SU570108A1 - Ячейка пам ти дл регистра сдвига - Google Patents

Description

I

Изобретение относитс  к вычислительной технике, в частности.к запоминающим устройствам.

Известны  чейки пам ти дл  регистров сдвига на МДП-транзисторах. Одни из Них отличаютс  высоким быстродействием и экономичны по потребл емой мощности, но слоны в эксплуатации, так как требуют большого количества тактовых импульсов .

Другие  чейки пам ти просты в эксплуа- таиии, но имеют сравнительно невысокое быстродействие и неэкономичныпо потребл емой мощности 2.

Наиболее близкой к изобретению  вл етс   чейка пам ти дл  регистра сдвига, содержаща  коммутирующий МДП- ранзистор и инвертор, выполненный на последовательно включенных нагрузочном и ключевом МДП-транзисторах причем затвор нагрузочного транзистора подключен к- шине тактового питани  З. Эта  чейка имеет невысокое быстродействие. Обусловлено это наличием на выходе каждого каскада большой паразитной емкости, представл ющей собой емкость затвор-канал ключевого тр н

зистора, а также малой крутизной характеристик нагрузочного транзистора, котора  должна быть в 1О-20 раз меньше крутизны характеристик ключевого транзистора дл обеспечени  на выходе каскада напр жени  логического О.

Цель изобретени  - повышение быстродействи   чейки.

Достигаетс  это тем, что в известной  чейке пам ти дл  |регистра сдвига исток коммутирующего МДП-транзистора подклк чен к затвору ключевого МДП-траизистора, а сток - к шине тактового питани .

На чертеже дана предлагаема   чейка,

Ячейка пам ти дл  регистра сдвига содержит нагрузочный МДИ-транзистор 1, ключевой МДП-транзистор 2, коммутирующий МДП-транзистор 3, шину питани  4, шину тактового питани  5, узловые емкости 6, 7 и 8. Кроме того  чейка имеет вход 9 и выход 10.

Предлагаема   чейка работает следующим образом. При подаче на вход 9 напр жени  логической Еоммутирук шй МДПтранзистор 3 открываетс , т.е. под его затвором индуцируетс  канал. Во врем  нарастани  на шине 5 тактового питани  напр жени  тактового импульса с помощью емкости затвор-канал коммутирующего МДП-транзистора 3 на узловую емкость 6 передаетс  дополнительное напр жение, в результате чего напр жение на затворе ком мутирующегос  МДП-ч-ранзистора 3 превышает напр жение тактового импульса. Поэтому во врем  действи  тактового импульса на шине 5 узлова  емкость 7 зар жаетс  до квлраженв  тактового импульса и от крыэавтс  ключевой МДП-транаистор 2. А Т|9К как крутизне характерЕхстик ключевого МДП транаистора 2 во много раз превышвет крутизну характеристик нагрузочного МДП-транаистора 1, то узлова  емкость 8 разр жаетс  черезЬткрыпгый; ключевой МДПтранзистор 2 на шиву питани  4, в на выходе 1О первого каскада устанавливаетс  вапр ж ше логического О, После олончавн  действи  тактового импульса на шине тактоворо питани  5 нагруэочйый МЯП-тр«1М зистор 1 аакрываетс  емкость 7 разр жает- с  через коммутврукшшй МДП- ранзистор S аа ншну 5 тактового питани , котора  в этс находитса под потенциалом, равным aoveasaaay обшей ишаы питанн , а на sMgoo ти 8 хранитс  нзор женве  огического О А0а (Я вч1ШМ; образом происходит и сдвиг  огич жсго . Таким образом, бдагсшар  подключению астока коммутирующего МДП-транзйстора к затвору ключвйого МДП-1)йнз0стора, а стока « k содтввтсчггу лаад тактозой ашне повышаетс  быстродействие  чейки пам ти регистра сдвига, так как уменьшаетс  паразитна  емкость на выходе каждого каскада из-за того, что площади затворов коммутирующих МДП-транзисторов меньше, чем .ключевых. Кроме того, зар д емкостей затворов ключевых МДП-транзисторов происходит быстрее, так как к5 утизна характеристик коммутирующих МДП-трб1нзисторов, через которые происходит зар д этих емкостей, выше, чем нагрузочных. Форму л а и 3 о б р е т е н и   Ячейка пам ти дл  регистра сдвига, содержаща  коммутирующий МДП-транзнстор в инвертор, выполненный на последовательно включенных нагрузочном н ключевом МДП-транзисторах, причем затвор МДПнйгруэочного ;транзистора подключен к шине тактового питани , отличаюиса с а тем, что, с целью повьшенн  быстродействв   чейка, в нейноток коммутирующего МДП-транзистора подключен к затвору Елючевого МДП.-транзистора, а сток к швне тактового питани . Источники информаци , прин тые во внимание прн экспертизе: . 1. Патент США, Ne3.678.29O, I. 307-205, 1972. .V. 2. Патент США. № 3.454.785, л. 307-221,1969. 3. Патент США, № 3.395.292, . 307-22li 1968.