SU646441A1 - Инвертор на мдп-транзисторах - Google Patents

Инвертор на мдп-транзисторах

Info

Publication number
SU646441A1
SU646441A1 SU762424195A SU2424195A SU646441A1 SU 646441 A1 SU646441 A1 SU 646441A1 SU 762424195 A SU762424195 A SU 762424195A SU 2424195 A SU2424195 A SU 2424195A SU 646441 A1 SU646441 A1 SU 646441A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
voltage
drain
output
transistors
Prior art date
Application number
SU762424195A
Other languages
English (en)
Inventor
Анатолий Иванович Стоянов
Владимир Алексеевич Сухоруков
Василий Сергеевич Хорошунов
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6644
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6644 filed Critical Предприятие П/Я Р-6644
Priority to SU762424195A priority Critical patent/SU646441A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU646441A1 publication Critical patent/SU646441A1/ru

Links

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Description

(54) ИНВЕРТОР НА МДП - ТРАНЗИСТОРАХ
Изобретение относитс  к автоматике и вычислительной технике, может быть использовано, в частности , в мощных выходных каскадах логических устройств. Известен инвертор на МДП-транзисторах- ( бутстрепный каскад ) , содержащий три транзистора и ускор  ющий конденсатор l . Его недостатком  вл етс  больша  потребл ема  статическа  мощность, обусловленна  протеканием большого тока в. цепи информационного и наг .рузочного транзисторов. Наиболее близок к предлагаемому инвертор на МДП-транзисторах и конденсаторе , в котором первый вывод конденсатора соединен, с истоком Пер вого транзистора, сток и затвор которого подключены к шине питани , и с затвором второго транзистора, исток .которого соединен со стоком, третьего и с затвором четвертого транзисторов, исток четвертого тран зистора, своим стоком подключенного к шине питани ,соединен со стоком п того транзистора.и с выходной шиной , затворы и истоки первого и п того транзисторов соединены со вход ной клеммой и с общей шиной соответ- ственно 2j. Недостаток этого устройства в низком выходном уровне логической единицы и в малом быстродействии, обусловленном относительно низким уровнем напр жени , действующего на затворе четвертого транзистора, что приводит к малой скорости зар да выходной шины. Цель изобретени  - повышение выходного уровн  логической единицы и быстродействи  - достигаетс  тем, что в инверторе на МДП-.транзисторах, содержащем п ть транзисторов и конденсатор , первый вывод которого соединен с истоком первого транзистрра/ сток и затвор которого подключены к шине питани  , и с затвором второго транзистора, исток которого соединен со стоком третьего и с затвором четвертого транзисторов, исток четвертого транзистора, своим стоком подключенного к шинам питани , сое динен со стоком п того транзистора и с выходной шиной, затворы и истоки первого и п того транзисторов соединены со входной клеммой и с общей шиной соответственно, сток второго транзистора соединен с его затвором.
второй вывод конденсатора - с выодной шиной.
Схема инвертора на 2ВДП - транзиторах приведена на чертеже.
Инвертор содержит транзисторы 15 и конденсатор 6. Первый вывод коненсатора соединен с истоком транзистора 1 и стоком и затвором .транзистора 2, исток которого соединен со стоком транзистора 3 и затвооом транзистора 4.Исток транзистора 4 соединен со стоком транзистора 5, со второй шиной конденсатора и с выходной шиной 7. ЗатворИ сток jpaHзистора 1 и сток транзистора 4 подключены к шине 8 питани , истоки транзисторов 3 и 5 - к общей шине 9, а затворы последних - ко входной клемме 10. . Работает инвертор следующим образом .
При подаче на входную клемму 10 уровн  логической единицы отпираютс , транзисторы 3 и 5. ПриЭТОМ на/ за.твор транзистора 4 подаетс , низкий уровень напр жени , этот транзистор закрыт, и на выходной шине 7 формируетс  напр жение логического- нул . На выводе конденсатора, под- , ключенном к истоку транзисггора 1, . , действует напр жение , определ емое делителем напр жени , состо щим из последовательно включенных транзисторов 1-3, Размеры (а следовательно и крутизна) первого нагрузочного транзистора i выбирают акйми,чтобы это напр жение было близко к ЕПИТ о- Второй вьзвод конденсатора 6 подключен к выходной шине 7, на которой установилс  уровень напр жени  логического нул . Поэтому напр жение на конденсаторе 6 близко к Епит о
При подаче навходную клемму 10 уровн  логического нул  транзисторы 3 и 5 закрываютс , напр жение на стоке транзистора 3 повышаетс , транэйстор 4 открываетс , и напр жение, на выходной шине 7 также повыша.ётс . Но к выходной шине подключена обкладок конденсатора, зар женного до напр жени  пит о
Изменение напр жени  на выходной, шине передаетс  через конденсатор на исток транзистора 1, и он закрываетс . Напр жение наистоке транзисйгора 2 относительно нулевой шины в ойобой момент времени равно сумме
напр жени  на конденсаторе и выход нрго напр жени , т.е. .
Г ;ПИТ- О УВЫ..Г где Uj - напр жение на истоке транзистора 1, 1/0бО( - выходное напр жение на шине 7.
Изменение напр ж.ени  на.истоке транзистора 1 через открытый транзистор 2 передаетс  на затвор транзистора 4 ,,.последний открываетс  дополнительно , и напр жение на выходной шине 7 получает новое приращение. Этот процесс положительной обратной св зи продолжаетс  в течение всего . времени формировани  выходного напр жени , логической единицы-.
На затЬоре транзистора 4 действует напр жение 1} j минус пороговое напр жение транзистора 2, т.е напр жение , равное примерно. 2(E.|,j,-Uo) ,
которое способствует; повышению быстродействи  и повышению выходного уровн  логической единицы данного инвертора по сравнению с известным. j

