TW200525539A - Rewritable optical data storage medium and use of such a medium - Google Patents

Description

200525539 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一種藉由一聚隹輻射 “、、？田射先束進行高速記錄之可 重寫光資料儲存媒體，該媒，白 琛體包括一承載一層堆疊之基 板，該堆疊包括··-大體上透明之第—辅助層ιι; 一厚度 為山2且大體上透明之第二輔助層12;以及一厚度為dp且包 括至少一組合物GexSnySb! χ之；I：日樹从 y 相交材料之記錄層，其中 0·05<χ<0·30且 〇.15<y<〇 30 ,兮々拉旺上 _ "亥5己錄層插在II與12之間，而 且一作為散熱片且厚度為dn之箸：T姑ηΛ K? 13之弟二辅助層13，放在12與該 記錄層側相反之一側。 本發明也有關該可重寫光資料儲存媒體之使用。 【先前技術】 於【發明所屬之技術領域】所提到之可重寫光資料儲存 媒體之-實施例，可從歐洲專利申請案Ερ ΐ343ΐ54 Α2得 知。 於該文件中，GexSnySbi•”組合物已被推薦作為高速可重 寫記錄之相變材料。該相變材料之結晶速率依該相變組合 物而定。由於在5-30原子百分比範圍内變化該.含量，所 以能夠設計適合以2-16x DVD + RW記錄之光碟。 以相變原理為基礎之光資料儲存媒體是具有吸引力的， 因其兼具直接覆寫（DOW)與高儲存密度之能力，以及容易 與唯讀光資料儲存系統相容。相變光記錄涉及使用一相當 高功率之聚焦輻射光束（例如，一雷射光束），於結晶記錄層 中形成次微米大小之非結晶記錄標記。於資訊記錄期間， 97240.doc 200525539 媒體之移動與根據待被記錄之資訊調變之該聚倉雷射光束 相關。當高功率雷射光束熔化該結晶記錄層時，標記被形 成。當該雷射光束被關掉和/或隨後以相對於該記錄声方气 予以移動時，該等熔化標記之淬火發生於該記錄層，留下 一非結晶資訊標記於該記錄層之該等暴露區，該等非暴露 區仍然是結晶狀。通過使用在較低功率位準之同一兩射加 熱再結晶來實現已寫之非結晶標記之抹除，不需要熔化該 記錄層。該等非結晶標記代表資料位元，該等資料位元能 夠（例如）以一相當低功率之聚焦雷射光束經由通過該基板 或一覆蓋層予以頃取。關於該結晶記錄層之該等非纟士晶根 記之反射差異產生一調變雷射光束，隨後由一偵測器根據 該記錄資訊將該調變雷射光束轉換成一調變之光電流。 相變光記錄中之最重要需求之一是高記錄速度與資料速 率’意指能狗以一例如至少35 m/s之相當高線性記錄速度， 於該媒體中寫與重寫資料。於D〇W期間，此一高資料速率 要求該記錄層具有一高結晶速率，即，短的結晶時間。爲 確保先前記錄之非結晶標記能夠於D〇W期間再結晶，該記 錄層必須具有一適合之結晶速率以配合該媒體相對於該雷 射光束之速度。於DOW期間，如果該結晶速率不夠高，代 表舊貧料之該等先前記錄之非結晶標記無法完全被抹除 (思指再結晶）’則會導致一高雜訊位準。高密度記錄與高資 料速率之光記錄媒體特別需要高結晶速率，例如，於碟形 狀之 CD-RW高速率、DVD-RW、DVD + RW、DVD-RAM以及

