WO2021167218A1 - 가스 포집 시스템 및 가스 포집 방법 - Google Patents

가스 포집 시스템 및 가스 포집 방법 Download PDF

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WO2021167218A1
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gas
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rare
rare gas
waste
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PCT/KR2020/018429
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안병훈
권호준
김성환
노범래
권순환
김태현
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(주)한양기술공업
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    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B01D—SEPARATION
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    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/77—Liquid phase processes
    • B01D53/78—Liquid phase processes with gas-liquid contact
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere

Definitions

  • the following description relates to a gas collection system and a gas collection method using the same.
  • an etching process may be largely classified into two types according to an etching method.
  • One is wet etching in which a target material is selectively etched by a chemical reaction or dissolution of a reaction solution.
  • the other is dry etching in which a target material is selectively etched by a chemical reaction of a reactive gas or a physical means.
  • Dry etching is an etching method widely used because it has excellent etching accuracy and relatively easy to control the process compared to wet etching.
  • an inert gas such as argon (Ar) or helium (He) is included in the reaction gas to improve process precision.
  • xenon Xe
  • the anisotropy of the process can be further improved, and the process efficiency can be increased.
  • xenon is a rare gas, the amount obtained by air separation is very small, and there is a problem that it is very expensive.
  • the conventional semiconductor processing system that is not equipped with a rare gas-only recovery device has a problem in that competitiveness is lowered in terms of cost.
  • the structure in which the rare gas recovery device is provided together with the semiconductor processing system has a risk of affecting the semiconductor process when the recovery device is operated.
  • An object of the embodiment is to provide a gas collection system and collection method for collecting and reusing expensive rare gas after use.
  • a gas collection system includes a semiconductor processing unit including a gas supply module for supplying a rare gas and a process chamber module for accommodating the rare gas, a gas collection unit for collecting waste gas discharged from the semiconductor processing unit, and and a gas purification unit for removing harmful substances from the waste gas, wherein the gas collection unit is provided independently of the semiconductor processing unit, and is provided at the front or rear end of the gas purification unit to collect the waste gas containing the rare gas.
  • a gas collection system includes a process chamber module, a gas supply module including a rare gas supply source for supplying a rare gas to the process chamber module, and a process gas supply source for supplying a process gas for a process, and the process chamber a gas collection unit for collecting waste gas discharged from the module, and a rare gas supply control device between the process chamber module and the rare gas supply source, wherein the gas collection unit includes the rare gas supply control device under the control of the rare gas supply control device. Waste gas containing gas is selectively collected.
  • a gas collection system includes a gas supply module that provides a gas including a rare gas, a process chamber module in which a process is performed using the gas, and a harmful gas other than the rare gas among waste gases discharged from the process chamber module It is configured to include a gas purifying unit for removing substances, and a gas collecting unit disposed at a rear end of the gas purifying unit and collecting waste gas including the rare gas.
  • the gas collection unit may include a compressor for compressing the waste gas, and the compressor may compress the waste gas at a pressure of up to 10,000 psi.
  • the gas collection unit may include at least one collection tank for storing the waste gas, and the collection tanks may be arranged in parallel.
  • a rare gas supply control device is further included between the gas supply module and the process chamber module, and the rare gas supply control device may include at least one of a mass flow controller and a valve.
  • the rare gas supply control device may further include a collection valve for controlling whether the waste gas is collected, and the opening and closing of the collection valve may be controlled according to the control of the rare gas supply control device.
  • the gas collection method includes a process step of performing a process using a gas including a rare gas, and a gas collection step of collecting waste gas discharged after the process step, before the gas collecting step Or, thereafter, further comprising a purification step of removing the harmful substances of the waste gas.
  • a gas collection method includes a rare gas control step of controlling the supply flow rate of the rare gas, a process step of performing a process using the gas containing the rare gas, and according to the control of the rare gas control step, and a gas collection step of selectively collecting waste gas discharged after the process step.
  • a gas collection method includes a process step of performing a process using a gas containing a rare gas, a purification step of removing harmful substances excluding the rare gas from the waste gas discharged after the process step, and the purification After the step, a gas collection step of collecting the waste gas including the rare gas is included.
  • the rare gas supply control device and the collection valve it is possible to selectively collect gas only when the rare gas is used and to improve the collection efficiency.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a gas collection system according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a flowchart illustrating a gas collection method according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating a modified example of the gas collection method of FIG. 2 .
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a gas collection method according to another embodiment.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating a modified example of the gas collection method of FIG. 4 .
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating another modified example of the gas collection method of FIG. 4 .
  • first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the components from other components, and the essence, order, or order of the components are not limited by the terms.
  • a component is “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but another component is between each component. It will be understood that may also be “connected”, “coupled” or “connected”.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a gas collection system 1 according to an embodiment.
  • a gas collection system 1 includes a semiconductor processing unit 2 , a gas collection unit 3 , and a gas purification unit 4 .
  • the semiconductor processing unit 2 includes a gas supply module 20 for supplying the rare gas and a process chamber module 21 for accommodating the rare gas.
  • the rare gas means a gas having a very small amount in the air, and is used in the same sense as the rare gas.
  • the rare gas may be a gas including at least one selected from the group consisting of xenon (Xe), krypton (Kr), and neon (Ne).
  • the rare gas may be a gas composed only of xenon (Xe) or a compound including xenon (Xe) and krypton (Kr).
  • the gas supply module 20 may include a rare gas supply source 200 for supplying a rare gas and a process gas supply source 201 for supplying a process gas for a process.
  • the process may be a dry etching process in which a target material is selectively removed by a chemical reaction or a physical means using a reactive gas during a semiconductor manufacturing process.
  • the process gas may include CF 4 , C 3 F 8 , C 4 F 6 , NF 3 and SiF 4 mainly used in the etching process, and the process gas is not limited to the above-described examples.
