SU1338024A1 - Формирователь сигнала выборки на МДП-транзисторах - Google Patents

Abstract

Изобретение может быть использовано в интегральных схемах запоминающих устройств импульсной и вычислительной техники. Цель изобретени  - повышение быстродействи  формировател  - достигаетс  путем устранени  вли ни  емкости нагрузки на скорость перезар да его накопительных элементов в результате подключени  емкости нагрузки к источнику питани  через дополнительный транзистор,а также введени  еще трех транзисторов и одного инвертора дл  управлени  переключением транзисторов в процессе подкачки потенциала на выходную шину. Формирователь содержит ключевой 1, передаточный 2 и нагрузочньгй 3 транзисторы , конденсатор 4, транзисторы 6, 7 и 8, инвертор 9, шины: питани  10 и 16, выходные II и 14, общую 15, тпктоную 17. Инвертор 9 имеет вход 12 и выход 13. Конденсатор 4 выполнен в виде МДП-транзистора, затвор которого  вл етс  первой обкладкой конденсатора, а объединенные сток и исток - второй об- кладкой. 1 з .п. ф-лы, 1 ил. (Л со со 00 о IsD

Description

Изобретение относитс  к импульсной и вычислительной технике и может быть использовано в интегральных схемах запоминающих устройств.

Цель изобретени  - повышение быстродействи  устройства за счет устранени  вли ни  емкости нагрузки на скорость перезар да узлов устройства путем подключени  емкости нагрузки к источнику через дополнительный транзистор, а также введени  еще трех транзисторов и одного инвертора дл  управлени  переключени ми транзисторов и процессом подкачки потенциала на выходную шину.

На чертеже приведена принципиальна  схема формировател .

Устройство содержит ключевой 1 , передаточный 2, нагрузочный 3 тран- . зисторы, конденсатор 4, первый 5, второй 6, третий 7 и четвертый 8 транзисторы, инвертор 9.

Стоки нагрузочного 3 и четвертого 8 транзисторов подключены к первой шине 10 питани , а выходна  шина 11 соединена с источниками первого 5 и четвертого 8 транзисторов, стоком ключевого транзистора 1, а также с затвором третьего транзистора 7 и входом 12 инвертора 9, выход 13 которого соединен с затвором второго транзистора 6.

Входна  шина 14 подключена к затвору ключевого транзистора 1, исток которого соединен с источником второго транзистора 6 и подключен к общей шине 15.

Сток и затвор первого транзистора 5 подключены к второй шине 16 пита- НИИ. Сток и затвор передаточного транзистора 2 и исток нагрузочного транзистора 3 соединены с первой обкладкой конденсатора 4, втора  обкладка которого через третий транзис- тор 7 подключена к тактовой шине 17.

Затворы нагрузочного 3 и четвертого 8 транзисторов, исток передаточного 2 и сток второго 6 транзисторов объединены, а инвертор 9 включен меж- ду второй шиной 16 питани  и общей шиной 15.

Конденсатор 4 выполнен в виде МДП-транзистора, затвор которого  вл етс  первой обкладкой конденсатора а объединенные сток и исток - второй обкладкой

Устройство функционирует следующим образом.

На первую шину 10 питани  подаетс  посто нное напр жение, величина которого достаточна дл  формировани  выходного сигнала заданной амплитуды Напр жение на второй шине 16 питани  меньше этой величины.

Когда на входную шину 14 поступает сигнал 1, на выходной шине II устанавливаетс  нулевой исходный уровень сигнала. Одновременно закрытый третий транзистор 7 блокирует подачу импульсов с тактовой шины 16 на конденсатор 4. Сигнал 1 с вьосо- да 13 инвертора 9 открывает второй транзистор 6 и разр жает узел 18, образованный затворами нагрузочного 3 и четвертого 8 транзисторов, до потенциала общей шины 15 так что эти транзисторы закрыты и изолируют вы- ходную шину I1 от первой шины питани  . I

Когда на входную шину 14 поступает сигнал о, на выходной шине 11 за несколько циклов действи  тактового сигнала по тактовой шине 17 происходит формирование выходного единичного сигнала.

В этот период нагрузочный транзистор 3, а также третий транзистор 7 открыты, а второй транзистор 6 заперт .

Сигнал I на выходной шине 11 по вл етс  сначала за счет открытого транзистора 5 от второй шины 16 питани , а дальнейшее увеличение его амплитуды происходит от источника, подключенного к первой шине 10 питани  через четвертый транзистор 8;

С приходом переднего фронта импульса по тактовой шине 17 через открытый третий транзистор 3, конденсатор 4 и передаточный .транзистор 2 в диодном включении зар д передаетс  в узел 18 и поступает на затвор четвертого транзистора 8, который открываетс .

По приходу заднего фронта тактового импульса ток через конденсатор 4 течет в обратном направлении, но узел 18 не разр жаетс , так как передаточный транзистор 2 включен как диод. Спад потенциала на первой обкладке конденсатора 4 компенсируетс  током через открытый нагрузочный транзистор 3 от источника, подключенного к первой гаине 10 питани .

С приходом второго тактового импульса процесс повтор етс  и узел 18 зар жаетс  до более высокого потенциала и соответственно благодар 

четвертому транзистору 8 на выходной шине 11 также увеличиваетс  уровень сигнала.

Таким образом происходит увеличение амплитуды выходного сигнала до величины, близкой к напр жению на первой шине 10 питани .

Увеличение быстродействи  достигаетс  за счет того, что в первую очередь емкость узла 18 перезар жаетс  значительно быстрее, так как емкостна  выходна  нагрузка подключена к этому узлу не непосредственно, а через четвертый транзистор 8. Это также Аозвол ет увеличить частоту генератора, подклю11енного к тактовой шине 17.

Claims (1)

1.Формирователь сигнала выборки на МДП-транзисторах, содержащий ключевой , передаточный и нагрузочный транзисторы и конденсатор, перва  обкладка которого подключена к истоку нагрузочного и к объединенным между собой затвору и стоку передаточного транзисторов, исток передаточноРедактор Н.Киштулинец Заказ 4143/54

Составитель В.Лементуев Техред М.Двдык

Тираж 901 ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-33, Раушска  наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна , 4

го и затвор нагрузочного транзисторов объединены, сток нагрузочного транзистора подключен к первой шине питани , а затвор, исток и сток ключевого транзистора подключены соответственно к входной, общей и выходной шинам устройства, отличающийс  тем, что, с целью повышени  быстродействи , в него введены четыре транзистора и инвертор, включенный между общей шиной и второй шиной питани , к которой подключены также сток и затвор первого транзистора , исток которого соединен с выходной шиной, сток второго транзистора , исток и затвор которого соединены соответственно с общей шиной и выходом инвертора, подключен к затворам нагрузочного и четвертого транзисторов , вход инвертора и затвор третьего транзистора, который включе между тактовой шиной и второй обкладкой конденсатора, подключены к выходной щине, а четвертый транзистор включен метзду первой шиной питани  и выходной шиной ,

2, Формирователь по п.I, о т л и- чающийо  тем, что конденсатор выполнен в виде МДП-транзистора, затвор которого  вл етс  первой обкладкой -конденсатора, а объединенные сток и исток МДП-транзистора  вл ютс второй обкладкой конденсатора.

Корректор С.Шекмар Подписное