TW200809957A - Plasma etching method, plasma etching apparatus, computer storage medium, and storage medium with treatment recipe stored thereon - Google Patents

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200809957 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於將形成於絕緣膜上，且具備具有柱狀構 造的多數結晶粒（grain )與位於這些結晶粒之間的結晶粒 ^ 交界部的高融點金屬膜進行電漿蝕刻的電漿蝕刻方法、電 1 漿蝕刻裝置、電腦記憶媒體及記憶有處理方法的記憶媒體 【先前技術】 目前爲止，在半導體裝置的製造步驟中，多使用使蝕 刻氣體產生電漿，且利用該電漿的作用來進行蝕刻的電漿 倉虫刻。 此外，例如在液晶顯示裝置之薄膜電晶體的製造步驟 等中，進行將形成於SiNx、Si02等絕緣膜（基底膜）上 的高融點金屬膜（例如Mo、W、Ta或至少包含這些當中 之一的合金等），經由光阻劑等所構成的遮罩層進行電漿 蝕刻，且形成閘極電極等。 在上述高融點金屬膜的電漿蝕刻中，已知有使用含氟 系氣體的蝕刻氣體例如SF6或CF4與氧的混合氣體，作爲 蝕刻氣體者（例如，參照專利文獻1。）。 〔專利文獻1〕日本特開平7— 321231號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 -4- 200809957 (2) 上述高融點金屬膜係藉由濺鍍等形成，且具備具有柱 狀構造的多數結晶粒與位於此等結晶粒之間的結晶粒交界 部之構造。因此，如上所述，若使用含氟系氣體的蝕刻氣 體作爲蝕刻氣體時，會有結晶粒交界部先被蝕刻，且在作 爲基底膜之絕緣膜的表面產生形成凹凸之粗糙的問題。 ^ 本發明係爲解決上述問題而開發者，其目的在於提供 一種相較於以往可抑制高融點金屬膜之基底膜之粗糙的產 生之電漿蝕刻方法、電漿蝕刻裝置、電腦記憶媒體及記憶 有處理方法的記憶媒體。 〔用以解決課題之手段〕 申請專利範圍第1項之電漿蝕刻方法，係將形成有： 基底膜；和形成於上述基底膜上、且具備具有柱狀構造的 多數結晶粒與位於這些結晶粒之間的結晶粒交界部之高融 點金屬膜；和形成於上述高融點金屬膜上的遮罩層之被處 理基板的上述高融點金屬膜經由上述遮罩層施行電漿蝕刻 ，其特徵爲具備：第1蝕刻步驟，係進行上述結晶粒交界 部之蝕刻速度比上述結晶粒之蝕刻速度快的電漿蝕刻；和 第2蝕刻步驟，係進行上述高融點金屬膜相對於上述基底 膜的選擇比高於上述第1蝕刻步驟的電漿鈾刻’且在上述 結晶粒交界部的上述基底膜露出前，從上述第1蝕刻步驟 切換至上述第2蝕刻步驟。 申請專利範圍第2項之電漿蝕刻方法係如申請專利範 圍第1項之電漿蝕刻方法，其特徵爲：上述基底膜係絕緣 -5- 200809957

膜。 申請專利範圍第3項之電漿鈾刻方法係如申請專利範 圍第1項之電漿蝕刻方法，其特徵爲：上述基底膜係半導 體膜。 申請專利範圍第4項之電漿蝕刻方法係如申請專利範 圍第1至3項中任一項之電漿蝕刻方法，其特徵爲：上述 第2蝕刻步驟係進行在上述被處理基板施加偏壓電壓的蝕 刻，而上述第1蝕刻步驟並沒有在上述被處理基板施加偏 壓電壓，或是施加比上述第2蝕刻步驟低的偏壓電壓以進 行飩刻。 申請專利範圍第5項之電漿鈾刻方法係如申請專利範 圍第1至4項中任一項之電漿蝕刻方法，其特徵爲：上述 第1蝕刻步驟的壓力係高於上述第2蝕刻步驟的壓力。 