列的天線列 23互相以大略平行配置而構成。 在電波屏蔽層12f，各個第1天線22a與該第1天線 22a所屬的天線列23的隔壁天線列23所屬之第2天線2汕 和第3天線22c相鄰。同樣的，各個第2天線⑽與該第 2天線22b所屬的天線列23的隔壁天線列23所屬之第” 天線22a和第3天線22c相鄰。各個第3天線22c與該第 39 200817564 天線22c所屬的天線列23的隔壁天線列23所屬之第2 天線22b和第1天線22a相鄰。換句話說，有關第玉天線 22a，各個第！天線22a、和各自位在該第^天線仏所 的天線列23兩侧的天線列23而與該第」天線…最為 接近的2個第1天線22a之間，3條天線中心被構成為： ' 線22b和各自位在该第2天線22b所屬的天線列23兩

C) 23 2 22b 2 MM 天線^ 22b之間，3條天線中心被配置成三角形（最好是正 二角形）。有關第3天線11c，各個第3天線22c、和各自 位在該第3天線22c所屬的天線列23兩側的各天線列23 而與該第3天線22c最接近的2個第3天線22c之間，3 條天線中心被配置成三角形（最好是正三角形）。 經由如此的配置，譬如第j天線22a的第2元件部將 被配置成進入到隔壁天線列23的第2天線22b和第3天 線22c之間，而能夠將複數天線列23在行方向（橫方向） 〇 緊密地配置。換句話說，如圖26所示，譬如在第]天線 22a所配置的區域R内，將能夠使最接近該第i天線22& • 的3條第2天線22b的第2元件部進入的狀態。因此，能 • 夠在每單位面積配置更多的天線22a〜22c。 於此’電波的屏蔽率與每單位面積的天線22數量相 關’右單位面積的天線22數量增加，電波的屏蔽率也增 加。因此，若根據本變形例6中的天線22之配置，則能 夠貫現更南的電波屏蔽率。並且，由於第i〜第3天線22a 40 Ο Ο 200817564 :Γ象!二位面積所包含的各個數大體相同，將能夠抑制 頻帶之間的電波屏蔽不均勾。並且，從更進—步: 宜為短於笛了 ί 硯點，第2元件部的長度L2 且為紐於弟l7L件部的長度L1(L2〈L1)。 第2並二ί本變形例6的天線22a〜22c之排列，使得 兀件口P被此不平行相對地排歹,J 〇因此，將能夠使得带 波：蔽層，的頻率選擇性保持地較低。換句話說，能： 【電波屏蔽層12 f的屏蔽對象頻帶之比頻帶保持地較寬 廣。因此’能夠實現對於特定頻帶的整個區域的電波偏傾 少的良好電波屏蔽率。 、 (變形例7) 、以上，雖然說明τ-γ型天線（天線13、16、17)所構 成的電波屏蔽層12之例子，但是，電波屏蔽層12也可以 以T Y 天線以外的天線來構成。譬如，如圖別所示， 也可以疋Υ字型的天線24。並且，其配置也可以是矩陣 狀。並且’所謂“Υ”字型的天線24，具體而言，係指由 從天線中心互相成大略丨2〇。角度以同樣長度呈放射狀延 伸、長度大體相同的3條線段狀第丨元件部24a所構成之 天線。 (變形例8) 變形例8係上述變形例7的進一步變形例。上述變形 例7中，電波屏蔽層12g僅由1種天線24加以構成，本 變形例8中，電波屏蔽層12h係由大小互相不同的2種¥ 字型天線25、26加以構成。若根據此一結構，能夠實現 41 200817564 屏蔽頻率互相不同的複數種類之電波之電波屏蔽性間p 面狀體。 ㈨ 圖29所示，本變形例8，較大天線25係被排列成 使，第1元件部彼此相對。具體而言，各個天線託的3 條第1 το件部，其各自被排列成與不同的天線25之第工 / 元件"卩平行且接近相對。並且，在由較大的天線25所區 . 隔形成的六角形區域内，其各自配置有各一個較小天線 p 24。經由如此的排列，將能夠提高天線25對特定頻率電 波之電波屏蔽率。 ^ (變形例g) 圖30係變形例9中電波屏蔽層12i之平面圖。 