TW200529263A - Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing for the same - Google Patents

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200529263 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於例如積層電容器等之積層型陶究電子零 件及其製造方法，更詳細言之，係關於外部電極具有將電 鑛層積層於燒結電極層表面的構造之積層型陶竞電子跫件 及其製造方法。 【先前技術】

以往，於積層陶瓷電容器等之積層型陶瓷電子零件 中，於藉由導電糊之熱處理而形成之燒結電極層表面，積 層著複數的鍍層之構造是周知者。例如，於下述之專利文 獻1之習知技術中，於有特定程度的厚度之燒結電極層的 表面，形成例如由Ni所構成的中間電鍍層，然後再於中間 2鍍層上形成由Sn或Sn合金所構成的鍍層。其理由在於， 藉由Sn或Sn合金所構成的鍍層於提高焊接性之同時，藉 由Ni所構成的中間電錢層以防止燒結電極層之氧化與丈; 、；、、； 於士成上述中間電鍍層及外側之Sn鍍層之時 鍵液若侵入至燒处雷代& 凡…電極層内’會導致積層陶瓷電容器之 種特性之降低是周知者。

尤其’於内部雷無M 桎間之陶瓷層愈做愈薄且陶瓷層的: 曰数曰皿增多的高雷旦 胺接如▲ 谷®積層陶瓷電容器中，於形成Sn : Μ後，在向溫負荷續 向。撼广甘 ° ·’、-中有容易發生可靠性降低問題的‘ 因由Ni所構成之中間電鍍層並未 向據#其理由在於， 燒結電極層的表面充分被覆之故。亦即，於：二的間 5 200529263 進行鍵Sn時之鑛液會將燒結電極之玻璃等的氧化物溶解而 侵入燒結電極層内，並到達陶曼本體之故，藉此，會發生 絕緣電阻降低等之情形。 另方面為了改善此種外部電極中錄鑛層對燒結電 極層表面的被覆性以提高焊接性，曾有各種之嘗試。例如， 方、下述之專彳]文獻2中，藉由對燒結電極層表面進行红桶 (b脈υ研磨，以防止構成燒結電極層之導電糊中之玻璃溶 塊(gl，脑)所產生的微粉末之附著於燒結電極層表面。因 而，由於燒結電極層表面的平滑性之提高，可提高形成於 外表面之中間電艘層之被覆性。 又作為其他的方法，亦曾有提案揭示：將構成燒結 電極層之導電糊中所含有之玻璃炼塊變更為導電性玻璃溶 塊的方法再者，亦有提案揭示：使中間電鍍層之鎳鍍層 加厚的方法。 [專利文獻1]日本專利特開2002_75779號公報 [專利文獻2]日本專利特開2〇〇3·丨i 78〇4號公報 【發明内容】 然而，即使如專利文豸2戶斤記載般地進行缸桶處理以 防止源自玻㈣塊的㈣末之附著，並使燒結電極層表面 平滑化，於在燒結電極層表面依序形成Ni鍍膜及Sn鍍膜 之場合，仍會由於鍍如時之鍍液的侵入，而有絕緣電阻降 低之傾向。據信其理由在於：即使進行缸桶研磨使燒結電 極層表面平滑化’冑出於燒結電極層表面之玻璃炼塊等之 氧化物依然存在著，鍍液會將此氧化物溶解，玻璃熔塊自 200529263 笔極層表面除去之部分 針孔侵入之故。4生針孔，於鑛Sn時鑛液會經該 ^另—方面’於使用導電性玻璃料的方法中，雖露出 於導電性玻璃熔塊的外部 各出 鉍金屬相比其導電性較彳 、唯 #x低，而未旎附者充分厚度之Ni铲 無，故於鍵Sn時因妒、为+冷 鍛 TLJ鍍液之侵入，於進行高溫負荷 絕緣電阻有降低之傾向。 -t之 再者，於使Ni鑛膜作成為較厚的方法，成本會择古， 且即使單純地使Ni鍍膜作忐盔仏后^ 曰阿 負何试驗之絕緣電阻之降低。 