TW200527720A - Semiconductor light emitting element and its manufacture - Google Patents

Description

200527720 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 -本發明係關於使用氮化鎵系化合物半導體之半導體發 光元件。更詳細而言’係'關於具有：可在由金屬所形成之 上部電極與半導體層疊部表面間的歐姆接觸不易形成的氮 化鎵系化合物半導體所構成的半導體疊層部表面密接性良 好地形成上部電極，並可使電流擴散至晶片整體，但不會 流至無法從表面側取以之上部電極的下側以阻止無謂: 發光之構造的半導體發光元件及其製法。 【先前技術】

先則之使用氮化鎵系化合物半導體的半導體發光元/ 係形成如第5圖所示之構造。亦即，係在藍寶石基板21 上，依序外延（ePltaxial)成長：由例如⑽所構成之緩 層22;由GaN所構成之〇型層（接觸層以及覆蓋⑹⑹層 23、由帶隙(band gap)比覆蓋層小之決定發光波長的材 料’例如InGaN系（銦（In)與鎵（Ga)的比率可有各種變化 以下皆同)化合物半導體所構成之活性層(發光層)％以 由P型GaN所構成之p型層（覆蓋（cl〇d)層）25，然 型層（覆盍層）25的表®，隔著由例如Zn〇等所構成之透3 性導電層27而設置上部電_側電極）28。之後，在心 1虫刻去除所層4之半導體疊層部的-部份而露出的 23上設置下部電極（η側電極）而形成。上部電極μ，Ε 例如欽㈤以及金（Au)之層疊構造，而下部電極29，得 接以鈦-鋁(TH"合金成膜’或由藉由分別層疊丁】^ 316585 200527720 並進行熱處理（退火處理）而合金化之Τι_Α 兩者皆以金屬層形成。 s稱成， 門鎖^’n型層23以及P型層25 ’亦有為了提高載子之 ^ p 、 在性層24側，使用AlGaN系（表示A1 吳Ga的混晶比率可有夂 ^ ^ 有口種、交化，以下皆同）化合物半導妒 ::,此外，，鎵系化合物半導體中，由於不易ΐ Ρ · g的载子浪度，而必須進行活性化吏理，θ μ 多在半導體疊層部的表面側設置Ρ3ίΓ 因般 在上述構造中，於ρ側電極28以及 施加電壓時，電流係通過透光 =29之間 25、活性層24以及η型> 23 ώ^ π匕Ρ型層 帝早盥1^丨^ θ 23而流通，並在活性層24藉由 :層乙C合而發光。但是，氮化鎵系化合物半導 ΐ、、:難：二：：型層，由於無法充分提高載子濃度，故 包/’IL難以擴散至晶片替轉 層的表面設置透光性；：二此，如第5圖所示，在㈣ 流可擴散至晶二 mi 成：、、;、後，在该透光性導電；a 27 _ 的表面，形成上部電極（電極焊塾）28。 ^層打 的上由於透光性導電層27與Ρ型層25門 不：J生以及上部電極28與透光性導電層曰： 不佳，因此，在上部電極28 〕山接吐 等時會有浮泡在透光性導^ 丁¥線接合（⑽―） 或上部電極28的—部分二：7與"型層25之間產生， 面側剝離的問題。為解決上導電層Γ的表面側或背 亦即去除要設置上部電極二，，有A出如下之構造， 之部分的透光性導電層27， 316585 200527720 使上部電極28直接與p型電極25定 與P型層25的密接性會比透光二妾’且以上部電極28 的密接性好之材料來設置^ 27#P型層25 利文獻D。 &置上^極Μ的構造（參照例如專 [專利文獻1]日本特開平7 —94782 I八 【發明内容】 〜A良 [發明所欲解決之課題] 如前所述，在透光性導電屑 ^ ^ kb e 、表面形成上部電極，貝丨j 日音α ^ ^ V免層形成浮泡或剝離等問 趨，而且電流會均等地流至上 亏门 違斗甘細u七， 邛电極的下侧，但在活性層 產生亚朝上方仃進的光無法透 複反射而變為益用的發井極’會被吸收或重 的門顯而有無法有效利用所發出之光 的問4。另-方面’即使在透光 ^ 口部，並在該開口部形成上 ，：層的ϋ成開 雷極盘剂思 /珉上邛甩極，但此情況即使說上部 电桎人P j層之間的歐姆接觸性 極直接、、古别尿 电抓仍會從上部電 :妾：至p型層，而在上部電極的下側也產生發光，而 J朝彳仃進的光被上部電極擋住而變為益用發光的門 ==接會隨著因導線接合等降低透光性導電

Li ΙΓΓ使從上物流至咖的電流相對性 地、加，而更為明顯。 李化：：：=用A1GaAs系化合物半導體或1nGaAip ::置：體時’係在上部電極的下側加入絕緣層，或 二南、;广電型的層而儘量地使電流不在上部電極的下侧 。旦使用氮化鎵系化合物半導體時，因絕緣膜成膜時 316585 7 200527720 將使得 而無法 以及乾蝕刻絕緣膜時電漿（plasma)所造成的損傷 上部電極形成位置以外的部分的歐姆接觸性惡化 使用相同對策。 本^月ίτ、有於上述狀況而完成者，&目的在提供—

種在由氮化鎵系化合物半導體所構成之發光元件中，Z 抑制在上部電極之下侧的發光來提高外部量子效率，、\ =部電極與半導體層間的良好密接性之使用氮化鎵= 合物之半導體發光元件。 乐化 本：明之另一目的在提供一種在氮化鎵系化合物 :千^在上部電極的下側局部性地形成使電流不易产通 旦止：構，而在不影響其他部分的狀態下提“ 里子效率之半導體發光元件的製法。 [解決課題之手段] 體發光元件，係具有:以使氮化鎵系化 型層與ρ型層形成發光部之方式加❹ ㈣層部；設置於該半導體疊層部 …性導電層；以及以與去除該透紐導電層的 露出之半導體疊層部的表面以及 2而 方式設置的上部電極，且藉由對去除前述透先= 一部份而露出之前述半導體4層部的表面 ^層的 :，而形成不僅可確保前述上部電極與前述半 之構造。 兒位〜下側的電流 • I Η族元素之Ga與 在此所謂的氮化鎵系化合物係指 316585 200527720 1族元素U的化纖111族元素之Ga的—部份… 為Ah In等之其他⑴族元素置換而成的氮化物化 或 '，族元素之N的一部分為p、As等之其：置 而=匕物化合物。此外，所謂的上部電極係指：置 置二^基板上之半導體層還要上部的半導體層連接而設 前述電流阻止機構’可以是形成於藉 性導電層而露出之前述半導體疊層部的表面之凹部 層部的表面之氧含有層。^層而路出之所述半導體疊 本發明之半導體發光元件的 層與P型層之發光部的方式在基板表面含η型 物半導體層而形成半導體疊 曰:减蘇糸化合 面形成透光性導電岸，再利二 "半導體疊層部表 上部電極形成I二钱刻除去該透光性導電層之 /从姐罝的部分，以使歸田 露出，接著藉由使妹^ ώ ®層部的表面 二：的；面曝露於氧電黎環境中，使該表面成；二:： 部的表面以及前述透光性導〜導體疊層 上部電極。 $先〜層之開口部附近的方式形成 本發明之製法的另 環境的方法，而=二二！取代前述曝露於氧電聚 的表面形成凹邙A A月丨]述路出之半導體疊層部 透光性導=門再:密接於該凹部内之露出面以及前述 層之開口部附近的方式形成上部電極。 