SU1244787A1 - Формирователь импульсов - Google Patents
Формирователь импульсов Download PDFInfo
- Publication number
- SU1244787A1 SU1244787A1 SU843728354A SU3728354A SU1244787A1 SU 1244787 A1 SU1244787 A1 SU 1244787A1 SU 843728354 A SU843728354 A SU 843728354A SU 3728354 A SU3728354 A SU 3728354A SU 1244787 A1 SU1244787 A1 SU 1244787A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- gate
- source
- drain
- transistors
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к вычислительной и импульсной технике, может использоватьс при создании полупроводниковых устройств на транзисторах с изолированным затвором, например, в схемах посто нных запоминающих устройств . Целью изобретени вл етс повьшение быстродействи устройства . и уменьшение потребл емой мощности. Устройство вьтолнено на I1 полевых транзисторах (ПТ) и. 3 конденсаторах. К особенност м его работы относитс повышение потенциала на истоке ПТ 14 до уровн , превышающего потенциал шины 9 источника питани . Это обеспечивает крутой фронт потенциала зар да нагрузочной емкости, подключенной к выходу формировател . Конденсатор 15 обратной св зи повьшает потенциал стока ПТ 14, закрьша его и предотвраща разр д через него конденсатора 16. Использование ПТ 7, В и 18 уменьшает врем срабать шани формировател и снижает его потребл емую мощность на предельных частотах за счет сокращени времени протекани тока от источника питани через ПТ 6 и I8. 1 ил. а (Л If.
Description
I
Изобретение относитс к вычислти- тельной и импульсной технике и может , .быть использовано при созданггШ полупроводниковых устройств на т ранзис- торах с изолированным затвором, например , в схемах посто нных запоминающих устройств.
Цель изобретени - повышение быстродействи и уменьшение потребл емой мощности.
На .чертеже представлена электрическа принципиальна .схема формировател импульсов.
Формирователь импульсов содержит четыре пары транзисторов, выполненные на первом и втором, третьем и четвертом, п том и шестом, седьмом и восьмом транзисторах 1 и 2, 3 и 4, 5 и 6, 7 и 8, стоки первого, третьего , п того и седьмого транзисторов ,3,5,7 сое.цинены с истоком соответственно второг о четвертого, шестого и восьмого транзисторов соответствующей пары транзистора, стоки которых соединены с шиной 9 источника питани , обща шина 10 которого под- .ключена к истокам первого, третьего и п того транзисторов ,3,5, затворы которых соединены с входной шиной II формировател импульсов, сток первого транзистора подключен к затвору четвертого транзистора 4 и к первой обкладке первого конденсатора 12, втора обкладка которого подключена к затвору второго транзистора 2 и к истоку дев того транзистора 13, сток и затвор которого подключены к шине 9 источника питани , котора подключена к. затвору дес того транзистора 14, сток которого подключен к стоку третьего транзистора 3 и первой обкладке второго конденсатора 15, исток дес того транзистора 14 подключен к первой обкладке третьего конденсатора 16 и затвору шестого транзистора 6, исток которого вл етс выходной шиной 17 формировател иьтульсов и подключен к вторым обкладкам второго и третьего конденсаторов 15 и 16 и к стоку одиннадцатого транзистора 18, исток которого соединен с общей шиной 10 источника питани , а затвор к стоку седьмого транзистора 7.
Исток седьмого транзистора 7 со- еданен с общей шиной 10 источника питани , а затвор подключен к истоку дес того транзистора 14, затвор
2447872
восьмого транзистора 8 подключен к затвору первого транзистора 1.
Формирователь импульсов работает следуюш 1М образом.
to
15
20
30
35
40
45
55
В начальный момент времени входной ср1гнал с входной ткиы 11 имеет высокий зфовень потенциала. При этом открываютс транзисторы 1,3,5, 8 разр жаетс конденсатор 12 и конденсаторы I5 и 16 через открытый транзистор 14 (на затворе его высокий п9тенциал с шины 9 источника питани ) высокий потенциал с шины 9 источника питани через открытьш транзистор 8 поступает на затвор транзистора 18 и открывает его, обеспечива на выходе формировател импульсов низкий потенциал.
