JP2004288284A - 光ディスク用スタンパーの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光ディスクの量産化の成形において、微細パターンのスタンパーの凸部の欠落の防止を図る。
【解決手段】半導体基板１上に、ネガ型電子線感光レジスト層を塗布形成し、最終的に得る光ディスクに形成する凹凸パターンに対応するパターンの電子ビ−ム照射描画および現像によって最終的に得る光ディスクの凹凸パターンの凹部例えば情報ピットの形成部を凸とするレジスト層をパターン化する。このレジストパターンをマスクとしてプラズマエッチングによって半導体基板面をエッチングし、レジストパターンを除去する。凹凸パターンが形成された半導体基板面に、Ｎｉメッキ層を形成する第１のメッキを行い、このメッキ層を半導体基板面から剥離して、第１のスタンパー４１、すなわちマザースタンパーを作製する。このとき、半導体基板１は、ピット形成部が凸であることから、マザースタンパーの、光ディスクの成形スタンパーにおけるピット形成部の凸部を形成する凹部は、半導体基板１に食い込んだ状態になく、容易かつ良好に剥離され欠落が防止される。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高密度光ディスクの、グルーブや情報ピット等の凹凸パターンが、ディスク基板表面に成形されて成る光ディスクの製造に用いられるスタンパーあるいはこのスタンパーを作製するためのスタンパーを、安定、かつ確実に高い精度をもって製造することができる光ディスク用スタンパーの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ）や、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）等の光ディスクにおいては、その基板面もしくは基板面上に、例えばトラッキング用のグルーブや、情報ピット等の凹凸が形成される。この凹凸の形成においては、スタンパーが用いられる。
このスタンパーは、まず原盤が作製され、この原盤に形成した凹凸パターンの転写、または転写の繰り返しによって作製される。
【０００３】
この原盤は、先ず、原盤を作製する例えば厚さ数ｍｍのガラス円盤状基板上に、例えば０．１μｍ程度の膜厚の紫外線感光性ポジ型フォトレジスト層を均一にスピンコートし、この基板を回転させながら、基板上のフォトレジスト層に、例えば３５０ｎｍ〜４６０ｎｍの青色または紫外域で発振する例えばＡｒ、Ｋｒレーザーからのレーザー光を、対物レンズで集光させ、このレーザー光を、オン・オフさせてレジストを走査するレーザー描画による露光を行い、その後、レジストを現像することにより、このレジストによる凹凸パターンを形成して作製される。
【０００４】
この原盤作製で一般的に使用されているポジティブ型レジストでは、レーザーが照射された部分を感光し、この感光部における現像液による溶解によって凹部の形成がなされる。そして、この凹凸パターンが形成された原盤上に、例えば厚さ数１００μｍにＮｉメッキを行い、このＮｉメッキ層を、原盤から剥離することによって、目的とするスタンパーを作製するいわゆるマスタースタンパーを作製する。
【０００５】
ところで、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）型のＤＶＤの情報信号ピットは、スタンパー上に最短ピット長０．４μｍ、トラックピッチ０．７４μｍのピット列がスパイラル状に描画されて形成される。そして、このスタンパーを金型として樹脂の射出成形で作製された直径１２ｃｍの、ディスクは、片面で４．７ＧＢの情報容量を持つ。
このＤＶＤの記録密度のレーザー描画は、上述した例えばＫｒレーザー（波長４１３ｎｍ）が用いられる。この場合、カッティング可能な最短ピット長Ｐ、すなわち解像力は、一般にレーザー波長λ、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．およびプロセスファクタＫ（レジスト特性等に依存し、０．８〜０．９の値をとる）から、Ｐ＝Ｋ（Ｎ．Ａ．／λ）の式で近似される。
ここで、λ＝４１３ｎｍ、Ｎ．Ａ．＝０．９、Ｋ＝０．８とすると、Ｐ＝０．３７μｍとなり、ＤＶＤの最短ピット長０．４μｍが解像されることになる。