  • a process may be performed using the gas supplied from the gas supply module 20 .
  • the semiconductor processing unit 2 may further include a rare gas supply control device 22 between the gas supply module 20 and the process chamber module 21 .
  • the rare gas supply control device 22 may be provided on one side of the supply pipe of the rare gas supply source 200 in the gas supply module 20 .
  • the position where the rare gas supply control device 22 is provided is not limited to the drawings.
  • the rare gas supply control device 22 may be provided anywhere between the gas supply module 20 and the process chamber module 21 at any position capable of controlling the supply of the rare gas.
  • the rare gas supply control device 22 may include at least one of a mass flow controller or a valve.
  • the rare gas supply control device 22 may be remotely controlled automatically or manually in conjunction with an external server.
  • the discharged waste gas may be collected by the gas collection unit 3 .
  • the gas collection unit 3 may be provided independently of the semiconductor processing unit 2 including the gas supply module 20 and the process chamber module 21 . Since the gas collecting unit 3 is provided independently of the semiconductor processing unit 2 , the manufacturing process of the semiconductor processing unit 2 can be independently secured. For example, when a process change for waste gas collection is required, the process of collecting the semiconductor processing unit 2 may be maintained, but the collection process may be changed by controlling only the independently provided gas collection unit 3 . In addition, by independently providing the gas collecting unit 3 , it is possible to secure the degree of freedom in arrangement of the gas collecting unit 3 while maintaining the existing process system. In addition, since it is possible to detach and transport the gas collecting unit 3 immediately after collecting the gas, the overall process efficiency may be improved.
  • At least one gas collection unit 3 may be provided by being connected to a pipe through which the waste gas moves. As a plurality of gas collection units 3 are provided, it is possible to increase the collection efficiency of waste gas within the same time period. In addition, in order to efficiently collect the waste gas, the gas collecting unit 3 may be made in a vacuum state.
  • the gas collection unit 3 may include a compressor 30 for compressing the waste gas in order to increase the waste gas collection efficiency.
  • the compressor 30 can compress the waste gas to a pressure of up to 10,000 psi. Since the gas collection unit 3 is required to move after collecting the waste gas, when the waste gas is compressed to a pressure of 10,000 psi or more, a safety risk may occur. Therefore, in consideration of the safety of the gas collecting unit 3, the maximum pressure of the compressor 30 is preferably 10,000 psi.
  • the gas collection unit 3 may include at least one collection tank 31 for storing waste gas.
  • each collection tank 31 may be arranged in parallel with each other.
  • the collection tank 31 is arranged in parallel, it is possible to provide an effect that the maintenance of the collection tank 31 is easy. Specifically, by arranging the collection tank 31 in parallel, the collection tank 31 that has collected the waste gas and the collection tank 31 prepared for new collection can be easily exchanged.
  • the waste gas discharged from the semiconductor processing unit 2 may be removed from harmful substances by the gas purification unit 4 .
  • the position of the gas purifying unit 4 is not limited by the drawings, and may be provided at the front or rear end of the above-described gas collecting unit 3 .
  • the gas collection unit 3 may collect waste gas in which harmful substances other than the rare gas are removed and the purity of the rare gas is increased.
  • the gas collection unit 3 may collect the waste gas discharged from the semiconductor processing unit 2 as it is.
  • the gas purification unit 4 may remove harmful substances other than the rare gas among the waste gases.
  • the gas purification unit 4 may remove toxic gases including Cl 2 , HCl, PF 3 , HF, HBr and SiCl 4 .
  • the gas purification unit 4 may remove oxidizing gases such as NO 2 and O 2 , and may also remove combustible gases including SiH 4 , PH 3 , B 2 H 6 and H 2 S.
  • SF 6 , NF 3 , F 4 , C 2 It is possible to remove harmful environmental gases of PFC (Perfluorocompounds) including C 2 .
  • the gas purification unit 4 may purify the waste gas by at least one of dry purification, wet purification, combustion purification, adsorption purification, and plasma purification.
  • Dry purge can purify waste gas using gas thermal reaction, which is relatively safe and easy to control temperature.
  • Wet purification can efficiently remove water-soluble harmful substances or easily purify a gas in its capacity.
  • the combustion-type purification can purify the waste gas with high efficiency as purification proceeds at a high temperature.
  • the adsorption type purification is used, little energy is consumed and the purification can be performed easily in management.
  • the adsorbent may include at least one of silica gel, alumina, zeolite, and activated carbon having a size of 0.5 to 3.0 mm.
  • Plasma purification can easily remove mainly PFC-based gases.
  • At least one of the above-described purification means purifies the waste gas, and it is possible to efficiently remove harmful substances from the waste gas.
  • the gas collection system 1 may further include a collection valve 32 for controlling whether or not waste gas is collected.
  • the collection valve 32 may be controlled to open and close only when the rare gas is included in the gas supplied from the gas supply module 20 . When the gas supply module 20 does not contain the rare gas, the waste gas is not collected, and the collection process efficiency can be improved.
  • the collection valve 320 may be provided at the front end of the gas purification unit 4 to control collection so that the gas before the harmful substances in the waste gas are removed is collected in the gas collection unit 3 .
  • the collection valve 321 may be provided at the rear end of the gas purification unit 4 to control collection so that the gas containing only the rare gas is collected by the gas collection unit 3 after harmful substances are removed.
  • a plurality of collection valves 32 are provided at the front or rear ends of the gas purification unit 4 , and may be provided to prepare for any one failure.
  • the collection valve 32 is controlled to open and close the valve according to the control of the rare gas supply control device 22 .
  • the collection valve 32 may be That is, when the collection valve 32 receives a control signal from the rare gas supply control device 22 , the collection valve 32 may be opened and closed.
