TW200534911A - Inert gas recycling method using gas recycling container, gas recycling device, and gas draining device for draining gas from gas recycling container - Google Patents

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2〇〇534S(Udoc 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種氣體回收容器、使用氣體 。 體回收⑽二」 氣體回收容器内的氣 看 >、 軋—回收谷器導出氣體之氣體導出裝 置。砰、、，田來况，關於一種使用於用以 =非出rr?性氣體之排氣的氣體

備^=“體回收容器’回收由惰性氣體使用設 備斤排出之3有舰氣體之魏，將 導r:性r分離精製設備'"分離精製情性= 出之人古声14>·1於種用以將由惰性氣體使用設備所排 晉，：ί二軋體排氣回收至前述氣體回收容器内之裝 有惰絲種H導㈣收至㈣氣體容^内之含 ” 乳，並導入惰性氣體分離精製設備之梦 ^。此外，作騎發明之雜氣體料氪錢、或混合^ 等之混合氣。 【先前技術】 在製造半導體積體電路、液晶面板、太陽電池及其面 板、磁碟等之半導體製品之製程，在載氣之空氣環境中使 其產生電漿，藉該電漿進行半導體製品之各種處理之裝置 廣泛地被使用。 在如此處理中，習知雖一直使用氬作為栽氣，但近年 來，使用氪與氙（以下，出現於本說明書中之惰性氣體係指 氪與氣)作為載氣，作為用以進行更高度的處理之用途已廣 6 2005_fk 獻二。由空氣中之存在比與分離製程之複雜性來看，氪 =係_種極高價之氣體，為了讓使用如此貴重氣體之製 濟上有立足之地，必須條件是以高回收率回收使用 k之氪與氤以作分離精製並猶環使用。進—步，回收分離 ，製後之氪與氙，係可以在不存物濃度為 lOOppm以下之 咼純度下使用。 ，此，包含成為分離精製的對象之惰性氣體（氪與氙） 之排氣’主要是由前述惰性氣體與氮或氬所形成，且在電 • 漿氧化下於此形成包含數％之氧。另外，在電漿CVD下 形成包含金屬氩化物之氣體者。進一步，微量之不純物與 反應副生成物者也包含水分、一氧化碳、二氧化碳、氫、 碳水化合物等。 由混合氣體以分離回收氣體為目的之分離回收方 法，眾知者有深冷分離法、壓力變動吸附分離法(pSA)、膜 分離法、、與進一步組合上述方法等之方法。例如，深冷分 離法係以空氣作為原料而欲得到以氧與氮作為製品時，藉 換將加壓之空氣冷卻至·19〇°(：且導人精|冑塔，藉該精 留塔精顧分離取出氧與氣。深冷分離法具有容易得到高純 度之氣體，可以便宜製造大量之氣體的優點。 方面PSA法係以空氣作為原料而欲得到以氧作為 製品時，將沸石作為吸附劑使用，藉在加壓下使空氣流通， 利用使易吸附成分之氮吸附固定於吸附劑，作成由吸附劑 詹取出難吸附成分之氧。由空氣之流通製程，若將吸附氣 之吸附劑置於充分較低之壓力條件下，可以使氣由吸附劑 7 2〇〇5^〇μ〇〇 解吸成為可以再使用之狀離。 操作與以相對較低壓力之;生;::以相對較高壓^ 時間作吸附.再生之切換再操作料短 ^ 口 ^曰、所乂具有容易提高平均每一吸 :使裝置容易製成小型化之優點。 内邱之二係在對，親合性較高之高分子樹脂膜内，或 氣。並二ΐη徑比氮小之膜内’通以成為原料之空 氣’紅擇性地收集流出至膜外 將難以得到高純度氧之衫小型化且便宜之優ί。 斜象==在製造ί導體製品之製程中，在將成為處理 …占土體达人處理谷器内之前，容器室内例如藉一面使 亂m面進行真空排氣以作成清淨之氮空氣環境。之 後，將基體送入處理容器内。此時，為了保持清淨之氣空 氣環境’可以繼續地進行氮氣的通氣與真空排氣。從而， 基體的送入前及送入時所排氣之氣體幾乎為氮氣。 之後，流通氣體由氮氣切換為惰性氣體（氪或氙），在 處理容器内成為惰性氣體空氣環境之後，藉高周波放電等 使其產生電漿並進行處理。也就是，當進行電漿處理時， 由處理谷|§排出之氣體，惰性氣體佔有其大部分之成分。 f著，停止施加高周波以停止電漿，將流通氣體切換為氮 氣後，取出基體。電聚停止後與搬出基體間所排出之氣體 大部分為氮氣。 —另外，為了防止不純物由真空排氣系統逆擴散，在處 理容，與真空排氣系統間，經常通著氮氣。該氮氣係與由 處理各為所排氣之氣體一齊被排氣。進—步，為了防止大 8 20053i4^)J)ild〇c 氣由真，泵之軸承部捲入，氮氣通於軸承部，其一部侵入 真二排氟糸統内部並排氣。 如以上所述，朝基體的處理容器搬入及搬出時以及處 理容器待機時所排出之氣體之大部份成分例如為氮、氬等 之載氣。一方面，電漿處理時之排氣，形成包含氮或氬與 惰性^體。在此，分別排氣時之氣體壓力為大氣壓力。 攸而在處理谷器元成電漿處理，即使進行氮氣或氬 的llL通排氣中之惰性氣體置也不會迅速的減少。也就是 鲁 說’排氣中之惰性氣體濃度經常變動，且在處理容器内之 空氣環境與排氣體之成份存在著時間延遲。另外，在排氣 中由於加上真空排氣泵之防止大氣捲入用之氣體、防止逆 擴散用之氣體、防止堆積之氣體，所以惰性氣體濃度與朝 處理容器導入之濃度相比較，最少退一個位數以上。 包含回收成為分離精製對象之惰性氣體之排氣，主要 係由惰性氣體與氮或氬所形成，在電漿氧化下形成包含數 %之氧者。另外，在電漿CVD形成包含金屬氫化物系氣 φ 體者，在反應性離子蝕刻形成包含鹵化碳化氫系氣體。而 且’微量不純物與反應副生成物者也包含水分、一氧化碳、 一氧化石厌、氣、碳化氳等。