Blu-ray Disc (藍碟），BD是新一代高密度數位多功能光碟 97240.doc 200525539 (Digital Versatile Disk)+RW之縮寫，RW表示此類光碟有重 寫能力，其中Blu-ray表示所使用之雷射波長，即，藍光。 對於此等光碟，該完全抹除時間（CET)相當少。CET被定義 為用於在結晶環境中完全結晶一已寫之非結晶標記之一抹 除脈衝的最短歷時。該CET與最高之DC-抹除速度Vemax有直 接關係。尤其，該Vemax決定該最高之記錄速率。就DVD + RW 而言，每120 mm光碟有4.7 GB記錄密度，35 m/s之記錄速 度相當於10倍（10X)標準速度之記錄速度。對於該等其他形 式，上述數字可以變化。就50 Mbits/s之DVD+RW與BD之 高速變化形式而言，需要相當於大約4x DVD與lx Blu-ray 以及更高10x DVD〜110 Mbit/s。關於完全抹除一非結晶標 記，有兩種已知之製程，即，藉由成核之結晶與藉由晶粒 結晶成長之結晶。晶體之成核是一種製序，其中晶體成核 被隨機形成於非結晶材料中。因而，成核之可能性依該記 錄材料層之體積（例如，厚度）而定。晶粒成長結晶可能發生 於晶體已存在時，例如，已經藉由成核形成一非結晶標記 或晶體之結晶周圍。晶粒成長牽涉到藉由結晶與該等已存 在之晶體相鄰之非結晶材料以成長此等晶體。實際上，此 兩機制可同時發生，但就效率或速率而論，通常一機制支 配另一機制。 相變光記錄中之另一重要需求是高資料穩定度，意指通 常是非結晶標記形式之記錄資料在一段長時間保持完整無 缺。高資料穩定性需要該記錄層在低於1 〇〇°C之溫度下具有 一低的結晶速率，即，長的結晶時間。於光資料儲存媒體 97240.doc 200525539 之檔案儲存期間，以一特定速率再結晶已寫之非結晶標 記，由該記錄層之屬性決定該特定速率。當標記被再結晶 日τ ,再也無法區分該等標記與結晶之周圍，換言之··該標 圮被抹除。爲了實踐之目的，在室溫下（即，3〇。〇)，需要至 少100年之再結晶時間。 於EP 1343154 A2中，該相變類型之媒體，例如，包括一 樹脂之碟形基板，在其上具有：—1〇·1〇〇ηιη厚之介電材料 之第一保護層、一 10-20 nm厚之相變合金之記錄材料層、 電材料之第二保護層以及一 1〇_5⑻11111厚主要是之 反射層。此一層堆疊可以是一 IpiM_結構，其中〗代表一介 電層，P代表一相變記錄層，而M代表一金屬層。於該文件 中，為了防止該記錄層毀壞，該第二保護層之厚度最好至 少10 nm。選擇該記錄層與該保護層各自之厚度，以便提供 好的雷射光吸收率，並增加該等記錄信號之振幅，即，增 加π己錄狀態與非記錄狀態之間之對比，除了機械強度與 可罪度之限制外，需考慮多層結構所引起之干擾作用。在 寫非結晶標記期間，理想中形成該標記之長度為長度ητ， 於該公式中，Τ是一參考時鐘週期，η是一期望之標記長度 標記長度調變記錄得到），且是一整數。於記錄期間，以 同線性記錄速度再結晶該等非結晶標記，，非結晶標記 與結晶周圍之間之介面逆成長，或該非結晶標記之其他變 =可能發生。爲了防止該變形，一所謂的寫策略被使用， 口此，根據一預定方案利用一些短的記錄脈衝寫該等標 。己。在更向之記錄速度，該方案變得更複雜且更難以實行。 97240.doc 200525539 此外，此等複雜難以實現之方案，需要非常短的記錄脈衝 【發明内容】 本發明之一目的，提供該種於【發明所屬之技術領域】 所描述之光資料儲存媒體，能夠以一相當高之線性記錄速 率記錄。 因此相當高之線性記錄速率意指該光資料儲存媒體相對 於該聚焦輻射記錄光束之大約35 m/s之線性速率，例如， 相當於該標準DVD+RW記錄速率1〇倍之速率，即，1〇χ。 由該種於【發明所屬之技術領域】所描述之光資料儲存 媒體，根據本發明實現該目的，其特徵為又W山2>5*i〇8 w m Κ ，於該公式中，λ π是12層之材料之熱傳導係數。