申請專利範圍第6項之電漿蝕刻方法係如申請專利範 圍第1至5項中任一項之電漿蝕刻方法，其特徵爲：在上 述第1触刻步驟，使用包含SF6與02的混合氣體、或包 含CF4與02的混合氣體。 申請專利範圍第7項之電漿蝕刻方法係如申請專利範 圍第1至6項中任一項之電漿蝕刻方法，其特徵爲：在上 述第2蝕刻步驟，使用包含Cl2與02的混合氣體。 申請專利範圍第8項之電漿蝕刻方法係如申請專利範 圍第1至7項中任一項之電漿蝕刻方法，其特徵爲：上述 高融點金屬膜係由Mo、W、Ta之任一者或至少包含這些 當中之一的合金所構成。 -6- 200809957 (4) 申請專利範圍第9項之電漿蝕刻裝置，其特徵爲具備 :收容被處理基板的處理室；和將鈾刻氣體供給至上述處 理室內的處理氣體供給手段；和將從上述處理氣體供給手 段所供給的上述蝕刻氣體電漿化，以將上述被處理基板施 行電漿蝕刻的電漿生成手段；和以在上述處理室內進行專 利範圍第1至8項中任一項之電漿鈾刻方法的方式進行控 制的控制部。 申請專利範圍第1 0項之電腦記體媒體，係記憶有在 電腦上動作的控制程式，其特徵爲：上述控制程式係控制 電漿蝕刻裝置，以在執行時進行專利範圍第1至8項中任 一項之電漿餓刻方法。 申請專利範圍第1 1項之記憶有處理方法的記憶媒體 ，該處理方法係用以控制將形成有：基底膜；和形成於該 基底膜上、且具備具有柱狀構造的多數結晶粒與位於這些 結晶粒之間的結晶粒交界部之高融點金屬膜；和形成於該 高融點金屬膜上的遮罩層之被處理基板的上述高融點金屬 膜經由上述遮罩層施行電漿蝕刻的電漿蝕刻裝I，其特徵 爲上述處理方法具備：第1蝕刻步驟，係進行上述結晶粒 交界部之蝕刻速度比上述結晶粒之蝕刻速度快的電漿蝕刻 ;和第2蝕刻步驟，係進行上述高融點金屬膜相對於上述 基底膜的選擇比高於上述第1蝕刻步驟的電漿鈾刻，且在 上述結晶粒交界部的上述基底膜露出前，從上述第1蝕刻 步驟切換至上述第2蝕刻步驟。 200809957 (5) 〔發明之效果〕 根據本發明，可提供一種相較於以往可抑制高融點金 屬膜之基底膜之粗糙的產生之電漿蝕刻方法、電漿鈾刻裝 置 '電腦記憶媒體及記憶有處理方法的記憶媒體。 【實施方式】 以下，參照圖面，說明本發明的實施型態。第1圖係 將本實施型態之電漿鈾刻方法之被處理基板1 0的剖面構 成加以放大顯示者，第2圖係表示本實施型態之電漿蝕刻 裝置的構成。首先，參照第2圖，說明電漿蝕刻裝置的構 成 電漿蝕刻裝置1係構成在處理室2內產生感應耦合電 漿（ICP )，且進行配置於該處理室2內之被處理基板10 的電漿蝕刻之感應耦合電漿蝕刻裝置。 可將內部氣密地封閉的處理室2係由例如鋁等的導電 材料成形爲角筒形狀，且與接地電位連接。在該處理室2 的上頂部設有介電性窗2 1，在該介電性窗2 1的外側設有 天線22。該天線22具有螺旋狀等的彎曲形狀，其一端經 由整合器41連接有第1高頻電源40，另一端則接地。第 1高頻電源40具有例如10〜100MHz的頻率，藉由該高頻 電力可在處理室2內產生感應耦合電漿。 在處理室2內的底部設有陶瓷等的絕緣板3，且在該 絕緣板3上設有承受器支持台4及承受器（susceptor) 5 。並且，在該承受器5上，載置有液晶顯示裝置用玻璃基 -8 - 200809957 (6) 板等的被處理基板1 0。 在承受器支持台4的內部，設有使冷煤循環以調節溫 度的溫調機構（沒有顯示圖），可將載置於承受器5上的 被處理基板1 0控制成所期望的溫度。此外，承受器5上 經由整合器51連接有第2高頻電源50。該第2高頻電源 50具有例如500〜10MHz的頻率。並且，藉由在被處理基 板1 〇施加偏壓電壓，可使電漿中的離子對被處理基板1 〇 作用的方向性一致，以提高蝕刻的異向性。