Claims (1)

1.Электроника 4, 1971, с. 31. .;- . .. .. -; . . 2 .Авторское свидетельство СССР W 296263, Н 03 К 19/00, 04.12-69..
SU762424195A 1976-12-03 1976-12-03 Инвертор на мдп-транзисторах SU646441A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762424195A SU646441A1 (ru) 1976-12-03 1976-12-03 Инвертор на мдп-транзисторах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762424195A SU646441A1 (ru) 1976-12-03 1976-12-03 Инвертор на мдп-транзисторах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU646441A1 true SU646441A1 (ru) 1979-02-05

Family

ID=20684399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762424195A SU646441A1 (ru) 1976-12-03 1976-12-03 Инвертор на мдп-транзисторах

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU646441A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0045133A2 (en) * 1980-07-28 1982-02-03 Inmos Corporation Bootstrap driver circuits for an MOS memory
US4644190A (en) * 1983-08-11 1987-02-17 Siemens Aktiengesellschaft Dynamic MOS circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0045133A2 (en) * 1980-07-28 1982-02-03 Inmos Corporation Bootstrap driver circuits for an MOS memory
US4644190A (en) * 1983-08-11 1987-02-17 Siemens Aktiengesellschaft Dynamic MOS circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6437797A (en) Eprom device
KR860002877A (ko) 연산 및 표시제어용 집적회로
KR890005995A (ko) 바이폴라-상보형 금속 산화물 반도체 인버터
US3624423A (en) Clocked set-reset flip-flop
ES396464A1 (es) Circuito de almacenamiento binario.
SU646441A1 (ru) Инвертор на мдп-транзисторах
KR940003011A (ko) 출력전압에 있어 전계효과트랜지스터의 한계치전압의 손실이 생기지 않는 전압발생회로
KR850006902A (ko) 전압레벨 검출회로
KR870700181A (ko) 고 신뢰성 상보 논리회로
SU416877A1 (ru)
SU792568A1 (ru) Однотактный динамический инвертор
SU997251A1 (ru) Логический элемент "Импликаци
SU481944A1 (ru) Аналоговое запоминающее устройство
SU1338024A1 (ru) Формирователь сигнала выборки на МДП-транзисторах
SU1163354A1 (ru) Формирователь адресных сигналов дл блоков пам ти
SU668092A1 (ru) Формирователь импульсов на мдптранзисторах
SU902258A1 (ru) Буферное устройство
SU991507A1 (ru) Формирователь импульсов
SU944110A1 (ru) Усилитель-формирователь импульсов
KR890007286A (ko) 제어신호 출력회로
SU1681335A1 (ru) Формирователь напр жени смещени подложки
JPS5486239A (en) Semiconductor integrated circuit
SU1003348A1 (ru) Формирователь импульсов
JPS593882B2 (ja) 差動増幅器
SU1244787A1 (ru) Формирователь импульсов