TW200402889A - Manufacturing method of thin film transistor, manufacturing method of flat display apparatus, thin film transistor and flat display apparatus - Google Patents

Description

200402889 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種薄膜電晶體的製造方法及平面顯示 裝置的製造方法，以及薄膜電晶體及平面顯示裝置。 【先前技術】 近年來，在相同基板上形成使用多晶矽膜的高精細液 晶顯示器或周邊電路，使得驅動電路一體型的液晶顯示裝 置（TFT-LCD )的硏究開發日漸盛行。 該驅動電路一體型的 TFT-LCD之一般的製造方法如 下。 首先，爲形成TFT的通道層，使用CVD法在基板上 成膜非晶矽（a-Si )膜。爲提昇TFT的特性，藉由準分子 雷射等之能量束對a-Si膜進行回火處理，形成多晶矽（P-Si )膜。使該p-Si膜經過微影步驟及蝕刻步驟圖案化成 任意的形狀。其中，藉由CVD法以覆蓋p-Si膜的方式成 膜閘極絕緣膜。繼而，在閘極絕緣膜上成膜成爲閘極的金 屬並進行圖案化，以形成閘極。然後，以閘極爲遮罩，將 雜質（硼或鄰）佈植至P-Si膜。然後，藉由熱回火使所 佈値的雜質活性化，形成源極區域及汲極區域。再蝕刻層 間絕緣膜，分別形成通往源極區域及汲極區域的連接孔。 繼而，成膜且圖案化成爲信號線等的金屬，形成與通過源 極區域及汲極區域的接觸孔連接的源極及汲極。再者，經 過在層間絕緣膜上形成與源極電性連接的信號線等之步驟 4¾ 4 -4 - (2) (2)200402889 ，完成驅動電路一體型的TFT-LCD。 爲了提昇上述週邊電路的積體度，要求由上述信號線 等的配線構成的微細化。然而尤其是TFT部分如上所 述可知，係積層各種層而形成。因此，當微細化配線時， 配線在超越下側的層之段差部處斷線的確率增大，引起產 率降低。 因應上述問題的對策開發有以塗敷機塗敷層間絕緣膜 的方法（塗敷法）。藉由該手法可平坦化層間絕緣膜的表 面。換言之，根據該手法，即使在底層具有段差部，於其 上的層間絕緣膜之表面不會產生段差，可防止在此所形成 的配線之斷線。然而，藉由上述塗敷法使用塗敷機形成層 間絕緣膜時，需爲400 °C前後的燒成。因此，由以上所敘 述可知，需要雜質的活性化步驟、本燒成步驟兩個熱處理 步驟。一般，在熱處理步驟中，由於基板膨脹收縮，因此 在積層膜中有產生裂縫等的可能性。亦即，熱處理步驟增 加成爲增加不良品產生的機會。又，當然直接使生產性降 低0 【發明內容】 本發明係有鑑於上述問題點而硏創者，目的在於提供 一種不增加熱步驟的薄膜電晶體之製造方法，平面顯示裝 置的製造方法。再者，本發明之目的在於提供一種使裂縫 等之不良狀況極少的薄膜電晶體及平面顯示裝置。 本發明的薄膜電晶體之製造方法，其特徵在於，在絕 ‘•ί: ··‘ r -5- (3) (3)200402889 緣基板上形成島狀的半導體區域；在該半導體區域上介以 閘極絕緣膜形成閘極；以該閘極作爲遮罩將雜質佈植入上 述半導體區域，挾住通道區域分別在其兩側自我整合形成 源極、汲極區域；在上述閘極及上述閘極絕緣膜上形成層 間絕緣膜；以及，以一個熱處理步驟同時進行活性化上述 雜質的步驟與燒成上述層間絕緣膜的步驟。 本發明的平面顯示裝置的製造方法（具有以矩陣狀配 置的像素s。藉由個別導通斷開各像素的電晶體以顯示畫 像）’其特徵在於以如下之方法製造上述各電晶體：在絕 緣基板上形成島狀的半導體區域；在該半導體區域的資訊 上介以閘極絕緣膜形成閘極；以該閘極作爲遮罩，在上述 半導體區域上佈植雜質，並挾持通道區域在其兩側自我整 合形成源極、汲極區域；在上述閘極及上述閘極絕緣膜上 形成相關絕緣膜；以及，以一個熱處理步驟同時進行活性 化上述雜質的步驟及燒成上述層間絕緣膜的步驟。 