此外，進行等 向性的蝕刻時，並沒有進行來自該第2高頻電源之高頻電 力的施加，或者僅施加一點點。 在介電性窗2 1的承受器5側，設有由介電材料形成 的噴淋頭2 5，且在介電性窗21的中央，設有與該噴淋頭 25連接的氣體導入口 26，且該氣體導入口 26連接有氣體 供給管2 7。更且，在該氣體供給管2 7上經由閥2 8、質流 控制器29連接有處理氣體供給源30。從處理氣體供給源 3 0可供給電漿蝕刻處理用的蝕刻氣體。 處理室2的底部連接有排氣管31，該排氣管31連接 有排氣裝置32。排氣裝置32具有渦輪分子泵等的真空泵 ，係以可將處理室2內真空抽吸至預定的減壓環境例如 IPa以下之預定壓力的方式構成。又，在處理室2的側壁 部設有閘閥3 3，在該閘閥3 3打開的狀態下，可將被處理 基板1 〇在與鄰接的裝載鎖定室（沒有顯示圖）之間進行 搬送。 上述構成的電漿鈾刻裝置1可藉由控制部60總括地 -9- 200809957 (7) 控制其動作。該控制部60設有：具備CPU且控制電漿蝕 刻裝賃1之各部位的製程控制器6 1、和使用者介面62、 和記憶部63。 使用者介面62係由··步驟管理者爲了管理電漿蝕刻 裝置1而進行命令之輸入操作等的鍵盤、或將電漿蝕刻裝 置1的作動狀況可視化而顯示之顯示器等所構成。 記憶部63中儲存有方法，而該方法係記憶有將電漿 蝕刻裝置1所執行的各種處理藉由製程控制器6 1的控制 來實現的控制程式（軟體）或處理條件數據等。並且，依 據需要，藉由來自使用者介面62的指示等，將任意的方 法從記憶部63叫出，以令製程控制器61執行，依此，可 在製程控制器61的控制下，進行電漿蝕刻裝置1所期望 的處理。此外，控制程式或處理條件數據等的方法係利用 儲存於電腦可讀取之電腦記憶媒體（例如硬碟、CD、軟碟 、半導體記憶體等）的狀態者、或者也可從其他裝置經由 例如專用線路隨時傳送以供線上（on-line)利用。 利用上述構成的電漿蝕刻裝置1，進行被處理基板1 〇 的電漿蝕刻時，首先，在閘閥3 3打開後，被處理基板1 〇 由沒有顯示圖的裝載鎖定室搬入處理室2內，並載置於承 受器5上。繼之，關閉閘閥3 3，利用排氣裝置3 2將處理 室2內真空抽吸至預定的真空度。 然後，將閥2 8打開，從處理氣體供給源3 0將預定的 蝕刻氣體一邊利用質流控制器2 9調整其流量，一邊經由 處理氣體供給管27、氣體導入口 26，導入處理室2內。 -10- 200809957 (8) 處理室2內的壓力係維持在預定的壓力，同時預定頻 率的高頻電力從第1高頻電源40施加於天線22。依此， 蝕刻氣體會解離而在處理室2內產生感應耦合電漿，並進 行被處理基板1 〇的電漿蝕刻。此時，可依需要，從第2 高頻電源50將高頻電力施加於承受器5，藉以將電漿中的 離子吸引至承受器5側，藉由離子幫助可提高蝕刻的異向 性。 接著，當預定的電漿蝕刻處理結束時，停止高頻電力 的供給及處理氣體的供給，並利用與上述順序相反的順序 ，將被處理基板1 〇從處理室2內搬出。 繼之，參照第1圖，說明本實施型態的電漿蝕刻方法 。第1圖係模式地表示本實施型態之被處理基板1 〇的剖 面構成。如第1圖所示，在被處理基板1 0上，形成由 SiNx或Si〇2所構成的絕緣膜1 〇1，在該絕緣膜1 〇1上形成 由Mo、W、Ta之任一者或至少包含這些當中之一的合金 所構成的高融點金屬膜1 〇 2。該局融點金屬膜1 0 2係爲具 備具有柱狀構造的多數結晶粒（grain )、與位於這些結晶 粒之間的結晶粒交界部的構造。