TW200530985A

TW200530985A - Transistor circuit, pixel circuit, display device, and drive method thereof

Info

Publication number: TW200530985A
Application number: TW093137122A
Authority: TW
Inventors: Katsuhide Uchino; Junichi Yamashita
Original assignee: Sony Corp
Priority date: 2003-12-02
Filing date: 2004-12-02
Publication date: 2005-09-16
Also published as: JP2005164893A; WO2005055184A1; KR101065989B1; EP1708162A1; CN1886773A; JP4147410B2; TWI280543B; CN100437703C; KR20070000406A; US20070091029A1; EP1708162A4; US7605789B2

Description

200530985 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】之本發明_於龍形成於基板上之薄膜f晶體所構成電曰曰體電路。又，關於電晶體電路之一型態之像素電路另外，關於將此像素電路排列成矩陣狀之顯示裝置。此主動矩陣型顯示裝置例如包含液晶顯示器及有機队顯示器等平面顯示面板。【先前技術】場效型電日日日體之-種之薄膜電日日日體似成駭玻璃等之絕緣性基板上之非晶質石夕或多晶石夕膜作為元件區域者。近年來，此薄膜電晶體之開發作為主動矩陣型顯示裝置之像素開關之風氣極為盛行。薄膜電晶體具有閘極、源極及汲極’依照施加至閘極之電壓’將電流通至源極/沒極間。薄膜電晶體在飽和區域執行動作時，沒極電流ids可由以下之電晶體特性式算出：

Ids=(l/2)p(W/L)Cox(Vgs-Vth)2 在此，Vgs係表示以源極為基準之閘極電壓，v比係表示臨限值電壓，Cox表示閘極電容，w表示通道寬，l表示通道長，//係表示半導體薄膜之移動度。由此電晶體特性式可以去怂· 4膜電晶體之閘極電壓Vgs超過臨限值電壓時，會變成流通汲極電流Ids之構造。將幾個薄膜電晶體連接時，可構成發揮特定功能之電晶體電路。一般，電晶體電路係由形成於基板之複數薄膜電晶體、連接於各電晶體之閘極、源極或汲極以執行特定動 96535.doc 200530985 作之配線所構成。作為此種電晶體電路之典型例，可列舉像素電路。像素電路係分別形成於列狀之掃描線與行狀之信號線交叉之部分，整體上構成主動矩陣型顯示裝置。像素電路係在被掃描線選擇耗行動作，由錢線抽樣影像信號，驅動有機EL發光元件等負載元件。以此種薄膜電晶體作為主動70件之主動矩陣型有機EL顯示裝置曾揭示於例如專利文獻1。 [專利文獻]曰本特開平8_234683號公報【發明内容】由上述電晶體特性式可以明悉··在飽和區域中，薄膜電晶體在閘極電壓超過臨限值電壓時會成為，，開，，而使汲極電流流動，另一方面，閘極電壓低於臨限值電壓時電流會被截止。但，薄膜電晶體之臨限值電壓Vth未必一定，而會隨著時間變動。此臨限值電壓之變動會使截止動作發生混亂，而有造成電晶體電路之誤動作之問題。又，由上述電晶體特性式可以明悉：即使閘極電壓一定，臨限值電壓一變動，汲極電流也會發生變動。在電流驅動發光元件之像素電路之情形，臨限值電壓之變動會導致汲極電流之變動’進而有出現發光元件之亮度之劣化之問題。有鑒於上述先前技術之問題，本發明之目的在於提供自備有修正薄膜電晶體之臨限值電壓之變動之功能之電晶體電路、像素電路、顯示裝置及其等之驅動方法。為達成此目的’採取以下之手段。即，本發明之電晶體電路之特徵在於：其係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、連接於各 96535.doc 200530985 :薄膜晶體之閘極、源極或汲極以執行特定動作之配線 ’且含有缚膜電晶體’其係在動作中，至少經由i個配線反覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源極間者；並含有反向偏壓施加手段，其係在不造成該動作之妨礙之時間^等反向偏壓施加至該薄膜電晶體之問極與源極間以抑制δ亥薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。最好電晶體電路係包含並聯連接於該薄臈電晶體之追加溥膜電晶體、對該薄膜電晶體補足地驅動該追加薄膜電晶體，以創造上述不造成動作之妨礙之時間之補足手段^ = 述反向偏壓施加手段係利用該創造之時間，將反向二：加至該薄膜電晶體者。例如，該薄膜電晶體係Ν通道型或ρ 通道型，前述追加薄膜電晶體亦係同樣之崎道型或ρ通道型，前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之間極之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閑極。或者，該薄膜電晶體係N通道型·通道型，前述追加薄膜電晶體係相反之P通道型_通道型，前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈衝具有同相之關:之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘極。又，本發明之像素電路之特徵在於其係配置於列狀之掃描線與行狀之掃描線之各交又部，被該掃描線選擇時，由該信號線抽樣信號，且依照所抽樣之信號驅動負載元件者；包含薄膜電晶冑’其係由形成於基板之複數薄臈電晶體、與連接各薄膜電晶體之閘@、祕或沒極之配線所構成；負載兀件之驅動中至少經由丨個配線反覆地或持續地將 96535.doc 200530985 順向偏壓施加至閘極與源極間者；且包含反向偏壓施加手，八係在不迈成負載元件之驅動之妨礙之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閑極與源極之間，以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。