SU525247A1 - Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах - Google Patents

Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах

Info

Publication number
SU525247A1
SU525247A1 SU2015368A SU2015368A SU525247A1 SU 525247 A1 SU525247 A1 SU 525247A1 SU 2015368 A SU2015368 A SU 2015368A SU 2015368 A SU2015368 A SU 2015368A SU 525247 A1 SU525247 A1 SU 525247A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
capacitor
transistor
potential
output
plate
Prior art date
Application number
SU2015368A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Григорьевич Солод
Original Assignee
Предприятие П/Я Х-5737
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Х-5737 filed Critical Предприятие П/Я Х-5737
Priority to SU2015368A priority Critical patent/SU525247A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU525247A1 publication Critical patent/SU525247A1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к радиотехнике и может быть использовано в устройствах автоматики и вычислительной техники.
Известен усилитель-формирователь импульсов на МДП-транзисторах, содержащий входной и (ВЫХОДНОЙ выводы, источник питани , инвертор с токостабилизирующей нагрузкой и дополнительным транзистором, включенным последовательно с нагрузочным транзистором, двухтактный усилитель-формирователь, инвертирующий и неинвертирующий входы которого подключены к входу и выходу инвертора с токостабилизирующей нагрузкой, и первый накопительный конденсатор, включенный между выходом двухтактного усилител формировател , соединенным с выходным выводом и средней точкой дополнительного и нагрузочного транзисторов 1.
Однако известный усилитель имеет сравнительно небольшую амплитуду выходных импульсов .
С целью увеличени  амплитуды выходных импульсов усилител -формировател  в него введен зар дный транзистор и второй накопительный конденсатор, причем затвор и сток зар дного транзистора объединены и подключены к полюсу источника питани , а его исток соединен с одной обкладкой второго «акопителы-юго конденсатора и затвором дополнительного транзистора, друга  обкладка второго накопительного конденсатора подключена к входу инвертора с токостабилизирующей нагрузкой, инвертирующему входу двухтактного усилител -формировател  и входному выводу.
На чертеже приведена принципиальна  электрическа  схема предлагаемого усилител -формировател .
Усилитель-формирователь импульсов на МДП транзисторах содержит входной и выходной выводы 1 и 2 соответственно, источник питани  (на чертеже не показан), инвертор на транзисторе 3 с токостабилизирующей иагрузкой , выполненной на транзисторе 4, и дополнительным транзистором 5, включенным последовательно с транзистором 4, двухтактный усилитель-формирователь на транзисторах 6 и 7, инвертирующий и неинвертирующий входы которого подключены к входу и выходу инвертора на транзисторе 3, и первый накопительный конденсатор 8, включенный между выходом двухтактного усилител -формировател  и средней дополнительного и нагрузочного транзисторов 4 и 5 соответственно .

Claims (2)