並且’在高融點金屬膜 102上，形成有由光阻劑等所構成的遮罩層1〇3，且藉由 該遮罩層1〇3在預定的部分形成預定大小的電極104 ° 從第1 ( A )圖所示的狀態，首先，進行第1蝕刻步 驟，經由遮罩層1 03將高融點金屬膜1 02電漿鈾刻至第1 (B )圖所示的狀態爲止。該第1蝕刻步驟中’係使用含 氟系氣體（例如SF 6或CF4 )的蝕刻氣體例如SF6/02或 -11 - 200809957 (9) cf4/o2等的混合氣體來作爲蝕刻氣體。又，當高融點金屬 膜102爲鎢（W)時，係使用在上述蝕刻氣體添加Cl2 ( 例如以流量比爲5〜1 0 %左右）的蝕刻氣體。 此外，該第1蝕刻步驟中，沒有從第2圖所示之電漿 蝕刻裝置1的第2高頻電源50將偏壓電壓施加於承受器5 ，或者即便有施加也只有施加些微的程度，且以相較於後 述的第2蝕刻步驟，進行異向性程度較少的等向性鈾刻爲 佳。又，該第1蝕刻步驟中，係以設成比後述之第2蝕刻 步驟高的壓力（例如 5.32〜13.3Pa(40〜lOOmTorr))爲 佳。依此，可提高將後述之第2蝕刻步驟所產生之處理室 2內的沉積物加以去除的清潔效果。 該第1蝕刻步驟中，在具有柱狀構造的多數結晶粒、 與具有位於這些結晶粒之間的結晶粒交界部之構造的高融 點金屬膜1 02中，結晶粒交界部的蝕刻速度係比結晶粒部 分的蝕刻速度快。該蝕刻速度比係爲例如結晶粒交界部： 結晶粒部分二5 : 3左右。所以，於蝕刻速度較快的結晶粒 交界部，在作爲基底膜的絕緣膜1〇1露出前，即被切換成 接下來的第2蝕刻步驟。 第2蝕刻步驟中，係使用不含上述氟系氣體的蝕刻氣 體例如Cl2/02，且如第1圖（c )所示那樣施行電漿蝕刻 直到作爲基底膜的絕緣膜1〇1完全露出爲止。由於在該第 2蝕刻步驟中，蝕刻氣體不含氟系氣體，所以對於絕緣膜 1 0 1的選擇比高於第1蝕刻步驟。因此，可防止在絕緣膜 1 〇 1的表面產生粗糙。 -12- 200809957 (10) 該第2蝕刻步驟中，係以從第2圖所示之電漿蝕刻裝 置1的第2高頻電源5 0將偏壓電壓施加於承受器5，以進 行提高蝕刻之異向性的蝕刻爲佳。又，該第2蝕刻步驟中 ，係以設成比上述第1鈾刻步驟低的壓力爲佳（例如0.67 〜2.00Pa(5〜15mTorr))。此外，上述鈾刻步驟中，亦 '進行由光阻劑等所構成之遮罩層13的灰化（ashing)，故 高融點金屬膜1 02的側壁部分係成爲錐形。 就實施例來說，係使用第2圖所示的電漿蝕刻裝置1 ，且在第1圖所示之構造的被處理基板1 0 (高融點金屬膜 102爲Mo，絕緣膜101爲SiNx)上，利用以下所示的方 法實施電漿蝕刻。 此外，以下所示之實施例的處理方法係從控制部60 的記憶部63讀取，而被抓取入製程控制器6 1，且製程控 制器6 1係依據控制程式控制電漿蝕刻裝置1的各部位， 藉以執行按所讀取之處理製法的電漿蝕刻步驟。 (第1蝕刻步驟） 蝕刻氣體：SF6/02= 275/125sCCm、壓力= 8.00Pa( 60mTorr )、電力=6000W、偏壓=0、間隙（gap )= 3 0 0mm、蝕刻時間=5 6秒。 (第2蝕刻步驟） 蝕刻氣體：Cl2/02 = 200/300sccm、壓力=1.33Pa ( lOmTorr)、電力= 6000W、偏壓= 1500W、間隙（gap) -13- 200809957 (11) =3 00mm、蝕刻時間=36秒。 上述實施型態中，第1蝕刻步驟與第2蝕刻步驟的切 換，係以相對於膜厚爲25 Onm的高融點金屬膜102，在第 1蝕刻步驟的掘蝕量（第1圖所示的dl )成爲140nm ’餘 膜量（第1圖所示的d2)成爲110nm的時間（timing)進 行者。在該條件下，就實施例1、2來說，對兩片被處理 基板1 〇進行蝕刻的結果，實施例1、2皆可進在基底膜的 絕緣膜1 01維持不會產生粗糙之良好的表面狀態的触刻。 