最好像素電路係包含並聯連接該薄膜電晶體之追加薄膜電晶體、對該薄膜電晶體補足地驅動該追加薄臈電晶體，、創U上述不這成上述負載元件之驅動之妨礙之時間之補足手段；前述反向偏壓施加手段係利用該創造之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體。例如，該薄膜電晶體仙通道型或P通道型，前述追加薄膜電晶體亦係同樣之N通道型或P通道型，前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘極。或者，該薄膜電晶體係N通道型或？通道型，前述追加薄膜電晶體係相反之P通道型或1^通道型，前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈衝具有同相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘極。最好&述複數薄膜電晶體係包含被該掃描器選擇時導通’由該信號線抽樣信號而將其保持於保持電客廿?由樣用薄膜電晶體、依照保持於該保持電容之信號電位控制對节負載元件之通電量之驅動用薄膜電晶體、及執行對該負載元件之通電之開/關控制之開關用薄膜電晶體；前述反向偏壓施加手段係將反向偏壓施加至前述驅動用簿腔雷曰 /寸狀电M體及該開關用薄膜電晶體之至少一方。又，包含臨限值電壓、、肖除手段，其係以消除該驅動用薄膜電晶體之臨限值電壓之 96535.doc 200530985 艾動方式3周整施加至該驅動用薄膜電晶體之閉極 ::之位準者。另外，包含自舉手段，其係以吸收該負：件之特性變動方式自動控制施加至該驅動用晶閘極之信號電位之位準者。 ’曰曰體之又，本發明之顯示裝置之特徵在於其係包含列狀之掃描掃描線、及配置於此等交又之部分之像素電路二象=電路！在被該掃描線選擇時’由該信號線抽樣 »〜且依恥所抽樣之影像信號驅動發光元件；該係包含薄膜電晶體，其係由形成於基板之複數薄膜电曰曰體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或沒極之配線㈣成4發光元件之驅動中至少經^個配線反覆地或持績地將順向偏愿施加至閘極與源極間者；並包含反向偏壓施加手段，其係在不造成發光元件之驅動之妨礙之時間，將反，偏壓施加至該薄臈電晶體之閘極與源極之間，以抑制该薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。最好顯示‘裝置係包含並聯連接該薄膜電晶體之追加薄膜電晶體、對該薄膜電晶體補足地驅動該追加薄膜電晶體，以創造不造成該發光元件之驅動之妨礙之時間之補足手段；前述反向偏屋施加手段係利用該創造之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體。例如’該薄膜電晶體係n通道型或P通道型，前述追加薄臈電晶體亦係同樣之N通道型或p 通道型，前述補足手段係將與施加至該薄臈電晶體之閘極之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘極。或者該薄膜電晶體係崎道型或p通道型，前述 96535.doc -10- 200530985 追加薄膜電晶體係相反之P通道型_通道型，前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈衝具有同相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘極。最好前述複數薄膜電晶體係包含被該掃描器選擇時導通，^該信號線抽樣影像信號而將其保持於保持電容之抽樣用薄膜電晶體、依照保持於該保持電容之信號電位控制對泫發光元件之通電量之驅動用薄膜電晶體、及執行對該發光：件之通電之開/關控制之開關用薄膜電晶體；前述反向偏壓化加手段係將反向偏壓施加至該驅動用薄膜電晶體 :該開關用薄膜電晶體之至少一方。再者，包含臨限值電壓消除手&，其係以消除該驅動用薄膜電晶體之臨限值電壓之變動方式調整施加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信 5虎私位之位準者。另外，包含自舉手段，其係以吸收該負、一牛之特、憂動方式自動控制施加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信號電位之位準者。人本&日月之電晶體電路之驅動方法之特徵在於其係包 3形成於基板之複數薄膜電晶體、與連接各薄膜電晶體之閘極源極或&極以執行特定動作之配線之電晶體電路之驅動方法· g X, y ’且執行：順向偏壓施加程序：其係在動作中至〔對1個_電晶體經由配線反覆地或持續地將順向偏壓至閘極與源極間者；及反向偏壓施加程序，其係在不 4成邊動作之妨礙之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之間，以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。。另外’包含補足程序，其係對該薄膜電晶體補 96535.doc 200530985 足地驅動並聯連接於該薄膜電晶體之該追加薄膜電晶體，以創造上述不造成動作之妨礙之時間者；前述反向偏壓施加秋序係在該創造之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體。又，本發明之像素電路之驅動方法之特徵在於其係為驅動配置於列狀之掃描線與行狀之掃描線之各交又部，被該掃描線選擇時，由該信號線抽樣信號，且依照所抽樣之信號驅動負載元件，而包含形成於基板之複數薄膜電晶體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極之配線之像素電路之驅動方法；且執行··順向偏壓施加程序：其係在負載元件之驅動中至少對丨個薄膜電晶體經由配線反覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源極間者；及反向偏壓施加程序’其係在不造成負載元件之驅動之妨礙之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之間，以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。