门凰 本^明之目的’乃有鑑於上述習知技術之現 一種積層型陶瓷電子零件及盆 棱供 件，係具有在燒結電極面该積層型陶竞元 間電鍍層之外表面形. ^ 上於中 極々κ主 有鍍層，猎由中間電鍍層將燒处電 極層之外表面充分地被 70…電 ^ 因而’當形成在中間雷供思 外側之鍍層的鍍敷時， 1电鍍層 性的降低不易發生，而2 入 絕緣電阻等特 勿^生而具備優異的可靠性。 用以解決上述課題之手段為·· 本發明之積層型陶瓷 極之積層型陶究元件 $ ，U··具有内部電 筮1 - 形成於積層型陶瓷元件的兩浐而夕 弟】、第2外部電H 件的兩知面之 元件声而B人A 卩電極含有··形成於積層陶杳 兀件表面且含有氧化物之燒積層陶是 層表面之中間雷抑 # ^枝層七成於该燒結電極 並於燒結電極層的表面之 ^鑛層表面之鑛層， W分存在有該氧化物者；其特 7 200529263 徵在於，在露出於燒結電極声 声而都八六+ 9表面之該氧化物之至少露φ 表面口P刀，存在有金屬，其 路出 電鍍層被覆之核。 〜、：〜露出表面部分以中間 本杂明之積層型陶咨雪 ^ ^ 電子零件之特定形態中，存 该乳化物之露出表面部分與該 仔在於 為硬度較今氡1化4b少 ^ s “鍍層之間之該金屬， 沒孕乂 4虱化物之硬度低之金屬。 本發明之積層型陶莞電 ^ - . . _ 7什t特疋形B中，存右 忒氧化物之露出表面部分與誃 在於 Λ M t Η # JS " Β電鍍層之間之該金屬 為I中間電鑛層之構成金屬之離子化傾向小之金屬。 Γ者為，上述中間電鎖層為心鑛層所形成。 :發明之積層型陶竟電子零件之又一特定形態 在於该氧化物之露出表面部分盘 存 屬，為Snun合金。H中間電鑛層之間之該金 本發明之積層型陶竟電子零件之製造方法，所製、生 、層型陶究電子零件係具備：具有自端面拉出之内部：之 :广牛及嫩積層型陶究元件的兩 h外部電極者；其特徵在於具備下述諸步驟：之 使含有氧化物之導電糊附著於積層型陶究元件上 2處理以形成燒結電極層之步驟；在露出於燒結電極2 勺表面之-部分上之氧化物的露出表面部分，附著上金^ 之步驟’该金屬作為使氧化物之該露出表面 間電鑛層之核；在氧化物之露出表面部分之含有:::屬上二 面之燒結電極表面上，藉由電鍍以形成中間電鍍層之步 驟，在中間電鍍層之外表面形成鑛層之步驟。 ' 8 200529263 本勒明之裝造方法之特定形態，於在露出於燒結電極 層的表面-部分上之氧化物的露出表面部分附著金屬⑽為 使氧化物之該露出表面部分被覆上中間電鐘層之核）之步驟 中’自以該金屬（作為將氧化物之露出表面部分以中間電錢 層被覆之核)被覆之介質’使該金屬移動至氧化物之露出： 面部分而附著於氧化物露出表面部分。 & 本發明之製造方法之又一特定形態，在露出於燒結電 極層的表面-部分上之氧化物的露出表面部分附著上金屬 (作為使氧化物之該露出表面部分被覆上中間電鑛層之核） =步驟中，將至少以較該氧化物硬度低的該金屬被覆之介 質、與形成有燒結電極層之積層㈣£元件投入容哭中， 藉由攪拌，使該介質表面之該金屬附著於氧化物表；。 本發明之製造方法之另一特定形態，在露出於燒結電 極層的表面一部分上之氧化物的露出表面部分附著上金屬 (作為使氧化物之該露出表面部分被覆上中間電鑛層之核） 之步驟中，將以較中間電鍍層之構成金屬之離子化傾向更 j的圭屬被覆之介質、與形成有燒結電極層之積層型陶瓷 兀件投入電鍍裝置中，使介質表面的金屬溶解析出而附著 於该氧化物之露出表面部分。 於本發明之製造方法中，較佳者為，中間電鐘層係由 Νι鍍層所形成。 本七明之製造方法之另一特定形態中，附著於氧化物 之露出表面部分之該金屬為〜或sn合金。 9 -200529263 (發明之效果） 所含fill?型陶究電子零件中，在燒結電極層中 =在有:：路出於燒結電極層的表面的露出表面部 之核）：為使該露出表面部分以中間電鍍層被覆 之核）。