從而，前述氣體成分内，使活 性碳的吸附特性劣化之氣體成分，有必要預先作去除。 將排氣氣體回收至氣體容器時，如前述，排氣氣體量 與導入處理容器之量相比較由於極為大量，所以回收容器 之容積變得龐大。例如在47升之容器假設以O.IMPa之壓 力回收排氣時，即使在不加上防止堆積之氣體時，亦只能 9 2005_ike 枚數100枚程度分。而且，此時回收於回收容器 内之惰性氣體量為100升。 收六。為此’不得不雜地交換回收容^，其結果，招致回 所物流成本的增加。另外’由於惰性氣體濃度變動， 性氣:收容器之惰性氣體濃度不同，具有很難控制惰 ==精製;置之問題:為此，-面計測位於每-導入挑产之低/辰度之惰性氣體，一面朝分離精製裝置 分冗轉’或不得不使用具有充 本增力•二精叫導致了計測之成 電漿處理時間依半導體製品而異。 形::數%之氧氣所進行之電漿氧化處理的情形:按= Μ ^膜厚’處理時間決^在1分鐘至5分鐘 ^ ^聽臈厚隨著每數層或每數十層而 3 ° 每;==:中最大舰氣體濃度及其心在 Τ刀主母數十小時之間大幅地變動。 在 如上述，本發明提出（例如，參照專利文獻 卜分離與吸附分離2個以上之分離裝置)错由使 :氣體與不純物，有效率地分離精製惰性氣體:方:離 所排i以作為回收由製造半導體製品之惰性氣體使用ΐ及 之含有雜氣體之排氣，分雜製惰彳 =備 【專利文獻Π特開·2_9肩號公報孔體之方法。 雖提出揭示於前述專利文獻之惰性氣體回制 D逐次變動流量與惰性氣體濃度之排氣後，努 2 Ο Ο 5 3i4S4iid〇c 了刀離知IΝ性氣體作為目的，但特別是引起在設計製作 時未假設到之流量變動或濃度變動時，在前述惰性氣體回 收精製裝置，運轉狀態有可能形成不安定。 進一步’前述惰性氣體回收精製裝置由於是在惰性氣 體使用設備之使用條件下進行設計，所以在變更惰性氣體 使用設備時，具有如此適用有其困難且欠缺冗長性之課題。 在此本發明之目的在於提供一種氣體回收容器，用 於將如氪、氙之高附加價值氣體之惰性氣體之排氣中，回 • ⑨惰性氣體，該惰性氣體S作為半導體製品製造裝置等之 $氣環，體。當對該惰性氣體進行分離精製時，即使排 氣之流虿與排氣中之惰性氣體濃度變動，該氣體回收容器 亦可以安定时含有惰性氣體之排氣。而且，本發明也提 供-種使用該氣體回收容器以回收惰性氣體之方法。本發 明另提供:種氣體回收裝置，可以更有效率地將含有惰性 ，體之排氣回收至該氣體回收容器内。本發明再提供一種 氣體導出襄置，可以更有效率地導出回收至該氣體回收容 器内之含有惰性氣體之排氣。 【發明内容】 為了達成上述目的，本發明之氣體回收容器係用以回 收由惰性氣體使用設備所排出之含有惰性氣體之排氣。並 且，當將回收後之含有惰性氣體之排氣導入惰性氣體分離 精製設備以分離精製惰性氣體時，該氣體回收容器使用於 回收由5述惰性氣體使用設備所排出之含有惰性氣體之排 氣。該乱體回收容器係透過開關閥在具有可以連接於氣體 20053i4S(Jild〇c 配官之接碩部之密封容器内，内藏著 附前述含有祕氣體之魏中的紐氣體。…生碳吸 另卜使用本發明之氣體回收容哭之惰,j·生衰_ 法’其係回收由惰性氣體使用#借=吁亂體回收方 之排氣，將回收之人用：備所排出之含有惰性氣體 t U；收之3有惰性氣體之 分離精製惰性氣體時，且當回收“述 寸、十、二戶f排!5之含有惰性氣體之排氣的情況下，預先由 二：二:ΐ性氣體之排氣中’去除使吸附惰性氣體之活性 反0付月巨力降低之有害物質後，透過開關閥，在具 =接!!氣體崎之接頭部之密封容器内，内藏吸附惰二 :二：則述活性碳之氣體回收容器内，加壓充填前述有害 y 刀去除處理後之含有惰性氣體之排氣並作回收，卷二 收至氣體回收容器内之含有惰性氣體之排氣導人惰二 ，離精製設備時，藉對前述氣體回收容器内進行減壓:使 吸附於w述活性碳之惰性氣體解吸，由氣體时容器内導 出解吸之惰性氣體並導人前述惰性氣體分離精製設備。前 迷有害成分為氟化合物、I化物系氣體、‘二氧化硬: 物系氣體之至少任一種。 氕化 進一步，將氣體回收至氣體回收容器内之本發明之氣 =回收裝置，其係透過開關閥，在具有可以連接於氣體配 ΐ之接頭°卩之岔封容器内，内藏吸附惰性氣體之前述活性 反=氣體回收容器内，加壓充填由惰性氣體使用設備排出 =含有惰性氣體之排氣並作回收，當將回收至該氣體回收 各器内之含有惰性氣體之排氣導入惰性氣體分離精製設備 20053i49)JiAi〇c :::用，將由歧惰性氣體使用設備排出之含有惰 收至前述氣體回收容器内，其特徵在於包 二=放出，、含錢性氣體之排出路徑、有害成分去 二：对乳放出路径、壓縮機、氣體配管與排放裝置。 係在由前述惰性氣體使用設備排出之排氣 :路:ίί=氣體時放出該排氣。含有惰性氣體之排 排教工右21ν排耽中存在惰性氣體之含有惰性氣體之 排乱。有害成为去除裝置，其係 除使前述活性碳之吸附能力降體之排1 # m ju ^γκ ,>； ^^ . X兮低之有害物質。壓縮機，其 ，、 i 乂6亥有害成y刀去除骏置去除有宝#八;^ 惰性氣體之排氣。氣體配管：：有J成刀後之5有 氣趙之排氣，下游側連接於前述後之含有惰性 排放裝置，其係用以排放該二：=_。 另外，本發明之由翕驊沾 &内之二軋成刀 出裝置，其係透過開關出氣趙之氣體導 接頭部之密封容H内，在，、有可Λ連接於氣體配官之 之氣體回收六哭向 β、臧吸附惰性氣體之前述活性碳 含有惰性氣排;::壓充填由惰性氣體使用 設=排出之 器内之含有排：當將回收至該氣體回收容 至前述氣體回收容器内之含有惰性 特ί在*包括.體分離精製設備，該氣體導出裝置 氣俨暮入攸句- 排放裝置、氣體導出裝置以及 排放錢體配管内之空氣成分。氣