另外，包含補足程序，其係對該薄膜電晶體補足地驅動並聯連接於該薄膜電晶體之追加薄膜電晶體，以創造不造成上述負載元件之驅動之妨礙之時間者；前述反向偏壓施加程序係在該創造之時間’將反向偏壓施加至該薄膜電晶體。又本务明之顯示裝置之驅動方法之特徵在於其係包含列狀之掃彳田線、行狀之掃描線、及配置於此等交又之部分之像素電路；該像素電路係在被該掃描線選擇時，由該信號線抽樣影像信號，且依照所抽樣之影像信號驅動發光元件’该像素電路係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、與 96535.doc -12- 200530985 連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極之配線顯示裝置之驅動方法；且執行：順向偏堡施加程序：其係發光元件之驅動中至少對1個薄膜電晶體經由配線反覆地或持續地將順向偏麼施加至㈣與源極間者；及順向Μ施加程序：其係在不造成發光元件之驅動之妨礙之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之問極與源極之間，以抑制該薄膜電晶體之臨限值電麼之變動者。另夕卜，包含補足程序…系對該薄臈電晶體補足地驅動並聯連接於該薄臈電晶體之追加薄膜電晶體，以創造不造成負載元件之驅動之妨礙之時間者；前述反向偏壓施加程序係在該創造之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體。【發明之效果】薄膜電晶體係在反覆地或持續地施加正閘極電壓（順向偏避）時’具有臨限值電塵會向正方向移位之傾向。反之，在反覆地或持、續地施加負閘極電屢（反向偏幻時，具有臨限值電壓會向.負方向變動之傾向。由於電晶體電路之機能：動作條件之關係，有時含有需要經由電路配線反覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源極間之薄膜電晶體。該薄膜電晶體會因此種順向偏壓而使臨限值電壓會隨時間之麫過而移位。此現象放置不管時’有可能因該薄膜電晶體：截止動作之混亂而有導致錯誤動作之虞。因此，在本發明中，對於在電晶體電路之動作上或機能上不可避免需2反覆地或持續地施加順向偏壓之薄膜電晶體，在不造成動作之妨礙之時間施加反向偏壓。因此，可使因順向偏壓而移 96535.doc -13- 200530985 位之臨限值電壓回到負方向，結果可抑制臨限值泰 1 兒之變動。有時，在幾乎持續地執行順向偏壓之施加般之薄膜電曰體中，會有為施加反向偏壓無法取得充分之時間之情形。對於此種薄膜電晶體，可利用並聯連接追加薄膜電晶體，對该薄膜電晶體補足地驅動該追加薄膜電晶體，以強制地創造施加反向偏壓之時間。因此，即使在因順向偏壓之持績性的施加而無法避免向臨限值電壓之上方移位之薄膜電晶體之情形，也可利用並聯連接補足用之追加薄膜電晶體’強制地將臨限值電壓向下方修正。【實施方式】 X下參照圖式详細說明本發明之實施型態。圖丨係表示本發明之電晶體電路之第_實施型態，⑷表示構成之電路圖i(B)表示動作之時間圖，（c)表示原理之曲線圖。如（A) 所不，本電晶體電路係由形成於基板之2個薄膜電晶體逹接於各薄膜電晶體Trl、Tr2之閘極、源極或汲 β、執行反相☆動作之配線所構成。#，本電晶體電路係 :用2個Ν通道型薄膜電晶體加，成反相器。Ν通道型屬晶體可以非晶質石夕膜廉價地製成’故在成本上較為反相器僅係例示而已，本發明之電晶體電路只要以薄膜電晶體構成即可，不問其機能及動作。八體的電路構成上，特定之閘極電壓VI被施加至Trl 1極；5:極被供應電源電壓，源極則供應輸出。回之例中·輪出端子連接負載電容。負載電容cL2 96535.doc -14- 200530985 一端被施加輸出Vout，他端被接地於Vss。閘極電壓VI被設定於大於Trl之臨限值電壓與Vcc之和，故Trl常處於通電狀態。輸入信號Vin被施加至Tr2之閘極，源極被接地於Vss，汲極連接於Trl之源極而構成輸出節點。如（B)所示，本電晶體電路執行反相器動作，可反轉輸入信號Vin而獲得輸出信號Vout。即，Vin為低位準（L)時，Vout 變成高位準（Η)，Vin為Η時，Vout變成L。著眼於Tr2時，Vin 為低位準時成為斷電狀態，輸出節點由接地電位Vss被切離。此時，Trl常處於通電狀態，故輸出節點被拉起至Vcc。此結果，Vout變成高位準（Vcc)。反之，Vin為高位準時，Tr2 通電，輸出節點向Vss被拉下。由負載電容CL被放電之電流與Tr 1供應之電流之和與流過Tr2之電流平衡時，確定Vout 之低位準。通常，Vout之低位準會略高於Vss。由以上之說明可以知悉：Vin之低位準只要低於Tr2之臨限值電壓即可，通常設定於Vss。另一方面，Vin之高位準只要充分高於Tr2之臨限值電壓即可。但，在此通常之設定中，高位準之順向偏壓會反覆被施加至Tr2之閘極，故會導致Tr2之臨限值電壓之上方變動。此現象放置不管時，有可能因Vin之高位準向上方變動而有低於臨限值電壓之虞，成為錯誤動作之原因。因此，在本發明中，定期地將所謂反向偏壓施加至Tr2，以作為使Vin之低位準低於Vss之負電位。利用此反向偏壓將向上方移位之臨限值電壓向下方修正，結果可抑制Tr2之臨限值電壓之變動。即，在第一實施型態中，輸入信號Vin之供應源本身構成反向偏壓施加手段， 96535.doc -15- 200530985 可在不造成反相器動作之妨礙之時間（在圖示之例中，為低位準之時間）施加反向偏壓至薄膜電晶體Tr2之閘極與源極之間以抑制薄膜電晶體Tr2之臨限值電壓之變動。 (C)係表不薄膜電晶體Tr2之臨限值電壓之變化之曲線圖毛、軸取以源極電位為基準之閘極電麼，縱軸取臨限值私壓Vth。反覆地或持續地不斷施加正閘極電壓（順向偏壓）時，Vth會向上方變動，極端時，無法執行正常之開/關動作。反之，持續地施加負閘極電壓（反向偏壓）時，vth會向下方麦動。本發明即係利用此現象，在不造成電路動作之妨礙之時間，利用反向偏壓之施加，將順向偏壓持續之施力引I之限值電壓之上方移位向下方修正，以抑臨限值電壓之變動。圖2係圖1所示之電晶體電路之輸入信號Vin與輸出信號 Vout之另一實施例之時間圖。在本實施例中，輸入脈衝之佔空係數偏離5〇%，低位準期間較短，高位準期間較長。反轉此輪入膦衝Vin之輸出脈衝v〇ut則相反地，高位準期間車乂紐，低位準期間較長。因裝入反相器之電路區塊之需要，也可能有使用此種輸入信號Vin之狀況。