При понижении потенциала на входной шине 11 транзисторы 1,3,5,8 закрываютс , конденсатор 12 зар жаетс до потенциала источника питани , JC напр жение на его первой обкладке открывает транзистор 4, через который зар жаютс второй и третий конденсаторы 15 и 16, открыва транзистор 6, но потенциал на выходе 17 фор мировател импульсов не мен етс , так как на затворе транзистора 18 задерш ваетс высокий уровень через транзистор 8. При достижении напр же ни на истоке транзистора 14 и затво ре транзистора 7 значени порога открывани транзистора 7 он открываетс , закрыва транзистор 18. При этом за счет емкости 16 обратной св зи происходит также повьшгение потенциала на истоке транзистора 14 до значе ний, б ольших уровн потенциала шины 9 источника питани ,. что обеспечивает крутой фронт зар да нагрузочной емкости, подключенной к выходу форми ровател импульсов. Конденсатор 15 обратной св зи повьшзает потенциал стока транзистора 14, закрьша его и предотвраща разр д через него конденсатора 16.
50
Таким образом, использование тран зисторов 7 и 8,18 позвол ет обеспечить у сеньшение времени срабатывани формировател импульсов по сравнению с прототипом и уменьшить потребл емую мот;ность на предельных частотах за счет сокращени времени протекани тока от источника питани через транзисторы 6 и 18.
В начальный момент времени входной ср1гнал с входной ткиы 11 имеет высокий зфовень потенциала. При этом открываютс транзисторы 1,3,5, 8 разр жаетс конденсатор 12 и конденсаторы I5 и 16 через открытый транзистор 14 (на затворе его высокий п9тенциал с шины 9 источника питани ) высокий потенциал с шины 9 источника питани через открытьш транзистор 8 поступает на затвор транзистора 18 и открывает его, обеспечива на выходе формировател импульсов низкий потенциал.
При понижении потенциала на входной шине 11 транзисторы 1,3,5,8 закрываютс , конденсатор 12 зар жаетс до потенциала источника питани , напр жение на его первой обкладке открывает транзистор 4, через который зар жаютс второй и третий конденсаторы 15 и 16, открыва транзистор 6, но потенциал на выходе 17 формировател импульсов не мен етс , так как на затворе транзистора 18 задерш ваетс высокий уровень через транзистор 8. При достижении напр жени на истоке транзистора 14 и затворе транзистора 7 значени порога открывани транзистора 7 он открываетс , закрыва транзистор 18. При этом за счет емкости 16 обратной св зи происходит также повьшгение потенциала на истоке транзистора 14 до значений , б ольших уровн потенциала шины 9 источника питани ,. что обеспечивает крутой фронт зар да нагрузочной емкости, подключенной к выходу формировател импульсов. Конденсатор 15 обратной св зи повьшзает потенциал стока транзистора 14, закрьша его и предотвраща разр д через него конденсатора 16.
Таким образом, использование транзисторов 7 и 8,18 позвол ет обеспечить у сеньшение времени срабатывани формировател импульсов по сравнению с прототипом и уменьшить потребл емую мот;ность на предельных частотах за счет сокращени времени протекани тока от источника питани через транзисторы 6 и 18.
