JP2002074746A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ディスク基板１１上に、第１の誘電体層１
２、第２の誘電体層１３、記録層１４、第３の誘電体層
１５、第４の誘電体層１６、反射層１７を順次積層し、
さらにその上に密着した保護層を設けたディスクにおい
て、高温高湿試験に投入すると膜腐食が観察された。 【解決手段】 （１）誘電体層と反射層間に元素α（α
はＳｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｇｅのうち少なくとも１元
素）の窒化物、あるいは酸化物、あるいは炭化物、ある
いは窒酸化物を含むバリア層１９を設ける。 （２）元素αを含むバリア層厚を１〜２０μｍとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光線等の
光学的手段を用いて情報を高速かつ高密度に記録、再生
する光学的情報記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザー光線を利用して高密度な情報の
再生あるいは記録を行う技術は公知であり、主に光ディ
スクとして実用化されている。

【０００３】光ディスクは再生専用型、追記型、書き換
え型に大別することができる。再生専用型はコンパクト
ディスクやレーザーディスク（登録商標）として、また
追記型や書き換え型は文書ファイル、データファイル等
として実用化されている。書き換え型光ディスクの中に
は主に、光磁気と相変化型がある。相変化光ディスクは
記録層がレーザー光線の照射によってアモルファスと結
晶間（あるいは結晶とさらに異なる構造の結晶間）で可
逆的に状態変化を起こすことを利用する。これは、レー
ザ光照射により薄膜の屈折率あるいは消衰係数のうち少
なくともいずれか一つが変化して記録を行い、この部分
で透過光あるいは反射光の振幅が変化し、その結果検出
系に至る透過光量あるいは反射光量が変化することを検
出して信号を再生する。

【０００４】相変化光ディスクには基板上に誘電体層、
記録層、反射層、保護層を有した構成のものが一般的で
ある。そのディスク構成の一例としては、基板上に第一
の誘電体層、記録層、第二の誘電体層、そして反射層、
保護層を順に積層したものがある。

【０００５】誘電体層としてはＳｉＯ₂、ＳｉＯ、Ｔｉ
Ｏ₂、ＭｇＯ、Ｔａ₂Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂、ＳｉＣ、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳや、Ｇｅ₃Ｎ₄、Ｓ
ｉ₃Ｎ ₄、ＳｂＮ、ＢＮ、ＡｌＮ等のような窒化物を主成
分としたあるいはこれらの混合物が使える。

【０００６】ここで、誘電体層の役割について少し述べ
ることにする。この層の役割は、例えば、記録層を外部
からの機械的なダメージから保護する役割、多重反射に
よる干渉効果を利用して光学的変化を強調する役割、外
気からの影響を遮断し化学的な変化を防止する役割、信
号の繰り返し記録の場合に起きる基板表面の荒れや記録
層の熱的ダメージを低減する役割等がある。

【０００７】また、特開平０９−８３４２９８号（ＷＯ
９７／３４２９８号）公報に示されている上記誘電体層
と記録層の間にＧｅＯＮやＧｅＮ誘電体層を設け、サイ
クル特性を向上させた構成の光ディスクもある。

【０００８】基板の材質は、ガラス、石英、ポリカーボ
ネート、あるいは、ポリメチルメタクリレートを使用で
きる。また基板は平滑な平板でも表面にトラッキングガ
イド用の溝状の凸凹があってもよい。この凸凹の内、情
報の記録再生を行うレーザ光の入射側から見た場合、遠
くにある部分すなわち、ディスク基板上の凸部がラン
ド、近くにある部分すなわちディスク基板上の凹部がグ
ルーブと呼ばれる。

【０００９】保護層としては樹脂を溶剤に溶かして塗布
・乾燥したものや樹脂板を接着剤で接着したもの等が使
える。

【００１０】記録層、誘電体層、反射層は真空蒸着、ま
たはスパッタリングなどの方法で、透明基板の上に形成
する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】我々は、図２に示す構
成のディスクを作製した。この構成は、青色レーザ光の
波長領域（３００〜５００μｍ）での記録再生特性に優
れ、多数回サイクル後にも信号劣化の小さいことを目標
として開発したものである。すなわち、ディスク基板１
１上に、第１の誘電体層１２、第２の誘電体層１３、記
録層１４、第３の誘電体層１５、第４の誘電体層１６、
反射層１７を順次積層し、さらにその上に密着した保護
層１８を設けた構成である。この場合、第１、第３の誘
電体層としては、ＺｎＳ：８０ｍｏｌ％−ＳｉＯ₂：２
０ｍｏｌ％を、第２、第３の誘電体層としては、Ｇｅ：
５０ａｔ％−Ｎ：５０ａｔ％を、記録層としてはＧｅＳ
ｂＴｅ系組成のものを、反射層としては、Ａｇ系材料を
それぞれ用いた。

