SU680055A2 - Ячейка пам ти дл регистра сдвига - Google Patents

Ячейка пам ти дл регистра сдвига

Info

Publication number
SU680055A2
SU680055A2 SU772484527A SU2484527A SU680055A2 SU 680055 A2 SU680055 A2 SU 680055A2 SU 772484527 A SU772484527 A SU 772484527A SU 2484527 A SU2484527 A SU 2484527A SU 680055 A2 SU680055 A2 SU 680055A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
bus
memory cell
shift register
voltage
Prior art date
Application number
SU772484527A
Other languages
English (en)
Inventor
Петр Николаевич Зуб
Евгений Иванович Семенович
Original Assignee
Предприятие П/Я Х-5737
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Х-5737 filed Critical Предприятие П/Я Х-5737
Priority to SU772484527A priority Critical patent/SU680055A2/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU680055A2 publication Critical patent/SU680055A2/ru

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к области вычислительной техники/ может найти применение при построении квазистатических регистров сдвига и  вл етс  усовершенствованием иэвест-г ного устройства, описанного в авт. св. 570108.
В ОСНОВНОМ изобретении по авт. св. 570108 описана  чейка пам ти дл  регистра сдвига, содержаща  коммутирующий МДП-транзистор и инвертор , выйспненный на последовательно включенных нагрузочном и ключевом МДП-транзисторах, причем сток нагрузочного МДП-транзистора подключен к шине питани , исток коммутирующего МДП-транзистора подключен к затвору ключевого транзистора, а дток - к тактовой шине и к затвору нагрузочного МДП-транзистора 1.
При последовательном соединении таких  чеек пам ти образуетс  динамический регистр сдвига.
Недостатком известной  чейки пам ти дл  регистра сдвига  вл етс  большое потребление мощности за сче посто нного протекани  тока, так ка один из ключевых транзисторов всегд открыт, а нагрузочные транзисторы открыты посто нно.
Целью дополнительного изобретени   вл етс  уменьшение потребл емой мсадн ос ти.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что в  чейку пам ти регистра сдвига по авт. ев. № 570108 введены конденсатор и два дополнительных МДП-транзистора, соединенные тригГерт ной св зью, истоки которых соедине0 ны со стоком ключевого МДП-транзистора , сток перВЪго дополнительного МДП-транзистора через конденсатор подключен к соответствующей тактовой шине, а сток второго дополнительно5 го МДП-транзистора - к шине питани .
Такое техническое решение обеспечивает квазистатический режим работы  чейки пам ти в составе регистра, что значительно уменьшает потребл е0 мую мЬщность, так как токи винверторах текут толькоВО врем  действи  тактовых сигналов.
На фиг. 1 представлена.электрическа  схема  чейки пам ти дл  регистра
5 сдвига; на фиг. 2 - временна  диаграмма сигналов на тактовых шинах.
Устройство выполнено на восьми МДП-транзисторах 1-8 и одном конденсаторе 9. Коммутирующий транзистор 1
0 и инвертор, состо щий из нагрузочного 2 и ключевого 3.транзисторов, образуют первый каскад  чейки, а коммутирующий транзистор 4 и инвертор , СОСТОЯ1ДИЙ из н агрузочного 5 и ключевого 6 транзисторов, - второй каскад. Затвор транзистора 1 соединен с входом 10  чейки, сток соедин с затвором транзистора 2 и подключен к первой тактовой шине 11. Сток транзистора 4 соединен с затвором транзистора 5 и подключен ко второй тактовой шине 12. Сток дополнительного транзистора 7 соединен с затвором транзистора 8 и первым выводом конденсатора 9, второй вывод которого подключен к третьей тактовой шине 13. Затвор транзистора 7 соединен со стоком транзистора 8 и подключен к шине питани  14, к которой подключены стоки транзисторов 2 и 5,. истоки транзисторов 3 и 6 подключены к общей шине 15. Истоки транзисторов 7 и 8 соединены между 9обой и подключены к стоку транзистора 3,  вл ющемус  выходом первого каскада. Сток транзистора 6 служит выходом 1б  чейки.
Если на вход  чейки подано напр жение логического нул , то во врем  действи  тактового сигнала на шине
11транзистор 3 закрыт, а через открытый транзистор 2 происходит зар  узловой емкости 17 на входе второго каскада до напр жени  логической единицы. По окончании действи  тактового сигнала на шине 11 транзистор 2 закрываетс , на узловой емкости 17 запоминаетс  напр жение логической единицы.
На высоких частотах (обычно выше 10 кГц), когда врем  между окончанием тактового сигнала на шине 11 и началом тактового сигнала на шине
12недостаточно дл  разр да токами утечки емкости 17 до напр жени  ниже логической единицы, нет необходимости в подаче тактовых сигналов на шину 13. На низких же частотах, когда пауза между тактовыми сигналами на шине 11 и 12 велика, необходимо подавать тактовые сигналы на шину 13. При этом с помощью конденсатора 9 на затвор транзистора 8 передаетс дополнительное напр жение. Транзистор 8 открываетс , и происходит подзар д емкости 17 от источника питани - 14.
При подаче на шину 12 тактового сигнала открываетс  транзистор б.
так как на затворе транзистора 4 напр жение логической единицыi Поскольку крутизна характеристик транзистора б во много раз выше .крутизны характеристик транзистора 5, на выходе 16  чейки устанавливаетс  напр жение логического нул . Так происходит запись, хранение и сдвиг напр жени  логического нул .
При подаче на вход 10  чейки напр жени  логической единицы во врем  действи  тактового сигнала на шине 11 открываетс  транзистор З.А так как крутизна характеристик транзистора 3 значительно вЬпде крутизны характеристик транзистора 2, узлова  емкость 17 разр жаетс  через открытый транзистор 3 на общую шину до напр жени  логического нул . При этом через посто нно открытый транзистор 7 происходит разр д конденсатора 9. В результате чего под затвором конденсатора 9 исчезает канал, служащий второй обкладкой этого конденсатора. Поэтому при подаче тактовых сигнешов на шину 13 на затвор транзистора 8 не передаетс  дополнительное напр жение. Транзистор 8 закрыт. На узловой емкости 17 хранитс  напр жение логического нул . По приходу тактового сигнала на шину 12 транзистор 6 не откроетс , так как закрыт транзистор 4. В итоге на выходе 16  чейки устанавливаетс  напр жение логической единицы .