2005¾¾^ 體導出裝置係用以將前述氣體回收容器-之排氣導出至前述氣體配管。氣體導人路心將 導出裝置導出之前述含有惰性氣體之排人^」:乳旁 氣體分離精製設備。 “ 至則述惰士 若依據本發明之氣體回收容器，由於 (旦氪，_於容器内部之活性碳，所以可於低壓二生:: 里之惰性乳體回㈣容m _是，由於可 下 藏情性氣體所以安全面耗。平均單位量之氣.、矣= 亦可以，。此外’成為回收對象之排氣中之惰體产 度較低時，亦可以有效率地时，雜氣體並貯藏於氣 收容器，與不使用活性碳的情況相比，可以貯藏約: 惰性氣體。 < 從而，氣體回收容器的容積若與習知相等，則就沒有 必要頻繁地交換氣體回收容器，由於使用比習知小之^器 亦可，所以可以減低物流成本。另外，排氣中之惰性氣體 濃度即使變動，由於利用對惰性氣體之活性碳之選擇的吸 附’可以將氣體回收容器内之惰性氣體濃度略作成特定 值’所以即使在將回收之氣體朝分離精製裝置導入時，亦 沒有必要計測惰性氣體濃度。另外，在分離精製裝置由於 不需要浪費之冗長性，所以有助於精製裝置的小型化與精 製成本的降低。 若依據本發明之惰性氣體的回收方法，由惰性氣體使 用設備所排出之含有惰性氣體之排氣總量與惰性氣體濃度 即使有變動，亦可以在惰性氣體分離精製設備並於安定之 14 2〇〇534m〇c 狀態下導入含有惰性氣體排氣進行分離精製處理。另外， 由於可以彙整處理由多數之惰性氣體使用設備所排出之 有惰性氣體之排氣’所以也可以謀求提升惰性氣體分離精 製設備之處觀率。特暇，去除含有惰絲體排氣中之 有害成分之後’藉導人氣體回收容器，進行種種程序可以 ===用設備所排出之各種組成之含有惰性氣體 之排乱回收至1種類之氣體回收容器。此外， 石反在經過長期間安定之狀態下亦可以使用。 若依據本發明之氣體回收裝置，可以更有效 = 之排氣導入氣體回收容器作回收。特別是：由 、預先去除妨㈣純吸驗雜碳 附回收預定量之氣與氪。特別是，由於可以=== 氣體回收容明之亂體導出裝置’可以更有效率地導出 :體口收μ内之惰性氣體，並送入惰性氣體分離精製設 【實施方式】 說明示本發明之惰性氣體回收容器之-實施例之 部内藏=收容器11具有筒狀之密封容器14，其内 碳15。密封氪與氙（以下，稱此等為惰性氣體)之活性 而可連接於奋态14於兩端部具有透過開關閥12V、13V， 係由孔徑=卜部之氣體配管之接頭部12、13。活性碳15 於分別配“ΐ有a4nm以上之多孔#體所形成’且充填 ;进、封容器14之内部兩端部之過濾器16a、16b 20〇5^〇a〇c 之間。 活性碳之量可以按照氣體回 π / 等之條件而任意設定，例如，在Α ^ 之形狀與容積 器，可以充填約20kg之活_^ =體回收容 量以大氣壓計為1100升。 4孔對活性奴之吸附 端部的前=二 之氣體，其全量通過活性碳ϋ免入氣體回收容器U内 接頭部η流出。如此—來%5 真層，並由另外一方之 U、13，雖具有可以姑“ ;^兩端部設置接頭部 使僅具有一個接頭部之1之机通排放之優點，但即 r Γ /Γί 體回收容器亦可以使用。 奋 Ό 式形成之氣體回收容器11中，將、 充填於容器内後不久，在㈣UT將活性石厌15 有大氣成分，如··氮、氧、性碳15之内部存在 接頭部！2、13之任—方連接=等:’將 空排氣壓細容㈣錯。此時之真 X lOOpau下較佳。又，氣體回收容器u内之 大虱^之去除，並不僅限於依前述真空排氣之方法。 4垃由接頭部12、13之—方進行真空排氣之同時， 體供:裝=裝13之另外:方連接充氣罐(gas P—P)等之氣 小、二、，導入對活性碳15之平均單位重量之吸附量較 ^乳，例如氮、氧、氫、氦等一面進行流通排放。進一 此等並行，藉加熱氣體回收容器11，可以有效地進行 ^ 排出大氣成分。此時在流通排放完成後或加熱排 16 2〇〇5^au〇c 放完成後也進行真空排氣，最後之氣體回收容器u之内 壓力以100pa以下較佳。 。 々、氣體回收容器U之加熱係藉設置於容器外之加熱器 =以進仃外部加熱較佳，透過真空排氣中或流通排放中時 了進行較佳。此時之加熱溫度以100〜500°c之範圍較佳， ' 〇 300 c之範圍更佳。進一步，期望加熱至3⑼。^日士 之容器内的壓力為1G()pa以下。 ^ 之二在回收含有惰性氣體排氣時，藉使用充填活性碳15 迷回收各态1丨，可以極有效率地回收惰性氣體。如前 之六一排放操作以去除大氣成分之活性石炭15係吸附較多 體2其吸附量依氣體之物性而異，特別是，氙與氪等 大。子臺幸乂大之氣體與二氧化碳等之吸附量比氧與氮、氩 情性即錢等之舰氣«錄低之職，其中之 =、、θ=體亦可以容易地吸附於活性碳。特別是，氙與氮等 氣=氣體時’在氣吸附之側’氮較難吸附。即使為氮或 附之側，由於氙吸附力較大，所以氙取代氮而作吸附。 收，f步，氙等之惰性氣體比較於氮、氬等，較容易吸 〜彳用此點可以在氣體容器内濃縮惰性氣體。例如，由 回收t開關閥12V側，將排氣導入氣體回收容器11，氣體 < 11之内部壓力大於大氣壓以上之後，打開另外一方 更^閥13V,將部分的氣體由氣體回收容器u内排出。 12V、^的疋，排氣中之氙濃度為0·1%時，對於由開關閥 導入之排氣量，將由開關閥13V排出之氣體量作成 20053^iidoc m呈度4m請13V排出之氣體量雖依存於所導入之 為^之惰性氣體之種類及濃度，但以1/1G〜1/3()之程度 Η，使用在内部充填活性碳15之氣體回收容器 度較低，^性使職備排出之魏巾之惰性氣體濃 回收率的时舰氣體奸胁惰性氣體 以貯藏^ η 料充填活性碳於内部的情形相比較，可 容積若盥羽= 青性氣體。從而，若氣體回收容器11之 使為比習二2 有必要頻繁_行容器交換，即 另外，"虱體合為，亦可以減低物流成本。 惰性氣體之之惰性氣體濃度即使變動，為了利用對 器11内之惰擇的吸附，由於可以將氣體回收容 體之分離精製事署〜辰度作成略一定，所以在導入朝惰性氣 需要測量惰性氣體t回收之含有惰性氣體之氣體時，不 浪費之冗長性7 /辰又，另外由於在分離精製裝置不必有 分離精製成本。斤以有助於分離精製裝置的小型化與減低 圖2係、纟會示尬 刻裝置排出之人/、有h性氣體使用設備之反應性離子蝕 容器時，較適I有惰性氣體之排氣，回收於前述氣體回收 統圖。又，在2本么明之氣體回收裝置之一貫施例之系 用與圖丨所繪=下，說明中，由於氣體回收容器係可以使 收容器，贼之氣體回收容器相同者，所以針對氣體回 在惰性氣=相同符號，且省略詳細之說明。 |便用設備21中，例如反應性離子蝕刻裂置 20053\4^〇lild〇c 的情形，係在減壓下之處理容器内生成電漿以進行基體處 理之裝備’且用以蝕刻之碳氟化合物系氣體（氟化物系氣體) 與電漿生成氣體之氙或氬等之惰性氣體之混合氣體，進一 步將氧氣導入於處理容器内，由外部施以高周波或微波 等，在處理容器内生成電漿，處理設置於處理容器内之基 體的表面。電漿之處理係以真空排氣裝置22 —面進行真空 排氣，一面在處理容器内導入前述氣體，而在減壓情況下 處理。而且，為了防止在真空排氣裝置22内堆積副生成 _ ⑯’在真空職裝置即使導人排放氣體亦可。 在石夕氧化膜之餘刻中，碳氟化合物系氣體係在電漿中 ，離分解與基體面之矽氧化膜反應 。從而，在由真空排氣 裝置22排出之氣體(排氣），包含有給予活性碳15之吸附 性能不良影響之碳氟化合物系氣體、該氣體之分解物，例 如CF4、CJ6、COF2等與利用二氧化碳、矽氧化膜之蝕刻 生成之SiF4。 • j化合物系氣體與電漿生成氣體之氤或氤及氬等之惰性氣 η虱體被導入容器内，由外部施加高周波或微波 :二與前述之蝕刻製程同樣，由於電漿之生成係在減壓下 ^仃所以一面導入氣體一面以真空排氣裝i 22作真空排 ^另外，在使用惰性氣體之成膜製程，用以成膜之金屬 ’金屬氫化物系氣體