在本實施例中，係趁著施加順向偏壓至薄膜電晶體Tr2之閘極之工枯’施加反向偏壓（低位準）。但，有時因施加反向偏二守間短而無法獲得充分之臨限值電壓變動抑制效果。即由於順向偏壓（高位準）之持續之變化引起之臨限值電壓變動較激烈，有時無法達成施加反向偏壓之下方修正效果。但’與不施加反向偏壓之情形相比，顯然可獲得特定 96535.doc 200530985 之臨限值電壓變動抑制效果。圖3係表示本發明之電晶體電路之第二實施型態之模式圖’⑷表示構成之電路圖，（B)表示動作之時間圖。為容易理解起見，在對應於圖⑽示之第—實施型態之部分附以對應之參照號碼。本實施型態係圖丄之實施型態之改良型態:如參照圖2所述，其目的在於應付無法確保充分之反向偏壓施加時間之情形。如（A)所不，在作為對象之電晶體Tr2(該電晶體）並聯連接追加薄臈電晶體Tr3。輸入㈣⑽被施加至該電晶體Tr2 之閘極士口則所述，輸入信號Vini之信號源同時構成反向 =施加手段。另一方面，另一輸入信號νιη2被施加至該 :晶體Tr3之閘極。此輸入信號Vin2之信號源構成本實施型態之特徵要素之補足手段。即，此補足手段對該電晶體Τη 補足地驅動該追加薄膜電晶體Tr3,以強制地創造不妨礙有 1士1 T r 2動作之時間。反向偏壓施加手段湘此強制地創造之蛉間，將反,向偏壓施加至該薄膜電晶體Tr2，以抑制丁[2之臨限值電壓之變動。在本實施型態中，該電晶體Tr2SN通道型，追加薄膜電晶體W亦係同樣之N通道型。此時，補足手段係將與施加至該電晶體Tr2之閘極之脈衝Vinl具有反相之關係之信號脈衝Vin2施加至追加薄膜電晶體Tr3之閘極。丁^與丁^為？通道型時，Vinl與Vin2處於互相反相之關係。另一方面， Tr2與Tr3之一方為n通道型，他方為p通道型時，乂匕丨與％“ 處於同相關係。 96535.doc -17- 200530985 接著，參照（B)，說明（A)所示之電晶體電路之動作。在時間Tl，Vinl為低位準，Vin2也為低位準。此時，互相並行連接之電晶體1^2、Tr3雙方均為斷電狀態，故輸出節= 被Trl拉高至Vcc側。此結果，輸出信號v〇ut成為高位準。在其次之時間T2，Vinl切換為高位準，另一方面，Vin2維持低位準。互相並行連接之電晶體Tr2、Tr3中之一方Tr2通電，故輸出節點被拉下至Vss側。此結果，vout被切換成為低位準。在其次之時間丁3，相反地，…心轉移至低位準，另一方面，Vin2轉移至高位準。因此，互相並行連接之電晶體Tr2、Tr3中之一方Tr3為通電狀態，故輸出節點被繼續拉下至Vss側。因此，Vout維持低位準。藉此，完成輸入信號之一週期，轉移至次一週期。比較Vinl與Vin2時可以知悉：時間T2、T3兩者具有互相反相關係。尤其著眼於時間T3時，Tr2斷電而被置於非動作狀態，另一方面，為補足此現象，使Tr3通電而使其處於動作狀態。Tr?取代Tr2而處於通電狀態時，輸出節點即可被繼續拉下至Vss側，而獲得目的之輸出信號v〇ut。利用Tr3 之補足機能，以創造不妨礙Tr2動作之時間Τ3。Vin 1之信號源之反向偏壓施加手段可在此創造之時間T3將反向偏壓施加至δ亥電晶體Tr2。由日守間圖可以知悉：施加順向偏壓之期間T2與施加反向偏壓之期間τ 1與T3大致可取得平衡，可在無過或不足之情況下，將臨限值電壓之上方變動向下方修正。圖4係表示電晶體電路之第三實施型態，係圖3所示之第 96535.doc -18- 200530985 一貝^型悲、之改良例。係表示本實施型態之構成之電路圖’（B)係表示動作之時間圖。反相裔電路由雙方均為N通道型之電晶體Tr卜Tr2所構成時，Trl常置於動作狀態。換言之，常處於被施加順向偏壓之狀態，臨限值電壓會隨時間之經過而向上移位。此向上移位極端地進行時，有時會妨礙正常之動作。因此，在本戸、施型恶中，也在τΓ丨並聯連接著補足用之電晶體Tr4。如（B)所不，在時間T1及T2中，對Trl之閘極電壓VI處於高位準，另一方面，對Tr4之閘極電壓V2處於低位準。反之，在時間T3及T4中，VI切換於低位準，另一方面，V2成為高位準。因此，電晶體Trl及Tr4執行互相補足的動作，Tri與 Tr4之組構成之開關整體上常維持於通電狀態。其時，一方之閘極電壓VI在時間T3、T4處於低位準，可施加臨限值電壓修正用之反向偏壓。另一方面，V2在時間Τ1&Τ2處於低位準，同樣可對電晶體Tr4可施加臨限值電壓修正用之反向偏壓。圖5係表示本發明之電晶體電路之應用例之主動矩陣顯示裝置及其所含之像素電路之概略之區塊圖。如圖所示，主動矩陣顯示裝置係由作為主要部之像素陣列丨與周邊之電路群所構成。周邊之電路群包含水平選擇器2、驅動掃描器3、光掃描器4等。像素陣列1係由列狀之掃描線線Ws、行狀之信號線〇£及在兩者交叉部分排列成矩陣狀之像素電路5所構成。信號線 DL係被水平選擇器2驅動。掃描線ws係被光掃描器4所掃 96535.doc -19- 200530985 描又’也配置有與掃描線ws平行之另一掃描線仍，此係 j驅⑽描器3所掃描。各像素電路5係在被掃描線Μ選擇時，由信號線DL抽樣信號。另夕卜被掃描線Ds選擇時，依照該被抽樣之信號驅動負載元件等…載元件係形成於各像素電路5之電流驅動型之發光元件等。圖6係表示圖5所示之像素電路5之基本的構成之參考圖。本像素電路5係由抽樣用薄臈電晶體（抽樣電晶體Trl)' 驅動用薄膜電晶體(驅動電晶體Tr2)、開關用薄膜電晶體(開關電晶體Tr3)、.保持電容01、負載元件（有機此發光元们等所構成。抽樣電晶體Trl係在被掃描線ws選擇時導通，由信號線 DL抽樣影像信號，而保持於保持電容ci。驅動電晶體丁『2 依照保持於保持電容C1之信號電位，控制對發光元件EL2 通電里。開關電晶體Tr3係被掃描線DS所控制，以控制對發光疋件EL之通電之開/關。即，驅動電晶體Tr2依照通電量控制發光元件EL之發光亮度（明亮度）。另一方面，開關電晶體Tr3係控制發光元件EL之發光時間。利用此等之控制，各像素電路5所含之發光元件EL呈現對應於影像信號之亮度’使希望之顯示映現於像素陣列i。圖7係說明圖6所示之像素陣列1及像素電路5之動作之時間圖。在1幀期間（if)之前頭，在1水平期間（1H)之間，選擇脈衝ws[l]經由掃描線WS被施加至第1列之像素電路5，以導通抽樣電晶體Trl。因此，影像信號由信號線dL被抽樣，而被寫入保持電容C1。保持電容C1之一端連接於驅動電晶體 96535.doc -20· 200530985