本實施例10，電波屏蔽層12i係由十字架型的複數 天線27所構成。各個天線27係分別具有4條線段狀第i 元件部27a和線段狀的第2元件部27b;該第1元件部27a 從天線中心互相成90。角度以大體同樣長度延伸呈放射 狀，該第2元件部27b在各第1元件部27a外側端以各自 Q 規疋角度（典型為垂直）被結合。經由以此一形狀的夭線 27構成電波屏蔽層i2i，與由上述變形例7, 8所說明的γ 子型天線構成電波屏蔽層的情況相比，能夠實現更高的頻 率選擇性（但是’與由T-Y型天線構成電波屏蔽層的情況 • 相比則頻率選擇性低）。 複數天線27被排列成矩陣狀使得互相袓鄰的天線27 的第2元件部27b彼此相對地（最好是平行且靠近地相 對）。根據此一排列’能夠更加提局天線2 7對特定頻率電 42 200817564 波之電波屏蔽率。 (變形例10) 圖31係變形例1〇的電波屏蔽層12j之平面圖。 本變形例10係上述變形例9的進一步變形例。上述 變形例9中電波屏蔽層12i係僅由丨種天線27所槔成， ， 相對於此，本變形例中，電波屏蔽層12j係由大小互 ， 相不同的2種十字架型天線28,29所構成。若根據此一結 ζΛ 構，將能夠實現能屏蔽頻率互相不同的複數種類之電波的 \ 電波屏蔽性間隔面狀體。 如圖31所示，本變形例10中，複數的天線28被排 列成矩陣狀使得互相相鄰的天線28的第2元件部28b彼 此相對（最好是平行且靠近地相對）。並且，根據較大的天 線28被區隔形成的大略方形區域内，其分別配置了各工 個較小天線29 〇 口 經由如此的排列，將能提高天線28對特定頻率電波 之電波屏蔽率。 G (變形例11) 圖32係變形例丨丨中的電波屏蔽層i2k之平面圖。 • 本變形例U係僅使天線28,29的排列相異的、上述 變形例10的進一步變形例。 t變形例11中，在圖32的橫方向中互相相鄰的天線 28的第2元件部28b被排列成彼此地相對（最好是平行且 靠近地相對）的天線28的天線列、和同樣在橫方向中互相 相鄰的天線29的第2元件部29b被排列成彼此相對（最好 43 200817564 是平行且靠近地相對）的天線29的天線列，在圖犯縱方 向中被父替排列。根據如此的配置，能夠提高天線 各自對特定頻率電波之電波屏蔽率。 (變形例12) 圖33係變形例12的天線13之平面圖。詳細來說， 圖33(a)係表示在本變形例12的天線13的整體平面圖， 圖33(b)係顯示擴大圖33(a) “b”部分（天線中心c附近 部分）的平面圖，圖33(c)係顯示擴大圖33(a) “c”部分 的平面圖。 口 上述實施形態及變形例中，雖然說明天線丨3係由不 具有開口部的金屬膜（金屬箔）所形成的例子，但是，天線 13，譬如如圖24所示，也可以由具有開口部的金屬膜和 金屬箔（譬如網狀的金屬膜和金屬箔等）形成。 於此，所謂具有開口部的金屬膜（金屬箔）係指：被形 成為平面視方格狀（三角方格狀、六角方格狀，柯林斯方 格狀等）等平面視網狀的金屬膜（金屬箔），被形成為平面 視圓形、平面視橢圓形、或平面視多角形的細微孔的金屬 膜（孟屬洎），或被形成為平面視圓形、平面視橢圓形、或 平面視多角形的多數金屬膜（金屬箔）被互相分隔地排列 來構成等。 根據此一結構，由於天線13能夠某種程度地使光透 射，因此天線13將難以停留在視線。因此，根據此一構 成’譬如在電波屏蔽性間隔面狀體為透明的情況時，經由 使基材10為透明能夠實現難以妨礙視野的電波屏蔽性間 44 200817564 狀？。亚且’在電波屏蔽性間隔面狀體表面形成模樣 的u况日守，忐夠抑制天線丨3的模樣輪廓模糊、 視 認性的惡化。 見 彳欠天線13的透明性（難以為視線所見）與導電性（電 波屏，性）並存的觀點，如圖33(a)(b)所示，天線13，在 • 3條帛！