體、該氣體 係在電漿中電解分 。從而，在由真空 軋。在成膜製程中，金屬 離形成成膜種進行以對基 19 2005^〇JiAi〇c 了去除堆積於容器内之不要之膜，而導入洗 ^ ^/ ;條氣體主要使用碳氧化合物系氣體與齒化物 氟化合物由真空友排氣裝置22排出之氣體，包含有碳 \、；；體，该氣體之分解物進一步為nf3、C1F3等 之鹵化物系氣體，該氣體之分解物，例如為C12、HC卜F2、 ϋ α2、Br2等與利用siF4、Sicl4等之經由洗條而生成之

氣體具有—面與活性碳反應—面堆積於活性碳 tr=能ί失之作用。另外’也有如⑺2等吸附力比 之吸 強’阻害讀氧之吸附側，以妨礙氤與氪對活性碳 附能力。 Α —使用惰性氣體之氮化膜或氧氮化膜形成之製程，在處 理容器内導人用以成膜之氮氧系氣體，例如氨、1氧化氮处 氧化氮、氮、氫與電漿生成氣體之氪、氙或與氪、氙^氬 等之載氣之混合氣體，進—步將氧導人，由外部施1高: 波或微波等。電漿之生成由於在減壓下進行，所以一面導 入前述氣體一面以真空排氣裝置22作真空排氣。 在矽之氮化中，前述氮氧系氣體係在電漿中電離分解 與矽作反應。從而，由真空排氣裝置22排出之氣體包:氮 氧矽氣體、該氣體之分解物與氫（該氣體之分解物例Ζ為 氨、一氧化氮、二氧化氮、氧化氮等）。在此等之氣體中' 具有妨礙氙與氪對活性碳之吸附之氣體。 如此，由惰性氣體使用設備21，透過真空排氣裝置 22，用以將所排出之含有惰性氣體之排氣回收至前述^體 20 200534911 16500pif.doc 回收容器11之氣體回收裝置，包含有害成分去除裝置23、 排氣放出路徑24、含有惰性氣體之排出路徑25、壓縮機 26、氣體回收配管27、排放裝置28、壓力計29及冷卻裝 置30。有害成分去除裝置23，其係由排氣中去除如前述使 内藏於氣體回收容器11之前述活性碳15之吸附能力降低 之有害成分。排氣放出路徑24，其係當惰性氣體不存在於 前述排氣中時放出該排氣。含有惰性氣體之排出路徑25， 其係導引惰性氣體存在於前述排氣中之含有惰性氣體之排 氣。壓縮機26，其係在以前述有害成分去除震置去除 有害成分之後，用以加壓含有惰性氣體之排氣。氣體回收 配管27，其係流動加壓後之含有惰性氣體之排氣，下游側 連接於前述氣體回收容器U之接頭部12、13之任一個。 排放裝置28，其係用以排放該氣體回收配管27内之空氣 成刀。壓力计29，其係測量氣體回收配管27内之壓力。 4冷部裝〃置3G ’其係、用以冷卻氣體回收容器u。前述排放 裝置28係組合具有閥3以、32乂、33¥之3個配管31、32、 33而^成。第1配督31係由前述氣體回收配管π透過閥 31V連接於前述氣體时容器η之獅部、13之任一 之氣=收配管土下游側所構成。 在連接前述惰性氣體使用設備21、真空排氣裴置 爲道有害物質成分去除裝置23之配管，期望使用考慮了配 吕電11且口徑比較大之金屬配管，例如口徑5〇_程度 鏽f 方面，在由前述有害成分女除裝置23經過閥 25V至壓縮機26<含有惰性氣體排出絡徑25之配管，期 20053^^1 望為口徑12mm程度之配管。進一步，壓縮機26以後之 各配管，期望使用儘可能容積較小之配管。如此，按昭汽 過各配管中之惰性氣體之分壓選定各配管之口徑，通過^ 縮機而形成在全壓下，其壓力為大氣壓以上之以後，藉使 用小口徑配管，減少殘存於配管中之惰性氣體量，可二提 升惰性氣體之回收效率。 以下’使用氣體回收裝置說明在氣體回收容器n回收 鲁=性氣體之程序。首先，在氣體回收裝置連接氣體回收容 :11也就疋，將由前述氣體回收配管27連續之第1配 官31之下游端連接於氣體回收容器u之一方之接頭部 12。通常，此時全部之閥形成關閉狀態。 八接著，排放存在於配管路徑中之大氣成分。該大氣成 =之排放操作，即使為重複加壓與減壓進行間歇排放亦 ^，使載氣通氣於路徑内之通氣排放亦可。間歇排放宜重 複例士由閥32V導入載氣（例如氬與氮）並加壓路徑内之 操作、與藉關閉閥32V及打開閥33V以減壓路徑内之操 • 作。另外，通氣排放宜進行由閥32V—面導入載氣，一面 由閥33V排出之操作。進一步，將閥33v側之配管33連 ^於真m氣裝置(未圖示），即使真空排氣夾於閥i2v、 、32V、33V之路徑内亦可。另外，適度組合此等進行 排放處理亦可。如此，連接氣體回收容器U，在由回收用 t路徑内排放大氣成分之後，開始含有惰性氣體之排氣的 回收操作。 透過W述真空排氣裝置22排出之惰性氣體使用設備 22 ZU0534m〇c 21之排氣係被導入有害成分去除裝署 之有害成分，也就是，I化合物、氟=可以去除排氣中 峻、氫化物系氣體、氮氧化物系氣體系氣體、二氧化 除裝置23在連設於真空排氣裝置22\外，有害成分去 僅去除使活性碳15之吸附能力降低之古下知側時’使用不 除無法如此地就放出至大氣巾 <有*=害成分，亦可以去 裝置。 。成刀之有害成分去除

