SU525247A1 - Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах - Google Patents
Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторахInfo
- Publication number
- SU525247A1 SU525247A1 SU2015368A SU2015368A SU525247A1 SU 525247 A1 SU525247 A1 SU 525247A1 SU 2015368 A SU2015368 A SU 2015368A SU 2015368 A SU2015368 A SU 2015368A SU 525247 A1 SU525247 A1 SU 525247A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- capacitor
- transistor
- potential
- output
- plate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к радиотехнике и может быть использовано в устройствах автоматики и вычислительной техники.
Известен усилитель-формирователь импульсов на МДП-транзисторах, содержащий входной и (ВЫХОДНОЙ выводы, источник питани , инвертор с токостабилизирующей нагрузкой и дополнительным транзистором, включенным последовательно с нагрузочным транзистором, двухтактный усилитель-формирователь, инвертирующий и неинвертирующий входы которого подключены к входу и выходу инвертора с токостабилизирующей нагрузкой, и первый накопительный конденсатор, включенный между выходом двухтактного усилител формировател , соединенным с выходным выводом и средней точкой дополнительного и нагрузочного транзисторов 1.
Однако известный усилитель имеет сравнительно небольшую амплитуду выходных импульсов .
С целью увеличени амплитуды выходных импульсов усилител -формировател в него введен зар дный транзистор и второй накопительный конденсатор, причем затвор и сток зар дного транзистора объединены и подключены к полюсу источника питани , а его исток соединен с одной обкладкой второго «акопителы-юго конденсатора и затвором дополнительного транзистора, друга обкладка второго накопительного конденсатора подключена к входу инвертора с токостабилизирующей нагрузкой, инвертирующему входу двухтактного усилител -формировател и входному выводу.
На чертеже приведена принципиальна электрическа схема предлагаемого усилител -формировател .
Усилитель-формирователь импульсов на МДП транзисторах содержит входной и выходной выводы 1 и 2 соответственно, источник питани (на чертеже не показан), инвертор на транзисторе 3 с токостабилизирующей иагрузкой , выполненной на транзисторе 4, и дополнительным транзистором 5, включенным последовательно с транзистором 4, двухтактный усилитель-формирователь на транзисторах 6 и 7, инвертирующий и неинвертирующий входы которого подключены к входу и выходу инвертора на транзисторе 3, и первый накопительный конденсатор 8, включенный между выходом двухтактного усилител -формировател и средней дополнительного и нагрузочного транзисторов 4 и 5 соответственно .
Claims (2)
- Затвор и сток зар дного транзистора 9 объединены и подключены к полюсу источника литани , а его исток соединен с одной обкладкой второго накопительного конденсатора 10 и затвором дополнительного транзистоpa 5, друга обкладка накопительного конденсатора 10 .подключена к затвору транзистора 3, затвору транзистора 7 и входному выводу 1. Усилитель-формирователь импульсов на 5 МДП тра-нзисторах работает следующим образом . В момент подачи на входной вывод 1 нулевого потенциала накопительный конденсатор 10 зар жаетс через транзистор 9 до «а- 10 пр жени пит-VQ, где с/о-пороговое напр жение МДП-транзистора, в результате чего на верхней обкладке накопительного конденсатора 10 устанавливаетс потенциал пит- (7о.15 С приходом на входной вывод 1 импульса открываютс транзисторы 3 и 7. На .правой обкладке накопительного конденсатора 8 и на выходном выводе 2 устанавливаютс потенциалы , близкие к нулевому, а на верхней 20 обкладке конденсатора 10 напр жение возрастает до урО.ВНЯ, равного /вх + , где L Bx-амплитуда входных им.пульсов, при этом напр жение на верхней обкладке конденсатора 10 превышает напр жение питани , 25 благодар чему накопительный конденсатор 8 зар жаетс до уровн Е-тп, а конденсатор 11-до напр жени пит-UQ. На верхней обкладке конденсатора 10 устанавливаетс потенциал f/вх+ пит-f o, на левой обкладке 30 конденсатора И- щи-UQ, на правой обкладке конденсатора 8--Бпит, на выходном выводе-нуль. С приходом на входной вывод 1 нулевого потенциала транзисторы 3 и 7 закрываютс . 35 На выходном выводе 2 повышаетс потенциал , .благодар накопленному зар ду на конденсаторе 11 повышаетс потенциал на его левой обкладке, т. е. 62 + пит-UQ, где f/2- потенциал на выходном выводе
