TW200401342A - Thin-film semiconductor epitaxial substrate and process for production thereof - Google Patents

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Description

200401342 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關一種適用於製造異質連結雙極電晶體 (ϋ BT)的薄膜半導體磊晶基材和此薄膜半導體磊晶基材的 製程。 【先前技術】 由近期絕佳晶體成長技術如有機金屬化學氣相磊晶法 (MOCVD)可製造一種高效能的異質連結雙極電晶體（ΗΒΤ) ，作爲使用在較微波頻率高之領域的半導體元件。異質連 結雙極電晶體組成如下：一種具有較基本層之能階隙大的 物質作爲發射層使發射-基本連結成爲異質連結，且相較 於同質連結雙極電晶體，當其電洞由基本層流入發射層的 能量障壁被提高，可防止電洞流入射極，藉以提昇射極注 入效率。 上述構成的傳統異質連結雙極電晶體電流放大機制基 本上和同質連結雙極電晶體相同。因此，在基區電子和電 洞）再結合的機率應該變小以提昇電流放大因數。所以，例 如下列的結構已熟知：將具有組成梯度的碑化鋁鎵用於發 射層和基本層以產生可加速電子的電場，因電子濃度梯度 擴散之一貫形式的流動和在砷化鋁鎵晶格電場之電子躍遷 的流動’其二者之加乘效應使得在基區的電子流被加速， 藉此可降低在基區電子的躍遷時間，因此可減少在基區電 子和電洞再結合的機率。 (2) (2)200401342 另外，爲了增進異質連結雙極電晶體電流放大因數而 試圖增進發射層和基本層或兩者間邊介面的晶性。但是， 集電層或次集電層的晶性和電流放大因數之間的關係則尙 未被充分硏究。 不過，最近發現次集電層中載子濃度對電流放大因數 影響頗巨，次集電層即是介於集電層和集電電極間爲降低 二者之間接觸電阻所形成之具有高導電性的薄層。在設計 半導體兀件時，希望次集電層的載子濃度能自由設定。可 是當載子濃度影響電流放大因數頗巨時，元件設計的自由 度會被嚴重限制’以致於使達到所要求特性的元件設計複 雜化。 【發明內容】 本發明的目標是提供一種薄膜半導體磊晶基材可解決 先削技術的這些問題，及製造此薄膜半導體磊晶基材的製 程。 ⑩ 本發明的另一個目標是提供一種薄膜半導體磊晶基材 可降低在次集電層載子濃度對電流放大因數的影響，及製 造此薄膜半導體磊晶基材的製程。 再者’本發明的目標是提供一種薄膜半導體磊晶基材 以製X3尚可罪度半導體元件’及製造此薄膜半導體磊晶基 材的製程。 爲解決上述問題，在本發明藉氣相結晶成長法在基材 上形成次集電層、集電層、基本層和發射層以製造一種爲 (3) (3)200401342 異質連結雙極電晶體產品所需的薄膜半導體晶晶基材過程 中，將在包含次集電層和集電層的餍部位的至少一部分中 添加硼（B)的步驟併入到薄膜半導體磊晶基材的製造過程 中。因此，例如在製造出的薄膜半導體磊晶基材中，至少 部分次集電層或集電層或靠近次集電層和集電層的邊介面 含有添加硼。 當添加硼（B)存在於由次集電層和集電層組成的層部 位中至少一部分時，以高濃度雜質摻入次集電層造成次集 電層中的混合晶體缺陷不會傳遞延伸到基本層和發射層。 結果這些在次集電層造成的混合晶體缺陷可有效防止成爲 在基本層和發射層中使基本電流增加及電流放大因數降低 的再結合中心。故即使當次集電層被摻入高濃度雜質時， 摻雜對電流放大因數的影響可被控制防止電流放大因數的 降低，同時可增進半導體元件的可靠度。 根據本發明的第一個實施例，其提供一種薄膜半導體 磊晶基材，它包含基材及在該基材上形成的次集電層、集 電層、基本層和發射層當作薄膜半導體磊晶層，其中添加 晒（B)存在於包含該次集電層和集電層的層部位的至少-· 部分中。 根據本發明的第二個實施例，其提供如上列第一個實 施例的薄膜半導體磊晶基材’其中包含該添加硼（B)的部 份以薄膜半導體磊晶層的形式形成在靠近該集電層和次集 電層之間的邊介面。 根據本發明的第三個實施例，其提供一種製造薄膜半 (4) (4)200401342 導體磊晶基材的方法，此製品包含基材及在該基材上形成 薄膜半導體磊晶層如次集電層、集電層、基本層和發射層 ’其製程的特點是包含添加硼（B)到由該次集電層和集電 層組成的層部位的至少一部分中的步驟。 