作為如此之有害成分去除裝置，觸媒分解方式斑電聚 分解方式、吸附方式雖適合，但宜按昭 /、 濃度選擇使用最適當者。另外，可?之成伤t ϋ + i ^ ju適度的組合使用多數 =成分去除裝置。-方面’除害裂置已經裝入惰性氣 t用設備21時’亦可以卸下_钱置交換成有害成分 ^除裝置23’在除害裝置的下游側即使設置新的有害成分 =除裝置23亦可。在除害裝置之下游側設置有害成分去除 衣置23時，排氣放出路徑24可以設置於有害成分去除裝 置23之上游側。 在此，作為與活性碳反應之氣體，可以舉出者有F2、 、Cl2、HQ、Br2、HBr、HI、SiF4、SiCl4、NF3、C1F3 等之i化物。另外，作為堆積活性碳使其喪失功能之氣體， 可以舉出者有 SiH4、Si2H6、GeH4、AsH3、PH3、B2H6、SeH2 等之金屬氳化物，BF3、BC13、WF6、PF3、AsF3、PC13 等 之金屬齒化物。作為妨礙氙與氪之吸附侧之氣體，可以舉 出者有 co2、cof2、c2f6、c2F4、c2F2、C3F6 等之碳氟化 合物類、NH3、NO、N02等。 23 在去除此等有害成分之有害成分去除I置Μ 述氟化物系氣體及金屬氟化物系氣體，可以使用觸 解方式。該觸媒熱分解方式係將含#ρί、ρ^、刀 婵，通當在400。上Λ 乳體接觸前述加熱觸 媒通吊在400C私度可以分解不分解之 ，體。為了促進分解，同時導入氧氣，積極二使 C〇F2等亦可。之後，使其與氧化銅及氧化銘劑使=^

化物與氧化物等之反應航應作去除。又，hf * f 不透過觸媒亦可以與前述反應劑反應作去除。另外，2 ^ 以使用m解方式。該電漿分解方式係在將氧氣導入 ICP電㈣之狀態，在賴下使被處理氣體通氣，產生π 離子與CF游離基，與Ca之氧化物與氫氧化物反應作去除。 .呢係加熱Si結晶塊在&上使呢反應分解，生成 S1F4與N2，以氧化銅及氧化鋁劑可以去除siF4。

金屬氫化物與金屬鹵化物可以藉與由氧化銅及氧化紹 劑所形成之去除劑之反應作去除。氨與氮氧化物係在加熱 之Pt觸媒上分解成N2與H2〇，藉使用沸石作為吸附劑之 TSA可以選擇的去除氨與h2〇。 以有害成分去除裝置23處理之惰性氣體中，當未包含 惰性氣體時，關閉含有惰性氣體排出路徑25之閥25V，打 開排氣放出路徑24之閥24V，將有害成分去除裝置23之 處理氣體排出至外部。當處理氣體包含惰性氣體時，則關 閉排氣放出路徑24之閥24V，打開含有惰性氣體排出路徑 25之閥25V，面向壓縮機26流動處理氣體(含有惰性氣體 24 2〇〇53ι4^°^0€ 耕氟）° 在壓縮機26 ’將含有惰性氣體排氣升壓至特定之壓力 例如〇.8MPa程度之壓力。已升壓之含有惰性氣體之排氣 藉打開閥31V及閥12V，通過閥31V流過氣體回收配管 27、31，通過接頭部12之閥12V被導入至氣體回收容器 U。而且’在壓鈿機26之前段與後段可以預先設置緩衝箱。