本發明的薄膜電晶體，其特徵在於具有以下構件：絕 緣基板；作爲該絕緣基板上所形成的島狀之半導體層的中 央部分之通道區域；挾持該半導體層的上述通道區域而形 成的一對源極、汲極區域；防止以覆蓋上述區域之方式形 成的上述半導體層之懸空鍵S的氫s從上述懸空鍵S脫離 之脫離防止膜；以及該脫離防止膜上所形成的層間絕緣膜 〇 本發明的平面顯示裝置（具有以矩陣狀配置的像素S 。藉由個別導通斷開各像素的電晶體以顯示畫像），其特 (4) (4)200402889 徵在於具有上述各薄膜電晶體，該薄膜電晶體係具有以下 構件：絕緣基板；作爲該絕緣基板上所形成的島狀之半導 體層的中央部分之通道區域〆挾持該半導體層的上述通道 區域而形成的一對源極、汲極區域；防止以覆蓋上述區域 之方式形成的上述半導體層之懸空鍵s的氫s從上述懸空 鍵s脫離之脫離防止膜；以及該脫離防止膜上所形成的層 間絕緣膜。 【實施方式】 首先，簡單說明本發明之液晶顯示裝置。 該液晶顯示裝置係在相同基板上形成高精細液晶顯示 器或周邊電路之驅動電路一體型的液晶顯示裝置（TFT-LCD )，其一例之TFT部分係表示於第2 ( b )圖。 亦即，在絕緣基板1上介以內層2形成有成爲通道層 的多晶矽膜3 b。在該多晶矽膜3 b上方介以閘極絕緣膜4 形成有閘極5。再者，在該多晶矽膜3 b兩側形成有源極 、汲極區域3 c、3 d。上述源極、汲極區域3 c、3 d係通·-過 上述閘極絕緣膜4及層間絕緣膜6b而連接有源極、汲極 8a、8b。7a、7b係連接孔。 以下，參照圖面說明本發明之平面顯示裝置的製造方 法之一實施形態。 第1(a)圖至第1(c)以及第2(a)圖至第2(b) 係本發明第一實施形態之薄膜電晶體（第一 TFT)的製造 (5) (5)200402889 該第一 TFT係與TFT-LCD的陣列基板之各像素部對

應而形成之TFT或是製作於陣列基板的周邊電路之TFT 〇 以下，詳細說明製造第一 TFT的步驟。 首先，從第1 ( a )圖可知，例如在由縱 400 X橫 5 0 0mm的大小之無鹼玻璃構成的絕緣基板1上形成內層2 。內層2係藉由電晶CVD法依序成膜氮化矽膜（SiN膜 )以及氧化矽膜（Si02膜）之雙層構造者。然後，例如在 內層2上形成50nm厚度的非晶砂膜3a。而後，以 500 °C 進行1小時的回火，使非晶矽膜3 a內的氫蒸發以降低氫 濃度。然後，例如使用波長3 0 8nm ( XeCl )的能量束，對 非晶質矽膜3 a進行回火處理，形成多晶矽膜3 b。用以結 晶化的雷射光束可以是KrF、ArF。 然後，從第1 ( b )圖可知，以圖案化多晶矽膜3 b成 島狀之後，以覆蓋多晶矽膜3b之方式藉由電漿CVD法成 膜由氧化矽膜（Si02)所構成的絕緣膜4。 繼而，從第1 ( c )圖可知，在閘極絕緣膜4上的全 面成膜且圖案化摻雜磷等的多晶矽膜，以形成閘極5。又 ，在形成閘極5的同時，亦形成閘極線或輔助電容線等。 閘極5的材料除了多晶矽膜之外，亦可使用鉬（Mo )、 鉅（Ta )等高熔點金屬。然後，使用離子摻雜法，以閘極 5爲掩模自我整合將摻雜物（雜質）佈植入多晶矽膜3 b， 以形成源極、汲極區域3 c、3 d。然後，使多晶矽膜3 b的 懸空鍵爲終端，使用電漿CVD法進行氫電漿處理。 (6) (6)200402889 從第2 ( a )圖可知，以覆蓋閘極5的方式藉由塗敷 機塗敷以矽原子及氧原子（S i - 〇 )爲主成分的層間絕緣膜 6a (塗敷法）。層間絕緣膜6a可使用有機絕緣材料或無 機絕緣材料。然後，在使佈植入多晶矽層3 b的雜質活性 化之问時，燒成層間絕緣膜6 a，例如在3 5 0、4 0 0、4 5 0、 5 0 0 °C中任一溫度進行1小時的熱處理。