亦即，於燒結電極層表面之露出氧化物之 部分係以該全屬祐增輩 表面 屬…：：： 由於在外表面係具備該金 一虱化物路出之部分以外的導電性部分，故於 電鍍層藉由電鍍來形成之場 、曰 層的外# & 〇 lσ中間電錢層可將燒結電極 電錢芦^外，、只土以充分的厚度被覆。因此，即使在中間 之^…側更進一步形成錢層，鑛液之往燒結電極層内 阻^夂=以抑制’而不易發生高溫負荷試驗時之絕緣電 牛低荨，而可提供可靠性優異且 型陶瓷電子零件。 …生靶之積層 於該金屬為較氧化物之硬度低的金屬之場合 ^可使該金屬容易地物理性地附著於氧化物露出表面部 的全==為較中間電鍍層之構成金屬之離子化傾向小 2屬^合’猎由於中間電鑛層之形成前施行弱電解處 了使錢屬析出並附著到氧化物之露出表面部分。因 而’可用中間電鑛層之# # & 屬形成所必須之鍍敷裝置進行使該金 屬附者於氧化物之露出表面部分的步驟。 居之丈鑛層為錄錢層之場合’即使形成作為外側鍍 二干接性優異之由Sn或Sn合金所構成的鍍層，由於婷 -電極層以錄錢層被覆著，故燒結電極層之氧化不易發二 10 200529263 於存在於該氧化物之露出表面部分與該中間電鑛層之 間之該金屬為Sn或Sn合金 心场合’由於Sn較Ni離子化 傾向小，故若將以Sn被覆之介 "貝或由Sn所構成之介質投 入鍍冷中，只要於申間電鑛 g之形成則先施行弱電解處 理，可使Sn析出附著於氧化物之露出表面部分。 於本發明之積層型陶究電子零件之製造方法中，於中 間電鍍層之形成時，在露出於燒纟士電極> &矣&么 氧化物之露出表面部分，附著上二電極層的表面一部分的 附者上金屬（作為使氧化物之該露 出表面。Ρ为被覆上中間電 著後再形成中間電鍍層之場人=於使該金屬附 燒結電極層之外表二而Γ層可確實地被覆 卜“目而’可提供本發明之積層型陶究 々件 亦即南溫負荷試輪^έ刀綠rr 之、％緣電阻之降低不易發生 且了罪性k異之積層型陶瓷電子零件。 本發明之製造方法中，告 驟，金屬附著步 出…" 使該金屬露出於氧化物之露 出表面部分而附菩夕_^人 — 成二夕接稭對該介質與中間電鍍層形 成刖之積層型陶瓷开灶、仓> Μ 1 ^ 到氧化物命中矣可使該金屬容易地附著 J ^化物路出表面部分0 有燒= : = =低的金屬被覆之介f、與形成 場合，由於介質：=!入容器中，進行攪拌之 ::=Γ實地附著到氧化物之露出表面部:在 化傾向更小的全屬ΪΓ中間電鑛層之構成金屬之離子 ”屬破復之介質、與形成有燒結電極層之積 11 200529263 層型陶究元件，欲藉由使介質表面的金屬溶解析出並附著 於該氧化物露出表面部分的場合，可用電鑛裝置使該金屬 附著到氧化物之露出表面部分。因而，可直接使用電鐘裝 置料次-步驟之中間電錢層之形成。故不須另外準備製 造裝置’依據本發明可有效率地製造可靠性優異的積層型 陶瓷電子零件。 曰 於中間電鍍層為Ni鍍層之場合，#由該中間電鍍層被 馨覆燒結電，層之場合’可確實地防止燒結電極層之氧化曰。 於附著於氧化物的露出表面部分之該金屬為如或如 場合’由於SnfeNl離子化傾向小，故若將以如被 復之"質或由Sn所構成之介質投入鍍浴中，只要 前先施行弱電解處理，…析出附著於:化 初之路出表面部分。 【實施方式】 以下，藉由一邊參照圖式下就本發明之具體的 態及實祐你丨祖4* A 八粒的貫^形 _ 只知例對本發明更清楚地加以說明。 固1 (a)及（b)為本發明之一實施形能之接麻 零件之一" 〈貫把开〜之積層型陶瓷電子 灸則視截面圖、及外部電極之重要 局部锈鉬+二 丨刀之放大顯示之 边視之則視截面圖。本實施形態之積層型陥$ 件為積層陶:光電容器1。