Claims (1)
- Формула изобретениФормирователь импульсов, содержащий четыре пары транзисторов, состо щих из первого и второго, третьего и четвертого, п того и шестого, седьмого и восьмого транзисторов, стоки первого, третьего, п того и седьмого транзисторов соединены с истоками соответственно второго, четвертого, шестого и восьмого транзисторов, стоки которых соединены с шиной источника питани , обща шина которого подключена к истокам первого, третьего и п того транзисторов, затворы соеди нены с входной шиной формировател импульсов, сток первого транзистора подключен к затвору четвертого транзистора и к первой обкладке первого конденсатора, втора обкладка которо го подключена к затвору второго тран зистора и к истоку дев того транзистора , сток и затвор которого подключены к шине источника питани , котоор М.Товтин 3927/58Составитель В.Чижиков Техред Н.БонкалоКоррек ПодписТираж 816 ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4ра подключена к затвору дес того транзистора, сток которого подключен к стоку третьего транзистора и к первой обкладке второго конденсатора,5 исток дес того транзистора подключен к первой обкладке третьего конденсатора , и затвору шестого транзистора, исток которого вл етс выходной шиной формировател импульсов и под10 ключен к вторым обкладкам второго и третьего конденсаторов и к стоку одиннадцатого транзистора, исток которого соединен с общей щиной источника питани , а затвор - к стоку15 седьмого транзистора, о т л и ч а ющ и и с тем, что, с целью повьшге- ни быстродействи и уменьшени потребл емой мощности, исток седьмого транзистора соединен с общей шиной20 источника питани , а затвор подключен к истоку дес того транзистора. Затвор восьмого транзистора подключен к затвору первого транзистора .Корректор Л.Патай Подписное
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843728354A SU1244787A1 (ru) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | Формирователь импульсов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843728354A SU1244787A1 (ru) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | Формирователь импульсов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1244787A1 true SU1244787A1 (ru) | 1986-07-15 |
Family
ID=21114274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843728354A SU1244787A1 (ru) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | Формирователь импульсов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1244787A1 (ru) |
-
1984
- 1984-04-19 SU SU843728354A patent/SU1244787A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент US № 3564290, кл. Н 03 К 5/01, 1976. Патент СИА № 3769528, кл. Н 03 К 5/01, 1978. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5208557A (en) | Multiple frequency ring oscillator | |
KR0158006B1 (ko) | 캐패시터와 트랜지스터를 사용하는 지연 회로 | |
US4542310A (en) | CMOS bootstrapped pull up circuit | |
KR940010446A (ko) | 효율적 네가티브 충전펌프 | |
US4628218A (en) | Driving circuit suppressing peak value of charging current from power supply to capacitive load | |
KR890009090A (ko) | 집적 전압 증배기 회로 | |
KR940009801A (ko) | 기판전위 발생회로와 이것을 포함하는 반도체장치 | |
US3937983A (en) | Mos buffer circuit | |
WO2006117236A2 (en) | Apparatus and method for reducing power comsumption within an oscillator | |
KR940003011A (ko) | 출력전압에 있어 전계효과트랜지스터의 한계치전압의 손실이 생기지 않는 전압발생회로 | |
KR940003179A (ko) | 데이터 아웃 버퍼 회로 | |
SU1244787A1 (ru) | Формирователь импульсов | |
US4468576A (en) | Inverter circuit having transistors operable in a shallow saturation region for avoiding fluctuation of electrical characteristics | |
JPH07111448A (ja) | インタフェース回路及びこれを具える電圧上昇回路 | |
EP0798845B1 (en) | Voltage-boosting circuit with mode signal | |
US7471577B2 (en) | Voltage generator and methods thereof | |
CN103580651A (zh) | 低相位抖动的振荡器 | |
US3965460A (en) | MOS speed-up circuit | |
US6346841B2 (en) | Pulse generator | |
SU646441A1 (ru) | Инвертор на мдп-транзисторах | |
CN203590154U (zh) | 低相位抖动的振荡器 | |
SU1338024A1 (ru) | Формирователь сигнала выборки на МДП-транзисторах | |
SU991504A1 (ru) | Адресный формирователь | |
SU1681335A1 (ru) | Формирователь напр жени смещени подложки | |
SU1163464A2 (ru) | Генератор импульсов |