亦即，在相同的 熱處理一倂進行活性化雜質的步驟與燒成層間絕緣膜6 a 的步驟。藉此，可極力抑制因熱步驟對裝置產生的不良影 響。藉由這種燒成，從第2 ( b )圖可知，最後在形成源 極、汲極區域3 c、3 d之同時，燒成形成層間絕緣膜6b。 換言之，同時進行TFT的形成與層間絕緣膜之形成。藉 著這種方法，在一次的熱處理步驟中，亦即與使用 C VD 法之情況相比，不致增加熱處理步驟，最後可形成層間絕 緣膜。 然後，從第2 ( b )圖可知，在層間絕緣膜6b形成到 達源極、汲極區域3 c、3 d的接觸孔7a及接觸孔7b。繼 而，藉由濺鍍將由鋁（A1 )所構成的金屬埋入至接觸孔 7a、7b內，並且在層間絕緣膜6b上成膜。之後，圖案化 在該金屬中的層間絕緣膜6b上所成膜的部分。藉此’如 第2 ( b )圖所示，介以接觸孔7a、7b形成有與源極、汲 極3 c、3 d連接的源極、汲極8 a、8 b。此時，當然在層間 絕緣膜6b上亦形成有信號線等的配線（未圖示）〇 第3圖係顯示在如上所述之35(TC、400°C、45(TC、 5 00 °C的熱處理溫度中進行1小時進行雜質的活性化步驟 (7) (7)200402889 與層間絕緣膜的燒成步驟之各熱處理溫度與通道的薄膜電 阻之關係圖表。該圖表係依據本發明者等之實際的實驗結 果製作成者。該圖表的縱軸所表示的薄膜電阻値係在上述 第一 TFT的通道部中所測定的値，以愈低愈理想。此外 ，如上所述，由於推測熱處理溫度愈低則雜質的活性化率 愈低，因此與此相合使離子摻雜的佈植條件分別與各熱處 理溫度對應而變化。 從第3圖的薄膜電阻値之圖表11D至11A可知，熱 處理溫度隨著5 0 0 °C、4 5 0 °C、4 0 0 °C、3 5 0 °C愈低則薄膜 電阻變得愈高。在此，在3 5 0 °C時，如圖表1 1 A所示，薄 膜電阻値成爲大致7000 ( Ω /cm2 )以下。這是相當實用 的値。該値係表示以下所述之情事。亦即，在上述雜質的 活性化或層間絕緣膜的燒成之熱處理中，爲確實防止裂縫 等不良情況產生而期望有低的熱處理溫度。因而，即使在 這種低溫的熱處理中亦可獲得可供使用的薄膜電阻値的 TFT。此外，藉由最適化雜質佈植時之離子摻雜的加速電 壓、閘極絕緣膜4的膜厚、多晶矽膜3 b的膜厚等，可使 圖表11A所示的350 °C之熱處理的薄膜電阻値下降。 繼而’爲確認上述實施形態的效果，以下敘述比較例 。亦即’不一倂進行活性化雜質的步驟與燒成層間絕緣膜 的步驟之兩個熱處理步驟，表記個別進行時的薄膜電阻値 。具體而言，藉由離子摻雜法在多晶矽膜佈植摻質之後， 以5 00°C進行1小時活性化雜質的步驟，再於其後以400 °C進行1小時燒成層間絕緣膜的步驟。此時的薄膜電阻値 -10- (8) (8)200402889 約爲22 00 ( Ω /cm2)。由此可確認本實施形態的效果。 如此，根據本發明的第1實施形態，由於使佈植入多 晶矽層的雜質活.性化之步驟與燒成層間絕緣膜之步驟在栢 同的熱處理步驟進行，因此可防止在各積層膜中產生裂縫 等不良情況，可使用塗敷法形成層間絕緣膜。 第4圖（a )至第5圖係有關本發明第2實施形態之 不同的TFT (第二TFT)的製造步驟之剖面圖。 第4圖（〇至第5圖中與第1圖（a)至第2圖所示 者相等部分附註相同符號，並省略其說明。該第2實施形 態與第1實施形態不同點在於形成氮化矽膜作爲上述層間 絕緣膜之底層。 以下，詳細說明製造第二TFT的步驟。 首先，第4(a)圖係表示與上述第1(c)圖相同的 步驟。亦即，經過第1實施形態的第1 ( a )圖、第1 ( b )圖之步驟，如第4 ( a )圖所示，以閘極5作爲遮罩自 我整合將雜質佈植入多晶矽層3 b，以形成源極、汲極區 域。 - 然後，從第4 ( b )圖可知，使多晶矽膜3b的懸空鍵 爲終端，使用電漿CVD法進行氫電漿處理。之後，如第 4 ( b )圖所示，以覆蓋閘極5之方式例如成膜2 0 0 nm的 厚度之氮化矽膜（SiN膜）15。 繼而，從第4 ( c )圖可知，在氮化矽膜1 5上的全面 塗敷層間絕緣膜1 6a。然後，在相同步驟進行使佈植入多 晶矽層3 b的雜質活性化之步驟與燒成層間絕緣膜1 6a之 -11 - (9) (9)200402889 步驟，並以400 °C進行1小時的熱處理。藉此，如第5圖 所示，最後在多晶砂層3 b形成有源極、汲極區域3 c、3 d ，並且最後燒成形成有層間絕緣膜16b。 然後，與第1實施形態相同，如第5圖所示，可獲得 多晶矽TFT。亦即，從第5圖可知，飩刻層間絕緣膜16b ，分別形成到達源極、汲極區域3c、3d之接觸孔17a、 17b。繼而，形成由鋁所構成的源極、汲極18a、18b。 第6圖係本發明者實際上藉由該第2實施形態所製造 的第二TFT與藉由上述第1實施形態所製造的第一 TFT 個別的導通電流値（汲極電流値）之圖表。即，導通電流 値以愈大愈理想。 如第6圖的圖表20a所示，具有氮化矽膜的第二TFT 之導通電流値1.2xl0·4 (A)比不具有圖表20b所示的氮 化矽膜之第一 TFT的導通電流値1.0 X 1 0·4 ( A )大。該理 由如下所述。 亦即，從第2 ( b )圖可知，在層間絕緣膜6b下亦即 在多晶矽膜3b上未形成有氮化矽膜時，多晶矽膜3b的懸 空鍵終端之氫在上述40(TC的燒成活火處理（熱處理步驟 )中完全脫離。亦即，多晶矽膜3 b的懸空鍵終端之氫係 介以上層的層間絕緣膜6b脫離至外部。因此，推測在通 道中移動的電子在途中被捕獲，以致電流降低。 另外’從第5圖可知，在多晶矽膜3b上未形成有氮 化矽膜1 5時，氮化矽膜1 5作爲蓋部的功能，防止多晶矽 膜3 b中的懸空鍵終端之氫從懸空鍵脫離。再者，在氮化 4，τ· ·' a. ： / *-· V' -12- (10) (10)200402889 矽膜1 5之膜中含有較多的氫，該氫擴散至多晶矽膜3 b， 終端多晶矽膜3b中的懸空鍵。因此，具有氮化矽膜的第 二TFT〃與不具有氮化矽膜的第一 TFT相比，在多晶矽膜 3 b中移動的電子難以被上述懸空鍵捕獲。亦即，從第6 圖可知，第二TFT之導通電流値大於第一 TFT。 如上所述，根據本發明之第2實施形態，在多晶矽層 與層間絕緣膜之間由於設置作爲蓋層的氮化矽膜，因此可 防止懸空鍵終端之氫從多晶矽層中脫離。又，由於氮化矽 中所包含的氫擴散至多晶矽層，藉此可更終端多晶矽層的 懸空鍵，藉此可形成導通電流値大的TFT。 在上述本發明之第1實施形態及本發明的第2實施形 態中，雖表示將本發明的平面顯示裝置之製造方法應用在 液晶顯示裝置，但是亦可應用在有機EL顯示裝置。 換言之，組裝上述第1及第2實施形態的電晶體可構 成液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等之平面顯示裝置。 第7圖係液晶顯示裝置例。該液晶顯示裝置本體由於 係維週知，因此不詳細說明’簡述如下。該液晶顯示裝置 係具有以矩陣狀配置的複數個像素。藉由個別導通、斷開 各像素的電晶體，以顯示畫像。第7圖中，縱向形成有信 號線SGL，橫向形成有掃描線SCL。上述縱、橫線之各交 點配置有電晶體TFT。各電晶體TFT的閘極分別與掃描 線SCL連接，源極係與信號線SGL連接。各電晶體TFT 爲導通狀態時，來自信號線S GL的信號介以該電晶體 TFT儲存在電容C。 -13- (11) (11)200402889 此外，有機EL顯示裝置之構造本體雖與液晶顯示裝 置不同，但是由於係爲周知，固在此未圖示。爲該有機 EL顯示裝置時，在此可使/用上述本發明之第丨或第2實 施形態之TFT作爲所使用的TFT。 