根據本發明的第四個實施例，其提供如上列第三個實 施例的薄膜半導體磊晶基材的製程，其中硼（B)的材料在 該層部位成長時的預定時段加入以完成硼的添加。 根據本發明的第五個實施例，其提供如上列第三或第 四個實施例的薄膜半導體磊晶基材製程，其中使用三乙基 硼作爲該硼的材料。 根據本發明的第六個實施例，提供一種異質連結雙極 電晶體’其包含如上列第一或第二個實施例的薄膜半導體 晶晶基材。 【實施方式】 本發明的實施例會佐以結構圖在下面詳述。 圖一是層狀結構的圖解，作爲以本發明的方法製造異 質連結雙極電晶體所需的薄膜半導體磊晶基材之例子。薄 膜半導體磊晶基材1是爲了製造砷化鎵基底的異質連結 雙極電晶體。薄膜半導體磊晶基材1爲本發明的一實施例 由以下解釋之。 圖一中薄膜半導體磊晶基材1的結構如下··薄膜半導 體磊晶基材1是以有機金屬化學氣相磊晶法在半絕緣的半 導體晶體砷化鎵基材2上層疊一層覆一層的多重半導體薄 -9 - (5) (5)200401342 膜結晶成長層建造而成，由下面解釋之。砷化鎵基材2是 由半絕緣之砷化鎵（00 1)層所組成，另外緩衝層3是由形成 在砷化鎵基材2上的i-砷化鎵層所組成。 異質連結雙極電晶體功能層4在緩衝層3上形成。異質 連結雙極電晶體功能層4是由多層組成，其形成如下：在 緩衝層3上形成厚度500奈米之n + -砷化鎵層（載子濃度：3x 10'8至5 xlO18公分·3)可當作次集電層41。另外，在次集電 層41上形成厚度700奈米之rT-砷化鎵層（載子濃度：1 X 1016公分J可當作集電層42。這兩層是以半導體磊晶成長 結晶層的形式形成。 在這個例子中，集電層42與次集電層4 1接觸的部分含 有添加的硼（B)，因此含硼層42a形成在集電層42中。在圖 一的實施例中顯示含硼層42a厚度是10奈米。含硼層42a 是以三乙基硼（TEB)作爲硼材料和形成集電層42所需之起 始氣體砷及三甲基鎵（TMG) —起加入反應器中形成含硼的 薄膜半導體磊晶層的形式，從集電層42開始成長到厚度達 10奈米之預定時段供給三乙基硼（TEB)。 在集電層42上形成厚度90奈米之半導體磊晶成長結晶 層〆-砷化鎵層（載子濃度：2 X 1〇19公分'3)可當作基本層 43。在基本層43上形成厚度110奈米之n_-砷化鋁鎵層（載 子濃度：5 X 10"公分_3)可當作發射層44。 在發射層44上形成厚度150奈米之η —-砷化鎵層（載子 濃度：i X 公分’可當作發射層45。在發射層45上形 成厚度100奈米之n + -砷化鎵層（載子濃度：3 X 1018公分-;) -10- (6) (6)200401342 可當作次發射層46。在次發射層46上形成厚度120奈米之 η+ -砷化銦鎵層（載子濃度：4 X 1 0 ”公分’可當作發射接觸 層4 7 〇 圖一顯示的薄膜半導體磊晶基材1的特色是在集電層 4 2中的一部份形成含硼層4 2 A，藉著形成含硼層4 2 A，亦即 在集電層4 2中包含添加硼的層區，則以高濃度雜質摻入次 集電層4 1造成次集電層4 1中的混合晶體缺陷不會傳遞延伸 到基本層43和發射層44及45。結果這些在次集電層4〖造成 的混合晶體缺陷可有效防止成爲在基本層和發射層中使基 本電流增加及電流放大因數降低的再結合中心。因此，在 採用薄膜半導體磊晶基材1製造異質連結雙極電晶體的情 況下，即使當次集電層4 1摻入高濃度雜質時，摻雜對電流 放大因數的影響可被控制防止異質連結雙極電晶體電流放 大因數的降低，同時可增進異質連結雙極電晶體的可靠度 〇 爲了調查具有含硼層42 A之薄膜半導體磊晶基材1的 層狀結構如圖一和集電層42沒有含砸層42A的薄膜半導體 磊晶基材之間所達到電流放大因數特性的差異，而分別製 作這些薄膜半導體磊晶基材的樣品。
樣品A 下面的磊晶成長是採用有機金屬化學氣相磊晶法，次 集電層4 1晶晶成長完成後’在集電層4 2開始和之後的長晶 時，將三乙基硼和起始氣體砷及三甲基鎵一起加入至生成 -11 - (7) (7)200401342 1 〇奈米厚的含硼層4 2 A。然後，停止添加三乙基硼，讓η 砷化鎵層長至680奈米的厚度。如此形成的集電層42中 ，含有與次集電層41接觸的10奈米厚的含硼層42Α,而製 造出如圖一顯示的薄膜半導體磊晶基材樣品Α。