【０００６】
ところで、近年の情報通信および画像処理技術の急速な発展に伴い、光ディスク容量は、近い将来、現在の数倍のものが要求されてくると考えられる。例えばＤＶＤの延長線上において、直径１２ｃｍ対応のディスクで、片面２５ＧＢ容量を、現在と同様の信号処理方式により達成するには、最短ピット長を０．１５μｍ、トラックピッチを０．３２μｍ程度まで微細化する必要がある。また、ピット幅は、このトラックピッチの１／３程度の例えば０．１μｍ程度にする必要がある。
このような微細ピットを形成するためには、上記式からわかるように、レーザー波長の短波長化と、対物レンズのＮ．Ａ．の増大が求められるが、対物レンズのＮ．Ａ．値は、レンズの設計製作精度の面から、現状では、０．９という値がほぼ限界と考えられる。
【０００７】
そこで、今後は、レーザーの短波長化が必要不可欠であり、例えばλ＝２５０ｎｍの遠紫外線レーザーを用いれば、上述の式にＫ＝０．８を代入すると、Ｐ＝０．２２μｍになる。
しかしながら、これでは上述した２５ＧＢ容量に対応する最短ピット長、ピット幅を実現することは、きわめて困難である。
このように、２５ＧＢ容量の高密度光ディスクのレジスト原盤を、従来の紫外線レーザーを光源とするレーザー描画装置で、レジスト露光を行ってスタンパー原盤を製造することは、きわめて困難であることから、今後は、より微細なレジストに対する露光が要求されるものであり、この微細パターンの描画は、微細なレジスト感光用のビ−ムを発生する電子ビ−ム描画装置の適用が必要となると考えられる。
【０００８】
この電子ビ−ム描画装置は、従来、半導体分野でフォトマスクのパターン描画や、半導体ウェハーへの直接描画に用いられてきたが、近年光ディスクの急速な高密度化に伴い、ディスク用原盤における微細な凹凸パターンの形成、いわゆるカッティングにおけるパターン露光においても、電子ビ−ム描画を適用する試みがなされている（例えば非特許文献１参照）。
上記文献１に記載の方法においては、シリコン半導体基板によるスタンパー原盤の基板上に形成したポジ型のレジスト層に対し、電子ビ−ム描画による露光を行い、現像処理を行って２５ＧＢ〜３０ＧＢ容量のＲＯＭ型光ディスク対応の凹凸パターンを形成してレジスト原盤を作製する。そして、この原盤上に、Ｎｉメッキを施して、このメッキ層を剥離し、Ｎｉメッキ層によるスタンパーを作製する。そして、このスタンパーを、例えばガラス基板によるディスク基板上に形成したフォトポリマー層に押圧し、硬化することによって、ガラス基板上に、凹凸パターンが形成された光ディスクを作製するものである。
【０００９】
この方法による場合、電子ビ−ム描画されたレジスト層は、ポジ型レジストであり、現像によって、最終的に形成する光ディスクにおけるピットやグルーブ部が、凹部として形成される。
ところが、一般に、電子ビ−ム描画によるカッティングは、従来の紫外レーザーによるカッティングに比し、ポジ型レジスト層に形成される凹部は、その側面が、切り立った垂直面に近いエッジ形状となる。したがって、これによって得たスタンパーの凸部は、切り立った形状となる。このようなスタンパーは、実験室的な光ディスクの形成においては、問題が生じないものであるが、実際の光ディスクの量産化において、このようなスタンパーによって、例えば光ディスク基板を射出成形する際の、成形金型内に配置するスタンパーとして用いる場合、このような鋭いピットもしくはグルーブ等の凹部を転写形成すること、特に、高密度記録における凹凸パターンの射出成形を困難にする。
【００１０】
このような、不都合を回避する方法として、レジスト原盤における、そのパターン化したレジスト層をマスクとしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）、すなわちプラズマエッチングによって原盤を構成する基板面をエッチングして、この基板面に凹凸パターンを形成するようにして、このエッチングされた基板上にＮｉメッキを施してスタンパーないしはスタンパーを形成するマスタスタンパーを作製する方法の試みがなされている。
