TW200805550A - Substrate transfer apparatus and substrate processing system using the same - Google Patents

Substrate transfer apparatus and substrate processing system using the same Download PDF

Info

Publication number
TW200805550A
TW200805550A TW096107463A TW96107463A TW200805550A TW 200805550 A TW200805550 A TW 200805550A TW 096107463 A TW096107463 A TW 096107463A TW 96107463 A TW96107463 A TW 96107463A TW 200805550 A TW200805550 A TW 200805550A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
chamber
blades
blade
arm
Prior art date
Application number
TW096107463A
Other languages
English (en)
Inventor
Sang-Ho Seol
Original Assignee
Psk Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Psk Inc filed Critical Psk Inc
Publication of TW200805550A publication Critical patent/TW200805550A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

200805550 23727pi£doc 九、發明說明： I發明所屬之毯術領域3 本發明是關於基底處理系統，且更特定言之，本 是關於能夠減小佔據面積同時增加基底處理輪送量之^月 處理系統。 土底 I先前技術】 叢集系統（cluster system) —般被稱作多腔室基底卢
統（multi-chamber substrate processing system )):她 包括傳送機态人（或機械手（匕妨出沉））以及配置於^ 機态人周圍之多個處理模組。近年來，對於液晶顯示= (liquid crystal display，LCD )、電漿顯示面板（plas= disPlaypanel，pDP)、半導體製造裝置等而言，對具有 處ϊ里功能之叢集⑽的f求增加。叢㈣、統包括（例二比 傳送腔室以及在傳送腔室㈣旋轉之傳送機器人。諸 理腔室之處理模組可安裝於傳送腔室之每一侧上。 、 然而，習知叢集系統包括經組態以每次僅傳送一物件 (例如，基底）之傳送機器人以及處理腔室（其中僅處理 物:）此^致處理裝置内之基底所需之總處理時間的增 加。結果，生產速度降低且最終產品之成本增加。 曰 【發明内容】 允—本孓月之例示性貫施例是針對用於將基底傳送至處理 ，至之基，傳送裝i。在例示性實施例中，基底傳送裝置 :匕括丄第以及第二葉片，其經組態以分別將基底支撐 ;不同南度；臂部分，其連接至第一以及第二葉片以移動 200805550 23727pit.doc 第以及第一葉片，以及驅動單元，其經組態以驅動第一 與寧二葉片以Μ部分，其中第-.以及第二葉片在關於臂 部分之同一軸轉動時經折疊或展開。 本發明之例示性實施例是針對基底處理系統。在例示 性實施例中，基底處理系統可包括：具有晶座之至少一處 理腔室，基底經裝載於晶座上；傳送腔室，其連接至處理 腔室；以及基底傳送裝置，其安襄於傳送腔室内以同時將 φ 基底傳送至處理腔室之晶座。 在另-例示性實施例中，基底處理系統可包括：傳送 腔室-對處理腔室，其各具有晶座，此對處理腔室並置 於傳送腔室之-側；以及基底傳送裝置，其安裝於傳送腔 室内以同時將基底傳送至此對處理腔室之晶座。 【實施方式】 現將於了文中參看_圖式更加充分地描述本發明， 其中本發明之較佳實施例得以展示。然而，本發明可以許 # 式轉以具體化且不應轉為限於本文所提出之 二，例。而疋’提供此等實施例使得本揭露案將為詳盡且 完相，且將向熟習此項技術者充分傳達本發明之範脅。 在圖式中，為了清楚而誇示層與區域之厚度。在全 似數字指代相似元件。 “圖1為說明根據本發明之基底處理系統之組態的俯視 平面圖，且圖2為圖i所說明之基底處理系統之處理單元 ® 3為圖2所說明之處理單元之侧視剖視圖以 描述安裝於傳送腔室處之基底傳送裝置。 200805550 23727pif.doc