Tr2之問極。因此，當影像信號被寫入保持電容ci，驅動電晶體ΤΪ2之閘極電位會依照被寫入之信號電位而上升。此日守，選擇脈衝ds[ 1 ]經由另一掃描線DS被施加至開關電晶體 Tr3。在此期間，發光元件此持續發光。在i幀期間if之後半，ds[l]變成低位準，故發光元件E]L呈非發光狀態。利用调整脈衝ds[l]之佔空係數時，可調整發光期間與非發光期間之比例，獲得希望之畫面亮度。當轉移至其次之水平期間日寸，掃描用之#號脈衝ws[2]、ds[2]由各掃描線ws、分別被施加至第2列之像素電路。在此回到圖6，說明作為參考例所示之像素電路5之問題點。參考例之像素電路5之Trl〜Tr3全部係通道型薄膜電晶體所構成，具有可使用成本上有利之非晶詩膜作為活性層之優點。但，卻有驅動電晶體Tr2之汲極連接於電源電壓VCC，另一方面，源極經由開關電晶體Tr3連接於發光儿件EL之陽極而成為所謂之源極輸出器之問題。保持於保持弘各C 1之允唬電壓被施加至驅動電晶體Tr2之閘極，基本上維持於一定。但，源極電位會隨著發光元件EL之電流/ 電壓特性之經過時間之變化而變動。一般，陽極電位會隨發光元件EL之經過時間之劣化而上升，其結果，源極電位也會上升。驅動電晶體Tr2在飽和區域執行動作，如前述之電晶體特性式所示，難電流Ids係依存於以源極電位為基準之閘極電位VgS。儘管間極電壓本身保持一定，但心執行作為源極輸出H之㈣，㈣極電位讀著發光元: EL之特性劣化而變動’使心也對應地發生變化。因此， 96535.doc 200530985 會有沒極電流Ids發生變動，莫鉍又 — ^ V致發先凡件EL之亮度劣化之問題。另外，驅動電晶體Tr2有其本身之臨限值電壓她之經過時間之變動性。由前述之電晶體特性式可知，在飽和區域執行動作時，縱使vgs保持一定，當臨限值電壓vth發生變動時，没極電流Ids也會發生變動，同時，發光元件杜之亮度也會發生變動。尤其，以非晶f ♦薄膜作為活性層（通道區域）之薄膜電晶體之臨限值電壓之經過時間之變動較為明顯，故未處理時，即無法正確控制發光元件之亮度。圖8係表示改良圖6所示之像素電路之另一參考例之像素電路，（A)表示構成之電路圖，（B)表示動作之時間圖。如（A)所示，此改良例係呈現在圖6所示之像素電路加上自舉電路6與臨限值電壓消除電路7之構成。自舉電路6係以吸收發光元件EL之特性變動方式自動控制施加至驅動電晶體Tr2之閘極（G)之信號電位之位準，含有開關電晶體丁r4。在此開關電晶體Tr4之閘極連接掃描線WS，源極連接於接地電位Vss，汲極連接於保持電容ci之一端，並連接於驅動電晶體Tr2之源極（S)。選擇脈衝施加至掃描線ws時，抽樣電晶體Trl通電，開關電晶體Tr4亦通電。因此，經由麵合電容C2，將影像信號Vsig寫入保持電容C1。其後，由掃描線WS解除選擇脈衝時，開關電晶體Tr4斷電，故保持電容 C 1由接地電位Vss被切離，並轉合於驅動電晶體Tr2之源極 (S)。此後，選擇脈衝施加至掃描線DS時，開關電晶體Tr3 通電，經由驅動電晶體Tr2將驅動電流供應至發光元件el。 96535.doc -22- 200530985 發光元件EL開始發光，依照其電流/電壓特性，使陽極電位上升，導致驅動電晶體Tr2之源極電位之上升。此時，因保持電容C1由接地電位Vss被切離，故在源極電位之上升之同時，被保持之信號電位亦上升（自舉），導致導致驅動電晶體 Tr2之閘極（G)之電位上升。即，即使發光元件£]^有電位變動，驅動電晶體Tr2之閘極電壓Vgs亦可與常保持於保持電容C1之純信號電位一致。利用此種自舉動作，即使發光元件EL有電位變動，驅動電晶體Tr2之汲極電流也可常被保持於保持電容ci之信號電位保持於一定，使發光元件EL之發光亮度不生變化。追加此種自舉電路6時，驅動電晶體對發光元件EL可發揮作為正確之定電流源之機能。臨限值電壓消除電路7係以消除驅動電晶體Tr2之臨限值電壓之變動方式調整施加至驅動電晶體Tr2之閘極之信號電位之位準，含有開關電晶體Tr5、Tr6。開關電晶體丁^ 之閘極連接於另一掃描線Αζ，汲極/源極連接於驅動電晶體 Tr2之閘極與汲極之間。開關電晶體11>6之閘極同樣連接於掃描線AZ，源極連接於特定之補償電壓v〇fs，汲極連接於耦合電容C2之一方電極。又，在圖示之例中，補償電壓 v〇fs、接地電位Vss、陰極電壓（GND)雖可分別取不同之電位，但有時也可全部與共通之電位（例如gnd) 一致。控制脈衝施加至掃描線八2時，開關電晶體Tr5導通，電流由Vcc流向驅動電晶體Tr2之閘極，故閘極⑴）電位上升。因此，汲極電流流出至驅動電晶體Tr2，使源極（s)電位上升。正好在閘極屯位（G)與源極電位（s)之電位差與驅動電 96535.doc 200530985 晶體Tr2之臨限值電壓Vth—致之處，依照前述電晶體特性式，汲極電流不再流動。此時之源極/閘極間電壓Vgs會被寫入保持電容C1作為驅動電晶體Tr2之臨限值電壓Vth。此被寫入保持電容C1之Vth會上載於信號電位Vsig而被施加至驅動電晶體Tr2之閘極，故可消除臨限值電壓Vth之效果。因此，即使驅動電晶體Tr2之臨限值電壓Vth隨時間之經過而變動，臨限值電壓消除電路7也可消除此變動。 (B)係表示施加至各掃描線WS、DS、AZ之掃描脈衝波形與驅動電晶體Tr2之閘極（G)及源極（S)之電位波形之時間圖。如圖所示，進入Vth消除期間時，脈衝被施加至掃描線 AZ，開關電晶體TY5導通，ΊΥ2之閘極電位上升。其後，掃描線DS之脈衝下降，故來自電源Vcc側之電流供應被切斷。因此，在閘極電位與源極電位之差縮小，正好在到達 Vth處時，電流成為0。此結果，Vth被寫入連接於Tr2之閘極/源極間之保持電容C 1。其次，當選擇脈衝被施加至掃描線WS時，抽樣電晶體ΤΠ通電，經由耦合電容C2，影像信號Vsig被寫入保持電容C1。因此，輸入至驅動電晶體Tr2之閘極之信號Vin成為先被寫入之Vth與特定之增益所保持之 Vsig之和。脈衝再被施加至掃描線DS，使開關電晶體Tr3 通電。因此’驅動電晶體Tr2依照輸入閘極信號V i n，將 >及極電流供應至發光元件EL，使其開始發光。因此，發光元件EL之陽極電位上升△ V，但因自舉效應，此△ V被上載至對驅動電晶體Tr2之輸入信號Vin。利用以上之臨限值電壓消除機能及自舉機能，即使有驅動電晶體Tr2之臨限值電壓 96535.doc -24- 200530985 k動及發光元件EL之特性變動，亦可將此等消除，而將發光免度保持於一定。