  • the collection valve 32 may be opened and closed after receiving a control signal from the rare gas supply control device 22 , and after a predetermined time elapses.
  • the collection valve 32 when the collection valve 32 does not receive the control signal of the rare gas supply control device 22 , the collection valve 32 may not be opened or closed. In this way, according to the control signal received by the collection valve 32, the waste gas can be selectively collected only when the rare gas is included, thereby increasing the gas collection efficiency. In addition, the purity of the rare gas included in the collection gas may be increased.
  • FIG. 2 is a flowchart illustrating a gas collection method according to an exemplary embodiment
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating a modified example of the gas collection method of FIG. 2 .
  • the gas collection method includes a process step (S10) of performing a process using a gas containing a rare gas and a gas collection step (S11) of collecting the waste gas discharged after the process step.
  • the rare gas may be a gas including at least one selected from the group consisting of xenon (Xe), krypton (Kr), and neon (Ne).
  • gas may be supplied from the gas supply module 20 including the rare gas supply source 200 and the process gas supply source 201 to the process chamber module 21 .
  • a process may be performed using the supplied gas.
  • the gas collection step ( S11 ) of collecting the waste gas discharged after the process step ( S10 ) may be a step performed in the gas collection unit 3 provided independently of the semiconductor processing unit 2 where the process takes place.
  • the gas collecting step ( S11 ) may be a step of collecting gas in at least one or more collecting tanks 31 provided in the gas collecting unit 3 .
  • the compressor 30 it may be a step of compressing and collecting the waste gas at a pressure of up to 10,000 psi.
  • the gas collection method may further include a purification step (S12) of removing harmful substances from the waste gas after the gas collection step (S11).
  • the purification step (S12) may be a step of removing harmful substances from the waste gas including at least one of dry purification, wet purification, combustion purification, adsorption purification, and plasma purification.
  • the purification step ( S12 ) may be performed before the gas collection step ( S11 ).
  • the waste gas discharged from the process may be collected as it is in the gas collection step ( S11 ).
  • the purification step ( S12 ) takes precedence over the gas collection step ( S11 )
  • harmful substances other than the rare gas are removed in the gas collection step ( S11 ) and the purity of the rare gas is increased. Waste gas can be collected.
  • the above-described gas collection step ( S11 ) may be a step of controlling whether waste gas is collected or not according to the determination result of whether or not the rare gas is supplied.
  • the gas collection method may further include a rare gas control step (S100) of controlling the supply flow rate of the rare gas before the process step (S10) of performing the process.
  • the rare gas control step S100 may be a step in which the supply flow rate of the rare gas is controlled by the rare gas supply control device 22 of the gas collection system 1 .
  • the rare gas control step (S100) may include a process step (S10).
  • a step (S13) of determining whether or not the rare gas is supplied may be further included.
  • the step of determining whether or not the rare gas is supplied ( S13 ) may be a step of receiving the control signal of the rare gas control step ( S100 ) and determining whether to supply the rare gas according to the received result.
  • the control signal is transmitted from the rare gas supply control device 22 and the control signal is received from the collection valve 32 that controls the collection of waste gas. It may be a step to Here, the control signal may be a signal transmitted/received through an internal server of the gas collection system 1 or a signal transmitted/received through an external server.
  • the collection valve 32 does not receive the control signal for supplying the rare gas, the collection valve 32 is not opened and closed, and the gas collection method is terminated.
  • the collection valve 32 may include a step of opening and closing ( S14 ).
  • the time point at which the collection valve 32 is opened and closed may be immediately upon receiving the control signal or may be a time point after a predetermined time has elapsed.
  • a gas collection step of selectively collecting waste gas containing rare gas according to the determination result of whether or not the rare gas is supplied. (S11) may be included. In this way, by determining whether or not the rare gas is supplied (S13) and opening and closing the collection valve 32 according to the determination result, the gas collection efficiency can be improved.
  • a purification step (S12) of removing harmful substances from the waste gas may be further included.
  • the purification step (S12) may be included before the step (S13) of determining whether or not the rare gas is supplied, as shown in FIGS. 5 and 6 .
  • the collected rare gas may be reused as it is, or may further include a step of mixing with other gases before being reused.
  • the method may further include a transportation step (not shown) in which the gas collection unit 3 in which the gas is collected is directly desorbed and transported.
  • a gas collection unit 3 independently provided from the semiconductor processing unit 2, a gas purification unit 4 for removing harmful substances from the waste gas, and a rare gas supply control device 22 for controlling the supply of the rare gas are provided.
  • a rare gas supply control device 22 for controlling the supply of the rare gas.

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Abstract

희귀가스를 공급하는 가스 공급 모듈 및 상기 희귀가스를 수용하는 공정 챔버 모듈을 포함한 반도체 공정부와, 상기 반도체 공정부에서 배출된 폐가스를 포집하는 가스 포집부 및 상기 폐가스의 유해물질을 제거하는 가스 정화부를 포함하고, 상기 가스 포집부는 반도체 공정부와 독립적으로 구비되며, 가스 정화부의 전단 또는 후단에 구비되어 희귀가스가 포함된 폐가스를 포집하는 가스 포집 시스템 및 이를 이용한 가스 포집 방법이 개시된다.

Description

가스 포집 시스템 및 가스 포집 방법
이하의 설명은 가스 포집 시스템 및 이를 이용한 가스 포집 방법에 관한 것이다.
반도체 제품을 제조하는 공정 중 식각(etching) 공정은 식각 방법에 따라 크게 두 종류로 분류할 수 있다. 하나는 반응 용액의 화학적 반응이나 용해에 의해 선택적으로 대상 물질을 식각하는 습식 식각이다. 다른 하나는 반응 가스의 화학적 반응이나 물리적 수단에 의해 선택적으로 대상 물질을 식각하는 건식 식각이다.