根據本發明，由於藉由一個熱處理步驟合倂進行佈植 入半導體層的雜質之活性化與所塗敷的層間絕緣膜之燒成 ，因此可減少全體的熱處理步驟，藉此，可極力抑制在基 板上的各積層膜中產生裂縫等不良狀況，且可藉由塗敷法 形成層間絕緣膜。 【圖式簡單說明】 第1 ( a )圖至第1 ( C )係本發明一實施形態之第一 T F T的製造步驟之途中的剖面圖。 第2 ( a )圖至第2 ( b )係本發明一實施形態之接續 第1圖的第一 TFT的製造步驟之剖面圖。 第3圖係顯示藉由一個熱處理步驟進行雜質的活性化 與層間絕緣膜的燒成時的熱處理溫度與薄膜電阻之關係圖 表。 第4 ( a )圖至第4 ( c )係本發明之其他實施形態之 第二T F T的製造步驟之途中的剖面圖。 第5圖係本發明之上述其他實施形態之接續第4圖的 第二TFT的製造步驟之剖面圖。 第6圖係比較上述第一 TFT與上述第二TFT個別的 導通電流値之圖表。

-14- (12) (12)200402889 第7圖係安裝本發明的TFT之液晶顯示裝置例的主 要部分之電路圖。 【元件符號說明】 1絕緣基板 2 內層 3 a非晶値矽膜 3b多晶矽膜 3 c源極區域 3 d汲極區域 4閘極絕緣膜 5鬧極 6 a、6 b層間絕緣膜 7a、7b接觸孔 8a源極 8 b汲極 15氮化矽膜（SiN膜 16a層間絕緣膜 1 6 b層間絕緣膜 17a、17b接觸孔 18a 源極 18b 汲極 SGL信號線 S C L掃描線 -15- (13)200402889 TFT電晶體 C 電容

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Claims (1)

1. (1) - (1) -200402889 拾、申請專利範圍 1 · 一種薄膜電晶體之製造方法，其特徵在於， 在絕緣基板上形成島狀的半導體區域； _ 在該半導體區域上介以閘極絕緣膜形成閘極； 以該閘極作爲遮罩將雜質佈植入上述半導體區域，挾 住通道區域並分別在其兩側自我整合形成源極、汲極區域 在上述閘極及上述閘極絕緣膜上形成層間絕緣膜；以 鲁 及 以一個熱處理步驟同時進行活性化上述雜質的步驟與 燒成上述層間絕緣膜的步驟。 2 ·如申請專利範圍第1項的薄膜電晶體之製造方法， 其中’上述島狀的半導體區域係形成於上述絕緣基板上所 形成的內層上。 3 ·如申請專利範圍第2項的薄膜電晶體之製造方法， 其中，係形成氮化矽膜與氧化矽膜之雙層構造膜作爲上述 H 內層。 4·如申請專利範圍第丨項的薄膜電晶體之製造方法， 其中，上述島狀的半導體區域係以如下之方法形成： 形成非晶質矽層，並藉由準分子雷射使其多結晶化， 並於其後進行圖案化，以形成上述島狀的半導體區域。 5 ·如申請專利範圍第4項的薄膜電晶體之製造方法， 其中，係對上述非晶質矽層進行回火處理使氫蒸發，在降 低氫濃度之後進行上述多結晶化。 -17- (2) (2)200402889 6.如申請專利範圍第4項的薄膜電晶體之製造方法， 其中，在佈植上述雜質以形成源極、汲極區域之後，藉由 電漿CVD法進行氫電漿處理，藉由氫終端已多結晶化的 矽層之懸空鍵。 7·如申請專利範圍第i項的薄膜電晶體之製造方法， 其中’係以矽原子及氧原子爲主成分之有機絕緣材料或無 機絕緣材料作爲上述層間絕緣膜。 8 ·如申請專利範圍第7項的薄膜電晶體之製造方法， 其中，上述燒成係在350、400、500 °C中任一種溫度下進 行1小時的熱處理。 9 ·如申請專利範圍第6項的薄膜電晶體之製造方法， 其中，係形成第2氮化矽膜（使在上述懸空鍵終端上的氫 不從懸空鍵脫離）作爲上述層間絕緣膜的底層。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項的薄膜電晶體之製造方法 ，其中’係成膜上述第2氮化矽膜2 0 〇nm的厚度。