而高於源極之電壓在1幀期間1£中被施加至在驅動電晶體*Tr2之閘極，使其長處於施加順向偏壓之狀態。由於對閘極之順向偏壓支持續施加，驅動電晶體之臨限值電壓 Vth會向上方變動。此變動雖可利用臨限值電壓消除電路7 加以4除，但變動超過程度時，難以充分發揮臨限值電壓消除機能，而有導致發光元件EL《亮度變化之虞。又，開關電晶體Tr3在發光期間中處於通電狀態，持續施加順向偏壓。因此，開關電晶體Tr3之臨限值電壓會向上方變動，最嚴重時，開關電晶體Tr3有可能常陷於截止狀態。圖9係表示本發明之像素電路之一實施型態，為處理圖8 之像素電路之問題•點’分別在驅動電晶體Tr2及開關電晶體 Tr3附設㉟限值電壓變動抑制用之反向㉟壓施加手段。對驅動電晶體Tr2之反向偏壓施加手段係由開關電晶體 Tr7所構UTr7之閘極連接追加之掃描線順，源極連接於負電源Vmb，汲極連接於驅動電晶體Tr2之閘極（g)。此知描線WS2異於連接於抽樣電晶體Tfi或開關電晶體丁^之掃描線WS卜㈣其個別分開成為與職。在此，負電源Vmb之電位係設定於低於接地電位gnd。因此，在不影響像素電路之動作n將選擇脈衝施加至掃描線㈣時，Tr7通電，可將反向偏壓（Vmb)施加至驅動電曰曰曰體加之閘極（G)目j：b ’可㉟因順向偏壓持續之施加而向上方移位之電晶體Tr2之臨限值電壓Vth向下方修正。 96535.doc -25- 200530985 對開關電晶體Tr3之反向偏壓施加手段係裝入於連接於掃描線DS1之驅動掃描器3(參照圖5)。在發光期間’順向偏壓經由掃描線DS1被施加至開關電晶體Tr3之閘極，汲極電流由Vcc流向GND。進入非發光期間時，掃描線DS1之電位變成GND以下，將反向偏壓施加至開關電晶體Tr3。因此，可將Tr3之臨限值電壓之上方變動向下方修正。圖10係供說明圖9所示之像素電路之動作之時間圖。被施加至掃描線wsi之脈衝以wsl表示，被施加至掃描線WS2之脈衝以ws2表示.，被施加至掃描線Az之脈衝以犯表示，被把加至掃描線DS 1之脈衝以ds 1表示。另外，將驅動電晶體 Tr2之閘極電位（G)、汲極電位（D)及源極電位（s)重疊於脈衝 dsl之位準變化加以表示。又，驅動電晶體Tr2之汲極電位（d) 同時為開關電晶體Tr3之源極電位。在Vth消除期間中，脈衝&2被施加至電晶體Tr5&Tr6，以檢知驅動電晶體Tr2之臨限值電壓vth。此被檢知之vth被保持於保持電容C1作為Tr2之閘極電位（G)與源極電位（s)間之差。其次，脈衝ws i被施加至抽樣電晶體Trl及開關電晶體Tr4時，影像信號Vsig被抽樣，經由耦合電容以被寫入保持電容ci。被寫入保持電容（^之¥比及Vsig之和以Tr2之閘極電位（G)與源極電位（S)間之差顯示於時間塗上。另外，進入發光期間，脈衝dsl被施加至開關電晶體Tr3時，汲極電流通過驅動電晶體Tr2流至發光元件El。因此，源極電位（s) 上升’但因自舉機能，與閘極電位（G)之電位差保持於一定。隨著源極電位（S)之上升，汲極電位亦上升。此汲極 96535.doc -26- 200530985 電位（D)雖為開關電晶體Tr3之源極電位，❻因脈衝如之振幅被設定於比此沒極電位⑼充分高之值，故可施加電晶體

Tr3之通電動作所需之順向偏壓％。其後，進入非發光期間，脈衝dsl被切換為低位準，以截止開關電晶體w。藉汲極電流之切斷，使驅動電晶體Tr2之汲極電位⑼由Μ侧下降至GND。此時，因脈衝如之低位準被設定於比遍充分低之值，故可施加反向偏壓Vb至開關電晶體Tr3之閘極。又，在非發光期間，脈衝wa2被施加至電晶體Tr7之問極。因此，Tr7導通.，反向偏壓Vmb被施加至驅動電晶體之閘極（G)。由以上說明可知：驅動電晶體Tr2及開關電晶體Tr3分別可在適切之時間被施加反向偏壓，故可抑制各其臨限值電壓之變動。但，開關電晶體Tr3之部分仍有若干可改善之餘地，故茲就此點加以說明之。考慮開關電晶體T r 3之動作點時，如上所述，只要考慮脈衝dsl之電壓位準與至驅動電晶體之汲極電摩（D)即可。在發光期間中，開關電晶體Tr3通電，故脈衝ds 1之Η電位比汲極電位（d)高出Tr3之Vth以上，故被施加Va電壓。也就是說，在發光期間中，開關電晶體 Tr3之閘極/源極間被施加順向偏壓。此後，在非發光期間中’脈衝dsl之L位準在GND以上，故被施加反向偏壓。在此反向偏壓之期間，汲極電位（D)會因漏電等之原因而變得降低至陰極電位（GND)或其附近。在此期間，電晶體Tr3斷電’其結果’僅反向偏壓Vb被施加至電晶體Tr3之閘極/源極間。故’由於順向偏壓及反向偏壓兩者都施加至電晶體 96535.doc -27- 200530985

Tr3，故可某種程度地防止Tr3之Vth之變動。但，延長1場期間（If)所佔之發光時間時，非發光時間會受壓迫而縮短，故反向偏魔施加時間也會變短’相對地有必要更有效地執行臨限值電壓之下方修正’有必要設定較大之vb之絕對值。但，Vb之絶對值a又疋太大時，脈衝ds丨之振幅會增加，導致成本之增加’且會影響電晶體Tr3之耐壓，不僅影響成本，也會影響良率。圖11係表示圖9所示之像素電路進一步改良之實施型態，為容易暸解起見，在對應於圖9之像素電路之部分附上對應之參照號碼。改良點在於與成問題之電晶體Tr3並連地連接追加之電晶體Tr8，並在其閘極經由掃描線DS2而連接補足手段。此補足手段係對開關電晶體Tr3補足地驅動追加電晶體Tr8，以創造不妨礙Tr3之動作之時間。經由掃描線 DS1而連接於開關電晶體Tr3之反向偏壓施加手段可利用此創造之時間施加反向偏壓至電晶體ΤΓ3。圖12係供說明圖1丨所示之像素電路之時間圖。為容易暸拳解起見，在對應於圖1 〇之前面實施型態之時間圖之部分使用對應之參照號碼。特徵點在於施加至開關電晶體Tr3之閘極之脈衝dsl與施加至追加電晶體Tr8之閘極之脈衝如2處於互相反相之關係。在發光期間中，順向偏壓化被施加至開關電晶體Tr3之閘極。此與圖9之實施型態相同。其次， · 進入非發光期間時，脈衝dsl低於GND而成為低位準，開關 - 私晶體Tr3斷電。此時，電晶體Tr8補足地執行動作而成為通甩狀態’故電流持續由電源Vcc側被供應至驅動電晶體 96535.doc -28 - 200530985

Tr2。因此，驅動電晶體Tr2之汲極電位（D)不會降至陰極電位（GND)，而可取得電源電位Vcc或其附近之電位。因此，在包含於非發光期間之反向偏壓期間中，開關電晶體Tr3之閘極/源極間電壓之絕對值為Vcc + Vb，可施加非常大的反向偏壓。因此，即使不將大振幅之脈衝dsl施加至開關電晶體