參看圖1至圖3，稱作裝備前端模組（equipment front end module，EFEM)之端部no安裝於基底傳送系統處。 端部110包括框架112與經組態以開啟及閉合前端開口統 一容器（FOUP)(所謂“載體，，）之蓋的負载，台（或F〇UP 開啟器）114。各含有基底w之兩個FOUP 104藉由後勤 自動化裝置（logistic automation system)(例如，懸掛式吊 裝傳輸工具（OHT)、自動導引車（AGV)、執道導引車 (RGV)等等）而裝載於負載.台114上。]ρ0υρ 104為典 型批量載體（lot carrier)以用於製造。 在框架112内，安裝傳送機器人ns以在裝載於負載 台114上之FOUP 104與處理單元120之間傳送基底w。 即，當操作一次時，傳送機器人118自裝載於負載台H4 上之FOUP 104取出至少一基底w且將取出之基底w載 運至負載鎖定腔室（loadlock chamber ) 122之緩衝級124。 安裝於端部110處之傳送機器人118可為用於半導體製造 過程中之各種機器人中之一者。 " 如圖1所說明，將處理單元120安置於端部11〇之後 部。處理單元120包括兩個負载鎖定腔室、傳送腔室 130、處理腔室140以及基底傳送裝置15〇。 二 傳送腔室130為安置於處理單元12()之中央的多角形 腔室。負載鎖定腔t 122中之每—者亦經安置於端部ιι〇 與傳送腔室130之間且包括緩衝級124，將 或經處理之絲置放於缓驗124上。按辦例，^鎖 定腔室122充當兩個不同環境（諸如，大氣環境盥直空環 200805550 23727pif.doc 境)之間的缓衝空間。待處理之基底（或在處理腔室中經 屢！$綦底）在負載鎖定腔室中停留片刻。 將處理腔室140安置於傳送腔室13〇之每—側以分別 執行對兩個基底之預定處理。將第一晶座142a以及第二晶 座142b並置於處理腔室14G内以_執行對兩個基底之處 理。將第-晶座142a以及第二晶座遍安置為面對基底 =口。雖然圖式中未展示，但應瞭解，第一晶座142&以及 第一a曰座142b具有基本功能，諸如自基底傳送裝置 接收基底/傳送絲至基底傳钱置15G (其按照 安裝於晶座處之起模頂桿總成（lift pin assemWy)而3進 行）、在處理基底時固持此基底以及根據處理溫度向基底提 供均勻熱壞境。 處理腔室140可經組態.以執行多縣底處理操作。處 Ϊ腔室可為（例如）經組態以使·漿移除光阻之灰化腔 至或經組㈣沈積絕緣層之CVD腔室或經組態以钱刻絕 緣層之小孔或開π從而形成互連結構之似彳腔室或經組態
以沈積障㈣之PVD腔室級L沈·屬層之pVD 腔室。 如圖7中所說明，兩個處理腔室140,並置於傳送腔室 ⑽之每-侧。處理腔室·中之每—者包^⑽至 可在亚置於傳送腔室130之每一侧的處理腔室14〇，處執行 同主處理。在處理條件應不斷調節之蝕刻（或沈積）處理 之情況下，較佳地在每一處理腔室14〇,内處理一基底（見 圖7)。在處理條件無需不斷調節之灰化處理之情況下，可 8 200805550 23727pif.doc 在-處理腔室HO内處理多個基底（見圖υ。 視圖視平面圖以及侧視剖 6Α以及圖6Β為處二葉片彼此重疊。圖 苴中其處值…壯班早之俯視平面圖以及侧視剖視圖， 其中基底傳钱置之第—與第二葉片展開。 腔室Si至S置，送裝置15。安裝於傳送 作傳送兩個基底：、、 具有特殊結構以每一次操 以每广包括第—以及第二葉片’其經組態 奸母-人衣載兩個基底至處理腔室刚之第一晶座⑷以 弟二晶座142b/自處理腔室M〇 曰一、斤 晶座142b卸载兩個美麻 日日座2a以及第二 150 的處理腔室14〇傳送基底d a以及弟二晶座M2b 葉二=装置：包括第-葉片152以及第二 斿餹士规疋轉主體170以及驅動單元180。 體。:ί ^安置於傳送腔室削中央之_形主 二。旋轉主體⑽ 可提昇。 耠汁邛件174而關於其軸可旋轉且 ⑹^^^^平轉動之上部臂⑹以及下部臂 ，，且下部臂164:!::;=:第二葉片 硿鈿社 心禾鳊與上部臂162之另一東 下部臂164之另一末端與旋轉主體170峨。第 9 200805550 23727pif.doc 葉片〗52以及第二葉片154關於上部臂162之同一 ，…….—,。—…ν 、早 一)#&轉。·占部f1—62可相對於下部臂164旋轉。此外， 下部臂164相對於旋轉主體17〇旋轉。 弟葉片152 .以及第二葉片154順序地堆疊且可轉動 地安裝於上部臂162之一末端處。第一葉片152以及第二 茶片134中之每—者具有小孔’其-侧為祖的。支撐件 f 3安，一葉片152與第二葉片154之頂表面 2緣裝载於支撐件153上。基底傳送裝置150 可包”以將基底選擇性地真空吸收至第-葉片152 一茶片154之支稽件153之真空管線（未圖示）或 足绩以顧騎麵邊緣之邊緣夹具（未圖示）。 猎由關於上部臂i62之同一轴 $ 開第-葉片152與第f木作而折豐双展 矛—茶片154。第一荦片152盍筮一笹 片154之轉動方向彼此相 茶片 /、弟一茱 明，第-葦片152趋， 以及圖5B中所說 鎖定腔室122之緩衝級124 ^莜此重油自負載 6B中所說明，第一葉片.152 ϋ6Α以及圖 基底w傳遞至處理腔室14〇二、4在其展開時將 座驗如以上所陳述，基底及第二晶 傳送方向可在其折疊時改變。因此’ 驅動單元⑽包括經、_以 與下部臂164之第-臂驅動單元動上部臂162 m以及經組態糾目反地轉鮮 ％二臂驅動單元 系片152與第二葉片154 10 200805550 23727pif.doc 之第-葉片驅動單元1S6及第二葉 】腹4缝缝以秀轉第-葉片152^= 一草片 154 ' 162 164