3165<S5 9 200527720 [發明之效果] 根據本發明，係在由氮化鎵系化 ^ 發光部的方式層疊而成的半導體：形成 導電層，然後在去除上部電極將t成透光性 層而露中夕主、曾 形成之部分的透光性導電 …體豐層部表面形成電流阻止機構，再以穷 接於該露出之半導體羼声邱丰 山 此可破仅“ 的方式設置上部電極，因 ’、°卩％極與半導體疊層部的密接性，並幾乎^八 阻止朝向上部電極的 兀王 也益法從著面：： ’進而阻止即使發光 阻止無用的發光，右兮砧监成欢山 、々果’可 ㈣古&冑 將所發出的光取出至外部，而大 巾田k咼外部量子效率。 s 卜根據本發明之製法’由於係在半導體疊声部茅 面形成透光性導電層後，去除要 且層4表 光性導恭爲二从文〜风上邓电極之位置的透 ’包θ而使半導體疊層部露出， 境中，因此氧带將Φν , 麦曝路於乳電漿環 ♦面… 氧會參入氮化鎵系化合物半導體声 ί 1Λ 成電流難以流通的電流阻止領域。另-； 面，在未去除透光性$電層之未 方 被透光性導電声所”、“、.成上^電極的位置，係 中也不會受到与鄉门L a ^即使曝路於氧電漿 ,^ . 〜音，因此不會對從透光性導電声产屮> + 流造成任何影響。亦即，如先前之GaAs系半；=之電 一般，為了部八从仏 b不千^肢發光兀件 電型，或刀阻止電流’而局部變更半導體層的導 所構成的：時:必須局部地形成由絕緣膜等 止電流之領n時或藉由乾1虫刻去除時，使阻 、戍以外的歐姆接觸性惡化，但根據本發明之製 316585 10 200527720 增極形成部以外的部分由透光性導電層 又二、大l下’僅對上部電極形成位置施予電流阻止 =響因此對於上部電極形成位置以外的部分不會造成任 導體Ϊ =露於上述氧電聚之外，藉由乾姓刻對露出之半 使行餘刻，亦可利用乾#刻之Ar離子等 =層概面變得粗链，同樣地可大幅阻止電 此'，上部電極形成位置以外的半導體 ΪΪΪ:生f電層所覆蓋，由Ni，、Zn。等所構成之透光性 二G?系化合物較不易被 阻二:不.任何影響下，僅對上部電極的下側施予電流 【實施方式】 接參照圖面’說明本發明之半導體發 二Γ明之半導體發光元件，其-實施形態之斜視:: 導體層的η型心：二Γ以使氮化鎵系化合物半 而形成半導！成發光部的方式加以層疊 置透光性導電%Ί:除去 後以與露出之半導體==2導電層7的—部份’然 觸之方式設置上表面及透光性導電層7接 除去透光性in (電極_)8°在本發明中’係藉由 導體疊層部=面:::;，並對從開口部Μ出的半 可確保上部，止機構10(10a)，而形成 电丄8只半導體疊層部6的表面之密接性，並 316585 11 200527720 可大幅阻止流向上部 做為電流阻止^ 之構造。 7 . ^ ....機構10，可以是：在去除透光性導带声 :之半導體疊層部6的表面形成 ：: 二所示，在去除透光性導電層7而露 二=:弟 的表面形成的氧含有層】0b。 ^宜層^ 6 本發明人發現·· h 表面，或使苴眠-於/ J ?型氣化錄系化合物半導體層 其表面之金屬„ 兄中才$ •不易在形成於

亦即，在如第心並針對該現象進行驗證。I 易產生歐姆接觸之導電^错由與諸如Zn0之P型W層不 成一對電極12、13'，=Λ f "GaN層11的表面形 型⑽層!〗的表面，使之達圖大所* ’㈣化刻P 的兩種情況下，針對 不米之珠度而形成凹部

