200809854 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於有使用到電子束、雷射光束、帶電射 、 束等之曝光光束的記錄裝置，尤其是有使用到曝光光束之 , 光碟、磁碟等之記錄媒體的原盤之製造的記錄裝置、記錄 控制訊號生成裝置、轉印模具之製造方法、轉印模具及磁 碟。 【先前技術】 使用電子束或雷射光束等曝光光束來進行光微影的射 束記錄裝置，係被廣泛適用於數位多用途碟片（DVD : Digital Versatile Disc) 、Blu-ray Disc 等之光碟、磁性記 錄用之硬碟等大容量碟片的原盤製造裝置上。 例如，在光碟等製造之際，首先，將沿著軌道的所定 凹凸圖案，形成在原盤上，再由該原盤來形成碟片印模（ stamper)。然後，使用該碟片印模來將合成樹脂等施以加 熱擠壓加工或射出成形，圖案就從原盤轉印至記錄面上， 將其進行金屬蒸著處理後，形成透光性基板等。 此處，對原盤的圖案記錄係藉由射束記錄裝置來進行 。在射束記錄裝置中’是令身爲原盤的基板記錄面一面旋 轉，一面使射束適宜地往半徑方向前進，而在基板記錄面 上描繪出螺旋狀或是同心圓狀的軌道軌跡，如此地進行控 制。 此時，先前是藉由進行射束的遮沒（blanking )，來 -4- (2) (2)200809854 在其軌跡上ΟΝ/OFF切換射束照射，以在該當記錄面上記 錄凹坑（參照非專利文獻1 )。或者，取代射束的 ΟΝ/OFF控制，改以射束的偏向控制，來記錄凹坑圖案（ 參照專利文獻1 )。 [非專利文獻 1]·’High-Density Recording using an Electron Beam Recorder·’，Y. Wada e t al., Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 40 ( 200 1 ) 9 p p . 1 6 5 3 - 1 6 6 0 )(第 1 6 5 5 頁，圖 4 )° [專利文獻1 ]日本特開2 0 0 0 - 3 1 5 6 3 7號公報（第3頁 ，圖2 ) 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 此處，藉由進行射束的遮沒以實現資料的空白部的先 前技術中，會有射束電流發生漏失的問題。又，藉由射束 偏向控制來記錄凹坑圖案的先前技術中，若射束偏向變大 則會發生焦點偏移（de_f〇cus )，因此對於長的空白係需 要進行遮沒。因此，能夠實現沒有射束電流漏失，產能高 的射束記錄裝置，是較理想。 本發明所欲解決之課題，係舉出上記問題爲一例。 〔用以解決課題之手段〕 爲了解決上記課題’申請項1所記載之發明，係一種 屬於藉由對基板上之光阻層照射曝光光束，以在前記光阻 -5- 200809854 (3) 層形成潛像之記錄裝置，其係具有：描繪速度設定手段， 將前記潛像之形成時的描繪速度予以可變設定；和射束偏 向手段，令前記曝光光束之照射位置對前記基板相對性地 、 移動；和基板速度調整手段，調整前記基板的移動速度； 、 和控制手段，使前記射束偏向手段所致之前記曝光光束偏 向速度，以及，前記基板速度調整手段所致之前記基板的 移動速度，對應於前記描繪速度之變化而變化。又，申請 項2所記載之發明，其特徵爲，於上記申請項1之構成中 ，前記描繪速度，係爲前記基板的周方向或徑方向之速度 〇 爲了解決上記課題，申請項11所記載之發明，係一 種屬於藉由對基板上之光阻層照射曝光光束，以在前記光 阻層形成潛像所需之記錄控制訊號加以生成的記錄控制訊 號生成裝置，其係具有：描繪速度設定手段，係將前記潛 像形成時的描繪速度作可變設定，該描繪速度係爲，以使 得前記曝光光束對前記光阻層的照射遮斷時間能被消除或 減低的方式，來控制前記曝光光束偏向速度所需之基準； . 和記錄控制訊號生成手段，係生成記錄控制訊號，其係用 來使前記曝光光束偏向速度、以及前記基板的移動速度， 對應於前記描繪速度之變化而變化。又，申請項1 2所記 載之發明，其特徵爲，於上記申請項1 1之發明中，前記 描繪速度，係爲前記基板的周方向或徑方向之速度。又， 申請項1 3所記載之發明，其特徵爲，於上記申請項1 1之 發明中，前記記錄控制訊號，係包含：令曝光光束之照射 -6- 200809854 (4) 位置移動的射束偏向控制訊號；和調整 動速度的基板速度控制訊號。 爲了解決上記課題，申請項20之 繪速度設定步驟，係一面令基板移動， 束之描繪而在該基板上之光阻層形成潛 速度，作可變設定；和射束偏向步驟， 照射位置對前記基板相對性地移動；和 ，調整前記基板的移動速度；和控制步 束偏向速度、以及前記基板的移動速度 速度之變化而變化；和潛像形成步驟， 成潛像；和轉印模具形成步驟，將前記 成具有凹凸形狀之轉印模具。 爲了解決上記課題，申請項21之 以下步驟之轉印模具之製造方法所製造 驟，係一面令基板移動，一面將欲藉由 該基板上之光阻層形成潛像的形成時的 設定；和射束偏向步驟，令前記曝光光 ;和基板速度調整步驟，調整前記基板 制步驟，使前記曝光光束偏向速度、以 速度，對應於前記描繪速度之變化而變 驟，在前記光阻層，形成潛像；和轉印 前記潛像予以轉印，形成具有凹凸形狀 爲了解決上記課題，申請項2 2之 藉由具有以下步驟之磁碟製造方法所製 前記基板移動之移 發明，係具有：描 一面將欲藉由電子 像的形成時的描繪 令前記曝光光束之 基板速度調整步驟 驟，使前記曝光光 ，對應於前記描繪 在前記光阻層，形 潛像予以轉印，形 發明，係藉由具有 :描繪速度設定步 電子束之描繪而在 描繪速度，作可變 束的照射位置移動 的移動速度；和控 及前記基板的移動 化；和潛像形成步 模具形成步驟，將 之轉印模具。 發明，其特徵爲， 造：描繪速度設定 200809854 (5) 步驟，係一面令基板移動，一面將欲藉由電子束之描繪而 在該基板上之光阻層形成潛像的形成時的描繪速度，作可 變設定；和射束偏向步驟，令前記曝光光束的照射位置移 、 動；和基板速度調整步驟，調整前記基板的移動速度；和 % 控制步驟，使前記曝光光束偏向速度、以及前記基板的移 動速度，對應於前記描繪速度之變化而變化；和潛像形成 步驟，在前記光阻層，形成潛像；和轉印模具形成步驟， 將前記潛像予以轉印，形成具有凹凸形狀之轉印模具；和 轉印步驟，係將前記轉印模具予以抵壓，以將前記凹凸形 狀轉印至磁性記錄媒體用之基底基板上；和轉印物形成步 驟，將前記轉印模具予以剝離，以形成具有前記凹凸形狀 的轉印物。 【實施方式】 以下，一面參照圖面，一面說明本發明之一實施形態 〇 圖1係本實施形態之記錄裝置（電子束記錄裝置）之 構成的模式性區塊圖。本實施形態，係在使用電子束製作 光碟製造用之原盤的碟片刻錄裝置上，適用本發明時的實 施形態。 於圖1中’電子束§2錄裝置10，係具有：直空氣密室 1 1、配置於該真空氣密室1 1內的轉台1 6、載置於該轉台 16上之表面塗佈有光阻的碟片原盤用基板15、使轉台16 以碟片基板主面的垂直軸繞行而旋轉驅動的轉軸馬達】7、 -8- 200809854 (6) 設在轉軸馬達1 7上部的運送平台（以下亦稱作χ平台） 18、被安裝在真空氣密室n內的電子束生成管20、控制 器30。 真空氣密室1 1，係隔著氣墊阻尼等之防振台（未圖示 )而設置，可抑制來自外部的振動傳達。又，真空氣密室 1 1係連接著真空泵（未圖示），藉此以將氣密室內排氣， 使真空氣密室11之內部設定成爲所定壓力之真空氛圍。 此外，在真空氣密室1 1中，係設有用來偵測基板1 5表面 之局度的光源36A，和例如含有位置感測器或CCD ( Charge Coupled Device)等之光偵測器36B (詳細機能將 於後述）。 轉台1 6係由介電體例如陶瓷所成，具有靜電吸附（ Electrostatic chucking )機構（未圖示）。所述之靜電吸 附機構，係具備用來使轉台1 6 (陶瓷）和設在轉台1 6內 之引發靜電分極之導體所成的電極而構成。該當電極上係 連接著高電壓電源（未圖示），藉由從高電壓電源對該當 電極施加電壓，就可將基板1 5予以吸附保持。 X平台1 8，係被結合在屬於移送（並進驅動）裝置的 運送馬達1 9，可使轉軸馬達1 7及轉台1 6在和基板1 5主 面平行的面內之所定方向（X方向）上移動，是由該X平 台1 8、和上記轉軸馬達1 7及轉台1 6而構成了 X 0平台。 此時，在X平台1 8上，配有雷射干涉系3 5之一部份 亦即反射鏡3 5 A。雷射干涉系3 5，係使用來自未圖示之光 源的測距用雷射光所致之上記反射鏡3 5 A的反射光來測量 200809854 (7) 至X平台1 8爲止的距離，並將該測距資料，亦即χ平台 1 8的運送（X方向）位置資料，送至平台驅動部3 7。 又，轉軸馬達1 7的旋轉訊號，亦被送至平台驅動部 、 3 7。該當旋轉訊號’係包含表示基板1 5的基準旋轉位置 % 的旋轉同步訊號’以及從基準旋轉位置起算之每一所定旋 轉角的脈衝訊號。平台驅動部3 7，係藉由該當旋轉訊號， 獲得基板1 5的旋轉角、旋轉速度、旋轉頻率等。 平台驅動部3 7，係基於如上記取得之來自χ平台j 8 的運送位置資料和來自轉軸馬達1 7的旋轉訊號，生成表 示電子束點的基板上位置的位置資料，供給至控制器3 〇。 控制器3 0係基於該位置資料而向平台驅動部3 7輸出控制 訊號’平台驅動部3 7係基於該來自控制器3 0的控制訊號 ，來驅動轉軸馬達1 7及運送馬達1 9。亦即，屬於轉軸馬 達17及X平台18的驅動量、亦即轉台16(亦即基板15 )的旋轉角X及平台18的運送量，是透過平台驅動部37 而被上記控制器3 0所控制。 此外，雖然以上係針對具有ΧΘ系平台的情形加以說 明，但亦可構成爲，使用X Υ系平台，由平台驅動部3 7 來驅動該當X Υ系平台以免除射束點的X、Υ位置控制。 «% 在電子束生成管20內’係依序配置有：射出電子束 的電子槍（射極）2 1、將所射出的電子束加以收束的收束 透鏡2 2、遮沒電極2 3、隙孔2 4、射束偏向電極2 5、聚焦 透鏡2 7、接物透鏡2 8 ;然後還含有，基於來自控制器3 0 的射束位置補正訊號來進行電子束位置補正的定位電極。 -10- 200809854 (8) 電子槍2 1，係藉由施加有加速高壓電源（未圖 供給來之高壓電的陰極（未圖示），射出加速至數 的電子束（EB )。 • 遮沒電極23，係基於受到來自控制器30之控 % 所控制的遮沒控制部3 1所送來的調變訊號，來進 束的開/關切換（ΟΝ/OFF )。亦即，藉由在遮沒電吞 施加電壓而使通過之電子束較大偏向，就可阻止電 過隙孔24，使電子束變成OFF狀態。 射束偏向電極2 5，係基於受到來自控制器3 0 訊號所控制的射束偏向部3 3 (射束偏向手段）所送 制訊號，將電子束進行高速偏向控制。藉由該偏向 進行對基板1 5的電子束點的位置控制。 聚焦透鏡27，係基於受到來自控制器30之控 所控制的對焦控制部3 4所送來的驅動訊號而加以 進行電子束的對焦控制。 此時，對焦控制部34中係被輸入著來自高度 3 6的偵測訊號。亦即，上記光偵測器3 6B，是將 ^ 36A射出而被基板15表面反射的光束加以受光， 光訊號供給至高度偵測部3 6。高度偵測部3 6，係 受光訊號來測出基板1 5的表面高度然後生成偵測 聚焦控制部3 4係基於該當偵測訊號來進行電子束 控制。 對控制器3 0，係供給著欲記錄之資訊資料（記 )RD。記錄資料RD，係爲碟片記錄時所用之調變 示）所 1 OKeV 制訊號 行電子 豆2 3間 子束通 之控制 來的控 控制， 制訊號 驅動， 偵測部 從光源 將該受 基於該 訊號， 的對焦 錄資料 資料， -11 - 200809854 (9) 例如在DVD碟片係爲經過8/1 6調變等所致之調變資料。 