的侧視剖視圖。 没驅動早兀17U 參看圖4，下部臂旋轉軸16牝自下
下。P#轉轴164a轉動㈣讀17G 心第 二臂驅動單元184包括第卜邛，164弟 $焉£動馬達184a、經組態以將第 Ί 4 ’、、、· &之功率傳輪至下部臂旋轉車由l64a之滑輪 184b以及帶184c。 上部臂旋轉軸l62a自上部f 162之_末端垂直向下延 申至了部臂164。第-臂驅動單元182關於上部臂旋轉轴 I動下。P ’上之上部臂162。第-臂驅動單元182包 括第二驅動馬達182a、經組態以將第二驅動馬達·之 功率傳輸至上部臂旋轉軸162a之多個滑輪182b以及帶 182c。 第一葉片旋轉軸15.2a自第一葉片152之一末端垂直向 下延伸至上部臂162。第一葉片驅動單元186基於第一葉 片旋轉轴152a轉動上部臂162上之第一葉片152。第一葉 片驅動單元186包括第三驅動馬達186a、經組態以將第三 驅動馬達186a之功率傳輸至第一葉片旋轉軸152a之多個 滑輪186b以及帶186c。 第二葉片旋轉轴154a自第二葉片154之一末端經由第 一葉片旋轉軸152a垂直向下延伸至上部臂162。第二葉片 200805550 23727pif.doc 驅動單元188關於第二葉片旋轉軸154a轉動上部臂l62 上各莖二复技I5—4。直一差外【 馬達188a、經組態以將第四驅動馬達188a之功率傳輪至 第一葉片旋轉軸154a之多個滑輪188b以及帶188c。 如圖8所說明，第一葉片驅動單元186以及第二葉片 驅動單元1>88安裝於上部臂162處以分別直接旋轉第二葉 片與第二葉片154。同樣地，在第一葉片驅動單元186 以及第二葉片驅動單元188安裝於上部臂162處之情况 下存在叙勢為省略包括多個滑輪、帶或其類似物备免 功率傳輸結構。 <錐 如上文所提，下部臂旋轉轴164a、上部臂旋轉轴 以及第一葉片旋轉轴152a與第二葉片旋轉軸154a分別^ 由諸如一或多個滑輪以及帶之機構自其驅動馬達l82a! 184a、186a以及188a接收功率（旋轉力）。 &、 獨立控制第一驅動馬達184a與第二驅動馬達1δ2 、 分別將上部臂162與下部臂164定位於收縮（折疊）二二 以及伸展位置。舉例而言.，上部臂162以及下部臂丨⑽口 文控制=由一臂驅動單元旋轉。獨立控制第三驅動馬^ i86a—與第四驅動馬達188a以將第一葉片152與第二二 154定位於重疊位置（見圖5A)以及雙向展開位置，二 6 A )。 、見圖 藉由控制器以運動學方程來控制基底傳送裝置15〇 182a、l84a、186a以及188a ’運動學方程經二 式化以定義將臂162與164以及第一葉片152與第二二王 、 茶片 12 200805550 23727pif.doc 154定位於目標位.置所需步驟之數目。 雙於H描述使用基底f钱置自負載敕腔室傳 送基底至處理腔室的程序。此外，應瞭解，可將本發明鹿 用於在基底處理系統之各種腔室之間傳送基底。 圖5A以及圖5B說明基底傳送裝f自負載鎖定腔室取 出兩個基底之程序。如圖式中所說 第二葉請在第-葉請舆第二葉；15== 自負載鎖定腔室m之緩衝級124取出兩個基底w。 圖6A以及圖紐說明基底傳送褒置將自負載鎖定腔室 取出的兩個基底裝載於處理腔室之第一以及第二晶座上之 程和如圖式中所說明，第一葉片152以及第二葉片154 在其以兩側方向展開時行進於處理腔室14〇之第一曰曰 142a與第二晶座142b±。藉由自第一晶座似與第:曰 座142b之上部表面上升之起模頂桿 = 152以及第二葉片154提昇至她立置。此時自；4片片 152以及第二葉片154返回傳送腔室13G之待用位置^ 部臂與下部臂在此處折疊）。當自處理腔室U0取出第一葦 片152以及第二葉片154時’起模頂桿下降以將基底％置 放於第一晶座142a與第二晶座142b上。 根據本表明，基底處理系統能夠減小佔據面積同始 加^底處理輪送量。此外，基底處理系統能夠減少傳送二 及處理基底所需之時間。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明’任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 13 200805550 23727pif.doc 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾.，因此本發明之保護 查n申請專利範圍所界定者為準。 I圖式簡單說明】 ……> 圖1為說明根據本發明之基底處理系統之組態的俯視 平面圖。 圖2為圖1所說明之基底處理系統之處理單元的透視 圖。 • 圖3為圖2所說明之處理單元之側視剖視圖以描述安 裝於傳送腔室處之基底傳送裝置。 圖4為經組態以旋轉第一以及第二葉片、上部臂以及 下部臂之例示性驅動單元的側視剖視圖。 