時對應於電壓變化而產 13之間轭加電壓V 如第3C 化進行調查。其結果， 口所不未在Ρ型GaN層U声 電極12、i3時之A的電壓表面進订蝕刻而形成 壓的增加而增加，相對於此，^為線性’電流會隨著電讀 钮刻後再形成電極12、13時之：二 —層11表面進行乾 在W左右的低電壓下電流特性’則出現 的特性。 成手不會流動，且呈現非線形 此外，為形成一對電極丨2、] 層圖案化，作由於兮 ，必須使ZnO等之導電 I由方、e玄蝕刻液為稀鹽 幾乎沒有損傷，而不受任何影響^ ^層U的表面 所示一般幾乎為歐姆接 :b ’如弟3C圖之a 亦即’電極12、13與p 316585 200527720 型GaN層11之間的電氣 甘店m A 員不於第3C圖〇 j因-般認為：在進行乾姓刻時因 擊，使P型GaN層11的社曰槿、Α Λ 子寺之衝 的移動。此現象與Ρ型二二損傷’而抑制了載子 声不具担曰銥不化合物半導體層的載子、-曲 度不易“的性質相加成而更形顯 载子/辰 系或InG糊化合 皮 =化合物半導體層所特有的現象。該電極 將__的表面曝露 的現象。亦即，將見到相同 中約30分鐘後，盘第3β 1面#路在氧電漿環境 極，並於該-對電極^力二’藉由ΖΠ〇層形成一對電 圖之Β相同的:同電麗後’即可獲得與第冗 _ 與乾，並非^受到Μ 衝擊，而是由於環境中的氧滲人 ^於又到料 的Ga，而抑制了載子的移動。 曰’而出現與氧化合 3明係㈣此現象’在藉由去 層而露出之半導體疊層部表 ：透先〜 極（電極焊墊），並在與該上部電=^ =形成上部電 將如先前= 接觸之電流阻止機構1◦。亦即， 之G a A s乐化合物所用从士 成盥唯崚铷s + 、在欲阻止電流之位置形 用或與周圍之導電型不同的導電型層， 物化合物半導體，特別是咖刚化合 半導二二:的Γ導使欲阻止電流之位置以外的㈣ 層寺的表面的導電性降低’以及即使在表面形成透 316585 13 200527720 光性導電層，也無法獲得透光料電層* 姆接觸之問題。但是，根據本發明之^ 把曰間的歐 形成透光性導電層後僅去除欲阻止電：：：構：係在 置的透光性導電層而使半導體疊層部：表面露:極形= !:ϊ:=表面形成電流阻止機構，因此上部電極= 體豐層部表面形成非歐姆接觸，而僅阻止 電流，其他部分仍可獲得非常良好的歐姆接觸下側的 弟1圖所示之例，係顯示去除上部電極8之 處的透光性導電層7而形成開口部7a，並於藉/置 導體疊層部6的表面藉由乾姓刻形成:為電流a 7的入而 凹部…。亦即，藉由對包含透光性導電層 ◊王面％以利用Ar離子與Ch氣體之乾蝕刻， ； =性導電層7及其下部之半導體層叠部6造塑 況：在從開口部7&露出之半導體疊層部6的表面； 刻的深度而形成凹部10a。㈣，在該凹魏 内以及開口部7a周圍之透光性導電層7上部藉由例如 "卜。為m左右厚度的Tl層與0.2，m左右厚度的Au 層之H造形成上部電極（電極焊墊）8。該凹部IGa的表 面’如刖述弟3C圖之b所示，與電極材料之歐姆特性極低， 而幾乎無法流通電流。 一 /包*阻止機構J 〇，如前所述，可藉由乾蝕刻形成凹 部⑽之方式而獲得’或藉由將半導體疊層部曝露於氧電 漿環境中以形成摻雜有氧的層(氧化物層)之方式而獲得。 後者之例係顯示於第2圖。在第2圖中，10b係顯示將半 316585 14 200527720 導體疊層部6的表面瞧+ 與前述-樣，在上部電：8、：電聚中而產生之氧化物層， 7形成開口以使半導體疊 ^位置處料光性導電層 氧⑽氣體之環境中，將^ 的一部份露出，再在例如 之間放置約㈣分鐘^^源之功率設定在2_〜侧 面部形成氧化物層導體疊層部6之露出面的表 其他之上部電極“:：電流阻止機構10的功能。 經由該電流阻止第1圖所示彻^ n 〇 直接在半導體疊層部6的表面 。