樣品B 在次集電層4 1長晶後’經由未添入三乙基硼，磊晶成 長一厚度700奈米的ηΓ-砷化鎵層形成不具有含硼層42A的 集電層42。除了沒有含硼層42Α，其製造出如樣品Α相同 之薄膜半導體磊晶基材的樣品B。 樣品A和樣品B個別被製成具有射極大小爲1 00毫米 X 100奈米的異質連結雙極電晶體，接著在每平方公分一 千安培的電流密度下測量其電流放大因數。使用不具有含 硼層42 A的樣品B製成之異質連結雙極電晶體（B)其電流 放大因數是50。另一方面，使用具有含硼層42A的樣品A 製成之異質連結雙極電晶體（A)其電流放大因數經確認可 大至89。 在前述樣品A之含砸層42A中所添加的硼的濃度經二 次離子質譜儀量測爲6 X 1 〇13公分'3 ° 上述的實施例中，10奈米厚的含硼層42A在集電層42的 較下層部位形成。不過，考慮到電流放大因數降低的原因 ，推測含硼層42A在次集電層41和基本層43之間也就是在 集電層42區域中無論何處形成皆可達到上述成效。 上述實施例中，硼被添加到集電層42以降低晶格空位 (8) (8)200401342 從次集電層4 1擴散到基本層43。然而，此添加所達成的效 果也可以預期藉由添加硼到發射層44、發射層4 5或次發射 層46的至少一部分中而達到相同的效果。在這個例子中， 硼（B )可依上述實施例的相同方法添加。 根據本發明，藉上述氣相結晶成長法在基材上形成次 集電層、集電層 '基本層和發射層以製造一種爲異質連結 雙極電晶體產品所需的薄膜半導體磊晶基材過程中，將在 包含次集電層和集電層的層部位的至少一部分中添加硼 (B)的步驟倂入到薄膜半導體磊晶基材的製造過程中。因 此’例如在製造出的薄膜半導體磊晶基材中，至少部分次 集電層或集電層或靠近次集電層和集電層的邊介面含有添 加硼。於是，以高濃度雜質摻入次集電層造成次集電層中 的混合晶體缺陷不會傳遞延伸到基本層和發射層。結果， 這些在次集電層造成的混合晶體缺陷可有效防止成爲在基 本層和發射層中使基本電流增加及電流放大因數降低的再 結合中心。故即使當次集電層被摻入高濃度雜質時，摻雜 胃《流放大因數的影響可被控制防止電流放大因數的降低 ’同時’可增進半導體元件的可靠度。 透過此技術的技巧進一步的了解雖然本發明的先前說 明已經用圖一的實施例提出，但本發明並不僅局限於此， R S不背離本發明的精神和附加的申請專利範圍可作不同 &勺改變和修飾。例如，雖然本發明用上述砷化鋁鎵基底的 胃質連結雙極電晶體作解釋，但本發明不單單侷限於砷化 金§ ϋ基底的異質連結雙極電晶體之應用而且可被應用到製 -13- 200401342 Ο) 造磷化銦鎵基底的異質連結雙極電晶體所需的薄膜半導體 磊晶基材，其使用如上述相同的方法可得到如上述相同的 效果。 【圖式簡單說明】 圖一是本發明之薄膜半導體磊晶基材實施例的橫截面 顯示圖。 [符號說明〕 1 :薄膜半導體磊晶基材 2 :砷化鎵基材 3 :緩衝層 4 :異質連結雙極電晶體功能層 4 | :次集電層 4 2 :集電層 4 2 A :含硼層 4 3 :基本層 44 :發射層 4 5 :發射層 籲 4 6 :次發射層 47 :發射接觸層 -14 -

Claims (1)

  1. (1) (1)200401342 拾、申請專利範圍 1. 一種薄膜半導體磊晶基材，其包含基材和在基材上 所形成次集電層、集電層、基本層及發射層的薄膜半導體 盈晶層’其中添加的硼（B)存在於包含該次集電層和該集 電層的層部位的至少一部份中。 2. 如申請專利範圍第1項的薄膜半導體磊晶基材，其 中包含該添加硼（B)的部分是以薄膜半導體磊晶層的形式 在靠近該集電層和該次集電層之間的邊介面形成。 3. —種製造薄膜半導體磊晶基材的方法，該薄膜半導 體磊晶基材包含基材和在基材上所形成次集電層、集電層 、基本層及發射層的薄膜半導體磊晶層，此方法的特徵在 於包含添加硼（B)到含有該次集電層和集電層的層部位的 至少一部份中的步驟。 4. 如申請專利範圍第3項的方法，其中硼（B)的材料是 在該層部位的成長期間加入一段的預定時間以完成硼的添 加。 5 .如申請專利範圍第3或4項的方法’其中該硼（B)的材 料是使用三乙基砸。 6. —種異質連結雙極電晶體’包含如申請專利範圍第 1或2項的薄膜半導體磊晶基材。 -15-