控制器3 0，係基於該記錄資料RD、和上記運送位置資料 及旋轉位置資料，對上記遮沒控制部3 1、上記射束偏向部 ^ 33、及上記對焦控制部34，分別送出遮沒控制訊號SB、 % 偏向控制訊號S D (後述之來自加算器4 6的訊號及來自運 送驅動部3 7B的訊號），及對焦控制訊號SF，進行記錄 (曝光或描繪）控制。亦即，基於記錄資料而對基板15 上的光阻照射電子束，只有被電子束照射而曝光的地點， 會形成對應於記錄凹坑的潛像而被進行記錄。 此外，於圖1中，雖然關於遮沒控制部3 1、射束偏向 部33、聚焦控制部34、平台驅動部37，主要是針對訊號 線來圖示，但這些各構成部係對控制器3 0雙向連接，而 是構成爲可收送必要之訊號。 此處，控制器3 0，係將記錄區間分割成所定之複數區 間，在記錄資料RD之記錄執行前，對應於所望目的或動 作樣態而將最佳描繪速度對各分割區間進行設定，隨應於 該描繪速度而對各區間改變偏向速度及基板速度而進行記 ^ 錄控制。 圖2係控制器3 0當中，進行射束之偏向控制及基板 % 1 5之位置控制的部份的詳細構成之一例的機能區塊圖。於 圖2中’控制器3 0內係設有：生成射束偏向訊號及基板 速度訊號的偏向·基板速度訊號生成器4 1 (控制手段）、 偏向量補正器45、加算器46、最佳速度生成器47 (描繪 速度設定手段）。又，平台驅動部3 7內係設有：基板速 -12- 200809854 (10) 度變換器3 8、作爲基板速度調整手段的旋轉驅動部3 7 a 及運送驅動部3 7 B。 最佳速度生成器47，係基於透過電子束記錄裝置1〇 % 所具備之未圖示的所定操作手段（或其他外部機器）所輸 . 入之記錄資料RD，算出各描繪地點（記錄區間）所對應 之描繪速度V e X p，輸出對應的訊號。該描繪速度v e X p， 係用記錄各凹坑時的電子束（EB )的偏向速度 Vbearn和 基板速度 Vsub，以 Vexp = Vsub-Vbeam來表示，最佳速度 生成器47，係例如對應於光阻的感度、層厚、環境溫度等 之光微影時的諸條件、或者凹坑的寬度、軌道間距等之記 錄條件，使其能進行適切凹坑記錄地帶有某一寬度而加以 設定。 偏向·基板速度訊號生成器4 1，係被輸入著來自上記 最佳速度生成器47的描繪速度（曝光速度）Vexp和來自 上記操作手段等之記錄資料RD，基於這些資訊，生成指 定射束偏向量的射束偏向訊號V b e a m，和指定基板1 5之 動作速度的基板速度訊號Vsiib。此時，偏向·基板速度 訊號生成器41，係一面保持上記Vsub-Vbeam = Vexp之關 係，一面控制射束偏向量Vbeam及基板速度Vsub，以使 射束偏向量成爲所定目標値。此時，作爲該當目標値，例 如，係使射束偏向角爲零（對應於垂直於碟片入射光束之 狀態）。 偏向·基板速度訊號生成器4 1，係具備未圖示之低通 濾波器。該低通濾波器，係將基板速度訊號Vsub的基礎 -13- 200809854 (11) 訊號當中已對應於X Θ平台系之機械性追從極限的所定之 高頻截止頻率fc (詳細後述）以下的成份加以抽出，將其 當成基板速度訊號v sub而供給至平台驅動部3 7內的上記 • 基板速度變換器3 8。此外，亦可取代低通濾波器改用帶通 Λ 濾波器（BPF )等。基板速度變換器3 8係將基板速度訊號 V sub分解成0成分及X成分，分別供給至旋轉驅動部 37A及運送（X方向）驅動部37B。 旋轉驅動部3 7 A及運送驅動部3 7B，係如前述般地對 應於包含轉軸馬達17及X平台18之上記X0平台系是具 有機械性追從極限之事實，使用基板1 5的基板速度訊號 V sub之0成分及X成分當中的所定頻率成份來驅動轉軸 馬達1 7及X平台丨8。其詳細將使用圖3來說明。 圖3係0平台及X平台的追從頻帶，和上記低通濾波 器（LPF )的通過頻帶，和進行記錄動作之頻帶的模式性 說明圖。 方令B 3中’ 0平台及X平台的追從限制頻率係分別以 fl、f2表示’低通濾波器的高頻截止頻率係以fc表示， . Θ平台及x平台於該當限制頻率以下則X 0平台系是可在 機械性上追從。對應於此，旋轉驅動部3 7 Α及運送驅動部 m 3 7B ’係將基板15的基板速度訊號vsub之0成分及X成 分當中’爲了驅動轉軸馬達1 7及X平台1 8，而分別抽出 限制頻率Π、f2以下之頻率的旋轉成份（0 〇 )及運送成 份（X0)。 返回圖2 ’如上記所抽出之基板1 5的基板速度訊號 -14- 200809854 (12)
Vsub之0成分及χ成分的限制頻率fl、f2以下之頻率的 旋轉成份（Θ0)及運送成份（X0)，係從旋轉驅動部37A 及運送驅動部3 7B，供給至轉軸馬達1 7及運送馬達1 9。 、 另一方面，超過上記限制頻率（Π，f2 )的屬於殘留份的 ★ 旋轉成份（θ 1)及運送成份（X 1 )，係從旋轉驅動部3 7 a 供給至偏向量補正器45，或者從運送驅動部37B供給至 射束偏向部3 3。 偏向量補正器45，係隨應於上記基板速度訊號Vsub 之旋轉方向的殘留成分（0 1 )和半徑位置，生成偏向量 ，輸出至加算器46。 加舁益4 6，係將從則述偏向·基板速度訊號生成器 41所供給過來的射束偏向訊號Vb earn，和來自上記偏向量 補正器45的補正訊號進行加算，並供給至射束偏向部33 〇 如以上所述，動作頻帶狹窄的機械系（X 0平台系） 的殘留誤差成份，係對射束偏向訊號Vbeam以前饋加算之 ，藉由射束的偏向來補正。又，前述低通濾波器（L P F ) 〜 的截止頻率（fc )以上之頻率，係被使用於凹坑記錄。 其次，基於上記構成及控制，說明電子束記錄裝置1 0 餐 在記錄光碟的凹坑圖案（電子束曝光）時的動作之一例。 (A )作爲本實施形態之背景的基本原理 圖4(a) ( b )，係作爲本實施形態之背景的基本原 理的圖示，爲了說明的簡略化及明確化’是採用來自最佳 -15- 200809854 (13) 速度生成器47的描繪速度Vexp爲一定，且與從偏向·基 板速度訊號生成器41輸出之基板速度V sub分別爲一定時 的例子，在該條件下進行電子束描繪時的電子束（EB )之 • 偏向量，模式性圖示的說明圖。此外，圖中爲了便於理解 ^ ，圖示成是由電子束生成管20來對於基板的移動呈現相 對性移動，又，電子束的偏向量也被誇張表現。 於圖4(a)及圖4(b)中，以基板速度Vsub往圖中 左方向移動時，如前述，記錄各凹坑時的電子束（EB )的 偏向速度Vbeam和基板速度Vsub，係以保持Vexp = Vsub-Vb earn之關係的方式而被偏向·基板速度訊號生成器41 控制，此例係由於 V e X p = c ο n s t ·，因此是以 V s u b -Vbeam = C〇nSt.的方式而受偏向·基板速度訊號生成器41 控制。又，於空白部中係不進行電子束的遮沒，而是使電 子束瞬間高速偏向而提早到達下個凹坑之記錄位置。 在此當中，圖4 ( a )係記錄資料（調變資料）的凹坑 是較密（凹坑的負載比較大）的凹坑圖案進行記錄時的例 子。當將凹坑圖案從位置P 1至位置P2進行記錄時，電子 束生成管20係從相對位置A 1移動至相對位置A2。由於 凹坑的負載比較大，因此對於槍柱位置，記錄位置是往後 ^ 方（基板1 5的移動方向）偏移時，於記錄位置P2上，射 束的偏向量 V b e a m係爲-D 1，偏向角係α 1。此外，射束 的偏向量Vb earn及偏向角α，係以所定之照射位置爲基準 ，例如是以射束對基板垂直照射之位置爲基準來定義。 另一方面，圖4 ( b )係記錄資料的凹坑是較疏（凹坑 -16- 200809854 (14) 的負載比較小）的凹坑圖案進行記錄時的例子。此時，當 槍柱位置是從A1往A2移動時，對於槍柱位置，記錄位 置是往前方（基板1 5移動方向的相反方向）偏移時，於 • 記錄位置P2’上，射束的偏向量D2係爲+D1，偏向角係爲 ▲ α 2。一旦如此偏向量（D 1、D 2 )變大，則射束對基板的 偏向角（α )會變大，射束點的直徑增大、變形等就有可 能導致射束收束特性降低、記錄精度降低。 (Β)本實施形態的基本舉動 (Β-1 )描繪速度一定時 圖5(a) ( b )，係本實施形態之記錄控制的基本舉 動的模式性說明圖。其中圖5 ( a )係爲，首先作爲簡單說 明，採用來自最佳速度生成器47之描繪速度VexP = Vexpl (一定値）時的例子，在該條件下連續於記錄區間R1、 R2、R3中進行電子束描繪時的電子束（EB )之偏向量的 模式性圖示說明圖。該圖5 ( a )係表，當記錄區間R2中 凹坑的負載比是小於所定値（凹坑較疏）時的情形（該當 區間中的凹坑部對空白部的比率是在所定値以下時的情形 )° ‘ 於圖5 ( a )中，在凹坑的負載比是相對較大（=所定 範圍內）的記錄區間R1中，是以基板速度VSUb = VsUbl， 偏向速度Vbeam = Vbeaml來進行記錄。此外，此時係如前 述，滿足速度差VsUb-Vbeam = VexPl之關係。 其次，於凹坑的負載比是相對較小所定範圍外） -17- 200809854 (15) 的記錄區間R2中，則令基板速度及偏向速度分別增加了 AV(AV>0)，亦即 Vsub = Vsubl+A V ， Vbeam = Vbeaml + Δ V。亦即藉由相同的變化速度（△ V )，可使凹 . 坑記錄速度Vexp = Vexpl沒有變化地維持在相同値。亦即 ^ ，Vsub-Vbeam = Vexpl的關係，就算是在記錄區間R2中也 是保持不變。 然後，於記錄區間R3中，和記錄區間R1同樣地，以 基板速度Vsub = Vsubl，偏向速度Vbeam = Vbeaml ’進行控 制。 此外，相反於圖5 ( a )所示之情形，當記錄區間R2 中凹坑之負載比是大於所定値（凹坑較密）的時候，亦即 ，該當區間中的凹坑部對空白部之比率是超過所定値時， 則和上記相反地，於該當區間R2中，令基板速度Vsub及 偏向速度Vbeam減少相同速度AV，亦即Vsub = Vsubl-^ V，Vbeam = Vbeaml-Z\V 即可。 (B-2 )描繪速度可變時 另一方面，圖5 ( b )係應用上記所述，採用來自最佳 速度生成器47之描繪速度Vexp在中途發生變化（變慢） 時的例子，在該條件下連續於記錄區間R4、R5、R6中進 行電子束描繪時的電子束（EB )之偏向量的模式性圖示說 明圖。 於圖5 ( b )中，在凹坑的負載比是相對較大（=所定 範圍內）或者相對較小所定範圍外）的記錄區間R4、 -18- 200809854 (16) R5，係和上記圖5 ( a )相同。亦即記錄區間R4係以基板 速度 Vsub = Vsubl、偏向速度 Vbeam = Vbeam 1進行記錄， 記錄區間 R5 係增速成 Vsub = Vsubl+Z\ V、Vbeam = - Vbeam 1+△ V來進行進錄。在此其間，和前述同樣地，是 、 維持著Vsub-Vbeam = Vexpl之關係。 然後，一旦到了記錄區間R6，則基板速度係和記錄 區間R 4同樣地返回V s u b = V s u b 1，相對於此，偏向速度則 是和記錄區間R 5同樣地維持V b e a m = V b e a m 1 + △ V不變， 是控制成如此。此時的基板速度，係爲 Vsub-Vbeam = Vsubl- ( Vbeaml + Δ V ) < Vsub 1-Vbeam 1 =Vexp 1，是慢於 記錄區間R4、R5。其結果係如圖示，描繪的粗細是往基 板1 5的徑方向變粗。 (B-3 )具體適用例 作爲藉由如上記般地使描繪速度變慢而使描繪粗細變 粗的具體適用例子，採用記錄資料之凹坑較疏導致來自周 邊的後方散亂之影響降低，並將描繪粗細變細之現象予以 _ 補正時的例子加以說明。 