在 室溫下，使用塊材材料測量該係數，例如，於一濺鍍沉積 裝置中之目標材料。 一很好設計之光學堆疊對於減少該寫脈衝中之再結晶 (即，逆成長）是重要的。申請者已有深刻瞭解，再結晶量依 該堆疊中之相變材料之結晶速率與熱傳輸而定。尤其，於 寫期間，快速結晶材料之良好熱傳輸能有效防止再結晶。 申請者發現超過35 m/s (l〇x DVd+RW)之記錄速度且當該 記錄層ρ之冷卻是相當低時，即，λ i2/di2<5*1〇8 w ， 只能以複雜的3T或4T寫策略（WS)，或具有例如2則之非常 短s或更短之脈衝之2T WS實現適合之記錄。關於〜§之2丁、 3T或4T，以大概分別對照於τ之因子2、3或4減少用於記錄 一標記之脈衝。以T WS寫一 ηΤ標記需要11個脈衝。由於脈 衝減少，完成較少的逆成長。然而，為了補償例如一 ηΤ標 97240.doc -10- 200525539 記已被寫，η通常無法被3或4除盡之事實，3T與4T寫策略需 要複雜的方案。當使用非常短之脈衝時，只可使用一 2Τ寫 策略對該記錄雷射與其驅動器造成一實踐的問題。由於根 據請求項1之公式應用適合該記錄層，標記之逆成長於寫期 間被抵銷，而且一具有更實際可行之脈衝長度（例如3郎或4 ns)之2TWS可被使用，成功達到更高的速率。 於一實施例中，該第二辅助層主要包括（ZnS)8()(Si〇2)2() 且士2< 10 nm。因考慮到··高層形成速率、少量層應力、起 因於溫度變化之些微的體積變化以及非常好的耐久性（例 如，抗濕氣），所以廣泛使用該材料。與先前技藝所知相反， 相當小之厚度dn有助於達到高記錄速率。然而，太小的厚 度屯2需要太多的寫功率（參考圖5A)。 於另一實施例中，該第二輔助層12包括選自下列項目組 成之群中的至少一材料：Ge3N4、Si3N4、A12〇3、HfxNy、ιτ〇 (In203:Sn)與Ta2〇5。此等材料具有比（ZnS)8〇(Si〇2)2G高之熱 傳導係數，因而或許可使用更厚的層，以使該記錄層與該 第三辅助層13之間達到相同之熱傳導。 日當該記錄層之厚度dp小於時是有利的。上述之優點 疋4 σ己錄層可具有一相當高之光傳輸，該優點是多堆疊光 媒體之案例所需要的。於— 於夕堆豐光媒體中，存在數個記 錄層。為Τ記錄於-，，較低層，，之記錄層m交低層” ▲"彔>t 取’ 3 β錄/tw取雷射光束通常被導引通過一" 較高層’’之記錄層，於兮空 、μ案例中，爲了通過，，較低層”之記錄 層’該較高層之記錄層對哕 Τ成雷射光束而言，必須至少有部 97240.doc 200525539 分是透明的。申請者已發現標記之逆成長也因減少該記錄 層之厚度而減少。該dp值因其他需要（例如，光對比與反 射）’所以不應該變得太小。因此最小的厚度大約是8nm(參 考圖6)。 當該記錄層同時包括選自In、Ag*Cu之至少一材料是有 利的。當此等材料存在於例如達到1〇 at%之濃度時，可能 調整該相變材料之結晶速率。調整GeSnSb基組合物之結晶 速率之取重要方法是改變Ge-濃度。請注意，介於1〇與Η at. /〇 Ge之間，该結晶速率戲劇性地增加。爲了該理由，藉 ^增加其他70件’對設定該結晶速率很有幫助。上述適合 製造期間，但於沉積發生期間，通常忽視濃度的變化。 於一實施例中，該第三辅助層13主要包括Ag。Α§是一具 :高熱傳導係數之材料。因而適合作為具有高散熱能力： 散熱片二爲了控制該反射層自身之熱傳導或改善抗腐蝕 性’該第三辅助或反射層可同時例如包括選自下列項目組 成之金屬群中的之至少一金屬：A卜丁卜Au、岣、Cu、pt、