  1. Затвор и сток зар дного транзистора 9 объединены и подключены к полюсу источника литани , а его исток соединен с одной обкладкой второго накопительного конденсатора 10 и затвором дополнительного транзистоpa 5, друга  обкладка накопительного конденсатора 10 .подключена к затвору транзистора 3, затвору транзистора 7 и входному выводу 1. Усилитель-формирователь импульсов на 5 МДП тра-нзисторах работает следующим образом . В момент подачи на входной вывод 1 нулевого потенциала накопительный конденсатор 10 зар жаетс  через транзистор 9 до «а- 10 пр жени  пит-VQ, где с/о-пороговое напр жение МДП-транзистора, в результате чего на верхней обкладке накопительного конденсатора 10 устанавливаетс  потенциал пит- (7о.15 С приходом на входной вывод 1 импульса открываютс  транзисторы 3 и 7. На .правой обкладке накопительного конденсатора 8 и на выходном выводе 2 устанавливаютс  потенциалы , близкие к нулевому, а на верхней 20 обкладке конденсатора 10 напр жение возрастает до урО.ВНЯ, равного /вх + , где L Bx-амплитуда входных им.пульсов, при этом напр жение на верхней обкладке конденсатора 10 превышает напр жение питани , 25 благодар  чему накопительный конденсатор 8 зар жаетс  до уровн  Е-тп, а конденсатор 11-до напр жени  пит-UQ. На верхней обкладке конденсатора 10 устанавливаетс  потенциал f/вх+ пит-f o, на левой обкладке 30 конденсатора И- щи-UQ, на правой обкладке конденсатора 8--Бпит, на выходном выводе-нуль. С приходом на входной вывод 1 нулевого потенциала транзисторы 3 и 7 закрываютс . 35 На выходном выводе 2 повышаетс  потенциал , .благодар  накопленному зар ду на конденсаторе 11 повышаетс  потенциал на его левой обкладке, т. е. 62 + пит-UQ, где f/2- потенциал на выходном выводе
  2. 2. При .достижении на выходном .выводе 2 потенциала , равного лороговому, открываетс  транзистор 6, начинает повышатьс  потенциал левой обкладки конденсатора 8, а благодар  накопленному зар ду на конденсаторе 45 8, повышаетс  потенциал средней точки соединени  нагрузочного и дополнительного транзисторов 4 и 5. Транзистор 5 закрываетс , так как на левой обкладке конденсатора 8 потенциал равен , а на верхней об- 50 кладке конденсатора 10 потенциал равен пит-UQ. 40 В установившемс  режиме потенциалы равны: «а левой обкладке конденсатора 8 и .на выходном выводе , на левой обкладке конденсатора 11-З пит-С/о, на правой обкладке конденсатора . Таким образом, при работе на активную нагрузку амплитуда .импульсов, формируемых формирователем, равна . При работе усилител -формировател  «а емкостную «агруз ,у ампли/уда выходных импульсов определ g . выражением где С - емкость конденсатора 8; CH - емкость нагрузки. Формула изобретени  Усилитель-формирователь импульсов на МДП транзисторах, содержащий входной и выходной выводы, источник питани , инвертор с токостабилизирующей нагрузкой и дополнительным транзистором, включенным последовательно с нагрузочным транзистором, двухтактный усилитель-формирователь, инвертирующий и неинвертирующий входы которого подключены к входу и выходу инвертора с токостабилизирующей нагрузкой и первый накопительный кондвнсато.р, .включенный между выходом двухтактного усил.ител формировател , соединенным с выходным выводом и средней точ.кой дополнительного и нагрузочного транзисторов, отличающийс   тем, что, с целью увеличени  амплитуды выходных импульсов, в «его введены зар дный транз.истор и второй накопительный конденсатор , причем затвор и сток зар дного транзистора объединены и подключены к полюсу источника питани , его исток соединен с одной обкладкой второго накопительного конденсатора и затвором до.полнительного транзистора, друга  обкладка второго накопительного конденсатора подключена ко входу инвертора с токостабилиз.ирующей нагрузкой , инвертирующему входу двухтактного усилител -формировател  и входному выводу, Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1. а. с. № 420125, кл. Н ОЗК 19/08 от 11.02.72 г. (прототип).
SU2015368A 1974-04-17 1974-04-17 Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах SU525247A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2015368A SU525247A1 (ru) 1974-04-17 1974-04-17 Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2015368A SU525247A1 (ru) 1974-04-17 1974-04-17 Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU525247A1 true SU525247A1 (ru) 1976-08-15

Family

ID=20581754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2015368A SU525247A1 (ru) 1974-04-17 1974-04-17 Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU525247A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4045686A (en) Voltage comparator circuit
US4441171A (en) Monolithically integrated semiconductor memory
ES396464A1 (es) Circuito de almacenamiento binario.
SU525247A1 (ru) Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах
KR870700181A (ko) 고 신뢰성 상보 논리회로
SU1275545A1 (ru) Ячейка пам ти
SU646441A1 (ru) Инвертор на мдп-транзисторах
FR2358783A2 (fr) Amplificateur differentiel numerique pour des dispositifs a couplage direct de charge
JPS5479527A (en) Voltage sense circuit
SU416877A1 (ru)
SU481944A1 (ru) Аналоговое запоминающее устройство
SU420125A1 (ru) Формирователь импульсов на моп-транзисторах
SU531284A2 (ru) Усилитель-формирователь на металло= диэлектрических полупроводниковых транзисторах
SU478361A1 (ru) Динамическа чейка на мдп транзисторах
GB1210439A (en) Improvements in or relating to d.c. voltage supply circuit arrangements
SU491155A1 (ru) Запоминающий элемент
SU792568A1 (ru) Однотактный динамический инвертор
SU641655A1 (ru) Управл емый инвертор на мдп-транзисторах
SU832544A1 (ru) Импульсный стабилизатор посто н-НОгО НАпР жЕНи
SU712958A1 (ru) Преобразователь временных интервалов
SU1203659A1 (ru) Стабилизированный преобразователь посто нного разнопол рного напр жени
SU830575A1 (ru) Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ
SU364070A1 (ru) Буферное устройство для сглаживания зависимости
SU572929A1 (ru) Интегральный логический элемент
SU570108A1 (ru) Ячейка пам ти дл регистра сдвига