圖6(a) ( b )係爲了進行上記補正而將線寬放粗時 之一例；圖6 ( b )係於連續之記錄區間R7〜R9 (包含上 記線寬變粗之記錄區間R8 )中的基板1 5之軌道的模式性 說明圖；圖6 ( a )係該當區間R7〜R9的圖6 ( b )之中箭 號a所示之軌道上進行電子束描繪時的電子束（EB )之偏 向量的模式性說明圖。 -19- 200809854 (17) 一般而言，當對光阻層以射束進行曝光來形成潛像時 ，射束在進入光阻層中後會被該光阻層的內部反彈一部份 ，呈放射狀薄薄地擴散並且返回光阻層表面側也就是發生 - 所謂的後方散亂現象。此時，若以微觀來說，實際上是較 ， 照射射束面積略爲擴大的面積上發生曝光。亦即，於圖6 (a)及圖6(b)中，具備光阻層之各軌道當中，在描繪 圖案之徑方向分布是相對較密的部份（記錄區間R7、R9 )，係由於密集的各描繪圖案彼此於照射曝光時的上記後 方散亂發生重疊，而促進了曝光。因此，相較於描繪圖案 的徑方向分布是較稀疏之部份（記錄區間 R8 )，實際上 在曝光程度上會發生差異，而導致圖案徑方向粗細可能發 生差異。 爲了將其補正，在本例子中係設計成，藉由減少記錄 區間R8中的描繪速度，來使描繪粗細在徑方向加大。亦 即於圖6 ( a )及圖6 ( b )中，記錄區間R 7係以基板速度 Vsub = Vsubl、偏向速度Vbeam = Vbeaml進行記錄，維持著 Vsub-Vbeam = Vexpl 之關係。 . 然後，一旦到了記錄區間R8，則基板速度係和記錄 區間R7同樣地返回Vsub = Vsubl，相對於此，偏向速度則 是被控制成增速爲 Vbeam = Vbeaml+AV。此時的描繪速度 ，係爲 Vsub-Vbeam = Vsubl· ( Vbeaml+Λ V ) < Vsubl-
Vbeam 1 =Vexp 1，是慢於言己錄區間R7，藉此，關於箭號a 所示的軌道，係如圖示，其描繪粗細是在基板1 5的徑方 向上變粗。 •20- 200809854 (18) 其後，在記錄區間R9中，和上記記錄區間R7同樣地 ，以基板速度 Vsub = Vsubl，偏向速度 Vbeam = Vbeaml進 行記錄，和前述同樣地成爲Vsub-Vbeam = Vexpl之關係。 • 圖7係爲了執行上記圖6 ( a ) ( b )所說明過之動作 、 ，圖示控制器3 0之上記偏向·基板速度訊號生成器4 1及 上記最佳速度生成器47所執行的控制手順之流程圖。 於圖7，在本例中，是基於記錄資料RD，將各描繪地 點（記錄區間）的描繪速度Vexp、電子束（EB )偏向速 度 Vbeam、基板速度 Vsub，在記錄動作開始前預先設定 好的例子。首先於步驟S5中，在最佳速度生成器47及偏 向·基板速度訊號生成器41上，以如前述未圖示之所定 操作手段（或是其他外部機器），輸入記錄資料RD。 其後，移入步驟S 1 0，在最佳速度生成器4 7上，判 定從現在起欲進行速度設定之該當領域，是否並非爲了減 低後方散亂之影響而將線寬放粗之粗描繪領域（前述例子 中的箭號a之軌道上係爲記錄區間R8 )而爲通常描繪領 域。若爲通常描繪領域則滿足此判定，移入步驟S 1 5。 於步驟S 1 5中，在最佳速度生成器4 7上，將描繪速 度設定成通常的VexP1，移入步驟S20。 在步驟S20中，在偏向·基板速度訊號生成器41上 ，基於上記輸入之記錄資料RD，判定該當記錄區間的記 錄資料（調變資料）RD的凹坑是否爲相對較密（凹坑之 負載比大於所定閾値）。若負載比較大則移入步驟S 2 5， 在偏向·基板速度訊號生成器41上，將基板速度Vsub及 -21 - (19) (19)200809854 偏向速度Vbeam，分別設定成通常的Vsubl及Vbeaml。 若負載比較小則移入步驟S 3 0，在偏向·基板速度訊號生 成器41上，將基板速度Vsub及偏向速度Vbeam，分別增 加 Δν(Δν>0)，而分別設定成 Vsubl + Z\V、Vbeaml + △ V。 另一方面，於前述步驟S10中，在最佳速度生成器 47上，當從現在起欲進行速度設定之該當領域，是爲了減 低後方散亂之影響而將線寬放粗之粗描繪領域（前述例子 中的箭號a之軌道上係爲記錄區間R8)時，則不滿足步 驟S10之判定，移入步驟S40。 在步驟S40中，在最佳速度生成器47上，將描繪速 度設定成較通常的 Vexpl減少△ Vexp ( △ Vexp > 0 )的 Vexpl-AVexp，移入步驟 S45。 步驟S45中，在偏向·基板速度訊號生成器41上， 針對基板速度Vsiib是設定成通常的Vsubl ’同時關於偏 向速度Vbeam則是設定成增加了 △▽(△▽〉〇)的 Vbeaml+Δν 〇 一旦如上記而結束了步驟S25、步驟S30、步驟S45 ，則移入步驟S 3 5，在偏向·基板速度訊號生成器4 1或 最佳速度生成器47上，針對上記步驟S5所輸入之記錄資 料RD的所有資料，判定其該當之記錄區間的速度設定是 否已結束。針對全資料若還沒結束則不滿足該步驟s 3 5之 判定，會返回步驟S 1 0反覆進行同樣的程序。若針對全資 料皆完成速度設定，則滿足該步驟S 3 5之判定’結束此流 -22- (20) (20)200809854 程。 此外，上記圖7的流程中，雖然是分類成通常領域， 和爲了抑制後方散亂之影響變化的縮小描繪速度Vexp之 領域，和負載小的領域之3種領域，但並非限定於3種類 。亦即例如可以擴充成：改變符號來抑制後方散亂之影響 變化而加大描繪速度Vexp的領域、或負載是比通常還大 的領域等，甚至可將其程度擴充成更多階段、連續進行等 〇 如以上說明，本實施形態中的記錄裝置1 0，係屬於藉 由一面令基板15移動，一面對已形成在該基板15上之光 阻層照射響應於記錄訊號之曝光光束EB，藉此以在光阻 層形成潛像的記錄裝置1 0，其特徵爲，具有：描繪速度設 定手段（此例中係爲最佳速度生成器47 )，將前記潛像之 形成時的周方向描繪速度Vexp予以可變設定；和射束偏 向手段（此例中係爲射束偏向部3 3 )，令曝光光束EB之 照射位置對基板1 5相對性地移動；和基板速度調整手段 (此例中係爲平台驅動部3 7的旋轉驅動部3 7 A及運送驅 動部37B )，基於該射束偏向手段33所致之曝光光束EB 的偏向量，調整基板15的周方向移動速度Vsub ;控制手 段（此例中係爲偏向·基板速度訊號生成器4 1 )，令射束 偏向手段33所致之曝光光束EB的周方向偏向速度Vbe am 、以及基板速度調整手段37A、37B所致之基板的周方向 移動速度Vsub，對應於周方向描繪速度Vexp之變化而變 化。 -23- (21) (21)200809854 於本實施形態之記錄裝置1 〇中，是一面令已形成有 光阻層的基板1 5移動，一面對該光阻層照射響應於記錄 訊號的曝光光束EB，來形成潛像。對於該基板1 5，曝光 光束EB的照射位置係藉由射束偏向手段3 3之偏向而移動 ，基於該射束偏向量，基板15的周方向移動速度Vsub就 會藉由基板速度調整手段37A、3 7B而調整。然後此時， 控制手段4 1，係令射束偏向手段3 3所致之曝光光束EB 的周方向偏向速度Vbeam及基板速度調整手段37A、37B 所致之基板15的周方向移動速度Vsub，對應於被描繪速 度設定手段47作可變設定之潛像形成時之周方向描繪速 度Vexp而改變。 藉此，描繪圖案之周方向分布是相對較疏的部份（圖 5 ( a )之例子中係爲記錄區間R2 )係使基板1 5的周方向 之移動速度及曝光光束EB往周方向之偏向速度Vbe am設 成相對較快，描繪圖案之周方向分布是相對較密的部份（ 圖5 ( a )之例子中係爲記錄區間R 1、R3 )係使基板1 5的 周方向之移動速度及曝光光束EB往周方向之偏向速度 Vb earn設成相對較慢，藉此，就可使得曝光光束EB往光 阻層的照射遮斷時間（換言之，遮沒控制部3 1所致之遮 沒）得以免除（或減低）。 此時，在描繪速度設定手段4 7上所設定之周方向描 繪速度Vexp係爲約略一定的情況下（=通常描繪領域，在 圖5 ( a )的例子中係爲記錄區間R1、R2、R3，在圖5 ( b )的例子中係爲記錄區間R4，R 5 }，藉由使基板移動速度 -24- 200809854 (22)
Vsub和曝光光束偏向速度Vbeam的增減程度（上述例 中係爲△ V )呈約略相同地對應，就可達成照射遮斷時 的消失（或減低）。又，當欲將描繪圖案形成爲徑方向 於通常描繪領域之大小時（=粗描繪領域，在圖5(b) 例子中係爲記錄區間R6 )，藉由在描繪速度設定手段 上將周方向之描繪速度Vexp設定成比通常描繪領域R4 R5還慢，較上記描繪速度Vexp爲一定時將基板1 5側 移動速度Vsub設定成相對較慢，藉此就可實現上記曝 光束照射遮斷時間的消失（或減低），同時實現較粗描 〇 上記實施形態中的記錄裝置1 〇中，其特徵爲，控 手段4 1，係以使得曝光光束EB對光阻層的照射遮斷時 能被消除或減低的方式，控制射束偏向手段3 3所致之 光光束EB的周方向偏向速度Vbeam、和基板速度調整 段3 7A、3 7B所致之基板的周方向移動速度Vsub，之任 者或兩者。 藉由消除（或減低）照射遮斷時間，可免除射束電 的漏失’可確實地實現高產能的射束記錄裝置。 上記實施形態中的記錄裝置1 〇中，其特徵爲，描 速度設定手段47，係將通常描繪領域R1〜R3、R4、R5 的周方向之描繪速度V exp設定成約略一定；控制手段 ’係於通常描繪領域當中的描繪圖案之周方向分布是較 定條件（本實施形態係表現爲「相對的」）爲疏之疏領 R2、R5中，相較於描繪圖案之周方向分布是較上記所 子 間 粗 的 4 7 Λ 的 光 繪 制 間 曝 手 流 繪 中 4 1 所 域 定 -25- (23) 200809854 條件（本實施形態係表現爲「相對的」）爲密 Rl、R3、R4，將基板速度調整手段37A、37B所 1 5的周方向移動速度V sub變化成相對較快，且 向手段33所致之曝光光束EB往周方向之偏向速 變化成相對較快。 在描繪速度Vexp約略一定的此一條件下，〃 的周方向移動速度Vsub或曝光光束EB的周方向 V beam假設爲約略一定時，則關於描繪圖案之周 是相對較疏之領域，係需要無論如何在描繪圖案 白部進行照射遮斷（遮沒），而發生了射束電流 本實施形態之記錄裝置1 0中，關於描繪圖案之 布是相對較疏之領域R2、R5，係較密領域R1、 使基板1 5的周方向移動速度v sub變成相對較快 束EB往周方向之偏向速度Vb earn相對較快，藉 面使描繪速度V e X p保持約略一定，一*面使遮沒: 所致之遮沒得以消除（或減低）。 上記實施形態中的記錄裝置1 0中，其特徵 速度設定手段4 7，係將基板1 5上之光阻層當中 繪圖案形成爲徑方向是較粗於其他描繪領域R4 常描繪領域）的粗描繪領域R6上的周方向之 Vexp，設定成慢於其他描繪領域R4、R5上的周 繪速度V e X p。 藉由於粗描繪領域R6中，將周方向描繪速@ 定成相對較慢，可使每單位面積被照射的能量變 之密領域 致之基板 ，射束偏 度 Vbeam 富基板1 5 偏向速度 方向分布 的資料空 的漏失。 周方向分 R3 、 R4 ， 且曝光光 此而可一 控制部3 1 爲，描繪 、欲把描 、R5 (通 描繪速度 方向之描 I Vexp 設 大，可在 -26- 200809854 (24) 徑方向上進行較粗尺寸的描繪。 