例如，在壓縮機26的前段藉設置緩衝箱，由有害成分 丧除裝置Μ排出之處理氣體量即使變動，亦可以安定處理 氣體升壓至特定壓力為止。在前述壓縮機26，雖可以適當 使用隔膜式，但不限制於此，只要是在處理氣體中未混入 大氣成分之氣密性較高之壓縮機亦可。 藉流*入含有惰性氣體之排氣，氣體回收容器u内之: 度上升’藉由該溫度上升使活性碳15之平均單位 =氣體量產生㈣。從而，使前述冷钱置3g作動，例 ^冷财藉使氣體时容器n冷卻至特定溫度，期望 c以下’可以有效地使惰性氣體吸附於活性碳15。’ 依^有惰性氣體之排氣的流入，氣 内之溫度上升依存於氣體流入量。例如，若以 升將含有惰性氣體排氣導’刀、’里 度以每分鐘約1。。K 4 一 則吸附如 r C上升。错此，活性碳15之溫声芸卜 ，則吸附之情性氣體量約減少15%。 , 乳體回收容器u冷卻保持至25。〇 】精面， 可以防止平妁息如/ 土 面$入氣體，〕 句母早位重量之吸附氣體量的減少。 另外，含有惰性氣體之減減體叫容器u導 25 20053·^ 時，一面以壓力計29測量壓力，一面作成特定之壓力上升 速度，藉導入含有惰性氣體之排氣至氣體回收容器^，利 用冷卻裝置30可以更容易進行氣體回收容器u ^溫度保 持，且即使不將過剩的冷卻水量導入冷卻裝置3〇亦;=保 持溫度，可以削減無謂能源之浪費。 ” 在氣體回收容器11導入含有惰性氣體排氣之初期， 由於導入之氣體幾乎大部分吸附於活性;^炭15，以壓力計Μ 測量之壓力雖為大氣壓以下，但藉持續導入氣體，壓力會 • 慢慢地上升。當對活性碳之吸附氣體量飽和時，以壓力^ 29測量之壓力由於形成與壓縮機26之吐出壓力例如^8 MPa同^所以可以容易判斷氣體回收之完成，也就是形 成將特疋i之έ有惰性氣體之排氣加壓充填於氣體回收容 态11内之狀悲。又，若依據該程序，可以將按照惰性氣體 濃度之惰性氣體量回收至氣體回收容器U。 、在氣體『收容器11内也可以濃縮惰性氣體使回收量 增大。也就是，含有惰性氣體之排氣於導入初期雖與前述 φ 之私序相同，但氣體回收容器η内之壓力形成大氣塵以上 之後’適度地打開未連接於氣體回收配管27之閥ΐ3ν，由 接頭口Ρ 13將氣體回收容器u内之部分氣體放出至外部。 此時旦在接頭部13藉預先連接氣體流量計測控制裝置，例 如/爪里片與針閥，可以控制由氣體回收容器U纟出之氣體 流量。 …由^回收容II u放出之氣體流量，雜導入於氣 體回收合為11之含有惰性氣體之之排氣中惰性氣體的種 26 20053^¾^^ ，及濃度而不同，但惰性氣體為线，其濃度為5〜娜 導入之氣體流量由1/3〇至1/5之範圍較適當。也就是， 在该方法，與氙相比較較難吸附於活性碳15之難吸附成 分，由於由氣體回收容器11選擇地放出至外部，所以在氣 體回收，ϋ 11内可以提高回收之⑽濃度。最後，與前述 ，樣將氣體回收容器11内之壓力形成與壓縮機26之吐出 壓力同等時作為終點。又，即使惰性氣體為氪時也略相同。 此外，惰性氣體使用設備21為反應性離子蝕刻裝置 時，在有害成分去除裝置23中，雖特別去除氟化物系 體’但例如惰性氣體使用設備2卜即使為氮化膜形成裝^ 與氧氮化膜形成裝置時，亦可以僅藉變更有害成分去除骏 置23，以同樣之程序將含有惰性氣體之排氣回收至氣體句 收容器11。也就是，有害成分去除裝置23宜按照來自^ 性氣體使用設備21之排氣成分加以選擇，宜由排氣中去^ 使活性碳15之吸附能力降低之有害成分之氟化合物、氟: 物系氣體、二氧化碳、氫化物系氣體、氮氧化物系氣體。 圖3係將回收至氣體回收容器u之含有惰性氣體之 排氣導入惰性氣體分離精製設備，且在分離精製惰性氣辦 時，較適合之本發明之氣體導出裝置之一實施例之系統圖, 氣體導出裝置係包含氣體回收配管4卜排放裝置吣、 真空排氣裝置43、氣體導入路徑47、加熱裝置⑽及氣沪 ，環路徑49。氣體回收配管41，其係連接於前述氣體回^ 谷态11之接頭部12、13之任一個。排放裝置42，其係用 以排放氣體回收配管41内之空氣成分。真空排氣裝置43, 27 20053_doc J係2前述氣體回收容器u内之含有惰性氣體之排氣導 出至前述氣體回收配管41之氣體導出裝置。氣體導入路徑 其係將以真空排氣裝置43導出之含有惰性氣體之: 以壓賴45升駐特定壓力並導人惰性氣體分離精製 二備46。加熱裝置48，其係加熱前述氣體回收容器u。 ，體循環路徑49，其係用以將由氣體回收容器11之接頭 部12、13之一方導出之氣體再度循環導入至氣體回收容器 11之接頭部12、13之另外一方。 ® 前述排放裝置42係組合具有閥51V、52V、53V之3 條配官51、52、53而形成，第1配管51係連接於前述氣 ，回收容器11之接頭部12、13之任一部者，且構成前述 氣體回收配管41之一部。另外，在氣體回收配管41按照 需要設置導電性調整閥54與惰性氣體濃度計測裝置55， 在氣體導入路徑47設置著壓力計56。 前述氣體循環路徑49係連接氣體導入路徑47與氣體 回收容器11之接頭部12、13之任一之間者，且由配管中 | 途或各配管分歧設置著配管57、配管59、閥57V及閥 61V、62V、63V、64V。配管57,其係由氣體導入路徑47 之閥47V的上游分歧。配管59，係透過貯留箱58連接於 配管57。閥57V，其係設置於前述配管57,用以使氣體循 環至氣體循環路徑49。閥61V、62V、63V、64V，其係使 用於氣體循環路徑49内之排放與用以導入為了壓出氣體 回收容器11内之氣體之載氣。 在前述惰性氣體分離精製設備46,按照其處理量等之 28 2005^0^oc 條件可以選擇深冷分離法、吸附分離法、膜分離法之任一 種方法’也可以使用組合此等之設備。另外，前述加熱裂 置48可以為由外部加熱氣體回收容器11者，可使用能加