Pd、Ni' Cr、M〇、_Ta或諸如此類，包括此等材料之人 金=增加量通常至少是GGlat%，而至多是m 口 該第三辅助層13之厚度山3最好至少150 nm。以達到更好 的散熱，減少的逆成長甚至更多。 —有利的做法是’ 一大體上透明之第四辅助層⑷皮夾在該 第了辅助層13與第二辅助層12之間，以遮護該第三辅助層η 免受該第二輔助層12之化學作用。尤其，當Ag被用於^第 二輔助或反射層13時’會防止（ZnS)M(si〇2)2。之辅助層之例 97240.doc -12- 200525539 如S原子與該Ag起反應之可能性。—適合之第四輔助層μ 包括Ge^4與SisN4之至少一材料。該第四辅助層卩之厚度心4 最好等於或小於3 nm。如此小的厚度對該堆疊之熱與光學 屬性引起的干擾最小。 由a.o該雷射光束波長又決定該第一輔助層最理想之厚 度範圍，即，例如雷射光束之輻射光束最先通過之層。當 入=655 nm，發現最佳厚度大約是6〇 nm。 該第一辅助層II可由ZnS與SiCh之混合材料組成，例如 (ZnS)80(SiO2)20。另一選擇是例如：Si〇2、Ti〇2、ZnS、ain、 Si3N4與Ta2〇5。可使用一碳化物，例如，sic、WC、TaC、 ZrC或TiC。此等碳化物產生比ZnS-Si〇2混合材料高的結晶 速率及更好的可覆寫次數。 可由氣體沉積或濺鍍提供該等辅助層。 该光資料儲存媒體之基板由（例如）聚碳酸酯（PC)、聚甲基 丙烯酸甲酯（PMMA)、非結晶聚烯氫或玻璃組成。於一典型 範例中’ 4基板是碟形，且直徑為12 〇 mm，厚度為例如〇. 6 或1.2 mm。當使用〇·6或1.2 mm之基板時，該等層由第一辅 助層開始被塗佈在基板上。如果該輻射光束通過該基板進 入該堆疊’該基板對該輻射光束波長必須至少是透明的。 也能以相反之順序，塗佈該基板上之該堆疊之該等層，即， 由第三輔助層開始，於該案例中，該輻射光束不會通過該 基板進入該堆疊。可選擇該基板上最外邊之透明層作為一 覆蓋層，以保護下面之該等層免受環境影響。該層可以由 上面提及之基板材料或透明樹脂之一組成，例如，一具有 97240.doc -13- 200525539 例如100 μηι厚度之UV光聚（甲基）丙烯酸酯。此一相當薄之 覆盖層提供該聚焦輻射光速高數值孔徑（NA)(例如 ΝΑ=〇·85)，而且一定是相當好的光學品質與勻態。一薄的 100 μηι覆蓋層可用於例如該藍碟（BD)。如果該輻射光束通 過該透明層之進入面進入該堆疊，則該基板可以是不透明 的0 该光資料儲存媒體之基板表面在該記錄層之一邊最好具 有一伺服磁執，可由該聚焦輻射光束（例如一雷射光束）光學 掃描。該伺服磁執通常是由螺旋狀溝槽所構成，而且於射 出成型或壓製期間，通過模具形成於該基板。另一選擇， 該溝槽可由複製製程形成於一（例如）丙烯酸酯之uv光固化 層之合成樹脂層中，被分別提供在該基板。於高密度記錄 中’此一溝槽具有例如〇·5_〇·8 μιη之間距，而寬度大約是該 間距的一半。 藉由使用一具有（例如）670 mm或更短（紅光或藍光）波長 之短波長雷射，達到高密度記錄與抹除。 藉由氣體沉積或濺鍍一適合之目標，以將該相變記錄層 塗在該基板上。因此該沉積層是非結日日日形。爲了構成 合之記錄層，該層首先必須被完全結晶，通常稱為初態化。 爲了該目的，該記錄層必須於熔爐中被加熱到—超過該相 變合金之結晶溫度之溫度，例如18〇〇c。另一選擇，一人成 樹脂基板（例如，聚碳酸鹽）能被一足夠功率之雷射光束力 熱。上述能被實現於例如一特定之記錄器，於該案例中， 該雷射光束掃描該移動之記錄層。