積層陶究電容”丨陶免電子零 個内部雷搞，一積層闹无電谷益1 ’係具有將複數 ° 、3隔著陶瓷層重疊配置而成之卩自& ^ 4(積層型陶瓷亓彳^ 成之陶瓷燒結體 結體4的一大夕_ 係延伸至陶瓷燒 万之鳊面4a。又，複數的内部雷 陶瓷燒結體t ^丨電極3係延伸至 的另一方之端面m、第2外部電極5、 12 200529263 6係以覆蓋端面4a、4b之方式形成。第卜第2外部電極5、 6，分別具有形成於陶瓷燒結體4之端面4a、4b(亦即陶瓷 70件表面）之燒結電極層5a、6a。燒結電極層5a、6a係藉由 以έ有玻璃炫塊等之氧化物之導電糊進行熱處理而形成。 於燒結電極層5a、6a之表面，藉由電鍍法形成有中間 電鍍敷層5b、6b。於本實施形態中，中間電鍍層讣、讣係 藉由進行Ni電鍍而形成。 於中間電鍍層5b、讣之外側表面形成有鍍層5c、6c。 鍍層5c、6c，於本實施形態中，係藉由進行Sll電鍍而形成。 由Sn所構成之鍍層5c、6c，係以提高焊接性為目的而設置 者。又，中間電鍍層5b、6b，係由Ni所構成，係設置用以 防止内側之燒結電極層5a、6a之氧化並於鍍Sn時防止鍍液 之侵入到燒結電極層5a、6a者。 然而，此種外部電極中，於藉由電鍍來形成外側之由

Sn構成之鍍層時，中間電鍍層對燒結電極層之被覆不夠充 _ 分是問題點所在。 相對於此’於本實施形態之積層陶曼電容器1中，為 解決此問題，如圖1(b)中將外部電極5放大顯示般，係附 著有金屬8，以覆蓋燒結電極層5a中的氧化物7露出於燒 結電極層5a表面之露出表面部分7a。 燒結電極層5a，係藉由對由Si〇2等之氧化物所構成的 坡璃熔塊、與含有Ag及/或Cu等之導電性粉末之導電糊進 仃熱處理而形成。在如此形成的燒結電極層5a上含有氧化 物7。且若干的氧化物粒子係如圖丨所示般，於燒結電極 13 * 200529263 層5a之外表面露出至少一部分而分散著。上述氧化物7， 知由Si〇2等之絕緣性材料所構成。因而，於燒結電極層5a 的外表面，由於該氧化物7之露出表面部分&之導電性低， 故燒結電極層5a的-部分為絕緣性或導電性低的狀態。 因而’於上述燒結電極層5a上即使進行Ni電鍍形成中 :_層5b，於上述氧化物7的露出表面部分&亦難以附 著上Ni鍍膜。

然而，於本實施形態之積層陶瓷電容器丨中，上述金 屬8係以被覆著氧化物7的露出表面部分7a之—部分的方 式而附著。因而，於進行犯電鍍時會以金屬8為核而析出 Ν':藉由電鍍，可< Ni _實地附著而被覆燒結電極層& 之導電性表面部分、與氧化物7的露出表面部分7a上之金 屬8，故可形成被覆性良好的中間電鍍層5b。 玉 因而，即使藉由電鑛等之濕式鑛敷法來形成用以提言 焊接性之由Sn鑛膜所構成的錄層5e，由於藉由中間電^ 5b將燒結電極層化的外表面確實地被覆著，故鍍液之侵二 到燒結電極層5a不易發生。因而，不易發生於高溫負二 :之絕緣電阻之降低等’而可提供可靠性優異之:是 電容器1。 文 又，作為燒結電極層5a、6a，只要對含有適當的導 性粉末、與絕緣性氧化物粒子之導電性糊進行熱處理東 成者皆可’沒有特別的限定。又，有關上述金屬8 : 可被覆著氧化物7之露出表面部分73而附著皆可，並= 別限定。 “、、特 14 200529263 ::佳者為’金屬8係由較用以構成中間電鍍層％之金 子化傾向更小的金屬所構成。例如，於中間電鑛層 ，、，、由广所構成的場合，可列舉：Sn、Cu、Ag、Au、Pt 或以此等作為主成分之合金。 八屬Γ由用1中間電錢層之構成金屬之離子化傾向更小的 :為上述金屬8’於中間電鍍層之進行電鍍前，藉由將 以上述金屬8所被覆之介暫十θ ;ί貝或由该金屬8所構成之介質等 浴中進行較電錢更弱之電解處理，可使存在於錢 :之上述金屬8之金屬離子析出，藉此可在氧化物之露 2面部分附著上金屬8。