上記實施形態中的記錄裝置1 〇中，其特徵爲，描繪 速度設定手段47，係將基板1 5上之光阻層當中、描繪圖 ^ 案之徑方向分布是較上記所定條件爲密的密領域（圖6 ( a )(b )的例子中係爲記錄區間R7、R9 )上的周方向之描 繪速度Vexp設定成相對較快；將基板1 5上之光阻層當中 、描繪圖案之徑方向分布是較該所定條件爲疏的疏領域（ 圖6(a) (b)的例子中係爲記錄區間R8)上的周方向之 描繪速度V e X p設定成相對較慢。 關於圖案徑方向分布是相對較疏之領域R8，描繪速 度設定手段47，是將其視爲粗描繪領域而將周方向之描繪 速度Vexp設定成相對較慢，藉此使得該當領域的描繪時 每單位面積被照射的能量變大，在徑方向上進行較粗尺寸 的描繪，以和其他部份R7、R9 (實效上）的徑方向尺寸 整齊劃一。 此外，本實施形態所致之電子束記錄裝置1 〇的構成 當中，亦可將控制電路3 0、及平台驅動部3 7當中的基板 速度變換器3 8的部份，如圖8所示，以被連接至電子束 記錄裝置，生成該當電極束記錄裝置中用來形成潛像所需 ^ 之控制訊號然後加以輸入的記錄控制訊號生成裝置（所謂 格式化器）1 〇 〇的方式來加以構成。 此時的記錄訊號生成裝置1 〇 〇，係屬於具有：射束偏 向手段3 3，對上部已形成光阻層的基板1 5，使曝光光束 EB的照射位置相對性移動；和基板速度調整手段（此例 -27- (25) 200809854 中係爲旋轉驅動部37A及運送驅動部37B )，基於 偏向手段3 3所致之曝光光束EB的偏向量，調整基 方向移動速度Vsub ;和一面以被該基板速度調整手 、3 7B調整過之周方向移動速度Vsiib來促使基板 ，一面將被射束偏向手段3 3移動照射位置之曝光3 照射在光阻層，藉此在光阻層中形成潛像之記錄裝 爲對其生成潛像形成所需之控制訊號的記錄控制訊 裝置100，其特徵爲，射束偏向手段33是具有：描 設定手段（此例中係爲最佳速度生成器47 )，係隨 錄訊號RD，以使得曝光光束EB對光阻層的照射遮 能被消除或減低的方式，將用來控制曝光光束EB 向偏向速度Vbeam之作爲基準的於潛像形成時的周 繪速度 Vexp，作可變設定；和偏向·基板速度設 (此例中係爲偏向·基板速度訊號生成器4 1 )，係 記錄訊號RD，機射束偏向手段3 3所致之曝光光身 周方向偏向速度 Vbeam、以及基板速度調整手段 3 7B所致之基板15的周方向移動速度Vsub，使其 周方向描繪速度Vexp之變化而變化，生成對射束 段3 3及基板速度調整手段3 7 A、3 7B的控制訊號。 記錄控制訊號生成裝置1 〇〇，係具備偏向·基 設定手段4 1和描繪速度設定手段47，偏向·基板 定手段4 1，是令射束偏向手段3 3所致之曝光光束 偏向速度Vbeam及基板速度調整手段37A、37B所 板15的移動速度Vsub，對應於被描繪速度設定= 該射束 板的周 •段 37A 1 5移動 七束EB 置，係 號生成 繪速度 應於記 斷時間 之周方 方向描 定手段 隨應於 :EB的 37A、 對應於 偏向手 板速度 .速度設 EB的 致之基 毛段47 -28- 200809854 (26) 作可變設定之潛像形成時之描繪速度Vexp而改變。藉此 ’描繪圖案之周方向分布是相對較疏的部份係使基板15 的周方向之移動速度及曝光光束EB往周方向之偏向速度 ， vbeam設成相對較快，描繪圖案之周方向分布是相對較密 ^ 的部份係使基板1 5的周方向之移動速度及曝光光束EB往 周方向之偏向速度V be am設成相對較慢，藉此，就可使得 曝光光束EB往光阻層的照射遮斷時間得以免除（或減低 )° 此時，在描繪速度設定手段47上所設定之周方向描 繪速度Vexp係爲約略一定的情況下（=通常描繪領域R1 、R2、R3或R4、R5 )，藉由偏向·基板速度設定手段是 使是上記基板移動速度Vsub和曝光光束偏向速度 Vbeam 之增減程度△ V呈約略相同地對應，就可達成上記照射遮 斷時間的消失（或減低）。又，當欲將描繪圖案形成爲徑 方向粗於通常描繪領域之大小時（=粗描繪領域R6 )，藉 由在記錄控制訊號生成裝置1 〇〇的描繪速度設定手段47 上將周方向之描繪速度Vexp設定成比通常描繪領域R4、 _ R5還慢，藉由偏向·基板速度設定手段4 1而較上記描繪 速度Vexp爲一定時將基板15側的移動速度Vsub設定成 瞀 相對較慢，藉此就可實現上記曝光光束照射遮斷時間的消 失（或減低），同時實現較粗描繪。 於上記記錄控制訊號生成裝置1 00中，其特徵爲，描 繪速度設定手段47，係將通常描繪領域R1〜R3、R4、R5 中的周方向之描繪速度 Vexp設定成約略一定；偏向·基 -29- (27) (27)200809854 板速度設定手段4 1，係於通常描繪領域當中的描繪圖案之 周方向分布是較上記所定條件爲疏之疏領域R2、R5中， 相較於描繪圖案之周方向分布是較上記所定條件爲密之密 領域Rl、R3、R4，令基板速度調整手段37A、37B所致 之基板15的周方向移動速度Vsiib變化成相對較快，且， 令射束偏向手段33所致之曝光光束EB往周方向之偏向速 度Vbearn變化成相對較快。 在描繪速度Vexp約略一定的此一條件下，當基板15 的周方向移動速度V sub或曝光光束EB的周方向偏向速度 Vb earn假設爲約略一定時，則關於描繪圖案之周方向分布 是相對較疏之領域，係需要無論如何在描繪圖案的資料空 白部進行照射遮斷（遮沒），而發生了射束電流的漏失。 於記錄控制訊號生成裝置1 〇〇中，偏向·基板速度設定手 段4 1，是於描繪圖案之周方向分布是相對較疏之領域R2 、R5中，係較密領域R1、R3、R4，使基板1 5的周方向 移動速度Vsub變成相對較快且曝光光束EB往周方向之偏 向速度vbeam相對較快’藉此而可一面使描繪速度VexP 保持約略一定’ 一面使遮沒得以消除（或減低）。 於上記記錄控制訊號生成裝置1 〇〇中，其特徵爲，描 繪速度設定手段47 ’係將基板1 5上之光阻層當中、欲把 描繪圖案形成爲徑方向是較粗於其他描繪領域R4、R5 ( 通常描繪領域）的粗描繪領域R6上的周方向之描繪速度 V exp，設定成慢於其他描繪領域R4、R5上的周方向之描 繪速度VexP ° -30 - 200809854 (28) 藉由於粗描繪領域R6中，將周方向描繪速度Vexp設 定成相對較慢，可使每單位面積被照射的能量變大，可在 徑方向上進行較粗尺寸的描繪。 . 上記記錄訊號生成裝置1 00中，其特徵爲，描繪速度 設定手段47，係將基板i 5上之光阻層當中、描繪圖案之 徑方向分布是較所定條件爲密（本實施形態係表現爲「相 對較密」）的密領域R7、R9上的周方向之描繪速度Vexp 設定成相對較快；將基板1 5上之光阻層當中、描繪圖案 之徑方向分布是較該所定條件（本實施形態係表現爲「相 對較疏」）爲疏的疏領域R 8上的周方向之描繪速度V e X p 設疋成相對較慢。 關於圖案徑方向分布是相對較疏之領域R8，描繪速 度設定手段47，是將其視爲粗描繪領域而將周方向之描繪 速度Vexp設定成相對較慢，藉此使得該當領域的描繪時 每單位面積被照射的能量變大，在徑方向上進行較粗尺寸 的插繪，以和其他部份R7、R9 (實效上）的徑方向尺寸 整齊劃一。 此外，上記實施形態，係不限於上記，可作各種變形 °以下，順便追加說明這類變形例。 (1 )進行潛像之多重形成（重複寫入）的情形 於基板1 5中，關於描繪圖案之徑方向分布是相對較 疏之領域，係較其以外之描繪圖案分布較密的領域，使描 繪圖案的徑方向分布數較少。例如圖9的軌道b所示，若 -31 - 200809854 (29) 疏領域當中存在著不分布描繪圖案的軌道時，則照這樣下 去就會產生需要藉由遮沒控制部3 1進行遮沒的可能性。 尤其是，一旦沒有描繪圖案的空白變長，則如前述圖5 (a . )所示令基板15的移動速度Vsub增加（—Vsub + Δ V ) 並且使電子束EB的徑方向偏向速度Vbearn對應於其而增 力口（ — Vbeam + Λ V)的手法中，也是由於超出電子束EB 的偏向極限（會甩斷），因此無法彌補，不得不進行遮沒 ，不進行遮沒之通常軌道c和要進行遮沒之軌道b會是交 互反覆出現，導致射束電流的浪費。以重疊描繪爲前提， 於該當重疊寫入部份亦即區間R 1 〇、R 1 2的描繪時，是將 描繪速度Vexp設成η倍（此例中係爲n = 2— 2xVexp )。 圖1 1係爲了執行上記圖1 0所說明過之動作，圖示控 制器3 0之上記偏向·基板速度訊號生成器4 1及上記最佳 速度生成器47所執行的控制手順之流程圖。和前述圖7 同等的程序係標以同一符號。 於圖1 1中，和圖7同樣地，在本例中，是基於記錄 資料RD，將各描繪地點（記錄區間）的描繪速度V exp、 電子束（EB )偏向速度 Vbeam、基板速度 Vsub，在記錄 動作開始前預先設定好的例子。此外，後述之旗標FN及 * 旗標FS，係在該流程開始前預先設成初期値0。 首先於步驟S5中，在最佳速度生成器47及偏向·基 板速度訊號生成器4 1上，以如前述未圖示之所定操作手 段（或是其他外部機器），輸入記錄資料RD。 其後，於步驟S 7中，在最佳速度生成器4 7上，判定 -32- 200809854 (30) 表示此後欲進行速度設定之該當記錄區間是否爲沒有描繪 資料之空白（或亦可爲負載是否小於所定値）的旗標F S ，是否爲1。最初係因爲被初期化成旗標FS = 〇所以不滿 . 足此判定，而移入步驟S 9。 ^ 在步驟S9中，在最佳速度生成器47上，基於上記步 驟S 5所輸入之記錄資料RD，判定在該當記錄區間之徑方 向上相鄰之記錄區間，是否爲沒有描繪資料的空白。例如 圖10所示的軌道c’的記錄區間R10、R12，若徑方向上有 相鄰著空白則滿足此判定，在步驟S 1 1中將表示多重照射 (多重潛像形成）的旗標設成FN = 1而移入步驟s 1 5。於 步驟 S 9中若徑方向上無空白相鄰（軌道 c ’的記錄區間 R1 1、R13等），則不滿足步驟S9之判定，直接移入步驟 S 1 5 ° 步驟S 1 5〜步驟S 3 0係和上記圖7相同，於步驟s 1 5 中，在最佳速度生成器47上，將描繪速度設定成通常的 Vexpl後，於步驟S20中，在偏向·基板速度訊號生成器 4 1上，判定記錄區間的記錄資料（調變資料）RD的凹坑 之負載比是否大於所定閾値。若負載比是較大則於步驟 S25中，在偏向·基板速度訊號生成器41上，將基板速 度 Vsub及偏向速度 Vbeam設定成通常的 Vsubl及 Vbeaml，若負載比較小則於步驟 S30中分別設定成 Vsubl+AV、Vbeaml+Δν。 一旦步驟S 2 5或步驟S 3 0結束，則移入步驟S 3 1，在 偏向·基板速度訊號生成器41或最佳速度生成器47上， -33- 200809854 (31) 判定上記旗標是否爲FN= 1。該當記錄區間是在徑方向上 有空白相鄰時（或該當記錄區間係爲空白’後述）’則於 上記步驟Sll(或後述之步驟S14)中因爲FN = 1而滿足 . 判定，移入步驟S 3 2。 步驟S32中，在偏向·基板速度訊號生成器41上’ 將上記步驟S 2 5或步驟S 3 0中所設定之電子束EB的偏向 速度Vbe am或基板15的移動速度Vsub，設定成前述多重 形成之次數亦即η倍（以未圖示之程序在偏向·基板速度 訊號生成器4 1上根據記錄資料RD而算出）。藉此，由這 些偏向速度Vbe am和基板15之移動速度Vsub的差所決 定的描繪速度 Vexp，結果也變成 η倍。然後返回旗標 FN = 0，移入步驟 S33。此外，於步驟 S3 1中，上記步驟 S9之判定爲不滿足而保持FN = 0的狀態時，則步驟S3 1的 判定係爲不滿足，而直接移入步驟S 3 3。 在步驟S33中，在偏向·基板速度訊號生成器41或 最佳速度生成器47上，基於上記步驟S5所輸入之記錄資 料RD，判定在該當記錄區間之周方向上相鄰之下個記錄 區間，是否爲沒有描繪資料的空白。