此_記錄器也稱為初態 97240.doc -14- 200525539 化器。該非結晶層接著被局部 度；以防，卜兮其把、丨 “、主、、、口日日该層需要之溫 防止δ亥基板遭到不利之熱負载影響。 【貫施方式】 於圖1中n聚^射光束1Q進行記 光貧料儲存媒體2。，例如，—DVd+rw光碟，：:：重: 基板7與一提供在其上 、增堆$2。該堆疊2具有：一 (ZnS)80(Si〇2)2〇組成，厚度為9〇 nm之第助·· ㈣《。組成’厚度為“m之第二輔助層；;二 由合成物Gei2Sn2〇Sb67之合金相變材料組成之記錄層4。 (znS)80(Sl〇2)20之熱傳導係數λ是8 7 w/mK。該記錄層々之 厚度為14 並插在該第-辅助層3與該第二輔納之 間。在12與該記錄層相反邊上有-由Ag組成之第三輔静 ^其厚度dI3 = 150nm且作為散熱片放。一第四辅助層8夹在 該第三輔助或反射層6與該第二辅助層5之間，遮護該第三 輔助層6免受該第二辅助層5之化學作用。該第四辅助層Z 括Ge#4，且厚度為3㈣。叫队與具有一大於 (ZnS)80(Si〇2)2〇之熱傳導係數λ。具有一 ％ w/Mk之 又。該最高DC-抹除速度被決定作為該冑高線性光碟 速度，在此速度，114載體（即，n=142nT標記）最初以45肋 之典型載波彳5號雜訊比寫入，可以被降低為2 5 dB。 由PC組成厚度為〇·6 mm之第二基板7與該第三辅助層6相 鄰。 錢鏡提供該等層3、4、5、6與8。於一初態化器中，藉由 一連續之雷射光束來加熱剛沉積之非結晶記錄層4至高於 97240.doc -15- 200525539 其結晶溫度，以獲得該記錄層4之初態結晶狀態。 圖2A、2B與2C分別繪示根據12 (圖2A)、Ag 13-層（圖2B) 與相變記錄層（圖2C)之厚度之作用，用於一 Ge13Sn2〇Sb6dg 變材料之最高DC-抹除速度（Vemax)。該相變材料是 Ge13Sn2〇Sb67。於本發明中說明相變光碟之速率也是取決於 該光學堆疊之該等層及層厚度。請注意，厚的12與相變之 速率增加，而厚的13之速率減小。

圖3A、3B與3C分別繪示根據最高之DC-抹除速度之作 用，在該最大調變之90%之時間間隔（如一段期間τ)。此為 寫脈衝之間為防止後面之寫脈衝根據該光碟之記錄速率之 作用逆成長所允許之最小間隔。由所謂的調變降低實驗決 疋戎間隔’其中I π載體係以一些增加之脈衝數量予以寫 入’並測量該調變。運用增加之脈衝數量以寫入〗丨1 (以n= i i

之nT)載體，脈衝之間之間隔變得較短（22 ns-2 ns@4x DVD+RW)，而且後面之寫脈衝會發生逆成長，導致調變降 低。具有貫心正方形之曲線是”組合物線”，其中藉由調整 該相變層中之Ge-含量，以變化光碟轉速。實心正方形代 具有 12 12 mn (ZnS)80(SiO2)20、3 nm Ge3N4與 150 nm 之’皿# /令卻堆$中之Gesnsb組合物。該等點直線代表寫 略（WS);能夠以該”記錄具有此線下座標之光碟。標絡 個WS(1T或2T)與最大雷射脈衝日夺間。㈣12(圖3A)、:曰 3B)與相變記錄層厚度（圖3C)之變化對該Gei2s〜s 8目 材料之影響。減少12之厚度與該相變記錄層之厚度卜 加13之厚度能夠向下移位圖3A、3B與3C的點，因此以 97240.doc -16- 200525539 簡單之ws §己錄變成可能。應注意，選握 早疋一具有更高之 以防止於寫期間再結晶。請注意，速度超過h m/s (1〇χ dvd+rw)，只能以複雜之WS(3T與句，或非常短（具有2如 或更短）之脈衝之2 TWS來記錄該組合物線（實心正方形）之 溫和冷卻光碟。 