SU416877A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU416877A1
SU416877A1 SU1798402A SU1798402A SU416877A1 SU 416877 A1 SU416877 A1 SU 416877A1 SU 1798402 A SU1798402 A SU 1798402A SU 1798402 A SU1798402 A SU 1798402A SU 416877 A1 SU416877 A1 SU 416877A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
capacitor
load
inverter
phase
Prior art date
Application number
SU1798402A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1798402A priority Critical patent/SU416877A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU416877A1 publication Critical patent/SU416877A1/ru

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к радиотехническим устройствам, в частности к элементам МОП-ИС и может быть использовано в цифровой вычислительной технике.
Известен инвертор на МДП-транзисторах, содержащий последовательно включенные инвертирующий и нагрузочный транзисторы, конденсатор, первый вывод которого через зар дный транзистор подключен к шине питани , разр дный и дополнительный транзисторы .
Цель изобретени  - повыпление быстродействи  и нагрузочной способности устройства.
Дл  этого первый вывод конденсатора соединен с затвором нагрузочного транзистора, исток которого через дополнительный транзистор соединен со стоком разр дного транзистора и вторым выводом конденсатора, причем затворы разр дного и дополнительного транзисторов соединены соответственно с первой и второй шинами тактовых импульсов.
На фиг. 1 представлена схема предлагаемого инвертора; на фиг. 2 - эпюры напр жений.
Инвертор построен на транзисторах 1-5 и конденсаторе 6.
Высокий уровень напр жени , подаваемый на вход инвертора, открывает ключевой транзистор 5, и на выходе инвертора устанавливаетс  уровень логического «О. Если на входе инвертора во врем  фазы 2 (1) устанавливаетс  низкий уровень напр жени , ключевой транзистор 5 закрыт и по фазе 2(1) потенциал затвора нагрузочного транзистора 4 резко повышаетс  за счет положительной обратной св зи через предварительно зар женный по фазе 1 (2) конденсатор 6, что позвол ет достаточно быстро зар дить емкость нагрузки до напр жени  питани  (ш1т).
Во врем  зар да конденсатора нагрузки эффективное напр жение на затворе нагрузочного транзистора 4 остаетс  практически посто нным (при f/Бых меньше амплитуды фазы минус пороговое напр жение), что значительно уменьшает врем  зар да конденсатора. При сохранении низкого уровн  напр жени  на входе инвертора конденсатор 6, постепенно разр л аемый токами утечки, периодически по фазе 1 (2) подзар жаетс  через открывающий транзистор 1 и транзистор 2, открытый напр жением фазы 1 (2). При этом транзистор 3 закрыт нулем фазы 2 (1), и выход отключен от конденсатора 6. Во врем  фазы 2(1) напр жение на затворе пагрузочного транзистора 4 снова резко повышаетс  и через открывающийс  нагрузочный транзистор 4 конденсатор нагрузки подзар жаетс . Данное устройство применимо также в качестве элемента задержки быстродействующих тактируемых схем.
Предмет изобретени 
Р1нвертор на МДП-транзисторах, содержащий последовательно включенные инвертирующий и нагрузочный транзисторы, конденсатор , первый вывод которого через зар дный транзистор подключен к шине питани , разр дный и дополнительный транзисторы, отличающийс  тем, что, с целью повыщени 
быстродействи  и нагрузочной способности, в нем первый вывод конденсатора соединен с затвором нагрузочного транзистора, исток которого через дополнительный транзистор соединен со стоком разр дного транзистора и вторым выводом конденсатора, причем затворы разр дного и дополнительного транзисторов соединены соответственйо с первой и второй щинами тактовых импульсов.
V О
Ф2
Ф1
1
SU1798402A 1972-06-20 1972-06-20 SU416877A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1798402A SU416877A1 (ru) 1972-06-20 1972-06-20

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1798402A SU416877A1 (ru) 1972-06-20 1972-06-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU416877A1 true SU416877A1 (ru) 1974-02-25

Family

ID=20518347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1798402A SU416877A1 (ru) 1972-06-20 1972-06-20

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU416877A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3774055A (en) Clocked bootstrap inverter circuit
US3852625A (en) Semiconductor circuit
US3509379A (en) Multivibrators employing transistors of opposite conductivity types
US3624423A (en) Clocked set-reset flip-flop
ES396464A1 (es) Circuito de almacenamiento binario.
KR940003179A (ko) 데이터 아웃 버퍼 회로
SU416877A1 (ru)
GB1364799A (en) Field effect transistor circuits for driving capacitive loads
GB1434468A (en) Dynamic binary counter circuit
SU646441A1 (ru) Инвертор на мдп-транзисторах
GB1241746A (en) Buffer circuit for gating circuits
SU535010A1 (ru) Устройство выхода мдп интегральных схем на индикатор
SU641655A1 (ru) Управл емый инвертор на мдп-транзисторах
SU1238230A1 (ru) Формирователь импульсов
US3663835A (en) Field effect transistor circuit
SU491155A1 (ru) Запоминающий элемент
SU413629A1 (ru)
SU1051690A1 (ru) @ -Триггер
SU573884A1 (ru) Логический элемент "не"
SU792568A1 (ru) Однотактный динамический инвертор
SU570108A1 (ru) Ячейка пам ти дл регистра сдвига
SU1644222A1 (ru) Дешифратор
SU525247A1 (ru) Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах
SU661797A1 (ru) Устройство согласовани на мпд-транзисторах
SU387502A1 (ru) Мультиви'братор на мдп транзисторах