又置h卩之構造料 衣面丨 鎵系化合物半導體發井亓^ 了形成舁先W之鼠化 卞夺版A先兀件相同的構造。 例中，係使用以C面為主面夕—在弟1圖所不之 為其;Ϊ ,e - 之監賃石（Al2〇3單結晶）基板做 ί基ί1 ’但亚不限於此，亦可使用以其他面為主面之龄 實石基板。此外，苴! -7 土 之备 孜此外，基板1，可使用絕緣性 化矽⑶〇、（^、（^、3 戍使用石厌 A L 予炙牛蜍脰基板。使用絕緣性 為基板1時，由於無法自基板背面取出電極，因此， 半導體疊層部6,在第】圖所示之例中，係由：缓衝 f 2、n型層3、活性層4、p型層5所構成。由於緩衝層： 係在基板與層疊之半導體層間的晶格常數差異很大，或難 以直接在基板1上結晶性良好地層疊氮化鎵系化合物半導 體層的狀態下設置者，因此在沒有上述問題時，可予以省 略。緩衝層2係以例如AlxGayIn]、' yN(〇Sx$】、】、 〇Sx + yU、例如χ = !、y=〇)#的組合，在〜6⑽。C左 如後述-般必㈣刻去除半導體疊層部6的一部份以使下着 層的導f型層（在第1圖之例中為η型層3)露出。 316585 15 200527720 右的低溫下形成。此外，形成發光層之疊層部，在第 所示之例中，係形成由n型層3^型層5將活性層^ 在中間之雙異質接合構造，但並不限於如此之構造，^ 為由同異質(h_-hetero)或單異質之卯接合所構成者。 形成該發光層之半導體層，係在左右的高溫下 形成。此外’為使p型層活性化，一般多在上面侧 型層，但亦可使p型層在下層而n型層在上層。 在第1圖所示之例中，n型層3以及P型曰層5,係分別 f示單層的例子，但-般而言，在例如電極形成部，係以 谷易增加載子濃度的GaN層形成接觸層，且為了容易 子閉鎖於活性制，多以帶隙比活性層4大之a i g & N季化 =構成’此外’為使其具有其他魏亦可使其形成多層 此外:為了層疊晶格常數互異的層，亦可做成超晶 。仏。但疋’以滿足上述各功能之單層形成亦可。此外， 各層可依照不同目的形成不同的厚 整體約3〜10"左右的;^ , 層3形成 "左右的尽度，而P型層5則形成整體約 "左右的厚度。此外，n型層3，_般係⑽（㈤、 厂鍺(Ge)、碲㈤等做為摻雜劑(dopant)，而p型層5 係以Mg、Zn做為摻雜劑，斜务仆你/人 曰 釗對虱化銥化合物半導體進行摻雜 肉獲仔。 上述P型層5 ’因p型摻雜劑之Mg等會 而難以發揮做為摻雜劑之功能，因此最， 二上述活性化處理，係例如在嶋中，以心t 的〉皿度，進行】0分鐘〜！小時左右的熱處理，但並不限於 316585 16 200527720 ^这^處理’亦可藉由電子線照射等方法來進行。在進行 ;广=:理：，可先在P型層表面形成保護膜後再進 仃或在…保護膜之情況下進行。 能量=4:係選擇具有對應於要發之光的波長之帶隙 成1歹^如要發出波長為460〜470nm之藍色光時， π y ⑴“⑴^所構成之塊狀晶體構造化!^]^ 構成=或由InGaN所構成之井（well)層與由GaN所 i= : barrier)層的單… 月豆仏形成約〇. 01〜〇 2 雜之方左右Μ度。活性層4係以無摻 亦隹之方式形成，但其亦可為ρ型或η型。 透光!生導電層7，係由：層疊例如W與^並使之合 ^等： = 左右之厚度者，或可由Zn〇層或™ 電性，且：易I且電流可輕易地擴散於晶片全面之具有導 層或m;二】二形成歐姆接觸的材料所形成，。 左右的厚度。具有透光性’故形成約 形成A又在罘1圖所不之例中，係將ZnO層 .A m的厚度來作為透光性導電層7。 