건식 식각은 식각 정확도가 우수하고, 습식 식각에 비해 공정에 대한 제어가 비교적 용이하여 널리 활용되고 있는 식각 방법이다. 건식 식각은 공정 정밀도를 향상시키기 위해 반응 가스 내 아르곤(Ar), 헬륨(He) 등의 불활성 가스를 포함하여 공정을 진행한다.
한편, 최근에는 불활성 가스 중 제논(Xe)을 사용하는 것이 주목받고 있다. 제논을 사용하면 공정의 이방성을 더 향상시킬 수 있고, 공정 효율을 높일 수 있다. 하지만, 제논은 희귀가스로서, 공기 분리에 의해 얻어지는 양이 몹시 적고, 매우 고가라는 문제점이 있다.
이에 따라, 희귀가스 전용 회수 장치가 구비되지 않은 종래의 반도체 공정 시스템은, 원가 측면에서 경쟁력이 저하되는 문제점이 있다. 또한, 희귀가스 회수 장치가 반도체 공정 시스템과 함께 구비된 구조는, 회수 장치 조작 시 반도체 공정에 영향을 미칠 수 있는 위험이 있다.
따라서, 공정의 경쟁력 확보 및 원가 절감을 위해서는, 제논을 포함한 희귀가스를 사용 후 회수하는 독립적인 회수 장치에 대한 기술 개발이 필요한 실정이다.
실시예의 목적은, 고가인 희귀가스를 사용 후 포집 및 재사용하기 위한 가스 포집 시스템과 포집 방법을 제공하는 것이다.
실시예들에서 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
실시예에 따른 가스 포집 시스템 및 가스 포집 방법에 대해 설명한다.
일 실시예에 따른 가스 포집 시스템은, 희귀가스를 공급하는 가스 공급 모듈 및 상기 희귀가스를 수용하는 공정 챔버 모듈을 포함한 반도체 공정부, 상기 반도체 공정부에서 배출된 폐가스를 포집하는 가스 포집부, 및 상기 폐가스의 유해물질을 제거하는 가스 정화부를 포함하고, 상기 가스 포집부는 상기 반도체 공정부와 독립적으로 구비되며, 상기 가스 정화부의 전단 또는 후단에 구비되어 상기 희귀가스가 포함된 폐가스를 포집한다.
다른 실시예에 따른 가스 포집 시스템은, 공정 챔버 모듈, 상기 공정 챔버 모듈에 희귀가스를 공급하는 희귀가스 공급원과 공정을 위한 공정가스를 공급하는 공정가스 공급원을 포함하는 가스 공급 모듈, 및 상기 공정 챔버 모듈에서 배출된 폐가스를 포집하는 가스 포집부를 포함하고, 상기 공정 챔버 모듈과 상기 희귀가스 공급원 사이에 희귀가스 공급 제어 장치를 포함하며, 상기 가스 포집부는 상기 희귀가스 공급 제어 장치의 제어에 따라 상기 희귀가스가 포함된 폐가스를 선택적으로 포집한다.
또 다른 실시예에 따른 가스 포집 시스템은, 희귀가스를 포함한 가스를 제공하는 가스 공급 모듈, 상기 가스를 이용하여 공정이 진행되는 공정 챔버 모듈, 상기 공정 챔버 모듈에서 배출되는 폐가스 중 희귀가스를 제외한 유해물질을 제거하는 가스 정화부, 및 상기 가스 정화부의 후단에 배치되며, 상기 희귀가스를 포함한 폐가스를 포집하는 가스 포집부를 포함하여 구성된다.
일 측에 따르면, 상기 가스 포집부는 상기 폐가스를 압축하는 압축기를 포함하고, 상기 압축기는 최대 10,000psi의 압력으로 상기 폐가스를 압축할 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 가스 포집부는 상기 폐가스를 저장하는 포집 탱크를 적어도 하나 이상 포함하고, 상기 포집 탱크는 병렬식으로 배치될 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 가스 공급 모듈과 상기 공정 챔버 모듈 사이에 희귀가스 공급 제어 장치를 더 포함하고, 상기 희귀가스 공급 제어 장치는, 질량 유량 제어기 또는 밸브 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 폐가스의 포집 여부를 제어하는 포집 밸브를 더 포함하고, 상기 포집 밸브는 상기 희귀가스 공급 제어 장치의 제어에 따라 개폐가 제어될 수 있다.
한편, 일 실시예에 따른 가스 포집 방법은, 희귀가스를 포함한 가스를 이용하여 공정을 진행하는 공정 단계, 및 상기 공정 단계 이후 배출되는 폐가스를 포집하는 가스 포집 단계를 포함하고, 상기 가스 포집 단계 이전 또는 이후에, 상기 폐가스의 유해물질을 제거하는 정화 단계를 더 포함한다.
다른 실시예에 따른 가스 포집 방법은, 희귀가스의 공급 유량을 제어하는 희귀가스 제어 단계, 상기 희귀가스를 포함한 가스를 이용하여 공정을 진행하는 공정 단계, 및 상기 희귀가스 제어 단계의 제어에 따라, 상기 공정 단계 이후 배출되는 폐가스를 선택적으로 포집하는 가스 포집 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에 따른 가스 포집 방법은, 희귀가스를 포함한 가스를 이용하여 공정을 진행하는 공정 단계, 상기 공정 단계 이후 배출되는 폐가스 중 상기 희귀가스를 제외한 유해물질을 제거하는 정화 단계, 및 상기 정화 단계 이후, 상기 희귀가스를 포함한 폐가스를 포집하는 가스 포집 단계를 포함한다.
이상에서 본 바와 같이, 실시예들에 따르면, 가스 포집 시스템 및 포집 방법을 제공함으로써, 고가인 희귀가스를 사용 후 포집 및 재사용이 가능하여 공정 경쟁력을 확보할 수 있다.