例如圖1 0所示的軌 道b’的記錄區間R1 1、R13，若接下來是空白則滿足此判 定，在步驟S34中設成代表空白的旗標FN=1而移入步驟 S35。於步驟S33中若接著無空白相鄰（軌道c’或軌道b’ 的記錄區間R 1 〇、R 1 2等），則不滿足步驟S 3 3之判定， 直接移入步驟S 3 5。 在步驟S35中’在偏向·基板速度訊號生成器41或 -34- 200809854 (32) 最佳速度生成器47上’針對上記步驟S5所輸入之記錄資 料RD的所有資料’判定其該當之記錄區間的速度設定是 否已結束。若針對全資料皆完成速度設定，則滿足該步驟 . S 3 5之判定，結束此流程。針對全資料若還沒結束則不滿 • 足該步驟S 3 5之判定，會返回步驟S 7反覆進行同樣的程 序。 如此當返回步驟S 7時，在上記步驟s 3 4中（如上記 軌道b ’的記錄區間R 1 1、R 1 3 )，下個記錄區間是空白且 旗標FS = 1時’則滿足步驟S7之判定，移入步驟S13。 在步驟S13中’在偏向·基板速度訊號生成器41上 ，基於上記步驟S 5所輸入之記錄資料r d，設定成使其會 對該當記錄區間之徑方向上相鄰之記錄區間進行描繪（= 進行軌道跳躍）。作爲此時的例子，如圖1 0所示的軌道 b ’的記錄區間R 1 〇、R 1 2的情況，則是進行（射束偏向之 )設定使其不在軌道bf而是在徑方向上相鄰的軌道c’上進 行描繪。其後，在和步驟S 1 1樣同樣的步驟S 1 4中，設定 代表多重照射（多重潛像形成）的旗標FN = 1，然後移入 上記步驟S 1 5。步驟S 1 5以降係和前述相同。 在本變形例中的記錄裝置1 9中，其特徵爲，控制手 段4 1，係關於基板1 5之光阻層當中、描繪圖案之徑方向 分布是相對較疏之領域（此例中係爲記錄區間R 1 0、R 1 2 )的至少一部份，係對其一部份是將同一描繪圖案分成複 數次（此例中係爲η次）來進行潛像形成，以此方式來控 制射束偏向手段3 3，描繪速度設定手段4 7，係關於將該 -35- 200809854 (33) 同一描繪圖案分成複數次來進行潛像形成的一部份（領域 R 1 0、R 1 2 )，係隨應於進行潛像形成的次數η，來設定周 方向描繪速度Vexp。 . 關於疏領域R 1 0、R 1 2當中的有描繪圖案分布之軌道 ^ c’係視爲進行多重潛像形成的部份，在對沒有描繪圖案分 布的軌道b’照射曝光光束ΕΒ時，係一旦遇到有描繪圖案 分布之軌道c’則使曝光光束EB往徑方向偏向以進行η次 的潛像形成，一旦此部份結束就返回軌道b’而繼續進行描 繪。像這樣設計成一旦逼近應進行遮沒之地點就移到徑方 向上遠離之其他軌道來進行潛像形成，就可使遮沒控制部 3 1所致之遮沒不必進行，藉此可改善產能。又關於該當多 重潛像形成進行地點R 1 0、R 1 2，係可以該多重形成爲前 提，將周方向描繪速度Vexp設定成相對較快。其結果爲 ，可更有效率地進行作業。 此外此時也是和前述同樣地，構成爲如圖8所示的記 錄控制訊號生成裝置（格式化器）1 00。此時的記錄控制 訊號生成裝置1 〇〇，其特徵爲，偏向·基板速度設定手段 4 1，係關於基板1 5上之光阻層當中、描繪圖案之徑方向 分布是相對較疏之領域R 1 0、R 1 2的至少一部份，係對其 一部份是將同一描繪圖案分成複數次來進行潛像形成，以 此方式來控制射束偏向手段3 3 ;描繪速度設定手段47， 係關於將該同一描繪圖案分成複數次來進行潛像形成的一 部份（領域R 1 〇、R I 2 )，係隨應於進行潛像形成的次數n ，來設定往周方向的描繪速度Vexp。 -36- 200809854 (34) 偏向·基板速度設定手段4 1，關於疏領域R 1 0、R 1 2 當中的有描繪圖案分布之軌道c，係視爲進行多重潛像形成 的部份，在對沒有描繪圖案分布的軌道b1照射曝光光束 • EB時，係一旦遇到有描繪圖案分布之軌道c’則使曝光光 . 束往徑方向偏向以進行η次的潛像形成，一旦此部份 結束就返回軌道b’而繼續進行描繪。像這樣設計成一旦逼 近應進行遮沒之地點就移到徑方向上遠離之其他軌道來進 行潛像形成，就可不必進行遮沒，藉此可改善產能。又關 於該當多重潛像形成進行地點R 1 0、R 1 2，係可以該多重 形成爲前提，在描繪速度設定手段47上將周方向描繪速 度V exp設定成相對較快。其結果爲，可更有效率地進行 作業。 又’圖12(a) ( b ) ( c )係圖示了，更加應用上記 而存在著多重形成次數n = 4之領域和n = 2之領域時的情形 °圖1 2 ( a )係變形例中的軌道之描繪圖案的模式形圖示 的上面圖，圖12(b)係該圖中A部的抽出放大圖，圖12 (c )係從側面觀看圖1 2 ( a )之舉動的圖。 _ 如這些圖1 2 ( a )〜（c )所示，此例中，作爲η次的 多重潛像形成進行領域，係有η = 4的記錄區間R20、R27 ，和 η = 2的記錄區間 R21、R22、R23。記錄區間 R20、 H27中，通常進行1次潛像形成就能獲得所望線寬的描繪 速度係爲Vexp = Vexp3;此時由於是進行4次的多重形成 ’因此在最佳速度生成器4 7上設定相當於其之4倍的描 繪速度、亦即 Vexp=4xVexp3。記錄區間 R21、R22、R23 -37- (35) 200809854 中’通常進行1次潛像形成就能獲得所望線寬的描 係爲 Vexp = Vexp2;此時因爲是進行2次的多重形 此在最佳速度生成器47上設定相當於其之2倍的 度、亦即Vexp = 2xVexp2。又，關於記錄區間R24、 R26，則是視爲通常進行1次潛像形成的領域，在 度生成器47上設定描繪速度VeXp = VeXpl。這些各 描繪速度Vexpl、Vexp2、Vexp3，係雖然可以設定 相等，但如前述，係可對應於例如光阻的感度、層 境溫度等光微影時的諸條件、或是凹坑的寬、軌道 記錄條件，爲了能夠進行最佳凹坑之記錄，亦可在 度生成器47上設定成彼此互異的値。 此外，如之前所述，由於基板1 5旋轉所致之 小的慣性力作用，因此伴隨上記描繪速度Vexp之 欲增減基板15的周方向移動速度Vsub之控制被進 對其仍存在追從極限，會有不一定能輕易增減（= 反應延遲）的情形。此情況下，關於上記無法追從 ，係藉由以射束偏向部3 3使電子束EB偏向來彌補 佳精度進行最佳速度生成器47上所設定之描繪速ί 的增減切換，來防止劑量（照射量）誤差發生即可 (2 )往徑方向速度控制的擴充 以上雖然是在最佳速度生成器47上設定往周 描繪速度V e X ρ時的情形’但是也可考慮將此擴充 方向之描繪速度的控制。 繪速度 成，因 描繪速 R25、 最佳速 區間的 成彼此 厚、環 間距等 最佳速 所定大 變化的 行時， 機械性 的部份 ，以更 I Vexp 方向之 成往徑 -38- 200809854 (36) 圖13(a) ( b )，係此種變形例之一例，圖1 3 ( b ) 係含有在徑方向連續之記錄區間R30〜R32的基板15的軌 道的模式性圖示之說明圖；圖1 3 ( a )係該當區間R3 0〜 . R32的電子束描繪時的電子束（EB )之偏向量等予以模式 性圖示的說明圖。 如圖1 3 ( a ) ( b )所示，略圓環狀的軌道之徑方向分 布係並非一樣而是欲使其在徑方向上帶有分布梯度的情況 下，欲使軌道的徑方向分布變疏時（此例中係爲記錄區間 R3 1 )則必須使基板1 5的徑方向移動速度Usub及徑方向 描繪速度U e X p相對較快，欲使軌道的徑方向分布變密時 (此例中係爲記錄區間R3 0、R3 2 )則必須使基板1 5的徑 方向移動速度Usub及徑方向描繪速度Uexp相對較慢。因 此’當從軌道徑方向分布較密部份移入至較疏部份時（此 例中係爲記錄區間R3 1 ab )，或反之而返回較密部份時（ 此例中係爲記錄區間R3 2ab )，就會各自發生基板1 5之 徑方向移動速度Usub的增大及減少。 可是在此其中，如前述，由於基板1 5旋轉所致之所 定大小的慣性力作用，因此隨應於上記疏密來進行徑方向 移動速度Usub之增減的控制進行時，對其仍存在追從極 限’會有不一定能輕易增減（=機械性反應延遲）的情形 。因此’這樣下去，軌道帶有比較小之間隔而以較密樣態 均勻存在的部份，和軌道帶有比較大之間隔而以較疏樣態 均勻存在的部份，在它們之間，就會產生軌道是以不均勻 間隔（逐漸變寬或是逐漸變窄）存在的部份。 -39- 200809854 (37) 於是在本變形例中係關於上記無法追從的部份（記錄 區間R3 1a、R32a)係在射束偏向部33上令電子束EB偏 向（偏向量X、偏向速度Ub earn )來彌補，可更佳精度地 . 明確進行最佳速度生成器4 7上所設定之徑方向描繪速度
Uexp的增減切換。 圖1 4係爲了執行上記圖1 3 ( a )( b )所說明過之動 作，圖示控制器3 0之上記偏向·基板速度訊號生成器4 1 及上記最佳速度生成器4 7所執行的控制手順之流程圖。 於圖1 4，在本例中，是基於記錄資料RD，將各描繪 地點（記錄區間）的描繪速度Uexp、電子束（EB )偏向 速度 Ubeam、基板速度 Usub，在記錄動作開始前預先設 定好的例子。首先於步驟S1 05中，和前述步驟S5同樣地 ，在最佳速度生成器47及偏向·基板速度訊號生成器41 上，以如前述未圖示之所定操作手段（或是其他外部機器 )，輸入記錄資料RD。 其後，移入步驟S 1 1 0，在最佳速度生成器4 7上，判 定此後欲進行速度設定之該當領域，是否並非例如略圓環 狀軌道之徑方向分布爲相對較疏之領域（前述例子中係爲 記錄區間R3 1 )，而是通常描繪領域（前述例子中係爲記 錄區間R3 0、R3 2 )。若爲通常描繪領域則滿足此判定， 移入步驟S 1 1 5。 於步驟S 1 1 5中，在最佳速度生成器47上，將描繪速 度設定成通常的Uexpl，移入步驟S125。 步驟S125中，在偏向·基板速度訊號生成器41上， •40- 200809854 (38) 將基板速度Usub及偏向速度Ub earn，分別設定成通常的 U sub 1 及 Ubeam 1 〇 另一方面，於前述步驟S110中，在最佳速度生成器 . 47上，當從現在起欲進行速度設定之該當領域’是例如略 _ 圓環狀軌道之徑方向分布爲相對較疏之領域（前述例子中 係爲記錄區間R31 )時，則不滿足步驟S1 10之判定’移 入步驟S 1 4 0。 在步驟S1 40中，在最佳速度生成器47上，將描繪速 度設定成較通常的 Uexpl增加△Uexp(Z\Uexp>0)的 Uexpl+AUexp，移入步驟 S145。 步驟S145中，在偏向·基板速度訊號生成器41上， 針對偏向速度Ubeam是設定成通常的Ubeaml，同時關於 基板速度 Usub則是設定成增加了 △ U ( △ U > 0 )的 Usubl+Δυ。 其後，移入步驟S150，在偏向·基板速度訊號生成 器4 1上，判定此後欲進行速度設定之該當領域，是否爲 從上記軌道之徑方向分布相對較疏之領域（前述例子中係 爲I己錄區間R 3 1 )、往通常描繪領域（則述例子中係爲記 錄區間R30、R32 )移行時會因上記追從極限而導致機械 反應延遲發生的追從遷移領域。若爲追從遷移領域則滿足 此判定，移入步驟S 1 5 5。 於步驟S155中，在最佳速度生成器47上，對上記步 驟S 1 4 5所設定之偏向速度u b e a m，進行用來彌補上記機 械性反應延遲的所定補正。 -41 - 200809854 (39) 一旦如上記而結束了步驟S 1 2 5、步驟 S 1 5 0、 S 1 5 5，則移入步驟S 1 3 5，在偏向·基板速度訊號生 41或最佳速度生成器47上，針對上記步驟S1 05所 . 之記錄資料RD的所有資料，判定其該當之記錄區間 ^ 度設定是否已結束。針對全資料若還沒結束則不滿足 驟s 1 3 5之判定，會返回步驟s 1 1 0反覆進行同樣的程 若針對全資料皆完成速度設定，則滿足該步驟S 1 3 5 定，結束此流程。 此外，上記圖14的流程中，雖然是分類成通常 、和略圓環狀軌道之徑方向分布相對較疏因此加大描 度Uexp之領域這兩種類，但是並非限定於2種類。 例如亦可擴充成改變符號來使略圓環狀軌道的徑方向 爲相對較密之領域，甚至可將其程度擴充成更多階段 續進行等。 在本變形例中的記錄裝置1 〇中，屬於藉由一面 板1 5移動，一面對已形成在該基板1 5上之光阻層照 應於記錄訊號之曝光光束EB，藉此以在光阻層形成 的記錄裝置10，其特徵爲，具有：描繪速度設定手段 例中係爲最佳速度生成器47 )，將前記潛像之形成時 方向描繪速度U e X p予以可變設定；和射束偏向手段 令曝光光束EB之照射位置對基板1 5相對性地移動； 板速度調整手段37 A、37B，基於該射束偏向手段33 之曝光光束EB的偏向量，調整基板1 5的徑方向移動 :和控制手段4 1，射束偏向手段3 3所致之曝光光身