因而，可直接利用中間電鑛層用 的讀裝置使金屬8附著於氧化物7之露出表面部分^ 如上述般’只要使鍍浴中存在有構成該金屬8之金屬離子， 僅須在進行中間電錄之前施行弱電解處理，即可使該金屬 析出並附著於氧化物之露出表面部分乃。 、’ 又，較佳者為，上述金屬8係由較氧化物7硬度低的 金屬所構成。藉由使金屬8之硬度為較氧化物7低，例如， 藉由使以金屬8被覆之介質、與形成有燒結電極層5a、6a 之積層_容器i藉紅桶研磨等進行授拌，可對金屬8 加以切削，而可在燒結電極層5a的表面之氧化物了之露出 表面部分7a上物理性地附著上金屬8。又，於鍍敷褒置中， 同樣地’藉由在施行電解處理前進行授拌，可使介質表面 之金屬物理性地附著在燒結電極層表面之氧化物表面。 又’有關構成中間電鍍層5b、6b之金屬材料，並益特 別限定，於本發明中，為防止燒結電極層5a、6^氧化並 15 * 200529263 t貝地防止自外側之鐘液的侵入，以用犯為佳。 作為上述金屬8，可舉出較Ni之離子化傾向小的金屬 之sn、Cu、Ag、Au、Pb等之金屬或合金。於如此之較構 成令間電鑛層5b、6b之金屬之離子化傾向小的金屬或合金 的場合，於形成中間電鍍層5b、6b之時，只要於形成中間 電鍍層之前施行弱電解處理’鍍浴中之離子化傾向較小的 ^屬會較形成中間電鍍層之金屬先析出，而可附著於燒結 屯極層之一部分及氧化物之露出表面。 又，作為上述金屬8,可舉出較氧化物硬度低的金屬之 ο Γ1 N On a ▲ 七 Ag、如、211、則、抑等之金屬或合金。於如此之 二構成中間電鐘層“之金屬之硬度低的金屬 之:，於缸桶研磨或鍍敷前之攪拌時，於形成中間電鍍層 藉由玻璃料等氧化物之切削，可附著於氧化物之 又， 為較昂責 Sn 或 Sn

於上述金屬中，由於Cu易於氧化，而Ag、Au等 ，故作為較Ni離子化傾向小且硬度低的金屬，以 合金為佳。 之製造方法的具體例 其次’就上述積層陶瓷電容器 力口以說明。 C層陶究電容器丨之時，可依循公知的方法， 結體4、：I極2、3之陶竟燒結體4。然後’於陶竞賴 電極屉“而面4a、4b塗佈導電糊，#由熱處理可形成燒詞 噌 5a、6a 〇 氧化物 於繞結電極層5a、6a中含有上述氧化物 16 • 200529263 之一部分係露出於焯0士 在於圖w所示之逐層5a、6a^外表面。亦即，存 路出表面部分7a。 接著，以對形成有焯处 哭1 AA y班 百几、、、口電極層5a、6a之積声陶穿雷容 裔1的位置之氧化物 《積層陶是“ 以被覆之方式，使全屈s表面a 7a的至少—部分加 物7之露出夺而屬附著。欲使此金屬8附著至氧化 又路出表面部分 屬材料所例如，可將以與金屬8相同之金 屬材科所構成之介質或以盥 狀鋼球等之介質、盘穑展^屬8相同之材料所被覆之球 一積層陶瓷電容器1投入至拉 由攪拌而達成。又，亦7收… 奴八至今裔中，耩 入至缸心 ，、σ :上述介質與積層陶瓷電容器1投 入至缸桶鍍敷裝置之缸桶内， 理，可使金^8 a * ^又知行弱電解處 紅桶鍍敷裝置，且“ 出表面部分7a。於用 使金屬8附著並不須新的裝置。又，於使金屬8附著後， 可立即用該紅桶進行燒結電極層5a、6a 層陶竟電容器丨之生產性。 了撫冋積 、當然’使金屬8附著於氧化物7之露出表面部分^的 非限定於此等方法’亦可使用使金屬8熱熔噴鍍之 其次，就第1之實驗例作說明。 用長2.0mm X寬^讓x高1>2_的陶曼燒結體 4，製作成靜電容量為l〇#F、額定電壓為6·3ν、且、、w产特 性為Β特性之規格的積層陶瓷電容器。 準備由BaTi〇3系陶瓷所構成之陶瓷燒結體4，其為積 層有300層内部電極之上述尺寸的陶曼燒結體4，塗佈:含 17 200529263 4畚末（Cu)與氧化物之蝴梦酸玻璃的導電糊，藉由施 以熱處理’形成燒4士雷枚成 风70、、、σ電極層5a、6a。