SU1275545A1 - Ячейка пам ти - Google Patents
Ячейка пам ти Download PDFInfo
- Publication number
- SU1275545A1 SU1275545A1 SU813348466A SU3348466A SU1275545A1 SU 1275545 A1 SU1275545 A1 SU 1275545A1 SU 813348466 A SU813348466 A SU 813348466A SU 3348466 A SU3348466 A SU 3348466A SU 1275545 A1 SU1275545 A1 SU 1275545A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- key
- address
- drain
- source
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области вычислительной техники и может быть использовано при построении интегральных полупроводниковых запоминающих устройств. Ячейка пам ти содержит два ключевых транзистора, адресный транзистор, накопительный конденсатор , адресные и информационные входы, a также шины посто нного и импульсного питани и позвол ет с более высоким быстродействием записывать и считывать информацию за счет того, что истоки первого и второго ключевых транзисторов соединены с истоком адресного транзистора,сток первого ключевого транзистора соединен с шиной посто нного.напр жени . 2 ил.
Description
(Г.
с
1 .
Изобретение относитс к области вычислительной техники и может быть использовано при построении интегральных полупроводниковых запоминающих устройств.
На фиг, 1 представлена электрическа схема чейки пам ти; на фиг. 2 рафик , иллюстрирующий ее работу.
Ячейка пам ти содержит первый 1 и второй 2 ключевые транзисторы, адресный транзистор 3, накопительный конденсатор 4, информационный входвыход 5, адресный вход 6, шину 7 импульсного питани , шину 8 посто нного питани , паразитный конденсатор 9
Ячейка пам ти работает следующим образом,
В режиме записи сигнал по адресному входу 6 открывает адресньй транзистор 3 и информаци с информационного входа-выхода 5 через транзисторы 3 и 2 поступает на накопительный конденсатор 4. В режиме счй тывани адресный сигнал по входу 6 открывает адресный транзистор 3, Импульс напр жени на шине 7, складыва сь с напр жение на конденсаторе 4, поступает на затвор транзистора 1 и отпирает его, вследствие чего шина 8 посто нного напр жени через открытые транзисторы 1 и 3 подключаетс к входу-выходу 5, В ре симе реге12755452 .
нерации . адресный транзистор 3 закрыт , В момент действи импульса напр жени на шине 7 информаци , определ ема зар дом конденсатора 4,счи- тываетс , зар жа (или не зар жа ) паразитный конденсатор 9, В паузе между импульсами напр жени на шине 7 конденсатор 9 подключаетс параллельно накопительному конденсатору 4, подзар жа его.
Claims (1)
- Формула изобретениЯчейка пам ти, содержаща адресный транзистор, затвор которого вл етс словарным входом, а сток вл етс информационным входом-выходом чейки, накопительный конденсатор, одна обкладка которого подключена к шне импульсного напр жени другасоединена с затвором первого ключевого транзистора и стоком второго ключевого транзистора, сток первого ключевого транзистора соединен с заtBopoM второго ключевого транзистора , отличающа с тем, что, с целью повышени быстродейст ВИЯ чейки , исток первого и исток второго ключевых транзисторов соединены с истоком адресного в-ранзистора , сток первого ключевого транзистора соединен с шиной посто нного напр жени ,Фиг. 1f/lФиг. 2
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU813348466A SU1275545A1 (ru) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | Ячейка пам ти |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU813348466A SU1275545A1 (ru) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | Ячейка пам ти |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1275545A1 true SU1275545A1 (ru) | 1986-12-07 |
Family
ID=20980575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU813348466A SU1275545A1 (ru) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | Ячейка пам ти |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1275545A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004036587A1 (fr) * | 2002-10-21 | 2004-04-29 | Victor Nikolaevich Mourachev | Cellule memoire d'un dispositif de stockage dynamique |
-
1981
- 1981-10-19 SU SU813348466A patent/SU1275545A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004036587A1 (fr) * | 2002-10-21 | 2004-04-29 | Victor Nikolaevich Mourachev | Cellule memoire d'un dispositif de stockage dynamique |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6437797A (en) | Eprom device | |
| ATE125385T1 (de) | Elektronischer speicher. | |
| SU1076001A3 (ru) | Ячейка пам ти дл интегрального матричного накопител | |
| SU1275545A1 (ru) | Ячейка пам ти | |
| KR880006698A (ko) | 씨모오스 반도체 메모리장치의 입출력 회로 | |
| JPS5812677B2 (ja) | Ｆｅｔ回路の出力ノ−ドを再充電する回路 | |
| KR870700181A (ko) | 고 신뢰성 상보 논리회로 | |
| JPS5839117A (ja) | Ｍｏｓトランジスタ駆動回路 | |
| SU525247A1 (ru) | Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах | |
| SU646441A1 (ru) | Инвертор на мдп-транзисторах | |
| SU830575A1 (ru) | Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ | |
| EP0203718A3 (en) | Dynamic mos memory reference voltage generator | |
| SU395900A1 (ru) | Динамическая ячейка памяти на мдп-транзисторах | |
| SU1596387A1 (ru) | Формирователь импульсов | |
| SU1635214A1 (ru) | Элемент пам ти | |
| SU1437919A1 (ru) | Ячейка пам ти | |
| SU792568A1 (ru) | Однотактный динамический инвертор | |
| SU1226527A1 (ru) | Формирователь импульсов | |
| SU481944A1 (ru) | Аналоговое запоминающее устройство | |
| SU1160537A1 (ru) | Мультивибратор | |
| SU1429167A1 (ru) | Оперативное запоминающее устройство | |
| SU1522289A1 (ru) | Аналоговое запоминающее устройство | |
| SU830563A1 (ru) | Устройство записи и считывани информациидл НАКОпиТЕлЕй HA МНОп ТРАНзиСТОРАХ | |
| SU1367043A1 (ru) | Ячейка пам ти | |
| SU1338024A1 (ru) | Формирователь сигнала выборки на МДП-транзисторах |