步驟 成器 輸入 的速 該步 序。 之判 領域 繪速 亦即 分布 、連 令基 射響 潛像 (此 的徑 33， 和基 所致 速度 :EB -42- 200809854 (40) 的徑方向偏向速度Ubearn、以及基板速度調整手段37a、 3 7B所致之基板15的徑方向移動速度usiib，對應於徑方 向描繪速度Uexp之變化而變化。 . 藉此’例如略圓環狀軌道之徑方向分布爲相對較疏之 ^ 領域（上記例子中係爲記錄區間R3 1 )係將徑方向描繪速 度Uexp設定成相對較快並且將基板1 5之徑方向移動速度 Usiib設定成相對較快，略圓環狀軌道之徑方向分布爲相 對較密之領域（上記例子中係爲記錄區間R3 0、R3 2 )係 將徑方向描繪速度U exp設定成相對較慢並且將基板〗5之 徑方向移動速度U sub設定成相對較慢，藉此，就可以使 得曝光光束EB對光阻層的照射遮斷時間能被消除或減低 〇 上記變形例中的記錄裝置1 0中，控制手段4 1，係以 使得曝光光束EB對光阻層的照射遮斷時間能被消除或減 低的方式，來控制射束偏向手段3 3所致之曝光光束EB的 徑方向偏向速度Ubeam、和基板速度調整手段 37A、37B 所致之基板的徑方向移動速度Usub之任一者或兩者。 ^ 藉由消除（或減低）照射遮斷時間，可免除射束電流 的漏失，可確實地實現高產能的射束記錄裝置。 上記變形例中的記錄裝置1 〇中，描繪速度設定手段 47 ’係於基板1 5上之光阻層當中、進行潛像形成的略圓 環狀軌道之徑方向分布是較上記所定條件（本實施形態係 表現爲「相對地」）爲疏的疏領域R3 1中，係相較於略圓 環狀軌道之徑方向分布是較上記所定條件爲密之密領域 -43- 200809854 (41) R30、R32 ’將徑方向之描繪速度Uexp設定成相對較快； 控制手段4 1 ’係於略圓環狀軌道之徑方向分布是較上記所 定條件爲疏之疏領域R3 1中，係相較於略圓環狀軌道之徑 . 方向分布是較上記所定條件爲密之密領域R3 0、R3 2，令 基板速度調整手段3 7 A、3 7 B所致之基板1 5的徑方向移動 速度Usub變化成相對較快，爲其特徵。 當進行潛像形成之略圓環狀軌道之徑方向分布並非一 樣而是欲使其在徑方向上帶有分布梯度的情況下，藉由使 基板15之徑方向移動速度Usub及徑方向描繪速度Uexp 設成相對較快就可使軌道的徑方向分布變疏，藉由使基板 15之徑方向移動速度Usub及徑方向描繪速度Uexp設成 相對較慢就可使軌道的徑方向分布變密。 上記變形例中的記錄裝置1 0中，控制手段4 1，係當 基板速度調整手段37 A、37B所致之基板15的徑方向移動 速度Usub發生變化時，對應於對該當移動速度Usub之變 化的機械性反應延遲，來改變射束偏向手段3 3所致之曝 光光束EB的徑方向偏向速度Ube am，爲其特徵。 關於無法追從的部份（追從遷移領域）R31ab、R32ab ，係藉由射束偏向手段33使射束徑方向偏向速度Ube am 改變，追從不足的量是藉由使射束EB往追從方向偏向來 加以彌補，藉此，可使軌道的不均勻間隔部份消失，可使 軌道配置間隔均勻化（密而均勻、疏而均勻之2種類）。 此外此時也是和前述同樣地，構成爲如圖8所示的記 錄控制訊號生成裝置（格式化器）1 00。此時的記錄控制 -44- (42) (42)200809854 訊號生成裝置1 00，係屬於具有：射束偏向手段3 3，係對 上部已形成有光阻層的基板1 5，令曝光光束EB之照射位 置對基板1 5相對性地移動；和基板速度調整手段3 7 A、 3 7B，基於該射束偏向手段33所致之曝光光束EB的偏向 量，來調整基板15的徑方向移動速度Usub ; —面以被該 基板速度調整手段37A、37B調整過之徑方向移動速度 U sub來促使基板15移動，一面將被射束偏向手段33移 動照射位置之曝光光束EB照射在光阻層，藉此在光阻層 中形成潛像之記錄裝置，對其生成潛像形成所需之控制訊 號的記錄控制訊號生成裝置1 00，其特徵爲，射束偏向手 段3 3是具有：描繪速度設定手段47，隨應於記錄訊號RD ，以使得曝光光束EB對光阻層的照射遮斷時間能被消除 或減低的方式，將用來控制曝光光束E B之徑方向偏向速 度 Ubeam之作爲基準的潛像形成時的徑方向描繪速度 Uexp，予以可變設定；和偏向·基板速度設定手段41， 隨應於記錄訊號RD，生成令射束偏向手段3 3所致之曝光 光束EB的徑方向偏向速度Ubearn、以及基板速度調整手 段3 7A、37B所致之基板15的徑方向移動速度Usub，對 應於徑方向描繪速度Uexp之變化而變化的、對射束偏向 手段33及基板速度調整手段37A、3 7B的控制訊號。 藉此，例如略圓環狀軌道之徑方向分布爲相對較疏之 部份R3 1，係在記錄控制訊號生成裝置1 〇〇之描繪速度設 定手段47上將徑方向的描繪速度Uexp相對較快，並且在 偏向·基板速度設定手段4 1上將基板1 5的徑方向移動速 -45 - 200809854 (43) 度Usub設定成相對較快；略圓環狀軌道之徑方向分 相對較密之部份R30、R32，係在記錄控制訊號生成 1 0 〇之描繪速度設定手段4 7上將徑方向的描繪速度 . 相對較慢，並且在偏向·基板速度設定手段4 1上將 1 5的徑方向移動速度Usub設定成相對較慢；藉此， 以使得曝光光束EB對光阻層的照射遮斷時間能被消 減低。 於上記記錄控制訊號生成裝置1 00中，描繪速度 手段47，係於基板1 5上之光阻層當中、進行潛像形 略圓環狀軌道之徑方向分布是較上記所定條件爲疏的 域R3 1中，係相較於略圓環狀軌道之徑方向分布是較 所定條件爲密之密領域R3 0、R3 2，將徑方向之描繪 Uexp設定成相對較快；偏向·基板速度設定手段4 1 於略圓環狀軌道之徑方向分布是較上記所定條件爲疏 領域R3 1中，係相較於略圓環狀軌道之徑方向分布是 記所定條件爲密之密領域R3 0、R3 2，令基板速度調 段3 7A、3 7B所致之基板15的徑方向移動速度Usub 成相對較快，爲其特徵。 當進行潛像形成之略圓環狀軌道之徑方向分布並 樣而是欲使其在徑方向上帶有分布梯度的情況下，藉 偏向·基板速度設定手段41及描繪速度設定手段47 別使基板15之徑方向移動速度Usub及徑方向描繪 U exp設成相對較快，就可使軌道的徑方向分布變疏 之，藉由使基板15之徑方向移動速度Usub及徑方向 布爲 裝置 U exp 基板 就可 除或 設定 成的 疏領 上記 速度 ，係 之疏 較上 整手 變化 非一 由在 上分 速度 ，反 描繪 -46- 200809854 (44) 速度Uexp設成相對較慢就可使軌道的徑方向分布變密。 上記記錄控制訊號生成裝置1 〇〇中，偏向·基板速度 設定手段41，係當基板速度調整手段37A、3 7B所致之基 板1 5的徑方向移動速度Usub發生變化時，對應於對該當 移動速度Usub之變化的機械性反應延遲，來改變射束偏 向手段33所致之曝光光束EB的徑方向偏向速度Ube am， 爲其特徵。 關於無法追從的部份，係由偏向·基板速度設定手段 4 1來使射束偏向手段3 3所致之射束徑方向偏向速度 Ub earn改變，追從不足的量是藉由使射束EB往追從方向 偏向來加以彌補。藉此，就可消除軌道不均勻間隔部份， 可使軌道配置間隔均勻化（密而均勻、疏而均勻等）。 此外，上記雖然是針對前述基板1 5的機械性反應延 遲的時間常數比較小（在比較短時間內就完成追從）時的 例子來說明，但不限於此，在時間常數較大的情況下亦可 適用。 圖1 5 ( a )( b )，係此種時間常數較大時的變形例， 圖15 ( b)係含有在徑方向連續之記錄區間R3 3〜R3 5的 基板1 5的軌道的模式性圖示之說明圖；圖1 5 ( a )係該當 區間R3 3〜R35的電子束描繪時的電子束（EB)之偏向量 等予以模式性圖示的說明圖。 於圖1 5 ( a ) ( b )中，當從軌道徑方向分布較密部份 移入至較疏部份時（此例中係爲記錄區間R3 3 ab )移行至 較疏部份（此例中係爲記錄區間R3 4 )時，或反之而返回 -47- 200809854 (45) 較密部份時（此例中係爲記錄區間R 3 5 )，就會各自發生 基板1 5之徑方向移動速度Usub的增大及減少。 此情況下，隨應於疏密來進行徑方向移動速度Usub • 之增減的控制進行時的追從之時間常數因爲較大，所以對 ^ 基板1 5之移動速度Usub之變化的機械性反應延遲係會變 大（此例中由於結果是追從完畢同時開始往反方向之控制 ，因此記錄區間3 4係幾乎全部都成了追從遷移領域3 4a、 3 4 b。這點對記錄區間R 3 3、R 3 5的領域R 3 3 b、R 3 5 a而言 亦相同），必須要使射束偏向手段3 3所致之曝光光束EB 的徑方向偏向速度Ube am變大。亦即，關於無法追從的部 份（追從遷移領域）R33b、R34a、R34b、R35a中，係使 射束偏向手段33所致之射束徑方向偏向速度Ubearn變大 ，來使射束EB往追從方向偏向，就可加以彌補。 此外，以上雖然使用X 0平台系的射束記錄裝置爲例 來說明，但不限於此，亦可適用於具備XY平台系的射束 記錄裝置。 又，以上雖然針對使用電子束的射束記錄裝置來說明 ，但亦可適用於具備偏向裝置的雷射光束記錄裝置、或者 其他帶電粒子射束記錄裝置。 上記實施形態中的記錄裝置1 〇屬於藉由一面令基板 1 5移動，一面對已形成在該基板1 5上之光阻層照射響應 於記錄訊號之曝光光束EB，藉此以在光阻層形成潛像的 記錄裝置1 〇，具有：最佳速度生成器47，將前記潛像之 形成時的周方向描繪速度Vexp予以可變設定；和射束偏 -48 - (46) (46)200809854 向部3 3，令曝光光束EB之照射位置對基板1 5相對性地 移動；和旋轉驅動部3 7 A及運送驅動部3 7B，基於該射束 偏向部33所致之曝光光束EB的偏向量’來調整基板15 的周方向移動速度Vsub;和偏向·基板速度訊號生成器 4 1，令射束偏向部3 3所致之曝光光束EB的周方向偏向速 度Vbeam，及旋轉驅動部37A及運送驅動部37B所致之基 板的周方向移動速度V sub，對應於周方向描繪速度Vexp 之變化而變化。 藉此，描繪圖案之周方向分布是相對較疏的部份亦即 記錄區間R2係使基板1 5的周方向之移動速度及曝光光束 EB往周方向之偏向速度Vbeam設成相對較快，描繪圖案 之周方向分布是相對較密的部份亦即記錄區間R 1、R3係 使基板15的周方向之移動速度及曝光光束EB往周方向之 偏向速度Vbeam設成相對較慢，藉此，可使對曝光光束 EB之遮沒控制部3 1所致之遮沒得以消除（或減低）。 