燒結電極層5a、6a於 端面4a、4b上之屋庠盔 予度為50/z m。又，上述氧化物之粒徑為 2 〜3 // m 〇 、對如上述般製得之燒結電極層5a、6a的表面藉由掃描 式電子顯微鏡觀察之下’可辨認出局部地有氧化物粒子露 出。 :、、、:後將开y成有上述燒結電極層5 a、6a之5萬個晶片、 與下述之第1介質、第2介質或第3介質2〇萬個投入到缸 桶中，進行由Ni所構成的中間電鍍層之形成。 又第1 ;丨貝〜第3介質之詳細情形係如下述： 弟1介質…直控1 ·6ηπη之鋼球 第2介質…直徑le6mm之鋼球，且於表面鍍敷有i〇# m厚度之Sn膜 第3介質…由直徑1 jnini之sn所構成之球 當然地，於將晶片與介質投入到缸桶中後以5〜3〇卬仿 的旋轉速度使缸桶在水中攪拌30分鐘而施行金屬附著處理 (作為鍍敷之前處理）之後，將該缸桶浸潰到鎳鍍浴中，通以 30A的電流，進行60分鐘的Ni之電鍍。又，如下述表1 所示般，於未施行上述鍍敷前處理之金屬附著處理之下進 行中間電鍍層之形成，以其作為比較例。 於如所示般地形成中間電鍍層後，通以15A的電流進 行60分鐘的Sn電鍍，形成鍍層&、6c。 如下述表1所示般，將用以使上述金屬8附著的金屬 18 200529263 著处之紅桶之5疋轉速度及旋轉時間作各種改變，製得 口種積層陶瓷電容器。對如此製得之各積層陶瓷電容器， 依下述要領進行高溫負荷試驗。 高溫負荷試驗…於105t之溫度，以直流電1〇ν的電壓 士積層陶究電谷器1通電iOOO小時。經過1000小時後之 絕緣電阻下降達100ΜΩ者，係視作不&品。又，初期絕緣 電阻之設計值為1000ΜΩ。 上述積層陶瓷電容器每100個中的高溫負荷試驗之不 良比例示如表1。

19 200529263 ^ 可知··未施行作 處理之比梦、如4 一八μ w处工王歹鄉之金屬附著 乂 ·，/、咼溫負荷試驗之不良數的 於用第1介暂f十一 ϋ列甚问。又， 全屬附著' ’、「絲以麵之鋼球）的場合，可能因未有 又、乳化物表面之故’高溫負荷試驗之不良甚多。 的尸入：.相對於此，於用被覆著Sn的鋼球之第2介質 琢口，猎由使缸桶之旋轉數及旋轉時 :r::驗之不良數的發生成為心::可 n所構成之第3介質的場合， 旋轉數及旋轉時門#八士女 要使缸桶之 數的…Γ 得到高溫負荷試驗之不良 之第;入所'，、、0之結果。據信其理由在於，於用被覆著Sn '貝、或由Sn所構成之第3介質的場合，於燒結電 極層5a、6a的表面之露出氧化物7之露出表面部分^ 由Sn之附著而確實地被覆著Sn，_，構成中間電❼二 鎳鍍膜亦確實地附著*兮氧/札 ，又曰之 ^八^ 物之露出表面部分以所附 屬8上’而可形成被覆性良好的中間電鑛層5b、6b 之故。 β尤其，由表1可得知：於施行第1介質或第3介質的 場合’於虹桶之旋轉速度（rpm)與叙桶之旋轉時間（分）的乘 積為15G以上的場合，皆可得到高溫貞荷試驗之*良數為〇 之、。果因而，以將缸桶之旋轉速度（rpm)與旋轉時間（分） 的乘積定為150以上為佳。 圖2為未施行上述前處理步驟之比較例】中，形成作 為中間電鑛層之錄鍍膜後的電極表面之掃描式電子顯微鏡 才目片；圖3為用第3介質以5rpm χ %分鐘的條件施行前 20 • 200529263 處理後，對形成作為中間電錢声 艰層之Nl鍍膜的場合之中間電 錄層表面之掃描式電子顯料於丨 , 电于』U鏡相片。由圖2與圖3比較可 知·於表示Νι鍍膜之白色的邱 ,, 卩分中’可看到甚多的據認係 玻璃炼塊的黑色部分，相對 η 才目對於此，於® 3巾，源自如此之 玻螭熔塊的黑色部分則幾乎不存在。 +因而，可知：藉由施行上述前處理步驟，可於將燒結 2亟層確貫地被覆之狀態下形成由W所構成的中間電鑛 層。 