、圖3 A ·以及圖5 B為處理單元之俯視平面圖以及側視 視圖，其中基底傳送t置之第-與第二葉片彼此重疊。 圖6 A以及圖6B為處理單元之俯視平面圖以及側 視圖，其巾基底傳送裝置之第—與第二葉片展開。 ® 7說明處理單元’其中各具有—晶座之腔室並置。 響目8為制第-以及第二葉片鶴單摘安裝於 部臂之例示圖。 【主要元件符號說明】 104 ： FOUP 110 :端部 112 :框架 114 :負載台 Π8 :傳送機器人 14 200805550 23727pif.doc 120 :處理單元 I22 :皇笔赛定腔室 124 :緩衝級 130 ·•傳送腔室 140 :處理腔室 140’ ：處理腔室 142a :第一晶座 142b :第二晶座 150 :基底傳送裝置 152 :第一葉片 152a:第一葉片旋轉軸 Γ53 :支撐件 154 :第二葉片 154a ··第二葉片旋轉轴 160 :臂部分 162 :上部臂 162a :上部臂旋轉軸 164 :下部臂 164a :下部臂旋轉轴 170 :旋轉主體 172 :旋轉部件 174 :提昇部件 180 :驅動單元 182 :第一臂驅動單元 200805550 23727pif.doc 182a :第二驅動馬達 182b ·•琴輪 182c ··帶 184 :第二臂驅動單元 184a ··第一驅動馬達 184b :滑輪 184c :帶 φ 186 :第一葉片驅動單元 186a :第三驅動馬達 186b :滑輪 186c :帶 188 ··第二葉片驅動單元 188a:第四驅動馬達 188b :滑輪 188c :帶 W :基底 16

Claims (1)

  1. 200805550 23727pif.doc 十、申讀專利範圍： ——k二巻用於-登差查傳送至處理腔室之基底傳送裴置， 包含： 第一以及第二葉片，其經組態以分別將基底支撐於不 同高度； 臂部分’其連接至所述第一以及所述第二葉片以移動 所述第一以及所述第二葉片；以及 驅動單元，其經組態以驅動所述第一與所述第二葉片 -以及所述臂部分’ 其中所述第一以及所述第二葉片在關於所述臂部分之 同一軸轉動時經折疊或展開。 2·如申請專利範圍第1項所述之用於將基底傳送至處 理腔室之基底傳送裝置，其中所述第一以及所述第二葉片 以相反方向轉動。 3♦如申請專利範圍第1項所述之用於將基底傳送至處 理腔室之基底傳送裝置，其中所述驅動單元包含經組態以 關於連接軸以相反方向轉動所述第一與所述第二葉片的第 一以及弟二葉片驅動單元，戶斤述第一與所述第二葉片藉由 所述連接軸而連接至所述臂部分。 4·如申請專利範圍第1頊所述之用於將基底傳送至處 理腔室之基底傳送裝置，其中所述臂部分包含： 上部臂，所述第一葉片之一末端以及所述第二葉片之 一末端連接至其；以及 下部臂，其安置於所述上部臂下以連接至所述上部臂。 17 200805550 23727pif.doc 5.如申睛專利範圍第4項所述之用於將基底傳送至處 里里1¾塵豊里签呈二苎土所述驅動登元包含： 第一以及第二葉片驅動單元，其經組態以關於連接軸 以相反方向轉動所述第一與所述第二葉片，所述第一與所 述第二葉片藉由所述連接軸而連接至所述臂部分；以及 至少一臂驅動單元，其經組態以水平轉動所述上部以 及所述下部臂。 • 6·如申請專利範圍第1項所述之用於將基底傳送至處 理腔室之基底傳送裝置，其中所述第一以及所述第二葉片 中之每一者具有具一側為開啟之小孔的馬蹄形狀以及基底 之邊緣所置放於之支撐件。 7.—種基底處理系統，包含： 具有晶座之至少一處理腔室，基底經裝載於所述晶座 上； 傳送腔至’其連接至所述處理腔室；以及 基底傳送裝置，其安裝於所述傳送腔室内以同時將基 着底傳送至所述處理腔室之所述晶座。 8·如申請專利範圍第7項所述之基底處理系統，其中 所述處理腔室包括朝向入口而並置之第一晶座以及第二晶 座，基底通過所述入口，所述基底傳送裝置包含第—以及 第二葉片，其經組態以將基底支撐於不同高度且在其藉由 關於同一軸之轉動操作而折疊或展開時傳送基底。/' 3 9·如申請專利範圍第7項所述之基底處理系統，更包 含： 匕 18 200805550 2372/pitcioc 負載鎖定腔室，其具有至少兩個堆疊之緩衝級·，基底 裝載於所述缓衝級上， f中所述基底傳送裝置在所述第―與所述第二葉片彼 此重疊時自所述負载鎖定腔室之所述缓衝級取得基底或將 基底放至所述負载鎖定腔室之所述缓衝級。 10·如申明專利範圍第8項所述之基底處理系統，其中 所述第一以及所述第二葉片以相反方向轉動。 、 11. 如申明專利範圍第8項所述之基底處理系統，苴中 所述基底傳送裝置包含： f4刀’其連接至所述第一以及所述第二葉片以移動 所述第一以及所述第二葉片；以及 驅動單元其、纟二組悲以I區動所述第一與所述二片 以及所述臂部分。 12. 如申請專利範圍第n項所述之基底處理系統，其 帽魅動單元包含經組態以關於連接轴以相反方向轉動 二葉片之第—以及第二葉片驅動單元， =弟-與所述弟二葉片藉由所述連接軸而連接至所述臂 13. 