熱氣體回收容器11至100〜500°C、較佳的是200〜300QC 之加熱器等。前述惰性氣體濃度計測裝置55只要為可以1 %的精度計測氣體中之惰性氣體即可，雖可以使用任意之 。十測方式’但以利用熱傳導計測法與質量分析法等之計測 裝置較適當。 鲁 ^ *導出回收至氣體回收容器11之含有惰性氣體之排 氣’ t先在全部關閉各閥之狀態，將前述氣體回收配管41 之配官51連接於氣體回收容器11之一方之接頭部13。另 外，將氣體循環路徑49之配管59連接於另外一方之接碩 部12。接著，進行配管51内之大氣成分之排放。該大氣 成分之排放操作即使以重複加壓與減壓間歇排放來進行亦 可’即使以使載氣通氣至路徑内之通氣排放來進行亦可。 卜間歇排放宜重複例如由閥52V導入載氣（例如氬與 φ 氮）並於路徑内進行加壓操作，並藉由關閉閥52V與打開 闕53V於路徑内進行減壓操作。另外，通氣排放宜一面由 閥52V導入載氣，一面進行由闕53V排出之操作。進一步， 將閥53V側之配管53連接於真空排氣裝置(未圖示），即使 真空排氣夾於閥13V、Slv、52V、53V之路徑内亦可。另 外，即使適度組合此等進行排放亦可。 、氣體回收容器11之連接與系統内之大氣成分之排放 完成之後，打開閥13V及_ 51V，透過真空排氣裝置43 29 20053^¾^ 導出回收於氣體回收容器11内之含有惰性氣體之排氣，以 壓縮機45升壓。此時，藉適度調整導電性調整閥54之開 口大小，可以將由氣體回收容器11朝真空排氣裝置43流 動之氣體量置於特定值。 在氣體回收容器11内，由於以例如〇.8MPa加壓充填 含有惰性氣體之排氣，所以由氣體回收容器11導出氣體之 後不久，藉與配管内之壓力差，大量之氣體由氣體回收容 器11流出至配管内。一方面，氣體回收容器11内之壓力 若形成大氣壓或減壓狀態，則來自氣體回收容器U之氣體 流出量減少。也就是，依來自氣體回收容器η之氣體流出 時間，其流出量大幅地變化。 為了將氣體流出量作成略特定，藉以壓力計56計測 之壓力調節導電性調整閥54之開度，若調整成略一定之氣 體流出量，則在更安定之狀態可以運轉真空排氣裂置43 及壓縮機45。另外，若使用可以將由減壓狀態之氣體回收 容器11導出之氣體升壓至例如〇.9MPa程度為止者作為壓 縮機45，則可以以1台壓縮機兼用為真空排氣裝置杓與 壓縮機45。 ^ 以壓縮機45升壓之含有惰性氣體之排氣，係以惰性 氣體濃度計測裝置55 —面計測惰性氣體濃度_面導入惰 性氣體分離精製設備46。此時，由氣體回收容器η内開 始導出氣體之後不久，對於活性碳15，難吸附成分之氯、 氮、氧等成分之濃度與惰性氣體相比較，由於變得較高， 所以在真空排氣裝置43的下游側，期望設置緩衝箱圖 30 20053i4^〇Jild〇c 示)使惰性氣體的濃度安定化。 另外，當惰性氣體之濃度較低時，關閉氣體導入路徑 47之閥47V，打開配管57之閥57V，將由氣體回收容器 11導出之氣體導引至氣體循環路徑49，導入貯留箱58暫 時貯留，當由氣體回收容器11導出之氣體之惰性氣體濃度 形成特定濃度以上時，關閉閥57V並打開閥47V，藉將由 氣體回收容器11導出之氣體導入至惰性氣體分離精製設 備46，可以將導入惰性氣體分離精製設備46之氣體之惰 性氣體濃度作成特定濃度以上。 而且，隨著氣體的導出，氣體回收容器11内之壓力 變低，吸附於活性碳15之惰性氣體若開始脫離，則由於由 氣體回收容器11導出之氣體中之惰性氣體濃度變高，所以 此時打開閥57V將貯留箱58内之氣體混合至由氣體回收 容器11導出之氣體，藉導入惰性氣體分離精製設備46， 可以使導入惰性氣體分離精製設備46之氣體之惰性氣體 濃度安定化。 進一步，在貯留箱58，當貯留惰性氣體濃度處於較低 之狀態時，打開配管59之閥62V與接頭部12之閥12V， 藉使貯留箱58内之氣體循環導入氣體回收容器11，利用 活性碳15與活性碳空間部之惰性氣體濃度差，有效率地使 吸附於活性碳15之惰性氣體脫離並由氣體回收容器11導 出。另外，貯留箱58内之氣體量較少時與貯留箱58内之 氣體之惰性氣體濃度比特定濃度高時，由閥63V、64V等 以他法導入載氣例如氬與氮等亦可。 20053編 一方面，當由氣體回收容器11導出含有惰性氣體之 排氣時，利用前述加熱裝置48，藉將氣體回收容器11加 熱至300°C程度，使吸附於活性碳15之惰性氣體之絕大部 分脫離，以由氣體回收容器11導出。 由氣體回收容器11完成氣體導出，係可以藉惰性氣 體濃度計測裝置55計測之惰性氣體濃度與以他法設置之 壓力計測定之氣體回收容器11内之壓力加以判斷。例如， 當以惰性氣體濃度計測裝置5 5計測之惰性氣體濃度成為 特定濃度以下時，且當加熱至300°C之氣體回收容器11内 之壓力成為l〇〇Pa以下時，藉完成由氣體回收容器11之氣 體的導出，回收於氣體回收容器11内之惰性氣體成分幾乎 可以全部導出。 如以上說明，使用内藏活性碳15之氣體回收容器11， 將由反應性離子蝕刻裝置與氮化膜形成裝置、氧氮化膜形 成裝置、其他之惰性氣體使用設備21所排出之含有惰性氣 體之排氣，回收至連接於附設在惰性氣體使用設備21之氣 體回收裝置之氣體回收容器11内之後，將該氣體回收容器 11連接於附設在惰性氣體分離精製設備之氣體導出裝 置，導出回收於氣體回收容器11内之含有惰性氣體之排 氣，並導入惰性氣體分離精製設備，藉以惰性氣體分離精 製設備分離精製，可以更有效率地再利用貴重之惰性氣體。 另外，以深冷分離進行惰性氣體之分離精製時，氙與 氪之沸點與氮與氬之沸點相比較，有30〜85°C的差異，所 以能以少許之能源分離精製惰性氣體與其以外之成分。而 32 2005^m〇c 性翕二離時’由於可以在液體狀態得到分離精製之惰 性2 也能以更少的空間大量保存分離精製後之惰 與義’含有惰性氣體之排氣巾之惰性氣體(氣與氣） 性碳之其他排氣成分相比，藉吸附於容易吸附之活 “中之惰將導人惰性氣體分離精製設備之 離精f 成％位_高之濃度，所以與分 氤與氪 之氣與氪時相比，可以極有效率地分離精製 將未二卜卜:在，惰性氣體使用設備21排*之排氣中，藉 回收^體之職放$至外部，可喊惰性氣體之 惰：ΐί升。進一步，在氣體回收容器11，於回收含有 使活H排氣前，以有害成分去_置23由排氣中去除 石炭15之^之吸附能力降低之有害成分，所以可以使活性 量之=_之韻能力充分地發揮，以_回收預定 山而且，由於可以長期地重複使用氣體回收容 -11另以可以減低含㈣性氣體排氣之回收成本。 於可▲性氣體力喊精製設備精製之惰性氣體，由 性充填於氣體容器使用’所以-般可與流通之惰 【實Si樣處理，也可利用各種惰性氣體使用設備。 使用所繪示，在内容積8升之密封容器14之内部， 吸附ΐ真，活性碳15之氣體回收容器η，測定山气的 Hi先，為了排放氣體回收容器 33 200531^〇|i|doc 在氣體回收容器11的周圍盤繞加熱器，一面加熱至 300°C，一面由一方之接頭部12以1升/分導入氬，而且由 另外一方之接頭部13進行真空排氣。該狀態繼續12小時 之後，關閉一方之閥12V以停止氬的導入，真空排氣至氣 體回收容器11内之壓力成為lOOPa為止。之後，停止氣體 回收容器11之加熱，冷卻至25°c。 在氣體回收容器11内，導入氙50%、氬50%之混合 氣體，計測其總導入量與氣體回收容器11内之壓力。其結 果，當前述混合氣體導入氣體回收容器11内至lOOkPa之 壓力為止時，確認了氙226升吸附於活性碳15。 【實施例2】 在圖2所繪示之氣體回收裝置連接氣體回收容器11 測定了惰性氣體之回收量。在氣體回收容器11，在内容積 47升之密封容器14内，充填了 20kg活性碳15。而且，氣 體回收容器11係與實施例1同樣進行排放操作。 在惰性氣體使用設備21，以1升/分之流率導入氙使 其產生電漿，且以真空排氣裝置22作真空排氣。此時，以 1升/分導入氬作為真空排氣裝置22之排放氣體，而且導 入0.5升/分之氬作為有害成分去除裝置23之排放氣體。 從而，壓縮機26形成以2.5升/分加壓含40%氙之氬之狀 態。 一面將以壓縮機26加壓之氣體，導入氣體回收容器 11，此氣體回收容器11以冷卻裝置30控制溫度在25°C， 一面藉壓力計29監視壓力變化。其結果，從氣體朝氣體回 34 20053i4S)}iii〇c 收容器11導入開私的〇 ^ _ ..u ^ 開始、力2小時，雖為大氣壓以下，但其後p 為1250升。勺仙里，可預估氣體回收容器11内之氙量 ，且，氣體回收容器u之溫度不控制在25χ：時， ^朝氣體，收容器11《導人開始後不久’溫度慢慢地上 、’1小^上升至35〇C程度，壓力形成略等同於大氣壓。 進步’氣體回收容器U之壓力及溫度同時上升，⑴ 2、時到，0.8MPa ’此時之溫度形成為贼。由該時間與