的上ί:Γ8’因在第1圖所示之例中半導體疊層部6 u，Ni/Au等的疊層構造，且整 =，，下部電極9(n側電極)儀 5接：寺的合金層’且整體形成0.2〜〗"程度的厚度。 接者，芩照第4圖， 件的学、、# 、，土 况月弟1圖所示之半導體發光元 ^ 將基板1，安置於例如M0CVD(有機金屬 316585 17 200527720 化學氣相成長）裝置内，並將要成長之半導體層的成分氣 體，例如三曱基鎵（TMG)、三甲基鋁（TMA)、三甲基銦（丁 氨氣（NHs)、做為n型摻雜氣體之H2Se、以匕、“札、^仏 :的任二種、以及做為P型摻雜氣體之二曱基鋅（DMZn)或 雙乙基環紅縣射的必要氣體與載氣之1錢共同導 入亚如第4A圖所不，將由例如⑽所構成之緩衝層2 以·〜_t：的溫度堆積至〇.〇卜〇〇3"程度。接著曰，依 序外延成長：由2〜厚度之n型⑽系層與〇卜〇 8 ㈣厚度之…制系層所構成之n型層3;由〇 〇卜〇 ! ^度之咖系層所構成之活性層4;以及由〇 〇5〜〇 4

Γ P型Μ—系層與°. °5〜〇. 5 " m厚度之P型GaN $層所構成之p型層5,以藉此形成半導體疊層部6。 之後，在N2環境中，以6〇〇,〇t的溫度進行3〇 熱處理以進行p型層5的活性化處理。接著，：用 ”空瘵鍍法或濺鍍法等，使Zn〇層形成Ο」 。 膜，以形成透光性導電層7。接 ^ m私度的 帝朽、q #丄 者為形成下部電極（η侧 -極)9,错由氯氣之反應性離 ：的側 中的半導體層疊體型声 ^曰曰片的一部份 笼Η㈤ 層3的一部份露出。舳Β士，4 弟1Α圖所示，有時也會蝕刻到分割為各晶 ： ::導:疊層部6，但亦可爛邊界部 =阻劑膜广要形成上部電極(。側電 = 開，亚猎由稀鹽酸等蝕刻液，去除 置形成 出之透光性導電層7的—部份，而去:=、 透光性導電層7形成開口部7 a。之後，直接\ 般，在 1接進行Ar與Cl2 316585 18 200527720 氣奴之軋蝕刻，藉此，如第4C圖所示，在從開口部7a露 f之半導體疊層部6的表面形成凹部1〇a。該凹部⑽的 殊度為數十nm的程度。 之後，如第4D圖所示，藉由例如剝落（lift-off)法在 T別藉由真空蒸鑛等形成0.1"左右的膜以及0.4" 工右的Au肤後形成上部電極8，同樣地，使了丨膜形成 ^八左右、A1膜形成〇. 3”左右之厚度，再藉由燒結使之 二形成下部電極（n側電極）9。該上部電極8以及下 # ;二、:广為猎由導線接合(Wire bonding)與引線(lead) 令而子寺連接之電極焊墊。 1圖所示之發光元件晶片。^日由日日片化’而獲得第 透光=7\圖:構造之半導體發光元件時，係在前述 <儿丨王净罨層7形成 使其曝露於氧電衆環二 與前述製造步驟完全一樣。刀里王又，之後的步驟則 根據本發明之半導雕一 透光性導電層的_部份件’上部電極係密接於將 而且密接於透光性導電声各出之半導體疊層部表面， 層部表面形成有電流以^，’部電極與半導體疊 體疊層部緊密接合， *可使上部電極與半導 在上部電極8與下部電2電性上的非歐姆接觸。其結果， 上部電極8的下側流^，，間施加電愿時，電流幾乎在 的半導體疊層部流通=是經由透光性導電層7在周圍 層幾乎不會產生發光作用。二上的下側的活性 Ρ在上σ卩電極的下側產生 316585 200527720 而朝正上方行進的光雖會由於上部電極為金屬膜無 =形^無用的發光，但根據本發明，在上部電極的下侧幾 、'不冒產生發光。