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7397062B2 (en) * 2005-09-13 2008-07-08 Sumika Electronic Materials, Inc. Heterojunction bipolar transistor with improved current gain
KR101649004B1 (ko) * 2009-05-26 2016-08-17 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 기판, 반도체 기판의 제조 방법 및 전자 디바이스
US20120068228A1 (en) * 2010-09-17 2012-03-22 Yu-Chung Chin HETEROJUNCTION BIOPLAR TRANSISTOR STRUCTURE WITH GaPSbAs BASE

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE758683A (fr) * 1969-11-10 1971-05-10 Ibm Procede de fabrication d'un dispositif monolithique auto-isolant et structure de transistor a socle
US4965652A (en) * 1971-06-07 1990-10-23 International Business Machines Corporation Dielectric isolation for high density semiconductor devices
US3756862A (en) * 1971-12-21 1973-09-04 Ibm Proton enhanced diffusion methods
JP2000124444A (ja) * 1998-10-12 2000-04-28 Hitachi Cable Ltd 半導体装置及びエピタキシャルウェハ
JP2000323493A (ja) 1999-05-13 2000-11-24 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用ウェハ
JP3613103B2 (ja) * 1999-12-14 2005-01-26 日立電線株式会社 半導体ウェハおよびそれを利用したヘテロバイポーラトランジスタ
JP4019590B2 (ja) 2000-01-20 2007-12-12 日立電線株式会社 半導体装置
JP2001230262A (ja) * 2000-02-17 2001-08-24 Hitachi Cable Ltd 半導体デバイス
JP2001326283A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Nec Corp 半導体装置および半導体製造方法
JP2002026031A (ja) * 2000-07-06 2002-01-25 Hitachi Cable Ltd ヘテロバイポーラトランジスタ
JP2004521485A (ja) * 2000-11-27 2004-07-15 コピン コーポレーション 格子整合されたベース層を有するバイポーラトランジスタ
JP2002299603A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Nec Corp 半導体装置
JP2002359249A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化合物半導体装置及びその製造方法
JP2003115495A (ja) * 2001-10-05 2003-04-18 Hitachi Cable Ltd ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
US6531721B1 (en) * 2001-12-27 2003-03-11 Skyworks Solutions, Inc. Structure for a heterojunction bipolar transistor

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