如申請專利範圍第η 中所述臂部分包含： R之基底處理糸統，其 上部臂，所述第一葉片之—太嫂 — 4端連接至其；以及 末知以及所述弟二葉片之 錢置_述均訂以賴至 R如申請專利範圍第13項所述之基底處理系統其 19 200805550 23727pif.doc 中所述驅動單元更包含經組態以水平轉動所述上部盘所述 下坪臂之至少一臂驅動單元。 15·—種基底處理系統，包含·· 傳送腔室； 對處理腔f，其各具有晶座，所述對處理腔室並置 於所述傳送腔室之一侧；以及 基底傳达裝置，其安裝於所述傳送腔㈣以同時將基 底傳迗至所述對處理腔室之晶座。 中所專利範M 15項所述之基底處理系統，其 將基底ί;於含第1及第二葉片，其經組態以 作而折疊或展開時其藉由關於同-軸線之轉動操 I7.如申请專利円 ' 中所述對處理目弟16顿述之基底處理系統，其 肷I經組態以執行同一處理。 20
TW096107463A 2006-07-04 2007-03-05 Substrate transfer apparatus and substrate processing system using the same TW200805550A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060062671A KR20080004118A (ko) 2006-07-04 2006-07-04 기판 처리 설비

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200805550A true TW200805550A (en) 2008-01-16

Family

ID=38919286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096107463A TW200805550A (en) 2006-07-04 2007-03-05 Substrate transfer apparatus and substrate processing system using the same

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20080008569A1 (zh)
JP (1) JP2008016815A (zh)
KR (1) KR20080004118A (zh)
CN (1) CN101101888A (zh)
SG (1) SG138516A1 (zh)
TW (1) TW200805550A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI601653B (zh) * 2012-04-26 2017-10-11 康穩法國公司 將電氣充電裝置與電動馬達車輛之電氣能量貯存構件作電氣耦合的系 統，及用來對電動車進行重新充電的設備

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101359400B1 (ko) * 2006-12-29 2014-02-07 주성엔지니어링(주) 안정적인 로봇 티칭을 위한 진공챔버 모듈
US20080175694A1 (en) 2007-01-19 2008-07-24 Dong-Seok Park Unit and method for transferring substrates and apparatus and method for treating substrates with the unit
KR100803559B1 (ko) * 2007-05-02 2008-02-15 피에스케이 주식회사 기판 반송 유닛 및 방법, 그리고 상기 유닛을 가지는 기판처리 장치 및 상기 유닛을 이용한 기판 처리 방법
JP4703749B2 (ja) 2008-09-17 2011-06-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
TWI465599B (zh) 2008-12-29 2014-12-21 K C Tech Co Ltd 原子層沉積裝置
JP2010192559A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム
SG170645A1 (en) * 2009-11-02 2011-05-30 Semiconductor Tech & Instr Inc System and method for flexible high speed transfer of semiconductor components
US8562272B2 (en) * 2010-02-16 2013-10-22 Lam Research Corporation Substrate load and unload mechanisms for high throughput