또한, 희귀가스 공급 제어 장치 및 포집 밸브를 포함함으로써, 희귀가스 사용 시에만 선택적으로 가스를 포집하며 포집 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 폐가스에서 희귀가스를 제외한 유해물질을 제거하는 가스 정화부를 포함하여, 희귀가스를 선택적으로 포집하며 포집 효율을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에 따른 가스 포집 시스템 및 가스 포집 방법의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 가스 포집 시스템을 나타낸 블록도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 가스 포집 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3은 도 2의 가스 포집 방법의 변형 예를 설명하는 순서도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 가스 포집 방법을 나타낸 순서도이다.
도 5는 도 4의 가스 포집 방법의 변형 예를 설명하는 순서도이다.
도 6은 도 4의 가스 포집 방법의 다른 변형 예를 설명하는 순서도이다.
이하, 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 실시예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
어느 하나의 실시예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시예에 기재한 설명은 다른 실시예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 실시예들에 따른 가스 포집 시스템(1) 및 포집 방법에 대해 설명한다.
참고적으로, 도 1은 일 실시예에 따른 가스 포집 시스템(1)을 나타낸 블록도이다. 도 1을 참고하면, 가스 포집 시스템(1)은 반도체 공정부(2), 가스 포집부(3) 및 가스 정화부(4)를 포함하여 구성된다.
반도체 공정부(2)는 희귀가스를 공급하는 가스 공급 모듈(20) 및 상기 희귀가스를 수용하는 공정 챔버 모듈(21)을 포함하여 구성된다. 여기서 희귀가스는, 공기 중 존재하는 양이 매우 적은 가스를 의미하며, 희유가스와 동일한 의미로 사용된다. 희귀가스는 제논(Xe), 크립톤(Kr) 및 네온(Ne)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 가스일 수 있다. 예를 들어, 희귀가스는 제논(Xe)으로만 구성된 가스일 수도 있고, 제논(Xe) 및 크립톤(Kr)을 포함한 화합물일 수도 있다.
가스 공급 모듈(20)은 희귀가스를 공급하는 희귀가스 공급원(200) 및 공정을 위한 공정가스를 공급하는 공정가스 공급원(201)을 포함할 수 있다. 여기서 공정은, 반도체 제조 공정 중 반응성 가스를 이용하여 화학적 반응 또는 물리적 수단에 의해 선택적으로 대상물질을 제거하는 건식 식각 공정일 수 있다. 공정가스는 이에 따라, 식각 공정에 주로 사용되는 CF 4, C 3F 8, C 4F 6, NF 3 및 SiF 4 등을 포함할 수 있으며, 공정가스가 상술한 예시에 한정되지는 않는다.
가스 공급 모듈(20)과 연결되어 구비되는 공정 챔버 모듈(21)에서는, 가스 공급 모듈(20)에서 공급된 가스를 이용하여 공정이 이루어질 수 있다.
한편, 반도체 공정부(2)는 가스 공급 모듈(20)과 공정 챔버 모듈(21) 사이에, 희귀가스 공급 제어 장치(22)를 더 포함할 수 있다. 희귀가스 공급 제어 장치(22)는 가스 공급 모듈(20)에서 희귀가스 공급원(200)의 공급 배관 일측에 구비될 수 있다. 다만, 희귀가스 공급 제어 장치(22)가 구비되는 위치는 도면에 한정되지 않는다. 희귀가스 공급 제어 장치(22)는 가스 공급 모듈(20)과 공정 챔버 모듈(21) 사이에서, 희귀가스의 공급을 제어할 수 있는 위치라면 어디든 구비될 수 있다.
희귀가스 공급 제어 장치(22)는 질량 유량 제어기(Mass Flow Control) 또는 밸브 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 희귀가스 공급 제어 장치(22)는 외부 서버와 연동되어 원격에서 자동으로 제어되거나, 수동으로 제어될 수 있다.
반도체 공정부(2)에서 공정이 이루어진 이후, 배출되는 폐가스는 가스 포집부(3)에서 포집할 수 있다. 가스 포집부(3)는, 도면에 도시한 바와 같이, 가스 공급 모듈(20) 및 공정 챔버 모듈(21)을 포함한 반도체 공정부(2)와 독립적으로 구비될 수 있다. 가스 포집부(3)가 반도체 공정부(2)와 독립적으로 구비됨으로써, 반도체 공정부(2)의 제조 공정은 독립성을 확보할 수 있다. 예를 들어, 폐가스 포집에 대한 공정 변경이 필요한 경우, 반도체 공정부(2)의 제조 공정은 유지하되, 독립적으로 구비된 가스 포집부(3)만 제어하여 포집 공정을 변경할 수 있다. 또한, 가스 포집부(3)를 독립적으로 구비함으로써, 기존 공정 시스템은 유지하되, 가스 포집부(3)의 배치 자유도를 확보할 수 있다. 또한, 가스 포집 후 곧바로 가스 포집부(3)의 탈착 및 운송이 가능하여 전체적인 공정 효율을 향상시킬 수도 있다.
가스 포집부(3)는 폐가스가 이동하는 배관에 연결되어 적어도 하나 이상 구비될 수 있다. 가스 포집부(3)를 복수 개로 구비함에 따라, 동일한 시간 내 폐가스의 포집 효율을 높일 수 있다. 또한, 폐가스를 효율적으로 포집하기 위해, 가스 포집부(3)는 진공 상태로 이루어질 수 있다.
가스 포집부(3)는 폐가스 포집 효율을 높이기 위해 폐가스를 압축하는 압축기(30)를 포함할 수 있다. 압축기(30)는 최대 10,000 psi의 압력으로 폐가스를 압축할 수 있다. 가스 포집부(3)는 폐가스를 포집 후 이동이 요구되기 때문에, 폐가스를 10,000 psi 압력 이상으로 압축하게 되는 경우, 안전상의 위험이 발생할 수 있다. 따라서, 가스 포집부(3)의 안전성을 고려하여 압축기(30)의 최대 압력은 10,000 psi인 것이 바람직하다.