熱傳導層’例如Ge3N4或Ta2〇5，會產生類似減少該12厚产 的結果。因此…適當設計之光學堆疊對肖㈣該寫脈衝= 之再結晶是重要的。逆成長再結晶的量取決於該相變材料 之結晶速率與該堆疊材料之結晶速率及該堆疊之埶傳輸。 可清楚瞭解㈣是對於快速結晶㈣，熱傳輸應具高^ 總言之，旨在說明該光碟之結晶速率與逆成長特性除了 取決於該相變組合物外，也取決於12、散熱層^與相變記錄 層之厚度逆成長。尤其，在超過35 m/s之線性速率（超過1 dvd+rw之記錄速率），必須設計出有助於以相當，，簡單”之 WS進行§己錄的高效率冷卻之堆疊。實際上，意指如果 用作該介電層，和/或相變材料層厚度dp 小於15 nm，與一快速結晶之相變材料結合，12_厚度小於9 nm ° 於圖4A、4B與4C分別繪示根據不同換雜物之作用之最高 DC-抹除速度。調整GeSnSb基組合物之結晶速率最重要之 方法是改變Ge-含量。圖4A繪示根據該Ge-濃度之作用之最 而DC-抹寫速度。請注意，介於1〇與15% Ge之間，該結晶 速率戲劇性地增加。因此，其他元素之變化，對設定該結 晶速率非常有幫助。由圖4能觀察到增加Sn濃度，會增加結 97240.doc -17- 200525539 晶速率。藉由增加In、Ag或Cu，或其他元素，降低結晶速 率（圖4B與4C)。於圖4B之第一實心正方形對應於圖4A之標 記（B)。 圖5A與5B分別繪示根據用於p=i4 nm GeuSn^Sbu相變 層’ dI2=(ZnS)80(SiO2)20在速率8x DVD+RW之作用之熔化功率 Pmeu (單位 mW)(5A)，以及根據用於 p=14 nm Ge12Sn2QSb68 與12=8 nm (ZnS)80(SiO2)20之記錄速率Vrec之作用之 (5B)。圖下方之參數4值實際上受限於該媒體之靈敏度。 Pmeh是熔化該相變層之最小（DC)功率。請注意，該靈敏度 隨著d〖2降低，即，必須施加較大功率才能寫入資料標記。 此外，圖5B繪示需要以高速較大功率才能熔化該相變材 料，結果，該雷射點在該光碟之某一位置之停留時間更短。 貝P示上因無法^加無限大的雷射功率，所以此設定限制 高速率之最小12厚度。就現行高功率雷射二極體而言，關 於該光碟適合之最大功率大約是2〇 。 圖6繪示根據相變層厚度心之作用之光對比c，用於具有 12 = 6 nm(ZnS)8〇(Si02) 20之相變材料 GeSnSb與 3 nm Si3N4。 该相變層厚度dP之下限係由一，，常見的”光學堆疊可實現的 光對比C予以決定。圖6繪示一具有6 nm (ZnS)8〇(si〇2)2〇 12、3 nm SuNU及一 Ag散熱片之堆疊的最大光對比c，隨著 该相變層厚度dP迅速減小。因而，對單一層之〇¥〇+11界建 議大約是8 nm之最小相變層厚度dp。 應瞭解，上面所提及之實施例說明並非限制本發明，而 且熟悉此項技藝者能夠設計許多替代實施例，不需違背該 97240.doc -18- 200525539 附加之申請專利範圍。於該申請專利範圍中，該字"包括，， 不排除存在除了列舉於該申請專利範圍内之元件或步驟。 在一元件前面之該字，，一 ’’不排除存在複數個此類元件。只 不過事實上某些方法被詳述於不同專利案，不代表此等方 法之合併使用是不利的。 【圖式簡單說明】 已經過示範實施例，更詳細說明本發明與該等相關之附 加圖示，其中： 圖1繪示一根據本發明之光資料儲存媒體之概要剖面圖； 圖2八、23與20分別繪示根據12(八）、八8-層（3)與相變記錄 層（C)之厚度之作用之該最咼DC_抹除速度（Ve max)。