上記實施形態中的記錄訊號生成裝置1 〇〇，係屬於具 有：射束偏向部3 3，係對上部已形成有光阻層的基板1 5 ，令曝光光束EB之照射位置對基板1 5相對性地移動；和 旋轉驅動部3 7 A及運送驅動部3 7B，基於該射束偏向部3 3 所致之曝光光束E B的偏向量，來調整基板的周方向移動 速度Vsub ;和一面以被該旋轉驅動部37A及運送驅動部 37B調整過之周方向移動速度V sub來促使基板15移動， 一面將被射束偏向部3 3移動照射位置之曝光光束EB照射 在光阻層，藉此在光阻層中形成潛像之記錄裝置，對其生 •49- 200809854 (47) 成潛像形成所需之控制訊號的記錄控制訊號生成裝置1 00 ，其中，射束偏向部33是具有：最佳速度生成器47，係 隨應於記錄訊號RD，以使得曝光光束EB對光阻層的照射 • 遮斷時間能被消除或減低的方式，將用來控制曝光光束 . EB之周方向偏向速度Vbeam之作爲基準的潛像形成時的 周方向描繪速度 Vexp，作可變設定；和偏向·基板速度 訊號生成器4 1，隨應於記錄訊號RD，係生成對射束偏向 手段33、旋轉驅動部及運送驅動部37A、3 7B之控制訊號 ，使得射束偏向部3 3所致之曝光光束EB的周方向偏向速 度Vbeam、以及基板速度調整手段37A、37B所致之基板 15的周方向移動速度Vsub，對應於周方向描繪速度Vexp 之變化而變化。 記錄控制訊號生成裝置1 〇〇，係具備偏向·基板速度 訊號生成器41和最佳速度生成器47，偏向·基板速度訊 號生成器4 1，是令射束偏向部3 3 3 3所致之曝光光束EB 的偏向速度Vbeam及旋轉驅動部·運送驅動部37 A、37B 所致之基板15的移動速度Vsub，對應於被最佳速度生成 器47作可變設定之潛像形成時之描繪速度Vexp而改變。 藉此，描繪圖案之周方向分布是相對較疏的部份係使基板 15的周方向之移動速度及曝光光束EB往周方向之偏向速 度Vbeam設成相對較快，描繪圖案之周方向分布是相對較 密的部份係使基板1 5的周方向之移動速度及曝光光束E B 往周方向之偏向速度Vbeam設成相對較慢，藉此，就可使 得曝光光束EB往光阻層的照射遮斷時間得以免除（或減 -50- (48) (48)200809854 低）。 如以上，雖然針對用來作成形成有光碟之描繪圖案的 原盤的電子束記錄裝置1 0、記錄控制訊號生成裝置丨00加 以說明’但上記實施形態，係亦可適用於，被記錄之磁性 體是呈空間性分離之所謂離散軌道（Discrete Track )媒體 或是圖案記錄媒體之製造時。 亦即，以下的說明中，係針對使用上記電子束記錄裝 置1 〇 ’來作成離散軌道媒體的溝形狀、或圖案記錄媒體之 點陣形狀之際的圖案描繪方法，加以說明。 上記電子束記錄裝置10，係具有：對已塗佈光阻之基 板（相當於上記基板1 5 )，令該基板在水平方向上移動之 機構（相當於上gB X平台1 8等）’和令基板旋轉的選轉 平台（相當於上記轉台1 6 )，係爲對光阻照射電子線之曝 光光束以進行描繪之X-θ型之電子束記錄裝置。 使用該電子束記錄裝置1 0，一面令平台旋轉同時往半 徑方向移動，一面以一定間隔進行描繪來形成點陣圖案。 此時，雖然在旋轉中可不使電子束偏向，也能螺紋狀地設 置點陣列，但是如日本特開2002-3 6724 1號公報所揭露， 以每1旋轉就將光阻描繪成同心圓的方式使電子線的偏向 量呈鋸齒狀逐次變化而進行曝光，也就可描繪出同心圓狀 的點陣列。此外，除了資料用點陣圖案以外，亦可爲了位 址抽出或軌道位置控制用而製作設置有伺服圖案的領域。 通常，圖案磁性記錄媒體，係被稱作硬碟或作爲經過 圖案化之硬碟的圖案媒體。如圖1 6所示，該圖案磁性記 -51 - 200809854 (49) 錄媒體8 0，係可分成伺服圖案部8 1和經過圖案化之資料 軌部8 2。此外，圖示例子中，雖然資料軌部8 2的點陣圖 案是僅圖示了外周部和內周部，但這只是省略畫法，實際 • 上是跨越整個碟片有效半徑而存在。又，伺服圖案部81 . 亦存在於圖示以外處。 擺臂讀寫頭8 3，係構成爲可在磁性記錄媒體8 0的徑 方向上搖動，可將磁性記錄媒體80的磁性記錄領域中所 記錄之資料加以讀出或寫入。 資料軌部82，係形成有被排列成同心圓狀的點陣列之 記錄媒體圖案。伺服圖案部8 1上係被形成有，表示位址 資訊或軌道偵測資訊的方形圖案、將抽出時脈時序的軌道 予以橫切之在徑方向上延伸的線狀圖案等。此處，伺服圖 案部8 1，雖然是和現行的硬碟記錄媒體同樣形態，但是亦 可爲，採用了被最佳化成圖案媒體用之新格式化器的伺服 圖案，並採用和現行硬碟媒體不同之圖案形狀、形態。 爲了使這些伺服圖案部8 1及資料軌部82藉由電子束 記錄裝置1 〇來形成圖案，必須要在各領域中，以不同的 λ 描繪圖案密度進行描繪。此處，用先前的遮沒來進行圖案 形成時，在伺服圖案部8 1和資料軌部82中，周方向的每 單位長度（時間）中進行遮沒的長度（時間），係彼此互 異。例如在伺服圖案部8 1中是在周方向上4 0 %、在資料 軌部82中係60%遮沒的情況下，伺服圖案部8 1係周方向 相對較密，資料軌部8 2係周方向相對較疏。因此，就可 以用上述（Β )本實施形態之基本舉動中的（Β - 1 )描繪速 •52- 200809854 (50) 度可變時（參照圖5 ( a ))的要領，或（B-2 )描繪速度 可變時（參照圖5 ( b )的要領，來形成圖案。 甚至也不否定前述變形例的適用。甚至也不否:定，對 - 於控制訊號部內之表示軌道位址的領域、獲得軌道伺服訊 . 號之領域、抽出記錄再生時脈之領域等的細部領域，分別 進行隨應其粗密的記錄控制。 其次說明圖案記錄媒體之作成時所用的壓印（imprint )的轉印模具（鑄模））之製造方法。 1 ·壓印之轉印模具（亦即所謂的鑄模）之製造方法 本製造方法，係使用光阻遮罩，先製造出壓印用轉印 模具（鑄模），再用該壓印用轉印模具進行轉印，以構成 製造圖案記錄媒體的方法的前半部。使用該壓印方式的圖 案記錄媒體之製造方法，係相較於在磁性記錄媒體用之基 底基板上成膜的記錄膜層（記錄材料）直接進行蝕刻的方 法，對每一媒體所減少的不須描繪、曝光的部份，就可用 來使量產效率提高，而可用於量產工程。 <壓印用轉印模具之製造方法> 本應用例中，說明壓印用轉印模具之製造方法的具體 例子。此外，本應用例中，係爲以電子束記錄裝置1 〇製 造壓印用轉印模具，再以壓印用轉印模具以用來製造作爲 磁性記錄媒體之一例的圖案磁性記錄媒體的實施例。 圖1 7〜圖22，係本應用例所致之壓印轉印模具製造 -53- 200809854 (51) 工程之一例的剖面圖。 首先最初，將適切尺寸之玻璃或是矽（S丨）晶圓等備 妥以作爲基板71。其次如圖1 7所示，在該基板7 1上，將 • 圖案化所必須之光阻材料，以旋塗等方法加以成膜。本應 ^ 用例中，因爲是藉由電子束記錄裝置10進行電子束之曝 光，而形成電子束光阻膜72。其次因應需要’電子束光阻 膜72可進行預烤等。 其次，上記實施形態的電子束記錄裝置1 〇，係藉由如 圖18所示之電子束進行曝光而描繪，在該電子束光阻膜 72上形成潛像72a (潛像形成）。其次因應需要，在如此 曝光後，進行烘烤（PEB: Post Exposure Bake)。一旦將 該電子束光阻膜72予以顯影，則在該電子束光阻膜72上 ，會形成如圖19所示的溝部72b。其後，因應需要，該電 子束光阻膜72係可進行後烤。 其次，在該電子束光阻膜72及基板71的表面，藉由 未圖示的濺鍍裝置等’如圖20所示，作爲初期導電膜而 將鎳等進行濺鍍，形成鎳合金薄膜73。 其次，在該錬合金薄膜73的表面，如圖21所示，將 該鎳合金薄膜7 3當成電極使用而施以電鑄（電鍍），形 成鎳層7 4 (轉印模具基材）。然後將鎳層7 4從基板7 1去 除，就可獲得如圖22所示’由鎳等所成之母印模（mastei stamper ) 74A (壓印轉印模具；鑄模）。此時可因應需要 而將母印模74A的表面予以洗淨。 上記實施形態之應用例中的轉印模具7 4 A (母印模） -54- 200809854 (52) 之製造方法，係具有：描繪速度設定步驟，係 15 ( 17 )移動，一面將欲藉由電子束EB之描 板1 5上之光阻層形成潛像的形成時的描繪速 • Uexp，作可變設定；和射束偏向部33，令上 ^ EB之照射位置對上記基板1 5相對性地移動； 調整步驟，調整上記基板15的移動速度Vsub 控制步驟，使上記曝光光束 EB的偏向速β Ubeam、以及上記基板15的移動速度Vsub、 於上記描繪速度 V e X p、U e X p之變化而變化； 步驟，在上記光阻層72，形成潛像72a ;和轉 步驟，將前記潛像予以轉印，形成具有凹凸形 具 74A。 又，上記實施形態之應用例中的轉印模具 模），係藉由具有以下步驟之轉印模具之製造 :描繪速度設定步驟，係一面令基板1 5移動 藉由電子束EB之描繪而在該基板15上之光胆 潛像7 2 a的形成時的描繪速度V e X p、U e X p， :和射束偏向步驟，令上記曝光光束EB的照 ;和基板速度調整步驟，調整上記基板1 5的 和控制步驟，使上記曝光光束EB的偏向速丨 Ubeam、以及上記基板15的移動速度Vsub、 於上記描繪速度 Vexp、Uexp之變化而變化； 步驟’在上記光阻層7 2，形成潛像7 2 a ;和轉 步驟，將上記潛像7 2 a予以轉印，形成具有凹 一面令基板 繪而在該基 ί 度 Vexp、 記曝光光束 和基板速度 、Usub ;和 蒙 V b e a m、 Usub ，對應 和潛像形成 印模具形成 狀之轉印模 74A (母印 方法所製造 ，一面將欲 I層7 2形成 作可變設定 射位置移動 移動速度； 貧 V b e am、 Usub，對應 和潛像形成 印模具形成 凸形狀72b -55- 200809854 (53) 之轉印模具74A。 <壓印用轉印模具之另一製造方法> • 圖23〜圖27，係本應用例之另一形態所致之壓印轉 ^ 印模具製造工程之一例的剖面圖。此外，這些圖23〜圖 2 7，係分別表示取代上述圖2 0〜圖2 2之替代的製造工程 〇 如圖1 9所示，一旦在電子束光阻膜72上形成溝部 72b，則如圖23所示，基板7 1 (基板材料），係如圖19 所示般地以藉由電子束光阻膜72所構成之光阻圖案當成 遮罩，進行蝕刻。然後剩餘的電子束光阻膜72，係藉由氧 電漿灰化等加以去除，如圖24所示般地，露出基板7 1。 其次在該露出之基板7 1的表面，藉由未圖示的濺鍍 裝置等，如圖25所示，作爲初期導電膜而將鎳等進行濺 鍍，形成鎳合金薄膜73。其次，在該鎳合金薄膜73的表 面，如圖26所示，將該鎳合金薄膜73當成電極使用而施 以電鑄（電鍍），形成鎳層74。然後將鎳層74從基板7 1 去除，就可獲得如圖2 7所示，由鎳等所成之母印模（ master stamper ) 74 A (壓印轉印模具；鑄模）。此時可因 | 應需要而將母印模74A的表面予以洗淨。 順便一提，本實施形態中的壓印轉印模具及壓印轉印 物，係例如密度爲500Gbpsi ( Gbit/inch2)以上，尤其是 相當於1〜lOTbpsi程度之面記錄密度非常高的超微細圖 案時’最爲有效。具體而言，藉由使用約25 nm之凹坑間 -56- 200809854 (54) 隔的圖案之轉印模具，就可由其轉印物製作出記錄密度大 約lTbpsi的高密度圖案記錄媒體。 爲了實現此事，上記應用例的轉印模具之製造方法中 - ’形成有凹凸部之遮罩的製造方法中裡頭，使用可形成高 < 精細圖案之電子束記錄裝置1 0等，較爲理想。 <圖案磁性記錄媒體之作成> 其次說明使用壓印裝置來製造圖案磁性記錄媒體之實 施例。 圖2 8〜圖3 1，係分別爲圖案磁性記錄媒體之製造方 法之一例的剖面圖。 