【００１２】図２に示すディスク構成に至るまでに、種
々の反射層材料を検討した。反射層材料決定にあたって
は、２つのポイントから選定した。１つめは、ディスク
構成での記録層のアモルファス状態と結晶状態の反射率
差を大きくし信号振幅を大きくするために、青色レーザ
光での波長における反射層の光学定数からＡｇ系やＡｌ
系材料が選ばれた。さらに、記録層の放熱速度を速くす
る必要があり、Ａｌ系より熱伝導率の高いＡｇ系材料が
選ばれ、これら２つのポイントから判断して反射層材料
としてＡｇ系材料が最も適していた。

【００１３】また、第１、第４の誘電体層の材料として
ＺｎＳ：８０ｍｏｌ％−ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％を用い
た理由は、前述の誘電体層としての役割のすべてを満足
するという点や、例えばＴａの酸化物誘電体層で起こる
耐侯性試験後に膜剥離が生じるということもなく最も適
していたためである。さらに、記録層材料として用いた
ＧｅＳｂＴｅ系組成を用いた理由は、ディスク構成での
記録層のアモルファス状態と結晶状態の反射率差に大き
な影響を与える光学定数の変化が、青色レーザ光の波長
域においても適していたためである。

【００１４】このディスクや、基板上への積層順を逆に
し、反射層、第４の誘電体層、第３の誘電体層、記録
層、第２の誘電体層、第１の誘電体層、保護層の順に積
層し、保護層側からレーザ光を照射する構成のディスク
を、通常のライフ試験条件である９０℃８０％１００ｈ
ｒの環境化に放置し、その後、光学顕微鏡により膜の腐
食を観察した。その結果、上記構成のディスクでは、透
過光で見た場合、白色の直径０．１ｍｍほどの腐食が多
数生じていた。この腐食部位では、反射層であるＡｇが
変質していると推測される。さらに種々の検討を重ねた
結果、このＡｇの腐食は、第４の誘電体層中に含まれる
Ｓと、記録層中に含まれるＴｅ、Ｓｂ等が関与し、これ
らの元素の何らかの化学変化によるものであることが分
かった。しかし、先に述べたが、これらのＡｇ腐食の原
因物質のどれもが他の特性の点からは最も優れており、
どの１つの元素を除くことができない。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、（１）誘電体層と反射層間に元素α（αはＳｎ、Ｉ
ｎ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｇｅのうち少なくとも１元素）の窒化
物、あるいは酸化物、あるいは炭化物、あるいは窒酸化
物のバリア層を設ける。（２）元素αを含むバリア層厚
を１〜２０μｍとする。

【００１６】誘電体層と反射層間に元素αの窒化物、あ
るいは酸化物、あるいは炭化物、あるいは窒酸化物のバ
リア層を設けることで、耐食性に優れた信頼性の高い光
ディスクを提供することが可能になる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を説明
する。図１を用いて本実施の形態で用いたディスクの構
造について説明する。誘電体層、記録層、反射層は通常
のスパッタリングの薄膜形成方法で、透明樹脂ディスク
基板１１上に形成する。ディスク基板１１上に、第１の
誘電体層１２、第２の誘電体層１３、記録層１４、第３
の誘電体層１５、第４の誘電体層１６、バリア層１９、
反射層１７を順次設ける。さらにその上に密着した保護
層１８を設ける場合もある。

【００１８】基板１１の材質は、ポリカーボネート、あ
るいは、ポリメチルメタクリレート等の樹脂基板を使用
できるが本実施の形態ではポリカーボネート基板を用い
た。また、ディスク基板は表面にトラッキング用の溝状
の凸凹があるものを用いた。

【００１９】保護層１８としては、樹脂を溶剤に溶かし
て塗布・乾燥したものや、樹脂板を接着剤で接着したも
の等が使える。

【００２０】記録層１４に用いる記録層材料としては、
アモルファス・結晶間の相変化をするカルコゲン合金が
よく知られており、例えばＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅ
系、ＧｅＳｂＴｅＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅＰｄ系、ＴｅＧ
ｅＳｎＡｕ系、ＡｇＳｂＴｅ系、ＧｅＴｅ系、ＧａＳｂ
系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳ
ｂＳｅ系、ＩｎＳｂＴｅＡｇ系等、例えば上記系統の組
成の相変化特性または光学特性に影響を及ぼさない範囲
で他の元素を含む組成が一般には使えるが、本実施の形
態では、ＧｅＳｂＴｅ系組成のものについて詳細なデー
タを述べる。