Tr3，也可將臨限值電壓之上方變動有效地向下方修正。如此，即使非晶質矽薄膜電晶體或多晶矽薄膜電晶體之臨限值電壓發生變動，也可利用像素電路加以修正，故可防止考X光元件EL之冗度劣化，提供高品質之主動矩陣型顯示器。尤其，無需增大施加至執行發光之開關控制之電晶體之閘極之脈衝之振幅，故可實現驅動器之低成本化。而，可面修正驅動電晶體之Vth變動，一面也可容易修正開關電晶體之Vth變動。【圖式簡單說明】圖1(A) (B)、（〇係表示本發明之電晶體電路之第一實施型態之模式圖。圖係圖1所示之電晶體電路之動作說明用之時間圖。圖3 (A )、（ B )係表示本發明之電晶體電路之第二實施型態之模式圖。圖4(A)、（B)係表示本發明之電晶體電路之第三實施型態之模式圖。 ^ "系表不本發明之主動矩陣顯示裝置及其所含之像素龟路之概略之區塊圖。圖6係表示像素電路之參考例之區塊圖。 96535.doc •29- 200530985 圖7係說明圖6所示之像素带 ρ, 〇ίΑ , / 、包路之動作之時間圖。圖S(A)、（Β)係表示像辛口同犧主^ 豕常电路之另一參考例之模式圖。圖9係表不本發明之像 1豕言電路之第一實施型態之電路圖。圖1 〇係供說明圖9戶斤+夕#主& A 〇口所不之像素電路之動作之時間圖。圖圖U係表不本發明之像素電路之第二實施型態之電 0 圖12係供說明圖11所示之像素電路之動作之時間圖。【主要元件符號說明】 1 像素陣列 2 水平選擇器 3 驅動掃描器 4 光掃描器 5 像素電路 96535.doc -30 -

Claims

200530985 十、申請專利範圍： i -種電晶體電路，其係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、連接於各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極以= 定動作之配線者；、含有至少1個薄膜電晶體，其係在動作中，經由配線反覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源極間者； =含有反向偏壓施加手段，其係在不造成妨礙該動作之時間，將反向偏壓施加至該薄臈電晶體之閘極與源極間以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 2. 如請求们之電晶體電路，其中包含並聯連接於該薄膜電晶體之追加薄膜電晶體、相對該薄膜電晶體補足地.驅動該追加薄膜電晶體以創造上述不造成妨礙動作之時間之補足手段；則述反向偏壓施加手段係利用該創造出之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體者。 3. 如請求項2之電晶體電路，其中該薄膜電晶體係n通道型或P通道型，前述追加薄膜電晶體亦係同樣之1^通道型或p 通道型，前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘極者。 4·如請求項2之電晶體電路，其中該薄膜電晶體係1^通道型或P通道型，前述追加薄膜電晶體係相反之p通道型通道型，前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈衝具有同相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電 96535.doc 200530985 晶體者。 5 · —種像素電路，其係配置於列狀之掃描線與行狀之掃描線之各父又部，被該掃描線選擇時，由該信號線抽樣信號’且依照所抽樣之信號驅動負載元件者；其包含形成於基板之複數薄膜電晶體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極之配線；負載疋件之驅動中至少1個經由配線反覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源極間之薄膜電晶體；且包含反向偏壓施加手段，其係在不造成妨礙負載元件驅動之日守間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之間，以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 6·如明求項5之像素電路，其中包含並聯連接該薄膜電晶體之追加薄膜電晶體及相對該薄膜電晶體補足地使該追加薄膜電BB體動作’創造上述不造成妨礙上述負載元件驅動之時間孓補足手段；前述反向偏壓施加手段係利用該創造出之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體者。 7·如明求項6之像素電路，其中該薄膜電晶體係N通道型或p 通道型，前述追加薄膜電晶體亦係同樣之N通道型或1>通 ' 1 〃而述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之開極者。 8·々明求項6之像素電路，其申該薄膜電晶體係"通道型或p 96535.doc 200530985 型二則述追加缚膜電晶體係相反之？通道型或N通道 :衝='足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閉極之者。、同相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體被二^5之像素電路’其中前述複數薄臈電晶體係包含伴样^選擇時導通，由該信號線抽樣信號而保持於之抽樣用薄膜電晶體、依照保持於該保持電容〜位控制對該負載元件之通電量之驅動用薄膜電電曰體：制對该負載元件之通電之開/關之開關用薄膜 :’ Μ反向偏壓施加手段係施加反向㈣至該驅 ▲ 4膑電晶體及該開關用薄膜電晶體之至少一方者。 1〇 i吻求項9之像素電路，其中包含臨限值電壓消除手段， :係：消除該驅動用薄膜電晶體之臨限值電壓之變動地凋整知加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信號電位之位準者。 U.;如請未項$之像素電路，其中包含自舉手段，其係以吸收泰'、_件之特性變動地自動控制施加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信號電位之位準者。