この方法による場合、そのＲＩＥで用いられるエッチングガスの選定、エッチング条件例えば高周波数パワー、圧力等の調整によって、エッチング凹部の形状、すなわち側面のエッジ角度を容易に制御することができる。したがって、これによって、射出成形の転写性を考慮して、適正な凹凸側面形状を有するスタンパーを作製することができる。
【００１１】
【非特許文献１】Ｊｐｎ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．４０（２００１）ｐｐ．１６５３−１６６０，Ｐａｒｔ １，Ｎｏ．３Ｂ，Ｍａｒｃｈ２００１，Ｆｉｇ．１０参照）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、光ディスク作製のスタンパーを得るための原盤作製において、原盤を構成する基板上のレジスト層に対する電子ビ−ム描画と、基板面に対するエッチングプロセス、すなわちＲＩＥとの組み合せによる方法を採ることによって高密度のプラスチック製光ディスクの量産化を実現できると考えられていた。
ところが、このような方法において、ＲＩＥ方式の検討を進めていくなかで、エッチング済の原盤の基板、すなわちシリコン基板上に、厚さ０．３ｍｍ程度にＮｉメッキを施して、Ｎｉ薄板を形成し、これを凹凸パターンを有するシリコン基板面から剥離してスタンパーを得るとき、その剥離に際して、微細なピット部すなわち凹部の形成部となる凸部が崩れ、これが、スタンパー表面から脱落するなどの欠陥なしは欠落が発生することが判明した。
【００１３】
これは、硬度の高いシリコン基板による凹部のピット部分から比較的硬度の低いＮｉのピット形成部の凸部を剥がすとき、局所的に大きな応力が加わったため、ピット形成部の凸部が崩れるすなわち破損するものと考えられる。
因みに、従来の紫外レーザーカッティングによりフォトレジストから成るピットが形成された原盤からＮｉスタンパーを剥離する方法による場合においては、Ｎｉスタンパー側にレジストが付着するため、このような現象は皆無であった。これは、フォトレジストがＮｉに比較すると格段に柔らかいため局所的に大きな応力が加わることがなく、このため剥離時にはレジストの方がスタンパー側に持っていかれるため、上述したシリコン基板に対するより剥離に大きな力を要しないことによると思われる。
【００１４】
本発明においては、上述したように、原盤基板上のフォトレジスト層に対する電子ビ−ム照射によるカッティングと、その基板に対するＲＩＥすなわちプラズマエッチングによってＮｉスタンパーを作製する手法において、アスペクト比が高い高密度記録のパターンを形成するＮｉメッキ層側に残る凸部ピットの崩れや分離による欠陥の発生を回避することができる光ディスク用スタンパー、すなわち光ディスクの成形に用いられるスタンパー、あるいはこのスタンパーを転写形成するいわゆるマザースタンパーを形成するためのいわゆるファザーないしはマスタースタンパーを形成することができる光ディスク用スタンパーの製造方法を提供するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明によるスタンパーの製造方法は、半導体基板上に、ネガ型電子線感光レジストを塗布する工程と、この電子線感光レジスト層に、最終的に得る光ディスクに形成する凹凸パターンに対応するパターンの描画を行う電子ビ−ム照射工程と、この電子線感光レジスト層を現像処理して最終的に得る上記光ディスクの凹凸パターンの凹部をピットとするレジスト層のパターン化工程と、このレジストパターンをマスクとしてプラズマエッチングによって半導体基板面に、レジストパターンを踏襲するパターンによる凹凸パターンを形成する工程と、レジストパターンを除去する工程と、凹凸パターンが形成された半導体基板面に、Ｎｉメッキ層を形成する第１のメッキ工程と、このメッキ層をレジストパターンを有する半導体基板面から剥離して、半導体基板面の凹凸パターンの反転凹凸パターンを有し、上記光ディスクの凹凸パターンの凹部をピットとする第１のスタンパーいわゆるマザースタンパーを作製する。
【００１６】
また、本発明方法においては、上述の第１のスタンパー上に、第２のＮｉメッキ層を形成する第２のメッキ工程を有し、第１のスタンパーの凹凸パターンの反転パターンを有する第２のスタンパー、すなわち最終的に形成する光ディスクの凹凸パターンの凹部をピットとする、光ディスクの凹凸パターンを形成する成形スタンパー、あるいはこの成形スタンパーを繰り返し転写によって作製するマスタースタンパーを作製するものである。