元件部13a相交的部分以平面視三角方格狀的網 ， 狀，屬膜（或金屬箱）構成，同時在其他第丨元件部Ua f) =部分以平面視正方格狀的網狀金屬膜（或金屬箔）構成 第2元件部13b是特別理想。 亚且，從上述觀點，金屬膜（金屬箔）對天線13所佔 面積比例宜為2· 5%以上30%以下。 、並且，使構成天線13的金屬膜（金屬箔）為平面視網 狀日守’如圖33(c)所示，線寬度w和間隔尺寸p，能夠以 導電性（電波屏蔽性）和開口率（透光性）的關係適宜地加 以設定。譬如，能夠使線寬？在5//m以上7〇/zm以下（5 最好是，在8//m以上3〇//m以下（8" U ^WS30/zm)。並且，若是線寬旦小於5/zm(w<5#m)， 則將難以獲得必要的導電性（電波屏蔽性）。另一方面，若 • 是線寬W超過7〇/^(W>70//m)，則將不能獲得充分的開 口率（透光性）。 • 另一方面，能夠使間隔尺寸P為50#m以上400 #m 以下（50#«^?$ 400/^)。最好是，為1〇〇//111以上3〇〇 # m以下（100 # PS 300 # m)。若是間隔尺寸p 一旦小 於50//πι(Ρ<50/ζιπ)，則將不能獲得充分的開口率（透光 45 200817564 ，）。一旦間隔尺寸ρ超過400 # m(p>400 # m)則將難以獲 得必要的導電性（電波屏蔽性）。 (變形例1 3 ) η

、圖34〜圖37係表示變形例13的電波屏蔽性間隔面 狀體及電波屏蔽層。本變形例13中，電波屏蔽層12被設 於具通氣性的支撐體60a之基材6〇上而構成電波屏蔽薄 層，經由以黏著齊"1#將電波屏蔽薄層黏貼到面狀體本 體11,，來使得電波屏蔽層12被配置到該面狀體本體U 上。亚且，電波屏蔽薄層是長形物被捲成圓筒狀，只 所需長度而加以裁剪使用。 出 作為使上述電波屏蔽薄層黏貼到面狀體本體11上的 形態，首先，如圖34所示，能夠舉出如下情況··即，在 與電波屏蔽薄層的與電波屏蔽層12相反的面、和面狀體 本體11重疊地來加以構成。在此一情況時，電波屏蔽薄 層，如圖35所示，在基材6〇的與電波屏蔽層12相反側 的面（圖35下側）的面層狀塗佈有黏著劑61，在該表面， 黏貼有將此一電波屏蔽薄層黏貼到面狀體本體丨1時可 下的保護膜62。並且，如圖36所示，在將電波屏蔽薄層 的電波屏蔽層12的面重疊到面狀體本體u時，電波屏^ 薄層，如圖37所示，在基材6〇的電波屏蔽層12 一側（圖 37下側）的面層狀塗佈有黏著劑6][，在該表面，與上述L 況相同，黏貼有保護膜62。 ^ 並且，本變形例13中，在上述支撐體6〇a的一個 面的整體形成有塗層膜60b，上述的基材6〇由這些支^ 46 200817564 體60 a和塗層膜6〇b所構成。 、上述塗層膜60b係用來使支撐體60a的通氣性降 低。並且，塗層膜6〇b形成於支撐體6〇a的至少一部分上。 因此，在基材60的上述塗層膜60b形成部分，將成為通 氣性降低的狀態。 於此，作為支撐體6〇a能夠舉出織布（譬如平織等） • 或不織布、編織物、花邊、氈（felt)、等布狀體，並且作 Γ 為其厚度，能夠舉出板狀、薄層（sheet)狀、或薄膜（fiim 狀等。 ' 作為塗層膜6Ob，只要是能夠抑制支撐體6〇a的通氣 性並沒有特別限定。譬如，塗層·膜6〇b宜為由樹脂和橡膠 等有機（高分子）材料或是由玻璃等無機材料等構成，在這 些材料中，在不使電波屏蔽特性下降的範圍可以配合加添 劑（老化防止劑、著色劑等）。並且，在使支撐體6〇a為透 明的情況等，塗層膜60b宜為透明（光透射性）。並且，也 可以使得塗層膜60b僅設於電波屏蔽層12被形成的區域 Q 或天線13被配置的區域。 其次，按照圖38，說明上述電波屏蔽薄層之製造方 法。圖38係顯不在基材60上形成複數的天線13(電波屏 蔽層12)的步驟側面圖。 首先，譬如準備具有彈性及通氣性的布狀體等支撐體 60a。