가스 포집부(3)는 폐가스를 저장하는 포집 탱크(31)를 적어도 하나 이상 포함할 수도 있다. 포집 탱크(31)가 하나 이상 구비되는 경우, 각각의 포집 탱크(31)는 서로 병렬식으로 배치될 수 있다. 포집 탱크(31)를 병렬식으로 배치하는 경우, 포집 탱크(31)의 유지 관리가 수월하다는 효과를 제공할 수 있다. 구체적으로, 포집 탱크(31)를 병렬식으로 배치함으로써, 폐가스를 포집한 포집 탱크(31)와 새로 포집하기 위해 준비한 포집 탱크(31)를 용이하게 교환할 수 있다.
반도체 공정부(2)에서 배출되는 폐가스는 가스 정화부(4)에서 유해물질이 제거될 수 있다. 이 때, 가스 정화부(4)의 위치는 도면에 의해 한정되지 않으며, 상기 상술한 가스 포집부(3)의 전단 또는 후단에 구비될 수 있다. 가스 정화부(4)가 가스 포집부(3)의 전단에 구비되는 경우, 가스 포집부(3)는 희귀가스를 제외한 유해물질은 제거되고 희귀가스의 순도가 높아진 폐가스를 포집할 수 있다. 한편, 가스 정화부(4)가 가스 포집부(3)의 후단에 구비되는 경우, 가스 포집부(3)는 반도체 공정부(2)에서 배출되는 폐가스를 그대로 포집할 수 있다.
가스 정화부(4)는 상기 폐가스 중 희귀가스를 제외한 유해물질을 제거할 수 있다. 예를 들어, 가스 정화부(4)는 Cl 2, HCl, PF 3, HF, HBr 및 SiCl 4 등을 포함한 독성가스를 제거할 수 있다. 또한, 가스 정화부(4)는 NO 2, O 2 등 산화성가스를 제거할 수도 있으며, SiH 4, PH 3, B 2H 6 및 H 2S 등을 포함한 가연성가스를 제거할 수도 있다. 또한, SF 6, NF 3, F 4, C 2 등을 포함하는 PFC(Perfluorocompounds)계의 환경유해가스를 제거할 수 있다.
가스 정화부(4)는 건식 정화, 습식 정화, 연소식 정화, 흡착식 정화 및 플라즈마식 정화 중 적어도 하나의 수단으로 폐가스를 정화할 수 있다. 건식 정화는 가스 열반응을 이용하여 비교적 안전하고 온도 제어가 용이하게 폐가스를 정화할 수 있다. 습식 정화는 수용성 유해물질을 효율적으로 제거하거나, 용량의 가스를 용이하게 정화할 수 있다. 연소식 정화는 높은 온도에서 정화가 진행되어 높은 효율로 폐가스를 정화할 수 있다. 또한, 흡착식 정화를 이용하는 경우, 적은 에너지가 소모되며 관리가 용이하게 정화를 수행할 수 있다. 이 때, 흡착제로는 0.5 내지 3.0 mm의 크기를 가진 실리카겔, 알루미나, 제올라이트 및 활성탄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 플라즈마식 정화는 주로 PFC계 가스를 용이하게 제거할 수 있다. 상술한 정화 수단 중 적어도 어느 하나의 수단을 폐가스를 정화하며, 효율적으로 폐가스의 유해물질을 제거할 수 있다.
한편, 가스 포집 시스템(1)은 폐가스의 포집 여부를 제어하는 포집 밸브(32)를 더 포함할 수 있다. 포집 밸브(32)는 가스 공급 모듈(20)에서 공급되는 가스에 희귀가스가 포함되는 경우에만 개폐되도록 제어될 수 있다. 가스 공급 모듈(20)에서 희귀가스를 포함하지 않는 경우에는 폐가스를 포집하지 않으며, 포집 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
도면을 참고하면, 포집 밸브(320)는 가스 정화부(4)의 전단에 구비되어, 폐가스의 유해물질이 제거되기 이전의 가스가 가스 포집부(3)에 포집되도록 포집을 제어할 수 있다. 또한, 포집 밸브(321)는 가스 정화부(4)의 후단에 구비되어, 유해물질이 제거된 이후, 희귀가스만이 포함된 가스가 가스 포집부(3)에 포집되도록 포집을 제어할 수도 있다. 또한, 포집 밸브(32)는 가스 정화부(4)의 전단이나 후단에 복수 개로 구비되어, 어느 하나의 고장에 대비하도록 구비될 수 있다.
만약, 반도체 공정부(2)가 앞서 상술한 희귀가스 공급 제어 장치(22)를 더 포함하는 경우에는, 포집 밸브(32)는 희귀가스 공급 제어 장치(22)의 제어에 따라 밸브 개폐가 제어될 수도 있다. 즉, 포집 밸브(32)가 희귀가스 공급 제어 장치(22)의 제어 신호를 수신하는 경우에, 포집 밸브(32)가 개폐될 수 있다. 또한, 희귀가스 공급 제어 장치(22)의 제어 신호를 수신하고, 일정 시간이 지난 후 포집 밸브(32)가 개폐될 수도 있다.
한편, 포집 밸브(32)가 희귀가스 공급 제어 장치(22)의 제어 신호를 수신하지 않는 경우에는, 포집 밸브(32)는 개폐되지 않을 수 있다. 이와 같이, 포집 밸브(32)가 수신하는 제어 신호에 따라, 희귀가스가 포함된 경우에만 선택적으로 폐가스를 포집하여 가스 포집 효율을 높일 수 있다. 또한, 포집 가스에 포함된 희귀가스의 순도가 높아질 수도 있다.