- 2. При .достижении на выходном .выводе 2 потенциала , равного лороговому, открываетс транзистор 6, начинает повышатьс потенциал левой обкладки конденсатора 8, а благодар накопленному зар ду на конденсаторе 45 8, повышаетс потенциал средней точки соединени нагрузочного и дополнительного транзисторов 4 и 5. Транзистор 5 закрываетс , так как на левой обкладке конденсатора 8 потенциал равен , а на верхней об- 50 кладке конденсатора 10 потенциал равен пит-UQ. 40 В установившемс режиме потенциалы равны: «а левой обкладке конденсатора 8 и .на выходном выводе , на левой обкладке конденсатора 11-З пит-С/о, на правой обкладке конденсатора . Таким образом, при работе на активную нагрузку амплитуда .импульсов, формируемых формирователем, равна . При работе усилител -формировател «а емкостную «агруз ,у ампли/уда выходных импульсов определ g . выражением где С - емкость конденсатора 8; CH - емкость нагрузки. Формула изобретени Усилитель-формирователь импульсов на МДП транзисторах, содержащий входной и выходной выводы, источник питани , инвертор с токостабилизирующей нагрузкой и дополнительным транзистором, включенным последовательно с нагрузочным транзистором, двухтактный усилитель-формирователь, инвертирующий и неинвертирующий входы которого подключены к входу и выходу инвертора с токостабилизирующей нагрузкой и первый накопительный кондвнсато.р, .включенный между выходом двухтактного усил.ител формировател , соединенным с выходным выводом и средней точ.кой дополнительного и нагрузочного транзисторов, отличающийс тем, что, с целью увеличени амплитуды выходных импульсов, в «его введены зар дный транз.истор и второй накопительный конденсатор , причем затвор и сток зар дного транзистора объединены и подключены к полюсу источника питани , его исток соединен с одной обкладкой второго накопительного конденсатора и затвором до.полнительного транзистора, друга обкладка второго накопительного конденсатора подключена ко входу инвертора с токостабилиз.ирующей нагрузкой , инвертирующему входу двухтактного усилител -формировател и входному выводу, Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1. а. с. № 420125, кл. Н ОЗК 19/08 от 11.02.72 г. (прототип).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU2015368A SU525247A1 (ru) | 1974-04-17 | 1974-04-17 | Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU2015368A SU525247A1 (ru) | 1974-04-17 | 1974-04-17 | Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU525247A1 true SU525247A1 (ru) | 1976-08-15 |
Family
ID=20581754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU2015368A SU525247A1 (ru) | 1974-04-17 | 1974-04-17 | Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU525247A1 (ru) |
-
1974
- 1974-04-17 SU SU2015368A patent/SU525247A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4045686A (en) | Voltage comparator circuit | |
US4441171A (en) | Monolithically integrated semiconductor memory | |
ES396464A1 (es) | Circuito de almacenamiento binario. | |
SU525247A1 (ru) | Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах | |
KR870700181A (ko) | 고 신뢰성 상보 논리회로 | |
SU1275545A1 (ru) | Ячейка пам ти | |
SU646441A1 (ru) | Инвертор на мдп-транзисторах | |
FR2358783A2 (fr) | Amplificateur differentiel numerique pour des dispositifs a couplage direct de charge | |
JPS5479527A (en) | Voltage sense circuit | |
SU416877A1 (ru) | ||
SU481944A1 (ru) | Аналоговое запоминающее устройство | |
SU420125A1 (ru) | Формирователь импульсов на моп-транзисторах | |
SU531284A2 (ru) | Усилитель-формирователь на металло= диэлектрических полупроводниковых транзисторах | |
SU478361A1 (ru) | Динамическа чейка на мдп транзисторах | |
GB1210439A (en) | Improvements in or relating to d.c. voltage supply circuit arrangements | |
SU491155A1 (ru) | Запоминающий элемент | |
SU792568A1 (ru) | Однотактный динамический инвертор | |
SU641655A1 (ru) | Управл емый инвертор на мдп-транзисторах | |
SU832544A1 (ru) | Импульсный стабилизатор посто н-НОгО НАпР жЕНи | |
SU712958A1 (ru) | Преобразователь временных интервалов | |
SU1203659A1 (ru) | Стабилизированный преобразователь посто нного разнопол рного напр жени | |
SU830575A1 (ru) | Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ | |
SU364070A1 (ru) | Буферное устройство для сглаживания зависимости | |
SU572929A1 (ru) | Интегральный логический элемент | |
SU570108A1 (ru) | Ячейка пам ти дл регистра сдвига |