JP4684877B2 - 薄膜積層基板、及びその製造方法、並びに表示装置 - Google Patents
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Description
東芝レビューVol.55 No.2(2000)「低温P-Si TFT―LCD」 西部 徹 著他 「低温ポリSi TFT-LCD技術」 鵜飼 育弘 著 EDリサーチ社発行(2005年4月20日発行)
また、上記特許文献1及び2の技術においては、絶縁層の上層に形成される金属電極配線の段切れ回避に十分に効果があるとは言えなかった。その他、ソース/ドレイン配線自体の材料を変更したり、膜厚を厚くしたり、スパッタ条件を変えたりすることによりソース/ドレイン配線108の段切れを回避させようとする試みがなされてきた。しかしながら、満足し得るものがなかったのが現状であった。
図1は、本実施形態1に係る液晶表示装置の低温ポリシリコンTFTアレイ基板(以下、単に「TFTアレイ基板」とも言う)の部分拡大平面図である。図1中、1はガラス基板等の絶縁性基板、4はポリシリコン層、6はゲート電極、8はソース/ドレイン配線を示している。図2(a)〜(d)は、図1のI−I'で示した箇所の工程断面図であり、図2(d)が図1のI−I'切断部断面図に相当する。図2中の2は下地窒化膜、3は下地酸化膜、5はゲート絶縁層、7は絶縁層、8はソース/ドレイン配線を示している。説明の都合上、図1において、ポリシリコン層4とゲート電極6は、図2のハッチングと同一のものにより図示した。
次に、上記実施形態1のTFTアレイ基板50とは異なる実施形態について説明する。なお、以降の説明において、上記実施形態1と同一の構成部材は、同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
次に、上記実施形態1及び2のTFTアレイ基板50、51とは異なる実施形態について説明する。
本実施形態3に係るTFTアレイ基板は、以下の点を除く基本的な構成は上記実施形態2と同じである。すなわち、上記実施形態2においては、層間絶縁膜7の全面をアニーリングしていた(図3(c)参照)が、本実施形態3においては、ソース/ドレイン配線8が被さる層間絶縁膜7の段差構造部10のみをアニーリングしている点が異なる。
2 下地窒化膜
3 下地酸化膜
4 ポリシリコン層
5 ゲート絶縁層
6 ゲート電極
7 絶縁層
8 ソース/ドレイン配線
9 レジスト
10 段差構造部
50 TFTアレイ基板
51 TFTアレイ基板
Claims (6)
- 基板上に、
段差構造部を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成されて少なくとも前記段差構造部を被覆する導電層と、を備える薄膜積層基板の製造方法であって、
前記絶縁層をP、B、又はPとBのいずれかよりなる不純物を導入することなく形成する第一のステップと、
前記第一のステップ後に行う、前記絶縁層の前記段差構造部のみに、前記P、B、又はPとBのいずれかよりなる不純物をドーピングする第二のステップと、
前記第二のステップ後に行う、少なくとも前記絶縁層の前記段差構造部にアニーリングを行う第三のステップと、
前記第三のステップ後に行う、前記段差構造部を被覆するように前記絶縁膜上に前記導電層を形成する第四のステップと、を含むことを特徴とする薄膜積層基板の製造方法。 - 請求項1に記載の薄膜積層基板の製造方法であって、
前記絶縁膜は、SiO 2 膜、SiOH膜、SiN膜のいずれかであることを特徴とする薄膜積層基板の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の薄膜積層基板の製造方法であって、
前記アニーリングはレーザーアニール法により行うことを特徴とする薄膜積層基板の製造方法。 - 基板上に、
段差構造部を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成されて少なくとも前記段差構造部を被覆する導電層と、を備える薄膜積層基板であって、
前記段差構造部は、前記基板から離れるに従って段差部の底辺の幅が狭くなるように形成された順テーパー形状をなしており、
前記絶縁層の前記段差構造部のみにP、B、又はPとBのいずれかよりなる不純物がドーピングされていることを特徴とする薄膜積層基板。 - 請求項4に記載の薄膜積層基板の製造方法であって、
前記絶縁膜は、SiO 2 膜、SiOH膜、SiN膜のいずれかであることを特徴とする薄膜積層基板。 - 請求項4又は5に記載の薄膜積層基板を備えた表示装置。
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