이하, 도 2 내지 도 6을 더 참조하여, 앞서 상술한 가스 포집 시스템(1)을 이용한 가스 포집 방법에 대해 상술하도록 한다. 가스 포집 시스템(1)의 구성과 관련해서는 상기 상술한 내용과 동일한 구성이므로, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 사용하고, 중복되는 설명은 제외한다.
참고적으로, 도 2는 일 실시예에 따른 가스 포집 방법을 나타낸 순서도이고, 도 3은 도 2의 가스 포집 방법의 변형예를 설명하기 위한 순서도이다.
우선, 도 2를 참고하면, 가스 포집 방법은 희귀가스를 포함한 가스를 이용하여 공정을 진행하는 공정 단계(S10) 및 상기 공정 단계 이후 배출되는 폐가스를 포집하는 가스 포집 단계(S11)를 포함한다. 여기서 희귀가스는 제논(Xe), 크립톤(Kr) 및 네온(Ne)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 가스일 수 있다.
공정 단계(S10)는, 희귀가스 공급원(200) 및 공정가스 공급원(201)을 포함한 가스 공급 모듈(20)에서 공정 챔버 모듈(21)로 가스가 공급될 수 있다. 그리고 공정 챔버 모듈(21)에서는 공급된 가스를 이용하여 공정이 진행될 수 있다.
공정 단계(S10) 이후 배출되는 폐가스를 포집하는 가스 포집 단계(S11)는, 공정이 일어나는 반도체 공정부(2)와 독립적으로 구비된 가스 포집부(3)에서 이루어지는 단계일 수 있다. 가스 포집 단계(S11)는 가스 포집부(3)에 구비된 적어도 하나 이상의 포집 탱크(31)에 가스를 포집하는 단계일 수 있다. 또한, 압축기(30)를 포함하여 최대 10,000 psi의 압력으로 폐가스를 압축하여 포집하는 단계일 수 있다.
한편, 가스 포집 방법은 가스 포집 단계(S11) 이후에, 폐가스의 유해물질을 제거하는 정화 단계(S12)를 더 포함할 수 있다. 정화 단계(S12)는 건식 정화, 습식 정화, 연소식 정화, 흡착식 정화 및 플라즈마식 정화 중 적어도 하나의 수단을 포함하여 폐가스의 유해물질을 제거하는 단계일 수 있다.
다만, 도 3에 도시한 바와 같이, 정화 단계(S12)가 가스 포집 단계(S11) 이전에 실시될 수도 있다.
여기서, 가스 포집 단계(S11)가 정화 단계(S12)보다 우선인 경우, 가스 포집 단계(S11)에서는 공정에서 배출되는 폐가스를 그대로 포집할 수 있다. 반면, 도 3에 도시한 바와 같이, 정화 단계(S12)가 가스 포집 단계(S11)보다 우선인 경우에는, 가스 포집 단계(S11)에서 희귀가스를 제외한 유해물질이 제거되고 희귀가스의 순도가 높아진 폐가스를 포집할 수 있다.
한편, 도 4 내지 도 6을 참조하면, 상술한 가스 포집 단계(S11)는 희귀가스의 공급 여부 판단 결과에 따라 폐가스의 포집 여부를 제어하는 단계일 수 있다. 이 때 가스 포집 방법은 공정을 진행하는 공정 단계(S10) 이전에 희귀가스의 공급 유량을 제어하는 희귀가스 제어 단계(S100)를 더 포함할 수 있다. 희귀가스 제어 단계(S100)는 기체 포집 시스템(1)의 희귀가스 공급 제어 장치(22)에서 희귀가스의 공급 유량이 제어되는 단계일 수 있다.
희귀가스 제어 단계(S100) 이후에는, 공정 단계(S10)를 포함할 수 있다. 공정 단계(S10) 이후에는 희귀가스의 공급 여부를 판단하는 단계(S13)를 더 포함할 수 있다. 희귀가스의 공급 여부를 판단하는 단계(S13)는 희귀가스 제어 단계(S100)의 제어 신호를 수신하고, 수신한 결과에 따라 희귀가스의 공급 여부를 판단하는 단계일 수 있다.
예를 들어, 희귀가스의 공급 여부를 판단하는 단계(S13)는, 희귀가스 공급 제어 장치(22)에서 제어 신호를 송신하고, 폐가스의 포집을 제어하는 포집 밸브(32)에서 상기 제어 신호를 수신하는 단계일 수 있다. 여기서 제어 신호는 가스 포집 시스템(1) 내부 서버를 통해 송수신되는 신호일 수도 있고, 외부 서버를 거쳐서 송수신되는 신호일 수도 있다.
우선, 포집 밸브(32)가 희귀가스를 공급한다는 제어 신호를 수신하지 않는 경우에, 포집 밸브(32)는 개폐되지 않으며, 가스 포집 방법은 종료된다.
반면, 포집 밸브(32)가 희귀가스를 공급한다는 제어 신호를 수신하는 경우에, 포집 밸브(32)는 개폐되는 단계(S14)를 포함할 수 있다. 여기서, 포집 밸브(32)가 개폐되는 시점은 상기 제어 신호를 수신한 즉시이거나, 일정 시간이 지난 시점일 수 있다.
한편, 도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 포집 밸브(32)가 개폐되는 단계(S14) 이후에는, 희귀가스 공급 여부 판단 결과에 따라 희귀가스가 포함된 폐가스를 선택적으로 포집하는 가스 포집 단계(S11)를 포함할 수 있다. 이와 같이, 희귀가스의 공급 여부를 판단(S13)하여 판단 결과에 따라 포집 밸브(32)를 개폐함으로써, 가스 포집 효율을 향상시킬 수 있다.