乱的流量’可以預估氣體回收容器11内之4量為810升、。 【實施例3】 V —在圖3所綠示之氣體導出裝置，連接在回收1250升 之氣之，體回收容器11 (如實施例2中所示），測定了氣 之導出量。在氣體導出裝置之真空排氣褒置43為真命果， 於歷a時之排氣速度為1〇〇〇m3/時，且在壓縮機衫工卜 由大氣壓升壓至〇.8MPa時可以吐出4〇升/分之氣體。^ 外’惰性氣體》辰度計測裝置55為熱傳導式。 ' 一面將氣體回收容器U加熱至30(rc，一面由氣體回 收容器11 f出氣體，在計測該氣體中之氣濃度時 出開始後10分鐘氙幾乎無法檢測出來，進一步，麫過⑺ 分鐘之後氤濃度形成約20%。之後，氙 %之最大值，慢慢的減少在約41%形成特^值升7成 【實施例4】 ^ 在實施例3中，開始導出氣體後2〇分鐘，由氣體回 35 20053i49)Jif]d〇c 收容器11導出之氣體，貯留於貯留箱58。之後，將由氣 體回收容器11導出之氣體導入惰性氣體分離精製設備 46，進一步經過20分鐘後，將貯留於貯留箱58之氣體通 過氣體循環路徑49，由與氣體回收容器11之氣體導出側 相反方向之接頭部12循環導入氣體回收容器11内，而且 以20升/分將氬由閥63V導入氣體循環路徑49内。 依據導入惰性氣體分離精製設備46之氣體之氙濃度 之計測值、導入流量及時間，算出由惰性氣體回收容器11 導入惰性氣體分離精製設備46之氙量約為1，235升。此乃 顯示著吸附於氣體回收容器11内之活性碳15導出回收之 氙之98.8%，可以導入惰性氣體分離精製設備46。 又，不加熱氣體回收容器11導出氣體的情形，溫度 由開始導出氣體之後不久開始降低，10分鐘過後由初期溫 度25°C降低至20°C，經過20分鐘後降至13°C。之後，氣 體藉由氣體循環路徑49循環導入氣體回收容器11，溫度 上升，在22°C形成略特定值。 依據此時之氙濃度之計測值、導入流量及時間，算出 由惰性氣體回收容器11導入惰性氣體分離精製設備46之 氙量約為1，120升。此乃顯示著吸附於氣體回收容器11内 之活性碳15導出回收之氙之89.6%，可以導入惰性氣體 分離精製設備46。 【圖式簡單說明】 圖1係繪示本發明之惰性氣體回收容器之一實施例之 說明圖。 36 20053娜 doc 圖2係繪示本發明之惰性氣體回收容裝置之一實施例 之系統圖。 圖3係繪示本發明之惰性氣體導出裝置之一實施例之 糸統圖。 【主要元件符號說明】 11 :氣體回收容器 12、13 :接頭部 12V、13V :開關閥 # 14 :密封容器 15 :活性碳 16a、16b :過濾器 21 :惰性氣體使用設備 22 :真空排氣裝置 23 :有害成分去除裝置 24 :排氣放出路徑 25 :含有惰性氣體之排氣路徑 I 26 :壓縮機 27 ··氣體回收配管 28 :排放裝置 29 :壓力計 30 :冷卻裝置 31、32、33 :配管 31V、32V、33V :閥 41 :氣體回收配管 37 2005^m 42 :排放裝置 43 :真空排氣裝置 45 :壓縮機 46 :惰性氣體分離精製設備 47 :氣體導入路徑 48 :加熱裝置 49 :氣體循環路徑 51、52、53 :配管 • 51V、52V、53V :閥 54 :導電性調整閥 55 :惰性氣體濃度計測裝置 56 :壓力計 58 :貯留箱 61V、62V、63V、64V :閥

Claims (1)

1. 20053^49〇JiAi( 20053^49〇JiAi(

   之含有惰性氣體之排氣並作回收，當將回收至氣體回收] 器内之含有惰性氣體之排氣導人惰性氣體分離精 '製設」 時’藉由將前述氣體回收容器内部進行減壓，使吸附於〕 述f性，之惰性氣體解吸，絲體时容11内導出解吸4 之心性氣體並導人前述惰性氣體分離精製設備。

   十、申請專利範圍： ι·一種使用氣體回收容器之惰性氣體回收方法，其係 回收由惰性氣體使用設備所排出之含有惰性氣體之排氣， 將回收之含有惰性氣體之排氣導入惰性氣體分離精製設備 以分離精製惰性氣體時’當回收由前述惰性氣體使用設備 所排出之含有惰性氣體之排氣時，預先由前述含有惰性氣 體之排氣去除使吸附惰性氣體之活性碳之吸附能力降低之 有害成分後’透過開關閥在具有可以連接於氣體配管之接 頭部之密封容裔的内部，在内藏吸附惰性氣體之前述活性 碳之氣體回收容器内，加壓充填前述有害成分去除處理後 惰性範工之使用氣體回收容器: 物系氣體、二氧切％ =:成分為由氟化物， 組成之族群。反虱匕物系我體及氮氧化物系氣體卢 置，體回收至氣體回收容器内之氣體回收! 之密封有可以連接於氣體配管之姉 之氣體回收容M 讀性氣體之前述活性赛 之含有惰絲ί之;^ 填㈣減體使肖設備所排出 豆卜軋亚作回收，當將回收至該氣體回收 39 ϊ器==口=導入惰性氣體分離精製設備 出之=:，當; 性氣二其係刪氣中存在有惰 有害成分去除裝置，其係由含有 去除使㈣活性唆之吸附能力降低之有害成$排乳中， ，縮機’其係㈣加壓含有惰性氣體之 ‘[月性氣體之排氣已由該有害成分去除 有^有 氣體配管，其係流動著加壓後之含有成分； 氣，該氣體配管之下游側連接於前述氣體“=排 部；以及 令™之接頭 排放裝置，其係用以排放該氣體配管内之空々八 /4.-種由氣體的回收容器排出氣體之氣二=° 其係透過開關間在具有可以連接於氣體配管 =， 封容器的内部’在内藏吸附著惰性氣體之前述密 體回收容器内，加壓充填由惰性氣體使用設 有惰性氣體之排氣並作回收，當將回收至該氣體 ^ 内之含有惰性氣體之排氣導人惰性氣體分離精製 ^ 使用於用以將回收至前述氣體回收容器内之含 ^ 排氣導入惰性氣體分離精製設備，其舰在於^性氣韻 20053]4^〇]lild〇c 氣體配管，其係連接於前述氣體回收容器之接頭部； 排放裝置，其係用以排放該氣體配管内之空氣成分； 氣體導出裝置，其係用以將前述氣體回收容器内之含 有惰性氣體之排氣導出至前述氣體配管；以及 氣體導入路徑，其係將以該氣體導出裝置導出之前述 含有惰性氣體之排氣導入至前述惰性氣體分離精製設備。