【００２１】誘電体層１２、１６としてはＳｉＯ₂、Ｓ
ｉＯ、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ｔａ₂Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇｅ
Ｏ₂、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ
や、Ｇｅ₃Ｎ ₄、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｂＮ、ＢＮ、ＡｌＮ等のよ
うな窒化物を主成分とするもの等あるいはこれらの混合
物が一般には使えるが、本実施の形態では、第１および
第４の誘電体層をＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物を用いた。
その組成はＺｎＳ：８０ｍｏｌ％−ＳｉＯ₂：２０ｍｏ
ｌ％のものを用いた。

【００２２】誘電体層１３、１５としては主材料として
Ｇｅ元素、Ｓｉ元素のうち少なくとも１種類とＮ元素を
含めば良く、例えば、Ｇｅ−Ｎ−Ｏ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ−
Ｏ等のように他の元素や他の元素を複数個、含有しても
良い。他の元素の例としては、例えば、Ａｌ、Ｂ、Ｂ
ａ、Ｂｉ、Ｃ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｕ、Ｇａ、
Ｈ、Ｉｎ、Ｋ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｏ、Ｐｂ、Ｐ
ｄ、Ｓ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙｂ、Ｚ
ｎ、Ｚｒ等が挙げられる。本実施の形態では、第２およ
び第３の誘電体層としてＧｅ−Ｎを用いた。その組成
は、Ｇｅ：５０ａｔ％−Ｎ：５０ａｔ％のものを用い
た。

【００２３】反射層１７としてはＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｇ等の金属材料を主成分とした材
料、あるいはこれらの混合物、さらには所定の波長にお
ける反射率の大きな誘電体多層膜等が一般には使える
が、本実施の形態ではＡｇ反射層を用いた。

【００２４】バリア層１９としてはＳｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、
Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｍｇ、Ｇｅ、あるいはこれらの元素を主成分とした窒化
物、酸化物、窒酸化物、炭化物が使える。さらに上記元
素を複数個含有しても良い。本実施の形態では、バリア
層１９としてＧｅ−Ｃｒ−Ｎを用いた。ＧｅとＣｒの組
成比は７：３のものを用いた。

【００２５】以下、具体的実施の形態をもって本発明を
さらに詳細に説明する。

【００２６】（実施の形態１）バリア層を図２に示すよ
うなディスク構成において、種々の層と層の間に設けた
場合について、高温高湿試験後の腐食観察結果について
述べる。

【００２７】本実施の形態で用いたディスク構成は、
０．３４ミクロン毎にグルーブとランドが交互に形成さ
れたφ１２０ｍｍのポリカーボネート製信号記録用トラ
ックを持つ基板を用いた。

【００２８】ディスク基板上に第１の誘電体層としてＺ
ｎＳ−ＳｉＯ₂混合膜を厚さ１００μｍスパッタリング
により形成した。

【００２９】記録層組成は、Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２１．
５：２４．７：５３．８の原子％比とし、１２μｍスパ
ッタリングにより形成した。

【００３０】第２、第３の誘電体層としてＧｅＮ膜を厚
さ５μｍ形成した。

【００３１】第４の誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜
を厚さ５０μｍ形成した。

【００３２】反射層はＡｇ膜を１００μｍスパッタリン
グにより成膜を行った。そしてその上にポリカーボネー
トの保護層を設けた。

【００３３】また、バリア層としてＧｅＣｒＮを５μｍ
スパッタリングにより以下の（表１）に示す層と層の間
に形成した。これら８種類のディスクを９０℃８０％１
００Ｈｒの条件で耐候性試験を行い、腐食を光学顕微鏡
で観察した。

【００３４】

【表１】

【００３５】（表１）より、バリア層がない場合や、バ
リア層が第４の誘電体層１６と反射層１７の間にない場
合には、腐食が観察された。一方、本発明のようにバリ
ア層が第４の誘電体層１６と反射層１７の間に設けた場
合には、腐食がなかった。以上のように、誘電体層と反
射層の間にＧｅＣｒＮバリア層を設けることで、Ａｇ腐
食のないディスクが得られた。

【００３６】この腐食のメカニズムとしては、Ｓと記録
層元素（Ｔｅ、Ｓｂ）の両方がＡｇの腐食には必要であ
ることが別の実験より明確になっている。本発明のよう
に、バリア層を第４の誘電体層１６と反射層１７の間に
設けることで、腐食に対して効果があるが、その効果の
理由としては以下のように考えている。