Claims (1)

1. Авторское свидетельство СССР
570108, кл. G 11 С 19/28, 03.11.75
(протртип).
J
-.17
tS
SU772484527A 1977-05-11 1977-05-11 Ячейка пам ти дл регистра сдвига SU680055A2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772484527A SU680055A2 (ru) 1977-05-11 1977-05-11 Ячейка пам ти дл регистра сдвига

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772484527A SU680055A2 (ru) 1977-05-11 1977-05-11 Ячейка пам ти дл регистра сдвига

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU570108 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU680055A2 true SU680055A2 (ru) 1979-08-15

Family

ID=20708379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772484527A SU680055A2 (ru) 1977-05-11 1977-05-11 Ячейка пам ти дл регистра сдвига

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU680055A2 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4394586A (en) Dynamic divider circuit
SU680055A2 (ru) Ячейка пам ти дл регистра сдвига
US4129793A (en) High speed true/complement driver
US4468576A (en) Inverter circuit having transistors operable in a shallow saturation region for avoiding fluctuation of electrical characteristics
EP0059722A4 (en) CLOCKED LOGIC CIRCUIT WITH IGFET.
JPH0683065B2 (ja) 分周回路
SU1538246A1 (ru) Преобразователь уровней сигналов на МДП-транзисторах
US4042833A (en) In-between phase clamping circuit to reduce the effects of positive noise
SU535010A1 (ru) Устройство выхода мдп интегральных схем на индикатор
EP0109004B1 (en) Low power clock generator
SU771874A1 (ru) Выходное устройство
SU790330A1 (ru) Быстродействующий преобразователь уровней напр жени на дополн ющих мдп транзисторах
SU1554118A1 (ru) Генератор пр моугольных импульсов в интегральном исполнении
SU1221740A1 (ru) Усилитель-формирователь на МОП-транзисторах
JPS5842558B2 (ja) アドレス バッファ回路
SU911692A1 (ru) Формирователь импульсов
SU387502A1 (ru) Мультиви'братор на мдп транзисторах
RU1783579C (ru) Триггер
SU1140245A1 (ru) Усилитель-формирователь выходных сигналов посто нных запоминающих устройств на МОП-Транзисторах
SU663111A1 (ru) Динамический элемент
SU591960A1 (ru) Устройство выборки дл запоминающих устройств на мдп-транзисторах
SU570108A1 (ru) Ячейка пам ти дл регистра сдвига
SU1101863A1 (ru) Сумматор
SU1429167A1 (ru) Оперативное запоминающее устройство
SU736172A1 (ru) Двухтактный сдвигающий регистр