並且，在該支撐體60a的一個表面上形成塗層膜6〇b 完成基材60。於此，由於塗層膜6〇b降低了支撐體6〇a 的通氣性，因此，獲得的基材60將成為通氣性被降低。 47 200817564 並且’也可以使得基材6 〇的通氣性實質地完全喪失。並 且，如圖38所示，基材60在吸附盤4〇上展開而加以配 置。吸附盤40，係在平坦且平滑的表面使複數的吸氣孔 41的各一端分別被開口。並且，吸氣孔41的另一端，被 連接到圖略的吸引手段（譬如（真空）泵等）。經由驅動該吸 • 引手段，使得被配置在吸附盤40上的基材60被吸附保持 . 在該吸附盤40上，經由此，使得將形成天線13(電波屏 蔽層12)的基材60表面變成平坦地，也就是不產生“敵 褶” “鬆弛”而來保持基材60。並且，以此一狀態，在 上述基材6 0上來形成由複數天線13構成的電波屏蔽層 12獲得電波屏蔽薄層。其後，將該電波屏蔽薄層以黏著 劑61黏貼到面狀體本體11上，經由此完成電波屏蔽性間 隔面狀體。並且’形成塗層膜6Ob的步驟也可以和形成電 波屏蔽層12的步驟連續進行，也可以在形成塗層膜6〇b 之後’暫時捲成圓筒狀加以保管，其後再度形成電波屏蔽 層12。 ◎ 為了以咼的形狀尺寸精度來形成複數天線，必須使這 些形成有複數天線的表面成為平坦地、不產生“皺褶” r “鬆弛”“彎曲”地來保持基材60。此時，在具有通氣 性的支撐體60a上直接形成複數天線13時，支撐體60a • 的通氣性，將使得表面難以保持平坦（不產生“皺褶” “鬆弛”）。譬如即使在吸附盤40上配置吸引不具有塗層 膜60b的支撐體60a’由於支樓體60a的通氣性，將難以 充分地吸附保持支撐體60a。因此，將難以高的形狀尺寸 48 200817564 精度來形成複數的天線13。該結果，難以實現高電波屏 蔽性。此時，電波屏蔽層12(天線13)有可能變成譬如不 具有頻率選擇性。

D Ο ^相對於此，本變形例13中，由於在具有通氣性的支 撐體60a上形成有使該支撐體6〇a的通氣性降低的塗層膜 6〇b。因此，將能夠根據吸附來充分地保持具有通氣性的 支擇體術為續的基材6〇。換句話說，能夠保持基材 6〇使形成有複數天線13的表面保持為平坦的狀態。因 此，將能夠以高的形狀尺寸精度來形成複數天線13。結 果’能夠實現高電波屏蔽性。 、並且’也肖b夠考慮根據吸附手段以外的手段來保持上 述基材60。、譬如’也能夠考慮用黏著劑等加以保持。然 而，此一情況，基材60裝卸作業將變得繁雜。特別是， =要以高平坦度來保持基材6〇則裝卸作業將更加變得繁 難度增大。因此，具有高電波屏蔽性的電Ϊ 變得困;,Γ方1是在:波屏蔽性間隔面狀體的製造將 將根據吸附來保持基材60，在 、在表面高平坦度的狀態’與使用上述的黏 者刎專加以保持比較之下，極為容易。 -實驗例子- 來雷=明製造本變形例13的電波屏蔽薄層、而用 末调查，f屏蔽特性（透過衰減特性）之實驗。 薄層。具體而言，^附二4:(參照圖38)製造電波屏蔽 百先以藏基甲酸酯樹脂採用滚塗法形 49 200817564 成由東洋染化公司製的“#0717—cu(米黃色），,所構成的 支撐體60 a的表面而形成塗層膜6〇b，以此作為基材6〇。 其次，、使用在聚酯樹j旨中以63wt%的比例分散混入銀 微粒子形成的銀糊劑，在上述塗層膜6〇b上以絲網印刷法 製造天線13。經由將上述基材6〇吸附保持在吸附盤4〇 來製造天線13。製造天線13後，在基材6()表面上幾乎 無法視認出有銀糊劑滲透。並且，作為第丨元件部的長度