【００３７】本実施の形態より、腐食に対して効果のあ
るのは、バリア層が第４の誘電体層１６（Ｓを含む）と
反射層１７の間に設けた場合のみであり、例えば、第３
の誘電体層１５と第４の誘電体層１６の間にバリア層を
設けても腐食は発生する。これらの結果から、Ｓはバリ
ア層中を耐湿試験中に移動できない。あるいは、第４の
誘電体層１６上にバリア層を成膜する場合、第４の誘電
体層１６中に存在する結合していないフリーのＳは、バ
リア層成膜中にバリア層の最表面に移動しないのではな
いかと考えられる。すなわち、ＳとＡｇは接することが
できない。

【００３８】一方、記録層元素（Ｔｅ、Ｓｂ）は、第３
の誘電体層１５中、第４の誘電体層１６中およびバリア
層中を耐湿試験中に移動できる。あるいは、第３の誘電
体層１５や第４の誘電体層１６およびバリア層を成膜中
にその最表面に移動することができる。すなわち、Ａｇ
と接することができる。そのため、第３の誘電体層１５
と第４の誘電体層１６の間にバリア層を設けた場合に
は、ＡｇとＳと記録層元素の全てが接することができ、
Ａｇが腐食する。

【００３９】一方、バリア層を第４の誘電体層１６と反
射層１７の間に設けることでＡｇと記録層元素（Ｔｅ、
Ｓｂ）は接することができるが、ＳがＡｇや記録層元素
と接することができず、腐食しないのではないかと考え
ている。しかし、Ａｇ腐食において、Ｓや記録層元素と
Ａｇとの間でどのような反応が起きているのかを含め
て、メカニズムは明確になっていない。

【００４０】なお、記録層として、ＧｅＳｂＴｅ系の組
成のものについて述べたが、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｓｅ元素を少
なくとも１種類含む他の組成の記録層を用いた場合に
も、同様の結果が得られた。

【００４１】なお、本実施の形態では、バリア層して、
ＧｅＣｒＮ層を用いた場合について述べたが、Ｓｎ、Ｉ
ｎ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｇｅ、元素を主成分とした窒化物、酸
化物、窒酸化物、炭化物を用いた場合にも、同様の結果
が得られた。

【００４２】なお、基板上への積層順を逆にし、反射
層、第４の誘電体層、第３の誘電体層、記録層、第２の
誘電体層、第１の誘電体層、保護層の順に積層し、保護
層側からレーザ光を照射する構成のディスクにおいても
同様の実験を行った結果、反射層と第４の誘電体層の間
にバリア層を設けた場合のみ、Ａｇ腐食のない結果が得
られた。

【００４３】（実施の形態２）図１に示すようなディス
ク構成において、バリア層厚を０〜３０μｍ変化させた
場合について、高温高湿試験後の腐食、膜の割れの観察
結果および、記録再生特性結果について述べる。

【００４４】本実施の形態で用いたディスク構成は、実
施の形態１と同じものを用いた。バリア層としてＧｅＣ
ｒＮを０〜３０μｍスパッタリングにより第４の誘電体
層と反射層の間に設けた。ただしその場合、ＧｅＣｒＮ
バリア層の光学長（実際の長さと屈折率の積）と第４の
誘電体層の光学長をプラスした厚みが、常にＧｅＣｒＮ
バリア層厚が０μｍの場合の第４の誘電体層の光学長と
等しい厚みになるように、第４の誘電体層厚を変化させ
た。これは、第４の誘電体層の膜厚補正をしないままバ
リア層厚を厚くすることで、ディスク構成での反射率が
変化し、記録再生特性に影響がでないようにするために
行った。

【００４５】これら６種類のディスクを９０℃８０％１
００Ｈｒの条件で耐候性試験を行い、腐食および膜の割
れを光学顕微鏡で観察した。また、耐候性試験前に記録
再生特性評価を行った。この記録再生特性評価方法につ
いて述べる。この光ディスクに信号を記録、再生するの
に用いたレーザの波長は４００μｍ、開口数０．６５の
ものを用いた。また、信号方式は（８−１６）変調方
式、線速８．６ｍ／ｓで最短マーク長（３Ｔマーク）
０．２６ミクロンのマークを適正なレーザ光パワーでグ
ルーブ部に記録し、このＣ／Ｎ比を測定した。ここで、
Ｃ／Ｎ比については、５０ｄＢ以上得られた場合を良好
とした。（表２）にバリア層厚と記録再生特性および腐
食、膜の割れ観察結果を示す。