【００１７】
上述したように、本発明方法においては、スタンパーの原盤作製を、微細なパターンを形成することができる電子ビ−ム照射を適用した露光と現像、すなわちカッティング方法と、その基板に対するパターンエッチングをプラズマエッチングによって行うという方法を採るものであるが、本発明においては、その電子ビ−ム照射を行う原盤作製の基板、すなわち半導体基板上のレジストを、特にネガ型レジストとする。このようにすることによって、原盤となる半導体基板における目的とする光ディスクの凹凸パターンにおけるピット部を凸として形成する。
【００１８】
したがって、上述した第１のＮｉメッキおよびその剥離によって形成する第１のスタンパーは、最終的に形成する光ディスクの凹部、すなわち例えば情報ピットを形成する部分が、凹部として形成されることから、従来方法におけるように、凸部として形成される場合における崩れ等の破損、すなわち欠陥の発生が回避されるものである。
そして、第２のＮｉメッキの剥離においては、第１のＮｉメッキによる比較的柔らかい第１のスタンパーからの剥離であることから、凸部における上述した欠陥の発生が回避される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明による光ディスク用スタンパーの製造方法の実施の形態を例示するが、本発明は、この例に限定されるものではない。
図１および図２は、本発明製造方法の一例の各固定の概略断面図を示す。
先ず図１Ａに示すように、後述する電子ビ−ム照射によって帯電しにくい例えばシリコン半導体基板より成る原盤の基板１を用意する。
そして、この基板１上に、電子線に感光するネガ型のレジスト層２を、例えばスピンコートによって、例えば膜厚８０ｎｍに均一に塗布する。
このレジスト層２としては、化学増幅型のネガレジストが高解像力を有することから好適である。
【００２０】
次に、電子ビーム描画装置を用いて集束電子ビ−ムを、スパイラル状あるいは同心円状に、記録信号に応じて変調して照射することによってレジスト層２に対する最終的に形成する光ディスクにおける凹凸パターンに対応する描画を行う。
その後、このレジスト層２に対して必要に応じたＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｉｎｇ）を施し、専用現像液で処理して、図１Ｂに示すように、最終的に形成する光ディスクの凹凸パターンの凸部すなわち例えば情報ピット、グルーブに相当する部分が残されたパターン化を行う。
【００２１】
図１Ｃに示すように、基板１上のレジスト層２を、エッチングマスクとして、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３などのフロン系ガス、またはＣｌ_２などのＣｌ系ガスでＳｉを８０ｎｍ程度の深さにＲＩＥによってエッチングして基板１の表面に凹凸パターン３を形成する。このようにして形成された凹凸パターン３は、最終的に形成する光ディスクにおける凹凸パターンの凸部をピットとするパターンとなる。この場合、エッチング条件、例えば反応ガスの選定、ガス圧、高周波印加パワーの選定等によって凸型の傾斜角度の制御を行うことができる。すなわち、例えばレジスト層２におけるパターンが例えば９０度近く切り立っていても、ＲＩＥ後のシリコン半導体基板１の傾斜角度を７０度程度に緩やかにすることができる。したがって、その後のメッキ層の剥離を良好に行うことができる形状とすることができる。
その後、図１Ｄに示すように、レジスト層２を除去する。
【００２２】
次に、図２Ａに示すように、基板１の凹凸パターン３を有する面上に、通常の方法によって、すなわち例えば表面の導電性の付与のための例えば無電界メッキあるいはスパッタリングを行い、その後Ｎｉの電気メッキを行って第１のメッキ層４を形成する。
次に、図２Ｂに示すように、このメッキ層４を、シリコン半導体基板１から剥離して第１のスタンパー４１を得る。この場合、第１のＮｉメッキ層４による第１のスタンパー４１は、シリコン半導体基板１に比し柔らかいが、この場合、ピット形成部が凹となっていることから、この凹でのメッキ層４の食いつきは発生せず、スタンパー４１の剥離が良好になわれる。また、上述した傾斜角の選定によってメッキ層４の剥離において、前述した欠陥や欠落を回避することができる。