其次’就第2實驗例加以說明。 準備妥與第！實驗例中所準備之相同的陶£燒結體。 將此陶瓷燒結體5萬個盥直泸】 所 ^ 一置仫h6mm之由鋼球所構成之介 貝20萬個起投入缸桶（旋轉速度 成由川所構成之中間電鑛層之前，於要鑛敷之前，於j 使紅桶旋轉下在浸潰於Νι浴中的狀態下，通以n 9A或12A的電流的電流1分、3分、5分或7分施行前處 、，則處理，為通以較Ni電鍍為弱的電流以較短的時間 進行之弱電解處理，據信藉此可使由介質溶解到鍍浴中: Sn成分析出到燒結電極層表面。 接著繼上述前處理之後，使通電的電流之強度定 30A，i甬 φ μ 八 ^ k兔6〇刀鈿，形成由Ni所構成的中間電鍍層，接著 字缸桶/又/貝到Sn鍍浴中，以〗5 A的電流通電分鐘， 形成Sn鍍膜。 對如此得到的各積層陶瓷電容器，進行與第1實 ，、阿’凰負荷試驗’求出每100個積層陶瓷電容器之 21 -200529263 通 良數。將結果示如下述之表2。\，表2之電流值，係於形 成恥鍍膜之前所施行的弱電解處理時的通電電流大小， 電時間為該弱電解處理時之通電時^。 弱電^ 摔處理{丨^ ^ 電流値 (A) 通電時間 (分） 高溫負荷不良數 (個/100個） 〇 - 12 3 1 8 3 3 5 3 5 〇 3 7 0 6 1 一 3 6 3^^ 2 6 5 0 6 7 0 9 1 5 9 3 3 9 5 4 9 7 2 12 1 8 12 ------- __3__^ — 7 5 12 17 η 由表2可传知·與未施行弱電解處理的場合（亦即表2 卢電流值為0的場合)之習知例相比，藉由施行前述弱電解 7 ’所得之積層㈣電容器之可靠性得以提高。尤其， 3。電解處理¥以6A以下（亦即形成錄鑛膜時之電流值的 /以下^弱條件下施行弱電解的場合，高溫負荷試驗之不 又數顯著地減少，效果甚大。 如上述般，浸潰到鎳鍍浴，藉由以弱電流進行比較的 22 ^ 200529263 短時間通電之弱電解處理而 ^、 _. 徒汁局溫負荷可靠性者，據 化其理由在於··介質中之s m 、 成为藉由雙極（bipolar)現象溶 解，析出至燒結電極層表面 J兄象岭 分之故。由實驗…得知而：者上=:的露出表面部 、# 於上述虱化物之露出表面部 分附著以金屬的方法，亦可葬 』错由施行弱電解處理達成。 又，於施行上述弱電解處理 了稭由Sn離子與Ni離 子的離子化傾向的差而進行化 、 们析出。因而，亦可折 出至非導電性的玻璃熔塊（氧化 _ 、、 化物）表面，確實地附著於非導 電性或導電性低的氧化物之露出 、 衣® 口丨为。因而，於隨後 進行之Ni電鍍時，可在該析出 ^ ^表面連績且緻密地成 膜出錄鍍膜。因而，可有效地提高由Ni所構成的中間電鍍 層之被覆性’可確實地抑制其後進行之如鍍敷時之鑛液侵 =到内部的情形。又’於上述弱電解處理時之通電的電流 愈大會使得效果較小，其原因為在Sn離子析出之前犯會 優先地析出之故。 曰 於上述第1、第2實驗例中，係就積層陶究電容器所作 的:兒：，‘准，本發明亦可一般性地適用於在兩端面形成有 外部電極之各種積層型陶瓷電子零件。 又，於本發明之積層型陶瓷電子零件中，積層型陶瓷 元件，只要為至少具有丨個内部電極者即可，必非必須為 具有複數的内部電極者。 【圖式簡單說明】 圖U旬及（b)為本發明一實施形態之積層型陶竟電子零 件之積層陶瓷電容器的前視截面圖、及表示外部電極之重 23 200529263 要部分之放大局部透視截面圖。 圖2為表示比較例（未施行用以附著的前声 形成由Ni構成的中間電鍍層後的電極表面部分々理$步驟）之 子顯微鏡相片。 77之掃描式電 圖3為表示本發明實施例之實驗例中，於前處理步驟 在氧化物表面附著金屬之後形成中間電鍍層後的電極表面 之掃描式電子顯微鏡相片。 【主要元件符號說明】