結果，將有助於有效地取 : 而不易取出至外部的光由於#加〇 士 w 〇7b 5 Γ I的尤由方、如加以抑制’因此不會使用電 /爪、热/取出之發光，可大幅提高外部量子效率。 [產業上之可利用性] 本發明可做為光源而使用在液 白芦式誃Α么妨 衣且寻I月光、 〆1色系#之各種發光元件、 領域中。 汉…、月哀置寻廣泛的. 【圖式簡單說明】 汉d面的平面說明圖。 構的另不弟1圖之半導體發光元件的電流阻止機 力例的剖面說明圖。 第3A圖至第3C圖為顯示 ⑺二流⑴特性降低的情形之圖。靡層表叫之電壓· 製作步驟1圖圖至弟4D圖為顯示第1圖之半導體發光元件的 第5圖為顯示先前之半 明圖。 V七先兀件之一例之剖面說 1【主要元件符號說明】 基板 3 2 緩衝層 η型屉 Ρ型層 5 一曰 4 活性層 6 半導體疊層部 316585 20 200527720 7 透光性導電層 7a 開口部 8 上部電極 9 下部電極 10 電〉，Tl阻止機構 10a 凹部 10b 氧含有層 11 p型GaN層 12、13 電極 21 藍寶石基板 22 缓衝層 23 η型層 24 活性層 25 Ρ型層 27 透光性導電層 28 上部電極 29 下部電極

Claims (1)

1. 200527720 十、申請專利範圍·· 1. 一種半導體發光元件，係且 Μ ® , 一有 ^使氮化鎵系化人物车 ^層的η型層與”層形成發光 2料 成之半導料層部；配置於該半導體疊^二層豐而 光性導電層’·以及以與去除 ；；、面之透 露出之半導體疊声 層的一部份而 曰4的表面以及前述透光帝 觸的方式設置之上邱帝把一 尤性V电層接 ^ ^ ή> 甩11，且糟由對去除前述透光性導 電層的一部份而霞Φ , 、凡江给 路出之珂述半導體疊層部表面施予命 *阻止機構’而形成不僅確 ：( 體疊層部表面的密接性而s 、上口極與河述半導 w日]山接性，而且阻止流向 側的電流之構造。 /上4电極之下 2. 如申請專利範圍第！項之半導體發光元件，其中… =阻土機構係形成於藉由去除前述透光性導電声 路出之W述半導體疊層部的表面之凹部。 a

   3. 如申請專利範圍第！項之半導體發光元件，其中，育 電流阻止機構係形歧“去除前料光性導電声 露出之前述半導體疊層部的表面之含有氧之層。 4. 如申請專利範圍第2項之半導體發光元件，其中，奪 凹部係形成1 〇至50奈米的深度。 5· 一種半導體發光元件的製法，係以形成包含η型層與p 型層之發光部的方式在基板表面層疊氮化鎵系化合物 半‘月丑層以形成半導體疊層部，並在該半導體疊層部表 面形成透光性導電層，再利用触刻除去該透光性導電層 之上部電極形成位置的部分，以使前述半導體疊層部的 316585 22 200527720 表面露出，接著藉由使經由該 導體疊層部的表面曝露於部分露出之前述半 ⑽阻止領域，再以密接於 攻為 半導體疊層部的表㈣ ^ 止領域之厨述 6· 附近的方式形成上部電極。攻光性導電層之開口部 —種半導體發光元件的製法，#㈣八 型層之發光部的方式在基板表面層心； 半導體層以形成半導體疊層部，並二γ二化：物 面形成透光性導電層，再利用钱刻除切透：=部表 :上部電極形成位置的部分， ；::電層 表面露出，接著藉由乾银刻，於前述層部的 部的表面形成凹部以作為+ '出之+導體疊層 領域之該凹部内之露出面以及前述透光: 層之開口部附近的方式形成上部電極。 申請專利範㈣5項之半導體發光元件的 中’係以功率為2_至4_之 二、、 分鐘前述氧電漿的處理。 屯原遠仃5至3〇 # 316585