KR101212514B1 (ko) * 2010-09-15 2012-12-14 주식회사 유진테크 기판 처리 장치 및 기판 전달 방법
TWI725303B (zh) * 2012-02-10 2021-04-21 美商布魯克斯自動機械公司 基材處理設備
CN111489987A (zh) * 2013-03-15 2020-08-04 应用材料公司 基板沉积系统、机械手移送设备及用于电子装置制造的方法
KR101530024B1 (ko) * 2013-12-20 2015-06-22 주식회사 유진테크 기판 처리 모듈, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 전달 방법
JP6293499B2 (ja) * 2014-01-27 2018-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
WO2015174981A1 (en) * 2014-05-15 2015-11-19 Applied Materials, Inc. Particle removal device and method of operating thereof
TWI677046B (zh) * 2015-04-23 2019-11-11 美商應用材料股份有限公司 半導體處理系統中的外部基板材旋轉
US11482434B2 (en) 2016-10-18 2022-10-25 Belting E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd Systems and methods for workpiece processing
KR20210027503A (ko) * 2016-10-18 2021-03-10 베이징 이타운 세미컨덕터 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 워크피스 처리를 위한 시스템 및 방법
JP6881010B2 (ja) * 2017-05-11 2021-06-02 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
CN109994358B (zh) * 2017-12-29 2021-04-27 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子处理系统和等离子处理系统的运行方法
US10943805B2 (en) * 2018-05-18 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Multi-blade robot apparatus, electronic device manufacturing apparatus, and methods adapted to transport multiple substrates in electronic device manufacturing
US20200156867A1 (en) * 2018-11-20 2020-05-21 Jiangsu Fine Storage Information Technology Co., L td. Method for taking, placing and conveying materials
WO2020232074A1 (en) 2019-05-14 2020-11-19 Mattson Technology, Inc. Plasma processing apparatus having a focus ring adjustment assembly
KR20210147677A (ko) 2020-05-29 2021-12-07 주성엔지니어링(주) 기판 처리 시스템 및 기판 처리 시스템의 검사 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4330703B2 (ja) * 1999-06-18 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 搬送モジュール及びクラスターシステム
US20020061248A1 (en) * 2000-07-07 2002-05-23 Applied Materials, Inc. High productivity semiconductor wafer processing system
JP2002158272A (ja) * 2000-11-17 2002-05-31 Tatsumo Kk ダブルアーム基板搬送装置
JP2002184834A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Yaskawa Electric Corp 基板搬送用ロボット