LI，Ll = 12.94mm，第 2 元件部的長度 L2，L2：=9 32_，第 1元件部&及第2元件部的線寬度L3，L3 = 1.58_。 用女捷倫（Agilent)公司制的網路分析儀（netw〇rk analyzer)測里如上述所獲得的電波屏蔽薄層之透過衰減 作S比例子，除了不形成以氨甲酸酯樹脂的塗層應 60b以外根據與上述實驗例相同步驟來製造電波屏蔽薄 ㈢同樣的凋查了過衰減特性。並且，在比較例中，製達 出天線後，在基材表面視認到有銀糊劑的滲透。 39係—併顯示實驗例的電波屏㈣層之透過衰減 ^比較例的電波錢薄層之透過衰減特性。 『斤：圖丨39可以侍知’實驗例的電波屏蔽薄層，在2.4GH: 層：有St強的尖峰。經由此，得知實驗例的電波屏蔽簿 ;工：：的頻率選擇性。相對於此，比較例的電波屏箱 觀“ii·:;附=透!衰減量嫌^ 幾乎不具有頻率選擇性纟。了w知，比較例的電波屏蔽權 50 〇 Ο 200817564 如上所述，在實驗例確認了高頻率選擇性能夠考慮 是··由於經由在支撐體60a上形成塗層膜60b基材6〇 ^ 分地被吸附保持，而在天線製造時基材6〇表面幾乎不產 生“皺褶” “鬆弛”，因此能夠以高的形狀尺寸精度形成 天線13。相對的，在比較例中幾乎沒有確認到頻率選擇 性能夠考慮是：由於沒有形成塗層膜6〇b，無法充分地吸 附保持基材，而在基材表面產生了 “皺褶，，“鬆弛，，，因 此無法以咼的形狀尺寸精度來形成天線。 【產業上的利用可能性】 如以上說明，有關本發明的電波屏蔽性間隔面狀體， 作為百葉窗(blind或shutter)、窗簾、窗、間壁、捲簾、 垂幕等非常有用。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明實施形態1中捲簾之結構斜視圖。 圖2係圖1 Π -11線之剖面圖。 圖3係表示捲簾使用形態的圖丨相當圖。 圖4係表示天線形狀之平面圖。 圖5係表示捲簾射入電波頻率和透過衰減量之關係特 圖6係表示 率之關係特性圖 天線元件長度和被該天線所反射的電波 頻 =係表示本發明實施㈣2中窗簾之結構斜視圖。 "係表不窗簾開啟狀態的圖7相當圖。 圖9係表示本發明實施形態3的直式百葉窗之結構斜 51 200817564 視圖。 θ 〇係表示百葉窗開啟狀態的圖9相當圖。 ' 係表示百葉窗的各葉片大體上成為水平狀態的 圖9相當圖。 # 圖12係本發明實施形態4的橫式百葉窗之斜視圖。 • 圖13係表示百葉窗開啟狀態的圖12相當圖。 圖14係百葉窗的各葉片在空間彼此邊界面成大略垂 直狀態的圖12相當圖。 圖15係本發明實施形態5的間壁背面圖。 圖16係是間壁正面圖。 圖17係表示打開間壁的狀態之背面圖。 圖18係本發明實施形態6的遮光簾平面圖。 圖19係本發明實施形態7的雙重捲簾側面圖。 圖2 0係本發明電波屏蔽層的變形例1之平面圖。 圖21擴大電波屏蔽層的一部分之平面圖。 圖22係表示變形例2之平面圖。 〇 圖23係表示變形例3之平面圖。 圖24係表示變形例4之平面圖。 • 圖25係表示變形例5之平面圖。 圖26係表示變形例6之平面圖。 圖27係示出變形例β的電波屏蔽層的電波屏蔽量（電 波透過衰減量）和頻率的相關示例特性圖。 圖28係表示變形例7之平面圖。 圖29係表示變形例8之平面圖。 52 200817564 圖30係表示變形例9之平面圖。 圖31係表示變形例1()之平面圖。 圖3 2係表示變形例11之平面圖。 ，圖33係進-步擴大表示變形例12的天線整體平面圖 (a)、天線中心部位的擴大平面圖⑻、天線部分之平面圖 (c) ° 圖34係在變形例13中電波屏蔽薄層在與電波屏蔽層 相反面的面黏貼有面狀體本體狀態之剖面圖。 圖35係示出被捲成圓筒狀的狀態的之波屏蔽薄層整 體同時示出擴大該電波屏蔽薄層的部分之側面圖。曰 圖36係示出變形例13中電波屏蔽薄層在電波屏蔽層 的面被黏貼到面狀體本體之狀態的圖34相當圖。 曰 圖37係*出被捲成圓筒狀的狀態之電波屏蔽薄層整 體同時示出擴大該電波屏蔽薄層的部分的圖35相當圖。 圖38係示出在電波屏蔽薄層製造時的天線形成步驟 中基材受到吸附保持狀態之側面圖。 