【００２３】
次に、図２Ｃに示すように、この第１のスタンパー４１の凹凸パターンを有する面に、第２のＮｉメッキ層５を形成し、図２Ｄに示すように、これを剥離して第２のスタンパー４２を得る。このスタンパー４２は、目的とする光ディスクの凹凸パターンの凹部、すなわち例えば情報ピットや、グルーブを、凸とする凹凸パターンを有する。すなわち、この第２のスタンパー４２は、これ自体を、光ディスクの例えば射出成形、あるいは２Ｐ法のスタンパーとして用いることができる。あるいは、この第２のスタンパー４２から、射出成形、あるいは２Ｐ法のスタンパーを、例えばＮｉメッキによる繰り返し反転を行うことによってマスタースタンパーとして用いることができる。
【００２４】
このようにして、第１のスタンパー４１と、これからの剥離によって形成した第２のスタンパー４２は、共にＮｉによって構成されることから、シリコン基板に比しては柔らかいことから、前述した局部的応力の発生を回避することができることによって欠陥や欠落の発生を回避することができる。
【００２５】
上述した本発明方法における、基板１上に形成したレジストに対する電子ビ−ム照射を行う電子ビ−ム描画装置ＥＢＲは、例えば図３にその概略構成を示すように、除振テーブル５０上に配置される。
この電子ビ−ム描画装置ＥＢＲは、上部の電子ビ−ムカラム５２、下部のスピンドル５３、スライド例えばエアスライド５１等から成る機構部を有する。
そして、これらが除振テーブル５０に載置されて設置場所での外部振動が除去されるようになされている。
【００２６】
電子ビ−ム描画がなされるレジスト層２が形成されたシリコン半導体基板１は、スピンドル５３によって回転される載置台上に載置される。
電子ビ−ムカラム５２においては、例えばＺｒＯ／Ｗから成る熱電界放出方式による電子線源、陽極等を有する電子銃５４を有する。電子線源から放出された電子は、陽極により数十ｋＶで加速され、静電レンズによるコンデンサ−レンズによって集束されてアパーチャ−５６に達し、このアパーチャ−５６によって絞られた電子ビ−ムは、ビ−ム偏向電極５７によって、回転する基板１上に回転の半径方向に走査するように偏向され、それぞれ静電レンズあるいは電磁レンズによるフォーカス調整レンズ５８および対物レンズ５９によって、基板１上のレジスト層２に、例えば数１０ｎｍの径をもってスポット照射するようになされる。
【００２７】
そして、アパーチャ５６上のブランキング電極、すなわちビーム変調部６０によって、照射電子ビ−ムをアパーチャ５６に向けて、アパーチャ５６を通過させたり、側方に向かわしてアパーチャ５６を通過することがないように制御することによって例えば記録情報に応じてオン・オフ制御するビーム変調を行う。
【００２８】
基板１は、スライド５１上に配置されたエアスピンドル５３上に、チャッキングされる。
スピンドル５３は、高精度の回転スピ−ドで高速回転できるものであり、その回転スピードは、光学式ロ−タリ−エンコ−ダ−を用いたサ−ボ機構により制御される。また、スライド５１は、数ｎｍの送り精度で基板１の波形方向に駆動される。
【００２９】
本発明製造方法におけるレジスト層２に対する電子ビ−ム照射は、このようなＥＢＲ装置を用いて行うことができる。しかしながら、その電子ビ−ム照射は、この構成によるものに限らないことはいうまでもない。
【００３０】
上述したように本発明方法によれば、微細パターンによる凹凸パターンが良好に形成されたマザ−スタンパーによる第１のスタンパー４１が得られるものであり、また、さらにこの高精度を有するマザースタンパーから、光ディスクの成形用スタンパー、あるいはこの成形用スタンパーを得るマスタースタンパーとしての第２のスタンパー４２を得ること、しかもその剥離は、Ｎｉ材同士の剥離によってなされることから、欠損等を生じることなく、したがって、高精度に歩留りよく量産的に得ることができる。
そして、このＮｉメッキによって得た第２のスタンパー４２によって、この上に、同様のＮｉメッキを施すことによって、多数のレプリカによる成形用のスタンパーを、同様の理由から、欠損等を生じることなく、したがって、高精度に歩留りよく量産的に得ることができる。
【００３１】
【発明の効果】