就比較例1、2來說，將第1蝕刻步驟與第2蝕刻步 驟的切換，設成相對於膜厚爲25 Onm的高融點金屬膜102 ，在第1鈾刻步驟的掘蝕量（第i圖所示的d 1 )成爲 150nm，餘膜量（第1圖所示的d2)成爲lOOnm的時間， 對兩片被處理基板1 〇進行鈾刻。於此等的比較例1、2中 ，在比較例1中絕緣膜1 〇 1上沒有產生粗糙，但是在比較 例2中，絕緣膜1 01上有產生一些粗糙。此外，「粗糙」 是指如第3圖所示那樣在絕緣膜1 0 1的表面形成有微細的 凹凸之狀態者。 再者，就比較例3來說，將第1蝕刻步驟與第2蝕刻 步驟的切換設成相對於膜厚爲250nm的高融點金屬膜102 ，在第1蝕刻步驟的掘蝕量（第1圖所示的d 1 )成爲 17 0nm，餘膜量（第1圖所示的d2 )成爲80nm的時間進 行蝕刻。該比較例3中，絕緣膜1 0 1上明顯地產生粗糙。 更且，就比較例4來說，將第1蝕刻步驟與第2蝕刻 步驟的切換設成相對於膜厚爲25 0nm之高融點金屬膜102 -14- 200809957 (12) ，在第1蝕刻步驟的掘蝕量（第1圖所示的d 1 )成爲 180nm，餘膜量（第1圖所示的d2)成爲70nm的時間進 行蝕刻。該比較例4中，絕緣膜1 〇 1上明顯地產生粗糙。 〔表1〕 掘蝕量：dl ( nm) 餘膜量：d2 ( nm ) 基底粗糙的有無 實施例1 140 110 Μ j\\\ 實施例2 140 110 無 比較例1 150 100 4nf J ^ \N 比較例2 150 100 稍微有 比較例3 170 80 有 比較例4 180 70 有 由上述結果可推測，將高融點金屬膜1 〇 2的結晶粒部 分蝕刻約150nm期間，結晶粒交界部被蝕刻約25 0nm，基 底的絕緣膜1 0 1開始露出。因此，在絕緣膜1 〇 1開始露出 前，也就是說，在上述實施例的處理條件中，係在第丨蝕 刻步驟的掘蝕量（第1圖所示的dl )成爲140nm，餘膜量 (第1圖所示的d2 )成爲1 l〇nm的時間，進行第1蝕刻 步驟與第2蝕刻步驟的切換。依此，可防止在絕緣膜i J 產生粗糙。 又，將上述實施例的蝕刻處理，連續對總共7片被處 理基板10進行時，可將蝕刻速度的統一性（uniformity ) 設成± 8 %。一般來說，如上述實施例的第2蝕刻步驟所示 ，在鈾刻氣體使用含氯的氣體以蝕刻Mo時，MoClx會沉 積於處理室2的內壁等，對下一片被處理基板1 〇進行第1 -15- 200809957 (13) 蝕刻步驟時，電漿會因所沉積之MoClx的蝕刻而被消耗， 可看到被處理基板1 〇之Μ 〇的飩刻速度逐漸降低的傾向。 因此，當第1蝕刻步驟、與第2蝕刻步驟的切換過早時， 沉積物會逐漸地堆積，而導致蝕刻的再現性降低。 因此，如上述實施例所示，第1蝕刻步驟、與第2蝕 刻步驟之切換的時間係以在結晶粒交界部於基底膜的絕緣 膜101露出前爲佳。 又，如上述實施例所示，藉由將第1飩刻步驟進行時 之處理室2內的壓力提高，可提高第1蝕刻步驟之處理室 2內壁的清潔效果，清潔可確實地進行，且可防止再現性 降低的發生。 如以上之說明，根據本實施型態，相較於以往可抑制 高融點金屬膜之基底膜之絕緣膜之粗糙的產生。此外，本 發明並不限定於上述實施型態，亦可進行各種的變形。例 如，電漿蝕刻裝置並不限定於第2圖所示之感應耦合電漿 蝕刻裝置，亦可使用各種的電漿蝕刻裝置。再者，上述實 施型態中，係說明形成閘極電極的情形，然而形成例如源 極/汲極電極時也可同樣地適用。此時，基底膜係成爲例 如η型非晶矽等的半導體膜。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示本發明之實施型態之電漿鈾刻方法的被 處理基板的剖面構成之圖。 第2圖係表示本發明之實施型態之電漿蝕刻裝置的槪 -16- 200809957 (14) 略構成之圖。 第3圖係模式地表示比較例中粗糙產生的狀態之圖 【主要元件符號說明】 1 〇 :被處理基板 1 〇 1 :絕緣膜 102:局融點金屬膜 1 03 :遮罩層 1 0 4 :電極 -17-