圖39係示出變形例13電波屏蔽薄層的透過衰減特性 圖並一併示出比較例的透過衰減特性的特性圖。 【主要元件符號說明】 1,8 梅嚴 2 囪嚴 3, 4 百葉省（blind) 5 間壁 7 雙重捲簾 53 200817564 10, 80 支持部件 11，60, 81 面狀體本體 12 電波屏蔽層 13, 16, 1 7, 22, 24, 25, 26, 27, 28, 29 天線 13a，27a 第1元件部 13b, 16b, 17b, 27b, 28b, 29b 第 2 元件部 14, 18, 20 天線組 15, 19, 21 天線集合體 23 天線列 30, 40 空間 60 基材 60a 支撐體 60b 塗層膜 54

Claims (1)

1. 200817564 十、申請專利範圍： 禋電波屏敝性間㈣㈣，該面 為隔開空間之面狀體太妒釦外於l + 有頁破叹置 蔽電波之電波屏蔽層 體本體和双於上述面狀體本體的表面屏 蔽電波之電波屏蔽層。 r ®入开 2. 體 波 3. 體 如申請專利範圍第1項所記載之電波屏蔽性間隔面狀 上述電波屏蔽層至少選擇性地屏蔽丨種特定頻帶之電 如申請專利_第丨項耽载之電波屏蔽性間隔面狀 上述電波屏蔽層具有至少撰握地& 電波之複數天線。有八㈣地反射1種特定頻帶 =:如申請專利範圍第3項所記載之電波屏蔽性間隔面狀 Ο 上述各個天線各自具有3條長度大略相 =元件部和線段狀之第2元件部，該第i元㈣彳 乂寻相成略120肖度呈放射狀延伸，該第2元件部在各 弟1元件部之外側端被結合。 如申請專利範圍第i項所記載之電波屏蔽性間隔面狀 上述電波屏蔽層由導電膜構成。 6:如申請專利範圍第卜^或云項中们項所記 載之電波屏蔽性間隔面狀體·· 上述面狀體本體是由百葉窗（l3lin(j或shutter)、窗 55 200817564 簾、遮光簾、窗、間壁、捲簾及垂幕所構成的群中選擇出。 7·如申請專利範圍第3項所記載之電波屏蔽性間隔面狀 體·· 具備能夠黏貼到上述面狀體本體之基材，該基材具有 通氣性的支撐體和在該支撐體的至少一部分表面上所設的 塗層膜； 上述電波屏蔽層被設於上述基材上構成電波屏蔽薄 Ο Ο 層； 上述電波屏蔽層在結構上經由使上述電波屏蔽薄層黏 貼到上述面狀體本體而被配置在該面狀體本體上。 8..如申請專利範圍第7項所記載之電波屏蔽性間隔面狀 At上述複數天線係在將上述基材吸附固定於基盤上的狀 態來形成。 ^如申請專利範圍第7項所記載之電波屏蔽性間隔面狀 上述支撐體係有彈性（flexible)。 L0·:如申請專利範圍第7項所記載之電波屏蔽性間隔面狀 上述支撐體係為布狀體。 隔面狀 =·:如中請專利範圍第7項所記載之t波屏蔽性間 上述電波屏蔽層係被配置於上述塗層膜上。 12·如申請專利範圍第n項所記之兩日、 戟 < 包波屏敝性間隔面 56 200817564 狀體： 上述支撐體之表面係非平坦面， 上述塗層膜係被設置成將上述基材的上述電波屏蔽層 之配置面予以平坦化。 隔面狀 13·如申請專利範圍第7項所記載之電波屏蔽性間 體： 上述塗層膜係由樹脂構成。 蔽性間隔面狀 14·如申請專利範圍第7項所記載之電波屏 體： 上述各天線係由導電性材料所形成。 15·如申請專利範圍第7項所士 | 年 體： 、斤°己载之电波屏蔽性間隔面狀 上述各天線由至少具右、南日日 ^ 所構成。 有1處開口部的金屬膜或金屬箔 16·如申請專利範圍第7項 .〇 體之製造方法，該製造方法包4 : 1波屏蔽性間隔面狀 面上形成上述塗層膜以 在上述支撐體的至少一部分表 獲得上述基材之步驟， 以根據吸附手段將上述基 基材上形成上述複數的天==力〜吸附保持的狀態在該 驟，以及把上述電波屏蔽^得上述電波屏蔽薄層之步 驟。 / s黏貼於上述面狀體本體之步 57