種^不裝置’其係包含列狀之掃描線、行狀之掃描線、及配置於此等交又之部分之像素電路者； W該像素電路係在被該掃描《擇時，由該信號線抽樣影像信號，且依照所抽樣之影像信號驅動發光元件；像素電路係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極之配線； 96535.doc 200530985 /光7L件之驅動中至少丨個經由配線反覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源極間之薄膜電晶體；並包含反向偏壓施加手段，其係在不造成妨礙發光元件驅動之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極 /、源極之間，以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 I3’如明求項12之顯示裝置，其中包含並聯連接該薄膜電晶體之追加薄膜電晶體、對該薄膜電晶體補足地使該追加薄膜電晶體動作，創造不造成妨礙該發光元件驅動之時間之補足手段；則述反向偏壓施加手段係利用該創造之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體者。 14.如請求項13之顯示裝置，其中該薄膜電晶體係N通道型或 P通道型，前述追加薄膜電晶體亦係同樣之1^通道型或P 通道型’前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘極者。 15·如請求項13之顯示裝置，其中該薄膜電晶體係N通道型或 P通道型，前述追加薄膜電晶體係相反之p通道型或N通道型’前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈衝具有同相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體者。 16.如請求項12之顯示裝置，其中前述複數薄膜電晶體係包含被該掃描線選擇時導通，由該信號線抽樣影像信號而 96535.doc 200530985 ”持於保持電容之抽樣用薄膜電晶體、依照保持於該保持電谷之信號電位控制對該發光元件之通電量之驅動用薄膜％ a曰體、及控制對該發光元件之通電之開/關之開關用薄膜電晶體；前述反向偏壓施加手段係將反向偏壓施加至該驅動用薄膜電晶體及該開關用薄膜電晶體之至少一方者。 1 7· 士明求項丨6之顯示裝置，其中包含臨限值電壓消除手又一係以消除該驅動用薄膜電晶體之臨限值電壓之變動地調整施加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信號電位之位準者。 18·如請求項16之顯示裝置，其中包含自舉手段，其係以吸負载元件之特性變動地自動控制施加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信號電位之位準者。 19. -種電晶體電路之驅動方法，其係包含形成於基板之複數薄臈電晶體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極以執仃特定動作之配線之電晶體電路之驅動方法；且執行順向偏壓施加程序：其係在動作中至少對i個薄膜電晶體經由配線反覆地或持續地將順向偏麼施加至閘極與源極間者；及反向偏壓施加程序，其係在不造成妨礙該動作之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之間，抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 20·如請求項19之電晶體電路之驅動方法，其中包含補足程 96535.doc 200530985 序，其係相對該薄膜電晶體補足地驅動並聯連接於該薄膜電晶體之追加薄膜電晶體，以創造上述不造成妨礙動作之時間者；別述反向偏壓施加程序係在該創造偏壓施加至該薄膜電晶體 21 ·種像素電路之驅動方法，該像素電路係配置於列狀之知描線與行狀之掃描線之各交叉部，被該掃描線選擇時:由該信號線抽樣信號，且依照所抽樣之信號驅動負載:件’而包含形成於基板之複數薄膜電晶體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或沒極之配線；該驅動方法執行 / 順向偏μ施加程序：其係在負载元件之驅動中至少對】個薄膜電晶體經由配線反覆地或持續地將順向偏屋施加至閘極與源極間者；及 ^向偏麼施加程序’其係在不造成妨礙負載元件驅動之日守間，將反向偏麼施加至該薄臈電晶體之閑極之間，抑制該薄臈電晶體之臨限值電壓之變動者:、'、極 η:請求項21之像素電路之驅動方法，纟中包含補足程晶體該電晶體補足使並聯連接於該薄臈電 : '歧電晶體動作，以創造不造成妨礙上述負戰7C件驅動之之時間者；、前述反向偏壓施加程序係在該創造出之時間，將偏壓施加至該薄膜電晶體。、 σ 種』不义置之動方法，該顯示裝置係包含列狀之掃 96535.doc 200530985 田線行狀之掃描線、及配置於此等交叉之部分之像素包路，该像素電路係在被該掃描線選擇時，由該信號線抽樣衫像^號，且依照所抽樣之影像信號驅動發光元件，忒像素電路係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極之配線；該驅動方法執行順向偏壓施加程序··其係在發光元件之驅動中至少對丄個薄膜私晶體經由配線反覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源極間者；及 ^向偏壓施加程序：其係在不造成妨礙發光元件驅動之日間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之間，抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 24. 如請求項23之顯示裝置之驅動方法，其中包含補足程 $，其係相對該薄膜電晶體補足地使並聯連接於該薄膜电日日體之追加薄膜電晶體動作，以創造不造成妨礙該負載元件驅動之時間者；、前述反向偏壓施加程序係在該創造出之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體者。 96535.doc