AU2002327249A1 (en) * 2001-07-13 2003-01-29 Brooks Automation, Inc. Substrate transport apparatus with multiple independent end effectors
JP2003170384A (ja) * 2001-12-04 2003-06-17 Rorze Corp 平板状物の搬送用スカラ型ロボットおよび平板状物の処理システム
US6737829B2 (en) * 2002-01-18 2004-05-18 Janaki Technologies, Inc. Portable electronic device charger and a method for using the same
JP2004288719A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI601653B (zh) * 2012-04-26 2017-10-11 康穩法國公司 將電氣充電裝置與電動馬達車輛之電氣能量貯存構件作電氣耦合的系 統，及用來對電動車進行重新充電的設備

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080004118A (ko) 2008-01-09
US20080008569A1 (en) 2008-01-10
CN101101888A (zh) 2008-01-09
SG138516A1 (en) 2008-01-28
JP2008016815A (ja) 2008-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200805550A (en) Substrate transfer apparatus and substrate processing system using the same
US10239707B2 (en) Semiconductor wafer handling and transport
KR100818044B1 (ko) 기판 지지대와 기판 반송 장치 및 이를 이용한 기판 처리시스템
US7927062B2 (en) Methods and apparatus for transferring substrates during electronic device manufacturing
CN101461051B (zh) 基板传输设备及使用该设备的高速基板处理系统
JP3947761B2 (ja) 基板処理装置、基板搬送機および基板処理方法
JP2005197752A (ja) 基板製造装置及びそれに使用される基板移送モジュール
KR20100068251A (ko) 버퍼링을 갖는 이송 시스템
KR101530024B1 (ko) 기판 처리 모듈, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 전달 방법
US20050111936A1 (en) Multi-chamber system
US20240042595A1 (en) Dual robot including splayed end effectors and systems and methods including same
KR20090086786A (ko) 기판처리장치
CN107958864A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
KR20200026138A (ko) 기판 반송 기구, 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
CN104851830B (zh) 衬底输送机器人和使用该衬底输送机器人的衬底处理设备
KR100850436B1 (ko) 반도체 제조설비
TW201002590A (en) Transfer apparatus, transfer chamber having the same, and vacuum processing system including the same
KR20050041097A (ko) 기판 이송 장치
US20230352336A1 (en) Actively clamped carrier assembly for processing tools
KR20120100708A (ko) 반도체 웨이퍼를 제조하기 위한 장치 및 분자선을 이용한 증발에 의해 물질을 증착하기 위한 장치
CN114293250B (zh) 对硅片位置进行调准的系统、方法及外延设备
KR101486243B1 (ko) 기판 반송 장치 및 그것을 갖는 기판 처리 시스템
KR100919828B1 (ko) 다중 기판 처리 시스템 및 이를 위한 기판 이송 장치
CN1988126A (zh) 传递装置
KR20080056497A (ko) 기판 처리 시스템