該相 變材料是 Ge13Sn2〇Sb67 ; 圖3A、3B與3C分別繪示根據該最高之DC-抹除速度之作 用，在該最大調變之90%之時間間隔（如一段期間τ)。繪示 對於Ge13Sri2〇Sb67相變材料，在12厚度（圖3A)，Ag(圖3B)與 相變厚度（圖3C)方面之各種影響； 圖4A、4B與4C分別繪示根據不同摻雜物之作用之該最高 DC-抹除速度； 圖5A與5B分別繪示根據用於p=i4 nm Ge12Sn25Sb63相變 層’ 12厚度dn在速率8x DVD+RW之作用之熔化功率pmelt (單 位mW)(5A)，以及根據用於P = 14 nm &12如2〇%68與12 = 8疆 ZnS/Si02之記錄速率Vrec之作用之匕化（5B);及 圖6繪示根據記錄層厚度dp之作用之該光對比c，用於具 有 12=6 nm (ZnS)8〇(Si02) 2G 之 GeSnSb 相變材料與 3 nm 97240.doc -19- 200525539

Si3N4。 【主要元件符號說明】 1 覆蓋層 2 堆疊 3 第一輔助層 4 記錄層 5 第二輔助層 6 第三輔助層 7 基板 8 第四輔助層 10 聚焦輻射光束 20 可重寫光資料儲存媒體 97240.doc -20-

Claims (1)

1. 200525539 十、申請專利範圍：

   一種藉由一聚焦輻射光束（10)進行高速記錄之可重寫光 資料儲存媒體（20)，該媒體包括—承載一層堆疊⑺之基 板⑺’該堆疊包括：-大體上透明之第_輔助層ιι(3); 一大體上透明且厚度為山2之第二辅助層12(5); 一包括一 組合物GqSnySbky之相變材料之記錄層⑷，其中 〇.〇5<x<〇.30且0_15<y<0.30，該記錄層被插在n與/12之 間；以及-第三輔助層13⑹，其厚度為乜，作為一散熱 片，且放在〗2與該記錄層側相反之一側，特徵為 λ 12/吣>5 * 1 〇8 W m_2K_1，其中公式λ 12是12層之材料之熱 傳導係數。 2.如請求们之光資料儲存媒體（2〇)，其中該第二辅助層ι2 主要包括（ZnS)8〇(Si02) 2〇且 dI2<i〇 nm。 3♦如請求項1之光資料儲存媒體（20)，其中該第二輔助層12 包括選自下列項目組成之群中的至少一材料：GqN4、 Sl3N4、Al2〇3、HfxNy、ITO(In2〇3:Sn)與 Ta2〇5。 4.如》月求項i、2或3之光資料儲存媒體（2〇)，其中該記錄層 (4)之厚度為dP，且dP小於15 nm。 士明求項1、2 、3或4之光資料儲存媒體（2〇)，其中該記 錄層同時包括選自In、八§或以之至少一材料。 6. =請求項5之光資料儲存媒體（2G)，其中該至少—材料的 濃度達到10 at·%。 7. 如請求項1之光資料儲存媒體（2〇)，其中該第三輔助層13 主要包括Ag。 97240.doc 200525539 8. 9. 10. 11. 12. 如睛求項7之光資料儲存媒體（2G)，其中該第三辅助層i3 之厚度dI3至少是150 nm。 如睛求項1至8之光資料儲存媒體（2〇)，其中一大體上透明 之弟四辅助層14(8)在該第三辅助層i3⑹與該第二辅助層 12(5)之間，遮護該第三辅助層13免受該第二輔助層^之化 學作用。 胃 如請求項9之光資料儲存媒體(2〇)，其中該第四輔助層 14(8)包括SisN4或GegN4之至少一材料。 如明求項10之光貧料儲存媒體（2〇)，其中該第四辅助層ι4 之厚度dI4 $ 3 nm。 -種如則述請求項中任一項之光資料儲存媒體⑽之使 用，用於使用至少35 m/s之記錄速率進行高速記錄。 97240.doc