【００４６】

【表２】

【００４７】（表２）より、バリア層厚に関わらず、Ｃ
／Ｎ比は５０ｄＢ以上と良好であった。また、バリア層
がない場合は腐食が観察された。しかし、バリア層が１
μｍ以上設けられると腐食は観察されなかった。さら
に、バリア層が０〜２０μｍの場合にはバリア層である
ＧｅＣｒＮ膜の割れも観察されなかった。しかし、バリ
ア層が３０μｍの場合には、バリア層であるＧｅＣｒＮ
膜の割れが観察された。さらに９０℃８０％の耐侯性試
験をプラス１００Ｈ行ったところ、バリア層厚２０μｍ
のサンプルもバリア層であるＧｅＣｒＮ膜の割れが生じ
た。バリア層が厚い場合には、膜応力が大きくなり膜の
割れが生じやすくなったためではないかと考えているが
理由は明確ではない。耐侯性試験については９０℃８０
％の場合、１００Ｈの試験にクリアすれば商品としては
充分であると考えるが、さらなる信頼性を追求した場合
には、２００Ｈの試験にクリアすることが望まれる。

【００４８】以上のように、誘電体層と反射層の間にＧ
ｅＣｒＮバリア層を１〜２０μｍ設けることで、Ａｇの
腐食、膜の割れのないかつ記録再生特性の良好なディス
クが得られた。さらなる信頼性向上のためには、ＧｅＣ
ｒＮバリア層厚としては１〜１０μｍが望ましい。

【００４９】なお、本実施の形態では、記録層として、
ＧｅＳｂＴｅ系の組成のものについて述べたが、Ｓｂ、
Ｔｅ、Ｓｅ元素を少なくとも１種類含む他の組成の記録
層を用いた場合にも、同様の結果が得られた。

【００５０】なお、本実施の形態では、バリア層して、
ＧｅＣｒＮ層を用いた場合について述べたが、Ｓｎ、Ｉ
ｎ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｇｅ、元素を主成分とした窒化物、酸
化物、窒酸化物、炭化物を用いた場合にも、同様の結果
が得られた。

【００５１】

【発明の効果】誘電体層と反射層間に元素α）の窒化
物、あるいは酸化物、あるいは炭化物、あるいは窒酸化
物のバリア層を設けることで、耐食性に優れた信頼性の
高い光ディスクを提供することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に用いた光ディスクの構造
図

【図２】本発明の実施の形態に用いた光ディスクの構造
図

【符号の説明】

１１ ディスク基板 １２ 第１の誘電体層 １３ 第２の誘電体層 １４ 記録層 １５ 第３の誘電体層 １６ 第４の誘電体層 １７ 反射層 １８ 保護層 １９ バリア層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｇ ５３５Ｈ ５３８ ５３８Ｅ (72)発明者 山田 昇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 JA01 LA14 LA15 LA16 LA17 LB03 LB07 LB11 LC21 MA13

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明基板上に、エネルギービームの照射に
   よって、アモルファス相と結晶相の間で光学的検出可能
   な可逆的変化を生ずる記録層と、反射層と、前記記録層
   と前記反射層の間に位置する誘電体層とを少なくとも設
   けた相変化光ディスクであって、前記誘電体層と前記反
   射層間に元素α（αはＳｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、
   Ａｌ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｇｅの
   うち少なくとも１元素）の窒化物、あるいは酸化物、あ
   るいは炭化物、あるいは窒酸化物を含むバリア層を設け
   ることを特徴とする光学的情報記録媒体。
2. 【請求項２】記録層がＳｂ、Ｔｅ、Ｓｅのうち少なくと
   も１種類を含んでいることを特徴とする請求項１記載の
   光学的情報記録媒体。
3. 【請求項３】反射層の主成分がＡｇであることを特徴と
   する請求項１または２記載の光学的情報記録媒体。
4. 【請求項４】誘電体層がＳを含んでいることを特徴とす
   る請求項１〜３のいずれかに記載の光学的情報記録媒
   体。
5. 【請求項５】バリア層中に少なくともＧｅを含んでいる
   ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光学
   的情報記録媒体。
6. 【請求項６】元素αを含むバリア層厚が１〜２０ｎｍで
   あることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の
   光学的情報記録媒体。
7. 【請求項７】元素αを含むバリア層厚が１〜１０ｎｍで
   あることを特徴とする請求項６記載の光学的情報記録媒
   体。