5、6 積層陶瓷電容器 内部電極 陶瓷燒結體 端面 5b、6b 5c ' 6c 7 7a

外部電極 燒結電極層 中間電鍍層 層 氣化物 露出表面部分 24

Claims (1)

1. ^200529263 十、申請專利範圍： 具有内部電極 的兩端面之第 •一種積層型陶瓷電子零件，係具備·· 之積層型陶瓷元件、形成於積層型陶瓷元件 1、第2外部電極；

   〃該各外部電極含有：形成於積層陶究元件表面且 巩化物之燒結電極層、形成於該燒結電極層表面之中 鑛層、與形成於中間電鍍層的表面之鍍層，並於燒站 層的表面-部分存在有該氧化物；其特徵在於，〜 含有間電 電極 立、在路出於燒結電極層表面之該氧化物之至少露 P刀存在有金屬（作為將該露出表面部分以中間 覆之核）。 出表面 錢層被 申明專利IlL 15第1項之積層型陶曼電子零 中，存在於該氧化物之露出表面 ， 之該金屬，為硬度較該氧化物之硬度低之金屬1電鑛層之間

   =如u利，圍第m項之積層型陶究電子零 八，存在於該氧化物之露出表面部分盥該巾 7 層之間之該金1，為較中間電…」二亥中間電鍍 向小之金屬。…電鑛層之構成金屬之離子化傾 4 ·如申請專利範If)筮 1 1, ^ 圍弟1或2項之積層型陶瓷電子愛 件，其中，該中間電鍍層為鎳鍍層。 7 、如申請專利範圍第1或；項之積層型陶究電子零 件，其中’存在於該氧化物之露出表面部分與該中間電鍛 層之間之該金屬，為sn或Sn合金。 又 6.—種積層型陶究電子零件之製造方法，所製造之積 25 *200529263 層型陶究電子零件’係具備：具有自端面拉出 :積層型陶曼元件、與形成於積層舰元件的兩端面； 弟卜第2㈣電極者；其特徵在於具備下述步驟： 使含有乳化物之導電糊附著於積層型陶竟元件上，# 由熱處理以形成燒結電極層之步驟； 错 在'露出於燒結電極層表面之一部分上之氧化物露出表 ==上Γ屬(作為使氧化物之該露出表面部分被覆 上中間電鍍層之核）之步驟； 表面電:部分之該金屬表面之燒結電極 猎由電錄以形成中間電鍍層之步驟； 在令間電鍍層之外表面形成鍍層之步驟。 、 巾°月專利範圍第6項之積層型陶究電子零件之製 露出出：燒結電極層表面之一部分上之氧化物的 s 、。卩刀附者上金屬（作為使氧化物之該露出表面部八 :覆上中間電鍛層之核)之步驟中，該金屬自以該金：二 =!Γ出表：部分以中間電鑛層被覆之峨覆之； 部分。飞物之露出表面部分而附著於氧化物露出表面 、'如申明專利乾圍第7項之積層型陶瓷電子零件之製 的露出矣在：t於燒結電極層的表面之一部分上之氧化物 八 面。p刀附者上金屬（作為使氧化物之該露出表面部 中間電鑛層之核）之步驟中，將至少以較該氧化物 型：竟：::t屬破覆之介質、與形成有燒結電極層之積層 疋技入容器中，藉由攪拌，使該介質表面之該金 26 *200529263 屬附著於氧化物表面。 、告二二申：專利範圍第8項之積層型陶究電子零件之製 ^ / 在路出於燒結電極層表面之一部分上之4 #仏 露出表面部分附荽μ八Ε 义虱化物的 之谨… 步驟中’將使用較中間電鍍居 之構成金屬$雜m 子化傾向更小的金屬被覆之介質、盥 ，電極層之積層型陶究元件投入電鑛裝置中，使；ί 表面的金屬溶解析出而附著於該氧化物之露出表面部分； 0·如申請專利範圍第6至第9适由乂工 s 瓷電子零件之製造方法，、 、之積層型陶 ,, 、 °亥中間電鍍層為鎳鍍層。 •如申請專利範圍第6至第 …零件之製造方法，其中，附二中任一：之積層型陶 部分之該金屬為S4Sn合金。附者於錢物之露出表面 十一、圖式： 如次頁。

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