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項的薄膜電晶體之製造方法 ，其中，係以400 °C進行1小時的熱處理作爲上述熱處理 步驟。 12. —種平面顯示裝置的製造方法（具有以矩陣狀配 置的像素s，藉由個別導通斷開各像素的電晶體以顯示畫 像），其特徵在於，係以如下之方法製造上述各電晶體： 在絕緣基板上形成島狀的半導體區域； 在該半導體區域的資訊上介以閘極絕緣膜形成閘極； 以該闊極作爲遮罩’在上述半導體區域上佈植雜質， -18- (3) (3)200402889 並挾持通道區域在其兩側自我整合形成源極、汲極區域； 在上述閘極及上述閘極絕緣膜上形成相關絕緣膜；以 及 以一個熱處理步驟同時進行活性化上述雜質的步驟及 燒成上述層間絕緣膜的步驟。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項的平面顯示裝置之製造方 法，其中，上述島狀的半導體區域係形成於上述絕緣基板 上所形成的內層上。 14·如申請專利範圍第13項的平面顯示裝置之製造方 法，其中，係形成氮化矽膜與氧化矽膜之雙層構造膜作爲 上述內層。 15.如申請專利範圍第12項的平面顯示裝置之製造方 法，其中，上述島狀的半導體區域係以如下之方法形成： 形成非晶質矽層，並藉由準分子雷射使其多結晶化， 並於其後進行圖案化，以形成上述島狀的半導體區域。 16·如申請專利範圍第15項的平面顯示裝置之製造方 法，其中，係對上述非晶質矽層進行回火處理使氫蒸發， 在降低氫濃度之後進行上述多結晶化。 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項的平面顯示裝置之製造方 法，其中，係在佈植上述雜質以形成源極、汲極區域之後 ，藉由電漿CVD法進行氫電漿處理，藉由氫終端已多結 晶化的矽層之懸空鍵。 1 8 .如申請專利範圍第1 2項的平面顯示裝置之製造方 法，其中，係以砂原子及氧原子爲主成分之有機絕緣材料 -19- (4) (4)200402889 或無機絕緣材料作爲上述層間絕緣膜。 1 9·如申請專利範圍第丨8項的平面顯示裝置之製造方 法，其中，上述燒成係在 350、400、450、500。(：中任一 種溫度下進行1小時的熱處理。 20·如申請專利範圍第17項的平面顯示裝置之製造方 法，其中，係形成第2氮化矽膜（使在上述懸空鍵之終端 上的氫不從懸空鍵脫離）作爲上述層間絕緣膜的底層。 2 1 ·如申請專利範圍第2 〇項的平面顯示裝置之製造方 H 法，其中，係成膜上述第2氮化矽膜2 0 Onm的厚度。 22.如申請專利範圍第21項的平面顯示裝置之製造方 法，其中，係以400°C進行1小時的熱處理作爲上述熱處 理步驟。 2 3 ·—種薄膜電晶體，其特徵在於具有以下構件： 絕緣基板； 作爲該絕緣基板上所形成的島狀之半導體層的中央部 分之通道區域； ♦ 挾持該半導體層的上述通道區域而形成的一對源極、 汲極區域； P方止以覆蓋上述區域之方式形成的上述半導體層之懸 空鍵s的氫s從上述懸空鍵s脫離之脫離防止膜；以及 該脫離防止膜上所形成的層間絕緣膜。 24.—種平面顯示裝置（具有以矩陣狀配置的像素s， 藉由個別導通斷開各像素的電晶體以顯示畫像）’其特徵 在於具備有上述各薄膜電晶體，該薄膜電晶體係具有以下 -20- (5) (5)200402889 構件： 絕緣基板； 作爲該絕緣基板上所形成的島狀之半導體層的中央部 分之通道區域； 挾持該半導體層的上述通道區域而形成的一對源極、 汲極區域； 防止以覆蓋上述區域之方式形成的上述半導體層之懸 空鍵S的氫S從上述懸空鍵S脫離之脫離防止膜；以及 該脫離防止膜上所形成的層間絕緣膜。

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