上述したように、本発明方法においては、スタンパーの原盤作製を、微細なパターンを形成することができる電子ビ−ム照射を適用した露光と現像、すなわちカッティング方法と、その基板に対するパターンエッチングをプラズマエッチングによって行うという方法を採るものであるが、本発明においては、その電子ビ−ム照射を行う原盤作製の基板、すなわち半導体基板上のレジストを、特にネガ型レジストとする。このようにすることによって、原盤となる半導体基板における目的とする光ディスクの凹凸パターンにおけるピット部を凸として形成する。
【００３２】
したがって、上述した第１のＮｉメッキおよびその剥離によって形成する第１のスタンパーは、最終的に形成する光ディスクの凹部すなわち例えば情報ピットを形成する部分が凹部として形成されることから、従来方法におけるように、凸部として形成される場合における崩れ等の破損すなわち欠陥の発生が回避されるものである。
そして、第２のＮｉメッキの剥離においては、相互に同一材料の第１のＮｉメッキによる比較的柔らかい第１のスタンパーからの剥離であることから、凸部における上述した欠陥の発生が回避される。
【００３３】
したがって、本発明によるスタンパーを用いて光ディスクの成形、例えば射出成形、あるいは２Ｐ法による押圧成形を行うことによって、微細パターンによるすなわち高密度記録による光ディスクにおいても、その凹凸パターンを正確に歩留りよく、量産的に製造することができることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａ〜Ｄは、本発明による光ディスク用スタンパーの製造方法の一例の一部の工程図である。
【図２】Ａ〜Ｄは、図１の製造方法の一例の工程に続く工程図である。
【図３】本発明製造方法に適用することのできる電子ビ−ム照射装置の一例の概略断面図である。
【符号の説明】
１・・・半導体基板、２・・・レジスト層、３・・・凹凸パターン、４・・・第１のメッキ層、５・・・第２のメッキ層、４１・・・第１のスタンパー、４２・・・第２のスタンパー、５０・・・除振テーブル、５１・・・スライド、５２・・・電子ビ−ムカラム、５３・・・スピンドル、５４・・・電子銃、５５・・・コンデンサ−レンズ、５６・・・アパーチャ、５７・・・ビ−ム偏向電極、５８・・・フォーカス調整レンズ、５９・・・対物レンズ

Claims (4)

1. 半導体基板上に、ネガ型電子線感光レジストを塗布する工程と、
   該電子線感光レジスト層に、最終的に得る光ディスクに形成する凹凸パターンに対応するパターンの描画を行う電子ビ−ム照射工程と、
   該電子線感光レジスト層を現像処理する上記レジストのパターン化工程と、
   該レジストパターンをマスクとしてプラズマエッチングによって上記半導体基板面に上記レジストパターンを踏襲するパターンによる凹凸パターンを形成する工程と、
   上記レジストパターンを除去する工程と、
   上記凹凸パターンが形成された上記半導体基板面に、Ｎｉメッキ層を形成する第１のメッキ工程と、
   該メッキ層を上記レジストパターンを有する半導体基板面から剥離して、上記半導体基板面の凹凸パターンの反転凹凸パターンを有し、上記最終的に得る光ディスクの上記凹凸パターンの凹部をピットとする第１のスタンパーを製造することを特徴とする光ディスク用スタンパーの製造方法。
2. 請求項１に記載の上記第１のスタンパー上に、第２のＮｉメッキ層を形成する第２のメッキ工程を有し、
   上記第１のスタンパーの凹凸パターンの反転パターンを有し、上記光ディスクの上記凹凸パターンを成形するスタンパー、もしくは該スタンパーを繰り返し反転によって作製する第２のスタンパーを製造することを特徴とする光ディスク用スタンパーの製造方法。
3. 上記半導体基板が、シリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク用スタンパーの製造方法。
4. 上記プラズマエッチングが、ＣＦ系もしくはＣｌ系ガスによることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク用スタンパーの製造方法。

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