圖案磁性記錄媒體的製作工程，大致是由轉印物形成 工程、壓印工程、蝕刻工程、非磁性材料充塡工程、保護 膜（潤滑膜）形成工程所成，這些工程是被依序進行。 首先，在該轉印物形成工程中，備妥由特殊加工化學 強化玻璃、Si晶圓、鋁板、其他材料所成之磁性記錄媒體 用的基底基板（相當於後述的基板1 1 6 )。 其次如圖2 8所示，在基板1 1 6上，以濺鍍等形成記 錄膜層1 〇1。此外’若是欲製造垂直磁性記錄媒體時，該 ^ 記錄膜層1 〇 1係爲軟磁性基底層、中間層及強磁性記錄層 等之層積構造體。 然後在該記錄膜層101上，如圖28所示以濺鍍等形 成Ta或Ti等之金屬遮罩層102，製作轉印基板3。然後 ，在該金屬遮罩層1 〇2上，使用旋塗法等，形成例如聚甲 -57- 200809854 (55) 基丙烯酸甲酯（PMMA )這類熱可塑性樹脂的光阻，當作 轉印材料2 0 2。 其次在壓印工程中，如圖2 9所示，將上記轉印模具 - 74A，以凹凸面是朝向轉印材料2〇2的方式，安裝在未圖 . 示的壓印裝置。亦即’轉印模具74A，係藉由未圖示之鑄 模保持機構加以支持安裝。 於未圖示的壓印裝置中，因應需要而在作業用氣密室 (未圖示）內進行減壓。其後，於該壓印裝置中，因應需 要而加熱轉印材料202至使其具有流動性後，進行擠壓。 此處’例如聚甲基丙烯酸甲酯（ρ Μ Μ A )的玻璃轉移點爲 1 〇〇 °C前後’因此該壓印裝置，係加熱至玻璃轉移溫度以 上之120〜20(TC (例如16(TC左右）使其帶有流動性後， 以1〜lOOOOkPa (例如l〇〇〇kPa左右）的擠壓力，將轉印 模具74A擠壓至轉印基板3上。此時，由於從轉印材料 2 0 2會產生出在塗佈時殘留的溶媒或樹脂中所含的水分等 排放氣體，因此該作業用氣密室內部，是以達成真空度爲 數百P a以下（例如1 〇 p a左右）的真空狀態，較爲理想。 然後，將該作業用氣密室的內部的氛圍予以還原，將 轉印模具74 A剝離，藉此就製造了如圖3 0所示，轉印模 具7 4 A的凹凸圖案是被轉印至轉印材料2 0 2上的轉印物 2 1 7。如以上，壓印工程就結束。 接著在蝕刻工程中，如圖3 1所示將作爲蝕刻遮罩而 不要的轉印材料2 0 2，以使用〇 2氣體等之軟性灰化等加以 摘除。接著如圖3 2所示，金屬遮罩層1 02，是以轉印材料 -58- (56) 200809854 202爲蝕刻遮罩，使用CHF3氣體等而被蝕刻加工。 其次如圖3 3所示，殘存的轉印材料2 0 2是藉由 手呈或ί吏用02氣體之乾式灰化而加以去除。然後，如β 所示’記錄膜層i 〇丨，是以金屬遮罩層丨〇2爲蝕刻遮 使用Ar氣體等而以乾蝕刻進行蝕刻加工。然後，殘 罩層102，是如圖35所示般地藉由溼製程或是 刻而去除。 然後在非磁性材料充塡工程中，如圖3 6所示， 記錄的材料（若爲磁性記錄媒體則是Si02等非磁性 1〇4) ’是藉由濺鍍或塗佈工程等，而被塡充在圖案 部份。 其次如圖3 7所示，非磁性材料1 04的表面是藉 蝕（etch back )或化學硏磨等進行硏磨而平坦化。藉 成爲記錄材料是被非記錄性材料1 04分離的構造。 接著在保護膜（潤滑膜）形成工程中，如圖38 ，例如將記錄膜層1 01之保護膜1 05或潤滑膜1 06藉 佈方式或浸漬方式而形成在表面，就完成了圖案記錄 。然後藉由將該圖案記錄媒體組裝至硬碟機框體中， 成了在該硬碟機框體中內藏該圖案記錄媒體的圖案媒 經過以上工程，就可製作圖案磁性記錄媒體。 上記實施形態之應用例中的磁碟（圖案磁性記錄 )，其特徵爲，係藉由具有以下步驟之磁碟製造方法 造：描繪速度設定步驟，係一面令基板1 5移動，一 欲藉由電子束EB之描繪而在該基板1 5上之光阻層形 溼製 | 34 罩， 存的 乾蝕 不被 材料 的溝 由回 此就 所示 由塗 媒體 就構 體。 媒體 所製 面將 成潛 -59- (57) 200809854 像的形成時的描繪速度Vexp、Uexp，作可變設定；和 束偏向步驟，令上記曝光光束EB的照射位置移動；和 板速度調整步驟，調整上記基板i 5的移動速度V sub U sub ;和控制步驟，使上記曝光光束EB的偏向速 Vbeam、Ubeam、以及上記基板丨5的移動速度 Vsub U sub ’對應於上記描繪速度vexp、Uexp之變化而變化 和潛像形成步驟，在上記光阻層7 2，形成潛像7 2 a ;和 印模具形成步驟，將上記潛像7 2 a予以轉印，形成具有 凸形狀72b之轉印模具74A ;和轉印步驟，係將前記轉 模具74A壓抵至前記轉印材料202，以將前記凹凸形狀 印至磁性記錄媒體用之基底基板1 1 6上；和轉印物形成 驟，將前記轉印模具74A予以剝離，以形成具有前記凹 形狀的轉印物。 2.直接描繪所成之圖案磁性媒體之製造方法 此圖案磁性記錄媒體，係藉由前述之圖案製作方法 進行描繪、曝光而作成潛像，經過顯影而形成的光阻遮 ，使用其而直接將記錄材料予以蝕刻，即可作成。 圖3 9〜圖4 1，係分別爲圖案磁性記錄媒體之製造 法之一例的剖面圖。此外，這些圖3 9〜圖4 1，係構成 述轉印物形成工程之一部份（相當於上述圖2 8〜圖3 0 )° 首先，在轉印物形成工程中，和上述之轉印物形成 程同樣地，如圖3 9所示，在由特殊加工化學強化玻璃 射 基 % 度 轉 凹 印 轉 步 凸 而 罩 方 上 等 -60-
X 200809854 (58) S i晶圓、鋁板、其他材料所成之磁性記錄媒體用的作爲基 底之基板1 1 6上，以濺鍍等形成記錄膜層1 0 1。 然後在該記錄膜層101上，以濺鍍等形成Ta或Ti等 • 之金屬遮罩層1〇2，形成轉印基板3。然後，在該金屬遮 . 罩層1〇2上，係有電子束光阻膜72，是藉由旋塗法等，被 成膜來作爲圖案化所必須之光阻材料。該電子束光阻膜72 係可因應需要而進行預烤。 其次，電子束記錄裝置1 〇，係對該電子束光阻膜72 進行描繪。此處，該電子束記錄裝置1 0對該電子束光阻 膜7 2所進行描繪者，係圖1 6所示之資料軌部8 2中，欲 形成磁性體之圖案所對應之所定圖案。形成有圖4 0所示 之所定圖案的電子束光阻膜72，係因應需要而在曝光後進 行烘烤(Post Exposure Bake ： ΡΕΒ) 〇 其次如圖41所示般地，電子束光阻膜72是藉由顯影 而進行圖案形成。此外，此種已形成好圖案的電子束光阻 膜7 2，係可因應需要而進行後烤。其以降之工程，係將圖 3 1及圖3 2所示的轉印材料2 0 2，置換成電子束光阻膜7 2 • ’然後和圖3 1〜圖3 8所示的鈾刻工程、非磁性材料塡充 工程及保護膜（潤滑膜）形成工程相同。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]本發明之一實施形態的記錄裝置的構成的模式 性圖示之區塊圖。 [圖2 ]控制器當中，進行射束之偏向控制及基板之位 -61 - 200809854 (59) 置控制的部份的詳細構成之一例的機能區塊圖。 [圖3 ] Θ平台及X平台的追從頻帶，和低通濾波器的 通過頻帶，和進行記錄動作之頻帶的模式性說明圖。 - [圖4]本發明之一實施形態的作爲背景之基本原理， . 在該條件下進行電子束描繪時的電子束之偏向量的模式性 圖示的說明圖。 [圖5]本發明之一實施形態的記錄控制之基本舉動的 模式性說明圖。 [圖6]連續之記錄區間中的電子束偏向量及基板的軌 道之模式性圖示的說明圖。 [圖7]控制器的偏向·基板速度訊號生成器及最佳速 度生成器所執行之控制手順的流程圖。 [圖8]生成電極束記錄裝置中用來形成潛像所需之控 制訊號然後進行輸入的記錄控制訊號生成裝置的全體構成 的機能區塊圖。 [圖9]進行潛像之多重形成的變形例之作爲背景的遮 沒舉動之模式性說明圖。 [圖1 〇]進行潛像之多重形成之變形例的電子束偏向量 及基板的軌道之模式性圖示的說明圖。 [圖η]偏向·基板速度訊號生成器及最佳速度生成器 所執行之控制手順的流程圖。 [圖12]存在4次及2次潛像多重形成領域之變形例的 電子束偏向量及基板的軌道之模式性圖示的說明圖。 [圖〗3]擴充成對徑方向描繪速度控制之變形例的電子 -62- 200809854 (60) 束偏向量及基板的軌道之模式性圖示的說明圖。 [圖14]偏向·基板速度訊號生成器及上記最佳速度生 成器所執行之控制手順的流程圖。 , [圖1 5]基板移動控制時的時間常數較大之變形例中的 > 電子束偏向量及基板的軌道之模式性圖示的說明圖。 [圖1 6]使用轉印模具所製作之圖案磁性記錄媒體之一 例的平面圖。 [圖17]壓印用轉印模具之製造方法之一例的剖面圖。 [圖18]壓印用轉印模具之製造方法之一例的剖面圖。 [圖1 9]壓印用轉印模具之製造方法之一例的剖面圖。 [圖2 0 ]壓印用轉印模具之製造方法之一例的剖面圖。 [圖2 1 ]壓印用轉印模具之製造方法之一例的剖面圖。 [圖22]壓印用轉印模具之製造方法之一例的剖面圖。 [圖2 3 ]壓印用轉印模具之製造方法之一例的剖面圖。 [圖24]壓印用轉印模具之製造方法之一例的剖面圖。 [圖2 5 ]壓印用轉印模具之製造方法之一例的剖面圖。 [圖26]壓印用轉印模具之製造方法之一例的剖面圖。 [圖27]壓印用轉印模具之製造方法之一例的剖面圖。 [圖2 8 ]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 〇 [圖2 9 ]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 〇 [圖30]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 -63- (61) (61)200809854 [圖3 1 ]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 [圖3 2 ]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 [圖3 3 ]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 [圖3 4 ]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 [圖3 5 ]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 [圖3 6]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 [圖3 7]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 [圖3 8 ]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 [圖3 9]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 [圖40]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 [圖4 1 ]圖案磁性記錄媒體之製造方法之一例的剖面圖 t i要元件符號說明】 -64- 200809854 (62) 10:電子束記錄裝置（記錄裝置） 1 5 :基板 3 3 :射束偏向部（射束偏向手段） . 3 7 :平台驅動部 _ 3 7 A :旋轉驅動部（基板速度調整手段） 3 7B :運送驅動部（基板速度調整手段） 4 1 :偏向·基板速度訊號生成器（控制手段；偏向· 基板速度設定手段） 47 :最佳速度生成器（描繪速度設定手段） 1〇〇 :記錄控制訊號生成裝置 EB:電子束（曝光光束） -65-