가스 포집 단계(S11) 이후에는, 폐가스의 유해물질을 제거하는 정화 단계(S12)를 더 포함할 수 있다.
여기서, 정화 단계(S12)는, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 희귀가스 공급 여부를 판단하는 단계(S13) 이전에 포함될 수 있다.
마지막으로 가스 포집 단계(S11) 이후, 포집된 희귀가스는 그대로 재사용되거나, 재사용 되기 전 다른 가스와 혼합되는 단계를 더 포함할 수도 있다. 또한, 가스 포집 단계(S11) 이후에, 가스가 포집된 가스 포집부(3)가 바로 탈착되며 운송되는 운송 단계(미도시)를 더 포함할 수도 있다.
이상으로, 상술한 가스 포집 시스템(1) 및 가스 포집 방법을 제공함으로써, 희귀가스를 포함한 폐가스를 효율적으로 회수하고 재사용할 수 있다. 나아가, 반도체 공정부(2)와 독립적으로 구비된 가스 포집부(3), 폐가스의 유해물질을 제거하는 가스 정화부(4) 및 희귀가스의 공급을 제어하는 희귀가스 공급 제어 장치(22)를 더 포함함으로써, 종래 기술보다 폐가스에 포함된 희귀가스를 더 효율적으로 회수할 수 있다. 특히, 희귀가스가 고가인 제논인 경우, 제논을 공정 이후 회수함으로써 원가 측면의 문제를 해결할 수 있다. 또한, 공정 정밀도는 유지하며 원가 절감을 통해 공정 경쟁력을 확보할 수도 있다.
이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 청구범위 뿐만 아니라 이 청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (10)

  1. 희귀가스를 공급하는 가스 공급 모듈 및 상기 희귀가스를 수용하는 공정 챔버 모듈을 포함한 반도체 공정부;
    상기 반도체 공정부에서 배출된 폐가스를 포집하는 가스 포집부; 및
    상기 폐가스의 유해물질을 제거하는 가스 정화부;
    를 포함하고,
    상기 가스 포집부는 상기 반도체 공정부와 독립적으로 구비되며, 상기 가스 정화부의 전단 또는 후단에 구비되어 상기 희귀가스가 포함된 폐가스를 포집하는 가스 포집 시스템.
  2. 공정 챔버 모듈;
    상기 공정 챔버 모듈에 희귀가스를 공급하는 희귀가스 공급원과 공정을 위한 공정가스를 공급하는 공정가스 공급원을 포함하는 가스 공급 모듈; 및
    상기 공정 챔버 모듈에서 배출된 폐가스를 포집하는 가스 포집부;
    를 포함하고,
    상기 공정 챔버 모듈과 상기 희귀가스 공급원 사이에 희귀가스 공급 제어 장치를 포함하며, 상기 가스 포집부는 상기 희귀가스 공급 제어 장치의 제어에 따라 상기 희귀가스가 포함된 폐가스를 선택적으로 포집하는 가스 포집 시스템.
  3. 희귀가스를 포함한 가스를 제공하는 가스 공급 모듈;
    상기 가스를 이용하여 공정이 진행되는 공정 챔버 모듈;
    상기 공정 챔버 모듈에서 배출되는 폐가스 중 희귀가스를 제외한 유해물질을 제거하는 가스 정화부; 및
    상기 가스 정화부의 후단에 배치되며, 상기 희귀가스를 포함한 폐가스를 포집하는 가스 포집부;
    를 포함하는 가스 포집 시스템.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 포집부는 상기 폐가스를 압축하는 압축기;
    를 포함하고,
    상기 압축기는 최대 10,000psi의 압력으로 상기 폐가스를 압축하는 가스 포집 시스템.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 포집부는 상기 폐가스를 저장하는 포집 탱크;
    를 적어도 하나 이상 포함하고,
    상기 포집 탱크는 병렬식으로 배치되는 가스 포집 시스템.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급 모듈과 상기 공정 챔버 모듈 사이에 희귀가스 공급 제어 장치;
    를 더 포함하고,
    상기 희귀가스 공급 제어 장치는, 질량 유량 제어기 또는 밸브 중 적어도 하나를 포함하는 가스 포집 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 폐가스의 포집 여부를 제어하는 포집 밸브;
    를 더 포함하고,
    상기 포집 밸브는 상기 희귀가스 공급 제어 장치의 제어에 따라 개폐가 제어되는 가스 포집 시스템.
  8. 희귀가스를 포함한 가스를 이용하여 공정을 진행하는 공정 단계; 및
    상기 공정 단계 이후 배출되는 폐가스를 포집하는 가스 포집 단계;
    를 포함하고,
    상기 가스 포집 단계 이전 또는 이후에,
    상기 폐가스의 유해물질을 제거하는 정화 단계;
    를 더 포함하는 가스 포집 방법.
  9. 희귀가스의 공급 유량을 제어하는 희귀가스 제어 단계;
    상기 희귀가스를 포함한 가스를 이용하여 공정을 진행하는 공정 단계; 및
    상기 희귀가스 제어 단계의 제어에 따라, 상기 공정 단계 이후 배출되는 폐가스를 선택적으로 포집하는 가스 포집 단계;
    를 포함하는 가스 포집 방법.
  10. 희귀가스를 포함한 가스를 이용하여 공정을 진행하는 공정 단계;
    상기 공정 단계 이후 배출되는 폐가스 중 상기 희귀가스를 제외한 유해물질을 제거하는 정화 단계; 및
    상기 정화 단계 이후, 상기 희귀가스를 포함한 폐가스를 포집하는 가스 포집 단계;
    를 포함하는 가스 포집 방법.
PCT/KR2020/018429 2020-02-19 2020-12-16 가스 포집 시스템 및 가스 포집 방법 WO2021167218A1 (ko)

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