Claims (1)

1. 200809957 (1) 十、申請專利範圍 1 · ~種電漿蝕刻方法，係將形成有：基底膜；和形成 於上述基底膜上、且具備具有柱狀構造的多數結晶粒（ grain )與位於這些結晶粒之間的結晶粒交界部之高融點金 屬膜；和形成於上述高融點金屬膜上的遮罩層之被處理基 板的上述高融點金屬膜經由上述遮罩層施行電漿蝕刻，其 特徵爲： 具備： 第1蝕刻步驟，係進行上述結晶粒交界部之蝕刻速度 比上述結晶粒之蝕刻速度快的電漿蝕刻；和 第2蝕刻步驟，係進行上述高融點金屬膜相對於上述 基底膜的選擇比高於上述第1蝕刻步驟的電漿蝕刻， 且在上述結晶粒交界部的上述基底膜露出前，從上述 第1蝕刻步驟切換至上述第2蝕刻步驟。 2 ·如申請專利範圍第1項之電漿蝕刻方法，其中，上 述基底膜係絕緣膜。 3 ·如申請專利範圍第1項之電漿蝕刻方法，其中，上 述基底膜係半導體膜。 4 ·如申請專利範圍第1至3項中任一項之電漿鈾刻方 法，其中，上述第2蝕刻步驟係進行在上述被處理基板施 加偏壓電壓的蝕刻，而上述第1蝕刻步驟並沒有在上述被 處理基板施加偏壓電壓，或是施加比上述第2飩刻步驟低 的偏壓電壓以進行蝕刻。 5 .如申請專利範圍第1至4項中任一項之電漿蝕刻方 -18- 200809957 (2) 法，其中，上述第1蝕刻步驟的壓力係高於上述第2蝕刻 步驟的壓力。 6 ·如申請專利範圍第1至5項中任一項之電漿蝕刻方 法，其中，在上述第1蝕刻步驟，使用包含SF6與02的 混合氣體、或包含CF4與02的混合氣體。 7 .如申請專利範圍第1至6項中任一項之電漿蝕刻方 法，其中，在上述第2蝕刻步驟，使用包含Cl2與02的混 合氣體。 8 ·如申請專利範圍第1至7項中任一項之電漿蝕刻方 法，其中，上述高融點金屬膜係由Mo、W、Ta之任一者 或至少包含這些當中之一的合金所構成。 9.一種電漿蝕刻裝置，其特徵爲具備： 收容被處理基板的處理室；和 將蝕刻氣體供給至上述處理室內的處理氣體供給手段 ;和 將從上述處理氣體供給手段所供給的上述蝕刻氣體電 獎化，以將上述被處理基板施行電漿蝕刻的電漿生成手段 ;和 以在上述處理室內進行申請專利範圍第1至8項中任 一項之電漿蝕刻方法的方式進行控制的控制部。 1 0. —種電腦記體媒體，係記憶有在電腦上動作的控 制程式，其特徵爲： 上述控制程式係控制電漿蝕刻裝置’以在執行時進行 申請專利範圍第1至8項中任一項之電漿蝕刻方法。 -19- 200809957 (3) 1 1 . 一種記憶有處理方法的記憶媒體，該處理方法係 用以控制將形成有：基底膜；和形成於此基底膜上、且具 備具有柱狀構造的多數結晶粒與位於這些結晶粒之間的結 晶粒交界部之高融點金屬膜；和形成於該高融點金屬膜上 的遮罩層之被處理基板的上述高融點金屬膜經由上述遮罩 層施行電漿飩刻的電漿蝕刻裝置， 其特徵爲上述處理方法具備： 第1蝕刻步驟，係進行上述結晶粒交界部之蝕刻速度 比上述結晶粒之蝕刻速度快的電漿鈾刻；和 第2蝕刻步驟，係進行上述高融點金屬膜相對於上述 基底膜的選擇比高於上述第1蝕刻步驟的電漿鈾刻’ 且在上述結晶粒交界部的上述基底膜露出前，從上述 第1蝕刻步驟切換至上述第2蝕刻步驟。 -20 -